KR20110115058A - 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 패턴 형성 방법 - Google Patents

포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 패턴 형성 방법 Download PDF

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KR20110115058A
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Abstract

본 발명은 대면적의 피전사체에 대하여 반복 노광을 실시하는데 이용되는 포토마스크 블랭크에 관한 것이다.
본 발명의 포토마스크 블랭크는 차광막 패턴을 갖고, 대면적의 피전사체에 대하여 상기 차광막 패턴의 일부가 겹쳐지도록 반복 노광을 행하여 상기 피전사체 위에 반복 패턴을 형성하기 위하여 이용되는 포토마스크의 원재료인 포토마스크 블랭크에 있어서, 노광광에 대하여 투명한 기판 위에 적어도 차광막을 갖고, 상기 노광광에 대한 상기 차광막의 광학 밀도(Optical Density)가 3.0 보다 높은 것을 특징으로 하며, 더욱 바람직하게는 5.0 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 포토마스크의 차광막 패턴의 일부가 겹쳐지도록 반복 노광을 행하여 피전사체 위에 반복 패턴을 형성할 때, 중첩 노광 영역에서의 패턴 치수가 거의 변화되지 않는다.

Description

포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 패턴 형성 방법{PHOTOMASK BLANK, PHOTOMASK AND METHOD OF FORMING PATTTERN}
본 발명은 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 특히 대면적의 피전사체를 반복 노광하는데 이용되는 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
액정표시장치(LCD), 유기전계 발광 소자(OLED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등의 평판 디스플레이(FPD) 및 태양광 발전용 패널 제품은 시장의 요구가 고급화, 고기능화, 다양화됨에 따라 그 응용 범위가 확대되면서, 보다 저렴하고 생산성이 우수한 제조 공정 기술의 개발이 요구되고 있다. 일반적으로 평판 디스플레이 회로는 차광막 패턴이 형성된 포토마스크를 사용하는 리소그래피 공정을 통해 제조된다.
최근에는 평판 디스플레이의 대면적화가 요구되고, 이에 수반하여 리소그래피 공정에서 사용되는 노광 장치는 노광 영역의 확대가 요구되고 있다. 노광 장치의 노광 영역을 확대시키기 위해서는 투영 광학계를 대형화할 필요가 있지만, 대형 투영 광학계를 설계 및 제조하기 위해서는 많은 비용이 든다.
그래서 대면적의 평판 디스플레이를 제조하기 위해서는, 피전사체 기판을 1회의 리소그래피 공정 분만큼의 면적으로 영역을 분할하여, 분할된 한 영역에 포토마스크를 근접시켜 노광 장치로 전사하고, 기판을 스텝 이동시켜 다른 영역에 동일한 노광을 반복하여 실시하는 스텝 앤드 리피트(Step & Repeat) 방식이 사용되고 있다.
이러한 스텝 앤드 리피트 방식의 반복 노광 방식은 각 노광 공정을 진행할 때 피전사체 기판과 포토마스크의 위치 맞춤이 매우 중요하게 된다. 반복 노광시 위치 맞춤이 어긋나게 되면 중첩 노광된 영역의 패턴 치수가 커지거나 줄어들어 배선 불량 또는 화소 불량 등의 문제점이 발생하게 된다. 따라서, 반복 노광에 있어 각 노광시 피전사체 기판과 포토마스크의 위치 맞춤이 중요하다.
그러나, 본 발명자들은 피전사체 기판과 포토마스크가 정확하게 위치 맞춤이 이루어져 반복 노광을 실시하더라도, 종래의 포토마스크를 이용한 반복 노광에서는 중첩 노광된 영역의 패턴 치수가 변하게 된다는 것을 발견하였다. 이것은 포토마스크의 차광막 패턴이 노광광을 완벽하게 차광시키지 못하는데 문제점이 발생하게 되는 것으로 생각된다. 종래 포토마스크의 차광막 패턴은 노광광에 대한 투과율이 0.1% 수준으로, 피전사체 상의 포토레지스트를 감광시키지 않는데 충분하기 때문에, 지금까지 포토마스크의 차광막 패턴은 노광광에 대한 투과율이 0.1% 이하인 것까지는 요구되지 않았다.
하지만, 반복 노광된 영역은 1회 노광된 영역보다도 받게 되는 노광량이 많아지기 때문에, 형성되는 패턴의 치수에 영향을 받을 수 밖에 없게 된다.
도 1은 차광막 패턴(12a)을 갖는 포토마스크(20)를 이용하여 피전사체 기판(30)에 반복 노광을 실시하는 경우를 도시한 것이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 포토마스크(20)를 피전사체 기판(30) 위에 두고 노광광(60)을 조사하여 피전사체 기판(30) 상의 포토레지스트(31)에 1차 노광하고(도 1(a)), 1차 노광된 영역과 일부 차광막 패턴(12a)이 겹쳐지도록 위치 맞춤을 한 상태로 노광광(60)을 조사하여 2차 노광한 후(도 1(b)), 포토레지스트(31)를 현상액으로 현상하면, 포토마스크(20)의 차광막 패턴(12a)과 동일한 패턴 치수의 포토레지스트 패턴(31a, 31b)이 반복하여 형성되는데, 2차 노광시 위치 맞춤을 정확하게 하였다 하더라도, 중첩 노광된 포토레지스트 패턴(31b)은 다른 1회 노광된 포토레지스트 패턴(31a)에 비해 받게 되는 노광량이 많기 때문에, 포토레지스트 패턴의 치수가 줄어든 채로 형성된다(도 1(c)).
더구나, 평판 디스플레이가 대면적화 되어가는 것과는 반대로, 디스플레이 장치의 동작 속도면에서나 성능상의 유리한 점 때문에 패턴의 치수는 점점 미세화 되어가는 경향이 있는데, 패턴의 미세화는 노광광의 회절을 더 크게 만들기 때문에, 포토레지스트 패턴의 정밀도는 더욱 악화된다.
따라서, 본 발명은 대면적의 피전사체에 대하여 포토마스크의 차광막 패턴의 일부가 겹쳐지도록 반복 노광을 행하여 피전사체 위에 반복 패턴을 형성할 때, 중첩 노광 영역에서의 패턴 치수가 변화되지 않도록 하는 포토마스크 및 그 포토마스크의 원재료인 포토마스크 블랭크를 제공하는데 첫 번째 목적이 있다.
또한, 본 발명은 포토마스크의 미세한 차광막 패턴이라도 피전사체 위의 포토레지스트 패턴의 정밀도가 악화됨이 없이 양호한 패턴을 형성할 수 있도록 하는 포토마스크 및 그 포토마스크의 원재료인 포토마스크 블랭크를 제공하는데 두 번째 목적이 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 이하의 구성을 갖는다.
<구성 1>
차광막 패턴을 갖고, 대면적의 피전사체에 대하여 상기 차광막 패턴의 일부가 겹쳐지도록 반복 노광을 행하여 상기 피전사체 위에 반복 패턴을 형성하기 위하여 이용되는 포토마스크의 원재료인 포토마스크 블랭크에 있어서, 노광광에 대하여 투명한 기판 위에 적어도 차광막을 갖고, 상기 노광광에 대한 상기 차광막의 광학 밀도(Optical Density)가 3.0보다 높은 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
<구성 2>
구성 1에 있어서, 상기 노광광에 대한 상기 차광막의 광학 밀도(Optical Density)가 5.0 이상인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
<구성 3>
차광막 패턴을 갖고, 대면적의 피전사체에 대하여 상기 차광막 패턴의 일부가 겹쳐지도록 반복 노광을 행하여 상기 피전사체 위에 반복 패턴을 형성하기 위하여 이용되는 포토마스크의 원재료인 포토마스크 블랭크에 있어서, 노광광에 대하여 투명한 기판 위에 적어도 차광막을 갖고, 상기 노광광에 대한 상기 차광막의 투과율이 0.1% 보다 낮은 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
<구성 4>
구성 3에 있어서, 상기 노광광에 대한 상기 차광막의 투과율이 0.001% 이하인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
<구성 5>
상기 구성 1 내지 구성 4 중 어느 한 구성에 있어서, 상기 노광광은 350nm 내지 450nm의 파장 범위로부터 선택된 파장인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
<구성 6>
상기 구성 1 내지 구성 4 중 어느 한 구성에 있어서, 상기 차광막은 2층 이상의 다층막인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
<구성 7>
상기 구성 1 내지 구성 4 중 어느 한 구성의 포토마스크 블랭크로부터 상기 차광막이 패터닝되어 차광막 패턴으로 형성된 포토마스크.
<구성 8>
상기 구성 7의 포토마스크를 이용하여 대면적의 피전사체에 대하여 상기 차광막 패턴의 일부가 겹쳐지도록 반복 노광을 행함으로써, 상기 피전사체 위에 반복 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
본 발명에 따르면 대면적의 피전사체에 대하여 포토마스크의 차광막 패턴의 일부가 겹쳐지도록 반복 노광을 행하여 피전사체 위에 반복 패턴을 형성할 때, 중첩 노광 영역에서의 패턴 치수가 거의 변화되지 않는다.
또한, 본 발명에 따르면 포토마스크의 미세한 차광막 패턴이라도 피전사체 위의 포토레지스트 패턴의 정밀도가 악화됨이 없이 양호한 패턴을 얻을 수 있다.
도 1은 포토마스크를 이용하여 피전사체 기판에 반복 노광을 실시하는 경우를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 포토마스크 블랭크의 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 포토마스크의 제조 공정을 나타낸 것이다.
<포토마스크 블랭크>
도 2는 본 발명에 따른 포토마스크 블랭크의 단면도이다. 이하, 도 1과 도 2를 참조하여 본 발명을 구체적으로 설명한다.
대면적의 피전사체 기판(30)을 1회 리소그래피 공정 분만큼의 면적으로 영역을 분할하고, 분할된 각 영역을 차광막 패턴(12a)을 갖는 포토마스크(20)를 이용하여 스텝 앤드 리피트 방식의 반복 노광을 실시하는 경우에 있어, 광학 밀도(OD; Optical Density)가 종래의 3.0 보다 높은 차광막 패턴(12a)을 갖는 포토마스크(20), 보다 바람직하게는 광학밀도(OD) 5.0 이상인 광막 패턴(12a)을 갖는 포토마스크(20)를 이용하면, 중첩 노광된 영역의 패턴 치수가 거의 변하지 않고 양호한 패턴을 얻을 수 있다.
따라서, 본 발명의 포토마스크 블랭크(10)는 투명 기판(11) 위에 적어도 차광막(12)을 갖고, 차광막(12)의 광학 밀도가 3.0 보다 높은 것을 특징으로 하며, 보다 바람직하게는 광학 밀도가 5.0 이상인 것을 특징으로 한다.
광학 밀도는 아래 수학식 1에 의해 계산된다.
Figure pat00001
상기 수학식 1에서, I0는 파장이 λ인 입사광의 세기, I는 파장이 λ인 대한 투과광의 세기이다.
따라서, 광학 밀도는 노광광(60)에 대한 투과율과 관련이 있다는 것을 알 수 있고, 본 발명의 다른 형태로서, 본 발명의 포토마스크 블랭크(10)는 투명 기판(11) 위에 적어도 차광막(12)을 갖고, 차광막(12)의 노광광(60)에 대한 투과율이 0.1% 보다 낮은 것을 특징으로 하며, 보다 바람직하게는 0.001% 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 피전사체 기판(30)은 액정표시장치(LCD), 유기전계 발광 소자(OLED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등의 평판 디스플레이(FPD) 회로 기판을 통칭한다. 피전사체 기판(30)을 분할하는 갯수는 한정되지 않는다. 피전사체 기판(30)의 분할된 한 영역은 포토마스크(20)의 1회 노광 면적에 대응한다. 피전사체 기판(30)의 분할된 한 영역은 하나의 디스플레이 패널로 제조되거나, 여러개의 영역이 하나의 디스플레이 패턴로 제조될 수 있다.
본 발명의 포토마스크 블랭크(10)는 투명 기판(11) 위에 차광막(12)과 그 위에 레지스트막(13)을 더 포함할 수 있다.
투명 기판(11)은 한 변이 150mm 이상이고, 노광광에 대하여 투광성인 기판이다. 본 발명의 투명 기판(11)은 특히 한 변이 300mm 이상인 대형 기판이다.
차광막(12)은 노광광에 대하여 0.1% 보다 낮은 투과율을 갖는 막이며, 보다 바람직하게는 0.001% 이하의 투과율을 갖는 막이다. 차광막(12)은 2층 이상의 다층막으로 형성될 수 있다. 이 때, 차광막(12)은 노광광에 대하여 차광 기능을 주로 하는 차광층과, 노광광의 반사를 방지하는 기능을 주로 하는 반사방지층을 적어도 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명은 차광층과 반사방지층을 포함하여 광학 밀도가 3.0 보다 높으며, 보다 바람직하게는 광학밀도가 5.0 이상이다.
차광막(12)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 보론(B), 베릴륨(Be), 나트륨(Na), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si), 몰리브데늄실리사이드(MoSi) 중 어느 하나 이상의 물질을 포함하여 형성되거나, 상기 물질 중 어느 하나 이상의 물질과, 추가적으로 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 수소(H), 불소(F), 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 크세논(Xe) 중 어느 하나 이상의 물질을 더 포함하는 화합물로 형성될 수 있다.
본 발명의 차광막(12)은 동일한 막두께에 비해 차광성이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 종래 일반적인 차광막(12)의 재료로 이용되는 크롬(Cr)에 비해 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 실리콘(Si) 등이 차광성이 높은 물질이다.
본 발명의 차광막(12)은 종래의 크롬(Cr)을 포함하는 차광막(12)의 막두께보다 더 두꺼운 막 두께로 크롬(Cr)을 포함하여 형성될 수 있다. 일반적으로 종래 차광막(12)은 광학 밀도가 3.0이고, 노광광에 대한 투과율이 0.1%인 것이 대부분이었다. 본 발명은 종래 차광막(12)의 성막 방법과 동일하게 하되 성막 시간을 더 길게함으로써 차광막(12)의 막두께를 더 두껍게 할 수 있다. 이와 같이 하면, 종래 차광막(12)의 에칭 특성은 동일하게 가져가면서도, 차광막(12)의 광학 밀도를 3.0 보다 높은 값으로 하고, 노광광의 투과율을 0.1% 보다 낮은 값으로 할 수 있다. 차광막(12)이 차광층과 반사방지층을 포함하는 다층으로 형성되는 경우, 반사방지층은 종래와 동일한 막두께로 형성하고, 차광층을 두껍게 형성하여, 차광막(12)의 광학 밀도를 3.0 보다 높은 값으로 하고, 노광광의 투과율을 0.1% 보다 낮은 값으로 할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 노광광은 350nm 내지 450nm의 파장 범위로부터 선택된 파장의 빛이다. 노광광은 상기 범위 내의 한 파장의 빛이거나, 둘 이상의 파장의 빛을 포함하는 것일 수 있다.
차광막(12)은 350nm 내지 450nm의 전체 파장 범위의 노광광에 대하여 광학 밀도가 3.0 보다 높고, 또는 투과율이 0.1% 보다 낮으며, 350nm에서 450nm까지의 파장 범위에 대한 광학 밀도, 투과율, 및 반사율이 균일한 것이 바람직하다. 또한, 차광막(12)은 면내 광학 밀도, 면내 투과율, 및 면내 반사율도 균일한 것이 바람직하다.
본 발명의 포토마스크 블랭크(10)는 노광광에 대하여 반투과성을 갖는 반투광막(미도시)을 더 포함할 수 있다. 반투광막은 투명 기판(11)과 차광막(12) 사이에 형성되거나, 차광막 패턴(12a) 위에 형성될 수 있다.
<포토마스크 제조>
도 3은 본 발명의 포토마스크 블랭크(10)로부터 포토마스크(20)를 제조하는 공정을 도시한 것이다.
도 3을 참조하여, 먼저 투명 기판(11) 상에 차광막(12)과 레지스트막(13)이 형성된 포토마스크 블랭크(10)를 준비한다(도 3(a)). 레지스트막(13)을 묘화?현상하여 레지스트막 패턴(13a)을 형성한다(도 3(b)). 그 다음, 레지스트막 패턴(13a)을 마스크로 하여 차광막(12)을 습식 또는 건식 에칭한다(도 3(c)). 그 다음, 남아있는 레지스트막 패턴(13a)을 제거하여 최종 포토마스크(20)를 얻는다(도 3(d)).
이하, 실시예와 비교예를 통해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 하기 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명하기 위한 목적에서 사용된 것일 뿐 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다.
<실시예>
대형 글래스 기판(합성 석영(QZ) 10mm 두께, 사이즈 850mm×1200mm) 상에, 대형 리액티브 스퍼터링 장치를 사용하여, 차광 기능을 갖는 차광층과, 반사 방지 기능을 갖는 반사 방지층으로 구성되는 차광막의 성막을 행하였다. 성막은, 스퍼터링 장치 내에 Cr 타겟을 배치하고, 우선 Ar 가스와 N2 가스 및 CH4 가스를 스퍼터링 가스로 하여 CrCN층을 140nm(차광 기능을 갖는 차광층), 다음으로 Ar 가스와 N2 가스 및 CO2 가스를 스퍼터링 가스로 하여 CrCON층(반사 방지 기능을 갖는 반사 방지층)을 30nm 연속 성막하여 마스크 블랭크를 제작하였다. 또한, 각 막은 각각 조성 경사막이었다.
상기와 같이 제조된 차광막은 350nm 내지 450nm에서 최대 0.001%의 투과율을 나타내었고, 광학 밀도로 환산하면 5.0 이상이다.
상기와 같이 제조된 마스크 블랭크 상에 레지스트막을 코팅하고 묘화?현상하여 레지스트막 패턴을 형성한다. 형성된 레지스트막 패턴을 마스크로서 차광막을 습식 식각하였다. 이때 사용된 식각액은 CAN(Ceric Ammonium Nitrate)을 포함하는 식각액이었다. 잔류하는 레지스트막을 제거하고 최종 포토마스크를 얻었다.
상기 포토마스크를 이용하여 도 1에 도시된 바와 같이, 차광막 패턴의 일부가 중첩되도록 하여 피전사체 기판에 반복 노광을 행하였다. 노광장치는 초고압 수은등을 사용하여 i-line, h-line, 및 g-line을 포함하는 노광광을 조사하는 것을 사용하였다. 노광 후, 피전사체 기판 상의 포토레지스트에 현상액으로 감광된 포토레지스트를 제거하고 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 중첩 노광된 포토레지스트 패턴의 치수와 1회 노광된 포토레지스트 패턴의 치수를 비교하였지만, 차이가 거의 없이 양호한 패턴을 나타내었다.
<비교예>
대형 글래스 기판(합성 석영(QZ) 10mm 두께, 사이즈 850mm×1200mm) 상에 CrCN의 차광층을 80nm, CrCON의 반사방지층을 30nm로 성막한 것을 제외하고는 상기 실시예와 동일한 포토마스크 블랭크를 제작하였다.
비교예에서 제조된 차광막의 투과율을 측정하였더니, 350nm 내지 450nm에서 0.1%의 투과율을 나타내었고, 광학 밀도로 환산하면 3.0이다.
비교예의 포토마스크 블랭크로부터 상기 실시예의 포토마스크와 동일한 포토마스크를 제작하고, 도 1과 같이, 차광막 패턴의 일부가 중첩되도록 하여 피전사체 기판에 반복 노광을 실시하였다. 노광 후, 피전사체 기판 상의 포토레지스트에 현상액으로 감광된 포토레지스트를 제거하고 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 중첩 노광된 포토레지스트 패턴의 선폭과 1회 노광된 포토레지스트 패턴의 치수를 비교하였더니, 중첩 노광된 포토레지스트 패턴의 선폭이 1회 노광된 포토레지스트 패턴의 치수보다 작아, 디스플레이용 기판에 적합하지 못한 것으로 판명되었다.
10 : 포토마스크 블랭크
11 : 투명 기판
12 : 차광막
13 : 레지스트막
20 : 포토마스크
30 : 피전사체 기판
31 : 포토레지스트
40 : 차폐판
60 : 노광광

Claims (8)

  1. 차광막 패턴을 갖고, 대면적의 피전사체에 대하여 상기 차광막 패턴의 일부가 겹쳐지도록 반복 노광을 행하여 상기 피전사체 위에 반복 패턴을 형성하기 위하여 이용되는 포토마스크의 원재료인 포토마스크 블랭크에 있어서,
    노광광에 대하여 투명한 기판 위에 적어도 차광막을 갖고, 상기 노광광에 대한 상기 차광막의 광학 밀도(Optical Density)가 3.0보다 높은 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 노광광에 대한 상기 차광막의 광학 밀도(Optical Density)가 5.0 이상인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  3. 차광막 패턴을 갖고, 대면적의 피전사체에 대하여 상기 차광막 패턴의 일부가 겹쳐지도록 반복 노광을 행하여 상기 피전사체 위에 반복 패턴을 형성하기 위하여 이용되는 포토마스크의 원재료인 포토마스크 블랭크에 있어서,
    노광광에 대하여 투명한 기판 위에 적어도 차광막을 갖고, 상기 노광광에 대한 상기 차광막의 투과율이 0.1% 보다 낮은 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 노광광에 대한 상기 차광막의 투과율이 0.001% 이하인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노광광은 350nm 내지 450nm의 파장 범위로부터 선택된 파장인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차광막은 2층 이상의 다층막인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 포토마스크 블랭크로부터 상기 차광막이 패터닝되어 차광막 패턴으로 형성된 포토마스크.
  8. 제7항의 포토마스크를 이용하여 대면적의 피전사체에 대하여 상기 차광막 패턴의 일부가 겹쳐지도록 반복 노광을 행함으로써, 상기 피전사체 위에 반복 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
KR1020100037594A 2010-04-14 2010-04-22 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 패턴 형성 방법 KR20110115058A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160115739A (ko) 2015-03-27 2016-10-06 호야 가부시키가이샤 포토마스크 블랭크 및 이것을 사용한 포토마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법
KR20200128141A (ko) * 2018-03-15 2020-11-11 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 대형 포토마스크

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