KR20120005959A - 전기 콘택트 - Google Patents

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KR20120005959A
KR20120005959A KR1020110066368A KR20110066368A KR20120005959A KR 20120005959 A KR20120005959 A KR 20120005959A KR 1020110066368 A KR1020110066368 A KR 1020110066368A KR 20110066368 A KR20110066368 A KR 20110066368A KR 20120005959 A KR20120005959 A KR 20120005959A
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부이얀 모이눌
다케시 기무라
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타이코 일렉트로닉스 저팬 지.케이.
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Abstract

접점을 구성하는 볼록 돌조의 선단부에서의 반경의 최적범위를 명확히 규정함으로써 0.098N~0.147N 정도의 저하중 즉 낮은 접압이라도 높은 집중응력을 얻을 수 있고, 피접촉물과의 접점에 있어서의 접촉저항치를 낮게 하고, 또한 불균일이 작은 전기 콘택트를 제공한다.
전기 콘택트는 상대기판의 도전성을 갖는 도체패턴(피접촉물)에 접촉하는 접촉부를 갖다. 접촉부의 피접촉물과의 접촉면에는 접촉면에서 돌출하여 피접촉물과의 접점을 구성하는 적어도 한 쌍의 볼록 돌조가 설치되어 있다. 볼록 돌조의 각각의 선단부의 반경은 5~15㎛로 되어 있다.

Description

전기 콘택트{Electrical Contact}
본 발명은 회로기판의 도체패턴이나 상대 콘택트와 같은 도전성을 갖는 피접촉물에 접촉하는 전기 콘택트에 관한 것이다.
[특허 문헌 1] 일본특개2005-78865호 공보
[특허 문헌 2] 일본특개2009－158387호 공보
종래부터 회로기판의 도체패턴이나 상대 콘택트와 같은 도전성을 갖는 피접촉물에 접촉하는 전기 콘택트와, 전기 콘택트를 지지하는 절연성 하우징을 구비한 전기 커넥터가 알려져 있다.
이러한 전기 커넥터의 일례로서 예를 들면 도 7에 도시하는 IC소켓이 알려져 있다(특허문헌 1참조). 도 7은 종래의 IC소켓을 나타내고 (A)는 IC패키지의 리드와 IC소켓의 콘택트가 접속한 상태의 부분단면도, (B)는 콘택트의 요철돌조부분을 확대하여 나타내는 부분확대도이다.
도 7(A)에 나타내는 IC소켓(101)은 IC패키지(130)의 배열된 리드(131)와 접촉하는 적어도 1열의 도전성을 갖는 콘택트(120)와, 콘택트(120)를 지지하는 절연성 하우징(110)을 구비하고 있다. 하우징(110)에는 IC패키지(130)가 재치된다. 그리고 IC소켓(101)의 하우징(110)에 IC패키지(130)를 재치한 때에 콘택트(120)의 접촉부(110)는 리드(131)와 도 7(B)에 도시하는 화살표(W)방향으로 서로 와이핑하여 접촉한다.
그리고 각 콘택트(120)의 접촉부(121)의 리드(131)와의 접촉면(122)에는 와이핑방향(화살표W방향)과 직교하는 방향으로 뻗는 복수의 요철돌조(123)가 설치되어 있다. 이 요철돌조(123)는 접촉면(122)에서 패이는 복수의 V자 홈(123a)과 이들 홈(123a)의 양측에 홈(123a)에 따른 복수 쌍의 볼록돌조(123b)를 구비하고 있다. 요철돌조(123)는 와이핑방향과 직교하는 방향(도 7(B)에서의 종이면과 직교하는 방향)으로 드래깅(dragging)에 의해 형성된다.
그리고 이들 요철돌조(123)의 치수로서 예를 들면 홈(123a)의 각도(α1)가 60도, 깊이(h1)가 0.08㎜, 볼록돌조(123b)간의 거리(d1)가 0.09㎜, 홈(123a)의 단면적(S)이 0.037㎟, 홈(123a, 123a)간의 거리(D1)가 0.020㎜로 되어 있다.
이러한 요철돌조(123)를 설치함으로써 콘택트(120)와 리드(131)와의 접촉 시에 와이핑량이 적더라도, 뻗는 성질을 갖는 이물질을 요철돌조(36)에서 쓸어내 제거하여 확실하게 전기적 접속을 행할 수 있다.
또한 종래의 전기커넥터의 다른 예로서 예를 들면 도 8에 나타내는 것(특허문헌 2참조)이 알려져 있다. 도 8은 종래의 인터포저(interposer)의 단면도이다.
도 8에 나타내는 인터포저(201)는 피접촉물간. 예를 들면 회로기판(230)의 도전성패드(231)와 반도체 범프(bump)를 상호접속하는 것으로, 도전성을 갖는 콘택트(210)와 콘택트(210)를 지지하는 절연성 하우징(220)을 구비하고 있다.
콘택트(210)는 용수철부(211)와 한 쌍의 접점(212, 213)을 구비하고 있다. 콘택트(210)는 예를 들면 Ni-Co 나 NiMn 등과 같은 Ni합금으로 이루어지는 것으로, 포토리소그래피와 전기주조를 조합한 미세가공기술에 의해 제작된다. 여기서 콘택트(210)의 용수철부(211)는 압압함으로써 탄성변형하는 무단 루프상으로 형성된 대략 표주박 형상을 갖는다.
또한 콘택트(210)의 한 쌍의 접점(212, 213)은 용수철부(211)의 루프의 대략 반둘레만큼 분리된 상하위치에서 각각이 외측방향으로 돌출하여 형성된다. 또한 해당 한 쌍의 접점(212, 213) 각각의 선단부분은 포토리소그래피와 전기주조를 조합한 미세가공기술에 의해 반경 30㎛ 이하의 원호상으로 형성할 수 있고, 여기서는 예를 들면 5㎛으로 되어 있다. 이들 한 쌍의 접점(212, 213)은 각각 대향하는 각 피접촉물, 예를 들면 반도체 범프(240), 도체패턴(231)에 접촉하여 압력을 받는다.
이 콘택트(210)에 의하면 한 쌍의 접점(212, 213)의 각각의 선단부분이 포토리소그래피와 전기주조를 조합한 미세가공기술에 의해 반경 30㎛ 이하의 원호상으로 형성되어 있다. 이 때문에 한 쌍의 접점(212, 213)이 각각 대향하는 각 피접촉물에 접촉하여 압력을 받는 때에 저하중 즉 낮은 접압이라도 높은 집중응력을 얻을 수 있다. 그로 인해 피접촉물의 표면에 컨태미네이션(contamination)이나 절연피막이 형성되어 있어도 높은 집중응력에 의해 한 쌍의 접점(212, 213)이 이들을 파괴하여 피접촉물과 양호한 접촉저항을 얻을 수 있다.
그러나 이들 종래의 도 7에 나타내는 IC소켓(101)에 사용되는 콘택트(120)이나 도 8에 나타내는 인터포저(201)에 사용되는 콘택트(210)에 있어서는 이하와 같은 문제점이 있었다.
즉, 도 7에 나타내는 낸 IC소켓(101)의 경우, 특허문헌 1에 있어서 볼록돌조(123b)의 선단부분의 반경에 대해서는 어떠한 크기가 적당한 지에 대해 기재되어 있지 않다.
또한 도 8에 나타내는 인터포저(210)에 사용되는 콘택트(210)의 경우, 특허문헌 2에 있어서, 한 쌍의 접점(212, 213)의 각각의 선단부분은 포토리소그래피와 전기주조를 조합한 미세가공기술에 의해 반경 30㎛ 이하의 원호상으로 형성 가능하게 되고, 예시로서 그 반경이 5㎛ 이하의 것이 예로 들어져 있다.
그러나 한 쌍의 접점(212, 213)의 각각의 선단부분의 반경이 30㎛ 이하의 것에 대해 그 반경이 최적인 범위에 대해서는 특허문헌 2에 일체 개시되어 있지 않다.
따라서 본 발명은 상술한 문제점을 감안하여 행해진 것으로 그 목적은 접점을 구성하는 볼록 돌조의 선단부에서의 반경의 최적범위를 명확히 규정함으로써 0.098N~0.147N 정도의 저하중 즉 낮은 접압이라도 높은 집중응력을 얻을 수 있고, 피접촉물과의 접점에 있어서의 접촉저항치를 낮게 하고, 또한 불균일이 작은 전기 콘택트를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명 중 청구항 1에 관계되는 전기 콘택트는 도전성을 갖는 피접촉물에 접촉하는 접촉부를 갖는 전기 콘택트에 있어서, 상기 접촉부의 상기 피접촉물과의 접촉면에 해당 접촉면에서 돌출하여 상기 피접촉물과의 접점을 구성하는 적어도 한 쌍의 볼록 돌조를 설치하고, 해당 돌조의 각각의 선단부의 반경이 5~15㎛로 되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
또한 본 발명 중 청구항 2에 관계되는 전기 콘택트는 청구항 1기재의 전기 콘택트에 있어서,상기 접촉부의 접촉면이 만곡면을 구성하고, 복수쌍의 상기 볼록돌조가 상기 만곡면에 설치되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
더욱이 본 발명 중, 청구항 3기재의 전기 콘택트는 청구항 1 또는 2기재의 전기 콘택트에 있어서, 상기 쌍의 볼록돌조 사이에 상기 접촉면부터 파인 홈을 설치한 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 관계되는 전기 콘택트에 의하면, 접점을 구성하는 돌조의 각각의 선단부의 반경을 5~15㎛로 하여 명확하게 최적범위를 규정하였다. 이에 따라 0.098N~0.147N 정도의 저하중 즉 낮은 접압이라도 높은 집중응력을 얻을 수 있고, 피접촉물과의 접점에 있어서의 접촉저항치를 낮게 하고, 또한 불균일이 작은 전기 콘택트를 제공할 수 있다.
[도 1]본 발명에 관계되는 전기 콘택트의 실시형태를의 부분측면도이다.
[도 2]도 1에 나타내는 전기 콘택트의 주요부를 나타내고, (A)는 주요부를 확대한 부분측면도,(B)는 (A)의 화살표2B부분의 확대도이다.
[도 3]도 1의 전기 콘택트에 대해, 상대기판이 평행한 상태로 접촉한 상태를 나타내는 부분측면도이다.
[도 4]도 1의 전기 콘택트에 대해, 상대기판이 평행한 상태로부터 크게 어긋난 상태를 나타내는 부분측면도이다.
[도 5]접점에 있어서의 저항치와 접점을 구성하는 볼록 돌조의 선단부의 반경과의 관계를 조사하기 위한 시험조건을 설명하기 위한 도면이다.
[도 6]접점에 있어서의 저항치와 접점을 구성하는 볼록 돌조의 선단부의 반경과의 관계를 나타내는 그래프이다.
[도 7]종래의 IC소켓을 나타내고, (A)는 IC패키지의 리드와 IC소켓의 콘택트가 접속한 상태의 부분단면도, (B)는 콘택트의 요철 돌조 부분을 확대하여 나타내는 부분확대도이다.
[도 8]종래의 인터포저의 단면도이다.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태를 설명한다.
도 1에 나타내는 전기 콘택트(1)는 DDR소켓 커넥터 등의 전기 커넥터에 사용되는 전기 콘택트이며, 당해 전기 커넥터의 절연성 하우징(미도시)에 고정되는 고정부(미도시)로부터 뻗는 탄성아암부(2)를 구비하고 있다. 탄성아암부(2)의 선단에는 도 3에 도시한 바와 같이 상대기판(10)의 도전성을 갖는 도체패턴(피접촉물)에 접촉하는 접촉부(3)가 설치되어 있다. 접촉부(3)는 도 1 및 도 2(A)에 도시한 바와 같이 탄성아암부(2)의 선단부터 상측이 볼록해지도록 만곡하여 형성되고, 상대기판(10)의 도체패턴과의 접촉면(4)도 상측이 볼록한 만곡면이 되어 있다. 한편, 고정부의 탄성아암부(2)가 뻗는 측과 반대측에는 콘택트(1)를 회로기판 상에 접속하기 위한 접속부(미도시)가 설치되어 있다. 이 전기 콘택트(1)는 금속판에 대해 후술하는 드래깅, 스탬핑(타발가공) 및 포밍(휨가공)함으로써 형성된다.
그리고 접촉부(3)의 접촉면(4)에는 도 1 및 도 2(A)에 도시한 바와 같이, 접촉면(4)에서 상방으로 돌출하여 상대기판(10)의 도체패턴과의 접점을 구성하는 복수 쌍(본 실시형태에서는 3쌍)의 볼록 돌조(5a)가 설치되어 있다. 상대기판(10)의 도체패턴이 접촉부(3)의 접촉면(4)에 접촉한다 하더라도 실제로는 도 3에 도시한 바와 같이 접점을 구성하는 볼록 돌조(5a)의 선단부에 접촉한다. 각 쌍의 볼록 돌조(5a) 사이에는 도 1 및 도 2(A)에 나타내는 바와 같이 접촉면(4)으로부터 패이는 대략 V자형 홈(5b)이 형성되어 있다. 각 홈(5b)은 와이핑 방향(도 2(A)에서의 화살표W방향)과 직교하는 방향(도 2(A)에서의 종이면과 직교하는 방향)으로 뻗어 있다.
쌍을 이루는 볼록 돌조(5a)는 홈(5b)의 양측에 당해 홈(5b)을 따르도록 뻗어 있다. 여기서 이들 각 쌍의 볼록 돌조(5a) 및 홈(5b)은 드래깅에 의해 형성된다. 즉 이들 각 쌍의 볼록 돌조(5a) 및 홈(5b)은 와이핑 방향(도 2(A)에서의 화살표W방향)과 직교하는 방향(도 2(A)에서의 종이면과 직교하는 방향)으로 단면방형상의 치구 등의 기계적 수단에 의해 접촉면(4)을 긁어 형성된다.
드래깅에 의해 깍인 판재의 재료는 재료로부터 박리되지 않고, 홈(5b)의 양측에 부풀어 올라 효과적으로 볼록 돌조(5a)로 형성되는 것에 기여한다. 이 드래깅은 금속판을 스탬핑하기 전에 행해진다.
그리고 이들 볼록 돌조(5a) 및 홈(5b)의 치수로서 쌍을 이루는 볼록 돌조(5a) 사이의 거리(d)가 100㎛, 볼록 돌조(5a)의 높이(h)가 35㎛, 홈(5b)의 최심부(最深部)에서의 폭(w)이 15㎛, 볼록 돌조(5a)의 선단에서 홈(5b)의 최심부까지의 깊이(D)가 70㎛, 서로 인접하는 볼록 돌조(5a)사이의 거리(P)가 100㎛로 하는 것이 바람직하다.
특히 볼록 돌조(5a)의 선단에서 홈(5b)의 최심부까지의 깊이(D)를 깊게 하여 전기 콘택트(1)의 판두께에 근접하게 함으로써, 홈(5b)이 깊어진다. 이에 따라 와이핑 시에 긁혀진 이물질이 홈(5b) 내에 수용되는 때에 그 이물질의 수용량을 많게 할 수 있고, 클리닝 효과를 한층 높일 수 있다.
또한 도 2(B)에 나타내는 각 볼록 돌조(5a)의 선단부의 반경(R)은 5~15㎛으로 한다. 이 선단부의 반경(R)이 5㎛미만이면 반경(R)이 5㎛미만의 선단부를 갖는 볼록 돌조(5a)를 드래깅에 의해 작성할 수 없다. 또한 당해 반경(R)이 5㎛미만이면 피접촉물이 볼록 돌조(5a)의 선단부에 접촉한 때에 볼록 돌조(5a)의 선단부가 피접촉물에 찔리고, 탄성아암부(2)가 소성변형할 염려가 있다. 한편, 당해 선단부의 반경(R)이 15㎛보다도 크면 0.089N~0.147N 정도의 저하중 즉 낮은 접압인 때에 높은 집중응력(허트 스트레스)을 얻을 수 없고, 상대기판(10)의 도체기판(피접촉물)과의 접점에서의 접촉저항치를 낮게 할 수 없고, 더욱이 당해 접촉저항치의 불균일이 큰 전기 콘택트가 되고 만다. 따라서 각 볼록돌조(5a)dml 선단부의 반경(R)은 5㎛~15㎛으로 한다.
발명자들은 각 볼록 돌조(5a)의 선단부의 반경(R)을 5㎛~15㎛으로 하는 것의 근거에 대해 검토해야 할 접점을 구성하는 볼록 돌조(5a)에서의 저항치와 접점을 구성하는 볼록 돌조(5a)의 선단부의 반경(R)과의 관계를 조사하기 위한 시험을 행하였다.
이 시험에 있어서는 도 5에 도시한 바와 같이 인청동으로 구성되는 접촉부(30)에 드래깅에 의해 한 쌍의 볼록 돌조(5a)를 형성한 것을 이용하였다. 그리고 볼록 돌조(5a)의 선단부의 반경(R)에 대해 5㎛의 샘플을 3개(N1, N2, N3), 15㎛의 샘플을 3개(N1, N2, N3), 25㎛의 샘플을 3개(N1, N2, N3), 50㎛의 샘플을 3개(N1, N2, N3), 200㎛의 샘플을 3개(N1, N2, N3)준비하였다.
그리고 각각의 샘플에 대해 탄성아암부(2)를 고정하고 금속판(M)으로서 강판의 접점부에 금도금을 실시한 것을 볼록 돌조(5a)에 대해 도 5에 도시한 바와 같이 접촉시켰다. 이 때의 볼록 돌조(5a)에 대한 금속판(M)의 하중(F)은 0.098N으로 하였다. 이 때의 각 샘플에서의 접점을 구성하는 볼록 돌조(5a)와 금속판(M)과의 사이의 저항치를 측정하였다. 이 결과를 표 1 및 도 6에 나타낸다.
접점에서의 저항치(mΩ)
샘플번호No 접점반경R(㎛)
N1		 접점반경R(㎛)
N2		 접점반경R(㎛)
N3
5 40 50 45
15 50 60 55
25 210 325 140
50 435 500 325
200 625 750 450
표1 및 도 6을 참조하면 볼록 돌조(5a) 선단부의 반경(R)이 5㎛의 샘플N1, N2, N3의 저항치는40, 50, 45mΩ이고, 동반경(R)이 15㎛의 샘플N1, N2, N3의 저항치는50, 60, 55mΩ이었다. 따라서 동반경(R)이 5㎛인 샘플에 대해서는 저항치의 평균치가 45mΩ, 저항치 최대값과 최소값의 차이가 10mΩ로, 금속판(피접촉물:M)과의 접점에서의 접촉저항치가 낮고, 더욱이 불균일이 작다는 것을 알았다.
또한 동반경(R)이 15㎛인 샘플에 대해 저항치의 평균치가 55mΩ, 저항치 최대값과 최소값의 차이가 10mΩ로, 금속판(M)과의 접점에서의 접촉저항치가 낮고, 더욱이 불균일이 작다는 것을 알았다. 따라서 이 결과로부터 동반경(R)이 5㎛~15㎛까지의 것에 대해서는 금속판(M)과의 접점에서의 접촉저항치가 낮고, 더욱이 불균일이 작은 안정영역이라고 말할 수 있다.
한편 볼록 돌조(5a) 선단부의 반경(R)이 25㎛의 샘플N1, N2, N3의 저항치는210, 325, 140mΩ이고, 동반경(R)이 50㎛의 샘플N1, N2, N3의 저항치는435, 500, 325mΩ이며, 더욱 동반경(R)이 200㎛의 샘플N1, N2, N3의 저항치는625, 750, 450mΩ었다. 따라서 동반경(R)이 25㎛인 샘플에 대한 저항치의 평균치가 225mΩ, 저항치 최대값과 최소값의 차이가 185mΩ로, 금속판(M)과의 접점에서의 접촉저항치가 높고, 더욱이 불균일이 크다는 것을 알았다.
또한 동반경(R)이 50㎛인 샘플에 대해 저항치의 평균치가 420mΩ, 저항치 최대값과 최소값의 차이가 175mΩ로, 금속판(M)과의 접점에서의 접촉저항치가 높고, 더욱이 불균일이 크다는 것을 알았다. 더욱이 동반경(R)이 200㎛인 샘플에 대해 저항치의 평균치가 608mΩ, 저항치 최대값과 최소값의 차이가 300mΩ로, 금속판(M)과의 접점에서의 접촉저항치가 높고, 더욱이 불균일이 크다는 것을 알았다. 따라서 이 결과로부터 동반경(R)이 15㎛를 초과하는 것에 대해서는 금속판(M)과의 접점에서의 접촉저항치가 높고, 더욱이 불균일이 큰 불안정영역이라고 말할 수 있다.
따라서 발명자들은 피접촉물과의 접접에서의 접촉안정치가 낮고, 더욱이 불균일이 작은 안정영역을 얻기 위해 각 볼록 돌조(5a) 선단부의 반경(R)을 15㎛이하로 한 것이다.
이렇게 구성된 전기 콘택트(1)에 상대기판(10)의 도체패턴이 접촉하는 모습을 도 3 및 도 4에 도시한다.
도 3에 나타내는 바와 같이 전기 콘택트(1)의 3쌍 있는 볼록 돌조(5a) 중, 중앙의 쌍을 이루는 볼록 돌조(5a)에 대해 상대기판(10)이 평행한 상태로 접촉한다. 그러면 상대기판(10)의 도체패턴은 3쌍 있는 볼록 돌조(5a) 중 중앙의 쌍을 이루는 볼록 돌조(5a)에 접촉한다. 이에 따라 상대기판(10)의 도체패턴과 전기 콘택트(1)가 전기적으로 도통하게 된다. 또한 전기 콘택트(1)의 해당 볼록 돌조(5a)에 대해 상대기판(10)이 평행한 상태로부터 약간 각도가 어긋난 상태로 접촉한 경우, 상대기판(10)의 도체패턴은 3쌍 있는 볼록 돌조(5a) 중 중앙의 쌍을 이루는 볼록 돌조(5a)의 일방에 접촉한다.
이 때 볼록 돌조(5a)는 도 3 및 도 2(B)에서의 W방향으로 와이핑한다. 그러면 와이핑 시에 쓸려 모인 이물질이 홈(5b) 내에 수용된다. 본 실시형태에서는 쌍인 볼록 돌조(5a) 사이에 접촉면(4)에서 파인 홈(5b)을 설치하였기 때문에 와이핑 시에 쓸려 모인 이물질을 당해 홈(5b) 내에 수용 가능하고, 클리닝 효과를 높일 수 있다. 그리고 전술한 바와 같이 볼록 돌조(5a)의 선단부터 홈(5b)의 최심부까지의 깊이(D)를 깊게 하여 전기 콘택트(1)의 판두께에 근접하게 함으로써 홈(5b)이 깊어진다. 이에 따라 이물질의 수용량을 크게 할 수 있고, 한층 더 클리닝 효과를 높일 수 있다.
한편 도 4에 나타내는 바와 같이, 전기 콘택트(1)의 3쌍 있는 볼록 돌조(5a) 중, 중앙의 쌍을 이루는 볼록 돌조(5a)에 대해 상대기판(10)이 평행한 상태로부터 크게 각도가 어긋난 경우에는 상대기판(10)의 도체패턴은, 3쌍 있는 볼록 돌조(5a) 중 중앙의 쌍을 이루는 볼록 돌조(5a)에 인접한 쌍을 이루는 볼록 돌조(5a)의 일방 또는 쌍방에 접촉한다. 이것은 접촉부(3)의 접촉면(4)이 만곡면을 구성하고, 복수쌍(본 실시형태의 경우 3쌍)의 볼록 돌조가 만곡면에 설치되어 있기 때문에 가능해진다. 이 때 상대기판(10)의 도체패턴이 접촉하는 볼록 돌조(5a)는 하나 또는 둘이므로 상대기판(10)의 도체패턴이 0.098N~0.147N정도의 저하중으로 접촉하더라도 높은 집중응력을 확보할 수 있다.
이에 대해 접촉부(3)의 접촉면(4)이 만곡하지 않은 편평한 평면상으로 구성되고, 그 평면에 복수쌍의 볼록 돌조(5a)를 설치한 경우에는 상대기판(10)의 도체패턴이 복수쌍의 볼록 돌조(5a) 모두에 접촉하게 된다. 왜냐하면 상대기판(10)의 도체패턴이 형성되는 면은 통상 만곡하지 않은 평면으로 형성되기 때문이다. 이 경우, 상대기판(10)의 도체패턴이 0.098N~0.147N정도의 저하중으로 접촉하면 응력이 모든 볼록 돌조(5a)에 분산되고, 각 볼록 돌조(5a)에 있어서 높은 집중응력을 확보할 수 없다.
따라서 본 실시형태에 있어서는 접촉부(3)의 접촉면(4)을 만곡면으로 구성하고, 복수쌍의 볼록돌조(5a)를 당해 만곡면에 설치하고 있다.
이상과 같이 본 발명의 실시형태에 대해 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 각종 변경 개량을 행할 수 있다.
예를 들면 전기 콘택트(1)는 접촉부(3)의 접촉면(4)에 적어도 한 쌍의 볼록 돌조(5a)를 설치한 것이면 좋고, 하우징에 대한 고정부나 회로기판에 대한 접속부가 없어도 좋다.
또한 전기 콘택트(1)에 있어서, 볼록 돌조(5a)는 복수쌍 설치할 필요가 없고, 적어도 한 쌍있으면 좋다. 예를 들면 볼록 돌조(5a)를 도 5에 나타내는 바와 같이 한 쌍 설치하거나 혹은 도시하지 않았으나 2쌍, 4쌍 설치해도 좋다.
더욱이 접촉부(3)의 접촉면(4)ms 반드시 만곡면으로 구성되어 있을 필요는 없고, 또한 쌍의 볼록 돌조(5a) 사이에 홈(5b)을 반드시 설치하지 않아도 좋다.
또한 피접촉물로서 상대기판(10)의 도체패턴이 접촉하도록 하였으나 도전성을 갖는 피접촉물이면 금속제의 콘택트나 반도체 범프라도 좋다.
과 전기 콘택트(1)가 전기적으로 도통하게 된다. 또한 전기 콘택트(1)의 해당 볼록 돌조(5a)에 대해 상대기판(10)이 평행한 상태로부터 약간 각도가 어긋난 상태로 접촉한 경우, 상대기판(10)의 도체패턴은 3쌍 있는 볼록 돌조(5a) 중 중앙의 쌍을 이루는 볼록 돌조(5a)의 일방에 접촉한다.
1 전기 콘택트
3 접촉부
4 접촉면
5a 볼록 돌조
5b 홈
10 상대기판

Claims (3)

  1. 도전성을 갖는 피접촉물에 접촉하는 접촉부를 갖는 전기 콘택트에 있어서,
    상기 접촉부의 상기 피접촉물과의 접촉면에 상기 접촉면에서 돌출하여 상기 피접촉물과의 접점을 구성하는 적어도 한 쌍의 볼록 돌조를 설치하고, 상기 볼록 돌조의 각각의 선단부의 반경이 5㎛ ~ 15㎛로 되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 콘택트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접촉부의 접촉면이 만곡면을 구성하고, 복수쌍의 상기 볼록 돌조가 상기 만곡면에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 콘택트.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서,
    상기 볼록 돌조 사이에 상기 접촉면부터 파인 홈을 설치한 것을 특징으로 하는 전기 콘택트.
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