JP2009194237A - Heat treatment apparatus, heat treatment method, coating, development apparatus, and storage medium - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、加熱板に基板を載置して基板の加熱処理を行う熱処理装置、熱処理方法及びこの方法を実施するプログラムが記憶された記憶媒体に関する。 The present invention relates to a heat treatment apparatus that heats a substrate by placing the substrate on a heating plate, a heat treatment method, and a storage medium that stores a program for performing the method.
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ(以下、ウエハという)の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布、現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われており、この塗布、現像装置には、加熱板上に基板を載置して、この加熱板上にて基板の加熱を行うための熱処理装置が組み込まれている。 In the photoresist process, which is one of the semiconductor manufacturing processes, a resist is applied to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), the resist is exposed in a predetermined pattern, and then developed to form a resist pattern. . Such processing is generally performed using a system in which an exposure apparatus is connected to a coating and developing apparatus for applying and developing a resist. In this coating and developing apparatus, a substrate is placed on a heating plate. And the heat processing apparatus for heating a board | substrate on this heating plate is incorporated.
この熱処理装置では、様々な種類のレジスト膜が塗布されたウエハの処理が行われるので、レジスト膜の種類に応じて、適正な加熱温度や処理時間などの加熱処理条件が選定されることとなる。そのために上記の熱処理装置では、例えばあるロットの基板の加熱処理が終わった後、後続のロットの基板の加熱温度が先のロットの基板の加熱温度と違う場合には、その後続のロットの基板に適した加熱温度となるように、加熱板の温度が変更される。 In this heat treatment apparatus, processing of wafers coated with various types of resist films is performed, so that appropriate heat processing conditions such as heating temperature and processing time are selected according to the type of resist film. . Therefore, in the above heat treatment apparatus, for example, when the heating temperature of the substrate of the subsequent lot is different from the heating temperature of the substrate of the previous lot after the heating processing of the substrate of a certain lot is finished, the substrate of the subsequent lot The temperature of the heating plate is changed so that the heating temperature is suitable for the heating.
例えば後続のロットの基板に適した加熱温度が先のロットの基板の加熱温度よりも高い場合には、加熱板に設けられたヒータの出力が上げられる。一方、後続のロットの基板に適した加熱温度が先のロットの基板の加熱温度よりも低い場合には、例えば加熱板の裏面に冷却用ガスが供給されて冷却が行われることとなる。 For example, when the heating temperature suitable for the substrate of the subsequent lot is higher than the heating temperature of the substrate of the previous lot, the output of the heater provided on the heating plate is increased. On the other hand, when the heating temperature suitable for the substrate of the subsequent lot is lower than the heating temperature of the substrate of the previous lot, for example, a cooling gas is supplied to the back surface of the heating plate to perform cooling.
このような熱板の温調手法によれば例えば50℃程度の温度変更を行う際に180秒程度の時間を要する。しかし、上記のように加熱板の温度変更を行っている間はその熱処理装置に後続ロットを搬送できないため、スループットを向上させるためにこの温度変更をより速やかに行うことが得策である。また、上記のように加熱板の温度を低下させる場合、加熱板に供給されたガスが装置の隙間から漏れ出し、加熱板上にパーティクルを巻き上げ、そのパーティクルがウエハに付着することにより現像欠陥が発生するおそれがあるという問題もある。 According to such a hot plate temperature control method, for example, a time of about 180 seconds is required when a temperature change of about 50 ° C. is performed. However, while the temperature of the heating plate is being changed as described above, the subsequent lot cannot be conveyed to the heat treatment apparatus, so it is advisable to change the temperature more quickly in order to improve throughput. Further, when the temperature of the heating plate is lowered as described above, the gas supplied to the heating plate leaks from the gap of the apparatus, winds up particles on the heating plate, and the particles adhere to the wafer, thereby causing development defects. There is also a problem that it may occur.
また、ロット間でウエハの処理温度を変更する場合の他に、一枚のウエハの処理においてある所定の温度で加熱処理を行い、次に他の温度で加熱処理を行うことが必要な場合にも、急速に温度を変更することができれば処理時間を短縮することができるため有利である。 In addition to changing the wafer processing temperature between lots, it is necessary to perform heat treatment at a certain temperature in the processing of one wafer and then heat treatment at another temperature. However, if the temperature can be changed rapidly, it is advantageous because the processing time can be shortened.
特許文献1には温度の異なる2種類の温調媒体を加熱板に供給して、加熱板の温度を制御する手法が記載されているが、具体的にどのような温度の温調媒体を流せばよいのか記載されておらず、上記の問題を解決できるものではない。また、特許文献2は載置台に載置されたウエハの温度を所定の温度に早く合わせこむために温度の異なる2種類の冷媒を載置台に供給することが記載されているが、上述のように載置台の設定温度を変更することについては記載されていない。 Patent Document 1 describes a method of controlling the temperature of a heating plate by supplying two types of temperature control media having different temperatures to the heating plate. It does not describe what should be done, and cannot solve the above problems. Patent Document 2 describes that two types of refrigerants having different temperatures are supplied to the mounting table in order to quickly adjust the temperature of the wafer mounted on the mounting table to a predetermined temperature. There is no description about changing the set temperature of the mounting table.
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、加熱板上に基板を載置して基板の加熱処理を行うにあたり、加熱板の温度上昇及び温度降下を速やかに行うことができる熱処理装置、熱処理方法、この熱処理装置を備えた塗布、現像装置及び前記熱処理方法を実施するプログラムを備えた記憶媒体を提供することである。 The present invention has been made under such circumstances, and its purpose is to quickly raise and lower the temperature of the heating plate when the substrate is placed on the heating plate and the substrate is heated. A heat treatment apparatus, a heat treatment method, a coating and developing apparatus provided with the heat treatment apparatus, and a storage medium provided with a program for executing the heat treatment method.
本発明の熱処理装置は、基板に対して加熱処理を行うための熱処理装置において、
基板を載置して加熱するための加熱板と、
温調媒体が供給される流路を備え、その流路を流れる温調媒体の温度に応じて前記加熱板を温調するための加熱板温調部と、
前記温調媒体を貯留する媒体貯留部と、
前記媒体貯留部から前記加熱板温調部の流路への温調媒体の供給を制御する媒体供給制御手段と、
前記媒体貯留部から前記加熱板温調部の流路に供給される温調媒体の温度を調整する媒体温調手段と、
前記媒体温調手段と媒体供給制御手段との動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、加熱板の温度を任意の温度からその温度よりも高い第1の温度に変更するために、加熱板温調部の前記流路にその第1の温度よりも高い温度に温調された温調媒体を供給する一方で、加熱板の温度を任意の温度からその温度よりも低い第2の温度に変更するために、加熱板温調部の前記流路にその第2の温度よりも低い温度に温調された温調媒体を供給するように媒体温調手段と及び供給手段の動作を制御することを特徴とする。
The heat treatment apparatus of the present invention is a heat treatment apparatus for performing a heat treatment on a substrate.
A heating plate for placing and heating the substrate;
A heating plate temperature control unit for adjusting the temperature of the heating plate according to the temperature of the temperature control medium flowing through the flow channel, the flow path being supplied with a temperature control medium;
A medium storage section for storing the temperature control medium;
Medium supply control means for controlling the supply of the temperature control medium from the medium storage section to the flow path of the heating plate temperature control section;
Medium temperature adjusting means for adjusting the temperature of the temperature adjustment medium supplied from the medium storage unit to the flow path of the heating plate temperature adjustment unit;
A controller for controlling the operation of the medium temperature adjusting means and the medium supply control means,
In order to change the temperature of the heating plate from an arbitrary temperature to a first temperature higher than the temperature, the control unit warms the flow path of the heating plate temperature adjustment unit to a temperature higher than the first temperature. In order to change the temperature of the heating plate from an arbitrary temperature to a second temperature lower than that temperature while supplying the conditioned temperature adjustment medium, the second temperature is supplied to the flow path of the heating plate temperature adjustment unit. The operation of the medium temperature adjusting means and the supplying means is controlled so as to supply the temperature adjusting medium whose temperature is adjusted to a temperature lower than the temperature.
前記制御部は、加熱板の温度が前記第1の温度、第2の温度に夫々達する前に加熱板温調部へ供給される温調媒体の温度が夫々第1の温度、第2の温度になるように媒体温調手段の動作を制御してもよく、あるいは加熱板温調部へ供給される温調媒体とは独立して加熱板の温度を調整する加熱板温調手段を備えていてもよい。その場合、前記制御部は、例えば加熱板の温度が第1の温度、第2の温度に夫々達する前に加熱板温調部への温調媒体の供給を停止するように媒体供給手段の動作を制御し、前記加熱板温調手段が、前記温調手段により温調された加熱板の温度を第1の温度、第2の温度に夫々調整する。 The controller is configured such that the temperature of the temperature adjusting medium supplied to the heating plate temperature adjusting unit before the temperature of the heating plate reaches the first temperature and the second temperature, respectively, is the first temperature and the second temperature, respectively. The operation of the medium temperature adjusting means may be controlled so as to be, or the heating plate temperature adjusting means for adjusting the temperature of the heating plate independently of the temperature adjusting medium supplied to the heating plate temperature adjusting unit is provided. May be. In that case, for example, the control unit operates the medium supply unit so as to stop the supply of the temperature control medium to the heating plate temperature control unit before the temperature of the heating plate reaches the first temperature and the second temperature, respectively. The heating plate temperature adjusting means adjusts the temperature of the heating plate adjusted by the temperature adjusting means to the first temperature and the second temperature, respectively.
前記加熱板温調部の流路は、例えば加熱板温調部の周縁から中央部へ向かった後にその中央部から周縁へと向かう渦巻き状に形成されていてもよく、また、媒体貯留部は、加熱板の温度を上昇させるための温調媒体が貯留された加熱媒体貯留部と、加熱板の温度を低下させるための温調媒体が貯留された冷却媒体貯留部とからなり、前記媒体供給制御手段は、これら加熱媒体貯留部、冷却媒体貯留部から加熱板温調部の流路への温調媒体の供給を各々制御してもよい。その場合、 前記冷却媒体貯留部に貯留された温調媒体が循環する冷却媒体循環路及び前記加熱媒体貯留部に貯留された温調媒体が循環する加熱媒体循環路が設けられ、
媒体供給制御手段は、冷却媒体循環路及び加熱媒体循環路から前記加熱板温調部の流路への温調媒体の供給の切り替えを行う供給切り替え手段を含んでいてもよい。
The flow path of the heating plate temperature control unit may be formed in a spiral shape, for example, from the periphery to the center of the heating plate temperature control unit and then from the center to the periphery. The medium supply unit comprising: a heating medium storage unit storing a temperature control medium for increasing the temperature of the heating plate; and a cooling medium storage unit storing a temperature control medium for decreasing the temperature of the heating plate. The control means may control the supply of the temperature control medium from the heating medium storage unit and the cooling medium storage unit to the flow path of the heating plate temperature control unit. In that case, a cooling medium circulation path for circulating the temperature control medium stored in the cooling medium storage section and a heating medium circulation path for circulating the temperature control medium stored in the heating medium storage section are provided,
The medium supply control means may include supply switching means for switching the supply of the temperature adjustment medium from the cooling medium circulation path and the heating medium circulation path to the flow path of the heating plate temperature adjustment section.
また、加熱媒体貯留部、冷却媒体貯留部には加熱板温調部の流路を通流した温調媒体を回収するための加熱媒体回収路、冷却媒体回収路が夫々接続され、
前記通路を流通した温調媒体の加熱媒体回収路、冷却媒体回収路への供給を夫々切り替える回収切り替え手段を備えていてもよく、その場合、例えば前記回収切り替え手段は、加熱板の温度を前記第1の温度に上昇させるために前記流路に供給され、冷却された温調媒体を冷却媒体貯留部に供給する一方で、加熱板の温度を前記第2の温度に変更するために前記流路に供給され、加熱された温調媒体を加熱媒体貯留部に供給するようにその動作が制御される。
In addition, a heating medium recovery path and a cooling medium recovery path for recovering the temperature control medium flowing through the flow path of the heating plate temperature control section are connected to the heating medium storage section and the cooling medium storage section, respectively.
There may be provided recovery switching means for switching the supply of the temperature control medium flowing through the passage to the heating medium recovery path and the cooling medium recovery path, respectively, in which case the recovery switching means, for example, the temperature of the heating plate In order to increase the temperature of the heating plate to the second temperature, the temperature control medium supplied to the flow path to be raised to the first temperature and supplied to the cooling medium reservoir is supplied to the flow path. The operation is controlled so as to supply the heated temperature control medium supplied to the passage to the heating medium reservoir.
本発明の熱処理方法は、基板に対して加熱処理を行う熱処理方法において、
温調媒体が供給される流路を備えた加熱板温調部により、その流路を流れる温調媒体の温度に応じて温調される加熱板に基板を載置する工程と、
媒体貯留部に貯留された温調媒体を、温調媒体の供給を制御する媒体供給制御手段により前記加熱板温調部の流路に供給する工程と、
加熱板の温度を任意の温度からそれよりも高い第1の温度に変更するために、第1の温度よりも高い温度に温調された温調媒体を前記加熱板温調部の流路に供給するように、媒体温調手段により前記流路に供給される温調媒体の温度を制御する工程と、
加熱板の温度を任意の温度からそれよりも低い第2の温度に変更するために、第2の温度よりも低い温度に温調された温調媒体を前記加熱板温調部の流路に供給するように、媒体温調手段により前記流路に供給される温調媒体の温度を制御する工程と、
を備えたことを特徴とする。
The heat treatment method of the present invention is a heat treatment method for performing a heat treatment on a substrate.
A step of placing a substrate on a heating plate that is temperature-controlled according to the temperature of the temperature control medium flowing through the flow path by a heating plate temperature control section having a flow path to which the temperature control medium is supplied;
Supplying the temperature control medium stored in the medium storage unit to the flow path of the heating plate temperature control unit by the medium supply control means for controlling the supply of the temperature control medium;
In order to change the temperature of the heating plate from an arbitrary temperature to a first temperature higher than the arbitrary temperature, a temperature adjustment medium adjusted to a temperature higher than the first temperature is supplied to the flow path of the heating plate temperature adjustment unit. Controlling the temperature of the temperature control medium supplied to the flow path by the medium temperature control means so as to supply,
In order to change the temperature of the heating plate from an arbitrary temperature to a second temperature lower than the arbitrary temperature, a temperature adjustment medium adjusted to a temperature lower than the second temperature is supplied to the flow path of the heating plate temperature adjustment unit. Controlling the temperature of the temperature control medium supplied to the flow path by the medium temperature control means so as to supply,
It is provided with.
前記媒体温調手段により、加熱板の温度が前記第1の温度、第2の温度に夫々達する前に加熱板温調部へ供給される温調媒体の温度を第1の温度、第2の温度に夫々制御する工程を含んでいてもよく、また加熱板温調部へ供給される温調媒体とは独立して加熱板の温度を調整するための加熱板温調手段により、加熱板の温度を調整する工程を備えていてもよい。 By the medium temperature adjusting means, the temperature of the temperature adjusting medium supplied to the heating plate temperature adjusting unit before the temperature of the heating plate reaches the first temperature and the second temperature, respectively, is set to the first temperature and the second temperature. A step of controlling the temperature of the heating plate by the heating plate temperature adjusting means for adjusting the temperature of the heating plate independently of the temperature adjusting medium supplied to the heating plate temperature adjusting unit. You may provide the process of adjusting temperature.
加熱板の温度が前記第1の温度、第2の温度に夫々達する前に媒体貯留部への温調媒体の供給を停止する工程と、
その温調媒体の供給停止後、前記加熱板温調手段により加熱板の温度を第1の温度、第2の温度に夫々制御する工程と、を備えていてもよい。
Stopping the supply of the temperature control medium to the medium reservoir before the temperature of the heating plate reaches the first temperature and the second temperature, respectively;
A step of controlling the temperature of the heating plate to the first temperature and the second temperature by the heating plate temperature adjusting means after stopping the supply of the temperature adjusting medium, respectively.
本発明の塗布、現像装置は、
基板を収納したキャリアが搬入されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布部と、露光後の基板を現像する現像部と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックとレジストが塗布された基板を露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスブロックと、を備えた塗布、現像装置において、
前記処理ブロックは、露光前においてレジストが塗布前またはレジスト塗布後、あるいは露光後において現像前または現像後の基板を加熱する熱処理装置を備え、
当該熱処理装置として、上述の熱処理装置を備えたことを特徴とする。
The coating and developing apparatus of the present invention is
A carrier block into which a carrier containing a substrate is carried;
A processing block including a coating unit that applies a resist to the surface of the substrate taken out of the carrier, and a developing unit that develops the exposed substrate.
In an application / development apparatus comprising an interface block that transfers a substrate between the processing block and an exposure apparatus that exposes a resist-coated substrate,
The processing block includes a heat treatment apparatus that heats the substrate before or after the resist is applied before or after exposure, or after the exposure, before or after development.
The heat treatment apparatus includes the heat treatment apparatus described above.
本発明の記憶媒体は基板を加熱する熱処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、上述の熱処理方法を実施するためのものであることを特徴とする。 The storage medium of the present invention is a storage medium storing a computer program used in a heat treatment apparatus for heating a substrate, and the computer program is for carrying out the above-described heat treatment method.
本発明の熱処理装置によれば、加熱板の温度を任意の温度からその温度よりも高い第1の温度に変更するために、前記加熱板の温度を調整するための加熱板温調部にその第1の温度よりも高い温度に温調された温調媒体を供給し、且つ加熱板の温度を任意の温度からその温度よりも高い第2の温度に変更するために、前記加熱板温調部にその第2の温度よりも低い温度に温調された温調媒体を供給しているため、加熱板の温度変更を速やかに行うことができる。 According to the heat treatment apparatus of the present invention, in order to change the temperature of the heating plate from an arbitrary temperature to a first temperature higher than the temperature, the heating plate temperature adjusting unit for adjusting the temperature of the heating plate In order to supply a temperature control medium adjusted to a temperature higher than the first temperature, and to change the temperature of the heating plate from an arbitrary temperature to a second temperature higher than the temperature, the heating plate temperature adjustment Since the temperature control medium adjusted to a temperature lower than the second temperature is supplied to the part, the temperature of the heating plate can be changed quickly.
本発明の実施の形態の一例として、例えばレジスト液が表面に塗布された基板である半導体ウエハ(以下ウエハと略す)Wを例えば90℃〜180℃程度の温度で加熱処理して、当該ウエハW表面にレジスト膜を形成する熱処理装置1について、その熱処理装置1の縦断側面図、分解斜視図である図1、図2を夫々参照しながら説明する。熱処理装置1は筺体11を備えており、筺体11の側壁には2つのウエハWの搬送口12が互いに対向するように開口している。また、筺体11内には筐体11内を上方領域(ウエハWの移動領域)と下方領域とに区画する仕切り板13が設けられている。
As an example of an embodiment of the present invention, for example, a semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as a wafer) W that is a substrate coated with a resist solution is heat-treated at a temperature of, for example, about 90 ° C. to 180 ° C. A heat treatment apparatus 1 for forming a resist film on the surface will be described with reference to FIGS. 1 and 2 which are longitudinal side views and exploded perspective views of the heat treatment apparatus 1, respectively. The heat treatment apparatus 1 includes a
仕切り板13上には例えば温度調節水を流すための図示しない冷却流路を備え、加熱されたウエハを冷却するための冷却プレート14が設けられている。搬送口12が設けられた側を手前側、加熱板21が設けられた側を奥側とすると、冷却プレート14は仕切り板13上を手前側から奥側へ向けてウエハWを搬送する役割も有する。図1中15は昇降ピンであり、昇降機構16により仕切り板13に設けられた孔17を介して冷却プレート14上に突没し、冷却プレート14と搬送口12を介して筐体11内に進入した熱処理装置1の外部の搬送手段との間でウエハWの受け渡しを行う。
On the
熱処理装置1の奥側にはウエハWに加熱処理を行うための加熱部2が設けられており、この加熱部2は円形状の加熱板21とその加熱板21の温度を制御するための円形の加熱板温調部3とにより構成されている。加熱板21はその表面にウエハWが載置される例えばセラミックスにより構成された表層部22と、その下層に設けられた例えば絶縁体により構成された下層部23とにより構成されている。また、加熱部21は、表層部22と下層部23との間に挟まれるように例えば周方向に分割され、且つ同心円状に配置された複数のリング状の部材からなる加熱板温調手段であるヒータ24を備えている。表層部22には当該加熱板21の温度を検出するための温度検出部22Aが埋め込まれており、この温度検出部22Aの温度検出結果に対応する信号が温調器81に送信される。温調器81はその送信された信号に基づいてヒータ24への供給電力を制御して、当該ヒータ24の温度を制御し、ヒータ24の温度に追従して加熱板21の温度が変化する。加熱板21の実際の温度と、設定温度の誤差は例えば±0.1℃以内になるように設計される。
A heating unit 2 for performing a heat treatment on the wafer W is provided on the back side of the heat treatment apparatus 1, and the heating unit 2 is a
加熱板21の下方には加熱板温調部3が積層されている。図3は加熱板温調部3の横断平面図であり、この図に示すように加熱板温調部3の内部には渦巻状の流路31が形成されており、流路31の一端にはこの流路31に温調媒体を供給するための媒体供給管51、流路31の一端にはこの流路31から温調媒体を排出するための媒体回収管61が夫々接続されている。流路31に流れ込んだ温調媒体は加熱板温調部3内をその周方向に回転するように次第に周縁部から中央部へと向かい、その後周方向に回転するように次第に中央部から周縁部へと向かって通流して排出される。このように流路31を温調媒体が流通することでその温調媒体の温度に応じて加熱板温調部3の表面の温度が変化して、その温度に応じて加熱板21が温調されるように構成されている。図中32は昇降ピンが挿通される孔であり、33はその孔32に対応するガイドである。
Below the
図中35は加熱板21及び加熱板温調部3を収容し、これらを支持する扁平な有底の円筒形状の支持部材である。その上部側は外方に広がるフランジ36となっており、フランジ36上には当該フランジ36に沿って形成されたリング状の接合部材37が設けられている。
In the figure,
図中18は昇降ピンであり、前記加熱板21、加熱板温調部3、支持部材35に夫々設けられた孔25、32、39に挿通され、昇降機構19により昇降自在に構成されており、加熱板21と冷却プレート14との間でウエハWの受け渡しを行う。
In the figure, 18 is an elevating pin, which is inserted into
蓋体41はその周縁部が下方へ向けて突出した円形状に形成されており、昇降機構40により昇降自在に構成されている。図4に示すように加熱板21に載置されたウエハWに熱処理を行う際において蓋体41は下降し、その周縁部が接合部材37を介して支持部材35のフランジ部36に密着して、ウエハWの周囲に密閉された処理空間Sが形成される。蓋体41にはウエハWの外方にて、ウエハWの周方向に沿って開口したガス供給口42と、ウエハWの中央部上にて開口したガス吸引口43とが設けられている。
The
ガス供給口42はN2ガスが貯留されたガス供給源44に接続されており、ガス吸引口43は真空ポンプなどからなる排気手段45に接続されている。ウエハWに加熱処理を行うときには、図4にて矢印で示すように処理空間SにウエハWの外方からその中央部に向かう気流が形成され、この気流に曝されながらウエハWが加熱板21の熱により加熱される。ガス供給口42からのN2ガスの供給及び排気路43からの排気量は後述の制御部80により制御される。
The gas supply port 42 is connected to a gas supply source 44 in which N2 gas is stored, and the gas suction port 43 is connected to an exhaust means 45 such as a vacuum pump. When heat treatment is performed on the wafer W, an air flow from the outside of the wafer W toward the center thereof is formed in the processing space S as indicated by an arrow in FIG. 4, and the wafer W is exposed to the air flow while the
加熱板温調部3にその一端が接続された媒体供給管51の他端は、三方バルブ52に接続されており、三方バルブ52の分岐した各上流側には三方バルブ53A、53Bが接続されている。三方バルブ53Aには加熱媒体供給管55A、加熱媒体回収管56Aの各一端が接続されており、これら供給管55A、回収管56Aの他端は温調媒体が貯留されている加熱媒体貯留タンク71Aに接続されている。循環液である温調媒体としては、例えば絶縁抵抗が高いものが用いられ、具体的には例えばフッ素系溶剤であるガルデン(登録商標)やフロリナート(商品名)が用いられる。ここでは温調媒体として前記ガルデン(登録商標)が用いられているものとする。
The other end of the
また、三方バルブ53Bには冷却媒体供給管55B、冷却媒体回収管56Bの各一端が接続されており、これら供給管55B、回収管56Bの他端は温調媒体である前記ガルデン(登録商標)が貯留されている冷却媒体貯留タンク71Bに接続されている。加熱媒体供給管55A、冷却媒体供給管55Bには温調媒体を各媒体供給管55A、55Bの上流側から下流側に供給する圧力ポンプ57A、57Bが夫々介設されている。
Further, one end of a cooling medium supply pipe 55B and a cooling
また、加熱板温調部3にその一端が接続された媒体回収管61の他端は、三方バルブ62に接続されている。三方バルブ62には媒体回収管63A、63Bの一端が接続されており、媒体回収管63A、63Bの他端はバルブV1、V2を介して夫々加熱媒体貯留タンク71A、冷却媒体貯留タンク71Bに夫々接続されている。
The other end of the
三方バルブ53Aの切り替えにより、供給管55Aから回収管56Aまたは三方バルブ52へと温調媒体の流路が切り替わり、加熱媒体貯留タンク71A内の温調媒体は回収管56Aを流通して再びタンク71Aに戻されるか、あるいは三方バルブ52を介して加熱板温調部3に供給される。また、三方バルブ53Bの切り替えにより、供給管55Bから回収管56Bまたは三方バルブ52へと温調媒体の流路が切り替わり、冷却媒体貯留タンク71B内の温調媒体は回収管56Bを流通して再びタンク71Bに戻されるか、あるいは三方バルブ52を介して加熱板温調部3に供給される。このように加熱媒体供給管55A及び加熱媒体回収管56Aは加熱媒体の循環路を、冷却媒体供給管55B及び冷却媒体回収管56Bは冷却媒体の循環路を夫々構成している。また、三方バルブ52、53A、53Bは加熱板温調部3へ供給される温調媒体を切り替える切り替え供給手段を構成している。また、三方バルブ62は、その切り替えにより媒体回収管61からの温調媒体の流路を媒体回収管63Aまたは63Bに切り替える回収切り替え手段として構成されている。
By switching the three-
後述の制御部80が各バルブの開閉、切り替えを制御し、ウエハWの熱処理中において加熱媒体貯留タンク71A内の温調媒体が加熱板温調部3に供給されているときには、当該加熱板温調部3に供給された温調媒体は媒体回収管61、63Aを介して加熱媒体貯留タンク71Aに戻され、且つ冷却媒体貯留タンク71B内の温調媒体は回収管56Bを流通して当該タンク71Bに戻される。その反対にウエハWの熱処理中において、冷却媒体貯留タンク71B内の温調媒体が加熱板温調部3に供給されているときには、当該加熱板温調部3に供給された温調媒体は媒体回収管61、63Bを介して冷却媒体貯留タンク71Bに戻され、且つ加熱媒体貯留タンク71A内の温調媒体は回収管56Aを流通して当該タンク71Aに戻されるように制御部80は各バルブの開閉及び切り替えを制御する。
When a control unit 80 (described later) controls opening / closing and switching of each valve and the temperature control medium in the heating
加熱媒体貯留タンク71Aの壁部は当該タンク71A内に貯留された温調媒体を保温できるように例えば真空断熱材により構成されており、また前記温調媒体を加熱することができるようにヒータなどにより構成された媒体加熱部72Aを備えている。また加熱媒体貯留タンク71Aは、貯留された温調媒体の温度を検出するための温度検出部73Aを備えている。温度検出部73Aから、その温度検出結果に対応する信号が温調器82に送信され、温調器82はその信号に基づいて媒体加熱部72Aへ制御信号を送信し、その信号に応じて媒体加熱部72Aが前記温調媒体の温度を制御する。
The wall portion of the heating
冷却媒体貯留タンク71Bはその内部に貯留された温調媒体を例えばペルチェ効果を利用して冷却することができるように構成された媒体冷却部72Bを備えている。また、加熱媒体貯留タンクは貯留された温調媒体の温度を検出するための温度検出部73Bを備えている。温度検出部73Bから、その温度検出結果に対応する信号が温調器83に送信され、温調器83はその信号に基づいて媒体冷却部72Bへ制御信号を送信し、その信号に応じて媒体冷却部72Aが前記温調媒体の温度を制御する。媒体加熱部72A及び媒体冷却部72Bは媒体温調手段を構成し、また、三方バルブ52、53A、53B、加熱媒体供給管55A、冷却媒体供給管55B、及び媒体供給管52は、媒体供給制御手段を構成する。
The cooling
前記熱処理装置1は例えばコンピュータからなる制御部80を備えており、この制御部80はプログラム、メモリ、CPUなどにより構成されている。前記プログラムには制御部80から熱処理装置1の各部に制御信号を送り、後述の熱処理を進行させるように命令(各ステップ)が組み込まれている。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO(光磁気ディスク)等の記憶部に格納されて制御部80にインストールされる。ここで前記プログラムには、各バルブの開閉及び切り替えや温調器81、82、83の動作の制御や、蓋体41の昇降、ウエハWへのN2ガスの供給及び処理空間Sの排気を制御するためのプログラムも含まれる。
The heat treatment apparatus 1 includes a
また、制御部80は不図示の入力画面を備えており、例えば熱処理装置1のオペレータが熱処理装置1に搬入されるウエハWのロットごとにその加熱温度(レシピ)を設定できるようになっている。制御部80はそのように設定された加熱温度に応じて温調器81、82、83に制御信号を送信し、温調器81、82、83がその制御信号に応じてヒータ24、媒体加熱部72A、媒体冷却部72Bを介して夫々加熱板21、貯留タンク71A内の温調媒体、貯留タンク71B内の温調媒体の温度を制御する。
Further, the
続いて上述の熱処理装置1に各ロットのウエハWを搬入して各処理を行う手順について、その各工程を示したフローチャートである図5と、温調媒体であるガルデン(登録商標)の流れを示した図6、図7とを用いて説明する。先ず、加熱媒体貯留タンク71Aの媒体加熱部72Aにより、貯留タンク71A内の温調媒体が例えば80℃に加熱されると共に冷却媒体貯留タンク71Bの媒体冷却部72Bにより、貯留タンク71B内の温調媒体が例えば15℃に保たれる。然る後、圧力ポンプ57A、57Bが作動し、加熱媒体貯留タンク71Aの温調媒体が加熱媒体供給管55Aに供給され、三方バルブ53A、加熱媒体回収管56Aを介して再びタンク71Aに戻され、またその一方で、冷却媒体貯留タンク71Bの温調媒体が冷却媒体供給管55Bに供給され、三方バルブ53B、冷却媒体回収管56Bを介して再びタンク71Bに戻される。このとき加熱板21の温度は、例えば熱処理装置1が設置されたクリーンルーム内の温度である23℃になっており、バルブV1、V2は閉じられている(図6(a))。
Subsequently, FIG. 5 which is a flowchart showing the respective steps and a flow of Galden (registered trademark) which is a temperature control medium for the procedure for carrying in each processing by loading the wafers W of each lot into the heat treatment apparatus 1 described above. This will be described with reference to FIGS. First, the temperature control medium in the
続いて熱処理装置1のオペレータが、入力画面から装置1に搬入される各ロットの温度を設定する(ステップS1)。ここでは順次装置1に搬入されるロットを搬入される順にロットL1、L2、L3とし、これらのロットの加熱温度を夫々100℃、150℃、100℃に設定したものとする。また、1つのロットは例えば25枚のウエハWにより構成され、以下ロットL1、L2、L3のウエハWをウエハW1、W2、W3と表記する。 Subsequently, the operator of the heat treatment apparatus 1 sets the temperature of each lot carried into the apparatus 1 from the input screen (step S1). Here, it is assumed that the lots sequentially loaded into the apparatus 1 are the lots L1, L2, and L3 in the order of loading, and the heating temperatures of these lots are set to 100 ° C., 150 ° C., and 100 ° C., respectively. One lot is composed of, for example, 25 wafers W, and the wafers W in the lots L1, L2, and L3 are hereinafter referred to as wafers W1, W2, and W3.
各ロットの温度設定が終了すると、ヒータ24の温度が23℃から100℃へと上昇すると共に媒体加熱部72Aを介して加熱媒体貯留タンク71A内の温調媒体の温度を例えば110℃に上昇させる(ステップS2)。媒体貯留タンク71A内の温調媒体は予め加熱されているため、加熱板21が100℃になる前に先に110℃に達する。然る後、三方バルブ53A、52、62がタンク71Aと加熱板温調部3とを連通させるように切り替わると共にバルブV1が開き、110℃に加熱された温調媒体が加熱板温調部3に供給され、加熱板温調部3を介して加熱板21を加熱する(ステップS3)。加熱板温調部3内を流通して冷却された温調媒体は媒体回収管61、63Aを介して媒体貯留タンク71Aに戻され、媒体貯留タンク71Aにて加熱されて、再び加熱板温調部3へと供給される(図6(b))。
When the temperature setting for each lot is completed, the temperature of the
加熱板21の温度が100℃に近い温度例えば97℃に達すると、三方バルブ53Aが切り替わると共にバルブV1が閉じられ、加熱媒体貯留タンク71Aと加熱板温調部3とにおける温調媒体の循環が停止し(ステップS4)、加熱媒体貯留タンク71Aから加熱媒体供給管55Aに供給された温調媒体は加熱媒体回収管56Aを通って媒体貯留タンク71Aに戻される。そして、加熱板21の温度がヒータ24の熱によって設定された温度である100℃に達し、そのまま100℃に保たれると、ロットL1の先頭のウエハW1が外部の搬送機構により熱処理装置1に搬入され(ステップS5)、昇降ピン15→冷却プレート14→昇降ピン18の順に受け渡され、昇降ピン18から加熱板21に載置された後、蓋体41が下降して処理空間Sが形成される。ウエハW1は加熱板21と同じ温度である100℃に加熱されると共にN2ガスの気流に曝されながら加熱された後、搬入時とは逆の経路で、熱処理装置1から搬出される。
When the temperature of the
ロットL1の後続のウエハW1について順次装置内に搬入され加熱処理が行われる一方で、媒体加熱部72Aにより加熱媒体貯留タンク71A中の温調媒体が例えば160℃に加熱される(ステップS6)。そしてロットL1の最後のウエハW1の処理が終了すると(ステップS7)、そのウエハW1が搬出される一方で、ヒータ24の温度が150℃へと上昇し、且つ三方バルブ53A、52が媒体貯留タンク71Aと加熱板温調部3とを連通させるように切り替わると共にバルブV1が開く。そして、160℃に加熱された温調媒体が加熱板温調部3に供給され、当該加熱板温調部3を介して加熱板21を加熱する(ステップS8)。加熱板温調部3内を流通して冷やされた温調媒体は媒体回収管61、63Aを介してタンク71Aに戻され、タンク71Aにて加熱されて、再び加熱板温調部3へと供給される(図6(c))。
The subsequent wafers W1 in the lot L1 are sequentially loaded into the apparatus and subjected to heat treatment, while the temperature adjustment medium in the heating
加熱板21の温度が150℃に近い温度例えば147℃に達すると、三方バルブ53Aが切り替わると共にバルブV1が閉じ、加熱媒体貯留タンク71Aと加熱板温調部3とにおける温調媒体の循環が停止して、加熱媒体貯留タンク71Aの温調媒体は当該媒体貯留タンク71A、加熱媒体供給管55A及び加熱媒体回収管56Aとを循環する(ステップS9)。そしてヒータ24により加熱板21の温度が150℃に達して、維持されると、ロットL2の先頭のウエハW2がウエハW1と同様に順次熱処理装置1に搬入され、加熱処理が行われる(ステップS10)。
When the temperature of the
ロットL2の後続のウエハW2が順次搬入されて処理を受け、最後のウエハW2の加熱処理が終了すると(ステップS11)、ヒータ24の温度が低下する一方で、三方バルブ53B、52、62が冷却媒体貯留タンク71Bと加熱板温調部3とを連通させるように切り替わると共にバルブV2が開き、15℃に冷却された温調媒体が加熱板温調部3に供給され、加熱板温調部3を介して加熱板21を冷却する(ステップS12)。加熱板温調部3へと供給されてそこで加熱された温調媒体は媒体回収管61、63Bを介して冷却媒体貯留タンク71Bに戻され、タンク71Bにて冷却されて、再び加熱板温調部3へと供給される(図7(a))。
Subsequent wafers W2 of the lot L2 are sequentially loaded and processed, and when the last wafer W2 is heated (step S11), the temperature of the
加熱板21の温度が100℃に近い温度例えば103℃に達すると、三方バルブ53Bが切り替わると共にバルブV2が閉じ、冷却媒体貯留タンク71Bと加熱板温調部3とにおける温調媒体の循環が停止して、冷却媒体貯留タンク71Bの温調媒体は当該媒体貯留タンク71B、冷却媒体供給管55B及び加熱媒体回収管56Bとを循環する(ステップS13)。そして、ヒータ24の温度に従って加熱板21の温度が100℃に低下し、その温度に維持されると、ロットL3のウエハW3がウエハW1と同様に順次熱処理装置1に搬入され、加熱処理が行われる(ステップS14)。ロットL3の処理中にこのロットL3以降に搬入されるロットの温度に応じて加熱媒体貯留タンク71A内の温調媒体の温度が制御される。例えば次に搬入されるロットL4の処理温度が120℃である場合は、それよりも例えば10℃高い130℃になるように媒体加熱部72Aにより前記温調媒体の温度が制御され、ロットL3の加熱処理終了後加熱板温調部3に供給される。
When the temperature of the
この熱処理装置1によれば、ウエハWを加熱する加熱板21の温度を調整するための加熱板温調部3と、貯留された温調媒体を加熱する加熱媒体貯留タンク71Aと、貯留された温調媒体を冷却する冷却媒体貯留タンク71Bと、を備えており、加熱板21の温度変更を行うにあたり、加熱板21の温度を所定の設定温度に上昇させる場合には前記加熱媒体貯留タンク71Aにてその設定温度よりも高い温度に加熱された温調媒体を加熱板温調部3に供給し、加熱板21の温度を所定の設定温度に下降させる場合には前記加熱媒体貯留タンク71Bにてその設定温度よりも低い温度に冷却された温調媒体を加熱板温調部3に供給している。このような構成を有することによって、速やかに加熱板21の温度を変更することができるので、スループットを向上させることができる。また、加熱板21を冷却するにあたり、加熱板21に冷却ガスを供給する必要がないのでガスが加熱板21上に漏れ出してパーティクルを巻き上げ、そのパーティクルがウエハWに付着するおそれがなく、後述のように熱処理装置1が塗布、現像装置に適用される場合には現像欠陥の発生を抑えることができる。
According to the heat treatment apparatus 1, the heating plate
また、熱処理装置1においては加熱板21を加熱板温調部3を温調媒体とは独立して加熱するヒータ24が設けられており、加熱板21の温度を変更するにあたり、加熱板21の温度が設定された値に到達する直前で加熱媒体貯留タンク71Aまたは加熱媒体貯留タンク71Bからの温調媒体の供給を停止し、それ以降はこのヒータ24により加熱板21を設定温度に調整している。このような構成にすることで加熱媒体貯留タンク71A、71Bからの温調媒体の供給のみによって、ウエハWの温度制御を行う場合に比べて、温調媒体の温度制御及び流量制御を厳密に行う必要がないので装置の設計が容易であり、さらに加熱板21を加熱するときには当該加熱板21が設定温度よりも高くなることが、加熱板21を冷却するときに設定温度よりも低くなることが夫々抑えられるため、加熱板21の温度を設定温度へと合わせこむ事が容易になり、より確実に加熱板21の温度変更に要する時間を抑えることができる。
The heat treatment apparatus 1 is provided with a
上記の実施形態では各ロットの温度に応じて、加熱媒体貯留タンク71A内の温調媒体の温度を制御し、加熱板21の温度が急激に上昇して設定値よりも高くなることを抑えているがこのような構成に限らず、例えば各ロットの加熱温度が設定されたらウエハWの搬入前にその最大値よりも高い温度になるように媒体貯留タンク71Aの温調媒体を加熱し、各ロットの処理中は常時その温度に保ち、加熱板21昇温させるときには上記実施形態と同様に加熱板温調部3に供給してもよい。また、上記実施形態では冷却媒体貯留タンク71B内の温調媒体の温度は15℃に保たれているが、急激に加熱板21が冷却されて設定温度以下になることを防ぐために、加熱媒体貯留タンク71A内の温調媒体と同様にロットの設定温度に応じて変更してもよい。
In the above embodiment, the temperature of the temperature control medium in the heating
以下にヒータ24を設けずに加熱板24の設定温度への温調を行うことができる構成例について説明する。上記の実施形態ではステップS4、S5において加熱板21の温度が設定温度である100℃に近くなったら加熱媒体貯留タンク71Aからの温調媒体の加熱板温調部3への供給を停止しているが、そのように供給を停止する代わりに媒体加熱部72Aによりタンク71A内の温調媒体の温度を100℃に制御し、その100℃に調整された温調媒体を加熱板温調部3へ供給するようにして加熱板21の温度を100℃に調整してもよい。同様にステップS9、S10においても加熱板21の温度が設定温度である150℃に近づいたら温調媒体の加熱板温調部3への供給を停止する代わりに、タンク71A内の温調媒体の温度を150℃に制御し、その150℃に制御された温調媒体を加熱板温調部3へ供給して加熱板21の温度を150℃に調整してもよい。
A configuration example that can adjust the temperature of the
また、冷却媒体貯留タンク71Bに媒体加熱部72Aなどの加熱手段を設け、ステップS13、S14において加熱板21の温度が設定温度に近づいたら、貯留タンク71B内の温調媒体を100℃に制御し、その100℃に制御された温調媒体を加熱板温調部3へ供給して、加熱板21の温度を100℃に調整してもよい。さらに、ステップS13、S14においては、貯留タンク71Bの冷却された温調媒体により加熱板温調部を冷却している間に加熱媒体貯留タンク71A内の温調媒体の温度を100℃に調整しておき、加熱板21の温度が100℃に近づいたら、その調整した温調媒体を加熱板温調部3に供給するようにしてもよい。
Further, heating means such as a
上記の加熱板温調部3の流路31はその各部において略同じ幅を持って連続しているため圧損が小さく、供給する温調媒体の流量を大きくすることができるため、上記の温度変更を速やかに行うことができるためより好ましいが、加熱板温調部の構成としては、図8(a)、(b)に夫々、その縦断面図、横断面図を示すようなものであってもよい。この加熱板温調部91はその内部に互いに並行に配列された多数の直線状の区画壁92を有しており、媒体供給管51からその加熱板温調部91の一端側に供給された温調媒体は区画壁92に沿って加熱板温調部91の他端側へと流れて、媒体回収管61から排出される。
Since the
また、図9(a)に示すように1つの媒体貯留タンクにそのタンク内の温調媒体を加熱及び冷却する機構を設けてもよい。図に示した温調媒体貯留タンク93は加熱媒体貯留タンク71Aと同様に構成されており、前記媒体加熱部72Aと、温度検出部73Aとを備えている。温調媒体貯留タンク93の外壁には多数の空冷フィン94が設けられている。また、空冷フィン94を囲うようにカバー95が設けられており、カバー95内には冷却ガス供給管96、バルブV3が介設された排気管97の一端が夫々開口している。図9(b)に示すようにカバー95内に供給される冷却用ガスであるN2ガスにより空冷フィン94が冷却され、媒体貯留タンク93の壁部を介して当該タンク93内の温調媒体が冷却される。
Further, as shown in FIG. 9A, a mechanism for heating and cooling the temperature control medium in the tank may be provided in one medium storage tank. The temperature control
温調器98には制御部80から各ロットの加熱温度に対応する電気信号と、温度検出部73Aからその検出結果に応じた電気信号とが送信され、これらの電気信号に基づいて、N2ガスを供給するためのバルブV3の開閉及び温調媒体加熱部72Aの発熱量を制御して、タンク93内の温調媒体の温度を各ロットの加熱温度に対応した温度に制御する。この例では圧力ポンプ57Aの動作が制御部80により制御されており、必要時に作動して温調された温調媒体が加熱板温調部3へ供給される。圧力ポンプ57Aは例えば筐体21内の加熱板21の奥側に設置される。このように装置を構成した場合もロット毎に媒体貯留タンク93内の温調媒体の温調が行うことができる。
An electrical signal corresponding to the heating temperature of each lot is transmitted from the
上記実施形態において、加熱媒体貯留タンク71A、冷却媒体貯留タンク71Bから加熱板温調部3に供給された温調媒体は加熱媒体貯留タンク71A、冷却媒体貯留タンク71Bに夫々戻されているが、このような構成とすることに限られない。図10を用いて一例を示すと、先ず図10(a)に示すように例えば加熱板21を150℃から100℃に降温させるために冷却媒体貯留タンク71Bから加熱板温調部3に供給し、当該温調部3にて加熱板21の熱を受けて加熱された温調媒体を、回収管63Aを介して加熱媒体貯留タンク71Aに流通させ、そのタンク71A内で所定の温度に温調しておく。
In the above embodiment, the temperature control medium supplied from the heating
続いて図10(b)に示すように、例えば加熱板21を100℃から150℃に昇温させるために加熱媒体貯留タンク71Aからその温調した温調媒体を加熱板温調部3に供給し、当該温調部3にて加熱板21により冷却された温調媒体を、回収管63Bを介して冷却媒体貯留タンク71Bに流通させ、貯留する。そして、そのタンク71Bにて次のロットの設定温度に応じて加熱板21を温調するためにその冷却媒体を所定の温度に温調する。このような構成にすることで、タンク内の温調媒体を所定の温度に調整するための時間及び電力を抑えることができる。この例では三方バルブ53A、53Bの代わりにバルブV3、V4により各貯留タンク71A、71Bから加熱板温調部3への温調媒体の供給が制御されている。
Subsequently, as shown in FIG. 10B, for example, in order to raise the temperature of the
ところで、図11に示すように加熱板温調部3は昇降機構101により昇降することで、加熱板21からの接近及び分離が自在に構成されていてもよく、例えばあるロットL4のウエハWの加熱処理を終え、その次に搬入されるロットL5のウエハWの加熱温度がそのロットL4の加熱温度よりもわずかに低い場合は、冷却媒体貯留タンク71Bから温調媒体を供給せずに、このように加熱板温調部3を加熱板21から離すことによって当該加熱板21の冷却を行ってもよい。図中102は加熱板21と支持部材35とを接続する接続部材である。
Incidentally, as shown in FIG. 11, the heating plate
この熱処理装置1としては、レジストが塗布された基板を処理することに限られない。また、このような熱処理装置1は互いに加熱温度の異なるロットを処理する場合にも図12に示すように1枚のウエハWを夫々異なる温度で処理するような場合にも有効である。グラフ中の点線はウエハWの温度であり、実線は加熱板の温度である。この例ではウエハWを最初は23℃程度の温度で処理し、その後90℃〜110℃に昇温させて加熱処理する例を示しているが、上記熱処理装置の構成によれば、ウエハW処理中における加熱板の昇温時間及びそのウエハ処理終了後次のウエハの搬入までにおける加熱板の降温時間を短くできるため、スループットの向上を図ることができる。 The heat treatment apparatus 1 is not limited to processing a substrate coated with a resist. Further, such a heat treatment apparatus 1 is effective for processing lots having different heating temperatures as well as for processing a single wafer W at different temperatures as shown in FIG. The dotted line in the graph is the temperature of the wafer W, and the solid line is the temperature of the heating plate. In this example, the wafer W is first processed at a temperature of about 23 ° C., and then heated to 90 ° C. to 110 ° C. to perform the heat processing. However, according to the configuration of the heat treatment apparatus, the wafer W processing The temperature rise time of the heating plate and the temperature lowering time of the heating plate from the end of the wafer processing to the next wafer loading can be shortened, so that the throughput can be improved.
続いて上述の熱処理装置1の塗布、現像装置への適用例について図13、図14、図15を用いて説明する。図13、図14、図15は夫々塗布、現像装置110の平面図、斜視図、概略縦断側面図である。図中B1はウエハWが例えば25枚密閉収納されたキャリアCを搬入出するためのキャリアブロックであり、キャリアCを複数個載置可能な載置部112を備えたキャリアステーション111と、このキャリアステーション111から見て前方の壁面に設けられる開閉部113と、開閉部113を介してキャリアCからウエハWを取り出すための受け渡し手段A1とが設けられている。
Next, application examples of the above-described heat treatment apparatus 1 to the coating and developing apparatus will be described with reference to FIGS. 13, 14, and 15. FIGS. 13, 14, and 15 are a plan view, a perspective view, and a schematic longitudinal side view of the coating and developing apparatus 110, respectively. In the figure, B1 is a carrier block for carrying in / out a carrier C in which, for example, 25 wafers W are hermetically stored, and a
キャリアブロックB1の奥側には筐体114にて周囲を囲まれる処理ブロックB2が接続されており、この処理ブロックB2には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットU1,U2,U3と、後述する塗布・現像ユニットを含む各処理ユニット間のウエハWの受け渡しを行う主搬送手段A2,A3とが交互に配列して設けられている。即ち、棚ユニットU1,U2,U3及び主搬送手段A2,A3はキャリアブロックB1側から見て前後一列に配列されると共に、各々の接続部位には図示しないウエハ搬送用の開口部が形成されており、ウエハWは処理ブロックB2内を一端側の棚ユニットU1から他端側の棚ユニットU3まで自由に移動できるようになっている。
A processing block B2 surrounded by a
また主搬送手段A2,A3は、キャリアブロックB1から見て前後方向に配置される棚ユニットU1,U2,U3側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットU4,U5側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁115により囲まれる空間内に置かれている。また図中116、117は各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニットである。
The main conveying means A2, A3 includes one surface portion on the shelf unit U1, U2, U3 side arranged in the front-rear direction when viewed from the carrier block B1, and one surface portion on the right liquid processing unit U4, U5 side, which will be described later, for example. , And is placed in a space surrounded by a
液処理ユニットU4,U5は、例えば図14に示すようにレジスト液や現像液といった薬液供給用のスペースをなす収納部118の上に、反射防止膜を形成するための薬液を塗布して反射防止膜を成膜する反射防止膜形成ユニットBCT、前記レジスト液を塗布してレジストを成膜する塗布部である塗布ユニットCOT、現像部である現像ユニットDEV等を複数段例えば5段に積層した構成とされている。また上述の棚ユニットU1,U2,U3は、液処理ユニットU4,U5にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば10段に積層した構成とされており、ウエハWを加熱(ベーク)する加熱ユニット、ウエハWを夫々所定の温度に冷却する冷却ユニットCPL、各ユニット間でウエハの受け渡しを行うための受け渡しステージ(TRS)等が含まれる。加熱ユニットとしては、反射防止膜形成後、レジスト塗布前に加熱するARCB、レジスト塗布後、露光前に加熱するPAB、液浸露光されたウエハWを現像前に加熱するPEB及び現像後のウエハWを加熱するPDBがあり、夫々ウエハWを所定の温度に加熱する。これらの加熱ユニットは上述の熱処理装置1に対応する。
For example, as shown in FIG. 14, the liquid processing units U4 and U5 are coated with a chemical solution for forming an antireflection film on a
処理ブロックB2における棚ユニットU3の奥側には、例えば第1の搬送室121及び第2の搬送室122からなるインターフェイスブロックB3が設けられている。第1の搬送室121、第2の搬送室122には処理ブロックB2と露光装置B4との間でウエハWの受け渡しを行うための受け渡し手段A4、A5が夫々設けられている。第1の搬送室121にはウエハWの受け渡しステージTRS,高精度温度調整モジュールICPLが積層された棚ユニットU6と、露光装置B4に搬入する前にウエハWを一時滞留させるバッファモジュールBMとが設けられており、これらのモジュール及びステージ間で受け渡し手段A4はウエハWの受け渡しができるようになっている。
An interface block B3 including, for example, a
第2の搬送室122の受け渡し手段A5は第1の搬送室121の受け渡しステージTRSと露光装置B4の搬入ステージ123と、搬出ステージ124との間でウエハWの受け渡しを行う。露光装置B4は、搬入ステージ123に搬入されたウエハWに対して液浸露光を行い、液浸露光を終えたウエハWは搬出ステージ124に載置される。
The transfer means A5 of the
続いて塗布、現像装置110のウエハWの搬送経路について説明する。先ず外部からウエハWの収納されたキャリアCが載置部112に載置されると、開閉部113と共にキャリアCの蓋体が外されて受け渡し手段A1によりウエハWが取り出される。そしてウエハWは棚ユニットU1の一段をなす受け渡しステージTRSを介して主搬送手段A2へと受け渡された後、主搬送手段A2により冷却ユニットCPL→反射防止膜形成ユニットBARC→加熱ユニットARCB→冷却ユニットCPL→主搬送手段A2→塗布ユニットCOTの順に搬送され、そのCOTにてレジストが塗布され、ウエハWの表面にレジスト膜が形成される。
Next, the conveyance path of the wafer W of the coating and developing apparatus 110 will be described. First, when the carrier C storing the wafer W from the outside is placed on the
続いてウエハWは主搬送手段A2→加熱ユニットPAB→主搬送手段A3→CPL→受け渡し手段A4→バッファモジュールBMの順で搬送され、そのバッファモジュールBMで一時滞留された後、受け渡し手段A4→棚ユニットU6のICPL→棚ユニットU6のTRS→受け渡し手段A5→露光装置B4の搬入ステージ123へ搬入され、然る後ウエハWは露光装置B4内の所定の場所にて液浸露光される。
Subsequently, the wafer W is transferred in the order of main transfer means A2, heating unit PAB, main transfer means A3, CPL, delivery means A4, buffer module BM, and temporarily held in the buffer module BM, then delivery means A4 → shelf. ICPL of unit U6 → TRS of shelf unit U6 → delivery means A5 → carrying into
液浸露光を終えたウエハWは露光装置B4の搬出ステージ124に載置され、受け渡し手段A5→棚ユニットU6のTRS→受け渡し手段A4→棚ユニットU3のPEB→主搬送手段A3→現像ユニットDEVに搬送されて現像処理を受けてレジストパターンが形成される。然る後ウエハWは、主搬送手段A3→加熱ユニットPDB→主搬送手段A2→冷却ユニットCPL→主搬送手段A2→棚ユニットU1の受け渡しステージTRS→キャリアアームA1の順に搬送され、キャリアアームA1により元のキャリアCへと戻される。
The wafer W that has been subjected to the immersion exposure is placed on the carry-out
この塗布、現像装置においても、上記のようにロットL1、L2が順次搬入される。そして、例えば棚ユニットU3に設けられている各PEBをPEB1〜PEB4とし、各ロットのウエハWはPEB1〜PEB4の順にこのサイクルで搬送されるとした場合、図16に示すように先ずPEB1にて、そのPEB1に搬入されるロットL1の最後のウエハW1の加熱処理が終わると、上述のステップに従って当該PEB1は続いて搬入されるロットL2のウエハW2の加熱温度に応じて加熱板21の温度を変更する。PEB2も同様にそのPEB2に搬入されるロットL1の最後のウエハW1の加熱処理が終わると、加熱板21の温度を変更する。こうして各PEBごとに順次加熱板21の温度切り替えが行われてゆき、やがてPEB1〜4の全てにおいて加熱板21の温度変更が完了する。上記のように各PEBにおいて加熱板21の温度変更に要する時間は例えば20秒程度である。
Also in this coating and developing apparatus, the lots L1 and L2 are sequentially carried in as described above. For example, when each PEB provided in the shelf unit U3 is PEB1 to PEB4 and the wafers W of each lot are transported in this cycle in the order of PEB1 to PEB4, first, as shown in FIG. When the last wafer W1 of the lot L1 loaded into the PEB1 is heated, the PEB1 adjusts the temperature of the
ロットL2のウエハW2は、このPEBでの温度変更が完了した後に、当該PEBに搬送されるようにバッファモジュールBMにて待機されるので、この温度変更が早く行われるほど、スループットが高くなる。また、PEBを例にして説明したが、ARCB、PAB,PDBにおいても同様にロット毎にその加熱板の温度変更を行ってよい。ARCB、PABにおいてロット毎に加熱板の温度変更を行う場合は例えばキャリアCからのウエハWの搬出が制御され、PDBにおいて加熱板のロット毎に加熱板の温度変更を行う場合は例えばPEBと同様にバッファモジュールBMからのウエハWの搬出が制御される。また各モジュールの数は図15に示した数に限られない。 Since the wafer W2 of the lot L2 is waited in the buffer module BM to be transferred to the PEB after the temperature change in the PEB is completed, the earlier this temperature change is performed, the higher the throughput becomes. Further, although PEB has been described as an example, the temperature of the heating plate may be similarly changed for each lot in ARCB, PAB, and PDB. When changing the temperature of the heating plate for each lot in the ARCB and PAB, for example, the unloading of the wafer W from the carrier C is controlled, and when changing the temperature of the heating plate for each lot of the heating plate in the PDB, for example, the same as for PEB Then, the unloading of the wafer W from the buffer module BM is controlled. Further, the number of modules is not limited to the number shown in FIG.
W ウエハ
1 熱処理装置
21 加熱板
24 ヒータ
3 加熱板温調部
51 媒体供給管
61 媒体回収管
71A 加熱媒体貯留タンク
71B 冷却媒体貯留タンク
72A 媒体加熱部
72B 媒体冷却部
80 制御部
W Wafer 1
Claims (15)
基板を載置して加熱するための加熱板と、
温調媒体が供給される流路を備え、その流路を流れる温調媒体の温度に応じて前記加熱板を温調するための加熱板温調部と、
前記温調媒体を貯留する媒体貯留部と、
前記媒体貯留部から前記加熱板温調部の流路への温調媒体の供給を制御する媒体供給制御手段と、
前記媒体貯留部から前記加熱板温調部の流路に供給される温調媒体の温度を調整する媒体温調手段と、
前記媒体温調手段と媒体供給制御手段との動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、加熱板の温度を任意の温度からその温度よりも高い第1の温度に変更するために、加熱板温調部の前記流路にその第1の温度よりも高い温度に温調された温調媒体を供給する一方で、加熱板の温度を任意の温度からその温度よりも低い第2の温度に変更するために、加熱板温調部の前記流路にその第2の温度よりも低い温度に温調された温調媒体を供給するように媒体温調手段と及び供給手段の動作を制御することを特徴とする熱処理装置。 In a heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate,
A heating plate for placing and heating the substrate;
A heating plate temperature control unit for adjusting the temperature of the heating plate according to the temperature of the temperature control medium flowing through the flow channel, the flow path being supplied with a temperature control medium;
A medium storage section for storing the temperature control medium;
Medium supply control means for controlling the supply of the temperature control medium from the medium storage section to the flow path of the heating plate temperature control section;
Medium temperature adjusting means for adjusting the temperature of the temperature adjustment medium supplied from the medium storage unit to the flow path of the heating plate temperature adjustment unit;
A controller for controlling the operation of the medium temperature adjusting means and the medium supply control means,
In order to change the temperature of the heating plate from an arbitrary temperature to a first temperature higher than the temperature, the control unit warms the flow path of the heating plate temperature adjustment unit to a temperature higher than the first temperature. In order to change the temperature of the heating plate from an arbitrary temperature to a second temperature lower than that temperature while supplying the conditioned temperature adjustment medium, the second temperature is supplied to the flow path of the heating plate temperature adjustment unit. A medium temperature adjusting means and an operation of the supplying means are controlled so as to supply a temperature adjusting medium adjusted to a temperature lower than the temperature.
媒体供給制御手段は、冷却媒体循環路及び加熱媒体循環路から前記加熱板温調部の流路への温調媒体の供給の切り替えを行う供給切り替え手段を含むことを特徴とする請求項6記載の熱処理装置。 A cooling medium circulation path through which the temperature adjustment medium stored in the cooling medium storage section circulates and a heating medium circulation path through which the temperature adjustment medium stored in the heating medium storage section circulates;
The medium supply control means includes supply switching means for switching supply of the temperature adjustment medium from the cooling medium circulation path and the heating medium circulation path to the flow path of the heating plate temperature adjustment section. Heat treatment equipment.
前記通路を流通した温調媒体の加熱媒体回収路、冷却媒体回収路への供給を夫々切り替える回収切り替え手段を備えたことを特徴とする請求項6または7記載の熱処理装置。 A heating medium recovery path and a cooling medium recovery path for recovering the temperature control medium flowing through the flow path of the heating plate temperature control section are connected to the heating medium storage section and the cooling medium storage section, respectively.
8. The heat treatment apparatus according to claim 6, further comprising recovery switching means for switching the supply of the temperature control medium flowing through the passage to the heating medium recovery path and the cooling medium recovery path.
温調媒体が供給される流路を備えた加熱板温調部により、その流路を流れる温調媒体の温度に応じて温調される加熱板に基板を載置する工程と、
媒体貯留部に貯留された温調媒体を、温調媒体の供給を制御する媒体供給制御手段により前記加熱板温調部の流路に供給する工程と、
加熱板の温度を任意の温度からそれよりも高い第1の温度に変更するために、第1の温度よりも高い温度に温調された温調媒体を前記加熱板温調部の流路に供給するように、媒体温調手段により前記流路に供給される温調媒体の温度を制御する工程と、
加熱板の温度を任意の温度からそれよりも低い第2の温度に変更するために、第2の温度よりも低い温度に温調された温調媒体を前記加熱板温調部の流路に供給するように、媒体温調手段により前記流路に供給される温調媒体の温度を制御する工程と、
を備えたことを特徴とする熱処理方法。 In a heat treatment method for performing heat treatment on a substrate,
A step of placing a substrate on a heating plate that is temperature-controlled according to the temperature of the temperature control medium flowing through the flow path by a heating plate temperature control section having a flow path to which the temperature control medium is supplied;
Supplying the temperature control medium stored in the medium storage unit to the flow path of the heating plate temperature control unit by the medium supply control means for controlling the supply of the temperature control medium;
In order to change the temperature of the heating plate from an arbitrary temperature to a first temperature higher than the arbitrary temperature, a temperature adjustment medium adjusted to a temperature higher than the first temperature is supplied to the flow path of the heating plate temperature adjustment unit. Controlling the temperature of the temperature control medium supplied to the flow path by the medium temperature control means so as to supply,
In order to change the temperature of the heating plate from an arbitrary temperature to a second temperature lower than the arbitrary temperature, a temperature adjustment medium adjusted to a temperature lower than the second temperature is supplied to the flow path of the heating plate temperature adjustment unit. Controlling the temperature of the temperature control medium supplied to the flow path by the medium temperature control means so as to supply,
A heat treatment method comprising:
その温調媒体の供給停止後、前記加熱板温調手段により加熱板の温度を第1の温度、第2の温度に夫々制御する工程と、
を備えたことを特徴とする請求項12記載の熱処理方法。 Stopping the supply of the temperature control medium to the medium reservoir before the temperature of the heating plate reaches the first temperature and the second temperature, respectively;
After stopping the supply of the temperature control medium, the step of controlling the temperature of the heating plate to the first temperature and the second temperature by the heating plate temperature adjusting means,
The heat treatment method according to claim 12, comprising:
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布部と、露光後の基板を現像する現像部と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックとレジストが塗布された基板を露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスブロックと、を備えた塗布、現像装置において、
前記処理ブロックは、露光前においてレジストが塗布前またはレジスト塗布後、あるいは露光後において現像前または現像後の基板を加熱する熱処理装置を備え、
当該熱処理装置として、請求項1ないし9のいずれか一つに記載の熱処理装置を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 A carrier block into which a carrier containing a substrate is loaded;
A processing block including a coating unit that applies a resist to the surface of the substrate taken out of the carrier, and a developing unit that develops the exposed substrate.
In an application / development apparatus comprising an interface block that transfers a substrate between the processing block and an exposure apparatus that exposes a resist-coated substrate,
The processing block includes a heat treatment apparatus that heats the substrate before or after the resist is applied before or after exposure, or after the exposure, before or after development.
A coating and developing apparatus comprising the heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 9 as the heat treatment apparatus.
前記コンピュータプログラムは、請求項10ないし13のいずれか一つに記載の熱処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。 A storage medium storing a computer program used in a heat treatment apparatus for heating a substrate,
A storage medium characterized in that the computer program is for carrying out the heat treatment method according to any one of claims 10 to 13.
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011082352A (en) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | Tokyo Electron Ltd | Coating development device and coating development method |
JP2011522438A (en) * | 2008-06-03 | 2011-07-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | High-speed substrate support temperature control |
KR20120034555A (en) | 2010-10-01 | 2012-04-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Heat treatment apparatus, heat treatment method and recording medium |
KR20130135110A (en) | 2012-05-30 | 2013-12-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Heat processing apparatus, cooling method for heat processing plate, and computer storage medium |
JP2017010558A (en) * | 2015-06-23 | 2017-01-12 | アー・ファウ・エル・リスト・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | Temperature adjustment unit for gaseous or liquid medium |
JPWO2016067785A1 (en) * | 2014-10-30 | 2017-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate mounting table |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10209125A (en) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Komatsu Ltd | Controller for fluid temperature and its control method |
JP2000058520A (en) * | 1998-08-17 | 2000-02-25 | Sony Corp | Substrate mount stage, its manufacture, and treatment of substrate |
JP2000223389A (en) * | 1999-02-01 | 2000-08-11 | Miura Co Ltd | Semiconductor preheater |
JP3276553B2 (en) * | 1995-01-19 | 2002-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Processing device and processing method |
JP2003257943A (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Anelva Corp | Surface treatment device |
JP2006523379A (en) * | 2003-03-17 | 2006-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Processing system and method for processing substrates |
JP2007208022A (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Sokudo:Kk | Substrate processing apparatus and method therefor |
JP2007220741A (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Tokyo Electron Ltd | Heating treatment apparatus, heating treatment method, computer readable storage medium applicable to computer |
-
2008
- 2008-02-15 JP JP2008035082A patent/JP5003523B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3276553B2 (en) * | 1995-01-19 | 2002-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Processing device and processing method |
JPH10209125A (en) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Komatsu Ltd | Controller for fluid temperature and its control method |
JP2000058520A (en) * | 1998-08-17 | 2000-02-25 | Sony Corp | Substrate mount stage, its manufacture, and treatment of substrate |
JP2000223389A (en) * | 1999-02-01 | 2000-08-11 | Miura Co Ltd | Semiconductor preheater |
JP2003257943A (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Anelva Corp | Surface treatment device |
JP2006523379A (en) * | 2003-03-17 | 2006-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Processing system and method for processing substrates |
JP2007208022A (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Sokudo:Kk | Substrate processing apparatus and method therefor |
JP2007220741A (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Tokyo Electron Ltd | Heating treatment apparatus, heating treatment method, computer readable storage medium applicable to computer |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011522438A (en) * | 2008-06-03 | 2011-07-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | High-speed substrate support temperature control |
JP2011082352A (en) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | Tokyo Electron Ltd | Coating development device and coating development method |
US8568043B2 (en) | 2009-10-07 | 2013-10-29 | Tokyo Electron Limited | Coating and developing apparatus and coating and developing method |
KR20120034555A (en) | 2010-10-01 | 2012-04-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Heat treatment apparatus, heat treatment method and recording medium |
JP2012079940A (en) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment apparatus, heat treatment method, and storage medium |
KR101667434B1 (en) | 2010-10-01 | 2016-10-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Heat treatment apparatus, heat treatment method and recording medium |
KR20130135110A (en) | 2012-05-30 | 2013-12-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Heat processing apparatus, cooling method for heat processing plate, and computer storage medium |
JPWO2016067785A1 (en) * | 2014-10-30 | 2017-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate mounting table |
JP2017010558A (en) * | 2015-06-23 | 2017-01-12 | アー・ファウ・エル・リスト・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | Temperature adjustment unit for gaseous or liquid medium |
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Publication number | Publication date |
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