KR20120060129A

KR20120060129A - 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 프로그램을 기억한 기록 매체

Info

Publication number: KR20120060129A
Application number: KR1020110023744A
Authority: KR
Inventors: 유끼오 가따무라; 야스오 다네; 아쯔시 요시무라; 후미히로 이와미
Original assignee: 가부시끼가이샤 도시바
Priority date: 2010-12-01
Filing date: 2011-03-17
Publication date: 2012-06-11

Abstract

본 발명은, 도포한 접착제의 수축 변형의 발생을 억제할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이를 해결하기 위하여, 반도체 장치의 제조 방법은, 평면에서 보아 대략 사각 형상을 나타내는 복수의 칩 영역(2)이 다이싱 영역을 개재하여 제1 면(1a)에 형성된 반도체 웨이퍼(1)의 다이싱 영역에 홈(4)을 형성한다. 또한, 칩 영역의 제1 면의 반대측인 제2 면에 접착제를 도포한다. 이 도포 공정에 있어서, 평면에서 보면 칩 영역의 적어도 하나의 코너부(2a)에서는, 평면에서 보아 다이싱 영역과의 경계가 되는 변(2b)으로부터 홈으로 접착제가 밀려나온다.

Description

반도체 장치의 제조 방법 및 제조 프로그램을 기억한 기록 매체{METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND RECORDING MEDIUM STORING PROGRAM FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE}

<관련 출원>

본 출원은, 일본 특허 출원 제2010-268448호(출원일: 2010년 12월 1일)를 기초 출원으로 하는 우선권의 이익을 향수한다. 본 출원은 이 기초 출원을 참조함으로써, 기초 출원의 모든 내용을 포함한다.

본 발명의 실시 형태는, 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 프로그램을 기억한 기록 매체에 관한 것이다.

반도체 장치의 제조 공정은, 반도체 웨이퍼의 표면측에 반도체 회로나 배선층 등을 형성하는 공정과, 반도체 웨이퍼를 칩 형상에 따라 절단(개편화)하는 공정으로 크게 구별된다. 최근, 반도체 장치의 고성능화, 고집적화, 소형?박형화 등에 수반하여, 반도체 웨이퍼는 박후화(薄厚化)되는 경향이 있다. 이러한 반도체 웨이퍼를 가공하는 데 있어서, 웨이퍼의 박후화와 반도체 장치의 개편화를 겸하는 가공 공정으로서, 프리 다이싱이라고 불리는 공정이 적용되고 있다. 프리 다이싱 공정에 있어서는, 개편화된 칩을 반도체 웨이퍼로부터 노출시키기 전에, 칩의 한 면에 접착제를 도포하여 접착층이 형성되는 경우가 있다.

이러한 종래 기술에 있어서는, 도포된 접착제에 의한 소위 수축 변형의 발생의 억제가 요망되고 있다.

본 발명의 실시 형태는, 상기를 감안하여 이루어진 것이며, 도포한 접착제의 수축 변형의 발생을 억제할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 프로그램을 기억한 기록 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.

실시 형태의 반도체 장치의 제조 방법은, 평면에서 보아 대략 사각 형상을 나타내는 복수의 칩 영역이 다이싱 영역을 개재하여 제1 면에 형성된 반도체 웨이퍼의 다이싱 영역에 홈을 형성한다. 또한, 칩 영역의 제1 면의 반대측인 제2 면에 접착제를 도포한다. 이 도포 공정에 있어서, 평면에서 보면 칩 영역의 적어도 하나의 코너부에서는, 평면에서 보아 다이싱 영역과의 경계가 되는 변으로부터 홈으로 접착제가 밀려나온다.

본 발명의 실시 형태에 따르면, 도포한 접착제의 수축 변형의 발생을 억제할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 프로그램을 기억한 기록 매체를 제공할 수 있다.

도 1은 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 2는 반도체 웨이퍼를 제1 면측에서 본 도면.
도 3은 도 2에 도시하는 A-A선을 따른 화살표 단면도.
도 4는 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 도시하는 도면.
도 5는 도 2에 도시하는 A-A선을 따른 화살표 단면도로서, 도 4의 공정을 거친 상태를 도시하는 도면.
도 6은 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 도시하는 도면.
도 7은 도 2에 도시하는 A-A선을 따른 화살표 단면도로서, 도 6의 공정을 거친 상태를 도시하는 도면.
도 8은 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 도시하는 도면.
도 9는 도 2에 도시하는 A-A선을 따른 화살표 단면도로서, 도 8의 공정을 거친 상태를 도시하는 도면.
도 10은 반도체 웨이퍼를 제2 면측에서 본 도면으로서, 도 8의 공정을 거친 상태를 도시하는 도면.
도 11은 반도체 웨이퍼에 대한 접착제의 도포 영역을 도시하는 도면.
도 12는 도 11에 도시하는 B-B 선을 따른 화살표 단면도.
도 13은 도 11에 도시하는 C-C 선을 따른 화살표 단면도.
도 14는 도포 장치의 측면도.
도 15는 도 14에 도시하는 D-D 선을 따른 화살표도.
도 16은 변형예에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 접착제의 도포 영역을 도시하는 도면.
도 17은 변형예에 관한 반도체 장치의 제조 방법으로 제조된 칩의 적층 상태를 예시하는 도면.
도 18은 반도체 웨이퍼에 대한 접착제의 도포 영역을 도시하는 도면.
도 19는 접착제의 도포 영역의 다른 예를 나타내는 도면.

이하에 첨부 도면을 참조하여, 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 프로그램을 기억한 기록 매체를 상세하게 설명한다. 또한, 이 실시 형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.

(제1 실시 형태)

도 1은, 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 2는, 반도체 웨이퍼를 제1 면측에서 본 도면이다. 도 3은, 도 2에 도시하는 A-A선을 따른 화살표 단면도이다. 도 4는, 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 도시하는 도면이다. 도 5는, 도 2에 도시하는 A-A선을 따른 화살표 단면도로서, 도 4의 공정을 거친 상태를 도시하는 도면이다. 도 6은, 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 도시하는 도면이다. 도 7은, 도 2에 도시하는 A-A선을 따른 화살표 단면도로서, 도 6의 공정을 거친 상태를 도시하는 도면이다. 도 8은, 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 도시하는 도면이다. 도 9는, 도 2에 도시하는 A-A선을 따른 화살표 단면도로서, 도 8의 공정을 거친 상태를 도시하는 도면이다. 도 10은, 반도체 웨이퍼를 제2 면측에서 본 도면으로서, 도 8의 공정을 거친 상태를 도시하는 도면이다.

도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 표면측에 반도체 회로 등이 형성된 반도체 웨이퍼(1)를 준비한다. 반도체 웨이퍼(1)는 복수의 칩 영역(2)이 형성된 제1 면(표면)(1a)과 그와는 반대측인 제2 면(이면)(1b)을 갖고 있다.

칩 영역(2)에는 반도체 회로나 배선층을 포함하는 반도체 소자부가 형성되어 있다. 복수의 칩 영역(2) 사이에는 다이싱 영역(3)이 형성되어 있고, 이 다이싱 영역(3)을 따라 반도체 웨이퍼(1)를 절단함으로써, 복수의 칩 영역(2)을 각각 개편화하여 반도체 장치를 제조한다.

반도체 장치를 제조하는 데 있어서, 우선 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(1)에 제1 면(1a)측으로부터 다이싱 영역(3)을 따라 홈(4)을 형성한다(스텝 S1). 반도체 웨이퍼(1)의 홈(4)은, 예를 들어 다이싱 영역(3)의 폭에 따른 날 두께를 갖는 블레이드(5)를 사용하여 형성된다.

홈(4)의 깊이는 반도체 웨이퍼(1)의 두께보다 얕고, 또한 반도체 장치의 완성 시의 두께보다 깊게 설정된다. 또한 홈(4)은 에칭 등으로 형성해도 좋다. 이러한 깊이의 홈(4)을 반도체 웨이퍼(1)에 형성함으로써, 복수의 칩 영역(2)은 각각 반도체 장치의 완성 두께에 따른 상태로 구분된다.

이어서, 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 홈(4)을 형성한 반도체 웨이퍼(1)의 제1 면(표면)(1a)에 보호 시트(6)를 부착한다(스텝 S2). 보호 시트(6)는 후공정에서 반도체 웨이퍼(1)의 제2 면(이면)(1b)을 연삭할 때에 칩 영역(2)에 형성된 반도체 소자부를 보호한다. 또한, 보호 시트(6)는 제2 면(1b)의 연삭 공정에서 칩 영역(2)을 개편화한 후의 반도체 웨이퍼(1)의 형상을 유지하는 것이다. 보호 시트(6)로서는, 예를 들어 점착층을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 시트와 같은 수지 시트가 사용된다.

이어서, 도 8 및 도 9에 도시한 바와 같이, 보호 시트(6)를 부착한 반도체 웨이퍼(1)의 제2 면(이면)(1b)을 연삭한다(스텝 S3). 반도체 웨이퍼(1)의 제2 면(이면)(1b)은, 예를 들어 도 8에 도시한 바와 같이 랩핑 정반(7)을 사용하여 기계적으로 연삭된다. 또한, 반도체 웨이퍼(1)의 연삭?연마 공정 후에, 보호 시트(6)에 자외선 등을 조사하여 점착층을 경화시킨다(스텝 S4).

반도체 웨이퍼(1)의 제2 면(이면)(1b)의 연삭 공정은, 제1 면(표면)(1a)측으로부터 형성한 홈(4)이, 제2 면(이면)으로부터 노출될 때까지 실시된다. 이와 같이, 반도체 웨이퍼의 제2 면(이면)(1b)을 연삭함으로써, 각 칩 영역(2)이 분할되어 반도체 장치(9)가 개편화된다(도 10도 참조).

이 단계에 있어서는, 보호 시트(6)에 의해 보유 지지됨으로써, 각 반도체 장치(9)는 노출되어 있지 않아, 전체적으로는 웨이퍼 형상이 유지되고 있다. 즉, 반도체 웨이퍼(1)의 형상을 보호 시트(6)로 유지하면서, 반도체 장치(9)를 각각 개편화한다. 개편화된 반도체 장치(9) 사이에는 홈(4)이 존재하고 있다.

이어서, 반도체 웨이퍼(1)의 제2 면(이면)(1b)에 접착제를 도포한다(스텝 S5). 접착제의 도포는, 예를 들어 상세히 후술하는 도포 장치에 의해 행해진다. 도 11은, 반도체 웨이퍼(1)에 대한 접착제의 도포 영역을 도시하는 도면이다. 여기서, 도포 영역이란, 실제의 반도체 웨이퍼(1)에 대하여 접착제가 도포된 영역뿐만 아니라, 후술하는 제어부(38)에 의해 접착제를 도포하도록 지정한 영역인 경우도 포함한다. 도 12는, 도 11에 도시하는 B-B선을 따른 화살표 단면도이다. 도 13은, 도 11에 도시하는 C-C선을 따른 화살표 단면도이다.

접착제의 도포 영역(D1)은, 칩 영역(2)의 이면(1b)의 대략 전역에 걸친다. 또한, 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이, 평면에서 보아 대략 사각 형상을 나타내는 칩 영역(2)의 코너부(2a)의 근방에서는, 다이싱 영역(3)과의 경계가 되는 변(2b)으로부터 홈(4)으로 도포 영역(D1)이 밀려나와 있다. 한편, 코너부(2a)로부터 이격된 부분, 예를 들어 코너부(2a)로부터 연장되는 변(2b)의 중앙 부분에서는, 도 11 및 도 13에 도시한 바와 같이, 접착제의 도포 영역(D1)이 변(2b)으로부터 밀려나오지 않도록 되어 있다. 또한, 접착제는, 반도체 장치(9)를 배선 기판 등에 실장할 때에 접착층으로서 기능한다.

접착제의 수축 변형은 칩 영역(2)의 코너부(2a)에서 발생하기 쉽다. 이것은, 접착제를 구 형상으로 도포하고, 칩 영역(2)에 접했을 때에 원 형상으로 퍼지는 잉크젯법으로 도포하는 경우에 현저하다. 접착제가 원 형상으로 퍼지기 때문에, 변(2b)에 비하여, 2개의 변(2b)이 접하는 코너부(2a)에서는 접착제를 충분히 도포할 수 없어 수축 변형이 발생하기 쉽다.

여기서, 본 제1 실시 형태에 있어서는, 칩 영역(2)의 코너부(2a)의 수축 변형의 발생을 방지하기 위해, 칩 영역(2)의 코너부(2a)의 근방에서, 접착제를 다이싱 영역(3)과의 경계가 되는 변(2b)으로부터 홈(4)으로 도포 영역(D1)을 밀려나오도록 도포하고 있다. 그 결과, 코너부(2a)에 있어서 수축 변형의 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.

이어서, 반도체 웨이퍼(1)를 다이싱 테이프(도시하지 않음)에 부착한 후, 보호 시트(6)를 박리하고(스텝 S6), 홈(4)으로 밀려나온 접착제를 제거하고, 칩 영역(2)의 변(2b)을 따라 절단함으로써, 반도체 장치(9)를 개편화한다(스텝 S7). 홈(4)으로 밀려나온 접착제의 제거는, 예를 들어 레이저나 블레이드를 사용하여 행해진다. 또한, 밀려나온 접착제의 영역이 작은 경우, 접착제를 제거할 필요가 없는 경우도 있다. 잔존하는 접착제의 영역이 작으므로, 반도체 칩으로부터 분리하지 않고 더스트가 되는 경우도 없기 때문에, 접착제를 제거하지 않아도 각각의 반도체 칩을 개편화할 수 있기 때문이다. 그 결과, 제조 공정을 간략화할 수 있다.

이어서, 반도체 웨이퍼(1)에 접착제를 도포하기 위한 도포 장치에 대하여 설명한다. 도 14는 도포 장치의 측면도이다. 도 15는 도 14에 도시하는 D-D선을 따른 화살표도이다. 도포 장치(30)는, 상술한 반도체 장치(9)의 제조 공정에 있어서, 스텝 S5에 나타내는 접착제의 도포 공정을 행하는 반도체의 제조 장치이다. 도포 장치(30)에는, 베이스(31), 이동부(32), 적재부(33), 지지부(34), 토출부(35) 등이 형성되어 있다.

베이스(31)는, 대략 직육면체 형상을 나타내고, 그 저면에는 다리부(31a)가 형성되어 있다. 또한, 저면에 대향하는 측의 면에는 베이스판(31b)이 형성되어 있다. 이동부(32)에는, 궤도 레일(32a), 이동 블록(32b), 설치부(32c), 구동부(32d) 등이 형성되어 있다.

궤도 레일(32a)은, 대략 직사각형의 단면 형상을 나타내고, 베이스판(31b)의 상면에 형성되어 있다. 또한, 궤도 레일(32a)은, 도 14에 도시한 바와 같이 베이스판(31b)의 길이 방향으로 연장되어 있으며, 도 15에 도시한 바와 같이 베이스(31)의 양단부측에 각각 형성되어 있다.

이동 블록(32b)은, 대략 역∪자 형상의 단면 형상을 나타내고, 도시하지 않은 복수의 볼을 개재하여 궤도 레일(32a)에 설치되어 있다. 그리고, 이동 블록(32b)이 궤도 레일(32a)을 걸치도록 하여 궤도 레일(32a) 위를 왕복 가능하게 이동할 수 있도록 되어 있다. 설치부(32c)는, 평판 형상을 나타내고, 이동 블록(32b)의 상면에 형성되어 있다.

구동부(32d)에는, 볼 나사부(32e), 너트부(32f), 구동 모터(32g) 등이 형성되어 있다. 볼 나사부(32e)는, 도 14에 도시한 바와 같이 베이스판(31b)의 길이 방향으로 연장되어 형성되고, 그 양단부가 베이스(31)에 회전 가능하게 설치되어 있다. 너트부(32f)는, 도 15에 도시한 바와 같이 설치부(32c)의 하면에 형성되고, 볼 나사부(32e)와 나사 결합하도록 되어 있다. 볼 나사부(32e)의 일단부에는, 서보 모터 등의 구동 모터(32g)가 접속되어 있다. 그로 인해, 구동 모터(32g)에 의해 볼 나사부(32e)가 회전 구동되면, 설치부(32c)가 도 14에 도시하는 화살표 X의 방향으로 왕복 구동되도록 되어 있다.

적재부(33)에는 도시하지 않은 정전 척이나 진공 척 등이 내장되며, 그 적재면에 반도체 웨이퍼(1)를 적재, 보유 지지할 수 있도록 되어 있다. 또한, 적재부(33)에는 히터 등의 가열부(33a)가 내장되며, 보유 지지된 반도체 웨이퍼(1)에 도포한 접착제를 가열할 수 있도록 되어 있다. 또한, 가열부(33a)는 접착제를 가열할 수 있는 것이면 되고, 예를 들어 열매체를 순환시켜 가열을 행하도록 한 것이어도 좋다. 또한, 적재부(33)와 이격시켜 가열부(33a)를 형성하도록 할 수도 있다. 예를 들어, 적재부(33)에 보유 지지된 반도체 웨이퍼(1)를 조사 가능한 위치에 적외선 히터 등을 형성하도록 할 수도 있다. 즉, 가열부는, 반도체 웨이퍼(1) 상에 도포된 접착제를 가열할 수 있는 것이면 된다.

지지부(34)는, 대략 역∪자 형상을 나타내고, 한 쌍의 궤도 레일(32a)을 걸치도록 하여 베이스판(31b) 상으로부터 세워 형성되어 있다. 또한, 지지부(34)의 가설부(34a)로부터는 설치부(34b)가 돌출되도록 하여 형성되어 있다. 이 설치부(34b)에는 토출부(35)가 설치된다.

토출부(35)는, 수지와 용매를 포함하는 접착제를 반도체 웨이퍼(1)를 향하여 토출시킨다. 토출부(35)는, 잉크젯법에 의해 접착제를 반도체 웨이퍼(1)를 향하여 토출시키는 것이다. 잉크젯법에는, 가열에 의해 기포를 발생시켜 막 비등 현상을 이용하여 액체를 토출시키는 「서멀식」과, 압전 소자의 굴곡 변위를 이용하여 액체를 토출시키는 「압전식」 등이 있지만, 어느 방식을 채용하든 상관없다. 또한, 토출부(35)로서는, 잉크젯법에 의해 액체를 토출시키는 기지의 잉크젯 헤드를 채용할 수 있다. 그로 인해, 그 상세한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.

토출부(35)에는, 배관(35b)을 통하여 수납부(35a)가 접속되어 있고, 접착제가 토출부(35)에 공급 가능하게 되어 있다. 수납부(35a)에는, 점도가 조정된 접착제가 수납되어 있다. 이 경우, 전술한 바와 같이, 토출 노즐의 막힘을 억제하기 위해서는 접착제의 25℃에서의 점도를 낮추는 것이 바람직하다. 수납부(35a)로부터 토출부(35)로의 접착제의 공급은, 위치 수두(potential head) 등을 이용한 것이어도 좋고, 펌프 등의 송액 수단을 사용한 것이어도 좋다.

또한, 토출부(35)로부터의 토출 타이밍, 토출량이나 접착제를 도포하는 영역 등을 제어하는 제어부(38)가 형성되어 있다. 예를 들어, 「압전식」의 토출부(35)의 경우에는, 압전 소자에 인가하는 전압을 바꾸어 압전 소자의 작동량을 제어함으로써, 각 압전 소자가 대향하는 토출 노즐로부터 토출되는 접착제의 액적의 크기, 즉 접착제의 토출량을 제어하도록 되어 있다. 그로 인해, 접착제를 막 형상으로 부착시켰을 때의 두께를 1μm(마이크로미터) 이하로 할 수 있다. 또한, 제어부(38)는, 구동 모터(32g)의 구동이나 토출부(35)로부터의 접착제의 토출 타이밍을 제어함으로써, 반도체 웨이퍼(1) 상의 원하는 영역에 접착제를 도포시킨다. 본 실시 형태에서는, 도 11에 도시하는 영역(D1)에 접착제를 도포시킨다.

제어부(38)는, 기억부(39)에 저장된 프로그램에 따라, 상술한 접착제의 도포를 도포 장치에 실행시킨다. 예를 들어, 기억부(39)에 저장된 프로그램에는, 칩 영역(2)이나 다이싱 영역(3)의 범위를 나타내는 정보나, 접착제의 토출량을 나타내는 정보가 기술되어 있어도 좋다. 또는, 칩 영역(2)이나 다이싱 영역(3)이나 토출량을 나타내는 테이블 정보가 기억부(39)에 저장되고, 프로그램의 기술에 따라 제어부(38)로부터 지정된 도포 영역(D1)에 접착제를 도포하도록 기억부(39)로부터 필요한 정보를 판독하여, 구동 모터(32g)나 토출부(35)를 제어해도 좋다.

변(2b)으로부터 밀려나오는 접착제의 도포는, 변(2b)보다 내측으로의 접착제의 도포와 일괄적으로 행해진다. 이에 의해, 도포 공정의 단축화나, 접착제의 두께의 관리의 용이화를 도모할 수 있다. 또한, 변(2b)으로부터 밀려나오는 접착제의 도포를, 변(2b)보다 내측으로의 접착제의 도포와 따로따로 행해도 상관없다.

이상 설명한 바와 같이, 접착제의 도포 영역(D1)을, 평면에서 보아 대략 사각 형상을 나타내는 칩 영역(2)의 코너부(2a)의 근방에서는, 칩 영역(2)의 평면에서 보면 변(2b)보다 홈(4)까지 밀려나오도록 하고 있으므로, 코너부(2a)에서의 접착제의 수축 변형의 발생을 억제할 수 있다.

접착제에 수축 변형이 발생하면, 반도체 장치(9)를 기판에 마운트한 경우나, 반도체 장치(9)끼리 적층한 경우에, 기판이나 하단의 반도체 장치(9)와의 사이에 간극이 발생하기 쉬워진다. 그로 인해, 몰드 수지 밀봉 시에 수축 변형 부분에서 입구 개방이 발생되거나, 하단에 적층된 반도체 장치(9)에 데미지를 끼쳐 버리거나 하는 경우가 있다. 한편, 본 실시 형태에서는, 접착제의 수축 변형의 발생을 억제할 수 있으므로, 입구 개방의 발생이나 반도체 장치(9)에 대한 데미지를 억제할 수 있다. 또한, 코너부(2a)가 보다 확실하게 접착제에 의해 보호되므로, 반도체 장치(9)의 코너부(2a)가 절결되기 어려워진다.

또한, 코너부(2a)로부터 이격된 부분에서는, 도포 영역(D1)이 변(2b)으로부터 밀려나오지 않도록 하고 있으므로, 접착제의 사용량을 억제하여 자원을 유효하게 활용할 수 있다. 또한, 비용의 억제를 도모할 수 있다. 접착제의 수축 변형은, 반도체 장치(9)의 코너부(2a)로부터 이격된 부분에서는 발생하기 어려우므로, 변(2b)으로부터 밀려나오지 않도록 접착제를 도포하고 있다. 또한, 변(2b) 전체에 접착제를 밀려나오게 한 경우에 비하여, 반도체 장치(9)를 개편화하기 위한 접착제의 제거에 걸리는 시간의 단축화를 도모할 수 있어, 제조 효율의 향상에 기여할 수 있다.

또한, 잉크젯법에 의해 접착제를 도포하는 도포 장치(30)를 사용함으로써, 접착제가 도포되는 영역의 형상을 다양하게 설정 가능하게 되어, 도포 영역(D1)과 같은 복잡한 형상을 용이하게 설정할 수 있다.

도 16은, 변형예에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 접착제의 도포 영역을 도시하는 도면이다. 도 17은, 변형예에 관한 반도체 장치의 제조 방법으로 제조된 칩의 적층 상태를 예시하는 도면이다.

본 변형예에서는 반도체 장치(9)(칩 영역(2))의 표면(1a)측에 대하여, 하나의 변(2b)을 따라 복수의 전극 패드(40)가 배열되어 형성되어 있다. 전극 패드(40)는, 금속 와이어(41)에 의한 와이어 본딩에 의해, 기판에 형성된 접속 패드나, 다른 반도체 장치(9)에 형성된 전극 패드(40)와 전기적으로 접속된다.

그리고, 접착제의 도포 영역(D2)은 전극 패드(40)가 형성된 변(2b)의 양단부에 위치하는 코너부(2a) 부분에서, 변(2b)으로부터 밀려나오도록 되어 있다. 한편, 전극 패드(40)가 형성된 변(2b)과는 반대측 변(2b)의 양단부에 위치하는 코너부(2a) 부분에서는 접착제의 도포 영역(D2)이 변(2b)으로부터 밀려나오지 않도록 되어 있다.

도 17에 도시한 바와 같이, 반도체 장치(9)는, 기판 상에 계단 형상으로 적층되는 경우가 있다. 이 경우, 전극 패드(40)가 형성된 변(2b)과는 반대측 변(2b)에서는, 하단에 적층된 반도체 장치(9)와 겹치지 않기 때문에, 접착제에 수축 변형이 발생해도 입구 개방의 발생이나 반도체 장치(9)에 대한 데미지가 발생하기 어렵다.

따라서, 본 변형예와 같이 전극 패드(40)가 형성된 변(2b)과는 반대측 변(2b)의 양단부에서는, 접착제가 밀려나오지 않도록 함으로써, 접착제의 사용량을 억제할 수 있어 자원을 유효하게 활용할 수 있다. 또한, 한층 더한 비용 억제를 도모할 수 있다.

이와 같이, 평면에서 보아 4개소 있는 칩 영역(2)의 코너부(2a) 중 어느 코너부(2a) 부분에서 접착제를 변(2b)으로부터 홈(4)까지 밀려나오게 할지는, 반도체 장치(9)의 최종적인 사용 형태 등에 맞게 다양하게 선택 가능하다. 예를 들어, 하나의 코너부(2a) 부분에서만 접착제를 밀려나오게 해도 좋고, 3개소의 코너부(2a) 부분에서 접착제를 밀려나오게 해도 좋다.

또한, 상기 실시 형태는 예시이며, 발명의 범위는 그들에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 18에 도시한 바와 같이 칩 영역(2)으로부터 밀려나온 접착제끼리 일체로 되지 않도록 간극을 형성하여 도포해도 좋다. 밀려나온 접착제끼리 일체로 되어 있지 않으므로, 접착제를 제거하지 않아도 각각의 반도체 칩을 개편화할 수 있다. 그 결과, 제조 공정을 간략화할 수 있다.

또한, 도 19와 같이 코너부(2a)의 적어도 일부에 있어서 도포 영역(D2)으로부터 홈(4)으로 접착제가 밀려나와 있어도 좋다. 코너부(2a)에 있어서 접착제가 적어도 일부 밀려나와 있으면 수축 변형의 발생을 방지할 수 있기 때문이다. 또한, 밀려나온 접착제끼리 일체로 되지 않도록 도포함으로써, 접착제를 제거하지 않아도 각각의 반도체 칩을 개편화할 수 있다. 그 결과, 제조 공정을 간략화할 수 있다.

또한, 제어부(38)에 의해 지정한 영역에서는 접착제가 코너부(2a)로부터 밀려나와 있지만, 실제의 도포 영역(D)에서는 접착제가 코너부(2a)로부터 밀려나와 있지 않은 경우도 있다. 즉, 기억부(39)에 저장된 프로그램에 의해, 코너부(2a)에 수축 변형을 발생시키지 않도록, 또한 접착제가 코너부(2a)로부터 밀려나오지 않도록 접착제를 도포하는 경우도 포함된다. 그 결과, 접착제의 사용량을 억제할 수 있어 자원을 유효하게 활용할 수 있다. 또한, 한층 더한 비용 억제를 도모할 수 있다.

본 발명의 몇 개의 실시 형태를 설명했지만, 이들 실시 형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 실시 형태는, 그 밖의 여러 형태로 실시되는 것이 가능하여, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 다양한 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되면 마찬가지로, 특허 청구 범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함되는 것이다.

1: 반도체 웨이퍼
1a: 제1 면(표면)
1b: 제2 면(이면)
2: 칩 영역
2a: 코너부
2b: 변
3: 다이싱 영역
4: 홈
5: 블레이드
6: 보호 시트
7: 랩핑 정반
9: 반도체 장치
30: 반도체 제조 장치
33: 적재부
35: 토출부
38: 제어부
39: 기억부
40: 전극 패드
41: 금속 와이어
D1, D2: 도포 영역

Claims

반도체 장치의 제조 방법으로서,
평면에서 보아 대략 사각 형상을 나타내는 복수의 칩 영역이 다이싱 영역을 개재하여 제1 면에 형성된 반도체 웨이퍼의 상기 다이싱 영역에 홈을 형성하고,
상기 칩 영역의 상기 제1 면의 반대측인 제2 면에 접착제를 도포하고,
상기 도포 공정에 있어서, 평면에서 보면 상기 칩 영역의 적어도 하나의 코너부에서는, 평면에서 보아 상기 다이싱 영역과의 경계가 되는 변으로부터 상기 홈으로 상기 접착제가 밀려나오는, 반도체 장치의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 하나의 코너부로부터 연장되는 상기 변의 중앙 부분에서는, 상기 변으로부터 상기 홈으로 상기 접착제가 밀려나오지 않는, 반도체 장치의 제조 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 칩 영역의 하나의 변의 양단부에 위치하는 코너부에서 상기 홈으로 밀려나와 상기 접착제를 도포하는, 반도체 장치의 제조 방법.
제3항에 있어서, 상기 칩 영역의 제1 면 상에는, 상기 하나의 변을 따라서 전극 패드가 형성되어 있는, 반도체 장치의 제조 방법.
평면에서 보아 대략 사각 형상을 나타내는 복수의 칩 영역이 홈을 통하여 제1 면에 형성된 반도체 웨이퍼를 적재하는 적재부와, 상기 적재부에 적재된 반도체 웨이퍼에 대하여 접착제를 토출하는 토출부를 구비하는 도포 장치를 제어하여 반도체 장치를 제조시키는 제조 프로그램을 기억한 기록 매체로서,
상기 토출부에 상기 접착제를 토출시켜, 상기 제1 면의 반대면인 상기 칩 영역의 제2 면에 접착제를 도포시키고,
상기 접착제의 토출에 있어서, 평면에서 보면 상기 칩 영역의 적어도 하나의 코너부에서는, 평면에서 보아 상기 다이싱 영역과의 경계가 되는 변으로부터 상기 홈으로 상기 접착제가 밀려나오도록, 상기 접착제를 토출시키는 것인, 제조 프로그램을 기억한 기록 매체.