KR20120009449A - 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 및 플라즈마 디스플레이 장치 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 및 플라즈마 디스플레이 장치 Download PDF

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Abstract

평균 휘도 레벨이 낮은 화상을 표시할 때에는 표시 화상의 흑휘도를 저감하여 콘트래스트를 높이고, 평균 휘도 레벨이 높은 화상을 표시할 때에는 기입 방전을 안정되게 발생시켜서 화상 표시 품질을 높인다. 이를 위해, 초기화 기간에 있어서 소정의 주사 전극에 강제 초기화 파형을 인가하고, 다른 주사 전극에 비초기화 파형을 인가하는 특정 셀 초기화 서브필드와, 초기화 기간에 선택 초기화 파형을 모든 주사 전극에 인가하는 선택 초기화 서브필드를 마련함과 아울러, 특정 셀 초기화 서브필드와 복수의 선택 초기화 서브필드를 갖는 특정 셀 초기화 필드를 마련하고, 입력 화상 신호의 평균 휘도 레벨이 낮아짐에 따라서 강제 초기화 파형을 주사 전극에 인가하는 빈도가 저감되도록, 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 평균 휘도 레벨의 크기에 따라 변경한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 및 플라즈마 디스플레이 장치{METHOD FOR DRIVING PLASMA DISPLAY PANEL AND PLASMA DISPLAY DEVICE}
본 발명은, 벽걸이 텔레비젼이나 대형 모니터에 이용되는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 및 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(이하, 줄여서 「패널」이라고 함)로서 대표적인 교류 면방전형 패널은, 대향 배치된 전면판과 배면판 사이에 다수의 방전 셀이 형성되어 있다. 전면판은, 1쌍의 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍이 전면 유리 기판 상에 서로 평행하게 복수쌍 형성되어 있다. 그리고, 이들 표시 전극쌍을 덮도록 유전체층 및 보호층이 형성되어 있다. 배면판은, 배면 유리 기판 상에 복수의 평행한 데이터 전극이 형성되고, 이들을 덮도록 유전체층이 형성되며, 또한 그 위에 데이터 전극과 평행하게 복수의 격벽이 형성되어 있다. 그리고, 유전체층의 표면과 격벽의 측면에 형광체층이 형성되어 있다.
그리고, 표시 전극쌍과 데이터 전극이 입체 교차하도록 전면판과 배면판이 대향 배치되고 밀봉되어 있다. 그 내부의 방전 공간에는, 예컨대 분압비로 5%인 제논을 포함하는 방전 가스가 봉입되어 있다. 그리고, 표시 전극쌍과 데이터 전극이 대향하는 부분에 방전 셀이 형성된다. 이러한 구성의 패널에 있어서, 각 방전 셀 내에서 가스 방전에 의해 자외선을 발생시킨다. 이 자외선으로 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 각 색의 형광체를 여기 발광시켜서 컬러 표시를 행한다.
패널을 구동하는 방법으로서는 일반적으로 서브필드법이 이용되고 있다. 서브필드법에서는, 1필드를 복수의 서브필드로 분할하고, 각각의 서브필드로 각 방전 셀의 발광과 비발광을 제어한다. 그리고, 1필드에 발생시키는 발광의 횟수를 제어함으로써 계조 표시를 행한다.
각 서브필드는, 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간을 갖는다. 초기화 기간에는, 각 주사 전극에 초기화 파형을 인가하여, 각 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시킨다. 이로써, 이어지는 기입 동작을 위해 필요한 벽 전하를 각 방전 셀에 형성함과 아울러, 기입 방전을 안정되게 발생시키기 위한 프라이밍 입자(기입 방전을 발생시키기 위한 여기 입자)를 발생시킨다.
기입 기간에는, 주사 전극에는 주사 펄스를 순차적으로 인가하고, 데이터 전극에는 표시할 화상 신호에 대응한 기입 펄스를 선택적으로 인가한다. 이로써, 발광시킬 방전 셀에 있어서, 주사 전극과 데이터 전극 사이에 기입 방전을 발생시켜서, 벽 전하를 형성한다(이하, 이 동작을 「기입」이라고도 한다).
유지 기간에는, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍에, 서브필드마다 정해진 횟수의 유지 펄스를 교대로 인가한다. 이로써, 기입 방전에 의한 벽 전하 형성이 행해진 방전 셀에서 유지 방전을 발생시켜서, 이 방전 셀의 형광체층을 발광시킨다. 이렇게 해서, 패널의 화상 표시 영역에 화상을 표시한다.
패널에 있어서의 화상 표시 품질을 높이는 데에 있어서 중요한 요인 중 하나로 콘트래스트의 향상이 있다. 그리고, 서브필드법 중 하나로서, 계조 표시에 관계하지 않는 발광을 극력 삭감하여 콘트래스트비를 향상시키는 구동 방법이 개시되어 있다.
이 구동 방법에서는, 1필드를 구성하는 복수의 서브필드 중, 하나의 서브필드의 초기화 기간에는 모든 방전 셀에 초기화 방전을 발생시키는 초기화 동작을 행한다. 또한, 다른 서브필드의 초기화 기간에는 직전의 유지 기간에 유지 방전을 행한 방전 셀에 대해 선택적으로 초기화 방전을 행하는 초기화 동작을 행한다.
유지 방전을 발생시키지 않는 흑 표시 영역의 휘도(이하, 줄여서 「흑휘도」라고 함)는 화상의 표시에 관계가 없는 발광에 의해서 변화된다. 이 발광에는, 예컨대, 초기화 방전에 의해서 생기는 발광 등이 있다. 그리고, 상술한 구동 방법에서는, 흑 표시 영역에서의 발광은, 모든 방전 셀에 초기화 동작을 행할 때의 미약 발광만이 된다. 이로써, 흑휘도를 저감하여 콘트래스트가 높은 화상 표시가 가능하게 된다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
또한, 흑휘도를 낮춰서 흑의 시인성을 향상시키는 기술이 개시되어 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조). 이 기술에서는, 전압이 서서히 증가하는 완만한 경사 부분을 가지는 상승부와, 전압이 서서히 감소하는 완만한 경사 부분을 가지는 하강부를 갖는 초기화 파형을, 유지 기간에 방전한 방전 셀에 인가하는 초기화 기간을 마련한다. 그리고, 1필드의 임의의 초기화 기간 직전에, 전체 방전 셀을 대상으로 해서 유지 전극과 주사 전극 사이에서 미약 방전을 일으키는 기간을 마련한다.
상술한 특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 모든 방전 셀에 초기화 방전을 발생시키는 초기화 동작을 1필드에 1회로 함으로써 서브필드마다 모든 방전 셀에 초기화 방전을 발생시키는 경우에 비해서, 표시 화상의 흑휘도를 낮춰서, 콘트래스트를 높일 수 있다.
그러나 최근, 패널의 대화면화, 고세밀화에 따라서 화상 표시 품질을 더 향상시키는 것이 요구되고 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제 2000-242224호 공보 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 제 2004-37883호 공보
본 발명의 패널의 구동 방법은, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 패널을, 초기화 기간과 기입 기간과 유지 기간을 갖는 서브필드를 1필드 내에 복수 마련하여 계조 표시하는 패널의 구동 방법으로서, 초기화 기간에 있어서, 직전의 서브필드의 동작에 관계없이 방전 셀에 초기화 방전을 발생시키는 강제 초기화 파형과, 직전의 서브필드의 유지 기간에 유지 방전을 발생한 방전 셀에만 초기화 방전을 발생시키는 선택 초기화 파형과, 방전 셀에 초기화 방전이 발생하지 않는 비초기화 파형 중 어느 하나를 주사 전극에 인가하고, 초기화 기간에 있어서 소정의 주사 전극에 강제 초기화 파형을 인가하고, 다른 주사 전극에 비초기화 파형을 인가하는 특정 셀 초기화 서브필드와, 초기화 기간에 선택 초기화 파형을 모든 주사 전극에 인가하는 선택 초기화 서브필드를 마련함과 아울러, 특정 셀 초기화 서브필드와 복수의 선택 초기화 서브필드를 갖는 특정 셀 초기화 필드를 마련하고, 입력 화상 신호의 평균 휘도 레벨이 낮아짐에 따라서 강제 초기화 파형을 주사 전극에 인가하는 빈도가 저감되도록, 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 평균 휘도 레벨의 크기에 따라 변경하는 것을 특징으로 한다.
이로써, 흑휘도를 상승시키는 주된 요인 중 하나인 강제 초기화 파형에 의한 초기화 방전의 발생 빈도를, 입력 화상 신호의 평균 휘도 레벨에 따라 제어하는 것이 가능해진다. 따라서, 패널의 화상 표시면에서, 어두운 영역이 차지하는 비율이 비교적 커서 평균 휘도 레벨이 낮은 화상을 표시할 때에는, 강제 초기화 파형에 의한 초기화 방전의 발생 빈도를 저감하여 표시 화상의 흑휘도를 저감해서, 콘트래스트를 높이는 것이 가능해진다. 또한, 기입 방전의 발생 횟수가 비교적 커서 기입 방전이 불안정하게 되기 쉬운 평균 휘도 레벨이 높은 화상을 표시할 때에는, 강제 초기화 파형에 의한 초기화 방전의 발생 빈도를 높여서, 기입 방전을 안정되게 발생시키는 것이 가능해진다. 이로써, 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서의 화상 표시 품질을 높이는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 패널의 구조를 나타내는 분해 사시도,
도 2는 동 패널의 전극 배열도,
도 3은 동 패널의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형도,
도 4는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 회로 블록도,
도 5는 동 플라즈마 디스플레이 장치의 주사 전극 구동 회로의 일 구성예를 나타내는 회로도,
도 6은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간의 주사 전극 구동 회로의 동작의 일례를 설명하기 위한 타이밍 차트,
도 7은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 APL의 수치 범위와 수치 범위마다 설정한 강제 초기화 파형의 발생 빈도의 일례를 나타내는 도면,
도 8은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 6필드에 1회로 할 때의 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형의 발생 패턴의 일례를 나타내는 개략도,
도 9는 동 빈도를 4필드에 1회로 할 때의 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형의 발생 패턴의 일례를 나타내는 개략도,
도 10은 동 빈도를 3필드에 1회로 할 때의 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형의 발생 패턴의 일례를 나타내는 개략도,
도 11은 동 빈도를 2필드에 1회로 할 때의 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형의 발생 패턴의 일례를 나타내는 개략도,
도 12는 동 빈도를 4필드에 3회로 할 때의 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형의 발생 패턴의 일례를 나타내는 개략도,
도 13은 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 변경했을 때의 흑휘도의 변화(상대값)를 나타내는 도면,
도 14는 본 발명의 실시예 2에 있어서의 강제 초기화 파형을 발생시키는 간격을 변경할 때의 동작의 일례를 개략적으로 나타내는 도면,
도 15는 본 발명의 실시예 3에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 동작 시간의 누적값과 강제 초기화 파형의 발생 빈도의 일례를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 대해서, 도면을 이용해서 설명한다.
(실시예 1)
도 1은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 패널(10)의 구조를 나타내는 분해 사시도이다. 유리제인 전면판(21) 상에는, 주사 전극(22)과 유지 전극(23)으로 이루어지는 표시 전극쌍(24)이 복수 형성되어 있다. 그리고 주사 전극(22)과 유지 전극(23)을 덮도록 유전체층(25)이 형성되고, 이 유전체층(25) 상에 보호층(26)이 형성되어 있다. 또한, 보호층(26)은, 산화 마그네슘(MgO)을 주성분으로 하는 재료로 형성되어 있다.
배면판(31) 상에는 데이터 전극(32)이 복수 형성되고, 데이터 전극(32)을 덮도록 유전체층(33)이 형성되고, 또한 그 위에 우물정(井)자 형상의 격벽(34)이 형성되어 있다. 그리고, 격벽(34)의 측면 및 유전체층(33) 상에는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 각 색으로 발광하는 형광체층(35)이 마련되어 있다.
이들 전면판(21)과 배면판(31)은, 미소한 방전 공간을 사이에 두고 표시 전극쌍(24)과 데이터 전극(32)이 교차하도록 대향 배치되어 있다. 그리고, 그 외주부를 글래스 플릿(a glass frit) 등의 밀봉재에 의해서 밀봉하고 있다. 그리고, 내부의 방전 공간에는, 네온과 제논의 혼합 가스가 방전 가스로서 봉입되어 있다. 한편, 본 실시예에서는, 발광 효율을 향상시키기 위해서 제논 분압을 약 10%로 한 방전 가스를 이용하고 있다. 방전 공간은 격벽(34)에 의해서 복수의 구획으로 구분되어 있고, 표시 전극쌍(24)과 데이터 전극(32)이 교차하는 부분에 방전 셀이 형성되어 있다. 그리고 이들 방전 셀이 방전, 발광함으로써 화상이 표시된다.
한편, 패널(10)의 구조는 상술한 것으로 한정되는 것은 아니고, 예컨대 스트라이프 형상의 격벽을 구비한 것이어도 된다. 또한, 방전 가스의 혼합 비율도 상술한 수치로 한정되는 것이 아니며, 그 밖의 혼합 비율이어도 된다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 패널(10)의 전극 배열도이다. 패널(10)에는, 행 방향으로 긴 n개의 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn(도 1의 주사 전극(22)) 및 n개의 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn(도 1의 유지 전극(23))이 배열되어 있고, 열 방향으로 긴 m개의 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm(도 1의 데이터 전극(32))이 배열되어 있다. 그리고, 1쌍의 주사 전극 SCi(i=1~n) 및 유지 전극 SUi와 하나의 데이터 전극 Dk(k=1~m)이 교차한 부분에 방전 셀이 형성되어 있다. 따라서, 방전 셀은 방전 공간내에 m×n개 형성된다. 그리고, m×n개의 방전 셀이 형성된 영역이 패널(10)의 표시 영역이 된다.
다음으로, 패널(10)을 구동하기 위한 구동 전압 파형과 그 동작의 개요에 대해서 설명한다. 한편, 본 실시예에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치는,서브필드법에 의해서 계조 표시를 행하는 것으로 한다. 즉, 1필드를 시간축 상에서 복수의 서브필드로 분할하고, 각 서브필드에 휘도 가중을 각각 설정하여, 서브필드마다 각 방전 셀의 발광?비발광을 제어함으로써 패널(10)에 계조를 표시한다.
이 서브필드법에서는, 예컨대 1필드를 8개의 서브필드(제 1 SF, 제 2 SF, …, 제 8 SF)로 구성하고, 각 서브필드는 각각 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128의 휘도 가중을 갖는 구성으로 할 수 있다. 그리고, 각 서브필드의 유지 기간에 있어서는, 각각의 서브필드의 휘도 가중에 소정의 휘도 배율을 곱한 수의 유지 펄스를 표시 전극쌍(24) 각각에 인가한다.
한편, 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드의 초기화 기간에 있어서는, 「강제 초기화 동작」과 「비초기화 동작」을 선택적으로 행하는 초기화 동작을 행하고(이하, 이러한 초기화 동작을 「특정 셀 초기화 동작」이라고 한다), 다른 서브필드의 초기화 기간에 있어서는 「선택 초기화 동작」을 행함으로써 계조 표시에 관계하지 않는 발광을 극력 삭감하여 콘트래스트비를 향상시키는 것이 가능하다. 이 「강제 초기화 동작」이란, 직전의 서브필드의 동작에 관계없이 방전 셀에 초기화 방전을 발생시키는 초기화 동작이다. 또한, 「비초기화 동작」이란, 초기화 기간에 방전 셀에 초기화 방전이 발생시키지 않는 동작이다. 또한 「선택 초기화 동작」이란, 직전 서브필드의 유지 기간에 유지 방전을 발생시킨 방전 셀에만 초기화 방전을 발생시키는 초기화 동작이다. 또한, 이하, 초기화 기간에 특정 셀 초기화 동작을 행하는 서브필드를 「특정 셀 초기화 서브필드」라고 하고, 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행하는 서브필드를 「선택 초기화 서브필드」라고 한다.
한편, 본 실시예에서는, 상술한 특정 셀 초기화 서브필드 및 선택 초기화 서브필드에 더해서, 초기화 기간에 모든 방전 셀에서 비초기화 동작을 행하는 비초기화 서브필드와, 초기화 기간에 모든 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 전체 셀 초기화 서브필드를 발생시키는 구성으로 하고 있다. 즉, 비초기화 서브필드는, 초기화 기간에 모든 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키지 않는 서브필드이고, 전 셀 초기화 서브필드는, 초기화 기간에 모든 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 서브필드이다.
그리고, 본 실시예에서는, 1필드를 8개의 서브필드(제 1 SF, 제 2 SF, …, 제 8 SF)로 구성하고, 제 1 SF는 특정 셀 초기화 서브필드와 비초기화 서브필드와 전체 셀 초기화 서브필드 중 어느 하나로 하고, 제 2 SF~제 8 SF는 선택 초기화 서브필드로 한다. 이로써, 화상의 표시에 관계가 없는 발광은 제 1 SF에서의 강제 초기화 동작의 방전에 따르는 발광만이 된다. 따라서, 유지 방전을 발생시키지 않는 흑 표시 영역의 휘도인 흑휘도는 강제 초기화 동작에 있어서의 미약 발광만이 된다. 이로써, 표시 화상에 있어서의 흑휘도를 저감하여, 콘트래스트를 높이는 것이 가능해진다.
이하, 특정 셀 초기화 서브필드(예컨대, 제 1 SF)와 복수의 선택 초기화 서브필드(예컨대, 제 2 SF~제 8 SF)를 갖는 필드를 「특정 셀 초기화 필드」라고 하고, 비초기화 서브필드(예컨대, 제 1 SF)와 복수의 선택 초기화 서브필드(예컨대, 제 2 SF~제 8 SF)를 갖는 필드를 「비초기화 필드」라고 하며, 전체 셀 초기화 서브필드(예컨대, 제 1 SF)와 복수의 선택 초기화 서브필드(예컨대, 제 2 SF~제 8 SF)를 갖는 필드를 「전체 셀 초기화 필드」라고 한다.
그러나, 본 실시예는, 서브필드 수나 각 서브필드의 휘도 가중이 상기한 값으로 한정되는 것이 아니고, 또한 화상 신호 등에 기초해서 서브필드 구성을 전환하는 구성이어도 된다.
다음으로, 특정 셀 초기화 필드를 예에 들어 구동 전압 파형을 설명한다.
도 3은, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 패널(10)의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형도이다. 도 3에는, 기입 기간에 있어서 최초로 기입 동작을 행하는 주사 전극 SC1, 기입 기간에 있어서 2번째로 기입 동작을 행하는 주사 전극 SC2, 기입 기간에 있어서 마지막으로 기입 동작을 행하는 주사 전극 SCn(예컨대, 주사 전극 SC1080), 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn, 및 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm의 구동 파형을 나타낸다.
또한, 도 3에는, 2개의 서브필드의 구동 전압 파형을 나타낸다. 즉, 특정 셀 초기화 서브필드인 제 1 서브필드(제 1 SF)와, 선택 초기화 서브필드인 제 2 서브필드(제 2 SF)를 나타낸다. 또한, 이하에 있어서의 주사 전극 SCi, 유지 전극 SUi, 데이터 전극 Dk은, 각 전극 중에서 서브필드 데이터에 기초해서 선택된 전극을 나타낸다. 이 서브필드 데이터란, 서브필드마다의 발광?비발광을 나타내는 데이터이다.
우선, 특정 셀 초기화 서브필드인 제 1 SF에 대해서 설명한다.
한편, 도 3에는, 배치적으로 봐서, 위에서부터 (1+3×N)번째(N은 정수)의 주사 전극 SC(1+3×N)에는 직전의 서브필드의 동작에 관계없이 방전 셀에 초기화 방전을 발생시키는 강제 초기화 파형을 인가하고, 그 이외의 주사 전극(22)에는 방전 셀에 초기화 방전이 발생하지 않는 비초기화 파형을 인가하는 구성을 나타낸다.
제 1 SF의 초기화 기간 전반부에서는, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에는 각각 0(V)을 인가하고, 주사 전극 SC(1+3×N)에는 소정의 전압인 전압 Vi1을 인가하며, 전압 Vi1으로부터 전압 Vi2을 향해서 완만하게(예컨대, 약 0.5V/μsec의 기울기로) 상승하는 경사 전압(이하, 「상승 램프 전압」이라고 한다) L1을 인가한다. 이 때, 전압 Vi1은 유지 전극 SU(1+3×N)에 대해 방전 개시 전압 이하의 전압으로 하고, 전압 Vi2은 유지 전극 SU(1+3×N)에 대해 방전 개시 전압을 넘는 전압으로 한다.
이 상승 램프 전압 L1이 상승하는 동안에, 주사 전극 SC(1+3×N)과 유지 전극 SU(1+3×N) 사이, 및 주사 전극 SC(1+3×N)과 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 사이에서 각각 미약한 초기화 방전이 지속적으로 일어난다. 그리고, 주사 전극 SC(1+3×N) 상부에 음(負)의 벽 전압이 축적됨과 아울러, 주사 전극 SC(1+3×N)과 교차하는 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 상부 및 유지 전극 SU(1+3×N) 상부에는 양(正)의 벽 전압이 축적된다. 이 전극 상부의 벽 전압이란, 전극을 덮는 유전체층 상, 보호층 상, 형광체층 상 등에 축적된 벽 전하에 의해 생기는 전압을 나타낸다.
초기화 기간 후반부에는, 주사 전극 SC(1+3×N)의 인가 전압을, 전압 Vi2으로부터 전압 Vi2보다 낮은 전압 Vi3으로 하강시킨다. 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에는 양의 전압 Ve을 인가하고, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에는 0(V)을 인가한다. 그리고, 주사 전극 SC(1+3×N)에, 전압 Vi3로부터 음의 전압 Vi4을 향해서 완만하게(예컨대, 약 -0.5V/μsec의 기울기로) 하강하는 경사 전압(이하, 「하강 램프 전압」이라고 한다) L2를 인가한다. 이 때, 전압 Vi3은 유지 전극 SU(1+3×N)에 대해 방전 개시 전압 이하의 전압으로 하고, 전압 Vi4은 유지 전극 SU(1+3×N)에 대해 방전 개시 전압을 넘는 전압으로 한다.
이 사이에, 주사 전극 SC(1+3×N)과 유지 전극 SU(1+3×N) 사이, 및 주사 전극 SC(1+3×N)과 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 사이에서, 각각 미약한 초기화 방전이 일어난다. 그리고, 주사 전극 SC(1+3×N) 상부의 음의 벽 전압 및 유지 전극 SU(1+3×N) 상부의 양의 벽 전압이 약해지고, 주사 전극 SC(1+3×N)과 교차하는 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 상부의 양의 벽 전압은 기입 동작에 적합한 값으로 조정된다.
이상의 파형이, 직전의 서브필드의 동작에 관계없이 방전 셀에 초기화 방전을 발생시키는 강제 초기화 파형이다. 그리고, 강제 초기화 파형을 주사 전극(22)에 인가하여 행하는 상술한 동작이 강제 초기화 동작이다.
한편, 주사 전극 SC(1+3×N) 이외의 주사 전극(22)은, 제 1 SF의 초기화 기간 전반부에는, 소정의 전압인 전압 Vi1을 인가하지 않고, 0(V) 그대로 하며, 0(V)부터 전압 Vi2'을 향해서 완만하게 상승하는 상승 램프 전압 L1'을 인가한다. 이 상승 램프 전압 L1'은, 상승 램프 전압 L1과 같은 기울기로, 상승 램프 전압 L1과 같은 시간만큼 상승을 계속하는 것으로 한다. 따라서, 전압 Vi2'은 전압 Vi2로부터 전압 Vi1을 뺀 전압과 같은 전압이 된다. 이 때, 전압 Vi2'은 유지 전극(23)에 대해 방전 개시 전압 이하의 전압이 되도록 각 전압 및 상승 램프 전압 L1'을 설정한다. 이로써, 상승 램프 전압 L1'을 인가한 방전 셀에서는 방전은 실질적으로 발생하지 않는다.
초기화 기간 후반부에는, 주사 전극 SC(1+3×N) 이외의 주사 전극(22)에도, 주사 전극 SC(1+3×N)과 마찬가지로, 하강 램프 전압 L2을 인가한다.
이상의 파형이, 방전 셀에 초기화 방전이 발생하지 않는 비초기화 파형이다. 그리고, 비초기화 파형을 주사 전극(22)에 인가하여 행하는 상술한 동작이 비초기화 동작이다.
한편, 본 발명에 있어서의 강제 초기화 파형은, 상술한 파형으로 한정되는 것이 전혀 아니다. 강제 초기화 파형은, 직전의 서브필드의 동작에 관계없이 방전 셀에 초기화 방전을 발생시키는 파형이면 어떠한 파형이어도 된다. 또한, 본 발명에 있어서의 비초기화 파형도, 상술한 파형으로 한정되는 것이 아니다. 본 실시예에 나타내는 비초기화 파형은 방전 셀에 초기화 방전이 발생하지 않는 파형의 일례를 나타낸 것에 지나지 않고, 예컨대, 0(V)로 클램프하는 파형 등, 초기화 방전이 발생하지 않는 파형이면 어떠한 파형이어도 상관없다.
이상으로부터, 소정의 주사 전극(22)(예컨대, 주사 전극 SC(1+3×N))에 강제 초기화 파형을 인가하고, 다른 주사 전극(22)에 비초기화 파형을 인가하며, 특정한 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하고, 다른 방전 셀에서 비초기화 동작을 행하는 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 있어서의 특정 셀 초기화 동작이 종료한다.
이어지는 기입 기간에는, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 대해서는 주사 펄스 전압 Va를 순차적으로 인가하고, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 대해서는 발광시킬 방전 셀에 대응하는 데이터 전극 Dk(k=1~m)에 양의 기입 펄스 전압 Vd를 인가한다. 이렇게 해서, 각 방전 셀에 선택적으로 기입 방전을 발생시킨다.
구체적으로는, 우선 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 전압 Ve를, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 전압 Vcc을 인가한다.
그리고, 배치적으로 봐서, 위에서부터 첫번째(첫번째행)의 주사 전극 SC1에 음의 주사 펄스 전압 Va를 인가함과 아울러, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 중 첫번째행에 발광시킬 방전 셀의 데이터 전극 Dk(k=1~m)에 양의 기입 펄스 전압 Vd를 인가한다. 이 때, 데이터 전극 Dk 상과 주사 전극 SC1 상의 교차부의 전압차는, 외부 인가 전압의 차(전압 Vd-전압 Va)에 데이터 전극 Dk 상의 벽 전압과 주사 전극 SC1 상의 벽 전압의 차가 가산된 것이 되어서 방전 개시 전압을 넘는다. 이로써, 데이터 전극 Dk과 주사 전극 SC1 사이에 방전이 발생한다. 또한, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 전압 Ve를 인가하고 있기 때문에, 유지 전극 SU1 상과 주사 전극 SC1 상의 전압차는, 외부 인가 전압의 차인 (전압 Ve-전압 Va)에 유지 전극 SU1 상의 벽 전압과 주사 전극 SC1 상의 벽 전압의 차가 가산된 것으로 된다. 이 때, 전압 Ve를, 방전 개시 전압을 약간 하회하는 정도의 전압값으로 설정함으로써, 유지 전극 SU1과 주사 전극 SC1 사이를, 방전에는 이르지 않지만 방전이 발생하기 쉬운 상태로 할 수 있다. 이로써, 데이터 전극 Dk과 주사 전극 SC1 사이에 발생시키는 방전을 트리거로 해서, 데이터 전극 Dk과 교차하는 영역에 있는 유지 전극 SU1과 주사 전극 SC1 사이에 방전을 발생시킬 수 있다. 이렇게 해서, 발광시킬 방전 셀에 기입 방전이 일어나서, 주사 전극 SC1 상에 양의 벽 전압이 축적되고, 유지 전극 SU1 상에 음의 벽 전압이 축적되며, 데이터 전극 Dk 상에도 음의 벽 전압이 축적된다.
이렇게 해서, 첫번째행에 발광시킬 방전 셀에서 기입 방전을 일으켜서 각 전극 상에 벽 전압을 축적한다. 한편, 기입 펄스 전압 Vd를 인가하지 않는 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm과 주사 전극 SC1의 교차부의 전압은 방전 개시 전압을 넘지 않기 때문에, 기입 방전은 발생하지 않는다. 이상의 기입 동작을 n번째행의 방전 셀에 이를 때까지 순차적으로 행하고, 기입 기간이 종료한다.
이어지는 유지 기간에는, 휘도 가중에 소정의 휘도 배율을 곱한 수의 유지 펄스를 표시 전극쌍(24)에 교대로 인가한다. 그리고, 기입 방전을 발생시킨 방전 셀에서 유지 방전을 발생시킨다. 이렇게 해서, 기입 방전을 발생시킨 방전 셀을 발광시킨다.
구체적으로는, 우선 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 양의 유지 펄스 전압 Vs를 인가함과 아울러 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 베이스 전위가 되는 접지 전위, 즉 0(V)을 인가한다. 이렇게 하면 기입 방전을 일으킨 방전 셀에서는, 주사 전극 SCi 상과 유지 전극 SUi 상의 전압차가, 유지 펄스 전압 Vs에 주사 전극 SCi 상의 벽 전압과 유지 전극 SUi 상의 벽 전압의 차가 가산된 것이 되어서, 방전 개시 전압을 넘는다.
그리고, 주사 전극 SCi와 유지 전극 SUi의 사이에 유지 방전이 일어나고, 이 때 발생한 자외선에 의해 형광체층(35)이 발광한다. 그리고 주사 전극 SCi 상에 음의 벽 전압이 축적되고, 유지 전극 SUi 상에 양의 벽 전압이 축적된다. 또한 데이터 전극 Dk 상에도 양의 벽 전압이 축적된다. 한편, 기입 기간에 있어서 기입 방전이 일어나지 않은 방전 셀에서는 유지 방전은 발생하지 않는다.
이어서, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에는 베이스 전위가 되는 0(V)를, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에는 유지 펄스 전압 Vs를 각각 인가한다. 이렇게 하면, 유지 방전을 일으킨 방전 셀에서는, 유지 전극 SUi 상과 주사 전극 SCi 상의 전압차가 방전 개시 전압을 넘기 때문에, 다시 유지 전극 SUi와 주사 전극 SCi의 사이에 유지 방전이 일어나고, 유지 전극 SUi 상에 음의 벽 전압이 축적되며, 주사 전극 SCi 상에 양의 벽 전압이 축적된다. 이후 마찬가지로, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn과, 휘도 가중에 휘도 배율을 곱한 수의 유지 펄스를 교대로 인가하여, 표시 전극쌍(24)의 전극간에 전위차를 인가한다. 이로써, 기입 기간에 있어서 기입 방전을 일으킨 방전 셀에서 유지 방전이 계속해서 발생한다.
그리고, 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생 후에, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 및 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에는 0(V)을 인가한 채로, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에, 0(V)로부터 방전 개시 전압을 넘는 전압 Vers을 향해서 완만하게(예컨대, 약 10V/μsec의 기울기로) 상승하는 경사 전압(이하, 「소거 램프 전압」이라고 한다) L3를 인가한다. 이로써, 유지 방전을 일으킨 방전 셀의 유지 전극 SUi와 주사 전극 SCi의 사이에 미약한 방전이 지속적으로 발생한다. 그리고, 이 미약한 방전으로 발생한 하전(荷電) 입자는, 유지 전극 SUi와 주사 전극 SCi 사이의 전압차를 완화하도록, 유지 전극 SUi 상 및 주사 전극 SCi 상에 벽 전하가 되어 축적되어 간다. 이로써, 데이터 전극 Dk 상의 양의 벽 전압을 남긴 채로, 주사 전극 SCi 상의 벽 전압 및 유지 전극 SUi 상의 벽 전압은, 주사 전극 SCi에 인가한 전압과 방전 개시 전압의 차, 예컨대 (전압 Vers-방전 개시 전압)의 정도까지 약해진다.
그 후, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 전압을 0(V)로 되돌리고, 유지 기간에 있어서의 유지 동작이 종료한다.
다음으로 선택 초기화 서브필드인 제 2 SF에 대해서 설명한다.
제 2 SF의 초기화 기간에는, 선택 초기화 파형을 모든 주사 전극(22)에 인가한다. 본 실시예에 있어서의 선택 초기화 파형은, 강제 초기화 파형의 전반부를 생략한 구동 전압 파형이다. 구체적으로는, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 전압 Ve를 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 0(V)를 각각 인가한다. 그리고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에는 방전 개시 전압 이하가 되는 전압(예컨대, 0(V))로부터 음의 전압 Vi4을 향해서, 하강 램프 전압 L2와 같은 기울기로 하강하는 하강 램프 전압 L4을 인가한다.
이로써 직전의 서브필드(도 3에서는, 제 1 SF)의 유지 기간에 유지 방전을 일으킨 방전 셀에서는 미약한 초기화 방전이 발생해서, 주사 전극 SCi 상부 및 유지 전극 SUi 상부의 벽 전압이 약해지고, 데이터 전극 Dk(k=1~m) 상부의 벽 전압도 기입 동작에 적합한 값으로 조정된다.
이상의 파형이, 직전의 서브필드의 유지 기간에 유지 방전을 발생시킨 방전 셀에만 초기화 방전을 발생시키는 선택 초기화 파형이다. 그리고, 선택 초기화 파형을 모든 주사 전극(22)에 인가하여 행하는 상술한 동작이 선택 초기화 동작이다. 이상으로부터, 선택 초기화 서브필드의 초기화 기간에 있어서의 선택 초기화 동작이 종료한다.
한편, 본 발명에 있어서의 선택 초기화 파형은, 상술한 파형으로 한정되는 것이 전혀 아니다. 선택 초기화 파형은, 직전의 서브필드의 유지 기간에 유지 방전을 발생시킨 방전 셀에만 초기화 방전을 발생시키는 파형이면 어떠한 파형이어도 상관없다. 예컨대, 본 실시예에서는, 하강 램프 전압 L4을 모두 같은 기울기로 발생시키는 구성을 설명했지만, 하강 램프 전압 L4을 복수의 기간으로 나누고, 각 기간에서 기울기를 바꿔서 하강 램프 전압 L4을 발생시키는 구성으로 해도 된다.
제 2 SF의 기입 기간에는, 제 1 SF의 기입 기간과 같은 구동 파형을 각 전극에 인가한다. 또한, 제 2 SF의 유지 기간에는, 유지 펄스의 발생 수를 제외하고, 제 1 SF의 유지 기간과 같은 구동 파형을 각 전극에 인가한다.
또한, 제 3 SF 이후의 서브필드에는, 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 발생 수를 제외하고, 제 2 SF와 같은 구동 파형을 각 전극에 인가한다.
이상이, 본 실시예에 있어서의 패널(10)의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형의 개요이다.
다음으로 본 실시예에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 구성에 대해서 설명한다. 도 4는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(1)의 회로 블록도이다. 플라즈마 디스플레이 장치(1)는, 패널(10), 화상 신호 처리 회로(41), 데이터 전극 구동 회로(42), 주사 전극 구동 회로(43), 유지 전극 구동 회로(44), 타이밍 발생 회로(45), APL 검출 회로(49), 및 각 회로 블록에 필요한 전원을 공급하는 전원 회로(도시 생략)를 구비하고 있다.
화상 신호 처리 회로(41)는, 패널(10)의 화소수에 따라서, 입력된 화상 신호 sig를 서브필드마다의 발광?비발광을 나타내는 서브필드 데이터로 변환한다.
APL 검출 회로(49)는, 입력된 화상 신호의 휘도값을 1필드 기간에 걸쳐서 누적하는 등의 일반적으로 알려진 수법을 이용함으로써 화상 신호의 평균 휘도 레벨(Average Picture Level, 이하, 줄여서 「APL」이라고 한다)를 검출하고, 검출한 결과를 타이밍 발생 회로(45)에 송신한다.
타이밍 발생 회로(45)는, 수평 동기 신호 H, 수직 동기 신호 V 및 APL 검출 회로(49)로부터 출력되는 검출 결과에 기초해서, 각 회로 블록의 동작을 제어하는 각종 타이밍 신호를 발생하여, 각각의 회로 블록(화상 신호 처리 회로(41), 데이터 전극 구동 회로(42), 주사 전극 구동 회로(43) 및 유지 전극 구동 회로(44))에 공급한다.
데이터 전극 구동 회로(42)는, 서브필드마다의 서브필드 데이터를 각 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 대응하는 신호로 변환하고, 타이밍 발생 회로(45)로부터 공급되는 타이밍 신호에 기초해서 각 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm을 구동한다.
주사 전극 구동 회로(43)는, 초기화 기간에 있어서 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 초기화 파형을 발생시키는 초기화 파형 발생 회로, 유지 기간에 있어서 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 유지 펄스를 발생시키는 유지 펄스 발생 회로, 복수의 주사 전극 구동 IC(이하, 줄여서 「주사 IC」라고 한다)를 구비하며 기입 기간에 있어서 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 주사 펄스를 발생시키는 주사 펄스 발생 회로를 갖는다. 그리고, 타이밍 발생 회로(45)로부터 공급되는 타이밍 신호에 기초해서 각 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn을 구동한다.
유지 전극 구동 회로(44)는, 유지 펄스 발생 회로 및 전압 Ve를 발생시키는 회로를 구비하고, 타이밍 발생 회로(45)로부터 공급되는 타이밍 신호에 기초해서 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn을 구동한다.
다음으로, 주사 전극 구동 회로(43)의 세부 사항과 그 동작에 대해서 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(1)의 주사 전극 구동 회로(43)의 일 구성예를 나타내는 회로도이다. 주사 전극 구동 회로(43)는, 유지 펄스를 발생시키는 유지 펄스 발생 회로(50), 초기화 파형을 발생시키는 초기화 파형 발생 회로(51), 주사 펄스를 발생시키는 주사 펄스 발생 회로(52)를 구비한다. 주사 펄스 발생 회로(52)의 각 출력 단자는 패널(10)의 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn 각각에 접속되어 있다. 한편, 본 실시예에서는, 주사 펄스 발생 회로(52)에 입력되는 전압을 「기준 전위 A」라고 한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 스위칭 소자를 도통시키는 동작을 「온」, 차단하는 동작을 「오프」라고 표기하고, 스위칭 소자를 온하는 신호를 「Hi」, 오프하는 신호를 「Lo」라고 표기한다.
또한, 도 5에는, 음의 전압 Va를 이용한 회로(예컨대, 미러 적분 회로(54))를 동작시키고 있을 때에, 그 회로와, 유지 펄스 발생 회로(50) 및 전압 Vr을 이용한 회로(예컨대, 미러 적분 회로(53)), 전압 Vers를 이용한 회로(예컨대, 미러 적분 회로(55))를 전기적으로 분리하기 위한 스위칭 소자 Q4를 이용한 분리 회로를 나타내고 있다. 또한, 전압 Vr를 이용한 회로(예컨대, 미러 적분 회로(53))를 동작시키고 있을 때에, 그 회로와, 전압 Vr보다 낮은 전압의 전압 Vers를 이용한 회로(예컨대, 미러 적분 회로(55))를 전기적으로 분리하기 위한 스위칭 소자 Q6를 이용한 분리 회로를 나타내고 있다.
유지 펄스 발생 회로(50)는, 일반적으로 이용되고 있는 전력 회수 회로와 클램프 회로를 구비한다. 그리고, 타이밍 발생 회로(45)로부터 출력되는 타이밍 신호에 기초해서, 내부에 구비한 각 스위칭 소자를 전환해서 유지 펄스를 발생시킨다. 한편, 도 5에서는, 타이밍 신호의 신호 경로의 세부 사항은 생략한다.
주사 펄스 발생 회로(52)는, n개의 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn 각각에 주사 펄스를 인가하기 위한 스위칭 소자 QH1~스위칭 소자 QHn 및 스위칭 소자 QL1~스위칭 소자 QLn을 구비하고 있다. 스위칭 소자 QHj(j=1~n)의 한쪽 단자와 스위칭 소자 QLj의 한쪽 단자는 서로 접속되어 있고, 이 접속 개소가 주사 펄스 발생 회로(52)의 출력 단자가 되어서, 주사 전극 SCj에 접속되어 있다. 또한, 스위칭 소자 QHj의 다른 단자는 입력 단자(INb)가 되고 있고, 스위칭 소자 QLj의 다른 단자는 입력 단자 INa가 되고 있다. 한편, 스위칭 소자 QH1~스위칭 소자 QHn, 스위칭 소자 QL1~스위칭 소자 QLn은 복수의 출력별로 합쳐져서 IC화되어 있다. 이 IC가 주사 IC이다.
또한, 주사 펄스 발생 회로(52)는, 기입 기간에 있어서 기준 전위 A를 음의 전압 Va에 접속하기 위한 스위칭 소자 Q5와, 기준 전위 A에 전압 Vsc을 중첩한 전압 Vc을 발생하기 위한 전원(VSC), 다이오드(Di31), 콘덴서(C31)를 구비하고 있다. 그리고, 스위칭 소자 QH1~스위칭 소자 QHn의 입력 단자(INb)에는 전압 Vc이 접속되고, 스위칭 소자 QL1~스위칭 소자 QLn의 입력 단자 INa에는 기준 전위 A가 접속되어 있다.
이와 같이 구성된 주사 펄스 발생 회로(52)에서는, 기입 기간에 있어서는, 스위칭 소자 Q5를 온으로 하여 기준 전위 A를 음의 전압 Va와 같게 하고, 입력 단자 INa에는 음의 전압 Va를 인가한다. 또한, 입력 단자(INb)에는 전압 Va+전압 Vsc이 된 전압 Vc(도 3에 나타내는 전압 Vcc)를 인가한다. 그리고, 서브필드 데이터에 기초해서, 주사 펄스를 인가하는 주사 전극 SCi에 대해서는, 스위칭 소자 QHi를 오프, 스위칭 소자 QLi를 온으로 함으로써 스위칭 소자 QLi를 경유해서 주사 전극 SCi에 음의 주사 펄스 전압 Va를 인가한다. 주사 펄스를 인가하지 않는 주사 전극 SCh(h는, 1~n 중 i를 제외한 것)에 대해서는, 스위칭 소자 QLh를 오프, 스위칭 소자 QHh를 온으로 함으로써 스위칭 소자 QHh를 경유해서 주사 전극 SCh에 전압 Va+전압 Vsc를 인가한다.
또한, 주사 펄스 발생 회로(52)는, 유지 기간에 있어서는, 유지 펄스 발생 회로(50)의 전압 파형을 출력하도록 타이밍 발생 회로(45)에 의해서 제어되는 것으로 한다.
한편, 주사 펄스 발생 회로(52)의 초기화 기간에 있어서의 동작의 세부 사항은 후술한다.
초기화 파형 발생 회로(51)는, 미러 적분 회로(53), 미러 적분 회로(54) 및 미러 적분 회로(55)를 갖는다. 도 5에는, 미러 적분 회로(53)의 입력 단자를 입력 단자 IN1, 미러 적분 회로(54)의 입력 단자를 입력 단자 IN2, 미러 적분 회로(55)의 입력 단자를 입력 단자 IN3로서 나타내고 있다. 한편, 미러 적분 회로(53) 및 미러 적분 회로(55)는 상승하는 경사 전압을 발생시키는 경사 전압 발생 회로이고, 미러 적분 회로(54)는 하강하는 경사 전압을 발생시키는 경사 전압 발생 회로이다.
미러 적분 회로(53)는, 스위칭 소자 Q1와 콘덴서 C1와 저항 R1을 갖고, 초기화 동작시에, 주사 전극 구동 회로(43)의 기준 전위 A를 전압 Vi2'까지 램프 형상으로 완만하게(예컨대, 0.5V/μsec로) 상승시켜서 상승 램프 전압 L1'을 발생시킨다.
미러 적분 회로(55)는, 스위칭 소자 Q3와 콘덴서 C3와 저항 R3을 갖는다. 그리고, 유지 기간의 마지막에, 기준 전위 A를 상승 램프 전압 L1보다 급준한 기울기(예컨대, 10V/μsec)로 전압 Vers까지 상승시켜서 소거 램프 전압 L3을 발생시킨다.
미러 적분 회로(54)는, 스위칭 소자 Q2와 콘덴서 C2와 저항 R2을 갖는다. 그리고, 초기화 동작시에, 기준 전위 A를 전압 Vi4까지 램프 형상으로 완만하게(예컨대, -0.5V/μsec의 기울기로) 하강시켜서 하강 램프 전압 L2을 발생시킨다.
다음으로 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 있어서, 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형을 발생시키는 동작을 도 6을 이용해서 설명한다.
도 6은, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간의 주사 전극 구동 회로(43)의 동작의 일례를 설명하기 위한 타이밍 차트이다. 한편, 이 도면에서는, 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극(22)을 「주사 전극 SCx」라고 나타내고, 비초기화 파형을 인가하는 주사 전극(22)을 「주사 전극 SCy」라고 나타낸다.
한편, 선택 초기화 서브필드에 있어서 선택 초기화 파형을 발생시킬 때의 주사 전극 구동 회로(43)의 동작에 대해서는 설명을 생략하지만, 선택 초기화 파형인 하강 램프 전압 L4을 발생시키는 동작은, 도 6에 나타내는 하강 램프 전압 L2을 발생시키는 동작과 마찬가지인 것으로 한다. 또한, 비초기화 서브필드에 있어서의 비초기화 동작은, 초기화 기간에 비초기화 파형을 발생시켜서 모든 주사 전극(22)에 인가하는 동작이고, 전체 셀 초기화 서브필드에 있어서의 전체 셀 초기화 동작은, 초기화 기간에 강제 초기화 파형을 발생시켜서 모든 주사 전극(22)에 인가하는 동작이기 때문에, 비초기화 서브필드의 초기화 기간 및 전체 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 있어서의 주사 전극 구동 회로(43)의 동작에 대해서도 설명을 생략한다.
또한, 도 6에서는, 초기화 기간을 기간 T1~기간 T4으로 나타내는 4개의 기간으로 분할하고, 각각의 기간에 대해서 설명한다. 또한, 이하, 전압 Vi1은 전압 Vsc과 같은 것으로 하고, 전압 Vi2은 전압 Vsc+전압 Vr과 같은 것으로 하며, 전압 Vi2'은 전압 Vr과 같은 것으로 하고, 전압 Vi3은 유지 펄스를 발생할 때에 이용하는 전압 Vs와 같은 것으로 하며, 전압 Vi4은 음의 전압 Va와 같은 것으로 해서 설명한다. 또한, 도면에는 스위칭 소자를 온하는 신호를 「Hi」, 오프하는 신호를 「Lo」라고 표기한다.
한편, 도 6에는, 전압 Vs가 전압 Vsc보다 높은 전압값으로 설정된 예를 나타내고 있지만, 전압 Vs와 전압 Vsc가 서로 같은 전압값이어도 되고, 또는 전압 Vs 쪽이 전압 Vsc보다 낮은 전압값이어도 상관없다.
우선, 기간 T1에 들어가기 전에 유지 펄스 발생 회로(50)의 클램프 회로를 동작시켜서 기준 전위 A를 0(V)로 해 두고, 스위칭 소자 QH1~스위칭 소자 QHn을 오프, 스위칭 소자 QL1~스위칭 소자 QLn을 온으로 하여, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 기준 전위 A, 즉 0(V)를 인가한다.
(기간 T1)
기간 T1에는, 주사 전극 SCx에 접속된 스위칭 소자 QHx를 온으로 하고, 스위칭 소자 QLx를 오프로 한다. 이로써, 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극 SCx에는, 기준 전위 A(이 때, 0(V))에 전압 Vsc을 중첩한 전압 Vc(즉, 전압 Vc=전압 Vsc)을 인가한다.
한편, 주사 전극 SCy에 접속된 스위칭 소자 QHy는 오프를, 스위칭 소자 QLy는 온을 각각 유지한 채로 둔다. 이로써, 비초기화 파형을 인가하는 주사 전극 SCy에는, 기준 전위 A, 즉 0(V)를 인가한다.
(기간 T2)
기간 T2에는, 스위칭 소자 QH1~스위칭 소자 QHn, 스위칭 소자 QL1~스위칭 소자 QLn은, 기간 T1과 같은 상태를 유지한다. 즉, 주사 전극 SCx에 접속된 스위칭 소자 QHx는 온을, 스위칭 소자 QLx는 오프를 각각 유지하고, 주사 전극 SCy에 접속된 스위칭 소자 QHy는 오프를, 스위칭 소자 QLy는 온을 각각 유지한다.
다음으로 상승 램프 전압 L1'를 발생시키는 미러 적분 회로(53)의 입력 단자 IN1를 「Hi」로 한다. 구체적으로는 입력 단자 IN1에, 소정의 정전류를 입력한다. 이로써, 콘덴서 C1을 향해서 일정한 전류가 흘러서, 스위칭 소자 Q1의 소스 전압이 램프 형상으로 상승하고, 기준 전위 A가 0(V)로부터 램프 형상으로 상승하기 시작한다. 이 전압 상승은, 입력 단자 IN1를 「Hi」로 하고 있는 기간, 또는 기준 전위 A가 전압 Vr에 이를 때까지 계속시킬 수 있다.
이 때, 경사 전압의 기울기가 원하는 값(예컨대, 0.5V/μsec)가 되도록, 입력 단자 IN1에 입력하는 정전류를 발생시킨다. 이렇게 해서, 0(V)로부터 전압 Vi2'(본 실시예에서는, 전압 Vr과 같다)를 향해서 상승하는 상승 램프 전압 L1'을 발생시킨다.
스위칭 소자 QHy는 오프, 스위칭 소자 QLy는 온이기 때문에, 주사 전극 SCy에는, 이 상승 램프 전압 L1'이 그대로 인가된다.
한편, 스위칭 소자 QHx는 온, 스위칭 소자 QLx는 오프이기 때문에, 주사 전극 SCx에는, 이 상승 램프 전압 L1'에 전압 Vsc이 중첩된 전압, 즉 전압 Vi1(본 실시예에서는, 전압 Vsc과 같다)로부터 전압 Vi2(본 실시예에서는, 전압 Vsc+전압 Vr과 같다)를 향해서 상승하는 상승 램프 전압 L1이 인가된다.
(기간 T3)
기간 T3에는 입력 단자 IN1를 「Lo」로 한다. 구체적으로는, 입력 단자 IN1에의 정전류 입력을 정지한다. 이렇게 해서, 미러 적분 회로(53)의 동작을 정지한다. 또한, 스위칭 소자 QH1~스위칭 소자 QHn을 오프, 스위칭 소자 QL1~스위칭 소자 QLn을 온으로 하여, 기준 전위 A를 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가한다. 이에 맞춰서, 유지 펄스 발생 회로(50)의 클램프 회로를 동작시켜 기준 전위 A를 전압 Vs로 한다. 이로써, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn의 전압은 전압 Vi3(본 실시예에서는, 전압 Vs와 같다)까지 저하된다.
(기간 T4)
기간 T4에는, 스위칭 소자 QH1~스위칭 소자 QHn, 스위칭 소자 QL1~스위칭 소자 QLn는 기간 T3과 같은 상태를 유지한다.
다음으로 하강 램프 전압 L2을 발생시키는 미러 적분 회로(54)의 입력 단자 IN2를 「Hi」로 한다. 구체적으로는 입력 단자 IN2에 소정의 정전류를 입력한다. 이로써, 콘덴서 C2를 향해서 일정한 전류가 흘러서, 스위칭 소자 Q2의 드레인 전압이 램프 형상으로 하강하기 시작하고, 주사 전극 구동 회로(43)의 출력 전압도, 음의 전압 Vi4을 향해서 램프 형상으로 하강하기 시작한다. 이 전압 하강은, 입력 단자 IN2를 「Hi」로 하고 있는 기간, 또는 기준 전위 A가 전압 Va에 이를 때까지 계속시킬 수 있다.
이 때, 경사 전압의 기울기가 원하는 값(예컨대, -0.5V/μsec)이 되도록, 입력 단자 IN2에 입력하는 정전류를 발생시킨다.
그리고, 주사 전극 구동 회로(43)의 출력 전압이 음의 전압 Vi4(본 실시예에서는, 전압 Va와 같다)에 도달하면, 입력 단자 IN2를 「Lo」로 한다. 구체적으로는, 입력 단자 IN2에의 정전류 입력을 정지한다. 이렇게 해서, 미러 적분 회로(54)의 동작을 정지한다.
이렇게 해서, 전압 Vi3(본 실시예에서는, 전압 Vs와 같다)로부터 음의 전압 Vi4을 향해서 하강하는 하강 램프 전압 L2을 발생하여, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가한다.
한편, 입력 단자 IN2를 「Lo」로 하여 미러 적분 회로(54)의 동작을 정지시키면, 스위칭 소자 Q5를 온으로 하고, 기준 전위 A를 전압 Va로 한다. 이에 맞춰서, 스위칭 소자 QH1~스위칭 소자 QHn을 온, 스위칭 소자 QL1~스위칭 소자 QLn을 오프로 한다. 이렇게 해서, 기준 전위 A에 전압 Vsc을 중첩한 전압 Vc, 즉 전압 Vcc(본 실시예에서는, 전압 Va+전압 Vsc과 같다)를 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하여, 이어지는 기입 기간에 대비한다.
본 실시예에서는, 이렇게 해서, 특정 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 있어서, 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형을 발생시킨다. 그리고, 스위칭 소자 QH1~스위칭 소자 QHn과, 스위칭 소자 QL1~스위칭 소자 QLn을 제어함으로써, 강제 초기화 파형을 주사 전극 SCx에 인가하고, 비초기화 파형을 주사 전극 SCy에 인가하는 등, 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형을 선택적으로 주사 전극(22)에 인가할 수 있다. 또한, 마찬가지로 해서, 비초기화 서브필드의 초기화 기간에 있어서는 비초기화 파형만을 발생시켜서 모든 주사 전극(22)에 인가하고, 전체 셀 초기화 서브필드의 초기화 기간에 있어서는 강제 초기화 파형만을 발생시켜서 모든 주사 전극(22)에 인가할 수 있다.
한편, 하강 램프 전압 L2, 하강 램프 전압 L4은, 도 6에 나타낸 바와 같이 전압 Va까지 하강시키는 구성이어도 되지만, 예컨대 하강하는 전압이, 전압 Va에 소정의 양의 전압 Vset2을 중첩한 전압에 도달한 시점에, 하강을 정지시키는 구성으로 해도 된다. 또한, 하강 램프 전압 L2 및 하강 램프 전압 L4은, 미리 설정된 전압에 도달한 후, 즉시 상승시키는 구성이어도 되지만, 예컨대 하강하는 전압이, 미리 설정된 전압에 도달하면, 그 후 그 전압을 일정 기간 유지하는 구성이어도 된다.
다음으로 본 실시예에 있어서의 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형의 발생 패턴에 대해서 설명한다.
플라즈마 디스플레이 장치(1)에 있어서, 화상 표시 품질을 높이는 데에 있어서 중요한 요소 중 하나로서, 패널(10)에 표시되는 화상의 콘트래스트를 향상시키는 것을 들 수 있다. 패널(10)의 콘트래스트를 향상시키기 위해서는, 표시 화상의 휘도의 최대값을 높이거나, 또는 표시 화상의 휘도의 최소값, 즉 흑휘도를 저감하거나 중 적어도 하나를 실현하면 된다. 이 때, 가정 내에서의 일반적인 텔레비젼 시청 환경을 고려하면, 흑휘도를 저감하여 콘트래스트를 향상하는 것이, 화상 표시 품질을 높이는 데에 있어서 보다 중요하다고 생각된다.
흑휘도는, 화상의 표시에 관계가 없는 발광에 의해서 변화된다. 이 때문에, 화상의 표시에 관계가 없는 발광을 저감함으로써 흑휘도를 저감할 수 있다. 화상의 표시에 관계가 없는 발광의 주된 것으로, 초기화 방전에 의한 발광이 있다. 단, 상술한 선택 초기화 동작은, 직전의 서브필드에서 유지 방전을 발생시키지 않은 방전 셀에서는 방전이 발생하지 않기 때문에, 흑휘도의 밝기에 실질적으로 영향을 미치지 않는다. 한편, 상술한 강제 초기화 동작은, 직전의 서브필드의 동작에 관계없이 방전 셀에 초기화 방전을 발생시키기 때문에, 흑휘도의 밝기에 영향을 미친다.
따라서, 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 저감함으로써, 표시 화상의 흑휘도를 저감할 수 있다.
한편, APL이 높은 화상을 표시할 때에는, APL이 낮은 화상을 표시할 때에 비해서, 발광하는 방전 셀의 비율(「점등율」이라고도 한다)이 증가한다. 이 때문에, 기입 방전을 발생시키는 방전 셀의 비율도 증가한다. 그리고, 기입 펄스의 발생수가 늘어나면, 데이터 전극 구동 IC가 갖는 임피던스 등에 의해, 기입 펄스에 전압 강하가 생기는 경우가 있다.
또한, 초기화 방전에 의해서 방전 셀 내에 형성되는 벽 전하나 프라이밍 입자는, 시간의 경과와 함께 서서히 감소된다. 이 때문에, 강제 초기화 동작을 행하는 시간적인 간격이 길어질수록, 벽 전하나 프라이밍 입자의 감소량의 평균값은 증가한다.
기입 동작은, 방전 셀 내에 잔존하는 벽 전하나 프라이밍 입자에 영향을 받는다. 기입 펄스의 전압 강하가 예상되는 화상, 즉 APL이 높고, 기입 펄스의 발생수가 많은 화상을 표시할 때에는, 초기화 동작부터 기입 동작까지의 시간적인 간격을 짧게 해서, 벽전하나 프라이밍 입자의 감소가 비교적 적은 중에 기입 방전을 발생시키는 편이 바람직하다.
그래서, 본 실시예에서는, APL이 낮은 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형을 주사 전극(22)에 인가할 때의 시간적인 간격을 연장하고, APL이 높은 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형을 주사 전극(22)에 인가할 때의 시간적인 간격을 단축한다. 이와 같이, 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 APL의 크기에 따라 변경한다.
즉, 본 실시예에서는, 패널(10)의 화상 표시면에서 어두운 영역이 차지하는 비율이 비교적 커서, 흑휘도를 낮춤으로써 화상 표시 품질의 개선 효과가 큰 화상(APL이 낮은 화상)을 표시할 때에는, 강제 초기화 파형에 의한 초기화 방전의 발생 빈도를 저감해서 표시 화상의 흑휘도를 저감하여, 표시 화상의 콘트래스트를 높이는 것으로 한다. 또한, 기입 방전의 발생 횟수가 비교적 많아서 기입 방전이 불안정하게 되기 쉬운 화상(APL이 높은 화상)을 표시할 때에는, 강제 초기화 파형에 의한 초기화 방전의 발생 빈도를 높여서, 기입 방전을 안정되게 발생시키는 것으로 한다.
한편, 본 실시예에서는, 강제 초기화 파형을 발생시키는 빈도를 제어하기 위해서, 특정 셀 초기화 서브필드 및 복수의 선택 초기화 서브필드를 갖는 특정 셀 초기화 필드와, 비초기화 서브필드 및 복수의 선택 초기화 서브필드를 갖는 비초기화 필드와, 전체 셀 초기화 서브필드 및 복수의 선택 초기화 서브필드를 갖는 전체 셀 초기화 필드와의 3종류의 필드를 마련하고, 이들 3종류의 필드 중 어느 한 종류, 또는 어느 두 종류를 이용해서, 시간적으로 연속하는 복수의 필드로 하나의 필드군을 구성하는 것으로 한다. 또한, 배치적으로 연속하는 복수의 주사 전극(22)으로 하나의 주사 전극군을 구성하는 것으로 한다.
그리고, APL이 낮아짐에 따라서 강제 초기화 파형을 주사 전극(22)에 인가하는 빈도가 저감되도록, 필드군을 구성하는 필드의 조합을 APL에 따라 변경하는 것으로 한다.
그리고, 본 실시예에서는, APL을 복수의 수치 범위로 나누고, 각각의 수치 범위에 대해서, 필드군을 구성하는 필드의 조합을 미리 설정해 두고, 검출된 APL이 하나의 수치 범위에서 다른 수치 범위로 변화될 때에, 필드군을 구성하는 필드의 조합을 변경하는 것으로 한다.
구체적으로는, APL 검출 회로(49)에 있어서, 미리 정한 복수의 임계값과 APL을 비교해서, 비교 결과를 나타내는 신호를 타이밍 발생 회로(45)에 출력한다. 그리고, 타이밍 발생 회로(45)는, 각각의 수치 범위에 대해, 필드군을 구성하는 필드의 조합을 미리 기억해 두고, 검출된 APL에 따른 필드의 조합으로 패널(10)이 구동되도록, APL 검출 회로(49)로부터 출력되는 비교 결과에 기초하는 타이밍 신호를 각 구동 회로에 출력한다. 이렇게 함으로써, 강제 초기화 파형을 주사 전극(22)에 인가하는 빈도를 APL에 따라 변경할 수 있다.
도 7은, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 APL의 수치 범위와 수치 범위마다 설정한 강제 초기화 파형의 발생 빈도의 일례를 나타내는 도면이다.
본 실시예에서는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 예컨대, APL 5% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 6필드에 1회로 한다. 그리고, APL 5% 이상 9% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 4필드에 1회로 한다. 그리고, APL 9% 이상 13% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 3필드에 1회로 한다. 그리고, APL 13% 이상 50% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 2필드에 1회로 한다. 그리고, APL 50% 이상 80% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 4필드에 3회로 한다. 그리고, APL 80% 이상인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 1필드에 1회로 한다.
다음으로, 각각의 수치 범위에 대해 설정된 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형의 발생 패턴의 구체적인 구성예에 대해서 설명한다.
도 8은, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 6필드에 1회로 할 때의 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형의 발생 패턴의 일례를 나타내는 개략도이다. 도 8에 있어서, 가로축은 필드를, 세로축은 주사 전극(22)을 나타낸다.
도 8에 나타내는 예에서는, 시간적으로 연속하는 6개의 필드로 하나의 필드군을 구성하고, 배치적으로 연속하는 3개의 주사 전극(22)으로 하나의 주사 전극군을 구성하는 것으로 한다. 또한, 도 8에 나타내는 예에서는, 제 1 SF를 상술한 특정 셀 초기화 서브필드 또는 비초기화 서브필드로 하고, 나머지 서브필드(제 2 SF~제 8 SF)를, 상술한 선택 초기화 서브필드로 한다. 즉, 도 8에 나타내는 예에서는, 특정 셀 초기화 필드와 비초기화 필드의 두 가지의 필드로 필드군을 구성하는 것으로 한다.
그리고, 도 8에 나타내는 「○」는 제 1 SF의 초기화 기간에 있어서 강제 초기화 동작을 행하는 것을 나타낸다. 즉, 도 6에 나타낸 상승 램프 전압 L1과 하강 램프 전압 L2을 갖는 강제 초기화 파형을 주사 전극(22)에 인가하는 것을 나타낸다. 도 8에 나타내는 「×」는 제 1 SF의 초기화 기간에 있어서 상술한 비초기화 동작을 행하는 것을 나타낸다. 즉, 도 6에 나타낸 상승 램프 전압 L1'과 하강 램프 전압 L2을 갖는 비초기화 파형을 주사 전극(22)에 인가하는 것을 나타낸다.
이하, 하나의 주사 전극군을 구성하는 주사 전극 SCi~주사 전극 SCi+2 및 하나의 필드군을 구성하는 j 필드~j+5 필드를 예로 들어서 설명한다.
우선, j 필드의 제 1 SF에서는, 주사 전극 SCi에 강제 초기화 파형을 인가하고, 주사 전극 SCi+1 및 주사 전극 SCi+2에는 비초기화 파형을 인가한다.
이어지는 j+1 필드의 제 1 SF에서는, 모든 주사 전극(22)에 비초기화 파형을 인가한다.
이어지는 j+2 필드의 제 1 SF에서는, 주사 전극 SCi+1에 강제 초기화 파형을 인가하고, 주사 전극 SCi 및 주사 전극 SCi+2에는 비초기화 파형을 인가한다.
이어지는 j+3 필드의 제 1 SF에서는, 모든 주사 전극(22)에 비초기화 파형을 인가한다.
이어지는 j+4 필드의 제 1 SF에서는, 주사 전극 SCi+2에 강제 초기화 파형을 인가하고, 주사 전극 SCi 및 주사 전극 SCi+1에는 비초기화 파형을 인가한다.
이어지는 j+5 필드의 제 1 SF에서는, 모든 주사 전극(22)에 비초기화 파형을 인가한다.
이렇게 해서, 하나의 주사 전극군에 있어서의 하나의 필드군의 동작을 종료한다. 다른 주사 전극군에 대해서도, 상술한 바와 같은 동작을 행하여, 그 이후에도, 각 필드군에서 상술한 바와 같은 동작을 반복한다. 한편, 도 8에 나타내는 구성에 있어서는, j 필드, j+2 필드, j+4 필드, … 는 특정 셀 초기화 필드가 되고, j+1 필드, j+3 필드, j+5 필드, … 는 비초기화 필드가 된다.
이와 같이, 도 8에 나타내는 예에서는, 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 횟수가, 하나의 필드군(도 8에 나타내는 예에서는, 6필드)에 각각 1회가 되도록 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형을 선택적으로 발생시켜서 패널(10)을 구동한다. 이로써, 필드마다 모든 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 구성에 비해서, 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 저감할 수 있다. 도 8에 나타내는 예에서는, 6분의 1로 저감할 수 있다. 이로써, 표시 화상의 흑휘도를 저감할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 복수의 특정 셀 초기화 필드를 이용해서 구성된 필드군에서는, 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극(22)의 수가 각각의 특정 셀 초기화 서브필드에서 서로 같아지도록 강제 초기화 파형을 발생시키는 것으로 한다. 이것은, 「플리커」라고 불리는 미세한 깜박거림이 표시 화상에 발생하는 것을 방지하기 위해서이다.
예컨대, 6필드 중 하나를 전체 셀 초기화 필드로 하고, 나머지 5개를 비초기화 필드로 해도, 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 6필드에 1회로 할 수 있다. 그러나, 이 구성에서는, 패널(10)의 전체 방전 셀이, 강제 초기화 동작에 의한 방전에 의해서, 6필드에 1회의 비율로 발광하게 된다. 이 때문에, 예컨대 60필드/초의 주기로 갱신되는 화상을 패널(10)에 표시하면, 패널(10)의 화상 표시면에서, 10필드/초의 주기의 휘도의 변화가 발생하게 된다. 이 주기적인 휘도의 변화는, 표시 화상에 있어서의 미세한 깜박거림, 즉 플리커로서 사용자에게 인식될 우려가 있다.
그러나, 본 실시예에서는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 강제 초기화 파형을 인가하는 주사 전극(22)의 수가 각각의 특정 셀 초기화 서브필드에서 서로 같아지도록 강제 초기화 파형을 발생시키고 있기 때문에, 강제 초기화 동작에 의한 초기화 방전을 각 필드에 분산할 수 있다. 따라서, 패널(10)의 화상 표시면에서의 강제 초기화 동작에 의한 발광 휘도를 전체 셀 초기화 동작을 할 때에 비해서 저감할 수 있다. 도 8에 나타내는 예에서는, 3분의 1로 저감할 수 있다. 또한, 각 방전 셀에 있어서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도가 6필드에 1회이어도, 패널(10)의 화상 표시면에서의 강제 초기화 동작에 의한 발광의 주기를, 그보다 빠르게 할 수 있다. 도 8에 나타내는 예에서는, 2필드에 1회가 된다. 이로써, 플리커의 발생을 방지할 수 있다.
한편, 상술한 「같아지도록」은, 엄밀하게 같다는 것을 의미하는 것이 아니고, 실질적으로 「같다」것을 나타내고 있으며, 다소의 격차는 허용되는 것으로 한다.
한편, APL이 낮은 화상은, 기입 방전의 발생 횟수가 적고 기입 펄스의 전압 강하도 적기 때문에, 기입 방전은 비교적 안정되게 발생한다. 따라서, 도 8에 나타낸 바와 같이 초기화 동작부터 기입 동작까지의 시간적인 간격이 길어져도 기입 방전을 안정되게 발생시킬 수 있다.
도 9는, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 각 방전 셀로 강제 초기화 동작을 하는 빈도를 4필드에 1회로 할 때의 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형의 발생 패턴의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 9에 나타내는 예에서는, 시간적으로 연속하는 4개의 필드로 하나의 필드군을 구성하고, 배치적으로 연속하는 2개의 주사 전극(22)으로 하나의 주사 전극군을 구성하는 것으로 한다. 그리고, 도 9에 나타내는 예에서는, 도 8에 나타낸 예와 같이, 특정 셀 초기화 필드와 비초기화 필드의 2종류의 필드로 필드군을 구성하는 것으로 한다.
이하, 하나의 주사 전극군을 구성하는 주사 전극 SCi, 주사 전극 SCi+1 및 하나의 필드군을 구성하는 j 필드~j+3 필드를 예로 들어서 설명한다.
우선, j 필드의 제 1 SF에서는, 주사 전극 SCi에 강제 초기화 파형을 인가하고, 주사 전극 SCi+1에는 비초기화 파형을 인가한다.
이어지는 j+1 필드의 제 1 SF에서는, 모든 주사 전극(22)에 비초기화 파형을 인가한다.
이어지는 j+2 필드의 제 1 SF에서는, 주사 전극 SCi+1에 강제 초기화 파형을 인가하고, 주사 전극 SCi에는 비초기화 파형을 인가한다.
이어지는 j+3 필드의 제 1 SF에서는, 모든 주사 전극(22)에 비초기화 파형을 인가한다.
이렇게 해서, 하나의 주사 전극군에 있어서의 하나의 필드군의 동작을 종료한다. 다른 주사 전극군에 대해서도, 상술한 바와 같은 동작을 행하고, 그 이후에도, 각 필드군에서 상술한 바와 같은 동작을 반복한다. 한편, 도 9에 나타내는 구성에 있어서는, j 필드, j+2 필드, j+4 필드, … 는 특정 셀 초기화 필드가 되고, j+1 필드, j+3 필드, j+5 필드, … 는 비초기화 필드가 된다.
그리고, 도 9에 나타내는 예에서는, 필드마다 모든 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 구성에 비해서, 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 4분의 1로 저감할 수 있다.
도 10은, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 3필드에 1회로 할 때의 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형의 발생 패턴의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 10에 나타내는 예에서는, 시간적으로 연속하는 3개의 필드로 하나의 필드군을 구성하고, 배치적으로 연속하는 3개의 주사 전극(22)으로 하나의 주사 전극군을 구성하는 것으로 한다. 그리고, 도 10에 나타내는 예에서는, 도 8에 나타낸 예와는 달리, 특정 셀 초기화 필드만으로 필드군을 구성하는 것으로 한다.
이하, 하나의 주사 전극군을 구성하는 주사 전극 SCi~주사 전극 SCi+2 및 하나의 필드군을 구성하는 j 필드~j+2 필드를 예로 들어서 설명한다.
우선, j 필드의 제 1 SF에서는, 주사 전극 SCi에 강제 초기화 파형을 인가하고, 주사 전극 SCi+1, 주사 전극 SCi+2에는 비초기화 파형을 인가한다.
이어지는 j+1 필드의 제 1 SF에서는, 주사 전극 SCi+1에 강제 초기화 파형을 인가하고, 주사 전극 SCi, 주사 전극 SCi+2에는 비초기화 파형을 인가한다.
이어지는 j+2 필드의 제 1 SF에서는, 주사 전극 SCi+2에 강제 초기화 파형을 인가하고, 주사 전극 SCi, 주사 전극 SCi+1에는 비초기화 파형을 인가한다.
이렇게 해서, 하나의 주사 전극군에 있어서의 하나의 필드군의 동작을 종료한다. 다른 주사 전극군에 대해서도, 상술한 바와 같은 동작을 행하고, 그 이후에도, 각 필드군에서 상술한 바와 같은 동작을 반복한다. 한편, 도 10에 나타내는 구성에 있어서는, 전체 필드가 특정 셀 초기화 필드가 된다.
그리고, 도 10에 나타내는 예에서는, 필드마다 모든 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 구성에 비해서, 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 3분의 1로 저감할 수 있다.
도 11은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 2필드에 1회로 할 때의 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형의 발생 패턴의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 11에 나타내는 예에서는, 시간적으로 연속하는 2개의 필드로 하나의 필드군을 구성하고, 배치적으로 연속하는 2개의 주사 전극(22)으로 하나의 주사 전극군을 구성하는 것으로 한다. 그리고, 도 11에 나타내는 예에서는, 도 10에 나타낸 예와 같이, 특정 셀 초기화 필드만으로 필드군을 구성하는 것으로 한다.
이하, 하나의 주사 전극군을 구성하는 주사 전극 SCi, 주사 전극 SCi+1 및 하나의 필드군을 구성하는 j 필드, j+1 필드를 예로 들어서 설명한다.
우선, j 필드의 제 1 SF에서는, 주사 전극 SCi에 강제 초기화 파형을 인가하고, 주사 전극 SCi+1에는 비초기화 파형을 인가한다.
이어지는 j+1 필드의 제 1 SF에서는, 주사 전극 SCi+1에 강제 초기화 파형을 인가하고, 주사 전극 SCi에는 비초기화 파형을 인가한다.
이렇게 해서, 하나의 주사 전극군에 있어서의 하나의 필드군의 동작을 종료한다. 다른 주사 전극군에 대해서도, 상술한 바와 같은 동작을 행하고, 그 이후에도, 각 필드군에서 상술한 바와 같은 동작을 반복한다. 한편, 도 11에 나타내는 구성에 있어서는, 전체 필드가 특정 셀 초기화 필드가 된다.
그리고, 도 11에 나타내는 예에서는, 필드마다 모든 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 구성에 비해서, 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 2분의 1로 저감할 수 있다.
도 12는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 4필드에 3회로 할 때의 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형의 발생 패턴의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 12에 나타내는 예에서는, 시간적으로 연속하는 4개의 필드로 하나의 필드군을 구성하고, 배치적으로 연속하는 2개의 주사 전극(22)으로 하나의 주사 전극군을 구성하는 것으로 한다. 그리고, 도 12에 나타내는 예에서는, 도 8, 도 9, 도 10, 도 11에 나타낸 예와는 달리, 특정 셀 초기화 필드와 전체 셀 초기화 필드의 2종류의 필드로 필드군을 구성하는 것으로 한다.
이하, 하나의 주사 전극군을 구성하는 주사 전극 SCi, 주사 전극 SCi+1 및 하나의 필드군을 구성하는 j 필드~j+3 필드를 예로 들어서 설명한다.
우선, j 필드의 제 1 SF에서는, 주사 전극 SCi+1에 강제 초기화 파형을 인가하고, 주사 전극 SCi에는 비초기화 파형을 인가한다.
이어지는 j+1 필드의 제 1 SF에서는, 모든 주사 전극(22)에 강제 초기화 파형을 인가한다.
이어지는 j+2 필드의 제 1 SF에서는, 주사 전극 SCi에 강제 초기화 파형을 인가하고, 주사 전극 SCi+1에는 비초기화 파형을 인가한다.
이어지는 j+3 필드의 제 1 SF에서는, 모든 주사 전극(22)에 강제 초기화 파형을 인가한다.
이렇게 해서, 하나의 주사 전극군에 있어서의 하나의 필드군의 동작을 종료한다. 다른 주사 전극군에 대해서도, 상술한 바와 같은 동작을 행하고, 그 이후에서도, 각 필드군에서 상술한 바와 같은 동작을 반복한다. 한편, 도 12에 나타내는 구성에 있어서는, j 필드, j+2 필드, j+4 필드, … 는 특정 셀 초기화 필드가 되고, j+1 필드, j+3 필드, j+5 필드, … 는 전체 셀 초기화 필드가 된다.
그리고, 도 12에 나타내는 예에서는, 필드마다 모든 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 구성에 비해서, 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 4분의 3으로 저감할 수 있다.
한편, 강제 초기화 동작을 1필드에 1회로 할 때에는, 전체 필드를 강제 초기화 필드로 하면 되기 때문에, 설명을 생략한다.
한편, APL이 높은 화상은, 패널(10)의 화상 표시면에서 흑의 영역이 차지하는 비율이 비교적 적어서, 흑휘도의 밝기가 화상 표시 품질이 미치는 영향은 비교적 작다. 따라서, 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 높여도, 화상 표시 품질에 실질적으로 영향을 미치는 일은 없다.
이상 나타낸 바와 같이, 본 실시예에서는, APL이 낮은 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형을 주사 전극(22)에 인가할 때의 시간적인 간격이 연장되고, APL이 높은 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형을 주사 전극(22)에 인가할 때의 시간적인 간격이 단축되도록, 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 APL 검출 회로(49)에 있어서 검출되는 APL의 크기에 따라 변경하는 것으로 한다. 이로써, 흑휘도를 낮췄을 때의 화상 표시 품질의 개선 효과가 큰 화상(APL이 낮은 화상)을 표시할 때에는, 강제 초기화 파형에 의한 초기화 방전의 발생 빈도를 저감해서 표시 화상의 흑휘도를 저감하여 표시 화상의 콘트래스트를 높이는 것이 가능해진다. 기입 방전의 발생 횟수가 비교적 많은 화상(APL이 높은 화상)을 표시할 때에는, 강제 초기화 파형에 의한 초기화 방전의 발생 빈도를 높여서, 기입 방전을 안정되게 발생시키는 것이 가능해진다.
한편, 본 발명은, 필드를 구성하는 서브필드가, 상술한 특정 셀 초기화 서브필드, 비초기화 서브필드, 전체 셀 초기화 서브필드, 선택 초기화 서브필드의 4종류의 서브필드로 한정되는 것이 아니다. 또한, 필드군을 구성하는 필드가, 상술한 특정 셀 초기화 필드, 비초기화 필드, 전체 셀 초기화 필드의 3종류의 필드로 한정되는 것도 아니다. 상술한 4종류 이외의 서브필드를 마련하여 필드를 구성할 수도 있고, 또는 상술한 3종류 이외의 필드를 마련하여 필드군을 구성해도 된다.
한편, 본 실시예에 나타낸 특정 셀 초기화 서브필드에 있어서의 강제 초기화 파형 및 비초기화 파형의 발생 패턴은, 단순한 일 실시예를 게시한 것에 지나지 않으며, 본 발명은 이들 구성으로 한정되는 것이 전혀 아니다. 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 변경할 수 있는 구성이라면, 본 실시예에 나타낸 이외의 구성이어도 상관없다.
(실시예 2)
상술한 바와 같이, 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 변경함으로써, 표시 화상의 흑휘도는 변화된다.
도 13은 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 변경했을 때의 흑휘도의 변화(상대값)를 나타내는 도면이다.
본 발명자가 행한 실험에서는, 도 13에 나타내는 바와 같은 결과가 얻어졌다. 예컨대, 각 방전 셀에 있어서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 6필드에 1회로 했을 때의 흑휘도에 비해, 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 4필드에 1회로 했을 때의 흑휘도는 1.50배의 밝기였다. 또한, 각 방전 셀에 있어서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 4필드에 1회로 했을 때의 흑휘도에 비해 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 3필드에 1회로 했을 때의 흑휘도는 1.50배의 밝기였다. 또한, 각 방전 셀에 있어서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 3필드에 1회로 했을 때의 흑휘도에 비해, 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 2필드에 1회로 했을 때의 흑휘도는 1.50배의 밝기였다. 또한, 각 방전 셀에 있어서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 2필드에 1회로 했을 때의 흑휘도에 비해, 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 4필드에 3회로 했을 때의 흑휘도는 1.33배의 밝기였다. 또한, 각 방전 셀에 있어서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 4필드에 3회로 했을 때의 흑휘도에 비해, 강제 초기화 동작을 행할 때의 흑휘도는 1.50배의 밝기였다.
이와 같이, 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 변경했을 때에는 흑휘도에 변화가 생긴다. 그래서, 본 실시예에서는, 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 변경할 때에 생기는 흑휘도의 변화를 완화하여, 흑휘도의 변화가 사용자에게 잘 인식되지 않게 하는 구성에 대해서 설명한다.
본 실시예에서는, 표시 화상의 밝기가 변화되어, APL이 하나의 수치 범위에서 다른 수치 범위에 변화될 때에는, 우선 강제 초기화 파형의 최대 전압을 변화시킨다. 다음으로 필드군을 구성하는 필드의 조합을 변경한다. 이렇게 해서, 강제 초기화 파형을 발생하는 간격을 변경하는 것으로 한다.
도 14는 본 발명의 실시예 2에 있어서의 강제 초기화 파형을 발생시키는 간격을 변경할 때의 동작의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 14에 나타내는 각 도면에 있어서, 가로축은 시간을 나타낸다. 또한, 도 14의 상단에 나타내는 도면은 강제 초기화 파형의 최대 전압의 시간적인 변화를 나타내는 도면이고, 세로축은 강제 초기화 파형의 최대 전압 Vi2을 나타낸다. 또한, 도 14의 가운데단에 나타내는 도면은 강제 초기화 파형의 발생 빈도의 시간적인 변화를 나타내는 도면 이며, 세로축은 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 나타낸다. 또한, 도 14의 하단에 나타내는 도면은, 표시 화상에 있어서의 흑휘도의 시간적인 변화를 나타내는 도면 이며, 세로축은 흑휘도를 나타낸다.
한편, 도 14에는, 본 실시예에 있어서의 일 실시예로서, 시각 t1에 APL이 10%에서 15%로 변화될 때의 동작을 나타낸다.
예컨대, 도 7에 나타낸 규칙에 기초하면, APL 10%일 때에는 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도는 3필드에 1회이며, APL 15%일 때에는 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도는 2필드에 1회이다. 따라서, 도 13에 나타낸 실험 결과에 의하면, 강제 초기화 동작을 하는 빈도가 3필드에 1회에서 2필드에 1회로 변화될 때에, 흑휘도는 1.50배가 된다. 이하, 변화전의 흑휘도를 「흑휘도 P1」라고 하고, 변화후의 흑휘도를 「흑휘도 P2」라고 한다. 도 14에 나타내는 예에서는, 흑휘도 P2는 흑휘도 P1의 1.50배가 된다.
그래서, 본 실시예에서는, APL이 10%에서 15%로 변화되는 시각 t1에 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 전환하는 것이 아니고, 시각 t1부터 시작되는 소정의 천이 기간 Tm(예컨대, 약 1초)를 둔다. 그리고, 천이 기간 Tm 동안에 강제 초기화 파형의 최대 전압 Vi2을 기준 전압치인 전압 VsetA에서 소정 전압값인 전압 VsetB까지 서서히 올려 간다. 그리고, 천이 기간 Tm이 종료하는 시각 t2에, 필드군을 구성하는 필드의 조합을 변경하여 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 전환한다. 이와 동시에 강제 초기화 파형의 최대 전압 Vi2을 전압 VsetB에서 전압 VsetA으로 되돌린다. 이하, 이 시각 t1부터 시각 t2까지의 일련의 동작을 「천이 동작」이라고도 한다.
이 때, 전압 VsetB는, 시각 t2에 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 전환하는 동시에 강제 초기화 파형의 최대 전압 Vi2을 변경할 때에, 흑휘도의 변화가 발생하지 않도록 설정한다.
즉, 강제 초기화 파형의 최대 전압 Vi2을 전압 VsetA로 유지한 채로 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 변경(도 14에 나타내는 예에서는, 2필드에 1회의 빈도로 변경)했을 때의 흑휘도와, 각 방전 셀에서 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 변경하지 않고(도 14에 나타내는 예에서는, 3필드에 1회의 빈도 그대로) 강제 초기화 파형의 최대 전압 Vi2을 전압 VsetB로 변경했을 때의 흑휘도가 같아지도록, 전압 VsetB를 설정한다.
예컨대, 도 14에 나타내는 예에서는, 흑휘도 P2는 흑휘도 P1의 1.50배이기 때문에, 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 3필드에 1회로 유지한 상태로, 최대 전압 Vi2을 전압 VsetA에서 전압 VsetB로 변경했을 때에 흑휘도가 1.50배가 되도록 전압 VsetB를 설정한다.
이로써, 흑휘도를 흑휘도 P1로부터 흑휘도 P2까지, 천이 기간 Tm 동안 서서히 상승시켜서, 시각 t2에 흑휘도에 변화를 생기게 하는 일없이 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 전환할 수 있다. 따라서, 시각 t1에 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 전환해서 흑휘도가 휘도 P1로부터 휘도 P2로 급준하게 변화되는 경우에 비해서, 흑휘도의 변화가 사용자에게 잘 인식되지 않게 하는 것이 가능해진다.
한편, 도시하지는 않지만, 주사 전극 구동 회로(43)에 있어서는, 미러 적분 회로(53)의 입력 단자 IN1를 「Hi」로 하고 있는 기간, 전압 상승을 계속시킬 수 있다. 따라서, 입력 단자 IN1를 「Hi」로 하는 시간의 길이를 제어함으로써, 강제 초기화 파형의 최대 전압 Vi2의 크기를 제어할 수 있다.
이상 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의하면 상술한 구성으로 함으로써 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 변경할 때에 생기는 흑휘도의 변화를 완화하여, 흑휘도의 변화가 잘 인식되지 않게 하여, 화상 표시 품질을 더 향상시키는 것이 가능해진다.
한편, 천이 기간 Tm은 흑휘도의 변화가 사용자에게 잘 인식되지 않는 길이로 설정하는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 섬유 기간 Tm의 길이를 약 1초로 하고 있지만, 본 발명은 이 길이로 한정되는 것이 전혀 아니다. 천이 기간 Tm의 길이는 패널의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치의 사양 등에 따라 최적으로 설정하면 된다. 또한, 천이 기간 Tm의 길이는, 항상 일정해도 되고 또는, 강제 초기화 파형의 최대 전압 Vi2의 변화량에 따라 변경하는 구성이어도 된다. 예컨대, 흑휘도를 1.33배로 변화시킬 때의 천이 시간 Tm1을, 흑휘도를 1.50배로 변화시킬 때의 천이 시간 Tm2와 같은 길이로 설정해도 되고, 천이 시간 Tm1이 천이 시간 Tm2보다 짧아지도록 설정해도 된다.
한편, APL이 급준하게 크게 변화될 때에는 흑휘도의 변화는 잘 인식되지 않기 때문에, APL이 완만하게 변화될 때, 즉 APL이 하나의 수치 범위로부터, 그 수치 범위에 인접하는 다른 수치 범위로 변화될 때에만 상술한 천이 동작을 행하고, APL이, 하나의 수치 범위로부터, 그 수치 범위에 인접하는 수치 범위를 넘어서 다른 수치 범위로 급준하게 변화될 때(예컨대, APL이 10%에서 70%로 급준하게 변화되는 경우)에는, 상술한 천이 동작을 행하지 않고 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 전환하도록 구성해도 된다.
한편, 천이 기간 Tm의 도중에 APL이 또 다른 수치 범위로 변화될 때에는, 그 변화량에 따라, 천이 동작의 계속과 중단 중 어느 하나를 최적으로 선택하는 구성으로 해도 된다.
한편, 본 실시예에서는, 흑휘도가 상승하는 방향으로 변화되는 구성을 설명했지만, 흑휘도가 저하되는 방향으로 변화될 때에는, 천이 동작에 있어서 최대 전압 Vi2을 서서히 저하시키는 구성으로 하면 된다.
한편, 시각 t2에 있어서 「강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 전환하는 동시에 강제 초기화 파형의 최대 전압 Vi2을 변경한다」고 설명했지만, 이 「동시」는, 엄밀하게 「동시」인 것을 의미하는 것이 아니고, 실질적으로「동시」인 것을 나타내고 있어, 표시 화상에 영향을 미치지 않는 범위에서의 격차는 허용되는 것으로 한다.
한편, 전압 VsetB는, 「시각 t2에 강제 초기화 동작을 행하는 빈도를 전환하는 동시에 강제 초기화 파형의 최대 전압 Vi2을 변경할 때에, 흑휘도의 변화가 발생하지 않도록 설정한다」고 설명했지만, 이것은, 엄밀하게 「변화가 발생하지 않는」 것을 의미하는 것이 아니고, 표시 화상에 영향을 미치지 않는 범위에서의 격차는 허용되는 것으로 한다.
(실시예 3)
일반적으로, 플라즈마 디스플레이 장치(1)에 있어서는, 패널(10)의 사용 기간의 길이에 따라 방전 셀의 방전 특성에 변화가 생긴다. 예컨대, 사용 기간이 긴 패널(10)에서는, 사용 기간이 짧은 패널(10)에 비해서, 방전 셀의 방전 개시 전압은 높아진다.
따라서, 표시 화상의 흑휘도를 저감해서 표시 화상의 콘트래스트를 높이면서, 패널(10)의 사용 기간이 길어지고 나서도 안정되게 기입 방전을 발생시키기 위해서는, 플라즈마 디스플레이 장치(1)의 사용 기간의 길이에 따라, 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 변경하는 것이 바람직하다. 그래서, 본 실시예에서는, 플라즈마 디스플레이 장치(1)의 사용 기간의 길이에 따라, 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 변경하는 구성을 나타낸다.
한편, 플라즈마 디스플레이 장치(1)의 사용 기간의 길이는, 예컨대 플라즈마 디스플레이 장치(1)가 동작하고 있을 때만 동작하는 타이머와, 이 타이머로 계측한 시간을 누적 가산해서 기억하는 메모리를 구비한 동작 시간 누적 회로를 마련함으로써(도시 생략) 계측할 수 있다.
도 15는, 본 발명의 실시예 3에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(1)의 동작 시간의 누적치와 강제 초기화 파형의 발생 빈도의 일례를 나타내는 도면이다.
본 실시예에서는, 도 15에 나타낸 바와 같이, 예컨대, 동작 시간 누적 회로에서 계측된 동작 시간의 누적치가 미리 설정한 「제 1 시간」에 이를 때까지는, 다음과 같이 한다. 즉, APL 5% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 6필드에 1회로 한다. APL 5% 이상 9% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 4필드에 1회로 한다. APL 9% 이상 13% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 3필드에 1회로 한다. APL 13% 이상 50% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 2필드에 1회로 한다. APL 50% 이상 80% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 4필드에 3회로 한다. APL 80% 이상인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 1필드에 1회로 한다.
또한, 동작 시간 누적 회로로 계측된 동작 시간의 누적치가, 「제 1 시간」 이후, 미리 설정한 「제 2 시간」에 이를 때까지는 다음과 같이 한다. 즉, APL 5% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 4필드에 1회로 한다. APL 5% 이상 9% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 3필드에 1회로 한다. APL 9% 이상 13% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 2필드에 1회로 한다. APL 13% 이상 50% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 4필드에 3회로 한다. APL 50% 이상인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 1필드에 1회로 한다.
또한, 동작 시간 누적 회로에서 계측된 동작 시간의 누적치가, 「제 2 시간」이후, 미리 설정한 「제 3 시간」에 이를 때까지는, 다음과 같이 한다. 즉, APL 5% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 3필드에 1회로 한다. APL 5% 이상 9% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 2필드에 1회로 한다. APL 9% 이상 13% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 4필드에 3회로 한다. APL 13% 이상인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 1필드에 1회로 한다.
또한, 동작 시간 누적 회로에서 계측된 동작 시간의 누적치가, 「제 3 시간」 이후, 미리 설정한 「제 4 시간」에 이를 때까지는, 다음과 같이 한다. 즉, APL 5% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 2필드에 1회로 한다. APL 5% 이상 9% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 4필드에 3회로 한다. APL 9% 이상인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 1필드에 1회로 한다.
또한, 동작 시간 누적 회로에서 계측된 동작 시간의 누적치가, 「제 4 시간」 이후, 미리 설정한 「제 5 시간」에 이를 때까지는, 다음과 같이 한다. 즉, APL 5% 미만인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 4필드에 3회로 한다. APL 5% 이상인 화상을 표시할 때에는 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 1필드에 1회로 한다.
또한, 동작 시간 누적 회로에서 계측된 동작 시간의 누적치가, 「제 5 시간」에 이르고 난 이후에는, 항상 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 1필드에 1회로 한다.
이상 나타낸 바와 같이, 본 실시예에서는, 플라즈마 디스플레이 장치(1)의 사용 기간의 길이에 따라, 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 변경하는 구성으로 한다. 이렇게 함으로써, 표시 화상의 흑휘도를 저감해서 표시 화상의 콘트래스트를 높이면서, 패널(10)의 사용 기간이 길어지고 나서도 안정되게 기입 방전을 발생시키는 것이 가능해진다.
한편, 본 발명의 실시예에 있어서는, APL 검출 회로(49)에 있어서, APL이 증가하고 있을 때에 이용하는 임계값을, APL이 감소하고 있을 때에 이용하는 임계값보다 큰 값으로 설정하여, APL의 검출에 히스테리시스 특성을 마련하는 구성으로 해도 된다.
한편, 도 6에 나타낸 타이밍 차트는 본 발명의 실시예에 있어서의 일례를 나타낸 것에 지나지 않고, 본 발명은 이들 타이밍 차트로 한정되는 것이 전혀 아니다.
또한, 본 발명에 있어서의 실시예는, 2상 구동에 의해서 패널을 구동할 때에도 적용할 수 있다. 이 2상 구동이란, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn을 제 1 주사 전극 그룹과 제 2 주사 전극 그룹으로 분할하여, 기입 기간을, 제 1 주사 전극 그룹에 속하는 주사 전극 각각에 주사 펄스를 인가하는 제 1 기입 기간과, 제 2 주사 전극 그룹에 속하는 주사 전극 각각에 주사 펄스를 인가하는 제 2 기입 기간으로 구성하는 구동 방법이다.
한편, 본 발명에 있어서의 실시예는, 주사 전극과 주사 전극이 이웃하고, 유지 전극과 유지 전극이 이웃하는 전극 구조, 즉 전면판에 마련되는 전극의 배열이, 「…, 주사 전극, 주사 전극, 유지 전극, 유지 전극, 주사 전극, 주사 전극, …」이 되는 전극 구조의 패널에서도 유효하다.
한편, 본 실시예에 있어서 나타낸 구체적인 각 수치, 예컨대 상승 램프 전압 L1, 하강 램프 전압 L2, 소거 램프 전압 L3의 각 경사 전압의 기울기 등은 표시 전극쌍 수 1080인 50인치의 패널의 특성에 기초해서 설정한 것으로, 단지 실시예의 일례를 나타낸 것에 불과하다. 본 발명은 이들 수치로 한정되는 것이 전혀 아니며, 패널의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치의 사양 등에 맞춰서 최적으로 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 이들의 각 수치는, 상술한 효과를 얻을 수 있는 범위에서의 격차를 허용하는 것으로 한다.
(산업상의 이용 가능성)
본 발명은, 평균 휘도 레벨이 낮은 화상을 표시할 때에는 표시 화상의 흑휘도를 저감하여 콘트래스트를 높이고, 평균 휘도 레벨이 높은 화상을 표시할 때에는 기입 방전을 안정되게 발생시켜서 화상 표시 품질을 높일 수 있기 때문에, 패널의 구동 방법 및 플라즈마 디스플레이 장치로서 유용하다.
1 : 플라즈마 디스플레이 장치 10 : 패널(플라즈마 디스플레이 패널)
21 : 전면판 22 : 주사 전극
23 : 유지 전극 24 : 표시 전극쌍
25, 33 : 유전체층 26 : 보호층
31 : 배면판 32 : 데이터 전극
34 : 격벽 35 : 형광체층
41 : 화상 신호 처리 회로 42 : 데이터 전극 구동 회로
43 : 주사 전극 구동 회로 44 : 유지 전극 구동 회로
45 : 타이밍 발생 회로 49 : APL 검출 회로
50 : 유지 펄스 발생 회로 51 : 초기화 파형 발생 회로
52 : 주사 펄스 발생 회로 53, 54, 55 : 미러 적분 회로
Q1, Q2, Q3, Q4, Q5, Q6, QH1~QHn, QL1~QLn : 스위칭 소자
C1, C2, C3, C31 : 콘덴서 Di31 : 다이오드
R1, R2, R3 : 저항 L1 : 상승 램프 전압
L2, L4 : 하강 램프 전압 L3 : 소거 램프 전압

Claims (9)

  1. 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 플라즈마 디스플레이 패널을, 초기화 기간과 기입 기간과 유지 기간을 갖는 서브필드를 1필드 내에 복수 마련하여 계조 표시하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법으로서,
    상기 초기화 기간에 있어서,
    직전의 서브필드의 동작에 관계없이 상기 방전 셀에 초기화 방전을 발생시키는 강제 초기화 파형과, 직전의 서브필드의 상기 유지 기간에 유지 방전을 발생시킨 상기 방전 셀에만 초기화 방전을 발생시키는 선택 초기화 파형과, 상기 방전 셀에 초기화 방전이 발생하지 않는 비초기화 파형 중 어느 하나를 상기 주사 전극에 인가하고,
    상기 초기화 기간에 있어서 소정의 주사 전극에 상기 강제 초기화 파형을 인가하고, 다른 주사 전극에 상기 비초기화 파형을 인가하는 특정 셀 초기화 서브필드와,
    상기 초기화 기간에 상기 선택 초기화 파형을 모든 상기 주사 전극에 인가하는 선택 초기화 서브필드를 마련함과 아울러,
    상기 특정 셀 초기화 서브필드와 복수의 상기 선택 초기화 서브필드를 갖는 특정 셀 초기화 필드를 마련하고,
    입력 화상 신호의 평균 휘도 레벨이 낮아짐에 따라서 상기 강제 초기화 파형을 상기 주사 전극에 인가하는 빈도가 저감되도록, 상기 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 상기 평균 휘도 레벨의 크기에 따라 변경하는 것
    을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 초기화 기간에 상기 비초기화 파형을 모든 상기 주사 전극에 인가하는 비초기화 서브필드와,
    상기 초기화 기간에 상기 강제 초기화 파형을 모든 상기 주사 전극에 인가하는 전체 셀 초기화 서브필드를 마련함과 아울러,
    상기 특정 셀 초기화 필드에,
    상기 비초기화 서브필드와 복수의 상기 선택 초기화 서브필드를 갖는 비초기화 필드와,
    상기 전체 셀 초기화 서브필드와 복수의 상기 선택 초기화 서브필드를 갖는 전체 셀 초기화 필드를 더한 적어도 3종류의 필드를 마련하고,
    상기 3종류의 필드 중 어느 1종류 또는 어느 2종류를 이용해서 시간적으로 연속하는 복수의 필드로 하나의 필드군을 구성하며,
    상기 평균 휘도 레벨이 낮아짐에 따라서 상기 강제 초기화 파형을 상기 주사 전극에 인가하는 빈도가 저감되도록, 상기 필드군을 구성하는 필드의 조합을 상기 평균 휘도 레벨의 크기에 따라 변경하는 것
    을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    복수의 상기 특정 셀 초기화 필드를 이용해서 구성된 필드군에서는, 상기 강제 초기화 파형을 인가하는 상기 주사 전극의 수가 각각의 상기 특정 셀 초기화 서브필드에서 서로 같아지도록 상기 강제 초기화 파형을 발생시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 평균 휘도 레벨이 복수의 수치 범위로 나누어지고, 각각의 수치 범위에 대해 상기 필드군을 구성하는 필드의 조합이 설정되어 있으며,
    상기 평균 휘도 레벨이, 하나의 수치 범위에서 다른 수치 범위로 변화될 때에는, 우선 상기 강제 초기화 파형의 최대 전압을 변화시키고, 다음에 상기 필드군을 구성하는 필드의 조합을 변경하는 것
    을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 평균 휘도 레벨이, 하나의 수치 범위로부터, 그 수치 범위에 인접하는 다른 수치 범위로 변화될 때에는,
    상기 강제 초기화 파형의 최대 전압을 기준 전압값으로부터 소정 전압값까지 소정의 천이 기간 동안(throughout) 서서히 변화시켜서, 상기 최대 전압이 상기 소정 전압값에 도달한 이후에, 상기 필드군을 구성하는 필드의 조합을 변경하는 동시에 상기 최대 전압을 상기 소정 전압값으로부터 상기 기준 전압값으로 변화시키고,
    상기 평균 휘도 레벨이, 하나의 수치 범위로부터, 그 수치 범위에 인접하는 수치 범위를 넘어서 다른 수치 범위로 변화될 때에는,
    상기 최대 전압을 변화시키는 일없이 상기 필드군을 구성하는 필드의 조합을 변경하는 것
    을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 플라즈마 디스플레이 패널을 탑재한 플라즈마 디스플레이 장치의 동작 시간의 누적치를 계측하고, 상기 누적치에 따라 상기 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 변경하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
  7. 초기화 기간과 기입 기간과 유지 기간을 갖는 서브필드를 1필드 내에 복수 마련하여 계조 표시하는 서브필드법으로 구동하고, 상기 서브필드로서 특정 셀 초기화 서브필드와 선택 초기화 서브필드를 마련함과 아울러, 상기 특정 셀 초기화 서브필드 및 복수의 상기 선택 초기화 서브필드를 갖는 특정 셀 초기화 필드를 마련하여 구동하고, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 플라즈마 디스플레이 패널과,
    상기 초기화 기간에, 직전의 서브필드의 동작에 관계없이 상기 방전 셀에 초기화 방전을 발생시키는 강제 초기화 파형과, 직전의 서브필드의 상기 유지 기간에 유지 방전을 발생시킨 상기 방전 셀에만 초기화 방전을 발생시키는 선택 초기화 파형과, 상기 방전 셀에 초기화 방전이 발생하지 않는 비초기화 파형 중 어느 하나를 발생시켜서 상기 주사 전극에 인가함과 아울러, 상기 특정 셀 초기화 서브필드의 상기 초기화 기간에는, 소정의 주사 전극에는 상기 강제 초기화 파형을 인가하고, 다른 주사 전극에는 상기 비초기화 파형을 인가하며, 상기 선택 초기화 서브필드의 상기 초기화 기간에는, 상기 선택 초기화 파형을 모든 상기 주사 전극에 인가하는 주사 전극 구동 회로와,
    입력 화상 신호의 평균 휘도 레벨을 검출하는 APL 검출 회로
    를 구비하고,
    상기 주사 전극 구동 회로는,
    상기 APL 검출 회로에서 검출된 평균 휘도 레벨이 낮아짐에 따라서 상기 강제 초기화 파형을 상기 주사 전극에 인가하는 빈도가 저감되도록, 상기 강제 초기화 파형의 발생 빈도를 상기 평균 휘도 레벨의 크기에 따라 변경하는 것
    을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    비초기화 서브필드와, 전체 셀 초기화 서브필드를 더 마련하고,
    상기 주사 전극 구동 회로는,
    상기 비초기화 서브필드에 있어서는, 상기 초기화 기간에 상기 비초기화 파형을 발생시켜서 모든 상기 주사 전극에 인가하고,
    상기 전체 셀 초기화 서브필드에 있어서는, 상기 초기화 기간에 상기 강제 초기화 파형을 발생시켜서 모든 상기 주사 전극에 인가하며,
    상기 특정 셀 초기화 필드에,
    상기 비초기화 서브필드와 복수의 상기 선택 초기화 서브필드를 갖는 비초기화 필드와,
    상기 전체 셀 초기화 서브필드와 복수의 상기 선택 초기화 서브필드를 갖는 전체 셀 초기화 필드를 더한 적어도 3종류의 필드를 마련하고,
    상기 3종류의 필드 중 어느 1종류 또는 어느 2종류를 이용해서 시간적으로 연속하는 복수의 필드로 하나의 필드군을 구성하며,
    상기 평균 휘도 레벨이 낮아짐에 따라서 상기 강제 초기화 파형을 상기 주사 전극에 인가하는 빈도가 저감되도록, 상기 평균 휘도 레벨에 따라 상기 필드군의 구성을 전환하는 것
    을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 주사 전극 구동 회로는,
    상승하는 경사 전압을 발생시키는 경사 전압 발생 회로를 가지며,
    상기 경사 전압 발생 회로가 출력하는 경사 전압에 소정의 전압을 중첩한 전압을 상기 강제 초기화 파형으로서 발생시키고,
    상기 소정의 전압을 중첩하지 않는 상기 경사 전압을 상기 비초기화 파형으로서 발생시키는 것
    을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
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