KR20120024258A - 코어-셀 구조의 투명 도전성 나노 입자 및 이를 포함하는 잉크 - Google Patents

코어-셀 구조의 투명 도전성 나노 입자 및 이를 포함하는 잉크 Download PDF

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Abstract

비도전성 투명 재료로 나노 입자 코어를 형성하고, 그 위에 도전성 재료를 저온 코팅하여, 코어-셀(core-shell) 구조의 나노 입자 또는 나노 선을 제조하고, 이를 용매에 분산하여 잉크를 제조한다. 비도전성 투명 재료로는 SiO2, TiO2, 고분자 재료 등이, 도전성 재료로는 ITO, Ag, IZTO, IZO, Carbon Layer 등이 사용될 수 있다. 이에 따라, 인듐 등 희유 금속의 사용량을 줄이고, 나노 입자 또는 나노 선의 비중을 감소시킬 수 있다. 코어-셀 구조의 나노 입자와 나노 선을 사용하여 잉크를 제조하면, 비중 감소의 영향으로 분산성 및 안정성이 향상되고, 특히 코어-셀 구조의 나노 선을 이용하여 잉크를 제조할 경우에는 잉크 내 고형분 농도를 낮출 수 있어 인듐 등 희유 금속의 저감 효과가 더욱 커진다.

Description

코어-셀 구조의 투명 도전성 나노 입자 및 이를 포함하는 잉크{Transparent Conductive Nano Particle of Core-Shell Structure and Ink Including the Same}
본 발명은 투명전극 제조에 사용되는 투명 도전성 나노 입자 및 이를 포함하는 잉크에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 희유 금속의 사용을 저감할 수 있는 구조의 나노 입자 및 이를 포함하는 잉크에 관한 것이다.
투명전극이란 가시광 영역의 빛을 투과하면서도 전기전도성을 가지는 기능성 박막전극으로 평판 디스플레이, 터치 스크린 패널, LED 조명, 태양전지 등에 널리 이용되고 있다.
투명전극에 사용될 수 있는 도전성 재료로 금속, 금속산화물, 전도성 고분자, 탄소재료 등을 들 수 있다. 이 중, 금속산화물 도전성 재료의 대표적인 예는 인듐 주석 산화물(ITO; Indium-Tin Oxide)로서 투과도가 우수하고 저항값이 낮기 때문에 투명전극 재료로 가장 널리 쓰이고 있다. 예를 들면, 유리에 코팅된 약 80%의 광투과도를 가지는 ITO 박막 전극의 경우 수십 Ω/sq의 우수한 면저항을 얻을 수 있다.
ITO는 산화인듐(In2O3)에 소량의 산화주석(SnO2)을 혼합하여 사용하며, 산화주석이 5~10wt% 함유되었을 경우 투명전극으로의 특성이 가장 좋으므로, 상품화된 타겟의 경우 산화주석을 10wt% 함유한 조성을 널리 사용하고 있다.
이와 같이 ITO 내에는 인듐이 다량 포함되어 있으나, 인듐은 희유 금속으로서 그 매장량에 한계가 있어 이의 사용을 줄이는 것이 요구된다.
한편, ITO 투명전극을 제조하는 공정은 크게 세 단계로 나누어지는데, 먼저 ITO 나노 분말을 제조하고, 이를 이용하여 ITO 타겟을 제조하며, 제조된 ITO 타겟을 이용하여 스퍼터링하여 투명전극을 제조한다.
ITO 나노 분말은 다양한 방법으로 제조할 수 있는데, 제조 과정에서 생성되는 염소 및 질산 성분을 제거하기 위한 고온 열처리 공정에서 ITO 입자가 조대화(coarsening)되고 이에 따라 나노 분말의 품질이 저하되는 문제점이 있다.
한편, ITO 나노 분말로 ITO 타겟을 제조하기 위해서는 통상 소결법을 사용하는데, 산화인듐과 산화주석 모두 소결이 잘 되지 않는 난소결체여서 소결밀도가 높은 고밀도 타겟을 제조하기 위해서 HP, HIP 등의 고온가압 소결법이 널리 이용되고 있다. 그러나, 이와 같이 형성한 소결체를 타겟으로 사용하기 위해서는 가공공정을 거쳐야 하며 대체로 가공 Loss가 커서 경제성이 떨어지는 단점이 있다. 또한, 타켓의 성형 과정에서도 가공 Loss가 발생한다.
ITO 타겟을 사용하여 스퍼터링하는 ITO 투명전극의 제조 과정에서도 다량의 인듐이 낭비된다. 즉, 스퍼터링 공정 중에 스퍼터링 챔버 내에서 챔버 벽에 코팅되어 인듐이 낭비되며, 스퍼터링에 있어서 타겟의 사용효율이 30% 정도로 낮아 사용하고 난 나머지 70%는 폐타겟(Used Target)으로 남는다. 이 폐타겟은 고순도, 고가의 인듐을 함유하고 있으므로 이를 정제하여 재사용하는 리사이클링 공정을 거쳐 산화 인듐 분말로 재활용하지만, 재활용에 따른 효율이 높지 않고 오염물이 발생하는 등의 문제점이 있다.
한편, 투명전극의 제조에 있어서 사진식각(photolithography)을 대신하는 공정으로 잉크젯 프린팅 공정이 많이 이용되고 있다. 잉크젯 프린팅 공정의 경우, 마스크를 이용하지 않고 직접 패턴을 프린팅할 수 있어 공정이 단순하며, 낭비되는 재료를 줄일 수 있는 등 많은 장점을 가지고 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 기술적 배경에서 안출된 것으로서, 본 발명은 희유 금속의 사용량을 저감할 수 있는 나노 입자의 구조 및 이를 포함한 잉크를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
이와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는 비도전성 투명 재료로 코어를 형성하고 그 위에 도전성 재료를 코팅하여 코어-셀(core-shell) 구조의 나노 입자를 제조하고, 이를 이용하여 잉크젯 방식으로 투명 전극을 형성하는 데에 사용되는 잉크를 제조한다.
즉, 본 발명의 일면에 따른 코어-셀 구조의 나노 입자는, 비도전성 투명 재료로 형성된 나노 입자 코어와, 상기 나노 입자 코어 위에 도전성 재료로 형성된 도전성 코팅 레이어를 포함한다.
여기에서, 상기 비도전성 투명 재료는 SiO2, TiO2, AlOx, ZnOx, FeOx, YOx, GdOx, SnOx, ZrOx, InOx, NiOx, CuOx, TaOx를 포함하는 산화물, AlNx, ZnNx, FeNx, YNx, GdNx, SnNx, ZrNx, InNx, NiNx, CuNx, TaNx를 포함하는 질화물, 산-질 복합물, 황화물 또는 고분자 재료를 포함하고, 상기 도전성 재료는 ITO, Ag, Au, Cu, Ni, Al, Mg, Si, GaAs, IZTO, IZO, AZO, TiO2:Nb 또는 Carbon Layer를 포함한다.
한편, 상기 나노 입자 코어는 저온 합성법으로 형성되고, 상기 도전성 코팅 레이어는 저온 코팅법으로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 면에 따르면, 비도전성 투명 재료로 형성된 나노 입자 코어와 상기 나노 입자 코어 위에 도전성 재료로 형성된 제1 도전성 코팅 레이어를 포함하는 코어-셀(core-shell) 구조의 나노 입자와, 상기 비도전성 투명 재료로 형성된 나노 선 코어와 상기 나노 선 코어 위에 상기 도전성 재료로 형성된 제2 도전성 코팅 레이어를 포함하는 코어-셀 구조의 나노 선과, 상기 나노 입자 및 상기 나노 선이 분산된 용매를 포함하는 잉크가 제공된다.
상기 용매는 청정 성분 용매인 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 비도전성 코어를 형성하고 그 위에 ITO와 같은 희유 금속을 포함하는 투명 도전 물질을 코팅하여 코어-셀 구조의 도전성 나노 입자 또는 나노 선을 형성함으로써 희유 금속의 사용량을 줄이고, 나노 입자 또는 나노 선의 비중을 감소시킬 수 있다.
코어-셀 구조의 나노 입자와 나노 선을 사용하여 제조된 잉크는, 비중 감소의 영향으로 분산성 및 안정성이 향상되고, 특히 코어-셀 구조의 나노 선을 이용하여 잉크를 제조할 경우에는 잉크 내 고형분 농도를 낮출 수 있어 인듐 등 희유 금속의 저감 효과가 더욱 커진다.
또한, 제조 과정에서 공정 온도를 낮춤으로써 입자 성장을 억제하여 완성된 코어-셀 구조 나노 입자의 품질을 향상시킬 수 있으며, 나노 입자 또는 나노 선과 이를 이용한 잉크 제조의 전 과정에서 청정 공정을 사용함으로써 오염물 사용을 줄이고 환경성을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 코어-셀 구조의 나노 입자를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 코어-셀 구조의 나노 선을 나타낸다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 코어-셀 구조의 나노 입자의 제조 방법을 도시한 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 코어-셀 구조의 나노 선의 제조 방법을 도시한 흐름도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 한편, 본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하에서, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 코어-셀 구조의 나노 입자 및 그 제조 방법에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 나노 입자를 나타내는 도면이다.
도 1에 나타난 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 나노 입자(100)는 가운데에 비도전성 투명 성분의 나노 입자 코어(110)를 배치하고 그 표면에 도전성 성분의 레이어(120)를 코팅하여 형성하는 코어-셀(core-shell) 구조를 갖는다.
비도전성 나노 입자(110)는 SiO2, TiO2, AlOx, ZnOx, FeOx, YOx, GdOx, SnOx, ZrOx, InOx, NiOx, CuOx, TaOx를 포함하는 산화물, AlNx, ZnNx, FeNx, YNx, GdNx, SnNx, ZrNx, InNx, NiNx, CuNx, TaNx를 포함하는 질화물, 산-질 복합물, 황화물 또는 고분자 재료 등으로 형성될 수 있으며, 저온 합성법으로 제조한다.
도전성 코팅 레이어(120)는 ITO로 형성될 수 있으며, 그밖에도 Ag, Au, Cu, Ni, Al, Mg, Si, GaAs, IZTO, IZO, AZO, TiO2:Nb 또는 Carbon Layer 등이 사용될 수 있다.
도전성 코팅 레이어(120)는 저온 코팅법을 이용하여 형성하는데, 예를 들면 담지법, 습식 코팅법, 건식 코팅법, 무전해 도금법 등을 이용할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 나노 선(nanowire)을 나타내는 도면이다.
도 2에 나타난 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 나노 선(200)은 도 1의 나노 입자(100)와 유사하게 가운데에 비도전성 투명 성분의 나노 선 코어(210)가 배치되고, 그 표면에 도전성 성분의 레이어(220)가 코팅된 코어-셀 구조를 갖는다.
비도전성 나노선 코어(210)는 비도전성 나노 입자 코어(110)와 마찬가지로 SiO2, TiO2, AlOx, ZnOx, FeOx, YOx, GdOx, SnOx, ZrOx, InOx, NiOx, CuOx, TaOx를 포함하는 산화물, AlNx, ZnNx, FeNx, YNx, GdNx, SnNx, ZrNx, InNx, NiNx, CuNx, TaNx를 포함하는 질화물, 산-질 복합물, 황화물 또는 고분자 재료 등으로 형성될 수 있으며, 전기 방사법 등으로 제조한다.
도전성 코팅 레이어(220)의 재질 및 형성 방법은 나노 입자(100)의 도전성 코팅 레이어(120)와 동일 또는 유사한 재질 및 형성 방법이 사용될 수 있다.
이와 같이, 인듐 등의 희유 금속을 포함하는 도전성 나노 입자 또는 나노 선의 내부에 비도전성 코어를 형성하고 그 위에 ITO와 같은 투명 도전 물질을 코팅하여 형성함으로써 도전성 나노 입자 또는 나노 선의 희유 금속 사용량을 줄일 수 있다. 또한, 이와 같은 코어-셀 구조를 사용함으로써 나노 입자 또는 나노 선의 비중을 감소시킬 수 있다.
다음은, 도 3 내지 도 6을 참고로 본 발명의 실시예에 따른 코어-셀 구조의 나노 입자 제조 방법에 대해 설명한다.
앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 코어-셀 구조의 나노 입자는 비도전성 나노 입자 코어를 형성하고, 그 위에 ITO와 같은 도전성 코팅 레이어를 형성하되, 비도전성 나노 입자 코어는 저온 합성법으로 제조하고, 도전성 코팅 레이어는 담지법, 습식 코팅법, 건식 코팅법, 무전해 도금법 등의 저온 코팅법을 이용하여 제조할 수 있다.
먼저, 도 3을 참조하여 저온합성법과 담지법을 이용하는 본 발명의 실시예에 따른 코어-셀 구조의 나노 입자 제조 방법을 설명한다.
도 3에 나타난 바와 같이, 먼저 저온 합성법에 의하여 비도전성 나노 입자 코어를 제조한다(S310-S330). 저온 합성법에 의하여 비도전성 나노 입자 코어를 형성하는 과정을 좀 더 자세히 살펴보면, 먼저 비도전성 물질 이온이 포함된 유기 용액을 제조하고(S210), 제조된 유기 용액을 교반하면서 가열하여 유기 용매 성분을 증발시킴으로써 제1 전구체(Pre-cursor)를 형성한다(S220). 다음, 제1 전구체를 저온에서 열처리하면 비도전성 나노 입자가 형성된다(S230).
이 때, 비도전성 나노 입자 코어의 성분으로는 SiO2, TiO2, AlOx, ZnOx, FeOx, YOx, GdOx, SnOx, ZrOx, InOx, NiOx, CuOx, TaOx를 포함하는 산화물, AlNx, ZnNx, FeNx, YNx, GdNx, SnNx, ZrNx, InNx, NiNx, CuNx, TaNx를 포함하는 질화물, 산-질 복합물, 황화물 또는 고분자 재료 등이 사용될 수 있다.
한편, S310-S330 단계를 거쳐 비도전성 코어 나노 입자를 제조하는 과정은 오염물 사용을 배제한 청정 저온 합성법을 이용하는 것이 바람직하다.
다음, 도전성 코팅 레이어를 형성할 도전성 물질 이온이 포함된 유기 용액을 제조한다(S240). 이 유기 용액에 S210-S230 단계를 거쳐 제조한 비도전성 나노 입자를 넣어 분산시킨다(S250). 비도전성 나노 입자를 넣은 유기 용액을 교반하면서 가열하여 유기 용매 성분을 증발시킴으로써 제2 전구체를 형성(S260)한 다음, 제2 전구체를 저온에서 열처리하면 코어-셀 구조의 나노 입자가 형성된다(S270).
도전성 코팅 레이어를 형성하는 도전성 물질로는 대표적으로 ITO가 있으며, 그밖에도 Ag, Au, Cu, Ni, Al, Mg, Si, GaAs, IZTO, IZO, AZO, TiO2:Nb 또는 Carbon Layer 등이 사용될 수 있다.
도 4는 저온합성법과 습식코팅법을 이용하여 코어-셀을 형성하는 방법을 나타낸다.
도 4에 나타난 바와 같이, 저온 합성법에 의하여 비도전성 코어 나노 입자를 제조하는 과정(S410-S430)은 도 3의 S310-S330 단계와 동일하다.
다음, 도전성 코팅 레이어를 형성할 도전성 물질로 형성된 도전성 나노 입자를 유기 용매에 분산하고(S440), 여기에 S410-S430 단계를 통해 형성된 비도전성 나노 입자를 넣어 함께 분산시킨다(S450). 이제, 도전성 나노 입자와 비도전성 나노 입자가 분산된 유기 용액을 교반하면서 가열하여 유기 용매 성분을 증발시키면 코어-셀이 형성된다(S460).
도 5는 저온합성법과 건식코팅법을 이용하여 코어-셀을 형성하는 방법을 나타낸다.
도 5에 나타난 바와 같이, 저온 합성법에 의하여 비도전성 코어 나노 입자를 제조하는 과정(S510-S530)은 도 3의 S310-S330 단계와 동일하다.
다음, S510-S530 단계를 통해 형성된 비도전성 나노 입자를 도전성 코팅 레이어를 형성할 도전성 물질로 형성된 도전성 나노 입자와 함께 건식 코팅 장치에 장입(S540)하여 건식 코팅하면 코어-셀이 형성된다(S550).
도 6은 저온합성법과 무전해도금을 이용하여 코어-셀을 형성하는 방법을 나타낸다.
도 6에 나타난 바와 같이, 저온 합성법에 의하여 비도전성 코어 나노 입자를 제조하는 과정(S610-S630)은 도 3의 S310-S330 단계와 동일하다.
다음, S610-S630 단계를 통해 형성된 비도전성 나노 입자를 알칼리 탈지 및 수세하고(S640), 비도전성 나노 입자를 산세 및 수세한다(S645). 다음, 비도전성 나노 입자를 중화 및 수세하고(S650), 다시 산처리 및 수세하여(S655), 비도전성 나노입자의 표면을 조정하고 수세한다(S660). 이제 비도전성 나노입자를 촉매처리 및 수세하고(S665), 비도전성 나노입자를 활성화 및 수세하고(S670), 비도전성 나노 입자를 무전해 도금한 다음 수세하여 코어-셀을 완성한다(S675).
도 3 내지 도 6을 참조로 설명한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 코어-셀 구조의 나노 입자 제조 방법은 합성 및 코팅 등 전체 제조 과정에서 제조 공정 온도를 낮춤으로써 입자 성장을 억제하여 완성된 코어-셀 구조의 나노 입자의 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 비도전성 코어 나노 입자를 청정 저온 합성법으로 제조할 뿐 아니라, 도전성 코팅 레이어 역시 청정 저온 코팅법으로 제조함으로써 오염물 사용을 줄이고 환경성을 개선할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 코어-셀 구조의 나노 선을 제조하는 방법 역시 나노 입자를 제조하는 방법과 유사하다.
도 7에 나타난 바와 같이, 코어-셀 구조의 나노 선을 제조하기 위해서는 먼저, 비도전성 물질을 이용하여 전기 방사법 등으로 비도전성 나노 선 코어를 제조한다(S710).
이 때, 비도전성 나노 선 코어의 성분으로 SiO2, TiO2, AlOx, ZnOx, FeOx, YOx, GdOx, SnOx, ZrOx, InOx, NiOx, CuOx, TaOx를 포함하는 산화물, AlNx, ZnNx, FeNx, YNx, GdNx, SnNx, ZrNx, InNx, NiNx, CuNx, TaNx를 포함하는 질화물, 산-질 복합물, 황화물 또는 고분자 재료 등을 사용할 수 있음은 나노 입자의 제조에서와 마찬가지이다.
다음, 상술한 담지법, 습식 코팅법, 건식 코팅법, 무전해 도금법 등의 청정 저온 코팅법을 이용하여 비도전성 나노 선 코어 위에 도전성 레이어를 저온 코팅하여(S720), 코어-셀 구조의 나노 선을 제조한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같은 방법에 의해 제조된 코어-셀 구조의 나노 입자와 도 7에 도시된 바와 같은 방법에 의해 제조된 나노 선을 용매에 분산하여 투명 도전성 나노 분말 잉크를 제조할 수 있다. 투명 도전성 나노 분말 잉크를 제조함에 있어서는, 코어-셀 구조의 나노 입자만을 사용하거나 코어-셀 구조의 나노 선만을 사용하여 잉크를 제조할 수도 있으나, 두 가지 형태를 함께 사용하여 잉크를 제조하는 것이 더욱 효과적이다.
투명 도전성 나노 분말 잉크의 제조에 있어서는 청정 성분의 용매를 사용하고, 바인더 및 첨가제 역시 청정 성분으로 된 것을 이용하여 환경성을 개선하도록 한다.
본 발명의 실시예에 따른 투명 도전성 나노 분말 잉크의 제조 방법에서는, 상술한 바와 같은 코어-셀 구조의 나노 입자와 나노 선을 사용함으로써 나노 분말의 비중이 감소되어 나노 분말 잉크의 분산성 및 안정성이 향상된다.
또한, 투명 도전성 나노 분말 잉크를 제조하여 잉크젯 프린팅 방식으로 투명전극을 형성하면, 식각 등의 방식에 비해 적은 양의 재료로 투명전극을 제조할 수 있어 투명전극의 재료인 희유 금속 소비량을 줄이는 효과를 가져올 수 있다.
특히, 이와 같이 제조된 나노 선을 이용하여 잉크를 제조할 경우에는 나노 선이 길게 늘어져 있어 선의 끝과 끝이 닿을 수 있도록 균일하게 분산이 되면 잉크 내 고형분 농도를 낮출 수 있어 인듐 등 희유 금속의 저감 효과가 더욱 커진다.
이상에서 바람직한 실시예를 기준으로 본 발명을 설명하였지만, 본 발명의 장치 및 방법은 반드시 상술된 실시예에 제한되는 것은 아니며 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 따라서, 첨부된 특허청구의 범위는 본 발명의 요지에 속하는 한 이러한 수정이나 변형을 포함할 것이다.

Claims (8)

  1. 비도전성 투명 재료로 형성된 나노 입자 코어와,
    상기 나노 입자 코어 위에 도전성 재료로 형성된 도전성 코팅 레이어를 포함하는 코어-셀(core-shell) 구조의 나노 입자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 비도전성 투명 재료는,
    SiO2, TiO2, AlOx, ZnOx, FeOx, YOx, GdOx, SnOx, ZrOx, InOx, NiOx, CuOx, TaOx를 포함하는 산화물, AlNx, ZnNx, FeNx, YNx, GdNx, SnNx, ZrNx, InNx, NiNx, CuNx, TaNx를 포함하는 질화물, 산-질 복합물, 황화물 또는 고분자 재료를 포함하는 나노 입자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 도전성 재료는,
    ITO, Ag, Au, Cu, Ni, Al, Mg, Si, GaAs, IZTO, IZO, AZO, TiO2:Nb 또는 Carbon Layer를 포함하는 나노 입자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 나노 입자 코어는 저온 합성법으로 형성되고,
    상기 도전성 코팅 레이어는 저온 코팅법으로 형성되는 나노 입자.
  5. 비도전성 투명 재료로 형성된 나노 입자 코어와 상기 나노 입자 코어 위에 도전성 재료로 형성된 제1 도전성 코팅 레이어를 포함하는 코어-셀(core-shell) 구조의 나노 입자와,
    상기 비도전성 투명 재료로 형성된 나노 선 코어와 상기 나노 선 코어 위에 상기 도전성 재료로 형성된 제2 도전성 코팅 레이어를 포함하는 코어-셀 구조의 나노 선과,
    상기 나노 입자 및 상기 나노 선이 분산된 용매를 포함하는 잉크.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 용매는 청정 성분 용매인 잉크.
  7. 제5항에 있어서, 상기 비도전성 투명 재료는,
    SiO2, TiO2, AlOx, ZnOx, FeOx, YOx, GdOx, SnOx, ZrOx, InOx, NiOx, CuOx, TaOx를 포함하는 산화물, AlNx, ZnNx, FeNx, YNx, GdNx, SnNx, ZrNx, InNx, NiNx, CuNx, TaNx를 질화물, 산-질 복합물, 황화물 또는 고분자 재료를 포함하는 잉크.
  8. 제5항에 있어서, 상기 도전성 재료는,
    ITO, Ag, Au, Cu, Ni, Al, Mg, Si, GaAs, IZTO, IZO, AZO, TiO2:Nb 또는 Carbon Layer를 포함하는 잉크.
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