KR20110127148A - Ｈｒ-ｓｉ 실리콘 기술에서의 필터링 네트워크 - Google Patents

Abstract

본 발명은 적어도 하나의 컷-오프 주파수 fc로 정의되는 HR-Si 실리콘 기술에서의 필터링 네트워크와 관련된 것으로서, 상기 네트워크는 필터링될 신호를 수신하기 위한 입력 터미널 P1 및 필터링된 신호를 전달하기 위한 하나의 출력 터미널 P2를 포함한다.
상기 네트워크는 접지 면에 직접적으로 연결된 제 1 및 제 2 접지 포인트들 Gr1, Gr2와 단부들이 연결된 제 1 접지 라인 M1, 접지 면에 직접적으로 연결된 제 3 및 제 4 접지 포인트들 Gr3, Gr4에 단부들을 통하여 연결된 제 2 접지 라인 M2, 병렬로 연결되고 한쪽 단부를 통하여 두 접지 라인들(L1, L2)중 하나와 연결되고 다른 단부를 통하여 커플링 인덕터들(Ls1, Ls2, Ls3)을 이용하여 그들 사이에 연결되어 전송 영점들을 생성하는 복수의 L/C 공진 소자 Lr1/Cr1, Lr2/Cr2, Lr3/Cr3을 포함한다.
각각의 접지 라인(M1, M2)은 인덕턴스들을 통하여 유도성 소자들(Lm1, Lm2, Lm3)을 형성하고, 네트워크는 적어도 상기의 유도성 소자들(Lm1, Lm2, Lm3)의 일부와 직렬을 이루는 용량성 소자들(Cm1, Cr'1)을 포함하고, 용량성 소자들의 값은 직렬을 이루는 유도성 및 용량성 소자들의 공진 주파수가 대역폭 외부에 있는 주파수에 대응하도록 선택된다.

Description

ＨＲ-ＳＩ 실리콘 기술에서의 필터링 네트워크{FILTERING NETWORK IN HR-SI SILICON TECHNOLOGY}

본 발명은 HR-Si(High Resistance Silicon) 기술과 같은 분야에서의 필터링 네트워크의 구현에 관한 것이다. 본 발명은, 특히, 예를 들어, 모바일 전화망에 대한 GSM 및 UMTS 표준들 및 TV 수신에 대한 DVB-HT 표준들을 수용하는, 다중 표준 터미널들에 관한 것이다.

그러한 필터링 네트워크의 예는 11개의 극점(pole) 및 5개의 전송 영점을 갖는 의사 타원형(pseudo-elliptical) 타입의 기본 저역통과필터이다. 이러한 네트워크는 [462-862] MHz 대역에 자리 잡고 있는 DVB-T 신호가 통과하는 것을 허용하는 것이 가능하며, [890-915] MHz 대역에서 발견되는 GSM 전송 대역을 차단하는 것이 가능하다.

이러한 타입의 필터링 네트워크는 도 1에 설명되어 있다. 당해 네트워크는 대칭적이다. 그 결과, 대칭적으로 위치되는(rank) 소자들은 같은 값들을 갖는다. 상기 네트워크는,

- 입력 포트 P1과 출력 포트 P2 사이에 직렬로 연결된, Ls1, Ls2, Ls3 값들의 커플링 인덕턴스들(coupling inductances) L1 ~ L6,

- 커플링 인덕턴스들 L1 ~ L6의 커넥션 포인트들(connection points) A1 ~ A5와 접지 사이에 병렬로 연결된 Lr1/Cr1, Lr2/Cr2, Lr3/Cr3 값들의 L/C 직렬 공진 소자들

을 포함한다.

인덕턴스들 L1 및 L2의 커넥션 포인트 A1과 접지 사이에는 제 1 공진 소자 Lr1/Cr1가 그에 따라 연결되어 있다. 포인트 A2와 접지 사이에는 제 2 공진 소자 Lr2/Cr2가 그에 따라 연결되어 있고, 포인트 A3과 접지 사이에는 제 3 공진 소자 Lr3/Cr3이 그에 따라 연결되어 있다. 대칭적으로 포인트 A4와 접지 사이에는 공진 소자 Lr2/Cr2가 연결되어 있고, 포인트 A5와 접지 사이에는 그에 따라 공진 소자 Lr1/Cr1이 연결되어 있다. 이런 "L/C 직렬" 소자들은 필터의 선택도(selectivity)를 향상시키기 위하여 컷-오프(cut-off) 주파수에 바로 이웃한 영역에서 전송 영점들을 생성한다.

그러나 전형적인 실시예에 따르면, 필터를 생산하기 위해서, 저가 기판 위로 전사(transfer)되는 FR4 타입의 개별(discrete) L/C 컴포넌트들이 사용되는데, 기판의 하부는 접지 면으로서 기능하며 이런 컴포넌트들의 접지는 금속성 구멍들에 의하여 이루어진다.

RF 소자들을 접지시키는 것은 절대 완전할 수 없고 이런 불완전함은 기생 인덕턴스에 의해 1차수 만큼 모델링될 수 있다는 점이 당업자들에게 알려져 있다. 금속성 구멍들을 통한 접지에 관해서, 인덕턴스의 값은 그 구멍들의 지름 및 이것들의 깊이에 현저하게 의존할 것이다. 이런 접지 기생 인덕턴스들은 기능(function)의 성능들을 주목할만한 정도로 열화시키므로, 이런 경우 이를 감안할 필요가 있으며 설계를 다시 최적화함으로써 이것들을 보상할 필요가 있다. 따라서, 도 1의 필터링 네트워크의 경우, 접지 기생 인덕턴스들의 최소화는 L/C 직렬 공진 소자들을 회로의 하부 접지 면에, 금속성 구멍들을 통해, 직접 연결함으로써 달성될 수 있다.

HR-Si 기술은, 예를 들어 필터들, 발룬들(baluns), 믹서들(mixers) 및 임피던스 변환기들(impedance transformers) 등으로서 설계될 커패시턴스 및 저항 인에이블 완성 기능들과, 예를 들어 자체 인덕턴스들(self-inductances) 등의 수동 기능들의 통합을, 저가격으로 주목할만한 성능들을 가지며 이루는 데에 오늘날 널리 사용된다. 이것은 SIP (System-In-Package)로서 알려진 기술에 기초한 시스템 통합도 가능케 하는데, 여기서 HR-Si 기술은 RLC 소자들의 통합을 제공하는 것뿐만 아니라 시스템을 구성하는 집적 회로들을 다양화하기 위한 지원 및 인터페이스로서의 역할도 한다.

이 성능들은 전형적으로 1000Ωㆍ㎝의 HR-Si(high resistance silicon)의 사용으로 인하여 가능해졌다. 이런 타입의 구조는 하부에 대응하는 한측 상에서 금속성인, 유전율이 11.7 정도(order)이며, 전형적으로 300㎛의 두께를 갖는 HR-Si 기판의 제 1 층을 포함한다. 상부측에 대응하는 다른 측 위에는 금속성 도전체들의 두 개의 층이 겹쳐져 있다. 제 1 금속성 층과 제 2 상부층 사이에는 예를 들어 SiO₂에 기반한 절연층이 자리잡고 있다. 이런 구조는 제 2 상부층 위의 MIM(Metal-Isolation-Metal) 커패시턴스들 및 코일 인덕턴스들이 구현되는 것을 가능하게 한다. 두 개의 층은 금속성 크로싱(crossing)들에 의하여 연결된다. 제 2 금속성 층의 상부측상에는 패시베이션(passivation) 층, 예를 들어 유기적 중합체 BCB(Benzocyclobutene) 층이 자리한다.

그러나, 현재 기술은 금속성 크로싱(crossing)들이 제 1 금속층과, 접지면을 구성하는 HR 실리콘의 하부 사이에 생성되는 것을 가능하게 하지 못한다. 따라서 이것은 LC 소자들이 접지에서 직접, 다시 말해 최단 경로로 연결되도록 하여주지 못한다.

이 한계는, 복잡한 기능들의 특별한 경우에, 예를 들어 접지될 다중 소자를 포함한 고차 필터의 경우에 설계 문제를 일으킬 수 있는데, 그 이유는 기생 소자들이 필터에 대한 이상적인 응답들을 완전히 저하 및 변성킬 수 있는데 그에 대한 해결책이 마땅히 없기 때문이다.

도 2는 상기의 종래 기술에 따른 HR-Si 기술에서의 고 저항 실리콘에서의 수동 필터의 실시예의 단면도를 나타내며, 도 3은 그러한 저역통과필터의 전기적 회로도(electric schema)를 나타낸다. 이런 표준 필터는 입력과 출력 포트 P1과 P2 사이에, 커패시턴스들 Cr1, Cr2, Cr3 및 인덕턴스들 Lr1, Lr2, Lr3로 나타내어지고, 또한 Ls1, Ls2, Ls3의 값들의 커플링 인덕터들과 기생 접지 라인들 M1, M2 사이에 병렬로 삽입된 L/C 직렬 컴포넌트들을 포함한다. 각각 접지 포인트 Gr1, Gr2 및 Gr3, Gr4 사이의 기생 접지 라인들 M1, M2는 인덕턴스들 Lm1, Lm2, Lm3, Lm4에 의해 모델링 되었다.

도 4에 도시된 이건 필터로부터의 전송에서의 응답은 컷-오프 주파수의 시프트뿐만 아니라 전송 영점들의 시프트도 나타낸다. 다른 한편으로 컷-오프 주파수를 초과하는 감쇄는 이상적인 필터의 그것과 비교하면 매우 낮다. 이런 열화들의 세트는 이런 접지 기생 인덕턴스들의 존재 때문이다.

측정할 경우에는 테스트 포인트들이 이용된다. 이건 포인트들은 도 2에 나타난 바와 같이 회로상에 표시되어 있는데, 중심 코어들은 입력 또는 출력 라인상에 있고, 관련된 접지 포인트들은 접지포인트의 말단들에 있다.

공진 소자들 Lr1/Cr1, Lr2/Cr2 및 특히 Lr3/Cr3은 그에 따라 더 이상 최단거리의 접지 포인트들로 조정될 수 없다. 도 2에 나타난 바와 같이 무시할 수 없는 길이의 기생 접지 라인들 Lm1, Lm2, Lm3, Lm4는 따라서 필터 응답을 현저히 변경시키며 또한 보상하기가 어렵다.

본 발명은 수직 접지 크로스들이 산출되지 못하도록 하는 다른 임의의 기술 또는 HR-Si 기술로 설계되었을 경우, 이런 기능의 구성 요소들의 접지 문제를 다룬다.

선행 기술에 알려진 다른 해결 방안들이 이런 문제 해결을 위해 제안되었다. 전형적인 해결 방안은 HR-Si 기술에서의 회로를 전송 기판의 접지면상으로 전사시키는 것이고, 또한 몇 개의 포인트들에서 기생 접지 라인들을 접지면에게 연결하는 것이다. 상기 해결 방법은 도 5에 회로로 도시되어 있는데, 여기에는 여러 개의 접지 도선이라고 알려진 여러 개의 도선이 접지 라인들을 접지면에 연결하여 접지 기생 인덕턴스들의 효과를 제한하는 것을 가능하게 한다.

HR-Si 기술에서의 회로는 플립-칩(flip-chip) 모드로 또한 장착(mount)될 수 있고, 그 후 회로는 전송 회로상으로 리턴(return)되고 볼(ball)들을 이용하여 후자(전송 회로)에 연결된다. 여러 개의 볼이 필터의 정확한 접지를 보장하기 위하여 여기에 필요하다.

선행 기술에 알려진 또 다른 해결 방안은 차동 모드로 필터들을 설계하는 것이다. 상기 해결 방안은 접지를 기준으로 한 필터를 차동 모드의 회로로 변환하는 것에 있다. 차동 필터는, 전체적인 접지 라인에 의해 구성된 대칭축에 따른 비 차동 필터의 복제로부터 이런 경우로 귀결된다. M.L.GRIMA의 논문 "Conception d'un recepteur radiofrequence en technologie integree pour les systemes de radioastronomie du futur"("Design of a radio frequency receiver in integrated technology for future radio-astronomy systems"), 2007년 12월, Universite d'Orleans에서 예시가 제공된다.

상기 해결 방법이 컴포넌트들의 두 배 증가라는 주요 불이익, 및 실리콘 표면의 것으로 인한 불이익을 나타낸다는 것은 분명하다. 더욱이, 신호들을 차동 모드에서 비 차동 모드로 전환하기 위하여 트랜스포머들의 사용을 필요로 한다.

본 발명은 이런 문제에 대하여 이하에서 다른 해결 방안을 제안한다:

적어도 하나의 컷-오프 주파수로 정의되는 실리콘 기술에서의 필터링 네트워크로서:

필터링될 신호를 수신하기 위한 입력 터미널 및 필터링된 신호를 제공하기 위한 출력 터미널,

단부들에 의해 제 1 및 제 2 접지 포인트에 연결된 제 1 접지 라인,

단부들에 의해 제 3 및 제 4 포인트에 연결된 제 2 접지 라인,

상기 입력 터미널과 출력 터미널 사이에 직렬로 연결된 복수의 커플링 인덕턴스,

한쪽 단부에 의해 두 개의 접지 라인 중 하나에 연결되고 다른 단부에 의해 커플링 인덕턴스들의 매개를 통하여 함께 연결되어 전송 영점들을 생성하는, 병렬로 연결된 복수의 LC 공진 소자

를 포함하는 필터링 네트워크.

접지 라인들은 유도성 소자들을 형성하고, 네트워크는 적어도 상기 유도성 소자들의 일부와 직렬인 용량성 소자들을 포함하고, 용량성 소자들의 값은 직렬을 이룬 상기 유도성 및 용량성 소자들의 공진 주파수가 대역폭 외부에 위치한 주파수에 대응하도록 선택된다.

양호하게는, 용량성 소자들은 접지 라인들에 연결된 커패시터들이다.

본 발명의 변형에 따르면 LC 공진 회로들은 접지 라인들 중의 하나 또는 다른 것에 차별 없이 연결될 수 있고 용량성 소자들은 유도성 소자들을 형성하는 접지 라인들의 값들에 적응된다.

양호하게는, HR-Si 실리콘 기술에서 필터링 네트워크가 생산된다.

본 발명은 접지 라인들의 해로운 효과들을 전부 없앨 수 있는 네트워크를 제공한다는 데에 이점을 갖고, 그 결과 이상적인 필터의 응답이 보존되도록 한다.

본 발명에 따른 필터 네트워크는 오직 네 개의 접지 포인트를 갖고, 그 결과 다른 간소화된 기능들과의 상호 연결뿐만 아니라 조립 및 집적화의 가격을 낮추는 것을 가능하게 한다.

접지 라인들의 로케이션은 감소되고, 따라서 다른 기능들의 집적화를 위한 HR-Si 회로상의 공간을 확보케 한다.

본 발명은, 센서를 이용하여 "웨이퍼"상의 필터들의 직접 테스트, 및 최종 크기의 필터에 관한 성능들의 검증을 가능하게 한다.

본 발명에 따른 회로의 가격과 크기는 주목할만큼 감소한다.

전술한 본 발명의 성질들과 이점들 및 기타 사항은, 부가된 도면들을 참조하여 이하의 설명을 읽음으로써 더 확실하게 부각될 것이다:
도 1은 이미 설명한 바와 같이, 11개의 극점을 갖는 의사 타원형 저역통과필터를 나타내고,
도 2는 HR-Si 고저항 실리콘 기술에서의 필터의 실시예의 평면도를 나타내고,
도 3은 접지 기생 인덕턴스들을 포함하는 저역통과필터 네트워크를 나타내고,
도 4는 이상적인 필터의 전송 응답과 비교하여 접지 기생 인덕턴스들이 있는 필터의 전송 응답을 나타내고,
도 5는 접지 도선들을 포함한 HR-Si 고저항 실리콘 기술에서의 필터의 실시예의 평면도를 나타내고,
도 6은 본 발명에 따른 저역통과필터의 네트워크를 나타내고,
도 7은 이상적인 필터의 전송 응답과 비교하여 도 6의 필터의 전송 데시벨(dB) (S(3,4))응답 및 반사(reflection) 데시벨 (S(4,4)) 응답을 나타내고,
도 8은 HR-Si 고저항 실리콘 기술에서의 본 발명에 따른 필터의 실시예의 평면도를 나타내고,
도 9는 접지 도선들을 포함하는 HR-Si 고저항 실리콘 기술에서의 본 발명에 따른 필터들의 실시예의 평면도를 보여준다.
설명을 간단히 하기 위하여, 동일한 기능들을 이행하는 소자들을 지정하기 위하여 이런 도면들에서 동일한 참조부호들이 이용될 것이다.

본 발명의 아이디어는 그에 따라 접지 라인들과 공진상태로 진입하는, 커패시터들을 도입함으로써 접지 라인들의 해로운 효과들을 상쇄함으로써, 전기적 관점에서 그것들을 투명하게 만드는 것이다.

같은 목적으로, 실리콘 회로의 공진기들을 접지시키는 다른 방법이 또한 제안되었다.

제안된 새로운 필터링 네트워크뿐만 아니라 연관된 실리콘 회로는 이하에서 상세하게 설명되었다. 시뮬레이션된 성능들도 발명 사상의 증명을 위해 마찬가지로 제시되었다.

도 5는 본 발명에 따른 11차 저역통과필터 네트워크를 나타낸다.

이것은 앞서 설명된 저역통과필터에 관한 것이지만 본 발명의 원리는 모든 다른 필터들 또는 실리콘 회로 위에 설계된 수동 회로들에도 적용된다.

상기 필터는 대칭적이고 대칭적으로 자리 잡은 소자들은 같은 값들을 갖는다. 이것은 도 1에 설명된 필터와 같이, 입력 포트 P1과 출력 포트 P2 사이에 직렬로 연결된 커플링 인덕턴스들 L1~L6 뿐만 아니라, 커플링 인덕턴스들의 커넥션 포인트들 A1~A5와 접지 라인들인 M1 및 M2 사이에 가해지는 "LC 직렬" 공진 소자들을 포함한다. 그러나, 도 3의 네트워크에 대해서, 공진 소자 Lr3/Cr3은 이제 같은 접지 라인과 두 개의 공진 소자 Lr2/Cr2에 연결된 것을 주목하라. 이런 배열은 접지 기생 인덕턴스 값이 감소되게 한다.

제 1 접지 라인 M1은 접지 도선의 중개에 의해 접지 면으로 연결되는 두 개의 접지 포인트 Gr1, Gr2에 연결된다. 마찬가지로 제 2 접지 라인 M2는 접지 도선의 중개에 의해 접지 면으로 연결되는 두 개의 접지 포인트 Gr3, Gr4에 연결된다. 접지 라인 부분들은 인덕턴스들 Lm1, Lm2, Lm3으로 표시되는 기생 유도성 소자들을 형성한다.

본 발명에 따르면, 커패시턴스 Cm1이 필터의 모든 소자들을 접지로 리턴하는 기생 인덕턴스들 Lm2 각각과 직렬로 도입되었다. 커패시턴스의 값은 거부되어야 할 GSM 대역폭에 가능한 한 근접하게 자리 잡은 주파수에서 Lm2와 공진하도록 하는 식으로 계산된다. 예를 들어, 그리고 표시로서, 이하의 유도성 및 용량성 소자들의 값들이 제시된다:

커플링 인덕턴스들 : Ls1=2.7nH, Ls2=10nH, Ls3=9.1nH

L/C 직렬 소자들 : Lr1=12nH, Lr2=7.5nH, Lr3=7.5nH, Cr'1=2.1pF, Cr2=3.4pF, Cr3=3.5pF, 그리고 기생 인덕턴스 Lm2는 1nH라고 가정하면, 공진을 1.01GHz에서 갖기 위해서 Cm1은 25pF로 고정된다. 따라서 필터의 선택도를 위해 중요한 이런 주파수에서, Cm1과 직렬인 Lm2와 등가 임피던스는 0(null)이고, 입력/출력 접지들은 공진기들 Lr2/Cr2의 단부들로 리턴된다. Lm2 도선의 해로운 효과들은 이렇게 하여 사라진다.

본 발명의 변형에 따르면, 필터의 이런 소자들을 접지로 리턴하는 각각의 기생 인덕턴스들 Lm1에 대해 직렬을 이룬 커패시터가 도입되었다. 커패시턴스의 값은 제 1 공진기의 커패시턴스 Cr1와 통합되고 제 1 소자의 커패시턴스는 이것의 등가인 Cr'1로 대체되었다. 예를 들어 기생 인덕턴스 Lm1이 0.3nH라고 가정하면, Cr'1에 대한 값이 2.1pF인 것이 허용된다.

유리하게는 제 3 공진기 Lr3/Cr3은 제 2 공진기 Lr2/Cr2와 동일한 접지 라인 M2에 연결된다. 이 배열은 커패시턴스 Cm1에 의하여 접지 기생 인덕턴스 값 Lm3이 보상되는 것을 가능하게 한다. 예를 들어, 네트워크가 0.5nH의 등가 기생 인덕턴스 Lm3 와 1.01GHz에서 공진하도록 균형잡힌다.

본 발명은 상응하는 접지 포인트에 연결되고 또한 소자들의 세트를 접지로 리턴하는 기생 인덕턴스 Lm2와 직렬을 이루는 커패시턴스 Cm1을 도입하는 데에 있다.

본 발명의 변형예는 두 개의 인덕턴스 Lm3의 값을 고려하여 Lr3/Cr3의 값을 최적화함으로써 공진기가 처음에 원했던 주파수에서 공진하도록 하는 데에 있다.

도 7에서 나타내고 있는 바와 같이, 이상적인 해결 방안의 것과 비교한 전송 응답은 새로운 네트워크가 기생 접지 라인들의 효과들을 중화시키는 데에 성공한 것을 나타낸다. 반사 응답은 더욱이 필터가 적응이 잘 된 상태로 있다는 것을 보여준다.

도 8 및 9는 HR-Si 실리콘에서의 회로의 가능한 설계를 나타낸다. 도 8과 도 2를 비교해 볼 때, 커패시턴스들 Cm1 및 Cm2가, Lm2 값 접지 기생 인덕턴스들의 극단치(extremity)에게 부가되고 또한 접지 포인트들 Gr1, Gr2와 접속되어 있다. 접지 기생 인덕턴스들 Lm1과 직렬로 또한 등가 커패시턴스 Cr'1이 연결되었다. Lm3 값 접지 기생 인덕턴스들은 제 3 공진기의 커패시턴스 Cr3과 연결된 것으로 도시되어있고 두 개의 커패시턴스 Cr2의 각각은 제각기 제 2 공진기를 형성한다. 접지 기생 인덕턴스들이 용량성 소자들에 의하여 보상될 회로의 다른 다자인들에 대하여 생각해 볼 수 있다. 도 8에서 필터는, 도 4에 의해 나타난 보통의 해결방법이 요구하는 다수의 입력 및 출력 액세스(access) 대신에, 네 개의 접지 포인트들 Gr1, Gr2, Gr3 및 Gr4로부터 접지 도선들을 통하여 접지 면으로의 연결들, 다시 말해 두 개는 입력 액세스에서의 연결이고 두 개는 출력 액세스에서의 연결만을 필요로 하다는 것을 주목할 필요가 있다.

본 발명의 제 2 실시예가 도 10 및 11에 나타나 있다. 도 10은 입력 포트 Term1과 출력 포트 Term2 사이에 직렬로 연결된 커플링 소자들 Ls1, Cs1, Ls2, Cs2를 포함하는 7차 저역통과필터를 보여준다. 값 Lp1/Cp1, Lp2/Cp2와 병렬인 공진 소자들은 접지 라인들의 커플링 소자들의 연결 포인트들 사이에 병렬로 연결되어있다. 앞서 언급한 대로, 접지 라인들은 인덕턴스들 Lm1, Lm2, Lm3으로 표시된 기생 유도성 소자들을 형성한다. 본 발명에 따르면, 소자들의 세트를 접지로 리턴하기 위한 유도성 소자 Lm1에 커패시턴스 Cm1이 직렬로 연결된다(그리고 Cm2는 제각기 Lm2에 연결된다). 커패시턴스들 Cm1 및 Cm2의 값은 각각의 커패시턴스가 거부될 주파수와 가장 가깝게 자리 잡은 주파수에서 연결된 접지 직렬 인덕턴스와 공진하도록 계산된다. Lm1 및 Lm2와 비교하여 여기의 낮은 값 Lm3은 필터의 응답에 있어서 작은 영향(incidence)만을 가질 것이다.

도 10의 필터에 의해 얻은 전송 및 반사의 응답들이 도 11에 도시되어 있다. 전송 응답은 대역폭의 한 부분 및 다른 부분에서 2개의 커패시턴스 Cm1 및 Cm2의 부가 때문에 생성된 전송 영점들을 명확하게 보여준다. 여기서 커패시턴스들의 추가로 인한 접지 라인들의 나쁜 효과들의 보상을 나타내 주고 있다. 이것은 필터의 대역폭에서 매우 낮은 삽입 손실들이 유지될 뿐만 아니라 향상된 주파수 선택도가 달성되는 것을 가능하게 한다.

Claims (3)

1. 적어도 하나의 컷-오프 주파수(fc)로 정의되는 HR-Si 실리콘 기술에서의 필터링 네트워크로서,
   필터링될 신호를 수신하기 위한 입력 터미널(P1) 및 필터링된 신호를 제공하기 위한 출력 터미널(P2)과,
   단부들에 의해 제 1 및 제 2 접지 포인트들(Gr1, Gr2)에 연결된 제 1 접지 라인(M1), 단부들을 통하여 제 3 및 제 4 접지 포인트들(Gr3, Gr4)에 연결된 제 2 접지 라인(M2), 병렬로 연결되고 또한 한 단부를 통해 두 개의 접지 라인(L1, L2)중 하나에 링크되고 또한 다른 단부를 통하여 커플링 인덕터들(Ls1, Ls2, Ls3)에 의해 그들 사이에서 링크되어 전송 영점들을 생성하는 복수의 L/C 공진 소자들 (Lr1/Cr1, Lr2/Cr2, Lr3/Cr3)
   을 포함하고,
   각각의 접지 라인(M1, M2)이 유도성 소자들(Lm1, Lm2, Lm3)을 형성하고, 상기 필터링 네트워크가 유도성 소자들(Lm1, Lm2, Lm3)의 적어도 일부와 직렬을 이루는 용량성 소자들(Cm1, Cr'1)을 포함하고, 상기 용량성 소자들의 값은 직렬을 이루는 유도성 및 용량성 소자들의 공진 주파수가 대역폭 외부에 있는 주파수에 대응하도록 선택되는 것을 특징으로 하는
   필터링 네트워크.
2. 제 1 항에 있어서, 용량성 소자들(Cm1)은 접지 포인트들(Gr1, Gr2)에 연결된 커패시터인 것을 특징으로 하는 필터링 네트워크.
3. 제 1 항에 있어서, 용량성 소자(Cr'1)는 공진 소자의 커패시턴스와 통합되어 값을 변경하는 것을 특징으로 하는 필터링 네트워크.
   

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