KR20120066153A - 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광 효율이 향상된 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 발광 다이오드는, 표면으로부터 돌출된 다수의 제 1 돌기를 갖는 기판; 상기 기판 상에 차례로 적층되어 형성된 버퍼층, 제 1 반도체층, 활성층, 제 2 반도체층; 상기 제 2 반도체층의 일부 영역 상에 형성되고 하부에 상기 제 2 반도체층의 표면으로부터 소정 깊이까지 연장되는 다수의 제 2 돌기를 갖는 절연층; 상기 절연층을 포함한 상기 제 2 반도체층 상에 형성된 오믹접촉층; 상기 활성층이 형성된 영역을 제외한 상기 제 1 반도체층의 일부 영역 상에 형성된 제 1 전극패드; 및 상기 오믹접촉층 상에 형성된 제 2 전극패드를 포함한다.
Description
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히, 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광소자 중 하나이다. 이러한 발광 다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 광으로 변환하는데, 저전압으로 고효율의 광을 방출할 수 있어, 에너지 절감 효과가 뛰어난 것으로 알려져 있다. 최근, 발광 다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되어 액정표시장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전제품 등의 각종 자동화 기기에 적용되고 있다.
특히, 질화갈륨(GaN)계 발광 다이오드는 적외선 내지 적외선을 포함하는 광범위한 발광 스펙트럼을 나타내어, 다양하게 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 비소(As), 수은(Hg) 등의 환경 유해 물질을 포함하지 않는 장점이 있어, 차세대 광원으로 주목받고 있다.
도 1a는 일반적인 질화물 반도체 발광 다이오드를 나타낸 사시도이고, 도 1b는 도 1의 A-A'의 단면도이다.
도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이 일반적인 발광 다이오드는, 기판(100), 기판(100) 상에 형성된 버퍼층(110), 버퍼층(110) 상에 형성된 제 1 반도체층(130), 제 1 반도체층(130)의 일부 영역 상에 형성된 활성층(140), 활성층(140) 상에 형성된 제 2 반도체층(150), 제 2 반도체층(150) 상에 형성된 오믹접촉층(160), 활성층(140)이 형성되지 않은 제 1 반도체층(130)의 일부 영역 상에 형성된 제 1 전극패드(180) 및 오믹접촉층(160)의 일부 영역 상에 형성된 제 2 전극패드(170)를 포함하여 이루어진다.
상기와 같이 이루어진 일반적인 발광 다이오드는 제 1 전극패드(180)와 제 2 전극패드(170)에 전압을 인가하면, 제 1 전극패드(180)와 제 2 전극패드(170) 사이에 전류가 흘러 활성층(140)에서 광이 발생한다.
그런데, 오믹접촉층(160)의 높은 저항으로 인해 제 2 전극패드(170)의 전류가 오믹접촉층(160)에 골고루 분산되지 못하고 제 2 전극패드(170) 하부로 몰린다. 또한, 활성층(140)에서 발생한 광 중 제 2 전극패드(170) 측으로 진행되는 광이 제 2 전극패드(170)에 흡수 또는 반사되어 광 추출 효율이 저하된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 오믹접촉층에 전류를 골고루 분산시켜 광 효율을 향상시키고, 제 2 전극패드에 흡수되는 광을 외부로 방출시킬 수 있는 발광 다이오드 및 이의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 발광 다이오드는, 표면으로부터 돌출된 다수의 제 1 돌기를 갖는 기판; 상기 기판 상에 차례로 적층되어 형성된 버퍼층, 제 1 반도체층, 활성층, 제 2 반도체층; 상기 제 2 반도체층의 일부 영역 상에 형성되고 하부에 상기 제 2 반도체층의 표면으로부터 소정 깊이까지 연장되는 다수의 제 2 돌기를 갖는 절연층; 상기 절연층을 포함한 상기 제 2 반도체층 상에 형성된 오믹접촉층; 상기 활성층이 형성된 영역을 제외한 상기 제 1 반도체층의 일부 영역 상에 형성된 제 1 전극패드; 및 상기 오믹접촉층 상에 형성된 제 2 전극패드를 포함한다.
상기 절연층은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물과 같은 무기 절연 물질 또는 폴리이미드, 포토아크릴과 같은 유기 절연 물질로 형성된다.
상기 절연층은 굴절률이 1.45 이하인 물질로 형성된다.
상기 제 1 돌기와 제 2 돌기의 단면은 곡률을 갖거나 다각형 형태를 갖는다.
또한, 동일 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조 방법은, 기판 표면을 식각하여 다수의 제 1 돌기를 형성하는 단계; 상기 기판 상에 차례로 버퍼층, 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제 2 반도체층의 일부 영역 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층을 포함한 상기 제 2 반도체층 상에 오믹접촉층을 형성하는 단계; 상기 제 1 반도체층의 일부와 접촉하도록 제 1 전극패드를 형성하는 단계; 및 상기 오믹접촉층의 일부와 접촉하도록 제 2 전극패드를 형성하는 단계를 포함한다.
상기 절연층을 형성하는 단계는 상기 제 1 반도체층의 표면 일부가 노출되도록 상기 제 2 반도체층 및 활성층을 선택적으로 제거하는 단계; 상기 제 2 반도체층을 선택적으로 제거하여 표면으로부터 소정깊이를 갖는 다수의 홈을 형성하는 단계; 및 상기 홈을 포함한 기판의 전면에 절연층을 형성하고 상기 제 2 반도체층상의 일부 영역에만 잔류하도록 상기 절연층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함한다.
상기 홈은 건식 식각 또는 습식 식각 방법을 이용하여 형성한다.
상기 절연층은 플라즈마 화학 기상 증착 방법 또는 스핀코팅 방법을 이용하여 형성한다.
이상과 같은 본 발명의 발광 다이오드 및 이의 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 제 2 전극패드 하부에 절연층을 형성하여 제 2 전극패드의 전류를 오믹접촉층에 골고루 분산시킬 수 있다.
둘째, 절연층 하부에 형성된 돌기가 활성층에서 발생되어 외부로 방출되는 광을 분산시킴으로써 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1a는 일반적인 질화물 반도체 발광 다이오드를 나타낸 사시도.
도 1b는 도 1의 A-A'의 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 다이오드의 단면도.
도 3a, 도 3b, 도 3c는 각각 굴절률이 1.4, 1.6, 1.8인 물질로 형성된 도 2의 제 2 돌기를 통해 광이 분산되는 것을 도시한 단면도.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 다이오드의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도.
도 5는 본 발명의 절연층의 평면도.
도 1b는 도 1의 A-A'의 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 다이오드의 단면도.
도 3a, 도 3b, 도 3c는 각각 굴절률이 1.4, 1.6, 1.8인 물질로 형성된 도 2의 제 2 돌기를 통해 광이 분산되는 것을 도시한 단면도.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 다이오드의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도.
도 5는 본 발명의 절연층의 평면도.
이하에서는, 첨부한 도면을 참고하여, 본 발명에 따른 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 다이오드의 단면도이며, 도 3a, 도 3b, 도 3c는 각각 굴절률이 1.4, 1.6, 1.8인 물질로 형성된 도 2의 제 2 돌기를 통해 광이 분산되는 것을 도시한 단면도이다.
도 2와 같이, 본 발명의 발광 다이오드는, 표면에 소정 높이로 돌출된 다수의 제 1 돌기(200a)를 갖는 기판(200), 기판(200) 전면에 형성된 버퍼층(210), 버퍼층(210) 상에 형성된 제 1 반도체층(220), 제 1 반도체층(220) 상에 형성된 활성층(230), 활성층(230) 상에 형성된 제 2 반도체층(240), 제 2 반도체층(240)의 일부 영역 상에 형성된 절연층(250), 절연층(250)을 포함한 제 2 반도체층(240) 상에 형성된 오믹접촉층(260), 활성층(230)이 형성된 영역을 제외한 제 1 반도체층(220)의 일부 영역 상에 형성된 제 1 전극패드(280) 및 오믹접촉층(260) 상에 형성된 제 2 전극패드(270)를 포함한다. 그리고, 절연층(250) 하부에는 제 2 반도체층(240)의 표면으로부터 소정 깊이까지 연장되는 제 2 돌기(250a)가 형성되어 있다.
여기서, 기판(200)은, 사파이어(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 질화 갈륨(GaN) 및 실리콘 카바이드(SiC) 등과 같은 투명한 절연물질로 형성되며, 특히 사파이어로 형성된 기판인 것이 바람직하다. 사파이어 기판은 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 방향의 격자상수가 13.001Å, a축 방향으로는 4.765Å의 격자간 거리를 가지며, 사파이어 면방향(orientation plane)으로는 C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는 특징이 있다. 이러한 사파이어 기판의 C면의 경우 비교적 질화물 반도체 물질의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하다.
제 1 돌기(200a)는 활성층(230)에서 생성되는 광 중 기판(200)측으로 진행되는 광을 다시 상부로 반사시켜 소자 외부로 방출시키는 기능을 한다. 또한, 임계각 이상의 입사각으로 기판(200)에 입사된 광이 기판(200) 내부에 갇히지 않도록 소자 외부로 방출시키는 기능을 한다.
도시하지는 않았지만, 버퍼층(210)을 제 1 버퍼층과 제 2 버퍼층을 적층하여 구성할 수 있다. 이 때, 제 1 버퍼층은 기판(200) 상에 질화물 반도체로 형성되는 제 1 반도체층(220), 활성층(230) 및 제 2 반도체층(240)이 적절히 성장될 수 있도록 이산화규소(SiO2)와 같이 질화물 반도체와 유사한 구조를 가지는 물질로 형성된다. 제 2 버퍼층은 도핑되지 않은 질화물 반도체를 성장시켜 형성되어 기판(200)과 제 1 반도체층(220)으로 마련되는 n-형 질화물 반도체(n-GaN)가 서로 다른 격자 상수와 열 팽창 계수를 가지는 것을 극복할 수 있다.
제 1 반도체층(220)은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 셀레늄(Se), 텔루르(Te) 또는 탄소(C) 등의 불순물을 첨가하여 도전성을 갖는 n-형 질화물 반도체(n-GaN)로 형성된다. 대표적인 n-형 질화물 반도체는 알루미늄갈륨질화물(AlGaN), 갈륨인듐질화물(GaInN) 등이다. 제 2 반도체층(240)은 마그네슘(Mg), 아연(Zn) 또는 베릴륨(Be) 등을 불순물로 첨가하여 도전성을 갖는 p-형 질화물 반도체(p-GaN)로 형성되며, 대표적인 p-형 질화물 반도체는 알루미늄갈륨질화물(AlGaN), 갈륨인듐질화물(GaInN) 등이다.
활성층(230)은 전자와 정공의 재결합에 의해 광이 발생하는 층이다. 활성층(230)은 장벽층과 우물층(InGaN-GaN)으로 구성되는 다중양자우물구조(MQW)를 갖도록 형성되어 350㎚ 내지 550㎚ 범위의 파장대역의 광을 방출한다. 질화물 반도체(InGaN, GaN)의 조성비에 따라 발광 다이오드가 방출할 광의 파장대역이 결정된다.
절연층(250)은 제 2 전극패드(270) 하부에 밀집되는 전류를 오믹접촉층(260)으로 분산시키는 기능을 한다. 절연층(250)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx)과 같은 무기 절연 물질 또는 폴리이미드(Polyimide; PI), 포토아크릴(Polyacryl)과 같은 유기 절연 물질로 형성된다. 또한, 활성층(230)에서 생성되는 광 중 제 2 전극패드(270) 측으로 진행되는 광의 경로를 변경시키기 위해 절연층(250) 하부에는 제 2 돌기(250a)가 연장되어 제 2 반도체층(240)의 표면으로부터 소정 깊이까지 형성된다.
제 2 돌기(250a)는 단면이 곡률을 갖거나 삼각형, 사각형과 같은 다각형 형태로 규칙적 또는 불규칙적으로 배열되며, 제 2 반도체층(240)의 표면으로부터 소정 깊이까지 연장되어 형성된다. 절연층(250) 하부에 연장되어 형성되는 제 2 돌기(250a)에 의해 활성층(230)에서 방출되는 광 중 제 2 전극패드(270)에 흡수 또는 반사되는 광을 줄여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
특히, 굴절률이 1.45 이하의 물질로 절연층(250)을 형성하면 제 2 돌기(250a)를 통해 더 많은 방향으로 광이 분산되어 광 추출 효율이 향상된다. 도 3c와 같이 굴절률이 1.8인 물질을 통해 광이 분산될 때보다, 도 3a와 같이 굴절률이 1.4인 물질을 통해 광이 더 많은 방향으로 분산된다. 즉, 하부면에 돌기(도 2의 250a)를 구비한 절연층(도 2의 250)의 굴절률을 조절하여 발광 다이오드 소자 내부의 광 경로를 변경시킬 수 있다.
도 2와 같이, 절연층(250)을 포함한 제 2 반도체층(240) 상에 형성된 오믹접촉층(260)은 산화 아연(ZnO) 또는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO)과 같이 투명하고 도전성을 가지는 투명 도전성 물질로 형성된다. 오믹접촉층(260) 보다 저항이 높은 물질로 형성된 절연층(250)으로 인해 제 2 전극패드(270)의 전류가 오믹접촉층(260)에 골고루 분산시킬 수 있다.
제 1 전극패드(280)는 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 중 어느 하나의 금속 또는 둘 이상을 포함하는 합금으로, 오믹접촉층(260), 제 2 반도체층(240) 및 활성층(230)의 일부 영역을 제거하여 노출되는 제 1 반도체층(220)의 일부와 접촉하도록 형성된다.
제 2 전극패드(270)는 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 중 어느 하나의 금속 또는 둘 이상을 포함하는 합금으로 오믹접촉층(260) 상에 형성된다. 이 때, 제 2 전극패드(270)는 절연층(260)의 안쪽 영역에 대응되도록 형성된다.
만약, 제 2 전극패드(270)가 절연층(250)에 대응되지 않는 영역까지 형성되면 절연층(250)에 대응되지 않는 영역의 제 2 전극패드(270) 하부에 전류가 밀집되어 오믹접촉층(260)으로 전류가 분산되지 못한다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이며, 도 5는 본 발명의 절연층의 평면도이다.
도 4a와 같이, 기판(200) 표면에 이후에 형성되는 활성층(230)에서 생성되는 광 중 기판(200)측으로 진행되는 광을 다시 상부로 반사시키기 위해 제 1 돌기(200a)를 형성한다. 이 때, 제 1 돌기(200a)는 기판(200)의 표면을 선택적으로 제거하여 표면으로부터 소정깊이를 갖고 돌출된 구조를 갖는다. 제 1 돌기(200a)를 포함한 기판(200) 상에 차례로 버퍼층(210), 제 1 반도체층(220), 활성층(230) 및 제 2 반도체층(240)을 형성한다.
여기서, 제 1 반도체층(220), 활성층(230) 및 제 2 반도체층(240)은 금속 유기 화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD), 액상 에피텍셜법(Liquid Phase Epitaxy), 수소 액상 성장(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 또는 분자빔 에피텍셜법(Molecular Beam Epitaxy) 등을 이용하여 형성될 수 있으며, 금속 유기 화학 증착법으로 형성되는 것이 바람직하다.
제 2 반도체층(240)과 활성층(230)의 일부 영역을 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 에칭 방식(RIE-ICP)을 이용하여 제 2 반도체층(240)과 활성층(250)의 일부 영역을 제거한다. 여기서, 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 에칭 방식(RIE-ICP)은 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma; ICP) 방식과 이온을 가속시키는 반응성 이온 에칭(Reaction Ion Etching; RIE) 방식을 결합한 방식이다. 한편, 제 2 반도체층(240)과 활성층(230)이 제거되어 노출된 제 1 반도체층(220)상에는 이후에 제 1 전극패드(280)가 형성될 영역이다.
도 4b와 같이, 제 2 반도체층(240) 표면의 일부에 소정 깊이를 갖는 홈(240h)을 형성한다. 여기서, 홈(240h)은 건식 식각 방법 또는 습식 식각 방법을 이용하여 제 2 반도체층(240)의 표면을 식각하여 형성된다. 홈(240h)은 제 2 반도체층(240)의 표면으로부터 소정 깊이를 가지며 규칙적 또는 불규칙적으로 형성된다.
건식 식각 방법은 브롬화수소(HBr) 또는 염소(Cl2), 삼염화붕소(BCl3), 염화수소(HCl), 사염화탄소(CCl4), 사염화실리콘(SiCl4)과 같은 염소(Cl) 계열의 식각 가스를 이용하며 습식 식각 방법은 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH)과 같은 염기성 용액 또는 황산(H2SO4), 인산(H3PO4)과 같은 산성 용액을 이용한다.
도 4c와 같이, 홈(240h)을 포함한 기판(200) 제 2 반도체층(240)의 전면에 절연층(250)을 형성하고 포토리소그래피 공정을 통해 절연층(250)을 선택적으로 제거하여 제 2 반도체층(240) 상의 일부 영역에만 잔류시킨다. 절연층(250)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx)과 같은 무기 절연 물질 또는 폴리이미드(Polyimide; PI), 포토아크릴(Polyacryl)과 같은 유기 절연 물질로 형성되며, 플라즈마 화학 기상 증착(plasma-enhanced chemical-vapor deposition; PECVD) 방법 또는 스핀코팅 방법을 이용하여 형성된다.
무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질이 홈(240h)의 내부 영역에 충전되어 절연층(250)은 하부면에 제 2 돌기(250a)를 갖는 형태로 형성된다. 한편, 절연층(250)은 도 5와 같이, 절연층(250)은 하부면에 규칙적 또는 불규칙적으로 형성된 제 2 돌기(250a)를 갖는다. 제 2 돌기(250a)는 활성층(230)에서 발생되어 외부로 방출되는 광을 분산시키므로 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 4d와 같이, 절연층(250)을 포함한 제 2 반도체층(240) 상에 전자 빔 증착(Electron Beam Evaporator) 방법으로 오믹접촉층(260)을 형성한다. 오믹접촉층(260)은 산화 아연(ZnO) 또는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO)와 같은 투명 도전성 물질로 형성된다.
도 4e와 같이, 노출된 제 1 반도체층(220)의 일부와 접촉하도록 제 1 전극패드(280)를 형성한다. 또한, 오믹접촉층(260)의 일부와 접촉하도록 제 2 전극패드(270)를 형성한다.
이 때, 제 2 전극패드(270)는 절연층(250)의 안쪽 영역에 대응되도록 형성되어 제 2 전극패드(270)의 전류가 오믹접촉층(260)에 골고루 분산된다. 만약, 제 2 전극패드(270)가 절연층(250)에 대응되지 않는 영역까지 형성되면 절연층(250)에 대응되지 않는 영역의 제 2 전극패드(270) 하부에 전류가 밀집되어 오믹접촉층(260)으로 전류가 잘 분산되지 못한다.
이상과 같이, 본 발명의 발광 다이오드는 제 2 전극패드(270) 하부에 절연층(250)을 형성하여 2 전극패드(270)의 전류를 오믹접촉층(260)으로 골고루 분산시키고, 절연층(250) 하부에 형성된 제 2 돌기(250a)에 의해 활성층(230)에서 발생되어 외부로 방출되는 광을 분산시켜 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다.
200: 기판 200a: 제 1 돌기
210: 버퍼층 220: 제 1 반도체층
220: 활성층 240: 제 2 반도체층
240h: 홈 250: 절연층
250a: 제 2 돌기 260: 오믹접촉층
270: 제 2 전극패드 280: 제 1 전극패드
210: 버퍼층 220: 제 1 반도체층
220: 활성층 240: 제 2 반도체층
240h: 홈 250: 절연층
250a: 제 2 돌기 260: 오믹접촉층
270: 제 2 전극패드 280: 제 1 전극패드
Claims (8)
- 표면으로부터 돌출된 다수의 제 1 돌기를 갖는 기판;
상기 기판 상에 차례로 적층되어 형성된 버퍼층, 제 1 반도체층, 활성층, 제 2 반도체층;
상기 제 2 반도체층의 일부 영역 상에 형성되고 하부에 상기 제 2 반도체층의 표면으로부터 소정 깊이까지 연장되는 다수의 제 2 돌기를 갖는 절연층;
상기 절연층을 포함한 상기 제 2 반도체층 상에 형성된 오믹접촉층;
상기 활성층이 형성된 영역을 제외한 상기 제 1 반도체층의 일부 영역 상에 형성된 제 1 전극패드; 및
상기 오믹접촉층 상에 형성된 제 2 전극패드를 포함하는 발광 다이오드. - 제 1 항에 있어서, 상기 절연층은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물과 같은 무기 절연 물질 또는 폴리이미드, 포토아크릴과 같은 유기 절연 물질로 형성된 발광 다이오드.
- 제 1 항에 있어서, 상기 절연층은 굴절률이 1.45 이하인 물질로 형성된 발광 다이오드.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 돌기와 제 2 돌기의 단면은 곡률을 갖거나 다각형 형태를 갖는 발광 다이오드.
- 기판 표면을 식각하여 다수의 제 1 돌기를 형성하는 단계;
상기 기판 상에 차례로 버퍼층, 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층을 형성하는 단계;
상기 제 2 반도체층의 일부 영역 상에 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층을 포함한 상기 제 2 반도체층 상에 오믹접촉층을 형성하는 단계;
상기 제 1 반도체층의 일부와 접촉하도록 제 1 전극패드를 형성하는 단계; 및
상기 오믹접촉층의 일부와 접촉하도록 제 2 전극패드를 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법. - 제 5 항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 단계는 상기 제 1 반도체층의 표면 일부가 노출되도록 상기 제 2 반도체층 및 활성층을 선택적으로 제거하는 단계;
상기 제 2 반도체층을 선택적으로 제거하여 표면으로부터 소정깊이를 갖는 다수의 홈을 형성하는 단계; 및
상기 홈을 포함한 기판의 전면에 절연층을 형성하고 상기 제 2 반도체층상의 일부영역에만 잔류하도록 상기 절연층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법. - 제 6 항에 있어서, 상기 홈은 건식 식각 또는 습식 식각 방법을 이용하여 형성하는 발광 다이오드의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 절연층은 플라즈마 화학 기상 증착 방법 또는 스핀코팅 방법을 이용하여 형성하는 발광 다이오드의 제조 방법.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101372352B1 (ko) * | 2012-09-07 | 2014-03-12 | 전북대학교산학협력단 | ｐ-ＧａＮ 오믹 전극 제조방법 및 이에 의하여 제조된 ｐ-ＧａＮ 오믹 전극 |
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2010
- 2010-12-14 KR KR1020100127360A patent/KR20120066153A/ko not_active Application Discontinuation
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