KR20120003859A - 플라즈마 텍스처링 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판의 표면을 텍스처링하는 드라이 에칭 방법에 관한 것이고, 상기 방법은 이하 단계를 포함한다:
a) 상기 기판의 표면 상에 제1 드라이 에칭 단계를 행하여, 볼록부(spikes) 및 오목부(valleys)로 표면 텍스처(surface texture)를 형성하는 단계이고, 상기 제1 드라이 에칭 단계는 (F) 라디칼 및 (O) 라디칼을 포함하는 플라즈마에서 상기 기판의 표면을 에칭하는 단계를 포함하고, 상기 플라즈마는 (O) 라디칼의 초과분을 포함하고,
b) 상기 표면 텍스처(surface texture) 상에 제2 드라이 에칭 단계를 행하여, 상기 표면 텍스처를 평활하게 하는 단계이고, 상기 제2 드라이 에칭 단계는 (F) 라디칼을 포함하는 플라즈마에서 단계 a) 에 따라 얻어진 표면 텍스처를 화학적 등방성 에칭(chemical isotropic etching)을 포함하여, 볼록부가 오목부보다 현저히 빨리 에칭된다.
a) 상기 기판의 표면 상에 제1 드라이 에칭 단계를 행하여, 볼록부(spikes) 및 오목부(valleys)로 표면 텍스처(surface texture)를 형성하는 단계이고, 상기 제1 드라이 에칭 단계는 (F) 라디칼 및 (O) 라디칼을 포함하는 플라즈마에서 상기 기판의 표면을 에칭하는 단계를 포함하고, 상기 플라즈마는 (O) 라디칼의 초과분을 포함하고,
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Description
본 발명은 기판, 예컨대 실리콘 기판의 표면을 플라즈마 텍스처링하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 예컨대 실리콘 광전지의 표면을 텍스처링하는 산업 공정에 사용될 수 있다.
광전지의 표면 텍스처링(Surface texturing)은 입사광선(incident light)의 반사를 감소시킴으로써 전지 단락-전류(cell short-circuit current) 및 전지 효율을 증가시키는데 사용된다. 일부 텍스처링 기술은, 예컨대 웨트 화학 에칭(wet chemical etching), 드라이 플라즈마 에칭(dry plasma etching) 및 기계적 텍스처링(mechanical texturing)이 제안되어왔다.
단일 결정질 또는 단결정 실리콘 기판(single crystalline or monocrystalline silicon substrates)에 있어서, 표면 텍스처링은 웨트 이방성 부식액(wet anisotropic etchant), 예컨대 습윤성 증진을 위한 이소프로판올이 첨가된 NaOH 또는 KOH 용액을 사용함으로써 얻어질 수 있다. 3 내지 5마이크로미터의 범위의 높이를 갖는 일반적인 피라미드 구조물이 형성되었다. 알칼리성 텍스처링(Alkaline texturing)은 실리콘 격자의 임의의 결정학적 배향(random crystallographic orientation) 및 에칭 공정의 결정 배향 의존성(crystal orientation dependence) 때문에, 다결정성 실리콘(multi-crystalline silicon) 및 리본 실리콘 기판(ribbon silicon substrates) 상에서 효과적이지 못하다.
다결정성 실리콘 기판의 산성 텍스처링(Acidic texturing) 또는 이소-텍스처링(iso-texturing)은, 예컨대 CH3CO2H 또는 물에서 HF 및 HNO3에 근거한 산성 혼합물로 얻어질 수 있다. 산성 텍스처링(acid texturing)은 에칭 공정을 시작하기 위해 표면에서의 결함(defects)을 필요로 한다. 따라서, 예컨대 절삭 손상(saw damage)은 표면 텍스처(surface texture)를 형성하면서 동시에 제거될 수 있다. 산성 텍스처링은 일부 단점이 있다: 텍스처 형성(texture formation)은 표면 결함에 따라 달라지고, 단측 표면 텍스처링(single side surface texturing)을 형성하기 어렵고, 산성 텍스처링(acid texturing)은 실리콘 물질의 일부 마이크로미터(각 측에서 일반적으로 5 내지 7마이크로미터)를 제거하고, 따라서 에피택셜 층(epitaxial layers)의 두께가 일반적으로 2 내지 6마이크로미터의 범위인 에피택셜 전지(epitaxial cell)와 같은 박막 실리콘 태양 전지(thin film silicon solar cell)에 적용하기 어렵고, 화학적 폐기물 처리에 위험한 에칭 프러덕트(hazardous etch products)가 요구된다.
일부 광전지 기술(photovoltaic technologies), 예컨대 i-PERC 기술과 같은 후면 부동화(passivation)를 구비한 기술에 있어서, 광 전지의 앞면만이 텍스처된 단측 텍스처링(single side texturing)이 필요하다. 알칼리성 텍스처링 및 산성 텍스처링과 같은 웨트 텍스처링 공정(Wet texturing processes)은 단측(single side) 텍스처링에 적합하지 않다.
다이아몬드 절삭 블레이드(diamond saw blade)를 갖는 그루브(grooves)를 형성하는 것에 근거한 기계적 텍스처링이 단측 텍스처링에 제안되어 왔다. 그러나, 이러한 방법은 깊은 구조(deep structures)에 기인한 높은 기계적 스트레스와 금속 차단(metal interruptions)을 야기한다. 또한, 비용 효율적이지 않고, 처리량이 적고, 초박막 태양 전지(very thin solar cell)에 적용될 수 없다.
플라즈마 텍스처링(Plasma texturing)은 단측면 텍스처링을 가능하게 하고, 실리콘 제거율을 낮추어 얇은 전지에 사용될 수 있게 하고, 결함 없는 기판(damage-free substrates) 상에 사용될 수 있고, 결정 배향(crystal orientation)에 의존하지 않고, 처리량이 높고 비용이 낮은 방법을 제공한다. 실리콘 표면의 이온 충격(ion bombardment)에 근거한 RIE(Reactive Ion Etching) 플라즈마 텍스처링 방법은 SF6 및 O2 (예컨대, US 6,091,021 및 US 6,329,296)를 사용하거나 또는 SF6, O2 및 Cl2 (예컨대, US 7,128,975)를 사용하여 발전시켜왔다. 그러나, RIE 플라즈마 텍스처링은 내부 양자 효율(Internal Quantum Efficiency) 및 개회로 전압(open-circuit voltage)의 현저한 열화(degradation)의 결과인, 이온 충격에 기인하여 실리콘 표면의 손상을 야기한다고 알려져 있다. 이것은, 예컨대 "Characterization of random reactive ion etched-textured silicon solar cells", IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.48, No. 6, 2001에 S.H. Zaidi 등에 의해 보고되었다. 따라서, RIE 플라즈마 텍스처링 후에, 텍스처링 단계에 의해 야기되는 표면 손상을 제거하는 단계가 필요하다. 손상되지 않은 실리콘 표면으로 회복하는 가장 효과적인 방법으로 등방성 웨트 화학 에칭을 하여 손상된 층을 제거하는 것이 발견되었다. 그러나, 산업 환경에 있어서, 이러한 웨트 에칭 단계에 대한 필요성은 중요한 단점일 수 있다.
H.F.W. Dekkers 등의 "plasma texturing processes for the next generations of crystalline Si solar cells", Proceedings of the 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference, 2006, p 754에 기판 상에 낮은 이온 플럭스(ion flux) 및 낮은 충격 에너지(impact energy)를 갖는 마이크로파 플라즈마 여기(microwave plasma excitation)에 근거한 플라즈마 텍스처링 공정이 보고되었다. 이러한 방법에서, 기판 상의 이온 충격(ion impact)은, 예컨대 RIE 플라즈마 텍스처링과 비교하여 현저히 감소될 수 있고, 이온 충격(ion bombardment)에 의해 야기된 표면 손상은 상당히 피해질 수 있다. 그러나, SF6/N2O 플라즈마를 사용하는 마이크로파 플라즈마 텍스처링 후, 기판 상에 다양한 퀄리티를 갖는 스폰지와 같은 텍스처(sponge-like texture)가 얻어진 것을 확인했다. 처리량이 많고, 넓은 영역에 우수한 균일성이 있는 산업 공정(industrial process)은 Cl2 플라즈마를 사용하는 제2 플라즈마 에칭 단계를 첨가함으로써 얻어질 수 있는 것이 제안되었다. 이러한 제2 단계의 사용은, 이방성 에칭 효과(anisotropic etching effect)에 근거한, 더욱 균일한 텍스처에 제1 단계에서 유도된 표면 러프니스(surface roughness)를 변형할 수 있다. 그러나, 위험하고, 독성 있고, 부식성 가스인 Cl2가 사용되는 이러한 방법은 단점이 있다.
본 발명의 목적은 실리콘 기판과 같은 기판의 표면을 플라즈마 텍스처링(plasma texturing)하는 방법을 제공하는 것이고, 상기 방법은 기술에 기재된 방법과 비교하여 기판의 표면 상에 우수한(또는 개선된) 표면 텍스처를 제공한다.
더욱 구체적으로, 본 발명은 실리콘 광 전지(silicon photovoltaic cell)와 같은 광 전지의 표면을 텍스처링하는데 특히 적합하고, 유용한 방법을 제공하기 위함이다. 이러한 목적은 본 발명에 따른 방법에 의해 성취된다.
기술에 기재된 방법과 비교하여, 단락 전류 밀도(short-circuit current density) 및 개회로 전압(open-circuit voltage) 사이의 우수한(또는 개선된) 균형 및 우수한(또는 개선된) 전기적 성능은 본 발명의 방법에 따라 텍스처된 기판(substrate textured) 상에 제조된 광 전지(photovoltaic cell)에 행해진다.
본 발명의 방법에 따라서, 드라이 에칭(dry etching) 후 표면 손상 제거의 필요성은 유용하게 억제된다.
다른 유용한 실시형태에 따라서, 위험하고, 독성 있고 또는 부식성 가스, 예컨대 Cl-함유 가스(Cl-containing gases) 사용의 필요성은 억제된다.
기판의 표면을 텍스처링하는 드라이 에칭 방법(dry etching method)으로서: 제1 드라이 에칭 단계를 행하고, O 라디칼을 과량으로(surplus) 갖는 O 라디칼 및 F 라디칼을 포함하는 플라즈마 내에서 표면을 에칭하여, 요철(spikes and valleys)이 있는 표면 텍스처(surface texture)를 형성하는 단계; 및 제2 드라이 에칭 단계를 행하고, 상기 제2 드라이 에칭 단계는 F 라디칼을 갖는 화학적 등방성 에칭(chemical isotropic etching)하는 것을 포함하고, 상기 볼록부(spikes)가 오목부(valleys)보다 현저히 빨리 에칭되어, 상기 표면 텍스처를 평활하게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기에 따른 드라이 에칭 방법으로서, 제1 드라이 에칭 단계는 SF6/N2O-계 플라즈마 내에서 에칭하는 것을 포함한다.
상기에 따른 드라이 에칭 방법으로서, 상기 SF6/N2O 가스 비율은 약 0.2 내지 1.5의 범위내이다.
상기에 따른 드라이 에칭 방법으로서, 제1 드라이 에칭 단계는 약 500마이크로바보다 낮은 압력에서 행해진다.
상기에 따른 드라이 에칭 방법으로서, 상기 제2 드라이 에칭 단계는 희석 가스를 포함하는 플라즈마 내에서 에칭하는 단계를 포함한다.
상기에 따른 드라이 에칭 방법으로서, 상기 희석 가스는 Ar을 포함한다.
상기에 따른 드라이 에칭 방법으로서, 상기 제2 드라이 에칭 단계는 SF6/Ar-계 플라즈마 내에서 행해진다.
상기에 따른 드라이 에칭 방법으로서, SF6/Ar 비율은 약 0.05 내지 0.5의 범위내이다.
상기에 따른 드라이 에칭 방법으로서, 상기 제2 드라이 에칭 단계는 제1 드라이 에칭 단계 동안의 압력보다 높은 압력에서 행해진다.
상기에 따른 드라이 에칭 방법으로서, 상기 제2 드라이 에칭 단계는 SF6/N2O-계 플라즈마 내에서 행해진다.
상기에 따른 드라이 에칭 방법으로서, 제2 드라이 에칭 단계는 약 500마이크로바보다 높은 압력에서 행해진다.
상기에 따른 드라이 에칭 방법으로서, 상기 방법은 기판을 향해 라디칼을 구속하지 않고 행해진다.
광 전지 제조를 위한 공정에서 상기에 따른 방법의 용도(Use of a method according to the above in a process for fabricating photovoltaic cells).
본 발명의 하나의 실시형태에 따라서, 기판의 표면에 텍스처링하는 드라이 에칭 방법을 제공하고, 상기 방법은
a) 상기 기판의 표면 상에 제1 드라이 에칭 단계를 행하여, 요철(spikes and valleys)이 있는 표면 텍스처(surface texture)를 형성하는 단계이고, 상기 제1 드라이 에칭 단계는 불소 (F) 라디칼 및 산소 (O) 라디칼을 포함하는(또는 라디칼로 이루어진) 플라즈마 내에서 상기 기판의 표면을 에칭하는 것을 포함하고(또는 에칭하는 것으로 이루어지고), 상기 플라즈마는 산소 (O) 라디칼을 과량(excess)(또는 과량(surplus))으로 포함하고,
b) 상기 표면 텍스처(surface texture) 상에 제2 드라이 에칭 단계를 행하여, 상기 표면 텍스처를 평활하게 하는 단계이고, 상기 제2 드라이 에칭 단계는 불소 (F) 라디칼을 포함하는(또는 라디칼로 이루어진) 플라즈마 내에서 단계 a) 에 따라 얻어진 표면 텍스처를 화학적 등방성 에칭(chemical isotropic etching)하는 것을 포함하여(또는 에칭하는 것으로 이루어진), 볼록부(spikes)가 오목부(valleys)보다 현저히 빨리 에칭되는 단계를 포함한다(또는 단계로 이루어진다).
바람직하게는, 본 발명의 방법에서, 상기 제1 드라이 에칭 단계를 행하는데 사용되는, 불소 (F) 라디칼 및 산소 (O) 라디칼을 포함하는(또는 라디칼로 이루어진) 플라즈마는 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 포함하는(또는 가스로 이루어진) (부식액) 가스 혼합물에 의해 제공되고, 상기 불소 함유 가스는 SF6, COF2, CF4, NF3, SiF4, N2에 희석된 F2, 또는 이들의 조합을 포함하는(또는 조합으로 이루어진) 것이 바람직하고; 상기 산소 함유 가스는 N2O, O2, 또는 이들의 조합을 포함하는(또는 조합으로 이루어진) 것이 바람직하다.
바람직하게는, 상기 제1 드라이 에칭 단계에 사용되는 불소 함유 가스와 산소 함유 가스 사이의 가스 비율은 (약) 0.2 내지 (약) 1.0, 바람직하게는 (약) 0.3 내지 (약) 0.7, 보다 바람직하게는 (약) 0.4 내지 (약) 0.6이고, 가장 바람직하게는 상기 불소 함유 가스와 상기 산소 함유 가스 사이의 가스 비율이 (약) 0.5이다.
본 발명의 바람직한 방법에 있어서, 상기 제1 드라이 에칭 단계는 SF6 및 N2O를 포함하는(또는 N2O로 이루어진) 혼합물을 포함한(또는 혼합물에 기초한) 플라즈마에서 상기 기판의 표면을 에칭하는 단계를 포함한다(또는 단계로 이루어진다). 이러한 바람직한 방법에 따라서, SF6/N2O 가스 비율은 (약) 0.2 내지 (약) 1.0, 바람직하게는 (약) 0.3 내지 (약) 0.7, 보다 바람직하게는 (약) 0.4 내지 (약) 0.6이고, 가장 바람직하게는 SF6/N2O 가스 비율은 (약) 0.5이다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에 있어서, 상기 제1 드라이 에칭 단계는 (약) 0.5마이크로바(microbar) 내지 (약) 1000마이크로바, 바람직하게는 (약) 50마이크로바 내지 (약) 500마이크로바, 보다 바람직하게는 (약) 50마이크로바 및 (약) 300마이크로바, 더욱 바람직하게는 (약) 250마이크로바 내지 (약) 300마이크로바, 가장 바람직하게는 (약) 300마이크로바가 포함된 동작 압력(working pressure)에서 행해진다.
더욱 바람직하게는, 본 발명의 방법에 있어서, 상기 제1 드라이 에칭 단계는 (약) 500마이크로바보다 낮은 동작 압력에서 행해진다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에 있어서, 상기 제2 드라이 에칭 단계를 행하는데 사용되는, 불소 (F) 라디칼을 포함하는 플라즈마는 불소 함유 가스를 포함하는(또는 가스로 이루어진) (부식액 가스의) 혼합물에 의해 제공되고, 상기 불소 함유 가스는 SF6, COF2, CF4, NF3, SiF4, N2에 희석된 F2, 또는 이들의 조합을 포함하는(또는 조합으로 이루어진) 것이 바람직하다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에 있어서, 상기 제2 드라이 에칭 단계는 희석 가스(diluting gas)를 포함하는 플라즈마 내에서 에칭 단계를 포함하고(또는 단계로 이루어지고), 상기 희석 가스는 Ar, He, Ne, Kr, Xe, 할로겐 원소 함유 가스, 또는 이들의 조합을 포함하는(조합으로 이루어진) 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 상기 희석 가스는 Ar을 포함한다.
바람직한 방법에 따라서, 상기 불소 함유 가스와 상기 희석 가스 사이의 가스 비율은 (약) 0.05 내지 (약) 0.5, 바람직하게는 (약) 0.05 내지 (약) 0.3, 보다 바람직하게는 (약) 0.1 내지 (약) 0.15이고, 가장 바람직하게는 불소 함유 가스와 희석 가스 사이의 가스 비율은 (약) 0.13이다.
본 발명의 바람직한 방법에 따라서, 상기 제2 드라이 에칭 단계는 SF6 및 Ar을 포함하는(또는 Ar로 이루어진) 혼합물을 포함하는(또는 혼합물에 기초한) 플라즈마 내에서 행해진다. 본 발명의 바람직한 방법에 있어서, 상기 SF6/Ar 가스 비율은 (약) 0.05 내지 (약) 0.5, 바람직하게는 (약) 0.05 내지 (약) 0.3, 보다 바람직하게는 (약) 0.1 내지 (약) 0.15이고, 가장 바람직하게는 불소 함유 가스와 희석 가스 사이의 SF6/Ar 가스 비율이 (약) 0.13이다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에 있어서, 상기 제2 드라이 에칭 단계는 (약) 100마이크로바(microbar) 내지 (약) 1000마이크로바, 바람직하게는 (약) 150마이크로바 내지 (약) 500마이크로바, 보다 바람직하게는 (약) 150마이크로바 및 (약) 300마이크로바, 더욱 바람직하게는 (약) 200마이크로바 내지 (약) 300마이크로바, 가장 바람직하게는 (약) 250마이크로바가 포함된 동작 압력(working pressure)에서 행해진다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에 있어서, 상기 제2 드라이 에칭 단계는 제1 드라이 에칭 단계 동안에 사용되는 동작 압력보다 높은 동작 압력에서 행해지고, 바람직하게 상기 제2 드라이 에칭 단계는 (약) 500마이크로바보다 높은 동작 압력, 보다 바람직하게는 (약) 1000마이크로바보다 높은 동작 압력에서 행해진다. 본 발명의 바람직한 방법에 있어서, 상기 제2 드라이 에칭 단계를 행하는데 사용되는, 불소 (F) 라디칼을 포함하는(또는 라디칼로 이루어진) 플라즈마는 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 포함하는(또는 가스로 이루어진) (부식액) 가스의 혼합물에 의해 제공되고, 상기 불소 함유 가스는 SF6, COF2, CF4, NF3, SiF4, N2에 희석된 F2, 또는 이들의 조합을 포함하는(또는 조합으로 이루어진) 것이 바람직하고, 상기 산소 함유 가스는 N2O, O2, 또는 이들의 조합을 포함하는(또는 조합으로 이루어진) 것이 바람직하다.
바람직하게는, 본 발명은 리액터(reactor) 내에서 마이크로파에서 유도된 플라즈마(microwave induced plasma)로 행해지고, 기판을 향해 라디칼을 구속(confinement of radicals)하지 않는다.
다른 실시형태에 따라서, 본 발명은 광전지(photovoltaic cells) 제조를 위해 상기 기재된 방법의 용도에 관한 것이다.
유용하게는, 상기 기재된 방법은 (i-PERC) 광 전지의 제조에 사용된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 기재된 방법에 따라 텍스처링된 기판(substrate textured) 상에 제조된 광전지가 제공된다.
그러나, 본 발명은 특징 및 그 이점과 함께 구성 및 작용 방법에 있어서, 첨부되는 도면을 읽을 때 이하 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다.
도 1은 날카롭고 가파른 볼록부(sharp and steep spikes)와 그 사이의 오목부(valleys)를 포함하는 텍스처를 갖는 표면을 개략적으로 나타냈다.
도 2는 선형 마이크로파 플라즈마 원(linear microwave plasma source) 및 리엑터의 개략도이다.
도 3은 마이크로파 플라즈마 리엑터(microwave plasma reactor)의 동축 시스템(coaxial system)에서 표면 파장의 상호작용을 나타냈다.
도 4는 에칭 시간의 함수로서, SF6/N2O 계 플라즈마에서 플라즈마 에칭 후 단결정성(monocrystalline) FZ(Floatzone) 실리콘 기판의 반사율을 나타냈다.
도 5는 SF6/N2O 계 플라즈마에서 플라즈마 에칭 후 단결정성 실리콘 기판의 SEM 화상을 나타냈다.
도 6은 SF6/N2O 계 플라즈마에서 플라즈마 에칭 후 다결정성(multicrystalline) 실리콘 기판의 SEM 화상을 나타냈다.
도 7은 공정 시간의 함수로서, 본 발명의 하나의 실시형태에 따른 2단계 플라즈마 텍스처링 공정의 다결정성 실리콘 기판의 반사율을 나타냈다.
도 8은 하나의 실시형태의 2단계 플라즈마 텍스처링 공정 후 다결정성 실리콘 기판의 표면 텍스터의 SEM 화상을 나타냈다.
도 9는 300마이크로바에서 SF6/N20 플라즈마로 텍스처된 단결정성 실리콘 표면의 SEM 화상이고(왼쪽 그림), 900마이크로바에서 SF6/N2O 플라즈마로 텍스처된 단결정성 실리콘 표면의 SEM 화상이다(오른쪽 그림).
도 10은 제1 드라이 에칭 단계만을 거친(only received) 전지, 본 발명의 실시형태에 따른 제1 및 제2 드라이 에칭 단계를 거친(received) 전지용 다결정성 실리콘 광전지의 표면에서 측정된 반사율을 나타냈다.
도 11은 제1 드라이 에칭 단계만을 거친(only received) 전지, 본 발명의 실시형태에 따른 제1 및 제2 드라이 에칭 단계를 거친(received) 전지용 다결정성 실리콘 광전지의 측정된 내부 양자 효율(internal Quantum Efficiency)을 나타냈다.
도 2는 선형 마이크로파 플라즈마 원(linear microwave plasma source) 및 리엑터의 개략도이다.
도 3은 마이크로파 플라즈마 리엑터(microwave plasma reactor)의 동축 시스템(coaxial system)에서 표면 파장의 상호작용을 나타냈다.
도 4는 에칭 시간의 함수로서, SF6/N2O 계 플라즈마에서 플라즈마 에칭 후 단결정성(monocrystalline) FZ(Floatzone) 실리콘 기판의 반사율을 나타냈다.
도 5는 SF6/N2O 계 플라즈마에서 플라즈마 에칭 후 단결정성 실리콘 기판의 SEM 화상을 나타냈다.
도 6은 SF6/N2O 계 플라즈마에서 플라즈마 에칭 후 다결정성(multicrystalline) 실리콘 기판의 SEM 화상을 나타냈다.
도 7은 공정 시간의 함수로서, 본 발명의 하나의 실시형태에 따른 2단계 플라즈마 텍스처링 공정의 다결정성 실리콘 기판의 반사율을 나타냈다.
도 8은 하나의 실시형태의 2단계 플라즈마 텍스처링 공정 후 다결정성 실리콘 기판의 표면 텍스터의 SEM 화상을 나타냈다.
도 9는 300마이크로바에서 SF6/N20 플라즈마로 텍스처된 단결정성 실리콘 표면의 SEM 화상이고(왼쪽 그림), 900마이크로바에서 SF6/N2O 플라즈마로 텍스처된 단결정성 실리콘 표면의 SEM 화상이다(오른쪽 그림).
도 10은 제1 드라이 에칭 단계만을 거친(only received) 전지, 본 발명의 실시형태에 따른 제1 및 제2 드라이 에칭 단계를 거친(received) 전지용 다결정성 실리콘 광전지의 표면에서 측정된 반사율을 나타냈다.
도 11은 제1 드라이 에칭 단계만을 거친(only received) 전지, 본 발명의 실시형태에 따른 제1 및 제2 드라이 에칭 단계를 거친(received) 전지용 다결정성 실리콘 광전지의 측정된 내부 양자 효율(internal Quantum Efficiency)을 나타냈다.
이하 상세한 설명에 있어서, 다양한 특정 상세는 본 발명의 완벽한 이해를 제공하고, 특정 실시형태에서 어떻게 실행되는지를 제공하기 위해 설명되었다. 그러나, 본 발명은 이들 특정 상세 이외에도 실행될 수 있는 것으로 이해해야 할 것이다. 본 발명을 모호하게 하지 않기 위해서, 다른 예, 공지 방법, 절차 및 기술은 상세히 기재되지 않았다. 본 발명은 특정 실시형태 및 소정의 도면에 대해 기재하지만, 참조는 여기에 한정되지 않는다. 여기에 포함된 및 기재된 도면은 개략적이고, 본 발명의 범위를 한정하지 않는다. 또한, 일부 요소의 사이즈는 과장될 수 있으므로, 설명적 목적을 위해 크기는 나타내지 않는 것을 말한다.
또한, 상세한 설명에서 제1(first), 제2(second) 등의 용어는 유사한 요소들 사이를 구별하기 위해 사용되고, 일시적으로, 부분적으로, 서열적으로 또는 다른 방법으로 순서를 설명하기 위해 필요한 것은 아니다(not necessarily for describing a sequence, either temporally, spatially, in ranking or in any other manner.). 사용되는 용어는 적당한 조건 하에서 상호 교환할 수 있고, 여기에 기재되는 본 발명의 실시형태는 여기에 기재되거나 설명된 다른 순서 이외에도 운용될 수 있다.
청구항에 사용되는 "포함하는(comprising)"은 그 후에 나열되는 의미를 한정하는 것으로 이해해서는 안되며, 다른 요소 또는 단계를 배재하지 않는다는 것을 나타낸다. 따라서, 언급된 특징, 정수(integers), 단계 또는 요소의 존재를 구체화하는 것으로 이해되어야 하며, 하나 이상의 다른 특징, 정수(integers), 단계 또는 요소 또는 이의 군(groups)의 존재 또는 첨가를 제한하는 것은 아니다.
본 명세서 내의 "하나의 실시형태(one embodiment)" 또는 "실시형태(an embodiment)"란 본 발명의 적어도 하나의 실시형태에 포함되는 실시형태와 연관되어 기재된 특정한 특징, 구조 또는 특성을 의미하는 것이다. 따라서, 본 명세서 내의 다양한 곳에 기재된 "하나의 실시형태(one embodiment)" 또는 "실시형태(an embodiment)"라는 표현은 동일한 실시형태를 모두 언급할 필요는 없지만, 할 수는 있다. 또한, 특정한 특징, 구조 또는 특성은 하나 이상의 실시형태에서, 본 발명으로부터 당업자에 명백하도록 임의의 적합한 방법으로 조합될 수 있다.
마찬가지로, 본 발명의 실례가 되는 실시형태의 기술에 있어서, 본 발명의 다양한 특징은 본 발명을 간소화하기 위해 단일 실시형태, 도면, 또는 설명으로 함께 조합되고, 하나 이상의 다양한 발명의 실시형태의 이해를 돕는다는 것으로 이해되어야 한다. 그러나, 본 발명의 이러한 방법은 청구된 발명이 각 청구항에 명확히 인용되는 것보다 더 많은 특징을 필요로 한다는 의도를 반영하는 것으로 이해되지 않는다. 대신, 이하 청구항을 반영하기 때문에, 발명의 실시형태는 단일의 앞서 기재된 실시형태의 모든 특징보다 적게 기재된다. 따라서, 상세한 설명을 따르는 청구항은 본 발명의 분리된 실시형태로서, 단독으로 각 청구항을 갖는, 상세한 설명에 명백히 포함된다.
또한, 여기에 기재된 일부 실시형태는 다른 실시형태에 포함되는 다른 특징은 아닌 일부를 포함하고, 다른 실시형태의 특징의 조합은 본 발명의 범위 내이어야 하는 것을 의미하고, 당업자에 의해 이해될 수 있는 다른 실시형태를 형성한다. 예컨대, 이하 청구항에서, 임의의 청구된 실시형태는 임의의 조합으로 사용될 수 있다.
또한, 본 설명의 상부(top), 하부(bottom), 위에(over), 아래에(under) 등의 용어는 설명의 목적으로 사용되었으며, 상대적인 위치를 설명하기 위해 필요한 것이 아니다. 사용되는 용어는 적당한 조건하에서 상호 교환되고, 여기에 기재된 본 발명의 실시형태는 여기에 기재되거나 설명된 것과 다른 배향(orientations)에서 운용될 수 있다.
본 발명의 제1 실시형태에 있어서, 기판, 예컨대 실리콘 기판 상에 우수한(또는 개선된) 표면 텍스처를 형성하는(기술에 기재된 방법과 비교하는 경우에) 드라이 에칭 방법을 제공하고, 상기 방법은 하나의 발명의 실시형태에 따라 텍스처된 기판 상에 제조된 광 전지용 개회로 전압(open-circuit voltage) 및 단락 전류 밀도(short-circuit current density) 사이의 우수한(또는 개선된) 균형 및 우수한(또는 개선된) 전기적 성능(electrical performance)을 얻는다.
다른 실시형태에 있어서, 드라이 에칭 후 표면 손상을 제거할 필요가 없다. 다른 실시형태에 있어서, Cl-함유 가스의 필요가 없다.
본 발명의 맥락에 있어서, "단락-전류 밀도(short-circuit current density)"란 대응하는 광 전지의 단위 면적당 로드(load) 또는 저항(resistance)이 없는 외부 회로(external circuit)를 통해 자유롭게 흐르는 전류를 가리키는 것을 의미한다(또는 스퀘어 cm 당 발생되는 단락 전류(short circuit current)).
"개회로 전압(open-circuit voltage)"은 접촉된 외부 로드가 없을 때, 즉 회로가 고장나거나 또는 열려있을 때, 디바이스의 2개의 말단 사이의 전기적 포텐셜의 차(difference of electrical potential)를 가리키를 것을 의미한다.
본 발명의 맥락에 있어서, "내부 양자 효율(internal quantum efficiency)"이란 광 전지에 의해 흡수되는 에너지의 광자(photons)의 수에 대한 광 전지에 의해 수집되는 전하 캐리어(charge carriers collected)의 수의 비율을 가리키는 것을 의미한다.
더욱 구체적으로, 본 발명의 하나의 실시형태에 있어서, 기판의 표면을 텍스처링하는 드라이 에칭 방법이 제공되고, 상기 방법은
a) 상기 기판의 표면 상에 제1 드라이 에칭 단계를 행하여, 요철(spikes and valleys)이 있는 표면 텍스처(surface texture)를 형성하는 단계이고, 상기 제1 드라이 에칭 단계는 불소 (F) 라디칼 및 산소 (O) 라디칼을 포함하는(또는 라디칼로 이루어진) 플라즈마 내에서 상기 기판의 표면을 에칭하는 것을 포함하고(또는 에칭하는 것으로 이루어지고), 상기 플라즈마는 산소 (O) 라디칼을 과량(excess)(또는 과량(surplus))으로 포함하고,
b) 상기 표면 텍스처(surface texture) 상에 제2 드라이 에칭 단계를 행하여, 상기 표면 텍스처를 평활하게 하는 단계이고, 상기 제2 드라이 에칭 단계는 불소 (F) 라디칼을 포함하는(또는 라디칼로 이루어진) 플라즈마 내에서 단계 a) 에 따라 얻어진 표면 텍스처를 화학적 등방성 에칭(chemical isotropic etching)하는 것을 포함하여(또는 에칭하는 것으로 이루어진), 볼록부(spikes)가 오목부(valleys)보다 현저히 빨리 에칭되는 단계를 포함한다(또는 단계로 이루어진다).
본 발명의 맥락에서, "플라즈마 내에서 기판의 표면을 에칭하는(etching the surface of a substrate in a plasma)"이란 기판의 표면을 에칭 단계(또는 에칭하는 동안)를 행할 때, 상기 플라즈마에 노출된다(또는 가해진다(subjected))(부식액 가스(etchant gases)로부터 발생되는 다른 종의 라디칼을 포함함)는 것을 의미한다.
본 발명의 맥락에 있어서, 플라즈마의 라디칼은 상기 플라즈마를 형성하는데 사용되는 (부식액) 가스에 의해 제공되는 것으로 이해해야 한다.
본 발명의 맥락 내에서, "산소 라디칼을 과량으로(excess (or surplus) of oxygen radicals)"란 산소(O) 라디칼과 불소(F) 라디칼 사이의 비율이 1보다 큰 것을 나타내는 것을 의미한다.
불소(F) 라디칼 및 산소(O) 라디칼을 포함하는(또는 라디칼로 이루어진) 플라즈마를 제조하는 것은 당업자의 역량(capabilities) 내이고, 상기 플라즈마는 산소(O) 라디칼을 과량으로 포함한다.
하나의 실시형태에 있어서, 본 발명은 반도체, 예컨대 실리콘, 기판의 표면을 플라즈마 텍스처링하는 방법에 관한 것이고, 상기 방법은 우수한(또는 개선된)(기술에 기재된 방법과 비교하여) 표면 텍스처를 형성한다.
광 전지의 표면을 텍스처링하기 위한 하나의 실시형태의 방법을 사용하는 경우에, 광 전지의, 우수한(또는 개선된) 전기적 성능(electrical performance), 즉 우수한(또는 개선된) 단락-전류 밀도(short-circuit current density) Jsc 및 우수한(또는 개선된) 개회로 전압(open-circuit voltage) Voc는 얻어질 수 있다(기술에 기재된 방법에 비교하여).
표면 손상, 예컨대 이온 충격으로부터 생성된 표면 손상이 없고, 플라즈마 텍스처링 후 표면 손상을 제거할 필요가 없는 것이 상기 방법의 소정의 실시형태의 이점이다.
Cl-함유 가스(Cl-containing gases)가 필요 없다는 것이 본 발명의 하나의 실시형태의 다른 이점이다.
본 발명의 하나의 실시형태는 기판 물질의 다양한 형태, 예컨대 실리콘 기판 물질, 예컨대 단결정성 실리콘(monocrystalline silicon), 다결정성 실리콘(polycrystalline silicon)(결정 입도(grain sizes)가 약 200nm 내지 약 100마이크로미터의 범위내), 다결정성 실리콘(결정 입도가 약 100마이크로미터보다 큰, 예컨대 밀리미터 또는 센티미터), 에피택셜 실리콘(epitaxial silicon) 또는 실리콘 리본(silicon ribbons)이 사용될 수 있다.
본 발명의 하나의 실시형태에 따른 방법은 2개의 연속된 드라이 에칭 단계를 행하는 것을 포함하고, 제1 드라이 에칭 단계는 불소 (F) 라디칼 및 과량의 O 라디칼을 갖는 산소 (O) 라디칼을 포함하는 플라즈마 내에서 상기 기판의 표면을 에칭하여, 요철(spikes and valleys)이 있는 러프(rough)한 표면 텍스처를 형성하는 것을 포함하고, 제2 드라이 에칭 단계는 불소 (F) 라디칼로 화학적 등방성 에칭(chemical isotropic etching)하여, 볼록부(spikes)가 오목부(valleys)보다 현저히 빨리 에칭되어, 표면 텍스처를 평활하게 하는 것을 포함한다.
상기 방법은 표면 손상이 표면의 이온 충격을 피하거나 제한함으로써 억제되는 리엑터에서 행해지는 것이 바람직하다. 상기 방법은, 예컨대 기판에 라디칼을 구속하지 않고 마이크로파에서 유도된 플라즈마로 리엑터 내에서 행해질 수 있다(The method can for example be performed in a reactor with a microwave induced plasma without confinement of radicals to the substrate.).
본 발명의 실시형태에 따른 플라즈마 텍스처링 방법은 적어도 2개의 단계를 포함한다.
제1 단계는 불소 (F) 라디칼 및 과량의 산소 (O) 라디칼을 갖는 산소 (O) 라디칼을 포함하는(즉, 산소 (O) 라디칼 및 불소 (F) 라디칼의 비율이 1보다 큼) 플라즈마 내에서 실리콘 표면을 화학적 에칭하는 것을 포함한다.
이론에 얽매이지 않고(Without wishing to be bound by theory), 이러한 제1 단계에서 평형은 2개의 메카니즘 사이에서 확립되었다고 알려져 있다: (1) 실리콘 및 SiF4의 형성으로 불소 (F) 라디칼의 화학적 반응에 의해 실리콘 표면을 에칭하는 단계; 및 (2) 실리콘 표면 상에 산화된 반응 프러덕트(oxidized reaction product)를 재증착(redeposition)하여, 실리콘 불소 산화물(silicon fluorine oxide)(SiFxOy)층이 국소적으로 형성되는 단계. 실리콘 불소 산화물(SiFxOy)층은 주로 실리콘, 불소 및 산소를 포함하는 층을 말한다. 정수 x 및 y는 층 내에 실리콘, 불소 및 산소의 비율이 고정되지 않은 것을 나타낸다.
반응 프러덕트의 국소적 재증착은 마이크로-마스킹 효과를 야기하여, 텍스처된 표면이 얻어질 수 있다(The local redeposition of reaction products leads to a micro-masking effect such that a textured surface can be obtained). 방법의 제1 단계는 도 1에 도식적으로 나타낸 바와 같이, 날카롭고 가파른 볼록부(peaks or spikes)와 그 사이의 오목부(valleys)가 있는 매우 러프(rough)한 실리콘 표면을 생성한다.
본 발명에 따른 방법의 제1 드리아 에칭 단계는, 예컨대 SF6/N2O-함유 플라즈마 내에서 행해질 수 있다(또는 SF6 및 N2O를 포함하는 혼합물에 의해 제공되는 플라즈마로서 상세한 설명에 언급됨(or otherwise referred to throughout the description as a plasma provided by a mixture comprising SF6 and N2O)).
본 발명에 따른 방법의 제1 드라이 에칭 단계는, 예컨대 SF6/N2O-계 플라즈마 내에서 행해질 수 있다(또는 SF6 및 N2O를 포함하는 혼합물에 기초한 플라즈마로서 상세한 설명에 언급됨(or otherwise referred to throughout the description as a plasma based on a mixture comprising SF6 and N2O)). 다른 혼합물이 사용될 수 있다. 예컨대, SF6은 COF2, CF4, NF3, SiF4 또는 N2에 희석된 F2와 같은 다른 가스로 교체될 수 있고, 및/또는 N2O는 O2에 의해 교체될 수 있다.
SF6 및 N2O 사이의 일반적인 가스 비율은 약 0.2 내지 1.5의 범위내이고, 예컨대 (바람직하게는) 약 0.3 내지 0.7의 범위내이고, 예컨대 (보다 바람직하게는) 약 0.5이다.
압력은 일반적으로 약 0.5마이크로바 내지 1000마이크로바의 범위내이고, 예컨대 (바람직하게는) 약 50마이크로바 내지 500마이크로바의 범위내이고, 예컨대 (보다 바람직하게는) 약 50마이크로바 내지 300마이크로바의 범위내이다.
제1 드라이 에칭 단계의 에칭 시간은 파장, 예컨대 (바람직하게는) 약 600nm 또는 700nm에서 가장 낮은 반사율(the lowest reflectivity)을 얻기 위해 통제될 수 있고, 일반적으로는 약 1 내지 4분의 범위내이다.
본 발명에 따른 방법의 제2 단계는 제1 단계로부터 형성된 뾰족하게 텍스처된 표면의, 라디칼, 예컨대 (바람직하게는) F 라디칼을 사용하여 화학적 등방성 에칭(chemical isotropic etching)하는 것을 포함하고, 상기 에칭에 사용되는 라디칼은 주로 뾰족하게 텍스처된 표면의 볼록부(peaks)와 아주 약간의 볼록부(peaks) 사이의 오목부(valleys)를 에칭하기 위해 통제된다.
불소 (F) 라디칼을 통제(Controlling)하는 단계는 불소 (F) 라디칼 밀도(radical density)를 통제하고, 플라즈마 조성물(plasma composition)을 통제하고 및/또는 동작 압력(working pressure)을 통제하는 것에 기초할 수 있다.
본 발명의 맥락에 있어서, "동작 압력(working pressure)"은 에칭 동안 리엑터(reactor) 내에서의 압력을 말하는 것을 의미한다.
F 라디칼 밀도를 통제하는 단계는, 낮은 F 라디칼 밀도에서, 볼록부(peaks)가 오목부(valleys)보다 빨리 에칭된다는 개연성(probability)이 증가하기 때문에, F 라디칼 밀도(radical density)를 낮추는 것을 포함한다.
플라즈마 조성물을 통제하는 단계는, 예컨대 (바람직하게는) 불활성 기체(inert gas), 예컨대 (바람직하게는) Ar로 플라즈마를 희석하여, 챔버(chamber)(또는 리엑터) 내의 압력을 증가시키고, F 라디칼의 수명(lifetime)을 감소시킨다.
동작 압력(working pressure)을 통제하는 단계는 동작 압력을 증가시키는 것을 포함한다: 높은 동작 압력은 낮은 라디칼 수명과, 오목부로의 F 라디칼의 낮은 투과(penetration)를 야기한다.
본 발명에 따른 방법의 제2 드라이 에칭 단계는 희석 가스(diluting gas), 예컨대 (바람직하게는) Ar을 포함하는 플라즈마 내에서 행해질 수 있다. 예컨대, SF6 및 Ar을 포함하는 가스 혼합물이 사용될 수 있다.
SF6/Ar 가스 비율(gas ratio)은, 예컨대 약 0.05 내지 0.5, 예컨대 (바람직하게는) 약 0.05 내지 0.3의 범위내, 예컨대 (보다 바람직하게는) 약 0.1 내지 0.15의 범위내일 수 있다. 다른 가스 혼합물은 제2 드라이 에칭 단계 동안 사용될 수 있고, 예컨대 SF6은 다른 가스, 예컨대 (바람직하게는) COF2, CF4, NF3, SiF4 또는 N2 에 희석된 F2로 교체될 수 있고, 및/또는 Ar은 비활성 가스, 예컨대 (바람직하게는) He, Ne, Kr, Xe 또는 할로겐 원소 함유 가스(halogen element containing gases)로 교체될 수 있다.
방법의 하나의 실시형태는 리엑터 내에서 실리콘 기판 상에 행해지고, 플라즈마는 마이크로파-전력의 안테나(microwave-powered antennas)에 의해 발생되고, 기판을 향해 플라즈마의 (RF, 전압(voltage), 마그네틱(magnetic),...)이 구속(confinement)되지 않고 사용된다. 그러나, 상기 방법은 다른 공정 조건으로 다른 플라즈마 리엑터 내에서 행해질 수도 있다.
플라즈마가 마이크로파 전력의 안테나에 의해 발생되는, 세콘 반도체(Secon Semiconductor)로부터의 리모트 선형 마이크로파 플라즈마 리엑터 XCD-724(remote linear microwave plasma reactor XCD-724)는 플라즈마 텍스처링 실험을 행하는데 사용된다.
선형 마이크로파 플라즈마 원(linear microwave plasma source)(10) 및 리엑터(20)의 개략도를 도 2에 나타냈다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 진동수 2.45 GHz의 전자기파는 1250 W 마그네트론(magnetron)(11)에 의해 생성되었다. 선형 마이크로파 플라즈마 원(linear microwave plasma source)(10)은 1250W 마그네트론(11), 방위각적으로 대칭인 도파관 캐비티(azimuthally symmetric waveguide cavity)(12), (선형) 컨덕터(conductor)(21), 비전도성 유전체관(non-conducting dielectric tube) (또는 로드)(22), 및 쇼트컷 플레이트(shortcut plate)(13)를 포함한다(도파관-설파트론(waveguide-surfatron)은 도파관 및 동축 선소(coaxial line element)를 포함하는 표면파 발생기이다). 마이크로파는 방위각적으로 대칭인 도파관 캐비티(12)를 따라 전파되고, 스테인레스 스틸 안네타(stainless steel antenna)(또는 (내부) 컨덕터)(21)에 커플링된다. 마그네트론(11)에 마주하는 (도파관) 캐비티(12)의 끝의 쇼트컷 플레이트(13)가 조절되어(마이크로파 파장의 1/4) 도 3에 나타낸 바와 같이 반사된 표면파(reflected surface waves)를 생성한다. 두개의 파장 모두는 도파관(캐비티)(12)(서핑형의 도파관 론처(surfaguide launcher))의 벽에 직각인 (방전(discharge)) (내부) 컨덕터(또는 스테인레스 스틸 안테나)에 놓인다(superposed). (내부) 컨덕터(21)는 비도전성 유전체관(22), 예컨대 세라믹(예컨대 Al2O3)관 또는 로드(rod)(22)의 축에 위치하고, 기판 척(substrate chuck) 상에 실장된다(mounted). 유전체관 또는 세라믹 로드(22)는 대기압에서 압축된 공기에 의해 냉각된다. 플라즈마는 외부 컨덕터를 형성하는 세라믹 로드(22)의 외부에 리엑터(20) 내에서 생성된다. 표면파의 중첩(superposition)은 플라즈마 컬럼 길이(plasma column length)를 최대화하거나 론처의 커플링 효율(coupling efficiency of the launcher)을 최대화하도록 조절하는 것이 바람직하다. (기재된 바와 같은) 실험에 사용되는 플라즈마 원(10)은 2x 마그네트론(11)에 대해 전력화된(powered)(1250W/2.45 GHz) 도파관 캐비티(waveguide cavity)(12)로(와) 통합된 직경 20mm의 2개의 세라믹 로드(ceramic rods)(22)(하나만이 도 2에 도시됨)를 포함한다.
플라즈마는 플라즈마 리엑터(plasma reactor)(20) 내에서, 유전체관(dielectric tubes)(22)의 외부에서 발생된다. 플라즈마를 발생시키는 마이크로파는 내부 컨덕터(21)와 유전체관(22) 사이의 영역에서, 유전체관 주변의 영역에서 주로 표면파(surface waves)로서 전파된다. 이들 마이크로파는 유전체관 주변의 영역에서만 플라즈마 발생을 야기한다. 표면파 영역의 사이즈는 마이크로파 전력에 의해 측정된다. 플라즈마가 발생되는 영역은 전자 분포에 따라 달라지고, 동작 압력(working pressure), 가스 조성물(gas composition) 및 마이크로파 전력(microwave power)에 따라 달라진다. 세라믹 로드(22)를 따라 우수한 균일한 플라즈마 밀도 및 세라믹 로드(22)를 따라 플라즈마 에칭의 우수한 균등성(uniformity)을 얻기 위해, 마주보는 방향에서 2개의 마이크로파 표면파 전파(microwave surface waves propagating)가 제공될 수 있으며, 즉 2개의 마그네트론(11)이 세라믹 로드(22)의 각 끝쪽에서 제공될 수 있다. 도 2에 나타낸 플라즈마 리엑터(20)에 있어서, 라디칼은 특정 영역에 구속되지 않고, 기판은 외부 포텐셜에 의해 편향되지 않는다. 따라서, 존재하는 경우에, 기판 상에서의 이온 충격 손상(ion impact damage)은 매우 한정될 것으로 예상된다.
에칭 실험은 연마된 4" FZ (Floatzone) 실리콘 기판 상에 연속형 마이크로파 플라즈마(continuous mode microwave plasma)로 행해졌다.
SF6/N2O 계 플라즈마(또는 SF6 및 N2O를 포함하는 혼합물에 기초한 플라즈마로서 상세한 설명에 언급된 것)는 가스 비율이 산소 함량을 과량으로 사용된다. 이론에 얽매이지 않고, 산소는 실리콘-불소 에칭 잔여물의 실리콘을 산화시키기 때문에, 불소 라디칼은 실리콘을 에칭한다고 알려져 있다. 이들 산화물은 국소적으로 재-증착(re-deposited)되고, 국소적 및 일시적 마스킹(locally and temporally masking)은 텍스처 형성을 야기할 수 있는 역동적인 평형(dynamic equilibrium)을 야기한다. 플라즈마 에칭 후, 기판의 반사율은 다른 파장으로 에칭 시간의 함수로서 평가된다. 결과는 파장 600nm 및 700nm에 대해서, 파장 범위 400nm 내지 700nm에서의 평균 반사율에 대해서, 도 4에 나타냈다. 나타낸 실시예에 대해서, 최소 반사율은 3' 30" SF6/N2O 에칭 후에 얻어졌다. 최소 반사율(minimum reflectivity)을 얻기 위해 필요한 에칭 시간은, 예컨대 기판의 표면 특성, 예컨대 기판의 최초 러프니스(roughness)에 따라 달라질 수 있다.
그러나, 최소의 반사율을 행하는 것에 기초한(based on achieving the lowest reflectivity) 광 전지용 텍스처링 공정을 최적화하는 공정은 양호한 접근일 수 없다. 게다가, 낮은 반사(low reflection), 낮은 결함 밀도(low defect density) 및 우수한 표면 퀄리티(good surface quality)는 바람직하다. 따라서, 낮은 반사율(및 따라서 우수한 단락 전류 밀도(short-circuit current density)) 및 낮은 표면 재조합 속도(surface recombination velocity)(및 따라서 우수한 개회로 전압(open-circuit voltage)) 사이의 균형을 만들(making a trade-off) 필요가 있다.
도 5(단결정성 실리콘(monocrystalline silicon)) 및 도 6(다결정성 실리콘(multicrystalline silicon))의 SEM 화상에 나타낸 바와 같이, 뾰족한 표면 텍스처를 갖는 매우 러프(rough)한 표면은 SF6/N2O 에칭 공정에 의해 생성되었다. 표면은 날카롭고 가파른 볼록부(peaks or spikes)와 볼록부 사이의 오목부를 포함한다(도 1에 나타낸 바와 같음). 이러한 날카로운 볼록부(peaks)는, 날카롭고 가파른 볼록부(peaks or spikes)가 넓은 실리콘 표면 영역을 야기하고, 높은 표면 재조합(surface recombination) 및 이러한 텍스처로 기판 상에 제조된 광 전지의 개회로 전압(open-circuit voltage)에서의 손실(loss)을 발생시키기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 뾰족한 텍스처는, 텍스처의 날카로운 볼록부에서, n형 도펀트, 예컨대 인의 확산에 의한 이미터를 형성하는 경우에 매우 도프된 영역 또는 데드 레이어가 형성되기 때문에, 이러한 기판 상에 제조된 광 전지의 단락 전류 밀도에서의 손실 및 증가된 캐리어 재조합을 야기하는 것이 바람직하다(A spiky texture is also less desirable because, when forming an emitter by diffusion of an n-type dopant, e.g. phosphorous, at the sharp peaks of the texture, a heavily doped region or dead layer is formed, leading to an increased carrier recombination and a loss in short-circuit current density of photovoltaic cells made on such a substrate.). 이러한 관점에서, 작은 데드 레이어를 야기하는 덜 날카로운 볼록부가 바람직하다. 또한, 금속 핑거(metal fingers)와 텍스처된 표면 사이의 우수한 오믹 접촉을 실현화하는 관점에서, 덜 뾰족한 표면 텍스처가 바람직할 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따른 텍스처링 공정은 2개의 드라이 에칭 단계를 포함한다.
(바람직한) 제1 단계에 있어서, SF6/N2O 플라즈마(또는 SF6 및 N2O를 포함하는 혼합물에 기초한 플라즈마로서 상세한 설명에 언급된 것)는 도 5 및 도 6에 나타낸 바와 같은 뾰족한 표면 구조를 야기하는, 불소 (F) 라디칼에 의한 표면의 화학적 에칭에 사용된다.
제2 플라즈마 에칭 단계에 있어서, 이러한 뾰족한 표면 구조(spiky surface structure)는 불소 (F) 라디칼에 의해 화학적 등방성 에칭에 의해 평활해져 가장 날카로운 볼록부(peaks) 또는 구조를 제거한다.
제2 플라즈마 에칭 단계의 공정 파라미터는, 뾰족한 표면 텍스처(spiky surface texture)의 볼록부(peaks)에서 실리콘이 볼록부 사이에 있는 오목부(valleys)에서 실리콘보다 현저히 빨리 에칭되는 것이 바람직하다.
본 발명의 하나의 바람직한 실시형태에 따라서, 제1 에칭 단계로부터 생성된 뾰족한 표면 텍스처의 화학적 등방성 에칭(chemical isotropic etching)(제2 단계)에 의한 평활화(smoothening)는, 예컨대 SF6/Ar 계 플라즈마(또는 SF6 및 Ar을 포함하는 혼합물에 기초한 플라즈마로서 상세한 설명에 언급된 것)를 사용함으로써 행해질 수 있다.
이론에 얽매이지 않고, 가스, 예컨대 (바람직하게는) Ar으로 플라즈마를 희석하는 단계는, 챔버 압력을 증가시키고, 플라즈마에서 F 라디칼의 수명을 감소시키고, 텍스처의 볼록부가 바람직하게 에칭된다는 높은 개연성 및 F 라디칼이 볼록부 사이의 오목부로 투과된다는 낮은 개연성을 야기한다는 것이 알려져 있다. Ar 대신에, 다른 비활성 가스, 예컨대 He, Ne, Kr, Xe 또는 할로겐 함유 가스가 사용될 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시형태에 따른 2단계의 플라즈마 텍스처링 공정의 다결정성 실리콘 기판에 대한 반사율 측정의 결과를 나타내고, 제2 단계는 공정 시간의 함수로서, SF6/Ar 플라즈마 내에서 행해진다.
제2 플라즈마 에칭 단계는 제1 플라즈마 에칭 단계 후 얻어진 반사율과 비교하여 증가된 반사율을 야기한다는 것을 관찰할 수 있다. 이는 이러한 기판 상에 제조된 광 전지의 단락 전류 밀도(short-circuit current density)의 감소를 야기할 수 있다.
도 8의 SEM 화상에서 볼 수 있듯이, 제2 플라즈마 에칭 단계는 제1 플라즈마 에칭 단계 후 관찰되는 뾰족한 표면 텍스처를 평활하게 한다. 이것이 이러한 기판 상에 제조된 광 전지의 개회로 전압의 증가를 야기할 수 있다는 것을 예상할 수 있다.
본 발명의 실시형태에 있어서, 제1 에칭 단계로부터 생성된 뾰족한 표면 텍스처의 화학적 등방성 에칭(제2 단계)에 의한 평활화(smoothening) 단계는 높은 동작 압력(working pressure), 즉 하나의 실시형태에 따른 방법의 제1 단계에 사용된 동작 압력보다 현저히 높은 동작 압력을 사용함으로써 행해질 수도 있다.
이론에 얽매이지 않고, 높은 동작 압력은 낮은 라디칼 수명, 오목부로의 F 라디칼의 낮은 투과를 야기한다고 알려져 있다.
하나의 실시형태의 2단계 플라즈마 텍스처링 공정은 최적화되어 광전지의 단락 전류 밀도 및 개회로 전압 사이의 최적 균형이 얻어질 수 있다.
도 5 및 도 6에 나타낸 SEM 화상의 관찰은 이하 결론을 이끈다. 제1 SF6/N2O 에칭 단계(즉, SF6 및 N2O를 포함하는 혼합물에 기초한 플라즈마 (또는 내에서) 사용하는 에칭 단계)는 최저의 반사율을 야기할 수 있는 뾰족한 표면 텍스처(spiky surface texture)를 생성한다. 광전지를 사용한 실험에 기초하여, 이러한 뾰족하게 텍스처된 표면은 텍스처되지 않은 광전지(non-textured photovoltaic cells)와 비교하여 단락 전류 밀도 Jsc의 증가를 야기할 수 있지만, 개회로 전압 Voc의 손실(loss)을 야기할 수 있다. 개회로 전압에서의 손실은 텍스처되지 않은 표면과 비교하여 뾰족한 표면 텍스처의 확대된 표면(enlarged surface)과 관련된다. 이어서, 제2 단계, 예컨대 (바람직하게는) SF6/Ar 에칭 단계(즉, SF6 및 Ar을 포함하는 혼합물을 포함하는(또는 혼합물에 기초한) 플라즈마를 (또는 내에서) 사용하는 에칭 단계)는 표면 텍스처를 평활하게 하여 반사율의 증가를 야기한다. 이는 단락 전류 밀도 Jsc.에서 드롭(drop)이 거의 없거나 없는 높은 개회로 전압 Voc (표면의 평활화에 기인한 것)를 야기할 수 있다. Jsc에서의 드롭은 증가된 반사율 때문인 것으로 예상될 수 있지만, 다른 파라미터는 Jsc에 영향을 준다. 예컨대, 더욱 평활한 표면 텍스처는 광전지의 이미터(emitter)에서의 데드 레이어(dead layer)의 감소를 야기할 수 있고, 단락 전류 밀도에 포지티브한(positive) 효과를 줄 수 있다. 최고의 광전지 효율을 얻기 위해 표면 텍스처링 공정을 최적화하는 경우에, 균형(trade-off)은 우수한 Jsc 및 우수한 Voc 사이에서 형성될 수 있다. 이는 2개의 플라즈마 텍스처링 단계의 최적화에 의해 조절되거나 맞춰질 수 있다. 최적화된 텍스처링 공정의 파라미터는 광전지 제조 공정에 사용되는 다른 공정, 예컨대 이미터 확산(emitter diffusion), 표면 패시베이션(surface passivation), ARC(Anti Reflection Coating) 증착 등에 따라 달라질 수 있다.
일련의 실험은 ALBSF(aluminium backside field) 광 전지의 전기적 성능을 연구하기 위해 행해지고, 전면(front surface)은 본 발명의 실시형태에 따른 플라즈마 텍스처링 공정으로 텍스처되고, 뒷쪽에서 후면 필드(back surface field)(BSF)는 실리콘으로 Al 확산에 의해(스크린 인쇄된 페이스트(screen printed paste)로부터) 형성된다.
참조로서, 광전지는 절삭 손상 제거(saw damage removal) 후 텍스처되지 않은 기판(NaOH에서 4분 에칭+HCl에서 10분) 및 이소-텍스처된 기판(CH3CO2H 중 HF 및 HNO3을 포함하는 용액에 기초한 웨트 산성 텍스처(wet acidic texture)) 상에 제조되었다. 이러한 실험에 있어서, 사이즈가 100 mm × 100 mm인 단결정성 실리콘 기판(mono-crystalline silicon substrates) 및 두께가 168마이크로미터 내지 190마이크로미터인 기판, 뿐만 아니라 사이즈가 125 mm × 125 mm인 다결정성 실리콘 기판(multi-crystalline silicon substrates) 및 두께가 129마이크로미터 내지 148마이크로미터인 기판이 사용되었다.
3개의 다른 텍스처링 공정이 사용되었다:
·그룹 1: 본 발명의 실시형태에 따른 SF6/N2O (제1 플라즈마 에칭 단계) + SF6/Ar (제2 플라즈마 에칭 단계). 제1 플라즈마 에칭 단계는 300마이크로바의 압력에서 110초 에칭 시간에 60 sccm SF6/120 sccm N2O 혼합물에 행해졌다. 제2 플라즈마 에칭 단계는 200마이크로바의 압력에서 75초 에칭 시간에 12 sccm SF6/90 sccm Ar 혼합물에 행해졌다.
·그룹 2: 이소-텍스처링(Iso-texturing)(CH3CO2H 중 HF 및 HNO3을 포함하는 용액에 기초한 웨트 산성 텍스처)
·그룹 3: 표면 텍스처링 없는, 절산 손상 제거(Saw damage removal) (SDR) 기판.
표 1은 다른 기판 상에, 다른 텍스처링 공정으로 제조된 광전지의 전류-전압 특성(current-voltage characteristics)을 나타냈다.
표 1에 나타낸 반사율은 파장 700nm에서의 반사율이다. 단결정성 실리콘 기판(mo-Si)을 나타낸 결과는 2개의 전지의 평균값을 나타낸다. 다결정성 기판(mc-Si)을 나타낸 결과는 20개의 전지(그룹 1) 및 6개의 전지(그룹 2)의 평균값을 나타낸다.
본 발명에 있어서, 상세한 설명에 언급된 모든 실험은 표준 시험 조건(STC)하에서 행해졌다는 것을 알아야 한다.
이들 결과로부터, 본 발명의 실시형태에 따라 텍스처된 기판 상에 제조된 광전지는 이소-텍스처링(iso-texturing)(웨트 산성 텍스처(wet acidic texture)) 또는 텍스처되지 않은 전지(non-textured cells)와 비교하여 우수한 결과를 낸다고 결론낼 수 있다.
당업자에게 명백한 바와 같이, FF는 개회로 전압(open-circuit voltage) 및 단락 전류(short-circuit current)가 얼마나 많은지를 표시해주는, 충전률(Fill Factor)이 대응하는 광전지에서의 최대 전력에서 "사용된다(utilized)"는 것을 나타낸다(FF는 개회로 전압 및 단락 전류의 프러덕트에 대한 최대 전력의 비율임).
하나의 실시형태에 따른 2단계의 플라즈마 텍스처링 공정을 거친(received) 기판의 제1 그룹(그룹 I) 및 제1 플라즈마 텍스처링 단계를 거친(received) 기판의 제2 그룹(그룹 II)을 사용하여 다결정성 기판 상에 추가적인 실험이 행해졌다.
제1 플라즈마 텍스처링 단계는 300마이크로바의 압력에서 110초의 에칭 시간에 60 sccm SF6/120 sccm N2O 혼합물에서 행해졌다. 제2 플라즈마 텍스처링 단계(그룹 I에 대해서)는 200마이크로바의 압력에서 30초의 에칭 시간에 12 sccm SF6/90 sccm Ar 혼합물에 행해졌다.
이러한 기판 상에 제조된 광전지의 특성을 표 2에 나타냈다(4개의 전지의 평균값을 나타냄).
표 2의 결과는, 제2 에칭 단계를 행하는 것은 제1 에칭 단계 후 얻어진 반사율과 비교하여 반사율의 증가를 야기한다는 것을 나타낸다.
도 10은 그룹 I(I로 나타낸 것)의 전지 및 그룹 II(II로 나타낸 것)의 파장의 함수로서 측정된 반사율을 나타냈다. 나타낸 실시예에 있어서, 제2 에칭 단계를 행한 후 반사율의 증가는 약 550nm보다 낮은 파장에서 관찰되었다. 또한, 제2 에칭 단계는 개회로 전압(open-circuit voltage)에서의 증가를 야기하지만, 나타낸 실시예에 있어서 증가된 반사율에도 불구하고, 단락 전류 밀도(short-circuit current density)의 감소를 야기하지 않았다.
도 11은 그룹 I(I로 나타낸 것)의 전지 및 그룹 II(II로 나타낸 것)의 파장의 함수로서 측정된 내부 양자 효율(IQE)을 나타냈다. 약 700nm보다 낮은 파장에 있어서, 에칭 단계들(그룹 I)을 거친(received) 전지의 IQE는 단일 에칭 단계(그룹 II)를 거친(received) 전지의 IQE보다 크다.
이론에 얽매이지 않고, 이러한 파장 범위에서 높은 IQE는 제2 에칭 단계에서 생성된 표면의 평활화(smoothening)에 기인한 낮은 표면 재조합 속도(lower surface recombination velocity)와 관련될 수 있다고 알려져 있다. 이러한 낮은 표면 재조합은 개회로 전압의 증가를 야기하고, 단락 전류 밀도에 포지티브한 영향을 줄 수 있다. 상기 기재된 바와 같이, 더욱 평활한 표면 텍스처는 또한 광전지의 이미터에서의 데드 레이어의 감소를 야기하고, 단락 전류 밀도에 포지티브한 영향을 줄 수 있다.
높은 전지 효율(cell efficiency)은 단일 플라즈마 텍스처링 단계를 거친(received) 기판 상에 제조된 전지와 비교하여, 하나의 실시형태의 2단계 공정에 따라 텍스처된 기판 상에 제조된 광 전지에서 얻어진다.
본 발명의 실시형태에 따른 2단계 플라즈마 텍스처링 공정을 사용함으로써, 뒤쪽에 적층(stack)되는 패시베이션(passivation)을 갖는 산업적 i-PERC형 광전지의 사이즈가 125 mm × 125 mm의 다결정성 실리콘 기판, 두께가 129마이크로미터 내지 148마이크로미터의 범위인 기판 상에 제조된다.
태양 전지의 3개의 그룹이 처리되었다:
·그룹 a: 본 발명의 실시형태에 따른 SF6/N2O (제1 플라즈마 에칭 단계) + SF6/Ar (제2 플라즈마 에칭 단계), 및 Al BSF(Back Surface Field). 제1 플라즈마 에칭 단계는 300마이크로바의 압력에서 110초 에칭 시간에 60 sccm SF6/120 sccm N2O 혼합물에 행해졌다. 제2 플라즈마 에칭 단계는 200마이크로바의 압력에서 75초 에칭 시간에 12 sccm SF6/90 sccm Ar 혼합물에 행해졌다.
·그룹 b: 그룹 a와 동일한 플라즈마 텍스처링, 및 후면에 표준 i-PERC 패시베이션 적층(SiOx/SiNx).
·그룹 c: 그룹 a와 동일한 플라즈마 텍스처링, 및 후면에 다른(alternative) i-PERC 패시베이션 적층(Al2O3/SiNx).
이러한 전지의 전류-전압 특성을 FGA (Forming Gas Anneal) 처리를 한 것과 하지 않은 것에 대해서, 표 3에 나타냈다. FGA 처리는 400℃의 온도에서 20분 동안 행해졌다.
그룹 a의 특성은 20개의 광전지의 평균 결과이고, 그룹 b 및 그룹 c는 2개의 전지의 평균을 나타냈다.
이러한 결과로부터, 하나의 실시형태의 2단계 플라즈마 텍스처링 공정은 i-PERC 광전지의 제조 공정에 유용하게 사용될 수 있다고 결론낼 수 있다.
얇은 광전지, 예컨대 에피택셜(epitaxial) 및 박막 다결정성 실리콘 광전지(thin film poly-crystalline silicon photovoltaic cells)를 텍스처링하는데 사용될 수 있다는 것은 하나의 실시형태의 플라즈마 텍스처링 방법의 이점이다.
제1 에칭 단계는 기판 및 뾰족한 표면 텍스처의 반사율을 현저히 감소시킨다.
제2단계에 있어서, 볼록부의 끝(tips)은 에칭되고, 표면 영역은 감소된다.
플라즈마 에칭 단계 모두는 진공 조건(vacuum conditions)을 깨지 않고 동일한 플라즈마 리엑터 내에서 단일 주행(run)으로 행해질 수 있다.
하나의 실시형태에 따른 텍스처링 방법은, 예컨대 대규모 생산 시설(large scale production tools), 예컨대 고출력량, 예컨대 시간당 약 1200 내지 2400 기판의 출력량(throughput)이 가능한 인-라인 시스템(in-line systems)에서 행해질 수 있다. 하나의 실시형태의 방법에 있어서, 불소 가스의 사용이 억제되는 것이 이점이다.
이론에 얽매이지 않고, 불소 (F) 라디칼과 실리콘 사이의 상호작용은 불소 첨가된(fluorinated)(플루오로실릴(fluorosilyl)) 실리콘 표면에 불소 (F) 라디칼의 투과 및 Si-Si의 표면아래의 결합(subsurface bonding)의 파손(breakage)에 기초한다는 것이 알려져 있다. 실리콘과의 F 라디칼 반응 후, 프리 라디칼 SiF2와 SiF2 의 (안정한) 최종 프러덕트를 형성할 수 있다. SiF2는 에칭 프러덕트의 약 5-30%를 형성하는 것으로 추정되며, 대부분은 휘발성이고, 펌핑될 수 있는(can be pumped away) SiF4이다.
본 발명의 실시형태에 따른 공정의 제1 플라즈마 에칭 단계에 있어서, 중요한 파라미터는 F:O 비율(SF6:N2O 비율에 관련됨) 및 동작 압력(working pressure)이다.
이론에 얽매이지 않고, SF6 플라즈마에 첨가되는 산소(예컨대, N2O)는 2개의 다른 효과를 갖는다고 알려져 있다. 제1 효과는 O 라디칼에 의한 SF6 분자 해리(dissociation)의 향상이다. 이러한 SF6 해리의 증가는 더 높은 실리콘 에칭률을 야기한다. 두번째로, 충분한 O2가 첨가되는 경우에, 더 많은 "산화물류(oxide-like)"를 형성하는, 실리콘 표면 상에 O가 화학 흡착되어, 에칭이 감소된다. O2 농도가 낮은 경우에, F-라디칼은 실리콘과 활발하게 반응하고, 어떠한 산화층도 형성되지 않았다. 그러나, O2 농도가 증가된 경우에(즉, SF6/N2O 비율이 낮아, 예컨대 0.5 미만이어서 N2O는 과잉 또는 초과임), SiOx 및/또는 SiFxOy를 포함하는 산화층은 과잉(또는 초과)의 산소 및 실리콘 표면 또는 에칭 프러덕트(etch products)의 화학적 반응에 의해 형성된다. 이러한 산화층의 재증착 및 F 라디칼에 의한 실리콘 에칭은 동시에 일어난다. SiOx와 Si 사이의 에칭 선택성에 기인하여, 러프(rough)한 텍스처가 생성되고, F 라디칼의 에칭 속도는 감소된다. 본 발명의 실시형태에 있어서, 산소는 N2O 가스의 해리로부터 생겨날 수 있다. 에칭 속도는 질소 첨가로 증가될 수 있다. 산소 플라즈마 방전(discharge) 동안, Si, O 및 F를 포함하는 산소(SiFxOy) 층이 형성된다. N2O 해리로부터의 강력한 프러덕트인 NO는 표면에 도달하고, NO2를 형성하기 위해 Si-O 결합을 공격한다. 산소원자의 이러한 제거는 실리콘 원자의 단글링 결합(dangling bond)을 야기한다. 단글링 결합은 F-라디칼과 반응할 수 있다.
이론에 얽매이지 않고, 압력은 본 발명의 하나의 실시형태에 따른 텍스처링 공정의 제1 단계에서 중요한 역할을 한다고 알려져 있다. 낮은 압력에서, 이온 에너지는 더 높다. 따라서, 낮은 압력에서 F 라디칼은 높은 속도로 이동하고, 높은 평균 자유 행로(mean-free path)에 기인하여 더 긴 라디칼 수명을 갖는다. 이들은 실리콘으로의 F-라디칼의 큰 투과(penetration)를 야기할 수 있다. 결과적으로, 가파른 볼록부(spikes)를 갖는 뾰족한 표면 텍스처가 생성될 수 있다.
이론에 얽매이지 않고, 본 발명의 하나의 실시형태의 플라즈마 텍스처링 공정의 제1 단계는 실리콘과 F 라디칼의 화학적 반응에 기초한다고 알려져 있다. 플라즈마에 존재하는 산소는 실리콘-불소 에칭 잔여물(silicon-fluorine etching residues)의 실리콘을 산화하기 때문에, 불소 라디칼은 실리콘을 에칭한다. 이러한 산화물은 국소적으로 재증착(re-deposited)되고, 국소적 및 일시적 마스킹(locally and temporally masking)은 텍스처 형성을 만드는 역동적인 평형(dynamic equilibrium)을 야기한다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에 있어서, 제1 드라이 에칭 단계를 행하는데 사용되는, 불소 (F) 라디칼 및 산소 (O) 라디칼을 포함하는(또는 라디칼로 이루어진) 플라즈마는, 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 포함하는(또는 가스로 이루어진) (부식액) 가스의 혼합물에 의해 제공되고, 상기 불소 함유 가스는 바람직하게는 SF6, COF2, CF4, NF3, SiF4, N2에 희석된 F2, 또는 이들의 조합을 포함하고(또는 조합으로 이루어지고); 산소 함유 가스는 바람직하게는 N2O, O2, 또는 이들의 조합을 포함한다(또는 조합으로 이루어진다). 바람직하게는, 제1 드라이 에칭 단계를 행하는데 사용되는 불소 함유 가스는 SF6, COF2, CF4, NF3, SiF4, N2에 희석된 F2, 또는 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
더욱 바람직하게는, 불소 함유 가스는 SF6으로 선택된다(또는 포함한다).
바람직한 실시형태에 있어서, 제1 드라이 에칭 단계를 행하는데 사용되는 산소 함유 가스는 N2O, O2, 또는 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 더욱 바람직하게는, 산소 함유 가스는 N2O로 선택된다(또는 포함한다).
당업자에 있어서 명백하듯이, (SF6, COF2, CF4, NF3, SiF4, N2에 희석된 F2, 또는 이들의 조합으로 이루어진 군의 원소)와 (N2O, O2, 또는 이들의 조합으로 이루어진 군의 원소) 사이의 조합은 본 발명에 따른 방법의 제1 드라이 에칭 단계를 행하기 위해 본 발명의 맥락에서 사용될 수 있다.
이러한 실례가 되는 조합은 그것에 한정되지 않지만, SF6/N2O, COF2/N2O, CF4/N2O, NF3/N2O, SiF4/N2O, N2/N2O에 희석된 F2, SF6/O2, COF2/O2, CF4/O2, NF3/O2, SiF4/O2, 또는 N2/O2에 희석된 F2를 포함한다.
바람직하게는, 제1 드라이 에칭 단계에 사용되는 불소 함유 가스와 산소 함유 가스의 가스 비율은 (약) 0.2 내지 (약) 1.0, 바람직하게는 (약) 0.3 내지 (약) 0.7, 보다 바람직하게는 (약) 0.4 내지 (약) 0.6이고, 가장 바람직하게는 불소 함유 가스와 산소 함유 가스 사이의 가스 비율은 (약) 0.5이다.
본 발명의 바람직한 방법에 있어서, 제1 드라이 에칭 단계는 SF6 및 N2O를 포함하는(또는 SF6 및 N2O로 이루어진) 혼합물을 포함하는(또는 혼합물에 기초한) 플라즈마 내에서 기판의 표면을 에칭하는 것을 포함한다(또는 에칭하는 것으로 이루어진다).
바람직한 방법에 따라서, SF6/N2O 가스 비율은 바람직하게는 (약) 0.2 내지 (약) 1.0, 바람직하게는 (약) 0.3 내지 (약) 0.7, 보다 바람직하게는 (약) 0.4 내지 (약) 0.6이고, 가장 바람직하게는 SF6/N2O 가스 비율은 (약) 0.5이다.
바람직하게는, 본 발명에 있어서, 제1 드라이 에칭 단계는 (약) 0.5마이크로바 내지 (약) 1000마이크로바, 바람직하게는 (약) 50마이크로바 내지 (약) 500마이크로바, 보다 바람직하게는 (약) 50마이크로바 내지 (약) 300마이크로바, 더욱 바람직하게는 (약) 250마이크로바 내지 (약) 300마이크로바, 가장 바람직하게는 (약) 300마이크로바의 동작 압력에서 행해진다.
더욱 바람직하게는, 본 발명의 방법에 있어서, 제1 드라이 에칭 단계는 (약) (500)마이크로바보다 낮은 동작 압력에서 행해진다.
또한, 바람직하게는, 본 발명의 방법에 있어서, 제1 드라이 에칭 단계는 (약) 150마이크로바 내지 (약) 400마이크로바의 동작 압력에서 행해진다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에 있어서, 제1 드라이 에칭 단계의 에칭 시간은 (약) 60초 내지 (약) 240초, 더욱 바람직하게는 (약) 60초 내지 (약) 150초의 범위내이다.
바람직하게는, 제1 드라이 에칭 단계의 에칭 시간은 (약) 1 내지 (약) 4분(또는 약 60초 내지 약 240초)의 범위내이다.
가장 바람직하게는, 제1 드라이 에칭 단계의 에칭 시간은 (약) 40초 내지 (약) 180초의 범위내이다.
상기 기재된 바와 같이, SF6 및 N2O를 포함하는 가스 혼합물은 제1 드라이 에칭 단계를 행하는데 사용될 수 있지만, 다른 혼합물도 사용될 수 있다. 예컨대, SF6은 COF2, CF4, NF3, SiF4 또는 N2 에 희석된 F2와 같은 다른 가스로 교체될 수 있고, 및/또는 N2O는 O2로 교체될 수 있다.
SF6과 N2O 사이의 일반적인 가스 비율은 약 0.2 내지 1.5의 범위내이고, 바람직하게는 약 0.2 내지 1.0의 범위내이고, 예컨대 (더욱 바람직하게는) 약 0.3 내지 0.7의 범위내이고, 예컨대 (가장 바람직하게는) 약 0.5이다.
챔버 용량에 따른, 총 가스 유량은 바람직하게는 약 50sccm 내지 5000sccm의 범위내이고, 예컨대 총 가스 유량이 약 100sccm 내지 1000sccm의 범위, 예컨대 (바람직하게는) 약 100sccm 내지 300sccm의 범위가 사용될 수 있다.
압력은 일반적으로 약 0.5마이크로바 내지 1000마이크로바의 범위내이고, 예컨대 (바람직하게는) 약 50마이크로바 내지 500마이크로바의 범위내이고, 예컨대 (더욱 바람직하게는) 약 50마이크로바 내지 300마이크로바의 범위내이다.
이러한 제1 단계의 에칭 시간은, 예컨대 약 600nm 또는 700nm의 파장에서 가장 낮은 반사율을 얻기 위해 제어될 수 있고, 일반적으로 약 1 내지 4분의 범위내이다.
하나의 실시형태의 플라즈마 텍스처링 공정의 제2 단계는 F 라디칼과 실리콘의 화학적 반응에 기초한다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에 있어서, 제2 드라이 에칭 단계를 행하는데 사용되는, 불소 (F) 라디칼을 포함하는 플라즈마는, 불소 함유 가스를 포함하는(또는 가스로 이루어진)부식액의 혼합물에 의해 제공되고, 불소 함유 가스는 바람직하게는 SF6, COF2, CF4, NF3, SiF4, N2에 희석된 F2, 또는 이들의 조합을 포함한다(또는 조합으로 이루어진다).
바람직하게는, 제2 드라이 에칭 단계를 행하는데 사용되는 불소 함유 가스는 SF6, COF2, CF4, NF3, SiF4, N2에 희석된 F2, 또는 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 더욱 바람직하게는, 불소 함유 가스는 SF6으로 선택된다(또는 SF6로를 포함한다).
바람직하게는, 본 발명의 방법에 있어서, 제2 드라이 에칭 단계는 희석 가스를 포함하는 플라즈마 내에서 에칭하는 것을 포함하고(또는 에칭하는 것으로 이루어지고), 상기 희석 가스는 바람직하게는 Ar, He, Ne, Kr, Xe, 할로겐 함유 가스, 또는 이들의 조합을 포함한다(또는 조합으로 이루어진다).
더욱 바람직하게는, 희석 가스는 Ar을 포함한다(또는 Ar로 이루어진다). 당업자에 있어서 명백하듯이, (SF6, COF2, CF4, NF3, SiF4, N2에 희석된 F2, 또는 이들의 조합으로 이루어진 군의 원소)와 (Ar, He, Ne, Kr, Xe, 할로겐 함유 가스, 또는 이들의 조합으로 이루어진 군의 원소) 사이의 조합은 본 발명에 따른 방법의 제2 드라이 에칭 단계를 행하기 위해 본 발명의 맥락에서 사용될 수 있다. 이러한 실례가 되는 조합은 그것에 한정되지 않지만, SF6/Ar, COF2/ Ar, CF4/ Ar, NF3/ Ar, SiF4/ Ar, N2에 희석된 F2 / Ar, SF6/Cl2, COF2/He, CF4/Ne, NF3/Kr, SiF4/Xe, 또는 N2에 희석된 F2 /He를 포함한다.
바람직한 방법에 따라서, 불소 함유 가스와 희석 가스 사이의 가스 비율은, 바람직하게는 (약) 0.05 내지 (약) 0.5, 보다 바람직하게는 (약) 0.05 내지 (약) 0.3, 더욱 바람직하게는 (약) 0.1 내지 (약) 0.15이고, 가장 바람직하게는 불소 함유 가스와 희석 가스의 가스 비율은 (약) 0.13이다.
본 발명의 바람직한 방법에 따라서, 제2 드라이 에칭 단계는 SF6 및 Ar을 포함하는(또는 Ar으로 이루어진) 혼합물을 포함하는(또는 혼합물에 기초한) 플라즈마 내에서 행해진다. 본 발명의 이러한 바람직한 방법에 있어서, SF6/Ar 가스 비율은 (약) 0.05 내지 (약) 0.5, 바람직하게는 (약) 0.05 내지 (약) 0.3, 보다 바람직하게는 (약) 0.1 내지 (약) 0.15이고, 가장 바람직하게는 불소 함유 가스와 희석 ㄱ가스 사이의 SF6/Ar 가스 비율은 (약) 0.13이다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에 있어서, 제2 드라이 에칭 단계는 동작 압력 (약) 100마이크로바 내지 (약) 1000마이크로바, 바람직하게는 (약) 150마이크로바 내지 (약) 500마이크로바, 보다 바람직하게는 (약) 150마이크로바 내지 (약) 300마이크로바, 더욱 바람직하게는 (약) 200마이크로바 내지 (약) 300마이크로바, 가장 바람직하게는 (약) 250마이크로바에서 행해진다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에 있어서, 제2 드라이 에칭 단계의 에칭 시간은 (약) 30 내지 400초, 바람직하게는 (약) 30 내지 300초, 보다 바람직하게는 (약) 90 내지 300초, 더욱 바람직하게는 (약) 30초 내지 150초, 가장 바람직하게는 (약) 30초 내지 70초의 범위내이다.
상기 기재된 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 있어서, SF6 및 Ar을 포함하는 가스 혼합물이 사용될 수 있지만, 다른 혼합물도 사용될 수 있다. 예컨대, SF6은 COF2, CF4, NF3, SiF4 또는 N2 에 희석되는 F2 와 같은 다른 가스로 교체될 수 있고, 및/또는 Ar은 He, Ne, Kr, Xe 또는 할로겐 원소 함유 가스와 같은 비활성 가스로 교체될 수 있다.
SF6 가스 유량은, 예컨대 약 10sccm 내지 약 2000sccm의 범위내, 예컨대 (바람직하게는) 약 10sccm 내지 1000sccm의 범위내, 예컨대 (보다 바람직하게는) 약 10sccm 내지 500sccm의 범위내, 예컨대 (더욱 바람직하게는) 약 10sccm 내지 약 100sccm의 범위내일 수 있다.
Ar 가스 유량은, 예컨대 약 50sccm 내지 약 5000sccm의 범위내, 예컨대 (바람직하게는) 약 50sccm 내지 2000sccm의 범위내, 예컨대 (보다 바람직하게는) 약 50sccm 내지 1000sccm의 범위내, 예컨대 (더욱 바람직하게는) 약 50sccm 내지 약 500sccm의 범위내, 예컨대 (가장 바람직하게는) 약 50sccm 내지 200sccm의 범위내일 수 있다.
SF6/Ar 가스 비율은 약 0.05 내지 0.5의 범위내, 예컨대 (바람직하게는) 약 0.05 내지 0.3의 범위내, 예컨대 (보다 바람직하게는) 약 0.1 내지 0.15의 범위내일 수 있다.
압력은 바람직하게는 약 100마이크로바 내지 1000마이크로바의 범위내이다.
일반적인 에칭 시간은 약 30초 내지 400초, 예컨대 (바람직하게는) 약 30초 내지 300초, 예컨대 (보다 바람직하게는) 약 90초 내지 300초의 범위내이다.
제2 플라즈마 텍스처링 단계 동안, 과량의 아르곤 원자는 마이크로파 에너리조 전자 충격에 의해 이온화되어 Ar+ 이온을 형성한다.
이론에 얽매이지 않고, 아르곤은 불소 플라즈마의 해리를 향상시고, Ar 가스와의 희석으로 야기되는 높은 동작 압력에 기인하여 F 라이칼의 수명을 감소시킬 수 있다. Ar+는 실리콘 원자와 화학적으로 반응하지 않는다. 소량의 SF6은 제2 플라즈마 텍스처링 단계 동안 사용된다. F 라디칼은 러프(rough)한 표면에서 실리콘 원자와 등방성 화학적 반응을 갖기 위한 주요 원소로, 뾰족한 표면 텍스처를 평활하게 한다. 에칭률은 표면의 국소적 특성 뿐만 아니라 주변 환경에 따라 달라진다. 예컨대, 제1 플라즈마 텍스처링 단계 후 생성되는 러프(rough)한 표면 상에, "섀도잉(shadowing)" 효과가 일어날 수 있다. 텍스처 표면의 볼록부(peaks)는 더 많은 불소 라디칼을 받아들일 수 있다. 원자는 임의의 각도에서 텍스처 볼록부(peaks or spikes)를 타격하여, 텍스처의 볼록부(peaks)는 오목부(valleys)보다 빨리 에칭된다.
본 발명의 방법의 다른 바람직한 실시형태에 따라서, 제2 드라이 에칭 단계는 제1 드라이 에칭 단계 동안 사용되는 동작 압력보다 높은 동작 압력에서 행해지고, 바람직하게는 제2 드라이 에칭 단계는 (약) 500마이크로바보다 높은, 보다 바람직하게는 (약) 1000마이크로바보다 높은 동작 압력에서 행해진다. 본 발명의 다른 바람직한 방법에 있어서, 제2 드라이 에칭 단계를 행하는데 사용되는, 불소 (F) 라디칼을 포함하는(또는 라디칼로 이루어진) 플라즈마는, 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 포함하는(또는 가스로 이루어진) (부식액) 가스의 혼합물에 의해 제공되고, 상기 불소 함유 가스는 바람직하게는 SF6, COF2, CF4, NF3, SiF4, N2에 희석된 F2, 또는 이들의 조합을 포함하고; 상기 산소 함유 가스는 바람직하게는 N2O, O2, 또는 이들의 조합을 포함한다(또는 조합으로 이루어진다). 이러한 실시형태에 있어서, 제2 드라이 에칭 단계는, 예컨대 SF6/N2O-계 플라즈마 내에서 행해질 수 있다. 다른 혼합물이 사용될 수도 있다. 예컨대, SF6은 COF2, CF4, NF3, SiF4 또는 N2 에 희석되는 F2와 같은 다른 가스로 교체될 수 있고, 및/또는 N2O는 O2로 교체될 수 있다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에 있어서, 제2 드라이 에칭 단계는 (약) 100마이크로바 내지 (약) 1000마이크로바, 바람직하게는 (약) 400마이크로바 내지 (약) 600마이크로바, 보다 바람직하게는 (약) 800마이크로바 내지 (약) 1000마이크로바의 동작 압력에서 행해진다.
다른 실시형태에 있어서, 제2 드라이 에칭 단계 동안 사용되는 동작 압력은 제1 드라이 에칭 단계 동안 사용되는 동작 압력과 실질적으로 유사(또는 동일)하다.
상기 기재된 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 있어서, 제1 에칭 단계로부터 야기되는 뾰족한 표면 텍스처의 화학적 등방성 에칭(제2 단계)에 의해 평활하게 하는 단계는, 예컨대 제1 에칭 단계의 것과 동일한 또는 유사한 플라즈마 조성물을 사용하여, 제1 에칭 단계에 사용되는 동작 압력과 비교하여 높은 동작 압력을 사용함으로써 행해질 수 있다. 이를 설명하기 위해, 플라즈마 텍스처링 실험은 다른 동작 압력에서 행해진다. 압력을 변화시킴으로써, 플라즈마 및 이온의 이동성 및 수명이 변화될 수 있다. 높은 압력에서, 에칭률은 낮고, 표면 텍스퍼는 덜 뾰족하고, 더 스폰지 같아져서(도 9에 나타낸 바와 같음), 높은 반사율을 야기한다. 도 9는 110초의 에칭 시간 동안 300마이크로바에서 SF6/N2O (60/120 sccm)로 텍스처된 다결정성 실리콘 표면의 SEM 화상(왼쪽 사진), 110초의 에칭 시간 동안 900마이크로바에서 SF6/N2O (60/120 sccm)로 텍스처된 다결정성 실리콘 표면의 SEM 화상(오른쪽 사진)을 나타낸다. 뾰족한 텍스처는 300마이크로바에서, 스폰지 같은 텍스처는 900마이크로바에서 관찰될 수 있다.
다른 동작 압력을 사용하는 실험들은 사이즈 125 mm × 125 mm, 두께 129 마이크로미터 내지 148 마이크로미터의 범위내인 다결정성 실리콘 기판 상에서 행해졌다. 모든 전지는 Al BSF 및 FGA로 완성되었다.
시료의 4개의 그룹이 제조되었다.
·그룹 A: 표면 텍스처링 없는, 절삭 손상 제거(saw damage removal)(SDR) 기판;
·그룹 B: 110초 동안 300μbar에서 SF6/N2O (60 sccm / 120 sccm)
·그룹 C: 110초 동안 900μbar에서 SF6/N2O (60 sccm / 120 sccm)
·그룹 D: 110초 동안 300μbar에서 SF6/N2O (60 sccm / 120 sccm)+ 110초 동안 900μbar에서 SF6/N2O (60 sccm / 120 sccm).
전류-전압 특성(그룹 당 4개의 전지의 평균값)은 표 4에 요약했다.
표 4에 나타낸 결과로부터, 그룹 B의 광전지는 가장 낮은 반사율을 보인다고 결론낼 수 있다. 그러나, 이들은 낮은 개회로 전압 때문에, 최고의 전지 효율을 나타내지 않는다. 이는 300마이크로바에서 플라즈마 텍스처링 후 얻어진 뾰족한 표면 텍스처 때문일 수 있다. 이러한 텍스처링 단계가 고압(예컨대, 900마이크로바)에서 제2 플라즈마 텍스처링 단계에 이어지는 경우에, 개회로 전압과 단락 전류 밀도 사이의 우수한 균형이 얻어진다(그룹 D). 상기 결과는 또한 900마이크로바에서 SF6/N2O(그룹 C)를 사용한 단일 플라즈마 텍스처링 단계는 2단계 공정과 비교하여 덜 효율적인 전지를 만든다는 것을 보여준다. 스폰지와 같은(sponge-like) 표면 텍스처를 갖는, 그룹 C의 전지는 상대적으로 높은 반사율을 보여준다.
다른 실시형태에 따라서, 본 발명의 방법은 광전지의 표면을 텍스처링하는데 유용하게 사용될 수 있다.
이는 우수한(또는 개선된) 전기적 성능(기술에 기재된 방법과 비교할 때), 예컨대 단락 전류 밀도와 개회로 전압 사이의 우수한 균형을 갖는 광전지를 생성할 수 있다.
하나의 실시형태에 따라서, 본 발명은 광전지의 제조용으로 상기 기재된 방법의 용도에 관한 것이다.
상기 기재된 방법은 i-PERC 광전지의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 기재된 방법에 따라 텍스처된 기판 상에 제조된 광전지가 제공된다. 예컨대, 광전지는 i-PERC 광전지 형태일 수 있다.
앞선 기술은 본 발명의 소정의 실시형태를 설명한다. 그러나, 아무리 내용에 상세히 나타낸다고 해도, 본 발명은 많은 방법으로 실행될 수 있음을 알아야 한다. 본 발명의 소정의 특징 또는 실시형태를 설명하는 경우에, 특정 용어의 사용은, 용어가 관련되는, 본 발명의 특징 또는 실시형태의 특정 특성을 포함하도록 제한되기 위해 여기서 용어가 재정의되는 것을 의미하는 것으로 이해해서는 안되는 것을 알아야 한다.
상기 상세한 설명에 다양한 실시형태로 적용되도록 본 발명의 새로운 특징을 나타내고, 기재하고, 지적하지만, 다양한 생략, 치환 및 설명되는 장치 또는 공정의 형태 및 상세의 변화가 본 발명의 정신에 벗어나지 않고 당업자에 의해 만들어질 수 있다고 이해해야 한다.
Claims (18)
- 이하 단계를 포함하는 기판의 표면을 텍스처링하는 드라이 에칭 방법(dry etching method)으로서:
a) 상기 기판의 표면 상에 제1 드라이 에칭 단계를 행하여, 요철(spikes and valleys)이 있는 표면 텍스처(surface texture)를 형성하는 단계이고, 상기 제1 드라이 에칭 단계는 F 라디칼(F radicals) 및 O 라디칼(O radicals)을 포함하는 플라즈마 내에서 상기 기판의 표면을 에칭하는 것을 포함하고, 상기 플라즈마는 O 라디칼을 과량으로(excess of O radicals) 포함하고,
b) 상기 표면 텍스처(surface texture) 상에 제2 드라이 에칭 단계를 행하여, 상기 표면 텍스처를 평활하게 하는 단계이고, 상기 제2 드라이 에칭 단계는 F 라디칼을 포함하는 플라즈마 내에서 단계 a) 에 따라 얻어진 표면 텍스처를 화학적 등방성 에칭(chemical isotropic etching)하는 것을 포함하여, 볼록부(spikes)가 오목부(valleys)보다 현저히 빨리 에칭되는, 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 드라이 에칭 단계를 행하는데 사용되는, F 라디칼 및 O 라디칼을 포함하는 플라즈마는, 불소 함유 가스(fluorine comprising gas) 및 산소 함유 가스(oxygen comprising gas)를 포함하는 가스 혼합물에 의해 제공되고, 상기 불소 함유 가스는 SF6, COF2, CF4, NF3, SiF4, N2에 희석된 F2, 또는 이들의 조합을 포함하는 것이 바람직하고; 상기 산소 함유 가스는 N2O, O2, 또는 이들의 조합을 포함하는 것이 바람직한, 방법.
- 제2항에 있어서,
상기 제1 드라이 에칭 단계에 사용되는 불소 함유 가스와 산소 함유 가스 사이의 가스 비율은 0.2 내지 1.0, 바람직하게는 0.3 내지 0.7, 보다 바람직하게는 0.4 내지 0.6이고, 가장 바람직하게는 상기 불소 함유 가스와 상기 산소 함유 가스 사이의 가스 비율이 약 0.5인, 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 드라이 에칭 단계는 SF6 및 N2O를 포함하는 혼합물에 기초한 플라즈마 내에서 상기 기판의 표면을 에칭하는 단계를 포함하는, 방법.
- 제4항에 있어서,
상기 SF6/N2O 가스 비율은 0.2 내지 1.0, 바람직하게는 0.3 내지 0.7, 보다 바람직하게는 0.4 내지 0.6이고, 가장 바람직하게는 SF6/N2O 가스 비율은 약 0.5인, 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 드라이 에칭 단계는 0.5마이크로바(microbar) 내지 1000마이크로바, 바람직하게는 50마이크로바 내지 500마이크로바, 보다 바람직하게는 50마이크로바 및 300마이크로바, 더욱 바람직하게는 250마이크로바 내지 300마이크로바, 가장 바람직하게는 약 300마이크로바가 포함된 동작 압력(working pressure)에서 행해지는, 방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 드라이 에칭 단계는 약 500마이크로바보다 낮은 동작 압력에서 행해지는, 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 드라이 에칭 단계를 행하는데 사용되는, F 라디칼을 포함하는 플라즈마는, 불소 함유 가스를 포함하는 가스 혼합물에 의해 제공되고, 상기 불소 함유 가스는 SF6, COF2, CF4, NF3, SiF4, N2에 희석된 F2, 또는 이들의 조합을 포함하는 것이 바람직한, 방법.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 드라이 에칭 단계는 희석 가스(diluting gas)를 포함하는 플라즈마 내에서 에칭하는 것을 포함하고, 상기 희석 가스는 Ar, He, Ne, Kr, Xe, 할로겐 원소 함유 가스, 또는 이들의 조합을 포함하는 것이 바람직하고; 더욱 바람직하게는 상기 희석 가스는 Ar을 포함하는, 방법.
- 제9항에 있어서,
상기 불소 함유 가스와 상기 희석 가스 사이의 가스 비율은 0.05 내지 0.5, 바람직하게는 0.05 내지 0.3, 보다 바람직하게는 0.1 내지 0.15이고, 가장 바람직하게는 불소 함유 가스와 희석 가스 사이의 가스 비율은 약 0.13인, 방법.
- 제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 제2 드라이 에칭 단계는 SF6 및 Ar을 포함하는 혼합물에 기초한 플라즈마 내에서 행해지는, 방법.
- 제11항에 있어서,
상기 SF6/Ar 가스 비율은 0.05 내지 0.5, 바람직하게는 0.05 내지 0.3, 보다 바람직하게는 0.1 내지 0.15이고, 가장 바람직하게는 불소 함유 가스와 희석 가스 사이의 SF6/Ar 가스 비율이 약 0.13인, 방법.
- 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 드라이 에칭 단계는 100마이크로바(microbar) 내지 1000마이크로바, 바람직하게는 150마이크로바 내지 500마이크로바, 보다 바람직하게는 150마이크로바 및 300마이크로바, 더욱 바람직하게는 200마이크로바 내지 300마이크로바, 가장 바람직하게는 약 250마이크로바가 포함된 동작 압력(working pressure)에서 행해지는, 방법.
- 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 드라이 에칭 단계는 제1 드라이 에칭 단계 동안에 사용되는 동작 압력(working pressure)보다 높은 동작 압력에서 행해지고, 바람직하게는 상기 제2 드라이 에칭 단계는 500마이크로바보다 높은 동작 압력, 보다 바람직하게는 1000마이크로바보다 높은 동작 압력에서 행해지는, 방법.
- 제14항에 있어서,
상기 제2 드라이 에칭 단계를 행하는데 사용되는, F 라디칼을 포함하는 플라즈마는, 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 포함하는 가스의 혼합물에 의해 제공되고, 상기 불소 함유 가스는 SF6, COF2, CF4, NF3, SiF4, N2에 희석된 F2, 또는 이들의 조합을 포함하는 것이 바람직하고, 상기 산소 함유 가스는 N2O, O2, 또는 이들의 조합을 포함하는 것이 바람직한, 방법.
- 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방법은 리액터(reactor) 내에서 마이크로파에서 유도된 플라즈마(microwave induced plasma)로 행해지고, 기판을 향해 라디칼을 구속(confinement of radicals)하지 않는, 방법.
- 광전지(photovoltaic cells) 제조를 위한 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 방법의 용도.
- 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항의 방법에 따라 텍스처링된 기판(substrate textured) 상에 제조된 광전지.
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