KR20120045428A

KR20120045428A - Lighr emitting device and method for fabricating the light emitting device

Info

Publication number: KR20120045428A
Application number: KR1020100106959A
Authority: KR
Inventors: 최운경
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2010-10-29
Filing date: 2010-10-29
Publication date: 2012-05-09

Abstract

PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to significantly improve light extraction efficiency of the light emitting device by effectively reflecting light emitted from a first conductivity type semiconductor layer. CONSTITUTION: A light emitting structure comprises a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer. A first electrode is formed on the first conductivity type semiconductor layer or the second conductivity type semiconductor layer. The first electrode comprises a first reflective layer(220), a conductive layer(240), a second reflective layer, a first barrier layer(230), and a second barrier layer. The first barrier layer is formed between the first conductivity layer and the conductive layer.

Description

Light emitting device and method for manufacturing the light emitting device {Lighr emitting device and method for fabricating the light emitting device}

실시예는 광효율을 개선하는 발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device for improving light efficiency and a method of manufacturing the light emitting device.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using semiconductors of Group 3-5 or 2-6 compound semiconductor materials of semiconductors have various colors such as red, green, blue and ultraviolet rays due to the development of thin film growth technology and device materials. It is possible to realize efficient white light by using fluorescent materials or combining colors, and it has low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps. Has an advantage.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a white light emitting device that can replace a fluorescent light bulb or an incandescent bulb that replaces a Cold Cathode Fluorescence Lamp (CCFL) constituting a backlight of a transmission module of an optical communication means and a liquid crystal display (LCD) display device. Applications are expanding to diode lighting devices, automotive headlights and traffic lights.

실시예는 발광소자의 광효율을 향상시키고자 하는 것이다.The embodiment is intended to improve the light efficiency of the light emitting device.

실시예는 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 및 상기 제1 도전형 반도체층 또는 상기 제2 도전형 반도체층 위의 제1 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 제1 반사층, 도전층 및 제2 반사층을 포함하는 발광 소자를 제공한다.Embodiments include a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; And a first electrode on the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer, wherein the first electrode includes a first reflective layer, a conductive layer, and a second reflective layer.

이 때, 상기 제1 전극은 상기 제1 반사층 및 상기 도전층 사이의 제1 베리어층; 및 상기 도전층 및 상기 제2 반사층 사이의 제2 베리어층을 더 포함할 수 있다.In this case, the first electrode may include a first barrier layer between the first reflective layer and the conductive layer; And a second barrier layer between the conductive layer and the second reflective layer.

또한, 상기 제1 전극은 상기 제1 도전형 반도체층 또는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 접촉될 수 있다. In addition, the first electrode may be in electrical contact with the first conductivity type semiconductor layer or the second conductivity type semiconductor layer.

또한, 상기 제1 전극은 상기 제1 도전형 반도체층 또는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 접촉되는 오믹 컨텍층을 더 포함할 수 있다.The first electrode may further include an ohmic contact layer in electrical contact with the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer.

또한, 상기 제1 반사층은 상기 제1 도전형 반도체층 또는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 접촉되는 오믹 컨텍층을 포함할 수 있다.In addition, the first reflective layer may include an ohmic contact layer in electrical contact with the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer.

또한, 상기 제1 도전형 반도체층의 표면 중 상기 제1 전극과의 접촉 영역을 제외한 나머지 영역에는 요철 구조가 구비되고, 상기 접촉 영역에는 요철 구조가 구비되지 않을 수 있다. In addition, an uneven structure may be provided in the remaining regions of the surface of the first conductivity-type semiconductor layer except for the contact region with the first electrode, and the uneven structure may not be provided in the contact region.

또한, 상기 제1 전극 중 발광 소자 패키지와 전기적으로 연결되는 패드 영역은 상기 제2 반사층 상으로 접착층을 더 포함할 수 있다.In addition, the pad region of the first electrode that is electrically connected to the light emitting device package may further include an adhesive layer on the second reflective layer.

또한, 상기 제1 전극 중 발광 소자 패키지와 전기적으로 연결되는 패드 영역은 상기 제1 도전형 반도체층 표면에 구비된 요철 구조 상으로 형성될 수 있다.In addition, the pad region of the first electrode may be formed on the concave-convex structure provided on the surface of the first conductive semiconductor layer.

또한, 상기 발광 소자는 상기 발광 구조물 및 상기 제1 전극 상에 형성되는 충진재를 더 포함하고, 상기 충진재는 형광체를 포함할 수 있다. The light emitting device may further include a filler formed on the light emitting structure and the first electrode, and the filler may include a phosphor.

다른 실시예는 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계; 및 상기 제1 도전형 반도체층 또는 상기 제2 도전형 반도체층 상에 제1 반사층, 도전층 및 제2 반사층을 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.Another embodiment may include forming a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; And forming a first electrode including a first reflective layer, a conductive layer, and a second reflective layer on the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer.

이 때, 상기 제1 도전형 반도체층 또는 상기 제2 도전형 반도체층 상에 제1 반사층, 도전층 및 제2 반사층을 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계는, 상기 제1 반사층 상에 제1 베리어층을 형성하고, 상기 제1 베리어층 상에 도전층을 형성하는 단계; 및 상기 도전층 상에 제2 베리어층을 형성하고, 상기 제2 베리어층 상에 상기 제2 반사층을 형성하는 단계를 포함한다. In this case, the forming of the first electrode including the first reflective layer, the conductive layer, and the second reflective layer on the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer may include a first layer on the first reflective layer. Forming a barrier layer and forming a conductive layer on the first barrier layer; And forming a second barrier layer on the conductive layer, and forming the second reflective layer on the second barrier layer.

또한, 상기 제1 도전형 반도체층 또는 상기 제2 도전형 반도체층 상에 제1 반사층, 도전층 및 제2 반사층을 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계는, 상기 제1 도전형 반도체층 또는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 접촉되는 오믹 컨텍층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The forming of the first electrode including the first reflective layer, the conductive layer, and the second reflective layer on the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer may include the first conductive semiconductor layer or the The method may further include forming an ohmic contact layer in electrical contact with the second conductivity-type semiconductor layer.

또한, 상기 발광 소자의 제조 방법은 상기 제1 도전형 반도체층의 표면 중 상기 제1 전극과의 접촉 영역을 제외한 나머지 영역에는 요철 구조를 형성하고, 상기 접촉 영역에는 요철 구조를 형성하지 않는 단계를 포함할 수 있다. The method of manufacturing the light emitting device may include forming an uneven structure in the remaining areas of the surface of the first conductivity-type semiconductor layer except for the contact area with the first electrode and not forming the uneven structure in the contact area. It may include.

또한, 상기 발광 소자의 제조 방법은 상기 제1 전극 중 발광 소자 패키지와 전기적으로 연결되는 패드 영역에는 상기 제2 반사층 상으로 접착층을 형성하는 단계를 더 포함한다. The method of manufacturing the light emitting device further includes forming an adhesive layer on the second reflective layer in a pad region electrically connected to the light emitting device package among the first electrodes.

또한, 상기 발광 소자의 제조 방법은 상기 발광 구조물 및 상기 제1 전극 상에으로 충진재를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 충진재는 형광체를 포함할 수 있다. The method of manufacturing the light emitting device may further include forming a filler on the light emitting structure and the first electrode, and the filler may include a phosphor.

실시예에 따른 발광소자는 전극의 광흡수가 감소하여 발광 소자의 광효율이 증가한다.In the light emitting device according to the embodiment, the light absorption of the electrode is reduced, thereby increasing the light efficiency of the light emitting device.

도 1a 내지 도 1g는 발광소자의 일실시예의 제조방법을 나타낸 도면이고,
도 2는 발광소자의 제1 전극의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 3은 일실시예에 따른 발광소자의 효과를 나타내기 위한 도면이고,
도 4는 발광 소자의 제1 전극의 다른 실시예를 나타낸 도면이고,
도 5는 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이다.1A to 1G illustrate a method of manufacturing an embodiment of a light emitting device;
2 is a view showing an embodiment of a first electrode of a light emitting device;
3 is a view showing the effect of a light emitting device according to an embodiment;
4 is a view showing another embodiment of a first electrode of a light emitting device;
5 is a view showing an embodiment of a light emitting device package.

이하 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

상기의 실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the above embodiments, each layer (region), region, pattern or structures may be "on" or "under" the substrate, each layer (layer), region, pad or pattern. In the case of what is described as being formed, "on" and "under" include both being formed "directly" or "indirectly" through another layer. In addition, the criteria for the top or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

도 1a 내지도 1i는 발광소자의 일실시예의 제조방법을 나타낸 도면이다.1A to 1I illustrate a method of manufacturing an embodiment of a light emitting device.

도 1a에 도시된 바와 같이 기판(100)을 준비한다. 상기 기판(100)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있으며, 예를들어, 사파이어(Al₂O₃), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 그리고 Ga₂0₃ 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 상기 기판(100) 위에는 요철 구조가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 기판(100)에 대해 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다.As shown in FIG. 1A, a substrate 100 is prepared. The substrate 100 may be formed of a conductive substrate or an insulating substrate. For example, sapphire (Al ₂ O ₃ ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga ₂ 0 At least one of _three may be used. An uneven structure may be formed on the substrate 100, but is not limited thereto. Impurities on the surface may be removed by wet cleaning the substrate 100.

그리고, 상기 기판(100) 상에 제1도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함하는 발광 구조물(120)을 형성할 수 있다.In addition, a light emitting structure 120 including a first conductive semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second conductive semiconductor layer 126 may be formed on the substrate 100.

이때, 상기 발광 구조물(120)과 기판(100) 사이에는 버퍼층(미도시)을 성장시킬 수 있는데, 재료의 격자 부정합 및 열 팽창 계수의 차이를 완화하기 위한 것이다. 상기 버퍼층의 재료는 3족-5족 화합물 반도체로 이루어질 수 있으며, 예를들어, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층 위에는 언도프드(undoped) 반도체층이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In this case, a buffer layer (not shown) may be grown between the light emitting structure 120 and the substrate 100 to mitigate the difference in lattice mismatch and thermal expansion coefficient of the material. The material of the buffer layer may be formed of a group III-V compound semiconductor, and for example, may be formed of at least one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. An undoped semiconductor layer may be formed on the buffer layer, but is not limited thereto.

또한, 상기 발광 구조물(120)은, 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the light emitting structure 120 may include, for example, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), a chemical vapor deposition (CVD), or a plasma chemical vapor deposition (PECVD). ), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), and the like, but are not limited thereto.

상기 제1 도전형 반도체층(122)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층(122)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first conductivity type semiconductor layer 122 may be implemented as a group III-V compound semiconductor doped with a first conductivity type dopant, and when the first conductivity type semiconductor layer 122 is an N-type semiconductor layer, The first conductive dopant may be an N-type dopant and may include Si, Ge, Sn, Se, or Te, but is not limited thereto.

상기 제1 도전형 반도체층(122)은 Al_xIn_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를들어, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 122 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of Al _x In _y Ga _(1-xy) N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). It may include. For example, it may be formed of any one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP.

상기 제1 도전형 반도체층(122)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH₃), 질소 가스(N₂), 및 실리콘(Si)와 같은 n 형 불순물을 포함하는 실란 가스(SiH₄)가 주입되어 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 122 may include a silane gas containing n-type impurities such as trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH ₃ ), nitrogen gas (N ₂ ), and silicon (Si) in the chamber. SiH ₄ ) may be implanted.

상기 활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126)을 통해서 주입되는 캐리어(Carrier)가 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다.The active layer 124 has energy determined by an energy band inherent in the active layer (light emitting layer) material because carriers injected through the first conductive semiconductor layer 122 and the second conductive semiconductor layer 126 meet each other. It is a layer that emits light.

상기 활성층(124)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(124)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH₃), 질소 가스(N₂), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 124 may be formed of at least one of a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW), a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. For example, the active layer 124 may be formed by injecting trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH ₃ ), nitrogen gas (N ₂ ), and trimethyl indium gas (TMIn) to form a multi-quantum well structure. It is not limited to this.

상기 활성층(124)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/ AlGaN/, InAlGaN/GaN , GaAs(InGaAs),/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer / barrier layer of the active layer 124 has a pair structure of at least one of InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN /, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs), / AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP. It may be formed, but is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a lower band gap than the band gap of the barrier layer.

상기 활성층(124)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(124)의 밴드 갭보다는 높은 밴드 갭을 가질 수 있다.A conductive cladding layer (not shown) may be formed on or under the active layer 124. The conductive clad layer may be formed of an AlGaN-based semiconductor, and may have a band gap higher than that of the active layer 124.

상기 제2 도전형 반도체층(126)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(126)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 126 may be a Group III-V compound semiconductor doped with a second conductivity type dopant, for example, In _x Al _y Ga _1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, Semiconductor material having a composition formula of 0 ≦ x + y ≦ 1). When the second conductive semiconductor layer 126 is a P-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, and the like as a P-type dopant.

상기 제2 도전형 반도체층(126)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH₃), 질소 가스(N₂), 및 마그네슘(Mg)과 같은 p 형 불순물을 포함하는 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp₂Mg){Mg(C₂H₅C₅H₄)₂}가 주입되어 p형 GaN층이 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The second conductivity type semiconductor layer 126 is a bicetyl cyclone containing p-type impurities such as trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH ₃ ), nitrogen gas (N ₂ ), and magnesium (Mg) in the chamber. Pentadienyl magnesium (EtCp ₂ Mg) {Mg (C ₂ H ₅ C ₅ H ₄ ) ₂ } may be injected to form a p-type GaN layer, but is not limited thereto.

실시예에서 상기 제1 도전형 반도체층(122)은 P형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(126)은 N형 반도체층으로 구현할 수 있다. 또한 상기 제2 도전형 반도체층(126) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 상기 제 2도전형 반도체층이 P형 반도체층일 경우 N형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광 구조물(120)은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.In an embodiment, the first conductive semiconductor layer 122 may be a P-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 126 may be an N-type semiconductor layer. In addition, an N-type semiconductor layer (not shown) may be formed on the second conductive semiconductor layer 126 when the semiconductor having a polarity opposite to that of the second conductive type, for example, the second conductive semiconductor layer is a P-type semiconductor layer. have. Accordingly, the light emitting structure 120 may be implemented as any one of an N-P junction structure, a P-N junction structure, an N-P-N junction structure, and a P-N-P junction structure.

그리고, 도 1b에 도시된 바와 같이 제2 도전형 반도체층(126) 상에 오믹층(130)을 약 200 옹스트롱의 두께로 적층한다.As shown in FIG. 1B, the ohmic layer 130 is stacked on the second conductive semiconductor layer 126 to a thickness of about 200 angstroms.

상기 오믹층(130)은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용할 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다. 그리고, 상기 오믹층(130)은 스퍼터링법이나 전자빔 증착법에 의하여 형성될 수 있다.The ohmic layer 130 may selectively use a light transmissive conductive layer and a metal. For example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), and indium aluminum zinc (AZO) oxide), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IZON (IZO Nitride), AGZO (Al- Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh , Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, can be formed including at least one of Hf, and is not limited to these materials. The ohmic layer 130 may be formed by sputtering or electron beam deposition.

그리고, 상기 오믹층(130) 상에 반사층(140)을 약 2500 옹스르통의 두께로 형성할 수 있다. 상기 반사층(140)은 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 또는 Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또는, 상기 금속 또는 합금과 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 구체적으로는, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni, Ag/Cu, Ag/Pd/Cu 등으로 적층될 수 있다.알루미늄이나 은 등은 상기 활성층(124)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.In addition, the reflective layer 140 may be formed on the ohmic layer 130 to a thickness of about 2,500 ounces. The reflective layer 140 may be formed of, for example, a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, or Hf. Alternatively, the metal or alloy may be formed in a multilayer using light transmitting conductive materials such as ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, and ATO, and specifically, IZO / Ni, AZO / Ag, and IZO. / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni, Ag / Cu, Ag / Pd / Cu, etc. may be stacked. Aluminum or silver effectively reflects the light generated from the active layer 124 to extract light of the light emitting device. The efficiency can be greatly improved.

그리고, 도 1c에 도시된 바와 같이 상기 반사층 상에 도전성 지지기판(160)을 형성할 수 있다.1C, a conductive support substrate 160 may be formed on the reflective layer.

상기 도전성 지지기판(160)은 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni-nickel), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga₂O₃ 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다. 상기 도전성 지지기판(160)을 형성시키는 방법은 전기화학적인 금속증착방법이나 유테틱 메탈을 이용한 본딩 방법 등을 사용할 수 있다.The conductive support substrate 160 may be made of a material selected from the group consisting of molybdenum (Mo), silicon (Si), tungsten (W), copper (Cu), and aluminum (Al) or an alloy thereof. , Gold (Au), copper alloy (Cu Alloy), nickel (Ni-nickel), copper-tungsten (Cu-W), carrier wafers (e.g. GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga ₂ O _3, etc.) may be optionally included. The conductive support substrate 160 may be formed using an electrochemical metal deposition method or a bonding method using a eutectic metal.

여기서, 상기 반사층(140)과 상기 도전성 지지기판(160)과의 결합을 위하여, 상기 반사층(140)이 결합층의 역할을 기능을 수행하거나, 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 결합층(150)을 형성할 수 있다.Here, in order to bond the reflective layer 140 and the conductive support substrate 160, the reflective layer 140 functions as a bonding layer, or gold (Au), tin (Sn), and indium (In). ), The bonding layer 150 may be formed of a material selected from the group consisting of aluminum (Al), silicon (Si), silver (Ag), nickel (Ni), and copper (Cu) or an alloy thereof.

그리고, 도 1d에 도시된 바와 같이, 상기 기판(100)을 분리한다.Then, as shown in Figure 1d, the substrate 100 is separated.

상기 기판(100)의 제거는 엑시머 레이저 등을 이용한 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off: LLO)의 방법으로 할 수도 있으며, 건식 및 습식 식각의 방법으로 할 수도 있다.The substrate 100 may be removed by a laser lift off (LLO) method using an excimer laser or the like, or may be a dry or wet etching method.

레이저 리프트 오프법을 예로 들면, 상기 기판(100) 방향으로 일정 영역의 파장을 가지는 엑시머 레이저 광을 포커싱(focusing)하여 조사하면, 상기 기판(100)과 발광 구조물(120)의 경계면에 열 에너지가 집중되어 경계면이 갈륨과 질소 분자로 분리되면서 레이저 광이 지나가는 부분에서 순간적으로 기판(100)의 분리가 일어난다.For example, when the laser lift-off method focuses and irradiates excimer laser light having a predetermined wavelength toward the substrate 100, thermal energy is applied to the interface between the substrate 100 and the light emitting structure 120. As the interface is concentrated and separated into gallium and nitrogen molecules, separation of the substrate 100 occurs at a portion where the laser light passes.

그리고, 도 1e에 도시된 바와 같이 상기 발광 구조물(120)의 측면을 식각한다. As shown in FIG. 1E, the side surface of the light emitting structure 120 is etched.

그리고, 도 1f에 도시된 바와 같이 상기 제1 도전형 반도체층(122) 상에 요철 구조를 형성한다. 이 때, 요철 구조는, PEC 방법이나 마스크를 형성한 후 에칭을 통하여 형성할 수 있다As shown in FIG. 1F, an uneven structure is formed on the first conductivity type semiconductor layer 122. At this time, the uneven structure can be formed by etching after forming a PEC method or a mask.

상기 PEC 방법에서, 식각액(가령, KOH)의 양과 GaN 결정성에 의한 식각 속도 차이 등을 조절함으로써, 미세 크기의 요철의 형상을 조절할 수 있다. 상기 요철 구조는 주기적 도는 비주기적으로 형성될 수 있다. 실시예에 따라, 높은 광반사율을 위해 제1 전극이 형성될 영역은 마스크를 이용하여 PEC 식각하지 않음으로써, 요철이 형성되지 않도록 할 수 있다. In the PEC method, by adjusting the amount of the etchant (eg, KOH) and the etching rate difference due to GaN crystallinity, it is possible to control the shape of the irregularities of the fine size. The uneven structure may be formed periodically or aperiodically. According to an embodiment, the region where the first electrode is to be formed for high light reflectance may not be formed by PEC etching using a mask, thereby preventing irregularities from being formed.

그리고, 도 1g에 도시된 바와 같이 상기 제1 도전형 반도체층 표면에 제1 전극(170)을 형성할 수 있다. 상기 제1 전극(170)은 예를들어, 몰리브덴, 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 백금(Pt), 바나듐(V), 텅스텐(W), 납(Pd), 구리(Cu), 로듐(Rh) 및 이리듐(Ir) 중에서 선택된 어느 하나의 금속 또는 상기 금속들의 합금으로 이루어진다. 상기 제1 전극(170)도 상기 제1 도전형 반도체층(122)의 일부 상에 구비되게, 마스크를 이용하여 형성할 수 있다.As shown in FIG. 1G, a first electrode 170 may be formed on the surface of the first conductivity-type semiconductor layer. For example, the first electrode 170 may include molybdenum, chromium (Cr), nickel (Ni), gold (Au), aluminum (Al), titanium (Ti), platinum (Pt), vanadium (V), and tungsten. (W), lead (Pd), copper (Cu), rhodium (Rh) and iridium (Ir) of any one selected from a metal or an alloy of the metals. The first electrode 170 may also be formed on a part of the first conductive semiconductor layer 122 by using a mask.

실시예에 따른 제1 전극(170)은 형광체 또는 제1 도전형 반도체층에서 입사되는 광을 반사하기 위한 반사층 및 전류의 수평방향 확산을 위한 도전층을 포함하여 구성될 수 있다. The first electrode 170 according to the embodiment may include a reflective layer for reflecting light incident from the phosphor or the first conductive semiconductor layer and a conductive layer for horizontal diffusion of the current.

도 2는 제1 전극의 일실시예를 도시한 도면이다. 2 is a diagram illustrating an embodiment of a first electrode.

도 2를 참조하면, 실시예에 따른 제1 전극(170)은 오믹 컨텍층(210), 제1 반사층(220), 제1 베리어층(230), 도전층(240), 제2 베리어층(250), 제2 반사층(260)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, the first electrode 170 according to the embodiment may include an ohmic contact layer 210, a first reflective layer 220, a first barrier layer 230, a conductive layer 240, and a second barrier layer ( 250) and a second reflective layer 260.

제1 전극(170)의 오믹 컨텍층(210)은 제1 도전형 반도체층(122)과의 전기적 접촉을 위해 오믹 컨택을 이루는 물질로 이루어질 수 있으며, 예를들어, 크롬(Cr), 니켈(Ni), 백금(Pt) 중 선택되는 물질 또는 이들이 선택적으로 포함되는 물질로 형성될 수 있다. 실시예에 따라 오믹층(210)은 5~10nm 두께로 형성될 수 있다. The ohmic contact layer 210 of the first electrode 170 may be formed of a material making an ohmic contact for electrical contact with the first conductive semiconductor layer 122. For example, chromium (Cr), nickel ( Ni), a material selected from platinum (Pt), or a material in which they are selectively included. According to an embodiment, the ohmic layer 210 may be formed to a thickness of 5 to 10 nm.

제1 반사층(220)은 제1 도전형 반도체층(122)으로부터 입사되는 광이 흡수되지 않도록 하는데, 높은 반사율을 가지는 물질, 예를들어 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt), 로듐(Rh), 라듐(Rd), 팔라듐(Pd) 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. The first reflective layer 220 prevents light incident from the first conductive semiconductor layer 122 from being absorbed. Materials having a high reflectance such as aluminum (Al), silver (Ag), platinum (Pt), The metal layer may include rhodium (Rh), radium (Rd), palladium (Pd), or an alloy containing Al, Ag, Pt, or Rh.

제1 반사층(220)은 상기 활성층(124)에서 발생되고, 제1 도전형 반도체층(122)으로부터 입사되는 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다. 실시예에 따라 제1 반사층(220)은 200 nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. The first reflective layer 220 may be generated in the active layer 124 and may effectively reflect light incident from the first conductive semiconductor layer 122 to greatly improve light extraction efficiency of the light emitting device. In some embodiments, the first reflective layer 220 may be formed to a thickness of 200 nm or less.

또한, 실시예에 따라 제1 반사층(220)은 제1 도전형 반도체층(122)과 오믹 컨텍하는 오믹 컨텍층(210)의 역할을 동시에 수행할 수 있으며, 이 경우, 별도의 오믹 컨텍층(210)은 포함되지 않을 수 있다. In some embodiments, the first reflective layer 220 may simultaneously serve as the ohmic contact layer 210 that contacts the first conductive semiconductor layer 122 and the ohmic contact. In this case, a separate ohmic contact layer ( 210 may not be included.

제1 베리어층(230)은 제1 반사층(220)과 도전층(240)을 구분하기 위해 형성될 수 있으며, 니켈(Ni) 등의 물질로 형성될 수 있다. 실시예에 따라 제1 베리어층(230)은 100nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. The first barrier layer 230 may be formed to distinguish the first reflective layer 220 and the conductive layer 240, and may be formed of a material such as nickel (Ni). In some embodiments, the first barrier layer 230 may have a thickness of about 100 nm or less.

도전층(240)은 수평 방향으로 전류를 확산시키기 위해 형성되며, 금(Au) 구리(Cu) 중에서 선택된 하나의 물질 또는 이들이 선택적으로 포함되는 물질로 형성될 수 있다. 실시예에 따라 도전층(240)은 2~700㎛의 두께로 형성될 수 있다. The conductive layer 240 is formed to diffuse the current in the horizontal direction, and may be formed of one material selected from gold (Au) copper (Cu) or a material in which they are selectively included. In some embodiments, the conductive layer 240 may be formed to a thickness of 2 to 700 μm.

제2 베리어층(250)은 도전층(240)과 제2 반사층(260)을 구분하기 위해 형성될 수 있으며, 니켈(Ni) 등의 물질로 형성될 수 있다. 실시예에 따라 제2 베리어층(250)은 100nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.The second barrier layer 250 may be formed to distinguish the conductive layer 240 and the second reflective layer 260, and may be formed of a material such as nickel (Ni). According to an embodiment, the second barrier layer 250 may be formed to a thickness of 100 nm or less.

제2 반사층(260)은 형광층으로부터 변환되거나, 산란 또는 반사되어 입사되는 광이 제1 전극(170)에 흡수되지 않도록 하는데, 높은 반사율을 가지는 물질, 예를들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt), 로듐(Rh), 라듐(Rd), 팔라듐(Pd) 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. The second reflective layer 260 prevents light that is converted from the fluorescent layer, scattered or reflected and incident on the first electrode 170 is not absorbed by a material having a high reflectance such as aluminum (Al), silver ( Ag), platinum (Pt), rhodium (Rh), radium (Rd), palladium (Pd) or a metal layer containing an alloy containing Al or Ag or Pt or Rh.

제2 반사층(260)은 형광체로부터 변환되거나, 산란 또는 반사되어 입사되는 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다. 실시예에 따라 제2 반사층(260)은 200 nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. The second reflective layer 260 may effectively improve the light extraction efficiency of the light emitting device by effectively reflecting the light that is converted from the phosphor or scattered or reflected. In some embodiments, the second reflective layer 260 may be formed to a thickness of 200 nm or less.

도 3은 실시예에 따른 제1 전극의 광 반사를 도시한 도면이다.3 is a diagram illustrating light reflection of a first electrode according to an exemplary embodiment.

도 3을 참조하면, 활성층(124)에서 발생한 광은 제1 도전형 반도체층(122)을 거쳐 형광체(301)로 입사되고, 형광체(301)로부터 반사되어 제1 전극(170)으로 입사될 수 있다. Referring to FIG. 3, light generated in the active layer 124 may be incident to the phosphor 301 through the first conductivity type semiconductor layer 122, may be reflected from the phosphor 301, and may be incident to the first electrode 170. have.

실시예에 다른 제1 전극(170)의 제2 반사층(260)은 형광체(301)으로부터 입사되는 광이 흡수되지 않고 반사되도록 하여 발광 소자의 광효율을 크게 개선하는 효과가 있다. The second reflective layer 260 of the first electrode 170 according to the embodiment has the effect of greatly improving the light efficiency of the light emitting device by allowing the light incident from the phosphor 301 to be reflected without being absorbed.

한편, 제1 전극(170) 중 발광 소자 패키지와 전기적으로 연결되는 부분인 패드 영역은 제2 반사층 상으로 금(Au) 등으로 이루어진 접착층을 추가로 증착하거나, 제2 반사층(260)을 증착하지 않고 대신 접착층을 증착할 수 있다. The pad region, which is a part of the first electrode 170 that is electrically connected to the light emitting device package, does not further deposit an adhesive layer made of gold (Au) or the like on the second reflective layer, or deposit the second reflective layer 260. And instead an adhesive layer can be deposited.

또한, 제1 전극(170) 중 패드 영역은 제1 도전형 반도체층(122)의 요철 구조 상으로 형성될 수 있다. 이 때, 제1 전극(170) 영역 중 패드 영역을 제외한 나머지 영역은 도 2의 구조로 생성될 수 있다. In addition, the pad region of the first electrode 170 may be formed on the uneven structure of the first conductive semiconductor layer 122. In this case, the remaining regions of the first electrode 170 except for the pad region may be formed in the structure of FIG. 2.

도 4는 제2 실시예에 따른 제1 전극을 도시한 도면이다. 4 is a diagram illustrating a first electrode according to a second embodiment.

도 4를 참조하면, 발광 소자의 제1 전극은 발광 소자 패키지의 제1 전극층 또는 제2 전극층과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 4, the first electrode of the light emitting device may be electrically connected to the first electrode layer or the second electrode layer of the light emitting device package by any one of a wire method, a flip chip method, or a die bonding method.

이 때, 발광 소자에 형성된 제1 전극(170) 중 패드 영역(410)이 제1 전극층 또는 제2 전극층과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 제 1 전극층 및 제 2 전극층은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자에 전원을 제공한다. At this time, the pad region 410 of the first electrode 170 formed in the light emitting device is electrically connected to the first electrode layer or the second electrode layer. In this case, the first electrode layer and the second electrode layer are electrically separated from each other, and provide power to the light emitting device.

상술한 바와 같이 제2 실시예에 따른 발광 소자의 제1 전극(170) 중 발광 소자 패키지와 전기적으로 연결되는 부분인 패드 영역(410)은 제2 반사층(260) 상으로 금(Au) 등으로 이루어진 접착층을 추가로 증착하거나, 제2 반사층(260)을 증착하지 않고 대신 접착층을 증착할 수 있다. As described above, the pad region 410, which is a part of the first electrode 170 of the light emitting device according to the second embodiment, electrically connected to the light emitting device package, may be formed of gold (Au) or the like on the second reflective layer 260. The adhesive layer may be further deposited, or the adhesive layer may be deposited instead of depositing the second reflective layer 260.

또한, 제1 전극(170) 중 패드 영역(410)은 제1 도전형 반도체층(122)의 요철 구조 상으로 형성될 수도 있다. 이 때, 제1 전극(170) 영역 중 패드 영역을 제외한 나머지 영역은 도 2의 구조로 생성될 수 있다.In addition, the pad region 410 of the first electrode 170 may be formed on the uneven structure of the first conductive semiconductor layer 122. In this case, the remaining regions of the first electrode 170 except for the pad region may be formed in the structure of FIG. 2.

도 5는 발광소자 패키지의 일실시예의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of an embodiment of a light emitting device package.

도시된 바와 같이, 상술한 실시예들에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 몸체(520)와, 상기 패키지 몸체(520)에 설치된 제1 전극층(511) 및 제2 전극층(512)과, 상기 패키지 몸체(520)에 설치되어 상기 제1 전극층(511) 및 제2 전극층(512)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광 소자(500)와, 상기 발광 소자(500)를 포위하는 충진재(540)를 포함한다.As shown, the light emitting device package according to the above-described embodiments, the package body 520, the first electrode layer 511 and the second electrode layer 512 installed on the package body 520, and the package body ( The light emitting device 500 according to the exemplary embodiment installed in the 520 and electrically connected to the first electrode layer 511 and the second electrode layer 512, and a filler 540 surrounding the light emitting device 500 are included. do.

상기 패키지 몸체(520)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(500)의 주위에 경사면이 형성되어 광추출 효율을 높일 수 있다.The package body 520 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. An inclined surface may be formed around the light emitting device 500 to increase light extraction efficiency.

상기 제1 전극층(511) 및 제2 전극층(512)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(500)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 전극층(511) 및 제2 전극층(512)은 상기 발광 소자(500)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(500)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first electrode layer 511 and the second electrode layer 512 are electrically separated from each other, and provide power to the light emitting device 500. In addition, the first electrode layer 511 and the second electrode layer 512 may increase the light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 500, the outside of the heat generated from the light emitting device 500 May also act as a drain.

상기 발광 소자(500)는 상기 패키지 몸체(520) 상에 설치되거나 상기 제1 전극층(511) 또는 제2 전극층(512) 상에 설치될 수 있다.The light emitting device 500 may be installed on the package body 520 or on the first electrode layer 511 or the second electrode layer 512.

상기 발광 소자(500)는 상기 제1 전극층(511) 및 제2 전극층(512)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.The light emitting device 500 may be electrically connected to the first electrode layer 511 and the second electrode layer 512 by any one of a wire method, a flip chip method, and a die bonding method.

발광 소자(500)의 제1 전극(170) 중 제1 전극층(511) 또는 제2 전극층(512)과 전기적으로 연결되는 패드 영역은 제2 반사층(260) 상으로 금(Au) 등으로 이루어진 접착층을 추가로 증착하거나, 제2 반사층(260)을 증착하지 않고 대신 접착층을 증착할 수 있다. 또한, 제1 전극(170) 중 패드 영역(410)은 제1 도전형 반도체층(122)의 요철 구조 상으로 형성될 수도 있다. 이 때, 제1 전극(170) 영역 중 패드 영역을 제외한 나머지 영역은 도 2의 구조로 생성될 수 있음은 이미 설명한 바와 같다. An adhesive layer of gold (Au) or the like is formed on the second reflective layer 260 of the pad region electrically connected to the first electrode layer 511 or the second electrode layer 512 of the first electrode 170 of the light emitting device 500. May be further deposited or the adhesive layer may be deposited instead of depositing the second reflective layer 260. In addition, the pad region 410 of the first electrode 170 may be formed on the uneven structure of the first conductive semiconductor layer 122. In this case, as described above, the remaining regions of the first electrode 170 except for the pad region may be formed in the structure of FIG. 2.

상기 충진재(540)는 상기 발광 소자(500)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 충진재(540)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(500)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The filler 540 may surround and protect the light emitting device 500. In addition, the filler 540 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 500.

충진재(540)에 포함된 형광체에서 제1 전극(170)으로 반사된 광은 제1 전극(170)에 구비된 제2 반사층(260)에서 반사되므로, 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 광효율이 개선됨은 상술한 바와 같다. Since light reflected from the phosphor included in the filler 540 to the first electrode 170 is reflected by the second reflective layer 260 provided on the first electrode 170, the light efficiency of the light emitting device package according to the embodiment is improved. Is as described above.

상기 발광 소자 패키지는 상기에 개시된 실시 예들의 발광 소자 중 적어도 하나를 하나 또는 복수개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device package may mount at least one of the light emitting devices of the above-described embodiments as one or more, but is not limited thereto.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting device packages according to the embodiment may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, or the like, which is an optical member, may be disposed on an optical path of the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a light unit. Another embodiment may be implemented as a display device, an indicator device, or a lighting system including the semiconductor light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments, for example, the lighting system may include a lamp and a street lamp. .

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiment, which is merely an example, and is not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be illustrated as above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

100 : 기판 120 : 발광구조물
122 : 제1 도전형 반도체층 124 : 활성층
126 : 제2 도전형 반도체층 130 : 오믹층
140 : 반사층 150 : 결합층
160 : 도전성 지지기판 170 : 제1 전극
210 : 오믹 컨텍층 220 : 제1 반사층
230 : 제1 베리어층 240 : 도전층
250 : 제2 베리어층 260 : 제2 반사층
500 : 발광소자 511 : 제1 전극층
512 : 제2 전극층 520 : 패키지 몸체
540 : 충진재100: substrate 120: light emitting structure
122: first conductive semiconductor layer 124: active layer
126: second conductive semiconductor layer 130: ohmic layer
140: reflective layer 150: bonding layer
160: conductive support substrate 170: first electrode
210: ohmic contact layer 220: first reflective layer
230: first barrier layer 240: conductive layer
250: second barrier layer 260: second reflective layer
500 light emitting element 511 first electrode layer
512: second electrode layer 520: package body
540: filling material

Claims

A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; And
A first electrode on the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer,
And the first electrode comprises a first reflective layer, a conductive layer, and a second reflective layer.

The method of claim 1,
The first electrode,
A first barrier layer between the first reflective layer and the conductive layer; And
A second barrier layer between the conductive layer and the second reflective layer
Light emitting device further comprising.

The method of claim 1,
And the first electrode is in electrical contact with the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer.

The method of claim 3,
The first electrode further comprises an ohmic contact layer in electrical contact with the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer.

The method of claim 2,
The first reflective layer includes a ohmic contact layer in electrical contact with the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer.

The method of claim 1,
A light emitting device having a concave-convex structure in a region of the surface of the first conductive semiconductor layer except for a contact region with the first electrode, and a concave-convex structure is not provided in the contact region.

The method of claim 1,
The pad region of the first electrode electrically connected to the light emitting device package further includes an adhesive layer on the second reflective layer.

The method of claim 1,
The pad region of the first electrode electrically connected to the light emitting device package is formed on the concave-convex structure provided on the surface of the first conductive semiconductor layer.

The method of claim 1,
And a filler formed on the light emitting structure and the first electrode, wherein the filler comprises a phosphor.

Forming a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; And
Forming a first electrode including a first reflective layer, a conductive layer, and a second reflective layer on the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer
Method of manufacturing a light emitting device comprising a.

The method of claim 10,
Forming a first electrode including a first reflective layer, a conductive layer and a second reflective layer on the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer,
Forming a first barrier layer on the first reflective layer and forming a conductive layer on the first barrier layer; And
Forming a second barrier layer on the conductive layer and forming the second reflective layer on the second barrier layer
Method of manufacturing a light emitting device.

The method of claim 10,
Forming a first electrode including a first reflective layer, a conductive layer and a second reflective layer on the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer,
The method of claim 1, further comprising forming an ohmic contact layer in electrical contact with the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer.

The method of claim 11,
And the first reflective layer includes an ohmic contact layer in electrical contact with the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer.

The method of claim 10,
And forming an uneven structure in the remaining areas of the surface of the first conductive semiconductor layer except for the contact area with the first electrode and not forming the uneven structure in the contact area.

The method of claim 10,
Forming an adhesive layer on the second reflective layer in a pad region electrically connected to the light emitting device package among the first electrodes;
Method of manufacturing a light emitting device further comprising.

The method of claim 10,
Forming a filler on the light emitting structure and the first electrode
Further comprising, The filler is a method of manufacturing a light emitting device comprising a phosphor.