KR102488216B1 - Wafer processing method - Google Patents

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야스요시 유비라
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Abstract

본 발명은 적어도 한쪽의 분할 예정 라인이 비연속으로 형성된 웨이퍼를 레이저 가공할 때에, 한쪽의 분할 예정 라인의 단부가 다른 쪽의 분할 예정 라인에 T자 경로가 되도록 맞부딪히는 교점 부근에서 이미 형성된 개질층에 레이저빔이 조사되는 것을 억제하고, 개질층에서의 레이저빔의 반사 또는 산란을 방지하여, 누설광에 의한 디바이스의 손상을 방지할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
직교하여 형성된 제1 분할 예정 라인과 제2 분할 예정 라인 중 적어도 제2 분할 예정 라인이 비연속으로 형성되는 웨이퍼를 개개의 디바이스칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 제1 분할 예정 라인을 따라서 웨이퍼의 내부에 제1 방향 개질층을 형성하는 제1 방향 개질층 형성 단계와, 제2 분할 예정 라인을 따라서 웨이퍼의 내부에 제2 방향 개질층을 형성하는 제2 방향 개질층 형성 단계를 포함한다. 제2 방향 개질층 형성 단계는, 제1 방향 개질층이 형성된 제1 분할 예정 라인에 T자 경로가 되도록 교차하는 제2 분할 예정 라인의 내부에 제2 방향 개질층을 형성하는 T자 경로 가공 단계를 포함한다. T자 경로 가공 단계에서는, 레이저빔의 집광점이 T자 경로의 교점에 접근함에 따라서 집광점을 웨이퍼의 이면측으로 서서히 상승시켜 원추형상의 레이저빔이 먼저 형성된 제1 방향 개질층을 지나가지 않도록 제어한다. In the present invention, when laser processing a wafer on which at least one planned division line is discontinuously formed, a modified layer already formed near an intersection where an end of one scheduled division line collides with the other planned division line in a T-shaped path. It is an object of the present invention to provide a wafer processing method capable of suppressing irradiation of a laser beam to a surface, preventing reflection or scattering of a laser beam in a modified layer, and preventing damage to a device due to light leakage.
A wafer processing method for dividing a wafer in which at least a second scheduled division line is formed discontinuously among a first scheduled division line and a second scheduled division line formed orthogonally into individual device chips, comprising: and forming a first direction modified layer in the inside of the wafer, and forming a second direction modified layer in the inside of the wafer along the second division line. The second direction modifying layer forming step may include forming a second direction modifying layer inside a second planned division line that intersects the first division line formed with the first direction modification layer so as to form a T-shaped path. includes In the T-path processing step, as the light-converging point of the laser beam approaches the intersection of the T-shaped paths, the light-concentrating point is gradually raised to the back side of the wafer to control the conical laser beam so that it does not pass through the first direction modifying layer formed earlier.

Description

웨이퍼의 가공 방법{WAFER PROCESSING METHOD}Wafer processing method {WAFER PROCESSING METHOD}

본 발명은, 실리콘 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼 등의 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for processing wafers such as silicon wafers and sapphire wafers.

IC, LSI, LED 등의 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼 등의 웨이퍼는, 가공 장치에 의해 개개의 디바이스칩으로 분할되고, 분할된 디바이스칩은, 휴대 전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 각종 전자 기기에 폭넓게 이용되고 있다. Wafers such as silicon wafers and sapphire wafers formed on the surface of a plurality of devices, such as ICs, LSIs, and LEDs, partitioned by division scheduled lines, are divided into individual device chips by a processing apparatus, and the divided device chips are mobile. It is widely used in various electronic devices such as telephones and personal computers.

웨이퍼의 분할에는, 다이싱 소우(dicing saw)라고 불리는 절삭 장치를 이용한 다이싱 방법이 널리 채용되고 있다. 다이싱 방법에서는, 다이아몬드 등의 지립을 금속이나 수지로 굳혀 두께 30 ㎛ 정도로 한 절삭 블레이드를, 30000 rpm 정도의 고속으로 회전시키면서 웨이퍼에 절단해 들어감으로써 웨이퍼를 절삭하여, 웨이퍼를 개개의 디바이스칩으로 분할한다. For dividing wafers, a dicing method using a cutting device called a dicing saw is widely adopted. In the dicing method, abrasive grains such as diamond are hardened with metal or resin and a cutting blade having a thickness of about 30 μm is cut into the wafer while rotating at a high speed of about 30000 rpm to cut the wafer into individual device chips. divide

한편, 최근에는 레이저빔을 이용하여 웨이퍼를 개개의 디바이스칩으로 분할하는 방법이 개발되어 실용화되고 있다. 레이저빔을 이용하여 웨이퍼를 개개의 디바이스칩으로 분할하는 방법으로서, 이하에 설명하는 제1 및 제2 가공 방법이 알려져 있다. Meanwhile, recently, a method of dividing a wafer into individual device chips using a laser beam has been developed and put into practical use. As a method of dividing a wafer into individual device chips using a laser beam, first and second processing methods described below are known.

제1 가공 방법은, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔의 집광점을 분할 예정 라인에 대응하는 웨이퍼의 내부에 위치 부여하고, 레이저빔을 분할 예정 라인을 따라서 조사하여 웨이퍼 내부에 개질층을 형성하고, 그 후 분할 장치에 의해 웨이퍼에 외력을 부여하여 웨이퍼를, 개질층을 분할 기점으로 하여, 개개의 디바이스칩으로 분할하는 방법이다(예컨대 일본 특허 제3408805호 참조). In the first processing method, a convergence point of a laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer is positioned inside the wafer corresponding to a line to be divided, and the laser beam is radiated along the line to be divided to form a modified layer inside the wafer. This is a method of forming and then applying an external force to the wafer by a dividing device to divide the wafer into individual device chips using the modified layer as the starting point of division (see, for example, Japanese Patent No. 3408805).

제2 가공 방법은, 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장(예컨대 355 nm)의 레이저빔을 분할 예정 라인에 대응하는 영역에 조사하여 어블레이션(ablation) 가공에 의해 가공홈을 형성하고, 그 후 외력을 부여하여 웨이퍼를, 가공홈을 분할 기점으로 하여, 개개의 디바이스칩으로 분할하는 방법이다(예컨대 일본 특허 공개 평10-305420호 참조).In the second processing method, a laser beam having a wavelength (e.g., 355 nm) that has absorption with respect to the wafer is irradiated to an area corresponding to a line to be divided to form a processing groove by ablation processing, and then an external force is applied. This is a method of dividing a wafer into individual device chips using a processing groove as a division starting point (see Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-305420, for example).

상기 제1 가공 방법에서는, 가공 부스러기의 발생도 없고, 종래 일반적으로 이용되어 온 절삭 블레이드에 의한 다이싱에 비교하여, 절삭라인의 극소화나 무수 가공 등의 장점이 있어 널리 이용되고 있다. In the first processing method, there is no generation of processing debris, and compared to dicing using a cutting blade that has been generally used in the past, it has advantages such as minimization of cutting lines and no processing, and is widely used.

또한, 레이저빔의 조사에 의한 다이싱 방법에서는, 프로젝션 웨이퍼 대신 이용되는, 분할 예정 라인(스트리트)이 비연속적인 구성의 웨이퍼를 가공할 수 있다고 하는 장점이 있다(예컨대 일본 특허 공개 제2010-123723호 참조). 분할 예정 라인이 비연속적인 웨이퍼의 가공에서는, 분할 예정 라인의 설정에 따라서 레이저빔의 출력을 온/오프하여 가공한다. In addition, the dicing method by irradiation of a laser beam has an advantage that a wafer having a discontinuous configuration of lines (streets) to be divided, which is used instead of a projection wafer, can be processed (e.g., Japanese Patent Laid-Open No. 2010-123723). see No.). In the processing of a wafer with discontinuous division lines, the output of the laser beam is turned on/off according to the setting of the division division line.

특허문헌 1 : 일본 특허 제3408805호 공보Patent Document 1: Japanese Patent No. 3408805 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 평10-305420호 공보Patent Document 2: Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-305420 특허문헌 3 : 일본 특허 공개 제2010-123723호 공보Patent Document 3: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-123723

그러나, 제1 방향으로 연속적으로 신장되는 분할 예정 라인에 제2 방향으로 신장되는 분할 예정 라인이 T자 경로가 되도록 맞부딪히는 교점 부근에서는, 다음과 같은 문제가 있다. However, in the vicinity of the intersection point where the scheduled division line extending continuously in the first direction collides with the scheduled division line extending in the second direction to form a T-shaped path, there is the following problem.

(1) 디바이스의 한 변에 평행한 제1 분할 예정 라인의 내부에 먼저 제1 개질층이 형성된, 제1 분할 예정 라인에 T자 경로가 되도록 교차하는 제2 분할 예정 라인의 내부에 제2 개질층을 형성하면, 레이저빔의 집광점이 T자 경로의 교점에 접근함에 따라서 이미 형성된 제1 개질층에 제2 분할 예정 라인을 가공하는 레이저빔의 일부가 조사되어, 레이저빔의 반사 또는 산란이 발생하고, 디바이스 영역으로 광이 누설되며, 이 누설광에 의해 디바이스에 손상을 주어 디바이스의 품질을 저하시킨다고 하는 문제가 있다. (1) A first modified layer is first formed inside a first planned division line parallel to one side of the device, and a second modification is formed inside a second division line that intersects the first division line so as to form a T-shaped path. When the layer is formed, as the condensing point of the laser beam approaches the intersection of the T-shaped path, a portion of the laser beam processing the second division line is irradiated to the already formed first modified layer, and reflection or scattering of the laser beam occurs. However, there is a problem that light leaks into the device area, and the leaked light damages the device and degrades the quality of the device.

(2) 반대로, 디바이스의 한 변에 평행한 제1 분할 예정 라인에 개질층을 형성하기 전에, 제1 분할 예정 라인에 T자 경로가 되도록 맞부딪히는 제2 분할 예정 라인을 따라서 웨이퍼의 내부에 먼저 개질층을 형성하면, T자 경로의 교점 근방에 형성된 개질층으로부터 발생하는 크랙의 진행을 차단하는 개질층이 T자 경로의 교점에 존재하지 않는 것에 기인하여, T자 경로의 교점으로부터 크랙이 1∼2 mm 정도 신장되어 디바이스에 도달하여, 디바이스의 품질을 저하시킨다고 하는 문제가 있다. (2) Conversely, before forming the modified layer on the first planned division line parallel to one side of the device, the inside of the wafer is first along the second division line that meets the first division line so as to form a T-shaped path. When the modified layer is formed, the crack is 1 from the intersection of the T-path due to the fact that the modified layer that blocks the progress of cracks generated from the modified layer formed near the intersection of the T-path does not exist at the intersection of the T-path. There is a problem that it reaches the device with an extension of about 2 mm and deteriorates the quality of the device.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 적어도 한쪽의 분할 예정 라인이 비연속으로 형성된 웨이퍼를 레이저 가공할 때에, 한쪽의 분할 예정 라인의 단부가 다른 쪽의 분할 예정 라인에 T자 경로가 되도록 맞부딪히는 교점 부근에서 이미 형성된 개질층에 레이저빔이 조사되는 것을 억제하고, 개질층에서의 레이저빔의 반사 또는 산란을 방지하여, 누설광에 의한 디바이스의 손상을 방지할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of such a point, and its object is that when laser processing a wafer in which at least one scheduled division line is discontinuously formed, an end of one scheduled division line is formed on the other scheduled division line. It is possible to suppress the irradiation of the laser beam to the modified layer already formed in the vicinity of the intersection where the path collides with the T-shaped path, and to prevent the reflection or scattering of the laser beam in the modified layer, thereby preventing damage to the device due to leakage light. It is to provide a method for processing a wafer having a

본 발명에 의하면, 제1 방향으로 형성된 복수의 제1 분할 예정 라인과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 형성된 복수의 제2 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 디바이스가 형성되고, 상기 제1 분할 예정 라인과 상기 제2 분할 예정 라인 중 적어도 상기 제2 분할 예정 라인이 비연속으로 형성되는 웨이퍼를 개개의 디바이스칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 상기 제1 분할 예정 라인을 따라서, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔을 웨이퍼의 이면측으로부터 웨이퍼의 내부에 집광하도록 조사하여, 웨이퍼의 내부에 상기 제1 분할 예정 라인을 따르는 복수층의 제1 방향 개질층을 형성하는 제1 방향 개질층 형성 단계와, 상기 제1 방향 개질층 형성 단계를 실시한 후, 상기 제2 분할 예정 라인을 따라서, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔을 웨이퍼의 이면측으로부터 웨이퍼의 내부에 집광하도록 조사하여, 웨이퍼의 내부에 상기 제2 분할 예정 라인을 따르는 복수층의 제2 방향 개질층을 형성하는 제2 방향 개질층 형성 단계와, 상기 제1 방향 개질층 형성 단계 및 상기 제2 방향 개질층 형성 단계를 실시한 후, 웨이퍼에 외력을 부여하여, 상기 제1 방향 개질층 및 상기 제2 방향 개질층을 파단 기점으로 웨이퍼를 상기 제1 분할 예정 라인 및 상기 제2 분할 예정 라인을 따라서 파단시킴으로써 개개의 디바이스칩으로 분할하는 분할 단계를 구비하고, 상기 제2 방향 개질층 형성 단계는, 상기 제1 방향 개질층이 형성된 상기 제1 분할 예정 라인에 T자 경로가 되도록 교차하는 상기 제2 분할 예정 라인의 내부에 제2 방향 개질층을 형성하는 T자 경로 가공 단계를 포함하고, 상기 T자 경로 가공 단계에서는, 레이저빔의 집광점이 T자 경로의 교점에 접근함에 따라서 상기 집광점을 웨이퍼의 이면측으로 서서히 상승시켜 원추형상의 레이저빔이 제1 방향 개질층에 충돌하지 않도록 제어함으로써 레이저빔의 산란 또는 반사에 의한 누설광의 발생을 억제하고 누설광이 디바이스를 어택하여 디바이스에 손상을 주지 않는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다. According to the present invention, a device is formed in each region divided by a plurality of first division lines formed in a first direction and a plurality of second division lines formed in a second direction crossing the first direction, A wafer processing method of dividing a wafer in which at least the second scheduled division line is non-continuously formed among one scheduled division line and the second scheduled division line into individual device chips, comprising: A first direction for forming a plurality of first direction modifying layers along the first planned division line inside the wafer by irradiating a laser beam of a wavelength having transmission with respect to the inside of the wafer from the rear side of the wafer so as to condense the inside of the wafer. After performing the modifying layer forming step and the first direction modifying layer forming step, a laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer is irradiated along the second planned division line so as to converge on the inside of the wafer from the rear side of the wafer. and forming a second direction modified layer of a plurality of layers along the second planned division line inside the wafer, forming the first direction modified layer and forming the second direction modified layer. After performing the step, an external force is applied to the wafer to break the wafer along the first scheduled division line and the second scheduled division line with the first direction modified layer and the second direction modified layer as starting points of breakage, thereby forming individual wafers. and a dividing step of dividing into device chips, and the step of forming the second direction modifying layer includes the second scheduled division line intersecting the first division line formed with the first direction modification layer so as to form a T-shaped path. A T-path processing step of forming a second direction modifying layer therein, wherein in the T-path processing step, as the light-converging point of the laser beam approaches the intersection of the T-shaped path, the light-concentrating point is gradually moved toward the back side of the wafer. By raising the conical laser beam and controlling it so that it does not collide with the first direction modifying layer, generation of leakage light due to scattering or reflection of the laser beam is suppressed and leakage light is prevented from colliding with the device. A wafer processing method characterized in that the device is not damaged by attacking is provided.

본 발명의 웨이퍼의 가공 방법에 의하면, T자 경로 가공 단계에서는, 레이저빔의 집광점이 T자 경로의 교점에 접근함에 따라서 그 집광점을 웨이퍼의 이면측으로 서서히 상승시켜 원추형상의 레이저빔이 제1 방향 개질층을 지나가지 않도록 제어함으로써, 제2 방향 개질층을 형성할 때에 원추형상의 레이저빔이 제1 방향 개질층에 충돌하지 않기 때문에, 레이저빔의 산란 또는 반사에 의한 누설광이 발생하지 않아, 누설광이 디바이스를 어택하여 디바이스에 손상을 준다고 하는 문제를 해소할 수 있다. 따라서, 디바이스의 품질을 저하시키지 않고, 분할 예정 라인을 따라서 웨이퍼의 내부에 적정한 개질층을 형성할 수 있다. According to the wafer processing method of the present invention, in the T-path processing step, as the converging point of the laser beam approaches the intersection of the T-shaped paths, the converging point is gradually raised to the back side of the wafer so that the conical laser beam is directed in the first direction. By controlling not to pass through the modified layer, the cone-shaped laser beam does not collide with the first direction modified layer when forming the second direction modified layer, so that light leakage due to scattering or reflection of the laser beam does not occur, and leakage occurs. The problem that light attacks the device and damages the device can be solved. Accordingly, an appropriate modified layer can be formed inside the wafer along the line to be divided without deteriorating the quality of the device.

도 1은 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법을 실시하기에 적합한 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 2는 레이저빔 발생 유닛의 블럭도이다.
도 3은 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법으로 가공되기에 적합한 반도체 웨이퍼의 사시도이다.
도 4는 제1 방향 개질층 형성 단계를 나타내는 사시도이다.
도 5는 제1 방향 개질층 형성 단계를 나타내는 모식적 단면도이다.
도 6은 T자 경로 가공 단계를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 7은 T자 경로 가공 단계를 나타내는 단면도이다.
도 8은 분할 장치의 사시도이다.
도 9는 분할 단계를 나타내는 단면도이다. 1 is a perspective view of a laser processing apparatus suitable for carrying out the wafer processing method of the present invention.
2 is a block diagram of a laser beam generating unit.
3 is a perspective view of a semiconductor wafer suitable for processing by the wafer processing method of the present invention.
4 is a perspective view illustrating a step of forming a first direction modified layer;
5 is a schematic cross-sectional view showing a step of forming a first direction modified layer.
6 is a schematic plan view showing a T-path processing step.
7 is a cross-sectional view showing a T-path processing step.
8 is a perspective view of the dividing device.
9 is a cross-sectional view showing a dividing step.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1을 참조하면, 본 발명 실시형태의 웨이퍼의 가공 방법을 실시하기에 적합한 레이저 가공 장치(2)의 사시도가 나타나 있다. 레이저 가공 장치(2)는, 정지 베이스(4) 상에 탑재된 Y축 방향으로 신장되는 한 쌍의 가이드 레일(6)을 포함한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to Fig. 1, a perspective view of a laser processing apparatus 2 suitable for carrying out the wafer processing method of an embodiment of the present invention is shown. The laser processing apparatus 2 includes a pair of guide rails 6 mounted on a stationary base 4 and extending in the Y-axis direction.

Y축 이동 블록(8)이, 볼나사(10) 및 펄스 모터(12)로 구성되는 Y축 이송 기구(Y축 이송 수단)(14)에 의해 인덱싱 이송 방향, 즉 Y축 방향으로 이동하게 된다. Y축 이동 블록(8) 상에는, X축 방향으로 신장되는 한 쌍의 가이드 레일(16)이 고정된다. The Y-axis moving block 8 is moved in the indexing transfer direction, that is, the Y-axis direction, by the Y-axis transfer mechanism (Y-axis transfer means) 14 composed of the ball screw 10 and the pulse motor 12. . On the Y-axis movement block 8, a pair of guide rails 16 extending in the X-axis direction are fixed.

X축 이동 블록(18)이, 볼나사(20) 및 펄스 모터(22)로 구성되는 X축 이송 기구(X축 이송 수단)(28)에 의해, 가이드 레일(16)에 안내되어 가공 이송 방향, 즉 X축 방향으로 이동하게 된다. The X-axis movement block 18 is guided by the guide rail 16 by the X-axis transport mechanism (X-axis transport means) 28 composed of the ball screw 20 and the pulse motor 22, and is directed in the machining feed direction. , that is, it moves in the X-axis direction.

X축 이동 블록(18) 상에는 원통형 지지 부재(30)를 통해 척테이블(24)이 탑재된다. 척테이블(24)에는, 도 4에 나타내는 고리형 프레임(F)을 클램핑하는 복수(본 실시형태에서는 4개)의 클램프(26)가 설치된다. A chuck table 24 is mounted on the X-axis moving block 18 via a cylindrical support member 30 . The chuck table 24 is provided with a plurality of (four in this embodiment) clamps 26 for clamping the annular frame F shown in FIG. 4 .

베이스(4)의 후방에는 칼럼(32)이 세워져 설치된다. 칼럼(32)에는, 레이저빔 조사 유닛(34)의 케이싱(36)이 고정된다. 레이저빔 조사 유닛(34)은, 케이싱(36) 내에 수용된 레이저빔 발생 유닛(35)과, 케이싱(36)의 선단에 부착된 집광기(레이저 헤드)(38)를 포함한다. 집광기(38)는 상하 방향(Z축 방향)으로 미동 가능하게 케이싱(36)에 부착된다. At the rear of the base 4, a column 32 is erected and installed. To the column 32, the casing 36 of the laser beam irradiation unit 34 is fixed. The laser beam irradiation unit 34 includes a laser beam generating unit 35 housed in a casing 36 and a concentrator (laser head) 38 attached to the front end of the casing 36 . The concentrator 38 is attached to the casing 36 so as to be able to move finely in the vertical direction (Z-axis direction).

레이저빔 발생 유닛(35)은, 도 2에 나타낸 바와 같이, 파장 1342 nm의 펄스 레이저를 발진하는 YAG 레이저 발진기 또는 YVO4 레이저 발진기 등의 레이저 발진기(42)와, 반복 주파수 설정 수단(44)과, 펄스폭 조정 수단(46)과, 레이저 발진기(42)로부터 발진된 펄스 레이저빔의 파워를 조정하는 파워 조정 수단(48)을 포함한다. As shown in FIG. 2, the laser beam generation unit 35 includes a laser oscillator 42 such as a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator that oscillates a pulse laser with a wavelength of 1342 nm, a repetition frequency setting means 44, A pulse width adjusting means 46 and a power adjusting means 48 for adjusting the power of the pulsed laser beam oscillated from the laser oscillator 42 are included.

레이저빔 조사 유닛(34)의 케이싱(36)의 선단에는, 척테이블(24)에 유지된 웨이퍼(11)를 촬상하는 현미경 및 카메라를 갖춘, 촬상 유닛(40)이 장착된다. 집광기(38)와 촬상 유닛(40)은 X축 방향으로 정렬되어 설치된다. At the front end of the casing 36 of the laser beam irradiation unit 34, an imaging unit 40 equipped with a microscope and a camera for imaging the wafer 11 held on the chuck table 24 is mounted. The concentrator 38 and the imaging unit 40 are installed aligned in the X-axis direction.

도 3을 참조하면, 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법에 의해 가공되기에 적합한 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 웨이퍼로 약칭하는 경우가 있음)(11)의 표면측 사시도가 나타나 있다. 웨이퍼(11)의 표면(11a)에는, 제1 방향으로 연속적으로 형성된 복수의 제1 분할 예정 라인(13a)과, 제1 분할 예정 라인(13a)과 직교하는 방향으로 비연속적으로 형성된 복수의 제2 분할 예정 라인(13b)이 형성되고, 제1 분할 예정 라인(13a)과 제2 분할 예정 라인(13b)으로 구획된 영역에 LSI 등의 디바이스(15)가 형성된다. Referring to Fig. 3, there is shown a front-side perspective view of a semiconductor wafer (hereinafter sometimes simply abbreviated as a wafer) 11 suitable for processing by the wafer processing method of the present invention. On the surface 11a of the wafer 11, a plurality of first division lines 13a continuously formed in a first direction and a plurality of second division lines 13a formed discontinuously in a direction orthogonal to the first division lines 13a. Two lines to be divided 13b are formed, and a device 15 such as an LSI is formed in an area partitioned by the first line to be divided 13a and the second line to be divided 13b.

본 발명 실시형태의 웨이퍼의 가공 방법을 실시하는 데에 있어서, 웨이퍼(11)는, 그 표면이, 외주부가 고리형 프레임(F)에 접착된 점착 테이프인, 다이싱 테이프(T)에 접착되는, 프레임 유닛의 형태로 이루어지고, 이 프레임 유닛의 형태로 웨이퍼(11)는 척테이블(24) 상에 배치되어 다이싱 테이프(T)를 통해 흡인 유지되며, 고리형 프레임(F)은 클램프(26)에 의해 클램핑되어 고정된다. In carrying out the wafer processing method of the embodiment of the present invention, the surface of the wafer 11 is adhered to a dicing tape T, which is an adhesive tape having an outer peripheral portion adhered to an annular frame F. , Made in the form of a frame unit, in the form of this frame unit, the wafer 11 is placed on the chuck table 24 and held by suction through the dicing tape T, and the annular frame F is clamped ( 26) is clamped and fixed.

특별히 도시하지 않지만, 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법에서는, 우선 척테이블(24)에 흡인 유지된 웨이퍼(11)를 레이저 가공 장치(2)의 촬상 유닛(40)의 바로 아래에 위치 부여하고, 촬상 유닛(40)에 의해 웨이퍼(11)를 촬상하며, 제1 분할 예정 라인(13a)을 집광기(38)와 X축 방향으로 정렬시키는 얼라이먼트를 실시한다. Although not particularly shown, in the wafer processing method of the present invention, first, the wafer 11 held by chuck table 24 is placed directly below the imaging unit 40 of the laser processing apparatus 2, and imaging The wafer 11 is imaged by the unit 40, and alignment is performed to align the first division line 13a with the concentrator 38 in the X-axis direction.

이어서, 척테이블(24)을 90° 회전시키고 나서, 제1 분할 예정 라인(13a)과 직교하는 방향으로 신장되는 제2 분할 예정 라인(13b)에 관해서도 동일한 얼라이먼트를 실시하고, 얼라이먼트의 데이터를 레이저 가공 장치(2)의 컨트롤러의 RAM에 저장한다. Next, after rotating the chuck table 24 by 90°, the same alignment is performed for the second scheduled division line 13b extending in a direction orthogonal to the first division scheduled line 13a, and the alignment data is converted to a laser beam. It is stored in the RAM of the controller of the processing device 2.

레이저 가공 장치(2)의 촬상 유닛(40)은 통상 적외선 카메라를 구비하고 있기 때문에, 이 적외선 카메라에 의해 웨이퍼(11)의 이면(11b)측으로부터 웨이퍼(11)를 투과하여 표면(11a)에 형성된 제1 및 제2 분할 예정 라인(13a, 13b)을 검출할 수 있다. Since the imaging unit 40 of the laser processing apparatus 2 is usually equipped with an infrared camera, the infrared camera transmits through the wafer 11 from the rear surface 11b side of the wafer 11 to the front surface 11a. The formed first and second division lines 13a and 13b can be detected.

얼라이먼트 실시후, 제1 분할 예정 라인(13a)을 따라서 웨이퍼(11)의 내부에 제1 방향 개질층(17)을 형성하는 제1 방향 개질층 형성 단계를 실시한다. 이 제1 방향 개질층 형성 단계에서는, 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장(예컨대 1342 nm)의 레이저빔의 집광점을 집광기(38)에 의해 웨이퍼(11)의 내부에 위치 부여하여, 웨이퍼(11)의 이면(11b)측으로부터 제1 분할 예정 라인(13a)에 조사하고, 척테이블(24)을 도 5에서 화살표 X1 방향으로 가공 이송함으로써, 웨이퍼(11)의 내부에 제1 분할 예정 라인(13a)을 따르는 제1 방향 개질층(17)을 형성한다. After the alignment is performed, a first direction modified layer forming step of forming the first direction modified layer 17 inside the wafer 11 along the first division line 13a is performed. In this first direction modifying layer formation step, as shown in FIGS. 4 and 5 , the condensing point of the laser beam having a wavelength (e.g., 1342 nm) that is transparent to the wafer is set on the wafer 11 by the concentrator 38. The wafer 11 is placed inside the wafer 11, irradiated from the back surface 11b side of the wafer 11 to the first division line 13a, and the chuck table 24 is processed and transferred in the direction of the arrow X1 in FIG. 5. A first direction reforming layer 17 along the first division line 13a is formed inside the .

바람직하게는, 집광기(38)를 상측으로 단계적으로 이동시켜, 웨이퍼(11)의 내부에 제1 분할 예정 라인(13a)을 따르는 복수층의 제1 방향 개질층(17), 예컨대 5층의 제1 방향 개질층(17)을 형성한다. Preferably, the concentrator 38 is moved upward in stages to form a plurality of first direction modifying layers 17 along the first division line 13a inside the wafer 11, for example, a 5-layer first layer. A unidirectional modified layer 17 is formed.

개질층(17)은, 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 밖의 물리적 특성이 주위와는 상이한 상태가 된 영역을 말하며, 용융 재고화층으로서 형성된다. 이 제1 방향 개질층 형성 단계에서의 가공 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정된다. The modified layer 17 refers to a region in which density, refractive index, mechanical strength and other physical properties are different from those of the surroundings, and is formed as a melted resolidified layer. Processing conditions in this first direction-modified layer forming step are set as follows, for example.

광원 : LD 여기 Q 스위치 Light source: LD excitation Q switch

Nd : YVO4 펄스 레이저Nd: YVO4 Pulsed Laser

파장 : 1342 nm Wavelength: 1342 nm

반복 주파수 : 50 kHz Repetition frequency: 50 kHz

평균 출력 : 0.5 W Average power: 0.5 W

집광 스폿 직경 : φ 3 ㎛ Condensing spot diameter: φ 3 ㎛

가공 이송 속도 : 200 mm/sMachining feed rate: 200 mm/s

제1 방향 개질층 형성 단계를 실시한 후, 연장 방향(신장 방향)의 단부가 제1 분할 예정 라인(13a)에 T자 경로가 되도록 맞부딪히는 제2 분할 예정 라인(13b)을 따라서, 웨이퍼(11)에 대하여 투과성을 갖는 파장(예컨대 1342 nm)의 레이저빔을 웨이퍼(11)의 내부에 집광하도록 조사하여, 웨이퍼(11)의 내부에 제2 분할 예정 라인(13b)을 따르는 제2 방향 개질층(19)을 형성하는 제2 방향 개질층 형성 단계를 실시한다. After the first direction modified layer forming step is performed, along the second scheduled division line 13b where the end portion in the extending direction (extension direction) abuts the first scheduled division line 13a so as to form a T-shaped path, the wafer 11 ), a laser beam having a wavelength (for example, 1342 nm) that is transparent to the inside of the wafer 11 is irradiated so as to be condensed, and the second direction modifying layer along the second planned division line 13b is formed inside the wafer 11. A second direction modifying layer forming step of forming (19) is performed.

이 제2 방향 개질층 형성 단계에서는, 척테이블(24)을 90° 회전시킨 후, 웨이퍼(11)의 내부에 제2 분할 예정 라인(13b)을 따르는 복수층의 제2 방향 개질층(19)을 형성한다. In this step of forming the second direction modified layer, after the chuck table 24 is rotated by 90°, a plurality of layers of the second direction modified layer 19 along the second planned division line 13b are formed inside the wafer 11. form

제2 방향 개질층 형성 단계는, 제1 방향 개질층(17)이 형성된 제1 분할 예정 라인(13a)에 T자 경로가 되도록 교차하는 제2 분할 예정 라인(13b)의 내부에 제2 방향 개질층(19)을 형성하는 T자 경로 가공 단계를 포함한다.In the step of forming the second direction modified layer, the second direction modification is performed inside the second planned division line 13b crossing the first division line 13a on which the first direction modification layer 17 is formed so as to form a T-shaped path. and a T-path machining step to form layer 19 .

이 T자 경로 가공 단계를 도 7을 참조하여 설명한다. 여기서, 집광기(38)에 내장된 집광 렌즈의 개구수는 일반적으로 큰 값으로 설정되기 때문에, 레이저빔(LB)은 도 7에 나타낸 바와 같은 원추형상으로 집광된다. This T-path processing step will be described with reference to FIG. 7 . Here, since the numerical aperture of the condensing lens built into the concentrator 38 is generally set to a large value, the laser beam LB is condensed in a conical shape as shown in FIG.

본 발명의 T자 경로 가공 단계에서는, 도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이, 레이저빔(LB)의 집광점이 T자 경로의 교점에 접근함에 따라서 레이저빔(LB)의 집광점을 웨이퍼(11)의 이면(11b)측으로 서서히 상승시켜 원추형상의 레이저빔(LB)의 일부가 먼저 형성된 제1 방향 개질층(17)을 지나가지 않도록 제어한다. In the T-path processing step of the present invention, as shown in Figs. is gradually raised to the back surface 11b side, and a part of the conical laser beam LB is controlled so as not to pass through the first direction modifying layer 17 formed earlier.

복수층의 제2 방향 개질층(19)을 형성할 때에도, 레이저빔(LB)의 집광점이 T자 경로의 교점에 접근함에 따라서 집광점을 웨이퍼(11)의 이면(11b)측으로 서서히 상승시켜, 원추형상의 레이저빔(LB)의 일부가 먼저 형성된 제1 방향 개질층(17)을 지나가지 않도록 제어한다. Even when forming the multi-layer second direction modifying layer 19, as the light-converging point of the laser beam LB approaches the intersection of the T-shaped path, the light-converging point is gradually raised to the back surface 11b side of the wafer 11, A portion of the conical laser beam LB is controlled so as not to pass through the first direction modifying layer 17 formed previously.

제2 분할 예정 라인(13b)이 제1 분할 예정 라인(13a)에 T자 경로가 되도록 맞부딪히는 위치의 X좌표, Y 좌표가 미리 판명되어 있기 때문에, 이것을 레이저 가공 장치(2)의 컨트롤러의 메모리에 미리 저장해 둔다. 그리고, 레이저빔(LB)의 집광점을 서서히 상승시키는 집광점의 좌표도 미리 메모리에 저장해 둔다. Since the X-coordinate and Y-coordinate of the position where the second scheduled division line 13b collides with the first scheduled division line 13a so as to form a T-shaped path has been determined in advance, this is stored in the memory of the controller of the laser processing device 2. save in advance Then, the coordinates of the converging point of gradually increasing the converging point of the laser beam LB are also stored in the memory in advance.

이와 같이 집광점의 좌표치를 미리 메모리에 저장해 두는 것에 의해, 레이저 가공 장치(2)의 컨트롤러는 T자 경로 가공 단계에서의 집광점의 위치를 웨이퍼(11)의 이면(11b)측으로 서서히 상승시키도록 자동적으로 제어한다. By storing the coordinate values of the light converging point in the memory in advance in this way, the controller of the laser processing apparatus 2 gradually raises the position of the light converging point in the T-path processing step toward the rear surface 11b side of the wafer 11. control automatically.

본 발명의 T자 경로 가공 단계에 있어서, 레이저빔(LB)의 집광점이 T자 경로의 교점에 접근함에 따라서 집광점을 웨이퍼(11)의 이면(11b)측으로 서서히 상승시켜 원추형상의 레이저빔(LB)의 일부가 먼저 형성된 제1 방향 개질층(17)을 지나가지 않도록 제어하기 때문에, T자 경로 가공 단계를 실시할 때에 원추형상의 레이저빔이 제1 방향 개질층(17)에 충돌하지 않아, 레이저빔의 산란 또는 반사에 의한 누설광이 발생하지 않는다. 따라서, 누설광이 디바이스(15)를 어택하여 디바이스(15)에 손상을 준다고 하는 문제를 해소할 수 있다. In the T-shaped path processing step of the present invention, as the light-converging point of the laser beam LB approaches the intersection of the T-shaped path, the light-converging point is gradually raised to the back surface 11b side of the wafer 11, thereby conical laser beam LB ) is controlled not to pass through the first direction modifying layer 17 formed earlier, so that the conical laser beam does not collide with the first direction modifying layer 17 when performing the T-path processing step, Light leakage due to scattering or reflection of the beam does not occur. Therefore, the problem that leakage light attacks the device 15 and damages the device 15 can be solved.

제1 방향 개질층 형성 단계 및 제2 방향 개질층 형성 단계를 실시한 후, 웨이퍼(11)에 외력을 부여하여, 제1 방향 개질층(17) 및 제2 방향 개질층(19)을 파단 기점으로 웨이퍼(11)를 제1 분할 예정 라인(13a) 및 제2 분할 예정 라인(13b)을 따라서 파단하여, 개개의 디바이스칩으로 분할하는 분할 단계를 실시한다. After the first direction modified layer forming step and the second direction modified layer forming step are performed, an external force is applied to the wafer 11 so that the first direction modified layer 17 and the second direction modified layer 19 are broken as starting points. A dividing step is performed in which the wafer 11 is divided into individual device chips by breaking the wafer 11 along the first scheduled division line 13a and the second scheduled division line 13b.

이 분할 단계는, 예컨대 도 8에 나타낸 바와 같은 분할 장치(익스팬드 장치)(50)를 사용하여 실시한다. 도 8에 나타내는 분할 장치(50)는, 고리형 프레임(F)을 유지하는 프레임 유지 수단(52)과, 프레임 유지 수단(52)에 유지된 고리형 프레임(F)에 장착되는 다이싱 테이프(T)를 확장시키는 테이프 확장 수단(54)을 구비한다. This dividing step is performed using, for example, a dividing device (expanding device) 50 as shown in FIG. 8 . The dividing device 50 shown in FIG. 8 includes frame holding means 52 for holding the annular frame F, and a dicing tape ( T) is provided with tape expanding means 54 for expanding.

프레임 유지 수단(52)은, 고리형의 프레임 유지 부재(56)와, 프레임 유지 부재(56)의 외주에 설치된 고정 수단으로서의 복수의 클램프(58)로 구성된다. 프레임 유지 부재(56)의 상면은 고리형 프레임(F)을 배치하는 배치면(56a)을 형성하고, 이 배치면(56a) 상에 고리형 프레임(F)이 배치된다. The frame holding means 52 is composed of an annular frame holding member 56 and a plurality of clamps 58 provided on the outer periphery of the frame holding member 56 as fixing means. The upper surface of the frame retaining member 56 forms a placement surface 56a on which the annular frame F is placed, and the annular frame F is placed on this placement surface 56a.

그리고, 배치면(56a) 상에 배치된 고리형 프레임(F)은, 클램프(58)에 의해 프레임 유지 수단(52)에 고정된다. 이와 같이 구성된 프레임 유지 수단(52)은 테이프 확장 수단(54)에 의해 상하 방향으로 이동 가능하게 지지된다. Then, the annular frame F disposed on the mounting surface 56a is fixed to the frame retaining means 52 by means of clamps 58 . The frame holding means 52 constructed in this way is supported by the tape extension means 54 so as to be movable in the vertical direction.

테이프 확장 수단(54)은, 고리형의 프레임 유지 부재(56)의 내측에 설치된 확장 드럼(60)을 구비한다. 확장 드럼(60)의 상단은 덮개(62)로 폐쇄된다. 이 확장 드럼(60)은, 고리형 프레임(F)의 내경보다 작고, 고리형 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)에 접착되는 웨이퍼(11)의 외경보다 큰 내경을 갖는다. The tape expansion means 54 includes an expansion drum 60 installed inside an annular frame retaining member 56 . The top of the expansion drum 60 is closed with a lid 62 . This expansion drum 60 has an inner diameter smaller than the inner diameter of the annular frame F and larger than the outer diameter of the wafer 11 adhered to the dicing tape T mounted on the annular frame F.

확장 드럼(60)은 그 하단에 일체적으로 형성된 지지 플랜지(64)를 갖는다. 테이프 확장 수단(54)은 또한, 고리형의 프레임 유지 부재(56)를 상하 방향으로 이동시키는 구동 수단(66)을 구비한다. 이 구동 수단(66)은 지지 플랜지(64) 상에 설치된 복수의 에어 실린더(68)로 구성되고, 그의 피스톤 로드(70)는 프레임 유지 부재(56)의 하면에 연결된다. The expansion drum 60 has an integrally formed support flange 64 at its lower end. The tape expanding means 54 also includes driving means 66 for moving the annular frame retaining member 56 in the vertical direction. This drive means 66 is composed of a plurality of air cylinders 68 installed on the support flange 64, the piston rod 70 of which is connected to the lower surface of the frame retaining member 56.

복수의 에어 실린더(68)로 구성되는 구동 수단(66)은, 고리형의 프레임 유지 부재(56)를, 그 배치면(56a)이 확장 드럼(60)의 상단인 덮개(62)의 표면과 대략 동일 높이가 되는 기준 위치와, 확장 드럼(60)의 상단보다 소정량 하측의 확장 위치의 사이에서 상하 방향으로 이동시킨다. The driving means 66 composed of a plurality of air cylinders 68 drives the annular frame retaining member 56, the mounting surface 56a of which is the upper end of the expansion drum 60, the surface of the lid 62 and It moves in the vertical direction between a reference position at substantially the same height and an expansion position lower than the upper end of the expansion drum 60 by a predetermined amount.

이상과 같이 구성된 분할 장치(50)를 이용하여 실시하는 웨이퍼(11)의 분할 단계에 관해 도 9를 참조하여 설명한다. 도 9의 (A)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(11)를 다이싱 테이프(T)를 통해 지지한 고리형 프레임(F)을, 프레임 유지 부재(56)의 배치면(56a) 상에 배치하고, 클램프(58)에 의해 프레임 유지 부재(56)에 고정한다. 이 때, 프레임 유지 부재(56)는 그 배치면(56a)이 확장 드럼(60)의 상단과 대략 동일 높이가 되는 기준 위치에 위치 부여된다. The step of dividing the wafer 11 performed using the dividing device 50 configured as described above will be described with reference to FIG. 9 . As shown in FIG. 9(A), an annular frame F holding the wafer 11 via the dicing tape T is placed on the mounting surface 56a of the frame holding member 56, , It is fixed to the frame holding member 56 by the clamp 58. At this time, the frame holding member 56 is positioned at a reference position where its placement surface 56a is substantially flush with the upper end of the expansion drum 60.

이어서, 에어 실린더(68)를 구동시켜 프레임 유지 부재(56)를 도 9의 (B)에 나타내는 확장 위치로 하강시킨다. 이에 따라, 프레임 유지 부재(56)의 배치면(56a) 상에 고정되는 고리형 프레임(F)을 하강시키기 때문에, 고리형 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)는 확장 드럼(60)의 상단 가장자리에 접촉하여 주로 반경 방향으로 확장된다. Then, the air cylinder 68 is driven to lower the frame holding member 56 to the extended position shown in Fig. 9(B). This lowers the annular frame F fixed on the mounting surface 56a of the frame holding member 56, so that the dicing tape T attached to the annular frame F is moved to the expansion drum 60. ) and extends mainly in the radial direction, in contact with the upper edge of the

그 결과, 다이싱 테이프(T)에 접착되는 웨이퍼(11)에는 방사형으로 인장력이 작용한다. 이와 같이 웨이퍼(11)에 방사형으로 인장력이 작용하면, 제1 분할 예정 라인(13a)을 따라서 형성된 제1 방향 개질층(17) 및 제2 분할 예정 라인(13b)을 따라서 형성된 제2 방향 개질층(19)이 분할 기점이 되어, 웨이퍼(11)가 제1 분할 예정 라인(13a) 및 제2 분할 예정 라인(13b)을 따라서 파단되고, 개개의 디바이스칩(21)으로 분할된다. As a result, a tensile force acts radially on the wafer 11 adhered to the dicing tape T. In this way, when a tensile force is applied to the wafer 11 in a radial manner, the first direction modified layer 17 formed along the first planned division line 13a and the second direction modified layer formed along the second planned division line 13b 19 serves as the division starting point, and the wafer 11 is broken along the first division scheduled line 13a and the second division scheduled line 13b, and is divided into individual device chips 21 .

전술한 실시형태에서는, 본 발명의 가공 방법의 가공 대상이 되는 웨이퍼로서 반도체 웨이퍼(11)에 관해 설명했지만, 본 발명의 가공 대상이 되는 웨이퍼는 이것에 한정되는 것이 아니며, 사파이어를 기판으로 하는 광디바이스 웨이퍼 등의 다른 웨이퍼에도, 본 발명의 가공 방법은 동일하게 적용할 수 있다. In the above-mentioned embodiment, the semiconductor wafer 11 was described as the wafer to be processed in the processing method of the present invention. However, the wafer to be processed in the present invention is not limited to this, and light using sapphire as a substrate is not limited thereto. The processing method of the present invention can be similarly applied to other wafers such as device wafers.

11 : 반도체 웨이퍼 13a : 제1 분할 예정 라인
13b : 제2 분할 예정 라인 15 : 디바이스
17 : 제1 방향 개질층 19 : 제2 방향 개질층
24 : 척테이블 34 : 레이저빔 조사 유닛
35 : 레이저빔 발생 유닛 38 : 집광기(레이저 헤드)
40 : 촬상 유닛 50 : 분할 장치11: semiconductor wafer 13a: first division scheduled line
13b: second division scheduled line 15: device
17: first direction modified layer 19: second direction modified layer
24: chuck table 34: laser beam irradiation unit
35: laser beam generating unit 38: concentrator (laser head)
40: imaging unit 50: dividing device

Claims (1)

제1 방향으로 형성된 복수의 제1 분할 예정 라인과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 형성된 복수의 제2 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 디바이스가 형성되고, 상기 제1 분할 예정 라인과 상기 제2 분할 예정 라인 중 적어도 상기 제2 분할 예정 라인이 비연속으로 형성되는 웨이퍼를 개개의 디바이스칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
상기 제1 분할 예정 라인을 따라서, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔을 웨이퍼의 이면측으로부터 웨이퍼의 내부에 집광하도록 조사하여, 웨이퍼의 내부에 상기 제1 분할 예정 라인을 따르는 복수층의 제1 방향 개질층을 형성하는 제1 방향 개질층 형성 단계와,
상기 제1 방향 개질층 형성 단계를 실시한 후, 상기 제2 분할 예정 라인을 따라서, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저빔을 웨이퍼의 이면측으로부터 웨이퍼의 내부에 집광하도록 조사하여, 웨이퍼의 내부에 상기 제2 분할 예정 라인을 따르는 복수층의 제2 방향 개질층을 형성하는 제2 방향 개질층 형성 단계와,
상기 제1 방향 개질층 형성 단계 및 상기 제2 방향 개질층 형성 단계를 실시한 후, 웨이퍼에 외력을 부여하여, 상기 제1 방향 개질층 및 상기 제2 방향 개질층을 파단 기점으로 웨이퍼를 상기 제1 분할 예정 라인 및 상기 제2 분할 예정 라인을 따라서 파단시킴으로써 개개의 디바이스칩으로 분할하는 분할 단계를 구비하고,
상기 제2 방향 개질층 형성 단계는, 상기 제1 방향 개질층이 형성된 상기 제1 분할 예정 라인에 T자 경로가 되도록 교차하는 상기 제2 분할 예정 라인의 내부에 제2 방향 개질층을 형성하는 T자 경로 가공 단계를 포함하고,
상기 T자 경로 가공 단계에서는, 레이저빔의 집광점이 T자 경로의 교점에 접근함에 따라서 상기 집광점을 웨이퍼의 이면측으로 서서히 상승시켜 원추형상의 레이저빔이 제1 방향 개질층에 충돌하지 않도록 제어함으로써 레이저빔의 산란 또는 반사에 의한 누설광의 발생을 억제하고 누설광이 디바이스를 어택하여 디바이스에 손상을 주지 않는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법. A device is formed in each region partitioned by a plurality of first division lines formed in a first direction and a plurality of second division lines formed in a second direction crossing the first direction, and the first division line and A wafer processing method for dividing a wafer in which at least the second division scheduled lines are discontinuously formed among the second division scheduled lines into individual device chips,
Along the first planned division line, a laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer is irradiated from the rear side of the wafer so as to be condensed inside the wafer, and a plurality of layers along the first division line are formed inside the wafer. A first direction modified layer forming step of forming a one-way modified layer;
After the first direction modifying layer forming step is performed, a laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer is irradiated along the second planned division line so as to converge on the inside of the wafer from the rear side of the wafer, a second direction modifying layer forming step of forming a plurality of second direction modified layers along the second planned division line;
After the forming of the first direction modified layer and the forming of the second direction modified layer are performed, an external force is applied to the wafer so as to break the first direction modified layer and the second direction modified layer, and the wafer is broken into the first direction modified layer. A dividing step of dividing into individual device chips by breaking along a scheduled division line and the second scheduled division line;
The forming of the second direction modifying layer may include forming a second direction modifying layer inside a second planned division line crossing the first division line formed with the first direction modification layer so as to form a T-shaped path. Including a ruler path processing step,
In the T-path processing step, as the light-converging point of the laser beam approaches the intersection of the T-shaped path, the light-concentrating point is gradually raised to the back side of the wafer to control the conical laser beam so that it does not collide with the first direction modifying layer. A method for processing a wafer characterized in that generation of leakage light due to scattering or reflection of a beam is suppressed and the leakage light attacks a device so as not to damage the device.
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