KR20120029796A - 박막 증착 장치 - Google Patents

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Abstract

박막 증착 장치는 챔버와, 서셉터, 및 가스 공급부를 포함한다. 챔버는 증착 공정이 행해지는 내부 공간을 갖는다. 서셉터는 챔버 내에 회전 가능하게 설치되며, 상면에 회전중심 둘레를 따라 복수의 기판들을 직접적으로 지지하거나, 하나 이상의 기판이 배치되어 있는 기판 홀더를 지지한다. 가스 공급부는 서셉터의 상부 중앙에 설치되며, 챔버의 외부로부터 제1 소스가스를 공급받아 서셉터 상면으로 분사하는 제1 소스가스 분사부와, 제1 소스가스 분사부의 하측에 배치되며 챔버의 외부로부터 제2 소스가스를 공급받아 서셉터 상면으로 분사하는 제2 소스가스 분사부, 및 제1,2 소스가스 분사부 사이에 배치되며 챔버의 외부로부터 제1 추가가스를 공급받아 서셉터 상면으로 분사하는 제1 추가가스 분사부를 구비한다.

Description

박막 증착 장치{Thin film deposition apparatus}
본 발명은 반도체 등의 제조에 있어 기판 상에 박막을 증착하기 위해 사용되는 박막 증착 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체에서 사용하는 박막 제조 방법으로는 CVD(Chemical Vapor Deposition)법, PVD(Physical Vapor Deposition)법이 있다. CVD법은 기체상태의 혼합물을 가열된 기판 표면에서 화학 반응시켜 생성물을 기판 표면에 증착시키는 기술이다. CVD법은 전구체(precursor)로 사용되는 물질의 종류, 공정 중의 압력, 반응에 필요한 에너지 전달 방식 등에 의해, APCVD(Atmospheric CVD), LPCVD(Low Pressure CVD), PECVD(Plasma Enhanced CVD), MOCVD(Metal Organic CVD)법 등으로 구분된다.
최근에는 발광다이오드용 질화물 반도체가 각광을 받고 있는데, 발광다이오드용 질화물 반도체의 단결정 성장을 위해 MOCVD법이 많이 사용되고 있다. MOCVD법은 액체 상태의 원료인 유기금속 화합물과 수소화물을 기체 상태로 기화시킨 다음, 기화된 소스가스들을 증착 대상인 기판으로 공급해서 고온의 기판에 접촉시킴으로써, 기판 상에 금속 박막을 증착시키는 방법이다.
이러한 MOCVD법의 경우, 소스가스들을 기판으로 공급하기 위한 방식으로 인젝션(injection) 방식이 많이 채용되고 있다. 인젝션 방식은 챔버의 중앙에 설치된 인젝터를 통해 소스가스들을 서셉터의 상부 중앙으로 각각 도입한 후, 도입된 소스가스들을 수평 방향으로 서셉터 주변을 향해 분사하여 서셉터 상의 기판들에 공급하는 방식이다.
그런데, 전술한 인젝션 방식에 있어서, 인젝터로부터 서셉터로 분사된 소스가스들은 인젝터에 인접한 가스 진입영역을 지나 기판에 대한 유효 증착이 이루어지는 성장영역으로 진행한다. 이때, 가스 진입영역에서 소스가스들이 적어도 부분적으로 분해되거나, 소스가스들이 성장영역에 도달하기 전에 서로 반응을 일으킴으로 인해, 가스 진입영역에 대응되는 서셉터 부위 또는 챔버 천장 부위에 불필요한 박막이 증착되는 문제가 발생할 수 있다.
또한, 보다 많은 기판들에 대해 동시에 박막 증착을 하기 위해서는 챔버의 크기가 대형화되어야 하는데, 이와 동시에 소스가스들의 공급도 증가되어야 하므로 가스 진입영역이 증가하게 된다. 이에 따라, 가스 진입영역에 불필요한 박막이 증착되면서 소모되는 소스가스들의 양도 늘어나게 되므로, 소스가스들의 낭비가 심해지게 된다.
게다가, 가스 진입영역에 대응되는 서셉터 부위 또는 챔버 천장 부위에 증착된 불필요한 박막은 증착 공정 중 떨어져나가 기판에 영향을 미칠 수 있으므로, 사전에 정비해줄 필요가 있다. 가스 진입영역이 증가하면 가스 진입영역에 불필요한 박막이 증착될 가능성도 커지게 된다. 이는 PM(Preventive Maintenance; 사전 예방정비) 주기의 단축을 불러오게 된다.
본 발명의 과제는 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 가스 진입영역에서 불필요한 박막 증착을 방지할 수 있으며, 챔버의 크기가 대형화되더라도 불필요한 박막 증착으로 인한 소스가스의 낭비를 줄이고 PM 주기를 늘릴 수 있는 박막 증착 장치를 제공함에 있다.
상기의 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 증착 장치는, 증착 공정이 행해지는 내부 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버 내에 회전 가능하게 설치되며, 상면에 회전중심 둘레를 따라 복수의 기판들을 직접적으로 지지하거나, 하나 이상의 기판이 배치되어 있는 기판 홀더를 지지하는 서셉터; 및 상기 서셉터의 상부 중앙에 설치되며, 상기 챔버의 외부로부터 제1 소스가스를 공급받아 상기 서셉터 상면으로 분사하는 제1 소스가스 분사부와, 상기 제1 소스가스 분사부의 하측에 배치되며 상기 챔버의 외부로부터 제2 소스가스를 공급받아 상기 서셉터 상면으로 분사하는 제2 소스가스 분사부, 및 상기 제1,2 소스가스 분사부 사이에 배치되며 상기 챔버의 외부로부터 제1 추가가스를 공급받아 상기 서셉터 상면으로 분사하는 제1 추가가스 분사부를 구비하는 가스 공급부를 포함한다.
본 발명에 따르면, 제1,2 소스가스 사이로 제1 추가가스를 함께 분사시킴으로써, 가스 진입영역에서 제1,2 소스가스 간의 반응을 차단하여, 가스 진입영역에 대응되는 서셉터 부위 또는 챔버 천장 부위에 불필요한 박막이 증착되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 챔버의 크기가 대형화되어 가스 진입영역이 증가하더라도, 불필요한 박막 증착으로 인한 제1,2 소스가스의 낭비가 줄어들 수 있고, PM 주기가 단축될 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1,2 소스가스의 상측에 제2 추가가스를 분사시킴으로써, 혼합된 제1,2 소스가스가 챔버 천장에 접촉되지 않게 하여, 천장에 불필요한 박막이 증착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 제1,2 소스가스의 하측에 제2 추가가스를 분사시킴으로써, 제1,2 소스가스에서 분해된 물질이 가스 진입영역의 서셉터 부위에 접촉되는 것을 차단하여, 서셉터 부위에 불필요한 박막이 증착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 제1 소스가스의 상측에서 제2 소스가스를 추가적으로 분사시킴으로써, 서셉터의 직경이 커져서 대형화더라도, 제1,2 소스가스 분사부로부터 분사된 제1,2 소스가스가 기판의 증착면 전체에 걸쳐 고르게 도달될 수 있게 하여, 기판에 대한 증착 균일도를 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치에 대한 측단면도.
도 2는 도 1에 있어서, 가스 공급부의 변형 예를 도시한 측단면도.
도 3은 도 1에 있어서, 가스 공급부의 다른 변형 예를 도시한 측단면도.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 바람직한 실시예에 따른 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치에 대한 측단면도이다.
도 1을 참조하면, 박막 증착 장치(100)는 기판(10) 상에 박막을 증착하는 장치로서, 챔버(110)와, 서셉터(120)와, 가스 공급부(130)를 포함한다. 여기서, 기판(10)은 웨이퍼 또는 글라스 기판일 수 있다.
챔버(110)는 증착 공정이 행해지는 내부 공간을 갖는다. 챔버(110)는 상부가 개구된 챔버 본체(111)와, 챔버 본체(111)의 상부 개구를 덮는 탑 리드(112), 및 탑 리드(112)의 하면을 보호하기 위해 석영 등으로 이루어진 천장(113)을 포함할 수 있다.
탑 리드(112)는 증착 공정시 하강 동작하여 챔버 본체(111)의 상부 개구를 폐쇄하고, 기판(10)의 로딩 또는 언로딩시 승강 동작하여 챔버 본체(111)의 상부 개구를 개방시킬 수 있다.
서셉터(120)는 상면에 중심 둘레를 따라 복수의 기판(10)들을 지지한다. 이는 대량 생산을 위해 보다 많은 기판(10)들에 대해 한꺼번에 박막 증착하기 위함이다. 서셉터(120)의 중심 주위에 복수의 기판 안착부(131)들이 균일하게 분포되어 형성될 수 있다. 기판 안착부(131)들에 기판(10)들이 각각 안착되어 지지될 수 있다. 다른 예로, 도시하고 있지 않지만, 서셉터(120)의 중심 주위에 복수의 기판 기판 홀더들이 균일하게 분포되어 설치될 수 있다. 각각의 기판 홀더는 상면에 복수의 기판들을 각각 수용해서 지지한다.
서셉터(120)는 챔버(110) 내에 회전구동기구(미도시)에 의해 회전 가능하게 설치된다. 예컨대, 서셉터(120)는 서셉터 지지대(122)에 의해 지지되며, 서셉터 지지대(122)가 회전구동기구에 의해 회전함에 따라 회전할 수 있다. 만일, 서셉터(120) 상에 기판 홀더들이 마련된 경우라면 기판 홀더들도 각각 가스 쿠션 등에 의해 회전 가능하게 설치된다. 이는 증착 공정 중 서셉터(120)의 상부 중앙으로부터 분사되는 소스가스가 서셉터(120) 상의 모든 기판(10)들에 고르게 공급되도록 하기 위해서이다. 서셉터(120)는 증착 공정 중 히터(미도시)에 의해 가열되어 상면에 지지된 기판(10)들이 가열될 수 있게 한다.
가스 공급부(130)는 서셉터(120) 상의 기판(10)들에 제1,2 소스가스 및 제1 추가가스를 공급하기 위한 것으로, 서셉터(120)의 상부 중앙에 설치된다. 가스 공급부(130)는 제1,2 소스가스 분사부(141)(142), 및 제1 추가가스 분사부(143)를 포함한다.
제1 소스가스 분사부(141)는 챔버(110)의 외부로부터 제1 소스가스를 공급받아 서셉터(120) 상면으로 분사한다. 제2 소스가스 분사부(142)는 제1 소스가스 분사부(141)의 하측에 배치되며 챔버(110)의 외부로부터 제2 소스가스를 공급받아 서셉터(120) 상면으로 분사한다. 제1 추가가스 분사부(143)는 제1 소스가스 분사부(141)와 제2 소스가스 분사부(142) 사이에 배치되며 챔버(110)의 외부로부터 제1 추가가스를 공급받아 서셉터(120) 상면으로 분사한다.
제1,2 소스가스와 제1 추가가스는 가스 도입부(131)에 의해 각각 분리한 상태로, 챔버(110) 외부로부터 제1,2 소스가스 분사부(141)(142)와 제1 추가가스 분사부(143)로 도입될 수 있다. 가스 도입부(131)는 탑 리드(112) 및 천장(113)을 관통하여 서셉터(120)의 상부 중앙으로 연장되어 형성될 수 있다. 여기서, 가스 도입부(131)는 제1 소스가스 도입을 위한 제1 소스가스 도입라인(132)과, 제2 소스가스 도입을 위한 제2 소스가스 도입라인(133), 및 제1 추가가스 도입을 위한 제1 추가가스 도입라인(134)을 포함할 수 있다.
챔버(110) 밖으로 인출된 제1,2 소스가스 도입라인(132)(133)은 제1,2 소스가스 공급원(미도시)과 연결되어, 제1,2 소스가스를 각각 공급받게 된다. 그리고, 챔버(110) 밖으로 인출된 제1 추가가스 도입라인(134)은 제1 추가가스 공급원(미도시)과 연결되어, 제1 추가가스를 공급받게 된다.
제1 소스가스 분사부(141)는 제1 소스가스를 서셉터(120) 상면으로 분사하도록 제1 소스가스 도입라인(132)으로부터 연장 형성된다. 제1 소스가스 분사부(141)의 일단부는 제1 소스가스 도입라인(132)의 하단부와 연통되며, 제1 소스가스 분사부(141)의 타단부는 개구되어 분사구로 기능한다. 제1 소스가스 분사부(141)는 제1 소스가스 도입라인(132)의 하단부로부터 서셉터(120)의 상면에 나란하게 굽어져 연장된 구조로 이루어질 수 있다.
제2 소스가스 분사부(142)는 제2 소스가스를 서셉터(120) 상면으로 분사하도록 제2 소스가스 도입라인(133)으로부터 연장 형성된다. 제2 소스가스 분사부(142)의 일단부는 제2 소스가스 도입라인(133)의 하단부와 연통되며, 제2 소스가스 분사부(142)의 타단부는 개구되어 분사구로 기능한다. 제2 소스가스 분사부(142)는 제2 소스가스 도입라인(133)의 하단부로부터 서셉터(120) 상면에 나란하게 굽어져 연장된 구조로 이루어질 수 있다.
제1,2 소스가스 분사부(141)(142)는 제1,2 소스가스를 서셉터(120) 상면에 나란한 수평 방향으로 각각 분사하도록 형성될 수 있다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 제1,2 소스가스 분사부(141)(142)는 서셉터(120) 상의 기판(10)들에 제1,2 소스가스를 원활히 공급할 수 있는 범주에서 하향 경사진 방향으로 분사하는 등 다양하게 형성될 수 있다.
제1 추가가스 분사부(143)는 제1 추가가스를 서셉터(120) 상면으로 분사하도록 제1 추가가스 도입라인(134)으로부터 연장된다. 제1 추가가스 분사부(143)의 일단부는 제1 추가가스 도입라인(134)의 하단부와 연통되며, 제1 추가가스 분사부(143)의 타단부는 개구되어 분사구로 기능한다. 제1 추가가스 분사부(143)는 제1 추가가스 도입라인(134)의 하단부로부터 서셉터(120) 상면에 나란하게 굽어져 연장된 구조로 이루어질 수 있다.
제1 추가가스 분사부(143)로부터 분사된 제1 추가가스는 가스 진입영역에 대응되는 서셉터(120) 부위 또는 챔버(110)의 천장(113) 부위에 불필요한 박막이 증착되는 현상을 방지할 수 있게 한다. 상술하면, 제1,2 소스가스 분사부(141)(142)로부터 분사된 제1,2 소스가스는 각 분사구들에 인접한 가스 진입영역을 지나 기판(10)에 대한 유효 증착이 이루어지는 성장영역으로 진행한다.
이때, 제1,2 소스가스 사이로 제1 추가가스가 함께 분사되므로, 가스 진입영역에서 제1,2 소스가스 간의 반응을 차단하는 가스층이 형성될 수 있다. 이에 따라, 가스 진입영역에 대응되는 서셉터(120) 부위 또는 챔버(110)의 천장(113) 부위에 불필요한 박막이 증착되는 현상이 방지될 수 있는 것이다. 여기서, 제1 추가가스의 분사 속도, 분사량 등은 가스 진입영역에서만 제1,2 소스가스 간의 반응을 차단시킬 정도로 설정될 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1 추가가스에 의해 가스 진입영역에서 불필요한 박막 증착이 방지되므로, 챔버(110)의 크기가 대형화되어 가스 진입영역이 증가하더라도, 불필요한 박막 증착으로 인한 제1,2 소스가스의 낭비가 줄어들 수 있고, PM 주기가 단축될 수 있게 된다.
한편, 증착 공정이 Ⅲ-Ⅴ족 MOCVD법에 의해 행해지는 경우, 제1 소스가스는 Ⅲ족 원소를 함유한 소스가스며, 제2 소스가스는 Ⅴ족 원소를 함유한 소스가스일 수 있다. 제1 소스가스는 Ⅲ족 원소를 포함하는 유기 금속으로서, TMG(Trimethylgallium) 또는 TEG(Triethylgallium) 또는 TMI(Trimethylindium) 등일 수 있다. 제2 소스가스는 Ⅴ족 원소를 포함하는 수소화물로서, NH3 또는 PH3 또는 AsH3 등일 수 있다. 제1,2 소스가스에는 캐리어 가스가 각각 포함될 수도 있다.
그리고, 제1 추가가스로는 수소 가스, 비활성 가스 중 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 비활성 가스의 예로는 질소(N2) 가스 또는 헬륨(He) 가스 또는 아르곤(Ar) 가스 등일 수 있다.
도 2는 도 1에 있어서, 가스 공급부의 변형 예를 도시한 측단면도이다. 도 2에 도시된 가스 공급부(230)는 도 1의 가스 공급부(130)와 대비하여, 제1 소스가스 분사부(141)의 상측과 제2 소스가스 분사부(142)의 하측에 제2 추가가스 분사부(241)(242)를 각각 더 포함한다. 제2 추가가스 분사부들(241)(242)은 챔버(110)의 외부로부터 제2 추가가스를 각각 공급받아서 서셉터(120) 상면으로 분사하도록 배치된다. 제2 추가가스는 제1 추가가스와 마찬가지로, 수소가스, 질소 가스, 헬륨 가스, 아르곤 가스 중 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다.
제2 추가가스는 가스 도입부(231)에 의해 챔버(110)의 외부로부터 제2 추가가스 분사부들(241)(242)로 도입될 수 있다. 가스 도입부(231)는 제2 추가가스 분사부들(241)(242)로 제2 추가가스를 각각 공급하기 위해, 제1 추가가스 도입라인(134)과 독립된 제2 추가가스 도입라인들(232)(233)을 포함할 수 있다.
한편, 제2 추가가스는 하나의 도입라인으로부터 분기되어 제2 추가가스 분사부들(241)(242)로 도입될 수도 있으므로, 전술한 예에 한정되지 않는다. 또한, 제1 추가가스와 제2 추가가스가 동일한 가스인 경우, 제2 추가가스는 제1 추가가스 도입라인(134)으로부터 분기되어 제2 추가가스 분사부들(241)(242)로 도입될 수 있다.
제1 소스가스 분사부(141)의 상측에 위치한 제2 추가가스 분사부(241)는 챔버(110)의 천장(113)에 불필요한 박막이 증착되는 것을 방지할 수 있게 한다. 상술하면, 제1,2 소스가스 분사부(141)(142)로부터 분사된 제1,2 소스가스는 확산되면서 서로 혼합되며, 혼합된 가스는 서셉터(120)의 주변을 향해 흘러가게 된다. 챔버(110)의 내부 공간은 고온 환경이기 때문에, 혼합된 제1,2 소스가스 중 일부는 서셉터(120)의 주변을 향해 흘러가는 중에 상승 기류를 형성하면서 챔버(110) 내의 상측면으로 상승하려고 한다.
이때, 제2 추가가스가 제1 소스가스 분사부(141)의 상측에서 분사되므로 혼합된 제1,2 소스가스는 제2 추가가스에 의해 챔버(110) 내의 상측면으로 상승하지 못하도록 억제되어, 서셉터(120) 상면을 따라 나란하게 흐르도록 유도된다. 따라서, 혼합된 제1,2 소스가스는 챔버(110)의 천장(113)에 접촉되지 않게 되므로, 천장(113)에 불필요한 박막이 증착되는 것이 방지될 수 있다.
그리고, 제2 소스가스 분사부(142)의 하측에 위치한 제2 추가가스 분사부(242)는 가스 진입영역에 대응되는 서셉터(120) 부위에 불필요한 박막이 증착되는 것을 방지할 수 있게 한다. 상술하면, 제1,2 소스가스 분사부(141)(142)로부터 분사된 제1,2 소스가스는 가스 진입영역 내에서 적어도 부분적으로 분해되어 서셉터(120) 상면으로 하강하려 한다.
이때, 제2 추가가스가 제2 소스가스 분사부(142)의 하측에서 분사되므로, 제1,2 소스가스에서 분해된 물질은 제2 추가가스에 밀려 서셉터(120) 상면으로 하강하지 못하고 성장영역으로 흐르도록 유도된다. 따라서, 제1,2 소스가스에서 분해된 물질은 가스 진입영역에 대응되는 서셉터(120) 부위에 접촉되지 않게 되므로, 불필요한 박막이 증착되는 것이 방지될 수 있다. 한편, 제2 추가가스 분사부(241)(242)는 제1 소스가스 분사부(141)의 상측과 제2 소스가스 분사부(142)의 하측에 각각 배치될 수 있지만, 필요에 따라서는 제1 소스가스 분사부(141)의 상측과 제2 소스가스 분사부(142)의 하측 중 어느 한쪽에만 배치되는 것도 가능하다.
도 3은 도 1에 있어서, 가스 공급부의 다른 변형 예를 도시한 측단면도이다. 도 3에 도시된 가스 공급부(330)는 도 1의 가스 공급부(130)와 대비하여, 추가적인 제2 소스가스 분사부(341)와, 제2 추가가스 분사부(342)를 더 포함한다.
추가적인 제2 소스가스 분사부(341)는 제1 소스가스 분사부(141)의 상측에서, 챔버(110)의 외부로부터 추가적인 제2 소스가스를 공급받아서 서셉터(120) 상면으로 분사하도록 배치된다. 추가적인 제2 소스가스는 가스 도입부(331)에 의해 추가적인 제2 소스가스 분사부(341)로 도입될 수 있다.
제2 추가가스 분사부(342)는 추가적인 제2 소스가스 분사부(341)와 제1 소스가스 분사부(141) 사이에서, 챔버(110)의 외부로부터 제2 추가가스를 공급받아 서셉터(120) 상면으로 분사하도록 배치된다. 가스 도입부(331)는 제2 소스가스 도입라인(133)과 독립된 추가적인 제2 소스가스 도입라인(332)과, 제1 추가가스 도입라인(134)과 독립된 제2 추가가스 도입라인(333)을 포함할 수 있다. 추가적인 제2 소스가스와 제2 추가가스는, 추가적인 제2 소스가스 도입라인(332)과 제2 추가가스 도입라인(333)을 통해, 추가적인 제2 소스가스 분사부(341)와 제2 추가가스 분사부(342)로 각각 도입될 수 있다. 한편, 추가적인 제2 소스가스는 제2 소스가스 도입라인(133)으로부터 분기되어 추가적인 제2 소스가스 분사부(341)로 도입될 수도 있다.
추가적인 제2 소스가스 분사부(341)로부터 분사된 추가적인 제2 소스가스는 서셉터(120)의 직경이 커져서 대형화더라도, 제1,2 소스가스 분사부(141)(142)로부터 분사된 제1,2 소스가스가 서셉터(120) 주변을 향해 더 멀리 흘러가도록 유도한다. 이에 따라, 제1,2 소스가스가 기판(10)의 증착면 전체에 걸쳐 고르게 도달될 수 있게 되어, 기판(10)에 대한 증착 균일도가 확보될 수 있다.
제2 추가가스 분사부(342)로부터 분사된 제2 추가가스는 추가적인 제2 소스가스 분사부(341)와 제1 소스가스 분사부(141)로부터 각각 분사되는 추가적인 제2 소스가스와 제1 소스가스 간에 가스 진입영역에서의 반응을 차단한다. 이에 따라, 가스 진입영역에 대응되는 서셉터(120) 부위 또는 챔버(110)의 천장(113) 부위에 불필요한 박막이 증착되는 현상이 방지될 수 있다. 제2 추가가스는 수소가스, 질소 가스, 헬륨 가스, 아르곤 가스 중 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
110..챔버 112..탑 리드
113..천장 120..서셉터
130..가스 공급부 131,231,331..가스 도입부
141..제1 소스가스 분사부 142..제2 소스가스 분사부
143..제1 추가가스 분사부 241,242,342..제2 추가가스 분사부
341..추가적인 제2 소스가스 분사부

Claims (11)

  1. 증착 공정이 행해지는 내부 공간을 갖는 챔버;
    상기 챔버 내에 회전 가능하게 설치되며, 상면에 회전중심 둘레를 따라 복수의 기판들을 직접적으로 지지하거나, 하나 이상의 기판이 배치되어 있는 기판 홀더를 지지하는 서셉터; 및
    상기 서셉터의 상부 중앙에 설치되며, 상기 챔버의 외부로부터 제1 소스가스를 공급받아 상기 서셉터 상면으로 분사하는 제1 소스가스 분사부와, 상기 제1 소스가스 분사부의 하측에 배치되며 상기 챔버의 외부로부터 제2 소스가스를 공급받아 상기 서셉터 상면으로 분사하는 제2 소스가스 분사부, 및 상기 제1,2 소스가스 분사부 사이에 배치되며 상기 챔버의 외부로부터 제1 추가가스를 공급받아 상기 서셉터 상면으로 분사하는 제1 추가가스 분사부를 구비하는 가스 공급부;
    를 포함하는 박막 증착 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 추가가스는 수소가스, 비활성 가스 중 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 소스가스는 Ⅲ족 원소를 함유한 소스가스이며,
    상기 제2 소스가스는 Ⅴ족 원소를 함유한 소스가스인 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 소스가스 분사부의 상측과 상기 제2 소스가스 분사부의 하측 중 적어도 한쪽에는:
    상기 챔버의 외부로부터 제2 추가가스를 공급받아서 상기 서셉터 상면으로 분사하도록 배치된 제2 추가가스 분사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 추가가스는,
    상기 제1 추가가스를 상기 제1 추가가스 분사부로 도입하기 위한 제1 추가가스 도입라인과 독립된 제2 추가가스 도입라인을 통해 상기 제2 추가가스 분사부로 도입되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2 추가가스는,
    상기 제1 추가가스를 상기 제1 추가가스 분사부로 도입하기 위한 제1 추가가스 도입라인으로부터 분기되어 상기 제2 추가가스 분사부로 도입되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제2 추가가스는 수소가스, 비활성 가스 중 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 소스가스 분사부의 상측에는:
    상기 챔버의 외부로부터 추가적인 제2 소스가스를 공급받아서 상기 서셉터 상면으로 분사하도록 배치된 추가적인 제2 소스가스 분사부를 더 포함하며;
    상기 제1 소스가스 분사부와 상기 추가적인 제2 소스가스 분사부 사이에는:
    상기 챔버의 외부로부터 제2 추가가스를 공급받아서 상기 서셉터 상면으로 분사하도록 배치된 제2 추가가스 분사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 추가적인 제2 소스가스는,
    상기 제2 소스가스를 상기 제2 소스가스 분사부로 도입하기 위한 제2 소스가스 도입라인과 독립된 추가적인 제2 소스가스 도입라인을 통해 상기 추가적인 제2 소스가스 분사부로 도입되거나, 상기 제2 소스가스 도입라인으로부터 분기되어 상기 추가적인 제2 소스가스 분사부로 도입되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제2 추가가스는,
    상기 제1 추가가스를 상기 제1 추가가스 분사부로 도입하기 위한 제1 추가가스 도입라인과 독립된 제2 추가가스 도입라인을 통해 상기 제2 추가가스 분사부로 도입되거나, 상기 제1 추가가스 도입라인으로부터 분기되어 상기 제2 추가가스 분사부로 도입되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제2 추가가스는 수소가스, 비활성 가스 중 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
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