KR20120013128A - Apparatus for Breaking Processed Object Using Air-jet - Google Patents

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KR20120013128A
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Abstract

PURPOSE: An apparatus for breaking an object by using air jet is provided to create a crack at a phase change domain by forming the phase change domain with adjusting a focal point inside an object and pressurizing the object at a location in which the phase change domain is formed. CONSTITUTION: An object(W) is settled on a work stage. A laser irradiator irradiates an inside of an object, which is settled on the work stage, with a laser beam and forms a phase change domain(P). A gas spraying nozzle(52) creates a crack at the phase change domain by spraying a gas having over constant pressure to the object at upper or lower side of the object settled on the work stage. A high frequency vibrator induces the crack at the phase change domain by causing radio frequency oscillation in the work stage after the phase change domain is formed in the object.

Description

에어젯을 이용한 대상물 브레이킹 장치{Apparatus for Breaking Processed Object Using Air-jet}Apparatus for Breaking Processed Object Using Air-jet}

본 발명은 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판 등의 대상물을 절단하기 위한 브레이킹 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a breaking device for cutting an object such as a semiconductor wafer or a glass substrate.

근래들어 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판 등의 대상물을 원하는 크기와 형태로 절단하기 위하여 대상물의 표면에 대상물이 흡수하는 파장의 레이저 빔을 조사하고, 레이저 빔의 흡수에 의하여 절단하는 영역에서 용융을 진행시켜 대상물을 절단하는 방식이 널리 이용되고 있다. In recent years, in order to cut an object such as a semiconductor wafer or a glass substrate into a desired size and shape, a laser beam having a wavelength absorbed by the object is irradiated onto the surface of the object, and melting is performed in an area to be cut by absorption of the laser beam. Cutting method is widely used.

그런데, 대상물의 표면에 레이저 빔을 조사하여 절단하는 방식은 레이저 빔이 조사되는 지점의 주변 영역도 용융시키거나 가열시키는 현상을 발생시킨다. 따라서, 대상물이 반도체 웨이퍼인 경우, 반도체 웨이퍼의 표면에 형성된 반도체 소자도 용융시키거나 가열시켜 불량을 유발할 수 있다. However, the method of cutting by irradiating a laser beam on the surface of the object generates a phenomenon that also melts or heats the peripheral region of the point where the laser beam is irradiated. Therefore, when the object is a semiconductor wafer, the semiconductor element formed on the surface of the semiconductor wafer may also be melted or heated to cause defects.

이러한 문제를 해결하기 위하여 대상물의 내부에 집광점을 맞춰서 레이저 빔을 조사하여 대상물 내부에 다광자 흡수에 의한 상변화영역을 형성하고, 이 상변화영역에 의해 크랙(crack)이 발생하도록 하여 절단하는 방식이 이용되고 있다. In order to solve this problem, the laser beam is irradiated by setting the focusing point inside the object to form a phase change region by multiphoton absorption inside the object, and a crack is generated by the phase change region. The method is used.

그러나, 대상물 내부에 다광자 흡수에 의한 상변화영역을 형성하여 절단하는 종래의 대상물 절단장치는 대상물에 상변화영역을 형성하여 초기 크랙을 발생시킨 다음, 대상물을 다른 브레이킹장비로 이송하여 대상물의 상변화영역을 가압하여 초기 크랙을 증대시킴으로써 각각의 상변화영역에서 크랙이 완전히 생성되도록 하고 있다. However, the conventional object cutting device for forming and cutting a phase change area by multiphoton absorption inside the object generates an initial crack by forming a phase change area in the object, and then transfers the object to another breaking device to remove the phase. The cracks are completely generated in each phase change area by increasing the initial crack by pressing the change areas.

따라서, 내부에 상변화영역을 형성한 대상물을 별도의 브레이킹장비로 이송하는 공정이 추가되므로 절단 공정에 시간이 많이 소요되어 생산성이 저하되고, 이송 과정에서 불량이 발생할 가능성도 높은 문제가 있다.
Therefore, since a process of transferring the object having the phase change region formed therein to a separate braking device is added, the cutting process takes a lot of time, resulting in a decrease in productivity and a high possibility of a defect occurring in the transfer process.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 대상물 내부에 집광점을 맞춰서 상변화영역을 형성한 다음, 대상물을 다른 공정 위치로 이송하지 않고 바로 그 위치에서 대상물을 가압하여 상변화영역에서 크랙이 완전히 생성되도록 함으로써 절단 공정 속도를 향상시킬 수 있는 대상물 브레이킹장치를 제공함에 있다.
The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to form a phase change area to match the focusing point inside the object, and then press the object at the right position without transferring the object to another process position It is to provide an object breaking device that can improve the cutting process speed by allowing the crack to be completely generated in the phase change region.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 대상물이 안착되는 워크스테이지와; 상기 워크스테이지에 안착된 대상물 내부에 레이저 빔을 조사하여 상변화영역을 형성하는 레이저 조사기와; 상기 워크스테이지에 안착된 대상물의 상측 또는 하측에서 대상물을 향해 일정 압력 이상의 가스를 분사하여 상기 상변화영역에서의 크랙을 유도하는 가스분사노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 에어젯을 이용한 대상물 브레이킹 장치를 제공한다.
The present invention for achieving the above object, the work stage is the object is seated; A laser irradiator configured to form a phase change region by irradiating a laser beam into an object mounted on the work stage; The object breaking device using an air jet comprising a gas injection nozzle for inducing a crack in the phase change region by injecting a gas of a predetermined pressure or more toward the object from the upper or lower side of the object seated on the work stage to provide.

이러한 본 발명에 따르면, 워크스테이지 상에서 대상물의 내부에 상변화영역이 형성된 후, 대상물을 다른 공정 위치로 이송하지 않고 바로 그 위치에서 가스분사노즐을 통해 소정의 압력으로 가스가 분사되어 대상물에 소정의 압력이 가해진다. 따라서, 대상물 내부의 상변화영역에서 크랙이 확실하게 발생하게 된다.
According to the present invention, after the phase change region is formed on the inside of the object on the work stage, the gas is injected at a predetermined pressure through the gas injection nozzle at a predetermined position without transferring the object to another process position, thereby providing a predetermined amount to the object. Pressure is applied. Therefore, cracks are reliably generated in the phase change region inside the object.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 대상물 브레이킹 장치의 전체적인 구성을 개략적으로 나타낸 정면도이다.
도 2는 도 1의 대상물 브레이킹 장치의 측면도이다.
도 3은 도 1의 대상물 브레이킹 장치의 워크스테이지를 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 3의 워크스테이지 상에서 대상물이 절단되는 상태를 나타낸 요부 단면도이다.
도 5는 본 발명의 대상물 브레이킹 장치의 다른 실시예로서 트랜스퍼에 가스분사노즐이 설치된 구성을 개략적으로 나타낸 정면도이다. 1 is a front view schematically showing the overall configuration of the object braking device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a side view of the object breaking device of FIG. 1.
3 is a perspective view illustrating a work stage of the object breaking device of FIG. 1.
4 is a sectional view showing the principal parts of a state in which an object is cut on the work stage of FIG. 3;
5 is a front view schematically showing a configuration in which a gas injection nozzle is installed in a transfer as another embodiment of the object braking device of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 대상물 브레이킹 장치의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail preferred embodiments of the object braking device according to the present invention.

아래에서 설명하는 대상물 브레이킹 장치는 대상물로서 표면에 복수개의 반도체 소자들이 격자 형태로 배열된 반도체 웨이퍼를 절단하는 장치이나, 본 발명은 이외에도 다양한 대상물에 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다. The object breaking apparatus described below is an apparatus for cutting a semiconductor wafer in which a plurality of semiconductor elements are arranged in a lattice form on the surface as an object, but the present invention may be applied to the same or similarly to various objects.

먼저, 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 대상물(이 실시예에서 반도체 웨이퍼) 브레이킹장치는 본체(1)와, 대상물(W)들이 적재되는 스택부(10)와, 상기 스택부(10)에서 인출된 대상물(W)이 놓여져 정렬되는 대기부(20)와, 상기 대기부(20)의 상부에 설치되어 대기부(20) 상에 놓여진 대상물(W)을 촬영하여 대상물(W)의 에지(edge) 위치 등에 대한 정보를 획득하는 비전카메라(30)와, 상기 대기부(20)에서 대상물(W)을 진공 흡착하여 반송하는 2개의 트랜스퍼(40)들과, 상기 트랜스퍼(40)들에 의해 반송된 대상물(W)이 놓여지는 워크스테이지(50)와, 상기 워크스테이지(50)에 놓여진 대상물(W)에 레이저 빔을 조사하는 레이저 조사기(70)를 포함한다. First, referring to FIGS. 1 and 2, an apparatus for breaking an object (in this embodiment, a semiconductor wafer) according to an embodiment of the present invention includes a main body 1, a stack portion 10 on which the objects W are stacked, The object portion W drawn from the stack portion 10 is placed and aligned, and the object portion W placed on the atmosphere portion 20 and installed on the atmosphere portion 20 is photographed. A vision camera 30 for acquiring information on the edge position of the object W and the like, two transfers 40 for vacuum suctioning and conveying the object W from the waiting unit 20, and A work stage 50 on which the object W conveyed by the transfers 40 is placed, and a laser irradiator 70 for irradiating a laser beam to the object W placed on the work stage 50. .

상기 스택부(10)는 복수개의 대상물(W)들이 수평 상태로 적재되어 있는 카세트(11)와, 상기 카세트(11)를 원하는 임의의 위치로 상하로 이동시키는 엘리베이터(12)로 구성된다. 상기 카세트(11)는 후방면이 개방된 박스 형태로 이루어진다. 그리고, 도면에 도시하지는 않았으나, 상기 엘리베이터(12)는 볼스크류와 모터로 구성된 선형운동장치, 또는 복수개의 풀리와 벨트 및 풀리 구동모터로 이루어진 선형운동장치, 리니어모터 시스템을 이용한 선형운동장치 등 공지의 선형운동장치를 이용하여 구성될 수 있다. The stack unit 10 includes a cassette 11 in which a plurality of objects W are stacked in a horizontal state, and an elevator 12 for moving the cassette 11 up and down to a desired position. The cassette 11 is formed in a box shape with a rear surface open. Although not shown in the drawing, the elevator 12 is a linear motion device consisting of a ball screw and a motor, or a linear motion device consisting of a plurality of pulleys, a belt and a pulley driving motor, and a linear motion device using a linear motor system. It can be configured using a linear motion device of.

상기 대기부(20)는 본체(1)에 고정되게 설치되며 중앙부가 개방되게 형성된 베이스플레이트(21)와, 상기 베이스플레이트(21)에 좌우방향(X축 방향)으로 수평 이동 가능하게 설치된 한 쌍의 얼라인레일(22)과, 상기 얼라인레일(22)을 좌우로 수평 이동시키는 레일구동유닛(미도시)과, 상기 대기부(20)와 스택부(10) 사이에 Y축 방향으로 수평 이동 가능하게 설치되어 상기 스택부(10)의 카세트(11)에서 대상물(W)을 파지하여 얼라인레일(22) 상으로 인출하거나 얼라인레일(22) 상의 가공 완료된 대상물(W)을 카세트(11)로 밀어 넣는 인출/인입유닛(23)으로 구성된다. The standby unit 20 is fixed to the main body 1 and the base plate 21 is formed to be open to the center portion, and a pair of horizontally installed on the base plate 21 in the horizontal direction (X axis direction) to be movable An alignment rail 22, a rail driving unit (not shown) for horizontally moving the alignment rail 22 horizontally in a Y-axis direction between the standby portion 20 and the stack portion 10. It is movably installed and grips the object W in the cassette 11 of the stack 10 to draw it on the alignment rail 22 or to draw the processed object W on the alignment rail 22 into a cassette ( 11) is composed of a withdrawal / withdrawal unit (23) to be pushed into.

상기 대기부(20)의 하측에는 상기 비전카메라(30)의 촬영을 위한 빛을 제공하는 백라이트(31)가 설치되어 있다. The backlight 31 is provided below the waiting unit 20 to provide light for capturing the vision camera 30.

상기 트랜스퍼(40)들은 본체(1)의 상부에 X축 방향으로 연장되게 설치된 X축 가이드프레임(45)에 구성된 선형운동장치(미도시)에 의해 X축 방향 및 Z축 방향의 임의의 위치로 이동한다. 상기 트랜스퍼(40)들은 대상물(W)의 테두리 부분을 진공 흡착하기 위한 4개의 픽업노즐(41)들을 구비한다. The transfer 40 may be moved to an arbitrary position in the X-axis direction and the Z-axis direction by a linear motion device (not shown) configured in the X-axis guide frame 45 installed to extend in the X-axis direction on the upper portion of the main body 1. Move. The transfer 40 includes four pickup nozzles 41 for vacuum suction of the edge portion of the object W.

상기 워크스테이지(50)는 X-Y-Z-θ 구동기(60)에 의해 X축과 Y축 및 Z축의 임의의 위치로 선형운동함과 더불어 수직한 축을 중심으로 회전 운동(θ)을 하여 대상물(W)의 위치를 조정한다. 이 실시예에서 상기 X-Y-Z-θ 구동기(60)는 X축 방향 운동을 일으키는 X축 구동유닛(61)과, 상기 Y축 방향 운동을 일으키는 Y축 구동유닛(62), Z축 방향 운동을 일으키는 Z축 구동유닛(63), θ 방향 운동을 일으키는 회전유닛(64)으로 구성된다. The work stage 50 is linearly moved to an arbitrary position of the X axis, the Y axis and the Z axis by the XYZ-θ driver 60, and the rotational motion (θ) is performed around the vertical axis. Adjust the position. In this embodiment, the XYZ-θ driver 60 is the X-axis drive unit 61 causing the X-axis direction movement, the Y-axis drive unit 62 causing the Y-axis direction movement, the Z-axis movement It consists of an axial drive unit 63 and the rotating unit 64 which produces θ direction motion.

그리고, 도 3 및 도 4에 도시된 것과 같이 상기 워크스테이지(50)에는 대상물(W)을 워크스테이지(50) 상부면에 진공 흡착 방식으로 고정시키기 위한 복수개의 흡착노즐(51)들이 설치되어 있다. 또한, 상기 흡착노즐(51)들 사이에는 대상물(W)의 하부면을 향해 소정의 압력으로 가스(예컨대 압축공기)를 분사하여 크랙(C)을 증대시키는 복수개의 가스분사노즐(52)들이 설치된다. 상기 흡착노즐(51)들과 가스분사노즐(52)들은 워크스테이지(50) 외부에 마련된 공압생성장치(미도시)에 연결되어 각각 공기를 흡입하는 작용과 압축공기를 분사하는 작용을 수행한다. 3 and 4, the work stage 50 is provided with a plurality of adsorption nozzles 51 for fixing the object W on the upper surface of the work stage 50 by a vacuum adsorption method. . In addition, a plurality of gas injection nozzles 52 are installed between the suction nozzles 51 to increase the crack C by injecting a gas (for example, compressed air) at a predetermined pressure toward the lower surface of the object W. do. The adsorption nozzles 51 and the gas injection nozzles 52 are connected to a pneumatic generator (not shown) provided outside the work stage 50 to inhale air and inject compressed air, respectively.

상기 흡착노즐(51)은 대상물(W)의 반도체 소자(D)와 대응하는 위치에 설치되고, 상기 가스분사노즐(52)은 대상물(W) 내부에 형성되는 상변화영역(P)에 대응하는 위치에 설치되는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 가스분사노즐(52)의 상단부는 흡착노즐(51)의 상단부보다 약간 낮게 위치되는데, 이렇게 하면 흡착노즐(51)이 대상물(W)을 흡착했을 때 대상물(W)과 가스분사노즐(52)의 상단부 사이에 공간이 형성되고, 이 공간을 통해서 가스분사노즐(52)에서 분사된 가스가 대상물(W) 하부면에 부딪힌 다음 외부로 빠져나가게 되므로 가스분사노즐(52)을 통해 가스가 원활하게 분사될 수 있다. The suction nozzle 51 is installed at a position corresponding to the semiconductor element D of the object W, and the gas injection nozzle 52 corresponds to a phase change region P formed inside the object W. It is preferred to be installed at the location. In addition, the upper end of the gas injection nozzle 52 is located slightly lower than the upper end of the suction nozzle 51. In this case, when the suction nozzle 51 adsorbs the object W, the object W and the gas injection nozzle ( A space is formed between the upper end portions of the 52, and the gas injected from the gas injection nozzle 52 hits the lower surface of the object W and then exits to the outside. It can be sprayed smoothly.

또한, 상기 워크스테이지(50)의 일측에는 고주파 발진기(미도시)에 연결되어 워크스테이지(50)를 고주파 진동시킴으로써 대상물(W) 내부의 상변화영역(P)에서 크랙(C)이 더욱 확실하게 진행되도록 하는 고주파 진동자(53)가 설치된다. In addition, one side of the work stage 50 is connected to a high frequency oscillator (not shown) to vibrate the work stage 50 by the high frequency oscillation crack (C) in the phase change area (P) inside the object (W) more reliably A high frequency vibrator 53 is installed to proceed.

상기와 같이 구성된 대상물 브레이킹 장치의 작동에 대해 설명하면 다음과 같다. Referring to the operation of the object braking device configured as described above are as follows.

미가공된 대상물(W)들이 적재된 카세트(11)가 스택부(10)의 엘리베이터(12) 상에 놓여지면, 상기 엘리베이터(12)가 카세트(11)를 상측 또는 하측으로 이동시켜 카세트(11)의 최상측 또는 최하측 대상물(W)을 대기부(20)의 인출/인입유닛(23)과 일치하는 높이에 위치시킨다. When the cassette 11 loaded with the unprocessed objects W is placed on the elevator 12 of the stack 10, the elevator 12 moves the cassette 11 upward or downward to move the cassette 11. The uppermost or lowermost object W is positioned at a height coinciding with the withdrawal / retraction unit 23 of the atmospheric portion 20.

이어서, 인출/인입유닛(23)이 전방으로 수평 이동하여 대상물(W)의 후단부를 파지한 다음, 다시 후방으로 수평 이동하여 대상물(W)을 카세트(11)의 개방된 후방면을 통해 인출한다. 인출된 대상물(W)은 한 쌍의 얼라인레일(22)을 따라 이동하여 얼라인레일(22)의 대략 중앙부에서 정렬된다. Subsequently, the take-out / retraction unit 23 horizontally moves forward to grip the rear end of the object W, and then horizontally moves backward to take out the object W through the open rear surface of the cassette 11. . The drawn object W moves along the pair of alignment rails 22 and is aligned at approximately the center of the alignment rails 22.

대상물(W)이 얼라인레일(22) 상에 정렬되면, 하측의 백라이트(31)에서 빛이 방출됨과 동시에 비전카메라(30)가 대상물(W)을 촬영하여 대상물(W)의 에지(edge) 위치 등 가공에 필요한 정보를 획득한다. When the object W is aligned on the align rail 22, the light is emitted from the lower backlight 31 and the vision camera 30 photographs the object W and the edge of the object W. Acquire information necessary for processing such as position.

그 다음, 트랜스퍼(40)가 X축 가이드프레임(45)을 따라 대기부(20)의 상측으로 이동한 후 하강하여 대상물(W)을 진공 흡착하여 고정한 다음, 다시 상승한 후 X축 가이드프레임(45)을 따라 수평 이동하여 워크스테이지(50)의 바로 상부에서 정지한다. 이어서, 트랜스퍼(40)가 하강하여 워크스테이지(50) 상부면에 대상물(W)을 안착시키고, 진공압을 해제한 다음 다시 상승한다. Subsequently, the transfer 40 moves upward along the X-axis guide frame 45 to the upper side of the standby part 20, and then descends to fix the object W by vacuum suction, and then ascends again and then the X-axis guide frame 45. ) Is moved horizontally to stop just above the work stage 50. Subsequently, the transfer 40 descends to seat the object W on the upper surface of the work stage 50, release the vacuum pressure, and then rise again.

상기 트랜스퍼(40)에 의해 워크스테이지(50) 상에 대상물(W)이 안착되면, 워크스테이지(50)의 흡착노즐(51)에서 진공압이 발생하여 대상물(W)을 워크스테이지(50)에 진공 흡착하여 고정한다. When the object W is seated on the work stage 50 by the transfer 40, a vacuum pressure is generated at the suction nozzle 51 of the work stage 50 to transfer the object W to the work stage 50. It is fixed by vacuum adsorption.

이 상태에서 워크스테이지(50)가 X-Y-Z-θ 구동기(60)에 의해 X축과 Y축 및 Z축의 임의의 위치로 이동하여 레이저 조사기(70)와의 상대 위치가 조정되면서 대상물(W)의 절단 예정 영역, 예컨대 반도체 소자(D)들 사이의 라인을 따라 레이저 조사기(70)로부터 레이저 빔이 조사되어 대상물(W)의 내부에 상변화영역(P)이 형성된다. 이 때, 대상물(W) 내부에서는 상변화영역(P)에 의해 상하 방향으로 크랙(C)이 발생하게 되는데, 상기 크랙(C)은 대상물(W)의 절단 예정 영역 전체에 완전히 발생하지 않을 가능성이 있다. In this state, the work stage 50 is moved by the XYZ-θ driver 60 to an arbitrary position of the X axis, the Y axis, and the Z axis, and the relative position with the laser irradiator 70 is adjusted so that the work W is to be cut. A laser beam is irradiated from the laser irradiator 70 along a line between regions, for example, the semiconductor elements D, so that the phase change region P is formed inside the object W. FIG. At this time, the crack (C) is generated in the vertical direction by the phase change area (P) inside the object (W), the crack (C) is not likely to occur completely in the entire area to be cut of the object (W) There is this.

상기 대상물(W)에 상변화영역(P)들이 모두 형성되면, 외부의 공압생성장치(미도시)로부터 가스분사노즐(52)들에 소정 압력의 압축공기가 공급되고, 공급된 압축공기는 가스분사노즐(52)들의 상단부를 통해 외부로 분사되어 대상물(W)의 상변화영역(P)의 바로 하부에 충격을 가하게 된다. 이어서, 고주파 발진기(미도시)에 의해 고주파 진동자(53)가 작동하여 워크스테이지(50)를 고주파 진동시킨다. 이에 따라 대상물(W)의 상변화영역(P)들에서 크랙(C)이 증대되어 절단 예정 영역 전체에 걸쳐 크랙(C)이 완전하게 생성된다. 따라서, 이후에 대상물(W)이 소자 분리 장비로 옮겨져 확장필름에 의해 반경방향 외측으로 확장될 때 크랙(C)이 발생한 부분들이 확실하게 분리될 수 있게 된다. 상기 고주파 진동자(53)에 의한 워크스테이지(50)의 고주파 진동은 반드시 수행될 필요는 없으며, 필요에 따라 선택적으로 수행될 수 있다. When all of the phase change regions P are formed in the object W, compressed air of a predetermined pressure is supplied to the gas injection nozzles 52 from an external pneumatic generating device (not shown), and the supplied compressed air is a gas. It is injected to the outside through the upper end of the injection nozzles 52 to apply an impact directly to the lower portion of the phase change area (P) of the object (W). Subsequently, the high frequency oscillator 53 is operated by a high frequency oscillator (not shown) to cause the work stage 50 to vibrate. Accordingly, the crack C is increased in the phase change regions P of the object W so that the crack C is completely generated throughout the region to be cut. Therefore, when the object W is later moved to the device separation device and expanded radially outward by the expansion film, the portions where the crack C has occurred can be reliably separated. The high frequency vibration of the work stage 50 by the high frequency vibrator 53 is not necessarily performed, but may be selectively performed as necessary.

한편, 상기 워크스테이지(50) 상에서 가공이 완료된 대상물(W)은 트랜스퍼(40)에 의해 진공 흡착된 후 다시 대기부(20)로 옮겨져 대기부(20)의 얼라인레일(22) 상에 안착된다. 상기 얼라인레일(22) 상에 안착된 가공이 완료된 대상물(W)은 인출/인입유닛(23)에 의해 후단부가 파지된 후 인출/인입유닛(23)의 수평 이동에 의해 얼라인레일(22)을 따라 전방으로 수평 이동하여 스택부(10)의 카세트(11)의 빈 자리에 수납된다. On the other hand, the object W processed on the work stage 50 is vacuum-adsorbed by the transfer 40 and then moved to the standby unit 20 again to be seated on the alignment rail 22 of the standby unit 20. do. The object W on which the processing completed seated on the alignment rail 22 is gripped by the take-out / retraction unit 23, and then the alignment rail 22 is moved by the horizontal movement of the take-out / retraction unit 23. ) Is horizontally moved forward and stored in an empty position of the cassette 11 of the stack portion 10.

대상물 브레이킹 장치는 전술한 과정을 연속 반복적으로 수행하면서 대상물(W)을 각각의 반도체 소자(D) 단위로 절단한다. The object breaking device cuts the object W in units of semiconductor devices D while repeatedly performing the above-described process.

전술한 실시예에서는 워크스테이지(50)에 가스분사노즐(52)들이 설치되어, 워크스테이지(50) 상의 대상물(W) 내부에 상변화영역을 형성한 후 대상물(W)의 하측에서부터 소정 압력으로 가스가 분사되면서 상변화영역(P)에서의 크랙을 증대시켰다. In the above-described embodiment, the gas spray nozzles 52 are installed on the work stage 50 to form a phase change region inside the object W on the work stage 50, and then, at a predetermined pressure from the lower side of the object W, As the gas is injected, the crack in the phase change area P is increased.

하지만, 이와 다르게 도 5에 다른 실시예로 나타낸 것과 같이 대상물(W)을 이송하는 트랜스퍼(40)의 하부에 복수개의 가스분사노즐(52)들을 설치할 수도 있다. 이 경우, 워크스테이지(50) 상의 대상물(W)에 상변화영역(P)을 형성한 다음, 상기 트랜스퍼(40)가 워크스테이지(50) 상의 대상물(W)을 진공 흡착하기 이전에 가스분사노즐(52)들을 통해 소정의 압력으로 가스를 분사하여 대상물(W)의 상부면에 압력을 가하고, 이로써 대상물(W) 내부의 상변화영역(P)에서의 크랙(C)을 증대시킨다. However, alternatively, as shown in another embodiment in FIG. 5, a plurality of gas injection nozzles 52 may be installed at the lower portion of the transfer 40 for transferring the object W. FIG. In this case, after the phase change region P is formed in the object W on the work stage 50, the gas injection nozzle is formed before the transfer 40 vacuum-adsorbs the object W on the work stage 50. The gas is injected at a predetermined pressure through the 52 to apply pressure to the upper surface of the object W, thereby increasing the crack C in the phase change region P inside the object W.

이 두번째 실시예에서도 상기 가스분사노즐(52)들은 대상물(W)의 상변화영역(P)에 대응하는 위치에 배치되어 상변화영역(P)의 이외 부분에 충격이 가해지는 것을 억제하는 것이 바람직하다. Also in this second embodiment, the gas injection nozzles 52 are preferably disposed at a position corresponding to the phase change area P of the object W to suppress the impact on the other parts of the phase change area P. Do.

전술한 본 발명에 따른 대상물 브레이킹 장치의 실시예들은 단지 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시 목적으로 제안된 것으로 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 첨부된 특허청구범위에 기재된 기술 사상의 범주 내에서 다양한 변경 및 실시가 가능할 것이다. The above-described embodiments of the object braking device according to the present invention have been proposed for the purpose of illustration only to help understanding of the present invention, and the present invention is not limited thereto. Various changes and implementations may be made within the scope of the technical idea described in the claims.

1 : 본체 10 : 스택부
11 : 카세트 12 : 엘리베이터
20 : 대기부 21 : 베이스플레이트
22 : 얼라인레일 23 : 인출/인입유닛
30 : 비전카메라 31 : 백라이트
40 : 트랜스퍼 41 : 픽업노즐
50 : 워크스테이지 51 : 흡착노즐
52 : 가스분사노즐 53 : 고주파 진동자
60 : X-Y-Z-θ 구동기 70 : 레이저 조사기
W : 대상물 D : 반도체 소자
P : 상변화영역1: main body 10: stack
11: cassette 12: elevator
20: waiting part 21: base plate
22: align rail 23: take out / draw unit
30: vision camera 31: backlight
40: transfer 41: pickup nozzle
50: work stage 51: adsorption nozzle
52: gas injection nozzle 53: high frequency oscillator
60: XYZ-θ driver 70: laser irradiator
W: Object D: Semiconductor Device
P: Phase change area

Claims (5)

가공될 대상물이 안착되는 워크스테이지와;
상기 워크스테이지에 안착된 대상물 내부에 레이저 빔을 조사하여 대상물 내부에 상변화영역을 형성하는 레이저 조사기와;
상기 워크스테이지에 안착된 대상물의 상측 또는 하측에서 대상물을 향해 일정 압력 이상의 가스를 분사하여 상기 상변화영역에서의 크랙을 진행시키는 가스분사노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 에어젯을 이용한 대상물 브레이킹 장치.
A work stage on which an object to be processed is mounted;
A laser irradiator for irradiating a laser beam into an object mounted on the work stage to form a phase change region in the object;
And a gas injection nozzle for advancing a crack in the phase change area by injecting a gas having a predetermined pressure or more toward the object from the upper or lower side of the object seated on the work stage.
제1항에 있어서, 상기 대상물에 상변화영역을 형성한 후 워크스테이지에 고주파 진동을 일으켜 상변화영역에서의 크랙을 유도하는 고주파 진동자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에어젯을 이용한 대상물 브레이킹 장치.
The apparatus of claim 1, further comprising a high frequency oscillator for forming a phase change region on the object and causing high frequency vibration on the work stage to induce a crack in the phase change region.
제1항에 있어서, 상기 가스분사노즐은 상기 워크스테이지에 설치되어 대상물의 상변화영역의 하측에서 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 에어젯을 이용한 대상물 브레이킹 장치.
The apparatus of claim 1, wherein the gas injection nozzle is installed in the work stage to inject gas from a lower side of the phase change region of the object.
제3항에 있어서, 상기 워크스테이지에 대상물을 진공 흡착하는 복수개의 흡착노즐이 설치되고, 상기 가스분사노즐은 상기 흡착노즐들 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 에어젯을 이용한 대상물 브레이킹 장치.
4. The apparatus of claim 3, wherein a plurality of adsorption nozzles for vacuum adsorption of the object are installed on the work stage, and the gas injection nozzles are installed between the adsorption nozzles.
제1항에 있어서, 상기 가스분사노즐은 상기 대상물을 워크스테이지에 안착시키는 트랜스퍼에 설치되어, 트랜스퍼가 워크스테이지의 상부에 위치될 때 대상물의 상변화영역의 상측에서 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 에어젯을 이용한 대상물 브레이킹 장치.
The gas injection nozzle of claim 1, wherein the gas injection nozzle is installed in a transfer for seating the object on the work stage, and injects gas from an upper side of the phase change area of the object when the transfer is positioned above the work stage. Object breaking device using air jet.
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