KR20120033435A - 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법 - Google Patents

고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 기판상에 희생층을 형성하고, 상기 희생층의 상부에 확산 장벽층을 포함하는 태양전지 구조체를 형성하는 단계와, 상기 태양전지 구조체상에 지지막을 형성하는 단계와, 상기 희생층을 선택적으로 식각하여 상기 기판으로부터 태양전지 구조체와 지지막을 분리하는 단계 및 상기 태양전지 구조체를 이종 연성 호스트 기판에 접합시키고 상기 지지막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 고온 제조공정에서 얇은 박막의 GaAs 확산장벽 절연막이 CIGS(Cu (In, Ga, Al)(Se, S)) 흡수층과 하부전극 몰리브덴층과 최적의 열팽창계수 조건을 가지므로 불순물 확산을 방지할 수 있고, CIGS층의 열팽창계수 차이에 의한 하부전극 크랙킹 및 CIGS층의 박리현상을 방지할 수 있어 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 기판을 재사용할 수 있는 ELO(epitaxial lift off) 방법과 이종 기판 접합기술에 의해서 제작비용 절감과 유연성을 가지는 고효율의 연성 박막태양전지를 제조할 수 있다.

Description

고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법 {Method for fabricating high efficiency flexible compound semiconductor thin film solar cell with chalcopyrite system}
본 발명은 고효율 연성 (flexible) 캘코파이럿계 (chalcopyrite system) 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이종 기판 접합 기술(heterogeneous integration technology)을 이용하고, 우수한 열팽창계수 선택성을 갖는 2원소 화합물 반도체 GaAs 박막을 확산 장벽 및 절연막으로 사용한 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법에 관한 것이다.
CIGS(Cu(In,Ga,Al)(Se,S))로 대표되는 I-III-VI2족 캘코파이럿계 화합물 반도체는 직접천이형 에너지 밴드갭을 가지고 있고, 광흡수계수가 1×105 cm-1로 반도체 중에서 가장 높아 두께 1 ~ 2 마이크로미터 박막으로도 고효율 태양전지의 제조가 가능하고, 장기적으로 전기광학적 안정성과 내방사선성(radiation hardness)이 매우 우수한 특성을 지니고 있어 지상 전원뿐만 아니라 우주용 태양전지 응용으로도 전도유망하다.
상기 화합물 반도체 태양전지에 있어서 기대되는 응용중의 하나인 BIPV(건물통합형 태양광발전, building integrated photovoltaics)는 고효율 연성 CIGS 박막태양전지를 필요로 하고 있으며, 따라서 티타늄, 몰리브덴과 같은 연성 메탈 시트, 저렴한 stainless steel foil, 폴리이미드(polyimide)와 같은 연성 재질을 사용한 고효율 CIGS 박막태양전지 등에 대한 연구가 진행 중에 있다.
그러나, 티타늄, 몰리브덴 등과 같은 연성 메탈 시트는 효율 개선에는 유리하지만 가격 경쟁력에서 문제점을 가지고 있고, 저렴한 stainless steel foil과 같은 경우는 고온 열처리 과정 중에 CIGS 박막태양전지의 효율저하요인이 되는 Fe, Ni, Cr과 같은 기판 성분들의 확산이 문제점으로 지적되고 있어 불순물 확산을 억제할 수 있는 확산 방지막을 필수적으로 형성시켜줘야 하는 복잡한 문제점이 있다. 또한, 고분자 소재인 폴리이미드 또한 열적 안정성이 낮고 열팽창계수가 높아 고효율이 필요한 고온 제조방법에는 여전히 한계를 안고 있는 문제점이 있다.
고가의 진공 증착기법으로 확산 장벽을 형성한 low carbon steel을 기반으로 제작된 CIGS 박막태양전지 모듈의 효율성능이 16%정도로 연성기판을 사용한 CIGS 박막태양전지에서는 세계 최고 수준의 모듈성능을 보이고 있으며 최근에는 대기압에서 확산 장벽 형성이 가능하게 됨으로서 저제작비용과 더불어 개선된 효율을 가지는 연성 CIGS 박막태양전지 제작이 가능하게 되었다.
하지만, 여전히 하부전극의 크랙킹을 비롯한 CIGS층의 박리 문제 등이 지속적으로 발생하고 있으며, 소다라임 유리 기판위에 제작된 CIGS 박막태양전지 효율성능(20.7%)에는 미치지 못하는 문제점이 있다.
따라서, CIGS층 박리의 주원인이 되는 열팽창계수의 조건 및 불순물 확산을 방지 할 수 있는 고체기판과 유연성을 요구하는 응용성이 절충된 연성 CIGS 박막태양전지의 제조방법이 필요한 실정이다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 첫 번째 과제는 CIGS 박막태양전지의 효율을 향상시키고 CIGS층의 박리현상 및 하부전극의 크랙킹을 방지할 수 있으며 제조 공정 효율이 향상된 고효율 연성 CIGS 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 두 번째 과제는 CIGS층의 박리현상 및 하부전극의 크랙킹 현상을 방지할 수 있는 고효율 연성 CIGS 화합물 반도체 박막태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 첫 번째 과제를 달성하기 위하여,
기판상에 희생층을 형성하고, 상기 희생층의 상부에 확산 장벽 절연막층을 포함하는 태양전지 구조체를 형성하는 단계와, 상기 태양전지 구조체상에 지지막을 형성하는 단계와, 상기 희생층을 선택적으로 식각하여 상기 기판으로부터 태양전지 구조체와 지지막을 분리하는 단계 및 상기 태양전지 구조체를 이종 연성 호스트 기판에 접합시키고 상기 지지막을 제거하는 단계를 포함하는 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 태양전지 구조체는 상기 확산 장벽 절연막층상에 하부 전극용 몰리브덴층, CIGS(Cu(In, Ga, Al)(Se, S)) 흡수층, CdS 버퍼층, 도핑되지 않은 ZnO 윈도우층, n-형으로 도핑된 ZnO 윈도우층, 무반사층 및 상부전극용 니켈 및 알루미늄층 순으로 적층될 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 CIGS(Cu(In, Ga, Al)(Se, S)) 흡수층은 1.04 ~ 3.49 eV의 밴드갭을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 희생층은 알루미늄이 함유된 AlXGa1-XAs 3원소 화합물이고, 0.8 ≤ X < 1 일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 확산 장벽 절연막층은 2원소 화합물 반도체 GaAs로 이루어지는 박막층일 수 있고, 그 박막층의 두께는 150 ~ 1000 ㎚일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 2원소 화합물 반도체 GaAs로 이루어지는 박막은 온도가 300K ~ 1000K에서 열팽창계수가 변동율 2% 이내에서 6×10-6/K일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 지지막은 폴리머층 및 상기 폴리머층상에 형성되는 지지층으로 이루어지고, 상기 폴리머층은 폴리디메틸글루타리미드 물질로 이루어지며, 상기 지지층은 1 ~ 10 ㎛ 두께인 고무 또는 비스아자이드일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 기판은 2원소 화합물 반도체 GaAs로 이루어지고, 상기 기판으로부터 태양전지 구조체와 지지막을 분리하는 단계는 절연막제거(ELO, epitaxial lift-off)방법에 의해서 태양전지 구조체와 지지막을 분리하며, 분리 후 기판을 재사용할 수 있다.
본 발명은 상기 두 번째 과제를 달성하기 위하여,
2원소 화합물 반도체 GaAs로 이루어지는 두께 150 ~ 1000 ㎚의 박막층으로 이루어지는 확산장벽 절연막층, 상기 확산장벽층상에 증착된 하부 전극용 몰리브덴층, 상기 몰리브덴층상에 증착된 1.04 ~ 3.49 eV의 밴드갭을 가지는 CIGS(Cu(In, Ga, Al)(Se, S)) 흡수층, 상기 CIGS 흡수층상에 증착된 CdS 버퍼층, 상기 CdS 버퍼층상에 증착된 도핑되지 않은 ZnO 윈도우층, 상기 ZnO 윈도우층상에 증착된 n-형으로 도핑된 ZnO 윈도우층, 상기 n-형으로 도핑된 ZnO 윈도우층상에 증착된 무반사층 및 상기 무반사층상에 증착된 상부전극용 니켈 및 알루미늄층 순으로 적층된 것을 특징으로 하는 태양전지 구조체를 포함하여 구성되는 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지를 제공한다.
본 발명에 따르면 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 고온 제조공정에서 얇은 박막의 GaAs 확산장벽 절연막이 CIGS(Cu (In, Ga, Al)(Se, S)) 흡수층과 하부전극 몰리브덴층과 최적의 열팽창계수 조건을 가지므로 불순물 확산을 방지할 수 있고, CIGS층의 열팽창계수 차이에 의한 하부전극 크랙킹 및 CIGS층의 박리현상을 방지할 수 있어 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 기판을 재사용할 수 있는 ELO(epitaxial lift off) 방법과 이종 기판 접합기술에 의해서 제작비용 절감과 유연성을 가지는 고효율의 연성 박막태양전지를 제조할 수 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 연성 CIGS 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법을 단면도로 나타낸 공정 개념도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 연성 CIGS 화합물 반도체 박막태양전지의 제조에 사용되는 박막태양전지 구조를 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법을 상세하게 설명한다. 우선, 도면들 중 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 나타내고 있음에 유의해야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하게 하지 않기 위해 생략한다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 연성 CIGS 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법을 단면도로 나타낸 공정 개념도이다.
먼저, 도 1에서 보는 바와 같이 기판(100)은 다양한 화합물 반도체 물질로 이루어질 수 있고, 상대적으로 대면적 및 저비용제작에 유리한 GaAs로 이루어질 수 있다.
상기 희생층(110)을 기판(100)상에 형성한다. 희생층(110)은 알루미늄(Al)이 함유된 3원소 화합물일 수 있으며, 바람직하게는 상기 희생층(110)은 AlxGa1 - xAs(0.8 ≤ X < 1)로 이루어질 수 있다. 이후 희생층을 식각하는 단계에서 식각 용액으로 사용되는 DI워터(deionized water)에 HF(hydrofluoric acid)가 희석된 용액이 알루미늄(Al)을 효과적으로 식각할 수 있기 때문에 상기 희생층(110)의 선택적 식각을 위하여는 알루미늄(Al)의 함량이 높은 물질을 이용하여 선택적 식각이 가능하도록 희생층(110)을 형성할 수 있다.
상기 희생층(110)을 형성한 후, 상기 희생층(110)상에 확산 장벽 절연막층(210)층을 형성한다. 상기 확산 장벽 절연막층은 2원소 화합물 반도체 GaAs로 이루어지는 박막층인 것을 특징으로 하고, 상기 2원소 화합물 반도체 GaAs로 이루어지는 박막은 온도가 300K ~ 1000K에서 열팽창계수가 변동율 2% 이내에서 6×10-6/K(5.88 ~ 6.12×10-6/K)인 것을 특징으로 한다. 즉, 열팽창 계수의 수치는 6×10-6/K로 변동이 거의 없으며, 매우 낮음을 알 수 있다.
상기 확산 장벽 절연막층(210)은 600℃ 이상의 고온 공정에서 열팽창계수가 매우 낮고, 하부전극용 몰리브덴층(221) 및 CIGS 흡수층(222)과 열팽창계수가 최적의 조건을 이루기 때문에 열팽창계수 차이에 의한 CIGS 흡수층의 박리현상을 방지할 수 있으며, 상기 GaAs 박막인 확산 장벽 절연막층(210)은 불순물 확산 방지 및 절연층으로서의 역할도 할 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 GaAs 박막인 확산 장벽 절연막층(210)은 박막 분리 과정 중에 HF 용액에 의해서 의도하지 않은 식각으로 인한 박막태양전지 변형을 방지하는 역할을 하고, 두께는 저비용제작을 위해 150 ~ 1000 ㎚인 것을 특징으로 한다.
다음으로, 상기 확산 장벽 절연막층(210)상에 태양전지 구조체를 형성할 수 있다. 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 연성 CIGS 화합물 반도체 박막태양전지의 제조에 사용되는 박막태양전지 구조체를 나타낸 단면도이다.
상기 박막 형태의 태양전지 구조체(200)는 도 6에 도시되어 있는 바와 같고 이에 대해서 상세히 설명하면, 상기 GaAs 박막 확산 장벽 절연막층(210)상에 하부전극용 몰리브덴층(221)을 형성하고 상기 하부전극용 몰리브덴층(221)상에 CIGS(Cu(In,Ga,Al)(Se,S))흡수층(222), CdS 버퍼층(223), 도핑이 되지 않은 ZnO 윈도우층(224), n-type으로 도핑된 ZnO 윈도우층(225), 그리고 무반사층(226)과 상부전극용 니켈 및 알루미늄층(227)순으로 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 CIGS(Cu(In, Ga, Al)(Se, S)) 흡수층은 1.04 ~ 3.49 eV의 밴드갭을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 태양전지 구조체(200)를 형성한 후에 도 2에서 보는 바와 같이, 상기 태양전지 구조체(200)를 지지하고, 상기 태양전지 구조체(200)의 박막 분리 과정에서 발생할 수 있는 변형에 의한 태양전지 구조체(200)의 손상을 방지하기 위한 지지막(300)을 상기 태양전지 구조체(200)상에 형성할 수 있다.
상기 지지막(300)은 폴리머층(310) 및 상기 폴리머층(310) 상에 형성된 지지층(320) 구조로 이루어질 수 있다.
상기 폴리머층(310)은 상기 태양전지 구조체(200)의 표면과 점착이 용이한 폴리디메틸글루타리미드(Polydimethylglutarimide)와 같은 점착성을 용이하게 하는 소재로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 지지층(320)은 분리된 태양전지 구조체(200)를 지탱 또는 지지할 수 있도록 1 ~ 10 ㎛ 두께로 형성된 고무(rubber) 및 비스아자이드(bisazide) 중 선택되는 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 태양전지 구조체(200)상에 지지막(300)을 형성한 후 도 3에서 보는 바와 같이 상기 희생층(110)을 식각하여 상기 태양전지 구조체(200)를 기판(100)으로부터 분리한다.
이를 보다 상세히 설명하면, 우선, DI워터(deionized water)에 HF (hydrofluoric acid)가 12.5wt%로 희석된 용액을 이용하여 상기 희생층(110)을 선택적으로 식각하여 상기 태양전지 구조체(200)를 분리할 수 있다. 한편, 상기 DI 워터에 HF가 희석된 용액을 이용하여 상기 희생층(110)을 식각하는 것을 바람직한 실시예로 설명하였으나, 본 발명의 범위를 이에 한정하지 아니하고, 상기 희생층(110)을 선택적으로 식각할 수 있는 용액을 사용하여 희생층(110)을 식각할 수 있다.
상기 태양전지 구조체(200)가 분리되면, 상기 기판(100)은 태양전지 구조체(200)의 제조에 재사용할 수 있는 것을 특징으로 한다.
상기 기판은 2원소 화합물 반도체 GaAs로 이루어지고, 상기 기판으로부터 태양전지 구조체와 지지막을 분리하는 단계는 절연막제거(ELO, epitaxial lift-off)방법에 의해서 태양전지 구조체와 지지막을 분리하며, 분리 후 기판을 재사용하는 것을 특징으로 한다.
그 다음으로, 상기 태양전지 구조체(200)를 분리한 후 상기 태양전지 구조체(200)에 잔류하는 희생층(110) 물질의 제거와 태양전지 구조체(200)의 세척을 위하여 DI 워터(deionized water)에 상기 태양전지 구조체(200)를 디핑(dipping)시킬 수 있다.
상기 태양전지 구조체(200)를 DI 워터에 디핑시키면 상기 태양전지 구조체(200) 표면에 잔류하는 일부 희생층(110)물질이 제거되며, 상기 태양전지 구조체(200)의 표면 세척이 이루어진다.
이후, 상기 태양전지 구조체(200)를 분리한 후 도 4에서 보는 바와 같이, 상기 태양전지 구조체(200)를 임의의 이종 연성 호스트 기판(500)과 접합시킨다.
이때, 상기 태양전지 구조체(200)의 표면은 상기 DI 워터가 도포되어 있으며, 상기 이종 연성 호스트 기판(500) 표면을 플라즈마 처리를 통하여 친수성의 성질을 띄게 할 수 있으므로, 상기 태양전지 구조체(200)를 호스트 기판(500)에 반데르 발스 힘(Van der Waals force)을 사용해 접합시킬 수 있다.
마지막으로, 상기 태양전지 구조체(200)를 임의의 이종 연성 호스트 기판(500)에 접합시킨 후 도 5에서 보는 바와 같이, 상기 태양전지 구조체(200) 주변에 잔류하는 DI 워터를 증발시키고, 상기 폴리머층 및 지지층으로 이루어진 지지막(300)을 제거하여 이종의 연성 호스트 기판(500)에 접합된 화합물 반도체 태양전지를 제조할 수 있다.
상기 호스트 기판(500)은 상기 태양전지 구조체(200) 형성을 위한 초기 기판과는 다른 소재로, 실리콘, 세라믹, 플라스틱 또는 유연성이 있는 소재로 이루어질 수 있다. 한편, 본 발명에 따른 상기 호스트 기판(500)의 소재를 본 발명의 바람직한 실시예로 설명하였으나, 그 재질을 한정하는 것은 아니며, 상기 기판(100)과 재질이 다르면 충분할 것이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 연성 CIGS 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법에 따라 제조된 태양전지는 임의의 연성 호스트 기판(500) 상에 배치된 태양전지 구조체(200)를 구비하는 것을 특징으로 한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 연성 CIGS 화합물 반도체 박막태양전지의 제조에 사용되는 박막태양전지 구조를 나타낸 단면도이다.
도 6에서 보는 바와 같이 본 발명에 따른 효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지 구조는 2원소 화합물 반도체 GaAs로 이루어지는 두께 150 ~ 1000 ㎚의 박막층으로 이루어지는 확산장벽 절연막층, 상기 확산장벽층상에 증착된 하부 전극용 몰리브덴층, 상기 몰리브덴층상에 증착된 1.04 ~ 3.49 eV의 밴드갭을 가지는 CIGS(Cu(In, Ga, Al)(Se, S)) 흡수층, 상기 CIGS 흡수층상에 증착된 CdS 버퍼층, 상기 CdS 버퍼층상에 증착된 도핑되지 않은 ZnO 윈도우층, 상기 ZnO 윈도우층상에 증착된 n-형으로 도핑된 ZnO 윈도우층, 상기 n-형으로 도핑된 ZnO 윈도우층상에 증착된 무반사층 및 상기 무반사층상에 증착된 상부전극용 니켈 및 알루미늄층 순으로 적층된 것을 특징으로 하는 태양전지 구조체를 포함하여 구성된다.
이상과 같이 본 발명에 따른 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지 및 그 제조방법에 대해서 실시예를 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 이는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상 범위 내에서 당업자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있다.
100 : 기판 110 : 희생층
200 : 태양 전지 구조체 210 : 확산 장벽 절연막층
220 : CIGS 박막태양전지 221 : 하부전극용 몰리브덴층
22 : CIGS 흡수층 223 : CdS 버퍼층
224 : 도핑되지 않은 ZnO 윈도우층 225 : n-형 ZnO 윈도우층
226 : 무반사층 227 : 상부전극용 니켈 및 알루미늄층
300 : 지지막 310 : 폴리머층
320 : 지지층 500 : 호스트 기판

Claims (8)

  1. 기판상에 희생층을 형성하고, 상기 희생층의 상부에 확산 장벽 절연막층을 포함하는 태양전지 구조체를 형성하는 단계;
    상기 태양전지 구조체상에 지지막을 형성하는 단계;
    상기 희생층을 선택적으로 식각하여 상기 기판으로부터 태양전지 구조체와 지지막을 분리하는 단계; 및
    상기 태양전지 구조체를 이종 연성 호스트 기판에 접합시키고 상기 지지막을 제거하는 단계를 포함하는 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 태양전지 구조체는 상기 확산 장벽 절연막층상에 하부 전극용 몰리브덴층, CIGS(Cu(In, Ga, Al)(Se, S)) 흡수층, CdS 버퍼층, 도핑되지 않은 ZnO 윈도우층, n-형으로 도핑된 ZnO 윈도우층, 무반사층 및 상부전극용 니켈 및 알루미늄층 순으로 적층된 것을 특징으로 하는 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 CIGS(Cu(In, Ga, Al)(Se, S)) 흡수층은 1.04 ~ 3.49 eV의 밴드갭을 가지는 것을 특징으로 하는 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 희생층은 알루미늄이 함유된 AlXGa1 - XAs 3원소 화합물이고, 0.8 ≤ X < 1 인 것을 특징으로 하는 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 확산 장벽 절연막층은 2원소 화합물 반도체 GaAs로 이루어지는 박막층인 것을 특징으로 하고, 그 두께는 150 ~ 1000 ㎚인 것을 특징으로 하는 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 2원소 화합물 반도체 GaAs로 이루어지는 박막은 온도가 300K ~ 1000K에서 열팽창계수가 5.88×10-6/K ~ 6.12×10-6/K인 것을 특징으로 하는 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지막은 폴리머층 및 상기 폴리머층상에 형성되는 지지층으로 이루어지고, 상기 폴리머층은 폴리디메틸글루타리미드 물질로 이루어지며, 상기 지지층은 1 ~ 10 ㎛ 두께인 고무 또는 비스아자이드인 것을 특징으로 하는 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법.
  8. 2원소 화합물 반도체 GaAs로 이루어지는 두께 150 ~ 1000 ㎚의 박막층으로 이루어지는 확산장벽 절연막층;
    상기 확산장벽층상에 증착된 하부 전극용 몰리브덴층;
    상기 몰리브덴층상에 증착된 1.04 ~ 3.49 eV의 밴드갭을 가지는 CIGS(Cu(In, Ga, Al)(Se, S)) 흡수층;
    상기 CIGS 흡수층상에 증착된 CdS 버퍼층;
    상기 CdS 버퍼층상에 증착된 도핑되지 않은 ZnO 윈도우층;
    상기 ZnO 윈도우층상에 증착된 n-형으로 도핑된 ZnO 윈도우층;
    상기 n-형으로 도핑된 ZnO 윈도우층상에 증착된 무반사층; 및
    상기 무반사층상에 증착된 상부전극용 니켈 및 알루미늄층 순으로 적층된 것을 특징으로 하는 태양전지 구조체를 포함하여 구성되는 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지.
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