KR20120006892A - Bonding a composite of rotary target and bonding method - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: Bonding composition of a rotary target for sputtering and a method of bonding a rotary target using the same are provided to enable stable supply of materials since common and cheap components can be bonded through bonding composition mixed with a small amount of indium. CONSTITUTION: Bonding composition(130) of a rotary target for sputtering is mixed with indium of 5~50weight% and media powder of 650~95weight%. The media powder is a non-magnetic material and is heavier than indium in specific gravity. The medial powder consists of one or more selected from a group consisting of sand, stainless steel, tungsten, tungsten hexa-carbonyl, aluminum oxide. If two or more are mixed, the medial powder is mixed at the same ratio. The size of the media powder is within 0.001~1mm.

Description

스퍼터링용 로터리 타겟의 접합 조성물 및 이를 이용한 로터리 타겟의 접합방법{Bonding a composite of rotary target and bonding method}Bonding composition of rotary target for sputtering and bonding method of rotary target using same {Bonding a composite of rotary target and bonding method}

본 발명은 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물 및 이를 이용한 로터리 타겟의 접합방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 접합시 시중에서 구하기 쉽고 값싼 구성 성분을 소량의 인듐과 혼합 조성한 접합 조성물을 통해 접합시킬 수 있도록 한 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물 및 이를 이용한 로터리 타겟의 접합방법에 관한 것이다.The present invention relates to a bonding composition of a rotary target for sputtering and a bonding method of a rotary target using the same. The present invention relates to a bonding composition for a sputtering rotary target, and a bonding method of a rotary target using the same, by which a small amount of indium and a bonding composition are mixed.

일반적으로 스퍼터링(Sputtering)이란 목적물 표면에 막의 형태로 부착하는 기술을 말하는 것으로, 이러한 스퍼터링은 세라믹이나 반도체 소재 등에 전자 회로를 만들기 위해 고진공 상태에서 고체를 증발시켜 박막(Thin film)이나 후막(Thick film)을 형성하는 경우에 사용된다.In general, sputtering refers to a technique of attaching a film to a target surface in the form of a film, and sputtering is a thin film or a thick film by evaporating a solid in a high vacuum state to make an electronic circuit in a ceramic or semiconductor material. It is used when forming).

다시 말해서, 전술한 바와 같은 스퍼터링(Sputtering)은 진공 중에 불활성가스(주로 아르곤 가스(Ar gas))를 도입시키면서 기판과 타겟(Target : 부착 되어지는 물질 Cr·Ti 등) 사이에 직류전압을 가하여 이온화시킨 아르곤을 타겟에 충돌시켜서 타겟 물질을 기판에 막 형성시키는 방법이다. 또한, 아르곤 가스와 같이 미량의 O2·N2가스를 넣는 것에 의해　반응성 스퍼터링(ITO·TiN 등)을 행할 수 있다.In other words, the sputtering as described above is ionized by applying a DC voltage between the substrate and the target (target material Cr, Ti, etc.) while introducing an inert gas (mainly argon gas) in a vacuum. This is a method of colliding argon with a target to form a target material on a substrate. In addition, it is possible to perform reactive sputtering (ITO · TiN, and so on) by loading a O 2 · N 2 gas of a very small amount, such as argon gas.

전술한 바와 같은 스퍼터링은 건식도금법으로 분류되어 코팅하는 대상물을 액체나 고온기체에 노출시키지 않고 도금처리가 된다. 그에 따라, 여러 가지 기반재료(수지·Glass·Ceramic·기타)의 판재물·성형품에 예를 들면, 전극·실드(Shield)·마스킹(Masking)으로써 사용되어지고 있다.The sputtering as described above is classified by dry plating method and is plated without exposing the object to be coated to liquid or high temperature gas. Therefore, it is used for the board | plate material and molded article of various base materials (resin, glass, ceramic, etc.), for example as electrode shielding and masking.

한편, 전술한 바와 같이 코팅이나 박막과 같은 도금처리를 하는 스퍼터링 장비에서 고전압을 인가하는 전극으로써 로터리 타겟이 사용된다. 이러한 스퍼터링용 로터리 타겟은 원통형의 백킹 플레이트와 백킹 플레이트의 외주면으로 결합 구성되는 원통형의 타겟으로 이루어지되 타겟은 인듐(Indium)의 용융 결합에 의한 접합에 의해 백킹 플레이트의 외주면 상에 결합되어 일체화된다.On the other hand, as described above, a rotary target is used as an electrode for applying a high voltage in a sputtering apparatus for coating or thin film plating. The sputtering rotary target is composed of a cylindrical target consisting of a cylindrical backing plate and the outer circumferential surface of the backing plate, but the target is coupled to and integrated on the outer circumferential surface of the backing plate by fusion bonding of indium (Indium).

전술한 바와 같은 인듐(Indium)은 주기율표 13족인 붕소족에 속하는 희유금속 원소로, 1863년에 페르디난드 라이크와 테오도르 리히터가 아연광석에서 밝은 은백색 광택이 나는 인듐을 발견해 독특한 남색(indigo)의 스펙트럼선을 내놓는다고 해서 인듐이라고 명명하였다.Indium, as mentioned above, is a rare metal element belonging to group 13 of the boron group of the periodic table. It was called indium because it was offered.

그리고, 전술한 바와 같은 인듐(Indium)은 녹으면 깨끗한 유리 및 다른 표면에 달라붙거나 적시는 특이한 성질이 있기 때문에 유리·금속·석영·세라믹·대리석 사이를 용접 밀봉(鎔接密封)하는데 쓰이며, 내식성(耐蝕性)을 증가시키고 표면에 접착성 유막(油膜)을 형성하기 때문에 항공기용 엔진 베어링을 도장(塗裝)하는 데에도 쓰인다.Indium, as described above, is used for welding sealing between glass, metal, quartz, ceramic, and marble because it has a unique property of melting or sticking to clean glass and other surfaces when melted. It is also used for painting aircraft engine bearings because it increases corrosion resistance and forms an adhesive oil film on the surface.

그러나, 전술한 바와 같이 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 원통형의 백킹 플레이트의 외주면 상에 원통형의 타겟을 용융 결합되도록 하는 인듐(Indium)은 희귀금속에 속하여 고가라는 점에서 스퍼터링용 로터리 타겟의 제조에 따른 생산단가의 상승이 따르게 되는 문제가 있다.However, as described above, indium, which allows the cylindrical target to be melt-bonded on the outer circumferential surface of the cylindrical backing plate constituting the sputtering rotary target, belongs to a rare metal and is expensive, resulting in the manufacture of the rotary target for sputtering. There is a problem that an increase in production costs will follow.

아울러, 전술한 바와 같이 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 원통형의 백킹 플레이트의 외주면 상에 원통형의 타겟을 용융 결합되도록 하는 인듐(Indium)은 희귀금속으로 그 공급량이 많지 않기 때문에 시장의 가격이 매우 불안정하여 수급에 문제가 따르는 문제가 있다.In addition, as described above, indium, which allows the cylindrical target to be melt-bonded on the outer circumferential surface of the cylindrical backing plate constituting the sputtering rotary target, is a rare metal, and since its supply is not large, the market price is very unstable. There is a problem with supply and demand.

본 발명은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 접합시 시중에서 구하기 쉽고 값싼 구성 성분을 소량의 인듐과 혼합 조성한 접합 조성물을 통해 접합시킬 수 있도록 함으로써 원가를 절감시켜 생산단가를 낮출 수 있도록 한 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물 및 이를 이용한 로터리 타겟의 접합방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve all the problems of the prior art, it is possible to bond the target on the outer circumferential surface of the backing plate and to obtain a cheap constituent by bonding a small amount of indium and the bonding composition through a bonding composition It is an object of the present invention to provide a bonding composition of a rotary target for sputtering and a method of bonding a rotary target using the same to reduce the production cost by reducing the cost.

아울러, 본 발명에 따른 기술은 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 접합시 시중에서 구하기 쉽고 값싼 구성 성분을 소량의 인듐과 혼합 조성한 접합 조성물을 통해 접합시킬 수 있도록 함으로써 안정적으로 재료의 수급이 가능하도록 함에 그 목적이 있다.In addition, the technology according to the present invention is to provide a stable supply of materials by allowing the easy to obtain a cheap component when bonding the target on the outer peripheral surface of the backing plate through a bonding composition mixed with a small amount of indium The purpose is.

전술한 목적을 달성하기 위해 구성되는 본 발명은 다음과 같다. 즉, 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물은 스퍼터링용 챔버에 회전 가능하게 설치되어 구동모터의 구동에 의해 회전되는 가운데 고전압을 인가하는 스퍼터링용 로터리 타겟의 원통형으로 형성된 백킹 플레이트의 외주면에 원통형의 타겟을 접합 결합시키는 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물에 있어서, 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물은 인듐(Indium) 5∼50 중량% 및 비자성체이면서 비중이 인듐(Indium)에 비해 무거운 메디아 파우더(Media pouder) 50∼95 중량%의 비율로 혼합 조성된다.The present invention configured to achieve the above object is as follows. That is, the bonding composition of the sputtering rotary target according to the present invention has a cylindrical shape on the outer circumferential surface of the backing plate formed of a cylindrical shape of the sputtering rotary target for applying a high voltage while being rotatably installed in the sputtering chamber and being rotated by the drive of the drive motor. In the sputtering rotary target splicing composition for splicing and bonding the target, the sputtering rotary target splicing composition is 5 to 50% by weight of indium and a median powder (media pouder) which is nonmagnetic and has a specific gravity heavier than indium. The composition is mixed at a ratio of 50 to 95% by weight.

한편, 전술한 바와 같은 본 발명의 구성에서 메디아 파우더(Media pouder)는 샌드(Sand), 스테인리스 스틸(S/S), 구리(Cu), 텅스텐(W), 텅스텐 헥사카르보닐(Tungsten hexacarbonyl) 및 산화알루미늄(Al2O3)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어질 수 있다. 이때, 메디아 파우더(Media pouder)는 둘 이상 선택하여 혼합하는 경우 동일 비율로 혼합될 수 있다.On the other hand, the media powder (Media pouder) in the configuration of the present invention as described above Sand (Sand), stainless steel (S / S), copper (Cu), tungsten (W), tungsten hexacarbonyl (Tungsten hexacarbonyl) and It may be made of one or more selected from the group consisting of aluminum oxide (Al 2 O 3 ). In this case, the media powder (Media pouder) may be mixed in the same ratio when two or more selected.

그리고, 전술한 바와 같은 본 발명의 구성에서 메디아 파우더(Media pouder)의 크기는 0.001∼1mm의 크기로 이루어질 수 있다.And, the size of the media powder (Media pouder) in the configuration of the present invention as described above may be made of a size of 0.001 ~ 1mm.

본 발명의 방법적인 기술인 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법은 (a) 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열시키는 단계; (b) 단계(a)의 과정을 통해 가열된 백킹 플레이트의 외주면과 타겟의 내주면 각각에 파우더 상의 인듐(Indium)을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계; (c) 단계(b)의 과정을 통해 표면처리된 백킹 플레이트와 타겟을 냉각시키는 단계; (d) 단계(c)의 과정을 통해 냉각된 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 결합하여 정반에 세로 방향으로 정위치시키는 단계; (e) 단계(d)의 과정을 통해 정반에 정위치된 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열하는 단계; (f) 단계(e)의 과정을 통해 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계; (g) 단계(f)의 과정을 통해 백킹 플레이트와 타겟을 가열 및 진동시키는 가운데 백킹 플레이트의 외주면과 타겟 내주면 사이의 공간에 인듐(Indium)을 용융 투입시키는 단계; (h) 단계(g)의 과정을 통해 인듐(Indium)을 용융 투입시킨 다음 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 백킹 플레이트의 외주면과 타겟 내주면 사이의 공간에 투입하여 진동에 의해 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐(Indium)이 균일하게 분포되도록 하는 단계; 및 (i) 단계(h)의 과정을 통해 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐(Indium)이 분포되도록 한 다음 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계를 포함한 구성으로 이루어진다.The sputtering rotary target bonding method, which is a method of the present invention, includes: (a) heating a backing plate and a target constituting a sputtering rotary target to a predetermined temperature or more; (b) surface treatment with a brush or an ultrasonic surface treatment agent while applying and melting indium powder on each of the outer circumferential surface of the heated backing plate and the inner circumferential surface of the target through the process of step (a); (c) cooling the surface-treated backing plate and the target through the process of step (b); (d) engaging the target on the outer circumferential surface of the backing plate cooled through the process of step (c) and positioning the target vertically on the surface plate; (e) heating the backing plate and the target positioned on the surface plate through a process of step (d) to a predetermined temperature or more; (f) oscillating while the backing plate and the target are heated to a predetermined temperature or more through the process of step (e); (g) injecting indium into the space between the outer circumferential surface of the backing plate and the target inner circumferential surface while heating and vibrating the backing plate and the target through the process of step (f); (h) Indium is melted in the process of step (g), and then the media powder on the particles is introduced into the space between the outer circumferential surface of the backing plate and the target inner circumferential surface to vibrate between the particles of the media powder. Dispersing indium melted in the uniformly; And (i) allowing molten indium to be distributed between the particles of the median powder through the process of step (h), and then cooling in a state in which heating and vibration are stopped.

본 발명에 따른 방법적인 기술의 다른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법은 (a) 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열시키는 단계; (b) 단계(a)의 과정을 통해 가열된 백킹 플레이트의 외주면과 타겟의 내주면 각각에 파우더 상의 인듐(Indium)을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계; (c) 단계(b)의 과정을 통해 표면처리된 백킹 플레이트와 타겟을 냉각시키는 단계; (d) 단계(c)의 과정을 통해 냉각된 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 결합하여 정반에 세로 방향으로 정위치시키는 단계; (e) 단계(d)의 과정을 통해 정반에 정위치된 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열하는 단계; (f) 단계(e)의 과정을 통해 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계; (g) 단계(f)의 과정을 통해 백킹 플레이트와 타겟을 가열 및 진동시키는 가운데 백킹 플레이트의 외주면과 타겟 내주면 사이의 공간에 용융된 인듐(Indium)과 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 일정비율로 동시에 투입시키는 단계; 및 (h) 단계(g)의 과정을 통해 인듐(Indium)과 메디아 파우더(Media pouder)를 투입한 다음 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계를 포함한 구성으로 이루어진다.Another sputtering rotary target splicing method of the method according to the present invention comprises the steps of (a) heating the backing plate and the target constituting the sputtering rotary target above a certain temperature; (b) surface treatment with a brush or an ultrasonic surface treatment agent while applying and melting indium powder on each of the outer circumferential surface of the heated backing plate and the inner circumferential surface of the target through the process of step (a); (c) cooling the surface-treated backing plate and the target through the process of step (b); (d) engaging the target on the outer circumferential surface of the backing plate cooled through the process of step (c) and positioning the target vertically on the surface plate; (e) heating the backing plate and the target positioned on the surface plate through a process of step (d) to a predetermined temperature or more; (f) oscillating while the backing plate and the target are heated to a predetermined temperature or more through the process of step (e); (g) A predetermined ratio of the media powder (indium) and the media powder on the molten indium in the space between the outer circumferential surface of the backing plate and the target inner circumferential surface while heating and vibrating the backing plate and the target through the step (f). Simultaneously injecting; And (h) adding indium and media powder (Media pouder) through the process of step (g), followed by cooling in a state in which heating and vibration are stopped.

본 발명에 따른 방법적인 기술의 또 다른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법은 (a) 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열시키는 단계; (b) 단계(a)의 과정을 통해 가열된 백킹 플레이트의 외주면과 타겟의 내주면 각각에 파우더 상의 인듐(Indium)을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계; (c) 단계(b)의 과정을 통해 표면처리된 백킹 플레이트와 타겟을 냉각시키는 단계; (d) 단계(c)의 과정을 통해 냉각된 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 결합하여 정반에 세로 방향으로 정위치시키는 단계; (e) 단계(d)의 과정을 통해 정반에 정위치된 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열하는 단계; (f) 단계(e)의 과정을 통해 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계; (g) 단계(f)의 과정을 통해 백킹 플레이트와 타겟을 가열 및 진동시키는 가운데 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 백킹 플레이트의 외주면과 타겟 내주면 사이의 공간에 일정량 투입하는 단계; (h) 단계(g)의 과정을 통해 메디아 파우더(Media pouder)를 투입한 다음 일정량의 인듐(Indium)을 용융 투입시켜 진동에 의해 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐(Indium)이 균일하게 분포되도록 하는 단계; 및 (i) 단계(h)의 과정을 통해 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐(Indium)이 분포되도록 한 다음 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계를 포함한 구성으로 이루어진다.Another sputtering rotary target bonding method of the method according to the present invention comprises the steps of (a) heating the target and the backing plate constituting the sputtering rotary target above a certain temperature; (b) surface treatment with a brush or an ultrasonic surface treatment agent while applying and melting indium powder on each of the outer circumferential surface of the heated backing plate and the inner circumferential surface of the target through the process of step (a); (c) cooling the surface-treated backing plate and the target through the process of step (b); (d) engaging the target on the outer circumferential surface of the backing plate cooled through the process of step (c) and positioning the target vertically on the surface plate; (e) heating the backing plate and the target positioned on the surface plate through a process of step (d) to a predetermined temperature or more; (f) oscillating while the backing plate and the target are heated to a predetermined temperature or more through the process of step (e); (g) injecting a predetermined amount of media powder onto the space between the outer circumferential surface of the backing plate and the target inner circumferential surface while heating and vibrating the backing plate and the target through the process of step (f); (h) The media powder (Media pouder) is added through the process of step (g), and then a predetermined amount of indium is melted and the molten indium is uniformly distributed among the particles of the media powder by vibration. Making it possible; And (i) allowing molten indium to be distributed between the particles of the median powder through the process of step (h), and then cooling in a state in which heating and vibration are stopped.

전술한 바와 같은 본 발명에 따른 구성에서 인듐(Indium)과 메디아 파우더(Media pouder)의 조성비는 5∼50 : 50∼95 중량%의 비율로 조성될 수 있다.In the composition according to the present invention as described above, the composition ratio of Indium and media powder (Media pouder) may be formed in a ratio of 5 to 50: 50 to 95% by weight.

한편, 본 발명의 구성에서 메디아 파우더(Media pouder)는 샌드(Sand), 스테인리스 스틸(S/S), 구리(Cu), 텅스텐(W), 텅스텐 헥사카르보닐(Tungsten hexacarbonyl) 및 산화알루미늄(Al2O3)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어질 수 있다. 이때, 메디아 파우더(Media pouder)는 둘 이상 선택하여 혼합하는 경우 동일 비율로 혼합될 수 있다.Meanwhile, in the composition of the present invention, media powder (Media pouder) is sand (Sand), stainless steel (S / S), copper (Cu), tungsten (W), tungsten hexacarbonyl and aluminum oxide (Al). 2 O 3 ) It may be made of one or more selected from the group consisting of. In this case, the media powder (Media pouder) may be mixed in the same ratio when two or more selected.

그리고, 본 발명에 따른 구성에서 메디아 파우더(Media pouder)의 입자는 0.001∼1mm의 크기로 이루어질 수 있다.And, in the configuration according to the invention the particles of the media powder (Media pouder) may be made of a size of 0.001 ~ 1mm.

본 발명의 기술에 따르면 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 접합시 시중에서 구하기 쉽고 값싼 구성 성분을 소량의 인듐과 혼합 조성한 접합 조성물을 통해 접합시킬 수 있도록 함으로써 원가를 절감시켜 생산단가를 낮추는 효과가 발현된다.According to the technique of the present invention, when the target is bonded on the outer circumferential surface of the backing plate, it is possible to obtain a cheaper component by joining the bonding composition mixed with a small amount of indium and reduced cost by reducing the production cost by reducing the cost do.

아울러, 본 발명에 따른 기술은 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟을 접합시 시중에서 구하기 쉽고 값싼 구성 성분을 소량의 인듐과 혼합 조성한 접합 조성물을 통해 접합시킬 수 있도록 함으로써 안정적으로 재료의 수급이 가능하다는 장점이 있다.In addition, the technology according to the present invention is to obtain a stable supply of materials by allowing the bonding of the target on the outer circumferential surface of the backing plate in the market easily and inexpensive components through a bonding composition mixed with a small amount of indium There is this.

도 1 은 본 발명에 따른 기술이 적용된 스퍼터링용 로터리 타겟을 보인 분리 사시도.
도 2 는 본 발명에 따른 기술이 적용된 스퍼터링용 로터리 타겟을 보인 결합 사시도.
도 3 은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합 조성물 중에서 인듐(Indium)의 투입을 보인 단면 구성도.
도 4 는 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합 조성물 중에서 메디아 파우터(Media pouder)의 투입을 보인 단면 구성도.
도 5 는 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합 조성물을 구성하는 인듐(Indium)과 메디아 파우터(Media pouder)의 혼합을 보인 단면 구성도.
도 6 은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓을 보인 단면 구성도.
도 7 은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물을 이용한 로터리 타겟 접합방법을 보인 블록도.
도 8 은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물을 이용한 다른 예의 로터리 타겟 접합방법을 보인 블록도.
도 9 는 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물을 이용한 또 다른 예의 로터리 타겟 접합방법을 보인 블록도.1 is an exploded perspective view showing a sputtering rotary target to which the technique according to the present invention is applied.
Figure 2 is a perspective view showing a sputtering rotary target to which the technique according to the present invention is applied.
Figure 3 is a cross-sectional view showing the input of indium (Indium) in the bonding composition of the rotary target for sputtering according to the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional configuration showing the injection of the media pouder (Media pouder) in the bonding composition of the rotary target for sputtering according to the present invention.
Figure 5 is a cross-sectional view showing a mixture of indium (media) and media pouch (Media pouder) constituting the bonding composition of the rotary target for sputtering according to the present invention.
Figure 6 is a cross-sectional view showing a rotary target for sputtering according to the present invention.
Figure 7 is a block diagram showing a rotary target bonding method using the bonding composition of the rotary target for sputtering according to the present invention.
8 is a block diagram showing another example of the rotary target bonding method using the bonding composition of the rotary target for sputtering according to the present invention.
9 is a block diagram showing another example of a rotary target bonding method using the bonding composition of the rotary target for sputtering according to the present invention.

이하에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물 및 이를 이용한 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합방법을 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, the bonding composition of the sputtering rotary target and the sputtering rotary target using the same according to a preferred embodiment of the present invention will be described in more detail.

도 1 은 본 발명에 따른 기술이 적용된 스퍼터링용 로터리 타겟을 보인 분리 사시도, 도 2 는 본 발명에 따른 기술이 적용된 스퍼터링용 로터리 타겟을 보인 결합 사시도, 도 3 은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합 조성물 중에서 인듐(Indium)의 투입을 보인 단면 구성도, 도 4 는 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합 조성물 중에서 메디아 파우터(Media pouder)의 투입을 보인 단면 구성도, 도 5 는 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합 조성물을 구성하는 인듐(Indium)과 메디아 파우터(Media pouder)의 혼합을 보인 단면 구성도, 도 6 은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓을 보인 단면 구성도, 도 7 은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물을 이용한 로터리 타겟 접합방법을 보인 블록도이다.1 is an exploded perspective view showing a sputtering rotary target according to the present invention, Figure 2 is a combined perspective view showing a sputtering rotary target according to the present invention, Figure 3 is a sputtering rotary target of the present invention Fig. 4 is a cross-sectional view showing the input of indium in the bonding composition, Fig. 4 is a cross-sectional view showing the injection of a media pouder in the bonding composition of the sputtering rotary target according to the present invention, Fig. 5 Fig. 6 is a cross-sectional view showing a mixture of Indium and a media pouder constituting the bonding composition of the sputtering rotary target according to the present invention. Fig. 6 is a cross-sectional view showing a rotary target for sputtering according to the present invention. It is a block diagram which shows the rotary target bonding method using the bonding composition of the rotary target for sputtering which concerns on this invention.

도 1 내지 도 7 에 도시된 바와 같이 스퍼터링용 로터리 타겟(100)을 구성하는 백킹 플레이트(110)의 외주면에 고전압의 인가가 이루어지는 타겟(120)을 접합시키는 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물(130)은 인듐(Indium)과 메디아 파우더(Media pouder)가 일정 조성비로 조성된다.1 to 7 sputtering rotary target bonding composition according to the present invention for bonding the target 120 is applied to the outer peripheral surface of the backing plate 110 constituting the sputtering rotary target 100 is applied Indium 130 and media powder (Media pouder) is formed at a predetermined composition ratio.

전술한 바와 같은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물(130)의 구성에서 메디아 파우더(Media pouder)는 비자성체이면서 비중이 인듐(Indium)에 비해 무거운 원소들로 이루어진다. 이때, 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물(130)의 구성에서 인듐(Indium)은 용융된 상태로 투입되고, 비자성체이면서 비중이 인듐(Indium)에 비해 무거운 원소인 메디아 파우더(Media pouder)는 분말 상으로 투입되어진다.In the composition of the rotary target bonding composition 130 for sputtering according to the present invention as described above, the media powder (Media pouder) is made of elements that are nonmagnetic and have a specific gravity heavier than indium. In this case, indium is added in a molten state in the composition of the rotary target bonding composition 130 for sputtering, and a media powder (Media pouder), which is a nonmagnetic material and a specific gravity heavier than indium, is in powder form. It is put in.

한편, 전술한 바와 같은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물(130)의 구성에서 인듐(Indium)과 메디아 파우더(Media pouder)의 조성비는 인듐(Indium) 5∼50 중량%와 메디아 파우더(Media pouder) 50∼95 중량%의 비율로 조성된다.Meanwhile, in the composition of the rotary target bonding composition 130 for sputtering according to the present invention as described above, the composition ratio of indium and media powder (Indium) is 5 to 50% by weight and media powder (Media). pouder) in a proportion of 50 to 95% by weight.

전술한 바와 같이 인듐(Indium) 5∼50 중량%와 메디아 파우더(Media pouder) 50∼95 중량%의 비율로 조성된 접합 조성물(130)은 용융된 인듐(Indium) 5∼50 중량%을 백킹 플레이트(110) 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 먼저 투입한 상태에서 분말 상의 메디아 파우더(Media pouder) 50∼95 중량%를 투입하여 진동 또는 회전을 통해 용융 상태의 인듐(Indium)과 분말 상의 메디아 파우더(Media pouder)의 혼합이 이루어질 수 있도록 한다.As described above, the bonding composition 130 having a ratio of 5 to 50% by weight of indium and 50 to 95% by weight of media powder (Media pouder) has a backing plate of 5 to 50% by weight of molten indium. (110) 50 to 95% by weight of the media powder (Media pouder) in the powder state in the first state into the space between the outer peripheral surface and the inner surface of the target 120 is injected through the vibration or rotation in the indium (indium) and powder phase Allow the media powder (Media pouder) to mix.

본 발명에 따른 접합 조성물(130)을 통해 백킹 플레이트(110)의 외주면에 고전압의 인가가 이루어지는 타겟(120)을 접합시키는 과정은 수평이 맞추어진 정반(10)에 백킹 플레이트(110)를 수직으로 정위치시킨 다음 타겟(120)을 백킹 플레이트(110)의 외주면으로 결합시켜 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 사이에 일정 공간이 형성되도록 정위치시킨다.Bonding the target 120 to which the high voltage is applied to the outer circumferential surface of the backing plate 110 through the bonding composition 130 according to the present invention vertically the backing plate 110 to the horizontal plate 10 After positioning, the target 120 is coupled to the outer circumferential surface of the backing plate 110 so that a predetermined space is formed between the outer circumferential surface of the backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120.

다음으로, 전술한 바와 같이 백킹 플레이트(110)의 외주면에 타겟(120)이 결합되어 정반(10)에 수직으로 정위치시킨 다음에는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 가열하는 가훈데 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 사이에 일정 공간에 용융된 인듐(Indium)을 먼저 투입한 상태에서 분말 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 투입하여 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 진동 또는 회전을 통한 균일한 분포 후 냉각시킴으로써 백킹 플레이트(110)의 외주면 상에 타겟(120)의 접합이 이루어질 수 있도록 한다.Next, as described above, the target 120 is coupled to the outer circumferential surface of the backing plate 110 to be vertically positioned vertically on the surface plate 10, and then the gargunde backing heating the backing plate 110 and the target 120 is heated. The media backing plate 110 and the target 120 are introduced by injecting a powdered media powder in a state in which molten indium is first introduced into a predetermined space between the outer circumferential surface of the plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120. Cooling after the uniform distribution through the vibration or rotation of) to allow the bonding of the target 120 on the outer peripheral surface of the backing plate 110.

전술한 바와 같은 본 발명에 따른 접합 조성물(130)을 구성하는 인듐(Indium)은 주기율표 13족인 붕소족에 속하는 희유금속 원소로, 이러한 인듐(Indium)은 납보다 연하며 가소성이 뛰어나고, 손톱으로 긁혀지며, 어떤 형태로도 변형이 가능하다. 또한, 인듐(Indium)은 주석과 마찬가지로 순수한 금속을 구부릴 때는 날카로운 소리가 난다. 은만큼이나 희귀하며 평균적으로 지각 무게의 0.1ppm 정도 존재한다. 천연에서는 결합 상태로 산출되며 여러 광물 중, 특히 아연과 납광물의 부산물로 얻어진다.Indium constituting the bonding composition 130 according to the present invention as described above is a rare metal element belonging to the boron group of the group 13 of the periodic table, such indium (Indium) is softer than lead, excellent plasticity, scratched with a nail It can be modified in any form. Indium, like tin, produces a sharp sound when bending pure metals. It is as rare as silver and averages about 0.1 ppm of crustal weight. In nature it is produced in a bonded state and is obtained as a by-product of many minerals, especially zinc and lead minerals.

아울러, 전술한 바와 같은 인듐(Indium)은 녹으면 깨끗한 유리 및 다른 표면에 달라붙거나 적시는 특이한 성질이 있기 때문에 유리·금속·석영·세라믹·대리석 사이를 용접밀봉(鎔接密封)하는데 쓰이며, 내식성(耐蝕性)을 증가시키고 표면에 접착성 유막(油膜)을 형성하기 때문에 항공기용 엔진 베어링을 도장(塗裝)하는 데에도 쓰인다. 이러한 인듐(Indium)의 녹는점 156.61℃이고, 비중 7.31(20℃)이다.Indium, as mentioned above, is used for welding sealing between glass, metal, quartz, ceramics, and marble because it has a peculiar property of melting and sticking to wet glass and other surfaces. It is also used for painting aircraft engine bearings because it increases corrosion resistance and forms an adhesive oil film on the surface. The melting point of such indium (Indium) is 156.61 ℃, specific gravity 7.31 (20 ℃).

전술한 바와 같은 본 발명에 따른 접합 조성물(130)의 구성에서 비자성체이면서 비중이 인듐(Indium)에 비해 무거운 원소인 메디아 파우더(Media pouder)로는 샌드(Sand), 스테인리스 스틸(S/S), 구리(Cu), 텅스텐(W), 텅스텐 헥사카르보닐(Tungsten hexacarbonyl) 및 산화알루미늄(Al2O3)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어진다. In the composition of the bonding composition 130 according to the present invention as described above, the media powder (Media pouder) is a non-magnetic material and the specific gravity is heavier than indium (Sand), stainless steel (S / S), It consists of one or more selected from the group consisting of copper (Cu), tungsten (W), tungsten hexacarbonyl and aluminum oxide (Al 2 O 3 ).

그리고, 전술한 바와 같은 메디아 파우더(Media pouder)로써 샌드(Sand), 스테인리스 스틸(S/S), 구리(Cu), 텅스텐(W), 텅스텐 헥사카르보닐(Tungsten hexacarbonyl) 및 산화알루미늄(Al2O3)로 이루어진 군으로부터 둘 이상 선택하여 혼합하는 경우 선택된 둘 이상의 메디아 파우더(Media pouder)는 동일 비율로 혼합된다. 이때, 메디아 파우더(Media pouder)의 입자는 0.001∼1mm의 크기로 이루어진다.And, as the media powder (Media pouder) as described above (Sand), stainless steel (S / S), copper (Cu), tungsten (W), tungsten hexacarbonyl and aluminum oxide (Al 2 In the case of mixing two or more selected from the group consisting of O 3 ) two or more selected media powder (Media pouder) is mixed in the same ratio. At this time, the particles of the media powder (Media pouder) is made of a size of 0.001 ~ 1mm.

본 발명에 따른 인듐(Indium)과 메디아 파우더(Media pouder)가 일정 조성비로 조성되는 접합 조성물(130)을 통해 백킹 플레이트(110)의 외주면 상에 타겟(120)을 접합시키는 방법을 설명하면 다음과 같다. 도 1 내지 도 7 에 도시된 바와 같은 실시 예는 접합 조성물(130)의 투입시 인듐(Indium)을 용융 상태로 먼저 투입하고, 이후 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 투입하는 구성으로 이루어진다.Referring to the method for bonding the target 120 on the outer circumferential surface of the backing plate 110 through the bonding composition 130 in which the indium (media) and media powder (Media pouder) according to the present invention is formed in a predetermined composition ratio as follows. same. 1 to 7, the indium is first introduced in a molten state when the bonding composition 130 is added, and then a media powder on the particles is added.

본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법은 (a) 스퍼터링용 로터리 타겟(100)을 구성하는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 일정온도 이상으로 가열시키는 단계(S100), (b) 가열된 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 각각에 파우더 상의 인듐(Indium)을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계(S110), (c) 표면처리된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 냉각시키는 단계(S120), (d) 냉각된 백킹 플레이트(110)의 외주면 상에 타겟(120)을 결합하여 정반(10)에 세로 방향으로 정위치시키는 단계(S130), (e) 정반(10)에 정위치된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 일정온도 이상으로 가열하는 단계(S140), (f) 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 일정온도 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계(S150), (g) 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 가열 및 진동시키는 가운데 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 인듐(Indium)을 용융 투입시키는 단계(S160), (h) 인듐(Indium)을 용융 투입시킨 다음 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 투입하여 진동 또는 회전에 의해 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐(Indium)이 균일하게 분포되도록 하는 단계(S170) 및 (i) 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐(Indium)이 분포되도록 한 다음 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계(S180)를 포함한 구성으로 이루어진다.The sputtering rotary target bonding method according to the present invention (a) the step of heating the backing plate 110 and the target 120 constituting the sputtering rotary target 100 above a predetermined temperature (S100), (b) (S110) and (c) surface treatment with a brush or an ultrasonic surface treatment while applying and melting powder indium on the outer circumferential surface of the heated backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120. Cooling the backing plate 110 and the target 120 (S120), (d) combining the target 120 on the outer circumferential surface of the cooled backing plate 110 in the longitudinal position on the surface plate 10 in the vertical direction Step (S130), (e) heating the backing plate 110 and the target 120 positioned on the surface plate 10 to a predetermined temperature or more (S140), (f) the backing plate 110 and the target ( Step (S150), (g) to make the vibration while heating the temperature above a predetermined temperature (S150) Injecting indium into the space between the outer circumferential surface of the backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120 while heating and vibrating the plate 110 and the target 120 (S160), (h) Indium ( Indium) is melted and then injected into the space between the outer peripheral surface of the backing plate 110 and the inner peripheral surface of the target 120 by injecting a media powder (particle pouder) on the particles. Indium) is uniformly distributed (S170) and (i) the molten indium (Indium) is distributed between the particles of the median powder and then the step of cooling and heating in a state of stopping the vibration (S180) Is done.

전술한 바와 같은 본 발명의 구성에서 단계(a)의 과정은 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 일정온도 이상으로 가열하기 위한 과정(S100)으로, 이러한 단계(a)의 과정(S100)은 도 6 및 도 7 에 도시된 바와 같이 스퍼터링용 로터리 타겟(100)을 구성하는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120) 각각을 을 일정온도 이상으로 가열시킨다.In the configuration of the present invention as described above, the process of step (a) is a process (S100) for heating the backing plate 110 and the target 120 above a predetermined temperature, the process of this step (a) (S100) 6 and 7 respectively heat the backing plate 110 and the target 120 constituting the sputtering rotary target 100 to a predetermined temperature or more.

전술한 바와 같이 스퍼터링용 로터리 타겟(100)을 구성하는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 일정온도 이상으로 가열하는 단계(a)의 과정(S100)은 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 표면에 생성된 산화막을 제거하기 위한 과정의 일환으로, 이후의 단계(b) 과정(S110)에서 도포되는 파우더 상의 인듐(Indium)을 용융시키기 위한 가열과정이다.As described above, the process (S100) of the step (a) of heating the backing plate 110 and the target 120 which constitute the sputtering rotary target 100 to a predetermined temperature or more is performed by the backing plate 110 and the target 120. As part of the process for removing the oxide film generated on the surface of the), it is a heating process for melting the indium (Indium) on the powder applied in the step (b) (S110).

한편, 전술한 바와 같이 단계(a)의 과정(S100)을 통해 스퍼터링용 로터리 타겟(100)을 구성하는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 가열온도는 이후의 단계(b)의 과정(S110)에서 도포되는 인듐(Indium)의 용융이 이루어질 수 있도록 인듐(Indium)의 융점인 156.61℃ 이상으로 가열하게 된다. 즉, 인듐(Indium)의 융점이 156.61℃이기 때문에 도포되는 파우더 상의 인듐(Indium)을 용융시키기 위해서는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 156.61℃ 이상으로 가열시켜야 한다.On the other hand, as described above, the heating temperature of the backing plate 110 and the target 120 constituting the sputtering rotary target 100 through the process (S100) of step (a) is the process of the subsequent step (b) ( It is heated to 156.61 ℃ or more, which is the melting point of indium (Indium) so that the melting of the indium (Indium) applied in S110. That is, since the melting point of Indium is 156.61 ° C., the backing plate 110 and the target 120 need to be heated to 156.61 ° C. or more in order to melt indium on the powder to be applied.

다음으로, 단계(a)의 과정을 통해 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 인듐(Indium)의 융점인 156.61℃ 이상으로 가열시킨 다음에는 도 6 및 도 7 에 도시된 바와 같이 단계(b)의 과정을 통해 가열된 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 각각에 파우더 상의 인듐(Indium)을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 각각을 표면처리 한다(S110).Next, the backing plate 110 and the target 120 is heated to 156.61 ° C. or more, which is the melting point of indium through the process of step (a), and then the step (b) as shown in FIGS. 6 and 7. The outer circumferential surface of the backing plate 110 and the target with a brush or an ultrasonic surface processor are applied while melting and applying indium powder on the outer circumferential surface of the heated backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120 through the process of Surface treatment of each of the inner circumferential surface (120) (S110).

전술한 바와 같이 가열된 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 각각에 파우더 상의 인듐(Indium)을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 과정에서 용융된 인듐(Indium)은 브러시나 초음파표면처리기에 의해 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 표면에 불규칙하게 도포됨은 물론, 브러시나 초음파표면처리기에 의해 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 표면의 산화막이 제거된다.As described above, indium (powdered in powder) is applied to each of the outer circumferential surface of the heated backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120 and melted in the process of surface treatment with a brush or an ultrasonic surface treatment machine. Indium) is irregularly applied to the outer circumferential surface of the backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120 by a brush or an ultrasonic surface processor, as well as the outer circumferential surface and the target 120 of the backing plate 110 by a brush or an ultrasonic surface processor. ), The oxide film on the surface of the inner peripheral surface is removed.

다시 말해서, 전술한 바와 같은 단계(b)의 과정(S110)을 통해 용융된 인듐(Indium)을 브러시나 초음파표면처리기를 통해 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 표면에 펼쳐 불규칙하게 도포되도록 하는 과정에서 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 표면의 산화막이 제거된다.In other words, the indium melted through the process S110 of step (b) as described above is unevenly spread on the outer circumferential surface of the backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120 through a brush or an ultrasonic surface treatment machine. The oxide film on the outer circumferential surface of the backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120 is removed in the process of being applied.

따라서, 단계(b)의 과정(S110)을 통해 용융된 인듐(Indium)을 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 표면에 펼쳐 불규칙하게 도포되도록 하는 과정에서 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 표면의 산화막을 제거함으로써 접합 조성물(130)을 통해 백킹 플레이트(110)의 외주면에 타겟(120)을 접합시키는 경우 접합이 더욱 견고하게 이루어질 수 있도록 한다.Therefore, in the process (S110) of the ingot (Indium) molten in the process of spreading on the outer circumferential surface of the backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120 to be applied irregularly When the target 120 is bonded to the outer circumferential surface of the backing plate 110 through the bonding composition 130 by removing the oxide film on the outer circumferential surface and the inner circumferential surface of the target 120, the bonding can be made more robust.

본 발명에 따른 단계(c)의 과정(S120)은 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 냉각시키는 과정(S120)으로, 이러한 단계(c)의 과정(S120)은 도 6 및 도 7 에 도시된 바와 같이 단계(b)의 과정(S110)을 통해 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 표면을 표면처리한 다음 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 냉각시킴으로써 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 표면 각각에 도포된 상태의 용융된 인듐(Indium)이 고착되도록 한다.Process S120 of step (c) according to the present invention is a process of cooling the backing plate 110 and the target 120 (S120), the process (S120) of this step (c) is shown in Figures 6 and 7 As shown in the step (b) through the process (S110) the surface of the outer peripheral surface of the backing plate 110 and the inner peripheral surface of the target 120 surface treatment and then the backing plate 110 and the target 120 by cooling the backing plate The molten indium in the state of being applied to each of the outer circumferential surface of the 110 and the inner circumferential surface of the target 120 is fixed.

또한, 전술한 바와 같은 단계(c)의 과정(S120)은 단계(b)의 과정(S110)을 통해 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면을 표면처리 하는 과정에서 가열된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 냉각시킴으로써 다음 과정을 통해 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 결합시키는 경우 작업자의 안전을 도모하여 작업이 원활하게 이루어질 수 있도록 한다.In addition, the process (S120) of the step (c) as described above is heated during the process of surface treatment of the outer peripheral surface of the backing plate 110 and the inner peripheral surface of the target 120 through the process (S110) of the step (b) By cooling the plate 110 and the target 120 to combine the backing plate 110 and the target 120 through the following process to ensure the safety of the operator so that the work can be made smoothly.

전술한 바와 같은 단계(c) 과정(S120)의 냉각과정에서 냉각은 융융 도포된 인듐(Indium)의 급격한 변화를 방지하기 위해 상온에서 자연냉각을 통해 냉각시킴이 보다 양호하다.Cooling in the cooling process of step (c) step (S120) as described above is better to cool through natural cooling at room temperature in order to prevent a sudden change of the melted indium (Indium).

다음으로, 단계(d)의 과정은 진동기(20)가 설치된 정반(10)에 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 결합시켜 정위치시키는 과정(S130)으로, 이러한 단계(d)의 과정(S130)은 도 3 및 도 7 에 도시된 바와 같이 단계(c)의 과정(S120)을 통해 냉각된 백킹 플레이트(110)의 외주면 상에 타겟(120)을 결합하여 정반(10)에 세로 방향으로 정위치시키게 된다.Next, the process of step (d) is a process (S130) of combining the backing plate 110 and the target 120 on the surface plate 10 on which the vibrator 20 is installed (S130), the process of this step (d) S130 is coupled to the target 120 on the outer peripheral surface of the cooling backing plate 110 through the step (S120) of step (c) as shown in Figure 3 and 7 in the longitudinal direction to the surface plate 10 To be positioned correctly.

전술한 바와 같이 단계(c)의 과정(S120)을 통해 냉각된 백킹 플레이트(110)의 외주면 상에 타겟(120)을 결합하여 정반(10)에 세로 방향으로 정위치시키는 과정에서 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 사이에는 접합 조성물(130)이 투입되는 공간이 형성된다.As described above, the backing plate 110 in the process of positioning the target 120 vertically on the surface plate 10 by combining the target 120 on the outer circumferential surface of the backing plate 110 cooled through the step (c) of step (c). Between the outer circumferential surface and the inner circumferential surface of the target 120 is formed a space in which the bonding composition 130 is injected.

다시 말해서, 본 발명을 구성하는 타겟(120)의 내경이 백킹 플레이트(110)의 외경에 비해 약 2mm 정도 크게 형성되어 백킹 플레이트(110)의 외주면 상에 타겟(120)을 결합시켜 정위치시키는 경우 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 사이에는 약 1mm 정도의 공간 형성된다.In other words, the inner diameter of the target 120 constituting the present invention is formed to be about 2 mm larger than the outer diameter of the backing plate 110 to couple the target 120 on the outer circumferential surface of the backing plate 110 to position it. A space of about 1 mm is formed between the outer circumferential surface of the backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120.

본 발명에 따른 단계(e)의 과정은 정반(10)에 정위치된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 가열하기 위한 과정(S140)으로, 이러한 단계(e)의 과정(S140)은 도 3 및 도 7 에 도시된 바와 같이 단계(d)의 과정(S130)을 통해 정반(10)에 정위치된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 일정온도 이상으로 가열하여 이후의 과정에서 투입되는 용융된 접합 조성물(130)의 용융 상태가 유지되도록 하기 위한 과정이다.The process of step (e) according to the present invention is a process (S140) for heating the backing plate 110 and the target 120 positioned on the surface plate 10, the process (S140) of this step (e) is As shown in FIGS. 3 and 7, the backing plate 110 and the target 120 positioned on the surface plate 10 are heated to a predetermined temperature or more through the process S130 of step (d). This is a process for maintaining the molten state of the molten bonding composition 130 is injected.

전술한 바와 같이 단계(e)의 과정(S140)에서 정반(10)에 정위치된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 가열온도는 접합 조성물(130)을 구성하는 인듐(Indium)의 융점인 156.61℃ 이상으로 가열함이 적당하다 할 것이다. 보다 양호하게는 인듐(Indium)의 용융된 상태를 유지할 수 있는 156.61∼160℃ 범위의 온도로 가열함이 적당하다.As described above, the heating temperature of the backing plate 110 and the target 120 positioned on the surface plate 10 in the process (S140) of step (e) is the melting point of indium constituting the bonding composition 130. It would be suitable to heat above 156.61 ° C. More preferably, heating to a temperature in the range of 156.61 to 160 ° C., which can maintain the molten state of Indium, is appropriate.

한편, 전술한 바와 같이 정반(10)에 정위치된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 가열시 메디아 파우더(Media pouder)는 용융되지 않은 상태로 투입되기 때문에 메디아 파우더(Media pouder)를 용융시키지 않은 범위내에서 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 가열한다.On the other hand, the media powder (Media pouder) is melted during the heating of the backing plate 110 and the target 120 positioned on the surface plate 10 is not melted as described above, the media powder (Media pouder) is melted The backing plate 110 and the target 120 are heated in the range which is not made.

다음으로, 본 발명에 따른 단계(f)의 과정은 정반(10)을 통한 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 간접진동 또는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 직접진동을 통해 진동시키는 과정(S150)으로, 이러한 단계(f)의 과정(S150)은 도 3 및 도 7 에 도시된 바와 같이 단계(e)의 과정(S140)을 통해 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 일정온도 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 한다.Next, the process of step (f) according to the present invention vibrates through indirect vibration of the backing plate 110 and the target 120 through the surface plate 10 or direct vibration of the backing plate 110 and the target 120. In the process (S150), the process (S150) of the step (f) is the backing plate 110 and the target 120 through the process (S140) of step (e) as shown in Figure 3 and 7 Make sure the vibration occurs while heating above a certain temperature.

전술한 바와 같이 단계(f)의 과정(S150)을 통해 플레이트(110)와 타겟(120)을 일정온도 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 과정은 이후의 단계에서 용융 투입되는 접합 조성물(130)의 용융 상태를 유지함은 물론, 용융된 접합 조성물(130)의 균일한 분포가 이루어질 수 있도록 하기 위함이다.As described above, the process of allowing vibration to occur while heating the plate 110 and the target 120 at a predetermined temperature or more through the process (S150) of the step (f) is carried out at a subsequent step in the bonding composition 130. In order to maintain the molten state of the), as well as to make a uniform distribution of the molten bonding composition 130.

한편, 전술한 바와 같이 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 일정온도 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계(f)의 과정(S150)에서 진동은 에어바이브레이터를 통해 진동이 이루어질 수 있도록 할 수 있고, 초음파 진동을 통해서도 진동이 이루어질 수 있도록 할 수도 있다. 이때, 단계(f)의 과정(S150)에서 진동 대신에 정반(10)을 회전시킬 수도 있다.On the other hand, the vibration in the process (S150) of the step (f) to the vibration is made while heating the backing plate 110 and the target 120 to a predetermined temperature or more as described above so that the vibration can be made through the air vibrator In addition, the vibration may also be made through ultrasonic vibration. At this time, in step S150 of step (f) may be rotated instead of the vibration plate 10.

본 발명에 따른 단계(g)의 과정은 접합 조성물(130)을 구성하는 원소 중에서 인듐(Indium)을 용융 투입시키는 과정(S160)으로, 이러한 단계(g)의 과정(S160)은 도 3 및 도 7 에 도시된 바와 같이 접합 조성물(130)을 구성하는 원소 중에서 인듐(Indium)을 용융된 상태로 하여 백킹 플레이트(110) 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 투입한다.The process of step (g) according to the present invention is a process (S160) of melting indium (Indium) among the elements constituting the bonding composition 130, the process (S160) of this step (g) is shown in Figure 3 and Figure As shown in FIG. 7, indium is in a molten state among the elements constituting the bonding composition 130 and injected into a space between the outer circumferential surface of the backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120.

전술한 바와 같이 단계(f)의 과정(S150)을 통해 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 가열과 진동(또는 회전)이 이루어지는 백킹 플레이트(110) 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 단계(g)의 과정(S160)을 통해 인듐(Indium)을 용융된 상태로 하여 투입함으로써 용융 투입된 인듐(Indium)은 그 용융 상태가 유지되면서 균일하게 분포되어진다.As described above, the space between the outer circumferential surface of the backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120 where the backing plate 110 and the target 120 are heated and vibrated (or rotated) through the process S150 of step (f). Indium (Indium) melt-injected through the step (S) of step (g) in a molten state is uniformly distributed while the molten state is maintained.

전술한 바와 같은 단계(g)의 과정(S160)에서 접합 조성물(130)을 구성하는 인듐(Indium)의 투입량은 전체 접합 조성물(130)의 투입량 중 5∼50 중량%의 비율로 투입된다.In the step (g) as described above (S), the amount of indium (Indium) constituting the bonding composition 130 is added at a rate of 5 to 50% by weight of the total amount of the bonding composition 130.

다음으로, 본 발명을 구성하는 단계(h)의 과정은 접합 조성물(130)을 구성하는 메디아 파우더(Media pouder)를 투입하는 과정(S170)으로, 이러한 단계(h)의 과정(S170)은 도 4, 도 5 및 도 7 에 도시된 바와 같이 단계(g)의 과정(S160)을 통해 인듐(Indium)을 용융 투입한 다음 정반(10)을 진동(또는 회전)을 인가하는 가운데 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 투입하여 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐(Indium)이 균일하게 분포되도록 한다.Next, the process of step (h) constituting the present invention is a process (S170) of injecting a media powder (Media pouder) constituting the bonding composition 130, the process (S170) of this step (h) is shown in FIG. As shown in FIG. 4, FIG. 5 and FIG. 7, indium is melt-infused through the process S160 of step (g), and then the median powder on the particles is subjected to vibration (or rotation) of the surface plate 10. A media pouder is introduced into a space between the outer circumferential surface of the backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120 to uniformly distribute the molten indium between the particles of the media powder.

한편, 본 발명에 따른 접합 조성물(130)을 구성하는 메디아 파우더(Media pouder)가 앞서 기술한 바와 같이 비자성체이면서 비중이 인듐(Indium)에 비해 무거운 원소들로 이루어지기 때문에 정반(10)을 진동기(20)를 통해 진동이 이루어지도록 한 상태에서 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 투입하게 되면 인듐(Indium)에 비해 비중이 무거운 메디아 파우더(Media pouder)는 하부로 가라 않게 되고, 이에 따라 메디아 파우더(Media pouder)에 비해 비중이 가볍고 용융 상태인 인듐(Indium)은 상부측으로 차오르게 되어 결국 메디아 파우더(Media pouder)의 입자 사이에 용융된 인듐(Indium)이 균일하게 분포되어진다.On the other hand, since the media powder (Media pouder) constituting the bonding composition 130 according to the present invention is a non-magnetic material and the specific gravity is made of elements heavier than indium (Indium) as described above, the vibration plate 10 When the media powder (Media pouder) on the particle in the state made to vibrate through the 20 in the space between the outer circumferential surface of the backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120 is heavier than indium (Indium) The media powder (Media pouder) does not go to the bottom, so that the specific gravity is lighter than the media powder (Media pouder) and indium (melted) is charged to the upper side, and eventually between the particles of the media powder (Media pouder) The molten indium is evenly distributed.

전술한 바와 같이 투입되는 본 발명에 따른 접합 조성물(130)을 구성하는 메디아 파우더(Media pouder)의 투입량은 접합 조성물(130)의 전체 투입량 중 50∼95 중량%가 투입된다. 이때, 메디아 파우더(Media pouder)는 샌드(Sand), 스테인리스 스틸(S/S), 구리(Cu), 텅스텐(W), 텅스텐 헥사카르보닐(Tungsten hexacarbonyl) 및 산화알루미늄(Al2O3)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어진다. 이때, 메디아 파우더(Media pouder)는 둘 이상 선택하여 혼합하는 경우 동일 비율로 혼합되어지고, 메디아 파우더(Media pouder)의 입자는 0.001∼1mm의 크기로 이루어진다.The amount of media powder (Media pouder) constituting the bonding composition 130 according to the present invention, which is added as described above, is 50 to 95 wt% of the total amount of the bonding composition 130. At this time, the media powder (Media pouder) is made of sand (S / S), copper (Cu), tungsten (W), tungsten hexacarbonyl and aluminum oxide (Al 2 O 3 ) At least one selected from the group consisting of: In this case, the media powder (Media pouder) is mixed at the same ratio when two or more selected and mixed, the media powder (Media pouder) particles are made of a size of 0.001 ~ 1mm.

그리고, 전술한 바와 같이 단계(h)의 과정(S170)을 통해 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 용융 투입된 인듐(Indium)과 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 균일하게 분포되도록 한 다음에는 도 7 에 도시된 바와 같이 단계(i) 과정(S180)의 냉각을 통해 접합 조성물(130)의 고화가 이루어질 수 있도록 한다. 이때, 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)에 대한 가열과 진동(또는 회전)은 정지된 상태이다.Then, as described above, the media powder (Media pouder) on the indium (Indium) and particles melt-injected into the space between the outer peripheral surface of the backing plate 110 and the inner peripheral surface of the target 120 through step (S170) of step (h) After the uniform distribution, as shown in FIG. 7, the bonding composition 130 may be solidified through the cooling of the step (i). At this time, heating and vibration (or rotation) of the backing plate 110 and the target 120 are stopped.

다시 말해서, 단계(h)의 과정(S170)을 통해 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 용융 투입된 인듐(Indium)과 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 균일하게 분포되도록 한 다음에는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)에 대한 가열과 진동(또는 회전)은 정지시킨 후 냉각을 통해 접합 조성물(130)의 냉각에 따른 고착이 이루어지도록 한다.In other words, through the process (S170) of step (h) the indium (Indium) and the media powder (Media pouder) on the particles are melted into the space between the outer peripheral surface of the backing plate 110 and the inner peripheral surface of the target 120 uniformly distributed Next, heating and vibration (or rotation) of the backing plate 110 and the target 120 are stopped, and cooling is performed to fix the bonding composition 130 through cooling.

한편, 전술한 바와 같은 단계(i)의 과정(S180)을 통한 냉각은 자연스럽게 냉각이 이루어질 수 있도록 상온에서 자연냉각을 통해 냉각시켜 고화되는 투입된 접합 조성물(130)이 급격한 변화없이 냉각되어 고착되도록 함이 보다 양호하다 할 것이다.On the other hand, the cooling through the process (S180) of the step (i) as described above is to be cooled and fixed without the sudden change of the injected bonding composition 130 is cooled by natural cooling at room temperature so that the cooling can be made naturally It will be better than this.

도 8 은 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물을 이용한 다른 예의 로터리 타겟 접합방법을 보인 블록도이다.8 is a block diagram showing another example of a rotary target bonding method using the bonding composition of the rotary target for sputtering according to the present invention.

도 8 에 도시된 바와 같은 다른 예의 로터리 타겟 접합방법은 접합 조성물(130)을 구성하는 인듐(Indium)과 메디아 파우더(Media pouder)의 투입시 도 7 에 도시된 바와 같이 용융된 인듐(Indium)의 투입 후 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 투입하는 것과는 달리, 인듐(Indium)과 메디아 파우더(Media pouder)를 동시 투입하는 구성으로 이루어진 기술이다.Another example of the rotary target bonding method as shown in FIG. 8 is a molten indium (Indium) as shown in Figure 7 when the indium (media) and the media powder (Media pouder) constituting the bonding composition 130 Unlike injecting the media powder (Media pouder) on the particles after the input, it is a technology consisting of a composition in which the indium (media) and the media powder (Media pouder) at the same time.

본 발명에 따른 다른 예의 로터리 타겟 접합방법은 도 8 에 도시된 바와 같이 (a) 스퍼터링용 로터리 타겟(100)을 구성하는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 일정온도 이상으로 가열시키는 단계(S200), (b) 가열된 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 각각에 파우더 상의 인듐(Indium)을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계(S210), (c) 표면처리된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 냉각시키는 단계(S220), (d) 냉각된 백킹 플레이트(110)의 외주면 상에 타겟(120)을 결합하여 정반(10)에 세로 방향으로 정위치시키는 단계(S230), (e) 정반(10)에 정위치된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 일정온도 이상으로 가열하는 단계(S240), (f) 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 일정온도 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계(S250), (g) 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 가열 및 진동시키는 가운데 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 용융된 인듐(Indium)과 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 일정비율로 동시에 투입시키는 단계(S260) 및 (h) 인듐(Indium)과 메디아 파우더(Media pouder)를 동시 투입한 다음 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계(S270)를 포함한 구성으로 이루어진다.Another example of the rotary target bonding method according to the present invention comprises the steps of (a) heating the backing plate 110 and the target 120 constituting the sputtering rotary target 100 above a predetermined temperature ( S200), (b) surface treatment with a brush or an ultrasonic surface treatment agent while applying and melting indium powder on each of the outer circumferential surface of the heated backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120 (S210). (C) cooling the surface-treated backing plate 110 and the target 120 (S220), (d) combining the target 120 on the outer circumferential surface of the cooled backing plate 110, the surface plate 10 Step (S230), (e) heating the backing plate 110 and the target 120 positioned on the surface plate (10) above a predetermined temperature (S240), (f) backing plate The vibration is made while heating the 110 and the target 120 to a predetermined temperature or more. (S250), (g) Indium and particles melted in the space between the outer circumferential surface of the backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120 while heating and vibrating the backing plate 110 and the target 120. Simultaneously adding a media powder (Media pouder) in a predetermined ratio (S260) and (h) Indium (media) and media powder (Media pouder) at the same time and then the backing plate 110 and the target 120 is heated And cooling in a state in which the vibration is stopped (S270).

전술한 바와 같은 본 발명에 따른 다른 예의 로터리 타겟 접합방법에서 S200, S210, S220, S230, S240 및 S250의 과정은 도 7 에 따른 실시 예의 S100, S110, S120, S130, S140 및 S150의 과정과 동일한 과정이므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다. 그리고, 본 발명에 따른 다른 예의 로터리 타겟 접합방법에서 S270의 과정 역시 도 7 에 따른 실시 예의 S180의 과정에 동일하므로 이에 대한 설명 역시 생략하기로 한다.In the rotary target bonding method of another example according to the present invention as described above, the process of S200, S210, S220, S230, S240 and S250 is the same as the process of S100, S110, S120, S130, S140 and S150 of the embodiment according to FIG. Since it is a process, a description thereof will be omitted. In the rotary target bonding method according to another embodiment of the present invention, the process of S270 is also the same as the process of S180 of the embodiment of FIG. 7, and thus description thereof will be omitted.

다만, 본 발명에 따른 다른 예의 로터리 타겟 접합방법에서는 앞서 기술한 바와 같이 S250의 과정을 통해 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 진동(또는 회전)시키는 상태에서 S260의 과정을 통해 용융된 인듐(Indium)과 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 일정비율로 동시에 투입시킨다. 이때, 인듐(Indium)과 메디아 파우더(Media pouder)의 투입비율은 5∼50 : 50∼95 중량%의 비율로 투입된다.However, in another example of the rotary target bonding method according to the present invention, as described above, indium melted through the process of S260 in a state of vibrating (or rotating) the backing plate 110 and the target 120 through the process of S250. (Indium) and the media powder (Media pouder) on the particles are simultaneously added at a constant rate. At this time, the input ratio of Indium and the media powder (Media pouder) is added at a ratio of 5 to 50: 50 to 95% by weight.

도 9 는 본 발명에 따른 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합 조성물을 이용한 또 다른 예의 로터리 타겟 접합방법을 보인 블록도이다.9 is a block diagram showing another example of a rotary target bonding method using the bonding composition of the rotary target for sputtering according to the present invention.

도 9 에 도시된 바와 같은 또 다른 예의 로터리 타겟 접합방법은 접합 조성물(130)을 구성하는 인듐(Indium)과 메디아 파우더(Media pouder)의 투입시 도 7 에 도시된 바와 같이 용융된 인듐(Indium)의 투입 후 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 투입하는 구성 또는 도 8 에 도시된 바와 같이 용융된 인듐(Indium)과 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 동시 투입하는 구성과는 달리, 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 먼저 투입한 후 용융된 인듐(Indium)을 투입하는 구성으로 이루어진 기술이다.Another example of the rotary target bonding method as shown in FIG. 9 is indium melted as shown in FIG. 7 when indium and media powder constituting the bonding composition 130 are added. Unlike the configuration of injecting the media powder (Media pouder) on the particles after the addition or the configuration of simultaneously injecting the melted indium (media) and the media powder (Media pouder) on the particles as shown in Figure 8, It is a technology that consists of putting the powder (Media pouder) first and then injecting the molten indium (Indium).

본 발명에 따른 또 다른 예의 로터리 타겟 접합방법은 도 9 에 도시된 바와 같이 (a) 스퍼터링용 로터리 타겟(100)을 구성하는 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 일정온도 이상으로 가열시키는 단계(S300), (b) 가열된 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120)의 내주면 각각에 파우더 상의 인듐(Indium)을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계(S310), (c) 표면처리된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 냉각시키는 단계(S320), (d) 냉각된 백킹 플레이트(110)의 외주면 상에 타겟(120)을 결합하여 정반(10)에 세로 방향으로 정위치시키는 단계(S330), (e) 정반(10)에 정위치된 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 일정온도 이상으로 가열하는 단계(S340), (f) 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 일정온도 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계(S350), (g) 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 가열 및 진동시키는 가운데 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 백킹 플레이트(110)의 외주면과 타겟(120) 내주면 사이의 공간에 일정량 투입하는 단계(S360); (h) 메디아 파우더(Media pouder)를 투입한 다음 일정량의 인듐(Indium)을 용융 투입시켜 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 진동(또는 회전)에 의해 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐(Indium)이 균일하게 분포되도록 하는 단계(S370) 및 (i) 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐(Indium)이 분포되도록 한 다음 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)의 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계(S380)를 포함한 구성으로 이루어진다.Another example of the rotary target bonding method according to the present invention is the step (a) heating the backing plate 110 and the target 120 constituting the sputtering rotary target 100 above a predetermined temperature as shown in FIG. (S300), (b) surface treatment with a brush or an ultrasonic surface treatment process while applying and melting indium (Indium) powder on each of the outer circumferential surface of the heated backing plate 110 and the inner circumferential surface of the target 120 (S310). ), (c) cooling the surface-treated backing plate 110 and the target 120 (S320), (d) combining the target 120 on the outer circumferential surface of the cooled backing plate 110 and the surface plate 10 Step (S330), (e) heating the backing plate 110 and the target 120, which are positioned on the surface plate 10 above a predetermined temperature (S340), (f) Vibration occurs while heating the plate 110 and the target 120 above a certain temperature Locking (S350), (g) heating and vibrating the backing plate 110 and the target 120 while the media powder (Media pouder) on the particles between the outer peripheral surface of the backing plate 110 and the inner peripheral surface of the target 120 Injecting a predetermined amount into the space (S360); (h) A media powder (Media pouder) is added and then a predetermined amount of indium (Indium) is melted into the indium melted between the particles of the media powder by vibration (or rotation) of the backing plate 110 and the target 120. (S370) and (i) allowing molten indium to be distributed between the particles of the median powder, and then stopping heating and vibration of the backing plate 110 and the target 120. It consists of a configuration including the step (S380) for cooling in the made state.

전술한 도 9 에 도시된 바와 같은 본 발명에 따른 또 다른 예의 로터리 타겟 접합방법에서 S300, S310, S320, S330, S340 및 S350의 과정은 도 7 에 따른 실시 예의 S100, S110, S120, S130, S140 및 S150의 과정과 동일한 과정이므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다. 그리고, 본 발명에 따른 또 다른 예의 로터리 타겟 접합방법에서 S370의 과정 역시 도 7 에 따른 실시 예의 S180의 과정에 동일하므로 이에 대한 설명 역시 생략하기로 한다.In the rotary target bonding method of another example according to the present invention as shown in FIG. 9 described above, the processes of S300, S310, S320, S330, S340, and S350 are S100, S110, S120, S130, and S140 of the embodiment of FIG. Since the process is the same as the process of S150 and the description thereof will be omitted. In the rotary target bonding method according to another embodiment of the present invention, the process of S370 is also the same as the process of S180 of the embodiment according to FIG. 7, and thus description thereof will be omitted.

다만, 본 발명에 따른 또 다른 예의 로터리 타겟 접합방법에서는 앞서 기술한 바와 같이 S350의 과정을 통해 백킹 플레이트(110)와 타겟(120)을 진동(또는 회전)시키는 상태에서 S360의 과정을 통해 백킹 플레이트(110)와 타겟(120) 사이의 공간에 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder) 먼저 투입한 후, S370의 과정을 통해 용융된 인듐(Indium)을 투입하게 된다. 이때, 인듐(Indium)과 메디아 파우더(Media pouder)의 투입비율은 5∼50 : 50∼95 중량%의 비율로 투입된다.However, in another example of the rotary target bonding method according to the present invention, as described above, the backing plate 110 and the target 120 are vibrated (or rotated) through the process of S350 and the backing plate through the process of S360. The media powder (Media pouder) on the particles is first introduced into the space between the 110 and the target 120, and then molten indium is introduced through the process of S370. At this time, the input ratio of Indium and the media powder (Media pouder) is added at a ratio of 5 to 50: 50 to 95% by weight.

이상에서와 같이 본 발명에 따른 기술은 희귀금속이면서 고가인 인듐(Indium)을 사용량을 최소화할 수 있도록 함으로써 스퍼터링용 로터리 타겟의 제조에 따른 생산단가를 낮출 수 있고, 또한 안정적인 재료의 수급이 가능하다는 장점이 있다.As described above, the technology according to the present invention can reduce the production cost according to the manufacture of the sputtering rotary target by minimizing the use of rare metals and expensive indium (Indium), and it is possible to supply stable materials. There is an advantage.

본 발명은 전술한 실시 예에 국한되지 않고 본 발명의 기술사상이 허용하는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수가 있다.The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the technical idea of the present invention.

10. 정반 20. 파진동기
100. 로터리 타겟 110. 백킹 플레이트
120. 타겟 130. 접합 조성물10. Surface plate 20. Wave oscillator
100. Rotary target 110. Backing plate
120. Target 130. Bonding Composition

Claims (11)

스퍼터링용 챔버에 회전 가능하게 설치되어 구동모터의 구동에 의해 회전되는 가운데 고전압을 인가하는 스퍼터링용 로터리 타겟의 원통형으로 형성된 백킹 플레이트의 외주면에 원통형의 타겟을 접합 결합시키는 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물에 있어서,
상기 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물은 인듐(Indium) 5∼50 중량% 및 비자성체이면서 비중이 상기 인듐(Indium)에 비해 무거운 메디아 파우더(Media pouder) 50∼95 중량%의 비율로 혼합 조성된 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물.In the sputtering rotary target bonding composition for rotatably installed in the sputtering chamber, the cylindrical target is bonded to the outer circumferential surface of the cylindrical backing plate of the sputtering rotary target to which a high voltage is applied while being rotated by the driving motor. ,
The rotary target bonding composition for sputtering is a mixture composition of 5 to 50% by weight of indium and a non-magnetic material and a specific gravity of 50 to 95% by weight of media powder (Media pouder) that is heavier than the indium. Rotary target bonding composition for sputtering to be. 제 1 항에 있어서, 상기 메디아 파우더(Media pouder)는 샌드(Sand), 스테인리스 스틸(S/S), 텅스텐(W), 텅스텐 헥사카르보닐(Tungsten hexacarbonyl) 및 산화알루미늄(Al2O3)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물.Claim in claim 1, wherein the median powder (Media pouder) is sand (Sand), stainless steel (S / S), tungsten (W), tungsten hexacarbonyl (Tungsten hexacarbonyl) and aluminum oxide (Al 2 O 3) Sputtering rotary target bonding composition, characterized in that consisting of at least one selected from the group consisting of. 제 3 항에 있어서, 상기 메디아 파우더(Media pouder)는 둘 이상 선택하여 혼합하는 경우 동일 비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물.The sputtering rotary target bonding composition according to claim 3, wherein the media powder (Media pouder) is mixed at the same ratio when two or more media powders are selected and mixed. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 메디아 파우더(Media pouder)의 크기는 0.001∼1mm의 크기로 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타켓 접합 조성물.The sputtering rotary target bonding composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the media powder has a size of 0.001 to 1 mm. (a) 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열시키는 단계;
(b) 단계(a)의 과정을 통해 가열된 상기 백킹 플레이트의 외주면과 타겟의 내주면 각각에 파우더 상의 인듐(Indium)을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계;
(c) 단계(b)의 과정을 통해 표면처리된 상기 백킹 플레이트와 타겟을 냉각시키는 단계;
(d) 단계(c)의 과정을 통해 냉각된 상기 백킹 플레이트의 외주면 상에 상기 타겟을 결합하여 정반에 세로 방향으로 정위치시키는 단계;
(e) 단계(d)의 과정을 통해 상기 정반에 정위치된 상기 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열하는 단계;
(f) 단계(e)의 과정을 통해 상기 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계;
(g) 단계(f)의 과정을 통해 상기 백킹 플레이트와 타겟을 가열 및 진동시키는 가운데 상기 백킹 플레이트의 외주면과 타겟 내주면 사이의 공간에 인듐(Indium)을 용융 투입시키는 단계;
(h) 단계(g)의 과정을 통해 인듐(Indium)을 용융 투입시킨 다음 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 상기 백킹 플레이트의 외주면과 타겟 내주면 사이의 공간에 투입하여 진동에 의해 상기 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐(Indium)이 균일하게 분포되도록 하는 단계; 및
(i) 단계(h)의 과정을 통해 상기 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐(Indium)이 분포되도록 한 다음 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계를 포함한 구성으로 이루어진 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법.(a) heating the backing plate and the target constituting the sputtering rotary target to a predetermined temperature or more;
(b) surface treatment with a brush or an ultrasonic surface treatment agent while applying and melting indium powder on each of the outer circumferential surface of the backing plate and the inner circumferential surface of the target heated through the process of step (a);
(c) cooling the backing plate and the target surface-treated through the process of step (b);
(d) engaging the target on the outer circumferential surface of the backing plate cooled through the process of step (c) and positioning the target vertically on the surface plate;
(e) heating the backing plate and the target positioned on the surface plate through a process of step (d) to a predetermined temperature or more;
(f) allowing vibration to occur while heating the backing plate and the target through a process of step (e) above a predetermined temperature;
(g) injecting indium into the space between the outer circumferential surface of the backing plate and the target inner circumferential surface while heating and vibrating the backing plate and the target through the process of step (f);
(h) Melting indium (Indium) through the process of step (g) and then the media powder on the particles (Media pouder) into the space between the outer peripheral surface of the backing plate and the target inner peripheral surface of the media powder by vibration Allowing molten indium to be uniformly distributed between the particles; And
(i) allowing the molten indium to be distributed between the particles of the median powder through the process of step (h), and then cooling the sputtering rotary target including the cooling and the stop of heating and vibration. Joining method. (a) 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열시키는 단계;
(b) 단계(a)의 과정을 통해 가열된 상기 백킹 플레이트의 외주면과 타겟의 내주면 각각에 파우더 상의 인듐(Indium)을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계;
(c) 단계(b)의 과정을 통해 표면처리된 상기 백킹 플레이트와 타겟을 냉각시키는 단계;
(d) 단계(c)의 과정을 통해 냉각된 상기 백킹 플레이트의 외주면 상에 상기 타겟을 결합하여 정반에 세로 방향으로 정위치시키는 단계;
(e) 단계(d)의 과정을 통해 상기 정반에 정위치된 상기 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열하는 단계;
(f) 단계(e)의 과정을 통해 상기 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계;
(g) 단계(f)의 과정을 통해 상기 백킹 플레이트와 타겟을 가열 및 진동시키는 가운데 상기 백킹 플레이트의 외주면과 타겟 내주면 사이의 공간에 용융된 인듐(Indium)과 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 일정비율로 동시에 투입시키는 단계; 및
(h) 단계(g)의 과정을 통해 인듐(Indium)과 메디아 파우더(Media pouder)를 투입한 다음 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계를 포함한 구성으로 이루어진 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법.(a) heating the backing plate and the target constituting the sputtering rotary target to a predetermined temperature or more;
(b) surface treatment with a brush or an ultrasonic surface treatment agent while applying and melting indium powder on each of the outer circumferential surface of the backing plate and the inner circumferential surface of the target heated through the process of step (a);
(c) cooling the backing plate and the target surface-treated through the process of step (b);
(d) engaging the target on the outer circumferential surface of the backing plate cooled through the process of step (c) and positioning the target vertically on the surface plate;
(e) heating the backing plate and the target positioned on the surface plate through a process of step (d) to a predetermined temperature or more;
(f) allowing vibration to occur while heating the backing plate and the target through a process of step (e) above a predetermined temperature;
(g) heating the medium and vibrating the backing plate and the target through the process of step (f), and melting the indium and the media powder on the particle in the space between the outer circumferential surface of the backing plate and the target inner circumferential surface. Simultaneously inputting at a constant rate; And
(h) a method of joining a sputtering rotary target comprising a step of injecting indium (media) and media powder (Media pouder) through the process of step (g) and then cooling in a state in which heating and vibration are stopped. (a) 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열시키는 단계;
(b) 단계(a)의 과정을 통해 가열된 상기 백킹 플레이트의 외주면과 타겟의 내주면 각각에 파우더 상의 인듐(Indium)을 도포하여 용융시키는 가운데 브러시나 초음파표면처리기로 표면처리를 하는 단계;
(c) 단계(b)의 과정을 통해 표면처리된 상기 백킹 플레이트와 타겟을 냉각시키는 단계;
(d) 단계(c)의 과정을 통해 냉각된 상기 백킹 플레이트의 외주면 상에 상기 타겟을 결합하여 정반에 세로 방향으로 정위치시키는 단계;
(e) 단계(d)의 과정을 통해 상기 정반에 정위치된 상기 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열하는 단계;
(f) 단계(e)의 과정을 통해 상기 백킹 플레이트와 타겟을 일정온도 이상으로 가열하는 가운데 진동이 이루어지도록 하는 단계;
(g) 단계(f)의 과정을 통해 상기 백킹 플레이트와 타겟을 가열 및 진동시키는 가운데 입자 상의 메디아 파우더(Media pouder)를 상기 백킹 플레이트의 외주면과 타겟 내주면 사이의 공간에 일정량 투입하는 단계;
(h) 단계(g)의 과정을 통해 메디아 파우더(Media pouder)를 투입한 다음 일정량의 인듐(Indium)을 용융 투입시켜 진동에 의해 상기 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐(Indium)이 균일하게 분포되도록 하는 단계; 및
(i) 단계(h)의 과정을 통해 상기 메디아 파우더의 입자 사이에 용융된 인듐(Indium)이 분포되도록 한 다음 가열 및 진동을 정지시킨 상태에서 냉각시키는 단계를 포함한 구성으로 이루어진 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법.(a) heating the backing plate and the target constituting the sputtering rotary target to a predetermined temperature or more;
(b) surface treatment with a brush or an ultrasonic surface treatment agent while applying and melting indium powder on each of the outer circumferential surface of the backing plate and the inner circumferential surface of the target heated through the process of step (a);
(c) cooling the backing plate and the target surface-treated through the process of step (b);
(d) engaging the target on the outer circumferential surface of the backing plate cooled through the process of step (c) and positioning the target vertically on the surface plate;
(e) heating the backing plate and the target positioned on the surface plate through a process of step (d) to a predetermined temperature or more;
(f) allowing vibration to occur while heating the backing plate and the target through a process of step (e) above a predetermined temperature;
(g) injecting a predetermined amount of media powder onto the space between the outer circumferential surface of the backing plate and the target inner circumferential surface while heating and vibrating the backing plate and the target through the process of step (f);
(h) The media powder (Media pouder) is added through the process of step (g), and then a predetermined amount of indium is melted and the indium is uniformly melted between the particles of the media powder by vibration. To be distributed; And
(i) allowing the molten indium to be distributed between the particles of the median powder through the process of step (h), and then cooling the sputtering rotary target including the cooling and the stop of heating and vibration. Joining method. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 인듐(Indium)과 메디아 파우더(Media pouder)의 조성비는 5∼50 : 50∼95 중량%의 비율로 조성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법.The sputtering rotary according to any one of claims 5 to 7, wherein the composition ratio of the indium and the media powder is 5 to 50: 50 to 95% by weight. How to join the target. 제 8 항에 있어서, 상기 메디아 파우더(Media pouder)는 샌드(Sand), 스테인리스 스틸(S/S), 구리(Cu), 텅스텐(W), 텅스텐 헥사카르보닐(Tungsten hexacarbonyl) 및 산화알루미늄(Al2O3)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법.The media powder of claim 8, wherein the media powder is sand, stainless steel, copper, tungsten, tungsten hexacarbonyl and aluminum oxide. 2 O 3 ) sputtering rotary target bonding method, characterized in that consisting of one or more selected from the group consisting of. 제 9 항에 있어서, 상기 메디아 파우더(Media pouder)는 둘 이상 선택하여 혼합하는 경우 동일 비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법.10. The method of claim 9, wherein the media powder (Media pouder) is sputtering rotary target bonding method characterized in that the mixing at the same ratio when two or more selected. 제 10 항에 있어서, 상기 메디아 파우더(Media pouder)의 입자는 0.001∼1mm의 크기로 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타켓의 접합방법.11. The method of claim 10, wherein the media powder (Media pouder) particles of the sputtering rotary target bonding method, characterized in that the size of 0.001 ~ 1mm.
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