KR20120034555A - Heat treatment apparatus, heat treatment method and recording medium - Google Patents

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KR20120034555A
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아끼히로 도요자와
유우이찌 사까이
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

PURPOSE: A thermal processing apparatus, a thermal processing method, and a memory medium are provided to rapidly cool a heating plate by contacting a cooling member with the heating plate. CONSTITUTION: A cooling member cools a heating plate(84). A cooling unit cools the cooling member. A lifting unit lifts the cooling member between a standby position and a cooling position. A control unit(10) controls the lifting unit to locate the cooling member in the cooling position. A cooling gas supply unit contacts cooling gas with the heating plate.

Description

열 처리 장치, 열 처리 방법 및 기억 매체 {HEAT TREATMENT APPARATUS, HEAT TREATMENT METHOD AND RECORDING MEDIUM}HEAT TREATMENT APPARATUS, HEAT TREATMENT METHOD AND RECORDING MEDIUM

본 발명은, 가열판 위에 기판을 적재하여 기판의 열 처리를 행하는 열 처리 장치, 열 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus, a heat treatment method, and a storage medium in which a substrate is placed on a heating plate to heat the substrate.

반도체 제조에 있어서의 포토리소그래피 공정에는, 기판을 가열판 위에 적재하여 기판에 대하여 열 처리를 행하는 열 처리 공정이 포함된다. 구체적으로는, 레지스트 도포 후의 열 처리, 노광 후, 현상 전의 열 처리, 현상 후의 열 처리 등을 들 수 있다. 가열판은, 예를 들어 저항 발열선을 열판 본체에 패턴 인쇄하여 구성되고, 기판의 종별(로트)에 따라서 설정된 설정 온도로 컨트롤된다. 따라서, 하나의 로트에 대해서 열 처리를 종료한 후, 후속 로트의 설정 온도가 당해 하나의 로트의 설정 온도와 다른 경우에는, 가열판의 온도를 변경할 필요가 있다. 예를 들어, 후속 로트의 기판의 설정 온도가 앞 로트의 기판의 설정 온도보다도 낮을 경우, 앞 로트의 최종 기판이 가열판으로부터 반출된 후, 예를 들어 당해 가열판의 이면측에 에어를 공급하여(퍼지하여), 가열판을 강온하도록 하고 있다.The photolithography process in semiconductor manufacturing includes the heat treatment process which heat-processes a board | substrate by mounting a board | substrate on a heating plate. Specifically, the heat treatment after resist coating, the heat treatment before exposure, the heat treatment after image development, the heat treatment after image development, etc. are mentioned. The heating plate is configured by, for example, pattern-printing a resistance heating line on the hot plate body, and is controlled at a set temperature set according to the type (lot) of the substrate. Therefore, after finishing the heat treatment for one lot, it is necessary to change the temperature of the heating plate when the set temperature of the subsequent lot is different from the set temperature of the one lot. For example, when the set temperature of the board of the subsequent lot is lower than the set temperature of the board of the preceding lot, after the last board of the front lot is carried out from the heating plate, for example, air is supplied to the back side of the heating plate (purge) To lower the heating plate.

그러나 에어 퍼지에 의한 가열판의 냉각 방법에서는 열 교환율이 낮으므로 온도 정정(整定)을 행하기 위해 긴 시간이 걸려, 처리량 향상 방해의 원인 중 하나가 되고 있다. 또한, 퍼지용 에어가 가열판의 표면측으로 돌아 들어가, 파티클 오염을 일으킬 우려도 있다.However, in the cooling method of the heating plate by air purge, since the heat exchange rate is low, it takes a long time to perform temperature correction and becomes one of the causes of the throughput improvement interference. In addition, the purge air may return to the surface side of the heating plate to cause particle contamination.

여기에서 특허 문헌 1에는, 가열판에 온도 조절부를 접촉시킴으로써 가열하는 가열판에 대해서, 가열판 온도를 약간 강온시킬 경우에, 온도 조절부를 승강 기구에 의해 이동시켜 가열판으로부터 이격하는 것이 기재되어 있다. 그러나 이 방법에서는 가열판을 단시간에 강온시킬 수는 없다.Patent Literature 1 discloses that when the heating plate temperature is slightly lowered with respect to the heating plate heated by contacting the temperature control unit with the heating plate, the temperature control unit is moved by the lifting mechanism to be spaced apart from the heating plate. However, this method cannot lower the heating plate in a short time.

[특허 문헌 1] : 일본 특허 출원 공개 제2009-194237호 공보(단락 0055, 도 14)[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2009-194237 (paragraph 0055, Fig. 14)

본 발명은 이러한 배경하에 이루어진 것으로, 그 목적은 가열판의 온도를 빠르게 강온시킬 수 있는 열 처리 장치를 제공하는 데 있다.The present invention has been made under such a background, and an object thereof is to provide a heat treatment apparatus capable of rapidly lowering the temperature of a heating plate.

본 발명의 열 처리 장치는,The heat treatment apparatus of the present invention,

기판을 가열판에 적재하여 열 처리를 행하기 위한 열 처리 장치에 있어서,A heat treatment apparatus for carrying out heat treatment by loading a substrate on a heating plate,

상기 가열판에 접촉 혹은 근접함으로써 당해 가열판을 냉각하기 위한 냉각 부재와,A cooling member for cooling the heating plate by contacting or approaching the heating plate;

이 냉각 부재를 냉각하기 위한 냉각부와,A cooling unit for cooling this cooling member,

상기 냉각 부재를, 대기 위치와 상기 가열판을 냉각하기 위한 냉각 위치와의 사이에서 상대적으로 승강시키기 위한 승강 기구와,An elevating mechanism for relatively elevating the cooling member between a standby position and a cooling position for cooling the heating plate;

열 처리된 상기 기판이 상기 가열판으로부터 반출된 후, 당해 가열판을 강온 시키기 위해 상기 냉각 부재를 상기 냉각 위치에 설정하도록 상기 승강 기구를 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.And a control unit for controlling the elevating mechanism to set the cooling member to the cooling position in order to lower the heating plate after the heat treated substrate is carried out from the heating plate.

또한, 본 발명의 열 처리 방법은,In addition, the heat treatment method of the present invention,

기판을 가열판에 적재하여 열 처리를 행하는 열 처리 방법에 있어서,In the heat treatment method which heat-processes by mounting a board | substrate to a heating plate,

냉각부에 의해 냉각 부재를 냉각하는 공정과,Cooling the cooling member by the cooling unit;

계속해서, 열 처리된 상기 기판이 상기 가열판으로부터 반출된 후, 상기 냉각 부재를 승강 기구에 의해 가열판에 접촉 혹은 근접하는 위치까지 이동시킴으로써 당해 가열판을 냉각하는 공정과,Subsequently, after the said heat-processed board | substrate is carried out from the said heating plate, the process of cooling the said heating plate by moving the said cooling member to the position which contacts or approaches a heating plate with a lifting mechanism,

상기 가열판의 온도가 강온한 후, 상기 냉각 부재를 상기 승강 기구에 의해 냉각 위치로부터 이동시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.And after the temperature of the heating plate is lowered, moving the cooling member from the cooling position by the lifting mechanism.

그리고 본 발명에 있어서의 기억 매체는,And the storage medium in the present invention,

기판을 가열판에 적재하여 열 처리를 행하기 위한 열 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체이며,It is a storage medium which stores the computer program used for the heat processing apparatus for heat-processing by mounting a board | substrate to a heating plate,

상기 컴퓨터 프로그램은, 상술한 열 처리 방법을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있는 것을 특징으로 한다.The computer program is characterized in that a step group is arranged to execute the above-described heat treatment method.

본 발명은, 기판을 열 처리하는 가열판을 냉각할 경우에, 냉각 부재를 냉각부에 의해 냉각한 다음, 승강 기구에 의해 이동시켜, 가열판에 접촉 혹은 근접시키도록 하고 있다. 따라서, 가열판을 빠르게 냉각할 수 있다.When cooling the heating plate which heat-processes a board | substrate, this invention cools a cooling member with a cooling part, and then moves by a lifting mechanism, and makes it contact or approach a heating plate. Therefore, the heating plate can be cooled quickly.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 열 처리 장치의 전체를 일부를 절결 해서 도시하는 사시도이다.
도 2는 상기 열 처리 장치의 전체를 도시하는 종단 측면도이다.
도 3은 상기 열 처리 장치에 사용되는 가열 유닛을 도시하는 종단 측면도이다.
도 4는 상기 열 처리 장치에 사용되는 가열 유닛을 도시하는 종단 측면도이다.
도 5는 상기 열 처리 장치에 사용되는 가열판의 이면도이다.
도 6은 상기 열 처리 장치에 사용되는 제1 냉각 플레이트를 도시하는 평면도이다.
도 7은 가열판의 냉각 공정을 도시하는 흐름도이다.
도 8은 가열판의 냉각 공정을 도시하는 작용 설명도이다.
도 9는 가열판의 냉각 공정을 도시하는 작용 설명도이다.
도 10은 가열판의 냉각 공정을 도시하는 작용 설명도이다.
도 11은 가열판의 냉각 공정을 도시하는 작용 설명도이다.
도 12는 가열판의 냉각 공정에 있어서의 경과 시간과 가열판의 온도와의 관계를 설명하는 그래프이다.
도 13은 본 발명에 있어서의 제2 실시 형태에 관한 가열 유닛을 도시하는 종단 측면도이다.
도 14는 제2 실시 형태에 관한 가열판의 냉각 공정을 도시하는 작용 설명도이다.
도 15는 제2 실시 형태에 관한 가열판의 냉각 공정을 도시하는 작용 설명도이다.
도 16은 제2 실시 형태에 관한 가열판의 냉각 공정을 도시하는 작용 설명도이다.
도 17은 본 발명에 있어서의 제3 실시 형태에 관한 가열 유닛을 도시하는 종단 측면도이다.
도 18은 제3 실시 형태에 관한 가열판의 냉각 공정을 도시하는 작용 설명도이다.
도 19는 제3 실시 형태에 관한 가열판의 냉각 공정을 도시하는 작용 설명도이다.
도 20은 본 발명에 있어서의 제4 실시 형태에 관한 가열 유닛 및 냉각 아암을 도시하는 종단 측면도이다.
도 21은 제4 실시 형태에 관한 가열판의 냉각 공정을 도시하는 작용 설명도이다.
도 22는 제4 실시 형태에 관한 가열판의 냉각 공정을 도시하는 작용 설명도이다.
도 23은 본 발명에 있어서의 제5 실시 형태에 관한 가열 유닛 및 냉각 아암을 도시하는 종단 측면도이다.
도 24는 제5 실시 형태에 관한 가열판의 냉각 공정을 도시하는 작용 설명도이다.
도 25는 제5 실시 형태에 관한 가열판의 냉각 공정을 도시하는 작용 설명도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view which cuts and shows a whole part of the heat processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention.
2 is a longitudinal side view illustrating the entirety of the heat treatment apparatus.
3 is a longitudinal side view illustrating a heating unit used in the heat treatment apparatus.
4 is a longitudinal side view illustrating a heating unit used in the heat treatment apparatus.
5 is a rear view of a heating plate used in the heat treatment apparatus.
FIG. 6 is a plan view showing a first cooling plate used in the heat treatment apparatus. FIG.
7 is a flowchart illustrating a cooling process of a heating plate.
8 is an operation explanatory diagram showing a cooling step of a heating plate.
9 is an explanatory diagram showing the operation of cooling the heating plate.
10 is an explanatory view of the operation illustrating the cooling step of the heating plate.
11 is an operation explanatory diagram showing a cooling step of a heating plate.
It is a graph explaining the relationship between the elapsed time in the cooling process of a heating plate, and the temperature of a heating plate.
It is a longitudinal side view which shows the heating unit which concerns on 2nd Embodiment in this invention.
14 is an explanatory view of the operation illustrating the cooling step of the heating plate according to the second embodiment.
It is an operation explanatory drawing which shows the cooling process of the heating plate which concerns on 2nd Embodiment.
It is an operation explanatory drawing which shows the cooling process of the heating plate which concerns on 2nd Embodiment.
It is a longitudinal side view which shows the heating unit which concerns on 3rd Embodiment in this invention.
18 is an operation explanatory diagram illustrating a cooling step of the heating plate according to the third embodiment.
19 is an operation explanatory diagram showing a cooling step of a heating plate according to a third embodiment.
It is a longitudinal side view which shows the heating unit and cooling arm which concerns on 4th Embodiment in this invention.
FIG. 21 is an explanatory diagram illustrating the cooling step of the heating plate according to the fourth embodiment. FIG.
22 is an operation explanatory diagram illustrating a cooling step of the heating plate according to the fourth embodiment.
It is a longitudinal side view which shows the heating unit and cooling arm which concerns on 5th Embodiment in this invention.
24 is an operation explanatory diagram illustrating a cooling step of the heating plate according to the fifth embodiment.
25 is an operation explanatory diagram illustrating a cooling step of the heating plate according to the fifth embodiment.

본 발명의 열 처리 장치의 제1 실시 형태에 대해서 설명한다. 도 1 및 도 2에 도시하는 열 처리 장치는, 기판 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)(W)에 대하여 레지스트의 도포, 현상을 행하기 위한 도포, 현상 장치에 사용되는 것이다.A first embodiment of the heat treatment apparatus of the present invention will be described. The heat processing apparatus shown in FIG. 1 and FIG. 2 is used for the application | coating of a resist, the application | coating for image development, and the developing apparatus to the board | substrate, for example, a semiconductor wafer (henceforth a wafer) W. FIG.

열 처리 장치는, 예를 들어 알루미늄으로 이루어지는 하우징(1)에 의해 둘러싸여 있으며, 이 하우징(1) 내에는, 구획판(7)에 의해 웨이퍼(W)에 대하여 열 처리가 행해지는 상방 영역(3a)과, 웨이퍼(W)를 승강시키는 구동 기구가 수납된 하방 영역(3b)으로 구획되어 있다.The heat treatment apparatus is surrounded by, for example, a housing 1 made of aluminum, and in the housing 1, the upper region 3a in which the heat treatment is performed on the wafer W by the partition plate 7. ) And the lower region 3b in which the driving mechanism for raising and lowering the wafer W is accommodated.

도 1 중의 좌측(Y축 정방향)을 편의적으로 전방으로 하여 설명하면, 상방 영역(3a)에는 전방측으로부터 기판(웨이퍼) 냉각 플레이트인 냉각 아암(5), 가열 유닛(6) 및 배기계 부품의 일부가 수납된 수납실(4)이 이 순서로 설치되어 있다. 이 냉각 아암(5)은, 가열판과의 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하는 전달 기구에 상당한다. 하우징(1)의 측벽(44)의 전방측에는, 본 열 처리 장치 밖에 설치된 도시하지 않은 웨이퍼 반송 기구와 냉각 아암(5) 사이에서, 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 개구부(45)가 형성되어 있고, 이 개구부(45)는, 도시하지 않은 셔터 등에 의해 개폐 가능하게 구성되어 있다. 또한, 가열 유닛(6)의 측방 위치에 있어서의 측벽(44)의 양측에는, 이 가열 유닛(6) 주위의 분위기를 냉각하기 위해, 냉매가 상하에 통류하는 냉매 유로(40)가, 예를 들어 4개 늘어서도록 매설되어 있으며, 온도 조정된 냉각수가 이 냉매 유로(40) 내를 통류하도록 구성되어 있다.When the left side (Y-axis positive direction) in FIG. 1 is conveniently described as a front, a part of the cooling arm 5, the heating unit 6, and the exhaust system parts, which are the substrate (wafer) cooling plates, is located in the upper region 3a from the front side. The storage chamber 4 in which is stored is provided in this order. This cooling arm 5 is corresponded to the delivery mechanism which delivers a wafer with a heating plate. On the front side of the side wall 44 of the housing 1, an opening 45 for transferring the wafer W is formed between the wafer transfer mechanism (not shown) and the cooling arm 5, which is provided outside the heat treatment apparatus. This opening part 45 is comprised so that opening and closing is possible by the shutter etc. which are not shown in figure. In addition, on both sides of the side wall 44 in the side position of the heating unit 6, in order to cool the atmosphere around this heating unit 6, the refrigerant | coolant flow path 40 which a refrigerant flows up and down is mentioned, for example. For example, it is embedded so as to line up four, and it is comprised so that the temperature-controlled cooling water may flow through this refrigerant | coolant flow path 40. As shown in FIG.

냉각 아암(5)은, 구획판(7)에 형성된 가이드(46)를 따라 다리부(51)가 하우징(1)의 길이 방향으로 슬라이드함으로써, 상술한 웨이퍼 반송 기구와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 위치와, 가열 유닛(6)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 위치와의 사이에 있어서 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 냉각 아암(5)의 하면측에는, 가열된 웨이퍼(W)를 조(粗) 냉각하기 위해, 예를 들어 냉매를 통류시키기 위한 도시하지 않은 냉매 유로가 설치되어 있다.As for the cooling arm 5, the leg part 51 slides in the longitudinal direction of the housing 1 along the guide 46 formed in the partition plate 7, and the wafer W between the above-mentioned wafer conveyance mechanisms is carried out. It is comprised so that it can move between the position which delivers the and the position which delivers the wafer W between the heating unit 6 and the position. In addition, a coolant channel (not shown) is provided on the lower surface side of the cooling arm 5 to cool the heated wafer W, for example, to allow a coolant to flow through.

하방 영역(3b)에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 상술한 개구부(45)의 측방 위치와 후술하는 가열판(84)의 상방 위치에 있어서, 냉각 아암(5) 위의 웨이퍼(W)를 승강시키기 위해, 각각 승강 기구(49a, 49b)에 접속된 지지 핀(47a, 47b)이 설치되어 있다. 냉각 아암(5)에는, 이들 지지 핀(47a, 47b)이 관통하는 슬릿(53)이 형성되어 있다. 구획판(7)에는, 지지 핀(47a)이 돌몰(突沒 ; 튀어나오고 들어감)하기 위한 구멍부(48)가 형성되어 있다. 또, 지지 핀(47b)은 구획판(7)에 형성된 후술하는 제1 가스 배출구(72)를 통하여 돌몰한다.As shown in FIG. 2, the lower area 3b raises and lowers the wafer W on the cooling arm 5 at the side position of the opening part 45 mentioned above and the upper position of the heating plate 84 mentioned later. In order to achieve this, support pins 47a and 47b connected to the lifting mechanisms 49a and 49b are provided. The cooling arm 5 is formed with a slit 53 through which these support pins 47a and 47b pass. The partition plate 7 is provided with a hole portion 48 for the support pin 47a to protrude. In addition, the support pin 47b protrudes through the 1st gas discharge port 72 mentioned later formed in the partition plate 7.

가열 유닛(6)의 하방 영역(3b)의 좌우 양측에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 하우징(1)의 길이 방향으로 신장하는 배기관(104, 104)이 설치되어 있다. 이들 배기관(104, 104)은, 배기로(2)에 수납실(4)을 통하여 접속되어 있고, 배기관(104, 104)끼리의 서로 대향하는 면에 형성된 다수의 도시하지 않은 흡인 구멍으로부터, 이 하방 영역(3b)의 분위기를 배출할 수 있도록 구성되어 있다.Exhaust pipes 104 and 104 extending in the longitudinal direction of the housing 1 are provided on the left and right sides of the lower region 3b of the heating unit 6, as shown in FIG. 2. These exhaust pipes 104 and 104 are connected to the exhaust path 2 via the storage chamber 4, and are provided from a plurality of suction holes (not shown) formed on the surfaces of the exhaust pipes 104 and 104 facing each other. It is comprised so that the atmosphere of the lower region 3b may be discharged.

가열 유닛(6)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 가열판(84)과, 하면측이 개구하고 이 가열판(84)의 주위를 상방측으로부터 기밀하게 덮도록 형성된 개략 컵형의 덮개(62)로 구성되어 있다.As shown in FIG. 1, the heating unit 6 is formed such that a heating plate 84 for heating the wafer W, a lower surface side is opened, and the periphery of the heating plate 84 is hermetically covered from an upper side. It consists of an outline cup-shaped lid 62.

이 덮개(62)는, 가열판(84)과 냉각 아암(5) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 때의 대기 위치인 상방 위치와, 웨이퍼(W)의 열 처리 시에 가열판(84)을 덮는 하방 위치와의 사이에서 도시하지 않은 승강 기구에 의해 승강할 수 있도록 구성되어 있다.The lid 62 is arranged between the heating plate 84 and the cooling arm 5 at an upper position, which is a standby position when the wafer W is transferred, and the heating plate 84 during the heat treatment of the wafer W. FIG. It is comprised so that it can go up and down by the raising / lowering mechanism not shown between the covering downward position.

덮개(62)의 천장부에는, 급기관(66)을 통하여 가스 공급원(65)이 접속되어 있고, 가열판(84) 위의 웨이퍼(W)에 대하여, 예를 들어 덮개(62)의 천장부 중앙의 개구부(67)로부터, 예를 들어 공기나 질소 가스 등의 퍼지 가스를 공급할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 덮개(62)의 측벽 내측에는, 하방 위치에 있어서의 웨이퍼(W)의 측면을 향하는 위치에, 예를 들어 전체 둘레에 걸쳐 다수의 구멍부(68)가 형성되어 있다. 이 구멍부(68)는, 배기로(70)를 통하여 배기로(2)에 접속되어 있다.The gas supply source 65 is connected to the ceiling part of the cover 62 via the air supply pipe 66, and, for example, the opening in the center of the ceiling part of the cover 62 with respect to the wafer W on the heating plate 84. From 67, it is comprised so that purge gas, such as air and nitrogen gas, can be supplied, for example. Moreover, the inside of the side wall of the lid | cover 62 is formed with the many hole part 68 over the whole periphery, for example in the position which faces the side surface of the wafer W in a downward position. The hole portion 68 is connected to the exhaust passage 2 via the exhaust passage 70.

가열판(84)의 하방측에는, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 구획판(7) 위에 설치된 냉각용 승강 기구(83), 냉각부인 제1 냉각 플레이트(81) 및 냉각 부재인 제2 냉각 플레이트(82)가 하측으로부터 이 순서로 적층되어 있으며, 이들의 부재를 서포트 링(80)이 측방 및 하방으로부터 둘러싸는 구성으로 되어 있다.3 and 4, the lowering side of the heating plate 84 is a lifting mechanism 83 for cooling provided on the partition plate 7, a first cooling plate 81 serving as a cooling unit, and second cooling serving as a cooling member. The plate 82 is laminated | stacked in this order from the lower side, and the support ring 80 surrounds these members from the side and the lower side.

가열판(84)은 웨이퍼(W)를 적재하기 위한 예를 들어 두께가 10㎜의 판형상의 플레이트이며, 예를 들어 알루미늄, 스테인리스, 동합금 등과 같이 비교적 저렴하여 가공하기 쉬운 금속으로 이루어져 있다. 또한, 이 가열판(84)의 표면에는, 웨이퍼(W)의 이면측의 파티클 오염을 방지하기 위한 프록시미티 핀(도시하지 않음)이 복수 설치되고, 웨이퍼(W)는 이 핀 위에 적재된다.The heating plate 84 is, for example, a plate-shaped plate having a thickness of 10 mm for loading the wafer W, and is made of a metal which is relatively inexpensive and easy to process, for example, aluminum, stainless steel, copper alloy or the like. In addition, a plurality of proxy pins (not shown) are provided on the surface of the heating plate 84 to prevent particle contamination on the back side of the wafer W, and the wafer W is placed on the fins.

이 가열판(84)의 하면에는, 도 5에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 링 형상의 가열부인 저항 발열선으로 이루어지는 히터(841)가 동심원 형상으로 패턴 인쇄되어 있다. 또한, 이 가열판(84) 내에는, 예를 들어 중앙부에 가열판(84)의 상면 온도를 검출하기 위한 예를 들어 열전대 등의 온도 검출부(842)가 설치되어 있고, 이 온도 검출부(842)의 온도 검출치에 의해, 후술하는 제어부(10)가 접속되어 있고, 가열판(84)의 표면 온도를 제어하도록 구성되어 있다.On the lower surface of this heating plate 84, as shown in FIG. 5, the heater 841 which consists of resistance heating lines which are ring-shaped heating parts for heating the wafer W is pattern-printed concentrically. In addition, in this heating plate 84, for example, a temperature detection unit 842 such as a thermocouple for detecting the upper surface temperature of the heating plate 84 is provided at the center, and the temperature of the temperature detection unit 842 is provided. The control part 10 mentioned later is connected by the detected value, and is comprised so that the surface temperature of the heating plate 84 may be controlled.

가열판(84)은, 그 주연부에 있어서 예를 들어 완충재 등의 도시하지 않은 받침 부재를 통하여, 단열성의 열판 지지부(92)에 의해 가열판(84)의 주위 방향으로 등간격으로 예를 들어 3군데에서 하방으로부터 지지되어 있다. 그리고 가열판(84)은, 나사 등의 도시하지 않은 고정 부재에 의해 이 열판 지지부(92)를 거쳐 제1 냉각 플레이트(81)의 외주연에 고정되어 있다.In the peripheral part of the heating plate 84, for example, at three intervals at equal intervals in the circumferential direction of the heating plate 84 by the heat-insulating hot plate support part 92 through a supporting member (not shown) such as a buffer material. It is supported from below. And the heating plate 84 is being fixed to the outer periphery of the 1st cooling plate 81 via this hot plate support part 92 by the fixing member which is not shown in figure, such as a screw.

또한, 가열판(84)의 하방에는, 예를 들어 알루미늄으로 이루어지는 제2 냉각 플레이트(82)가 이 가열판(84)에 대향하도록 설치되어 있다.Moreover, below the heating plate 84, the 2nd cooling plate 82 which consists of aluminum, for example is provided so that this heating plate 84 may oppose.

또한, 가열판(84)에 제2 냉각 플레이트(82)를 접촉시켜 가열판(84)을 강온 할 때에, 가열판(84)의 이면에 설치된 히터(841)에 제2 냉각 플레이트(82)가 접촉하지 않도록, 이 제2 냉각 플레이트(82)의 상면에는, 히터(841)에 대응하는 위치에 오목부(822)가 형성되어 있다. 그리고 제2 냉각 플레이트(82)의 하면에는, 돌기부(821)가 예를 들어 3군데 형성되어 있고, 이 돌기부(821)가 냉각용 승강 기구(83)에 밑에서부터 밀어 올리게 됨으로써, 제2 냉각 플레이트(82)가 냉각 위치로 이동할 수 있다.Further, when the second cooling plate 82 is brought into contact with the heating plate 84 to lower the heating plate 84, the second cooling plate 82 does not come into contact with the heater 841 provided on the rear surface of the heating plate 84. In the upper surface of the second cooling plate 82, a recess 822 is formed at a position corresponding to the heater 841. In the lower surface of the second cooling plate 82, three projections 821 are formed, for example, and the second projection plate is pushed up from the bottom by the lifting mechanism 83 for cooling. 82 may move to a cooling position.

제2 냉각 플레이트(82)는, 가열판(84)을 냉각하고 있지 않을 때에는 제1 냉각 플레이트(81) 위에서 대기하고 있다. 이때 가열판(84)의 하면과 제2 냉각 플레이트(82)의 상면과의 사이에 형성되는 얇은 원판 형상의 공간 영역은, 냉각 가스 통류 영역(G)을 없애, 냉각 가스에 의한 가열판(84)의 냉각 시에 냉각 가스가 통류한다.When the second cooling plate 82 is not cooling the heating plate 84, the second cooling plate 82 is waiting on the first cooling plate 81. At this time, the thin disk-shaped space region formed between the lower surface of the heating plate 84 and the upper surface of the second cooling plate 82 eliminates the cooling gas flow-through region G, and thus, the heating plate 84 of the heating plate 84 by the cooling gas. Cooling gas flows through during cooling.

제1 냉각 플레이트(81)는, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 내부에 냉매 통류부(88)가 설치되어 있다. 이 냉매 통류부(88)는, 전술한 냉각 아암(5)에 설치된 냉매 유로의 출구와 연결되어 있으며, 냉각 아암(5)을 통과해 온 냉매가 통류하도록 되어 있다. 또한, 제1 냉각 플레이트(81)에 있어서의 제2 냉각 플레이트(82)의 돌기부(821)에 대응하는 위치에는, 도 3, 도 4 및 도 6에 도시한 바와 같이, 이 돌기부(821)를 다이어프램(832)이 밀어 올리기 위한 공간인 개구부(813)가 마련되어 있다.As shown in FIG. 3 and FIG. 4, the first cooling plate 81 is provided with a refrigerant flow passage 88 therein. The refrigerant flow passage 88 is connected to the outlet of the refrigerant passage provided in the cooling arm 5 described above, and the refrigerant passing through the cooling arm 5 flows through. Moreover, as shown to FIG. 3, FIG. 4, and FIG. 6, in the position corresponding to the protrusion part 821 of the 2nd cooling plate 82 in the 1st cooling plate 81, this protrusion part 821 is provided. The opening 813 which is a space for the diaphragm 832 to push up is provided.

이 제1 냉각 플레이트(81)에 있어서의 중앙부에는, 도 3, 도 4 및 도 6에 도시한 바와 같이, 복수의 냉각 가스 분사용의 냉각 가스 공급관(90)이, 제1 냉각 플레이트(81)의 중심을 둘러싸도록 배치되는 동시에, 제1 냉각 플레이트(81)를 관통해서 냉각 가스 통류 영역(G) 내로 돌출시켜 설치되어 있다. 제2 냉각 플레이트(82)에는, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 다수의 개구부(91)가 마련되어 있고, 이 개구부(91) 중 일부는, 제2 냉각 플레이트(82)가 제1 냉각 플레이트(81) 위에 적재되어 있는 대기 위치에 있는 상태에 있어서, 냉각 가스 공급관(90)과 제2 냉각 플레이트(82)가 접촉하지 않도록 배치되어 있다. 한편, 제1 냉각 플레이트(81)에 있어서도, 이 냉각 가스 공급관(90)에 대응하고 있지 않은 나머지 개구부(91)에 대응하여 개구부(96)가 마련되어 있다. 이 제1 냉각 플레이트(81)의 개구부(96)와 제2 냉각 플레이트(82)의 개구부(91)에 의해 냉각 가스 배출 구멍(97)을 형성하고 있으며, 여기에서 냉각 가스가 배출된다.In the center part of this 1st cooling plate 81, as shown to FIG. 3, FIG. 4, and FIG. 6, the cooling gas supply pipe 90 for injection of some cooling gas is the 1st cooling plate 81 At the same time, it is disposed so as to surround the center of the heat sink and protrudes into the cooling gas flow-through region G through the first cooling plate 81. As shown in FIG. 3 and FIG. 4, a plurality of openings 91 are provided in the second cooling plate 82, and some of the openings 91 have a second cooling plate 82 having first cooling. In the state in the standby position mounted on the plate 81, it arrange | positions so that the cooling gas supply line 90 and the 2nd cooling plate 82 may not contact. On the other hand, also in the 1st cooling plate 81, the opening part 96 is provided corresponding to the remaining opening part 91 which does not correspond to this cooling gas supply pipe 90. FIG. The cooling gas discharge hole 97 is formed by the opening 96 of the first cooling plate 81 and the opening 91 of the second cooling plate 82, and the cooling gas is discharged therefrom.

냉각용 승강 기구(83)는, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 지지 부재(831), 다이어프램(832), 에어 공급 기구(833) 및 송기로(834)로 이루어진다. 지지 부재(831)는, 구획판(7) 위에 설치되어 다이어프램(832)을 거쳐 제1 냉각 플레이트(81)를 예를 들어 3군데에서 지지하고 있으며, 그 상부에는 오목부(835)가, 제2 냉각 플레이트(82)의 돌기부(821) 및 제1 냉각 플레이트(81)의 개구부(813)에 대응하는 위치에 형성되어 있다. 그리고 오목부(835)에는, 다이어프램(832)이 하방으로 돌출된 상태일 때에는, 이 다이어프램(832)의 하방으로 돌출된 부분이 수납된다. 또한, 오목부(835)에는, 이 오목부(835)와 다이어프램(832)에 의해 기밀하게 둘러싸인 공간(836)이 형성되어 있다. 이 기밀 공간(836)은, 송기로(834)를 거쳐, 하부 영역(3b)에 있는 에어 공급 기구(833)에 접속되어 있다. 이 에어 공급 기구(833)에 의해, 송기로(834)를 거쳐 기밀 공간(836)으로 압축 공기를 보내주는 것으로, 다이어프램(832)이 상방으로 돌출된다. 이때, 다이어프램(832)에 의해 돌기부(821)를 거쳐 제2 냉각 플레이트(82)를 냉각 위치로 밀어 올릴 수 있다. 반대로, 에어 공급 기구(833)에 의해, 기밀 공간(836) 내의 공기를 제거하여 부압으로 함으로써, 다이어프램(832)을 하방으로 돌출되도록 반전시켜, 제2 냉각 플레이트(82)를 대기 위치로 하강시킬 수 있다.As shown in FIGS. 3 and 4, the cooling lift mechanism 83 includes a support member 831, a diaphragm 832, an air supply mechanism 833, and an air passage 834. The support member 831 is provided on the partition plate 7, and supports the first cooling plate 81 at three places via the diaphragm 832, for example, and the recessed part 835 is formed in the upper part of the support member 831. 2 is formed in the position corresponding to the protrusion part 821 of the cooling plate 82, and the opening part 813 of the 1st cooling plate 81. As shown in FIG. And when the diaphragm 832 protrudes below, the recessed part 835 accommodates the part which protruded below this diaphragm 832. In the recess 835, a space 836 is hermetically surrounded by the recess 835 and the diaphragm 832. The airtight space 836 is connected to the air supply mechanism 833 in the lower region 3b via the air passage 834. The diaphragm 832 protrudes upward by sending compressed air to the hermetic space 836 via the air passage 834 by the air supply mechanism 833. At this time, the second cooling plate 82 may be pushed up to the cooling position via the protrusion 821 by the diaphragm 832. On the contrary, the air supply mechanism 833 removes the air in the airtight space 836 to form a negative pressure, thereby inverting the diaphragm 832 to protrude downward, thereby lowering the second cooling plate 82 to the standby position. Can be.

상술한 제1 냉각 플레이트(81), 제2 냉각 플레이트(82) 및 가열판(84)을 측방 및 하방으로부터 둘러싸도록, 서포트 링(80)이 설치되어 있다. 이 서포트 링(80)은, 중심부에 제2 가스 배출구(85)가 형성된 원판 형상이며, 그 주연부에는 상측을 향해 늘어나는 기립벽(86)이 주위 방향에 걸쳐 형성되어 있다. 이 서포트 링(80)의 외경은, 웨이퍼(W)의 외경보다도 편측이 예를 들어 20㎜씩 커지도록 형성되어 있다. 이 서포트 링(80)은, 지지 부재(87)에 의해 구획판(7)에 지지되어 있다. 또한, 구획판(7)에는, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 이 서포트 링(80)의 제2 가스 배출구(85)의 위치에 대응하도록, 이 제2 가스 배출구(85)와 대략 동일한 직경의 제1 가스 배출구(72)가 개구되어 있다. 또한, 서포트 링(80)을 관통하도록 냉각용 승강 기구(83)가 설치되어 있지만, 서포트 링(80)은 냉각용 승강 기구(83)와의 사이에 약간 간극을 마련하여 접촉하지 않도록 되어 있다.The support ring 80 is provided so that the 1st cooling plate 81, the 2nd cooling plate 82, and the heating plate 84 which were mentioned above may be enclosed from side and bottom. The support ring 80 has a disk shape in which a second gas outlet port 85 is formed in a central portion thereof, and a standing wall 86 extending upward is formed in the peripheral portion thereof over the circumferential direction. The outer diameter of this support ring 80 is formed so that one side may become 20 mm larger than the outer diameter of the wafer W, for example. This support ring 80 is supported by the partition plate 7 by the support member 87. 3 and 4, the partition plate 7 is roughly positioned with the second gas outlet 85 so as to correspond to the position of the second gas outlet 85 of the support ring 80. The first gas outlet 72 of the same diameter is opened. Moreover, although the cooling lifting mechanism 83 is provided so that the support ring 80 may penetrate, the support ring 80 is provided with a clearance gap between the cooling lifting mechanism 83, and is not contacted.

또, 제1 냉각 플레이트(81), 제2 냉각 플레이트(82) 및 가열판(84)에는, 도 3 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 상술한 지지 핀(47b)이 돌몰하기 위한 구멍부(102)가 형성되어 있다. 또한, 구획판(7) 및 서포트 링(80)에 있어서는, 이 지지 핀(47b)은, 각각에 형성된 가스 배출구(72, 85)를 통하여 승강한다.In addition, in the first cooling plate 81, the second cooling plate 82, and the heating plate 84, as illustrated in FIGS. 3 to 6, the hole 102 for driving the support pin 47b described above is protruded. ) Is formed. Moreover, in the partition plate 7 and the support ring 80, this support pin 47b raises and lowers through the gas discharge ports 72 and 85 formed in each.

열 처리 장치(2)에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 예를 들어 컴퓨터로 이루어지는 제어부(10)가 접속되어 있고, 이 제어부(10)에는 승강 기구나 밸브 등의 작동 기구를 제어하는 스텝군이나 웨이퍼(W)의 열 처리 혹은 가열판(84)의 냉각을 행하기 위한 프로그램, CPU, 메모리 등이 저장되어 있다. 프로그램에 있어서의 가열판(84)의 냉각을 행하는 스텝군에 대해서는, 웨이퍼(W)의 가열 프로세스 온도마다, 프로세스 온도 T2보다도 조금 높은 온도(설정 온도 근방)를 임계치 T1로서 구비하고, 하나의 프로세스 온도 T0으로부터 이것보다도 낮은 다른 프로세스 온도 T2로 가열판(84)을 강온시킬 때에, 다음 동작을 행하도록 구성되어 있다.As shown in FIG. 2, the heat control apparatus 2 is connected with the control part 10 which consists of computers, for example, and this control part 10 is a step group which controls the operation mechanisms, such as a lifting mechanism and a valve. In addition, a program, a CPU, a memory, and the like for performing heat treatment of the wafer W or cooling the heating plate 84 are stored. About the step group which cools the heating plate 84 in a program, for every heating process temperature of the wafer W, the temperature (near set temperature) slightly higher than process temperature T2 is provided as threshold value T1, and one process temperature is carried out. When the heating plate 84 is lowered from T0 to another process temperature T2 lower than this, the next operation is configured.

a. 온도 검출부(842)로부터의 온도 검출치가 상기 임계치 T1 이상일 때에는 냉각용 승강 기구(83)에 대하여 제2 냉각 플레이트(82)를 상승시켜 두기 위한 제어 신호, 구체적으로는 컴프레서(833)가 압축 공기를 송기하기 위한 제어 신호를 출력한다.a. When the temperature detection value from the temperature detection part 842 is more than the said threshold T1, the control signal for raising the 2nd cooling plate 82 with respect to the cooling lifting mechanism 83, specifically, the compressor 833, compresses the compressed air. Outputs a control signal for sending.

b. 온도 검출치가 상기 임계치 T1을 하회했을 때에는, 가스 공급원(93)을 온(ON)으로 해서 냉각 가스를 냉각 가스 통류 영역(G)에 공급시키기 위한 제어 신호를 출력하고, 또한 컴프레서(833)가 압축 공기를 배출하여 다이어프램(832)에 부압을 작용시켜, 제2 냉각 플레이트(82)를 하강시키기 위한 제어 신호를 출력한다.b. When the temperature detected value is lower than the threshold T1, a control signal for supplying the cooling gas to the cooling gas flow zone G by turning on the gas supply source 93 is turned on, and the compressor 833 is compressed. Air is discharged to apply a negative pressure to the diaphragm 832 to output a control signal for lowering the second cooling plate 82.

c. 온도 검출치가 상기 다른 프로세스 온도 T2에 도달했을 때에 가스 공급원(93)을 오프(OFF)로 하여 냉각 가스의 통기를 멈추기 위한 제어 신호를 출력한다.c. When the temperature detection value reaches the other process temperature T2, the gas supply source 93 is turned OFF to output a control signal for stopping the ventilation of the cooling gas.

이 프로그램은, 기억 매체, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억부(11)에 저장되어, 제어부(10)에 인스톨된다.This program is stored in a storage unit 11 such as a storage medium, for example, a hard disk, a compact disk, a magnet optical disk or a memory card, and is installed in the control unit 10.

다음에, 상술한 실시 형태의 작용에 대해, 도 7 내지 도 11을 이용하여 설명한다. 우선, 도시하지 않은 셔터가 개방되면, 예를 들어 레지스트액이 도포된 웨이퍼(W)가 도시하지 않은 웨이퍼 반송 기구에 의해, 개구부(45)를 거쳐 하우징(1) 내의 냉각 아암(5)의 상방으로 반송되고, 지지 핀(47a)의 승강과 웨이퍼 반송 기구의 퇴피 작용에 의해 냉각 아암(5) 위에 적재된다. 그리고 냉각 아암(5)이 가열판(84)의 상방까지 이동하면, 가열 유닛(6)의 하방의 지지 핀(47b)의 승강과 당해 냉각 아암(5)의 퇴피 작용에 의해, 웨이퍼(W)는 가열판(84) 위에 적재된다. 이때, 가열판(84)은 설정 온도(프로세스 온도) T0인 예를 들어 120℃로 가열되고 있다.Next, the operation of the above-described embodiment will be described with reference to FIGS. 7 to 11. First, when the shutter which is not shown in figure is opened, the wafer W to which the resist liquid was apply | coated, for example, above the cooling arm 5 in the housing 1 via the opening part 45 by the wafer conveyance mechanism which is not shown in figure. Is carried out, and is mounted on the cooling arm 5 by the lifting and lowering of the support pin 47a, and the retracting action of the wafer conveyance mechanism. And if the cooling arm 5 moves to the upper side of the heating plate 84, the wafer W will be moved by the lifting and lowering of the support pin 47b below the heating unit 6, and the retracting action of the said cooling arm 5. It is loaded on the heating plate 84. At this time, the heating plate 84 is heated to 120 ° C, for example, which is the set temperature (process temperature) T0.

계속해서, 덮개(62)를 하강시켜 웨이퍼(W)의 주위를 밀폐하여, 가스 공급원(65)으로부터 소정의 냉각 가스를 공급하는 동시에, 구멍부(68)로부터 웨이퍼(W) 주위의 분위기를 배기하고, 소정 시간 이 상태를 유지하여 웨이퍼(W)의 열 처리를 행한다. 이 웨이퍼(W)에 대한 열 처리 종료 후, 덮개(62)를 상승시켜 웨이퍼(W)를 반입 시와 반대의 동작으로 냉각 아암(5)에 인도하고, 이 냉각 아암(5) 위에 있어서 소정 시간 냉각하여, 도시하지 않은 웨이퍼 반송 기구에 의해 하우징(1)으로부터 반출한다. 그 후, 소정 매수의 예를 들어 동일 로트의 웨이퍼(W)에 대해서도 마찬가지로 열 처리가 행해진다. 또한, 이 열 처리 중에, 제2 냉각 플레이트(82)는, 제1 냉각 플레이트(81) 위에 적재되어 있음으로써 냉각되어, 가열판(84)의 냉각 공정에 구비하고 있다(도 8). 그리고 이 로트에 있어서의 최후의 웨이퍼(W)에 대한 열 처리가 종료되고(도 7 중 스텝 S1), 이 웨이퍼(W)가 냉각 아암(5)을 거쳐, 열 처리 장치 밖으로 반출된다(스텝 S2).Subsequently, the lid 62 is lowered to seal the periphery of the wafer W to supply a predetermined cooling gas from the gas supply source 65 and exhaust the atmosphere around the wafer W from the hole 68. Then, this state is maintained for a predetermined time, and the wafer W is thermally treated. After the end of the heat treatment for the wafer W, the lid 62 is raised to guide the wafer W to the cooling arm 5 in an operation opposite to that at the time of loading, and on the cooling arm 5 for a predetermined time. Cooling is carried out from the housing 1 by the wafer conveyance mechanism not shown. Thereafter, the heat treatment is similarly performed on the wafers W of the same lot, for example. In addition, during this heat treatment, the second cooling plate 82 is cooled by being mounted on the first cooling plate 81, and is provided in the cooling step of the heating plate 84 (FIG. 8). And the heat processing with respect to the last wafer W in this lot is complete | finished (step S1 in FIG. 7), and this wafer W is carried out out of the heat processing apparatus via the cooling arm 5 (step S2). ).

계속해서 다음 로트의 웨이퍼(W)에 대하여 열 처리를 행하지만, 다음 로트의 웨이퍼(W)에 대한 프로세스 온도가 앞 로트의 웨이퍼(W)에 대한 프로세스 온도보다도 낮을 경우에는, 가열판(84)을 다음과 같이 하여 강온시킨다.Subsequently, the heat treatment is performed on the wafer W of the next lot, but when the process temperature of the wafer W of the next lot is lower than the process temperature of the wafer W of the previous lot, the heating plate 84 is removed. Lower the temperature as follows.

우선, 기억부(11)에 저장되어 있는 레시피로부터 다음 로트의 웨이퍼(W)에 대한 열 처리의 설정 온도 T2를 판독하고, 이 가열판(84)의 설정 온도 T2가 다음 로트의 웨이퍼(W)의 가열 온도가 되도록, 히터(841)의 출력 제어를 행한다(스텝 S3). 이 경우, 가열판(84)을 강온시키기 위해 히터(841)의 출력은 제로가 되지만, 가열판(84)은 이 상태에서는 그 열 용량에 의해 빠르게는 강온하지 않는다. 따라서, 에어 공급 기구(833)로부터 지지 부재(831)의 오목부(835)에 있어서의 기밀 공간(836) 내로 압축 공기를 보내 다이어프램(832)을 상측으로 돌출시키고, 이에 의해, 상술한 바와 같이 사전에 냉각하고 있는 제2 냉각 플레이트(82)를 상승시켜, 가열판(84)에 접촉시킨다(스텝 S4 및 도 9). 이와 같이 함으로써, 가열판(84)의 온도[온도 검출부(842)에 의한 온도 검출치]는 급속하게 저하(강온)된다. 가열판(84)의 온도가 설정 온도 근방인 임계치 T1에 도달하면, 냉각용 승강 기구(83)의 일부인 지지 부재(831)의 오목부(835)에 있어서의 기밀 공간(836) 내를 부압으로 하여 다이어프램(832)을 하방으로 돌출하도록 반전시켜, 이에 의해, 제2 냉각 플레이트(82)를 하강시킨다. 하강시킨 제2 냉각 플레이트(82)는, 제1 냉각 플레이트(81) 위에 적재되어, 당해 제1 냉각 플레이트(81)에 의해 다음 냉각 공정에 구비하여 냉각된다(스텝 S5 및 도 10). 또, 가열판(84)을 예를 들어 120℃에서 100℃로 강온할 경우, 103℃를 임계치 T1이라고 한다.First, the set temperature T2 of the heat treatment for the wafer W of the next lot is read from the recipe stored in the storage unit 11, and the set temperature T2 of the heating plate 84 is set to the wafer W of the next lot. The output control of the heater 841 is performed so that it may become heating temperature (step S3). In this case, the output of the heater 841 becomes zero in order to cool down the heating plate 84, but the heating plate 84 does not drop quickly due to its heat capacity in this state. Therefore, compressed air is sent from the air supply mechanism 833 into the airtight space 836 in the recess 835 of the support member 831 to protrude the diaphragm 832 upwards, thereby, as described above. The 2nd cooling plate 82 cooled previously is raised and made to contact the heating plate 84 (step S4 and FIG. 9). By doing in this way, the temperature (temperature detection value by the temperature detection part 842) of the heating plate 84 falls rapidly (low temperature). When the temperature of the heating plate 84 reaches the threshold value T1 near the set temperature, the inside of the airtight space 836 in the recess 835 of the supporting member 831 that is a part of the lifting mechanism 83 for cooling is set to a negative pressure. The diaphragm 832 is inverted to protrude downward, thereby lowering the second cooling plate 82. The lowered second cooling plate 82 is mounted on the first cooling plate 81, and is cooled in the next cooling step by the first cooling plate 81 (step S5 and FIG. 10). In addition, when heating plate 84 is cooled, for example from 120 degreeC to 100 degreeC, 103 degreeC is called threshold T1.

게다가 또한, 가스 공급원(93)으로부터 냉각 기구(94)를 거쳐 냉각된 냉각 가스를 냉각 가스 통류 영역(G)에 공급한다. 이에 의해, 냉각 가스가 가열판(84) 하면으로 분사되어 냉각 가스 통류 영역(G)을 통류해 가열판(84)로부터 열을 빼앗아, 냉각 가스 배출 구멍(91)을 통해 제1 냉각 플레이트(81)의 하방으로 배출된다(스텝 S6 및 도 11). 배출된 냉각 가스는 제2 가스 배출구(85) 및 제1 가스 배출구(72)를 통해 하방 영역(3b)으로 유입하고, 배기관(104)을 거쳐 배기로(2)로 배기된다. 이와 같이 하여 제2 냉각 플레이트(82)에 의한 가열판(84)의 냉각 대신에 냉각 가스에 의한 냉각이 행해진다. 그리고 가열판(84)의 온도가 설정 온도 T2에 도달한 시점에서, 냉각 가스의 분사를 정지하고, 냉각 공정을 종료한다(스텝 S7). 도 12는 가열판(84)의 온도 추이의 프로파일을 도시하는 도면이며, 이 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이 가열판(84)의 온도는 제2 냉각 플레이트(82)에 의해 급격하게 강온하고, 계속해서 냉각 가스에 의한 냉각으로 절환된 후는, 완만하게 강온하여 오버슈트가 억제된 상태에서 설정 온도 T2가 된다. 이후, 가열판(84)은 히터(841)에 의해 설정 온도 T2로 유지되도록 온도 제어되고, 다음 로트의 웨이퍼(W)를 앞 로트의 웨이퍼(W)와 마찬가지로 하여 열 처리 장치 내로 반입하고, 열 처리가 행해진다(스텝 S8 및 스텝 S9).In addition, the cooling gas cooled from the gas supply source 93 via the cooling mechanism 94 is supplied to the cooling gas flow passage region G. As a result, the cooling gas is injected into the lower surface of the heating plate 84 to flow through the cooling gas flow zone G to extract heat from the heating plate 84, and through the cooling gas discharge hole 91, It discharges downward (step S6 and FIG. 11). The discharged cooling gas flows into the lower region 3b through the second gas outlet 85 and the first gas outlet 72, and is exhausted through the exhaust pipe 104 to the exhaust path 2. In this way, cooling by the cooling gas is performed instead of cooling the heating plate 84 by the second cooling plate 82. Then, when the temperature of the heating plate 84 reaches the set temperature T2, the injection of the cooling gas is stopped to end the cooling step (step S7). FIG. 12 is a diagram showing a profile of the temperature change of the heating plate 84. As can be seen from this figure, the temperature of the heating plate 84 is rapidly lowered by the second cooling plate 82, and then continues to cool. After switching to cooling by the gas, the temperature is gradually lowered to a set temperature T2 in a state where overshoot is suppressed. Thereafter, the heating plate 84 is temperature controlled so as to be maintained at the set temperature T2 by the heater 841, and the wafer W of the next lot is brought into the heat treatment apparatus in the same manner as the wafer W of the previous lot, and the heat treatment is performed. Is performed (step S8 and step S9).

상술한 실시 형태에 따르면, 가열판(84)을 하나의 설정 온도 T0으로부터 이것보다도 낮은 것 이외의 설정 온도 T2로 정정할 때에, 이미 냉각된 열 저항이 작은 재질 예를 들어 금속판으로 이루어지는 제2 냉각 플레이트(82)를 상승시켜 가열판(84)에 접촉시키고 있으므로, 가열판(84)을 빠르게 냉각시킬 수 있다. 그로 인해, 가열판(84)이 강온할 때까지의 온도 정정 시간(대기 시간)이 짧아, 처리량의 향상에 기여한다. 또한, 상술한 실시 형태에서는, 제2 냉각 플레이트(82)에 있어서의 히터(841)의 패턴에 대응하는 위치에는 오목부(822)를 마련하고 있으며, 제2 냉각 플레이트(82)와 히터(841)가 접촉하는 일은 없으므로, 히터(841)가 손상되는 일은 없다.According to the embodiment described above, when the heating plate 84 is corrected from one set temperature T0 to a set temperature T2 other than lower than this, the second cooling plate made of a material having a small thermal resistance, for example, a metal plate, which is already cooled. Since the 82 is raised and brought into contact with the heating plate 84, the heating plate 84 can be cooled quickly. Therefore, the temperature correction time (waiting time) until the heating plate 84 cools down is short, and contributes to the improvement of a throughput. In addition, in the above-mentioned embodiment, the recessed part 822 is provided in the position corresponding to the pattern of the heater 841 in the 2nd cooling plate 82, and the 2nd cooling plate 82 and the heater 841 are provided. ) Do not come into contact with each other, so that the heater 841 is not damaged.

또한, 가열판(84)을 급속하게 강온시킬 수 있는 제2 냉각 플레이트(82)에 의한 냉각 공정과 완만하게 강온시키는 냉각 가스에 의한 냉각 공정을 나눔으로써, 냉각 공정에 있어서의 가열판(84)의 온도의 오버슈트를 방지할 수 있다.The temperature of the heating plate 84 in the cooling step is divided into a cooling step by the second cooling plate 82 capable of rapidly lowering the heating plate 84 and a cooling step by the cooling gas gently lowering the temperature. Overshoot can be prevented.

그리고 냉매 통류부(88)를 구비한 냉각부인 제1 플레이트(81)와 냉각 위치와 대기 위치의 사이를 몇번이나 이동하는 냉각 부재인 제2 플레이트(82)를 따로따로 나누어 설치함으로써, 냉매 통류부(88)가 움직이는 일이 없으므로, 냉매 통류부(88)에 접속하고 있는 배관의 열화나 손상이 억제된다.Then, the refrigerant flow passage portion is provided by separately separating the first plate 81, which is a cooling portion provided with the refrigerant flow passage portion 88, and the second plate 82, which is a cooling member that moves several times between the cooling position and the standby position. Since the 88 does not move, deterioration and damage of the pipe connected to the refrigerant flow passage 88 are suppressed.

또한, 본 발명의 실시 형태에 있어서의 냉각용 승강 기구(83)는, 에어 실린더 기구, 볼 나사 기구 등이라도 좋다.In addition, the cooling lifting mechanism 83 in the embodiment of the present invention may be an air cylinder mechanism, a ball screw mechanism, or the like.

또한, 본 열 처리 장치의 가열 유닛(6)에 있어서의 환기 기구는, 냉각 아암(5)과 가열 유닛(6) 사이에 송기 기구가 설치되고, 이 송기 기구로부터 가열 유닛(6)을 향해 에어가 공급되고, 가열 유닛(6)에 대하여 송기 기구와 반대측에 있어 배기로(2)에 접속된 배기 기구에 의해 이 에어는 배기되는 구성이라도 좋다.Moreover, the ventilation mechanism in the heating unit 6 of this heat processing apparatus is provided between the cooling arm 5 and the heating unit 6, and the air supply mechanism is provided, and air is directed toward this heating unit 6 from this air supply mechanism. May be supplied, and this air may be exhausted by the exhaust mechanism connected to the exhaust path 2 on the side opposite to the air supply mechanism with respect to the heating unit 6.

게다가 또한, 본 발명의 실시 형태에 있어서의 냉각 가스 공급은, 냉각 플레이트(82)에 의한 냉각과 병행하여 행해도 된다.In addition, the cooling gas supply in the embodiment of the present invention may be performed in parallel with the cooling by the cooling plate 82.

다음에, 본 발명의 제2 실시 형태에 대해서, 도 13 내지 도 16을 이용하여 설명한다. 본 실시 형태에 있어서는, 도 13에 도시한 바와 같이, 지지 핀(47b)의 지지판을 냉각 부재인 제2 냉각 플레이트(82)로서 사용하고 있다. 이 제2 냉각 플레이트(82)는, 예를 들어 모터(491), 승강축(492)을 포함하는 승강 기구(49b)에 의해, 대기 위치(도 14), 웨이퍼(W)의 전달 위치(도 15) 및 냉각 위치(도 16)로 이동 가능하게 되어 있다. 여기에서 말하는 대기 위치라 함은, 웨이퍼(W)의 열 처리 중에 제2 냉각 플레이트(82)를 냉각하기 위해 제1 냉각 플레이트(81)에 접촉하는 위치다. 웨이퍼(W)의 전달 위치라 함은, 냉각 아암(5)의 홈 속을 지지 핀(47b)이 통과하여 웨이퍼(W)를 밀어 올리고 있을 때의 위치이다. 또한, 냉각 위치라 함은, 제2 냉각 플레이트(82)인 지지판(471)의 상면이 가열판(84)의 하면에 접촉하고, 가열판(84)을 냉각할 수 있는 위치이다. 그 밖의 구조 및 가열판(84)의 냉각 공정의 시퀀스에 관해서는 제1 실시 형태와 같지만, 가열판(84)과 대기 위치에 있는 제2 냉각 플레이트(82)와의 사이의 이격 치수는, 제1 실시 형태의 경우보다도 크게 설정되어 있다.Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 13 to 16. In this embodiment, as shown in FIG. 13, the support plate of the support pin 47b is used as the 2nd cooling plate 82 which is a cooling member. This 2nd cooling plate 82 is a standby position (FIG. 14) and the transfer position (FIG. 14) of the wafer W by the lifting mechanism 49b containing the motor 491 and the lifting shaft 492, for example. 15) and the cooling position (Fig. 16). The standby position referred to here is a position in contact with the first cooling plate 81 for cooling the second cooling plate 82 during the heat treatment of the wafer W. As shown in FIG. The transfer position of the wafer W is a position when the support pin 47b passes through the groove of the cooling arm 5 and pushes the wafer W up. In addition, a cooling position is a position where the upper surface of the support plate 471 which is the 2nd cooling plate 82 contacts the lower surface of the heating plate 84, and can cool the heating plate 84. FIG. The rest of the structure and the sequence of the cooling process of the heating plate 84 are the same as in the first embodiment, but the separation dimension between the heating plate 84 and the second cooling plate 82 in the standby position is the first embodiment. It is set larger than the case of.

이러한 실시 형태에 따르면, 제1 실시 형태의 효과에다가, 지지 핀(47b)의 승강 기구와 제2 냉각 플레이트(82)의 승강 기구를 겸용할 수 있으므로, 구성을 간소화할 수 있는 이점이 있다.According to this embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, the lifting mechanism of the support pin 47b and the lifting mechanism of the second cooling plate 82 can be used in combination, so there is an advantage that the configuration can be simplified.

본 발명의 제3 실시 형태에 대해서, 도 17 내지 도 19를 이용하여 설명한다. 본 실시 형태가 제1 실시 형태와 다른 점은, 도 17에 도시한 바와 같이, 승강 가능한 제2 냉각 플레이트(82)에 냉각 기구 예를 들어 냉매 통류부(88)를 설치하고, 제1 냉각 플레이트(81)측에는 냉매 통류부(88)를 설치하고 있지 않은 점이 제1 실시 형태와 다르다. 그 이외의 구성에 대해서는, 제1 실시 형태와 동일하다. 냉매 통류부(88)는 냉각 아암(5)의 냉매 유로의 출구와 도시하지 않은 배관으로 접속되어 있고, 냉매 통류부(88)에는 냉각 아암(5)의 냉매 유로를 통과해 온 냉매가 통류된다. 따라서, 제2 냉각 플레이트(82)는 웨이퍼(W)의 열 처리 중에는, 도 18에 도시한 바와 같이, 대기 위치에서 당해 제2 냉각 플레이트(82)를 냉매 통류부(88)에 의해 냉각하면서 대기하고, 또한, 도 19에 도시한 바와 같이, 냉각용 승강 기구(83)에 의해 가열판(84)에 접촉함으로써 가열판(84)을 냉각한다. 제2 냉각 플레이트(82)에 의한 냉각 후에 냉각 가스에 의해 냉각을 행하는 시퀀스에 관해서는, 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 본 실시 형태에 있어서도, 가열판(84)의 온도를 빠르게 강온시킬 수 있다. 또, 제2 실시 형태와 제3 실시 형태를 조합한 실시 형태, 즉 지지 핀(47b)의 지지판에 냉매 통류부(88)를 설치하는 구성으로 해도 좋다.3rd Embodiment of this invention is described using FIGS. 17-19. As shown in FIG. 17, the present embodiment differs from the first embodiment in that a cooling mechanism, for example, a refrigerant flow-through part 88 is provided in the second cooling plate 82 that can be elevated, and the first cooling plate is provided. The coolant flow passage 88 is not provided on the 81 side, which is different from the first embodiment. About a structure other than that, it is the same as that of 1st Embodiment. The coolant flow passage 88 is connected to the outlet of the coolant flow path of the cooling arm 5 by a pipe (not shown), and the coolant flow through the coolant flow path of the coolant arm 5 flows through the coolant flow path 88. . Therefore, during the heat treatment of the wafer W, the second cooling plate 82 waits while cooling the second cooling plate 82 by the refrigerant flow passage 88 at the standby position, as shown in FIG. 18. Further, as shown in FIG. 19, the heating plate 84 is cooled by contacting the heating plate 84 by the cooling lifting mechanism 83. The sequence of cooling by the cooling gas after cooling by the second cooling plate 82 is the same as in the first embodiment. Also in this embodiment, the temperature of the heating plate 84 can be rapidly reduced. Moreover, you may make it the structure which provided the refrigerant | coolant flow_through part 88 in embodiment which combined 2nd Embodiment and 3rd Embodiment, ie, the support plate of the support pin 47b.

본 발명의 제4 실시 형태에 대해서, 도 20 내지 도 22를 이용하여 설명한다. 본 실시 형태에 있어서는, 도 20에 도시한 바와 같이, 냉각 아암(5)의 하면측에 가열판(84)과 대략 동일한 크기의 제3 냉각 플레이트(89)가 설치되어 있다. 이 제3 냉각 플레이트(89)는, 냉각 아암(5)을 지지하는 다리부(51)에 부착한 승강 기구(891)에 의해 승강축(892)을 거쳐 냉각 아암(5)에 접촉하는 대기 위치와 가열판(84)에 접촉하는 냉각 위치와의 사이에서 승강하도록 구성되어 있다. 본 예에서는, 제3 냉각 플레이트(89)는 웨이퍼(W)의 열 처리 중에는, 대기 위치인 냉각 아암(5)의 하면에 접촉해서 당해 냉각 아암(5)에 의해 냉각되어 있다. 이때, 냉각 아암(5)은 가열 유닛(6) 밖에서 대기하고 있다. 그리고 웨이퍼(W)에 대한 열 처리가 끝나 웨이퍼(W)를 열 처리 장치 밖으로 반출한 후, 도 21에 도시한 바와 같이, 냉각 아암(5)이 가열 유닛(6) 내로 진입하고, 도 22에 도시한 바와 같이, 냉각용 승강 기구(83)에 의해 가열판(84)의 상면에 제3 냉각 플레이트(89)를 접촉시킴으로써 가열판(84)을 냉각한다. 그 밖의 구조나 냉각 공정의 시퀀스에 관해서는, 제1 실시 형태와 같다. 본 실시 형태에 있어서도, 가열판(84)의 온도를 빠르게 강온할 수 있는 효과에다가, 가열판(84)을 냉각하는 냉각 기구로서 냉각 아암의 냉각 기구(냉매 통류부)를 이용하고 있으므로, 가열판(84)을 위한 냉각 기구를 특별히 준비하지 않아도 된다고 하는 이점이 있다.A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 20 to 22. In this embodiment, as shown in FIG. 20, the 3rd cooling plate 89 of the substantially same size as the heating plate 84 is provided in the lower surface side of the cooling arm 5. As shown in FIG. This third cooling plate 89 is a standby position contacting the cooling arm 5 via the lifting shaft 892 by the lifting mechanism 891 attached to the leg 51 supporting the cooling arm 5. And a cooling position in contact with the heating plate 84 are configured. In this example, the third cooling plate 89 is in contact with the lower surface of the cooling arm 5 at the standby position during the heat treatment of the wafer W and is cooled by the cooling arm 5. At this time, the cooling arm 5 is waiting outside the heating unit 6. After the heat treatment for the wafer W is finished and the wafer W is taken out of the heat treatment apparatus, as shown in FIG. 21, the cooling arm 5 enters the heating unit 6, and FIG. 22. As shown in the figure, the heating plate 84 is cooled by bringing the third cooling plate 89 into contact with the upper surface of the heating plate 84 by the cooling lifting mechanism 83. The other structure and the sequence of the cooling step are the same as in the first embodiment. Also in this embodiment, since the temperature which the temperature of the heating plate 84 can rapidly lower, and the cooling mechanism (coolant flow part) of a cooling arm are used as a cooling mechanism which cools the heating plate 84, the heating plate 84 There is an advantage that it is not necessary to prepare a cooling mechanism for the special.

제5 실시 형태에 대해서, 도 23 내지 도 25를 이용하여 설명한다. 본 실시 형태에 있어서는, 도 23에 도시한 바와 같이, 냉각 아암(5)이 당해 냉각 아암(5)의 다리부(51)에 설치된 승강 기구(511)에 의해 승강 가능하게 되어 있다. 그리고 가열판(84)의 냉각일 때에는, 냉각 아암(5)이 가열 유닛(6) 내로 진입하고(도 24), 냉각 아암 승강 기구(511)에 의해 냉각 아암(5)을 강하시켜 냉각 아암(5)의 하면과 가열판(84)의 상면을 접촉시킴으로써, 가열판(84)을 냉각한다(도 25). 그 밖의 구조나 냉각 공정의 시퀀스에 관해서는, 제1 실시 형태와 같다.The fifth embodiment will be described with reference to FIGS. 23 to 25. In this embodiment, as shown in FIG. 23, the cooling arm 5 can be raised and lowered by the lifting mechanism 511 provided in the leg part 51 of the said cooling arm 5. As shown in FIG. When the heating plate 84 is cooled, the cooling arm 5 enters the heating unit 6 (FIG. 24), and the cooling arm 5 is lowered by the cooling arm lifting mechanism 511 to cool the cooling arm 5. The heating plate 84 is cooled by bringing the lower surface of the panel 1 into contact with the upper surface of the heating plate 84 (FIG. 25). The other structure and the sequence of the cooling step are the same as in the first embodiment.

상술한 실시 형태에서는, 가열판(84)의 냉각에 있어서, 냉각 부재인 제2 냉각 플레이트(82)를 가열판(84)에 접촉시키고 있었지만, 제2 냉각 플레이트(82)와 가열판(84)과의 간격이 예를 들어 0.5㎜ 이내가 되도록 근접시킴으로써 냉각을 행해도 된다. 또한, 냉각 부재[예를 들어 제2 냉각 플레이트(82)]와 냉각 가스를 병용하여 가열판(84)을 냉각할 경우, 제2 냉각 플레이트(82)를 가열판(84)에 접촉시킨 상태에서 냉각 가스를 냉각 가스 통류 영역(G)으로 통류시켜, 가열판(84)의 온도가 상술한 임계치 T1 이하가 되었을 때에, 냉각 가스만으로 가열판(84)을 냉각하도록 해도 좋다. 혹은, 제2 냉각 플레이트(82)와 냉각 가스에 의해, 가열판(84)을 설정 온도 T2까지 강온시켜도 좋다. 또한, 본 발명에서는, 냉각 가스를 사용하지 않아도 된다.In the above embodiment, in the cooling of the heating plate 84, the second cooling plate 82, which is a cooling member, is in contact with the heating plate 84, but the distance between the second cooling plate 82 and the heating plate 84 is different. For example, you may perform cooling by making it approach so that it may become within 0.5 mm. In addition, when cooling the heating plate 84 by using a cooling member (for example, 2nd cooling plate 82) and cooling gas together, cooling gas in the state which made the 2nd cooling plate 82 contact the heating plate 84. May be made to flow to the cooling gas flow zone G, and the heating plate 84 may be cooled only by the cooling gas when the temperature of the heating plate 84 is equal to or lower than the threshold T1 described above. Alternatively, the heating plate 84 may be lowered to the set temperature T2 by the second cooling plate 82 and the cooling gas. In addition, in this invention, it is not necessary to use a cooling gas.

본 발명은, 냉각 아암(5)을 구비하고 있지 않은 열 처리 장치라도 좋고, 이 경우, 외부의 기판 반송 기구에 의해 가열판(84)과의 사이에서 기판(W)의 전달이 행해진다.The heat treatment apparatus which is not equipped with the cooling arm 5 may be sufficient as this invention, and in this case, the board | substrate W is transmitted between the heating plates 84 with an external board | substrate conveyance mechanism.

W : 웨이퍼
1 : 열 처리 장치의 하우징
2 : 배기로
3a : 열 처리 장치의 상방 영역
3b : 열 처리 장치의 하방 영역
45 : 하우징 측면의 개구부
47a, 47b : 지지 핀
49a, 49b : 지지 핀 승강 기구
5 : 냉각 아암
51 : 냉각 아암의 다리부
6 : 가열 유닛
62 : 덮개
7 : 구획판
72 : 제1 가스 배출구
80 : 서포트 링
81 : 제1 냉각 플레이트
82 : 제2 냉각 플레이트
83 : 냉각용 승강 기구
84 : 가열판
85 : 제2 가스 배출구
841 : 히터
842 : 온도 검출부
88 : 냉매 통류부
90 : 냉각 가스 공급관
91 : 제2 냉각 플레이트에 있어서의 개구부
96 : 제1 냉각 플레이트에 있어서의 개구부
97 : 냉각 가스 배출 구멍
10 : 제어부
11 : 기억부W: Wafer
1: housing of heat treatment device
2: exhaust passage
3a: upper region of the heat treatment apparatus
3b: lower area of the heat treatment device
45: opening in the side of the housing
47a, 47b: support pin
49a, 49b: support pin lifting mechanism
5: cooling arm
51: leg of the cooling arm
6: heating unit
62: cover
7: partition plate
72: first gas outlet
80: support ring
81: first cooling plate
82: second cooling plate
83: lifting mechanism for cooling
84: heating plate
85: second gas outlet
841: heater
842: temperature detector
88: refrigerant flow passage
90: cooling gas supply pipe
91: opening part in the second cooling plate
96: opening in first cooling plate
97: cooling gas discharge hole
10:
11: memory

Claims (13)

기판을 가열판에 적재하여 열 처리를 행하기 위한 열 처리 장치에 있어서,
상기 가열판에 접촉 혹은 근접함으로써 당해 가열판을 냉각하기 위한 냉각 부재와,
이 냉각 부재를 냉각하기 위한 냉각부와,
상기 냉각 부재를, 대기 위치와 상기 가열판을 냉각하기 위한 냉각 위치와의 사이에서 상대적으로 승강시키기 위한 승강 기구와,
열 처리된 상기 기판이 상기 가열판으로부터 반출된 후, 당해 가열판을 강온 시키기 위해 상기 냉각 부재를 상기 냉각 위치에 설정하도록 상기 승강 기구를 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는, 열 처리 장치.A heat treatment apparatus for carrying out heat treatment by loading a substrate on a heating plate,
A cooling member for cooling the heating plate by contacting or approaching the heating plate;
A cooling unit for cooling this cooling member,
An elevating mechanism for relatively elevating the cooling member between a standby position and a cooling position for cooling the heating plate;
And a control unit for controlling the lifting mechanism to set the cooling member to the cooling position in order to lower the heating plate after the heat treated substrate is carried out from the heating plate. 제1항에 있어서, 상기 가열판의 판면에 냉각 가스를 접촉시키기 위한 냉각 가스 공급부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 가열판의 온도가 강온한 후, 상기 냉각 부재를 냉각 위치로부터 이격하고, 상기 냉각 가스에 의해 다시 가열판의 온도를 강온하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는, 열 처리 장치.The cooling gas supply unit according to claim 1, further comprising a cooling gas supply unit for bringing the cooling gas into contact with the plate surface of the heating plate.
And the control unit outputs a control signal so that the cooling member is spaced apart from the cooling position after the temperature of the heating plate is lowered, and the temperature of the heating plate is lowered again by the cooling gas. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 냉각부는 상기 냉각 부재와는 별개로 설치되고, 상기 대기 위치에 위치하고 있는 상기 냉각 부재에 접촉 또는 근접해서 당해 냉각 부재를 냉각하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 열 처리 장치.The said cooling part is provided separately from the said cooling member, Comprising: It is comprised so that the said cooling member may cool in contact with or approaching the said cooling member located in the said standby position. , Heat treatment device. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 냉각 부재는 상기 가열판의 하방측에 설치되고,
이 냉각 부재에는, 가열판의 상방에 기판을 반송하는 전달 기구와의 사이에서 기판의 전달을 행하기 위해, 가열판을 각각 관통하고, 당해 가열판의 표면에 대하여 돌몰하는 복수의 지지 부재가 설치되고,
상기 냉각 부재는 상기 지지 부재가 기판을 지지할 때에는, 가열판으로부터 이격된 위치에 설정되는 것을 특징으로 하는, 열 처리 장치.The said cooling member is provided in the lower side of the said heating plate,
In this cooling member, in order to transfer a board | substrate between the transfer mechanism which conveys a board | substrate above a heating plate, the some support member which penetrates a heating plate, and rushes with respect to the surface of the said heating plate is provided,
The cooling member is set at a position spaced apart from the heating plate when the support member supports the substrate. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가열판은 하면에 저항 발열체의 패턴이 형성되고, 상기 냉각 부재에 있어서의 가열판측의 냉각면에는, 상기 패턴과의 접촉을 피하기 위해 당해 패턴에 대응한 형상의 오목부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 열 처리 장치.The pattern according to claim 1 or 2, wherein a pattern of a resistance heating element is formed on a lower surface of the heating plate, and a shape corresponding to the pattern on the cooling surface of the heating plate side of the cooling member to avoid contact with the pattern. The recessed part of the heat processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 냉각부는 상기 냉각 부재에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 열 처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 1 or 2, wherein the cooling unit is provided in the cooling member. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가열판의 상방 위치와 당해 상방 위치로부터 횡 방향으로 이격된 위치와의 사이에서 이동하고, 기판을 냉각하기 위한 기판 냉각 플레이트를 구비하고,
이 기판 냉각 플레이트는 상기 냉각부를 겸용하고,
상기 냉각 부재는, 상기 기판 냉각 플레이트에 접촉하는 위치와 가열판을 냉각하는 위치와의 사이에서 승강하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 열 처리 장치.The board | substrate cooling plate of Claim 1 or 2 provided with the board | substrate cooling plate for moving between the upper position of the said heating plate, and the position spaced apart laterally from the said upper position, and cooling a board | substrate,
This substrate cooling plate also serves as the said cooling part,
The cooling member is configured to move up and down between a position in contact with the substrate cooling plate and a position for cooling the heating plate. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가열판의 상방 위치와 당해 상방 위치로부터 횡 방향으로 이격된 위치와의 사이에서 이동하고, 기판을 냉각하기 위한 기판 냉각 플레이트를 구비하고,
이 기판 냉각 플레이트가 상기 냉각 부재를 겸용하고, 횡 방향으로 이동하는 위치와 가열판을 냉각하는 위치와의 사이에서 승강하도록 구성되어 있는, 열 처리 장치.The board | substrate cooling plate of Claim 1 or 2 provided with the board | substrate cooling plate for moving between the upper position of the said heating plate, and the position spaced apart laterally from the said upper position, and cooling a board | substrate,
This substrate cooling plate combines the said cooling member, and is comprised so that it may raise and fall between the position which moves to a horizontal direction, and the position which cools a heating plate. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 냉각부는 외부와의 사이에서 순환하는 냉매가 통과하는 냉매 통류부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 열 처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 1 or 2, wherein the cooling section includes a coolant flow-through section through which a coolant circulating between the outside passes. 기판을 가열판에 적재하여 열 처리를 행하는 열 처리 방법에 있어서,
냉각부에 의해 냉각 부재를 냉각하는 공정과,
계속해서, 열 처리된 상기 기판이 상기 가열판으로부터 반출된 후, 상기 냉각 부재를 승강 기구에 의해 가열판에 접촉 혹은 근접하는 위치까지 이동시킴으로써 당해 가열판을 냉각하는 공정과,
상기 가열판의 온도가 강온한 후, 상기 냉각 부재를 상기 승강 기구에 의해 냉각 위치로부터 이동시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 열 처리 방법.In the heat treatment method which heat-processes by mounting a board | substrate to a heating plate,
Cooling the cooling member by the cooling unit;
Subsequently, after the said heat-processed board | substrate is carried out from the said heating plate, the process of cooling the said heating plate by moving the said cooling member to the position which contacts or approaches a heating plate with a lifting mechanism,
And moving the cooling member from the cooling position by the elevating mechanism after the temperature of the heating plate is lowered. 제10항에 있어서, 상기 가열판의 온도가 강온한 후, 상기 냉각 부재를 냉각 위치로부터 이격하고, 상기 냉각 가스를 가열판의 판면에 접촉시켜 다시 가열판의 온도를 강온하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 열 처리 방법.The method according to claim 10, wherein after the temperature of the heating plate is lowered, the cooling member is spaced apart from the cooling position, and the cooling gas is brought into contact with the plate surface of the heating plate to lower the temperature of the heating plate again. , Heat treatment method. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 냉각부는 상기 냉각 부재와는 별개로 설치되고, 상기 대기 위치에 위치하고 있는 상기 냉각 부재에 접촉 또는 근접해서 당해 냉각 부재를 냉각하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 열 처리 방법.The said cooling part is provided separately from the said cooling member, Comprising: It is comprised so that the said cooling member may cool in contact with or approaching the said cooling member located in the said standby position. , Heat treatment method. 기판을 가열판에 적재하여 열 처리를 행하기 위한 열 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체이며,
상기 컴퓨터 프로그램은, 제10항 또는 제11항에 기재된 열 처리 방법을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있는 것을 특징으로 하는, 기억 매체.
It is a storage medium which stores the computer program used for the heat processing apparatus for heat-processing by mounting a board | substrate to a heating plate,
The computer program is characterized in that a group of steps is arranged to execute the heat treatment method according to claim 10 or 11.
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