KR20120064013A - 반사막 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
기판은 절연층 및 반사막을 포함한다. 반사막은 도체층, 배리어층 및 은박막을 이 순서로 포함한다. 도체층의 표면은 0.35 ㎛ 이하로 평탄화 처리되어 있다. 또, 배리어층의 표면 조도는 0.2 ㎛ 이하이다. 절연층 상에 도체층이 형성된다. 은박막은, 배리어층을 개재하여 도체층 상에 형성된다. 도체층 상의 은박막의 표면 조도는 0.2 ㎛ 이하가 되고, 광택도는 0.8 이상이 되고, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율은 90% 이상이 된다.
Description
본 발명은 반사막 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반사막은, 광에 대하여 높은 반사율을 갖기 때문에, 발광 다이오드(LED) 등의 광원용 반사 부재로서 이용되고 있다. 최근에는, 단파장의 광을 방출하는 광원이 개발됨에 따라, 단파장의 광에 대하여 높은 반사율을 갖는 은박막이 제안되고 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제2005-347375호 공보 및 일본 특허 공개 제2008-16674호 공보 참조).
일본 특허 공개 제2005-347375호 공보에는, 바탕면의 전면에 광택 니켈 도금층을 개재하여 광택 은도금층이 형성된 발광 소자용 스템이 기재되어 있다. 이 발광 소자용 스템에서는, 파장 400 nm 근방의 자외선에 대한 광택 은도금층의 반사율은 80% 이상이다.
또, 일본 특허 공개 제2008-16674호 공보에는, 은도금층의 최외측 표면의 결정 입경이 0.5 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하로 설정된 은막이 기재되어 있다. 가시광 영역에 대한 은막의 반사율은 90?99% 정도로 되어 있다.
일본 특허 공개 제2005-347375호 공보에 기재된 광택 은도금층 또는 일본 특허 공개 제2008-16674호 공보에 기재된 은막을 이용한 반사 부재를 LED에 설치함으로써, LED로부터 후방에 방출된 광을 고효율로 전방에 반사할 수 있다. 이에 따라, LED로부터 방출되는 광의 취출 효율을 개선할 수 있다.
그러나, 은박막의 반사율을 향상시키는 것만으로는, LED로부터의 광의 취출 효율을 충분히 개선하기 위해서는 한계가 있다. 반사막에 의한 반사광에는, 정반사광 및 확산 반사광이 포함된다. 반사막 상에 설치된 광원의 광의 취출 효율을 향상시키기 위해서는, 반사막의 반사율이 높은 것이 필요하고, 반사광에 포함되는 정반사광의 비율이 큰 것이 필요하다.
또, 가시광 영역 중 장파장 영역의 반사율을 높게 하는 것은 비교적 용이하지만, 단파장 영역에서의 반사율을 높게 하는 것은 용이하지 않다.
본 발명의 목적은 광원으로부터의 광의 취출 효율을 충분히 향상시키는 것이 가능한 반사막 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
(1) 본 발명의 한 국면에 따른 반사막은, 표면 조도가 0.2 ㎛ 이하이고, 광택도가 0.8 이상이고, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율이 90% 이상인 은박막을 포함하는 것이다.
이 반사막은, 표면 조도가 0.2 ㎛ 이하인 은박막을 포함한다. 이에 따라, 높은 반사율을 얻을 수 있다. 또, 파장 460 nm의 광에 대하여 90% 이상의 반사율을 가짐으로써, 단파장 영역에서 높은 반사율을 얻을 수 있다. 또한, 0.8 이상의 광택도를 가짐으로써, 반사광에 포함되는 정반사광의 비율이 커진다. 그 결과, 반사막 상에 설치된 광원을 설치하는 경우, 광원으로부터의 광의 취출 효율을 충분히 향상시킬 수 있다.
(2) 은박막 표면의 평균 결정 입경이 0.5 ㎛ 이하이어도 좋다. 그 경우, 은박막의 표면의 요철을 작게 할 수 있다. 이에 따라, 은박막의 반사율 및 광택도를 향상시킬 수 있다.
(3) 반사막은 표면 조도가 0.2 ㎛ 이하인 제1 하지층을 더 포함하고, 은박막은 제1 하지층 상에 형성되어도 좋다. 이 경우, 은박막의 표면 조도를 용이하게 0.2 ㎛ 이하로 할 수 있다. 이에 따라, 은박막의 반사율을 용이하게 향상시킬 수 있다.
(4) 제1 하지층은 구리를 포함해도 좋다. 이 경우, 제1 하지층의 표면 조도를 용이하게 0.2 ㎛ 이하로 조정할 수 있다.
(5) 반사막은 제1 하지층과 은박막 사이에 형성되는 제2 하지층을 더 포함해도 좋다. 이에 따라, 제1 하지층의 표면 조도가 0.2 ㎛보다 큰 경우라도, 제2 하지층의 두께를 조정함으로써 은박막의 표면 조도를 0.2 ㎛ 이하로 할 수 있다.
(6) 제2 하지층은 니켈을 포함해도 좋다. 이 경우, 제1 하지층 상에 제2 하지층을 용이하게 형성할 수 있다.
(7) 은박막은 전해 도금에 의해 형성되어도 좋다. 이 경우, 은박막을 용이하게 형성할 수 있다.
(8) 은박막은 광택제를 포함해도 좋다. 이 경우, 은박막의 광택도를 용이하게 0.8 이상으로 할 수 있다.
(9) 본 발명의 다른 국면에 따른 반사막의 제조 방법은, 제1 하지층을 준비하는 공정과, 제1 하지층 상에, 표면 조도가 0.2 ㎛ 이하이고, 광택도가 0.8 이상이며, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율이 90% 이상인 은박막을 형성하는 공정을 포함하는 것이다.
이 반사막의 제조 방법에서는, 제1 하지층 상에, 표면 조도가 0.2 ㎛ 이하인 은박막이 형성된다. 이에 따라, 높은 반사율을 얻을 수 있다. 또, 파장 460 nm의 광에 대하여 90% 이상의 반사율을 가짐으로써, 단파장 영역에서 높은 반사율을 얻을 수 있다. 또한, 0.8 이상의 광택도를 가짐으로써, 반사광에 포함되는 정반사광의 비율이 커진다. 그 결과, 반사막 상에 설치된 광원을 설치하는 경우, 광원으로부터의 광의 취출 효율을 충분히 향상시킬 수 있다.
(10) 제1 하지층을 준비하는 공정은, 표면 조도가 0.2 ㎛ 이하인 제1 하지층을 준비하는 공정을 포함해도 좋다.
이 경우, 은박막의 표면 조도를 용이하게 0.2 ㎛ 이하로 할 수 있다. 이에 따라, 은박막의 반사율을 용이하게 향상시킬 수 있다.
(11) 은박막을 형성하는 공정은 제1 하지층 상에 광택제가 첨가된 은도금액을 이용하여 전해 도금에 의해 은박막을 형성하는 공정을 포함해도 좋다. 이 경우, 광택도가 0.8 이상인 은박막을 용이하게 형성할 수 있다.
(12) 제1 하지층 상에, 표면 조도가 0.2 ㎛ 이하인 제2 하지층을 형성하는 공정을 더 포함하고, 은박막을 형성하는 공정은, 제2 하지층을 개재하여 제1 하지층 상에 은박막을 형성하는 공정을 포함해도 좋다.
이에 따라, 제1 하지층의 표면 조도가 0.2 ㎛보다 큰 경우라도, 제2 하지층의 두께를 조정함으로써 은박막의 표면 조도를 0.2 ㎛ 이하로 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 반사막을 포함하는 기판의 단면도,
도 2 (a)?(e)는, 반사막의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도,
도 3 (a), (b)는, 취득된 은박막의 최외측 표면의 화상의 예이다.
도 2 (a)?(e)는, 반사막의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도,
도 3 (a), (b)는, 취득된 은박막의 최외측 표면의 화상의 예이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 일실시형태에 따른 반사막에 관해 설명한다. 본 실시형태에서는, 발광 다이오드(LED) 등의 광원이 실장되는 기판 상에 형성되는 반사막에 관해 설명한다.
(1) 기판의 구성
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 반사막을 포함하는 기판의 단면도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 기판(1)은, 예를 들어 폴리이미드로 이루어진 절연층(20) 및 반사막(3)을 포함한다. 반사막(3)은, 예를 들어 구리로 이루어진 도체층(30), 예를 들어 니켈로 이루어진 배리어층(40) 및 은박막(50)을 이 순서로 포함한다. 절연층(20) 상에 도체층(30)이 형성된다. 은박막(50)은, 배리어층(40)을 개재하여 도체층(30) 상에 형성된다.
은박막(50)의 표면의 평균 입경은 0.5 ㎛ 이하이다. 또, 후술하는 바와 같이, 은박막(50)의 표면 조도 Ra는 0.2 ㎛ 이하로 설정된다.
은박막(50) 상에는 LED(10)가 실장된다. LED(10)는, 중심 파장이 460 nm인 광을 전방향으로 방출한다. 여기서, LED(10)로부터 직접 방출된 광에 더하여, LED(10)의 하면에서 은박막(50)에 의해 반사된 광이 LED(10)의 외부로 방출됨으로써, LED(10)로부터의 광의 취출 효율이 향상된다.
(2) 기판 상의 반사막의 제조 방법
다음으로, 도 1에 나타낸 기판(1) 상의 반사막(3)의 제조 방법을 설명한다. 도 2는 반사막(3)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
우선, 도 2 (a)에 나타낸 바와 같이, 절연층(20)을 준비한다. 절연층(20)은, 예를 들어 폴리이미드로 이루어진다. 다음으로, 도 2 (b)에 나타낸 바와 같이, 절연층(20) 상에 도체층(30)을 형성한다. 도체층(30)은, 예를 들어 구리로 이루어진다. 계속해서, 도체층(30)의 표면을 평탄화 처리한다. 도체층(30)의 표면의 표면 조도 Ra는 예를 들어 0.35 ㎛ 이하이고, 바람직하게는 0.2 ㎛ 이하이다. 황산-과산화수소계의 에칭액을 이용한 에칭에 의해 도체층(30)의 표면을 평탄화 처리해도 좋고, 연마 등의 표면 조도 Ra를 제어 가능한 다른 방법에 의해 도체층(30)의 표면을 평탄화 처리해도 좋다. 도체층(30)의 표면 조도 Ra를 0.2 ㎛ 이하로 조정함으로써, 후술하는 바와 같이, 은박막(50)의 표면 조도 Ra를 용이하게 0.2 ㎛ 이하로 설정할 수 있다.
다음으로, 도 2 (c)에 나타낸 바와 같이, 평탄화 처리된 도체층(30)의 표면에 배리어층(40)을 형성한다. 배리어층(40)은, 예를 들어, 전해 광택 니켈 도금을 행함으로써 형성된다. 이 경우, 배리어층(40)의 표면의 표면 조도 Ra는 0.2 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 계속해서, 도 2 (d)에 나타낸 바와 같이, 배리어층(40) 상에 하지 도금층(50a)을 형성한다. 하지 도금층(50a)은, 예를 들어, 전해 은 스트라이크 도금을 행함으로써 형성된다.
그 후, 도 2 (e)에 나타낸 바와 같이, 하지 도금층(50a) 상에 은박막(50)을 형성한다. 은박막(50)은, 예를 들어, 광택제를 첨가한 은의 고 시안화욕을 이용한 전해 도금을 행함으로써 형성된다. 여기서, 하지 도금층(50a)은 은박막(50)과 일체화된다. 은박막(50)의 평균 입경은 0.5 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 은박막의 표면의 요철을 작게 할 수 있다. 이에 따라, 은박막(50)의 반사율 및 광택도를 향상시킬 수 있다.
이와 같이 형성된 도체층(30) 상의 은박막(50)의 표면 조도 Ra는 0.2 ㎛ 이하가 되고, 광택도는 0.8 이상이 되고, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율은 90% 이상이 된다.
(3) 실시형태의 효과
본 실시형태에 따른 반사막(3)의 은박막(50)은, 0.2 ㎛ 이하의 표면 조도 Ra를 가지며, 0.8 이상의 광택도를 가지며, 파장 460 nm의 광에 대하여 90% 이상의 반사율을 갖는다.
0.2 ㎛ 이하의 표면 조도 Ra를 가짐으로써, 높은 반사율을 얻을 수 있다. 또, 파장 460 nm의 광에 대하여 90% 이상의 반사율을 가짐으로써, 단파장 영역에서 높은 반사율을 얻을 수 있다. 또한, 0.8 이상의 광택도를 가짐으로써, 반사광에 포함되는 정반사광의 비율이 커진다. 그 결과, 반사막(3) 상에 설치된 광원으로부터의 광의 취출 효율을 충분히 향상시킬 수 있다.
(4) 다른 실시형태
(4-1) 상기 실시형태에서, 도체층(30)과 은박막(50) 사이에 배리어층(40)이 형성되지만, 이것에 한정되지 않는다. 도체층(30)의 표면 조도 Ra가 0.2 ㎛ 이하인 경우에는, 도체층(30)과 은박막(50) 사이에 배리어층(40)이 형성되지 않아도 좋다.
(4-2) 상기 실시형태에서, 도체층(30)의 재료로서 구리가 이용되지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도체층(30)의 재료로서, 구리 합금이 이용되어도 좋고, 은, 금, 티탄 또는 백금 또는 이들 합금이 이용되어도 좋다.
(4-3) 상기 실시형태에서, 배리어층(40)의 재료로서 니켈이 이용되지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 배리어층(40)의 재료로서, 니켈 합금이 이용되어도 좋고, 팔라듐, 루테늄, 로듐, 백금, 질화탄탈(TaN) 또는 질화티탄(TiN)이 이용되어도 좋다.
(4-4) 상기 실시형태에서, 은박막(50)은, 도금에 의해 형성되지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 은박막(50)은, 스퍼터링 또는 증착 등의 다른 방법에 의해 형성되어도 좋다.
(5) 청구항의 각 구성 요소와 실시형태의 각 부의 대응 관계
이하, 청구항의 각 구성 요소와 실시형태의 각 부의 대응의 예에 관해 설명하지만, 본 발명은 하기의 예에 한정되지 않는다.
상기 실시형태에서는, 은박막(50)이 은박막의 예이고, 반사막(3)이 반사막의 예이고, 도체층(30)이 제1 하지층의 예이고, 배리어층(40)이 제2 하지층의 예이다.
청구항의 각 구성 요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 여러가지 요소를 이용할 수도 있다.
(6) 실시예
(6-1) 실시예 및 비교예
실시예 1?8 및 비교예 1?5에서는, 상기 실시형태에 기초하여 이하의 기판(1)을 제작했다.
실시예 1에서는, 도 2 (b)에 나타내는 공정에서, 버프 연마에 의해 구리로 이루어진 도체층(30)의 표면의 표면 조도 Ra를 0.06 ㎛로 조정했다. 다음으로, 도 2 (c)에 나타내는 공정에서, 온도 50℃ 및 전류 밀도 5 A/dm2의 조건으로, 5분간 전해 광택 니켈 도금을 행함으로써, 평탄화 처리된 도체층(30)의 표면에 두께가 5 ㎛이고, 표면 조도 Ra가 0.051 ㎛인 배리어층(40)을 형성했다. 계속해서, 도 2 (d)에 나타내는 공정에서, 온도 25℃ 및 전류 밀도 2 A/dm2의 조건으로, 15초간 전해 은 스트라이크 도금을 행함으로써, 배리어층(40) 상에 하지 도금층(50a)을 형성했다.
그 후, 도 2 (e)에 나타내는 공정에서, 온도 25℃ 및 전류 밀도 2 A/dm2의 조건으로, 2.5분간 광택제(롬ㆍ앤드ㆍ하스ㆍ재팬 주식회사, 실버 글로 3K)를 첨가한 은의 고 시안화욕을 이용한 전해 도금을 행함으로써, 두께가 3 ㎛인 은박막(50)을 형성했다. 고 시안화욕에 대한 광택제의 첨가량은 100 ml/L이다.
실시예 2에서는, 도 2 (c)에 나타내는 공정에서, 온도 50℃ 및 전류 밀도 5 A/dm2의 조건으로, 3분간 전해 광택 니켈 도금을 행했다. 또, 도 2 (e)에 나타내는 공정에서, 온도 25℃ 및 전류 밀도 2 A/dm2의 조건으로, 1.5분간 광택제를 첨가한 은의 고 시안화욕을 이용한 전해 도금을 행했다. 이러한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은박막(50)을 형성했다. 배리어층(40)의 두께는 3 ㎛이고, 표면 조도 Ra는 0.053 ㎛이다. 또, 은박막(50)의 두께는 1.5 ㎛이다.
실시예 3에서는, 도 2 (b)에 나타내는 공정에서, 도체층(30)의 표면의 표면 조도 Ra를 0.33 ㎛로 조정했다. 또, 도 2 (c)에 나타내는 공정에서, 온도 50℃ 및 전류 밀도 5 A/dm2의 조건으로, 15분간 전해 광택 니켈 도금을 행했다. 이러한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은박막(50)을 형성했다. 배리어층(40)의 두께는 15 ㎛이고, 표면 조도 Ra는 0.192 ㎛이다. 또, 은박막(50)의 두께는 3 ㎛이다.
실시예 4에서는, 도 2 (c)에 나타내는 공정에서, 전해 광택 니켈 도금 대신에 전해 무광택 니켈 도금을 행한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은박막(50)을 형성했다. 배리어층(40)의 두께는 3 ㎛이고, 표면 조도 Ra는 0.152 ㎛이다. 또, 은박막(50)의 두께는 1.5 ㎛이다.
실시예 5에서는, 도 2 (d)에 나타내는 공정에서, 온도 25℃ 및 전류 밀도 4 A/dm2의 조건으로, 10초간 전해 은 스트라이크 도금을 행한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은박막(50)을 형성했다. 은박막(50)의 두께는 3 ㎛이다.
실시예 6에서는, 도 2 (d)에 나타내는 공정에서, 온도 25℃ 및 전류 밀도 2 A/dm2의 조건으로, 15초간 전해 은 스트라이크 도금을 행한 점을 제외하고, 실시예 5와 동일한 방법으로 은박막(50)을 형성했다. 은박막(50)의 두께는 1 ㎛이다.
실시예 7에서는, 도 2 (e)에 나타내는 공정에서, 광택제의 고 시안화욕에 대한 첨가량을 30 ml/L로 한 점을 제외하고, 실시예 5와 동일한 방법으로 은박막(50)을 형성했다. 은박막(50)의 두께는 3 ㎛이다.
실시예 8에서는, 도 2 (b)에 나타내는 공정에서, 도체층(30)의 표면의 표면 조도 Ra를 0.179 ㎛로 조정한 점을 제외하고, 실시예 5와 동일한 방법으로 은박막(50)을 형성했다. 은박막(50)의 두께는 3 ㎛이다.
비교예 1에서는, 도 2 (b)에 나타내는 공정에서, 도체층(30)의 표면의 표면 조도 Ra를 0.33 ㎛로 조정한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은박막(50)을 형성했다. 배리어층(40)의 두께는 5 ㎛이고, 표면 조도 Ra는 0.284 ㎛이다. 또, 은박막(50)의 두께는 3 ㎛이다.
비교예 2에서는, 도 2 (b)에 나타내는 공정에서, 도체층(30)의 표면의 표면 조도 Ra를 0.33 ㎛로 조정했다. 또, 도 2 (e)에 나타내는 공정에서, 광택제를 첨가한 은의 고 시안화욕을 이용한 전해 도금 대신에 광택제를 첨가하지 않는 은의 고 시안화욕을 이용한 전해 도금을 행했다. 이러한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은박막(50)을 형성했다. 배리어층(40)의 두께는 5 ㎛이고, 표면 조도 Ra는 0.284 ㎛이다. 또, 은박막(50)의 두께는 3 ㎛이다.
비교예 3에서는, 도 2 (b)에 나타내는 공정에서, 도체층(30)의 표면의 표면 조도 Ra를 0.33 ㎛로 조정한 점을 제외하고, 실시예 5와 동일한 방법으로 은박막(50)을 형성했다. 은박막(50)의 두께는 3 ㎛이다.
비교예 4에서는, 도 2 (b)에 나타내는 공정에서, 도체층(30)의 표면의 표면 조도 Ra를 0.283 ㎛로 조정한 점을 제외하고, 실시예 5의 은박막(50)과 동일한 은박막(50)을 형성했다. 은박막(50)의 두께는 3 ㎛이다.
비교예 5에서는, 도 2 (d)에 나타내는 공정에서, 온도 25℃ 및 전류 밀도 2 A/dm2의 조건으로, 15초간 전해 은 스트라이크 도금을 행했다. 또, 도 2 (e)에 나타내는 공정에서, 광택제를 첨가한 은의 고 시안화욕을 이용한 전해 도금 대신에 광택제를 첨가하지 않는 은의 고 시안화욕을 이용한 전해 도금을 행했다. 이러한 점을 제외하고, 실시예 5와 동일한 방법으로 은박막(50)을 형성했다. 은박막(50)의 두께는 3 ㎛이다.
(6-2) 은박막의 특성
실시예 1?8 및 비교예 1?5의 은박막(50)에 관해, 표면 조도 Ra, 평균 입경, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율 및 광택도를 측정했다. 표면 조도 Ra에 관해서는, 비접촉식 광간섭 표면 조도계(니혼비코 주식회사 제조 Wyko NT3300 50×0.5배)를 이용하여 측정했다.
평균 입경의 측정으로서, 집속 이온빔 가공 관찰 장치(에스아이아이ㆍ나노테크놀로지 주식회사 제조 SMI-9200)를 이용하여 은박막(50)의 최외측 표면의 27000배의 화상을 취득했다. 도 3은, 취득된 은박막(50)의 최외측 표면의 화상의 예이다. 도 3 (a)는 실시예 5의 은박막(50)의 최외측 표면의 도면이고, 도 3 (b)는 비교예 1의 은박막(50)의 최외측 표면의 도면이다. 도 3의 화상에서, 화상 처리 소프트웨어 ImageJ를 이용하여 은박막(50)의 입자간의 경계를 특정했다. 여기서, 입자의 긴 방향의 치수를 입경으로서 취급하여, 화상 내의 입자의 입경의 평균치를 평균 입경으로서 산출했다. 또한, 실시예 1, 실시예 8 및 비교예 3의 평균 입경은 추정치이다.
반사율에 관해서는, 분광 측색계(코니카 미놀타 홀딩스 주식회사 제조 CM-700d, 시야각 10°, 조명ㆍ수광 광학계 d/8, 측정 직경 3 mm)를 이용하여 측정했다. 광택도에 관해서는, 덴시토미터(니뽄덴쇼쿠고교 주식회사 제조 ND-11, 측정 직경 3 mm)를 이용하여 측정했다.
실시예 1?8 및 비교예 1?5의 은박막(50)에 관한 표면 조도 Ra, 평균 입경, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율 및 광택도의 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
반사율이 90% 이상이고 광택도가 0.8 이상인 경우의 판정 결과를 "○"로 나타내고, 반사율이 90% 미만인 경우 또는 광택도가 0.8 미만인 경우의 판정 결과를 "×"로 나타냈다.
표 1에 나타낸 바와 같이, 실시예 1의 은박막(50)에 관한 표면 조도 Ra, 평균 입경, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율 및 광택도는, 각각 0.078 ㎛, 0.23 ㎛(추정치), 93.4% 및 1.2였다. 이와 같이, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율은 90% 이상이 되고, 광택도는 0.8 이상이 되었다.
실시예 2의 은박막(50)에 관한 표면 조도 Ra, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율 및 광택도는, 각각 0.082 ㎛, 92.8% 및 1.2였다. 이와 같이, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율은 90% 이상이 되고, 광택도는 0.8 이상이 되었다.
실시예 3의 은박막(50)에 관한 표면 조도 Ra, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율 및 광택도는, 각각 0.185 ㎛, 90.5% 및 1.0이었다. 이와 같이, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율은 90% 이상이 되고, 광택도는 0.8 이상이 되었다.
실시예 4의 은박막(50)에 관한 표면 조도 Ra, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율 및 광택도는, 각각 0.155 ㎛, 91.7% 및 1.0이었다. 이와 같이, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율은 90% 이상이 되고, 광택도는 0.8 이상이 되었다.
실시예 5의 은박막(50)에 관한 표면 조도 Ra, 평균 입경, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율 및 광택도는, 각각 0.082 ㎛, 0.22 ㎛, 93.6% 및 1.2였다. 이와 같이, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율은 90% 이상이 되고, 광택도는 0.8 이상이 되었다.
실시예 6의 은박막(50)에 관한 표면 조도 Ra, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율 및 광택도는, 각각 0.051 ㎛, 93.4% 및 1.2였다. 이와 같이, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율은 90% 이상이 되고, 광택도는 0.8 이상이 되었다.
실시예 7의 은박막(50)에 관한 표면 조도 Ra, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율 및 광택도는, 각각 0.078 ㎛, 91.7% 및 0.8이었다. 이와 같이, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율은 90% 이상이 되고, 광택도는 0.8 이상이 되었다.
실시예 8의 은박막(50)에 관한 표면 조도 Ra, 평균 입경, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율 및 광택도는, 각각 0.181 ㎛, 0.46 ㎛(추정치), 90.8% 및 1.0이었다. 이와 같이, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율은 90% 이상이 되고, 광택도는 0.8 이상이 되었다.
비교예 1의 은박막(50)에 관한 표면 조도 Ra, 평균 입경, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율 및 광택도는, 각각 0.264 ㎛, 0.82 ㎛, 88.5% 및 0.9였다. 이와 같이, 광택도는 0.8 이상이 되었지만, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율은 90% 이상이 되지 않았다.
비교예 2의 은박막(50)에 관한 표면 조도 Ra, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율 및 광택도는, 각각 0.298 ㎛, 93.1% 및 0.2였다. 이와 같이, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율은 90% 이상이 되었지만, 광택도는 0.8 이상이 되지 않았다.
비교예 3의 은박막(50)에 관한 표면 조도 Ra, 평균 입경, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율 및 광택도는, 각각 0.292 ㎛, 0.65 ㎛(추정치), 86.8% 및 0.9였다. 이와 같이, 광택도는 0.8 이상이 되었지만, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율은 90% 이상이 되지 않았다.
비교예 4의 은박막(50)에 관한 표면 조도 Ra, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율 및 광택도는, 각각 0.202 ㎛, 89.2% 및 1.0이었다. 이와 같이, 광택도는 0.8 이상이 되었지만, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율은 90% 이상이 되지 않았다.
비교예 5의 은박막(50)에 관한 표면 조도 Ra, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율 및 광택도는, 각각 0.075 ㎛, 90.5% 및 0.3이었다. 이와 같이, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율은 90% 이상이 되었지만, 광택도는 0.8 이상이 되지 않았다.
실시예 1?4와 실시예 5?8의 비교 결과로부터, 도체층(30)의 표면 조도 Ra가 0.2 ㎛ 이하이면, 도체층(30) 상에 배리어층(40)이 형성되지 않는 경우라도, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율이 90% 이상이고 광택도가 0.8 이상인 은박막(50)을 형성할 수 있는 것이 확인되었다.
실시예 1?3과 실시예 4의 비교 결과로부터, 배리어층(40)이 전해 무광택 니켈 도금에 의해 형성된 경우라도, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율이 90% 이상이고 광택도가 0.8 이상인 은박막(50)을 형성할 수 있는 것이 확인되었다.
실시예 5?8과 비교예 3, 4의 비교 결과로부터, 도체층(30)의 표면 조도 Ra가 0.2 ㎛ 이하이면, 도체층(30) 상에 배리어층(40)이 형성되지 않는 경우라도, 표면 조도 Ra가 0.2 ㎛ 이하인 은박막(50)을 형성할 수 있는 것이 확인되었다. 한편, 실시예 3과 비교예 1의 비교 결과로부터, 도체층(30)의 표면 조도 Ra가 0.2 ㎛를 넘더라도, 도체층(30) 상에 두께가 큰 배리어층(40)을 형성함으로써, 표면 조도 Ra가 0.2 ㎛ 이하인 은박막(50)을 형성할 수 있는 것이 확인되었다. 이 경우, 배리어층(40)의 표면 조도 Ra가 0.2 ㎛ 이하인 것에 의해, 은박막(50)의 표면 조도 Ra가 0.2 ㎛ 이하가 되는 것을 알 수 있다.
실시예 1?4와 비교예 2의 비교 결과 및 실시예 5?8과 비교예 5의 비교 결과로부터, 배리어층(40)의 유무에 관계없이, 은에 광택제를 첨가함으로써 광택도 0.8 이상의 은박막(50)을 형성할 수 있는 것이 확인되었다.
실시예 5와 비교예 1의 비교 결과로부터, 은박막(50)의 평균 입경이 0.5 ㎛ 이하인 경우에, 표면 조도 Ra가 0.2 ㎛ 이하인 은박막(50)을 형성할 수 있는 것이 확인되었다.
본 발명은 여러가지 반사막에 유효하게 이용할 수 있다.
Claims (12)
- 표면 조도가 0.2 ㎛ 이하이고, 광택도가 0.8 이상이며, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율이 90% 이상인 은박막을 포함하는 반사막.
- 제1항에 있어서, 상기 은박막 표면의 평균 결정 입경이 0.5 ㎛ 이하인 반사막.
- 제1항에 있어서, 표면 조도가 0.2 ㎛ 이하인 제1 하지층을 더 포함하고,
상기 은박막은 상기 제1 하지층 상에 형성되는 반사막. - 제3항에 있어서, 상기 제1 하지층은 구리를 포함하는 반사막.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 하지층과 상기 은박막 사이에 형성되는 제2 하지층을 더 포함하는 반사막.
- 제5항에 있어서, 상기 제2 하지층은 니켈을 포함하는 반사막.
- 제1항에 있어서, 상기 은박막은 전해 도금에 의해 형성되는 반사막.
- 제1항에 있어서, 상기 은박막은 광택제를 포함하는 반사막.
- 제1 하지층을 준비하는 공정과,
상기 제1 하지층 상에, 표면 조도가 0.2 ㎛ 이하이고, 광택도가 0.8 이상이고, 파장 460 nm의 광에 대한 반사율이 90% 이상인 은박막을 형성하는 공정을 포함하는 반사막의 제조 방법. - 제9항에 있어서, 제1 하지층을 준비하는 공정은, 표면 조도가 0.2 ㎛ 이하인 제1 하지층을 준비하는 공정을 포함하는 반사막의 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 은박막을 형성하는 공정은, 상기 제1 하지층 상에 광택제가 첨가된 은도금액을 이용하여 전해 도금에 의해 상기 은박막을 형성하는 공정을 포함하는 반사막의 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 제1 하지층 상에, 표면 조도가 0.2 ㎛ 이하인 제2 하지층을 형성하는 공정을 더 포함하고,
상기 은박막을 형성하는 공정은, 상기 제2 하지층을 개재하여 상기 제1 하지층 상에 상기 은박막을 형성하는 공정을 포함하는 반사막의 제조 방법.
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