KR20120021140A - 영 전압 스위칭방식의 동기형 dc/dc컨버터 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 영 전압 스위칭방식의 동기형 DC/DC 컨버터에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 인버터부의 양단 전압이 '0'[V]일 때, 입력전압을 스위칭함으로써 스위칭 손실을 줄일 수 있고, 정류부의 스위칭 소자를 MOSFET 스위치로 구성하여 정류손실을 줄일 수 있으며, 정류부의 스위칭 동작을 인버터부의 스위칭 동작과 서로 동기되게 하여 영 전압 스위칭을 인버터부 및 정류부에서 동시에 실현시킬 수 있는 영 전압 스위칭방식의 동기형 DC/DC컨버터에 관한 것이다.
Description
본 발명은 영 전압 스위칭방식의 동기형 DC/DC 컨버터에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 인버터부의 양단 전압이 '0'[V]일 때, 입력전압을 스위칭함으로써 스위칭 손실을 줄일 수 있고, 정류부의 스위칭 소자를 MOSFET 스위치로 구성하여 정류손실을 줄일 수 있으며, 정류부의 스위칭 동작을 인버터부의 스위칭 동작과 서로 동기되게 하여 영 전압 스위칭을 인버터부 및 정류부에서 동시에 실현시킬 수 있는 영 전압 스위칭방식의 동기형 DC/DC컨버터에 관한 것이다.
일반적으로 종래의 DC/DC컨버터는 출력 전압 제어를 위해 하드 스위칭 방식을 이용하므로 스위칭 소자가 '온' 또는 '오프'될 때, 발생하는 스위칭 손실로 인해 전력 변환의 효율향상에 한계가 있다.
또한, 이러한 하드 스위칭 방식의 DC/DC컨버터는 스위칭 스트레스 및 리플전압 감소를 위한 스위칭 수파수 증가로 전력 변환 효율이 감소하는 단점이 있고, 스위칭 소자의 '온', '오프' 시, 전류나 전압의 기울기가 매우 커 효율향상에 한계가 있는 실정이다.
따라서, 최근, DC/DC컨버터를 설계함에 있어서, 스위칭 손실이나 정류 손실을 최소화하여 전력변환의 효율을 향상시키기 위한 소프트 스위칭 방식인 영 전압스위칭에 관한 연구가 활발하다.
본 발명자들은 스위칭 손실 및 정류 손실을 줄일 수 있는 DC/DC컨버터를 설계하기 위해 연구 노력한 결과, 정류부를 다이오드가 아닌 풀-브리지 타입의 스위칭 소자로 구성하여 정류 손실을 줄이고, 인버터부에 전원이 '0'[V]일 때 스위칭 소자를 '온' 및 '오프'하여 스위칭 손실을 줄일 수 있는 DC/DC컨버터의 기술적 구성을 개발하게 되어 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서, 본 발명의 목적은 정류 손실을 최소화할 수 있는 영 전압 스위칭 방식의 DC/DC컨버터를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 스위칭 손실을 최소화할 수 있는 영 전압 스위칭 방식의 DC/DC컨버터를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 일단이 직류 입력전압의 일단에 연결되며, 상기 입력전압을 불연속으로 만드는 초퍼 스위치, 상기 초퍼 스위치의 타단과 상기 입력전압의 타단에 연결되어 상기 입력전압을 스위칭하여 교류전압을 출력하는 인버터부, 상기 교류전압을 변압하는 변압기 및 상기 인버터부와 동기되어 스위칭되고, 상기 변압기의 출력전압을 정류하여 직류 출력전압을 출력하는 정류부부;를 포함하고, 상기 인버터부는 상기 초퍼 스위치가 '오프'되어 상기 인버터부의 양단 전압이 '0'[V]일 때, 상기 입력전압을 스위칭하여 영 전압 스위칭 동작을 하는 것을 특징으로 하는 영 전압 스위칭방식의 동기형 DC/DC컨버터를 제공한다.
바람직한 실시예에 있어서, 일단은 상기 초퍼 스위치의 타단과 연결되고 타단은 상기 입력전압의 타단에 연결되며, 상기 초퍼 스위치가 '오프'되었을 때, 상기 인버터부와 폐루프를 이루어 전류가 환류되게 하는 환류 소자를 더 포함한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 인버터부 및 상기 정류부는 각각 네 개의 스위칭 소자가 브리지 형태로 연결된다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 인버터부는 네 개의 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 스위치가 브리지 형태로 연결되고, 상기 정류부는 네 개의 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 스위치가 브리지 형태로 연결되며, 상기 IGBT 스위치들 중 제1 및 제4 IGBT 스위치와 상기 MOSFET 스위치들 중 제1 및 제4 MOSFET 스위치는 서로 동기되어 동시에 '온' 또는 '오프'되며, 상기 IGBT 스위치들 중 제2 및 제3 IGBT 스위치와 상기 MOSFET 스위치들 중 제2 및 제3 MOSFET 스위치는 서로 동기되어 동시에 '온' 또는 '오프'되되, 상기 제1 및 제4 IGBT 스위치 및 상기 제1 및 제 4 MOSFET 스위치와 번갈아 '온' 또는 '오프'되어 서로 동기된다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 변압기는 상기 인버터부 및 상기 정류부를 절연하여, 상기 교류전압을 변압하는 절연형 변압기이다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 초퍼 스위치는 MOSFET 스위치이다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 환류 소자는 MOSFET 스위치이다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 정류부의 출력단에 연결되고, 상기 직류 출력전압을 평활하는 L-C필터부를 더 포함한다.
본 발명은 다음과 같은 우수한 효과를 가진다.
먼저, 본 발명의 DC/DC컨버터에 의하면 초퍼 스위치가 '오프'되어 인버터부의 양단전압이 '0'[V]일 때, 인버터부가 스위칭 동작을 하므로 영 전압 스위칭 동작을 실현할 수 있어 스위칭 손실을 매우 줄일 수 있는 DC/DC컨버터를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 DC/DC컨버터에 의하면 컨버터부가 상기 인버터부와 동기되어 스위칭동작을 하므로 상기 인버터부와 동일하게 상기 컨버터부에서도 영 전압 스위칭 동작을 실현할 수 있고, 다이오드를 사용하지 않고 MOSFET 스위치를 사용하여 정류 손실을 매우 줄일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 DC/DC컨버터를 보여주는 도면,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 DC/DC컨버터의 초퍼 스위치 및 인버터부의 스위칭 신호를 설명하기 위한 도면,
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 DC/DC컨버터의 인버터부 및 컨버터부의 전압/전류 신호 파형을 보여주는 도면,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 DC/DC컨버터의 출력전압 파형을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 DC/DC컨버터의 초퍼 스위치 및 인버터부의 스위칭 신호를 설명하기 위한 도면,
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 DC/DC컨버터의 인버터부 및 컨버터부의 전압/전류 신호 파형을 보여주는 도면,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 DC/DC컨버터의 출력전압 파형을 보여주는 도면이다.
본 발명에서 사용되는 용어는 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있는데 이 경우에는 단순한 용어의 명칭이 아닌 발명의 상세한 설명 부분에 기재되거나 사용된 의미를 고려하여 그 의미가 파악되어야 할 것이다.
이하, 첨부한 도면에 도시된 바람직한 실시예들을 참조하여 본 발명의 기술적 구성을 상세하게 설명한다.
그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 DC/DC컨버터(100)는 초퍼 스위치(110), 인버터부(120), 환류 소자(130), 변압기(140), 정류부(150) 및 L-C필터부(160)를 포함하여 이루어진다.
상기 초퍼 스위치(110)는 직류 입력전압(Vin)을 불연속적인 직류로 만드는 역할을 하며, 일단은 상기 입력전압(Vin)의 플러스 단에 연결되고 타 단은 아래에서 설명할 인버터부(120)에 연결되어 상기 입력전압(Vin)을 상기 인버터부(120)에 전달해주는 역할을 한다.
또한, 도 2의 그래프(a)는 상기 초퍼 스위치(110)의 스위칭 파형을 보여주는 것으로, 도시한 바와 같이 주기적으로 '온' 및 '오프'되어 상기 입력전압(Vin)이 불연속적인 입력전압이 되도록 한다.
이는, 상기 초퍼 스위치(110)가 '오프'되어 상기 인버터부(120)의 양단 전압이 '0'이 될 때, 상기 인버터부(120)의 스위칭 소자들이 '온' 또는 '오프'되게 하여 영 전압 스위칭이 이루어지게 하기 위함이다.
또한, 본 발명에서는 상기 초퍼 스위치(110)를 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 스위치로 구비하였다.
상기 인버터부(120)는 상기 초퍼 스위치(110)의 타단과 상기 입력전압(Vin)의 마이너스 단에 연결되고, 상기 입력전압(Vin)을 스위칭하여 하기의 변압기(140)로 입력해 줄 교류전압을 출력한다.
또한, 상기 인버터부(120)는 네 개의 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 스위치가 풀-브리지 형태로 연결되어, 한 쌍의 IGBT 스위치가 서로 번갈아 '온', '오프'되며 상기 입력전압(Vin)을 교류로 변환하여 상기 변압기(140)로 공급한다.
더욱 자세하게는, 상기 인버터부(120)는 제1 IGBT 스위치(121), 제2 IGBT 스위치(122), 제3 IGBT 스위치(123) 및 제4 IGBT 스위치(124)를 포함하고, 상기 제1 IGBT 스위치(121) 및 제2 IGBT 스위치(122)는 서로 직렬로 연결되며, 상기 제3 IGBT 스위치(123) 및 제4 IGBT 스위치(124)는 서로 직렬로 연결되는 동시에 상기 제1 IGBT 스위치(121) 및 제2 IGBT 스위치(122)에 병렬로 연결된다.
즉, 상기 제1 IGBT 스위치(121) 및 제2 IGBT 스위치(122), 상기 제3 IGBT 스위치(123) 및 제4 IGBT 스위치(124)는 각각 직렬로 연결되고, 상기 초퍼 스위치(110)를 사이에 두고 각각 상기 입력전압(Vin)에 병렬로 연결되는 형태이다.
또한, 상기 제1 IGBT 스위치(121) 및 상기 제2 IGBT 스위치(122)의 사이단, 상기 제3 IGBT 스위치(123) 및 상기 제4 IGBT 스위치(124)는 상기 변압기(140)의 입력측 양단에 연결되어 풀-브리지의 형태를 이룬다.
또한, 상기 제1 IGBT 스위치(121)와 상기 제4 IGBT 스위치(124)는 서로 동시에 '온' 또는 '오프'되고, 상기 제2 IGBT 스위치(122)와 상기 제3 IGBT 스위치(123)는 서로 동시에 '온' 또는 '오프'되며 상기 제1 IGBT 스위치(121)와 상기 제4 IGBT 스위치(124)와는 서로 번갈아 '온' 또는 '오프'된다.
즉, 상기 제1 IGBT 스위치(121)와 상기 제4 IGBT 스위치(124)가 '온'되었을 때, 상기 제2 IGBT 스위치(122)와 상기 제3 IGBT 스위치(123)는 '오프'되고, 상기 제1 IGBT 스위치(121)와 상기 제4 IGBT 스위치(124)가 '오프'되었을 때, 상기 제2 IGBT 스위치(122)와 상기 제3 IGBT 스위치(123)는 '온'되는 것이다.
또한, 도 2의 그래프(b)는 상기 제1 IGBT 스위치(121)와 상기 제4 IGBT 스위치(124)의 스위칭 파형을 보여주는 것이고, 그래프(c)는 상기 제2 IGBT 스위치(122)와 상기 제3 IGBT 스위치(123)의 스위칭 파형을 보여주는 것으로, 도시한 바와 같이 상기 제1 IGBT 스위치(121) 및 상기 제4 IGBT 스위치(124)와 상기 제2 IGBT 스위치(122) 및 상기 제3 IGBT 스위치(123)는 서로 번갈아 '온' 또는 '오프'됨을 알 수 있다.
또한, 상기 인버터부(120)의 IGBT 스위치들(121,122,123,124)은 도 2의 그래프(b) 및 그래프(c)에 도시된 바와 같이 상기 초퍼 스위치(110)가 '오프'되는 구간(s)에서 '온' 및 '오프'된다.
즉, 본 발명에 따르면 상기 초퍼 스위치(110)가 '오프'되어 상기 인버터부(120)의 양단 전압이 '0'[V]가 될 경우, 상기 IGBT 스위치들(121,122,123,124)을 '온' 및 '오프'하여 영 전압 스위칭을 실현함으로써 스위칭 손실을 줄일 수 있는 효과가 있다.
상기 환류 소자(130)는 상기 초퍼 스위치(110)가 '오프'되고, 상기 인버터부(120)의 제2 IGBT 스위치(122) 및 제3 IGBT 스위치(123)가 '온'될 때, 상기 인버터부(120)에 전류가 역으로 흐를 수 있도록 환류 패스를 만들어 주는 역할을 하며, 본 발명의 실시예에서는 MOSFET 스위치를 사용였다. 그러나 일반적인 다이오드 소자를 사용할 수도 있다.
상기 변압기(140)는 상기 인버터부(120)에서 출력되는 교류전압을 입력받아 일정한 크기의 전압으로 승압 또는 강압하는 역할을 한다.
또한, 상기 변압기(140)는 절연형 변압기로 구비되며, 상기 인버터부(120)와 아래에서 설명할 정류부(150)를 절연하여 소자의 소손 또는 전력 사고 등으로부터 입력 측 및 출력 측을 안전하게 보호한다.
상기 정류부(150)는 상기 변압기(140)의 출력전압을 전파정류하고, 상기 L-C필터부(160)는 상기 전파정류된 출력전압을 평활하여 직류전압이 출력되게 한다.
또한, 상기 정류부(150)는 네 개의 스위칭 소자가 풀-브리지 형태로 연결되며, 상기 인버터부(120)의 스위칭 동작과 동기되어 스위칭 동작을 한다.
또한, 상기 정류부(150)는 제1 MOSFET 스위치(151), 제2 MOSFET 스위치(152), 제3 MOSFET 스위치(153) 및 제4 MOSFET 스위치(154)의 네 개의 MOSFET 스위치들을 포함하며, 연결 형태는 상기 인버터부(120)의 IGBT 스위치(121,122,123,124)와 실질적으로 동일하므로 설명을 생략한다.
또한, 상기 제1 MOSFET 스위치(151) 및 상기 제4 MOSFET 스위치(151)는 동시에 '온' 또는 '오프'되고, 상기 인버터부(120)의 제1 IGBT 스위치(121) 및 제4 IGBT 스위치(124)와 동기되어 상기 인버터부(120)의 제1 IGBT 스위치(121) 및 제4 IGBT 스위치(124)와 동시에 '온' 또는 '오프'된다.
또한, 상기 제2 MOSFET 스위치(152)와 상기 제3 MOSFET 스위치(153)는 동시에 '온' 또는 '오프'되되, 상기 제1 MOSFET 스위치(151) 및 상기 제4 MOSFET 스위치(151)와 번갈아 '온' 또는 '오프' 된다.
다시 말해서, 상기 제2 MOSFET 스위치(152)와 상기 제3 MOSFET 스위치(153)가 '온'될 때, 상기 제1 MOSFET 스위치(151) 및 상기 제4 MOSFET 스위치(151)는 '오프'되고, 상기 제2 MOSFET 스위치(152)와 상기 제3 MOSFET 스위치(153)가 '오프'될 때, 상기 제1 MOSFET 스위치(151) 및 상기 제4 MOSFET 스위치(151)는 '온'된다.
즉, 상기 제2 MOSFET 스위치(152)와 상기 제3 MOSFET 스위치(153)는 상기 인버터부(120)의 제2 IGBT 스위치(122) 및 제3 IGBT 스위치(123)와 동기되어 상기 인버터부(120)의 제2 IGBT 스위치(122) 및 제3 IGBT 스위치(123)와 동시에 '온' 또는 '오프'된다.
한편, 상기 MOSFET 스위치(151,152,153,154)와 다이오드 소자의 정류손실을 비교해보면, 다이오드 소자의 정류손실은 다이오드 양단전압(VF) 및 출력전류(iD)의 곱으로 표현되며 아래의 수학식 1과 같다.
또한, MOSFET 스위치의 정류손실은 MOSFET 스위치가 '온'되었을 때 등가저항(RDS)과 출력전류(io)의 곱으로 표현되며 아래의 수학식 2와 같다.
즉, 본 발명은 다이오드를 사용하지 않고, MOSFET 스위치를 사용하여 상기 변압기(140)의 출력전압을 정류하므로 다이오드를 사용하여 정류하는 방법과 비교하여 정류 손실을 약 34%이상 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
상기 L-C필터부(160)는 상기 정류부(150)의 출력전압을 평활하며, 평활 인덕터(161) 및 커패시터(162)로 구성된다.
도 3의 그래프(d)는 상기 인버터부(120)의 각 IGBT 스위치들(121,122,123,124)의 양단 전압(Vsw1)의 파형을 보여주는 그래프이고, 그래프(e)는 상기 인버터부(120)의 각 IGBT 스위치들(121,122,123,124)의 출력전류(Isw1)의 파형 보여주는 그래프이다.
또한, 도 3에서는 상기 제1 IGBT 스위치(121)의 양단 전압(Vsw1)의 파형 및 출력전류(Isw1)의 파형을 도시하였으나, 다른 IGBT 스위치들(122,123,124)의 양단 전압(Vsw1)의 파형 및 출력전류(Isw1)의 파형도 실질적으로 동일하다.
도 3에서도 알 수 있듯이 상기 각 IGBT 스위치(121,122,123,124)의 양단 전압(Vsw1)이 '0'[V]일 때, '온' 또는 '오프'되어 영 전압 스위칭(ZVS:Zero Voltage Switching)이 이루어지는 것을 알 수 있다.
또한, 도 4의 그래프(f) 및 (g)는 각각 상기 정류부(150)의 각 MOSFET 스위치들의 양단전압(Vsw5) 및 출력전류(Isw5)의 파형을 살펴보기 위한 그래프로써, 상기 제1 MOSFET 스위치(151)의 양단전압(Vsw5) 및 출력전류(Isw5) 파형을 도시하였다. 그러나, 다른 MOSFET 스위치들(152,153,154)의 파형도 실질적으로 동일하다.
도 4에서도 알 수 있듯이 상기 각 MOSFET 스위치(151,152,153,154)의 양단 전압(Vsw5)이 '0'[V]일 때, '온' 또는 '오프'되어 전류가 흐르는 영 전압 스위칭(ZVS:Zero Voltage Switching)이 이루어지는 것을 알 수 있다.
따라서, 본 발명에 따르면 소프트 스위칭 동작을 실현하여 스위칭 손실을 매우 저감시킬 수 있는 DC/DC컨버터를 제공할 수 있다.
또한, 도 5는 상기 L-C필터부(160)에서 출력되는 전압(Vout) 및 전류(Iout)를 보여주는 것으로, 정전압 제어가 정확히 이루어져 전압 또는 전류 리플(ripple)이 거의 없는 양질의 출력전압 및 전류가 출력되는 것을 알 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
100:DC/DC컨버터 110:초퍼 스위치
120:인버터부 121,122,123,124:IGBT 스위치
130:환류 소자 140:변압기
150:정류부 151,152,153,154:MOSFET 스위치
160:L-C필터부
120:인버터부 121,122,123,124:IGBT 스위치
130:환류 소자 140:변압기
150:정류부 151,152,153,154:MOSFET 스위치
160:L-C필터부
Claims (8)
- 일단이 직류 입력전압의 일단에 연결되며, 상기 입력전압을 불연속으로 만드는 초퍼 스위치;
상기 초퍼 스위치의 타단과 상기 입력전압의 타단에 연결되어 상기 입력전압을 스위칭하여 교류전압을 출력하는 인버터부;
상기 교류전압을 변압하는 변압기; 및
상기 인버터부와 동기되어 스위칭되고, 상기 변압기의 출력전압을 정류하여 직류 출력전압을 출력하는 정류부;를 포함하고,
상기 인버터부는 상기 초퍼 스위치가 '오프'되어 상기 인버터부의 양단 전압이 '0'[V]일 때, 상기 입력전압을 스위칭하여 영 전압 스위칭 동작을 하는 것을 특징으로 하는 영 전압 스위칭방식의 동기형 DC/DC컨버터.
- 제 1 항에 있어서,
일단은 상기 초퍼 스위치의 타단과 연결되고 타단은 상기 입력전압의 타단에 연결되며, 상기 초퍼 스위치가 '오프'되었을 때, 상기 인버터부와 폐루프를 이루어 전류가 환류되게 하는 환류 소자;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 영 전압 스위칭방식의 동기형 DC/DC컨버터.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 인버터부 및 상기 정류부는 각각 네 개의 스위칭 소자가 브리지 형태로 연결된 것을 특징으로 하는 영 전압 스위칭방식의 동기형 DC/DC컨버터.
- 제 3 항에 있어서,
상기 인버터부는 네 개의 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 스위치가 브리지 형태로 연결되고, 상기 정류부는 네 개의 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 스위치가 브리지 형태로 연결되며,
상기 IGBT 스위치들 중 제1 및 제4 IGBT 스위치와 상기 MOSFET 스위치들 중 제1 및 제4 MOSFET 스위치는 서로 동기되어 동시에 '온' 또는 '오프'되며,
상기 IGBT 스위치들 중 제2 및 제3 IGBT 스위치와 상기 MOSFET 스위치들 중 제2 및 제3 MOSFET 스위치는 서로 동기되어 동시에 '온' 또는 '오프'되되, 상기 제1 및 제4 IGBT 스위치 및 상기 제1 및 제 4 MOSFET 스위치와 번갈아 '온' 또는 '오프'되는 것을 특징으로 하는 영 전압 스위칭방식의 동기형 DC/DC컨버터.
- 제 3 항에 있어서,
상기 변압기는 상기 인버터부 및 상기 정류부를 절연하여, 상기 교류전압을 변압하는 절연형 변압기인 것을 특징으로 하는 영 전압 스위칭방식의 동기형 DC/DC컨버터.
- 제 3 항에 있어서,
상기 초퍼 스위치는 MOSFET 스위치인 것을 특징으로 하는 영 전압 스위칭방식의 동기형 DC/DC컨버터.
- 제 3 항에 있어서,
상기 환류 소자는 MOSFET 스위치인 것을 특징으로 하는 영 전압 스위칭방식의 동기형 DC/DC컨버터.
- 제 3 항에 있어서,
상기 정류부의 출력단에 연결되고, 상기 직류 출력전압을 평활하는 L-C필터부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 영 전압 스위칭방식의 동기형 DC/DC컨버터.
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KR1020110001155A KR20120021140A (ko) | 2010-08-31 | 2011-01-05 | 영 전압 스위칭방식의 동기형 dc/dc컨버터 |
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KR (1) | KR20120021140A (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140044017A (ko) | 2012-10-04 | 2014-04-14 | 현대모비스 주식회사 | 동기형 저전압 직류직류 컨버터 |
KR20150127855A (ko) | 2012-07-25 | 2015-11-18 | 현대모비스 주식회사 | 동기형 저전압 직류직류 컨버터 |
CN105702668A (zh) * | 2016-03-03 | 2016-06-22 | 成都芯源系统有限公司 | 同步开关变换器及用于同步开关变换器的集成半导体开关器件 |
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2011
- 2011-01-05 KR KR1020110001155A patent/KR20120021140A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150127855A (ko) | 2012-07-25 | 2015-11-18 | 현대모비스 주식회사 | 동기형 저전압 직류직류 컨버터 |
KR20140044017A (ko) | 2012-10-04 | 2014-04-14 | 현대모비스 주식회사 | 동기형 저전압 직류직류 컨버터 |
CN105702668A (zh) * | 2016-03-03 | 2016-06-22 | 成都芯源系统有限公司 | 同步开关变换器及用于同步开关变换器的集成半导体开关器件 |
CN105702668B (zh) * | 2016-03-03 | 2018-06-22 | 成都芯源系统有限公司 | 同步开关变换器及用于同步开关变换器的集成半导体开关器件 |
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