KR20120031208A - Light emitting diode - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light emitting diode is provided to efficiently discharge heat of a light emitting chip by using a heat sink with a reflection structure. CONSTITUTION: A heat sink is combined with a housing(25) and is exposed to the outside through the bottom of the housing. A light emitting chip(10) is mounted on the heat sink. A molding unit(60) is formed on the upper side of the light emitting chip to protect the light emitting chip. The heat sink includes a reflection unit and an upper part. The reflection unit receives the light emitting chip. The upper part is extended from the upper side of the reflection unit in a lateral direction and is overlapped with a part of the housing. The bottom of the heat sink and the bottom of the housing form the same plane.

Description

발광 다이오드{Light emitting diode}Light emitting diodes

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 열전도성 수지를 히트 싱크(Heat sink)로 이용하는 발광 다이오드에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode using a heat conductive resin as a heat sink.

일반적으로, 발광 다이오드는 전기적 신호를 받아 이를 광으로 출력하는 장치를 지칭하는 것으로, 전기적 신호를 입력받는 전극이 형성된 인쇄 회로 기판상에 발광 칩을 실장한 다음, 발광 칩을 봉지하는 몰딩부를 형성하여 제조한다. Generally, a light emitting diode refers to a device that receives an electrical signal and outputs the light as light. The light emitting diode is mounted on a printed circuit board on which an electrode receiving the electrical signal is formed, and then a molding part encapsulating the light emitting chip is formed. Manufacture.

상술한 발광 다이오드의 밝기는 발광 칩에 인가되는 전류에 비례하고, 발광 칩에 인가되는 전류는 발광 칩이 발산하는 열에 비례한다. 이에 발광 다이오드의 밝기를 밝게 하기 위해서는 고전류을 인가하여야 하지만, 발광 칩이 발산하는 열로 인해 발광 칩이 손상을 받게 되어 무한정 높은 전류을 인가할 수 없는 문제가 발생한다. 즉 발광 칩에 인가되는 전류를 높이면 발광 칩이 발산하는 열이 높아진다. The brightness of the above-described light emitting diode is proportional to the current applied to the light emitting chip, and the current applied to the light emitting chip is proportional to the heat emitted by the light emitting chip. In order to brighten the brightness of the light emitting diode, a high current must be applied, but the light emitting chip is damaged due to heat emitted from the light emitting chip, thereby causing a problem in that a high current cannot be applied indefinitely. In other words, when the current applied to the light emitting chip is increased, the heat emitted by the light emitting chip is increased.

이에, 발광 칩이 발산하는 열을 줄이기 위한 많은 연구들이 수행되고 있다. 그 결과로, 한국공개특허 특2002-0089785에서는 소정의 방열 구멍을 뚫어 발광 칩이 발산하는 열을 줄이도록 하였고, 한국공개특허 특2003-0053853에서는 소정의 금속판으로 발광 칩을 둘러싸고 이를 히트 싱크로 사용하여 소자가 발산하는 열을 줄이도록 하였다. Accordingly, many studies have been conducted to reduce the heat emitted by the light emitting chip. As a result, in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2002-0089785, a predetermined heat dissipation hole is made to reduce the heat emitted by the light emitting chip. In Korean Patent Laid-Open Publication No. 2003-0053853, the LED is enclosed by a predetermined metal plate and used as a heat sink. The device is designed to reduce the heat dissipated.

상기의 기술과 같이 소정의 방열 구멍과 금속판을 통하여 발광 칩이 발산하는 열을 외부로 방출하여 발광 칩을 보호하고 발광 다이오드의 밝기를 향상시키는 효과를 얻을 수 있다. As described above, the heat emitted from the light emitting chip through the predetermined heat dissipation hole and the metal plate may be emitted to the outside, thereby protecting the light emitting chip and improving the brightness of the light emitting diode.

그러나 소정의 방열 구멍을 발광 칩 하부에 뚫을 경우 이러한 방열 구멍으로 인해 외부의 불순물이 첨가되어 발광 칩 뿐만 아니라 발광 다이오드 전체에 손상을 입힐 수 있다. However, when a predetermined heat dissipation hole is drilled under the light emitting chip, external impurities may be added due to the heat dissipation hole to damage not only the light emitting chip but the entire light emitting diode.

또한 소정의 슬러그나 금속판을 히트 싱크로 사용하는 경우에, 몰딩부는 에폭시 수지를 사용하고 별도의 슬러그 및 금속판을 소자에 추가하기 때문에 발광 칩을 봉지하는 몰딩부와 이를 결합할 때, 금속과 에폭시 수지 경계면에 소정의 공기층이 형성되거나 두 물질간의 결합이 들뜨는 문제가 발생하고, 발광 다이오드의 제조 공정이 복잡해지게 된다.In addition, when a predetermined slug or a metal plate is used as a heat sink, the molding part uses an epoxy resin and adds a separate slug and a metal plate to the device, so that when combined with a molding part encapsulating a light emitting chip, the metal and epoxy resin interface A problem arises in that a predetermined air layer is formed or a bond between two materials is raised, and the manufacturing process of the light emitting diode is complicated.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 열 전도성 수지를 히트 싱크로 이용하여 발광 칩의 열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있고, 별도의 슬러그 및 금속판을 사용하지 않고 발광 다이오드를 제작할 수 있어 부피가 매우 작고 소형으로 다양한 전자기기에 매우 쉽게 응용 가능한 발광 다이오드를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Therefore, in order to solve the above problem, the present invention can effectively radiate heat of the light emitting chip to the outside by using a thermally conductive resin as a heat sink, and can produce a light emitting diode without using a separate slug and a metal plate, thereby increasing the volume. It is an object of the present invention to provide a light emitting diode which is very small and small and can be easily applied to various electronic devices.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 열전도성 수지로 제조된 기판, 상기 기판에 형성된 전극과 상기 기판 및 전극 상에 실장되는 적어도 하나의 발광 칩을 포함하는 발광 다이오드를 제공한다. 또한 본 발명은 하우징, 상기 하우징과 결합된 열전도성 수지로 제조된 히트 싱크 및 상기 히트 싱크 상에 실장되는 적어도 하나의 발광 칩을 포함하는 발광 다이오드를 제공한다. 여기서 상기 히트 싱크는 상기 하우징에 인서트 사출 방식으로 결합되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a light emitting diode comprising a substrate made of a thermally conductive resin, an electrode formed on the substrate and at least one light emitting chip mounted on the substrate and the electrode. The present invention also provides a light emitting diode comprising a housing, a heat sink made of a thermally conductive resin coupled to the housing, and at least one light emitting chip mounted on the heat sink. Wherein the heat sink is characterized in that coupled to the insert injection method.

또한 본 발명의 발광 다이오드는 상기 발광 칩을 봉지하는 몰딩부를 더 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 몰딩부의 상부면에 마련된 광학 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the light emitting diode of the present invention is characterized in that it further comprises a molding unit for encapsulating the light emitting chip, characterized in that it further comprises an optical lens provided on the upper surface of the molding portion.

상기 열전도성 수지는 에폭시 수지, 페놀 수지 및 이소시아네이트 수지 중 적어도 하나인 수지에 열전도 강화제를 혼합한 물질인 것을 특징으로 한다. 여기서 열전도 강화제는 Al2O3, MgO, ZnO, SiO2, Bn, AlN, SiC 및 Si3N4 중 적어도 하나를 포함한다.The thermally conductive resin is characterized in that the material mixed with a heat conductivity enhancer to at least one of an epoxy resin, a phenol resin and an isocyanate resin. Wherein the thermal conductivity enhancer comprises at least one of Al 2 O 3 , MgO, ZnO, SiO 2 , Bn, AlN, SiC, and Si 3 N 4 .

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Like numbers refer to like elements in the figures.

상술한 바와 같이, 본 발명은 열전도성 수지의 히트 싱크를 포함한 발광 다이오드를 형성함으로써 별도의 슬러그 및 금속판을 사용하지 않고도 발광 칩의 열을 외부로 효과적으로 방출할 수 있다. As described above, the present invention forms a light emitting diode including a heat sink of a thermally conductive resin, thereby effectively dissipating heat of the light emitting chip to the outside without using a separate slug and a metal plate.

또한 반사 구조로 형성된 히트 싱크를 사용하여 발광 칩의 발열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있고, 빛의 휘도를 향상시킬 수 있다. In addition, by using a heat sink formed of a reflective structure it is possible to effectively emit heat generated by the light emitting chip to the outside, it is possible to improve the brightness of the light.

도 1 내지 도 4는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 단면도.
도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 개략도.
도 7은 도 5의 선 Ⅰ-Ⅰ'를 따라 취한 단면도.
도 8은 도 6의 선 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 취한 단면도.
1 to 4 are cross-sectional views of light emitting diodes according to the present invention.
5 and 6 are schematic views of a light emitting diode according to the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 5;
8 is a cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Like numbers refer to like elements in the figures.

본 발명에 따른 발광 다이오드는 발광 칩(10)에서 발생되는 열을 직접 방출시키기 위하여 히트 싱크 상에 발광 칩(10)을 장착한다. 여기서 히트 싱크는 열 전도성이 우수한 물질을 사용하는 것이 바람직하며, 열 전도성과 전기 전도성이 우수한 금속 물질을 사용하거나, 열 전도성이 우수한 수지를 사용할 수 있다. The light emitting diode according to the present invention mounts the light emitting chip 10 on the heat sink in order to directly radiate heat generated from the light emitting chip 10. Herein, the heat sink may preferably use a material having excellent thermal conductivity, and may use a metal material having excellent thermal conductivity and electrical conductivity, or may use a resin having excellent thermal conductivity.

열전도성 수지는 수지, 고무 등의 고분자 매트릭스 재료에 열전도율이 높은 열전도 강화제를 혼합한 물질로서, 열전도가 0.02W/mK 내지 0.2W/mK인 일반 수지와 비교하여 열전도성 수지의 열전도도는 2W/mK 내지 100W/mK이다. 이는 스테인레스 스틸과 티타늄의 열전도도인 약 15W/mK와 유사하며, 다이캐스팅용 금속 합금들인 마그네슘이나 알루미늄의 열전도도인 50 내지 100W/mK의 수준에 도달할 수 있다. 상기 수지로는 내열성이나 기계적 강도, 전기 절연성이 우수한 에폭시 수지, 페놀 수지 및 이소시아네이트 수지 등을 사용한다. 또한 상기 열전도 강화제는 산화알루미늄(Al2O3), 산화마그네슘(MgO), 산화아연(ZnO), 석영(SiO2) 등의 금속 산화물, 질화붕소(BN), 질화알루미늄(AlN) 등의 금속 질화물, 탄화규소(SiC) 등의 금속 탄화물, 수산화알루미늄(Al(OH)3) 등의 금속 수산화물, 금, 은, 동 등의 금속, 탄소섬유, 흑연 등을 사용한다. 특히 Al2O3나 SiO2를 이용한 경우에 수지와의 혼합이 용이하고, AlN을 이용한 경우에는 열방출 효율이 특히 높아진다. 더욱 높은 열전도성을 얻기 위해 에폭시 수지에 표면개질 산화알루미늄, 구상 크리스토발라이트(cristobalite) 등의 특수한 열전도 강화제를 배합한 열전도성 수지를 사용할 수 있다. 또한 이러한 수지와 열전도 강화제의 혼합물에 유리 부직포나 세라믹 부직포 등의 보강재를 포함하여 기계적 강도나 가공성을 향상시킬 수 있다. Thermally conductive resin is a material in which a thermal conductivity enhancer having a high thermal conductivity is mixed with a polymer matrix material such as resin and rubber, and the thermal conductivity of the thermally conductive resin is 2W / compared with a general resin having a thermal conductivity of 0.02W / mK to 0.2W / mK. mK to 100 W / mK. This is similar to the thermal conductivity of about 15 W / mK of stainless steel and titanium, and can reach a level of 50 to 100 W / mK, which is the thermal conductivity of magnesium or aluminum, which is a metal alloy for die casting. As the resin, an epoxy resin, a phenol resin, an isocyanate resin, or the like having excellent heat resistance, mechanical strength, and electrical insulation properties is used. In addition, the heat conduction enhancer may be a metal oxide such as aluminum oxide (Al 2 O 3 ), magnesium oxide (MgO), zinc oxide (ZnO), quartz (SiO 2 ), a metal such as boron nitride (BN), aluminum nitride (AlN), or the like. Metal carbides such as nitrides and silicon carbide (SiC), metal hydroxides such as aluminum hydroxide (Al (OH) 3 ), metals such as gold, silver, copper, carbon fibers, graphite and the like. In particular, when Al 2 O 3 or SiO 2 is used, mixing with the resin is easy, and when AlN is used, the heat dissipation efficiency is particularly high. In order to obtain higher thermal conductivity, a thermally conductive resin in which a special thermal conductivity enhancing agent such as surface modified aluminum oxide and spherical cristobalite is added to the epoxy resin may be used. In addition, a reinforcing material such as a glass nonwoven fabric or a ceramic nonwoven fabric may be included in the mixture of such a resin and a thermally conductive reinforcing agent to improve mechanical strength and workability.

본 발명에서는 상기 상술한 열전도성 수지를 이용하여 발광 칩에서 방출되는 열을 효율적으로 방출할 수 있다. 즉, 기판(20)을 열전도성이 우수한 수지로 제조하여 기판(20) 자체를 히트 싱크로 사용한다. 또한 별도 부재를 열전도성이 우수한 수지로 제조하여 히트 싱크(50)로 사용할 수 있다. In the present invention, the heat emitted from the light emitting chip can be efficiently released using the above-described thermal conductive resin. That is, the substrate 20 is made of a resin having excellent thermal conductivity, and the substrate 20 itself is used as a heat sink. In addition, the separate member may be made of a resin having excellent thermal conductivity and used as the heat sink 50.

도 1 내지 도 4는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 단면도이다. 1 to 4 are cross-sectional views of light emitting diodes according to the present invention.

본 발명의 도 1에 도시된 바와 같이 발광 다이오드는 열전도성 수지의 히트 싱크인 기판(20)과, 기판(20)에 실장된 발광 칩(10)과, 상기 발광 칩(10)이 실장된 영역을 제외한 기판 상부에 형성된 전극(30, 40)과, 발광 칩(10)을 봉지하는 몰딩부(60)를 포함한다. 상기 기판(20) 상에 발광 칩(10)의 광의 휘도를 향상시키기 위한 반사기(미도시)를 더 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1 of the present invention, a light emitting diode includes a substrate 20 which is a heat sink of a thermal conductive resin, a light emitting chip 10 mounted on the substrate 20, and a region in which the light emitting chip 10 is mounted. Excluding the electrodes 30 and 40 formed on the substrate, and the molding unit 60 for encapsulating the light emitting chip (10). A reflector (not shown) may be further included on the substrate 20 to improve luminance of light of the light emitting chip 10.

전극(30, 40)은 발광 칩(10)의 양극 단자 및 음극 단자에 접속하기 위한 제 1 및 제 2 전극(30, 40)으로 구성된다. 또한 제 1 및 제 2 전극(30, 40)과 발광 칩(10)을 전기적으로 연결하기 위한 제 1 및 제 2 와이어(70, 80)를 더 포함한다. 또한 제 1 및 제 2 전극(30, 40)을 (도시되지 않은) 외부 제 1 및 제 2 전류 입력 단자에 각각 연결하는 (도시되지 않은) 제 1 및 제 2 금속 배선을 더 포함할 수 있다. 또한 발광 칩(10) 상에 목표로 하는 색의 빛을 발산하기 위한 소정의 형광체를 더 포함할 수 있다. The electrodes 30 and 40 are composed of first and second electrodes 30 and 40 for connecting to the positive terminal and the negative terminal of the light emitting chip 10. The apparatus further includes first and second wires 70 and 80 for electrically connecting the first and second electrodes 30 and 40 to the light emitting chip 10. It may further include first and second metal wires (not shown) connecting the first and second electrodes 30, 40 to external first and second current input terminals (not shown), respectively. In addition, the light emitting chip 10 may further include a predetermined phosphor for emitting light of a target color.

몰딩부(60)는 광학 렌즈 형태, 평판 형태 및 표면에 소정의 요철을 갖는 형태중 적어도 어느 하나의 형상으로 형성할 수 있다. The molding part 60 may be formed in at least one of an optical lens shape, a flat plate shape, and a shape having predetermined irregularities on the surface.

기판(20)은 상기 발광 칩(10)에서 발생되는 열을 방출하기 위한 히트 싱크로서 열 전도성 물질을 포함하는 수지를 사용한다. 이 경우, 절연막이 형성된 금속 재질의 기판과 비교하여 상기 기판(20)은 절연 성질을 갖기 때문에 제 1 전극(30)과 제 2 전극(40)이 전기적으로 단전되도록 별도의 절연막을 형성할 필요가 없어 제조 공정이 간편해지는 장점이 있다.The substrate 20 uses a resin including a thermally conductive material as a heat sink for dissipating heat generated from the light emitting chip 10. In this case, since the substrate 20 has an insulating property compared to the metal substrate having the insulating film, it is necessary to form a separate insulating film so that the first electrode 30 and the second electrode 40 are electrically disconnected. There is no advantage that the manufacturing process is simplified.

제 1 및 제 2 전극(30, 40)은 인쇄 기법을 통하거나, 접착제를 이용하여 형성할 수 있다. 제 1 및 제 2 전극(30, 40)은 전도성이 우수한 구리 또는 알루미늄을 포함한 금속물질로 형성하되, 전기적으로 서로 단전되도록 형성한다.
The first and second electrodes 30 and 40 may be formed through a printing technique or by using an adhesive. The first and second electrodes 30 and 40 may be formed of a metal material including copper or aluminum having excellent conductivity, and may be electrically disconnected from each other.

발광 칩(10)은 기판(20) 상부에 은 페이스트를 이용하여 실장하는 것이 바람직하다. 몰딩부(60)는 소정의 에폭시 수지를 이용한 사출 공정을 통해 형성할 수 있다. 또한 별도의 주형을 이용하여 제작한 다음, 이를 가압 또는 열처리하여 발광 칩(10)을 몰딩할 수 있다. 몰딩부(60) 외부로 제 1 및 제 2 전극(30, 40)의 소정 영역이 노출되는 것이 바람직하다. 이를 통해, 제 1 및 제 2 전극(30, 40)과 도시되지 않은 외부 전류 입력 단자를 전기적으로 연결하여 발광 칩(10)에 외부 전류를 인가할 수 있다. The light emitting chip 10 is preferably mounted on the substrate 20 using silver paste. The molding part 60 may be formed through an injection process using a predetermined epoxy resin. In addition, the light emitting chip 10 may be molded by using a separate mold and then pressing or heat treating the same. It is preferable that predetermined regions of the first and second electrodes 30 and 40 are exposed to the outside of the molding unit 60. Through this, the external current may be applied to the light emitting chip 10 by electrically connecting the first and second electrodes 30 and 40 to an external current input terminal (not shown).

이와 같이 열전도성 수지의 히트 싱크인 기판(20)을 이용하여 발광 칩(10)의 열을 효과적으로 방출할 수 있고 히트 싱크의 열적 스트레스를 줄일 수 있다. As such, the heat of the light emitting chip 10 may be effectively released by using the substrate 20, which is a heat sink of the heat conductive resin, and thermal stress of the heat sink may be reduced.

본 발명의 도 2에 도시된 바와 같은 발광 다이오드는 열전도성 수지의 히트 싱크인 기판(20)과, 기판(20) 상에 형성된 전극(30, 40)과, 제 1 전극(30) 상에 실장된 발광 칩(10)과, 발광 칩(10)을 봉지하는 몰딩부(60)를 포함한다. The light emitting diode as shown in FIG. 2 of the present invention is mounted on a substrate 20 which is a heat sink of a thermally conductive resin, electrodes 30 and 40 formed on the substrate 20, and a first electrode 30. The light emitting chip 10 and a molding part 60 encapsulating the light emitting chip 10.

기판(20)은 열전도성 수지를 사용하여 발광 칩(10)에서 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있도록 한다. 전극(30, 40)은 발광 칩(10)의 양극 단자 및 음극 단자에 접속하기 위한 제 1 및 제 2 전극(30, 40)으로 구성한다. 발광 칩(10)은 제 1 전극(30) 상에 실장되고, 제 2 와이어(80)를 통하여 제 2 전극(40)과 전기적으로 연결된다. The substrate 20 may use heat conductive resin to effectively release heat generated from the light emitting chip 10. The electrodes 30 and 40 are composed of first and second electrodes 30 and 40 for connecting to the positive terminal and the negative terminal of the light emitting chip 10. The light emitting chip 10 is mounted on the first electrode 30 and is electrically connected to the second electrode 40 through the second wire 80.

상기 제 1 및 제 2 전극(30, 40)은 인쇄 기법을 통해 형성한다. 제 1 및 제 2 전극(30 및 40)은 전도성이 우수한 구리 또는 알루미늄을 포함한 금속물질로 형성하되, 제 1 전극(30)과 제 2 전극(40)은 전기적으로 단전되도록 형성한다. The first and second electrodes 30 and 40 are formed through a printing technique. The first and second electrodes 30 and 40 are formed of a metal material including copper or aluminum having excellent conductivity, but the first electrode 30 and the second electrode 40 are formed to be electrically disconnected.

본 발명의 도 3에 도시된 바와 같이 발광 다이오드는 반사컵(25)이 형성된 열전도성 수지의 히트 싱크인 기판(20)과, 반사컵(25) 내부에 실장된 발광 칩(10)과, 기판(20) 상부에 형성된 제 1 및 제 2 전극(30, 40)과 발광 칩(10)을 봉지하는 몰딩부(60)를 포함한다. As shown in FIG. 3 of the present invention, the light emitting diode includes a substrate 20 which is a heat sink of a thermal conductive resin having a reflective cup 25, a light emitting chip 10 mounted inside the reflective cup 25, and a substrate. 20, the molding unit 60 encapsulating the first and second electrodes 30 and 40 and the light emitting chip 10 formed thereon.

반사컵(25)은 기계적 가공을 통해 기판(20)의 중심영역에 소정의 홈을 형성하되, 홈의 측벽면에 소정의 기울기를 주어 형성된 영역을 지칭한다. 반사컵(25)은 원뿔 형상으로 형성하는 것이 효과적이고, 그 하부 면은 발광 칩(10)이 실장되기 때문에 평평한 것이 바람직하다. The reflective cup 25 is a region formed by forming a predetermined groove in the central region of the substrate 20 through mechanical processing, and giving a predetermined slope to the side wall surface of the groove. It is preferable to form the reflective cup 25 in a conical shape, and the lower surface thereof is preferably flat because the light emitting chip 10 is mounted.

또한 제 1 및 제 2 전극(30, 40)과 발광 칩(10)을 전기적으로 연결하는 와이어(70, 80)를 더 포함한다. 또한 제 1 및 제 2 전극(30, 40)과 (도시되지 않은) 외부 제 1 및 제 2 전류 입력 단자를 각각 연결하는 (도시되지 않은) 제 1 및 제 2 금속배선을 더 포함할 수 있다. 또한, 반사컵(25) 내부의 발광 칩(10)이 실장되는 영역 내에 목표로 하는 색의 빛을 발산하기 위한 소정의 형광체를 더 포함할 수 있다.The apparatus further includes wires 70 and 80 electrically connecting the first and second electrodes 30 and 40 to the light emitting chip 10. It may further include first and second metal wires (not shown) connecting the first and second electrodes 30 and 40 and external first and second current input terminals (not shown), respectively. In addition, a predetermined phosphor for emitting light of a target color may be further included in an area in which the light emitting chip 10 inside the reflection cup 25 is mounted.

발광 칩(10)은 페이스트를 이용하여 반사컵(25)의 하부면에 실장되는 것이 바람직하다. 기판(20) 상부에 형성되는 전극(30, 40)은 발광 칩(10)의 양극 단자 및 음극 단자에 접속하기 위한 제 1 및 제 2 전극(30, 40)으로 구성한다. 제 1 및 제 2 전극(30, 40)은 전도성이 우수한 구리 또는 알루미늄을 포함한 금속물질로 형성하는 것이 효과적이다. 제 1 및 제 2 전극(30, 40)은 인쇄 기법을 통하거나, 접착제를 이용하여 형성할 수 있다. 몰딩부(60)는 소정의 에폭시 수지를 이용한 사출 공정을 통해 형성할 수 있다. 또한 별도의 주형을 이용하여 제작한 다음, 이를 가압 또는 열처리하여 발광 칩(10)을 몰딩할 수 있다. 몰딩부(60) 외부로 제 1 및 제 2 전극(30, 40)의 소정 영역이 노출되는 것이 바람직하다. The light emitting chip 10 is preferably mounted on the lower surface of the reflective cup 25 using a paste. The electrodes 30 and 40 formed on the substrate 20 are composed of first and second electrodes 30 and 40 for connecting to the positive terminal and the negative terminal of the light emitting chip 10. It is effective to form the first and second electrodes 30 and 40 with a metallic material including copper or aluminum having excellent conductivity. The first and second electrodes 30 and 40 may be formed through a printing technique or by using an adhesive. The molding part 60 may be formed through an injection process using a predetermined epoxy resin. In addition, the light emitting chip 10 may be molded by using a separate mold and then pressing or heat treating the same. It is preferable that predetermined regions of the first and second electrodes 30 and 40 are exposed to the outside of the molding unit 60.

이로 인해 별도의 슬러그 및 금속판을 사용하지 않고도 발광 칩(10)의 열을 외부로 효과적으로 방출할 수 있다. 또한 반사컵(25)으로 인한 빛의 반사를 최대화할 수 있고, 열전도성 수지를 이용한 히트 싱크인 기판(20)으로 인해 발광 칩(10)의 열 방출을 효과적으로 제어할 수 있다. Therefore, the heat of the light emitting chip 10 can be effectively discharged to the outside without using a separate slug and a metal plate. In addition, the reflection of the light due to the reflective cup 25 may be maximized, and the heat dissipation of the light emitting chip 10 may be effectively controlled by the substrate 20, which is a heat sink using a thermally conductive resin.

본 발명의 도 4에 도시된 바와 같이 발광 다이오드는 반사컵(25)이 형성된 열전도성 수지의 히트 싱크인 기판(20)과, 기판(20) 상부에 형성된 제 2 전극(40)과, 제 2 전극(40)과 전기적으로 단전되고 반사컵(25) 내부 및 기판(20) 상부에 형성된 제 1 전극(30)과, 반사컵(25) 내부의 제 1 전극(30) 상에 전기적으로 실장된 발광 칩(10)과 발광 칩(10)을 봉지하는 몰딩부(60)를 포함한다. As shown in FIG. 4 of the present invention, the light emitting diode includes a substrate 20 which is a heat sink of a thermal conductive resin having a reflective cup 25, a second electrode 40 formed on the substrate 20, and a second The first electrode 30 is electrically disconnected from the electrode 40 and is electrically mounted on the first electrode 30 formed in the reflective cup 25 and on the substrate 20, and the first electrode 30 inside the reflective cup 25. The light emitting chip 10 and the molding part 60 encapsulating the light emitting chip 10 are included.

또한 제 2 전극(40)과 발광 칩(10)을 전기적으로 연결하기 위한 제 2 와이어(80)와, 제 1 및 제 2 전극(30, 40)과 (도시되지 않은) 외부 제 1 및 제 2 전류 입력 단자를 각각 연결하는 (도시되지 않은) 제 1 및 제 2 금속배선을 더 포함할 수 있다. 또한 발광 칩(10) 상에 목표로 하는 색의 빛을 발산하기 위한 소정의 형광체를 더 포함할 수 있다. Also, a second wire 80 for electrically connecting the second electrode 40 and the light emitting chip 10, and the first and second electrodes 30 and 40 and the external first and second (not shown). The device may further include first and second metal wires (not shown) respectively connecting the current input terminals. In addition, the light emitting chip 10 may further include a predetermined phosphor for emitting light of a target color.

발광 칩(10)에서 발생되는 열을 효과적으로 방출하기 위해 히트 싱크로서 열전도성 수지를 사용한다. 제 1 및 제 2 전극(30, 40)은 인쇄 기법을 통하거나 접착제를 이용하여 형성할 수 있다. 제 1 및 제 2 전극(30, 40)은 전도성이 우수한 구리 또는 알루미늄을 포함한 금속물질로 형성하는 것이 효과적이다. 반사컵(25) 영역에 형성되는 제 1 전극(30)은 반사컵(25)으로 인한 빛의 반사를 방해하지 않도록 형성하는 것이 바람직하다. 즉 반사컵(25)의 하부 소정 영역과 일 측벽에 라인 형태로 형성되는 것이 효과적이다. Thermally conductive resins are used as heat sinks to effectively release heat generated in the light emitting chip 10. The first and second electrodes 30 and 40 may be formed through a printing technique or by using an adhesive. It is effective to form the first and second electrodes 30 and 40 with a metallic material including copper or aluminum having excellent conductivity. The first electrode 30 formed in the reflective cup 25 region is preferably formed so as not to interfere with the reflection of light due to the reflective cup 25. That is, it is effective to form a line on the lower predetermined region and one side wall of the reflective cup 25.

몰딩부(60)는 소정의 에폭시 수지를 이용한 사출 공정을 통해 형성할 수 있다. 또한 별도의 주형을 이용하여 제작한 다음, 이를 가압 또는 열처리하여 발광 칩(10)을 몰딩할 수 있다. 몰딩부(60) 외부로 제 1 및 제 2 전극(30 및 40)의 소정 영역이 노출되는 것이 바람직하다. The molding part 60 may be formed through an injection process using a predetermined epoxy resin. In addition, the light emitting chip 10 may be molded by using a separate mold and then pressing or heat treating the same. It is preferable that predetermined regions of the first and second electrodes 30 and 40 are exposed to the outside of the molding unit 60.

이로 인해, 본 발명의 히트 싱크로서 열전도성 수지를 사용하여 별도의 슬러그 및 금속판을 사용하지 않고, 제 1 전극(30)을 통해 발광 칩에 전력 손실 없이 외부 전류를 인가할 수 있다. For this reason, an external current can be applied to the light emitting chip through the first electrode 30 without using a thermally conductive resin as a heat sink of the present invention without using a separate slug and a metal plate.

도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 다른 실시예의 발광 다이오드의 사시도이고, 도 7은 도 5의 선 Ⅰ-Ⅰ'를 따라 취한 단면도이고, 도 8은 도 6의 선 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 취한 단면도이다.5 and 6 are perspective views of light emitting diodes according to another embodiment of the present invention, FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 5, and FIG. 8 is taken along the line II-II ′ of FIG. 6. It is a cross section.

이들 도면을 참조하면, 본 발명의 발광 다이오드는 별도의 부재로서 히트 싱크(50)를 더 포함하여 하우징(25)에 결합하여 구성한다. 도 5 및 도 8에 도시한 바와 같이 본 발명은 발광 칩(10)이 히트 싱크(50)에 실장되고 상기 히트 싱크(50)가 하우징(25)에 결합되어 구성된 발광 다이오드를 제공한다. 여기서 히트 싱크(50)로는 열 전도성이 우수한 수지를 사용한다. 도 5 내지 도 8에서는 발광 칩(10)이 실장되는 히트 싱크(50)의 실장 부분이 기준면에 대해 함몰된 형상으로 반사부를 형성하나, 도 1 및 도 2와 마찬가지로 평면으로 형성될 수 있다.Referring to these drawings, the light emitting diode of the present invention further comprises a heat sink 50 as a separate member is configured to be coupled to the housing 25. As shown in FIG. 5 and FIG. 8, the present invention provides a light emitting diode in which a light emitting chip 10 is mounted on a heat sink 50 and the heat sink 50 is coupled to a housing 25. As the heat sink 50, a resin having excellent thermal conductivity is used. 5 to 8, the mounting portion of the heat sink 50 on which the light emitting chip 10 is mounted is formed in a shape recessed with respect to the reference plane, but may be formed in a plane like in FIGS. 1 and 2.

전압에 따라 빛을 발광하는 발광 칩(10)과, 관통홀을 포함하는 하우징(25)과, 외부 전압을 발광 칩(10)에 전송하기 위해 하우징(25)의 제 1 영역에 형성된 제 1 전극(30)과, 제 1 전극(30)과 전기적으로 분리되고 외부 전압을 발광 칩(10)에 전송하기 위해 하우징(25)의 제 2 영역에 형성된 제 2 전극(40)과, 실장된 발광 칩(10)의 방열을 위해 하우징(25)의 관통홀에 결합된 열전도성 수지의 히트 싱크(50)를 포함한다. 상기 제 1 영역은 하우징(25) 일 측벽과, 관통홀과 일 측벽 사이의 상부와 하부의 일부 영역을 지칭하며 상기 제 2 영역은 하우징(25)의 제 1 영역의 반대측 측벽과, 관통홀과 상기 제 1 영역의 반대측인 타 측벽 사이의 상부와 하부의 일부 영역을 지칭한다. A light emitting chip 10 emitting light according to a voltage, a housing 25 including a through hole, and a first electrode formed in a first area of the housing 25 to transmit an external voltage to the light emitting chip 10. 30, a second electrode 40 electrically separated from the first electrode 30, and formed in a second region of the housing 25 to transmit an external voltage to the light emitting chip 10, and a light emitting chip mounted thereon. The heat sink 50 of the thermal conductive resin coupled to the through-hole of the housing 25 for the heat radiation of the (10). The first region refers to one side wall of the housing 25, a portion of the upper and lower portions between the through hole and the one side wall, and the second region is a side wall opposite to the first region of the housing 25. It refers to a portion of the upper portion and the lower portion between the other side wall opposite to the first region.

발광 다이오드는 발광 칩(10)을 보호하기 위한 몰딩부(60)를 더 포함할 수 있다. 상기의 몰딩부(60)는 평면 형상으로 형성하거나, 전체적으로 렌즈 형상으로 형성하거나, 평면 형상 상부에 렌즈 형상을 갖도록 형성할 수 있다. 또한 몰딩부(60)는 발광 칩의 광 집적도 및 휘도를 향상시킬 수 있는 무늬(프레즈넬 형태)로 형성할 수 있다. 즉 그 표면에 소정의 거칠기를 가지도록 형성할 수 있으며, 이 때 물결무늬 또는 칼날 무늬를 포함하는 다양한 형태의 무늬들로 구성 가능하다. The light emitting diode may further include a molding part 60 for protecting the light emitting chip 10. The molding part 60 may be formed in a planar shape, a lens shape as a whole, or may have a lens shape on the planar shape. In addition, the molding part 60 may be formed in a pattern (presnel shape) that can improve the light intensity and brightness of the light emitting chip. That is, the surface may be formed to have a predetermined roughness, and in this case, it may be configured with various types of patterns including wave patterns or blade patterns.

또한 본 발명의 발광 다이오드는 도 6 및 도 8에 보이는 바와 같이 몰딩부(60) 상부에 집광용 광학 렌즈(90)를 더 포함할 수 있다. 몰딩부(60)는 열경화성 고분자 수지를 압출하는 방식으로 발광 칩(10)을 보호하도록 발광 칩(10)의 상부에 형성할 수 있다. 집광용 광학 렌즈(90)는 몰딩부(60)와 일체화하여 형성할 수 있다. 즉, 열경화성 고분자 수지를 압출하는 방식으로 렌즈(90)를 광학부의 중심에 형성하여 발광 칩(10)을 보호하는 열경화성 고분자 수지 압출성형 부품과 일체형으로 생산하는 것이 효과적이다. In addition, the light emitting diode of the present invention may further include a light collecting optical lens 90 on the molding unit 60, as shown in FIG. The molding part 60 may be formed on the light emitting chip 10 to protect the light emitting chip 10 by extruding a thermosetting polymer resin. The light converging optical lens 90 may be formed integrally with the molding part 60. In other words, it is effective to form the lens 90 in the center of the optical unit by extruding the thermosetting polymer resin and to produce the integrally with the thermosetting polymer resin extrusion molded part that protects the light emitting chip 10.

또한 본 발명의 발광 다이오드는 발광 칩(10)과 제 1 전극(30)간을 전기적으로 연결하는 제 1 와이어(70)와, 발광 칩(10)과 제 2 전극(40)간을 전기적으로 연결하는 제 2 와이어(80)를 더 포함한다. In addition, the light emitting diode of the present invention electrically connects the first wire 70 electrically connecting the light emitting chip 10 and the first electrode 30 to the light emitting chip 10 and the second electrode 40. It further comprises a second wire (80).

제 1 전극(30)은 외부의 양극 단자(미도시)에 접속된 양극 연결용 패드(32)와, 양극 연결용 패드(32)에 접속된 양 전극(31)을 포함한다. 양극 연결용 패드(32)는 하우징(25)의 측벽부 및 하부의 소정 영역에 형성한다. 양극 단자와의 접속을 용이하게 하기 위해 하우징(25)의 측벽부를 리세스시켜 리세스되는 내부에 양극 연결용 패드(32)를 형성할 수 있다. 양극 연결용 패드(32)는 다수개로 형성하여 양극 단자와 양 전극(31)간의 접촉 면적을 넓힘으로써 전기적 저항을 줄이는 것이 효과적이다. 양 전극(31)은 하우징(25) 상부의 소정 영역에 형성되고 제 1 와이어(70)를 통하여 발광 칩(10)과 전기적으로 접속할 수 있다. 소정 영역은 양극 연결용 패드(32)가 형성된 영역의 상부를 지칭한다. The first electrode 30 includes a positive electrode connection pad 32 connected to an external positive electrode terminal (not shown), and a positive electrode 31 connected to the positive electrode connection pad 32. The anode connection pad 32 is formed in a predetermined region of the side wall portion and the lower portion of the housing 25. In order to facilitate connection with the positive electrode terminal, the side wall portion of the housing 25 may be recessed to form the positive electrode connection pad 32 in the recessed interior. It is effective to reduce the electrical resistance by forming a plurality of positive electrode connection pads 32 to increase the contact area between the positive electrode terminal and the positive electrode 31. The positive electrode 31 may be formed in a predetermined region above the housing 25 and may be electrically connected to the light emitting chip 10 through the first wire 70. The predetermined region refers to an upper portion of the region in which the anode connecting pad 32 is formed.

제 2 전극(40)은 외부의 음극 단자(미도시)에 접속된 음극 연결용 패드(42)와, 음극 연결용 패드(42)에 접속된 음 전극(41)을 포함한다. 음극 연결용 패드(42)는 제 1 전극(30)이 형성된 하우징(25) 측벽의 반대측 측벽 및 하부의 소정 영역에 형성할 수 있다. 음극 단자와의 접속을 용이하게 하기 위해 하우징(25)의 측벽부를 리세스시켜 리세스되는 내부에 음극 연결용 패드(42)를 형성할 수 있다. 음극 연결용 패드(42)는 다수개로 형성하여 음극 단자와 음 전극(41)간의 접촉 면적을 넓힘으로써 전기적 저항을 줄이는 것이 효과적이다. 음 전극(41)은 하우징(25) 상부의 소정 영역에 형성되고 제 2 와이어(80)를 통하여 발광 칩(10)과 전기적으로 접속할 수 있다. 소정 영역은 음극 연결용 패드(42)가 형성된 영역의 상부를 지칭한다. The second electrode 40 includes a negative electrode connection pad 42 connected to an external negative electrode terminal (not shown) and a negative electrode 41 connected to the negative electrode connection pad 42. The negative electrode connection pad 42 may be formed in a predetermined region of the side wall and the lower side opposite to the side wall of the housing 25 in which the first electrode 30 is formed. In order to facilitate connection with the negative electrode terminal, the side wall portion of the housing 25 may be recessed to form a negative electrode connection pad 42 in the recess. It is effective to reduce the electrical resistance by forming a plurality of negative electrode connection pads 42 to widen the contact area between the negative electrode terminal and the negative electrode 41. The negative electrode 41 may be formed in a predetermined region above the housing 25 and may be electrically connected to the light emitting chip 10 through the second wire 80. The predetermined region refers to the upper portion of the region where the negative electrode connection pad 42 is formed.

상술한 제 1 및 제 2 전극(30, 40)의 모든 구성요소는 금속을 포함하는 열 도전성의 물질로 형성한다.All components of the first and second electrodes 30 and 40 described above are formed of a thermally conductive material including a metal.

상기 설명한 발광 다이오드는 열을 방출하기 위한 히트 싱크(50)로서 열전도도율이 우수한 열전도성 수지를 사용하고, 인서트 사출 방법을 이용하여 기판(20)의 관통홀에 장착된다.The light emitting diode described above uses a thermally conductive resin having excellent thermal conductivity as the heat sink 50 for dissipating heat, and is mounted in the through-hole of the substrate 20 by using an insert injection method.

또한 열전도성 수지의 히트 싱크(50)는 평면 상에 발광 칩(10)을 실장할 수 있고 발광 칩(10)으로부터 발산되는 빛의 휘도 및 집광 능력을 향상하는 구조로 형성할 수 있다. In addition, the heat sink 50 of the thermal conductive resin may be formed in a structure in which the light emitting chip 10 may be mounted on a plane, and the luminance and the light collecting ability of the light emitted from the light emitting chip 10 may be improved.

예를 들어 본 발명의 열전도성 수지의 히트 싱크(50)는 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 관통홀의 지름 및 폭과 유사한 지름과 폭을 갖는 하부 원통과 하부 원통보다 지름이 더 큰 상부 원통으로 구성하되, 상부 원통의 상부에서부터 하부 원통의 소정 영역까지 원뿔대 형상의 리세스 영역을 갖도록 형성한다. 상술한 원뿔대 형상의 리세스 영역은 발광 칩(10)의 빛을 반사하는 반사경 역할을 한다. 따라서 원뿔대 형상의 리세스 영역은 빛의 휘도 및 집광 능력을 향상시키도록 30 내지 60°의 슬로프를 갖도록 형성할 수 있다. 또한 원뿔대 형상의 리세스 영역 하부에는 발광 칩(10)을 장착할 수 있다.
For example, the heat sink 50 of the thermally conductive resin of the present invention has an upper cylinder having a diameter larger than that of the lower cylinder and the lower cylinder having a diameter and width similar to the diameter and width of the through hole as shown in FIGS. 5 and 6. It is configured as, but to have a recessed region of the truncated conical shape from the upper portion of the upper cylinder to a predetermined region of the lower cylinder. The conical recessed region described above serves as a reflector reflecting light of the light emitting chip 10. Accordingly, the truncated recessed region may be formed to have a slope of 30 to 60 ° to improve the brightness and the light collecting ability of the light. In addition, the light emitting chip 10 may be mounted under the truncated recessed region.

이와 같이 본 발명의 발광 다이오드는 열전도성 수지를 히트 싱크로 이용하여 발광 칩에서 발생되는 열을 효과적으로 방출하고 LED의 열 발생으로 인한 스트레스를 줄일 수 있다. As described above, the light emitting diode of the present invention uses heat conductive resin as a heat sink to effectively dissipate heat generated from the light emitting chip and reduce stress caused by heat generation of the LED.

또한 상술한 바와 같이 발광 다이오드에서 열전도성 수지를 히트 싱크로 이용하여 발광 칩에서 발산되는 열을 효과적으로 방출할 수 있으나, 이에 외부 히트 싱크를 추가적으로 결합하여 구성함으로써 열 방출 효과를 더욱 높일 수 있다. In addition, as described above, the heat-conducting resin is used as the heat sink in the light emitting diode to effectively dissipate heat emitted from the light emitting chip. However, the heat dissipation effect can be further enhanced by additionally combining an external heat sink.

본 발명의 발광 다이오드 패키지는 상기 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 다양한 방법으로 응용되어 형성될 수 있다.The light emitting diode package of the present invention is not limited to the above-described embodiment, but may be applied and formed in various ways.

이와 같이 본 발명의 발광 다이오드는 열전도성 수지를 사용한 히트 싱크(50)를 이용하여 발광 칩(10)에서 발생되는 열을 효과적으로 방출할 수 있으며, 제조 공정을 개선할 수 있고, 발광 다이오드의 구조 또한 얇게 형성할 수 있다. 또한 히트 싱크(50)를 반사 구조로 형성하여 발광 칩(10)의 발광 효율을 향상시킬 수 있고, 열경화성 고분자 수지의 상부에 광학 렌즈(90)를 함께 형성하여 광도를 상승시킬 수 있다.As described above, the light emitting diode of the present invention can effectively emit heat generated from the light emitting chip 10 by using the heat sink 50 using the thermally conductive resin, can improve the manufacturing process, and also has the structure of the light emitting diode. It can be formed thin. In addition, the heat sink 50 may be formed in a reflective structure to improve light emission efficiency of the light emitting chip 10, and an optical lens 90 may be formed on the thermosetting polymer resin to increase light intensity.

10 : 발광 칩 20 : 기판
25 : 하우징 30 : 제 1 전극
31 : 양(+)전극 32 : 양극 연결용 패드
40 : 제 2 전극 41 : 음(-)전극
42 : 음극 연결용 패드 50 : 히트 싱크
60 : 몰딩부 70 : 제 1 와이어
80 : 제 2 와이어 90 : 집광용 광학렌즈
10 light emitting chip 20 substrate
25 housing 30 first electrode
31 positive electrode 32 anode connection pad
40: second electrode 41: negative (-) electrode
42: pad for cathode connection 50: heat sink
60: molding part 70: first wire
80 second wire 90 condensing optical lens

Claims (11)

하우징;
상기 하우징에 결합되며 상기 하우징의 하부면을 통해 상기 하우징의 외부로 노출되는 히트싱크;
상기 히트싱크 상에 실장된 발광 칩; 및
상기 발광 칩을 보호하도록 상기 발광 칩의 상부에 형성된 몰딩부를 포함하며,
상기 히트싱크는 함몰된 형상으로 형성되어 상기 발광 칩을 수용하는 반사부와, 상기 반사부의 상단에서 측방향으로 연장되어 상기 하우징의 일부에 걸쳐진 상단부를 포함하며,
상기 히트싱크의 하부면과 상기 하우징의 하부면은 동일 평면을 이루는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
housing;
A heat sink coupled to the housing and exposed to the outside of the housing through a lower surface of the housing;
A light emitting chip mounted on the heat sink; And
A molding part formed on the light emitting chip to protect the light emitting chip;
The heat sink includes a reflecting portion formed in a recessed shape to receive the light emitting chip, and an upper portion extending laterally from an upper end of the reflecting portion and covering a part of the housing.
And a lower surface of the heat sink and a lower surface of the housing form the same plane.
청구항 1에 있어서,
상기 히트싱크의 상단부는 상기 반사부의 경사진 반사면과 교차하는 환형의 상부면을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
The method according to claim 1,
And an upper end portion of the heat sink includes an annular upper surface intersecting an inclined reflective surface of the reflecting portion.
청구항 2에 있어서, 상기 히트싱크의 상단부와 이격된 채로 상기 하우징에 결합된 전극을 더 포함하며, 상기 전극의 하부면과 상기 히트싱크의 상단부의 하부면은 같은 높이에서 상기 하우징과 접해 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method of claim 2, further comprising an electrode coupled to the housing spaced apart from the upper end of the heat sink, the lower surface of the electrode and the lower surface of the upper end of the heat sink is in contact with the housing at the same height. Light emitting diode. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 몰딩부는 상부면이 평면 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The light emitting diode according to any one of claims 1 to 3, wherein the molding part has a planar top surface. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 몰딩부는 평면 형상의 상부면에 볼록한 렌즈부를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The light emitting diode according to any one of claims 1 to 3, wherein the molding part is formed to have a convex lens part on an upper surface of a planar shape. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항 있어서, 상기 발광 칩 상에 형광체를 더 포함하는 것을 특징을 하는 발광 다이오드.The light emitting diode according to any one of claims 1 to 3, further comprising a phosphor on the light emitting chip. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반사부의 내측 영역에 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The light emitting diode according to any one of claims 1 to 3, wherein a phosphor is included in an inner region of the reflecting portion. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 히트싱크는 인서트 사출에 의해 상기 하우징에 결합된 것을 특징으로 하는 발과 다이오드.4. Foot and diodes according to any one of the preceding claims, wherein the heat sink is coupled to the housing by insert injection. 청구항 3에 있어서, 상기 전극은 구리를 포함하는 것을 발광 다이오드. The light emitting diode of claim 3, wherein the electrode comprises copper. 청구항 5에 있어서, 상기 렌즈부는 상기 발광 칩이 실장된 상기 반사부의 대응하는 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The light emitting diode of claim 5, wherein the lens unit is disposed at a corresponding position of the reflecting unit on which the light emitting chip is mounted. 청구항 1에 있어서, 제1 전극과 제2 전극이 상기 하우징에 결합되며, 상기 제1 전극과 상기 제1 전극은 상기 하우징의 양 측면 각각을 감싸도록 절곡된 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
The light emitting diode of claim 1, wherein a first electrode and a second electrode are coupled to the housing, and the first electrode and the first electrode have a shape bent to surround each of both sides of the housing.
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