KR20110138879A - 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법 - Google Patents

광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법 Download PDF

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KR20110138879A
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Abstract

본 발명은 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법에 관한 것이다.
본 발명의 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법은, 레이져 가공 대상인 판상의 기판 모서리에 형성된 얼라인 마크를 인식하여 절대 좌표를 산출하는 단계; 산출된 상기 절대 좌표를 기준 위치 정보로 저장하는 단계; 상기 판상의 기판에 형성된 가로 방향 또는 세로 방향의 패턴을 따라 복수의 광 픽업 수단을 이동시키는 단계; 상기 복수의 광 픽업 수단을 통해 검출된 상기 패턴의 좌표를 오차 위치 정보로 저장하는 단계; 및 상기 기준 위치 정보와 오차 위치 정보를 비교하여 실제 가공 위치 정보를 수정하는 단계;를 포함하며, 레이져 등을 이용한 기판 가공 속도가 획기적으로 향상되는 작용효과가 발휘될 수 있다.

Description

광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법{Machining error corrector method using optical pick up}
본 발명은 광 픽업을 이용한 오차 수정 방법에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 PCB 또는 웨이퍼 등의 판상 가공물의 레이져 가공 좌표의 오차를 광 픽업을 이용하여 수정함으로써, 레이져 가공 오차를 줄여 레이져 등을 이용한 정밀한 가공이 가능하도록 한 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 인쇄회로기판(PCB)이나 웨이퍼 레벨 모듈의 제작시 컨베이어 벨트 등을 통해 낱장 또는 복수의 기판이나 웨이퍼가 이송되어 각 공정으로 투입되고 있다. 이때, 복수의 기판이나 웨이퍼는 통상적으로 플렉시블한 상태로 각 공정에 공급되고 있으며, 기판을 제작하기 위한 다양한 공정 중에 비아 또는 홀을 형성하거나 단위 기판의 절단 등을 위하여 레이져 가공 공정이 포함된다.
레이져 가공 공정에서는 정확한 위치에서 레이져 가공이 수행되어야만 최종적으로 생산되는 제품의 불량률을 최소화할 수 있는 바, 레이져 가공을 위한 레이져의 조사 위치를 정확히 산출하는 것이 무엇보다 중요한 문제로 대두되고 있다.
레이져 가공 시 종래의 위치 산출 방식으로는 기판 제작 공정 중에 기판 상에 일정한 간격으로 표시된 얼라인 마크를 카메라를 통해 취득된 영상으로부터 인식하고, 인식된 얼라인 마크를 기준으로 레이져 발생기가 위치 이동되어 지정된 위치에 레이져를 조사하여 해당 가공 공정이 진행되도록 한다.
그러나, 기판 제작 공정이나 웨이퍼 레벨 상태에서 공정 진행중인 기판이나 웨이퍼는 판상의 가공물 자체가 플렉시블(flexible)한 상태로 공정 중에 이동됨에 따라 휨이나 늘어짐 또는 뒤틀림 등의 변형이 발생하게 되고, 변형 이후에는 변형된 상태가 지속적으로 유지되면서 최종 공정까지 이동하게 된다.
따라서, 앞서 설명된 얼라인 마크를 비롯한 레이져 가공 위치가 변형된 기판의 실제 위치와 차이가 날 수 밖에 없기 때문에 레이져 가공 위치가 변동되는 문제점이 발생될 수 있으며, 레이져 가공 위치의 변동시 최종 제품의 가공 위치와 다른 위치에 레이져 가공이 이루어지게 됨으로써 최종 제품의 불량률이 증가하는 문제점이 지적될 수 있다.
한편, 상기의 문제점을 조금이라도 해소하기 위해서 기판의 외곽에 표시되는 얼라인 마크 외에 단위 기판 복수개를 몇개의 구획으로 구분 가능한 별도의 인식 마크를 표시하여 공정 중에 기판의 휨이나 늘어짐 발생시 얼라인 마크보다 작은 공간으로 구획된 인식 마크를 부분적으로 다시 인식하여 레이져 가공 위치의 오차를 수정하고 있으나, 국부적인 구획 영역으로 표시된 인식 마크를 일일이 다시 인식하여야 하고 인식된 정보를 통해 매번 가공 오차를 계산하여야만 함으로써, 레이져 가공 시간이 길어지는 단점이 있으며, 기판 제작 공정의 전체적인 공정 시간이 길어져 생산 효율이 저하되는 문제점이 발생되고 있다.
따라서, 본 발명은 종래 기판 제작 공정의 레이져 가공 중에 제기되고 있는 상기 제반 단점과 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 개별 유닛 기판 사이에 가로 또는 세로 방향 배선을 형성하고, 광 픽업에 의해 배선이 인식되어 기판의 변형에 의한 레이져 가공 위치 오차가 실시간으로 이루어지도록 함으로써, 정확한 레이져 가공 위치가 산출되도록 함과 아울러 광 픽업에 의한 오차 수정이 실시간으로 진행됨에 따라 제품 생산 효율이 향상될 수 있는 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법이 제공됨에 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은, 레이져 가공 대상인 판상의 기판 모서리에 형성된 얼라인 마크를 인식하여 절대 좌표를 산출하는 단계; 산출된 절대 좌표를 기준 위치 정보로 저장하는 단계; 판상의 기판에 형성된 가로 방향 또는 세로 방향의 패턴을 따라 복수의 광 픽업 수단을 이동시키는 단계; 상기 복수의 광 픽업 수단을 통해 검출된 상기 패턴의 좌표를 오차 위치 정보로 저장하는 단계; 및 상기 기준 위치 정보와 오차 위치 정보를 비교하여 실제 가공 위치 정보를 수정하는 단계;를 포함하는 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법이 제공됨에 의해서 달성된다.
상기 절대 좌표는 기판 모서리에 형성된 얼라인 마크 이외에 개별 유닛을 일정 구역별로 구획한 별도의 인식 마크가 동시에 인식되어 기준 위치 정보로 활용될 수 있다.
이때, 상기 절대 좌표에 의한 기준 위치 정보는 상기 기판 상에서 카메라(CCD)에 의해 촬상되는 이미지를 통해 취득될 수 있다.
상기 기판에 형성된 패턴은 광 반사가 가능한 금속 패턴으로 형성됨이 바람직하며, 상기 패턴은 서로 평행한 3개의 트랙으로 구성된 금속 패턴으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 패턴은 기판의 테두리부를 따라 형성될 수 있으며, 기판 테두리부의 가로 방향과 세로 방향으로 형성되어 복수의 광 픽업 수단이 각각 가로 방향과 세로 방향으로 이동되면서 패턴의 좌표를 인식하게 된다.
또한, 상기 패턴은 광 픽업 수단을 통해 인식 정확도를 향상시키기 위하여 기판에 형성된 개별 유닛의 사이에 다수개가 형성될 수 있다.
한편, 상기 기준 위치 정보와 오차 위치 정보를 저장하는 단계에서, 카메라(DDC)와 광 픽업 수단을 통해 인식되는 각각의 위치 정보는 광 픽업 수단과 연결된 메모리부에 저장되는 단계를 더 포함하고, 상기 메모리부에 기준 위치 정보와 오차 위치 정보는 연산부를 통해 오차값을 연산하는 단계를 더 포함하며, 상기 연산부를 통해 연산된 오차값에 의해 상기 기판 상에 위치하여 이동되는 기판 가공 수단의 이동 경로가 제어부에 의해서 제어되는 단계를 더 포함한다.
이때, 상기 기판 가공 수단은 상기 패턴의 인식 정보를 따라 상기 기판의 개별 유닛 상에서 이동되는 레이져 또는 기계적 드릴링 장치로 구성될 수 있다.
한편, 상기 광 픽업 수단을 통해 상기 패턴의 좌표를 오차 위치 정보로 저장하는 단계에서, 상기 오차 위치 정보는 3개의 금속 패턴을 통해 반사된 광에 의해서 패턴의 트랙 비트수를 인식하여 광 픽업 수단의 이동된 거리가 환산되는 시그널값과 상기 패턴에 초점에 일치하는지를 판단하는 포커스값 및 상기 패턴의 위치를 지속적으로 감지하여 실제 가공 위치를 실시간으로 추적할 수 있도록 하는 트랙킹값으로 구분될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법은 기판 또는 웨이퍼 등의 판상 가공물의 공정 중 변형이 발생했을 경우 기판에 형성된 가로 또는 세로 방향의 패턴을 광 픽업 수단이 광 센서를 통해 인식하여 트랙킹과 동시에 수정된 오차값이 적용되어 레이져 가공 등이 이루어지도록 함으로써, 기판의 개별 유닛 위치가 변경되어도 변경된 위치에 정확하고 빠른 기판 가공이 수행되는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 가공 오차 방법은 광 픽업 수단을 이용하여 패턴이 인식됨에 따라 감지 신호가 실시간으로 인식되고 패턴의 변형 정도와 이에 따른 개별 유닛의 위치 변동의 감지 속도가 빠르기 때문에 레이져 등을 이용한 기판 가공 속도가 획기적으로 향상되는 작용효과가 발휘될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정이 가능한 기판의 평면도.
도 2는 도 1에 도시된 기판을 통해 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법의 순서도.
도 3은 본 발명에 적용되는 기판에 형성된 패턴의 확대도.
도 4는 본 발명에 따른 오차 수정시 채용되는 광 픽업 수단의 구성도.
도 5는 도 4의 광픽업 수단에 채용되는 감지부의 평면도.
본 발명에 따른 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법의 상기 목적에 대한 기술적 구성을 비롯한 작용효과에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 도면을 참조한 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.
먼저, 도 1은 본 발명에 따른 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정이 가능한 기판의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 기판을 통해 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법의 순서도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 가공 오차 수정방법은 먼저, 판상 가공물인 기판(100)의 모서리에 형성된 얼라인 마크(101)를 인식하여 절대 좌표를 산출(S101)한다.
이때, 기판(100)은 다수의 개별 유닛(110)이 일렬로 배열된 상태로 이루어지며, 기판(100)의 각 모서리부에는 기판 자체를 정위치에 정렬하기 위한 얼라인 마크(101)가 구비될 수 있다.
또한, 기판(100)은 평면 상에 얼라인 마크(101) 외에 복수의 개별 유닛(110)을 일정 구획으로 구분하는 인식 마크(102)가 별도로 형성될 수 있다.
상기 기판(100)의 절대 좌표는 기판(100) 상에 형성된 얼라인 마크(101)를 통해 산출될 수 있으며, 얼라인 마크 이외에 개별 유닛(110)을 일정 구획으로 구분한 별도의 인식 마크(102)를 동시에 인식하여 좀 더 구체적인 절대 좌표를 산출할 수 있다.
이때, 기판(100)의 절대 좌표 산출은 기판 상에서 기판의 정렬 위치를 파악하기 위한 통상의 카메라(CCD)를 통해 촬영되는 이미지를 통해 취득될 수 있으며, 하기에서 설명될 광 픽업 수단을 통해 인식되는 정보를 통해서도 절대 좌표가 산출될 수 있다.
상기 기판(100)에서 산출되는 절대 좌표는 기판(100)을 레이져 등을 이용하여 가공하기 위한 공정 중에서 얼라인 마크(101)와 인식 마크(102)를 인식하여 산출될 수 있으나, 기판(100)의 공정 이송 전 얼라인 마크(101)와 인식 마크(102)의 절대 좌표를 산출하여 기판에 변형이 발생되기 전의 좌표값을 절대 좌표로 산출함이 바람직할 것이다.
판상의 기판(100)에서 추출된 절대 좌표는 기판을 촬영하는 카메라 또는 후술될 광 픽업 유닛과 연결된 메모리부에 기판의 기준 위치 정보로 저장(S102)된다.
상기 절대 좌표가 변환되어 메모리부에 저장된 기준 위치 정보는 이 후에 광 픽업을 통해 추출된 오차 위치 정보와 비교하여 기판(100) 변형 전, 후의 가공 위치에 대한 기준으로 사용되는 정보이다.
다음, 기판(100) 상에는 얼라인 마크(101)의 사이에 가로 방향 또는 세로 방향으로 패턴(120)이 형성될 수 있는 바, 가로 방향 및 세로 방향의 패턴(120)을 따라 복수의 광 픽업 수단(도면 미도시)이 구동(S103)되도록 한다.
이때, 상기 패턴(120)은 광 반사가 가능한 금속 패턴으로 형성됨이 바람직하며, 서로 평행한 3개의 트랙(120a~120c)으로 형성되어 광 픽업 수단을 통해 각각의 금속 트랙(120a~120c) 반사되는 광에 의해 패턴의 인식과 오차 위치 및 패턴을 따라 광 픽업 수단이 이동되도록 하는 트랙킹이 가능하도록 할 수 있다.
이에 대해서는 광 픽업 수단에 대하여 좀 더 구체적으로 도시된 도면을 통해 하기에서 좀 더 자세하게 설명될 것이다.
또한, 상기 패턴(120)은 기판(100) 상에 가로 방향과 세로 방향에 각각 일직선으로 형성되는 바, 기판(100)의 모서리부에 형성된 얼라인 마크(120) 사이의 기판 테두리부를 따라 형성되는 것 외에도 상기 광 픽업 수단을 통해 기판(100) 상에 형성된 개별 유닛(110)의 위치 파악이 정확하게 이루어질 수 있도록 하기 위하여 기판(100)에 형성된 다수개의 개별 유닛(110) 사이에 다수개의 패턴(120)이 상호 교차되게 형성될 수 있다.
상기와 같이 복수의 광 픽업 수단이 가로 또는 세로 방향으로 각각 이동되면서 검출된 패턴의 좌표는 광 픽업 수단과 연결된 메모리부에서 실시간으로 오차 위치 정보로 변환되면서 저장(S104)된다.
즉, 광 픽업 수단에 의해 조사된 광이 상기 금속성의 패턴(110)에 반사되어 감지될 때 기판(100)에 형성된 개별 유닛(110)과 인접한 패턴(120)의 어느 한 트랙(120a, 120c)의 비트수를 인식하여 개별 유닛(110)이 기판의 변형에 의해 이동된 위치를 오차 위치 정보로 추출되도록 한다.
이때, 상기 패턴(120)의 다른 트랙(120a, 120c)에 반사되어 감지되는 광에 의해 변형된 상태의 패턴(120)을 따라 복수의 광 픽업 수단이 개별적으로 구동되고, 상기 메모리부에 저장된 기준 위치 정보를 기준으로 기판(100)의 변형 정도에 대한 개별 유닛(110)의 오차 위치 정보가 광 픽업 수단이 패턴(120)을 따라 이동되면서 연속적이고 실시간으로 메모리부에 저장된다.
이와 같이 메모리부에 저장된 기준 위치 정보와 실시간으로 입력되는 각 개별 유닛(110)의 오차 위치 정보는 메모리부와 연결된 연산부를 통해 실시간으로 연산되며, 연산된 오차값에 의해 기판(100) 상에서 이동되는 기판 가공 수단의 이동 경로가 오차값의 적용에 의해 실제 가공 위치를 지정하는 제어부에 의해서 제어될 수 있도록 한다.
이때, 상기 기판 가공 수단은 광 픽업 수단에서 얻어진 상기 패턴의 인식 정보가 연산된 오차값을 따라 상기 기판의 개별 유닛 상에서 이동되는 레이져 또는 기계적 드릴링 장치로 구성될 수 있다.
마지막으로, 상기 기준 위치 정보와 오차 위치 정보를 비교하여 얻어진 오차값에 의해 변형이 발생된 기판 상에서 개별 유닛(110)의 변형된 위치만큼 이동 위치가 보정되어 기판 가공 수단의 실제 가공 위치가 수정(S105)될 수 있도록 한다.
상기 실시예에서는 판상 가공물 중의 하나인 기판을 예로 들어 광 픽업에 의한 가공 오차 수정방법의 전체적인 공정 순서를 설명하였으나, 이때 판상 가공물의 종류는 기판에 한정되지 아니하고 정확한 위치에 홀이나 비아 등이 형성될 수 있는 판 상의 웨이퍼도 포함될 수 있을 것이다.
이와 같은 순차적 방법에 의해 가공 오차가 수정될 때, 광 픽업 수단과 이를 통해 인식 가능한 기판의 평면 구성도를 통해 기판의 패턴 인식 과정과 오차값 산출 방식을 좀 더 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 적용되는 기판에 형성된 패턴의 확대도이고, 도 4는 본 발명에 따른 오차 수정시 채용되는 광 픽업 수단의 구성도이며, 도 5는 도 4의 광픽업 수단에 채용되는 감지부의 평면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 가공 오차 수정방법에 채용되는 광 픽업 수단(200)은 광원(LD)과 광원에서 조사된 광을 평행광으로 변환하는 평행광 렌즈(210), 평행광을 3개의 빔으로 분리하는 회절격자(220) 및 분리된 빔을 개별적으로 기판(100)의 패턴(120)에 집광시키기 위한 집광 렌즈(230)로 구성될 수 있다.
또한, 광 픽업 수단(200)은 패턴(120)에 반사된 빔이 빔 스플리터(240)에 반사되어 패턴(120)에 인식된 빔의 포커스와 위치 및 트랙킹 여부를 각각 수신하는 감지부(250)가 더 구성될 수 있다.
이때, 상기 감지부(250)는 4분할 CCD 한 개와 2분할 CCD 두 개로 구성되어 상기 기판(100)의 패턴(120)에서 반사된 3개의 빔을 각각 수광하도록 구성된다.
이와 같이 구성된 광 픽업 수단(200)은 광원(LD)에서 조사된 광이 평행광 렌즈(210)를 통해 평행광으로 변환되고, 그 전방의 회절 격자(220)를 통해 3개의 평행한 빔으로 분리되어 집광 렌즈(230)를 통해 기판(100)의 패턴(120)에 집광된다.
상기 패턴(120)은 앞서 설명한 바와 같이 3개의 트랙(120a~120c)으로 구분됨에 따라 집광 렌즈(230)를 통해 집광되는 3개의 빔은 패턴(120)의 각 트랙(12a~120c)에 각각 집광된다. 이때, 패턴(120)은 금속 패턴으로 구성되어 집광되는 광을 반사함에 따라 패턴(120)에 반사된 빔은 다시 집광 렌즈(230)를 통해 광 픽업 수단(200) 내의 빔 스플리터(240)에 반사되어 감지부(250)에 평행광의 형태로 입사된다.
한편, 감지부(250)는 4분할 CCD(251)의 상, 하부에 각각 2분할 CCD(252)가 구비되어 상기 패턴(120)을 형성하는 3개의 트랙(120a~120c)으로부터 반사된 빔을 각각 수광하게 되며, 감지부(250)에서 감지된 신호는 각 CCD가 분할된 a, b, c, d, e, f의 분할 영역에서 전기적 신호로 변환되어 상기 패턴(120)의 트랙(120a~120b)에 대한 비트수를 인식하여 광 픽업 수단의 이동된 거리가 환산되는 시그널값과 상기 패턴(120)의 각 트랙(120a~120b)에 초점에 일치하는지를 판단하는 포커스값 및 상기 패턴(120)의 위치를 지속적으로 감지하여 실제 가공 위치를 실시간으로 추적할 수 있도록 하는 트랙킹값으로 구분되어 수신될 수 있다.
이때, 상기 시그널값은 패턴(120)을 일정 간격으로 구분하여 비트 단위로 신호를 수신받게 되며, 메모리부에 저장된 비트수에 따라 광 픽업 수단(200)의 이동 거리를 환산될 수 있다. 상기 시그널값은 4분할 CCD(251)에서 a, b, c, d 영역의 합으로 구해질 수 있다.
또한, 상기 포커스값은 패턴(120)의 각 트랙(120a~120b) 표면에 광 픽업 수단(200)을 통해 조사되는 빔이 정확하게 포커싱되는지를 판단할 수 있는 신호로서, 초점 조정시의 기준이 0을 나타내게 되고, 4분할 CCD(251)에 수광되는 빔의 형상에 따라 +와 -의 값으로 구분될 수 있다. 이때 광 픽업 수단(200)의 집광 렌즈(230)의 위치를 조정하거나 광 픽업 수단(200) 자체의 위치를 조정하여 초점 조정이 이루어지도록 할 수 있다.
또한, 상기 감지부(250)에서 검출되는 트랙킹값은 패턴(120)의 형성된 방향, 즉 기판(100)에 형성된 패턴(120)의 가로 방향 또는 세로 방향으로 광 픽업 수단(200)이 패턴(120)을 따라 구동될 수 있는 정보로 활용되며, 4분할 CCD(251)의 상, 하부에 위치한 2분할 CCD(252)에 형성된 초점의 위치 관계에 의해 패턴(120)의 변형 정도를 패턴(120)을 따라 광 픽업 수단(200)이 이동하면서 실시간으로 파악할 수 있는 수단으로 활용될 수 있다. 이때, 트랙킹값은 2분할 CCD(252)의 e와 f 영역의 차로 얻어지며, 이와 같이 얻어진 트랙킹값은 오차 위치 정보로 활용됨으로써 기준 위치 정보와 비교하여 실제 가공 위치를 선정할 수 있도록 한다.
이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이나, 이러한 치환, 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
100. 기판 101. 얼라인 마크
102. 인식 마크 110. 개별 유닛
120. 패턴 200. 광 픽업 수단

Claims (9)

  1. 레이져 가공 대상인 판상의 기판 모서리에 형성된 얼라인 마크를 인식하여 절대 좌표를 산출하는 단계;
    산출된 상기 절대 좌표를 기준 위치 정보로 저장하는 단계;
    상기 판상의 기판에 형성된 가로 방향 또는 세로 방향의 패턴을 따라 복수의 광 픽업 수단을 이동시키는 단계;
    상기 복수의 광 픽업 수단을 통해 검출된 상기 패턴의 좌표를 오차 위치 정보로 저장하는 단계; 및
    상기 기준 위치 정보와 오차 위치 정보를 비교하여 실제 가공 위치 정보를 수정하는 단계;
    를 포함하는 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절대 좌표는, 상기 기판 모서리에 형성된 상기 얼라인 마크 이외에 상기 기판에 형성된 개별 유닛을 일정 구역별로 구획한 인식 마크가 동시에 인식되어 상기 기준 위치 정보로 활용되는 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절대 좌표에 의한 상기 기준 위치 정보는 상기 기판 상에서 카메라(CCD)에 의해 촬상되는 이미지를 통해 취득되는 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판에 형성된 패턴은 광 반사가 가능한 금속 패턴으로 형성된 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 패턴은, 서로 평행한 3개의 트랙으로 형성된 금속 패턴으로 형성된 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 패턴은, 상기 기판의 테두리부를 따라 형성되며, 상기 개별 유닛의 사이에 다수개가 교차되게 형성된 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기준 위치 정보와 오차 위치 정보를 저장하는 단계는,
    각각의 위치 정보는 상기 광 픽업 수단과 연결된 메모리부에 저장되는 단계와, 상기 메모리부에 저장된 상기 기준 위치 정보와 오차 위치 정보는 연산부를 통해 오차값을 연산하는 단계와, 상기 연산부를 통해 연산된 상기 각 위치 정보의 오차값에 의해 상기 기판 상에서 이동되는 기판 가공 수단의 이동 경로가 제어부에 의해서 제어되는 단계를 더 포함하는 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판 가공 수단은, 상기 패턴을 통해 인식된 위치 정보를 통해 상기 기판의 개별 유닛 상에서 이동되는 레이져 또는 기계적 드릴링 장치인 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 광 픽업 수단을 통해 상기 패턴의 좌표를 오차 위치 정보로 저장하는 단계에서, 상기 오차 위치 정보는
    상기 패턴을 구성하는 상기 3개의 트랙을 통해 반사된 광에 의해서 상기 패턴의 트랙 비트수를 인식하여 상기 광 픽업 수단의 이동된 거리가 환산되는 시그널값과 상기 패턴에 초점에 일치하는지를 판단하는 포커스값 및 상기 패턴의 위치를 지속적으로 감지하여 실제 가공 위치를 실시간으로 추적할 수 있도록 하는 트랙킹값으로 구분되는 광 픽업을 이용한 가공 오차 수정방법.
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