KR20110106524A - 배향막 패턴의 형성 방법 및 이로부터 제조된 광학 적층체 - Google Patents

배향막 패턴의 형성 방법 및 이로부터 제조된 광학 적층체 Download PDF

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Abstract

본 발명은 배향막 패턴의 형성 방법 및 이로부터 제조된 광학 적층체에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 투명 기재필름의 한 면에 형성된 배향막에 배향막 패턴을 형성시키기 위한 마스크 패턴을 투명 기재필름의 다른 한 면에 인쇄하는 마스크 인쇄 단계를 포함함으로써, 포토 마스크의 위치 정렬, 노광 등을 위해 전체 공정을 멈추어야 했던 종래 방법의 단점을 보완할 수 있고 마스크 패턴이 기재필름 상에 인쇄되어 함께 이동되기 때문에 치수정확도가 우수할 뿐만 아니라 배향막 패턴의 형성 후에는 간단한 방법으로 마스크를 세정할 수 있는 배향막 패턴의 형성 방법 및 이로부터 제조된 광학 적층체에 관한 것이다.

Description

배향막 패턴의 형성 방법 및 이로부터 제조된 광학 적층체 {METHOD FOR FORMING ALIGNMENT LAYER AND OPTICAL LAMINATED BODY FROM THE SAME}
본 발명은 포토 마스크의 위치 정렬 및 노광 등을 위해 전체 공정을 멈추어야 했던 종래 방법의 단점을 보완할 수 있는 배향막 패턴의 형성 방법 및 이로부터 제조된 광학 적층체에 관한 것이다.
3차원 입체 영상 기술은 양안 시차 방식(stereoscopic technique)와 복합 시차 방식(autostereoscopic technique)으로 크게 분류할 수 있다. 양안 시차 방식은 좌우 눈의 시차 영상을 이용하는 것으로서, 안경 방식과 무안경 방식이 있다.
통상 입체 영상 기술에서는 액정을 이용한 패턴화된 위상차층을 활용한다. 통상 액정을 이용한 패턴화된 위상차층은 기판; 상기 기판에 코팅하여 표면 배향 처리되는 배향막; 및 상기 배향막 위에 코팅되어 배향되는 액정으로 구성된다.
액정은 광반응성 액정으로 배향막 상에서 표면 배향된 후 자외선 등의 광 조사에 의해 가교 고상화되어 고분자 액정 필름 형태가 된다.
배향은 부드러운 직물로 감긴 롤을 이용하여 배향막을 러빙(rubbing)하여 러빙 방향에 따라 표면 배향방향을 설정하는 러빙 배향 또는 편광된 자외선 등을 배향막에 조사하여 편광 방향에 따라 표면 배향 방향을 설정하는 광 배향을 사용한다.
러빙 배향은 패턴의 형성을 위해 포토리소그라피를 사용하므로 공정이 대단히 복잡하고, 사용되는 재료의 비용이 높으며 불량률도 높아 생산성이 좋지 않은 문제점이 있다.
광 배향은 비접촉식 배향으로 먼지의 이입이 원천적으로 없어서 생산성이 월등히 우수하다. 그러나 패턴의 형성을 위한 포토마스크 위치 정렬 시 그 치수정확도가 낮으면 패턴과 패턴 사이에 그 배향이 잘 정의되지 않은 영역이 발생하여 패턴화된 위상차층으로서의 품질이 저하될 수 있다. 또한 포토마스크의 위치 정렬이 잘못될 경우 마스크 접경 지역의 배향이 잘못되는 경우가 발생하게 된다.
따라서, 포토마스크의 위치 정렬은 높은 치수 정확도로 이루어져야 하므로 정렬 공정에서 제품 단위당 소요되는 제작시간이 길고, 고가의 마스크 정열 장치 등이 필요하게 되는 문제가 있다. 또한, 정렬된 포토마스크의 치수정확도를 유지하기 위해 광 조사는 공정이 멈춘 상태에서 수행되므로 제조공정 시간이 길어져 생산성이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 종래 포토마스크의 정렬 공정이 없이 배향막 상에 치수정확도가 우수한 패턴을 형성할 수 있는 배향막 패턴의 형성 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 포토 마스크의 위치 정렬 및 노광을 위해 전체 공정을 멈추는 단계가 불필요한 배향막 패턴의 형성 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 배향막 패턴 형성 후에 간단한 방법으로 마스크를 제거할 수 있는 배향막 패턴의 형성 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 상기 배향막 패턴의 형성 방법으로 제조된 광학 적층체를 제공하고자 한다.
1. 투명 기재필름의 한 면에 형성된 배향막에 배향막 패턴을 형성시키기 위한 마스크 패턴을 투명 기재필름의 다른 한 면에 인쇄하는 마스크 인쇄 단계를 포함하는 배향막 패턴의 형성 방법.
2. 위 1에 있어서, 마스크 인쇄 단계 후 마스크 패턴이 인쇄된 면 쪽에서 광을 조사하는 노광 단계를 추가로 포함하는 배향막 패턴의 형성 방법.
3. 위 2에 있어서, 노광 단계 후 마스크 패턴을 세정하는 세정 단계를 추가로 포함하는 배향막 패턴의 형성 방법.
4. 위 1에 있어서, 배향막 형성은 마스크 인쇄 단계 전에 형성되는 것인 배향막 패턴의 형성 방법.
5. 위 1에 있어서, 배향막 형성은 마스크 인쇄 단계 후에 형성되는 것인 배향막 패턴의 형성 방법.
6. 위 1에 있어서, 마스크 인쇄 단계와 동시에 마스크 패턴이 인쇄된 면 쪽에서 광을 조사하는 패턴 노광 단계를 포함하는 배향막 패턴의 형성 방법.
7. 위 2에 있어서, 마스크 패턴은 광을 차단할 수 있는 물질을 포함하여 이루어진 것인 배향막 패턴의 형성 방법.
8. 위 2에 있어서, 광은 자외선인 배향막 패턴의 형성 방법.
9. 위 8에 있어서, 마스크 패턴은 자외선을 차단할 수 있는 물질을 포함하여 이루어진 것인 배향막 패턴의 형성 방법.
10. 위 1에 있어서, 배향막은 패턴 노광 단계에서 재배향 될 수 있도록 전체 면을 배향하는 단계를 포함하는 배향막 패턴의 형성 방법.
11. 위 10에 있어서, 배향은 러빙 또는 광배향 방식으로 수행되는 배향막 패턴의 형성 방법.
12. 투명 기재필름의 한 면에 형성된 배향막에 배향막 패턴을 형성시키기 위한 마스크 패턴이 투명 기재필름의 다른 한 면에 인쇄된 광학 적층체.
13. 위 12에 있어서, 마스크 패턴은 자외선을 차단할 수 있는 물질을 포함하여 이루어진 광학 적층체.
14. 위 12에 있어서, 배향막 패턴 상에 액정층이 적층된 광학 적층체.
15. 위 12에 있어서, 배향막 패턴은 서로 다른 배향 방향의 영역으로 이루어진 것인 광학 적층체.
16. 위 14에 있어서, 액정층은 서로 다른 배향 방향의 영역으로 이루어진 것인 광학 적층체.
17. 자외선을 투과할 수 있는 물질을 포함하여 이루어진 투명 기재필름의 한 면에 자외선을 차단할 수 있는 물질을 포함하여 이루어진 마스크 패턴이 인쇄된 광학 적층체.
본 발명의 배향막 패턴의 형성 방법은 마스크 필름이 기재필름과 일체로 이동되기 때문에 치수정확도가 우수하다.
본 발명의 배향막 패턴의 형성 방법은 종래 포토마스크의 정렬 공정이 없어 포토마스크의 정확한 위치 정렬을 위한 고가의 장비 및 시간 소요가 없는 이점이 있다.
본 발명의 배향막 패턴의 형성 방법은 포토 마스크의 위치 정렬, 노광 등을 위해 전체 공정을 멈추어야 했던 종래 방법의 단점을 보완할 수 있고, 생산성 향상에 유리하다.
본 발명의 배향막 패턴의 형성 방법은 패턴 형성 후에는 간단한 방법으로 마스크를 세정할 수 있어 간편하다.
도 1(a) 및 (b)는 본 발명에 따른 광학 적층체의 단면 및 마스크 형성 면의 일례를 나타낸 사시도이고,
도 2(a), (b) 및 (c)는 본 발명에 따른 배향막 패턴의 형성 방법의 일례를 나타낸 것이고,
도 3a, 도 3b, 도 3c, 도 3d, 도 3e 및 도 3f는 본 발명에 따른 배향막 패턴의 형성 방법을 이용한 패턴 리타더 형성 방법의 일례를 나타낸 것이다.
본 발명은 포토마스트의 위치 정렬을 위한 공정과 노광광 조사시 공정의 멈춤 없이 치수정확도가 높은 배향막 패턴이 형성되고, 공정 시 발생되는 진동에도 리타더 패턴의 치수정확도가 유지되는 배향막 패턴의 형성 방법 및 이로부터 제조된 광학 적층체에 관한 것이다.
이하 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 배향막 패턴의 형성 방법은 투명 기재필름의 한 면에 형성된 배향막에 배향막 패턴을 형성시키기 위한 마스크 패턴을 투명 기재필름의 다른 한 면에 인쇄하는 마스크 인쇄 단계를 포함한다.
상기 배향막 패턴은 배향막 상에 서로 다른 배향 방향의 영역이 스트라이프 형상으로 교대로 배치된 것이다.
투명 기재필름은 특별히 한정하지는 않으나, 배향막 형성이 용이한 것을 사용할 수 있다.
구체적인 예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌이소프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지; 디아세틸셀룰로오스, 트리아세틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스계 수지; 폴리카보네이트계 수지; 폴리메틸(메타)아크릴레이트, 폴리에틸(메타)아크릴레이트 등의 아크릴계 수지; 폴리스티렌, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체 등의 스티렌계 수지; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 시클로계 또는 노르보르넨 구조를 갖는 폴리올레핀, 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 폴리올레핀계 수지; 염화비닐계 수지; 나일론, 방향족 폴리아미드 등의 아미드계 수지; 이미드계 수지; 폴리에테르술폰계 수지; 술폰계 수지; 폴리에테르술폰계 수지; 폴리에테르에테르케톤계 수지; 황화 폴리페닐렌계 수지; 비닐알코올계 수지; 염화비닐리덴계 수지; 비닐부티랄계 수지; 알릴레이트계 수지; 폴리옥시메틸렌계 수지; 에폭시계 수지 등과 같은 열가소성 수지로 이루어진 군에서 선택된 필름을 사용할 수 있으며, 상기 열가소성 수지의 블렌드물로 구성된 필름도 사용할 수 있다. 또한, (메타)아크릴계, 우레탄계, 아크릴우레탄계, 에폭시계, 실리콘계 등의 열경화성 수지 또는 자외선 경화형 수지로 된 필름을 사용할 수도 있다. 또한, 투명 기재필름은 패턴 노광시의 노광광의 투과성을 높일 수 있도록 첨가제를 추가하는 등의 일반적인 방법을 적절히 처리하여 사용할 수도 있다.
투명 기재필름 중 상기 열가소성 수지의 함량은 50 내지 100중량%, 바람직하게는 50 내지 99중량%, 보다 바람직하게는 60 내지 98중량%, 가장 바람직하게는 70 내지 97중량%인 것이 좋다. 함량이 50중량% 미만인 경우에는 열가소성 수지가 가지고 있는 본래의 고투명성을 충분히 발현하지 못할 수 있다.
투명 기재필름의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니며, 통상 20 내지 500㎛일 수 있으며, 바람직하게는 20 내지 300㎛인 것이 좋다.
배향막은 투명 기재필름 한 면에 형성된다.
배향막은 광 배향을 통해 선택적으로 재배향될 수 있도록 전체 면이 표면 배향 처리된 것일 수 있다.
배향막은 무기 배향막과 유기 배향막으로 구분되나, 본 발명은 유기 배향막을 사용하는 것이 좋다.
유기 배향막은 폴리이미드계 또는 폴리아믹산이 함유된 배향막 형성용 조성물을 사용하여 형성된다. 폴리아믹산은 디아민(di-amine)과 이무수물(dianhydride)을 반응시켜 얻어지는 폴리머이고 폴리이미드는 폴리아믹산을 이미드화하여 얻어지는 것으로 이들의 구조는 특별히 제한되지 않는다.
배향막 형성용 조성물은 적절한 점도를 유지하는 것이 중요하다. 점도가 지나치게 높으면 압력을 가해도 쉽게 유동하지 않아 군일한 두께의 배향막 형성이 어려우며, 점도가 지나치게 낮으면 퍼짐성은 좋으나 배향막의 두께 조절이 어렵다. 예컨데 8 내지 13cP인 것이 바람직하다.
또한, 표면 장력, 고형분의 농도 및 용제의 휘발성 등을 고려하는 것이 좋다. 특히 고형분의 농도는 점도나 표면장력에 영향을 미치므로 배향막의 두께나 경화 특성 등을 동시에 고려하여 조절하는 것이 좋다.
고형분의 농도가 지나치게 높으면 점도가 높아 배향막의 두께가 두꺼워지며, 지나치게 낮을 경우에는 용액의 비율이 높아 용액의 건조 후 얼룩이 생기는 문제점이 있다. 예컨데 고형분의 농도가 2 내지 10중량%인 것이 바람직하다.
배향막 형성용 조성물은 폴리이미드계 또는 폴리아믹산 등의 고형분이 용매에 용해된 용액상인 것이 좋다. 용매는 고형분을 용해시킬 수 있는 것으로 특별히 한정하지 않으며, 구체적으로 부틸셀로솔브, 감마-부티로락톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 등이 사용될 수 있다.
이러한 용매는 용해도, 점도, 표면장력 등을 고려하여 균일한 배향막을 형성할 수 있도록 적절히 혼합하여 사용한다.
이외에 배향막 형성용 조성물은 효과적인 배향막 형성을 위하여 가교제 및 커플링제 등이 추가로 혼합 될 수 있다.
배향막은 투명 기재필름의 한 면에 배향막 형성용 조성물을 도포하고, 배향 처리하여 형성된다.
도포는 당 분야에서 통상적으로 사용되는 방법이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면 도포는 배향막 형성용 조성물을 유동 주조법, 및 에어 나이프(air knife), 그라비아(gravure), 리버스 롤(reverse roll), 키스 롤(kiss roll), 스프레이(spray) 또는 블레이드(blade) 등의 도포방법을 이용하여 적당한 전개방식으로 직접 도포하여 적층할 수 있다.
배향처리는 특별히 한정하지는 않으나, 편광된 자외선 조사, 소정의 각도로 이온빔 또는 플라즈마빔 조사, 방사선 조사 및 러빙법 등을 사용할 수 있다. 예컨데 편광된 자외선을 조사하는 것이 바람직하다.
배향막 형성용 조성물의 도포 효율을 향상시키기 위하여 건조 공정을 추가로 수행할 수 있다.
건조는 특별히 한정하지 않으며 통상 열풍 건조기나 원적외선 가열기를 이용하여 수행할 수 있으며, 건조처리 온도는 통상 30 내지 100℃, 바람직하게는 50 내지 80℃이고, 건조시간은 통상 60 내지 600초, 바람직하게는 120 내지 600초인 것이 좋다.
도 2와 같이 본 발명의 배향막은 마스크 패턴이 투명 기재필름에 인쇄된 후(a), 또는 인쇄되기 전(b)에 형성될 수 있다. 또한 배향막 형성과 동시에 마스크 패턴이 인쇄된 면 쪽에서 노광광을 조사하는 노광 단계(c)를 수행할 수 있다.
마스크 패턴은 배향막에 배향막 패턴을 형성시키기 위해 투명 기재필름의 한 면에 인쇄된다. 이러한 마스크 패턴은 노광광에 의해 배향이 되지 않도록 하는 광 차단부와 노광광에 의해 배향이 되는 광 투과부로 구성된다.
마스크 패턴의 광 차단부는 노광광을 차단할 수 있는 물질을 포함하는 패턴 형성용 용액을 사용하여 인쇄되어 형성된다.
인쇄는 당 분야에서 통상적으로 사용되는 방법이라면 특별히 제한되지 않는다. 예컨데, 스템퍼를 이용하는 것이 바람직하다. 스템퍼의 형상은 한정하지 않으며, 롤 형상 또는 판 형상일 수 있다.
또한, 패턴의 두께는 패턴 형성의 용이성 및 광원 차단력 등을 고려하여 적절히 조절할 수 있다.
패턴 형성용 용액의 인쇄 효율을 향상시키기 위하여 건조 공정을 추가로 수행할 수 있다.
건조는 특별히 한정하지 않으며 통상 열풍 건조기나 원적외선 가열기를 이용하여 수행할 수 있다.
이상의 방법으로 본 발명은 도 1과 같이 투명 기재필름(20)의 한 면에 형성된 배향막(30)에 배향막 패턴을 형성시키기 위한 마스크 패턴(10)이 투명 기재필름의 다른 한 면에 인쇄된 광학 적층체를 형성한다.
또한, 본 발명은 무배향된 배향막 상에 마스크 패턴을 이용하여 선택적으로 배향 방향을 형성하는 단계를 수행할 수 있다. 배향 방향은 러빙법 또는 광배향 등의 일반적인 처리 방법으로 형성할 수 있으며, 특별히 한정하지는 않는다.
또한, 본 발명은 자외선을 투과할 수 있는 물질을 포함하여 이루어진 투명 기재필름의 한 면에 자외선을 차단할 수 있는 물질을 포함하여 이루어진 마스크 패턴이 인쇄된 광학 적층체를 형성한다.
노광 단계는 마스크 패턴을 통하여 광이 투과되는 부분(광 투과부)에서 배향막에 형성된 배향 방향을 변경시킨다. 즉 광이 마스크 패턴을 투과하여 배향막에 도달한 부분은 배향 방향이 변경되고 광이 도달하지 않은 부분은 원래의 배향 방향을 유지하게 된다.
노광광은 배향막의 배향 방향을 변경시킬 수 있는 광을 사용하여 수행한다. 예컨데 배향막의 배향방향(광축)이 45°이면 노광광은 -45°의 배향방향을 형성할 수 있도록 직교하게 한다
이러한 광은 특별히 한정하지는 않으나, 편광된 자외선을 사용하는 것이 바람직하다. 이외에도 이온 빔, 플라즈마 빔 및 방사선 등을 사용할 수 있다.
일례로 노광광으로 편광된 자외선을 사용하는 경우 마스크 패턴의 광 차단부는 자외선을 차단할 수 있는 물질을 포함하는 패턴 형성용 용액을 이용하여 형성된다.
본 발명은 노광 단계 후 마스크 패턴을 세정하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
세정은 특별히 한정하지는 않으나, 형성된 리타더 패턴의 표면 손상을 최소화 시킬 수 있으면서, 패턴 형성용 용액의 제거가 용이한 방법으로 수행하는 것이 바람직하다.
일례로 마스크 패턴의 광 차단부를 형성하는 패턴 형성용 용액이 제거될 수 있는 용매 성분을 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 용매를 스프레이 방식으로 마스크 인쇄면에 분사하는 방식이나 용매에 침지시키는 등의 일반적인 세정 방식을 사용할 수 있다.
세정 단계 후에 배향막 패턴 상에 액정층을 적층하여 패턴 리타더를 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은 노광 단계 후 배향막 패턴 상에 액정층을 형성하고, 마스크 패턴을 세정하여 패턴 리타더를 형성할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 배향막 패턴의 형성 방법을 이용한 패턴 리타더의 형성 방법을 나타낸 것이다.
일례로 마스크 인쇄 단계(S2); 배향막 형성 단계(S1); 배향막 패턴 노광 단계(S3); 세정 단계(S4); 및 액정층 형성 단계(S5)의 순으로 수행될 수 있다.
또한 일례로 마스크 인쇄 단계(S2); 배향막 형성 단계(S1); 배향막 패턴 노광 단계(S3); 액정층 형성 단계(S5); 및 세정 단계(S4)의 순으로 수행될 수 있다.
또한 일례로 배향막 형성 단계(S1); 마스크 인쇄 단계(S2); 배향막 패턴 노광 단계(S3); 세정 단계(S4); 및 액정층 형성 단계(S5)의 순으로 수행될 수 있다.
또한 일례로 배향막 형성 단계(S1); 마스크 인쇄 단계(S2); 배향막 패턴 노광 단계(S3); 액정층 형성 단계(S5); 및 세정 단계(S4)의 순으로 수행될 수 있다.
또한 일례로 마스크 인쇄 단계(S2); 배향막 형성 및 배향막 패턴 노광 단계(S6); 세정 단계(S4); 및 액정층 형성 단계(S5)의 순으로 수행될 수 있다.
또한 일례로 마스크 인쇄 단계(S2); 배향막 형성 및 배향막 패턴 노광 단계(S6); 액정층 형성 단계(S5); 및 세정 단계(S4)의 순으로 수행될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예 1
픽셀 간격으로 패턴이 형성된 판 상의 스템퍼에 자외선 차단제를 도포하였다. 도포된 스템퍼를 이용하여 시클로올레핀계 기재필름(제온, 아톤, 오쿠라㈜)의 일면에 마스크를 인쇄하고 40℃에서 열풍 건조하여 자외선 차단부가 형성된 마스크 패턴을 형성하였다.
시클로올레핀계 기재필름의 다른 면에 배향액을 100nm 두께로 유지되도록 도포하고, 40℃에서 열풍 건조한 후 편광된 자외선 광을 45°편광방향으로 하여 14mW의 출력으로 75초간 조사하여 배향 방향이 45°인 배향막을 형성하였다.
시클로올레핀계 기재필름의 한 면에 마스크 패턴이 인쇄되고 다른 한 면에 배향막이 형성된 광학 적층체를 마스크 패턴이 인쇄된 쪽에서 편광된 자외선 광을 -45°편광방향으로 하여 14mW의 출력으로 75초간 조사하는 노광 공정을 수행하여 배향막 패턴을 형성하였다.
마스크 패턴이 인쇄된 기재필름 면에 자외선 차단제 용해용 용매를 살포, 건조하여 마스크 패턴을 세정하였다.
반응성 액정 단량체를 PGMEA(프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트)에 용해시켜 제조된 25중량%(고형분 함량)의 액정층 형성용 조성물을 배향막 패턴상에 도포하여 배향방향이 45°와 -45°가 배열된 패턴 리타더를 형성하였다.
그 결과, 치수 정확도가 높은 패턴 리터더가 형성되고, 공정의 멈춤없이 연속적으로 수행할 수 있었다.
실시예 2
상기 실시예 1과 동일하게 실시하되, 시클로올레핀계 기재필름의 한 면에 배향막을 형성한 후에 다른 면에 마스크 패턴을 인쇄하여 패턴 리타더를 형성하였다.
그 결과, 치수 정확도가 높은 패턴 리터더가 형성되고, 공정의 멈춤없이 연속적으로 수행할 수 있었다.
실시예 3
상기 실시예 1과 동일하게 실시하되, 한 면에 마스크 패턴이 인쇄된 시클로올레핀계 기재필름의 다른 면에 배향막을 형성하는 공정과 마스크 패턴이 인쇄된 쪽에서 노광하는 공정을 동시에 수행하여 패턴 리타더를 형성하였다.
그 결과, 치수 정확도가 높은 패턴 리터더가 형성되고, 공정의 멈춤없이 연속적으로 수행할 수 있었다.
실시예 4
상기 실시예 1과 동일하게 실시하되, 형성된 배향막 패턴 상에 반응성 액정 단량체를 PGMEA(프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트)에 용해시켜 제조된 25중량%(고형분 함량)의 액정층 형성용 조성물을 도포하여 배향방향이 45°와 -45°가 배열된 패턴 리타더를 형성하였다.
이후에 마스크 패턴이 인쇄된 기재필름 면에 자외선 차단제 용해용 용매를 살포, 건조하여 마스크 패턴을 세정하였다.
그 결과, 치수 정확도가 높은 패턴 리터더가 형성되고, 공정의 멈춤없이 연속적으로 수행할 수 있었다.
본 발명은 패턴 리타더 형성에 있어서 가장 중요한 노광 시 마스크 정렬 공정을 제거하여 기존보다 정확도가 높은 패턴 리타더를 생산할 수 있다.
또한 배향막 패턴의 노광 공정을 위한 정지 공정이 불필요하므로 롤투롤 혹은 시트투시트 방식 등의 일반적인 패턴 리타더 필름 제조에 있어 필름 혹은 기판의 이동과 동시에 정밀 노광을 수행할 수 있어 패턴 리타더 제조 공정의 생산성을 높일 수 있다.
또한 배향막 패턴의 노광 공정에 있어서 마스크와 배향층과의 거리를 최소화 할 수 있어 정확도가 높은 패턴 리타더를 생산할 수 있으며, 마스크 제거에 있어서도 정지 공정 없이 마스크를 제거할 수 있다.
10 : 마스크 패턴
11 : 광 차단부 12 : 광 투과부
20 : 투명 기재필름 30 : 배향막

Claims (17)

  1. 투명 기재필름의 한 면에 형성된 배향막에 배향막 패턴을 형성시키기 위한 마스크 패턴을 투명 기재필름의 다른 한 면에 인쇄하는 마스크 인쇄 단계를 포함하는 배향막 패턴의 형성 방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 마스크 인쇄 단계 후 마스크 패턴이 인쇄된 면 쪽에서 광을 조사하는 노광 단계를 추가로 포함하는 배향막 패턴의 형성 방법.
  3. 청구항 2에 있어서, 노광 단계 후 마스크 패턴을 세정하는 세정 단계를 추가로 포함하는 배향막 패턴의 형성 방법.
  4. 청구항 1에 있어서, 배향막은 마스크 인쇄 단계 전에 형성되는 것인 배향막 패턴의 형성 방법.
  5. 청구항 1에 있어서, 배향막은 마스크 인쇄 단계 후에 형성되는 것인 배향막 패턴의 형성 방법.
  6. 청구항 1에 있어서, 마스크 인쇄 단계와 동시에 마스크 패턴이 인쇄된 면 쪽에서 광을 조사하는 노광 단계를 포함하는 배향막 패턴의 형성 방법.
  7. 청구항 2에 있어서, 마스크 패턴은 광을 차단할 수 있는 물질을 포함하여 이루어진 것인 배향막 패턴의 형성 방법.
  8. 청구항 2에 있어서, 광은 자외선인 배향막 패턴의 형성 방법.
  9. 청구항 8에 있어서, 마스크 패턴은 자외선을 차단할 수 있는 물질을 포함하여 이루어진 것인 배향막 패턴의 형성 방법.
  10. 청구항 1에 있어서, 배향막은 노광 단계에서 재배향 될 수 있도록 전체 면을 배향하는 단계를 포함하는 배향막 패턴의 형성 방법.
  11. 청구항 10에 있어서, 배향은 러빙 또는 광배향 방식으로 수행되는 배향막 패턴의 형성 방법.
  12. 투명 기재필름의 한 면에 형성된 배향막에 배향막 패턴을 형성시키기 위한 마스크 패턴이 투명 기재필름의 다른 한 면에 인쇄된 광학 적층체.
  13. 청구항 12에 있어서, 마스크 패턴은 자외선을 차단할 수 있는 물질을 포함하여 이루어진 광학 적층체.
  14. 청구항 12에 있어서, 배향막 패턴 상에 액정층이 적층된 광학 적층체.
  15. 청구항 12에 있어서, 배향막 패턴은 서로 다른 배향 방향의 영역으로 이루어진 것인 광학 적층체.
  16. 청구항 14에 있어서, 액정층은 서로 다른 배향 방향의 영역으로 이루어진 것인 광학 적층체.
  17. 자외선을 투과할 수 있는 물질을 포함하여 이루어진 투명 기재필름의 한 면에 자외선을 차단할 수 있는 물질을 포함하여 이루어진 마스크 패턴이 인쇄된 광학 적층체.
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