KR20110124303A - 웨이퍼 상의 결함들 검출 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위한 방법들 및 시스템들이 제공된다.

Description

웨이퍼 상의 결함들 검출{DETECTING DEFECTS ON A WAFER}
본 출원은 2009년 2월 13일자로 "Methods and Systems for Detecting Defects on a Wafer"란 명칭으로 출원된 미국 가출원 제61/152,477호에 대한 우선권을 청구하며, 이는 전체적으로 본 발명에 개시되는 것처럼 참조로 통합된다.
본 발명은 일반적으로 웨이퍼 상의 결함들을 검출하는 것에 관한 것이다. 특정 실시예들은 검사(inspection) 시스템에 의해 생성되는 웨이퍼에 대한 미가공 출력(raw output)의 각각의 출력을 상이한 세그먼트들에 할당하는 것에 관한 것이다.
하기 설명 및 예들은 본 섹션에서 이들의 포함으로 인해 종래 기술로 인정되지 않는다.
광학적 또는 전자 빔 기술들을 이용하는 웨이퍼 검사는 반도체 제조 프로세스들의 디버깅(debugging), 프로세스 변동들의 모니터링 및 반도체 산업에서의 제조 수율을 개선하기 위한 중요한 기술이다. 현대의 집적회로(IC들)의 스케일 감소 및 제조 프로세스의 복잡도 증가로, 검사는 점점 어려워지고 있다.
반도체 웨이퍼상에서 수행되는 각각의 프로세싱 단계에서, 웨이퍼 상의 각각의 다이에는 동일한 회로 패턴이 인쇄된다. 대부분의 웨이퍼 검사 시스템들은 이러한 사실을 활용하며 웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 비교적 간단한 다이-대-다이 비교를 이용한다. 그러나 각각의 다이에 인쇄된 회로는 DRAM, SRAM, 또는 FLASH의 영역들과 같이, x 또는 y 방향에 반복되는 다수의 패터닝된 피처들(patterned features)을 포함할 수 있다. 이러한 타입의 영역은 공통적으로 어레이 영역으로 간주된다(나머지 영역들은 랜덤 또는 로직 구역들로 불린다). 보다 나은 감도(sensitivity)를 달성하기 위해, 개선된 검사 시스템들은 어레이 영역들 및 랜덤 또는 로직 구역들을 검사하기 위해 상이한 전략들을 이용한다.
어레이 검사를 위한 웨이퍼 검사 프로세스를 설정하기 위해, 현재 사용되는 다수의 검사 시스템들은 사용자들이 해당 구역들(ROI)을 수동으로 설정하고 동일한 ROI에서의 결함 검출을 위한 동일한 세트의 파라미터들을 적용한다. 그러나 이러한 설정 방법은 다수의 원인들로 인한 단점이 있다. 예를 들어, 설계 룰들이 축소됨에 따라, 영역 규정이 보다 복잡해지고 구역에서 상당히 작아질 수 있다. 검사 시스템의 스테이지 정확도 및 해상도(resolution)에 대한 제한들로, ROI의 수동 설정은 결과적으로 불가능해질 것이다. 한편, 페이지 브레이크(page break)들 간의 거리가 수행될 수 있는 푸리에 필터링 보다 크면, 페이지 브레이크는 어레이 영역에서 완화되지 않을 것이다.
또 다른 방법에서, 강도(intensity)는 유사한 강도 픽셀들을 서로 그룹화하기 위한 세분화(segmentation)의 피처(feature)로서 사용된다. 다음, 동일한 세트의 파라미터들이 픽셀들의 동일한 그룹에 대해 적용된다(강도-기반). 그러나 이러한 방법은 또한 다수의 단점들을 갖는다. 예를 들어, 강도-기반 세분화 알고리즘은 기하학적구조 피처(geometry feature)가 균일하게 산란될 때 사용될 수 있다. 그러나 종종 이것만으로는 충분치 않다. 따라서, 다른 특성-기반 세분화가 요구된다.
따라서, 해당 결함들 및 장애/잡음이 기하학적으로 상이한 세그먼트들에 존재한다는 정보(knowledge)를 활용함으로써 결함들에 대한 보다 나은 검출을 달성할 수 있는 웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위한 방법들 및 시스템들을 개발하는 것이 이로울 것이다.
다양한 실시예들의 하기 설명은 임의의 방식으로 첨부되는 청구항들의 청구대상을 제한하는 것으로 해석되지 않는다.
일 실시예는 웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위한 컴퓨터로 구현되는(computer-implemented) 방법에 관한 것이다. 컴퓨터로 구현되는 방법은 검사 시스템에 의해 생성되는 웨이퍼에 대한 미가공(raw) 출력을 획득하는 것을 포함한다. 또한, 컴퓨터로 구현되는 방법은 웨이퍼 상에 형성된 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들에 해당하는 미가공 출력의 하나 이상의 특징들을 식별하는 것을 포함한다. 또한, 컴퓨터로 구현되는 방법은 상이한 세그먼트들 각각에 해당하는 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들이 상이하도록, 미가공 출력의 식별된 하나 이상의 특징들에 기초하여 미가공 출력의 각각의 출력을 상이한 세그먼트들에 할당하는 것을 포함한다. 또한, 컴퓨터로 구현되는 방법은 하나 이상의 검출 파라미터들을 상이한 세그먼트들에 개별적으로 할당하는 것을 포함한다. 또한, 컴퓨터로 구현되는 방법은 웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해, 상이한 세그먼트들에 할당된 각각의 출력에 대해 할당된 하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 적용하는 것을 포함한다.
앞서 개시된 컴퓨터로 구현되는 방법의 단계들 각각은 본 명세서에 추가로 개시되는 것처럼 수행될 수 있다. 앞서 개시된 컴퓨터로-구현되는 방법은 본 명세서에 개시된 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다. 앞서 개시된 컴퓨터로 구현되는 방법은 본 명세서에 개시된 임의의 시스템들을 사용하여 수행될 수 있다.
또 다른 실시예는 웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위한 방법을 수행하기 위해 컴퓨터 시스템상에서 실행가능한 프로그램 명령들을 포함하는 컴퓨터-판독가능 매체에 관한 것이다. 상기 방법은 앞서 개시된 컴퓨터로 구현되는 방법의 단계들을 포함한다. 컴퓨터-판독가능 매체는 본 명세서에 개시되는 것처럼 추가로 구성될 수 있다. 방법의 단계들은 본 명세서에서 추가로 개시되는 것처럼 수행될 수 있다. 또한, 프로그램 명령들이 실행가능한 방법은 본 명세서에 개시되는 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다.
추가의 실시예는 웨이퍼 상의 결함들을 검출하도록 구성된 시스템에 관한 것이다. 시스템은 웨이퍼를 스캔함으로써 웨이퍼에 대한 미가공 출력을 생성하도록 구성된 검사 서브시스템을 포함한다. 또한, 시스템은 미가공 출력을 획득하도록 구성된 컴퓨터 서브시스템을 포함한다. 또한, 컴퓨터 시스템은 웨이퍼 상에 형성된 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들에 해당하는 미가공 출력의 하나 이상의 특징들을 식별하도록 구성된다. 또한, 컴퓨터 서브시스템은 상이한 세그먼트들 각각에 해당하는 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들이 상이하도록, 미가공 출력의 식별된 하나 이상의 특징들에 기초하여 미가공 출력의 각각의 출력을 상이한 세그먼트들에 할당하도록 구성된다. 컴퓨터 서브시스템은 상이한 세그먼트들에 하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 개별적으로 할당하도록 추가로 구성된다. 또한, 컴퓨터 서브시스템은 웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해, 상이한 세그먼트들에 할당된 각각의 출력에 할당된 하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 적용하도록 구성된다. 시스템은 본 명세서에 개시된 것처럼 추가로 구성될 수 있다.
본 발명의 다른 목적들 및 장점들은 첨부되는 도면들을 참조로 하기의 상세한 설명을 판독함으로써 명확해질 것이다.
도 1은 본 명세서에 개시된 하나 이상의 방법 실시예들을 실행하기 위한, 컴퓨터상에서 실행가능한 프로그램 명령들을 포함하는 컴퓨터-판독가능 매체의 일 실시예를 예시하는 블록 다이어그램이다.
도 2는 웨이퍼 상의 결함들을 검출하도록 구성된 시스템의 일 실시예의 측면도를 예시하는 개략적 다이어그램이다.
본 발명은 다양한 변형들 및 대안적 형태들을 허용하지만, 이들의 특정한 실시예들이 도면들에서의 예로써 도시되며 본 명세서에서 상세히 개시된다. 그러나 도면들 및 이들의 상세한 설명들은 개시된 특정 형태로 본 발명을 제한하고자 의도되는 것이 아니며, 반대로 첨부되는 청구항들에 의해 한정되는 것처럼 본 발명의 범주 및 사상 내의 모든 변형들, 등가물들 및 대안물들을 포함하도록 의도되는 것임을 인식해야 한다.
실시예들은 본 명세서에서 웨이퍼들과 관련하여 개시되었지만, 실시예들이 통상 마스크 또는 포토마스크로 불릴 수 있는 레티클과 같은 다른 표본(specimen) 상의 결함들을 검출하기 위해 사용될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 다수의 상이한 타입들의 레티클들이 업계에 공지되어 있으며, 본 명세서에서 사용되는 "레티클", "마스크" 및 "포토마스크"는 업계에 공지된 모든 타입의 레티클들을 포함하는 것으로 의도된다.
일 실시예는 웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위한 컴퓨터로 실행되는 방법에 관한 것이다. 컴퓨터로 구현되는 방법은 검사 시스템에 의해 생성되는 웨이퍼에 대한 미가공 출력을 획득하는 것을 포함한다. 웨이퍼에 대한 미가공 출력 획득은 검사 시스템을 이용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 미가공 출력 획득은 웨이퍼 위로 광을 스캔하고 스캔하는 동안 검사 시스템에 의해 검출되는 웨이퍼로부터 산란 및/또는 반사되는 광에 응답하는 미가공 출력을 생성하기 위해 검사 시스템을 이용하는 것을 포함할 수 있다. 이런 방식으로, 미가공 출력 획득은 웨이퍼 스캐닝을 포함할 수 있다. 그러나 미가공 출력 획득은 웨이퍼 스캐닝을 반드시 필요로 하는 것은 아니다. 예를 들어, 미가공 출력 획득은 미가공 출력이 (이를 테면, 검사 시스템에 의해) 저장되었던 저장 매체로부터 미가공 출력을 획득하는 것을 포함할 수 있다. 저장 매체로부터 미가공 출력을 획득하는 것은 임의의 적절한 방식으로 수행될 수 있으며 출력이 획득되는 저장 매체는 본 명세서에 개시되는 임의의 저장 매체를 포함할 수 있다. 임의의 경우, 방법은 미가공 출력(이를 테면, 미가공 데이터) 수집을 포함한다.
일 실시예에서, 미가공 출력은 웨이퍼로부터 산란된 광에 응답한다. 특히, 미가공 출력은 웨이퍼로부터 산란되며 검사 시스템에 의해 검출되는 광에 응답할 수 있다. 대안적으로, 미가공 출력은 웨이퍼로부터 반사되며 검사 시스템에 의해 검출되는 광에 응답할 수 있다. 미가공 출력은 임의의 적합한 미가공 출력을 포함할 수 있고 검사 시스템의 구성에 따라 변할 수 있다. 예를 들어, 미가공 출력은 신호들, 데이터, 이미지 데이터, 등을 포함할 수 있다. 또한, 미가공 출력은 일반적으로, 검사 시스템에 의해 웨이퍼에 대해 생성된 전체 출력의 적어도 일부(이를 테면, 다수의 픽셀들)에 대한 출력으로서 정의된다. 또한, 미가공 출력은 미가공 출력이 웨이퍼 상의 결함들과 대응하는지 여부와 상관없이, 검사 시스템에 의해 전체 웨이퍼에 대해 생성된 모든 미가공 출력, 검사 시스템에 의해 스캔되는 웨이퍼의 전체 부분에 대해 생성된 모든 미가공 출력, 검사 시스템의 하나의 채널에 의해 웨이퍼에 대해 생성된 모든 미가공 출력 등을 포함할 수 있다.
반대로, 각각의 출력은 일반적으로 검사 시스템에 의해 웨이퍼에 대해 생성된 전체 출력의 각각의 픽셀에 대한 출력으로서 정의될 수 있다. 따라서, 미가공 출력은 다수의 각각의 출력을 포함할 수 있다. 다른 말로, 각각의 출력은 웨이퍼 상의 상이한 위치(location)들에 대해 개별적으로 생성된 출력일 수 있다. 예를 들어, 각각의 출력은 웨이퍼 상의 상이한 위치들에 대해 생성된 각각의, 이산(discrete) 출력을 포함할 수 있다. 특히, 상이한 위치들은 웨이퍼 상의 상이한 "검사 포인트들"에 해당할 수 있다. 다른 말로, 상이한 위치들은 출력이 검사 시스템에 의해 개별적으로 생성되는 웨이퍼 상의 위치들에 해당할 수 있다. 이런 방식으로, 상이한 위치들은 검사 시스템에 의해 "측정(measurement)"이 수행되는 웨이퍼 상의 각각의 위치에 해당할 수 있다. 이처럼, 상이한 위치들은 검사 시스템의 구성에 따라 변할 수 있다(이를 테면, 검사 시스템이 웨이퍼에 대한 출력을 생성하는 방식). 각각의 출력은 웨이퍼 상의 결함들에 해당하는 그리고 웨이퍼 상의 결함 등에 해당하지 않는 각각의 출력을 포함한다.
본 명세서에 개시되는 것처럼 검사 시스템이 구성될 수 있다. 예를 들어, 검사 시스템은 웨이퍼의 다크 필드(DF) 검사를 위해 구성될 수 있다. 이런 방식에서, 검사 시스템은 DF 검사 시스템을 포함할 수 있다. 본 명세서에 추가로 개시되는 것처럼 DF 검사 시스템이 구성될 수 있다. 다른 예에서, 검사 시스템은 웨이퍼의 브라이트 필드(BF) 검사를 위해 구성될 수 있다. 이런 방식에서, 검사 시스템은 BF 검사 시스템을 포함할 수 있다. BF 검사 시스템은 업계에 공지된 임의의 적절한 구성을 가질 수 있다. 또한, 검사 시스템은 BF 및 DF 검사를 위해 구성될 수 있다. 또한, 검사 시스템은 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검사 및 리뷰 시스템으로 구성될 수 있으며, 이러한 검사 시스템은 업계에 공지된 임의의 적절한 구성을 가질 수 있다. 또한, 검사 시스템은 패터닝된 웨이퍼들 및 또한 가능한 패터닝되지 않은 웨이퍼들의 검사를 위해 구성될 수 있다.
또한, 컴퓨터로 구현되는 방법은 웨이퍼 상에 형성된 패터닝된 피처들의 하나 이상의 특징들에 해당하는 미가공 출력의 하나 이상의 특징들을 식별하는 것을 포함한다. 일 실시예에서, 미가공 출력의 식별된 하나 이상의 특징들은 미가공 출력의 라인들을 따른 프로젝션들(projections)을 포함한다. 프로젝션은 일반적으로 미가공 출력 내에 일부 패턴을 갖는 각각의 출력의 그룹, 클러스터, 또는 합산(summation)으로 정의될 수 있다. 미가공 출력의 수평 및 수직 라인을 따른 프로젝션들은 수집될 수 있다. 이런 방식에서, 미가공 출력 내의 x 및 y 프로젝션들은 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들에 대해 정의하는 또는 해당하는 것으로 식별될 수 있다. 이처럼, 미가공 출력의 하나 이상의 특징들을 식별하는 것은 미가공 출력의 2차원(2D) 프로젝션을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 그러나 웨이퍼 상에 형성된 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들에 해당하는 미가공 출력의 하나 이상의 특징들은 미가공 출력의 임의의 다른 특징(들)을 포함할 수 있다. 앞서 개시된 것처럼 미가공 출력의 하나 이상의 특징들을 식별하는 것은 임의의 적합한 방법 및/또는 알고리즘을 사용하는 임의의 적합한 방식으로 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들은 패터닝된 피처들의 기하학적구조(geometry)를 한정하는 수학적 계산, 에지들, 형상, 텍스처, 또는 이들의 일부 조합을 포함한다. 예를 들어, 본 명세서에서 추가로 개시되는 것처럼 수행될 수 있는 기하학적-기반(geometric-based) 세분화를 위해 사용될 수 있는 특징들은 기하학적구조를 한정하는 에지들, 형상, 텍스처, 수학적 계산, 또는 이들의 일부 조합을 포함한다. 웨이퍼 상에 형성된 패터닝된 모든 피처들은 일부 조도(roughness) 및 일부 "텍스처"를 가질 수 있지만, 텍스처는 일반적으로 조도가 패터닝된 피처들의 단지 주변부 상에서의 조도를 기술하고 간주하기 위해 사용되는 점에서 조도와 상이하지만 일반적으로 텍스처는 패터닝된 피처들의 (이를 테면, 지정된 또는 지정되지 않은) 전체 텍스처로 간주된다. 패터닝된 피처들의 기하학구조를 한정하는데 이용될 수 있는 수학적 계산/변환(transformation)의 일례로는 푸리에 필터링 알고리즘이 있으며, 이는 기하학적구조 및 광 산란 간의 관계를 규정하는데 이용될 수 있다. 예를 들어, 푸리에 필터링 알고리즘은 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들에 해당하는 미가공 출력에서의 프로젝션들을 예측하는데 이용될 수 있다.
일 실시예에서, 미가공 출력의 하나 이상의 특징들을 식별하는 것은 패터닝된 피처들의 디자인 레이아웃이 미가공 출력의 하나 이상의 특징들에 어떻게 영향을 미치는지에 기초하여 실행된다. 예를 들어, 본 명세서에 개시된 것처럼 수행될 수 있는 세분화를 위해 사용될 수 있는 특징으로는 설계 레이아웃이 있다. 특히, 설계 레이아웃은 설계 레이아웃의 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들을 식별하는데 이용될 수 있다. 다음 식별된 하나 이상의 기하학적 특징들에 해당하는 미가공 출력의 하나 이상의 특징들(이를 테면, 프로젝션들)이 (이를 테면, 실험적으로, 이론적으로, 등으로) 결정될 수 있다. 이런 방식에서, 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들에 해당하는 미가공 출력의 하나 이상의 예상된 특징들이 결정될 수 있다. 이러한 하나 이상의 예상된 특징들은 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들에 대응하는 미가공 출력의 하나 이상의 특징들을 식별하기 위해 임의의 적절한 방식으로 미가공 출력의 하나 이상의 특징들과 비교될 수 있다. 이 단계에서 사용되는 설계 레이아웃을 임의의 적절한 방식으로 획득될 수 있으며 임의의 적절한 포맷을 가질 수 있다.
또 다른 실시예에서, 미가공 출력의 하나 이상의 특징들을 식별하는 것은 미가공 출력을 획득하는 것이 수행되는 동안 수행된다. 이런 방식에서, 미가공 출력의 하나 이상의 특징들을 식별하는 것은 웨이퍼가 검사 시스템에 의해 스캔됨에 따라 동작중(on-the-fly) 수행될 수 있다. 예를 들어, 미가공 출력의 하나 이상의 특징들을 식별하는 것은 웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 미가공 출력과 비교되고 미가공 출력과 동일한 스캔에서 웨이퍼에 대해 획득되는 웨이퍼에 대한 기준 미가공 출력(reference raw output)을 이용하여 수행될 수 있다. 기준 미가공 출력은 본 명세서에서 개시되는 임의의 기준들을 포함할 수 있다. 이처럼, 미가공 출력의 식별된 하나 이상의 특징들을 이용하여 수행되는 본 명세서에 개시되는 다른 단계들(이를 테면, 세분화)은 웨이퍼에 대한 미가공 출력을 획득하는 동안 동작중 수행될 수도 있다.
또한, 컴퓨터로 구현되는 방법은 상이한 세그먼트들 각각에 해당하는 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들이 상이하도록, 미가공 출력의 식별된 하나 이상의 특징들에 기초하여 미가공 출력의 각각의 출력을 상이한 세그먼트들에 할당하는 것을 포함할 수 있다. 이런 방식에서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 기하학적-기반 세분화를 위해 구성된다. 보다 특정하게, 본 명세서에 개시된 실시예들은 웨이퍼 패턴의 기하학적 특징(들)(이를 테면, 형상)이 미가공 출력에 어떻게 영향을 미치는지를 활용하며 미가공 출력이 상이한 세그먼트들에 상이하게 영향을 미치는 패턴들을 분리한다. 다른 말로, 본 명세서에 개시된 실시예들은 미가공 출력의 각각의 출력을 상이한 세그먼트로 분리하기 위해 웨이퍼 상의 패턴들의 기하학적 특징(들)(이를 테면, 형상)이 미가공 출력에 어떻게 영향을 미칠것인지를 활용한다. 이를 테면, 하나 이상의 상이한 기하학적 특징들을 갖는 패터닝된 피처들은 웨이퍼로부터 산란된 광에 상이한 영향력들(effects)을 가져 웨이퍼에 대해 생성된 미가공 출력에 상이한 영향력들을 가질 수 있다. 이러한 패터닝된 피처는 본 명세서에 개시된 실시예에 의해 상이한 세그먼트들로 효율적으로 분리될 수 있다. 본 명세서에 개시되는 것처럼 미가공 출력의 각각의 출력을 상이한 세그먼트들에 할당하는 것은 임의의 적절한 방법 및/또는 알고리즘을 이용하여 임의의 적절한 방식으로 수행될 수 있다.
"세그먼트"는 일반적으로 각각의 출력에 대해 가능한 값들의 전체 범위의 상이한 부분들로서 정의된다. 세그먼트들은 세그먼트들을 이용하는 결함 검출 알고리즘에 따라 각각의 출력의 상이한 특징들에 대한 값들에 기초하여 정의될 수 있다. 이를 테면, 다수의 다이 오토-쓰레숄딩(thresholding)(MDAT) 알고리즘에서, 세그먼트를 정의하는데 이용되는 각각의 출력의 특징들에 대한 값은 중간 강도 값을 포함할 수 있다. 이러한 예시적인 비제한적 일례에서, 중간 강도 값들의 전체 범위가 0 내지 255인 경우, 제 1 세그먼트는 0 내지 100의 중간 강도 값들을 포함할 수 있고 제 2 세그먼트는 101 내지 255의 중간 강도 값들을 포함할 수 있다. 이러한 방식에서, 제 1 세그먼트는 미가공 출력에서 더 어두운 구역들에 해당하며, 제 2 세그먼트는 미가공 출력에서 더 밝은 구역들에 해당한다. 일부 예들에서, 세그먼트들은 하나의 웨이퍼를 이용하여 정의될 수 있으며, 하나의 웨이퍼와 유사한 기하학적구조를 갖는 웨이퍼들에 대해, 미리정의된 세그먼트들이 이용될 수 있다.
일 실시예에서, 미가공 출력의 하나 이상의 특징들을 식별하는 것 및 상이한 세그먼트들에 각각의 출력을 할당하는 것은 사용자 입력 없이 자동으로 수행된다. 예를 들어, 본 명세서에 개시되는 실시예들은 미가공 출력의 각각의 출력을 상이한 세그먼트들로 자동으로 분리하기 위해 프로젝션 및 웨이퍼 상의 패턴들의 기하학적 특징(들)(이를 테면, 형상)을 활용할 수 있다. 이런 방식에서, 설계 룰들이 축소되고 웨이퍼 상의 상이한 구역들이 더 작게 세분화됨에 따라, 해당 영역(ROI)을 수동으로 셋업하고 동일한 ROI에서 결함 검출을 위해 동일한 세트의 파라미터들을 적용하는 것을 포함하는 방법들과는 달리, 세분화는 본 명세서에 개시되는 실시예들을 이용하여 보다 복잡해지지 않을 것이다. 또한, 수동식 방법들과는 달리, 미가공 출력의 하나 이상의 특징들을 자동으로 식별하는 것 및 각각의 출력을 사용자 입력 없이 상이한 세그먼트들에 할당하는 것은 검사 시스템 스테이지 정확도 및 해상도 제한들에 의해 영향을 받지 않는다. 따라서, 세분화를 위해 본 명세서에 개시된 실시예들을 이용하여, 검사 시스템 스테이지 정확도 및 해상도 제한들은 세분화를 불가능하게 만들지 않을 것이다.
또 다른 실시예에서, 상이한 세그먼트들에 각각의 출력을 할당하는 것은 패터닝된 피처들과 연관된 데이터를 설계와 관련 없이 수행된다. 예를 들어, 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들에 대응하는 미가공 출력의 예상된 하나 이상의 특징들을 결정하기 위해 앞서 개시된 것처럼 설계 레이아웃이 사용될 수 있지만, 세분화는 설계 데이터 자체에 기초하여 수행되지 않는다. 다른 말로, 세분화는 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들이 미가공 출력에 어떻게 영향을 미칠지에 기초하지만, 패터닝된 피처들 자체의 하나 이상의 기하학적 특징들에는 기초하지 않는다. 이런 방식에서, 패터닝된 피처들과 연관된 설계 데이터에 기초하여 미가공 출력을 세분화하는 다른 방법들 및 시스템들과는 달리, 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들이 미가공 출력에 어떻게 영향을 미칠지에 기초하여 세분화를 수행하는 것은 이러한 패터닝된 피처들이 동일한 방식으로 미가공 출력에 영향을 미칠 경우 동일한 세그먼트에 할당되는 상이한 설계 데이터, 상이한 전기적 기능들, 상이한 전기적 특징들, 패터닝된 피처들 등을 사용하여 형성되는 디바이스의 성능에 대한 상이한 임계상태들(criticalities) 등과 연관된 패터닝된 피처들을 산출할 수 있다. 예를 들어, 기하학적 특징(들)이 기하학적구조 자체 대신 미가공 출력의 특징(들)(이를 테면, 강도에 어떻게 영향을 미칠것인지에 기초하여 세분화를 수행하는 것은 이러한 다른 패터닝된 피처들과 연관된 설계 데이터와 무관하게 동일한 세그먼트에 할당되는 미가공 출력에서의 상당한 잡음을 산출하는 패터닝된 피처들 및 이러한 다른 패터닝된 피처들과 연관된 설계 데이터와 무관하게 상이한 세그먼트에 다시 할당되는 미가공 출력에서의 무시할만한 잡음을 산출하는 다른 패터닝된 피처를 산출할 수 있다. 이런 방식에서, 높은 잡음의 패터닝된 피처들이 서로 세분화될 수 있고, 낮은 잡음의 패터닝된 피처들이 서로 세분화될 수 있다.
추가의 실시예에서, 상이한 세그먼트들에 각각의 출력을 할당하는 것은 각각의 출력의 강도와 상관없이 수행된다. 다른 말로, 세분화는 미가공 출력의 다수의 각각의 출력의 강도에 기초하여 식별될 수 있는 미가공 출력의 식별된 하나 이상의 특징들에 기초하여 수행되지만, 세분화는 각각의 출력 자체의 강도에 기초하여 수행되지 않는다. 예를 들어, 미가공 출력내의 라인들을 따르는 프로젝션들은 변동(variety) 및 가능하게 극적으로 상이한 강도들을 갖는 각각의 출력을 포함할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 각각의 출력 모두는 페이지 브레이크들과 같이 패터닝된 피처들의 동일한 하나 이상의 기하학적 특징들에 해당할 수 있다. 이처럼, 패터닝된 피처들의 동일한 하나 이상의 기하학적 특징들에 해당하는 각각의 출력 모두는 각각의 출력 모두가 극적으로 상이한 강도들을 갖더라도 동일한 세그먼트에 할당될 수 있다. 이런 방식으로, 각각의 픽셀들의 강도에 기초하여 세분화를 수행하는 방법들과는 달리, 본 명세서에 개시된 실시예들에 의해 수행되는 세분화는 패터닝된 피처로부터의 불균일한 산란에 의해 영향을 받지 않는다.
일부 실시예들에서, 상이한 세그먼트들에 각각의 출력을 할당하는 것은 미가공 출력의 식별된 하나 이상의 특징들을 분석하는 것 및 각각의 출력에 임계치들을 적용하는 것을 포함한다. 예를 들어, 앞서 개시된 것처럼, 미가공 출력의 수평 및 수직 라인들을 따르는 프로젝션들이 수집될 수 있다. 다음 프로젝션들이 분서될 수 있고, 임계치들은 미가공 출력의 각각의 출력을 해당 상이한 구역들(세그먼트들)로 분할하도록 설정될 수 있다. 미가공 출력의 식별된 하나 이상의 특징들을 분석하는 것 및 각각의 출력에 임계치들을 적용하는 것은 세그먼트들로 부적절하게 할당되는 경계 영역들에 해당하는 각각의 출력의 수를 감소시킬 수 있다.
일 실시예에서, 하나 이상의 상이한 세그먼트들에 해당하는 하나 이상의 기하학적 특징들은 페이지 브레이크들의 하나 이상의 기하학적 특징들을 포함하며, 다른 상이한 세그먼트들에 해당하는 하나 이상의 기하학적 특징들은 어레이 구역들의 하나 이상의 기하학적 특징들을 포함한다. 일반적으로, 페이지 브레이크는 물리적 메모리의 실질적으로 연속하는 영역들을 분리하는 다이의 영역들로서 업계에 정의되어 있다. 물리적 메모리의 연속하는 영역들 각각은 공통적으로 페이지 프레임으로서 간주될 수 있다. 본 명세서에 개시된 것처럼 세분화를 수행함으로써, 어레이 영역들의 페이지 브레이크들에 대한 기하학적구조를 정의하는 미가공 출력(이를 테면, x 및/또는 y 프로젝션들)의 하나 이상의 특징들은 하나의 세그먼트에 페이지 브레이크들에 해당하는 각각의 출력을 할당하고 어레이 영역들에 해당하는 각각의 출력을 상이한 세그먼트에 할당하도록 식별되고 이용될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 패터닝된 피처들의 일부의 하나 이상의 기하학적 특징들에 해당하는 미가공 출력의 하나 이상의 특징들은 푸리에 필터링에 의해 억제될 수 없다. 예를 들어, 세분화에 대한 일부 방법들과는 달리, 페이지 브레이크들 간의 거리가 수행될 수 있는 푸리에 필터링보다 크더라도, 페이지 브레이크는 어레이 여역에서 억제될 수 있다. 이러한 일례에서, 일부 검사 시스템들에 대해, 페이지 브레이크의 폭이 약 5㎛이고 페이지 브레이크들 간의 간격이 약 5㎛인 경우, 가능하면 푸리에 필터링은 비실제적이 되는 반면 ROI의 셋업은 가능하면 비실제적이 된다. 따라서, 페이지 브레이크에 의해 미가공 출력에서 산출되는 신호(잡음)는 억제되지 않을 수 있고 이로 인해 미가공 출력을 이용하여 달성될 수 있는 결함 검출 감도를 감소시킬 수 있다. 그러나 본 명세서에 개시된 실시예들을 이용하여, 페이지 브레이크들에 해당하는 각각의 출력이 (이를 테면, 미가공 출력내의 프로젝션들에 기초하여) 식별될 수 있고, 페이지 브레이크들에 해당하는 각각의 출력이 하나의 세그먼트에 할당될 수 있는 반면 다른 각각의 출력은 본 명세서에서 추가로 개시되는 것처럼, 상이한 세그먼트들에서의 결함들을 검출하기 위해 상이한 감도들이 이용될 수 있도록 다른 세그먼트들에 할당될 수 있다.
컴퓨터로 구현되는 방법은 상이한 세그먼트들에 하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 개별적으로 할당하는 것을 추가로 포함한다. 하나 이상의 결함 검출 파라미터들은 상이한 세그먼트들 모두에 개별적으로 할당될 수 있다. 따라서, 일부의 각각의 출력은 결함을 검출하게 될 때 무시되지 않을 수 있다. 대신, 결함들은 상이한 세그먼트들 모두에 할당된 각각의 출력을 이용하여 검출될 수 있다. 다른 말로, 결함들은 미가공 출력의 모든 세그먼트들을 이용하여 검출될 수 있다. 이런 방식에서, 상이한 세그먼트들은 상이한 검사 레시피들로 상이하게 처리될 수 있다. 상이한 검사 레시피들은 상이한 세그먼트들에 할당된 결함 검출 알고리즘들에서 상이할 수 있다. 대안적으로, 상이한 검사 레시피들은 상이한 세그먼트들에 할당된 동일한 결함 검출 알고리즘의 하나 이상의 파라미터들에서 상이할 수 있다. 상이한 세그먼트들에 할당되는 결함 검출 알고리즘들 또는 상이한 세그먼트들에 할당되는 하나 이상의 파라미터들은 임의의 적절한 결함 검출 알고리즘들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 결함 검출 알고리즘은 세분화된 오토-쓰레숄딩(SAT) 알고리즘 또는 MDAT 알고리즘일 수 있다. 이러한 결함 검출 알고리즘들은 BF 검사에 특히 적합할 수 있다. 그러나 결함 검출 알고리즘은 DF 검사에 적합한 결함 검출 알고리즘일 수 있다. 예를 들어, 결함 검출 알고리즘은 FAST 알고리즘 또는 HLAT 알고리즘일 수 있다.
또한, 상이한 검사 레시피들은 웨이퍼에 대한 미가공 출력을 획득하는데 이용되는 검사 시스템의 하나 이상의 광학적 파라미터들에서 상이할 수 있다. 예를 들어, 멀티-패스(multi-pass) 검사에서, 검사 시스템의 적어도 하나의 광학적 파라미터(이를 테면, 편광, 파장, 조명 각도, 수집 각도 등)에 대해 상이한 값들로 상이한 패스들이 수행될 수 있고, 상이한 패스들에서 생성된 미가공 출력은 하나 이상의 상이한 기하학적 특징들을 갖는 패터닝된 피처들이 형성되는 웨이퍼의 상이한 영역들에서 결함들을 검출하는데 이용될 수 있다. 이런 방식에서, 하나 이상의 상이한 기하학적 특징들을 갖는 패터닝된 피처들을 포함하는 웨이퍼의 영역들은 하나 이상의 상이한 광학적 파라미터들을 이용하여 수행되는 멀티-패스 검사의 상이한 패스들에서 생성되는 미가공 출력을 이용하여 검사될 수 있다.
일 실시예에서, 하나 이상의 결함 검출 파라미터들은 각각의 출력 및 기준 간의 차에 적용될 임계치를 포함한다. 이런 방식에서, 상이한 임계치들이 각각의 출력이 할당되었던 세그먼트에 따라 각각의 출력과 기준 간의 차에 적용될 수 있다. 예를 들어, 기준(이를 테면 8-비트 기준 이미지)은 각각의 출력이 할당되었던 세그먼트와 무관하게, 미가공 출력(이를 테면, 8-비트 테스트 이미지)의 각각의 출력으로부터 차감될 수 있다. 기준은 기준이 차감되는 각각의 출력이 생성되었던 다이와 상이한 웨이퍼 상의 다이, 기준이 차감되는 각각의 출력이 생성되었던 셀과 상이한 웨이퍼 상의 셀 등에 해당하는 각각의 출력과 같은 임의의 적절한 기준을 포함할 수 있다. 할당된 임계치 이상의 차를 가지는 임의의 각각의 출력은 결함으로서 식별될 수 있다. 이런 방식으로, 각각의 출력이 할당되었던 세그먼트와 관련하여 상이한 임계치들로 결함들이 검출될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 상이한 세그먼트들에 하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 개별적으로 할당하는 것은 결함들이 상이한 감도들을 갖는 상이한 세그먼트들에 할당된 각각의 출력을 사용하여 검출될 수 있도록 수행된다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 해당 결함들(DOI) 및 장애/잡음이 기하학적으로 상이한 세그먼트들에 상주한다는 정보를 활용함으로써 보다 나은 결함 검출을 달성할 수 있다. 예를 들어, 상이한 기하학적구조들은 상이한 타입들의 결함들을 나타낼 수 있다. 이러한 일례에서는, 어레이 패턴 영역에서, 미가공 출력은 비교적 밝은 각각의 출력 및 비교적 어두운 각각의 출력이 교대하는 라인형 패턴들을 포함할 수 있다. 이러한 일부 예들에서, DOI는 비교적 밝은 각각의 출력을 포함하는 미가공 출력의 부분들에 위치될 수 있는 반면 장애 결함들(nuisance defect)은 비교적 어두운 각각의 출력을 포함하는 미가공 출력의 부분들에 위치될 수 있다. 이런 방식에서, 기하학구조를 한정하는 특징(들)(이를 테면 어레이 여역에서 페이지 브레이크에 대한 x 또는 y 프로젝션)을 이용하는 세분화로, 검출 알고리즘의 감도는 페이지 브레이크로부터의 적은 장애 및 어레이 구역에서의 보다 나은 감도를 위해 상이하게 설정될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 웨이퍼의 상이한 기하학적 패턴들을 상이한 세그먼트들로 분리하는 자동화 방식을 이롭게 허용한다. 이러한 세분화는 이러한 구역들이 상이하게 처리되고 보다 나은 감도가 달성될 수 있게 한다. 또한, 상이한 기하학적구조들은 광을 상이하게 산란시킨다. 이런 방식에서, 일부 기하학적구조들은 미가공 출력이 비교적 잡음화(noisy)되게 하는 반면 다른 기하학적구조들은 미가공 출력이 비교적 조용(quiet)해지게 할 수 있다. 그러나 세분화를 위해 각각의 출력의 감도만을 사용하여, 미가공 출력에서 비교적 잡음화 및 비교적 조용한 영역들에 해당하는 각각의 출력이 (이를 테면, 불량하게(poorly) 한정된 경계들로 인해) 서로 그룹화될 수 있다. 대조적으로, 본 명세서에 개시된 실시예들에서, 미가공 출력에서 약한 잡음(less noise)에 해당하는 하나 이상의 기하학적 특징들을 갖는 웨이퍼의 구역들에 위치되는 결함들에 대해, 더 높은 감도가 달성될 수 있다. 또한, 좁은 대역 검사 시스템들에 대해, 패턴들이 상당량의 광을 산란시키기 때문에, 결함들은 종종 잡음에 가려질 수 있다(buried). 그러나 본 명세서에 개시되는 실시예들은 인접 패턴들로부터 잡음에 의해 디튜닝되는(detuned) 이러한 결함들을 검출하는 것을 가능케한다.
컴퓨터로 구현되는 방법은 웨이퍼 상의 결함들이 검출하기 위해 할당된 하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 상이한 세그먼트들에 할당된 각각의 출력에 적용하는 것을 더 포함한다. 앞서 개시된 것처럼, 상이한 세그먼트들은 상이한 검사 레시피들로 상이하게 처리될 수 있다. 이런 방식에서, 각각의 출력에 할당된 하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 적용하는 것은 웨이퍼 상의 결함들이 검출하기 위해 상이한 레시피들로 세그먼트들을 검사하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각각의 출력이 할당되었던 세그먼트는 각각의 출력 및 기준 간의 차에 적용될 임계치를 결정하는데 이용될 수 있다. 각각의 출력이 할당되었던 세그먼트를 결정하고 하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 상이한 세그먼트들에 할당한 후에, 할당된 하나 이상의 결함 검출 파라미터들은 정상적으로 수행됨에 따라 상이한 세그먼트들에 할당된 각각의 출력에 적용될 수 있다.
일 실시예에서, 미가공 출력을 획득하는 것은 웨이퍼의 멀티-패스 검사의 하나의 패스에서 수행되며, 컴퓨터로 구현되는 방법은 멀티-패스 검사의 또 다른 패스에서 획득된 미가공 출력에 대해 수행되지 않는다. 이런 방식에서, 본 명세서에 개시된 것과 같은 세분화는 멀티-패스 검사의 단지 하나의 패스에 대해서만 수행될 수 있다. 다른 패스들에서 획득되는 미가공 출력은 다른 목적을 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 멀티-패스 검사는 결함들에 대해 최적의 신호를 가지는 하나의 패스 및 기하학구조-기반 세분화를 제공하는 다른 패스로 세분화 목적을 도울 수 있다. 특히, 멀티-패스 검사의 상이한 패스들은 미가공 출력 및/또는 결함 검출 결과들이 상이한 패스들에 대해 상이하도록 하나 이상의 상이한 결함 검출 파라미터들 및/또는 하나 이상의 상이한 광학적 파라미터들로 수행될 수 있다. 이러한 일례에서, 멀티-패스 검사의 하나의 패스에 사용되는 하나의 광학적 모드는 세분화를 허용할 수 있는 반면 멀티-패스 검사의 다른 패스에서 사용되는 검사 시스템의 다른 광학적 모드는 DOI에 대해 가장높은 감도를 제공할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 추가의 결함들은 다른 패스에서 획득된 미가공 출력을 이용하여 검출되며, 상기 방법은 웨이퍼에 대한 검사 결과들을 생성하기 위해 결함들 및 추가의 결함을 조합하는 것을 포함한다. 예를 들어, 앞서 개시된 것처럼, 멀티-패스 검사의 하나의 패스가 세분화를 위해 이용될 수 있는 반면 멀티-패스 검사의 다른 패스는 최적화 신호로 DOI를 검출하는데 이용될 수 있다. 따라서, 멀티-패스 검사의 상이한 패스들은 상이한 타입들의 결함들을 검출할 수 있다. 이런 방식에서, 멀티-패스 검사의 상이한 패스들의 결과들은 웨이퍼에 대한 전체 검사 결과들을 생성하도록 조합될 수 있다. 상이한 패스들에서 획득된 미가공 출력을 이용하여 검출되는 결함들의 결과들은 상이한 패스들 모두에서 생성된 미가공 출력을 이용하는 결함 검출이 수행된 후에 조합될 수 있다. 대안적으로, 상이한 패스들에서 획득된 미가공 출력을 이용하여 생성된 결함 검출 결과들은 동작중에 또는 미가공 출력의 일부가 획득되는 동안 조합될 수 있다.
추가의 실시예에서, 방법은 웨이퍼 상의 추가의 결함들을 검출하기 위해 미가공 출력에 하나 이상의 미리결정된 결함 검출 파라미터들을 적용하는 것 및 웨이퍼에 대한 검사 결과들을 생성하기 위해 결함들 및 추가의 결함들을 조합하는 것을 포함한다. 예를 들어, 기준(이를 테면, 8-비트 기준 이미지)은 각각의 출력이 할당되었던 세그먼트와 무관하게, 미가공 출력(이를 테면, 8-비트 테스트 이미지)의 각각의 출력으로부터 차감될 수 있다. 기준은 앞서 설명된 것처럼 임의의 적절한 기준을 포함할 수 있다. 또한, 동일한 기준은 각각의 출력에 할당된 하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 적용함으로써 그리고 미가공 출력에 미리결정된 하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 적용함으로써 결함들을 검출하기 위해 이용될 수 있다. 차감 결과는 절대차(absolute difference)일 수 있다. 미리결정된 다이렉트 차 임계치(direct difference threshold)가 절대차에 적용될 수 있고 임계치 이상의 절대 차를 갖는 임의의 각각의 출력이 결함으로 식별될 수 있다. 또한, 동일한 미리 결정된, 다이렉트 차 임계치는 각각의 출력이 할당되었던 세그먼트와 무관하게 절대차에 적용될 수 있다. 이런 방식으로 검출된 결함들은 웨이퍼에 대한 최종 검사 결과들을 생성하기 위해 각각의 출력에 할당된 하나 이상의 결함 검출 파라미터등를 적용함으로써 검출되는 결함들과 조합될 수 있다. 예를 들어, 결함이있는 마스크는 임의의 방식으로 검출된 모든 결함들에 대해 개별적으로 생성될 수 있다. 영역 "성장(grow)"은 두개의(both) 차 이미지들로부터 수행되며 모든 결함들에 대한 최종 마스크가 생성될 수 있다.
앞서 개시된 것처럼 상이한 방식들로 결함들을 검출하는 것은 다수의 이유로 바람직할 수 있는 결함 재검출을 제공할 수 있다. 예를 들어, 자동 2D 프로젝션 및 기하학구조-기반 세분화는 강건한(robust) 결함 재검출 및 결함 재검출 사용에 대한 용이성을 제공한다. 또한, 본 명세서에 개시된 세분화는 동적 방식의 결함 및 기준 이미지들의 맵핑을 제공한다. 예를 들어, 세그먼트에 잡음이 있는 경우, 차는 디튜닝될 수 있다. 반대로, 세그먼트가 깨끗한(cleaner) 경우, 차는 확대될 수 있다. 또한, 앞서 개시된 것처럼 이중 검출은 어느 하나의 검출 방법으로부터의 오류 알람들의 가능성을 낮춘다.
또한 방법은 저장 매체에서 방법의 임의의 단계(들)의 결과들을 저장하는 것을 포함할 수 있다. 결과들은 본 명세서에 개시된 임의의 결과들을 포함할 수 있고 업계에 공지된 임의의 방식으로 저장될 수 있다. 예를 들어, 각각의 출력이 할당된 세그먼트들 및/또는 상이한 세그먼트들에 할당되는 하나 이상의 결함 검출 파라미터들은 검사 시스템에 연결된 저장 매체에 저장되는 룩업 테이블(look up table)과 같은 데이터 구조를 생성하는데 이용될 수 있다. 저장 매체는 업계에 공지된 임의의 적절한 저장 매체를 포함할 수 있다. 결과들이 저장된 이후, 결과들은 저장 매체에 액세스될 수 있고 본 명세서에 개시된 것처럼 사용되며 사용자에게로의 디스플레이를 위해 포맷되고 다른 소프트웨어 모듈, 방법 또는 시스템 등에 의해 사용된다. 또한, 결과들은 "영구적으로", "반영구적으로", "순간적으로" 또는 시간에 대한 소정의 기간 동안 저장될 수 있다. 예를 들어, 저장 매체는 랜덤 액세스 메모리(RAM)일 수 있고, 결과들이 저장 매체에 무기한적으로 반드시 지속되지 않을 수 있다. 결과들을 저장하는 것은 2008년 9월 19일자로 Bhaskar 등에 의해 출원된 공동 소유의 미국 특허 출원 일련번호 12/234,201호에 개시된 것처럼 수행될 수 있으며, 이는 2009년 3월 26일자로 미국 특허 출원 공보 제 2009/0080759호로 공개되었으며, 본 명세서에 참조로 통합된다.
도면들로 돌아가서, 도면들은 스케일대로 도시되지 않았음이 주목된다. 특히, 도면들에서 일부 부재들의 스케일은 부재의 특징들을 강조하기 위해 과도하게 확대되었다. 또한, 도면들은 동일한 스케일로 도시되지 않았음이 주목된다. 유사하게 구성될 수 있는 하나 보다 많은 도면에 도시된 부재들은 동일한 참조 부호들을 이용하여 표시되었다.
또 다른 실시예들은 웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위한 방법(즉, 컴퓨터로 구현되는 방법)을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템상에서 실행가능한 프로그램 명령들을 포함하는 컴퓨터-판독가능 매체에 관한 것이다. 이러한 하나의 실시예가 도 1에 도시된다. 예를 들어, 도 1에 도시된 것처럼, 컴퓨터-판독가능 매체(10)는 앞서 개시된 웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위한 방법을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템(14)상에서 실행가능한 프로그램 명령들(12)을 포함한다. 프로그램 명령들이 실행될 수 있는 컴퓨터로 구현되는 방법은 본 명세서에 개시된 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다.
본 명세서에 개시된 것들과 같은 방법들을 구현하는 프로그램 명령들(12)은 컴퓨터-판독가능 매체(10)에 저장될 수 있다. 컴퓨터-판독가능 매체는 이를 테면, 판독 전용 메모리, RAM, 자기 또는 광학 디스크, 또는 자기 테입 또는 업계에 공지된 임의의 다른 적절한 컴퓨터-판독가능 매체와 같은 저장 매체일 수 있다.
프로그램 명령들은 특히 프로시저-기반 기술들, 컴포넌트-기반 기술들, 및/또는 객체-지향 기술들을 포함하는 임의의 다양한 방식들로 구현될 수 있다. 예를 들어, 프로그램 명령들은 요구에 따라, 매틀랩(Matlab), 비주얼 베이직(Visual Basic), ActiveX 컨트롤들, C, C++ 객체들, C#, 자바빈즈(JavaBeans), MFC(Microsoft Foundation Classes), 또는 다른 기술들 또는 방법들을 이용하여 구현될 수 있다.
컴퓨터 시스템(14)은 퍼스널 컴퓨터 시스템, 메인프레임 컴퓨터 시스템, 워크스테이션, 시스템 컴퓨터, 이미지 컴퓨터, 프로그램가능 이미지 컴퓨터, 병렬 프로세서, 또는 업계에 공지된 임의의 다른 디바이스를 포함하는 다양한 형태들을 취할 수 있다. 일반적으로, "컴퓨터 시스템"이란 용어는 메모리 매체로부터 명령들을 실행하는 하나 이상의 프로세서들을 가지는 임의의 디바이스를 포함하도록 광범위하게 정의될 수 있다.
추가의 실시예는 웨이퍼 상의 결함들을 검출하도록 구성되는 시스템과 관련된다. 이러한 시스템의 일 실시예가 도 2에 도시된다. 도 2에 도시된 것처럼, 시스템(16)은 검사 서브시스템(18) 및 컴퓨터 서브시스템(20)을 포함한다. 검사 시스템은 웨이퍼를 스캐닝함으로써 웨이퍼에 대한 미가공 출력을 생성하도록 구성된다. 예를 들어, 도 2에 도시된 것처럼, 검사 서브시스템은 레이저와 같은 광원(22)을 포함한다. 광원(22)은 편광 컴포넌트(24)에 광을 지향시키도록 구성된다. 또한, 검사 서브시스템은 하나 보다는 많은 편광 컴포넌트(미도시)를 포함할 수 있으며, 이들 각각은 광원으로부터의 광의 경로에서 독립적으로 위치될 수 있다. 편광 컴포넌트들 각각은 상이한 방식들로 광원으로부터의 광의 편광을 변경하도록 구성될 수 있다. 검사 서브시스템은 스캔 동안 웨이퍼의 조명을 위해 어떤 편광 설정치(setting)가 선택되는지에 따라 임의의 적절한 방식으로 광원으로부터의 광의 경로로 또는 상기 광의 경로 밖으로 편광 컴포넌트들을 이동시키도록 구성될 수 있다. 스캔 동안 웨이퍼의 조명을 위해 사용되는 편광 설정치는 p-편광(P), s-편광(S), 또는 원형 편광(C)을 포함할 수 있다.
편광 컴포넌트(24)를 벗어나는 광은 임의의 적절한 비스듬한 입사 각도를 포함할 수 있는 비스듬한 입사 각도로 웨이퍼(26)로 지향된다. 또한, 검사 서브시스템은 광원(22)으로부터 편광 컴포넌트(24)로 또는 편광 컴포넌트(24)로부터 웨이퍼(26)로 광을 지향시키도록 구성된 하나 이상의 광학 컴포넌트들(미도시)을 포함할 수 있다. 광학 컴포넌트들은 제한되는 것은 아니지만, 반사성 광학 컴포넌트와 같이 업계에 공지된 임의의 적절한 광학 컴포넌트를 포함할 수 있다. 또한, 광원, 편광 컴포넌트, 및/또는 하나 이상의 광학 컴포넌트들은 하나 이상의 입사 각도들(이를 테면, 비스듬한 입사 각도 및/또는 실질적으로 입사부에 대한 법선 각도)에서 웨이퍼로 광을 지향시키도록 구성될 수 있다. 검사 서브시스템은 임의의 적절한 방식으로 웨이퍼 위로 광을 스캐닝함으로써 스캐닝을 수행하도록 구성될 수 있다.
웨이퍼(26)로부터 산란되는 광은 스캐닝 동안 다이 검사 서브시스템의 다수의 채널들에 의해 수집 및 검출될 수 있다. 예를 들어, 법선(normal)에 비교적 근접한 각도들에서 웨이퍼(26)로부터 산란되는 광은 렌즈(28)에 의해 수집될 수 있다. 렌즈(28)는 도 2에 도시된 것처럼 굴절성 광학적 부재를 포함할 수 있다. 또한, 렌즈(28)는 하나 이상의 굴절성 광학적 부재들 및/또는 하나 이상의 반사성 광학적 부재들을 포함할 수 있다. 렌즈(28)에 의해 수집된 광은 업계에 공지된 임의의 적절한 편광 컴포넌트를 포함할 수 있는 편광 컴포넌트(30)로 지향될 수 있다. 또한, 검사 서브시스템은 하나 보다는 많은 편광 컴포넌트(미도시)를 포함할 수 있으며, 이들 각각은 렌즈에 의해 수집되는 광의 경로에 독립적으로 위치될 수 있다. 편광 컴포넌트들 각각은 렌즈에 의해 수집되는 광의 편광을 상이한 방식으로 변경하도록 구성될 수 있다. 검사 서브시스템은 스캐닝 동안 렌즈(28)에 의해 수집되는 광의 검출을 위해 어떤 편광 설정치가 선택되는지에 따라 임의의 적절한 방식으로 렌즈에 의해 수집된 광의 경로로 그리고 상기 광의 경로를 벗어나는 편광 컴포넌트들을 이동시키도록 구성될 수 있다. 스캐닝 동안 렌즈(28)에 의해 수집되는 광의 검출을 위해 사용되는 편광 설정치는 본 명세서에 개시된 임의의 편광 설정치들(이를 테면, P, S, 및 비편광됨(N))을 포함할 수 있다.
편광 컴포넌트(30)를 벗어나는 광은 검출기(32)로 지향된다. 검출기(32)는 전하 결합 디바이스(CCD) 또는 다른 형태의 이미징 검출기와 같이 업계에 공지된 임의의 적절한 검출기를 포함할 수 있다. 검출기(32)는 렌즈(28)에 의해 수집된 산란된 광에 응답하며 수집된 산란된 광의 경로에 위치될 경우 편광 컴포넌트(30)에 의해 전송되는 미가공 출력을 생성하도록 구성된다. 따라서, 렌즈(28), 렌즈(28)에 의해 수집된 광의 경로에 위치될 경우의 편광 컴포넌트(30), 및 검출기(32)는 검사 서브시스템의 하나의 채널을 형성한다. 검사 서브시스템의 이러한 채널은 푸리에 필터링 컴포넌트와 같이 업계에 공지된 임의의 다른 적절한 광학 컴포넌트들(미도시)을 포함할 수 있다.
상이한 각도들에서 웨이퍼(26)로부터 산란된 광은 렌즈(34)에 의해 수집될 수 있다. 렌즈(34)는 앞서 개시된 것처럼 구성될 수 있다. 렌즈(34)에 의해 수집된 광은 업계에 공지된 임의의 적절한 편광 컴포넌트를 포함할 수 있는 편광 컴포넌트(36)로 지향될 수 있다. 또한, 검사 서브시스템은 하나 보다는 많은 편광 컴포넌트(미도시)를 포함할 수 있으며, 이들 각각은 렌즈에 의해 수집된 광의 경로에 독립적으로 위치될 수 있다. 편광 컴포넌트들 각각은 렌즈에 의해 수집된 다이 광의 편광을 상이한 방식으로 변경하도록 구성될 수 있다. 검사 서브시스템은 스캐닝 동안 렌즈(34)에 의해 수집된 광의 검출을 위해 어떤 편광 설정치가 선택될지에 따라 임의의 적절한 방식으로 렌즈에 의해 수집된 광의 경로로 그리고 상기 광의 경로를 벗어나게 편광 컴포넌트들을 이동시키도록 구성될 수 있다. 스캐닝 동안 렌즈(34)에 의해 수집된 광의 검출을 위해 이용되는 편광 설정치는 P, S, 또는 N를 포함할 수 있다.
편광 컴포넌트(36)를 벗어나는 광은 앞서 개시된 것처럼 구성될 수 있는 검출기(38)로 지향된다. 또한, 검출기(38)는 산란된 광의 경로에 위치될 경우 편광 컴포넌트(36)를 통과하는 수집된 산란 광에 응답하는 미가공 출력을 생성하도록 구성된다. 따라서, 렌즈(34), 렌즈(34)에 의해 수집되는 광의 경로에 존재할 경우 편광 컴포넌트(36), 및 검출기(38)는 검사 서브시스템의 다른 채널을 형성할 수 있다. 이 채널은 앞서 개시된 임의의 다른 광학 컴포넌트(미도시)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 렌즈(34)는 약 20도에서 약 70도의 극성 각도들(polar angles)에서 웨이퍼로부터 산란되는 광을 수집하도록 구성될 수 있다. 또한, 렌즈(34)는 약 360도의 방위 각도에서 웨이퍼로부터 산란되는 광을 수집하도록 구성되는 반사성 광학 컴포넌트(미도시)로 구성될 수 있다.
도 2에 도시된 검사 서브시스템은 하나 이상의 다른 채널들(미도시)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 검사 서브시스템은 측면 채널로서 구성되는 검출기, 렌즈, 하나 이상의 편광 컴포넌트들과 같이 본 명세서에서 개시되는 임의의 광학 컴포넌트들을 포함할 수 있는 추가의 채널을 포함할 수 있다. 렌즈, 하나 이상의 편광 컴포넌트들, 및 검출기는 본 명세서에 개시된 것처럼 추가로 구성될 수 있다 이러한 일례에서, 측면 채널은 입사 평면으로부터 산란되는 광을 수집하고 검출하도록 구성될 수 있다(이를 테면, 측면 채널은 실질적으로 입사 평면에 직교하는 평면에 중심설정되는 렌즈, 및 렌즈에 의해 수집된 광을 검출하도록 구성된 검출기를 포함할 수 있다).
웨이퍼의 검사가 하나 보다 많은 패스를 포함하는 경우, 검사 서브시스템의 임의의 광학적 파라미터(들)의 값들은 필요한 경우 패스들 사이에서 임의의 적절한 방식으로 변경될 수 있다. 예를 들어, 패스들 사이에서 조명 편광 상태들을 변경하기 위해, 편광 컴포넌트(24)는 상이한 편광 컴포넌트들을 이용하여 본 명세서에서 개시된 것처럼 제거 및/또는 교체될 수 있다. 또 다른 예에서, 패스들 사이에서 조명 각도들을 변경하기 위해, 웨이퍼로 광을 지향시키기 위해 사용되는 광원 및/또는 임의의 다른 광학 컴포넌트(이를 테면, 편광 컴포넌트(24))의 위치는 임의의 적절한 방식으로 패스들 사이에서 변경될 수 있다.
컴퓨터 서브시스템(20)은 검사 서브시스템에 의해 생성된 미가공 출력을 획득하도록 구성된다. 예를 들어 스캐닝 동안 검출기들에 의해 생성된 미가공 출력은 컴퓨터 서브시스템(20)에 제공될 수 있다. 특히, 컴퓨터 서브시스템은 컴퓨터 서브시스템이 검출기들에 의해 생성된 미가공 출력을 수신할 수 있도록, (이를 테면, 업계에 공지된 임의의 적절한 전송 매체를 포함할 수 있는, 도 2에 점선으로 도시된 하나 이상의 전송 매체에 의해) 검출기들 각각에 연결될 수 있다. 컴퓨터 서브시스템은 임의의 적절한 방식으로 검출기들 각각에 연결될 수 있다. 웨이퍼의 스캐닝 동안 검출기들에 의해 생성된 미가공 출력은 본 명세서에 개시된 임의의 미가공 출력을 포함할 수 있다.
컴퓨터 서브시스템은 본 명세서에 개시된 임의의 실시예들에 따라 웨이퍼 상에 형성된 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들에 해당하는 미가공 출력의 하나 이상의 특징들을 식별하도록 구성된다. 미가공 출력의 하나 이상의 특징들은 본 명세서에 개시된 임의의 이러한 특징들을 포함할 수 있다. 하나 이상의 기하학적 특징들은 본 명세서에 개시된 임의의 이러한 특징들을 포함할 수 있다. 패터닝된 피처들은 본 명세서에 개시된 임의의 패터닝된 피처들을 포함할 수 있다.
또한, 컴퓨터 서브시스템은 상이한 세그먼트들 각각에 해당하는 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들이 상이하도록, 미가공 출력의 식별된 하나 이상의 특징들에 기초하여 상이한 세그먼트들에 미가공 출력의 각각의 출력을 할당하도록 구성된다. 컴퓨터 서브시스템은 본 명세서에 개시된 임의의 실시예에 따라 상이한 세그먼트들에 각각의 출력을 할당하도록 구성될 수 있다. 각각의 출력은 본 명세서에 개시된 임의의 각각의 출력을 포함할 수 있다. 상이한 세그먼트들은 본 명세서에 개시된 것처럼 구성될 수 있다. 미가공 출력의 식별된 하나 이상의 특징들은 본 명세서에 개시되는 임의의 이러한 특징들을 포함할 수 있다.
컴퓨터 서브시스템은 본 명세서에 개시되는 임의의 실시예들에 따라 상이한 세그먼트들에 하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 개별적으로 할당하도록 추가로 구성된다. 하나 이상의 결함 검출 파라미터들은 본 명세서에 개시된 임의의 결함 검출 파라미터들을 포함할 수 있다. 컴퓨터 서브시스템은 또한 본 명세서에 개시된 임의의 실시예들에 따라 수행될 수 있는, 웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 상이한 세그먼트들에 할당된 각각의 출력에 할당된 하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 적용하도록 구성된다. 할당된 하나 이상의 결함 검출 파라미터들은 본 명세서에 개시된 이러한 임의의 파라미터들을 포함할 수 있다.
컴퓨터 서브시스템은 본 명세서에 개시된 임의의 방법 실시예(들)의 임의의 다른 단계(들)를 수행하도록 구성될 수 있다. 컴퓨터 서브시스템, 검사 서브시스템, 및 시스템은 본 명세서에 개시되는 것처럼 추가로 구성될 수 있다.
도 2는 본 명세서에 개시되는 시스템 실시예들에 포함될 수 있는 검사 서브시스템의 일 구성을 전반적으로 예시하기 위해 본 명세서에 제공된 것임이 주목된다. 명백하게는, 본 명세서에 개시된 검사 서브시스템 구성은 상업적 검사 시스템을 설계할 때 통상적으로 수행되는 것처럼 검사 서브시스템의 성능을 최적화시키도록 변경될 수 있다. 또한, 본 명세서에 개시된 시스템들은 (이를 테면 현존하는 검사 시스템들에 본 명세서에 개시되는 기능을 부가함으로써) 캘리포니아 밀티파스의 케이엘에이-텐코어로부터 상업적으로 입수가능한 Puma 90xx, 91 xx 및 93xx 시리즈 툴들과 같은, 현존하는 검사 시스템을 이용하여 구현될 수 있다. 이러한 일부 시스템들에 대해, 본 명세서에 개시되는 방법들은 (이를 테면, 시스템의 다른 기능 이외에) 시스템의 선택적 기능으로서 제공될 수 있다. 대안적으로, 본 명세서에서 개시되는 시스템은 완전히 새로운 시스템을 제공하기 위해 "처음부터(from scratch)" 설계될 수 있다.
본 발명의 다양한 양상들에의 추가의 변경들 및 대안적 실시예들은 본 명세서를 참조로 당업자들에게 명확할 것이다. 예를 들어, 웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위한 방법들 및 시스템들이 제공된다.
따라서, 본 설명은 단지 예시적인 것으로서 해석되며 이는 당업자들이 일반적 방식으로 본 발명의 실행하게 하는 설명을 제공하기 위한 것이다. 본 명세서에 도시되고 개시된 본 발명의 형태들은 현재 바람직한 실시예들로서 고려된다는 것이 이해될 것이다. 본 명세서에 예시되고 개시된 것들에 대해 부재들 및 물질들이 대체될 수 있으며, 부품들 및 프로세스들이 반전될 수 있으며, 본 발명의 특정 피처들은 독립적으로 활용될 수 있으며, 이들 모두는 본 발명의 이러한 설명의 장점을 포함한 후 당업자들에게 명백할 것이다. 하기 청구항들에 개시된 것처럼 본 발명의 범주 및 사상을 이탈하지 않고 본 명세서에 개시된 부재들에서 변경들이 이루어질 수 있다.

Claims (19)

  1. 웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법으로서,
    검사 시스템에 의해 생성되는 웨이퍼에 대한 미가공 출력(raw output)을 획득하는 단계;
    상기 웨이퍼상에 형성된 패터닝된 피처들(features)의 하나 이상의 기하학적 특징들(geometrical characteristics)에 해당하는 상기 미가공 출력의 하나 이상의 특징들을 식별하는 단계;
    상이한 세그먼트들 각각에 해당하는 상기 패터닝된 피처들의 상기 하나 이상의 기하학적 특징들이 상이하도록, 상기 미가공 출력의 식별된 하나 이상의 특징들에 기초하여 상기 미가공 출력의 각각의 출력을 상이한 세그먼트들에 할당하는 단계;
    하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 상기 상이한 세그먼트들에 개별적으로 할당하는 단계; 및
    상기 웨이퍼 상의 결함들을 검출하도록, 상기 상이한 세그먼트들에 할당된 상기 각각의 출력에 할당된 하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 적용하는 단계
    를 포함하는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 미가공 출력은 상기 웨이퍼로부터 산란되는 광에 응답하는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 미가공 출력의 식별된 하나 이상의 특징들은 상기 미가공 출력 내의 라인들을 따르는 프로젝션들(projections)을 포함하는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들은 상기 패터닝된 피처들의 기하학구조(geometry)를 한정하는 수학적 계산, 에지들, 형상, 텍스처 또는 이들의 일부 조합을 포함하는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 식별하는 단계는 상기 패터닝된 피처들의 설계 레이아웃이 상기 미가공 출력의 하나 이상의 특징들에 어떻게 영향을 미칠지에 기초하여 수행되는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 식별하는 단계는 상기 획득하는 단계가 수행되는 동안 수행되는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 식별하는 단계 및 상기 각각의 출력을 할당하는 단계는 사용자 입력 없이 자동으로 수행되는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 각각의 출력을 할당하는 단계는 상기 패터닝된 피처들과 연관된 데이터를 설계하는 것과 상관없이 수행되는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 각각의 출력을 할당하는 단계는 상기 각각의 출력의 강도(intensity)와 상관없이 수행되는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 각각의 출력을 할당하는 단계는 상기 미가공 출력의 식별된 하나 이상의 특징들을 분석하는 단계 및 임계치들을 상기 각각의 출력에 적용하는 단계를 포함하는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 상이한 세그먼트들 중 하나에 대응하는 상기 하나 이상의 기하학적 특징들은 페이지 브레이크(page break)들의 하나 이상의 기하학적 특징들을 포함하며, 상기 상이한 세그먼트들의 다른 것에 대응하는 상기 하나 이상의 기하학적 특징들은 어레이 구역들의 하나 이상의 기하학적 특징들을 포함하는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 패터닝된 피처들 중 일부의 상기 하나 이상의 기하학적 특징들에 해당하는 상기 미가공 출력의 상기 하나 이상의 특징들은 푸리에 필터링(Fourier filtering)에 의해 억제될 수 없는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 결함 검출 파라미터들은 상기 각각의 출력과 기준(reference) 간의 차에 적용될 임계치를 포함하는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 개별적으로 할당하는 단계는 결함들이 상이한 감도들을 갖는 상기 상이한 세그먼트들에 할당된 상기 각각의 출력을 이용하여 검출되도록 수행되는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 획득하는 단계는 상기 웨이퍼의 멀티-패스 검사(multi-pass inspection)의 하나의 패스에서 수행되며, 상기 컴퓨터로 구현되는 방법은 상기 멀티-패스 검사의 다른 패스에서 획득되는 미가공 출력에 대해서는 수행되지 않는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 획득하는 단계는 상기 웨이퍼의 멀티-패스 검사의 하나의 패스에서 수행되며, 상기 컴퓨터로 구현되는 방법은 상기 멀티-패스 검사의 다른 패스에서 획득된 미가공 출력에 대해서는 수행되지 않으며, 추가의 결함들은 다른 패스에서 획득된 상기 미가공 출력을 이용하여 검출되며, 상기 방법은 상기 웨이퍼에 대한 검사 결과들을 생성하기 위해 상기 결함들 및 상기 추가의 결함들을 조합하는 단계를 더 포함하는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  17. 제 1 항에 있어서
    상기 웨이퍼 상의 추가의 결함들을 검출하기 위해 상기 미가공 출력에 하나 이상의 미리결정된 결함 검출 파라미터들을 적용하는 단계 및 상기 웨이퍼에 대한 검사 결과들을 생성하기 위해 상기 결함들 및 상기 추가의 결함들을 조합하는 단계를 더 포함하는,
    웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위해 컴퓨터로 구현되는 방법.
  18. 웨이퍼 상의 결함들을 검출하기 위한 방법을 수행하도록 컴퓨터 시스템 상에서 실행가능한 프로그램 명령들을 포함하는 컴퓨터-판독가능 매체로서, 상기 방법은,
    검사 시스템에 의해 생성되는 웨이퍼에 대한 미가공 출력을 획득하는 단계;
    상기 웨이퍼상에 형성된 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들에 해당하는 상기 미가공 출력의 하나 이상의 특징들을 식별하는 단계;
    상이한 세그먼트들 각각에 해당하는 상기 패터닝된 피처들의 상기 하나 이상의 기하학적 특징들이 상이하도록, 상기 미가공 출력의 식별된 하나 이상의 특징들에 기초하여 상기 미가공 출력의 각각의 출력을 상이한 세그먼트들에 할당하는 단계;
    하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 상기 상이한 세그먼트들에 개별적으로 할당하는 단계; 및
    상기 웨이퍼 상의 결함들을 검출하도록, 상기 상이한 세그먼트들에 할당된 상기 각각의 출력에 할당된 하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 적용하는 단계
    를 포함하는,
    컴퓨터-판독가능 매체.
  19. 웨이퍼 상의 결함들을 검출하도록 구성된 시스템으로서,
    상기 웨이퍼를 스캐닝함으로써 웨이퍼에 대한 미가공 출력을 생성하도록 구성된 검사 서브시스템; 및
    컴퓨터 서브시스템
    을 포함하며, 상기 컴퓨터 서브시스템은,
    상기 미가공 출력을 획득하고;
    상기 웨이퍼상에 형성된 패터닝된 피처들의 하나 이상의 기하학적 특징들에 해당하는 상기 미가공 출력의 하나 이상의 특징들을 식별하고;
    상이한 세그먼트들 각각에 해당하는 상기 패터닝된 피처들의 상기 하나 이상의 기하학적 특징들이 상이하도록, 상기 미가공 출력의 식별된 하나 이상의 특징들에 기초하여 상기 미가공 출력의 각각의 출력을 상이한 세그먼트들에 할당하고;
    하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 상기 상이한 세그먼트들에 개별적으로 할당하고; 그리고
    상기 웨이퍼 상의 결함들을 검출하도록, 상기 상이한 세그먼트들에 할당된 상기 각각의 출력에 할당된 하나 이상의 결함 검출 파라미터들을 적용하도록,
    구성되는, 웨이퍼 상의 결함들을 검출하도록 구성된 시스템.
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