KR20110127132A - 다중 전극 유도성 플라즈마 소스에 대한 패시브 파워 분배 - Google Patents

다중 전극 유도성 플라즈마 소스에 대한 패시브 파워 분배 Download PDF

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Abstract

처리 챔버에 있어서 플라즈마의 공간 분배를 제어하기 위한 시스템, 방법 및 장치가 기술된다. 한 예시적 시스템은, 파워가 일차 인턱터에 액티브하게 인가될 때 플라즈마를 여기시키기 위해 배치되는 일차 인덕터; 일차 인덕터를 통과하는 모든 전류가 실질적으로 플라즈마를 통해 일차 인덕터와의 상호 인덕턴스로부터 비롯되도록 상기 일차 인덕터에 근접하여 위치된 적어도 하나의 이차 인덕터; 및 상기 적어도 하나의 이차 인덕터에 결합된 적어도 하나의 종단처리 요소를 포함하고, 상기 적어도 하나의 종단처리 요소는 플라즈마의 공간 분포에 영향을 미치도록 적어도 하나의 이차 인덕터를 통해 전류에 영향을 미친다.

Description

다중 전극 유도성 플라즈마 소스에 대한 패시브 파워 분배{PASSIVE POWER DISTRIBUTION FOR MULTIPLE ELECTRODE INDUCTIVE PLASMA SOURCE}
이 출원은 2009년 2월 2일자 출원된 미국 임시 출원 제61/149,187호(발명의 명칭: PASSIVE POWER DISTRIBUTION FOR MULTIPLE INDUCTIVE PLASMA SOURCE)를 우선권으로 한 출원이다.
본 발명은 일반적으로 플라즈마 처리에 관한 것이다. 특히, 이에 한정되지는 않지만, 본 발명은 다중 전극 유도성 플라즈마 처리 챔버에 파워를 인가하고 분배하기 위한 시스템, 방법 및 장치에 관한 것이다.
유도적으로 결합된 플라즈마 처리 시스템은 에칭 공정 및 화학적 증착 공정을 포함하는 다양한 공정들을 행하기 위해 이용된다.
많은 전형적인 구체 예에 있어서, 챔버에 있어서 플라즈마의 점화를 행하고( 또한 유지하기 위해) 유도성 코일 안테나가 리액티브 챔버 둘레에 감기고 RF 파워에 의해 액티브하게 구동된다.
두 개의 코일 안테나를 구동하기 위해 단일 제너레이터를 이용하도록 한 시스템들이 개발되고 있다. 이들 시스템에 있어서, 제너레이터는 전형적으로 (RF 매칭을 통해) 제1 코일에 결합되고 직렬 커패시터는 상기 제1 코일을 제2 코일에 결합하여 두 개의 코일들 모두 (예컨대, RF 임피던스 매칭을 통해 액티브하게 구동되는) 제너레이터에 의해 액티브하게 구동된다.
도면에 도시된 본 발명의 예시적 실시예는 다음과 같다. 이들 및 다른 실시예는 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용란에 상세히 기술된다. 그러나, 발명의 요약이나 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 기술된 형태에 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 당업자는 특허청구범위에 명시된 바와 같이 발명의 정신 및 관점 내에 들어가는 많은 변형예, 등가물 및 대안적 구성들이 있다는 것을 이해할 것이다.
본 발명의 1 실시예는 처리 챔버에 있어서 플라즈마의 공간 분배를 제어하기 위한 시스템으로 특정될 수 있다. 이 실시예에서의 시스템은, 파워가 일차 인턱터에 액티브하게 인가될 때 플라즈마를 여기시키기 위해 배치되는 일차 인덕터; 일차 인덕터를 통과하는 모든 전류가 실질적으로 플라즈마를 통해 일차 인덕터와의 상호 인덕턴스로부터 비롯되도록 상기 일차 인덕터에 근접하여 위치된 적어도 하나의 이차 인덕터; 및 상기 적어도 하나의 이차 인덕터에 결합된 적어도 하나의 종단처리 요소를 포함하고, 상기 적어도 하나의 종단처리 요소는 플라즈마의 공간 분포에 영향을 미치도록 적어도 하나의 이차 인덕터를 통한 전류에 영향을 미친다.
다른 실시예는 일차 인덕터와 N개의 이차 인덕터들을 포함하는 처리 챔버에 있어서의 공간 분포를 제어하기 위한 방법으로 특정될 수 있다. 상기 방법은, 상기 처리 챔버의 플라즈마를 일차 인덕터로 여기시키고; 상기 일차 인턱터를 플라즈마를 통해 N(N은 1 이상)은 개의 이차 인덕터의 각각에 유도적으로 결합하고; N개의 이차 인덕터의 각각을 통과하는 실질적으로 모든 전류가 플라즈마를 통해 일차 인덕터와 플라즈마를 통한 상호 인덕턴스로부터 비롯되도록 상기 N개의 이차 인덕터의 각각을 종결하는 것을 포함하고, 상기 N개의 이차 인덕터의 각각을 통과하는 전류는 플라즈마의 공간 분포에 영향을 미친다.
본 발명의 또 다른 실시예는 처리 챔버에 있어서의 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 장치로 특정될 수 있다. 상기 장치는, 플라즈마 처리 챔버의 일차 인턱터에 결합되고 플라즈마 처리 챔버의 일차 인턱터에 액티브하게 파워를 인가하도록 구성되는 일차 터미날; 플라즈마 처리 챔버의 대응하는 이차 인턱터에 결합되도록 구성되는 이차 터미날; 및 상기 이차 터미날에 결합되는 종단처리 요소를 포함하고, 상기 종단처리 요소는 이차 유도성 부재를 통해 흐르는 전류의 경로를 제공하도록 배치되고, 상기 이차 인덕터와 상기 종단처리 요소를 통과하는 모든 전류는 실질적으로 일차 인덕터와 플라즈마를 통한 상호 인덕턴스로부터 비롯된다.
본 발명의 각종 목적과 이점 및 보다 완전한 이해를 위해 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도1은 본 발명의 예시적 실시예를 도시한 블록도이다.
도2는 본 발명의 다른 예시적 실시예를 도시한 블록도이다.
도3은 본 발명의 또 다른 예시적 실시예를 도시한 블록도이다.
도4는 도1-3을 참조하여 기술된 실시예와 관련하여 트래버스될 수 있는 방법을 도시한 플로우 챠트이다.
도면을 참조하면, 여러 도면에 걸쳐 유사한 부재들이 동일한 참조 부호로 표시되어 있고, 특히 도1은, 플라즈마 처리 챔버(110)에 있어서의 플라즈마(108)를 점화하고 유지하기 위해 (매치 106을 통해) 제너레이터(104)에 의해 액티브하게 구동되는 일차 코일(102)을 포함하는 유도결합되는 플라즈마 처리 시스템(100)을 도시한다. 도시된 바와 같이, 상기 예시적 시스템(100)은 플라즈마(108)에 유도적으로 결합되는 N개의 이차 코일들 L1- N 을 포함하고, 상기 플라즈마(108)는 일차 코일(102)에 유도적으로 결합된다. 따라서, 상기 이차 코일 L1- N 은 플라즈마(108)를 통해 일차 코일(102)에 유도적으로 결합되어 파워가 플라즈마(108)에 의해 이차 코일 L1- N 에 인가되도록 한다.
도시된 바와 같이, N개의 이차 코일 L1- N 의 각각에는, N개의 이차 코일 L1- N 의 각각을 수동적으로 종단처리(terminate)하는 N개의 패시브 요소들(1121- N )의 대응하는 하나가 결합되어 있다. 이 구성은 액티브하게 구동되는 각각의 코일 L1- N 에 따른 (상기한 바와 같은) 공지 기술과 매우 다르다. 바람직하게, 상기 이차 인턱터들은 액티브하게 구동되지 않기 때문에, 그 이차 코일들은 용이하게 챔버(110) 주위에 위치될 수 있고 플라즈마 공간 균일 제어가 보다 편리하게 달성될 수 있는데 그 이유는 이차 인덕터 L1- N 이 플라즈마(108)를 통해, 일차 코일(102)에 대한 상호 결합에 의해 구동되어, 그에 따라 직접적인 파워 공급의 필요성이 없어지기 때문이다. 다중 이차 코일들은 부가적인 파워 공급의 비용 및 고유의 복잡성으로 인해 다중 직접 파워동작되는 이차 코일을 부가하기 위해 실제적인 것 이상으로 이 방식으로 부가될 수 있다. 이에 따라, 보다 효율적인 비용으로 플라즈마 밀도를 처리할 수 있다.
동작에 있어서, 챔버(110)에 파워를 효율적으로 인가하는 일차 코일(102)에 매치(106)를 통해 파워가 인가되고, 일단 점화되면, 플라즈마(108)는 트랜스포머의 이차 코일로서 동작하며, 플라즈마(108)에 유도되는 전류는 이차 코일 L1- N 에 전류를 유기한다. 즉, 이차 코일 L1- N 에 유기되는 전류는 플라즈마(108)에 전류를 유기하고 이차 코일 L1- N 의 각각에 근접한 영역에 있어서 플라즈마(108)의 밀도에 영향을 미친다.
예시적 실시예에서 가변 커패시터로서 도시한 N개의 패시브 요소들 1121-N은 N개의 코일 L1- N 의 각각을 통한 전류가 레귤레이트되도록 하며; 이에 따라 일차 코일(102)과 N개의 이차 코일 L1- N 의 비가 조절되도록 한다. 따라서, 일차 코일(102)과 이차 코일 L1- N 의 각각에 근접한 영역에서의 플라즈마 밀도가 조절될 수 있다.
제너레이터(104)는 13.56 MHz 제너레이터일 수도 있으나, 이는 반드시 필수적인 것은 아니고, 다른 주파수들의 것이 고려될 수도 있다. 또한 매치(106)는 다양한 매치 네트워크 구성에 의해 실현될 수도 있다. 당업자는. 매치(106)가 제너레이터(104)에 플라즈마(108)의 부하를 매칭시키기 위해 사용된다는 것을 이해할 것이다. (도1에 도시한 바와 같이 제너레이터 외측 또는 그 내부에) 매칭 네트워크(106)의 정확한 설계에 의해, 부하의 임피던스를 제너레이터의 소망 부하 임피던스에 근접한 값으로 변환하는 것이 가능하다.
도2를 참조하면, 패시브 요소(예컨대, 가변 커패시터)와 매치 모두 동일한 하우징(220) 내에 위치되는 예시적 실시예를 도시한다. 도시된 바와 같이, 하우징(220)에 또는 그 부근에, 제너레이터(204)를 (매치 206과 일차 터미날 221을 통해) 일차 코일(202)에 결합하는 제1 출력 도체(222)에 결합되는 일차 터미날(221)이 존재한다. 또한, 하우징(220)에 또는 그 부근에 위치된 이차 코일(223)이, 패시브 종단처리 요소(212)와 이차 터미날(223)을 이차 코일(213)에 결합하는 제2 출력 도체(224)에 결합된다. 또한, (본 명세서에서 콘트롤러로도 지칭되는) 제어부(226)가, 제1 센서(232) 및 제2 센서(234)(예컨대 전류 트랜스듀서)로부터 각각 제1 출력 도체(222) 및 제2 출력 도체(224)에 있어서의 전류 레벨을 나타내는(예컨대, 코일들 202, 213에 근접한 영역에 있어서의 플라즈마 108의 밀도를 나타내는) 신호들(228, 230)을 수신하도록 배치된다. 제어부(226)는 또한 패시브 소자(212)(예컨대, 가변 커패시터)의 값(예컨대, 커패시턴스)을 제어하도록 배치된다.
도2에 도시된 실시예의 변형예로서, 전류 센서(232,234) 대신(또는 전류 센서 323,234에 부가하여), (하우징 220 내측 또는 외측에) 다른 감지 구성들이 코일(213)에 매우 근접하여 플라즈마의 밀도의 지시를 제공하도록 사용될 수도 있다. 예컨대, 플라즈마 특성(예컨대, 플라즈마 밀도)을 감지하기 위해 광학 센서들이 사용될 수도 있다.
도2에 도시된 구성들은 논리적인 것으로 하드웨어 도면을 의미하지는 않는다. 예컨대, 제어부(226) 및 센서들(232,234)은 분포된 구성들에 의해 각각 실현될 수 있으며, 또한 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어 또는 이들의 조합에 의해 구현될 수도 있다. 도2에 도시된 실시예의 많은 변형예에 있어서, 감지된 전류 레벨들은 디지털 표현으로 변환되며, 콘트롤러(226)는 패시브 요소(212)를 구동하도록 제어 신호(235)를 발생하기 위한 전류 신호(228,230)의 디지털 표현을 사용한다. 또한, 매치(206)는 제어부(226)에 의해 제어될 수도 있고 별도로 제어될 수도 있다.
또한 설명의 편의를 위해, 단지 하나의 이차 코일(213)과 하나의 패시브 종단처리 요소(212)를 도시했으나, 둘 이상의 이차 코일들(213)이 둘 이상의 패시브 종단처리 요소(212)와 연관되어(에컨대, 둘 이상의 패시브 종단처리 요소 212가 매치와 함께 수납) 구현될 수도 있음을 인식해야 할 것이다.
동작에 있어서, 제어레이터(204)는 매치(206)를 통해 일차 코일(202)에 파워를 인가하고 (제1 센서 232에 의해 감지되는) 일차 코일(202)의 전류는 플라즈마(108)에서 전류를 유기하며 이는 다시 이차 코일(213)에 있어서 전류를 유기한다. 또한, 제2 코일(213) 및 그에 따라 제2 출력 도체(224) 및 제2 터미날(223)을 통해 흐르는 전류는 제2 센서(234)에 의해 감지된다. 도1을 참조하여 기술된 바와 같이, 종래 구체 예와 달리, 이차 코일(213)에 의해 플라즈마(108)에 인가되는 파워는 일차 코일(202)을 통해 흐르는 전류로부터 유도된다. 보다 상세히 설명하면, 이차 코일(212)은 플라즈마(108)를 통해 일차 코일(202)로부터 파워를 얻는다.
제어부(226), 센서들(232,234) 및 패시브 요소(들)(212)는 집합적으로, 플라즈마의 거동(예컨대, 플라즈마의 공간 분포)를 제어하기 위해 콘트롤 시스템을 형성한다. 이 실시예에서의 제어부(226)는 일차 코일(202) 및 이차 코일(213)에 있어서의 상대 전류 레벨에 응답하여, 일차 코일(202)과 이차 코일(213) 간의 전류의 비가 챔버(210) 내의 소망 플라즈마 밀도 프로파일에 대응하는 값에 있도록 패시브 요소(212(예컨대, 가변 커패시터)의 값(예컨대, 커패시턴스)를 변경하도록 구성된다. 비록 도시되지는 않았지만, 제어부(226)는 사용자가 피드백을 수신할 수 있고 플라즈마(108)의 제어를 용이하게 하기 위해 맨-머신 인터페이스(예컨대, 디스플레이 및 입력 콘트롤)를 포함할 수도 있다.
다음, 도3을 참조하면, 패시브 종단처리 요소가 챔버에 매우 근접하여 별도의 하우징(매치 및 콘트롤러로부터 분리)에 구현되는 다른 실시예를 도시한다. 본 실시예에서의 구성들은 도2에 나타낸 구성들과 실질적으로 유사한 방식으로 동작하나, 패시브 요소(312)는 별도의 수단으로서 구현되거나 또는 챔버(310)와 통합될 수도 있다.
다음 도4를 참조하면, 처리 챔버(예컨대, 챔버 110, 210)에 있어서 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위해 도1-3을 참조하여 기술된 실시예와 관련하여 트래버스될 수 있는 스텝들을 도시한 플로우 챠트이다. 도시된 바와 같이, 파워가 일차 인덕터(예컨대, 일차 코일 102, 202)에 인가(에컨대, 매치를 통해 제어레이터 104, 204에 의해 직접 인가)될 때, 챔버의 플라즈마가 여기된다(블록 402). 또한, 일차 인덕터가 플라즈마를 통해 N(N은 1 이상) 개의 이차 도체들(예컨대, 이차 코일들 L1- N , 213)의 각각에 유도적으로 결합되고(블록 404), N개의 이차 인덕터들의 각각을 통과하는 실질적으로 모든 전류가 일차 인덕터에 대한 플라즈마를 통한 상호 인덕턴스로부터 비롯되도록 N개의 이차 인덕터들의 각각이 종단처리된다. 전술한 바와 같이, N개의 이차 인덕터들의 각각을 통한 전류는 플라즈마의 공간 분포에 영향을 미친다. 비록 필수적은 아니지만, 어떤 변형 예에서, 플라즈마의 공간 본포를 조절하기 위해 N개의 이차 인덕터들의 각각을 통한 전류가 레귤레이트된다(블록 408).
결론적으로, 본 발명은 무엇보다도, 액티브하게 구동되는 코일 및 하나 이상의 수동적으로 종단되는 인덕터들에 의해 플라즈마 밀도를 제어할 수 있는 방법, 시스템, 및 장치를 제공한다. 당업자들은 본 발명에 있어서 여러가지 변형 예 및 대체 예가 이루어질 수 있음을 용이하게 인식할 것이며, 상기 예를 실질적으로 달성하기 위한 사용 및 그의 구성은 본 명세서에서 기술된 실시예들에 의해 성취된다. 따라서, 본 발명은 기술된 예시적 형태들에 한정되지 않으며, 많은 변형예, 개조 및 대안적 구성은 특허청구범위에 기재된 발명의 관점 및 정신 내에 들어가는 것이다.

Claims (23)

  1. 처리 챔버에 있어서 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 시스템으로서,
    파워가 일차 인턱터에 액티브하게 인가될 때 플라즈마를 여기시키기 위해 배치되는 일차 인덕터;
    일차 인덕터를 통과하는 모든 전류가 실질적으로 일차 인덕터와의 플라즈마를 통한 상호 인덕턴스로부터 비롯되도록 상기 일차 인덕터에 근접하여 위치된 적어도 하나의 이차 인덕터; 및
    상기 적어도 하나의 이차 인덕터에 결합된 적어도 하나의 종단처리 요소를 포함하고, 상기 적어도 하나의 종단처리 요소는 플라즈마의 공간 분포에 영향을 미치도록 적어도 하나의 이차 인덕터를 통해 전류에 영향을 미치는, 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 종단처리 요소는, 상기 적어도 하나의 이차 인덕터를 통한 전류가 조정될 수 있도록 임피던스 조정가능한, 패시브 종단처리 요소를 포함하는, 플라즈마의 공간 분배를 제어하기 위한 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 플라즈마의 공간 분포를 나타내는 신호에 응답하여 임피던스 조정가능한 패시브 종단처리 요소의 임피던스를 조정하도록 구성되는 콘트롤러를 포함하는, 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 N개의 이차 인덕터 및 N개의 종단처리 요소를 포함하고, 여기에서, N은 1 이상이고, N개의 이차 인덕터들의 각각은 N개의 종단처리 요소들의 대응하는 하나에 결합되는, 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 N개의 종단처리 요소들은 임피던스조정가능한, 패시브 종단처리 요소를 포함하는, 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    N개의 센서들로서, N개의 센서들의 각각은 N개의 신호들의 대응하는 하나를 제공하고, N개의 신호들의 각각은 N개의 이차 인턱터들의 대응하는 하나에 근접한 플라즈마의 영역에서의 플라즈마 밀도를 나타내는, N개의 센서들; 및
    N개의 센서들 및 N개의 종단처리 요소들에 결합되고, N개의 이차 인턱터들에 근접한 플라즈마의 영역의 각각에 있어서의 플라즈마 밀도를 조절하기 위해 N개의 신호들의 응답하여 N개의 종단처리 요소들의 각각을 통해 전류를 조절하기 위한 콘트롤러를 포함하는, 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 시스템.
  7. 제6항에 있어서, 상기 N개의 센서들의 적어도 어떤 것은 N개의 이차 인덕터들의 적어도 어떤 것의 대응하는 하나를 통해 전류를 나타내는 신호를 제공하도록 구성되는 전류 센서를 포함하고, 임피던스 조정가능한 리액티브 종단처리 요소들의 적어도 어떤 것은 가변 커패시터를 포함하는, 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 시스템.
  8. 일차 인덕터와 N개의 이차 인덕터들을 포함하는 처리 챔버에 있어서의 공간 분포를 제어하기 위한 방법에 있어서,
    상기 처리 챔버의 플라즈마를 일차 인덕터로 여기시키고;
    상기 일차 인턱터를 플라즈마를 통해 N(N은 1 이상) 개의 이차 인덕터들의 각각에 유도적으로 결합하고;
    N개의 이차 인덕터의 각각을 통과하는 실질적으로 모든 전류가 플라즈마를 통해 일차 인덕터와의 플라즈마를 통한 상호 인덕턴스로부터 비롯되도록 상기 N개의 이차 인덕터의 각각을 종단처리하는 것을 포함하고, 상기 N개의 이차 인덕터의 각각을 통과하는 전류는 플라즈마의 공간 분포에 영향을 미치는, 처리 챔버에 있어서의 공간 분포를 제어하기 위한 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 N개의 이차 인덕터들의 각각을 종단처리하는 것은 N개의 이차 인덕터들의 각각을 수동적으로 종단처리하는 것을 포함하는, 처리 챔버에 있어서의 공간 분포를 제어하기 위한 방법.
  10. 제8항에 있어서, 플라즈마의 공간 분포를 조절하기 위해 상기 N개의 이차 인덕터들의 각각을 통하는 전류를 조절하는 것을 포함하는, 처리 챔버에 있어서의 공간 분포를 제어하기 위한 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 종단처리한 것은 임피던스 조정가능한 종단처리 요소들로 N개의 이차 인덕터들의 각각을 종단처리하는 것을 포함하고, N개의 이차 인덕터들을 통하는 전류를 조절하는 것은, 임피던스 조정가능한 종단처리 요소들의 각각의 임피던스를 조정함으로써 전류를 조절하는 것을 포함하는, 처리 챔버에 있어서의 공간 분포를 제어하기 위한 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 N개의 이차 인덕터들에 근접한 영역에 있어서 플라즈마 밀도를 나타내는 적어도 하나의 파라미터를 감지하는 것과, 이 감지에 응답하여 상기 임피던스 조정가능한 종단처리 요소들의 임피던스를 조정하는 것을 포함하는, 처리 챔버에 있어서의 공간 분포를 제어하기 위한 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 N개의 이차 인덕터들의 전류를 감지하는 것과, 상기 임피던스 조정가능한 종단처리 요소들의 커패시턴스를 조정함으로써 상기 임피던스 조정가능한 종단처리 요소들의 임피던스를 조정하는 것을 포함하는, 처리 챔버에 있어서의 공간 분포를 제어하기 위한 방법.
  14. 처리 챔버에 있어서의 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 장치에 있어서,
    플라즈마 처리 챔버의 일차 인덕터에 결합되고 플라즈마 처리 챔버의 일차 인턱터에 액티브하게 파워를 인가하도록 구성되는 일차 터미날;
    플라즈마 처리 챔버의 대응하는 이차 인덕터에 결합되도록 구성되는 이차 터미날; 및
    상기 이차 터미날에 결합되는 종단처리 요소를 포함하고, 상기 종단처리 요소는 이차 유도성 부재를 통해 흐르는 전류의 경로를 제공하도록 배치되고, 상기 이차 인덕터와 상기 종단처리 요소를 통과하는 모든 전류는 실질적으로 일차 인덕터와 플라즈마를 통한 상호 인덕턴스로부터 비롯되는, 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 종단처리 요소는 임피던스 조정가능한 패시브 종단처리 요소인, 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    플라즈마의 공간 분포를 나타내는 적어도 하나의 신호에 응답하여 상기 임피던스 조정가능한 패시브 종단처리 요소의 임피던스를 조절하기 위한 콘트롤러를 포함하는, 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 종단처리 요소는 가변 커패시터를 포함하는, 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 장치.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 챔버의 N개의 이차 인덕터들의 대응하는 하나에 결합하도록 구성되는 N개의 이차 터미날; 및
    N개의 종단처리 요소들을 포함하고, 상기 N개의 종단처리 요소들의 각각은 N개의 이차 터미날의 대응하는 하나에 결합되고, 상기 이차 인덕터와 상기 N개의 종단처리 요소를 통과하는 모든 전류는 실질적으로 일차 인덕터와 플라즈마를 통한 상호 인덕턴스로부터 비롯되는, 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 N개의 종단처리 요소들은 임피던스 조정가능한 리액티브 종단처리 요소를 포함하고, 상기 장치는,
    N개의 신호들에 응답하여 N개의 임피던스 조정가능한 리액티브 종단처리 요소들의 각각의 임피던스를 조정하도록 구성되는 콘트롤러를 포함하고, 상기 N개의 신호들의 각각은 플라즈마의 영역의 플라즈마 밀도를 나타내어, N개의 이차 인턱터 및 N개의 종단처리 요소들을 통과하는 전류가 N개의 신호들에 응답하여 조절되도록 하는, 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 N개의 신호들을 제공하도록 구성되는 콘트롤러에 결합되는 N개의 전류 센서들을 포함하는, 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 N개의 전류 센서들, N개의 종단처리 요소들 및 콘트롤러들은 동일한 하우징에 있는, 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 장치.
  22. 제20항에 있어서, 상기 N개의 전류 센서들, N개의 종단처리 요소들 및 콘트롤러들은 별도의 하우징들에 있는, 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 장치.
  23. 제20항에 있어서, 플라즈마 처리 챔버의 일차 인덕터에 액티브하게 인가되는 파워의 전류를 감지하기 위한 일차 센서를 포함하고, 상기 콘트롤러는, 일차 인덕터와 N개의 이차 인덕터의 각각의 상대 전류 레벨들에 응답하여, N개의 종단처리 요소들의 임피던스를 변경하도록 구성되어 일차 인덕터와 각각의 N개의 이차 인덕터들 사이의 전류의 비가 소망 플라즈마 밀도 프로파일에 대응하는 값에 있도록 하는, 플라즈마의 공간 분포를 제어하기 위한 장치.
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