KR20120065213A

KR20120065213A - 레이저 가공 프로세스 장치

Info

Publication number: KR20120065213A
Application number: KR1020100138302A
Authority: KR
Inventors: 유-린 리; 융-시앙 후앙; 타이-웨이 우; ?-한 양; 치-웨이 첸; 공-치엔 왕; 보-이 지앙
Original assignee: 홀텍 크리스탈 컴퍼니 리미티드
Priority date: 2010-08-04
Filing date: 2010-12-29
Publication date: 2012-06-20
Also published as: TWI393602B; KR101246037B1; TW201206602A; US20120034328A1; US9000326B2

Abstract

(과제) 본 발명은, 종래의 레이저 가공 프로세스의 결점을 해결하기 위해, 큰 사이즈의 도광판을 제조하는 공정에 이용되어 도광판에 형성해야 할 도트 패턴의 외관, 반경 및 깊이의 사양을 통일화하여 커스터마이즈할 수 있는 레이저 가공 프로세스 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
(해결 수단) 본 발명은 레이저 가공 프로세스 장치를 제공한다. 레이저 가공 프로세스 장치는, 칩과, 레이저 장치와, 음향 광학 변조기와, 집속 장치를 포함한다. 본 발명은, 상기 음향 광학 변조기에 의해, 칩이 발생하는 제2 주파수 신호 및 레이저 장치가 발생하는 레이저 빔을 각각 수신한다. 또한, 상기 음향 광학 변조기는, 상기 제2 주파수 신호에 의해, 상기 레이저 빔을 조정하고, 조정되는 레이저 빔을 발생시킨다. 그 후, 상기 집속 장치는, 상기 조정되는 레이저 빔을 수신하여 집속하고, 프레임판상에 집속된 레이저 빔을 발생시켜, 상기 프레임판의 표면에, 복수의 점을 망 형상으로 형성하도록 찍는다.

Description

레이저 가공 프로세스 장치{Laser Process Manufacturer}

본 발명은, 레이저 가공 프로세스 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 프레임판의 표면에, 복수의 점을 망 형상으로 형성하는 패턴의 외관, 반경 및 깊이의 사양을 통일화하는 레이저 가공 프로세스 장치에 관한 것이다.

일반적으로는, 백 라이트 모듈(back light module)은, 사이즈에 따라, 엣지 라이트 방식과 직하형 방식을 구별할 수 있다. 이하, 이러한 방식을 설명한다.

(엣지 라이트 방식)

도 1은, 종래의 엣지 라이트 방식의 백 라이트 모듈을 나타내는 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 광원으로부터 나온 빛은, 도광판(1)의 일측이나 양측의 측부로부터 입사한다. 도광판(1)은, 절단 또는 성형의 비인쇄 방식에 의해 형성된 것이다. 통상, 20 인치 이하의 길이를 가지는 백 라이트 모듈은, 측부로부터 입사하는 구성을 가지기 때문에, 경량, 박형, 좁은 프레임 등의 이점을 가져, 휴대 전화, PDA, 노트북 PC 및 데스크탑 PC 모니터 등에 이용되어 왔다.

(직하형 방식(Bottom lighting))

대형의 백 라이트에는, 엣지 라이트 방식의 구성으로 무게, 소비 전력, 및 밝기 등의 이점을 가지고 있지 않기 때문에, 도광판이 포함되지 않는 한편 광원이 직하방에 배치되는 것을 개발했다. 광원(예를 들면, 냉음극관 또는 발광다이오드 등)을 액정의 아래에 늘어 놓고, 그 위에 확산판을 두어 면광원을 만든다. 거기서, 직하형 방식에는, 광원을 배치하는 스페이스가 넓어지기 때문에, TFT 패널의 사이즈에 따라, 복수의 광원을 사용할 수가 있지만, 백 라이트 모듈의 두께, 무게, 및 소비 전력을 증가시킨다.

이상으로 설명한 바와 같이, 백 라이트의 구성으로서 엣지 라이트 방식에는, 도광판은 발광 효율에 주로 영향을 주는 것이다. 두 가지의 제조 프로세스가 업계에서 넓게 사용된다. 하나의 프로세스는, 사출 성형 방식이다. 이 프로세스에서 생성된 도광판은, 높은 용해 온도로, 사출 성형용 금형에 의해 PMMA의 플라스틱 입자로 이루어진다. 또 하나의 프로세스는, 아크릴 판을 잘라 만드는 후, 스크린 인쇄 방식에 의해, 고반사율과 저흡광도를 가지는 재료(SiO₂와 TiO₂)를 아크릴 판에 코팅하여 도트를 형성한다. 표 1은, 상기 상이한 두 가지의 제조 프로세스의 대조표이다.

	인쇄 방식 도광판		비인쇄 방식 도광판
도트를 부가한 프로세스	베어 보드를 절단한 후, 스크린 인쇄한다.		외형과 도트를 일체화한다	베어 보드를 절단하여 처리한다
도트 타입	UV base	Solvent base	사출 성형	비접촉 처리 (레이저...)	접촉 처리 (열전사...)
광학효율	X	O	O	Δ	O
광보정기능과 유연성	O	O	Δ	X	Δ
생산 안정성	Δ	X	O	Δ	Δ
치수 안정성	O	O	Δ	Δ	X
단위시간 당의 제조량	O	O	X	X	Δ
설비 코스트	O	Δ	X	Δ	X
큰 사이즈의 개발 능력	O	O	X	Δ	Δ
에지 플레이트의 개발 능력	Δ	X	O	X	X

표 1에는, O는 "좋다"을 나타내고, Δ는 "보통"을 나타내, X는 "좋지 않다"로 나타낸다.

백 라이트 모듈에는, 사이즈에 따라 엣지 라이트 방식이 채용되어 인쇄 또는 비인쇄 방식으로 제조되는 도광판은 차치하고, 발광 다이오드를 광원으로 할 때, 특정한 확산 각도로 발광하기 위해, 백 라이트 모듈은, 불균일하게 발광하는 문제가 발생한다. 그 확산 각도 내에서, 발광 다이오드에 가까워지면 더욱 밝아지고, 2개의 발광 다이오드의 사이 및 그 엣지에는 가장 어두워진다(엣지 암대).

지금까지, 상기 과제를 해결하기 위해서, 광원을 처리하는 방법을 제시했다. 그 방법에서는, 광학 렌즈(Cup & Lens)에 의해, 발광 다이오드의 발광 각도를 넓혀, 복수의 발광다이오드를 병렬시켜 광을 중첩시킨다. 이 때문에, 광원은, 대형 액정 디스플레이에 채용되는 냉음극 형광 램프(CCFL)와 같이, 선광원이 되어 사용된다. 또는, 백 라이트 모듈의 각 모서리에 복수의 발광다이오드를 배치하여, 멀티 앵글 방식에 의해, 빛을 산란하는 한편 엣지 암대를 줄이지만, 이 방법에서는, 코스트를 증가시키게 되었다.

또한, 도광판에 반사 도트를 다른 밀도로 부가함으로써, 도광판의 표면을 변화시켜, 도광판 내에 인도된 빛의 경로를 바꾸어, 빛이 도광판의 표면으로부터 나올 수 있다. 그 방법에서는, 반사 도트는, 잉크 코팅 또는 화학 에칭 등의 방법에 따라 제조된다. 또한, 그 도광판에서는, 광원에 가까워지면 더욱 밝아지기 때문에, 광원 근방의 반사 도트의 밀도와 면적이 작아지고, 반대로, 광원으로부터 멀리 떨어지는 만큼 반사 도트의 밀도와 면적이 커진다. 또한, 반사 도트를 배열하는 방법이 있다. 예를 들면, 이러한 반사 도트를 발광 다이오드를 중심으로 하여 배열하거나, 또는, 섹션 분할에 의해, 도트를 종래의 분포 상태로부터 분산하고, 발광 다이오드의 분포에 기초하여, 그 수직 방향과 수평 방향의 밀도를 이동하여, 광원 근방의 밝기를 조정하고 엣지 암대의 밝기를 보충한다.

패널의 사이즈가 커지면, 예를 들면 37 인치 이상의 패널의 경우에, 사용된 도광판의 사이즈가 커진다. 이 때문에, 도광판에 반사 도트를 부가하는 방법에는 장해가 생긴다. 따라서, 본 발명자는, 이러한 종래의 과제를 해결하기 위해, 실험과 연구를 거듭한 결과, 본 발명의 레이저 가공 프로세스 장치를 개발했다.

본 발명의 주된 목적은, 레이저 가공 프로세스 장치를 제공함으로써, 종래의 레이저 가공 프로세스의 결점을 해결하는 신기술 방안을 제공하는 것에 있다. 본 발명의 레이저 가공 프로세스 장치는, 큰 사이즈의 도광판을 제조하는 공정에 이용되어, 도광판에 형성해야 할 도트 패턴의 외관, 반경 및 깊이의 사양을 통일화하여 커스터마이즈할 수 있다.

상술의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 레이저 가공 프로세스 장치는, 미리 기입된 펄스폭 변조 프로그램에 의해, 제1 주파수 신호에 대해, 펄스폭 변조를 하고, 제2 주파수 신호를 발생시키는 칩과, 상기 제1 주파수 신호를 수신하고, 레이저 빔을 발생시키는 레이저 장치와, 상기 제2 주파수 신호와 상기 레이저 빔의 각각을 수신하고, 상기 제2 주파수 신호에 의해, 상기 레이저 빔을 조정하고, 조정되는 레이저 빔을 발생시키는 음향 광학 변조기와, 상기 조정되는 레이저 빔을 수신하여 집속하고, 프레임판 상에 집속된 레이저 빔을 발생시켜, 상기 프레임판의 표면에, 복수의 점을 망 형상으로 형성하도록 찍는 집속 장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 구성의 본 발명과 관련되는 레이저 가공 프로세스 장치에서, 상기 레이저 장치는, 상기 레이저 빔을 발생시키는 탄산 가스 레이저이고, 상기 레이저 빔의 파장은, 9.2 ㎛ 내지 10.6 ㎛이며, 망 형상으로 형성되는 각각의 상기 복수의 점은, 25 ㎛ 내지 125 ㎛의 반경을 가진다.

상기 구성의 본 발명과 관련되는 레이저 가공 프로세스 장치에서, 상기 집속 장치는, 반사경과 집속경을 포함하고, 상기 프레임판은, 폴리 메타크릴산 메틸 수지(PMMA)이며, 상기 집속된 레이저 빔은, 제1 방향에 따라 이동하는 상기 프레임판에 점을 찍은 후, 상기 프레임판은 제2 방향에 따라 더 이동하고, 상기 집속된 레이저 빔을 상기 제1 방향에 따라 이동하는 타방의 프레임판에 점을 찍는다.

상기 구성의 본 발명과 관련되는 레이저 가공 프로세스 장치에서, 상기 음향 광학 변조기는, 상기 칩이 발생한 상기 제2 주파수 신호에 의해, 레이저 장치로부터의 상기 레이저 빔의 예정 구간을 취입하고, 각각의 상기 복수의 점의 크기는, 취입되는 예정 구간의 상기 레이저 빔의 범위폭에 의해 조정된다.

상기 구성의 본 발명과 관련되는 레이저 가공 프로세스 장치에서, 상기 제1 주파수 신호의 펄스폭과 상기 제2 주파수 신호의 펄스폭이 동일하지 않다.

본 발명은, 큰 사이즈의 도광판을 제조하는 공정에 이용되어, 도광판에 형성해야 할 도트 패턴의 외관, 반경 및 깊이의 사양을 통일화하여 커스터마이즈할 수 있다.

도 1은 종래의 엣지 라이트 방식의 백 라이트 모듈을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 레이저 가공 프로세스 장치의 구성도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 레이저 가공 프로세스 장치에 이용되는 주파수 신호의 파형도이다.
도 4의 (a)는 본 발명의 실시예에 의한 빛을 도광판의 일측의 측부로부터 입사하는 백 라이트 모듈을 채용할 때, 도광판으로 하는 프레임판의 단면도이다.
도 4의 (b)는 본 발명의 실시예에 의한 빛을 도광판의 양측의 측부로부터 입사하는 백 라이트 모듈을 채용할 때, 도광판으로 하는 프레임판의 단면도이다
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 레이저 빔의 범위 폭과 각각의 형성된 점의 사이즈의 관계를 나타내는 도면이다.

이하와 같이, 본 발명을 실시예에 기초하여 상술하지만, 어디까지나 예시이며, 본 발명의 범위는 이러한 실시 형태로 한정되지 않는다. 본 발명의 범위는, 특허청구범위에 기재되어 있으며, 또한 특허청구범위의 기재와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경을 포함하고 있다.

본 발명의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 실시예에 의한 기술 방안을 이하에 설명한다.

도 2는, 본 발명의 실시예에 의한 레이저 가공 프로세스 장치의 구성도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 레이저 가공 프로세스 장치(2)는, 펄스폭 변조 프로그램을 미리 기입하는 칩(21)과, 레이저 장치(22)와, 음향 광학 변조기(23)와, 집속 장치(24)를 포함한다.

칩(21) 및 레이저 장치(22)가 포함한 복수의 전자 소자(electronics)에는, 클록 신호(clock signal)를 발생시키기 위한 클록 발생기가 더 있다(도시되지 않음). 상기 클록 신호는, 주파수 신호(frequency signal)로서 상기 전자 소자를 시동시킨다.

도 2에 도시된 바와 같이, 상기 클록 발생기가 발생하는 제1 주파수 신호(freq1)(주파수 10 KHz, 펄스폭 10 ㎲)는, 교대로 고전위 상태(high state, 1)와 저전위 상태(low state, 0)를 연속적으로 나타낸다. 제1 주파수 신호(freq1)는, 각각의 칩(21) 및 레이저 장치(22)에 입력된다. 레이저 장치(22)는, 바람직하게는, 탄산 가스 레이저를 발생시킨다. 레이저 장치(22)는, 고전위 상태를 나타내는 제1 주파수 신호(freq1)에 기초하여, 파장 9.2 ㎛ 내지 10.6 ㎛를 가지는 레이저 빔(L1)(20w)을 발생시킨다. 칩(21)은, 제1 주파수 신호(freq1)를 수신하여 기준 신호로 한다. 또한, 칩(21)은, 예를 들면 컴퓨터로부터의 외부 명령(command)을 수신 하여 개폐 시간을 설정한다. 사용자는, 외부 명령(command)을 통해, 펄스폭 변조 프로그램에 의해, 상기 개폐 시간을 설정할 수 있다.

도 3은, 본 발명의 실시예에 의한 레이저 가공 프로세스 장치(22)에 이용되는 주파수 신호의 파형도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, A1는, 제1 주파수 신호(freq1)의 주기 파형을 나타내고, A2는, 고전위 상태를 나타내는 제1 주파수 신호(freq1)의 펄스 파형을 나타내고, A3는, 칩(21)이 닫힌 상태로 되는 예정 시간을 나타내고, A4는, 칩(21)이 열린 상태로 되는 예정 시간을 나타낸다. 칩(21)에 미리 기입된 펄스폭 변조 프로그램은, 제1 주파수 신호(freq1)가 파지티브·엣지·트리거(positive edge trigger) 상태에 있을 때, 외부 명령(command)에 의해, 제2 주파수 신호(freq2)를 발생시킨다. 제1 주파수 신호(freq1)의 펄스 폭과 제2 주파수 신호(freq2)의 펄스 폭은 동일하지 않다.

A2는 고전위 상태를 나타내는 제1 주파수 신호(freq1)의 펄스 파형이 되면, 칩(21)에 미리 기입된 펄스폭 변조 프로그램은, 컴퓨터로부터 출력되는 외부 명령(command)에 기초하여, 칩(21)을 상기 A3의 예정 시간의 사이에 닫힌 상태로 되게 하고, 펄스폭 변조 프로그램은, 외부 명령(command)에 더 기초하여, 칩(21)을 상기 A4의 예정 시간의 사이에 열린 상태로 되게 된다. 바꾸어 말하면, 칩(21)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 교대로 고전위 상태 A4와 저전위 상태 A3를 연속적으로 나타내는 제2 주파수 신호(freq2)를 발생시킨다.

도 2를 참조하면, 음향 광학 변조기(23)의 두 개의 수신단의 각각은 칩(21)이 발생하는 제2 주파수 신호(freq2) 및 레이저 장치(22)가 발생하는 레이저 빔(L1)를 수신한다. 음향 광학 변조기(23)는, 제2 주파수 신호(freq2)의 펄스폭에 기초하여, 레이저 빔(L1)에서 에너지를 조정하고, 조정된 레이저 빔(L2)을 출력한다. 바꾸어 말하면, 음향 광학 변조기(23)는, 칩(21)이 발생한 제2 주파수 신호(freq2)의 펄스폭에 의해, 레이저 장치(22)로부터의 상기 레이저 빔(L1)의 예정 구간을 취입한다. 제2 주파수 신호(freq2)의 펄스 폭이 더욱 길어지면, 취입한 예정 구간이 더욱 길어지고, 조정되는 레이저 빔(L2)의 에너지가 더욱 커진다. 반대도 또한 같다.

음향 광학 변조기(23)로부터의 조정되는 레이저 빔(L2)이, 빛을 반사하기 위한 반사경(241)(입사각이 제로 보다 크다) 및 빛을 집속하기 위한 집속경(242)에 출력한다. 집속경(242)은, 집속 장치(24)에 위치한다. 집속 장치(24)는, 이동 스테이지(S)에 취부하고, 이동 스테이지(S)는, 프레임판(M)을 수평 방향으로 가공한다. 레이저 빔(L2)은, 반사경(241)을 통해서 반사되어, 집속경(242)을 통해서 광축에 있는 집속점(O)에 집속된다. 동시에, 집속 장치(24)는, 집속된 레이저 빔(L3)를 집속점(O)으로부터 프레임판(M)의 표면에 출력하고, 프레임판(M)의 표면에 대해서 오른쪽에서 왼쪽으로 또는 왼쪽에서 오른쪽으로 등의 수평 방향으로 복수의 점을 망 형상으로 형성하도록 찍고, 망 형상 분포의 복수의 점이 된다. 그 후, 프레임판(M)을 수직 방향으로 이동하고, 하나 더의 프레임판(M)의 표면에 수평 방향으로 복수의 점을 계속하여 찍어, 망 형상 패턴을 프레임판(M)의 표면에 형성한다.

도 4의 (a)와 도 4의 (b)는, 본 발명의 실시예에 의한 빛을 도광판의 일측이나 양측의 측부로부터 입사하는 백 라이트 모듈을 채용할 때, 도광판으로 하는 프레임판(예를 들면 37 인치 이상의 패널)의 단면도이다. 도 4의 (a)와 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 프레임판의 표면에 형성된 각각의 상기 망 형상 분포의 복수의 점의 외관, 반경 및 깊이의 사양을 통일화하는 이점이 있기 때문에, PMMA로 이루어지는 도광판에 빛이 입사하고, 도광판 내에 인도된 빛의 경로를 바꾸어, LED 바나 냉음극 형광 램프 등으로부터의 광원을 도광판의 표면에 있는 각각의 상기 점을 통해서 균일하게 반사시켜 면광원이 된다. 따라서, 도광판 전체에는, 좋은 균일성에 이르는 휘도가 있다.

집속 장치(24)의 집속점(O)으로부터 출력된 레이저 빔(L3)은 프레임판(M)의 표면에 점을 찍을 때, 형성된 점의 외관, 반경 및 깊이는, 고전위 상태를 나타내는 제2 주파수 신호(freq2)의 펄스폭에 의해 결정된다.

도 5는, 본 발명의 실시예에 의한 레이저 빔의 범위폭과 각각의 형성된 점의 사이즈와의 관계를 나타내는 도면이다. 고전위 상태를 나타내는 제2 주파수 신호(freq2)의 펄스폭이 더욱 길어지면, 조정되는 레이저 빔(L2)의 에너지 및 집속된 레이저 빔(L3)이 더욱 커지고, 망 형상으로 형성된 점의 사이즈가 더욱 커진다. 반대도 또 같다. 도 5에 의하면, 제2 주파수 신호(freq2)의 펄스폭이 취입되는 예정 구간의 레이저 빔의 범위폭(a)이 될 때, 망 형상으로 형성된 점의 사이즈는, B2에 도시된 바와 같이, 그 외관, 반경 및 깊이가 더욱 작아진다. 제2 주파수 신호(freq2)의 펄스폭이 취입되는 예정 구간의 레이저 빔의 범위폭(b)이 될 때, 망 형상으로 형성된 점의 사이즈는, B3에 도시된 바와 같이, 그 외관, 반경 및 깊이가 더욱 커진다. 제2 주파수 신호(freq2)의 펄스폭이 취입되는 예정 구간의 레이저 빔의 범위폭(c)이 될 때, 망 형상으로 형성된 점의 사이즈는, B4에 도시된 바와 같이, 그 외관, 반경 및 깊이가 B2와 B3의 사이즈의 사이에 있다. 또한, 아직 취입되지 않은 레이저 빔(L1)의 범위폭에 의해 형성되는 점이, B1와 같이 나타낸다. 또한, 도 5에 의하면, 모든 점은, 실질적으로 타원형이다.

레이저 장치(22)는, 9.2 ㎛ 내지 10.6 ㎛의 파장을 가지는 탄산 가스 레이저를 발생시키면, 프레임판(M)의 표면에 형성된 점은, 9.2 ㎛m 내지 10.6 ㎛m의 반경을 가지는 것을 확인한다.

본 발명에 의하면, 프레임판(M)의 표면에 형성된 점은, 취입되는 예정 구간의 레이저 빔의 범위폭에 의해 조정되어, 광원 근방의 밝기를 조정하는 한편 엣지 암대의 밝기를 보충하고, 그렇게 하여, 도광판에는 좋은 균일성에 이를 수가 있다.

또한, 본 발명이 제출하는 레이저 가공 프로세스 장치에는, 커스터마이즈라는 이점이 있다. 특히, 패널의 사이즈가 37 인치 이상이 되어, 도광판의 사이즈도 늘어나면, 고전위 상태를 나타내는 제2 주파수 신호의 펄스폭만을 조정하여, 프레임판의 표면에 형성된 점도 조정할 수 있다. 종래의 인쇄 방식이나 비인쇄 방식의 도광판을 이용하여도, 본 발명과 같은 효과에 달성할 수 없다.

이상의 설명에 의하면, 당업자이면 본 발명의 기술적 사상을 일탈하지 않는 범위에서, 다양한 변경 및 수정이 가능하다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는, 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용에 한정하지 않고, 특허청구범위에 의해 정하지 않으면 안 된다.

2 레이저 가공 프로세스 장치
21 칩
22 레이저 장치
23 음향 광학 변조기
24 집속 장치
241 반사경
242 집속경
O 집속점
L1 레이저 빔
L2 레이저 빔
L3 레이저 빔
M 프레임판
S 이동 스테이지
command 외부 명령
freq1 제1 주파수 신호
freq2 제2 주파수 신호

Claims

미리 기입된 펄스폭 변조 프로그램에 의해, 제1 주파수 신호에 대해, 펄스폭 변조를 하고, 제2 주파수 신호를 발생시키는 칩;
상기 제1 주파수 신호를 수신하고, 레이저 빔을 발생시키는 레이저 장치;
상기 제2 주파수 신호와 상기 레이저 빔의 각각을 수신하고, 상기 제2 주파수 신호에 의해, 상기 레이저 빔을 조정하고, 조정되는 레이저 빔을 발생시키는 음향 광학 변조기; 및
상기 조정되는 레이저 빔을 수신하여 집속하고, 프레임판 상에 집속된 레이저 빔을 발생시켜, 상기 프레임판의 표면에, 복수의 점을 망 형상으로 형성하도록 찍는 집속 장치
를 포함하는 것을 특징으로 하는,
레이저 가공 프로세스 장치.
제1항에 있어서,
상기 레이저 장치는, 상기 레이저 빔을 발생시키는 탄산 가스 레이저이고, 상기 레이저 빔의 파장은, 9.2 ㎛ 내지 10.6 ㎛이며,
망 형상으로 형성되는 각각의 상기 복수의 점은, 25 ㎛ 내지 125 ㎛의 반경을 가지는 것을 특징으로 하는,
레이저 가공 프로세스 장치.
제1항에 있어서,
상기 집속 장치는, 반사경과 집속경을 포함하고,
상기 프레임판은, 폴리 메타크릴산 메틸 수지(PMMA)이며,
상기 집속된 레이저 빔은, 제1 방향에 따라 이동하는 상기 프레임판에 점을 찍은 후, 상기 프레임판은 제2 방향에 따라 더 이동하고, 상기 집속된 레이저 빔을 상기 제1 방향에 따라 이동하는 타방의 프레임판에 점을 찍는 것을 특징으로 하는,
레이저 가공 프로세스 장치.
제1항에 있어서,
상기 음향 광학 변조기는, 상기 칩이 발생한 상기 제2 주파수 신호에 의해, 레이저 장치로부터의 상기 레이저 빔의 예정 구간을 취입하고,
각각의 상기 복수의 점의 크기는, 취입되는 예정 구간의 상기 레이저 빔의 범위폭에 의해 조정되는 것을 특징으로 하는,
레이저 가공 프로세스 장치.
제1항에 있어서,
상기 칩은, 외부 명령을 수신하고, 상기 펄스폭 변조 프로그램을 수정함으로써, 상기 음향 광학 변조기가 취입한 상기 레이저 장치로부터의 레이저 빔의 타방의 예정 구간을 조정하는 것을 특징으로 하는,
레이저 가공 프로세스 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 주파수 신호의 펄스폭과 상기 제2 주파수 신호의 펄스폭이 동일하지 않은 것을 특징으로 하는,
레이저 가공 프로세스 장치.