KR101216936B1 - Light emitting diode - Google Patents

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Abstract

발광다이오드 패키지가 개시된다. 이 발광다이오드 패키지는, 상면에 전극패턴(40, 45)이 형성된 상기 히트싱크(10)와, 상기 히트싱크(10) 상에 실장되며 상기 전극패턴(40, 45)과 전기적으로 연결되는 발광칩(20)과, 상기 히트싱크(10) 상에 형성되어 상기 발광칩(20)을 덮는 몰딩부재(60)과, 상기 히트싱크(10)에 형성되어 상기 히트싱크(10)의 고정에 이용되되, 상기 몰딩부재(60)의 바깥 영역에 위치하는 고정홀(70)을 포함한다.A light emitting diode package is disclosed. The LED package includes a heat sink 10 having electrode patterns 40 and 45 formed on an upper surface thereof, a light emitting chip mounted on the heat sink 10 and electrically connected to the electrode patterns 40 and 45. 20, a molding member 60 formed on the heat sink 10 to cover the light emitting chip 20, and formed on the heat sink 10 to be used for fixing the heat sink 10. It includes a fixing hole 70 located in the outer region of the molding member 60.

Description

발광 다이오드{Light emitting diode}Light emitting diodes

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히, 전극이 인쇄된 히트싱크를 이용한 발광 다이오드에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to light emitting diodes and, more particularly, to light emitting diodes using heat sinks on which electrodes are printed.

일반 적으로, 발광 다이오드는 전기적 신호를 받아 이를 광으로 출력하는 장치를 지칭하는 것으로, 전기적 신호를 입력받는 전극이 형성된 인쇄 회로 기판상에 발광 칩을 실장한 다음, 발광칩을 봉지하는 몰딩부를 형성하여 제조한다. Generally, a light emitting diode refers to a device that receives an electrical signal and outputs the light as light, and mounts the light emitting chip on a printed circuit board on which an electrode receiving the electrical signal is formed, and then forms a molding unit encapsulating the light emitting chip. To prepare.

상술한 발광 다이오드의 밝기는 발광칩에 인가되는 전류에 비례하고, 발광칩에 인가되는 전류는 발광칩이 발산하는 열에 비례한다. 이에 발광 다이오드의 밝기를 밝게 하기 위해서는 고전류을 인가하여야 하지만, 발광 칩이 발산하는 열로 인해 발광 칩이 손상을 받게 되어 무한정 높은 전류을 인가할 수 없는 문제가 발생한다. 즉, 발광 칩에 인가되는 전류를 높이면 발광 칩이 발산하는 열이 높아진다. The brightness of the light emitting diode described above is proportional to the current applied to the light emitting chip, and the current applied to the light emitting chip is proportional to the heat emitted by the light emitting chip. In order to brighten the brightness of the light emitting diode, a high current must be applied, but the light emitting chip is damaged due to heat emitted from the light emitting chip, thereby causing a problem in that a high current cannot be applied indefinitely. That is, when the current applied to the light emitting chip is increased, the heat emitted by the light emitting chip is increased.

이에 앞서 설명한 종래의 발광 다이오드에서는 발광 칩이 발산하는 열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있는 요소가 없었다.Accordingly, in the conventional light emitting diode described above, there is no element capable of effectively dissipating heat emitted by the light emitting chip to the outside.

이에, 발광 칩이 발산하는 열을 줄이기 위한 많은 연구들이 수행되고 있다. 그 결과로, 한국공개특허 특2002-0089785에서는 소정의 방열 구멍을 뚫어 발광 칩이 발산하는 열을 줄이도록 하였고, 한국공개특허 특2003-0053853에서는 소정의 금속판으로 LED소자를 둘러싸고 이를 열 싱크로 사용하여 소자가 발산하는 열을 줄이도록 하였다. Accordingly, many studies have been conducted to reduce the heat emitted by the light emitting chip. As a result, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2002-0089785 reduces the heat emitted by the light emitting chip by drilling a predetermined heat dissipation hole, and Korean Patent Laid-Open Publication No. 2003-0053853 surrounds the LED element with a predetermined metal plate and uses it as a heat sink. The device is designed to reduce the heat dissipated.

상기의 기술과 같이, 소정의 방열 구멍과 금속판을 통해 발광 칩이 발산하는 열을 외부로 방출하여 발광 칩을 보호하고, 발광 다이오드의 밝기를 향상시킬 수 있지만, 소정의 방열 구멍을 발광 칩 하부에 뚫을 경우 이러한 방열구멍으로 인해 외부의 불순물이 첨가되어 발광 칩 뿐만 아니라 발광 다이오드 전체에 손상을 입힐 수 있다.As described above, the heat dissipation of the light emitting chip through the predetermined heat dissipation hole and the metal plate can be emitted to the outside to protect the light emitting chip and improve the brightness of the light emitting diode. In the case of drilling, external impurities may be added due to the heat radiation holes to damage not only the light emitting chip but the entire light emitting diode.

또한, 몰딩부는 에폭시 수지를 사용하고 금속판은 금속을 사용하기 때문에 별도의 금속판을 소자에 추가할 경우, 발광 칩을 봉지하는 몰딩부와 금속판을 결합할 때, 금속과 에폭시 수지 경계면에 소정의 공기층이 형성되거나 두 물질간의 결합이 들뜨는 문제가 발생하고, 발광 다이오드의 제조 공정이 복잡해지게 된다.In addition, since the molding part uses an epoxy resin and the metal plate uses a metal, when a separate metal plate is added to the device, a predetermined air layer is formed on the interface between the metal and the epoxy resin when the metal part and the molding plate encapsulating the light emitting chip are combined. There arises a problem that formed or the coupling between the two materials, and the manufacturing process of the light emitting diode is complicated.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 열전도도가 우수한 히트싱크를 하부 기판으로 사용하여 발광 칩의 열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있는 발광 다이오드를 제공한다. Accordingly, the present invention provides a light emitting diode capable of effectively dissipating heat from the light emitting chip by using a heat sink having excellent thermal conductivity as a lower substrate in order to solve the above problems.

본 발명에 따른 열전도성 및/또는 전기전도성 재질의 기판과, 상기 기판상에 형성된 전극패턴 및 상기 전극에 실장된 칩을 포함하여 구성된 발광다이오드를 제공한다. Provided is a light emitting diode comprising a substrate made of a thermally conductive and / or electrically conductive material, an electrode pattern formed on the substrate, and a chip mounted on the electrode.

여기서, 상기 기판은 상기 칩에서 발생되는 열을 방출하는 히트싱크인 것을 특징으로 한다. 상기의 히트싱크는, 금속 또는 열전도성재질의 수지를 사용한다. Here, the substrate is characterized in that the heat sink for releasing heat generated from the chip. As said heat sink, resin of a metal or a thermally conductive material is used.

이때, 상기 칩이 실장되는 상기 기판의 실장부분은 기준면에 대하여 함몰되어, 반사부를 형성한다. 또한, 상기 전극패턴은 상기 기판에 대하여 절연되어 있다. 그리고, 상기 발광칩을 덮은 몰딩부 및/또는 렌즈를 더 포함한다.
At this time, the mounting portion of the substrate on which the chip is mounted is recessed with respect to the reference plane to form a reflecting portion. In addition, the electrode pattern is insulated from the substrate. The apparatus may further include a molding part and / or a lens covering the light emitting chip.

본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지는, 상면에 전극패턴(40, 45)이 형성된 상기 히트싱크(10)와; 상기 히트싱크(10) 상에 실장되며 상기 전극패턴(40, 45)과 전기적으로 연결되는 발광칩(20)과; 상기 히트싱크(10) 상에 형성되어 상기 발광칩(20)을 덮는 몰딩부재(60)와; 상기 히트싱크(10)에 형성되어 상기 히트싱크(10)의 고정에 이용되되, 상기 몰딩부재(60)의 바깥 영역에 위치하는 고정홀(70)을 포함한다.A light emitting diode package according to an aspect of the present invention includes: the heat sink 10 having electrode patterns 40 and 45 formed on an upper surface thereof; A light emitting chip 20 mounted on the heat sink 10 and electrically connected to the electrode patterns 40 and 45; A molding member 60 formed on the heat sink 10 and covering the light emitting chip 20; It is formed in the heat sink 10 is used to fix the heat sink 10, and includes a fixing hole 70 located in the outer region of the molding member (60).

일 실시예에 따라, 상기 히트싱크(10)는 상기 발광칩(20)이 실장되는 영역에 반사컵(15)을 포함한다.According to one embodiment, the heat sink 10 includes a reflecting cup 15 in a region where the light emitting chip 20 is mounted.

일 실시예에 따라, 상기 히트싱크(10)는 상기 몰딩부재(50)의 바깥 영역에 상기 전극패턴(40, 45)과 외부전원을 전기적으로 연결하는 금속배선(80, 85)을 포함한다.According to one embodiment, the heat sink 10 includes metal wirings 80 and 85 for electrically connecting the electrode patterns 40 and 45 and an external power source to the outer region of the molding member 50.

일 실시예에 따라, 상기 발광다이오드 패키지는 상기 발광칩(20)의 상부 또는 상기 발광칩(20)이 위치하는 영역에 형광체를 더 포함한다. In example embodiments, the light emitting diode package further includes a phosphor on an upper portion of the light emitting chip 20 or a region where the light emitting chip 20 is located.

일 실시예에 따라, 상기 전극패턴은 상기 발광칩이 실장되는 부분에 배치된다.In example embodiments, the electrode pattern is disposed on a portion where the light emitting chip is mounted.

일 실시예에 따라, 상기 전극패턴은 상기 발광칩이 실장되지 않는 부분에 배치된다.In example embodiments, the electrode pattern is disposed on a portion where the light emitting chip is not mounted.

일 실시예에 따라, 상기 전극패턴(40, 45)은 상기 몰딩부재(60)의 바깥쪽으로 가장자리 일부가 노출된다.According to one embodiment, the electrode patterns 40 and 45 are partially exposed to the outside of the molding member 60.

일 실시예에 따라, 상기 몰딩부재(60)는 적어도 하나의 고정부재를 더 포함한다.According to one embodiment, the molding member 60 further includes at least one fixing member.

일 실시예에 따라, 상기 고정부재는 상기 히트싱크(10)의 중심부에 형성된 홈에 삽입된다.According to one embodiment, the fixing member is inserted into a groove formed in the center of the heat sink 10.

일 실시예에 따라, 상기 고정홀의 배열 방향과 상기 전극패턴(40, 45)의 배열 방향이 일치한다.According to an embodiment, the arrangement direction of the fixing holes and the arrangement direction of the electrode patterns 40 and 45 coincide with each other.

본 발명의 다른 측면에 따른 발광다이오드 패키지는, 상면에 전극패턴이 형성된 열전도성 재질의 기판과; 상기 기판 상에 상에 실장되며 상기 전극패턴과 전기적으로 연결되는 발광칩과; 상기 기판 상에 형성되어 상기 발광칩을 덮는 몰딩부재와; 상기 기판 상에 형성되어 상기 기판의 고정에 이용되되, 상기 기판의 바깥 영역에 위치하는 고정홀을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode package comprising: a substrate made of a thermally conductive material having an electrode pattern formed on an upper surface thereof; A light emitting chip mounted on the substrate and electrically connected to the electrode pattern; A molding member formed on the substrate to cover the light emitting chip; Is formed on the substrate is used for fixing the substrate, and includes a fixing hole located in the outer region of the substrate.

일 실시예에 따라, 상기 기판은 금속과, 상기 전극패턴을 상기 금속으로부터 절연하기 위한 절연층을 포함한다.In an embodiment, the substrate includes a metal and an insulating layer for insulating the electrode pattern from the metal.

일 실시예에 따라, 상기 기판은 열전도성 재질의 수지를 포함한다.According to one embodiment, the substrate comprises a resin of a thermally conductive material.

일 실시예에 따라, 상기 기판은 상기 몰딩부재의 바깥 영역에 상기 전극패턴과 외부전원을 전기적으로 연결하는 금속배선을 포함한다.According to an embodiment, the substrate includes a metal wiring electrically connecting the electrode pattern and an external power source to an outer region of the molding member.

일 실시예에 따라, 상기 몰딩부재는 광학렌즈 형태를 가지며 상기 기판에 결합되는 복수의 다리를 하부에 포함한다.According to an embodiment, the molding member has a shape of an optical lens and includes a plurality of legs coupled to the substrate.

상술한 바와 같이, 본 발명은 히트 싱크 상에 발광 다이오드를 형성함으로써 별도의 회로 기판 및 슬러그를 사용하지 않고도 발광 칩의 열을 외부로 방출할 수 있다. As described above, the present invention can form the light emitting diode on the heat sink to emit heat of the light emitting chip to the outside without using a separate circuit board and slug.

또한, 열 전도성과, 전기 전도성이 우수한 히트 싱크를 제 2 전극으로 사용하여 외부 전기 단자와의 접촉을 폭넓게 할 수 있다. In addition, a heat sink excellent in thermal conductivity and electrical conductivity can be used as the second electrode to widen contact with external electrical terminals.

또한, 반사컵이 형성된 히트 싱크를 사용하여 발광 칩의 발열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있고, 빛의 휘도를 향상시킬 수 있다.
In addition, the heat sink in which the reflective cup is formed may be used to effectively emit heat generated by the light emitting chip to the outside, thereby improving brightness of light.

도 1 내지 도 5는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제작 방법을 설명하기 위한 개념도이다.
1 to 5 are cross-sectional views of light emitting diodes according to the present invention.
6 is a conceptual diagram illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Wherein like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1 내지 도 5는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 단면도이다. 1 to 5 are cross-sectional views of light emitting diodes according to the present invention.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명이 발광 다이오드는 열 전도성을 갖는 히트싱크(10)와, 히트싱크(10)에 실장된 발광 칩(20)과, 히트 싱크(10) 상부에 형성된 전극(40 및 45)과, 발광칩(20)을 봉지하는 몰딩부(60)를 포함한다. 또한, 발광 칩(20)과 전극(40 및 45)을 전기적으로 연결하는 소정의 와이어(50 및 55)들 더 포함할 수 있다. 또한, 발광 칩(20) 상부에 발광 칩(20)으로부터 방출된 광을 흡수하여 파장을 변화시키는 소정의 형광체(미도시)를 더 포함할 수 있다. 발광 칩(20)이 실장을 위한 소정의 페이스트(미도시)를 더 포함할 수 있다. 1 to 5, a light emitting diode according to the present invention includes a heat sink 10 having a thermal conductivity, a light emitting chip 20 mounted on the heat sink 10, and an electrode formed on the heat sink 10. 40 and 45 and a molding unit 60 for encapsulating the light emitting chip 20. In addition, the light emitting chip 20 may further include predetermined wires 50 and 55 that electrically connect the electrodes 40 and 45. In addition, a predetermined phosphor (not shown) for absorbing light emitted from the light emitting chip 20 to change the wavelength may be further included on the light emitting chip 20. The light emitting chip 20 may further include a predetermined paste (not shown) for mounting.

히트 싱크(10)로 전기 전도성의 금속 물질을 사용할 수 있다. 또한, 소정의 반사컵(15)이 형성된 히트 싱크(10)를 사용할 수 있다. 또한, 히트 싱크(10)와 전극(40 및 45)간의 절연을 위해 소정의 절연막(30)을 형성할 수 있다. 몰딩부(60)는 광학 렌즈 형태, 평판 형태 및 표면에 소정의 요철을 갖는 형태중 적어도 어느 하나의 형상으로 형성할 수 있다. As the heat sink 10, an electrically conductive metal material may be used. In addition, the heat sink 10 in which the predetermined reflection cup 15 is formed may be used. In addition, a predetermined insulating film 30 may be formed to insulate the heat sink 10 from the electrodes 40 and 45. The molding part 60 may be formed in at least one of an optical lens shape, a flat plate shape, and a shape having predetermined irregularities on the surface.

본 발명의 발광 다이오드는 다양한 실시예가 가능하다. 이하, 상기 도면을 참조하여 다양한 형태의 실시예에 관해 구체적으로 설명한다. The light emitting diode of the present invention is possible in various embodiments. Hereinafter, various forms of embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 도 1에 도시된 바와 같이 발광 다이오드는 반사컵(15)이 형성된 열전도성 및 전기 전도성을 갖는 히트 싱크(10)와, 반사컵(15) 내부에 실장된 발광 칩(20)과, 히트 싱크(10)의 소정영역에 형성된 절연막(30)과, 절연막(30) 상부에 형성된 제 1 전극(40)과 발광 칩(20)을 봉지하는 몰딩부(60)를 포함한다. As shown in FIG. 1 of the present invention, the light emitting diode includes a heat sink 10 having a heat conductive and electrical conductivity having a reflecting cup 15, a light emitting chip 20 mounted inside the reflecting cup 15, The insulating layer 30 is formed on a predetermined region of the heat sink 10, and the molding unit 60 encapsulating the first electrode 40 and the light emitting chip 20 formed on the insulating layer 30.

또한, 제 1 전극(40)과 발광 칩(20)을 전기적으로 연결하는 와이어(50)를 더 포함한다. 또한, 제 1 전극(40)과 외부 제 1 전류 입력 단자(미도시)를 연결하는 제 1 금속배선(미도시)과, 히트 싱크(10)와 외부 제 2 전류 입력 단자(미도시)를 연결하는 제 2 금속배선(미도시)을 더 포함할 수 있다. 또한, 반사컵(15) 내부의 발광 칩(20)이 형성되는 영역내에 목표로 하는 색의 빛을 발산하기 위한 소정의 형광체(미도시)를 더 포함할 수 있다.The apparatus further includes a wire 50 electrically connecting the first electrode 40 and the light emitting chip 20 to each other. In addition, a first metal wire (not shown) connecting the first electrode 40 and an external first current input terminal (not shown), and a heat sink 10 and an external second current input terminal (not shown) are connected. A second metal wire (not shown) may be further included. In addition, a predetermined phosphor (not shown) for emitting light of a target color may be further included in a region where the light emitting chip 20 is formed in the reflection cup 15.

발광 칩(20)을 은 페이스트(미도시)를 이용하여 반사컵(15)의 하부면에 실장되는 것이 바람직하다. 이로인해 발광 칩(20)과 히트 싱크(10)간은 전기적으로 연결된다. 절연막(30)은 전기 전도성의 히트 싱크(10)와 제 1 전극(40)간의 절연을 위해 형성한다. 절연막(30)은 제 1 전극(40)과 동일한 크기로 형성하거나, 제 1 전극(40)보다 더 넓게 형성하는 것이 바람직하다. 제 1 전극(40)은 전도성이 우수한 구리 또는 알루미늄을 포함한 금속물질로 형성하는 것이 효과적이다. 절연막(30)과 제 1 전극(40)은 인쇄 기법을 통해 형성할 수 있다. 또는 접착제를 이용하여 형성할 수 있다. 몰딩부(60)는 소정의 에폭시 수지를 이용한 사출 공정을 통해 형성할 수 있다. 또한, 별도의 제작틀을 이용하여 제작한 다음, 이를 강압 또는 열처리하여 발광 칩(20)을 몰딩할 수 있다. 몰딩부(60) 외부로 제 1 전극(45)의 소정영역이 노출되는 것이 바람직하다. It is preferable that the light emitting chip 20 is mounted on the lower surface of the reflective cup 15 using silver paste (not shown). As a result, the light emitting chip 20 and the heat sink 10 are electrically connected to each other. The insulating film 30 is formed for insulation between the electrically conductive heat sink 10 and the first electrode 40. The insulating film 30 is preferably formed to have the same size as the first electrode 40 or wider than the first electrode 40. The first electrode 40 may be formed of a metal material including copper or aluminum having excellent conductivity. The insulating film 30 and the first electrode 40 may be formed through a printing technique. Or it can form using an adhesive agent. The molding part 60 may be formed through an injection process using a predetermined epoxy resin. In addition, after manufacturing using a separate manufacturing frame, it can be molded by pressing or heat-treating the light emitting chip 20. Preferably, a predetermined region of the first electrode 45 is exposed to the outside of the molding part 60.

이로인해 별도의 회로 기판 및 슬러그를 사용하지 않고도 발광 칩의 열을 외부로 방출할 수 있다. 또한, 제 2 전극 대신 히트 싱크를 사용하여 외부 전기 단자와의 접촉을 폭넓게 할 수 있다. This allows the heat of the light emitting chip to be discharged to the outside without using a separate circuit board and slug. In addition, a heat sink can be used instead of the second electrode to widen the contact with the external electrical terminals.

본 발명의 도 2에 도시된 바와 같이 발광 다이오드는 반사컵(15)이 형성된 열전도성의 히트 싱크(10)와, 히트 싱크(10)의 소정영역에 형성된 절연막(30)과, 절연막(30) 상부에 형성된 제 1 전극(40)과, 제 1 전극(40)과 전기적으로 단전되고, 반사컵(15) 내부 및 히트 싱크(10) 상에 형성된 제 2 전극(45)과, 반사컵(15) 내부의 제 2 전극(45) 상에 전기적으로 실장된 발광 칩(20)과 발광 칩(20)을 봉지하는 몰딩부(60)를 포함한다. As shown in FIG. 2 of the present invention, the light emitting diode includes a heat conductive heat sink 10 having a reflection cup 15, an insulating film 30 formed in a predetermined region of the heat sink 10, and an upper portion of the insulating film 30. A first electrode 40 formed on the second electrode 45, electrically disconnected from the first electrode 40, and a second electrode 45 formed on the heat sink 10 and the reflection cup 15. The light emitting chip 20 electrically mounted on the second electrode 45 therein and a molding part 60 encapsulating the light emitting chip 20 are included.

또한, 제 1 전극(40)과 발광 칩(20)을 전기적으로 연결하기 위한 와이어(50)와, 제 1 전극(40)과 외부 제 1 전류 입력 단자(미도시)를 연결하는 제 1 금속배선(미도시)과 제 2 전극(45)과 외부 제 2 전류 입력 단자(미도시)를 연결하는 제 2 금속배선(미도시)을 더 포함할 수 있다. 또한, 발광 칩(20) 상에 목표로 하는 색의 빛을 발산하기 위한 소정의 형광체(미도시)를 더 포함할 수 있다. In addition, a first metal wire connecting the wire 50 for electrically connecting the first electrode 40 and the light emitting chip 20 to the first electrode 40 and an external first current input terminal (not shown). A second metal wire (not shown) connecting the second electrode 45 and the external second current input terminal (not shown) may be further included. In addition, the light emitting chip 20 may further include a predetermined phosphor (not shown) for emitting light of a target color.

히트 싱크(10)로 열 전도성이 우수한 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 열 전도성이 우수한 물질로는 전기 전도성 및 비 전도성이 우수한 금속 물질을 사용하거나, 열 전도성 물질을 포함하는 수지를 사용할 수 있다. 절연막(30)과 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)은 인쇄 기법을 통해 형성할 수 있다. 또는 접착제를 이용하여 형성할 수 있다. 이는 다양한 공정 순서를 통해 형성할 수 있다. 즉, 히트 싱크(10)의 소정 영역에 절연막(30)을 형성한 다음, 그 상부에 제 1 전극(40)을 형성하고, 반사컵(15)을 포함하는 소정 영역에 제 2 전극(45)을 형성할 수 있다. 또는, 히트 싱크(10) 상에 절연막(30)을 형성한 다음, 반사컵(15) 영역과 제 2 전극(45)이 형성될 영역의 절연막(30)을 제거한다. 이후, 절연막(30)이 제거된 영역에는 제 2 전극(45)을 형성하고, 절연막(30)이 잔류하는 영역에는 제 1 전극(40)을 형성할 수 있다. It is preferable to use a material having excellent thermal conductivity as the heat sink 10. As the material having excellent thermal conductivity, a metal material having excellent electrical conductivity and non-conductivity may be used, or a resin including a thermal conductive material may be used. The insulating film 30 and the first and second electrodes 40 and 45 may be formed through a printing technique. Or it can form using an adhesive agent. It can be formed through various process sequences. That is, after the insulating film 30 is formed in a predetermined region of the heat sink 10, the first electrode 40 is formed on the upper portion of the heat sink 10, and the second electrode 45 is formed in the predetermined region including the reflective cup 15. Can be formed. Alternatively, the insulating film 30 is formed on the heat sink 10, and then the insulating film 30 in the region where the reflective cup 15 and the second electrode 45 are to be formed is removed. Thereafter, the second electrode 45 may be formed in the region where the insulating layer 30 is removed, and the first electrode 40 may be formed in the region where the insulating layer 30 remains.

제 1 전극(40) 및 제 2 전극(45)은 전도성이 우수한 구리 또는 알루미늄을 포함한 금속물질로 형성하는 것이 효과적이다. 반사컵(15) 영역에 형성되는 제 2 전극(45)은 반사컵(15)으로 인한 빛의 반사를 방해하지 않도록 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 반사컵(15)의 하부 소정 영역과 일 측벽에 라인 형태로 형성되는 것이 효과적이다. It is effective to form the first electrode 40 and the second electrode 45 with a metallic material including copper or aluminum having excellent conductivity. The second electrode 45 formed in the reflective cup 15 region is preferably formed so as not to interfere with the reflection of light due to the reflective cup 15. That is, it is effective to form a line on the lower predetermined region and one side wall of the reflective cup 15.

발광 칩(20)은 제 2 전극(45)이 형성된 반사컵(10) 하부에 은 페이스트를 이용하여 실장하되, 제 2 전극(45)과 전기적으로 접촉되도록 하는 것이 바람직하다. 몰딩부(60)는 소정의 에폭시 수지를 이용한 사출 공정을 통해 형성할 수 있다. 또한, 별도의 제작틀을 이용하여 제작한 다음, 이를 강압 또는 열처리하여 발광 칩(20)을 몰딩할 수 있다. 몰딩부(60) 외부로 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)의 소정영역이 노출되는 것이 바람직하다. The light emitting chip 20 is mounted on the lower portion of the reflective cup 10 on which the second electrode 45 is formed by using a silver paste, but is preferably in electrical contact with the second electrode 45. The molding part 60 may be formed through an injection process using a predetermined epoxy resin. In addition, after manufacturing using a separate manufacturing frame, it can be molded by pressing or heat-treating the light emitting chip 20. Preferably, predetermined regions of the first and second electrodes 40 and 45 are exposed to the molding unit 60.

이로인해, 본 발명의 히트 싱크(10)로 열 전도성 물질을 사용하여 별도의 인쇄 회로 기판 및 슬러그를 사용하지 않고, 제 2 전극(45)을 통해 발광 칩에 전력손실 없이 외부 전류을 인가할 수 있다. Thus, the heat sink 10 of the present invention can apply an external current to the light emitting chip through the second electrode 45 without using a thermally conductive material without using a separate printed circuit board and slug, and without losing power. .

본 발명의 도 3에 도시된 바와 같이 발광 다이오드는 반사컵(15)이 형성된 열 전도성의 히트 싱크(10)와, 반사컵(15) 내부에 실장된 발광 칩(20)과, 반사컵(15)을 제외한 영역의 히트 싱크(10) 상에 형성된 절연막(30)과, 절연막(30) 상에 형성된 전극(40 및 45)과, 발광 칩(20)을 봉지하는 몰딩부(60)를 포함한다. As shown in FIG. 3 of the present invention, the light emitting diode includes a heat conductive heat sink 10 having a reflection cup 15 formed therein, a light emitting chip 20 mounted inside the reflection cup 15, and a reflection cup 15. ), An insulating film 30 formed on the heat sink 10 except for the region, an electrode 40 and 45 formed on the insulating film 30, and a molding part 60 encapsulating the light emitting chip 20. .

또한, 전극(40 및 45)은 발광 칩(20)의 음 단자 및 양 단자에 각기 접속하는 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)으로 형성하되, 두 전극은 전기적으로 단전되도록 형성하는 것이 바람직하다. 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)과 발광 칩(20)을 전기적으로 연결하기 위한 제 1 및 제 2 와이어(50 및 55)를 더 포함할 수 있다. 또한, 제 1 전극(40)과 외부 제 1 전류 입력 단자(미도시)를 연결하는 제 1 금속배선(미도시)과, 제 2 전극(45)과 외부 제 2 전류 입력 단자(미도시)를 연결하는 제 2 금속배선(미도시)을 더 포함할 수 있다. 또한, 발광 칩(20) 상에 목표로 하는 색의 빛을 발산하기 위한 소정의 형광체(미도시)를 더 포함할 수 있다. In addition, the electrodes 40 and 45 are formed of first and second electrodes 40 and 45 respectively connected to the negative and positive terminals of the light emitting chip 20, but the two electrodes are preferably formed to be electrically disconnected. Do. The apparatus may further include first and second wires 50 and 55 for electrically connecting the first and second electrodes 40 and 45 to the light emitting chip 20. In addition, the first metal wire (not shown) connecting the first electrode 40 and the external first current input terminal (not shown), the second electrode 45 and the external second current input terminal (not shown) It may further include a second metal wiring (not shown) for connecting. In addition, the light emitting chip 20 may further include a predetermined phosphor (not shown) for emitting light of a target color.

히트 싱크(10)로 열 전도성과 전기전도성이 우수한 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 히트 싱크(10)로 금속물질을 사용하는 것이 가장 바람직하다. 절연막(10)과 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)은 인쇄 기법을 통해 형성할 수 있다. 또는 접착제를 이용하여 형성할 수 있다. 이는 다양한 공정 순서를 통해 형성할 수 있다. 즉, 히트 싱크(10) 상부에 절연막(30)을 형성한 다음, 절연막(30) 상에 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)을 형성한다. 절연막(30)은 히트 싱크(10)의 반사컵(15)을 제외한 전체 구조 상부에 형성되는 것이 효과적이다. 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)은 전도성이 우수한 구리 또는 알루미늄을 포함한 금속물질로 형성한다. It is preferable to use a material having excellent thermal conductivity and electrical conductivity as the heat sink 10. In this embodiment, it is most preferable to use a metal material as the heat sink 10. The insulating film 10 and the first and second electrodes 40 and 45 may be formed through a printing technique. Or it can form using an adhesive agent. It can be formed through various process sequences. That is, after the insulating film 30 is formed on the heat sink 10, the first and second electrodes 40 and 45 are formed on the insulating film 30. It is effective that the insulating film 30 is formed on the entire structure except the reflective cup 15 of the heat sink 10. The first and second electrodes 40 and 45 are formed of a metal material including copper or aluminum having excellent conductivity.

발광 칩(20)은 반사컵(15) 하부에 실버 페이스트를 이용하여 실장하는 것이 바람직하다. 몰딩부(60)는 소정의 에폭시 수지를 이용한 사출 공정을 통해 형성할 수 있다. 또한, 별도의 제작틀을 이용하여 제작한 다음, 이를 강압 또는 열처리하여 발광 칩(20)을 몰딩할 수 있다. 몰딩부(60) 외부로 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)의 소정영역이 노출되는 것이 바람직하다. The light emitting chip 20 may be mounted on the lower portion of the reflective cup 15 using silver paste. The molding part 60 may be formed through an injection process using a predetermined epoxy resin. In addition, after manufacturing using a separate manufacturing frame, it can be molded by pressing or heat-treating the light emitting chip 20. Preferably, predetermined regions of the first and second electrodes 40 and 45 are exposed to the molding unit 60.

이로써, 반사컵(15)으로 인한 빛의 반사를 최대화 할 수 있고, 발광 칩(20)의 열 방출을 효과적으로 제어할 수 있다. As a result, the reflection of the light due to the reflective cup 15 may be maximized, and heat emission of the light emitting chip 20 may be effectively controlled.

본 발명의 도 4에 도시된 바와 같이 발광 다이오드는 열 전도성의 히트 싱크(10)와, 히트 싱크(10)에 실장된 발광 칩(20)과, 상기 발광 칩(20)이 실장된 영역을 제외한 히트 싱크(10) 상에 형성된 절연막(30)과, 절연막(30) 상에 형성된 전극(40 및 45)과, 발광 칩(20)을 봉지하는 몰딩부(60)를 포함한다. As shown in FIG. 4 of the present invention, the light emitting diode includes a heat conductive heat sink 10, a light emitting chip 20 mounted on the heat sink 10, and a region in which the light emitting chip 20 is mounted. An insulating film 30 formed on the heat sink 10, electrodes 40 and 45 formed on the insulating film 30, and a molding part 60 encapsulating the light emitting chip 20.

히트 싱크(10) 상에 발광 칩(20)의 광의 휘도를 향상시키기 위한 반사기(미도시)를 더 포함할 수 있다. 또한, 전극(40 및 45)은 발광 칩(10)의 양 단자 및 음 단자에 접속하기 위한 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)으로 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)과 발광 칩(10)을 전기적으로 연결하기 위한 제 1 및 제 2 와이어(50 및 55)를 더 포함할 수 있다. 또한, 제 1 전극(40)과 외부 제 1 전류 입력 단자(미도시)를 연결하는 제 1 금속배선(미도시)과, 제 2 전극(45)과 외부 제 2 전류 입력 단자(미도시)를 연결하는 제 2 금속배선(미도시)을 더 포함할 수 있다. 또한, 발광 칩(20) 상에 목표로 하는 색의 빛을 발산하기 위한 소정의 형광체(미도시)를 더 포함할 수 있다. The heat sink 10 may further include a reflector (not shown) for improving the brightness of the light of the light emitting chip 20. In addition, the electrodes 40 and 45 are preferably composed of first and second electrodes 40 and 45 for connecting to the positive terminal and the negative terminal of the light emitting chip 10. In addition, the electronic device may further include first and second wires 50 and 55 for electrically connecting the first and second electrodes 40 and 45 to the light emitting chip 10. In addition, the first metal wire (not shown) connecting the first electrode 40 and the external first current input terminal (not shown), the second electrode 45 and the external second current input terminal (not shown) It may further include a second metal wiring (not shown) for connecting. In addition, the light emitting chip 20 may further include a predetermined phosphor (not shown) for emitting light of a target color.

히트 싱크(10)로 열 전도성과 전기전도성이 우수한 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 히트 싱크(10)로 금속물질을 사용하는 것이 가장 바람직하다. 또한, 히트 싱크(10)로 열 전도성 물질을 포함하는 수지를 사용할 수 있다. It is preferable to use a material having excellent thermal conductivity and electrical conductivity as the heat sink 10. In this embodiment, it is most preferable to use a metal material as the heat sink 10. In addition, a resin including a thermally conductive material may be used as the heat sink 10.

절연막(30)과 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)은 인쇄 기법을 통해 형성할 수 있다. 또는 접착제를 이용하여 형성할 수 있다. 이는 다양한 공정 순서를 통해 형성할 수 있다. 즉, 히트 싱크(10) 상부에 절연막(30)을 형성한 다음, 절연막(30) 상에 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)을 형성한다. 발광 칩(20)의 실장 영역을 제외한 히트 싱크(10) 상부에 절연막(30)을 형성한다. 이는 히트 싱크(10) 상부에 절연막(30)을 형성한 다음, 발광 칩(10)의 실장 영역의 절연막(30)을 제거하여 형성할 수도 있다. 이후, 인쇄기법 또는 금속배선 형성 방법을 통해 절연막(30) 상에 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)을 형성하는 것이 바람직하다. 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)은 전도성이 우수한 구리 또는 알루미늄을 포함한 금속물질로 형성하되, 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)은 전기적으로 단전되도록 형성한다. The insulating film 30 and the first and second electrodes 40 and 45 may be formed through a printing technique. Or it can form using an adhesive agent. It can be formed through various process sequences. That is, after the insulating film 30 is formed on the heat sink 10, the first and second electrodes 40 and 45 are formed on the insulating film 30. An insulating film 30 is formed on the heat sink 10 except for the mounting region of the light emitting chip 20. This may be formed by forming the insulating film 30 on the heat sink 10 and then removing the insulating film 30 in the mounting region of the light emitting chip 10. Thereafter, it is preferable to form the first and second electrodes 40 and 45 on the insulating film 30 by a printing method or a metal wiring forming method. The first and second electrodes 40 and 45 may be formed of a metal material including copper or aluminum having excellent conductivity, and the first and second electrodes 40 and 45 may be electrically disconnected.

발광 칩(20)은 반사컵(15) 하부에 실버 페이스트를 이용하여 실장하는 것이 바람직하다. 몰딩부(60)는 소정의 에폭시 수지를 이용한 사출 공정을 통해 형성할 수 있다. 또한, 별도의 제작틀을 이용하여 제작한 다음, 이를 강압 또는 열처리하여 발광 칩을 몰딩할 수 있다. 몰딩부(60) 외부로 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)의 소정영역이 노출되는 것이 바람직하다. The light emitting chip 20 may be mounted on the lower portion of the reflective cup 15 using silver paste. The molding part 60 may be formed through an injection process using a predetermined epoxy resin. In addition, after manufacturing using a separate production frame, it can be molded by pressing or heat-treating the light emitting chip. Preferably, predetermined regions of the first and second electrodes 40 and 45 are exposed to the molding unit 60.

이로써, 히트 싱크(10)를 이용하여 발광 칩(20)의 열을 효과적으로 방출할 수 있고, 히트 싱크의 스트레스를 줄일 수 있다. As a result, the heat of the light emitting chip 20 can be effectively released using the heat sink 10, and the stress of the heat sink can be reduced.

본 발명의 도 5에 도시된 바와 같이 발광 다이오드는 반사컵(15)이 형성된 열전도성의 히트 싱크(10)와, 반사컵(15)의 일부를 포함하는 히트 싱크(10)의 소정영역에 형성된 절연막(30)과, 절연막(30) 상부에 형성된 제 1 전극(40)과, 제 1 전극(40)과 전기적으로 단전되고, 반사컵(15) 내부 및 히트 싱크(10) 상에 형성된 제 2 전극(45)과, 반사컵(15) 내부의 제 2 전극(45) 상에 전기적으로 실장된 발광 칩(20)과 발광 칩(20)을 봉지하는 몰딩부(60)를 포함한다. As shown in FIG. 5 of the present invention, the light emitting diode includes an insulating film formed in a predetermined region of the heat sink 10 including the heat conductive heat sink 10 having the reflection cup 15 and a part of the reflection cup 15. 30, a first electrode 40 formed on the insulating film 30, and a second electrode electrically disconnected from the first electrode 40 and formed in the reflection cup 15 and on the heat sink 10. 45, a light emitting chip 20 electrically mounted on the second electrode 45 inside the reflective cup 15, and a molding part 60 encapsulating the light emitting chip 20.

또한, 제 1 전극(40)과 발광 칩(20)을 전기적으로 연결하기 위한 와이어(50)와, 제 1 전극(40)과 외부 제 1 전류 입력 단자(미도시)를 연결하는 제 1 금속배선(미도시)과 제 2 전극(45)과 외부 제 2 전류 입력 단자를 연결하는 제 2 금속배선(미도시)을 더 포함할 수 있다. 또한, 발광 칩(20) 상에 목표로 하는 색의 빛을 발산하기 위한 소정의 형광체(미도시)를 더 포함할 수 있다. In addition, a first metal wire connecting the wire 50 for electrically connecting the first electrode 40 and the light emitting chip 20 to the first electrode 40 and an external first current input terminal (not shown). A second metal wire (not shown) connecting the second electrode 45 and the external second current input terminal may be further included. In addition, the light emitting chip 20 may further include a predetermined phosphor (not shown) for emitting light of a target color.

히트 싱크(10)로 열 전도성이 우수한 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 열 전도성이 우수한 물질로는 전기 전도성 및 비 전도성이 우수한 금속 물질을 사용하거나, 열 전도성 물질을 포함하는 수지를 사용할 수 있다. 절연막(30)과 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)은 인쇄 기법을 통해 형성할 수 있다. 또는 접착제를 이용하여 형성할 수 있다. 이는 다양한 공정 순서를 통해 형성할 수 있다. 제 1 전극(40) 및 제 2 전극(45)은 전도성이 우수한 구리 또는 알루미늄을 포함한 금속물질로 형성하는 것이 효과적이다. 반사컵(15) 영역에 형성되는 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)은 반사컵(15)으로 인한 빛의 반사를 방해하지 않도록 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 반사컵(15)의 하부 소정 영역과 일 측벽에 각기 라인 형태로 형성하는 것이 효과적이다. It is preferable to use a material having excellent thermal conductivity as the heat sink 10. As the material having excellent thermal conductivity, a metal material having excellent electrical conductivity and non-conductivity may be used, or a resin including a thermal conductive material may be used. The insulating film 30 and the first and second electrodes 40 and 45 may be formed through a printing technique. Or it can form using an adhesive agent. It can be formed through various process sequences. It is effective to form the first electrode 40 and the second electrode 45 with a metallic material including copper or aluminum having excellent conductivity. The first and second electrodes 40 and 45 formed in the reflective cup 15 region are preferably formed so as not to interfere with the reflection of light due to the reflective cup 15. That is, it is effective to form each of the lines in the lower predetermined region and one side wall of the reflective cup 15.

발광 칩(20)은 제 2 전극(45)이 형성된 반사컵(15) 하부에 은 페이스트를 이용하여 실장하되, 제 2 전극(45)과 전기적으로 접촉되도록 하는 것이 바람직하다. 몰딩부(60)는 평면상에 광학 렌즈가 형성된 형상으로 형성하되, 소정의 에폭시 수지를 이용한 사출 공정을 통해 형성할 수 있다. 또한, 별도의 제작틀을 이용하여 제작한 다음, 이를 강압 또는 열처리하여 발광 칩을 몰딩할 수 있다. 몰딩부(60) 외부로 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)의 소정영역이 노출되는 것이 바람직하다. 앞서 설명한 바와 같이 몰딩부(60)의 형상은 다양하게 형성할 수 있다. 즉, 광학 렌즈 형태, 평판 형태 및 표면에 소정의 요철을 갖는 형태중 적어도 어느 하나의 형상으로 형성할 수 있다. The light emitting chip 20 is mounted on the lower portion of the reflective cup 15 on which the second electrode 45 is formed by using a silver paste, but is preferably in electrical contact with the second electrode 45. The molding part 60 may be formed in a shape in which an optical lens is formed on a plane, and may be formed through an injection process using a predetermined epoxy resin. In addition, after manufacturing using a separate production frame, it can be molded by pressing or heat-treating the light emitting chip. Preferably, predetermined regions of the first and second electrodes 40 and 45 are exposed to the molding unit 60. As described above, the shape of the molding part 60 may be variously formed. That is, it can be formed in at least one of an optical lens shape, a flat plate shape, and a shape having predetermined irregularities on the surface.

상술한 각 실시예는 각 단일 실시예에 한정하지 않고, 각기 서로 조합하여 사용되어질 수 있다.Each embodiment described above is not limited to each single embodiment, but may be used in combination with each other.

도 6은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제작 방법을 설명하기 위한 개념도이다. 6 is a conceptual diagram illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to the present invention.

도 6을 참조하면, 소정의 고정홀(70)들과, 반사컵(15)이 형성된 히트 싱크(10)를 마련하는 단계와, 반사컵(15) 영역을 제외한 히트 싱크(10) 상에 절연막(30)을 형성하는 단계와, 반사컵(15) 주변에 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)을 형성하는 단계와, 반사컵(15) 내부에 발광 칩(20)을 실장하는 단계와, 몰딩부(60)를 형성하는 단계를 포함한다. Referring to FIG. 6, a step of providing a heat sink 10 having predetermined fixing holes 70, a reflection cup 15, and an insulating film on the heat sink 10 except for the region of the reflection cup 15 is provided. Forming the 30, forming the first and second electrodes 40 and 45 around the reflective cup 15, and mounting the light emitting chip 20 inside the reflective cup 15. , Forming the molding part 60.

물리적 가공 공정을 통해 히트 싱크(10)의 중앙부에 반사컵(15) 영역을 형성하고, 히트 싱크(10)의 외각에 히트 싱크(10) 기판을 고정하기 위한 고정용 홀(70)을 형성한다. 인쇄방법을 이용하여 절연막(30), 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)을 형성한다. 반사컵(15) 영역을 제외한 히트 싱크(10) 상에 절연막(30)을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 반사컵(15) 주변에 얇은 판막 형태의 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)을 형성하되, 두 전극이 전기적으로 단전되도록 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 히트 싱크(10) 외각에 외부의 전원 단자와 접속될 제 1 및 제 2 금속배선(80 및 85)을 형성할 수도 있다. 본 실시예에서는 절연막(30), 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)을 형성한 다음, 반사컵(15) 및 고정홀(70)을 형성할 수도 있다. The reflective cup 15 region is formed in the center of the heat sink 10 through a physical processing process, and a fixing hole 70 for fixing the substrate of the heat sink 10 is formed on the outer surface of the heat sink 10. . The insulating film 30 and the first and second electrodes 40 and 45 are formed using the printing method. It is preferable to form the insulating film 30 on the heat sink 10 except for the reflective cup 15 region. In addition, it is preferable to form the first and second electrodes 40 and 45 in the form of a thin plate around the reflective cup 15, so that the two electrodes are electrically disconnected. In this case, the first and second metal wires 80 and 85 to be connected to an external power supply terminal may be formed on the outer surface of the heat sink 10. In the present embodiment, the insulating film 30, the first and second electrodes 40 and 45 may be formed, and then the reflective cup 15 and the fixing hole 70 may be formed.

실버 페이스트를 이용하여 반사컵(15) 내부에 발광 칩(20)을 실장한다. 이후, 와이어 본딩 공정을 실시하여 제 1 및 제 2 전극(40 및 45)과 발광 칩(20)을 전기적으로 연결한다. 소정의 사출 공정을 통해 몰딩부(60)를 형성하는 것이 바람직하다. The light emitting chip 20 is mounted inside the reflective cup 15 using silver paste. Thereafter, the wire bonding process is performed to electrically connect the first and second electrodes 40 and 45 to the light emitting chip 20. It is preferable to form the molding part 60 through a predetermined injection process.

10 : 히트싱크 15 : 반사컵
20 : 발광 칩 30 : 절연막
40, 45 : 전극 50, 55 : 와이어
60 : 몰딩부 70 : 고정홀
80, 85 : 금속배선
10: heat sink 15: reflection cup
20 light emitting chip 30 insulating film
40, 45: electrode 50, 55: wire
60: molding part 70: fixing hole
80, 85: metal wiring

Claims (16)

상면에 전극패턴(40, 45)이 형성된 히트싱크(10);
상기 히트싱크(10) 상에 실장되며 상기 전극패턴(40, 45)과 전기적으로 연결되는 발광칩(20);
상기 히트싱크(10) 상에 형성되어 상기 발광칩(20)을 덮는 몰딩부재(60)를 포함하는 발광다이오드 패키지로서,
상기 히트싱크(10)에 형성되어, 상기 히트싱크(10)를 상기 발광다이오드 패키지의 외부에 있는 객체에 고정하는데 이용되는 고정홀(70)을 더 포함하며,
상기 고정홀(70)은 상기 몰딩부재(60)의 바깥 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
A heat sink 10 having electrode patterns 40 and 45 formed on an upper surface thereof;
A light emitting chip 20 mounted on the heat sink 10 and electrically connected to the electrode patterns 40 and 45;
A light emitting diode package including a molding member 60 formed on the heat sink 10 to cover the light emitting chip 20.
A fixing hole 70 formed in the heat sink 10 and used to fix the heat sink 10 to an object external to the light emitting diode package;
The fixing hole 70 is a light emitting diode package, characterized in that located in the outer region of the molding member (60).
청구항 1에 있어서, 상기 히트싱크(10)는 상기 발광칩(20)이 실장되는 영역에 반사컵(15)을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. The light emitting diode package according to claim 1, wherein the heat sink (10) comprises a reflecting cup (15) in a region where the light emitting chip (20) is mounted. 청구항 1에 있어서, 상기 히트싱크(10)는 상기 몰딩부재(60)의 바깥 영역에 상기 전극패턴(40, 45)과 외부전원을 전기적으로 연결하는 금속배선(80, 85)을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The heat sink 10 of claim 1, wherein the heat sink 10 includes metal wirings 80 and 85 electrically connecting the electrode patterns 40 and 45 to an external power source in an outer region of the molding member 60. Light emitting diode package. 청구항 1에 있어서, 상기 발광칩(20)의 상부에 형광체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. The light emitting diode package of claim 1, further comprising a phosphor on the light emitting chip (20). 청구항 1에 있어서, 상기 전극패턴은 상기 발광칩이 실장되는 부분에 배치된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. The light emitting diode package of claim 1, wherein the electrode pattern is disposed at a portion where the light emitting chip is mounted. 청구항 1에 있어서, 상기 전극패턴은 상기 발광칩이 실장되지 않는 부분에 배치된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The light emitting diode package of claim 1, wherein the electrode pattern is disposed at a portion where the light emitting chip is not mounted. 청구항 1에 있어서, 상기 전극패턴(40, 45)은 상기 몰딩부재(60)의 바깥쪽으로 가장자리 일부가 노출되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. The light emitting diode package of claim 1, wherein a portion of an edge of the electrode pattern (40, 45) is exposed to the outside of the molding member (60). 청구항 1에 있어서, 상기 몰딩부재(60)는 적어도 하나의 고정부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. The light emitting diode package of claim 1, wherein the molding member (60) further comprises at least one fixing member. 청구항 8에 있어서, 상기 고정부재는 상기 히트싱크(10)의 중심부에 형성된 홈에 삽입되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The light emitting diode package according to claim 8, wherein the fixing member is inserted into a groove formed at the center of the heat sink (10). 청구항 1에 있어서, 상기 고정홀의 배열 방향과 상기 전극패턴(40, 45)의 배열 방향이 일치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The light emitting diode package of claim 1, wherein an arrangement direction of the fixing holes and an arrangement direction of the electrode patterns (40, 45) coincide with each other. 청구항 1에 있어서, 상기 몰딩부재는 광학렌즈 형태를 가지며 상기 히트싱크에 결합되는 복수의 다리를 하부에 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The light emitting diode package of claim 1, wherein the molding member has a shape of an optical lens and includes a plurality of legs coupled to the heat sink. 상면에 전극패턴이 형성된 열전도성 재질의 기판;
상기 기판 상에 상에 실장되며 상기 전극패턴과 전기적으로 연결되는 발광칩; 및
상기 기판 상에 형성되어 상기 발광칩을 덮는 몰딩부재를 포함하는 발광다이오드 패키지로서,
상기 기판에 형성되어, 상기 기판을 상기 발광다이오드 패키지의 외부에 있는 객체에 고정하는데 이용되는 고정홀을 더 포함하며,
상기 고정홀은 상기 몰딩부재의 바깥 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
A substrate made of a thermally conductive material having an electrode pattern formed thereon;
A light emitting chip mounted on the substrate and electrically connected to the electrode pattern; And
A light emitting diode package comprising a molding member formed on the substrate to cover the light emitting chip.
A fixing hole formed in the substrate and used to fix the substrate to an object external to the light emitting diode package;
The fixing hole is a light emitting diode package, characterized in that located in the outer region of the molding member.
청구항 12에 있어서, 상기 기판은 금속과, 상기 전극패턴을 상기 금속으로부터 절연하기 위한 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. The light emitting diode package of claim 12, wherein the substrate comprises a metal and an insulating layer for insulating the electrode pattern from the metal. 청구항 12에 있어서, 상기 기판은 열전도성 재질의 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. The light emitting diode package of claim 12, wherein the substrate comprises a resin of a thermally conductive material. 청구항 12에 있어서, 상기 기판은 상기 몰딩부재의 바깥 영역에 상기 전극패턴과 외부전원을 전기적으로 연결하는 금속배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The light emitting diode package of claim 12, wherein the substrate comprises a metal wiring electrically connecting the electrode pattern and an external power source to an outer region of the molding member. 청구항 12에 있어서, 상기 몰딩부재는 광학렌즈 형태를 가지며 상기 기판에 결합되는 복수의 다리를 하부에 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.

















The light emitting diode package of claim 12, wherein the molding member has a form of an optical lens and includes a plurality of legs coupled to the substrate.

















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* Cited by examiner, † Cited by third party
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