KR20120033148A - 레이저를 이용한 그래핀 패턴화 방법 - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 182
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 169
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-YPZZEJLDSA-N carbon-10 atom Chemical compound [10C] OKTJSMMVPCPJKN-YPZZEJLDSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/194—After-treatment
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
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- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/121—Coherent waves, e.g. laser beams
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/0061—Methods for manipulating nanostructures
- B82B3/0076—Methods for manipulating nanostructures not provided for in groups B82B3/0066 - B82B3/0071
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/2633—Bombardment with radiation with high-energy radiation for etching, e.g. sputteretching
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2204/00—Structure or properties of graphene
- C01B2204/02—Single layer graphene
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2204/00—Structure or properties of graphene
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
본 발명은 그래핀 산화물의 적어도 일면 상에 레이저를 조사하여 그래핀 산화물의 화원 및 패턴화를 수행하는 공정을 포함하는 패턴화 방법, 상기 방법을 통해 제조된 패턴화된 그래핀 및 그래핀 소자를 제공하며, 상기 패턴화 방법은 그래핀 산화물의 불완전 환원을 유발하지 않으면서, 그래핀에 대한 나노 패턴화를 동시에 수행할 수 있다.
Description
본 발명은 레이저를 이용한 그래핀의 패턴화 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 그래핀 산화물 상에 레이저를 조사하여 그래핀으로의 환원 및 패턴화를 동시에 수행하는 방법에 관한 것이다.
그래핀(Graphene)이란 흑연을 의미하는 그라파이트(graphite)와 탄소(carbon)의 이중결합을 가진 분자를 뜻하는 접미사 -ene을 결합해서 만든 용어로서 육각형의 결자를 가진 탄소의 2차원적인 동소체를 의미한다. 그래핀의 무한한 평면은 원자가띠와 전도띠가 만나는 전자가 없는 에너지 영역을 보인다. 그래핀의 성질을 보다 구체적으로 살펴보면 아래와 같다.
먼저, 그래핀은 물리적 강도가 우수하며, 구체적으로는 강철의 200 배 이상인 1,100 GPa로 알려져 있다. 이러한 우수한 물리적 강도는 단단한 탄소결합이 있고 단층에 결합이 존재할 수 없기 때문이다.
그래핀은 실온에서 약 500 W/mK의 우수한 열 전도성이 있는 것으로 알려져 있다. 그래핀의 열 전도성은 탄소나노 튜브보다 50% 이상 높으며, 구리나 알루미늄 같은 금속보다는 10배 정도 큰 수치를 나타낸다. 이러한 그래핀의 우수한 열 전도성은 원자진동을 쉽게 전달할 수 있기 때문이이며, 전자의 긴 평균자유행로에도 영향을 주게 된다.
그래핀은 빠른 전자이동도와 전자의 긴 평균자유행로를 갖는다. 예를 들어, 상온에서 그래핀의 최대 전자이동도는 200,000 cm2/V s이다. 이러한 그래핀의 전자이동도는 전자가 움직임을 저해하는 산란의 정도가 매우 작기 때문이며, 이로 인해 긴 평균자유행로를 갖는다. 따라서, 저항이 낮은 것으로 알려진 구리와 비교하여, 35 % 이상 낮은 저항값을 갖는다.
그래핀의 빠른 전자이동도를 이용하면 양자 홀 효과를 관찰할 수 있다. 양자 홀 효과란, 조건과 물질에 관계없이 홀 저항이 일정한 값을 가지게 되는 현상을 의미한다. 일반적으로 양자 홀 효과는 정수나 분수의 형태로 나타나지만, 그래핀은 란다우 준위가 특이하게 형성되기 때문에 반정수 (n+1/2) 계단 형태로 나타난다. 이러한 반정수적인 양자 현상은 극저온이나 고자기장과 같은 상황에서 관측되지만, 그래핀의 경우에는 낮은 자기장과 상온에서도 관측이 가능하다는 특징이 있다.
또한, 그래핀은 뛰어난 유연성을 가지며, 매우 얇은 두께로 성형 가능하다. 예를 들어, 그래핀의 경우에는 10 % 이상 면적을 늘리거나 접어도 전기전도성을 잃지 않는다. 이러한 유연성으로 인하여 그래핀을 휘게하여 플러린과 같은 공모양의 물질이나 탄소나노튜브 등을 만들어 낼 수도 있고 플렉서블 디스플레이의 투명 전극으로도 활용이 가능하다.
그래핀을 형성하는 방법은, 특별한 제한은 없으나, 기계적 박리법, 화학적 박리법, 화학증기 증착법, 에피택시 합성법 또는 유기 합성법 등이 알려져 있다. 이 중에서, 흑연 파우더를 산화시킨 후 다시 그래핀으로 환원시키는 화학적 박리법이, 대량 생산 측면에서 유리하고 다른 물질과의 복합체 형성을 통해 매우 다양한 용도로 사용될 수 있는 장점이 있다. 하지만, 화학적 박리법의 경우에도, 그래핀 산화물이 완전히 환원되지 못하고 결함을 많이 남기기 때문에 전기적 성질이 저하될 수 있으며, 그래핀 소자 제작을 위해서는 나노 패턴화가 필요하다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점과 과거로부터 요청되어온 기술적 과제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
본 출원의 발명자들은, 그래핀 산화물에 레이저를 조사함으로써, 소자 성능을 저하시키는 그래핀 산화물의 불완전 환원을 유발하지 않으면서, 그래핀에 대한 나노 패턴화를 동시에 수행할 수 있음을 확인하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 공정효율이 우수한 그래핀의 패턴화 방법, 이를 이용하여 제조된 패턴화된 그래핀 및 그래핀 소자를 제공하는 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 그래핀의 패턴화 방법은, 그래핀 산화물의 적어도 일면 상에 레이저를 조사하여 그래핀 산화물의 패턴화를 수행하는 공정을 포함한다. 또한, 본 발명은 상기 패턴화 방법을 통해 형성된 패턴화된 그래핀 및 그래핀 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 그래핀의 패턴화 방법은, 레이저를 이용하여 그래핀 산화물에 열을 가함으로써 레이저가 조사된 영역만 -O-, -OH 또는 -COOH 작용기가 제거되면서 그래핀으로 환원된다. 레이저가 조사된 영역만 그래핀으로 환원되기 때문에 그래핀 환원 및 패턴화의 두 가지 공정을 한번에 수행할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 레이저가 조사되는 부위의 그래핀 산화물의 온도는 100 내지 500℃, 보다 구체적으로는 150 내지 250℃ 범위일 수 있다. 상기 범위보다 온도가 낮은 경우에는 충분한 환원이 일어나지 못하게 되고, 반대로 상기 범위보다 온도가 높은 경우에는 열에너지가 과도하게 공급되어 표면에 손상이 가해질 수 있다.
레이저의 조사 에너지, 펄스 및 빔 직경 등은, 특별히 제한되지 않으며, 그래핀 산화물의 두께, 상태 및 패턴의 형상 등에 따라 달라질 수 있다. 일실시예에서, 조사되는 레이저의 에너지는 300 내지 500 mJ 범위일 수 있다. 레이저의 에너지가 상기 범위보다 낮은 경우에는 반응온도가 낮아져 충분한 환원이 일어나지 못하게 되며, 반대로 상기 범위보다 에너지가 높은 경우에는 그래핀 산화물의 표면이 손상될 수 있다.
상기 그래핀의 패턴화 방법은 기판 상에 그래핀 산화물층을 형성하는 공정을 더 포함할 수 있다. 상기 기판의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 실리콘(Si), 실리카(SiO2), 유리 및 그래핀 산화물 종이로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 단층 또는 복층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판은 실리콘(Si) 기판이거나, 실리카(SiO2)와 실리콘(Si)의 복층 구조(SiO2/Si)일 수 있다.
그래핀 산화물을 제조하는 공정은 특별히 제한되지 않는다. 일실시예에서, 상기 그래핀 산화물층은, 흑연 파우더를 산화시켜 제조할 수 있다. 예를 들어, 흑연 파우더에 황산과 같은 산을 첨가하여 산화시킨 후, 열처리 과정을 통해 그래핀 산화물층을 형성할 수 있다. 또 다른 일실시예에서, 상기 그래핀 산화물층은, 열 증착 과정을 통해 그래핀을 형성한 후, 표면 처리 과정을 거쳐 그래핀 산화물을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제조된 그래핀의 표면에 UV-오존 처리 또는 O2 플라즈마 처리를 통해 그래핀 산화물을 형성할 수 있다. 형성된 그래핀 산화물에 레이저를 조사함으로써, 조사된 부위에 대한 환원 및 패턴화를 동시에 수행하게 된다.
본 발명은 또한, 패턴화를 위해 레이저를 인가하기 전에 그래핀 산화물을 보호하기 위한 보호층을 형성하는 공정을 더 포함할 수 있다.
일실시예에서, 그래핀의 패턴화 방법은,
그래핀 산화물의 적어도 일면 상에 보호층을 형성하는 공정; 및
보호층이 형성된 그래핀 산화물 상에 레이저를 조사하여 패턴을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
패턴화를 위해서 레이저를 조사하는 과정에서, 레이저에 의해 그래핀 산화물의 표면이 손상을 받을 가능성이 있다. 레이저 조사에 의해 발생하는 순간 온도가 매우 높기 때문에, 이러한 고온에서 그래핀 산화물의 표면에 열화 등에 의한 손상이 발생될 수 있다. 이와 같은, 레이저 조사에 의한 표면 손상을 방지하기 위해서 그래핀 산화물 상에 보호층을 형성할 수 있다. 상기 보호층은, 레이저에 의한 표면 손상을 방지할 수 있다면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 유리 및 물로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 단층 또는 복층 구조일 수 있다. 그래핀 산화물의 표면에 유리를 비롯한 보호층을 형성한 후 레이저를 조사하게 되면, 레이저가 그래핀 산화물로 직접 전사되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 레이저에 의해 발생되는 순간 온도는 1000℃ 이상으로 인가될 수 있으므로, 보호층에 의한 열전달 감소로 인해 그래핀 산화물의 표면 패턴화가 저해되지는 않는다.
상기 보호층은 유리 기판일 수 있으며, 보다 구체적으로는 유리 기판상에 산화물층이 형성된 구조일 수 있다. 일실시예에서, 유리기판 상에 형성된 산화물은 실리콘산화물, 갈륨산화물 및 마그네슘산화물로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상일 수 있다.
또한, 상기 보호층의 두께는 10 nm ~ 1000 nm 범위일 수 있다. 이는 사용되는 레이저의 종류, 강도, 펄스 타임, 그래핀 산화물의 두께 및 패턴의 범위와 깊이 등의 오인에 의해 달라질 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층의 두께가 상기 범위 미만인 경우에는 보호층 형성으로 인한 표면 손상 방지 효과가 미미하고, 보호층의 두께가 상기 범위를 초과하는 경우에는 열전달이 지나치게 감소될 수 있으며 상대적으로 고출력의 레이저가 요구된다.
본 발명에 의한 그래핀의 패턴화 방법은, 레이저를 조사하여 패턴을 형성하는 공정 이후에, 보호층을 제거하는 공정을 더 포함할 수 있다. 상기 보호층은 패턴화된 그래핀 시트의 용도에 따라, 레이저 조사후에 제거될 수 있으며, 경우에 따라서는 보호층을 제거하지 않고 이를 포함하는 소자 형태로 구성할 수도 있다.
상기 레이저의 조사 조건은, 레이저의 종류, 강도, 펄스 타임, 그래핀 산화물의 두께 및 패턴의 범위와 깊이 등의 오인에 의해 달라질 수 있다. 예를 들어, 레이저가 조사되는 부위의 그래핀 산화물 온도는 100 내지 500℃, 보다 구체적으로는 150 내지 250℃ 범위일 수 있다. 상기 범위보다 온도가 낮은 경우에는 충분한 환원이 일어나지 못하게 되고, 반대로 상기 범위보다 온도가 높은 경우에는 열에너지가 과도하게 공급되어 표면에 손상이 가해질 수 있다.
또한, 본 발명은 앞서 설명된 방법으로 패턴화된 그래핀 시트 및 이를 포함하는 그래핀 소자를 제공한다. 일반적으로, 그래핀 산화물의 열을 이용한 환원은 100 ~ 250℃ 범위의 온도에서 일어난다고 알려져 있으며, 완전한 환원을 위해서는 450℃ 이상의 열이 가해져야 한다. 일실시예에서, 본 발명에 따른 패턴화 방법으로 제조된 그래핀 시트는, 그래핀의 밴드갭을 조절하여 그래핀 소자의 형태로 사용될 수 있으며, 이를 위해서, 100 ~ 250℃ 또는 150 ~ 250℃의 열을 이용하면 될 것이다. 레이저 조사에 의한 온도는, 사용되는 레이저의 종류, 강도, 펄스 타임, 그래핀 산화물의 두께 및 패턴의 범위와 깊이 등의 요인에 의해 달라질 수 있다. 그러나, 일반적으로 레이저에 의해 발생되는 순간 온도가 1000℃ 이상으로 상승될 수 있으므로, 상기 범위의 열을 인가하는 데에는 문제가 없다.
본 발명에 따른 패턴화된 그래핀의 균질성 여부는 라만 스펙트럼, 특히 D밴드를 통해서 확인할 수 있다. 라만 스펙트럼 분석에서, D밴드는 그래핀 상에 흠결이 존재한다는 것을 의미하며, D밴드의 피크 강도가 높은 경우에는 흠결이 다량으로 존재하는 것을 의미한다. 일실시예에서, 본 발명에 따른 패턴화된 그래핀은 라만 스펙트럼 측정시, D밴드/G밴드의 피크비는 0.5 내지 2의 값을 갖는다.
또 다른 일실시예에서, 패턴의 선폭은 50 nm 내지 10 mm 범위일 수 있다. 그래핀 패턴의 선폭은 조사되는 레이저 빔의 사이즈(size)에 따라 결정될 수 있다. 이러한 패턴 폭을 갖는 그래핀은 나노 패턴화가 가능하다는 장점이 있다. 또 다른 일실시예에서, 패턴의 밴드갭은 1 내지 100 meV 범위일 수 있다.
본 발명은 앞서 설명된 패턴화된 그래핀을 포함하는 그래핀 소자를 제공한다. 예를 들어, 레이저 조사를 통해 환원된 그래핀 영역에 전극을 형성하여 가스 센서, 바이오 센서 또는 중금속 검출 센서 등의 형태로 활용 가능하다.
도 7에는 본 발명의 실시예에 따른 중금속 검출 센서를 모식적으로 나타내었다. 도 7을 참조하면, 실리카층(SiO2)과 실리콘층(Si)으로 이루어진 복층 구조의 기판 상에 패턴화된 그래핀층(200)이 적층되어 있다. 그래핀층(200)의 일측에는 전극(300)이 형성되어 있다. 또한, 그래핀층(200) 위에는 금 나노입자(310)가 분산되어 있으며, 금 나노입자(310)는 TMT(320)를 통해 중금속 이온(330)과 결합되어 중금속의 존재여부를 검출하게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 그래핀의 패턴화 방법은, 그래핀 산화물의 불완전 환원을 유발하지 않으면서, 그래핀에 대한 나노 패턴화를 동시에 수행할 수 있다. 또한, 공정 효율이 우수하다는 장점이 있다.
도 1은 레이저 조사에 의해 그래핀 산화물(graphene oxide)이 그래핀(graphene)으로 환원과정을 도시한 모식도이다;
도 2는 레이저를 이용하여 패턴화된 그래핀의 표면을 나타낸 모식도이다;
도 3은 레이저 조사에 의해 패턴화된 그래핀 산화물에 대한 원자현미경(atomic force microscope)를 이용하여 관찰한 결과이다;
도 4는 그래핀 산화물의 레이저가 조사된 영역에 대한 마이크로-라만(micro-Raman) 스펙트럼을 관찰한 결과이다;
도 5는 열전도 테이프(thermal tape)을 이용하여 레이저 에너지에 따른 반응 온도를 확인하는 과정을 나타낸 모식도이다;
도 6은 열전도 테이프(thermal tape)을 이용하여 레이저 에너지에 따른 반응 온도를 확인한 결과를 촬영한 사진이다;
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 패턴화된 그래핀을 포함하는 그래핀 소자를 나타낸 모식도이다.
도 2는 레이저를 이용하여 패턴화된 그래핀의 표면을 나타낸 모식도이다;
도 3은 레이저 조사에 의해 패턴화된 그래핀 산화물에 대한 원자현미경(atomic force microscope)를 이용하여 관찰한 결과이다;
도 4는 그래핀 산화물의 레이저가 조사된 영역에 대한 마이크로-라만(micro-Raman) 스펙트럼을 관찰한 결과이다;
도 5는 열전도 테이프(thermal tape)을 이용하여 레이저 에너지에 따른 반응 온도를 확인하는 과정을 나타낸 모식도이다;
도 6은 열전도 테이프(thermal tape)을 이용하여 레이저 에너지에 따른 반응 온도를 확인한 결과를 촬영한 사진이다;
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 패턴화된 그래핀을 포함하는 그래핀 소자를 나타낸 모식도이다.
이하 본 발명에 따르는 실시예 등을 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
[제조예 1] 열증착 방식을 이용한 그래핀 산화물의 제조
열증착 방식을 이용하여 그래핀을 제작하였다. 구체적으로는, 300 nm 두께의 Ni을 전자선 증착법 혹은 스퍼터링 방법을 이용하여 SiO2/Si 기판 위에 증착하였다. 그런 다음, 열증착장치(thermal CVD)에 로딩하여 950℃로 승온시킨 후 아르곤 분위기에서 15분 동안 사전 열처리를 진행하였다. CH4:H2:Ar을 50:100:200 sccm의 비율로 혼합된 가스를 약 10 분간 흘린후, 상온(25℃)으로 -10℃/s의 속도로 급랭하였다.
합성된 그래핀에 대한 표면처리를 통하여 그래핀 산화물을 형성하였다. 표면처리 방법으로는, UV-오존 처리 또는 O2 플라즈마 처리방식을 이용하였다.
[제조예 2] 흑연 파우더의 환원을 이용한 그래핀 산화물의 형성
그래핀의 대량 생산을 위해서 산화된 흑연 파우더의 환원방법을 통하여 그래핀을 합성하였다.
1 g의 흑연 파우더에 1 g의 NaNO3와 46 mL의 황산을 더해 아이스 배스(ice bath)에서 4 시간 동안 교반하였다. 그런 다음, 6 g의 KMnO4를 천천히 가하였다. 혼합용액을 아이스 배스에서 꺼내어 2 시간 정도 교반을 더 진행하여 완전한 혼합물이 되도록 하였다. 92 mL의 이온화된 물을 첨가한 후 워터 배스(water bath)에서 98℃의 온도로 15분 동안 가열하였다. 200 mL의 따뜻한 물과 H2O2를 첨가하여 혼합물을 제조하였다. 제조된 혼합물을 4000 rpm 정도의 속도로 원심분리한 후, HCl과 물을 사용하여 세척하였다. 그런 다음, 50℃에서 48 시간 동안 건조시켜 그래핀 산화물을 완성하였다.
[실시예 1] 그래핀 산화물에 대한 환원 및 패턴화
그래핀 산화물에 레이저를 조사하여 원하는 영역만을 그래핀으로 환원시켰다. 500 mJ의 에너지를 갖는 레이저를 조사하였습니다. 레이저를 이용한 패턴화 과정은 도 1에 나타내었다.
도 1을 참조하면, 레이저(30)를 조사하게 되면, 실리콘(Si) 기판(10)상의 그래핀 산화물(graphene oxide, 20)에 존재하는 -O-, -OH 및 -COOH기(22)가 이탈되면서 그래핀(graphene, 21)으로 환원된다. 또한, 도 2에는 레이저를 이용하여 패턴화된 그래핀의 표면을 모식적으로 나타내었다. 도 2를 참조하면, 기판(10) 상의 그래핀 산화물(20)에 레이저(30)를 조사하게 되면, 조사된 부분이 그래핀(21)으로 환원되면서 원하는 패턴화가 이루어지게 된다.
[실험예 1] 레이저 조사에 따른 그래핀 산화물의 환원여부 확인
실시예 1에 따른 방법으로 레이저가 조사된 그래핀 산화물에 대하여 원자현미경(atomic force microscope)를 이용하여 표면 패턴화 여부를 확인하였다. 관찰결과는 도 3에 나타내었다. 도 3을 참조하면, 레이저가 조사된 영역에 그래핀 산화물의 환원 및 패턴화가 동시에 진행되었음을 알 수 있다.
또한, 도 4에는 마이크로-라만(micro-Raman)의 G/D 피크의 변화를 관찰한 결과를 도시하였다. 도 4의 결과를 통해 환원된 그래핀 영역의 균질성을 확인할 수 있다.
[실험예 2] 레이저 에너지에 따른 온도분포 확인
열전도 테이프(thermal tape)을 이용하여 레이저 에너지에 따른 반응 온도를 확인하였다. 레이저를 조사에 의한 그래핀 산화물의 표면 손상을 방지하기 위해서, 보호기판을 형성하였다. 보호기판은 유리기판 상에 산화물을 형성하여 제작하였다.
조사되는 레이저의 에너지는 200~500 mJ까지 달리하였으며, 반응온도는 열전도 테이프의 변색여부를 이용하여 확인하였다. 열전도 테이프(40)에 레이저(30)를 인가하여 변색여부를 확인하는 과정은 도 5에 도시하였다. 구체적인 레이저의 에너지와 그에 따른 반응온도는 하기 표 1 및 도 6에 나타내었다.
| 샘플 번호 | 레이저 에너지(mJ) | 반응온도(℃) |
| 1 | 200 | 85 |
| 2 | 300 | 120 |
| 3 | 400 | 190 |
| 4 | 500 | 240 |
일반적으로 그래핀 산화물의 열을 이용한 환원은 100~250℃ 범위의 온도에서 일어난다고 알려져 있으며, 완전한 환원을 위해서는 450℃ 이상의 열이 가해져야 한다. 그러나, 본 발명에 따른 패턴화 방법으로 제조된 그래핀 시트는, 그래핀의 밴드갭을 조절하여 그래핀 소자의 형태로 사용될 수 있으며, 이를 위해서 100~250℃의 열을 이용하면 족하다.
표 1 및 도 6를 참조하면, 레이저 에너지에 따란 그래핀 산화물의 반응온도가 80~450℃ 범위인 것으로 나타났다. 그래핀 산화물에 존재하는 -O-, -OH 및 -COOH기는 200℃ 정도의 온도를 인가하면 탈착이 가능하다. 따라서, 레이저를 이용하여 패턴화하는 경우에는, 400 mJ 이상의 에너지를 갖는다면, 그래핀의 밴드갭을 형성하여 소자 형태로 사용하기에는 충분한 것으로 확인되었다.
10: 실리콘 기판, 20: 그래핀 산화물
21: 그래핀 22: -OH, -OH 또는 -COOH 작용기
30: 레이저 40: 열전도 테이프
100: 실리카층 110: 실리콘층
200: 패턴화된 그래핀층 300: 전극
310: 금 나노입자 320: TMT
330: 중금속 이온
21: 그래핀 22: -OH, -OH 또는 -COOH 작용기
30: 레이저 40: 열전도 테이프
100: 실리카층 110: 실리콘층
200: 패턴화된 그래핀층 300: 전극
310: 금 나노입자 320: TMT
330: 중금속 이온
Claims (18)
- 그래핀 산화물의 적어도 일면 상에 레이저를 조사하여 그래핀 산화물의 환원 및 패턴화를 수행하는 그래핀의 패턴화 방법.
- 제 1 항에 있어서,
레이저가 조사되는 부위의 그래핀 산화물의 온도는 150 내지 250℃인 그래핀의 패턴화 방법. - 제 1 항에 있어서,
조사되는 레이저의 에너지는 300 내지 500 mJ 범위인 그래핀의 패턴화 방법. - 제 1 항에 있어서,
그래핀의 패턴화 방법은,
기판 상에 그래핀 산화물층을 형성하는 공정을 포함하는 그래핀의 패턴화 방법. - 제 4 항에 있어서,
기판은 실리콘(Si), 실리카(SiO2), 유리 및 그래핀 산화물 종이로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 단층 또는 복층 구조인 그래핀의 패턴화 방법. - 제 4 항에 있어서,
그래핀 산화물층은, 흑연 파우더를 산화시켜 제조하는 그래핀의 패턴화 방법. - 제 4 항에 있어서,
그래핀 산화물층은, 열 증착을 통해 그래핀을 형성한 후, UV-오존 또는 O2 플라즈마 표면 처리를 통해 형성하는 그래핀의 패턴화 방법. - 그래핀 산화물의 적어도 일면 상에 보호층을 형성하는 공정; 및
보호층이 형성된 그래핀 산화물 상에 레이저를 조사하여 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 그래핀의 패턴화 방법. - 제 8 항에 있어서,
보호층은 유리 및 물로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 단층 또는 복층 구조인 그래핀의 패턴화 방법. - 제 8 항에 있어서,
보호층은 유리기판 상에 산화물이 형성된 구조인 그래핀의 패턴화 방법. - 제 10 항에 있어서,
유리기판 상에 형성된 산화물은 실리콘산화물, 갈륨산화물 및 마그네슘 산화물로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 그래핀의 패턴화 방법. - 제 8 항에 있어서,
보호층의 두께는 10 nm 내지 1000 nm 인 그래핀의 패턴화 방법. - 제 8 항에 있어서,
레이저를 조사하여 패턴을 형성하는 공정 이후에,
보호층을 제거하는 공정을 더 포함하는 그래핀의 패턴화 방법. - 제 8 항에 있어서,
레이저가 조사되는 부위의 그래핀 산화물 온도는 150 내지 250℃인 그래핀의 패턴화 방법. - 라만 스펙트럼 측정시 D밴드/G밴드의 피크비가 0.5 내지 2 인 패턴을 포함하는 패턴화된 그래핀.
- 제 15 항에 있어서,
패턴의 선폭은 50 nm 내지 10 mm 인 패턴화된 그래핀. - 제 15 항에 있어서,
그래핀 패턴의 밴드갭은 1 내지 100 meV인 패턴화된 그래핀. - 제 15 항에 따른 패턴화된 그래핀을 포함하는 그래핀 소자.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020100094759A KR101400961B1 (ko) | 2010-09-29 | 2010-09-29 | 레이저를 이용한 그래핀 패턴화 방법 |
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|---|---|
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| KR101400961B1 KR101400961B1 (ko) | 2014-05-30 |
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| KR (1) | KR101400961B1 (ko) |
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