KR20120068628A - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20120068628A
KR20120068628A KR1020100130326A KR20100130326A KR20120068628A KR 20120068628 A KR20120068628 A KR 20120068628A KR 1020100130326 A KR1020100130326 A KR 1020100130326A KR 20100130326 A KR20100130326 A KR 20100130326A KR 20120068628 A KR20120068628 A KR 20120068628A
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conductive
light emitting
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김장미
신동익
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삼성엘이디 주식회사
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Abstract

본 발명은,
다수의 피트가 형성된 상면을 가지며 제1 도핑 농도로 도프된 제1 도전형 고농도 반도체층과, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층 상에 형성되고 상기 제1 도핑 농도보다 낮은 도핑 농도를 갖는 제1 도전형 저농도 반도체층이 서로 교대하여 1회 이상 적층된 구조를 갖는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되는 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성되는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.

Description

반도체 발광소자 및 그 제조방법 {Semiconductor Light Emitting Device and Manufacturing Method thereof}
본 발명은, 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 질화물 반도체는 풀컬러 디스플레이, 이미지 스캐너, 각종 신호시스템 및 광 통신기기에 광원으로 제공되는 녹색 또는 청색 발광 다이오드(light emitting diode:LED) 또는 레이저 다이오드(laser diode: LD)에 널리 사용되어 왔다. 이러한 질화물 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합원리를 이용하는 청색 및 녹색을 포함하는 다양한 광의 방출하는 활성층을 갖는 발광소자로서 제공될 수 있다.
이러한 질화물 발광소자가 개발된 후에, 많은 기술적 발전을 이루어져 그 활용 범위가 확대되어 일반 조명 및 전장용 광원으로 많은 연구가 되고 있다. 특히, 종래에는 질화물 발광소자는 주로 저 전류/저 출력의 모바일 제품에 적용되는 부품으로 사용되었으며, 최근에는 점차 그 활용범위가 고 전류/고 출력 분야로 확대되고 있다. 이에 따라, 반도체 발광소자의 발광 효율과 품질을 개선하기 위한 연구가 활발하게 이루어지고 있다.
본 발명은, 결정 품질 및 발광 효율이 향상된 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면은,
다수의 피트가 형성된 상면을 가지며 제1 도핑 농도로 도프된 제1 도전형 고농도 반도체층과, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층 상에 형성되고 상기 제1 도핑 농도보다 낮은 도핑 농도를 갖는 제1 도전형 저농도 반도체층이 서로 교대하여 1회 이상 적층된 구조를 갖는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되는 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성되는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층 및 제1 도전형 저농도 반도체층은 서로 교대하여 2회 이상 반복 적층된 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층 및 상기 제1 도전형 저농도 반도체층은 각각 10nm 이하의 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층은 약 1019/㎤ 내지 1020/㎤ 의 농도로 도핑될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 도전형 저농도 반도체층은 1016/㎤ 내지 1017/㎤의 농도로 도핑될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 도전형 저농도 반도체층은 상기 제1 도전형 고농도 반도체층의 피트를 메우는 형태로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 도전형 저농도 반도체층 상면은 평탄할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층의 피트는 육각 피라미드 형상일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 도전형 반도체층은 n형 불순물로 도핑될 수 있다.
본 발명의 다른 측면은,
기판 상에, 다수의 피트가 형성된 상면을 가지며 제1 도핑 농도로 도프된 제1 도전형 고농도 반도체층과, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층 상에 형성되고 상기 제1 도핑 농도보다 낮은 도핑 농도를 갖는 제1 도전형 저농도 반도체층이 서로 교대하여 1회 이상 적층된 구조를 갖는 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층은 상기 제1 도전형 저농도 반도체층보다 낮은 온도에서 형성될 수 있다.
이 경우, 상기 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계에서, 불순물 주입량은 동일하게 유지될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층은 600 내지 1000℃에서 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 도전형 저농도 반도체층은 900 내지 1200℃에서 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층 및 제1 도전형 저농도 반도체층은 서로 교대하여 2회 이상 반복 적층될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 결정 품질이 향상된 반도체 발광소자를 제공할 수 있으며,
고농도 영역과 저농도 영역을 교대로 형성함에 따라 전류 분산 효과가 향상되고, 활성층으로의 전류 주입 효율이 개선되어, 발광 효율이 향상된 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 사시도이다.
도 2는 도 1의 피트 구조의 주변 영역을 확대하여 나타낸 것이다.
도 3은 제1 도전형 반도체층의 제1 도전형 고농도 반도체층 및 제1 도전형 저농도 반도체층 일부를 확대한 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 사시도이다.
도 5는 도 1의 반도체 발광소자의 패키지 실장형태를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 사시도이다. 도 1을 참조하면, 본 실시형태에 따른 반도체 발광소자(100)는 기판(10), 상기 기판(10) 상에 형성된 제1 도전형 반도체층(20), 상기 제1 도전형 반도체층(20) 상에 형성된 활성층(30), 상기 활성층(30) 상에 형성된 제2 도전형 반도체층(40)을 포함하며, 상기 제1 도전형 반도체층(20)은 고농도 도핑되며 상부에 피트를 갖는 제1 도전형 고농도 반도체층(21)과, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21) 상면에 형성되고 저농도 도핑된 제1 도전형 저농도 반도체층(22)이 서로 교대하여 1회 이상 적층된 구조를 갖는다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(20, 40) 상에는 각각 제1 및 제2 도전형 전극(20a, 40a)이 형성될 수 있다.
상기 기판(10)은 사파이어, SiC, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN 등의 물질로 이루어진 기판을 사용할 수 있다. 이 경우, 사파이어는 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a축 방향의 격자상수가 각각 13.001Å과 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다. 버퍼층(미도시)은 질화물 등으로 이루어진 언도프 반도체층으로 채용될 수 있으며, 그 위에 성장되는 반도체층의 격자 결함을 완화시킬 수 있다.
본 실시 형태에서, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(20, 40)은 각각 n형 및 p형 반도체층이 될 수 있으며, 질화물 반도체로 이루어질 수 있다. 따라서, 이에 제한되는 것은 아니지만, 본 실시 형태의 경우, 제1 및 제2 도전형은 각각 n형 및 p형을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(20, 40)은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 가지며, 예컨대, GaN, AlGaN, InGaN 등의 물질이 이에 해당될 수 있다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(20, 40) 사이에 형성되는 활성층(30)은 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 광을 방출하며, 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조, 예컨대, InGaN/GaN 구조가 사용될 수 있다. 한편, 제1 및 제2 도전형 반도체층(20, 40)과 활성층(30)은 당 기술 분야에서 공지된 MOCVD, MBE, HVPE 등과 같은 반도체층 성장 공정을 이용하여 형성될 수 있을 것이다.
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(20, 40) 상에는 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(20, 40) 각각과 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 도전형 전극(20a, 40a)이 형성될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제1 도전형 전극(20a)은 상기 제2 도전형 반도체층(40), 활성층(30) 및 제1 도전형 반도체층(20)의 일부가 식각되어 노출된 제1 도전형 반도체층(20) 상에 형성될 수 있으며, 상기 제2 도전형 전극(40a)은, 상기 제2 도전형 반도체층(40) 상에 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 도전형 반도체층(40)과 제2 도전형 전극(40a) 사이의 오믹 컨택 기능을 향상시키기 위하여 ITO, ZnO 등과 같은 투명 전극이 더 구비될 수 있다. 도 1에 도시된 구조의 경우, 제1 및 제2 도전형 전극(20a, 40a)이 동일한 방향을 향하도록 형성되어 있으나, 상기 제1 및 제2 도전형 전극(20a, 40a)의 위치 및 연결 구조는 필요에 따라 다양하게 변형될 수 있을 것이다.
제1 도전형 반도체층(20)은 고농도 도핑되며, 상부에 형성된 피트를 갖는 제1 도전형 고농도 반도체층(21) 및 상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21) 상면에 형성되며 저농도로 도핑된 제1 도전형 저농도 반도체층(22)이 서로 교대하여 1회 이상 적층된 구조를 가질 수 있다. 본 실시형태에서는 상기 제1 도전형 고농도 반도체층 및 제1 도전형 저농도 반도체층(21, 22)이 3회 반복 적층되었으나, 적층 횟수 및 두께는 필요에 따라 다양하게 변경될 수 있을 것이다. 상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21) 상면에는 피트 구조가 형성된다. 도 2는 도 1의 피트 구조의 주변 영역을 확대하여 나타낸 것이다. 도 2를 참조하면, 피트(P)는 제1 도전형 고농도 반도체층(21) 상면에 V 형상, 보다 구체적으로, 육각 피라미드 형상으로 형성될 수 있으며, 제1 도전형 고농도 반도체층(21) 상면이 (0001)면일 경우, 특정 결정면, 예를 들면, (1-101)면을 사면으로 가질 수 있다. 이러한 피트(P)는 상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21)의 상면을 에칭하거나, 성장 속도, 온도 등의 조건을 적절히 조절하여, 제1 도전형 고농도 반도체층(21)의 전위(dislocation) 주변에서 자발적으로 형성되도록 할 수 있다.
도 3은 제1 도전형 반도체층의 제1 도전형 고농도 반도체층(21) 및 제1 도전형 저농도 반도체층(22) 일부를 확대한 도면이다. 도 3을 참조하면, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21) 상면에 형성된 피트(P) 구조는, 쓰레딩 전위(D)와 같은 결정 결함 영역에 우선적으로 형성되므로, 쓰레딩 전위(D)가 상부로 전파되는 것을 차단할 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21)의 피트(P) 구조 상면에, 결정성이 우수한 제1 도전형 저농도 반도체층 중간층(22)이 새로이 적층됨으로써 결함 영역(D)을 통해 흐르는 누설 전류를 억제할 수 있으므로, 이로 인한 발광 효율의 향상을 기대할 수 있다. 한편, 상기 피트(P) 구조는, 이미 생성된 전위가 상부로 전파되는 것을 차단할 뿐만 아니라, 격자 상수 차이 등으로 인해 새롭게 발생하는 전위를 피트(P) 형성 영역으로 모아줌으로써, 피트 구조(P)를 제외한 영역에서의 우수한 결정성을 확보하여 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 제1 도전형 고농도 반도체층(21)은 고농도로, 제1 도전형 저농도 반도체층(22)은 저농도로 불순물을 도핑함에 따라, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21)의 전위 발생 영역, 즉, 결함 영역(D)에서 살아난 전자(e-)가 고농도 영역인 제1 도전형 고농도 반도체층(21)에서 저농도 영역인 제1 도전형 저농도 반도체층(22)으로 효과적으로 주입될 수 있으며, 그 결과, 반도체 발광소자의 발광 효율이 향상된다. 더불어, 상기 저농도 영역인 제1 도전형 저농도 반도체층(22)은 저항이 높고, 고농도 영역인 제1 도전형 고농도 반도체층(21)은 저항이 낮으므로 상기 제1 도전형 저농도 반도체층(22)에서는 전류가 측면으로 분산되고, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층 (21)에서는 전류가 상부로 유도됨으로써, 활성층(30)으로 전자 이동 경로가 넓어져 전류 분산(current spreading) 효과를 얻을 수 있다.
상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21) 및 제1 도전형 저농도 반도체층(22)은 앞서 설명한 바와 같이, MOCVD, MBE, HVPE 등과 같은 반도체층 성장 공정을 이용하여 형성될 수 있으며, 불순물 주입 농도를 달리 해가며 제1 도전형 고농도 반도체층(21) 및 제1 도전형 저농도 반도체층(22)의 도핑 농도를 달리할 수 있을 뿐만 아니라, 불순물 주입량은 동일하게 유지한 채로, 성장 온도만을 달리하여 형성할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21)은 상기 제1 도전형 저농도 반도체층(22)보다 낮은 온도에서 성장됨으로써, 고농도 도핑되고, 그 상부에 피트 구조(P)를 갖도록 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21)은 600내지 1000℃에서 성장될 수 있으며, 상기 제1 도전형 저농도 반도체층(22)은 900 내지 ℃에서 성장될 수 있다. 이때, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21)은 상기 제1 도전형 저농도 반도체층(22)보다 낮은 온도에서 성장됨으로써 더 높은 불순물 도핑 농도를 갖게 되고, 상기 제1 도전형 저농도 반도체층(22)은 상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21)보다 높은 온도에서 성장됨으로써, 불순물 주입 유량을 변화시키지 않고도 더 낮은 불순물 도핑 농도를 갖도록 할 수 있다. 따라서, 공정 조건 중 온도만을 조절하는 간단한 방법을 통해, 발광 효율 및 결정 품질이 개선된 반도체 발광소자를 제공할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21)은 1019/㎤ 내지 1020/㎤ 의 농도로 도핑될 수 있으며, 상기 제1 도전형 저농도 반도체층(22)은 1016/㎤ 내지 1017/㎤의 농도로 도핑될 수 있다.
상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21) 및 제1 도전형 저농도 반도체층(22)은 각각 10nm 이내의 두께를 가질 수 있으며, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21) 및 상기 제2 도전형 저농도 반도체층(21, 22)이 교대로 하여 1회 이상 반복 적층된 구조를 포함하는 제1 도전형 반도체층(20)은 500nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21) 및 제1 도전형 저농도 반도체층(22)이 교대로 2회 이상 반복 적층됨에 따라, 결함 발생 영역(D)을 피트 형성 영역(P)으로 모아 제1 도전형 반도체층(20)의 결정 품질을 향상시키고, 고농도 영역과 저농도 영역을 교대로 형성함에 따라 전류 분산 효과를 얻을 수 있으며, 또한, 활성층(30)으로의 전자 주입 효율을 향상시킬 수 있다. 본 실시형태에서는, 상기 제1 도전형 저농도 반도체층(22)이 상기 제1 도전형 고농도 반도체층(21) 상면에 형성된 피트(P)를 메우는 형태로 형성되고, 그 상면이 평탄하게 이루어지는 형태로 도시되어 있으나, 본 실시형태에 제한되는 것은 아니며, 상기 제1 도전형 저농도 반도체층(22)은 상기 제1 도전형 고농도 반도체층 (21)에 형성된 피트(P)의 일부만을 메우는 형태로 구성될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 사시도이다. 도 4를 참조하면, 본 실시형태에 따른 반도체 발광소자(200)는 도전성 기판(150) 상에 순차적으로 형성된 제2 도전형 반도체층(140), 활성층(130) 및 제1 도전형 반도체층(120)을 포함한다. 상기 제1 도전형 반도체층(120)은, 앞선 실시형태와 마찬가지로, 고농도 도핑되며 상부에 피트를 갖는 제1 도전형 고농도 반도체층 (121)과, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층(121) 상면에 형성되고 저농도 도핑된 제1 도전형 저농도 반도체층(122)이 서로 교대하여 1회 이상 적층된 구조를 가질 수 있다. 다만, 도 1에 도시된 실시형태와는 달리, 상기 제2 도전형 반도체층(140) 상면에 도전성 기판(150)이 형성될 수 있다.
상기 도전성 기판(150)은, 성장용 기판(미도시) 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 반도체층(120), 활성층(130) 및 제2 도전형 반도체층(140)으로부터 반도체 성장용 기판(미도시)을 제거하기 위한 레이저 리프트 오프 등의 공정에서 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(120, 140)과 활성층(130)을 포함하는 발광구조물을 지지하는 지지체의 역할을 수행하며, Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se, GaAs 중 어느 하나를 포함하는 물질, 예컨대, Si 기판에 Al이 도핑된 물질로 이루어질 수 있다. 본 실시 형태의 경우, 도전성 기판(150)은 도전성 접착층(미도시)을 매개로 발광구조물과 접합될 수 있다. 도전성 접착층은 예컨대, AuSn와 같은 공융 금속 물질을 이용할 수 있을 것이다. 또한 상기 도전성 기판(150)은 상기 제2 도전형 반도체층(140)으로 전기 신호를 인가하는 제2 도전형 전극으로 기능할 수 있으며, 도 4에 도시된 바와 같이, 전극이 수직 방향으로 형성되는 경우, 전류 흐름 영역이 확대되어 전류 분산 기능이 향상될 수 있다.
도 5는 도 1의 반도체 발광소자의 패키지 실장형태를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 발광소자 패키지는 제1 및 제2 단자부(60a, 60b)를 구비하며, 반도체 발광소자는 이들과 각각 전기적으로 연결된다. 이 경우, 반도체 발광소자는 도 1과 동일한 구조를 가지며, 상기 제1 도전형 반도체층(20)은 상기 제1 도전형 전극(20a)과 연결된 도전성 와이어에 의하여 제2 단자부(60b)에 연결되고, 상기 제2 도전형 반도체층(40)은 상기 제2 도전형 전극(40a)에 의해 제1 단자부(60a)에 연결될 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.
100, 200: 반도체 발광소자 10: 기판
20, 120: 제1 도전형 반도체층 20a, 120a: 제1 도전형 전극
21, 121: 제1 도전형 고농도 반도체층
22, 122: 제1 도전형 저농도 반도체층
30, 120: 활성층 40, 140: 제2 도전형 반도체층
40a: 제2 도전형 전극 60a, 60b: 제1 및 제2 단자부
150: 도전성 기판

Claims (15)

  1. 다수의 피트가 형성된 상면을 가지며 제1 도핑 농도로 도프된 제1 도전형 고농도 반도체층과, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층 상에 형성되고 상기 제1 도핑 농도보다 낮은 도핑 농도를 갖는 제1 도전형 저농도 반도체층이 서로 교대하여 1회 이상 적층된 구조를 갖는 제1 도전형 반도체층;
    상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되는 활성층; 및
    상기 활성층 상에 형성되는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 고농도 반도체층과 상기 제1 도전형 저농도 반도체층이 서로 교대하여 2회 이상 반복 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 고농도 반도체층과 상기 제1 도전형 저농도 반도체층은 각각 10nm 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 고농도 반도체층은 약 1019/㎤ 내지 1020/㎤ 의 농도로 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 저농도 반도체층은 1016/㎤ 내지 1017/㎤의 농도로 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 저농도 반도체층은 상기 제1 도전형 고농도 반도체층의 피트를 메우는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 저농도 반도체층 상면은 평탄한 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 고농도 반도체층의 피트는 육각 피라미드 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 반도체층은 n형 불순물로 도프된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  10. 기판 상에, 다수의 피트가 형성된 상면을 가지며 제1 도핑 농도로 도프된 제1 도전형 고농도 반도체층과, 상기 제1 도전형 고농도 반도체층 상에 형성되고 상기 제1 도핑 농도보다 낮은 도핑 농도를 갖는 제1 도전형 저농도 반도체층이 서로 교대하여 1회 이상 적층된 구조를 갖는 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제1 도전형 반도체층 상에 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;
    를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 도전형 고농도 반도체층은 상기 제1 도전형 저농도 반도체층보다 낮은 온도에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계에서, 불순물 주입량은 동일하게 유지되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 도전형 고농도 반도체층은 600 내지 1000℃에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제1 도전형 저농도 반도체층은 900 내지 1200℃에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 제1 및 제1 도전형 저농도 반도체층은 서로 교대하여 2회 이상 반복 적층되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
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