KR20120046331A - 적외선 및 자외선의 차단 특성이 우수한 전도성 산화아연 나노입자 - Google Patents

적외선 및 자외선의 차단 특성이 우수한 전도성 산화아연 나노입자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 탄소사슬의 길이가 2 이상인 유기 용매를 이용하여 가시광에 대한 높은 투명성은 유지한 채로, 자외선과 적외선(열선)의 차폐 성능을 향상시킨 전도성 산화아연을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 가시광 영역에서는 75%이상 투과성을 유지하면서 자외선 90%, 적외선 85% 이상을 차폐하는 특성을 나타내는 전도성 산화아연 나노입자이다.

Description

적외선 및 자외선의 차단 특성이 우수한 전도성 산화아연 나노입자 {CONDUCTIVE ZINC OXIDE NANO-PARTICLES HAVING GOOD SHIELDING PROPERTY OF INFRARED AND ULTRAVIOLET AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}
본 발명은 적외선과 자외선을 동시에 차단할 수 있는 차폐특성을 갖는 전도성 산화아연 나노입자에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 기존에 자외선 차단효과로 인해 화장품 재료로 널리 사용되어 온 산화아연 나노입자에 알루미늄과 같은 13족 원소를 도핑함으로써 산화아연 나노입자가 갖는 우수한 자외선 차단효과는 물론, 적외선 차단율이 우수하여 건축용 유리 또는 차량용 유리와 같은 재료에 코팅되었을 때, 에너지 절약 효과를 기대할 수 있는 산화아연 나노입자와 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 환경 문제에 대한 관심이 높아지고 있는 가운데, 지구온난화를 억제하기 위해서, 공기 조화에 소요되는 전력을 저감시키고자 하는 에너지 절약 방안이 검토되고 있다.
이를 적극적으로 수행하는 방법의 하나로서, 에너지는 자외선의 10분의 1로 작지만 태양광의 약 50%를 차지하며 열적 작용이 큰 태양광 중의 적외선(열선)을 차폐함으로써 실내 또는 차량 내의 공간의 온도 상승을 억제시키고자 하는 방안이 검토되고 있다.
그런데, 적외선(열선)의 차폐재료가 건축 또는 차량 유리에 적용되기 위해서는 일정 이상의 가시광 투과성이 보장되어야 한다. 다시 말해, 가시광 영역의 빛은 잘 투과시키고 적외선 또는 자외선 영역의 빛은 최대한 흡수 또는 반사하는 특성이 요구된다.
태양광 중 특히 적외선 차폐용으로는 종래 PET와 PMMA의 복합고분자 코팅재료가 많이 이용되고 있는데, PET와 PMMA와 같은 고분자 재료는 근본적으로 내구성이 떨어지기 때문에 시간이 지날수록 태양광 중 적외선이나 자외선의 차단특성이 저하되고 변색이 일어나 가시광의 투과율에도 문제가 발생하기 때문에, 건축용 자재 또는 차량 유리창과 같이 내구성이 요구되는 분야에는 적용하기에는 근본적인 한계가 있다. 그러므로 건축 또는 차량에 적용하기 위해서는 가시광선에 대한 일정 이상의 투과도를 유지하면서 적외선과 자외선을 최대한 차단할 수 있는 무기재료를 활용하는 것이 바람직하다.
한편, 전도성을 갖는 금속 산화물 재료에 대한 요구도 최근 증가하고 있다. 대표적인 전도성 금속 산화물 재료인 주석 도핑 산화인듐(ITO), 안티몬 도핑 산화주석(ATO), 갈륨 도핑 산화아연(GZO), 알루미늄 도핑 산화아연(AZO) 등의 이종 금속 도핑 전도성 금속 산화물이 알려져 있고, 이들 재료들은 액정 디스플레이나 태양 전지 등의 투명 전도막이나 투명 전극으로 이용되고 있다.
이중, 가장 널리 사용되고 있는 ITO의 경우, 고가의 금속인 인듐을 사용하는 문제점이 있고, ATO의 경우에는 사용되는 안티몬의 독성이 강해, 이들을 대체하는 재료로서 전도성 산화아연의 연구가 활발하게 진행되고 있는데, 산화아연이 전도성 재료로 널리 사용되기 위해서는 전기 전도도의 개선이 필요하다.
본 발명은 전기전도도도 우수하고 적외선 차단율이 우수하여, 건축 또는 차량용 열선 차폐용 재료로 적합하게 활용할 수 있는 산화아연 나노입자를 제공하는 것을 해결하려는 과제로 한다.
상기 과제를 달성하기 위한 수단으로 본 발명은 13족 원소가 도핑되어 있고, 가시광선 투과율이 65% 이상이면서, 적외선 차단율이 80% 이상이고 자외선 차단율이 90% 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 산화아연 나노입자를 제공한다.
또한, 본 발명에 따른 전도성 산화아연 나노입자는 우수한 전도성, 적외선 및 자외선 차단율을 유지하면서 가시광선 투과율을 75% 이상으로 유지하는 것도 가능하다.
또한, 본 발명에 따른 전도성 산화아연 나노입자의 적외선 차단율은 80% 이상으로 우수한데, 85% 이상인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서, '자외선 투과율'이란, 태양광을 기준으로 할 때, 200nm이하 파장의 빛은 대체로 오존에 흡수되는 점을 고려하여 200nm 이상의 파장에서 ISO-DIS-2138에 의거하여 400nm 이하의 파장대의 빛의 투과율을 의미하며, '자외선 투과율'은 투과도 스펙트럼에서 200 ~ 400nm 구간을 적분하여 면적을 구한 뒤 적분구간으로 나누어 평균투과도를 구하는 방법에 구한다.
또한 '가시광선 투과율'은 400 ~ 780nm 구간의 빛의 투과율을 의미하며, 상기 '자외선 투과율'과 동일한 방법으로 구한다.
또한, '적외선 투과율'은 열에너지에 밀접한 영향을 미치는 780 ~ 2500nm 영역(즉, 근적외선) 투과율을 의미하며, '적외선 투과율'도 상기 '자외선 투과율'과 동일한 방법으로 구한다.
또한, 본 발명에 따른 전도성 산화아연 나노입자의 크기는 5nm ~ 350nm 인 것을 특징으로 하는 데, 나노입자의 크기를 5nm 미만으로는 제조하기가 어려울 뿐 아니라 향후 코팅과정에서 분산이 용이하지 않기 때문에 5nm 이상인 것이 바람직하고, 나노입자의 크기가 350nm를 초과하게 되면, 가시광선 투과율 및 전도성이 크게 저하될 수 있으므로, 350nm 이하가 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 전도성 산화아연 나노입자의 면저항은 10kΩ/□ 이하인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 전도성 산화아연 나노입자는 수십 나노미터 이하의 다수의 서브입자(프라이머리 결정)가 응집된 형태로 이루어져 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 전도성 산화아연 나노입자에 있어서, 상기 13족 원소는 Al, Ga 및 In 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하며, 이 중에서 Al은 가격이 저렴하고 도핑 시 효과가 우수하여 가장 바람직한 예라고 할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 전도성 산화아연 나노입자에 있어서, Al 도핑을 할 경우, 도핑량은 0.3 ~ 10 mol%인 것이 바람직한데, 0.3mol% 미만이거나 10mol% 초과일 경우, 면저항이 커지고 적외선 및 자외선의 차단율이 현저하게 떨어지기 때문이다. Al을 0.5 ~ 3mol% 도핑할 경우, 우수한 가시광선 투과율과 함께 우수한 적외선 및 자외선 차단효과와 높은 전기전도성을 발휘할 수 있어 바람직하며, 1 ~ 3mol%로 도핑하는 것이 가장 바람직하다.
본 발명에 따른 전도성 산화아연 나노입자는 양호한 가시광선 투과율을 유지하면서, 근적외선과 자외선 차단율을 각각 80% 이상과 90% 이상으로 높게 유지할 수 있어, 특히 내구성이 요구되는 건축 또는 차량용 적외선 및/또는 자외선 차단용 투명 도료에 유용하게 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 전도성 산화아연 나노입자는 면저항이 매우 낮고 지구상에 풍부한 원소들로 이루어져 있어 저렴하게 제조될 수 있으므로, 고가의 투명전극재료인 ITO를 대체하여 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 전도성 산화아연 나노입자의 제조 공정도이다.
도 2는 본 발명에 따른 전도성 산화아연 나노입자의 합성장치 및 합성과정에서 이루어지는 화학반응을 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 전도성 산화아연 나노입자의 XRD 분석결과를 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 전도성 산화아연 나노입자의 주사전자현미경 사진이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 전도성 산화아연 나노입자의 투과전자현미경 사진이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 전도성 산화아연 나노입자의 파장대별 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 전도성 산화아연 나노입자의 Al 도핑량과 가시광선, 적외선 및 자외선의 투과율의 상관관계를 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 전도성 산화아연 나노입자, Al이 도핑되지 않은 ZnO 및 시판되고 있는 하쿠수이(hakusui)사의 AZO의 파장대별 투과율을 보여주는 그래프이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예와 비교예 설명을 통해 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 일 예에 불과한 것으로 이에 의해 본 발명의 권리범위가 축소 및 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명에 따른 전도성 산화아연 나노입자의 제조 공정도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전도성 산화아연 나노입자의 제조공정은 크게 합성공정(S10), 여과공정(S20), 세척공정(S30) 및 건조공정(S40)으로 이루어진다.
이중 합성공정(S10)은 수용성 폴리올(polyol) 공정을 통해 수행하는데, 본 발명의 실시예에서는 환원제 및 용매역할을 하는 수용성 폴리올로는 디에틸렌글리콜(DEG)을 사용하였으나, 전구체의 용해가 용이 및 반응이 용이하다면 에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜과 같은 다른 종류의 수용성 폴리올도 단독 또는 디에틸렌글리콜과 혼합되어 사용될 수 있다.
또한, 디에틸렌글리콜에 산화아연 전구체 및 도핑원소 전구체를 투입한 반응물은 가열수단이 구비된 반응용기에서 합성이 이루어지는데, 반응온도는 120℃ ~ 190℃에서 수행하는 것이 바람직한데, 120℃ 미만에서는 알루미늄 도핑 산화아연의 합성 반응속도가 너무 느리고, 190℃를 초과할 경우 아연전구체의 아세테이트의 탄화현상이 발생하기 때문이다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에서는 160℃에서 합성을 수행하였다.
또한, 반응시간은 1 ~ 20시간이 바람직한데, 1시간 미만일 경우 반응이 충분히 일어나기 어렵고, 20시간이 지나면 반응이 완료되기 때문이다. 본 발명의 실시예에서는 5시간 동안 반응을 시켰다.
또한, 아연전구체로는 아연 아세테이트 수화물(Zn(CH3COO)2­H2O)을 사용하였고, 도핑 원소의 전구체로는 알루미늄 클로라이드(AlCl3­H2O)를 사용하였으나, 알루미늄과 동일한 13족 원소로서 갈륨 나이트레이트 수화물(Ga(NO3)3­H2O), 인듐 클로라이드(InCl3)도 사용될 수 있다.
또한, 상기 여과공정(S20)은 원심분리기를 이용하여 반응물을 용매로부터 분리하였는데, 반응물을 분리할 수 있는 방법이라면, 공지된 어떠한 방법도 사용될 수 있음은 물론이다.
또한, 상기 세척공정(S30)은 알코올류의 용매를 사용하여 교반과 초음파 세척을 병행하여 2 ~ 3회 반복하는 방법으로 수행하였다.
또한, 상기 건조공정(S40)은 세척된 반응물을 오븐에 넣고 70℃에서 1시간 동안 유지하여 세척공정에 사용된 세척수가 완전히 제거되도록 하였다.
이하, 본 발명의 각 실시예들의 제조방법에 대해 구체적으로 설명한다.
<실시예 1>
아연 아세테이트 수화물(Zn(CH3COO)2­H2O) 3.29g과 알루미늄 클로라이드(AlCl3­H2O) 0.0109g(약 0.3mol%)을 100ml의 디에틸렌글리콜에 투입한 후 도 2에 도시된 바와 같이 교반장치를 이용하여 교반하면서 160℃에서 5시간 동안 반응시켰다.
상기 반응시간 동안, 도 2의 우측에 도시된 바와 같은 반응과정을 통해, 산화아연이 합성된다.
반응을 종료시킨 다음에는 원심분리기를 사용하여 반응물을 분리 및 세척한 후, 70℃에서 1시간 동안 건조하여 알루미늄이 도핑된 전도성 산화아연 나노입자를 얻었다.
<실시예 2>
아연 아세테이트 수화물(Zn(CH3COO)2­H2O) 3.29g과 알루미늄 클로라이드(AlCl3­H2O) 0.0182g(약 0.5mol%)을 100ml의 디에틸렌글리콜에 투입하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 합성시켜 실시예 2에 따른 전도성 산화아연 나노입자를 얻었다.
<실시예 3>
아연 아세테이트 수화물(Zn(CH3COO)2­H2O) 3.29g과 알루미늄 클로라이드(AlCl3­H2O) 0.037g(약 1.0mol%)을 100ml의 디에틸렌글리콜에 투입하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 합성시켜 실시예 3에 따른 전도성 산화아연 나노입자를 얻었다.
<실시예 4>
아연 아세테이트 수화물(Zn(CH3COO)2­H2O) 3.29g과 알루미늄 클로라이드(AlCl3­H2O) 0.112g(약 3.0mol%)을 100ml의 디에틸렌글리콜에 투입하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 합성시켜 실시예 4에 따른 전도성 산화아연 나노입자를 얻었다.
<실시예 5>
아연 아세테이트 수화물(Zn(CH3COO)2­H2O) 3.29g과 알루미늄 클로라이드(AlCl3­H2O) 0.191g(약 5.0mol%)을 100ml의 디에틸렌글리콜에 투입하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 합성시켜 실시예 5에 따른 전도성 산화아연 나노입자를 얻었다.
<실시예 6>
아연 아세테이트 수화물(Zn(CH3COO)2­H2O) 3.29g과 알루미늄 클로라이드(AlCl3­H2O) 0.403g(약 10.0mol%)을 100ml의 디에틸렌글리콜에 투입하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 합성시켜 실시예 6에 따른 전도성 산화아연 나노입자를 얻었다.
<비교예 1>
아연 아세테이트 수화물(Zn(CH3COO)2­H2O) 3.29g과 알루미늄 클로라이드(AlCl3­H2O) 0.0036g(약 0.1mol%)을 100ml의 디에틸렌글리콜에 투입하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 합성시켜 전도성 산화아연 나노입자를 얻었다.
<비교예 2>
비교예 2는 본 발명의 실시예에 따라 제조한 전도성 산화아연 나노입자와의 비교를 위한 것으로, 일본 하쿠수이(hakusui) 사에서 제조한 상용의 산화아연(Pazet) 나노입자이다.
<비교예 3>
비교예 3은 본 발명의 실시예에 따라 제조한 전도성 산화아연 나노입자와의 비교를 위한 것으로, 일본 하쿠수이(hakusui) 사에서 제조한 상용의 알루미늄 도핑 산화아연(Pazet) 나노입자이다.
입자 구조 분석
먼저, 본 발명의 실시예 2 ~ 6에 따라 제조한 입자들을 XRD로 분석한 결과, 도 3에 보여진 바와 같이, 160℃에서 완전 결정화를 이루고 있으며, 육방정계 우르차이트(wurtzite)형 결정구조를 갖는다.
또한, 본 발명의 실시예 1 ~ 6에 따른 전도성 산화아연 나노입자의 형상을 주사전자현미경으로 관찰한 결과, 도 4(실시예 1)에 보여진 바와 같이, 일반적인 산화아연 나노입자와 달리, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 산화아연 나노입자는 표면이 다수의 돌기가 형성된 입자 모양을 하고 있다.
이와 같은 나노입자의 내부를 투과전자현미경을 통해 관찰한 결과, 도 5(실시예 1)에서 확인되는 바와 같이, 각 입자는 10 ~ 20nm 크기의 서브입자(프라이머리(primary) 결정)이 다수 개 뭉쳐서 100 ~ 150nm 크기의 클러스터(cluster)로 되어 있음을 알 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예 1뿐 아니라 본 발명의 실시예에 따라 제조된 모든 입자는 실시예 1과 동일한 형상을 갖고 있음이 확인되었다.
가시광선/적외선/자외선 투과율
도 6은 JASCO사의 V670 스펙트로포토미터(Spectrophotometer)로 본 발명의 실시예 1 ~ 6에 따라 제조한 산화아연 나노입자와, 비교예 1 및 2에 따른 산화아연 나노입자의 투과도 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 6에서 확인되는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 ~ 6과, 비교예 1 및 2에 따른 산화아연 입자의 자외선 투과도는 모두 10% 미만으로 큰 차이를 보이지 않으며, Al의 도핑한 경우에는 Al을 도핑하지 않은 경우에 비해 자외선 투과도가 약간 증가함을 알 수 있다.
또한, 가시광선 영역에서의 투과도는 모두 70% 이상으로, 본 발명의 실시예에 따른 Al 도핑 산화아연 나노입자나 비교예 2에 따른 산화아연 입자에 차이가 거의 없는 것을 알 수 있다. 이에 비해, 780 ~ 2500nm의 근적외선 영역의 경우에는, Al을 도핑하지 않은 산화아연 입자의 경우 적외선 투과도가 매우 높아 근적외선에 대한 차단효과가 실질적으로 거의 없는 것을 알 수 있다.
또한, Al을 0.1mol% 도핑한 비교예 1의 경우에는 Al을 도핑하지 않은 경우에 비해 적외선 차단 효과가 있으나, 그 효과가 미미한 수준임을 알 수 있다. 이에 비해, 본 발명의 실시예 1 ~ 6은 비교예 1 및 2에 비해 현저하게 적외선 투과도가 떨어지며, 특히 실시예 3 및 4의 경우에는 적외선 투과도가 매우 낮음을 알 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예 1 ~ 6 및 비교예 1 및 2에 따른 산화아연 나노입자의 파장대별 투과율을 정량적으로 나타낸 그래프이다.
도 7에서 알 수 있는 바와 같이, Al 도핑량이 0 ~ 10mol%로 변화하더라도 200 ~ 380nm 파장대의 자외선 영역에서의 투과율의 차이는 거의 없음을 알 수 있다.
또한, 380 ~ 780nm의 가시광선 영역에서의 투과율의 경우에는 Al의 도핑에 의해 투과율이 4 ~ 5% 정도 감소하나, 본 발명의 실시예에 따라 Al을 도핑한 산화아연 나노입자의 가시광선 투과율은 Al을 도핑하지 않은 산화아연 입자와 거의 유사한 수준을 나타낸다.
이에 비해, 780 ~ 2500nm 파장대의 근적외선 영역에서의 투과율은 0mol%에서 1mol%의 Al 도핑량 범위에서는 Al의 도핑량이 증가함에 따라 적외선 투과율은 약 75%에서 20% 이하로 급격하게 저하된다. 한편, Al 도핑량이 3mol%를 초과하게 되면 적외선 투과율도 20%에서 서서히 증가하나 Al을 10mol% 도핑한 경우에도 적외선 투과율은 30% 정도의 수준으로 적외선 차단재로서는 유용하게 사용될 수 있는 수준을 나타낸다.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 산화아연 나노입자는 거의 대부분 80% 이상의 높은 적외선 차단율(100-적외선 투과율)을 나타내며, 실시예 3의 경우 적외선 차단율이 85%를 넘어서는 매우 높은 차단 효과를 나타냄을 알 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 산화아연 나노입자는 Al을 도핑하지 않은 산화아연과 거의 유사한 수준의 투명도를 나타내면서도 특히 적외선을 높은 수준으로 차단할 수 있으며, 이러한 특성으로 인해 차량 또는 건축용 유리의 태양광 차단용에 적합하게 사용될 수 있다.
전기 전도 특성 평가
본 발명의 실시예 3에 따른 산화아연 나노입자와 비교예 3에 따른 산화아연 나노입자의 전기 전도 특성을 평가하였다.
전기 전도 특성을 측정하기 위해 본 발명의 실시예 2 및 비교예 3에 따른 산화아연 나노입자로 이루어진 분말 0.2g에 PTFE(polytetrafluoroethylene)를 0.004g 첨가하여 펠릿(pellet) 행태로 제조한 후, 면 저항을 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
실시예 1 실시예 2 비교예 3
면저항 22.45kΩ/□ 1.543kΩ/□ 39.9kΩ/□
상기 표 1에서 확인되는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1에 따른 알루미늄 도핑 산화아연 나노입자의 면 저항은 상용되고 있는 비교예 3에 비해 면 저항이 절반 정도 감소한 것으로 나타나며, 실시예 2의 경우에는 비교예 2에 비해 약 1/30 이하로 크게 감소되었음을 알 수 있다.
이와 같은 결과는 본 발명의 실시예에 따른 방법에 의해 제조된 알루미늄 도핑 산화아연 나노입자가 ITO 대체 투명전극 재료로 사용될 수 있음을 보여준다.
또한, 도 8은 본 발명의 실시예 3에 따른 알루미늄 도핑 산화아연 입자가 상용되고 있는 비교예 3에 따른 알루미늄 도핑 산화아연 입자에 비해, 가시광선의 투과도는 다소 떨어지나 적외선 차단율이 크게 개선되어 열선 차폐용으로 상용 알루미늄 도핑 산화아연에 비해 우수함을 보여준다.
그러므로, 본 발명의 실시예에 따라 알루미늄이 도핑된 산화아연 입자, 특히 실시예 3의 경우, 투명 전극 또는 건축용 유리 및 자동차 유리의 열차폐용 재료로 적합하게 사용될 수 있다.

Claims (9)

13족 원소가 도핑되어 있고,
가시광선 투과율이 65% 이상이면서, 적외선 차단율이 80% 이상이고 자외선 차단율이 90% 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 산화아연 나노입자.
제 1 항에 있어서,
상기 산화아연 나노입자의 가시광선 투과율이 70% 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 산화아연 나노입자.
제 1 항에 있어서,
상기 산화아연 나노입자의 적외선 차단율이 85% 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 산화아연 나노입자.
제 1 항에 있어서,
상기 산화아연 나노입자의 크기는 5nm ~ 350nm 인 것을 특징으로 하는 전도성 산화아연 나노입자.
제 1 항에 있어서,
상기 산화아연 나노입자의 면저항은 10kΩ/□ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 산화아연 나노입자.
제 1 항에 있어서,
상기 산화아연 나노입자는 수십 나노미터 이하의 서브입자가 다수 개 응집된 클러스터인 것을 특징으로 하는 전도성 산화아연 나노입자.
제 1 항에 있어서,
상기 13족 원소는 Al, Ga 및 In 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 산화아연 나노입자.
제 6 항에 있어서,
상기 Al의 도핑량은 0.3 ~ 10 mol%인 것을 특징으로 하는 전도성 산화아연 나노입자.
제 6 항에 있어서,
상기 Al의 도핑량은 1 ~ 3 mol%인 것을 특징으로 하는 전도성 산화아연 나노입자.
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