KR20120010141A - Coating solution for forming transparent film and substrate coated by transparent film - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A coating solution for forming a transparent film is provided to have high conductivity in spite of the low content of conductive inorganic oxide particles, to have high transparency, and to restrain yellowing and interference fringes. CONSTITUTION: A coating solution for forming a transparent film comprises conductive inorganic oxide particles, a matrix-forming component, and a dispersing medium. The conductive inorganic oxide particles are surfaced treated by an organosilicon compound in chemical formula 1: R_n-SiX_(4-n). The dispersing medium comprises ketones. The total solid content is 1-60 weight%. The surface treated conductive inorganic oxide particle has non-condensed highly dispersed form. The concentration of the conductive inorganic oxide particle as solid phase is 0.1-59.4 weight%. The conductive inorganic oxide in the transparent film particle forms chain-like structure.

Description

투명 피막 형성용 도포액 및 투명 피막부 기재 {Coating solution for forming transparent film and substrate coated by transparent film} Coating solution for forming transparent film and substrate {Coating solution for forming transparent film and substrate coated by transparent film}

본 발명은 표면 처리된 전도성 무기 산화물 미립자가 투명 피막 중에서 사슬상 구조를 지니고 또한 고분산되고 그를 위해 전도성 무기 산화물 미립자의 배합량이 적음에도 높은 전도성을 지니고 또한 투명성이 높고 착색 및 간섭 무늬가 억제되고 경제성이 우수한 투명 피막 형성용 도포액 및 투명 피막부 기재에 관한 것이다.The present invention has a high conductivity even when the surface-treated conductive inorganic oxide fine particles have a chain-like structure in the transparent coating and are highly dispersed therefor, so that the amount of the conductive inorganic oxide fine particles is low, and also has high transparency, suppressed coloring and interference fringes, and economical efficiency. This excellent coating liquid for transparent film formation and a transparent film part base material are related.

종래 글래스, 플라스틱 시트, 플라스틱 렌즈 등의 기재 표면의 내찰상성을 향상시키기 위해 기재 표면에 하드 코팅 기능을 지니는 투명 피막을 형성하는 것이 알려져 있다. 이와 같은 투명 피막으로서 유기 수지막 또는 무기막을 글래스나 플라스틱 등의 표면에 형성하는 것이 행해지고 있다. 또한 유기 수지막 또는 무기막 중에 수지 입자 또는 실리카 등의 무기 입자를 배합하여 더욱 내찰상성을 향상시키는 것이 행해지고 있다.
Background Art It is known to form a transparent coating having a hard coating function on the surface of a substrate in order to improve scratch resistance of the surface of the substrate such as glass, plastic sheet, plastic lens, or the like. As such a transparent film, forming an organic resin film or an inorganic film on the surface of glass, plastics, etc. is performed. Moreover, in order to mix | blend inorganic particle, such as resin particle or a silica, in an organic resin film or an inorganic film, improving scratch resistance is performed further.

한편 표시장치 등에 사용하는 경우 하드코팅 성능에 더하여 먼지 티끌의 정전 부착을 방지하기 위해 도전성을 투명 피막에 부여하여 대전 방지를 시도하는 것도 행해지고 있다. 이와 같은 도전성을 부여하기 위해서 도전성 산화물 입자를 배합하는 것이 알려져있다.
On the other hand, in the case of use in a display device or the like, in addition to hard coating performance, in order to prevent electrostatic adhesion of dust particles, an attempt has been made to prevent electrostatic charge by applying a conductive film to a transparent film. In order to provide such electroconductivity, it is known to mix | blend electroconductive oxide particle.

도전성 산화물 입자로서는 산화주석, Sb, F 또는 P 도핑시킨 산화주석, 산화인듐, Sn 또는 F 도핑시킨 산화인듐, 오산화안티몬, 저차산화티탄 등이 알려져있다 (특허문헌 1 : 일본 특허공개 2002-79616호 공보).
As the conductive oxide particles, tin oxide, Sb, F or P doped tin oxide, indium oxide, Sn or F doped indium oxide, antimony pentoxide, low titanium oxide, and the like are known (Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2002-79616). report).

본 발명의 출원인은 도전성 산화물 미립자를 포함하는 피막부 기재로서 파이로클로르(Pyrochlore) 구조를 지닌 오산화안티몬 미립자를 함유한 투명 대전방지막부 기재(특허문헌 2 : 일본 특허공개 2001-72929호 공보), 오산화안티몬 미립자를 포함한 하드코팅막부 기재(특허문헌 3 : 일본 특허공개 2004-50810호 공보) 또한 사슬상 오산화안티몬 미립자를 포함하는 하드코팅막부 기재(특허문헌 4 : 일본 특허공개 2005-139026호 공보) 등에 제안되어있고 또한 도전성 미립자를 무기규소화합물의 가수분해물로 연결시켜 된 사슬상 도전성 미립자(ATO 등)를 포함한 투명 도전성 피막부 기재(특허문헌 5 : 일본 특허공개 2006-339113호 공보)에도 제안되어있다.
Applicant of the present invention is a transparent antistatic film portion substrate containing antimony pentoxide fine particles having a Pyrochlore structure as a coating portion substrate containing conductive oxide fine particles (Patent Document 2: Japanese Patent Laid-Open No. 2001-72929), Hard coating membrane part base material containing antimony pentoxide microparticles | fine-particles (patent document 3: Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-50810) Moreover, hard coat membrane part base material containing chain-shaped antimony pentoxide microparticles | fine-particles (patent document 4: Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-139026) It is also proposed in the transparent conductive coating part base material (patent document 5: Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-339113) etc. which were proposed, etc., and also the chain | strand-shaped electroconductive fine particles (ATO etc.) which connected electroconductive fine particles with the hydrolyzate of an inorganic silicon compound. have.

특허문헌 1 : 일본 특허공개 2002-79616호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 2002-79616 특허문헌 2 : 일본 특허공개 2001-72929호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-72929 특허문헌 3 : 일본 특허공개 2004-50810호 공보Patent Document 3: Japanese Patent Publication No. 2004-50810 특허문헌 4 : 일본 특허공개 2005-139026호 공보Patent Document 4: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-139026 특허문헌 5 : 일본 특허공개 2006-339113호 공보Patent Document 5: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-339113

종래의 도전성 산화물 미립자를 사용한 피막부 기재에는 예를 들면 오산화안티몬 미립자를 사용하는 경우 투명성은 우수해지나 도전성이 저하되어 대전방지 성능이 불충분하였다. 이를 위해 오산화안티몬 미립자의 함유량을 증가시켜도 간섭 무늬가 생성되고 경제성이 저하되는 문제가 있었다.
For example, when antimony pentoxide microparticles | fine-particles were used for the coating part base material which used the conventional electroconductive oxide microparticles | fine-particles, transparency became excellent but electroconductivity fell and the antistatic performance was inadequate. For this purpose, even if the content of the antimony pentoxide fine particles is increased, interference fringes are generated and economical efficiency is deteriorated.

또한 P 도핑 산화주석(PTO)을 사용하는 경우에는 오산화안티몬 미립자를 사용한 경우에 비해 대전방지 성능은 향상되어도 그 투명성이 불충분하게 되고 Sb 도핑 산화주석(ATO)을 사용하여도 대전방지 성능은 더욱 향상되어도 투명성이 저하되어 착색된 투과율이 저하되는 경우가 있다. 또한 Sn 도핑 산화인듐(ITO)을 사용하여도 대전방지 성능은 향상되어도 투명성 착색성에 문제가 있었다.
In addition, when P-doped tin oxide (PTO) is used, the antistatic performance is improved even though the anti-static performance is improved compared to the case where the antimony pentoxide fine particles are used, and even when Sb-doped tin oxide (ATO) is used, the antistatic performance is further improved. Even if it is, transparency may fall and the colored transmittance may fall. In addition, even when Sn-doped indium oxide (ITO) was used, there was a problem in the transparency colorability even if the antistatic performance was improved.

산화주석, 산화인듐에 있어서는 상기한 바와 같이 도핑제를 사용 도핑하는 것에 의해서 도전성이 향상되는 것이 알려져있다. 그러나 P 도핑 산화주석 미립자(PTO), Sn 도핑 산화인듐 미립자(ITO), Sb 도핑 산화주석 미립자(ATO)는 도전성이 향상되어도 투명성이 저하되어 착색에 문제가 있었고 더욱 기재, 매트릭스 성분의 굴절률에 인한 간섭무늬를 생성하는 경우가 있어 착색을 억제하기 위해서 함유량을 감소시켜야 되었고 대전방지 성능이 불충분하게 되는 경우가 있었다.
In tin oxide and indium oxide, it is known that electroconductivity improves by doping using a dopant as mentioned above. However, P-doped tin oxide fine particles (PTO), Sn-doped indium oxide fine particles (ITO), and Sb-doped tin oxide fine particles (ATO) have a problem in coloring due to reduced transparency even though the conductivity is improved. In some cases, interference fringes may be produced, so that the content must be reduced in order to suppress coloring and the antistatic performance is insufficient.

따라서 도전성을 향상시키기 위해 특허문헌 4에 기재된 바와 같이 미립자를 사슬상으로 연결하여 입계 저항을 최소화함으로써 입자 자체의 사용량을 적게 하여도 충분한 대전 방지 성능을 유지하고 착색 간섭무늬를 지니지 않는 투명 피막을 얻는 것은 곤란하였다.
Therefore, in order to improve the conductivity, as described in Patent Literature 4, the fine particles are connected in a chain to minimize grain boundary resistance, thereby obtaining a transparent film having sufficient antistatic performance even when the amount of the particles themselves is reduced and having no colored interference pattern. It was difficult.

또한 종래 하드코팅 성능, 대전방지 성능의 모두를 원하는 경우에는 하드코팅 층위에 별도의 대전방지층을 형성하여야 하였던 것이다. 한번의 도포로 하드코팅 성능과 대전방지 성능을 지니는 투명피막을 형성할 수 있는 도포액 및 투명 피막부 기재를 요구하게 되었다.
In addition, in the case where both the conventional hard coating performance and antistatic performance are desired, a separate antistatic layer should be formed on the hard coating layer. There is a need for a coating liquid and a transparent coating part substrate capable of forming a transparent coating having a hard coating performance and an antistatic performance with a single coating.

본 발명자들은 이와 같은 문제점을 감안하여 예의 검토한 결과 케톤류의 분산매와 매트릭스 형성 성분으로서 예를 들면 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지를 사용하고 표면 처리시킨 도전성 무기 산화물 미립자가 투명 피막 중에서 고분산되어 사슬상 입자를 형성하여 존재할 때 소량 사용하여도 높은 도전성을 지니고 투명성이 향상되고 착색 및 간섭 무늬가 억제된 하드코팅 성능이 우수한 투명 피막을 얻는 것을 발견하고 본 발명을 완성하게 된 것이다.
The present inventors earnestly examined in view of such a problem, and as a result, the conductive inorganic oxide fine particles surface-treated using, for example, ethylene oxide-modified acrylic resin as the dispersion medium of the ketones and the matrix-forming component are highly dispersed in the transparent film to form chain particles. The present invention has been found to obtain a transparent coating having a high conductivity even when used in small amounts when formed and having excellent transparency, and excellent hard coating performance in which coloring and interference fringes are suppressed.

[1] 도전성 무기 산화물 미립자, 매트릭스 형성 성분 및 분산매를 포함하는 투명 피막 형성용 도포액에 있어서, 상기 도전성 무기 산화물 미립자는 하기식 (1)로 표시되는 유기규소화합물로 표면 처리시키며 분산매는 케톤류를 포함하고 전체 고형분 함량이 1?60 질량% 범위이고 표면 처리된 도전성 무기산화물 미립자는 비응집된 고 분산된 형태이고 상기 도전성 무기 산화물 미립자의 고형분으로서 농도는 0.1?59.4 질량% 범위이고, 수득된 투명 피막 중에 전도성 무기 산화물 미립자가 사슬상 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 피막 형성용 도포액.
[1] A coating film for forming a transparent film containing conductive inorganic oxide fine particles, a matrix forming component and a dispersion medium, wherein the conductive inorganic oxide fine particles are surface treated with an organosilicon compound represented by the following formula (1), and the dispersion medium is a ketone. Containing, the total inorganic content in the range of 1 to 60% by mass and the surface-treated conductive inorganic oxide fine particles in the non-agglomerated high dispersion form and the solids of the conductive inorganic oxide fine particles in the concentration range of 0.1 to 59.4 mass%, the obtained transparent A coating liquid for forming a transparent film, wherein the conductive inorganic oxide fine particles form a chain structure in the film.

Rn-SiX4-n (1)
R n -SiX 4-n (1)

(상기 식에서 R은 탄소수 1?10의 비치환 또는 치환된 탄화수소기이며, 서로 동일하거나 상이하며, X는 탄소수 1?4의 알콕시기, 수산기, 할로겐, 수소이며, n 은 0?3의 정수이다.)
(Wherein R is an unsubstituted or substituted hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, the same as or different from each other, X is an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a hydroxyl group, halogen, hydrogen, n is an integer of 0 to 3) .)

[2] 상기 도전성 무기산화물 미립자는 Sb 도핑된 산화 주석(ATO) 미립자 및/또는 P 도핑된 산화 주석(PTO) 미립자이며, 평균 입경이 5?10 nm의 범위에 있는 [1]의 투명 피막 형성용 도포액.
[2] The conductive inorganic oxide fine particles are Sb-doped tin oxide (ATO) fine particles and / or P-doped tin oxide (PTO) fine particles, and the transparent film formation of [1] having an average particle diameter in the range of 5-10 nm. Coating liquid.

[3] 상기 도전성 무기 산화물 미립자는 도전성 무기 산화물 미립자의 일차 입자가 3개 이상 사슬상으로 연결된 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자인 [1] 또는 [2]의 투명 피막 형성용 도포액.
[3] The coating liquid for forming a transparent film according to [1] or [2], wherein the conductive inorganic oxide fine particles are chain conductive inorganic oxide fine particles in which primary particles of the conductive inorganic oxide fine particles are chained in three or more chains.

[4] 상기 매트릭스 형성 성분은 알킬렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(A)인 [1]?[3]의 투명 피막 형성용 도포액.
[4] The coating liquid for forming a transparent film of [1] to [3], wherein the matrix forming component is an alkylene oxide modified acrylic resin (A).

[5] 상기 알킬렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(A)는 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지인 [4]의 투명 피막 형성용 도포액.
[5] The coating liquid for forming a transparent film of [4], wherein the alkylene oxide modified acrylic resin (A) is an ethylene oxide modified acrylic resin.

[6] 상기 매트릭스 형성 성분은 알킬렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(A)와 비변성 아크릴계 수지(B)를 포함하고, 비변성 아크릴계 수지(B)와 알킬렌 옥사이드 변성 아크릴계 수지(A)와의 고형분으로서의 중량비((B):(A))가 5:95?50:50의 범위인 [1]?[5]의 투명 피막 형성용 도포액.
[6] The matrix forming component includes an alkylene oxide modified acrylic resin (A) and an unmodified acrylic resin (B), and the weight ratio as a solid content of the unmodified acrylic resin (B) and the alkylene oxide modified acrylic resin (A). Coating liquid for transparent film formation of [1]-[5] whose ((B) :( A)) is the range of 5: 95-50: 50.

[7] 상기 분산매의 케톤류는 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 부틸메틸케톤, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논, 디프로필케톤, 메틸펜틸케톤, 디이소부틸케톤, 이소포론, 아세틸아세톤, 아세트초산에스테르로부터 선택되는 1종 이상인 [1]?[6]의 투명 피막 형성용 도포액.
[7] The ketones of the dispersion medium are acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, butyl methyl ketone, cyclohexanone, methylcyclohexanone, dipropyl ketone, methyl pentyl ketone, diisobutyl ketone, isophorone and acetylacetone The coating liquid for transparent film formation of [1]-[6] which is 1 or more types chosen from acet acetate ester.

[8] 상기 분산매의 케톤류는 아세톤 및/또는 메틸에틸케톤인 [7]의 투명 피막 형성용 도포액.
[8] The coating liquid for forming a transparent film of [7], wherein the ketones of the dispersion medium are acetone and / or methyl ethyl ketone.

[9] 기기재와 기재 표면에 형성된 투명 피막으로 이루어진 투명 피막부기재에 있어서, 상기 투명 피막은 도전성 무기 산화물 미립자와 매트릭스 성분을 포함하며, 도전성 무기 산화물 미립자는 하기식 (1)로 표시되는 유기 규소 화합물로 표면 처리 제조되고, 상기 도전성 무기 산화물 미립자는 투명 피막 중에서 사슬상 구조를 형성하고 고 분산된 것으로 [9] A transparent film base material consisting of a transparent film formed on a surface of a device material and a base material, wherein the transparent film contains conductive inorganic oxide fine particles and a matrix component, and the conductive inorganic oxide fine particles are organically represented by the following formula (1). Surface-treated with a silicon compound, the conductive inorganic oxide fine particles formed a chain structure in a transparent coating and is highly dispersed

투명 피막 중에서 상기 도전성 무기 산화물 미립자의 함유량은 1?12 질량%의 범위이고,The content of the conductive inorganic oxide fine particles in the transparent coating is in the range of 1 to 12 mass%,

투명 피막의 표면 저항치는 108?1011 Ω/□의 범위이며, 헤이즈는 0.3% 이하이며 광선 투과율은 90% 이상이며,The surface resistance value of the transparent coating film is 10 8? 10 11 Ω / □ in the range of the haze is more than 0.3% and the light transmittance is 90% or more,

기재의 굴절률(NS)과 상기 투명 피막의 굴절률(NH)과의 차이가 0.02 이하인 투명 피막부기재.The transparent film part base material whose difference between the refractive index N S of a base material and the refractive index N H of the said transparent film is 0.02 or less.

Rn-SiX4-n (1)R n -SiX 4-n (1)

(상기 식에서 R은 탄소수 1?10의 비치환 또는 치환된 탄화수소기이며, 서로 동일하거나 상이하며, X는 탄소수 1?4의 알콕시기, 수산기, 할로겐, 수소이며, n 은 0?3의 정수이다.)
(Wherein R is an unsubstituted or substituted hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, the same as or different from each other, X is an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a hydroxyl group, halogen, hydrogen, n is an integer of 0 to 3) .)

[10] 상기 도전성 무기 산화물 미립자는 Sb 도핑된 산화 주석(ATO) 미립자 및/또는 P 도핑된 산화 주석(PTO) 미립자이며, 사슬상 구조를 형성하는 일차 입자의 평균 입경은 5?10 nm의 범위이며, 연결수가 3 이상인 [9]의 투명 피막부기재.
[10] The conductive inorganic oxide fine particles are Sb doped tin oxide (ATO) fine particles and / or P doped tin oxide (PTO) fine particles, and the average particle diameter of the primary particles forming the chain structure is in the range of 5 to 10 nm. The transparent coating part base material of [9] whose connection number is three or more.

[11] 상기 매트릭스 성분은 알킬렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(A)인 [9] 또는 [10]의 투명 피막부기재.
[11] The transparent coating part base material of [9] or [10], wherein the matrix component is an alkylene oxide modified acrylic resin (A).

[12] 상기 알콕시 변성 아크릴계 수지(A)는 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지인 [11]의 투명 피막부기재.
[12] The transparent coating part base material of [11], wherein the alkoxy-modified acrylic resin (A) is an ethylene oxide-modified acrylic resin.

[13] 상기 매트릭스 성분은 비변성 아크릴계 수지(B)를 포함하며 비변성 아크릴계 수지(B)와 알콕시 변성 아크릴계 수지(A)의 고형분으로서의 중량비((B):(A))가 5:95?50:50의 범위인 [9]?[12]의 투명 피막부기재.
[13] The matrix component contains an unmodified acrylic resin (B), and the weight ratio ((B): (A)) as a solid content of the unmodified acrylic resin (B) and the alkoxy modified acrylic resin (A) is 5:95? The transparent film | membrane base material of [9]-[12] which is the range of 50:50.

[14] 상기 투명 피막의 막 두께가 1?20 ㎛의 범위인 [9]?[13]의 투명 피막부기재.
[14] The transparent coating part base material of [9] to [13], wherein the transparent film has a film thickness in the range of 1 to 20 µm.

[15] 상기 기재는 트리아세틸셀룰로오스인 [9]?[14]의 투명 피막부기재.
[15] The transparent coating part substrate of [9] to [14], wherein the substrate is triacetyl cellulose.

[16] 상기 투명 피막은 청구항 1?8 기재의 투명 피막 형성용 도포액을 사용하여 수득된 것인 [9]?[15]의 투명 피막부기재.
[16] The transparent film base material according to [9] to [15], wherein the transparent film is obtained by using a coating liquid for forming a transparent film according to claims 1 to 8.

본 발명에 의하면 도전성 무기 산화물 미립자의 배합량이 적음에도 높은 도전성능을 지니며 투명성이 우수한 것과 동시에 착색 간섭무늬가 없고, 대전방지 성능이 우수한 한편 기재와의 밀착성 내찰상성 스크래치 강도 연필 경도 등이 우수하고 경제성도 우수한 투명 피막부기재의 형성에 이용되는 투명 피막 형성용 도포액과 투명 피막부기재를 제공할 수 있다.
According to the present invention, even when the amount of the conductive inorganic oxide fine particles is small, it has high conductivity, excellent transparency, no coloring interference pattern, excellent antistatic performance, good scratch resistance, scratch strength, pencil hardness, etc. The coating liquid for transparent film formation and the transparent film part base material which are used for formation of the transparent film part base material excellent also in economic efficiency can be provided.

이 이유는 명확하지는 않지만 특정 용매와 매트릭스 형성 성분을 사용하고 있으므로, 도포액 중에 단분산 입자가 투명 피막 중에서 사슬상 입자를 구성하고 또 사슬상 입자를 사용한 경우 사슬상 입자가 응집하는 일 없이 고분산 상태가 되어, 대전 방지 성능이 향상하여 기재와의 밀착성 내찰상성 스크래치 강도 연필경도를 높이는 것이라고 판단된다.
Although the reason is not clear, since a specific solvent and a matrix-forming component are used, when the monodisperse particles constitute the chain particles in the transparent coating and the chain particles are used in the coating liquid, the chain particles do not aggregate and are highly dispersed. It is judged that it will be in a state and antistatic performance will improve and adhesiveness scratch resistance scratch strength pencil hardness with a base material will be improved.

도 1은 실시예 1의 입자의 분산 상태를 나타내는 주사형 전자현미경 사진이다.
도 2는 비교예 1의 입자의 분산 상태를 나타내는 주사형 전자현미경 사진이다.
1 is a scanning electron micrograph showing a dispersion state of particles in Example 1. FIG.
2 is a scanning electron micrograph showing a dispersion state of particles in Comparative Example 1. FIG.

우선 본 발명과 관련되는 투명 피막 형성용 도포액에 대해 설명한다.
First, the coating liquid for transparent film formation which concerns on this invention is demonstrated.

투명 피막 형성용 도포액Coating liquid for transparent film formation

본 발명과 관련되는 투명 피막 형성용 도포액은 도전성 무기 산화물 미립자와 매트릭스 형성 성분과 분산매를 포함한다.
The coating liquid for transparent film formation which concerns on this invention contains electroconductive inorganic oxide microparticles | fine-particles, a matrix formation component, and a dispersion medium.

도전성 무기 산화물 미립자Conductive inorganic oxide fine particles

본 발명에 이용하는 도전성 무기 산화물 미립자로서는 도전성을 가지는 종래 공지의 무기 산화물 미립자를 이용할 수 있지만 산화 주석, Sb, F 또는 P가 도핑된 산화 주석, 산화 인듐, Sn 또는 F가 도핑된 산화 인듐, 산화 안티몬으로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다. 이러한 도전성 무기 산화물 미립자를 이용하면 대전방지 성능을 지니는 투명 피막을 수득할 수 있다.
As the conductive inorganic oxide fine particles used in the present invention, conventionally known inorganic oxide fine particles having conductivity can be used, but tin oxide doped with tin, Sb, F or P, indium oxide doped with indium, Sn or F, and antimony oxide doped. It is preferable that it is 1 or more types chosen from. By using such conductive inorganic oxide fine particles, a transparent film having antistatic performance can be obtained.

그 중에서도 Sb 도핑한 산화 주석(ATO) 미립자, P 도핑한 산화 주석(PTO) 미립자는 도전성이 높기 때문에 도전성 무기 산화물 미립자의 사용량을 최소화할 수 있기 때문에 더욱이 착색을 억제시킬 수 있고 두꺼운 막을 형성하여도 투명성이 우수한 투명 피막부기재를 수득할 수 있다.
Among them, the Sb-doped tin oxide (ATO) fine particles and the P-doped tin oxide (PTO) fine particles have high conductivity, so that the amount of the conductive inorganic oxide fine particles can be minimized, further suppressing coloring and forming a thick film. A transparent coating part base material excellent in transparency can be obtained.

도포액 중에서 도전성 무기 산화물 미립자는 일차 입자이어도 이미 사슬상으로 연결된 사슬상 입자(이차입자)이어도 괜찮다. 도포액 중에서는 일차 입자가 분산되어 있어도 본 발명의 도포액으로는 특정 용매와 매트릭스 성분을 사용하고 있으므로 투명 피막 형성시 연결되어 사슬상 입자로 된다.
In the coating liquid, the conductive inorganic oxide fine particles may be primary particles or chain particles (secondary particles) already connected in a chain form. In the coating liquid, even if the primary particles are dispersed, the specific solvent and the matrix component are used as the coating liquid of the present invention, so that the particles are connected to form the chain particles when the transparent film is formed.

도전성 무기 산화물 미립자(일차 입자)의 평균 입경은 5?10 nm, 바람직하게는 5?8 nm의 범위에 있는 것이 바람직하다.
The average particle diameter of the conductive inorganic oxide fine particles (primary particles) is preferably in the range of 5 to 10 nm, preferably in the range of 5 to 8 nm.

도전성 무기 산화물 미립자(일차 입자)의 평균 입경이 작으면 결정 구조가 충분히 발달하지 못하는 경우가 있으며, 더욱이 응집 입자를 형성하는 경향이 있어 도전성을 향상시키는 효과가 불충분해지는 경우가 있다. 또 응집하면 투명성이 저하되거나 헤이즈가 높아지는 경우가 있다. 도전성 무기 산화물 미립자(일차 입자)의 평균 입경이 너무 커도 투명 피막중에서 사슬 형상화되는 경향이 작고, 사슬 형상화되어도 도전성 패스가 효과적으로 형성되기 어렵기 때문에 도전성의 향상 효과가 불충분해지는 경우가 있다.
If the average particle diameter of the conductive inorganic oxide fine particles (primary particles) is small, the crystal structure may not sufficiently develop, and there is a tendency to form aggregated particles, and the effect of improving conductivity may be insufficient. Moreover, when it aggregates, transparency may fall or a haze may increase. Even if the average particle diameter of the conductive inorganic oxide fine particles (primary particles) is too large, the tendency to form a chain in the transparent coating is small, and the conductive path may not be effectively formed even if the chain is formed, so that the effect of improving conductivity may be insufficient.

또한 본 발명에 있어서 「일차 입자」란 단분산 된 무기 산화물 미립자를 말한다. 또 사슬상 입자란 상기 일차 입자가 3개 이상 연결된 것을 말한다.
In addition, in this invention, a "primary particle" means the monodisperse inorganic oxide fine particle. In addition, a chain particle means that the said primary particle connected three or more.

도전성 무기 산화물 미립자(일차 입자)의 평균 입경은 투과형 전자현미경 사진(TEM)을 통해 측정하여 100개의 입자에 대해서 입경을 측정하여 그 평균치로서 구한다.
The average particle diameter of electroconductive inorganic oxide microparticles | fine-particles (primary particle) is measured through a transmission electron micrograph (TEM), and a particle size is measured about 100 particle | grains, and is calculated | required as the average value.

또한 본 발명에서 이용하는 도전성 무기 산화물 미립자(일차 입자)의 굴절률의 측정 방법은 표준 굴절액으로서 CARGILL제의 SeriesA, AA를 이용하여 이하의 방법으로 측정한다.
In addition, the measuring method of the refractive index of the electroconductive inorganic oxide microparticles | fine-particles (primary particle) used by this invention is measured by the following method using SeriesA and AA made from CARGILL as a standard refractive solution.

(1) 도전성 무기 산화물 미립자 분산액을 증발기를 통해 분산매를 증발시킨다.(1) The dispersion medium is evaporated from the conductive inorganic oxide fine particle dispersion through an evaporator.

(2) 이것을 80℃에서 12시간 건조하여 분말로 만든다.(2) This is dried at 80 ° C. for 12 hours to obtain a powder.

(3) 굴절률이 알려진 표준 굴절액 2,3 방울을 유리판 위에 떨어뜨려 이 위에 상기 분말을 혼합한다.(3) 2,3 drops of the standard refractive solution of known refractive index are dropped on a glass plate, and the powder is mixed thereon.

(4) 상기 (3)의 조작을 여러 개의 표준 굴절액으로 행하여 혼합액이 투명하게 되었을 때의 표준 굴절액의 굴절률을 도전성 무기 산화물 미립자의 굴절률로 한다.
(4) The refractive index of the standard refractive solution when the mixed solution becomes transparent by performing the operations of (3) above with several standard refractive solutions is set to the refractive index of the conductive inorganic oxide fine particles.

본 발명에서 사용하는 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자에 있어서 도전성 무기 산화물 미립자(일차 입자)의 연결 수는 3 이상, 5 이상, 특히 10 이상인 것이 바람직하다.
In the chain | strand-shaped electroconductive inorganic oxide microparticles | fine-particles used by this invention, it is preferable that the connection number of electroconductive inorganic oxide microparticles | fine-particles (primary particle) is 3 or more, 5 or more, especially 10 or more.

도전성 무기 산화물 미립자(일차 입자)의 연결 수가 적으면 도전성의 향상 효과를 충분히 얻지 못하고, 이 때문에 원하는 도전성을 얻기 위해서는 도전성 무기 산화물 미립자의 사용량을 줄일 수 없기 때문에 착색 억제 효과가 불충분해지는 경우가 있다.
If the number of the conductive inorganic oxide fine particles (primary particles) is small, the effect of improving the conductivity is not sufficiently obtained. Therefore, the amount of the conductive inorganic oxide fine particles cannot be reduced in order to obtain desired conductivity, so that the color suppression effect may be insufficient.

앞서서 사슬 형상화된 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(이차 입자)는 특허 문헌 4에 개시된 방법에 근거하여 제조할 수 있다.
The chain-shaped chain | strand-shaped conductive inorganic oxide microparticles | fine-particles (secondary particle) can be manufactured previously based on the method disclosed by patent document 4. As shown in FIG.

도전성 무기 산화물 미립자(이차 입자)에 대해서는 도전성 무기 산화물 미립자(이차 입자)의 투과형 전자현미경 사진(TEM)을 통해 측정하여 100개의 일차 입자에 대해서 입경을 측정하여 그 평균치로서 구하며, 연결 수는 일차 입자가 연결된 사슬상 입자에 대해서만 50개의 연결 수를 구하여 그 평균치로서 연결 수를 구한다.
The conductive inorganic oxide fine particles (secondary particles) were measured by transmission electron micrograph (TEM) of the conductive inorganic oxide fine particles (secondary particles), and the particle diameters of 100 primary particles were measured and obtained as the average value thereof. The number of connections is calculated only for the chain-shaped particles to which is connected, and the number of connections is calculated as the average value.

투명 피막 형성용 도포액 중의 도전성 무기 산화물 미립자의 농도는 고형분으로서 0.016% 질량, 바람직하게는 0.02?4.8 질량%의 범위에 있는 것이 바람직하다.
The concentration of the conductive inorganic oxide fine particles in the coating liquid for forming a transparent film is preferably in the range of 0.016% mass, preferably 0.02 to 4.8 mass% as solid content.

투명 피막 형성용 도포액 중의 도전성 무기 산화물 미립자의 농도가 적으면 도전성능이 불충분해져서 수득되는 투명 피막부기재의 대전방지 성능이 불충분해지는 경우가 있다. 또한 도전성 무기 산화물 미립자가 너무 많아도 수득되는 투명 피막의 착색이 현저해지며 투과율이 저하되거나 투명 피막의 굴절률이 높아지기 때문에 기재의 굴절률에 따라서는 간섭 무늬를 일으키는 경우가 있다.
When the concentration of the conductive inorganic oxide fine particles in the coating film for forming a transparent film is low, the electroconductive performance may be insufficient, and thus the antistatic performance of the transparent coating part base material obtained may be insufficient. Moreover, even if there are too many electroconductive inorganic oxide microparticles | fine-particles, the coloring of the obtained transparent film becomes remarkable and the transmittance | permeability falls or the refractive index of a transparent film becomes high, and an interference fringe may arise depending on the refractive index of a base material.

이러한 도전성 무기 산화물 미립자는 하기식 (1)에서 나타낸 유기 규소 화합물로 표면처리 되었다.
These conductive inorganic oxide fine particles were surface treated with the organosilicon compound shown in the following formula (1).

Rn-SiX4-n (1)R n -SiX 4-n (1)

(상기 식에서 R은 탄소수 1?10의 비치환 또는 치환된 탄화수소기이며, 서로 동일하거나 상이하며, X는 탄소수 1?4의 알콕시기, 수산기, 할로겐, 수소이며, n 은 0?3의 정수이다.)
(Wherein R is an unsubstituted or substituted hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, the same as or different from each other, X is an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a hydroxyl group, halogen, hydrogen, n is an integer of 0 to 3) .)

이러한 식 (1)에서 나타낸 유기 규소 화합물로서는 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라프로폭시실란, 테트라부톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 디페닐디메톡시시란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디에톡시시란, 페닐트리에톡시실란 디페닐디에톡시실란, 이소부틸트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(β메톡시에톡시)실란, 3,3,3-트리플루오르프로필트리메톡시실란, 메틸-3,3,3-트리플루오르프로필디메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시메틸트리메톡시실란, γ-글리시독시메틸트리에톡시실란, γ-글리시독시에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시에틸트리에톡시시란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-(β-글리시독시에톡시)프로필트리메톡시실란, γ-(메타)아크릴옥시메틸트리메톡시실란, γ-(메타)아크릴옥시메틸트리에톡시실란, γ-(메타)아크릴옥시에틸트리메톡시실란, γ-(메타)아크릴옥시에틸트리에톡시실란, γ-(메타)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-(메타)아클릴로옥시프로필트리메톡시실란, γ-(메타)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-(메타_아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 부틸트리메톡시실란, 이소부틸트리에톡시실란, 헥실트리에톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 데실트리에톡시실란, 부틸트리에톡시실란, 이소부틸트리에톡시실란, 헥실트리에톡실란, 옥틸트리에톡시실란, 데실트리에톡시시란, 3-우레이도이소프로필프로필트리에톡시실란, 퍼플루오르옥틸에틸트리메톡시실란, 퍼플루오르옥틸에틸트리에톡시실란, 퍼플루오르옥틸에틸트리이소프로폭시실란, 트리플루오르프로필트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, 트리메틸실란올, 메틸트리클로로실란 등 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
Examples of the organosilicon compound represented by formula (1) include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, tetrabutoxysilane, methyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane and diphenyl Dimethoxysilane, methyltriethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, phenyltriethoxysilane diphenyldiethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris ( β-methoxyethoxy) silane, 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane, methyl-3,3,3-trifluoropropyldimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltri Methoxysilane, γ-glycidoxymethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxymethyltriethoxysilane, γ-glycidoxyethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxyethyltriethoxysilane, γ Glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxy Silane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ- (β-glycidoxyethoxy) propyltrimethoxysilane, γ- (meth) acryloxymethyltri Methoxysilane, γ- (meth) acryloxymethyltriethoxysilane, γ- (meth) acryloxyethyltrimethoxysilane, γ- (meth) acryloxyethyltriethoxysilane, γ- (meth) acryloxy Propyltrimethoxysilane, γ- (meth) acryloxyoxytrimethoxysilane, γ- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, γ- (meth_acryloxypropyltriethoxysilane, butyltrimethoxy Silane, isobutyltriethoxysilane, hexyltriethoxysilane, octyltriethoxysilane, decyltriethoxysilane, butyltriethoxysilane, isobutyltriethoxysilane, hexyltriethoxysilane, octyltriethoxysilane, Decyltriethoxysilane, 3-ureidoisopropylpropyltriethoxysilane, perfluoro Rhoctylethyltrimethoxysilane, perfluorooctylethyltriethoxysilane, perfluorooctylethyltriisopropoxysilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropylmethyldimethoxysilane , N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, trimethylsilol, methyltrichlorosilane and the like, and And mixtures thereof.

그 중에서도 상기식 (1)에 있어서 n=0 유기 규소 화합물로 표면 처리되면 도전성 무기 산화물 미립자(일차 입자)를 이용했을 경우에 도전성 무기 산화물 미립자(일차 입자)가 투명 피막 형성시에 사슬 형상화되는 것과 동시에 사슬 형상화된 입자가 고분산되는 경향이 있으며, 앞서서 사슬 형상화된 도전성 무기 산화물 미립자(이차 입자)를 이용한 경우는 투명 피막 형성시에 사슬 형상화된 입자가 고분산되는 경향이 있다.
Especially, when surface-treating with n = 0 organosilicon compound in said Formula (1), when electroconductive inorganic oxide microparticles | fine-particles (primary particle) are used, electroconductive inorganic oxide microparticles | fine-particles (primary particle) will be chain-shaped at the time of transparent film formation, At the same time, the chain-shaped particles tend to be highly dispersed, and in the case where the chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles (secondary particles) are used, the chain-shaped particles tend to be highly dispersed at the time of forming the transparent film.

도전성 무기 산화물 미립자(일차 입자)의 표면 처리는 예를 들면 도전성 무기 산화물 미립자(일차 입자)의 알코올 분산액에 상기 유기 규소 화합물을 정해진 양을 가하고 여기에 물을 가하여, 필요에 따라서 유기 규소 화합물의 가수분해용 촉매로서 산 또는 알칼리를 가하여 유기 규소 화합물을 가수분해한다. 이 때 유기 규소 화합물의 사용량은 도전성 무기 산화물 미립자(일차 입자)의 크기보다는 Rn-SiO(4-n)/2로서 도전성 무기 산화물 미립자(일차 입자)의 대략 2?30 질량%, 바람직하게는 3?10 질량%의 범위에 있는 것이 바람직하다.
For the surface treatment of the conductive inorganic oxide fine particles (primary particles), for example, a predetermined amount of the organosilicon compound is added to an alcohol dispersion of the conductive inorganic oxide fine particles (primary particles), and water is added thereto, whereby the valence of the organosilicon compound is added as necessary. As the decomposition catalyst, an acid or an alkali is added to hydrolyze the organosilicon compound. In this case, the amount of the organosilicon compound used is R n -SiO (4-n) / 2 rather than the size of the conductive inorganic oxide fine particles (primary particles), and is approximately 2 to 30% by mass of the conductive inorganic oxide fine particles (primary particles), preferably It is preferable to exist in the range of 3-10 mass%.

이와 같이 유기 규소 화합물로 표면 처리되면 투명 피막 형성용 도포액 중에서 균일하게 고분산 되는 것과 동시에 안정성이 향상하여 투명 피막 중에서 사슬 형상화되어 사슬 형상화된 입자가 고분산 되며 소량의 도전성 무기 산화물 미립자의 사용으로 도전성이 높고, 투명성, 투과율, 경도 등이 우수한 투명 피막을 수득할 수 있다.
When surface-treated with an organosilicon compound, it is uniformly highly dispersed in the coating liquid for forming a transparent film and at the same time, stability is improved, and chain-shaped particles are highly dispersed in the transparent film, and the use of a small amount of conductive inorganic oxide fine particles A transparent coating having high conductivity and excellent transparency, transmittance, hardness, and the like can be obtained.

또한 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(이차 입자)의 표면 처리에 대해서는 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자의 제조 과정에서 상기식 (1)에서 나타낸 유기 규소 화합물을 가수분해하여 사용하고 있으며, 도전성 무기 산화물 미립자(일차 입자)의 연결과 함께 표면 처리된다.
In addition, about the surface treatment of chain-shaped conductive inorganic oxide microparticles | fine-particles (secondary particle), the organosilicon compound shown by said Formula (1) is hydrolyzed and used in the manufacturing process of chain | strand-shaped conductive inorganic oxide microparticles | fine-particles, and conductive inorganic oxide microparticles | fine-particles (primary Surface) with the connection of particles).

매트릭스 형성 성분Matrix forming components

매트릭스 형성 성분으로서는 알킬렌 옥사이드 변성 아크릴계 수지 (A)가 매우 적절하게 이용된다.
As a matrix formation component, alkylene oxide modified acrylic resin (A) is used suitably.

알킬렌 옥사이드 변성 아크릴계 수지(A)로서는 에틸렌 옥사이드 변성 아크릴 수지, 프로필렌 옥사이드 변성 아크릴계 수지 등을 들 수 있다.
As alkylene oxide modified acrylic resin (A), ethylene oxide modified acrylic resin, propylene oxide modified acrylic resin, etc. are mentioned.

이러한 알킬렌 옥사이드 변성 아크릴계 수지(A)를 이용하면 후술하는 분산매가 케톤계의 분산매인 경우 상기 표면 처리한 도전성 무기 산화물 미립자(일차 입자)를 이용했을 경우에도 수득되는 투명 피막 중에서 사슬상 구조를 취하는 것과 동시에 고분산 되어, 도전성 무기 산화물 미립자의 사용량이 적어도 도전성이 우수한 투명 피막을 수득할 수 있다. 특히 에틸렌 옥사이드 변성 아크릴 수지는 이러한 점에 있어서 우수하다. 또한 매트릭스 형성 성분은 이러한 아크릴 수지의 중합 반응 전의 것을 말한다.
When such an alkylene oxide-modified acrylic resin (A) is used, when the dispersion medium described later is a ketone-based dispersion medium, even when the surface-treated conductive inorganic oxide fine particles (primary particles) are used, a chain structure is obtained in the transparent film obtained. At the same time, it is highly dispersed, and a transparent film having excellent conductivity at least in the amount of the conductive inorganic oxide fine particles can be obtained. In particular, ethylene oxide modified acrylic resin is excellent in this respect. In addition, a matrix formation component says the thing before the polymerization reaction of such an acrylic resin.

본 발명에서는 상기 알킬렌 옥사이드 변성 아크릴계 수지(A)에 가하여 비변성 아크릴계 수지(B)를 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같이 비변성 아크릴 수지(B)를 사용하는 것으로 수득되는 투명 피막의 강도, 경도, 내찰상성을 향상시킬 수 있다.
In this invention, it is preferable to add an unmodified acrylic resin (B) to the said alkylene oxide modified acrylic resin (A). Thus, the intensity | strength, hardness, and abrasion resistance of the transparent film obtained by using an unmodified acrylic resin (B) can be improved.

비변성 아크릴계 수지(B)로서는 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 트리메틸롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 디트리메틸로프로판테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 이소데실메타크릴레이트, n-라우릴아크릴레이트, n-스테아릴아크릴레이트, 1,6-헥산디올디메타크릴레이트, 퍼플루오르옥틸에틸메타크릴레이트, 트리플루오르에틸메타크릴레이트, 우레탄아크릴레이트 등 및 이들이 혼합물을 들 수 있다.
Examples of the non-modified acrylic resin (B) are pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ditrimethyllopropane tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and methyl methacrylate. Acrylate, ethyl methacrylate, butyl methacrylate, isobutyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, isodecyl methacrylate, n-lauryl acrylate, n-stearyl acrylate, 1,6 Hexanediol dimethacrylate, perfluorooctylethyl methacrylate, trifluoroethyl methacrylate, urethane acrylate and the like and mixtures thereof.

비 변성 아크릴계 수지(B)를 포함하는 경우, 비변성 아크릴계 수지(B)와 알킬렌 옥사이드 변성 아크릴계 수지(A)와의 고형분으로서 중량비((B):(A))가 0:95?50:50, 바람직하게는 5:95?40:60의 범위에 있는 것이 바람직하다.
When non-modified acrylic resin (B) is included, the weight ratio ((B) :( A)) is 0:95 to 50:50 as a solid content of the unmodified acrylic resin (B) and the alkylene oxide modified acrylic resin (A). Preferably, it exists in the range of 5: 95-40: 60.

비변성 아크릴계 수지(B)가 적으면 비변성 아크릴계 수지(B)를 이용하는 효과, 즉 수득되는 투명 피막의 강도, 경도, 내찰상성을 향상시키는 효과가 불충해지며 너무 많아도 도전성 무기 산화물 미립자가 사슬 형상화되는 경향이 작아지며, 또 도전성 무기 산화물 미립자 또는 도전성 무기 산화물 미립자의 적은 사용량으로는 도전성을 향상시키는 효과를 충분히 얻을 수 없는 경우가 있다.
When there is little unmodified acrylic resin (B), the effect of using an unmodified acrylic resin (B), ie, the effect of improving the strength, hardness, and abrasion resistance of the obtained transparent film, becomes inadequate, and even if too many, the conductive inorganic oxide fine particles form a chain. The tendency to become small becomes small, and the effect which improves electroconductivity may not fully be acquired by the small usage amount of electroconductive inorganic oxide fine particles or electroconductive inorganic oxide fine particles.

투명 피막 형성용 도포액 중의 매트릭스 형성 성분의 농도는 고형분으로서 0.1?59.4 질량%, 바람직하게는 0.2?47.8 질량%의 범위에 있는 것이 바람직하다.
The concentration of the matrix forming component in the coating liquid for forming a transparent film is preferably 0.1 to 59.4 mass%, preferably 0.2 to 47.8 mass%, as a solid content.

투명 피막 형성용 도포액 중의 매트릭스 형성 성분의 농도가 적으면 도전성 무기 산화물 미립자가 사슬 형상화되는 경향이 작아지며, 또 도전성 무기 산화물 미립자 또는 도전성 무기 산화물 미립자의 적은 사용량으로는 도전성을 향상시키는 효과를 충분히 얻을 수 없는 경우가 있다. 또 매트릭스 형성 성분이 적어짐으로 수득되는 투명 피막의 내찰상성, 기재와의 밀찰성이 불충분해지는 경우가 있다.
When the concentration of the matrix-forming component in the coating liquid for forming a transparent film is small, the tendency for the conductive inorganic oxide fine particles to be chain-shaped becomes small, and the effect of improving the conductivity is sufficiently achieved with a small amount of the conductive inorganic oxide fine particles or the conductive inorganic oxide fine particles. You may not get it. Moreover, the scratch resistance of the transparent film obtained by decreasing the matrix formation component and the lubricity with a base material may become inadequate.

투명 피막 형성용 도포액 중의 매트릭스 형성 성분이 너무 많아도 도전성 무기 산화물 미립자가 적어지기 때문에 도전성이 불충분해지며 수득되는 투명 피막부기재의 대전방지 성능이 불충분해지는 경우가 있으며 또한 내찰상성, 기재와의 밀착성이 불충분해지는 경우가 있다.
Even if there are too many matrix forming components in the coating liquid for forming a transparent film, the conductive inorganic oxide fine particles are reduced, so that the conductivity is insufficient, and the antistatic performance of the obtained transparent film base material may be insufficient, and also scratch resistance and adhesion to the substrate. This may become insufficient.

분산매Dispersion

본 발명에 이용하는 분산매로서는 케톤류가 매우 적절하게 이용된다.
Ketones are used suitably as a dispersion medium used for this invention.

구체적으로는 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 부틸메틸케톤, 시클로헥산올, 메틸시클로헥산올, 디프로필케톤, 메틸펜틸케톤, 디이소부틸케톤, 이소포론, 아세틸아세톤, 아세트초산에스테르 등의 케톤류 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
Specifically, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, butyl methyl ketone, cyclohexanol, methylcyclohexanol, dipropyl ketone, methyl pentyl ketone, diisobutyl ketone, isophorone, acetylacetone, acetic acid ester, etc. Ketones and mixtures thereof.

그 중에서도 특히 아세톤, 메틸에틸케톤 및 이들의 혼합물이 바람직하다.
Among them, acetone, methyl ethyl ketone and mixtures thereof are particularly preferable.

분산매에는 케톤류 이외의 분산매를 포함하여도 되고 케톤류 이외의 분산매로서는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 2-프로판올(IPA), 부탄올, 디아세톤알코올, 푸르푸릴 알코올(furfuryl alcohol), 테트라히드로푸르푸릴알코올, 에틸렌글리콜, 헥실렌글리콜, 이소프로필렌글리콜 등의 알코올류; 초산메틸에스테르, 초산에틸에스테르, 초산부틸 등의 에스테르류; 디에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜이소프로필에테르, 디에틸레글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸렌에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 에테르류; 톨루엔, 크실렌 등 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
The dispersion medium may contain a dispersion medium other than ketones, and examples of the dispersion medium other than ketones include methanol, ethanol, propanol, 2-propanol (IPA), butanol, diacetone alcohol, furfuryl alcohol, tetrahydrofurfuryl alcohol, and ethylene. Alcohols such as glycol, hexylene glycol and isopropylene glycol; Esters such as methyl acetate, ethyl acetate and butyl acetate; Diethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol isopropyl ether, diethyl glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethylene ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene Ethers such as glycol monoethyl ether; Toluene, xylene and the like and mixtures thereof.

이러한 혼합 분산매를 상기 알콕시 변성 아크릴계 수지(A)와 함께 이용하면 도전성 산화물 미립자(일차 입자)를 이용한 경우, 투명 피막 형성시에 도전성 산화물 미립자(일차 입자)가 사슬 형상화되는 경향이 있으며 또한 사슬상 도전성 산화물 미립자가 서로 응집하는 경우 없이 고분산 됨으로 도전성이 향상되며, 적은 도전성 산화물 미립자를 이용하여도 도전성, 투명성, 투과율, 경도가 우수하며, 간섭무늬가 억제된 투명 피막을 수득할 수 있다.
When such a mixed dispersion medium is used together with the alkoxy-modified acrylic resin (A), when the conductive oxide fine particles (primary particles) are used, the conductive oxide fine particles (primary particles) tend to be chain-shaped at the time of forming the transparent film, and also the chain conductivity It is possible to obtain a transparent film having excellent conductivity, transparency, transmittance, and hardness, and suppressing interference fringes, even when a small amount of conductive oxide particles is used, because oxide fine particles are highly dispersed without agglomeration with each other.

분산매 중의 케톤류의 비율은 30 질량% 이상, 바람직하게는 40 질량% 이상인 것이 바람직하다. 케톤류의 비율이 적으면 투명 피막시에 도전성 산화물 미립자가 사슬 형상화되지 않는 경우가 있으며, 또한 사슬상 도전성 산화물 미립자가 서로 응집하는 경우가 있으며 투명 피막 중에서 사슬 형상화 도전성 산화물 미립자가 고분산 된 투평 피막이 수득되지 않는 경우가 있다. 또 기재가 TAC인 경우 케톤류가 도포액에 포함되면 TAC의 표면이 팽윤 또는 용해하여 투명 피막 성분과 서로 진입하여 경계의 광학 계면이 불선명해지기 때문인지 간섭 무늬를 억제할 수 있는 경우가 있지만 케톤류의 비율이 적으면 이와 같은 간섭 무늬를 억제하는 효과를 얻을 수 없는 경우가 있다.
The ratio of ketones in the dispersion medium is 30 mass% or more, preferably 40 mass% or more. When the ratio of ketones is small, the conductive oxide fine particles may not be chain-shaped at the time of the transparent coating, and the chain conductive oxide fine particles may agglomerate with each other, and a transparent film obtained by highly dispersing the chain-shaped conductive oxide fine particles in the transparent coating is obtained. There may not be. In the case where the base material is TAC, if ketones are included in the coating liquid, interference patterns may be suppressed because the surface of the TAC swells or dissolves and enters the transparent coating component and the interface becomes unclear. If the ratio is small, the effect of suppressing such interference fringe may not be obtained.

또 상기한 분산매를 이용하면 기재에 TAC 필름을 이용했을 경우 특히 간섭 무늬가 억제된 투명 피막을 수득할 수 있다.In addition, when the above-described dispersion medium is used, in the case where a TAC film is used as the substrate, a transparent film in which interference fringes are suppressed can be obtained.

 

투명막 형성용 도포액의 농도는 전체 고형분으로서 1?60 질량%, 바람직하게는 2?40 질량%의 범위에 있는 것이 바람직하다.
It is preferable that the density | concentration of the coating liquid for transparent film formation is 1-60 mass% as a total solid, Preferably it exists in the range of 2-40 mass%.

투명 피막 형성용 도포액의 전체 고형분 농도가 너무 낮으면 도전성 산화물 미립자가 사슬 형상화되는 경향이 없어져서 도전성을 향상시키는 효과를 얻을 수 없는 경우가 있고, 1회의 도포로 두꺼운 막의 투명 도전성 피막을 수득하는 것이 곤란해지는 경우가 있으며 반복 도포, 건조를 반복하면 막의 강도가 저하되거나 경제성이 저하되는 문제가 있다.
When the total solid concentration of the coating liquid for forming a transparent film is too low, the conductive oxide fine particles may not tend to be chain-shaped, so that the effect of improving conductivity may not be obtained, and to obtain a transparent conductive film of a thick film by one application may be obtained. It may be difficult, and there is a problem that the strength of the film is lowered or the economic efficiency is lowered if the repeated coating and drying are repeated.

또 전체 고형분 농도가 너무 많아도 도포액의 점도가 높아지고 도포성이 저하되거나 상기 도전성 산화물 미립자가 사슬 형상화된 입자나 사슬 형상화 도전성 산화물 미립자가 응집하는 경향이 있고 충분한 도전성을 얻을 수 없는 경우가 있으며, 또한 수득되는 투명 피막의 헤이즈가 높아지거나 내찰상성이 불충분해지는 경우가 있다.
In addition, even if the total solid concentration is too high, the viscosity of the coating liquid may be high and the coating property may be deteriorated, or the conductive oxide fine particles may tend to aggregate the chain-shaped particles or the chain-shaped conductive oxide fine particles, and sufficient conductivity may not be obtained. The haze of the obtained transparent film may become high or scratch resistance may become inadequate.

이러한 도포액을 디핑법, 스프레이법, 스피나법, 그라비아 코팅법, 롤 코팅법 등의 주지의 벙법으로 상기의 기재에 도포, 건조, 가열처리, 자외선 등에 의해 경화된 것에 의해서 투명 피막을 형성할 수 있다. 이러한 가열?자외선 조사 등에 의해서 매트릭스 형성 성분이 중합하여 경화된다.
Such a coating liquid can be formed by coating, drying, heat treatment, ultraviolet light, or the like on the base material by a known method such as dipping method, spray method, spina method, gravure coating method or roll coating method to form a transparent film. have. The matrix forming component is polymerized and cured by such heating and ultraviolet irradiation.

이어서 본 발명에 관한 투명 피막부기재에 대해서 설명한다.
Next, the transparent film base material which concerns on this invention is demonstrated.

투명 피막부기재Transparent film base material

본 발명에 관한 투명 피막부기재는 기재와 기재 표면에 형성된 투명 피막을 포함하다.
The transparent coating part base material which concerns on this invention contains a base material and the transparent film formed in the surface of a base material.

기재materials

본 발명에 이용하는 기재로서는 종래 공지의 글라스, 폴리카보네이트, 아크릴 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 트리아세틸셀룰로오스(TAC) 등의 플라스틱 시트, 플라스틱 필름 등, 플라스틱 패널 등을 이용할 수 있다.
As a base material used for this invention, plastic panels, such as plastic sheet, plastic film, etc. which are conventionally well-known glass, polycarbonate, an acrylic resin, polyethylene terephthalate (PET), triacetyl cellulose (TAC), etc. can be used.

그 중에서도 TAC, 폴리카보네이트, 아크릴 수지 기재 등이 매우 적합하게 이용된다. 특히 TAC는 본 발명의 투명 피막 형성용 도포액의 분산매에 케톤류를 이용하기 위해 TAC 기재가 팽윤 또는 용해하여 TAC와 투명 피막 성분이 서로 진입하여 경계에 있어서의 광학계면이 불선명해지거나 굴절률이 경사를 지니게 되기 때문인지 간섭무늬를 억제할 수 있으므로 바람직하다.
Especially, TAC, a polycarbonate, an acrylic resin base material etc. are used suitably. In particular, in order to use ketones in the dispersion medium of the coating liquid for forming a transparent film of the present invention, the TAC swells or dissolves the TAC base material so that the TAC and the transparent film component enter each other, resulting in an unclear optical interface or inclination of the refractive index. It is preferable because the interference fringes can be suppressed because they have a.

본 발명에 이용하는 기재의 굴절률(NS)은 1.49?1.59, 바람직하게는 1.49?1.56, 특히 1.49?1.52의 범위에 있는 것이 바람직하다.
The refractive index N S of the base material used for this invention is 1.49-1.59, Preferably it is 1.49-1.65, It is preferable to exist in the range of 1.49-1.52 especially.

기재의 굴절률(NS)이 상기 범위에 없는 경우는 투명 피막의 굴절률의 조절이 곤란하고 기재의 굴절률(NS)과의 굴절률 차이를 0.2 이하로 하지 못하고 간섭 무늬를 억제할 수 없는 경우가 있다.
If the refractive index N S of the substrate is not in the above range, it may be difficult to control the refractive index of the transparent film, and the difference in refractive index with the refractive index N S of the substrate may not be 0.2 or less, and the interference fringe may not be suppressed. .

투명 피막Transparent film

투명 피막은 도전성 무기 산화물 미립자로 매트릭스 성분을 포함한다.
The transparent film contains a matrix component as conductive inorganic oxide fine particles.

도전성 무기 산화물 미립자Conductive inorganic oxide fine particles

투명 피막 중에서는 상기 도포액에 이용되고 있는 표면 처리된 도전성 무기 산화물 미립자가 사슬상 구조를 취하는 것과 동시에 고분산 되어 있다.
In the transparent coating, the surface-treated conductive inorganic oxide fine particles used in the coating liquid take a chain structure and are highly dispersed.

또한 상기의 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자는 도포액 중의 상기 일차 입자가 피막 형성 과정에서 연결된 것 이미 연결된 입자, 또 이미 연결되어 있던 입자끼리 또는 일차 입자와 연결된 것을 말한다.
In addition, the said chain | strand electroconductive inorganic oxide microparticles | fine-particles mean that the said primary particle in the coating liquid was connected in the film formation process, the particle which was already connected, and the particle | grains which were already connected, or connected with primary particle.

여기서 「고분산」이란 도전성 무기 산화물 미립자의 함유량에 따라서도 다르지만 상기 도전성 산화물 미립자가 사슬 형상화된 입자, 사슬 형상화 도전성 산화물 미립자가 서로 교락(交絡)되거나 응집하여 편재하는 일 없이 투명 피막 중에서 사슬상 구조를 육안으로 확인할 수 있도록 고분산 된 상태에 있는 것을 의미하다. 또한 사슬상 입자끼리는 더 연결되기도 한다.
Here, the term "high dispersion" also varies depending on the content of the conductive inorganic oxide fine particles, but the chain-like structure in the transparent coating without the particles having the chain-shaped conductive oxide particles and the chain-shaped conductive oxide fine particles interlocked or agglomerated and localized. This means that it is in a highly dispersed state so that it can be seen with the naked eye. In addition, the chain particles may be further connected.

투명 피막 중에서의 도전성 무기 산화물 미립자의 연결수는 통상 연결수는 3이상, 바람직하게는 5 이상, 특히 10 이상인 것이 바람직하다.
The number of connections of the conductive inorganic oxide fine particles in the transparent coating is usually 3 or more, preferably 5 or more, particularly 10 or more.

사슬상 도전성 무기 산화물 미립자의 연결수가 적으면 도전성의 향상 효과를 충분히 얻을 수 없다. 또 미리 사슬상 입자를 사용한 경우, 연결수가 더욱 많아지는 경우, 또는 단분산 입자와 사슬상 입자가 연결되기도 한다.
When the number of chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles is small, the effect of improving the conductivity cannot be sufficiently obtained. In addition, when chain particles are used in advance, the number of connections increases, or the monodisperse particles and the chain particles may be connected.

본 발명의 투명 피막중에서 사슬 형상화 도전성 산화물 미립자가 고분산 되는 이유에 대해서는 분명하지 않지만, 상기한 것처럼 본 발명에 이용하는 특정 분산매, 특정 수지 및 상기 도포액의 농도가 기여하고 있다고 생각할 수 있다.
Although it is not clear why the chain-shaped electroconductive oxide fine particles disperse | distribute in the transparent film of this invention, it can be considered that the density | concentration of the specific dispersion medium, specific resin, and the said coating liquid used for this invention contributed as mentioned above.

또 투명 피막 중의 도전성 무기 산화물 미립자의 함유량은 고형분으로서 1?12 질량%, 바람직하게는 1?10 질량%의 범위에 있다.
Moreover, content of the electroconductive inorganic oxide fine particle in a transparent film is 1-12 mass% as solid content, Preferably it exists in the range of 1-10 mass%.

투명 피막 중의 도전성 무기 산화물 미립자가 너무 적으면, 상기 사슬 형상화된 도전성 미립자가 고분산 되었더라도 도전성이 불충분해지는 경우가 있다. 도전성 무기 산화물 미립자가 너무 많아도 도전성은 향상하지만 ATO, PTO 등 무기 산화물에서 유래하는 착색이 확인되거나 전체 광선 투과율이 불충분해지거나 굴절률이 높아져서 기재에 따라서는 간섭 무늬가 생기는 경우가 있다.
When there are too few electroconductive inorganic oxide microparticles | fine-particles in a transparent film, even if the said chain-shaped electroconductive fine particles are highly dispersed, electroconductivity may become inadequate. Even if there are too many conductive inorganic oxide fine particles, electroconductivity improves, but coloring derived from inorganic oxides, such as ATO and PTO, is confirmed, the total light transmittance becomes inadequate, or refractive index becomes high, and an interference fringe may arise depending on a base material.

매트릭스 성분Matrix components

매트릭스 성분으로서는 상기한 알킬렌 옥사이드 변성 아크릴계 수지(A)가 경화된 수지가 바람직하다. 또 이러한 알킬렌 옥사이드 변성 아크릴계 수지(A)와 함께 비변성 아크릴계 수지(B)가 포함되어도 괜찮다.
As a matrix component, resin in which said alkylene oxide modified acrylic resin (A) was hardened is preferable. Moreover, a non-modified acrylic resin (B) may be included with such alkylene oxide modified acrylic resin (A).

비변성 아크릴계 수지(B)와 알콕시 변성 아크릴계 수지(A)를 함께 사용하는 경우, 상기 매트릭스 형성 성분과 동일하게 중량비((B):(A))가 0:95?50:50, 바람직하게는 5:95?40:60의 범위에 있는 것이 바람직하다.
When using unmodified acrylic resin (B) and alkoxy modified acrylic resin (A) together, the weight ratio ((B) :( A)) is 0: 95-50: 50 like the said matrix formation component, Preferably, It is preferable to exist in the range of 5: 95-40: 60.

투명 피막 중의 매트릭스 성분의 함유량은 고형분으로서 88?99 질량%, 바람직하게는 90?99 질량%의 범위에 있는 것이 바람직하다.
Content of the matrix component in a transparent film is 88-99 mass% as solid content, Preferably it exists in the range of 90-99 mass%.

투명 피막 중의 매트릭스 성분이 적으면 상기 도전성 무기 산화물 미립자가 상대적으로 많아지며 착색의 문제가 발생하는 경우가 있다. 투명 피막 중의 매트릭스 성분이 너무 많아도, 도전성 무기 산화물 미립자가 적어짐으로 도전성이 불충분해지며 대전 방지 성능이 불충분해지는 경우가 있다.
When there is little matrix component in a transparent film, the said electroconductive inorganic oxide microparticles | fine-particles will become relatively large and a problem of coloring may arise. Even if there are too many matrix components in a transparent film, electroconductivity may become inadequate and antistatic performance may become inadequate because there are few electroconductive inorganic oxide fine particles.

기재의 굴절률(NS)과 전기 투명 피막의 굴절률(NH)과의 차이가 0.02 이하, 바람직하게는 0.01 이하이다.
The difference between the refractive index N S of the substrate and the refractive index N H of the electrically transparent film is 0.02 or less, preferably 0.01 or less.

상기 굴절률 차이가 0.02를 넘으면 선명한 간섭 무늬를 일으켜 외관상의 문제가 되거나 표시장치에 이용하는 경우는 화상의 명확성이 저하되는 경우가 있다.
If the difference in refractive index is more than 0.02, a sharp interference fringe may cause a problem in appearance, or the clarity of an image may be degraded when used in a display device.

본 발명에서는 투명 피막의 굴절률(NH)이 1.49?1.59, 바람직하게는 1.49?1.56, 특히 1.49?1.52의 범위에 있는 것이 바람직하다.
In the present invention, the refractive index (N H ) of the transparent coating is preferably in the range of 1.49 to 1.59, preferably 1.49 to 1.56, particularly 1.49 to 1.52.

투명 피막의 굴절률(NH)이 상기 범위에 없는 경우는 사용하는 기재의 굴절률(NS)과의 굴절률 차이 0.02 보다 커지는 경우가 있으며 간섭 무늬를 일으키는 경우가 있다.
When the refractive index N H of a transparent film is not in the said range, the difference in refractive index with the refractive index N S of the base material used may be larger than 0.02, and an interference fringe may be produced.

투명 피막의 표면 저항치는 108?1011Ω/□, 바람직하게는 108?1010Ω/□의 범위에 있다.
A surface resistance of the transparent film 10 is 8? Is the 10 11 Ω / □, preferably 10 8? 10 in the 10 Ω / □ range.

투명 피막의 표면 저항치가 너무 낮으면, 상기 도전성 무기 산화물 미립자의 함유량을 12 질량% 이상으로 할 필요가 있으며 이 경우 착색의 문제가 생기는 경우가 있다.
When the surface resistance of a transparent film is too low, it is necessary to make content of the said electroconductive inorganic oxide fine particle 12 mass% or more, and a coloring problem may arise in this case.

투명 피막의 표면 저항치가 너무 크면 대전 방지 성능이 불충분해지는 경우가 있다.
If the surface resistance of a transparent film is too large, antistatic performance may become inadequate.

투명 피막의 헤이즈가 0.3% 이하, 바람직하게는 0.2% 이하이다. 헤이즈가 높은 것은 투명성이 불충분해지며 원하는 광학 특성, 예를 들면, 콘트라스트, 명확성을 얻을 수 없는 경우가 있다.
The haze of a transparent film is 0.3% or less, Preferably it is 0.2% or less. High haze may result in insufficient transparency and inability to obtain desired optical properties such as contrast and clarity.

또 투명 피막의 전체 광선 투과율은 90% 이상, 바람직하게는 92% 이상이다.
Moreover, the total light transmittance of a transparent film is 90% or more, Preferably it is 92% or more.

전체 광선 투과율이 낮으면 상기의 원하는 광학 특성을 얻을 수 없을 뿐만 아니라, 착색되어 전체 광선 투과율이 낮은 경우에는 광학 부재의 설계나 의장성에 악영향을 주는 경우가 있다.
When the total light transmittance is low, not only the desired optical characteristics cannot be obtained, but when the colored light is low, the design and design of the optical member may be adversely affected.

투명 피막의 막 두께는 1?20㎛, 바람직하게는 4?15㎛의 범위에 있는 것이 바람직하다.
The film thickness of a transparent film is 1-20 micrometers, It is preferable to exist in the range of 4-15 micrometers preferably.

투명 피막의 막 두께가 너무 얇으면 충분한 경도, 내찰상성을 얻을 수 없는 경우가 있으며 투명 피막의 막 두께가 너무 두꺼워도 막이 두껍기 때문에 착색이 조장되거나 투과율이 불충분해지는 경우가 있다.
If the film thickness of the transparent film is too thin, sufficient hardness and scratch resistance may not be obtained, and even if the film thickness of the transparent film is too thick, the film is thick, so that coloring may be promoted or the transmittance may be insufficient.

본 발명에서는 상기 투명 피막 위에 투명 피막의 굴절률보다 낮은 굴절률을 지니는 투명 피막을 반사 방지막으로서 형성할 수 있다. 반사 방지막으로서는 종래 공지의 반사 방지막을 형성할 수 있으며, 예를 들면 본원 출원인의 출원에 의한 특개 2006-339113호 공보에 개시한 반사 방지막 형성용 도포액, 반사 방지막을 매우 적합하게 이용할 수 있다.
In the present invention, a transparent film having a refractive index lower than the refractive index of the transparent film can be formed on the transparent film as an antireflection film. As the antireflection film, a conventionally known antireflection film can be formed. For example, the coating liquid for antireflection film formation and the antireflection film disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-339113 by the applicant of the present applicant can be suitably used.

[실시예]
EXAMPLE

이하 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이러한 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

[실시예 1]Example 1

사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액의 제조Production of Chain Conductive Inorganic Oxide Fine Particles (1)

 주석산칼륨 130 g와 주석산 안티모닐칼륨 30 g를 순수한 물 400 g에 용해한 혼합 용액을 제조하였다. 이 제조한 용액에 12시간 걸쳐 60℃, 교반하의 질산암모늄 1.0 g를 용해하고, 수산화 칼륨을 이용하여 pH 10.5에 제조한 순수한 물 1000 g중에 첨가하여 가수분해를 실시하였다. 이때 pH 10.5로 유지하기 위해 10% 초산 용액을 동시에 첨가하였다. 생성한 침전물을 여과하여 분리, 세정한 후, 다시 물에 분산시켜 고형분 농도 20 질량%의 금속 산화물 전구체 수산화물 분산액을 제조하였다.
A mixed solution was prepared in which 130 g of potassium stannate and 30 g of antimonyl potassium stannate were dissolved in 400 g of pure water. 1.0 g of ammonium nitrate was dissolved in this solution over 60 hours at 60 ° C. under stirring, and then added to 1000 g of pure water prepared at pH 10.5 using potassium hydroxide for hydrolysis. At this time a 10% acetic acid solution was added to the copper to maintain a pH of 10.5. The resulting precipitate was isolated by filtration, washed, and then dispersed in water to prepare a metal oxide precursor hydroxide dispersion having a solid concentration of 20% by mass.

이 분산액을 온도 100℃에서 분무 건조하여 금속 산화물 전구체 수산화물 분체를 제조하였다.
This dispersion was spray dried at a temperature of 100 ° C. to prepare a metal oxide precursor hydroxide powder.

이 분체를 공기 분위기하 550℃에서 2시간 가열 처리하는 것으로써 Sb 도핑 산화 주석(ATO) 분말을 수득하였다.
Sb-doped tin oxide (ATO) powder was obtained by heat-processing this powder at 550 degreeC for 2 hours in air atmosphere.

이 분말 60 g를 농도 4.3 질량%의 수산화 칼륨 수용액 140 g에 분산시켜 분산액을 30℃으로 유지하면서 샌드 밀로 3시간 분쇄하여 졸을 제조하였다.
60 g of this powder was dispersed in 140 g of a 4.3% by mass aqueous potassium hydroxide solution, and pulverized with a sand mill for 3 hours while maintaining the dispersion at 30 ° C.

다음에 이 졸에 순수한 물을 첨가하여 농도 8 질량%에 희석하였다. 이 졸의 pH는 5.2이었다. 이어서 이 졸을 음이온 교환 수지(미츠비시 화학 (주) 제;다이어 이온 SANUPC)에서 처리하고, pH 5.5로 하였다. 다음에 200℃에서 24시간 수 열처리 하였다. 이어서 음이온 교환 수지(미츠비시 화학 (주) 제;다이어 이온 SANUPC)에서 처리한 후, 양이온 교환 수지(미츠비시 화학 (주) 제;다이어 이온 SK1BH)에서 처리하여 pH 2.7, 농도 8 질량%의 졸을 수득하였다. 이것을 한외여과막에서 농축하여 고형분 농도 20 질량%의 Sb 도핑 산화 주석 입자로부터 제조되는 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액을 제조하였다. 도전성 무기 산화물 미립자(1)의 평균 입경은 8 nm이었다.
Pure water was then added to this sol and diluted to 8 mass% in concentration. The pH of this sol was 5.2. Subsequently, this sol was processed by anion exchange resin (made by Mitsubishi Chemical Corporation; diamond ion SANUPC), and it was set to pH 5.5. Next, water heat treatment was performed at 200 ° C. for 24 hours. Subsequently, the mixture was treated with an anion exchange resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; diamond ion SANUPC) and then treated with a cation exchange resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; diamond ion SK1BH) to obtain a sol having a pH of 2.7 and a concentration of 8 mass%. It was. This was concentrated in an ultrafiltration membrane to prepare a conductive inorganic oxide fine particle (1) dispersion prepared from Sb-doped tin oxide particles having a solid concentration of 20% by mass. The average particle diameter of the conductive inorganic oxide fine particles 1 was 8 nm.

그 다음에 농도 20 질량%의 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액 100 g를 25℃에 조정하여 테트라에톡시실란(타마 화학 (주) 제:정규산 에틸, SiO2 농도 28.8 질량%) 5.2 g를 3분 정도 첨가한 후, 30분 교반을 실시하였다. 그 후 에탄올 100 g를 1분에 걸쳐서 첨가하고 50℃로 30분간 정도 온도상승, 15시간 과열 처리를 실시하였다. 이 때의 고형분 농도는 10 질량%이었다.
Next, 100 g of the conductive inorganic oxide fine particles (1) dispersion liquid having a concentration of 20% by mass was adjusted to 25 ° C, and 5.2g of tetraethoxysilane (manufactured by Tama Chemical Co., Ltd.: ethyl silicate and SiO 2 concentration 28.8% by mass) was obtained. After adding about 3 minutes, it stirred for 30 minutes. Thereafter, 100 g of ethanol was added over 1 minute, and the temperature was increased at 50 ° C. for about 30 minutes, and the superheat treatment was performed for 15 hours. Solid content concentration at this time was 10 mass%.

그 다음에 한외여과막에서 분산매의 물, 에탄올을 에탄올에 용매 치환하여 고형분 농도 20 질량%의 유기 규소 화합물로 사슬상화 및 표면 처리한 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액을 제조하였다. 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(1)를 구성하는 일차 입자의 평균 연결수는 10개이었다. 또 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(1)의 굴절률은 1.75이었다.
Subsequently, in the ultrafiltration membrane, water and ethanol of the dispersion medium were solvent-substituted in ethanol to prepare a chain-conductive inorganic oxide fine particle (1) dispersion liquid chain-shaped and surface-treated with an organosilicon compound having a solid concentration of 20% by mass. The average connection number of the primary particle which comprises the chain | strand electroconductive inorganic oxide fine particle 1 was ten pieces. In addition, the refractive index of the chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles 1 was 1.75.

투명 피막 형성용 도포액(1)의 제조Preparation of the coating liquid 1 for transparent film formation

고형분 농도 20 질량%의 표면 처리한 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액 100 g와 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(공영사 화학 (주) 제:라이트 아크릴레이트 TMP-3EO-A, 수지 농도 100 질량%) 480 g에 광 개시제(치바스페샤리티(주) 제:Irgacure 184) 38.4 g 및 케톤계 용매로서 아세톤을 658 g, 메틸에틸케톤 160 g를 충분히 혼합하여 고형분 농도 40 질량%의 투명 피막 형성용 도포액(1)을 제조하였다.
100 g of chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles (1) dispersion liquid and surface treatment of solid content concentration 20 mass% and ethylene oxide modified acrylic resin (manufactured by Kogyo Chemical Co., Ltd.): Light acrylate TMP-3EO-A, resin concentration 100 mass% ) 480 g of 38.4 g of a photoinitiator (Ciba Special Co., Ltd. make: Irgacure 184) and 658 g of acetone and 160 g of methyl ethyl ketone as a ketone solvent are sufficiently mixed to form a transparent film having a solid concentration of 40% by mass. The coating liquid 1 was prepared.

투명 피막부기재(1)의 제조Preparation of the transparent film base material (1)

투명 피막 형성용 도포액(1)을 TAC 필름(파낙(주) 제:FT-PB80UL-M, 두께:80㎛, 굴절률:1.5)에 바 코터법(바#10)으로 도포하여 80℃에서 120초간 건조한 후, 300 mJ/cm2의 자외선을 조사하여 경화시켜 투명 피막부기재(1)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 5㎛이었다.
The coating liquid 1 for transparent film formation was apply | coated to TAC film (Fanak Co., Ltd. make: FT-PB80UL-M, thickness: 80 micrometers, refractive index: 1.5) by the bar coater method (bar 10), and it is 120 at 80 degreeC. After drying for a second, 300 mJ / cm 2 of ultraviolet light was irradiated and cured to prepare a transparent film base material (1). The film thickness of the transparent film was 5 micrometers.

이 투명 피막부기재(1)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 피막의 굴절률, 표면 저항 값, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태 및 내찰상성을 표에 나타낸다. 전체 광선 투과율 및 헤이즈는 헤이즈메이타(스가시험기(주) 제)에 의해 반사율은 분광 광도계(일본 분광사, Ubest-55)에 의해 각각 측정하였다. 표면 저항 값은 표면 저항계(미츠비시 화학(주) 제:하이레스타)로 측정하였다.
The total light transmittance, the haze, the refractive index of the film, the surface resistance value, the adhesion, the pencil hardness, the coloring, the interference fringe, the dispersion state of the chain-shaped particles, and the scratch resistance of the transparent coating part base material 1 are shown in the table. The total light transmittance and the haze were measured by a haze meter (manufactured by Suga Tester Co., Ltd.) and the reflectance was measured by a spectrophotometer (Japanese spectrometer, Ubest-55). The surface resistance value was measured by the surface ohmmeter (Mitsubishi Chemical Corporation make: Highstar).

또한 미도포 TAC 필름은 전체 광선 투과율이 93.2%, 헤이즈가 0.2%, 파장 550 nm의 광선의 반사율이 6.0%이었다.
In addition, the uncoated TAC film had a total light transmittance of 93.2%, a haze of 0.2%, and a reflectance of the light having a wavelength of 550 nm of 6.0%.

또 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태 및 내찰상성은 이하의 방법 및 평가 기준으로 평가하여 결과를 표에 나타냈다. 또한 사슬상 입자의 분산 상태를 평가했을 때의 주사형 전자현미경 사진을 도 1에 나타냈다.
Moreover, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion | distribution state, and abrasion resistance of chain-shaped particle were evaluated by the following method and evaluation criteria, and the result was shown in the table | surface. In addition, the scanning electron microscope photograph at the time of evaluating the dispersion state of chain form particle | grains is shown in FIG.

굴절률Refractive index

투명 피막 형성용 도포액(1)을 실리콘 웨이퍼 위에 도포, 건조, 경화하여 투명 피막을 형성하여 투명 피막의 굴절률을 에리프소메이타(ULVAC 사제, EMS1)로 측정하였다.
The coating liquid 1 for transparent film formation was apply | coated, dried, and hardened | cured on a silicon wafer, the transparent film was formed, and the refractive index of the transparent film was measured with the lipsomator (EMS1 made from ULVAC).

착색coloring

투명 피막부기재(1)에 형광등 빛을 쬐어 육안으로 투과에 의한 착색의 유무를 관찰하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Fluorescent lamp light was applied to the transparent coating part base material 1, and the presence or absence of coloring by transmission was visually observed. The results are shown in Table 1.

평가 기준:Evaluation standard:

무색 투명하고 착색이 전혀 확인되지 않음 :◎Colorless and transparent, no coloring at all confirmed : ◎

극히 얇은 착색이 약간 확인됨    :○Ultra-thin coloring is confirmed slightly ○

얇은 착색이 확인됨          :△Thin coloring is confirmed : △

진한 착색이 확인됨        :×
Dark coloring is confirmed : ×

밀착성Adhesion

투명 피막부기재(1)의 표면에 나이프로 가로 세로 1 mm의 간격으로 11개의 평행한 상처를 만들고 100개의 칸을 만들고 이것에 세로로 테이프를 접착시키고 그 다음에, 세로로 테이프를 박리했을 때에 피막이 박리하지 않고 남아있는 칸의 수를 이하의 4 단계로 분류하여 밀착성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.When 11 parallel wounds are made on the surface of the transparent film base material 1 with a knife at an interval of 1 mm in width, 100 cells are made, and the tape is vertically bonded thereto, and then the tape is vertically peeled off. The number of cells remaining without peeling of the coating was classified into the following four steps to evaluate the adhesion. The results are shown in Table 1.

남아있는 칸의 수 100개   :◎The number of remaining spaces : ◎

남아있는 칸의 수 90?99개  :○The number of remaining spaces 90-99 : ○

남아있는 칸의 수 85?89개  :△85 to 89 spaces remaining : △

남아있는 칸의 수 84개 이하 :×
The number of remaining spaces 84 or less : ×

내찰상성의 측정Measurement of scratch resistance

#0000 강철솜을 이용하여 하중 500 g/cm2로 50회 접동하고 막의 표면을 육안으로 관찰하고 이하의 기준으로 평가하여 결과를 표 1에 나타냈다.The surface of the membrane was visually observed by sliding 50 times with a load of 500 g / cm 2 using a # 0000 steel cotton, and the results were shown in Table 1 below.

평가 기준:Evaluation standard:

근조의 상처가 확인되지 않음 :◎The root wound was not confirmed : ◎

근조에 상처가 약간 확인됨  :○A few wounds are confirmed in root 조 ○

근조에 상처가 다수 확인됨  :△A lot of wounds were confirmed by root : △

면이 전체적으로 깎아짐  :×
The face is cut entirely: ×

간섭 무늬Interference pattern

투명 피막부기재(1)의 배경을 흑으로 한 상태에서 형광등 빛을 투명 피막 표면에서 반사시켜 빛의 간섭에 의한 무지개 모양의 발생을 육안으로 관찰하여 이하의 기준으로 평가하였다.
Fluorescent lamp light was reflected on the surface of the transparent film in the state where the transparent film base material 1 was made black, and the occurrence of rainbow shape by the interference of light was visually observed and evaluated according to the following criteria.

무지개 모양이 전혀 확인되지 않음 :◎Rainbow pattern is not confirmed at all

무지개 모양이 약간 확인됨  :○Slightly confirmed rainbow shape : ○

무지개 모양이 명확하게 확인됨  :△Rainbow shape is clearly identified : △

무지개 모양이 선명하게 확인됨   :×
The rainbow shape is clearly confirmed : ×

사슬상 입자의 분산 상태Dispersion State of Chain Particles

투명 피막의 단면의 투과형 전자현미경 사진을 촬영하고 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자의 분산 상태를 관찰하여 이하의 기준으로 평가했다.The transmission electron microscope photograph of the cross section of the transparent film | membrane was image | photographed, the dispersion state of chain-shaped electroconductive inorganic oxide fine particle was observed, and the following references | standards evaluated.

사슬상 입자가 서로 교락하는 일 없이 대체로 균등한 간격으로 분산함 :◎Chain particles disperse at approximately equal intervals without intermingling each other.

사슬상 입자가 일부 교락 하고 있지만 대체로 균등한 간격으로 분산함 :○Particles in the chain are entangled, but are generally dispersed at equal intervals.

사슬상 입자의 대부분이 교락하며 불균일하게 분산함         :△Most of the chain particles entangle and disperse unevenly : △

단분산 입자가 사슬상화되는 일 없이 단분산 또는 응집하여 분산하고 있던가 사슬상 입자가 응집 입자가 되어, 불균일하게 분산함          :×
Monodisperse particles disperse or disperse monodisperse or aggregate without chaining, or disperse and disperse heterogeneously:

[실시예 2]
Example 2

투명 피막 형성용 도포액(2)의 제조Preparation of the coating liquid 2 for transparent film formation

실시예 1과 동일하게 제조한 표면 처리 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액 100 g와 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(다이 셀?사이 텍(주) 제:EBECRYL40, 수지 농도 100 질량%) 384 g, 비변성 아크릴계 수지로서 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트(공영사 화학(주) 제:라이트 아크릴레이트 DPE-6A, 수지 농도 100 질량%) 96 g에 광 개시제(치바스페샤리티(주) 제:Irgacure 184) 38.4 g 및 케톤계 용매로서 아세톤을 568 g, 메틸에틸케톤 160 g를 충분히 혼합하여 고형분 농도 40 질량%의 투명 피막 형성용 도포액(2)을 제조하였다.
100 g of surface-treated chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles (1) dispersion liquid prepared in the same manner as in Example 1, and 384 g of an ethylene oxide-modified acrylic resin (Diecel-Cytec Co., Ltd. product: EBECRYL40, resin concentration 100 mass%), As an unmodified acrylic resin, it is a photoinitiator (Ciba Specialty Co., Ltd. product: Irgacure 184 to 96 g of dipentaerythritol hexaacrylate (the public corporation chemical company make: Light acrylate DPE-6A, resin concentration 100 mass%) ) 38.4 g and 568 g of acetone as a ketone solvent and 160 g of methyl ethyl ketone were sufficiently mixed to prepare a coating solution (2) for forming a transparent film having a solid concentration of 40% by mass.

투명 피막부기재(2)의 제조Preparation of the transparent coating part base material 2

실시예 1에 있어서 투명 피막 형성용 도포액(2)을 이용한 것 이외에는 동일하게 투명 피막부기재(2)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 5㎛이었다.
A transparent coating part base material 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating liquid for forming a transparent film was used. The film thickness of the transparent film was 5 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(2)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 피막의 굴절률, 표면 저항 값, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 및 내찰상성을 표에 나타낸다.
The total light transmittance, haze, film refractive index, surface resistance value, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material 2 are shown in a table.

[실시예 3]
EXAMPLE 3

투명 피막 형성용 도포액(3)의 제조Preparation of the coating liquid 3 for transparent film formation

실시예 1과 동일하게 제조한 표면 처리 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액 100 g와 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(신나카무라 화학공업 (주)제:NK에스테르 ATM-4E, 수지 농도 100 질량%) 288 g, 비변성 아크릴계 수지(공영사 화학(주) 제:라이트 아크릴레이트 DPE-6A, 수지 농도 100 질량%) 192 g에 광 개시제(티바스페샤리티(주) 제 Irgacure 184) 38.4 g 및 케톤계 용매로서 아세톤을 568 g, 메틸에틸케톤 160 g를 충분히 혼합하여 고형분 농도 40 질량%의 투명 피막 형성용 도포액(3)을 제조하였다.
100 g of surface-treated chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles (1) dispersion liquid prepared in the same manner as in Example 1 and ethylene oxide-modified acrylic resin (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd .: NK ester ATM-4E, resin concentration 100% by mass) 288 g, 38.4 g of photoinitiators (Irgacure 184 made from Tiba Specialty Co., Ltd.) and ketone to 192 g of unmodified acrylic resin (Co., Ltd. company make: Light acrylate DPE-6A, resin concentration 100 mass%) 568 g of acetone and 160 g of methyl ethyl ketone were sufficiently mixed as a system solvent to prepare a coating liquid (3) for forming a transparent film having a solid content concentration of 40% by mass.

투명 피막부기재(3)의 제조Preparation of the transparent film base material 3

실시예 1에 있어서 투명 피막 형성용 도포액(3)을 이용한 것 이외에는 동일하게 투명 피막부기재(3)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 5㎛이었다.
The transparent coating part base material 3 was produced similarly except having used the coating liquid 3 for transparent film formation in Example 1. The film thickness of the transparent film was 5 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(3)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다.
The total light transmittance, the haze, the refractive index of the film, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain-shaped particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material 3 are shown in a table.

[실시예 4]
EXAMPLE 4

투명 피막 형성용 도포액(4)의 제조Preparation of the coating liquid 4 for transparent film formation

실시예 1과 동일하게 제조한 표면 처리 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액 50 g와 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(신나카무라 화학공업 (주)제:NK에스테르 ATM-4E, 수지 농도 100 질량%) 294 g, 비변성 아크릴계 수지(공영사 화학(주) 제:라이트 아크릴레이트 DPE-6A, 수지 농도 100 질량%) 196 g에 광 개시제(티바스페샤리티(주) 제 Irgacure 184) 39.2 g 및 케톤계 용매로서 아세톤을 600 g, 메틸에틸케톤 169 g를 충분히 혼합하여 고형분 농도 40 질량%의 투명 피막 형성용 도포액(4)을 제조하였다.
50 g of surface-treated chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles (1) dispersion liquid and ethylene oxide modified acrylic resin (Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. make: NK ester ATM-4E, resin concentration 100 mass%) prepared similarly to Example 1 39.2 g of a photoinitiator (Irgacure 184 by Tiba Specialty Co., Ltd.) to 196 g of 294 g of unmodified acrylic resin (manufactured by Kogyo Chemical Co., Ltd .: light acrylate DPE-6A, resin concentration 100% by mass) and ketone 600 g of acetone and 169 g of methyl ethyl ketone were sufficiently mixed as the system solvent to prepare a coating liquid 4 for forming a transparent film having a solid content concentration of 40% by mass.

투명 피막부기재(4)의 제조Preparation of the transparent coating part base material 4

실시예 1에 있어서 투명 피막 형성용 도포액(4)을 이용한 것 이외에는 동일하게 투명 피막부기재(4)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 5㎛이었다.
The transparent coating part base material 4 was produced similarly except having used the coating liquid 4 for transparent film formation in Example 1. The film thickness of the transparent film was 5 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(4)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다.
The total light transmittance, haze, film refractive index, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material 4 are shown in a table.

[실시예 5]
EXAMPLE 5

투명 피막 형성용 도포액(5)의 제조Preparation of the coating liquid 5 for transparent film formation

실시예 1과 동일하게 제조한 표면 처리 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액 100 g와 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(신나카무라 화학공업 (주)제:NK에스테르 ATM[-4E, 수지 농도 100 질량%) 108 g, 비변성 아크릴계 수지(공영사 화학(주) 제:라이트 아크릴레이트 DPE-6A, 수지 농도 100 질량%) 72 g에 광 개시제(티바스페샤리티(주) 제 Irgacure 184) 14.4 g 및 케톤계 용매로서 아세톤을 188 g, 메틸에틸케톤 53 g를 충분히 혼합하여 고형분 농도 40 질량%의 투명 피막 형성용 도포액(5)을 제조하였다.
100 g of surface-treated chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles (1) dispersion liquid prepared in the same manner as in Example 1 and ethylene oxide-modified acrylic resin (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.): NK ester ATM [-4E, resin concentration 100 mass% ) 14.4 g of a photoinitiator (Irgacure 184 manufactured by Tiba Specialty Co., Ltd.) to 72 g of 108 g, unmodified acrylic resin (manufactured by Kogyo Chemical Co., Ltd.) As a ketone solvent, 188 g of acetone and 53 g of methyl ethyl ketone were sufficiently mixed to prepare a coating liquid 5 for forming a transparent film having a solid content concentration of 40% by mass.

투명 피막부기재(5)의 제조Preparation of the transparent coating part base material 5

실시예 1에 있어서 투명 피막 형성용 도포액(5)을 이용한 것 이외에는 동일하게 투명 피막부기재(5)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 5㎛이었다.
The transparent coating part base material 5 was produced similarly except having used the coating liquid 5 for transparent film formation in Example 1. The film thickness of the transparent film was 5 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(5)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 반사율, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다.
The total light transmittance, haze, reflectance, refractive index of the film, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain-shaped particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material 5 are shown in a table.

[실시예 6]
EXAMPLE 6

투명 피막 형성용 도포액(6)의 제조Preparation of the coating liquid 6 for transparent film formation

실시예 3에 있어서 알킬렌 옥사이드 변성 아크릴계 수지로서 프로필렌 옥사이드 변성 아크릴계 수지(신나카무라 화학공업 (주)제:NK에스테르 ATM-4P, 수지 농도 100 질량%) 288 g를 이용한 것 이외에는 동일하게 투명 피막 형성용 도포액(6)을 제조하였다.
A transparent film was formed in the same manner as in Example 3 except that 288 g of a propylene oxide modified acrylic resin (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd .: NK ester ATM-4P, resin concentration 100 mass%) was used as the alkylene oxide modified acrylic resin. A coating liquid 6 was prepared.

투명 피막부기재(6)의 제조Preparation of the transparent film base material 6

실시예 1에 있어서 투명 피막 형성용 도포액(6)을 이용한 것 이외에는 동일하게 투명 피막부기재(6)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 5㎛이었다.
The transparent coating part base material 6 was produced similarly except having used the coating liquid 6 for transparent film formation in Example 1. The film thickness of the transparent film was 5 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(6)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다.
The total light transmittance, haze, refractive index of the film, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material 6 are shown in a table.

[실시예 7]
Example 7

투명 피막 형성용 도포액(7)의 제조Preparation of the coating liquid 7 for transparent film formation

실시예 1과 동일하게 제조한 고형분 농도 20 질량%의 표면 처리한 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액 100 g와 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(신나카무라 화학공업 (주)제:NK에스테르 ATM-4E, 수지 농도 100 질량%) 288 g, 비변성 아크릴계 수지(공영사 화학(주) 제:라이트 아크릴레이트 DPE-6A, 수지 농도 100 질량%) 192 g에 광 개시제(티바스페샤리티(주) 제 Irgacure 184) 38.4 g 및 케톤계 용매로서 아세톤을 568 g, 메틸 ISO 부틸 케톤 160 g를 충분히 혼합하여 고형분 농도 40 질량%의 투명 피막 형성용 도포액(7)을 제조하였다.
100 g of the chain-conductive inorganic oxide fine particle (1) dispersion liquid which surface-treated at 20 mass% of solid content concentration similarly to Example 1, and ethylene oxide modified acrylic resin (Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. make: NK ester ATM-4E) Into 288 g of resin concentration 100 mass%), unmodified acrylic resin (the public corporation chemical company make: light acrylate DPE-6A, resin concentration 100 mass%) photoinitiator (Tibaspecity Co., Ltd. product) Irgacure 184) 38.4 g of acetone as a ketone solvent and 160 g of methyl ISO butyl ketone were sufficiently mixed to prepare a coating liquid 7 for forming a transparent film having a solid content of 40% by mass.

투명 피막부기재(7)의 제조Preparation of the transparent film base material 7

실시예 1에 있어서 투명 피막 형성용 도포액(7)을 이용한 것 이외에는 동일하게 투명 피막부기재(7)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 5㎛이었다.
A transparent coating part base material 7 was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating liquid 7 for forming a transparent film was used. The film thickness of the transparent film was 5 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(7)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다.
The total light transmittance, haze, refractive index, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material 7 are shown in a table.

[실시예 8](실시예 3에서 PTO 입자로 변경, 입자:수지=10:90)
[Example 8] (change to PTO particles in Example 3, particles: resin = 10:90)

사슬상 도전성 무기 산화물 입자(3) 분산액의 제조Preparation of Chain Conductive Inorganic Oxide Particles (3) Dispersion

주석산칼륨 150 g를 순수한 물 430 g에 용해하여 용액을 제조하였다. 이 용액을 12시간 걸쳐, 60℃, 교반하의 순수한 물 800 g와 질산암모늄 1.3 g와 수산화 칼륨 수용액을 가하고 pH 10.0으로 제조한 용액에 첨가하여 가수분해하였다. 이때 농도 10 질량%의 초산 수용액을 pH 10.0으로 유지하기 위해 동시에 첨가하였다. 생성한 침전을 여과하여 분리?세정한 후, 다시 물에 분산시켜 고형분 농도 20 질량%의 수산화주석 분산액 200 g를 제조하였다.
A solution was prepared by dissolving 150 g of potassium stannate in 430 g of pure water. The solution was hydrolyzed for 12 hours by adding 800 g of pure water, 1.3 g of ammonium nitrate, and an aqueous potassium hydroxide solution at 60 ° C. under stirring, to a solution prepared at pH 10.0. At this time, an aqueous solution of acetic acid having a concentration of 10% by mass was added simultaneously to maintain the pH at 10.0. The resulting precipitate was separated by filtration, washed, and then dispersed in water to prepare 200 g of a tin hydroxide dispersion having a solid content of 20% by mass.

이 분산액에 농도 85 질량%의 인산 수용액 3.2 g를 첨가하여 30분간 교반을 실시한 후, 온도 100℃에서 분무 건조하여 인 도핑 산화 주석 전구체의 수산화물 분체를 제조하였다. 이 분체를 공기 분위기하, 650℃에서 2시간 가열 처리하는 것에 의해 인 도핑 산화 주석 분말을 수득하였다.
3.2 g of an aqueous solution of phosphoric acid at a concentration of 85% by mass was added to the dispersion, followed by stirring for 30 minutes, followed by spray drying at a temperature of 100 ° C to prepare a hydroxide powder of a phosphorus-doped tin oxide precursor. Phosphorus-doped tin oxide powder was obtained by heat-processing this powder at 650 degreeC for 2 hours in air atmosphere.

이 분말 60 g를 농도 4.3 질량%의 수산화 칼륨 수용액 140 g에 분산시켜, 분산액을 30℃로 유지하면서 샌드 밀로 3시간 분쇄하여 졸을 제조하였다.
60 g of this powder was dispersed in 140 g of potassium hydroxide aqueous solution having a concentration of 4.3% by mass, and ground in a sand mill for 3 hours while maintaining the dispersion at 30 ° C to prepare a sol.

그 다음에 이 졸을 이온교환 수지로 pH가 3.3이 될 때까지 탈 알칼리 처리하고 순수한 물을 가하여 농도 20 질량%의 인 도핑 산화 주석 미립자로부터 형성되는 도전성 미립자(3) 분산액을 제조하였다.
This sol was then de-alkali treated with an ion exchange resin until the pH reached 3.3 and pure water was added to prepare a conductive fine particle (3) dispersion formed from phosphorus doped tin oxide fine particles having a concentration of 20% by mass.

이 도전성 무기 산화물 미립자(3) 분산액의 pH는 3.6이었다. 또 도전성 무기 산화물 미립자(3)의 평균 입경은 8 nm이었다.
PH of this electroconductive inorganic oxide fine particle (3) dispersion liquid was 3.6. Moreover, the average particle diameter of the electroconductive inorganic oxide fine particle 3 was 8 nm.

그 다음에 농도 20 질량%의 도전성 무기 산화물 미립자(3) 분산액 100 g를 25℃에서 조정하여 테트라에톡시실란(타마 화학(주) 제:정규산 에틸, SiO2 농도 28.8 질량%) 3.5 g를 3분 정도 첨가한 후, 30분 교반을 실시하였다. 그 후 에탄올 100 g를 1분 걸쳐 첨가하여 60℃에서 30분간 정도 온도상승, 12시간 과열 처리를 실시하였다. 이 때의 고형분 농도는 10 질량%이었다.
Next, 100 g of the conductive inorganic oxide fine particle (3) dispersion liquid having a concentration of 20% by mass was adjusted at 25 ° C to adjust 3.5 g of tetraethoxysilane (manufactured by Tama Chemical Co., Ltd .: ethyl silicate and SiO 2 concentration 28.8% by mass). After adding about 3 minutes, it stirred for 30 minutes. Thereafter, 100 g of ethanol was added over 1 minute, and the temperature was increased at 60 ° C. for about 30 minutes and subjected to overheating for 12 hours. Solid content concentration at this time was 10 mass%.

그 다음에 한외여과막에서 분산매의 물과 에탄올을 에탄올에 용매 치환하여 고형분 농도 20 질량%의 유기 규소 화합물로 사슬상화 및 표면 처리한 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(3) 분산액을 제조하였다. 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(3)를 구성하는 일차 입자의 평균 연결수는 5개이었다. 또 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(3)의 굴절률은 1.74이었다.
Subsequently, water and ethanol of the dispersion medium were solvent-substituted with ethanol in an ultrafiltration membrane to prepare a chain conductive inorganic oxide fine particle (3) dispersion liquid which was chain-formed and surface treated with an organosilicon compound having a solid content of 20% by mass. The average connection number of the primary particle which comprises the chain | strand electroconductive inorganic oxide microparticles | fine-particles 3 was five pieces. Further, the refractive index of the chain conductive inorganic oxide fine particles 3 was 1.74.

투명 피막 형성용 도포액(8)의 제조Preparation of the coating liquid 8 for transparent film formation

고형분 농도 20 질량%의 표면 처리사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(3) 분산액 100 g와 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(신나카무라 화학공업 (주)제:NK에스테르 ATM-4E, 수지 농도 100 질량%) 108 g, 비변성 아크릴계 수지(공영사 화학(주) 제:라이트 아크릴레이트 DPE-6A, 수지 농도 100 질량%) 72 g에 광 개시제(티바스페샤리티(주) 제 Irgacure 184) 14.4 g 및 케톤계 용매로서 아세톤을 188 g, 메틸에틸케톤 53 g를 충분히 혼합하여 고형분 농도 40 질량%의 투명 피막 형성용 도포액(7)을 제조하였다.
100 g of surface-treated chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles (3) dispersion liquid and ethylene oxide modified acrylic resin (made by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd .: NK ester ATM-4E, resin concentration 100 mass%) of 20 mass% of solid content concentration: 108 g 14.4 g of a photoinitiator (Ilgacure 184 manufactured by Tiba Specialty Co., Ltd.) and a ketone solvent in 72 g of an unmodified acrylic resin (manufactured by Kogyo Chemical Co., Ltd .: light acrylate DPE-6A, resin concentration 100% by mass) As a result, 188 g of acetone and 53 g of methyl ethyl ketone were sufficiently mixed to prepare a coating liquid 7 for forming a transparent film having a solid content concentration of 40% by mass.

투명 피막부기재(8)의 제조Preparation of the transparent film base material 8

실시예 1에 있어서 투명 피막 형성용 도포액(8)을 이용한 것 이외에는 동일하게 투명 피막부기재(8)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 5㎛이었다.
A transparent coating part base material 8 was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating liquid 8 for forming a transparent film was used. The film thickness of the transparent film was 5 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(8)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다.
The total light transmittance, haze, refractive index of the film, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material 8 are shown in a table.

[실시예 9]
EXAMPLE 9

투명 피막부기재(9)의 제조
Preparation of the transparent film base material 9

실시예 3과 동일하게 제조한 투명 피막 형성용 도포액(3)을 TAC 필름(파낙(주) 제:FTPB80ULM, 두께:80㎛, 굴절률:1.5)에 바 코터법(바#4)으로 도포하여 80℃에서 120초간 건조한 후, 300 mJ/cm2의 자외선을 조사하고 경화시켜 투명 피막부기재(9)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 2㎛이었다.
The coating liquid 3 for transparent film formation manufactured similarly to Example 3 was apply | coated to the TAC film (Panak Co., Ltd. product: FTPB80ULM, thickness: 80 micrometers, refractive index: 1.5) by the bar coater method (bar 4). After drying at 80 ° C. for 120 seconds, a 300 mJ / cm 2 ultraviolet ray was irradiated and cured to prepare a transparent coating part substrate (9). The film thickness of the transparent film was 2 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(9)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다.
The total light transmittance, haze, refractive index, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain particles and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material 9 are shown in the table.

[실시예 10]
Example 10

투명 피막부기재(10)의 제조Manufacture of the transparent film base material 10

실시예 3과 동일하게 제조한 투명 피막 형성용 도포액(3)을 TAC 필름(파낙(주) 제:FTPB80ULM, 두께:80㎛, 굴절률:1.5)에 바 코터법(바#20)으로 도포하여 80℃에서 120초간 건조한 후, 300 mJ/cm2의 자외선을 조사하고 경화시켜 투명 피막부기재(10)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 10㎛이었다.
The coating liquid 3 for transparent film formation manufactured similarly to Example 3 was apply | coated to the TAC film (Panak Co., Ltd. product: FTPB80ULM, thickness: 80 micrometers, refractive index: 1.5) by the bar coater method (barbar 20). After drying at 80 ° C. for 120 seconds, a 300 mJ / cm 2 ultraviolet ray was irradiated and cured to prepare a transparent coating part substrate 10. The film thickness of the transparent film was 10 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(10)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다.
The total light transmittance, haze, film refractive index, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material 10 are shown in a table.

[실시예 11]
EXAMPLE 11

반사 방지용 투명 피막 형성용 도포액(1)의 제조Preparation of the coating liquid 1 for antireflection transparent film formation

실리카계 미립자 분산액(일휘 촉매 화성(주) 제:스르리아 4320, 입자 굴절률=1.30, 고형분 농도 20 질량%, 분산매=메틸 ISO 부틸 케톤) 6.5 g에 메틸이소부틸케톤 5.9 g를 가하고 희석하고 그 다음에, 디펜타에리스리톨헥사아크리레이트(공영사 화학(주) 제:DPE-6A, 고형분 농도 100 질량%) 1.03 g와 발수화재용 반응성 실리콘 오일(신월 화학(주);X-22-174DX, 고형분 농도 100 질량%) 0.08 g와 1.6-헥산디올디아크릴레이트(공영사 화학(주) 제;라이트 아크릴레이트 1.6 HXA) 0.09 g와 광중합 개시제(치바재팬(주)) 제:Irgacure 184:IPA로 고형분 농도 10 질량%에 용해) 0.76 g와 이소프로필 알코올 70.66 g, 이소프로필 글리콜 15.00 g를 혼합하여 고형분 농도 2.5 질량%의 반사 방지용 투명 피막 형성용 도포액(1)을 제조하였다.
5.9 g of methyl isobutyl ketone was added to and diluted with 6.5 g of a silica-based fine particle dispersion (Swiria Catalytic Co., Ltd. product: Surea 4320, particle refractive index = 1.30, solid concentration 20 mass%, dispersion medium = methyl ISO butyl ketone), and then diluted. 1.03 g of dipentaerythritol hexaacrylate (the public corporation chemical company make: DPE-6A, solid content concentration 100 mass%) and reactive silicone oil (Shinwol Chemical Co., Ltd .; X-22-174DX,) for water-repellent materials Solid content concentration 100 mass%) 0.08 g and 1.6-hexanediol diacrylate (manufactured by Kogyo Chemical Co., Ltd .; light acrylate 1.6HXA) 0.09 g and photopolymerization initiator (Chiba Japan Co., Ltd.) agent: Irgacure 184: In IPA 0.76 g of isopropyl alcohol, 70.66 g of isopropyl glycol, and 15.00 g of isopropyl glycol were mixed to prepare a coating liquid (1) for antireflection transparent film formation having a solid content of 2.5% by mass.

투명 피막부기재(11)의 제조Manufacture of the transparent coating part base material 11

실시예 3과 동일하게 투명 피막부기재(3)를 제조하고 그 다음에 반사 방지용 투명 피막 형성용 도포액(1)을 바 코터법(바#3)으로 도포하여 80℃에서 120초간 건조한 후, N2분위기 하에서 600 mJ/cm2의 자외선을 조사하고 경화시켜 반사 방지막을 형성하여 제조한 투명 피막부기재(11)를 제조하였다. 이때의 반사 방지용 투명 피막의 막 두께는 100 nm이었다.
A transparent coating part base material 3 was prepared in the same manner as in Example 3, and then the coating liquid 1 for antireflection transparent film formation was applied by a bar coater method (bar 3) and dried at 80 ° C. for 120 seconds. A transparent coating part base material 11 was prepared by irradiating and curing 600 mJ / cm 2 ultraviolet rays under an N 2 atmosphere to form an antireflection film. At this time, the film thickness of the antireflection coating was 100 nm.

수득된 투명 피막부기재(11)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 반사율, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다.
The total light transmittance, haze, reflectance, refractive index of the film, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material 11 are shown in a table.

[실시예 12]
Example 12

도전성 무기산 화물 입자(12) 분산액의 제조Preparation of Conductive Inorganic Oxide Particles 12 Dispersion

실시예 1과 동일하게 제조한 농도 20 질량%의 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액 100 g를 25℃로 조정하고 테트라에톡시실란(타마 화학(주) 제:정규산 에틸, SiO2 농도 28.8 질량%) 4.9 g를 3분 정도 첨가한 후, 30분 교반을 실시하였다. 그 후 에탄올 100 g를 1분 걸려 첨가하여, 50℃에서 30분간 정도 온도상승, 20시간 과열 처리를 실시하였다. 이때의 고형분 농도는 15 질량%이었다.
100 g of the conductive inorganic oxide fine particles (1) dispersion liquid having a concentration of 20% by mass prepared in the same manner as in Example 1 was adjusted to 25 ° C, and tetraethoxysilane (manufactured by Tama Chemical Co., Ltd .: ethyl silicate and SiO 2 concentration of 28.8 mass) was used. %) 4.9 g was added for about 3 minutes, and then stirred for 30 minutes. After that, 100 g of ethanol was added over 1 minute, and the temperature was increased at 50 ° C. for 30 minutes, and the superheat treatment was performed for 20 hours. Solid content concentration at this time was 15 mass%.

그 다음에 한외여과막에서 분산매의 물과 에탄올을 에탄올에 용매 치환하여 고형분 농도 20 질량%의 유기 규소 화합물로 표면 처리한 도전성 무기 산화물 미립자(12) 분산액을 제조하였다. 도전성 무기 산화물 미립자(12)의 평균 입경은 8 nm이었다. 또 도전성 무기 산화물 미립자(11)의 굴절률은 1.74이었다.
Subsequently, the dispersion of the conductive inorganic oxide fine particles (12) prepared by surface-treating the organic silicon compound having a solid content of 20% by mass by solvent-substituting water and ethanol of the dispersion medium in the ultrafiltration membrane. The average particle diameter of the conductive inorganic oxide fine particles 12 was 8 nm. In addition, the refractive index of the conductive inorganic oxide fine particles 11 was 1.74.

투명 피막 형성용 도포액(12)의 제조Preparation of the coating liquid 12 for transparent film formation

실시예 3에 있어서 고형분 농도 15 질량%의 유기 규소 화합물로 표면 처리한 도전성 무기 산화물 미립자(12) 분산액 100 g를 이용한 것 이외에는 동일하게 고형분 농도 40 질량%의 투명 피막 형성용 도포액(12)을 제조하였다.
In Example 3, the coating liquid 12 for transparent film formation of 40 mass% of solid content concentration was similarly used except having used 100 g of the conductive inorganic oxide fine particles 12 dispersion surface-treated with the organosilicon compound of 15 mass% of solid content concentration. Prepared.

투명 피막부기재(12)의 제조Preparation of the transparent coating part base material 12

실시예 1에 있어서 투명 피막 형성용 도포액(12)을 이용한 것 이외에는 동일하게 투명 피막부기재(12)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 5㎛이었다.
A transparent coating part base material 12 was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating liquid 12 for forming a transparent film was used. The film thickness of the transparent film was 5 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(12)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 반사율, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다. 투명 피막중의 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자는 평균 입경은 8 nm, 연결수는 3이었다.
The total light transmittance, haze, reflectance, refractive index of the film, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain-shaped particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material 12 are shown in a table. The chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles in the transparent film had an average particle diameter of 8 nm and a connection number of 3.

[비교예 1]
[Comparative Example 1]

투명 피막 형성용 도포액(R1)의 제조Preparation of coating liquid (R1) for transparent film formation

실시예 1과 동일하게 제조한 표면 처리 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액 100 g와 우레탄 아크릴레이트계 자외선 경화 수지(DIC(주) 제:유니디크 17-824-9, 고형분 농도 77 질량%) 623 g, 케톤계 용매로서 아세톤을 430 g, 메틸에틸케톤을 121 g를 충분히 혼합하여 고형분 농도 40 질량%의 투명 피막 형성용 도포액(R1)을 제조하였다.
100 g of surface-treated chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles (1) dispersion liquid prepared in the same manner as in Example 1, and urethane acrylate-based ultraviolet curable resin (DIC Co., Ltd. product: Unidiq 17-824-9, solid content concentration 77% by mass) ) 623 g, 430 g of acetone and 121 g of methyl ethyl ketone were sufficiently mixed as a ketone solvent to prepare a coating liquid (R1) for forming a transparent film having a solid content concentration of 40% by mass.

투명 피막부기재(R1)의 제조Preparation of transparent film base material (R1)

실시예 1에 있어서 투명 피막 형성용 도포액(R1)을 TAC 필름(파낙(주) 제:FT-PB80UL-M, 두께:80㎛, 굴절률:1.5)에 바 코터법(바#10)으로 도포한 것 이외에는 동일하게 투명 피막부기재(R1)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 5㎛이었다.
In Example 1, the coating liquid R1 for transparent film formation was apply | coated to a TAC film (Fanak Co., Ltd. make: FT-PB80UL-M, thickness: 80 micrometers, refractive index: 1.5) by the bar coater method (bar 10). A transparent coating part base material R1 was similarly manufactured except having done this. The film thickness of the transparent film was 5 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(R1)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다. 또 사슬상 입자의 분산 상태를 평가했을 때의 주사형 전자현미경 사진을 도 2에 나타냈다.도 2에 나타낸 것 처럼 입자는 응집하고 있었다.
The total light transmittance, haze, film refractive index, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material (R1) are shown in a table. In addition, the scanning electron micrograph when the dispersion | distribution state of a chain particle was evaluated is shown in FIG. 2. As shown in FIG. 2, the particle | grains were aggregated.

[비교예 2]
[Comparative example 2]

투명 피막 형성용 도포액(R2)의 제조Preparation of coating liquid (R2) for transparent film formation

 비교예 1과 동일하게 제조한 표면 처리사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(R1) 분산액 100 g와 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(공영사 화학(주) 제:라이트 아크릴레이트 TMP3EOA, 수지 농도 100 질량%) 288 g, 비변성 아크릴계 수지(공영사 화학(주) 제:라이트 아크릴레이트 DPE6A, 수지 농도 100 질량%) 192 g에 광 개시제(티바스페샤리티(주) 제:Irgacure 184) 38.4 g 및 이소프로필 알코올 568 g, 톨루엔 160 g를 충분히 혼합하여 고형분 농도 40 질량%의 투명 피막 형성용 도포액(2)을 제조하였다.
288 g of surface-treated chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles (R1) dispersion liquid and ethylene oxide modified acrylic resin (manufactured by Kogyo Chemical Co., Ltd .: light acrylate TMP3EOA, resin concentration 100 mass%) prepared in the same manner as in Comparative Example 1 38.4 g and isopropyl alcohol 568 to a photoinitiator (Tiba Specialty Co., Ltd. make: Irgacure 184) to 192 g of unmodified acrylic resin (Co., Ltd. make: Light acrylate DPE6A, resin concentration 100 mass%). g and toluene 160g were fully mixed, and the coating liquid 2 for transparent film formation of 40 mass% of solid content concentration was manufactured.

투명 피막부기재(R2)의 제조Preparation of transparent film base material (R2)

실시예 1에 있어서 투명 피막 형성용 도포액(R2)을 TAC 필름(파낙(주) 제:FT-PB80UL-M, 두께:80㎛, 굴절률:1.5)에 바 코터법(바#20)으로 도포한 것 이외에는 동일하게 투명 피막부기재(R2)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 10㎛이었다.
In Example 1, the coating liquid R2 for transparent film formation was apply | coated to TAC film (Fanak Co., Ltd. product: FT-PB80UL-M, thickness: 80 micrometers, refractive index: 1.5) by the bar coater method (bar 20). A transparent coating part base material R2 was similarly manufactured except having done this. The film thickness of the transparent film was 10 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(R2)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다.
The total light transmittance, haze, film refractive index, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material (R2) are shown in a table.

[비교예 3]
[Comparative Example 3]

투명 피막 형성용 도포액(R3)의 제조Preparation of coating liquid (R3) for transparent film formation

비교예 1과 동일하게 제조한 표면 처리사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(R1) 분산액 100 g와 OH기를 지니는 자외선 경화 수지 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르디아크릴레이트(신나카무라 화학공업 (주)제:NK올리고 EA5821) 480 g에, 광 개시제(티바스페샤리티(주) 제 Irgacure 184) 38.4 g 및 이소프로필 알코올을 568 g, 에틸 셀로솔브 160 g를 충분히 혼합하여 고형분 농도 40 질량%의 투명 피막 형성용 도포액(R3)을 제조하였다.
UV curable resin diethylene glycol diglycidyl ether diacrylate (Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. product) which has 100 g of surface-treated chain | strand-shaped conductive inorganic oxide fine particle (R1) dispersion liquids, and OH group which were manufactured similarly to the comparative example 1: To 480 g of NK oligo EA5821), 38.4 g of a photoinitiator (Irgacure 184 manufactured by Tiba Specialty Co., Ltd.) and 568 g of isopropyl alcohol and 160 g of ethyl cellosolve are sufficiently mixed to form a transparent film having a solid concentration of 40% by mass. A coating liquid (R3) was prepared.

투명 피막부기재(R3)의 제조Preparation of transparent film base material (R3)

비교예 1에 있어서 투명 피막 형성용 도포액(R3)을 TAC 필름(파낙(주) 제:FT-PB80UL-M, 두께:80㎛, 굴절률:1.5)에 바 코터법(바#10)으로 도포한 것 이외는 동일하게 투명 피막부기재(R3)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 5㎛이었다.
In the comparative example 1, the coating liquid R3 for transparent film formation was apply | coated to TAC film (Fanak Co., Ltd. make: FT-PB80UL-M, thickness: 80 micrometers, refractive index: 1.5) by the bar coater method (bar 10). A transparent coating part base material (R3) was similarly manufactured except having done this. The film thickness of the transparent film was 5 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(R3)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다.
The total light transmittance, haze, film refractive index, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material (R3) are shown in the table.

[비교예 4]
[Comparative example 4]

투명 피막 형성용 도포액(R4)의 제조Preparation of coating liquid (R4) for transparent film formation

실시예 1과 동일하게 제조한 표면 처리 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액 10 g와 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(신나카무라 화학공업 (주)제:NK에스테르 ATM4E, 수지 농도 100 질량%) 229 g, 비변성 아크릴계 수지(공영사 화학(주) 제:라이트 아크릴레이트 DPE6A, 수지 농도 100 질량%) 159 g에 광 개시제(티바스페샤리티(주) 제 Irgacure 184) 31.8 g 및 케톤계 용매로서 아세톤을 499 g, 메틸에틸케톤 141 g를 충분히 혼합하여 고형분 농도 40 질량%의 투명 피막 형성용 도포액(R4)을 제조하였다.
229 g of surface-treated chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles (1) dispersion liquid prepared in the same manner as in Example 1 and ethylene oxide-modified acrylic resin (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd .: NK ester ATM4E, resin concentration 100% by mass) To 159 g of an unmodified acrylic resin (manufactured by Kogyo Chemical Co., Ltd .: Light acrylate DPE6A, resin concentration 100% by mass), 31.8 g of a photoinitiator (Tiba Specialty Co., Ltd. Irgacure 184) and acetone as a ketone solvent 499 g of ethylene and 141 g of methyl ethyl ketone were sufficiently mixed to prepare a coating solution (R4) for forming a transparent film having a solid content concentration of 40% by mass.

투명 피막부기재(R4)의 제조Preparation of transparent film base material (R4)

 실시예 1에 있어서 투명 피막 형성용 도포액(R4)을 TAC 필름(파낙(주) 제:FT-PB80UL-M, 두께:80㎛, 굴절률:1.5)에 바 코터법(바#10)으로 도포한 것 이외에는 동일하게 투명 피막부기재(R4)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 5㎛이었다.
In Example 1, the coating liquid R4 for transparent film formation was apply | coated to a TAC film (Panak Co., Ltd. product: FT-PB80UL-M, thickness: 80 micrometers, refractive index: 1.5) by the bar coater method (bar 10). A transparent coating part base material R4 was similarly manufactured except having done this. The film thickness of the transparent film was 5 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(R4)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다.
The total light transmittance, haze, film refractive index, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material (R4) are shown in a table.

[비교예 5]
[Comparative Example 5]

투명 피막 형성용 도포액(R5)의 제조Preparation of coating liquid (R5) for transparent film formation

실시예 1과 동일하게 제조한 표면 처리 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액 100 g와 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(신나카무라 화학공업 (주)제:NK에스테르 ATM-4E, 수지 농도 100 질량%) 48 g, 비변성 아크릴계 수지(공영사 화학(주) 제:라이트 아크릴레이트 DPE-6A, 수지 농도 100 질량%) 32 g에 광 개시제(티바스페샤리티(주) 제 Irgacure 184) 6.4 g 및 케톤계 용매로서 아세톤을 62 g, 메틸에틸케톤 18 g를 충분히 혼합하여 고형분 농도 40 질량%의 투명 피막 형성용 도포액(R5)을 제조하였다.
100 g of surface-treated chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles (1) dispersion liquid prepared in the same manner as in Example 1 and ethylene oxide-modified acrylic resin (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd .: NK ester ATM-4E, resin concentration 100% by mass) 6.4 g of photoinitiator (Irgacure 184 made from Tiba Specialty Co., Ltd.) and ketone to 32 g of 48 g, unmodified acrylic resin (manufactured by Kogyo Chemical Co., Ltd .: light acrylate DPE-6A, resin concentration 100 mass%) 62 g of acetone and 18 g of methyl ethyl ketone were sufficiently mixed as a system solvent to prepare a coating liquid (R5) for forming a transparent film having a solid content concentration of 40% by mass.

투명 피막부기재(R5)의 제조Preparation of transparent film base material (R5)

실시예 1에 있어서 투명 피막 형성용 도포액(R5)을 TAC 필름(파낙(주) 제:FT-PB80UL-M, 두께:80㎛, 굴절률:1.5)에 바 코터법(바#10)으로 도포한 것 이외에는 동일하게 투명 피막부기재(R5)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 5㎛이었다.
In Example 1, the coating liquid R5 for transparent film formation was apply | coated to TAC film (Fanak Co., Ltd. make: FT-PB80UL-M, thickness: 80 micrometers, refractive index: 1.5) by the bar coater method (bar 10). A transparent coating part base material R5 was similarly manufactured except having done this. The film thickness of the transparent film was 5 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(R5)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다.
The total light transmittance, the haze, the refractive index, the adhesiveness, the pencil hardness, the coloring, the interference fringe, the dispersion state of the chain-shaped particles, and the scratch resistance of the obtained transparent coating part base material R5 are shown in the table.

[비교예 6]
[Comparative Example 6]

도전성 무기산 화물 입자(R1) 분산액의 제조Preparation of Conductive Inorganic Oxide Particle (R1) Dispersion

주석산칼륨 130 g와 주석산 안티모닐칼륨 30 g를 순수한 물 400 g에 용해한 혼합 용액을 제조하였다. 이 제조한 용액을 12시간 걸쳐, 60℃, 교반하의 질산암모늄 1.0 g와 15% 암모니아수 12 g를 용해한 순수한 물 1000 g중에 첨가하고 가수분해를 실시하였다. 이 때 10% 초산 용액을 pH 8.8로 유지하도록 동시에 첨가하였다. 생성한 침전물을 여과하여 분리, 세정한 후, 다시 물에 분산시켜 고형분 농도 20 질량%의 금속 산화물 전구체 수산화물 분산액을 제조하였다.
A mixed solution was prepared in which 130 g of potassium stannate and 30 g of antimonyl potassium stannate were dissolved in 400 g of pure water. The prepared solution was added to 1000 g of pure water in which 1.0 g of ammonium nitrate and 12 g of 15% aqueous ammonia were dissolved at 60 ° C under stirring for 12 hours, followed by hydrolysis. At this time 10% acetic acid solution was added simultaneously to maintain pH 8.8. The resulting precipitate was isolated by filtration, washed, and then dispersed in water to prepare a metal oxide precursor hydroxide dispersion having a solid concentration of 20% by mass.

이 분산액을 온도 100℃에서 분무 건조하여 금속 산화물 전구체 수산화물 분체를 제조하였다.
This dispersion was spray dried at a temperature of 100 ° C. to prepare a metal oxide precursor hydroxide powder.

이 분체를 공기 분위기하, 550℃에서 2시간 가열 처리함으로써 Sb 도핑 산화 주석(ATO) 분말을 수득하였다. 이 분말 60 g를 농도 4.3 질량%의 수산화 칼륨 수용액 140 g에 분산시켜 분산액을 30℃으로 유지하면서 샌드 밀로 3시간 분쇄하여 졸을 제조하였다.
This powder was heat-processed at 550 degreeC for 2 hours in air atmosphere, and Sb doped tin oxide (ATO) powder was obtained. 60 g of this powder was dispersed in 140 g of a 4.3% by mass aqueous potassium hydroxide solution, and pulverized with a sand mill for 3 hours while maintaining the dispersion at 30 ° C.

다음에 이 졸을 이온교환 수지로 pH가 3.0이 될 때까지 탈 알칼리의 처리를 실시하여 농도 20 질량%의 Sb 도핑 산화 주석 미립자로부터 되는 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액을 제조하였다. 이 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액의 pH는 3.2이었다. 또 도전성 무기 산화물 미립자(R1)의 평균 입경은 20 nm이었다.
Next, the sol was subjected to de-alkali treatment with an ion exchange resin until the pH reached 3.0 to prepare a conductive inorganic oxide fine particle (1) dispersion liquid containing 20 mass% of Sb-doped tin oxide fine particles. PH of this electroconductive inorganic oxide fine particle (1) dispersion liquid was 3.2. Moreover, the average particle diameter of electroconductive inorganic oxide fine particle (R1) was 20 nm.

그 다음에 농도 20 질량%의 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액 100 g를 25℃로 조정하여 테트라에톡시실란(타마 화학(주) 제:정규산 에틸, SiO2 농도 28.8 질량%) 4.9 g를 3분 정도 첨가한 후, 30분 교반을 실시하였다. 그 후 에탄올 100 g를 1분 걸쳐 첨가하여 50℃에서 30분간 정도 온도상승, 15시간 과열 처리를 실시하였다. 이 때의 고형분 농도는 15 질량%이었다.
Next, 100 g of the conductive inorganic oxide fine particles (1) dispersion liquid having a concentration of 20% by mass was adjusted to 25 ° C, and 4.9 g of tetraethoxysilane (manufactured by Tama Chemical Co., Ltd .: ethyl silicate and SiO 2 concentration 28.8% by mass) was added. After adding about 3 minutes, it stirred for 30 minutes. Thereafter, 100 g of ethanol was added over 1 minute, and the temperature was increased at 50 ° C. for about 30 minutes and the superheat treatment was performed for 15 hours. Solid content concentration at this time was 15 mass%.

그 다음에 한외여과막에서 분산매의 물과 에탄올을 에탄올에 용매 치환하는 것과 동시에 농축하여 고형분 농도 20 질량%의 유기 규소 화합물로 사슬상화 및 표면 처리한 도전성 무기 산화물 미립자(R1) 분산액을 제조하였다. 도전성 무기 산화물 미립자(R1)에 사슬상의 연결은 확인되지 않았다. 도전성 무기 산화물 미립자(R1)의 굴절률은 1.74이었다.
Subsequently, water and ethanol of the dispersion medium in the ultrafiltration membrane were concentrated at the same time as solvent substitution with ethanol to prepare a conductive inorganic oxide fine particle (R1) dispersion liquid which was chain-phased and surface treated with an organosilicon compound having a solid content of 20% by mass. No chained connection was found in the conductive inorganic oxide fine particles (R1). The refractive index of the conductive inorganic oxide fine particles (R1) was 1.74.

투명 피막 형성용 도포액(R6)의 제조Preparation of the coating liquid R6 for transparent film formation

 고형분 농도 20 질량%의 표면 처리 도전성 무기 산화물 미립자(R1) 분산액 100 g와 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(신나카무라 화학공업 (주)제:NK에스테르 ATM-4E, 수지 농도 100 질량%) 48 g, 비변성 아크릴계 수지(공영사 화학(주) 제:라이트 아크릴레이트 DPE6A, 수지 농도 100 질량%) 32 g에 광 개시제(티바스페샤리티(주) 제 Irgacure 184) 6.4 g 및 케톤계 용매로서 아세톤을 62 g, 메틸에틸케톤 18 g를 충분히 혼합하여 고형분 농도 40 질량%의 투명 피막 형성용 도포액(R6)을 제조하였다.
100 g of surface-treated conductive inorganic oxide fine particles (R1) dispersion liquid and ethylene oxide modified acrylic resin (made by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd .: NK ester ATM-4E, resin concentration 100 mass%) of 20 mass% of solid content concentration, ratio, ratio To 32 g of modified acrylic resin (manufactured by Kogyo Chemical Co., Ltd .: light acrylate DPE6A, resin concentration 100% by mass), 6.4 g of a photoinitiator (Tiba Specialty Co., Ltd. Irgacure 184) and acetone as a ketone solvent were 62 g and 18 g of methyl ethyl ketone were sufficiently mixed to prepare a coating film for forming a transparent film (R6) having a solid content concentration of 40% by mass.

투명 피막부기재(R6)의 제조Production of Transparent Film Substrate R6

실시예 1에 있어서 투명 피막 형성용 도포액(R6)을 TAC 필름(파낙(주) 제:FT-PB80UL-M, 두께:80㎛, 굴절률:1.5)에 바 코터법(바#10)으로 도포한 것 이외에는 동일하게 투명 피막부기재(R5)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 5 ㎛이었다. 수득된 투명 피막부기재(R6)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다.
In Example 1, the coating liquid R6 for transparent film formation was apply | coated to TAC film (Fanak Co., Ltd. product: FT-PB80UL-M, thickness: 80 micrometers, refractive index: 1.5) by the bar coater method (bar 10). A transparent coating part base material R5 was similarly manufactured except having done this. The film thickness of the transparent film was 5 micrometers. The total light transmittance, haze, film refractive index, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material R6 are shown in the table.

[비교예 7]
Comparative Example 7

사슬상 도전성 무기 산화물 입자(R2) 분산액의 제조Preparation of Chain Conductive Inorganic Oxide Particles (R2) Dispersion

순수한 물 800g에 수산화칼륨(아사히 글라스(주) 제: 순도 85 질량%) 25g을 용해한 용액 중에 삼산화 안티몬(스미토모 광산(주) 제: KN, 순도 98.5 질량%) 50g을 현탁하였다. 이 현탁액을 95℃에서 가열하고 그 다음에 과산화수소수(임순약(林純藥) (주) 제: 특급, 농도 35 질량%) 15g을 순수한 물 50g으로 희석한 수용액에 9시간 정도 첨가하고 삼산화 안티몬을 용해하여 그 후 11시간 숙성하였다. 이어서 냉각 후 수득된 용액으로부터 800 g을 취하여 이 용액을 순수한 물 4800 g으로 희석한 후 양이온 교환수지(미츠비시 화학(주) 제: pk-216)에서 pH가 3.5가 될 때까지 처리하여 탈이온을 실시하였다. 탈이온 하여 수득된 용액을 온도 70℃에서 10시간 숙성한 후, 한외여과막으로 농축하여 고형분 농도 14 질량%의 오산화 안티몬으로부터 형성되는 도전성 미립자 분산액을 제조하였다. 이 도전성 미립자 분산액의 pH는 4.0 도전성 미립자의 평균 입경은 20 nm이었다.
50 g of antimony trioxide (Sumitomo mine Co., Ltd. product: KN, purity 98.5 mass%) was suspended in the solution which melt | dissolved 25 g of potassium hydroxide (Asahi Glass Co., Ltd. make: purity 85 mass%) in 800 g of pure water. The suspension was heated at 95 ° C., and then 15 g of hydrogen peroxide (Lim Pharm Co., Ltd., Limited, concentration: 35 mass%) was added to an aqueous solution diluted with 50 g of pure water for about 9 hours, followed by antimony trioxide. Was dissolved and aged for 11 hours thereafter. Subsequently, 800 g was taken from the solution obtained after cooling, and this solution was diluted with 4800 g of pure water, and then treated with a cation exchange resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd .: pk-216) until the pH became 3.5, thereby deionizing. Was carried out. The solution obtained by deionization was aged for 10 hours at a temperature of 70 ° C., and then concentrated by an ultrafiltration membrane to prepare a conductive fine particle dispersion formed from antimony pentoxide having a solid content of 14% by mass. The pH of this electroconductive fine particle dispersion was 4.0 nm in average particle diameter of 4.0 electroconductive fine particles.

이어서 도전성 미립자 분산액 100g을 25℃로 조정하고 테트라에톡시실란(?? 화학(주) 제 : 정규산 에틸, SiO2 농도 28.8 질량%) 2.5g을 3분 정도 첨가한 후, 30분 교반을 실시하였다. 그 후 에탄올 100g을 1분에 걸쳐 첨가하고 50℃로 30분간 정도 온도 상승, 19시간 과열처리를 실시항T다. 이 때의 고형분 농도는 7 질량%이었다.
Subsequently, 100 g of the conductive fine particle dispersion was adjusted to 25 ° C., and 2.5 g of tetraethoxysilane (Chemical Co., Ltd. product: ethyl regular acid, SiO 2 concentration 28.8 mass%) was added for about 3 minutes, followed by stirring for 30 minutes. It was. Then, 100 g of ethanol was added over 1 minute, and the temperature was increased to 50 ° C. for 30 minutes, and the superheat treatment was performed for 19 hours. Solid content concentration at this time was 7 mass%.

그 다음에 한외여과막에서 분산매의 물과 에탄올을 에탄올에 용매 치환하는 것과 동시에 농축하여 고형분 농도 20 질량%의 유기 규소 화합물로 사슬상 및 표면 처리한 사슬상 도전성 무기 산화물 미입자(R2) 분산액을 제조하였다. 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(R2)를 구성하는 일차 입자의 평균 연결수는 5개이었다. 또한 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(R2)의 굴절률은 1.65이었다.
Subsequently, water and ethanol of the dispersion medium were solvent-substituted with ethanol in an ultrafiltration membrane, and concentrated at the same time to prepare a chain-conductive inorganic oxide fine particle (R2) dispersion liquid which was chained and surface treated with an organosilicon compound having a solid content of 20% by mass. It was. The average connection number of the primary particle which comprises chain | strand-shaped electroconductive inorganic oxide fine particle (R2) was five pieces. In addition, the refractive index of the chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles (R2) was 1.65.

투명 피막 형성용 도포액(R7)의 제조Preparation of coating liquid (R7) for transparent film formation

고형분 농도 20 질량%의 표면 처리 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(R2) 분산액 100 g과 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(신나카무라 화학공업 (주) 제: NK에스테르 ATM-4E, 수지 농도 100 질량%) 288g, 비변성 아크릴계 수지(공영사 화학 (주) 제: 라이트 아크릴레이트 DPE-6A 수지 농도 100 질량%) 192g에 광 개시제(티바스페샤리티(주) 제 이르가큐아 184) 38.4 g 및 케톤계 용매로서 아세톤을 568 g, 메틸에틸케톤 160 g를 충분히 혼합하여 고형분 농도 40 질량%의 투명 피막 형성용 도포액(R7)을 제조하였다.
100 g of surface-treated electroconductive inorganic oxide fine particles (R2) dispersion liquid of 20 mass% of solid content concentration, and ethylene oxide modified acrylic resin (Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. make: NK ester ATM-4E, resin concentration 100 mass%) 288 g, 38.4 g of a photoinitiator (Ilgacua 184 manufactured by Tiba Specialty Co., Ltd.) and a ketone solvent in 192 g of an unmodified acrylic resin (manufactured by Kogyo Chemical Co., Ltd .: 100 mass% of light acrylate DPE-6A resin concentration) 568 g of acetone and 160 g of methyl ethyl ketone were sufficiently mixed to prepare a coating liquid (R7) for forming a transparent film having a solid content concentration of 40% by mass.

투명 피막부기재(R7)의 제조Preparation of transparent film base material (R7)

실시예 1에 있어서 투명 피막 형성용 도포액(R7)을 TAC 필름(파낙 (주) 제:FT-PB80UL-M, 두께:80㎛, 굴절률:1.5)에 바 코터법(바#10)으로 도포한 것 이외에는 동일하게 투명 피막부기재(R7)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 5㎛이었다.
In Example 1, the coating liquid R7 for transparent film formation was apply | coated to TAC film (Panak Co., Ltd. product: FT-PB80UL-M, thickness: 80 micrometers, refractive index: 1.5) by the bar coater method (bar 10). A transparent coating part base material R7 was similarly manufactured except having done this. The film thickness of the transparent film was 5 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(R7)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다.
The total light transmittance, haze, film refractive index, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material R7 are shown in the table.

[비교예 8]
[Comparative Example 8]

사슬상 도전성 무기 산화물 입자(R3) 분산액의 제조Preparation of Chain Conductive Inorganic Oxide Particles (R3) Dispersion

실시예 1과 동일하게 제조한 농도 20 질량%의 도전성 무기 산화물 미립자(1) 분산액 100 g를 25℃로 조정하고 테트라에톡시실란(타마 화학 (주) 제:정규산 에틸, SiO2 농도 28.8 질량%) 6.9 g를 3분 정도 첨가한 후, 30분 교반을 실시하였다. 그 후 에탄올 100 g를 1분에 걸쳐 첨가하고 50℃로 30분간 정도 온도상승, 15시간 과열 처리를 실시하였다. 이 때의 고형분 농도는 15 질량%이었다.
100 g of the conductive inorganic oxide fine particles (1) dispersion liquid having a concentration of 20 mass% prepared in the same manner as in Example 1 was adjusted to 25 ° C, and tetraethoxysilane (manufactured by Tama Chemical Co., Ltd .: ethyl silicate and SiO 2 concentration 28.8 mass) %) After adding 6.9 g for about 3 minutes, stirring was performed for 30 minutes. Thereafter, 100 g of ethanol was added over 1 minute, and the temperature was increased at 50 ° C. for about 30 minutes and superheated for 15 hours. Solid content concentration at this time was 15 mass%.

이어서 한외여과막에서 분산매의 물과 에탄올을 에탄올에 용매 치환하는 것과 동시에 농축하여 고형분 농도 20 질량%의 유기 규소 화합물로 사슬상화 및 표면 처리한 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(R3) 분산액을 제조하였다. 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(R3)를 구성하는 일차 입자는 일부 연결이 확인되었지만 거의 단분산 상태였다. 또한 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(R3)의 굴절률은 1.73이었다.
Subsequently, water and ethanol of the dispersion medium were concentrated on the ultrafiltration membrane at the same time as solvent substitution with ethanol to prepare a chain-conductive inorganic oxide fine particle (R3) dispersion liquid which was chainified and surface-treated with an organosilicon compound having a solid content of 20% by mass. Although the primary particle | grains which comprise chain | strand-shaped electroconductive inorganic oxide fine particle (R3) confirmed some connection, it was almost monodisperse. In addition, the refractive index of the chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles (R3) was 1.73.

투명 피막 형성용 도포액(R8)의 제조Preparation of coating liquid (R8) for transparent film formation

고형분 농도 20 질량%의 표면 처리 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자(R3) 분산액 100 g과 자외선 경화 수지(DIC(주) 제:유니디크 17-824-9, 고형분 농도 77 질량%) 623 g, 케톤계 용매로서 아세톤을 430 g, 메틸에틸케톤 121 g를 충분히 혼합하여 고형분 농도 40 질량%의 투명 피막 형성용 도포액(R8)을 제조하였다.
100 g of surface-treated chain-shaped conductive inorganic oxide fine particles (R3) dispersion liquid and ultraviolet curable resin (DIC Corporation make: Unidiq 17-824-9, solid content concentration 77 mass%) of 20 mass% of solid content concentration, 623 g, ketone system As a solvent, 430 g of acetone and 121 g of methyl ethyl ketone were sufficiently mixed to prepare a coating liquid (R8) for forming a transparent film having a solid content of 40% by mass.

투명 피막부기재(R8)의 제조Preparation of transparent film base material (R8)

실시예 1에 있어서 투명 피막 형성용 도포액(R8)을 TAC 필름(파낙(주) 제:FT-PB80UL-M, 두께:80㎛, 굴절률:1.5)에 바 코터법(바#10)으로 도포한 것 이외에는 동일하게 투명 피막부기재(R8)를 제조하였다. 투명 피막의 막 두께는 5㎛이었다.In Example 1, the coating liquid R8 for transparent film formation was apply | coated to TAC film (Fanak Co., Ltd. make: FT-PB80UL-M, thickness: 80 micrometers, refractive index: 1.5) by the bar coater method (bar 10). A transparent coating part base material R8 was similarly manufactured except having done this. The film thickness of the transparent film was 5 micrometers.

수득된 투명 피막부기재(R9)의 전체 광선 투과율, 헤이즈, 반사율, 피막의 굴절률, 밀착성, 연필 경도, 착색, 간섭 무늬, 사슬상 입자의 분산 상태, 내찰상성을 표에 나타낸다.
The total light transmittance, haze, reflectance, refractive index of the film, adhesiveness, pencil hardness, coloring, interference fringe, dispersion state of chain-shaped particles, and scratch resistance of the obtained transparent coating part base material (R9) are shown in the table.

Figure pat00001

Figure pat00001

Figure pat00002
Figure pat00002

Claims (16)

도전성 무기 산화물 미립자, 매트릭스 형성 성분 및 분산매를 포함하는 투명 피막 형성용 도포액에 있어서, 상기 도전성 무기 산화물 미립자는 하기식 (1)로 표시되는 유기규소화합물로 표면 처리시키며 분산매는 케톤류를 포함하고 전체 고형분 함량이 1?60 질량% 범위이고 표면 처리된 도전성 무기산화물 미립자는 비응집된 고 분산된 형태이고 상기 도전성 무기 산화물 미립자의 고형분으로서 농도는 0.1?59.4 질량% 범위이고, 수득된 투명 피막 중에 전도성 무기 산화물 미립자가 사슬상 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 피막 형성용 도포액.

Rn-SiX4-n (1)

(상기 식에서 R은 탄소수 1?10의 비치환 또는 치환된 탄화수소기이며, 서로 동일하거나 상이하며, X는 탄소수 1?4의 알콕시기, 수산기, 할로겐, 수소이며, n 은 0?3의 정수이다.)
In the coating film for forming a transparent film containing conductive inorganic oxide fine particles, a matrix forming component and a dispersion medium, the conductive inorganic oxide fine particles are surface treated with an organosilicon compound represented by the following formula (1), and the dispersion medium contains ketones and is entirely The conductive inorganic oxide fine particles having a solid content in the range of 1 to 60% by mass and the surface-treated conductive inorganic oxide fine particles are in the non-agglomerated, highly dispersed form, and the solid content of the conductive inorganic oxide fine particles has a concentration in the range of 0.1 to 59.4% by mass and is conductive in the obtained transparent film. An inorganic oxide fine particle forms a chain structure, The coating liquid for transparent film formation characterized by the above-mentioned.

R n -SiX 4-n (1)

(Wherein R is an unsubstituted or substituted hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, the same as or different from each other, X is an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a hydroxyl group, halogen, hydrogen, n is an integer of 0 to 3) .)
제 1항에 있어서, 상기 도전성 무기 산화물 미립자는 Sb 도핑된 산화 주석(ATO) 미립자 및/또는 P 도핑된 산화 주석(PTO) 미립자이며, 평균 입경이 5?10 nm의 범위임을 특징으로 하는 투명 피막 형성용 도포액.
The transparent inorganic film of claim 1, wherein the conductive inorganic oxide fine particles are Sb-doped tin oxide (ATO) particles and / or P-doped tin oxide (PTO) particles, and have an average particle diameter in a range of 5 to 10 nm. Coating liquid for formation.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 도전성 무기 산화물 미립자는 도전성 무기 산화물 미립자의 일차 입자가 3개 이상 사슬상으로 연결된 사슬상 도전성 무기 산화물 미립자인 것을 특징으로 하는 투명 피막 형성용 도포액.
The coating liquid for forming a transparent film according to claim 1 or 2, wherein the conductive inorganic oxide fine particles are chain conductive inorganic oxide fine particles in which three or more primary particles of the conductive inorganic oxide fine particles are chained.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 매트릭스 형성 성분은 알킬렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(A)인 것을 특징으로 하는 투명 피막 형성용 도포액.
The coating liquid for forming a transparent film according to any one of claims 1 to 3, wherein the matrix forming component is an alkylene oxide-modified acrylic resin (A).
제 4항에 있어서, 상기 알킬렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(A)는 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지인 것을 특징으로 하는 투명 피막 형성용 도포액.
The coating liquid for forming a transparent film according to claim 4, wherein the alkylene oxide modified acrylic resin (A) is an ethylene oxide modified acrylic resin.
제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 매트릭스 형성 성분은 알킬렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(A)와 비변성 아크릴계 수지(B)를 포함하고, 비변성 아크릴계 수지(B)와 알킬렌 옥사이드 변성 아크릴계 수지(A)와의 고형분으로서의 중량비((B):(A))가 5:95?50:50의 범위임을 특징으로 하는 투명 피막 형성용 도포액.
The matrix-forming component according to any one of claims 1 to 5, wherein the matrix forming component comprises an alkylene oxide modified acrylic resin (A) and an unmodified acrylic resin (B), and includes an unmodified acrylic resin (B) and an alkylene. The weight ratio ((B) :( A)) as solid content with oxide modified acrylic resin (A) is the range of 5: 95-50: 50 The coating liquid for transparent film formation.
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분산매의 케톤류는 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 부틸메틸케톤, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논, 디프로필케톤, 메틸펜틸케톤, 디이소부틸케톤, 이소포론, 아세틸아세톤, 아세트초산에스테르로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명 피막 형성용 도포액.
The ketone of the dispersion medium is acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, butyl methyl ketone, cyclohexanone, methylcyclohexanone, dipropyl ketone, methyl pentyl ketone according to any one of claims 1 to 6. And at least one selected from diisobutyl ketone, isophorone, acetylacetone, and acetic acid ester.
제 7항에 있어서, 상기 분산매의 케톤류는 아세톤 및/또는 메틸에틸케톤인 것을 특징으로 하는 투명 피막 형성용 도포액.
8. The coating liquid for forming a transparent film according to claim 7, wherein the ketones of the dispersion medium are acetone and / or methyl ethyl ketone.
기재와 기재 표면에 형성된 투명 피막으로 이루어진 투명 피막부기재에 있어서, 상기 투명 피막은 도전성 무기 산화물 미립자와 매트릭스 성분을 포함하며, 도전성 무기 산화물 미립자는 하기식 (1)로 표시되는 유기 규소 화합물로 표면 처리 제조되고, 상기 도전성 무기 산화물 미립자는 투명 피막 중에서 사슬상 구조를 형성하고 고 분산된 것으로
투명 피막 중에서 상기 도전성 무기 산화물 미립자의 함유량은 1?12 질량%의 범위이고,
투명 피막의 표면 저항치는 108?1011 Ω/□의 범위이며, 헤이즈는 0.3% 이하이며 광선 투과율은 90% 이상이며,
기재의 굴절률(NS)과 상기 투명 피막의 굴절률(NH)과의 차이가 0.02 이하인 투명 피막부기재.
Rn-SiX4-n (1)
(상기 식에서 R은 탄소수 1?10의 비치환 또는 치환된 탄화수소기이며, 서로 동일하거나 상이하며, X는 탄소수 1?4의 알콕시기, 수산기, 할로겐, 수소이며, n 은 0?3의 정수이다.)
In the transparent coating part base material which consists of a base material and the transparent film formed in the surface of the base material, the said transparent film contains electroconductive inorganic oxide fine particle and a matrix component, and electroconductive inorganic oxide fine particle is surfaced with the organosilicon compound represented by following formula (1). The conductive inorganic oxide fine particles are processed and manufactured to form a chain structure in a transparent film and to be highly dispersed.
The content of the conductive inorganic oxide fine particles in the transparent coating is in the range of 1 to 12 mass%,
The surface resistance value of the transparent coating film is 10 8? 10 11 Ω / □ in the range of the haze is more than 0.3% and the light transmittance is 90% or more,
The transparent film part base material whose difference between the refractive index N S of a base material and the refractive index N H of the said transparent film is 0.02 or less.
R n -SiX 4-n (1)
(Wherein R is an unsubstituted or substituted hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, the same as or different from each other, X is an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a hydroxyl group, halogen, hydrogen, n is an integer of 0 to 3) .)
제 9항에 있어서, 상기 도전성 무기 산화물 미립자는 Sb 도핑된 산화 주석(ATO) 미립자 및/또는 P 도핑된 산화 주석(PTO) 미립자이며, 사슬상 구조를 형성하는 일차 입자의 평균 입경은 5?10 nm의 범위이며, 연결수가 3 이상인 것을 특징으로 하는 투명 피막부기재.
10. The method of claim 9, wherein the conductive inorganic oxide fine particles are Sb doped tin oxide (ATO) fine particles and / or P-doped tin oxide (PTO) fine particles, the average particle diameter of the primary particles forming a chain structure is 5-10. A transparent coating part base material having a range of nm and a connecting number of 3 or more.
제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 매트릭스 성분은 알킬렌옥사이드 변성 아크릴계 수지(A)인 것을 특징으로 하는 투명 피막부기재.
The transparent coating part base material according to claim 9 or 10, wherein the matrix component is an alkylene oxide modified acrylic resin (A).
제 11항에 있어서, 상기 알콕시 변성 아크릴계 수지(A)는 에틸렌옥사이드 변성 아크릴계 수지인 것을 특징으로 하는 투명 피막부기재.
The transparent coating part base material according to claim 11, wherein the alkoxy-modified acrylic resin (A) is an ethylene oxide-modified acrylic resin.
제 9항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 매트릭스 성분은 비변성 아크릴계 수지(B)를 포함하며 비변성 아크릴계 수지(B)와 알콕시 변성 아크릴계 수지(A)의 고형분으로서의 중량비((B):(A))가 5:95?50:50의 범위임을 특징으로 하는 투명 피막부기재.
The said matrix component contains an unmodified acrylic resin (B), The weight ratio as solid content of an unmodified acrylic resin (B) and an alkoxy modified acrylic resin (A) (14). ): (A)) is a transparent film base material, characterized in that the range of 5: 95-50: 50.
제 9항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 피막의 막 두께가 1?20 ㎛의 범위임을 특징으로 하는 투명 피막부기재.
The transparent film base material according to any one of claims 9 to 13, wherein the film thickness of the transparent film is in a range of 1 to 20 µm.
제 9항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기재는 트리아세틸셀룰로오스인 것을 특징으로 하는 투명 피막부기재.
The transparent coating part base material according to any one of claims 9 to 14, wherein the base material is triacetyl cellulose.
제 9항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 피막은 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 기재된 투명 피막 형성용 도포액을 사용하여 수득된 것을 특징으로 하는 투명 피막부기재.
The transparent film base material according to any one of claims 9 to 15, wherein the transparent film is obtained by using the coating liquid for forming a transparent film according to any one of claims 1 to 8. .
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