KR20110105324A - Processing chamber, apparatus for manufacturing semiconductor including the same and method for processing substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 챔버 간에 기판을 이송하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명은 측면에 기판 출입부가 형성된 챔버 바디; 상기 챔버 바디의 내부에 구비된 기판 지지대; 및 상기 챔버 바디 내부에 구비되고, 복수 개의 기판을 구분하는 디바이더(divider)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 공정 챔버를 제공한다.
따라서, 공정 챔버 내에서 동시에 여러 장의 기판를 처리할 수 있고, 디바이더가 인접한 기판 간의 간섭을 방지하며, 복수 개의 기판을 로드락 챔버 내에서 미리 얼라인한 후 공정 챔버에 공급하여 공정 효율의 향상을 기대할 수 있다.The present invention relates to an apparatus and method for transferring substrates between chambers.
The present invention is a chamber body formed with a substrate entrance on the side; A substrate support provided in the chamber body; And a divider provided inside the chamber body, the divider dividing a plurality of substrates.
Therefore, multiple substrates can be processed at the same time in the process chamber, the divider prevents interference between adjacent substrates, and a plurality of substrates are pre-aligned in the load lock chamber and then supplied to the process chamber to improve process efficiency. have.
Description
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자 등의 기판을 처리하는 공정 챔버 및 챔버 간에 기판을 이송하는 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
통상적으로 반도체소자, 평면표시장치, 태양전지 등을 제조하기 위하여 웨이퍼(wafer) 또는 글래스(glass)에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피 공정 및 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각 (etching) 공정 등이 필요하다.In general, a thin film deposition process for depositing a thin film of a specific material on a wafer or glass to manufacture a semiconductor device, a flat panel display device, a solar cell, or the like, or using a photosensitive material to expose or select a selected region of the thin film. There is a need for a photolithography process for concealment and an etching process for removing a thin film of a selected region and patterning it as desired.
그리고, 상술한 공정을 수행하기 위하여 복수 개의 공정 챔버 내에서 각각 박막증착공정, 식각공정 등이 진행되는데, 복수 개의 공정 챔버 간에서 기판의 이동은 트랜스퍼 챔버에 의하여 수행된다.In addition, a thin film deposition process, an etching process, and the like are performed in the plurality of process chambers, respectively, in order to perform the above-described process. The substrate is moved between the plurality of process chambers by a transfer chamber.
그러나, 상술한 종래의 공정 챔버와 이를 포함한 반도체 제조 장치는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the above-described conventional process chamber and semiconductor manufacturing apparatus including the same have the following problems.
각각의 공정 챔버에서는 1장의 기판을 처리하는데, 1장의 기판을 각 공정 챔버로 이동시키고 진공 분위기에서 공정을 진행한 후 다시 다른 공정 챔버로 이동하여야 하므로 생산성이 떨어진다.In each process chamber, one substrate is processed. Since one substrate is moved to each process chamber, the process is performed in a vacuum atmosphere, and then moved to another process chamber, productivity is reduced.
즉, 1장의 기판이 이동할 때마다 트랜스퍼 챔버가 작동되어야 하고, 1장의 기판이 공정 챔버로 출입할 때마다 기판 출입구의 개폐가 이루어지고 또한 각 공정 챔버의 진공 분위기가 다시 형성되어야 하는 문제점이 있다.That is, there is a problem in that the transfer chamber should be operated every time one substrate is moved, and the opening and closing of the substrate entrance is made every time one substrate is moved into and out of the process chamber, and the vacuum atmosphere of each process chamber is formed again.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 각각의 기판마다 별개로 챔버 간을 이동시켜서 트랜스퍼 챔버에 과도한 부하가 소모되는 문제점을 해결하고자 하는 것이다.The present invention is to solve the above-described problems, an object of the present invention is to solve the problem that excessive load is consumed in the transfer chamber by moving between chambers for each substrate separately.
본 발명의 다른 목적은, 각 공정 챔버에서 1장의 기판마다 별도로 공정을 진행하여서 기판 출입구의 개폐 및 진공 분위기 형성이 빈번하게 이루어지는 문제점을 해결하고자 하는 것이다.Another object of the present invention is to solve the problem that the opening and closing of the substrate entrance and the formation of a vacuum atmosphere is frequently performed by performing a separate process for each substrate in each process chamber.
상술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 측면에 기판 출입부가 형성된 챔버 바디; 상기 챔버 바디의 내부에 구비된 기판 지지대; 및 상기 챔버 바디 내부에 구비되고, 복수 개의 기판을 구분하는 디바이더(divider)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 공정 챔버를 제공한다.In order to solve the above-described problems, the present invention provides a chamber body having a substrate entrance on the side; A substrate support provided in the chamber body; And a divider provided inside the chamber body, the divider dividing a plurality of substrates.
여기서, 상기 디바이더는 라인형으로 구비되어 서로 대향하는 한 쌍의 기판을 구분하거나, 서로 교차하는 직선형으로 구비되어 4장의 기판을 구분할 수 있다.Here, the divider may be provided in a line shape to distinguish a pair of substrates facing each other, or may be provided in a straight line crossing each other to distinguish four substrates.
그리고, 상기 디바이더는 상기 복수 개의 기판을 적어도 4~60 밀리미터 이격시킬 수 있다.The divider may separate the plurality of substrates by at least 4 to 60 millimeters.
그리고, 상기 디바이더는 세라믹(Ceramic) 또는 아노다이징 코팅된 알루미늄(Anodizing coated Aluminum)으로 이루어질 수 있다.The divider may be made of ceramic or anodizing coated aluminum.
그리고, 상기 기판 지지대는 상기 챔버 바디를 향하는 기판의 면을 지지하는 로딩 프레임과 상기 디바이더를 향하는 기판의 면을 지지하는 핀(Pin) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The substrate support may include at least one of a loading frame supporting a surface of the substrate facing the chamber body and a pin supporting the surface of the substrate facing the divider.
본 발명의 다른 실시 형태에 의하면, 기판을 이동하는 기판 이동 장치가 구비된 트랜스퍼 챔버(transfer chamber); 상기 기판을 얼라인(align)하고, 상기 트랜스퍼 챔버로 상기 기판을 출입시키는 로드락 챔버(Load lock Chamber); 및 상기 트랜스퍼 챔버로부터 전송받은 기판의 처리 공정을 수행하는 적어도 하나의 공정 챔버(Process Chamber)를 포함하여 이루어지고, 여기서, 상기 공정 챔버는 측면에 기판 출입부가 형성된 챔버 바디; 상기 챔버 바디의 내부에 구비된 기판 지지대; 및 상기 챔버 바디의 내부에 구비되고, 복수 개의 기판을 구분하는 디바이더를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a transfer chamber including a substrate moving apparatus for moving a substrate; A load lock chamber that aligns the substrate and allows the substrate to enter and exit the transfer chamber; And at least one process chamber performing a process of processing the substrate received from the transfer chamber, wherein the process chamber comprises: a chamber body having a substrate entrance at a side thereof; A substrate support provided in the chamber body; And a divider provided inside the chamber body to divide a plurality of substrates.
여기서, 상기 기판 이동 장치는 상기 기판을 수평 방향으로 이송하는 기판 이송부와, 상기 기판 이송부에 구비되어 슬라이딩을 통하여 상기 기판을 상기 로드락 챔버와 공정 챔버로 반송하는 기판 반송부를 포함하여 이루어진다.Here, the substrate transfer device includes a substrate transfer unit for transferring the substrate in a horizontal direction, and a substrate transfer unit provided in the substrate transfer unit to transfer the substrate to the load lock chamber and the process chamber through sliding.
그리고, 상기 기판 반송부는 수직 이동부와 수평 이동부로 이루어지고, 상기 수직 이동부는 상기 기판의 로딩 및 언로딩하고, 상기 수평 이동부는 상기 기판을 슬라이딩시킬 수 있다.The substrate carrier may include a vertical moving part and a horizontal moving part, the vertical moving part may load and unload the substrate, and the horizontal moving part may slide the substrate.
그리고, 상기 반도체 제조 장치는 상기 로드락 챔버 내에 구비되고 상기 기판을 얼라인하는 얼라인 부재를 더 포함할 수 있다.The semiconductor manufacturing apparatus may further include an alignment member provided in the load lock chamber to align the substrate.
그리고, 상기 얼라인 부재는 상기 기판이 안착될 지지대의 4지점의 코너(corner)에 구비될 수 있다.The alignment member may be provided at four corners of the support on which the substrate is to be seated.
그리고, 상기 로드락 챔버 내에는 서로 대향하는 2장의 기판이 구비되고, 상기 얼라인 부재는 상기 2장의 기판의 사이에 고정 부재 또는 회전부재로 구비될 수 있다.In addition, two substrates facing each other may be provided in the load lock chamber, and the alignment member may be provided as a fixing member or a rotating member between the two substrates.
그리고, 상기 로드락 챔버 내에는 4장의 기판이 안착되고, 상기 얼라인 부재는 상기 4장의 기판이 만나는 중심부에서 서로 교차하는 한 쌍의 직선으로 구비될 수 있다.그리고, 상기 얼라인 부재는 적어도 4개의 회전 부재가 상기 4장의 기판의 사이에 각각 구비되고, 상기 회전 부재의 회전에 의하여 상기 4장의 기판을 얼라인할 수 있다.In addition, four substrates may be seated in the load lock chamber, and the alignment member may be provided as a pair of straight lines crossing each other at a central portion where the four substrates meet. Two rotating members are provided between the four substrates, and the four substrates can be aligned by the rotation of the rotating member.
그리고, 상기 로드락 챔버 내의 얼라인 부재와 상기 공정 챔버 내의 디바이더는, 상기 기판을 동일한 패턴으로 얼라인할 수 있다.The alignment member in the load lock chamber and the divider in the process chamber may align the substrate in the same pattern.
본 발명의 또 다른 실시 형태에 따르면, 얼라인 부재가 구비된 제 1 챔버에 복수 개의 기판을 차례로 로딩하는 단계; 상기 얼라인 부재로 상기 제 1 챔버 내의 상기 복수 개의 기판의 코너를 얼라인하는 단계; 기판 반송부를 사용하여 상기 복수 개의 기판을 상기 제 1 챔버 내에서 제 2 챔버 내로 반송하는 단계; 및 상기 기판 반송부를 사용하여 상기 복수 개의 기판을 상기 제 2 챔버에서 상기 제 3 챔버로 반송하는 단계를 포함하여 이루어지고, 여기서, 상기 복수 개의 기판은, 상기 제 1 챔버 내에서 얼라인된 패턴과 동일한 패턴으로, 상기 제 3 챔버 내에 안착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 제공한다.According to another embodiment of the invention, the step of sequentially loading a plurality of substrates in a first chamber having an alignment member; Aligning corners of the plurality of substrates in the first chamber with the alignment member; Conveying the plurality of substrates from the first chamber into the second chamber using a substrate carrier; And conveying the plurality of substrates from the second chamber to the third chamber by using the substrate conveying unit, wherein the plurality of substrates are arranged in a pattern aligned in the first chamber. In the same pattern, it is provided in the third chamber is provided a substrate processing method.
여기서, 상기 제 1 챔버 내에는 2장의 기판이 얼라인되어 상기 제 2 챔버 및 제 3 챔버로 로딩되고, 상기 얼라인 부재는 상기 2장의 기판이 만나는 중심부에서 라인형으로 구비되어 상기 2장의 기판을 얼라인할 수 있다.Here, two substrates are aligned in the first chamber and are loaded into the second chamber and the third chamber, and the alignment member is provided in a line shape at the center where the two substrates meet to form the two substrates. You can align.
그리고, 상기 제 1 챔버 내에서 4장의 기판이 얼라인되어 상기 제 2 챔버 및 제 3 챔버로 로딩되고, 상기 얼라인 부재는 상기 4장의 기판이 만나는 중심부에서 서로 교차하는 한 쌍의 직선으로 구비되어 상기 4장의 기판을 가로 방향 및 세로 방향으로 얼라인할 수 있다.In addition, four substrates are aligned in the first chamber and are loaded into the second chamber and the third chamber, and the alignment member is provided in a pair of straight lines crossing each other at the center where the four substrates meet. The four substrates can be aligned in the horizontal and vertical directions.
또한, 상기 기판을 반송하는 단계들은 각각 상기 기판을 언로딩 챔버에서 수직 상승시키고, 상기 기판을 언로딩 챔버에서 로딩 챔버로 수평이동시킨 후, 상기 기판을 상기 로딩 챔버에 수직 하강시켜 안착시킬 수 있다.In addition, the steps of conveying the substrate may be mounted by vertically raising the substrate in the unloading chamber, horizontally moving the substrate from the unloading chamber to the loading chamber, and then lowering the substrate vertically on the loading chamber. .
상술한 본 발명에 따른 공정 챔버, 이를 포함하는 반도체 제조 장치 및 기판 처리 방법의 효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the effects of the above-described process chamber, a semiconductor manufacturing apparatus and a substrate processing method including the same as follows.
첫째, 공정 챔버 내에 복수 개의 기판이 로딩되어 증착 등의 공정이 수행되어, 동시에 여러 장의 기판를 처리할 수 있다.First, a plurality of substrates are loaded in a process chamber to perform a process such as deposition to process several substrates at the same time.
둘째, 공정 챔버 내의 복수 개의 기판 상에 디바이더가 구비되어, 박막 증착 공정 등에서 인접한 기판 간에 박막이 서로 연결되어 증착되는 것을 방지한다.Second, a divider is provided on a plurality of substrates in the process chamber, and the thin films are prevented from being connected to each other and deposited between adjacent substrates in a thin film deposition process.
셋째, 복수 개의 기판을 로드락 챔버 내에서 미리 얼라인한 후 공정 챔버에 공급하여, 공정 효율의 향상을 기대할 수 있다.Third, the plurality of substrates may be aligned in advance in the load lock chamber and then supplied to the process chamber, thereby improving process efficiency.
도 1a 내지 도 1f는 본 발명에 따른 공정 챔버의 일실시예들을 나타낸 도면이고,
도 2a 및 도 2b는 도 1a에서 기판 지지대 상에 안착된 기판을 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 4는 도 3에서 로드락 챔버 내에서 기판의 얼라인을 나타낸 도면이고,
도 5a 내지 도 5f는 도 4에서 얼라인 부재의 일실시예들을 나타낸 도면이고,
도 6 및 도 7은 기판 이동 장치의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 8은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 다른 실시예를 나타낸 도면이다.1a to 1f are views showing one embodiment of a process chamber according to the present invention,
2A and 2B are views illustrating a substrate seated on a substrate support in FIG. 1A;
3 is a view showing an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention,
4 is a view showing alignment of the substrate in the load lock chamber in FIG.
5A to 5F are views illustrating one embodiment of an alignment member in FIG. 4;
6 and 7 are views showing an embodiment of a substrate transfer apparatus,
8 is a view showing another embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 종래와 동일한 구성 요소는 설명의 편의상 동일 명칭 및 동일 부호를 부여하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention that can specifically realize the above object will be described. The same components as in the prior art are given the same names and the same reference numerals for convenience of description, and detailed description thereof will be omitted.
도 1a 내지 도 1f는 본 발명에 따른 공정 챔버의 일실시예들을 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1a에서 기판 지지대 상에 안착된 기판을 나타낸 도면이다. 이하에서, 도 1a 내지 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 공정 챔버의 일실시예를 설명한다.1A to 1F illustrate one embodiment of a process chamber according to the present invention, and FIG. 2 illustrates a substrate seated on a substrate support in FIG. 1A. Hereinafter, an embodiment of a process chamber according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1A to 2.
본 실시예는 공정 챔버 내에 복수 개의 기판(16)을 동시에 안착시키고, 증착 등의 공정을 1회에 수행할 수 있다.In the present embodiment, a plurality of
도 1a는 공정 챔버의 내부를 도시한 도면으로서, 챔버 바디(10) 내에 총 4장의 기판(16)이 구비되어 있다. 여기서, 각각의 기판(16)은 챔버 바디(10) 내부의 기판 지지대에 안착되어 있다.FIG. 1A illustrates an interior of a process chamber, in which a total of four
여기서, 기판 지지대는 로딩 프레임(Loading frame, 12)과 핀(Pin, 14)으로 이루어져 있다. 로딩 프레임은 각각의 기판(16)의 챔버 바디(10)를 향하는 면을 지지한다. 즉, 4장의 기판(16) 전체를 하나로 본다면, 상기 로딩 프레임(12)은 기판 하나의 에지를 지지하게 된다.Here, the substrate support is composed of a
그리고, 상기 핀(14)는 디바이더(40)를 향하는 각각의 기판(16)의 에지를 지지하게 된다. 즉, 각각의 기판(16)의 단면이 4각형의 형상인 경우, 챔버 바디(10)와 대향하는 2개의 변은 로딩 프레임(12)에 의하여 지지되고, 나머지 2개의 변은 핀(14)에 의하여 지지될 수 있다.The
그리고, 상기 기판(16)은 로딩 프레임(12)만으로 또는 핀(14) 만으로 지지될 수도 있다. 이때, 로딩 프레임(12) 또는 핀(14) 각각이 4장의 기판(16)의 에지를 모두 지지하도록 구비되어야 함은 당연하다.The
그리고, 상기 4장의 기판(16)은 디바이더(divider, 40)에 의하여 구분된다. 여기서, 공정 챔버 내에 4장의 기판이 구비된 경우, 상기 디바이더(40)는 서로 교차하는 직선형으로 구비되어 4장의 기판을 구분할 수 있다. 즉, 상기 디바이더(40)가 4장의 기판을 구분할 때, 상기 디바이더(40)는 십자가와 유사한 형상일 수 있다.The four
도 2a는 도 1a에서 기판 지지대 상에 안착된 기판을 나타낸 도면으로서, 서셉터(50)에 의하여 기판(16)이 지지되고 있으며, 로딩 프레임(12)이 측면에서 도시되었으나 실제로는 기판(16)의 에지 만을 지지하고 있다.FIG. 2A is a view showing a substrate seated on a substrate support in FIG. 1A, wherein the
도 2b는 도 2a의 'D' 부분의 확대도이다.FIG. 2B is an enlarged view of a portion 'D' of FIG. 2A.
도시된 바와 같이 디바이더(40)는 지지 부재(40a)와 분리 부재(40b)를 포함하는데, 상기 지지 부재(40a)는 기판 들의 에지의 일부를 지지할 수 있으며 상기 분리 부재(40b)는 인접한 기판들이 접촉하지 않도록 이격한다. 여기서, 분리 부재(40b)가 사다리꼴 형상을 하고 있는데, 기판들을 분리하면서도 기판과 직접 접촉하는 면적을 줄여서 기판의 손상을 방지할 수 있다.As shown, the
여기서, 인접한 기판들은 적어도 상기 분리 부재(40b)의 아랫 변의 폭(T1) 만큼 분리되는데 본 실시예에서는 4~60 밀리미터(mm) 이격될 수 있다. 즉, 디바이더(40)가 좌우 대칭을 이루면 중심으로부터 기판은 적어도 2~30 밀리미터 이격되어, 공정 챔버 내에서 각 기판 간에 발생할 수 있는 간섭을 방지할 수 있다.Here, the adjacent substrates are separated by at least the width T1 of the lower side of the
즉, 인접한 기판들을 로봇에 안착시킬 수 있는 마진(margin)이 4 밀리미터이므로, 디바이어(40)의 분리 부재(40b)가 4 밀리미터 이하의 폭으로 형성되면 기판을 서셉터에 안착시킬 때 마진의 부족으로 인접한 기판 간에 충돌로 인한 손상이 발생할 수 있다. 또한, 디바이더(40)에 기판이 안착되는 면적이 넓어지게 되면 디바이더(40)는 그라운드(Ground)가 형성되지 않는 절연체이므로 기판에 형성되는 박막의 균일도가 떨어질 수 있다. That is, since the margin for seating adjacent substrates on the robot is 4 millimeters, when the separating
또한, 예를 들어 박막의 증착 공정시에 상기 디바이더(40)의 분리 부재(40b)는 증착 시에 인접한 기판 간에 박막이 서로 연결되지 않게 하여 기판 가장자리의 박막 균일도를 높여주고, 또한 상기 디바이더(40)의 분리 부재(40b)는 4mm 밀리미터 이하의 폭으로 형성하여 상기 기판을 지지하는 서셉터(susceptor)와 디바이더(40)가 플라즈마 등에 노출을 최소화하여 상기 기판 상에 원하는 두께의 박막이 증착될 수 있도록 하는 역할을 할 수 있다.In addition, for example, during the deposition process of the thin film, the separating
또한, 디바이더(40)의 분리부재(40b)가 60 밀리미터 이상의 폭을 가지면, 한정된 챔버 바디(10)의 공간을 고려할 때 공간 활용도가 충분하지 못하다. 즉, 디바이더(40)의 선폭이 넓어지면 서셉터의 면적도 함께 넓어지는 문제점이 있다.In addition, when the separating
그리고, 상기 디바이더(40)와 분리 부재(40b)의 선폭이 넓어지면 기판이 서셉터에만 안착될 수 있는데, 서셉터가 플라즈마에 노출되면 서셉터에 아킹이 발생할 수 있고, 서셉터에 상부에 박막이 증착 되어 다음 기판 처리 공정에서 기판의 정렬이 잘 되지 않을 수 있다.In addition, when the line widths of the
또한, 상기 디바이더(40)는 상기 챔버 내에서 박막 증착이나 식각 등의 공정에서 플라즈마 및 식각액 등과 직접적인 노출을 최소화 해서 디바이더(40)가 기판의 증착과 식각에 직접적인 영향을 주지 않는 것이 바람직하며, 본 실시예에서는 세라믹(Ceramic) 또는 아노다이징 코팅된 알루미늄(Anodizing coated Aluminum) 등의 절연체로 디바이더(40)를 제조하였다. 그리고, 서셉터는 그라운드가 되어 있으므로, 디바이더(40)의 절연체의 면적이 넓어지면 플라즈마가 발생되지 않는 영역이 넓어져서, 따라서 보다 낮은 플라즈마가 형성되어 박막의 균일도가 저하될 수 있다.In addition, the
또한, 상기 디바이더(40)는 상술한 효과를 나타내기에 충분한 높이만 가지면 되므로, 디바이더(40)의 분리 부재(40b)는 인접한 기판의 높이와 ± 10 밀리미터 이내의 차이를 가질 수 있다.In addition, since the
도 1b에서는, 도 1a에 도시된 실시예에서 챔버 바디(10) 내에 기판이 안착된 후 챔버 바디(10)가 닫힌 상태를 도시하고 있다. 즉, 도 1a에서는 기판 반송부(20)의 암(Arm, 22)이 기판(16)을 챔버 바디(10) 내로 이동시키고 있으며, 도 1b에서는 기판(16)이 기판 지지대에 안착된 후에 밸브(valve, 30)가 챔버 바디(10)를 클로징(closing)한 상태를 도시하고 있다.In FIG. 1B, the
여기서, 밸브(30)는 밸브 하우징과, 상기 밸브 하우징의 내부에서 이동하면서 상기 밸브 하우징 상의 개구부를 개폐하는 블레이드를 포함하여 이루어지며 그 구성은 종래와 동일하다.Here, the
도 1c는 기본적으로 도 1b에 도시된 실시예와 동일하나, 하나의 챔버 바디(10) 내에 2장의 기판(16)이 구비된 차이점이 있다. 이때, 도시된 바와 같이 디바이더(40)는 라인 타입으로 형성되어 2장의 기판(16) 사이를 구분하면 충분하며, 디바이더(40)의 선폭과 높이는 상술한 바와 같다. 그리고, 2장의 기판(16)에서 서로 대향하는 면은 핀(14)에 의하여 지지됨은 도시된 바와 같다.1C is basically the same as the embodiment shown in FIG. 1B except that two
도 1d 내지 도 1e는, 도 1a 내지 도 1c에서 로딩 프레임이 구비되지 않고 핀(14) 만에 의하여 기판(16)이 지지되는 공정 챔버를 나타내고 있다.1D to 1E show a process chamber in which the
즉, 도 1d에서는 챔버 바디(10) 내의 각각의 기판(16)은 에지 부분을 따라서 핀(14)이 구비되어 상기 기판(16)을 지지하고 있으며, 도 1e는 도 1d에 도시된 실시예에서 챔버 바디(10) 내에 기판이 안착된 후 챔버 바디(10)가 닫힌 상태를 도시하고 있다.That is, in FIG. 1D, each of the
또한, 도 1f는 하나의 챔버 바디(10) 내에 2장의 기판(16)이 구비된 것을 도시하고 있으며, 각각의 기판(16)의 에지 부분을 핀(14)이 지지하고 있다.즉, 본 실시예에 따른 공정 챔버가 기판의 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 장치이고 대면적의 기판 처리가 가능한 8.5G 크기(2200 밀리미터*2600 밀리미터)의 챔버이면, 도 1a에 도시된 실시예에서 5G 크기(1100 밀리미터*1300 밀리미터)의 기판 4장을 1회에 로딩 및 처리할 수 있으나, 도 1c에 도시된 실시예에서는 이보다 더 큰 크기의 기판 2장을 1회에 로딩 및 처리할 수 있다.1F shows that two
또한, 상술한 바와 같은 4장 또는 2장의 기판 외에 다른 크기와 개수의 기판을 동시에 로딩 및 처리할 수도 있으며, 이때 상기 디바이더(40)는 각각의 기판을 구분 또는 격리할 수 있도록 구비되면 충분하다.In addition, it is also possible to simultaneously load and process other sizes and numbers of substrates in addition to the four or two substrates as described above, wherein the
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 일실시예를 나타낸 도면이고, 도 4는 도 3에서 로드락 챔버 내에서 기판의 얼라인을 나타낸 도면이며, 도 5a 내지 도 5f는 도 4에서 얼라인 부재의 일실시예들을 나타낸 도면이다. 이하에서, 도 3 내지 도 5f를 참조하여 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 일실시예를 설명한다.3 is a view showing an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, Figure 4 is a view showing the alignment of the substrate in the load lock chamber in Figure 3, Figures 5a to 5f is aligned in Figure 4 A diagram showing one embodiment of the member. Hereinafter, an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 5F.
본 반도체 제조 장치는 상술한 공정 챔버를 포함하는 반도체 제조 장치이다. 즉, 반도체 제조 장치는 로드락 챔버(Load lock Chamber, LC)와, 트랜스퍼 챔버(Transfer Chamber, TC) 및 공정 챔버(Process Chamber, PC)를 포함하여 이루어지고, 각각의 챔버 사이에는 게이트(Gate, 100, 110)가 구비된다.This semiconductor manufacturing apparatus is a semiconductor manufacturing apparatus including the process chamber mentioned above. That is, the semiconductor manufacturing apparatus includes a load lock chamber (LC), a transfer chamber (TC) and a process chamber (PC), and a gate (Gate) between each chamber. 100 and 110 are provided.
여기서, 로드락 챔버(LC)는 외부로부터 기판(S)을 트랜스퍼 챔버(TC)로 로딩하거나, 트랜스퍼 챔버(TC)로부터 공급되는 기판(S)을 외부로 언로딩(Unloading)한다.Here, the load lock chamber LC loads the substrate S from the outside into the transfer chamber TC or unloads the substrate S supplied from the transfer chamber TC to the outside.
또한, 트랜스퍼 챔버(TC)는 챔버 내부의 기판(S)를 이동하는 기판 이동 장치(120)가 구비되어 상기 기판(S)을 다른 챔버로 이동시킬 수 있다. 여기서, 상기 기판 이동 장치와 연결된 암(Arm, 125)은 상기 기판(S)의 고정 및 이동 단계에서 상기 기판(S)을 지지할 수 있다.In addition, the transfer chamber TC may be provided with a
구체적으로 공정 챔버(PC)는 상술한 도 1a 내지 도 2에 도시된 실시예와 동일한 구성이다. 즉, 공정 챔버(PC)는 측면에 기판 출입부가 형성된 챔버 바디와, 상기 챔버 바디의 내부에 구비되고 복수 개의 기판을 구분하는 디바이더를 포함하여 기판의 처리 공정을 수행한다.Specifically, the process chamber PC has the same configuration as the embodiment shown in FIGS. 1A to 2. That is, the process chamber PC may include a chamber body having a substrate access part formed at a side thereof, and a divider provided inside the chamber body to divide a plurality of substrates.
따라서, 공정 챔버(PC) 내에서 상기 디바이더는 서로 교차하는 직선형으로 구비되어 4장의 기판을 구분하고, 세라믹(Ceramic) 또는 아노다이징 코팅된 알루미늄(Anodizing coated Aluminum)으로 이루어질 수 있다.Therefore, the dividers in the process chamber PC may be provided in a straight line crossing each other to separate four substrates, and may be made of ceramic or anodizing coated aluminum.
그리고, 상기 기판 지지대가 상기 챔버 바디를 향하는 기판의 면을 지지하는 로딩 프레임과 상기 디바이더를 향하는 기판의 면을 지지하는 핀(Pin)을 포함할 수 있음도 상술한 바와 동일하다.In addition, the substrate support may include a loading frame supporting the surface of the substrate facing the chamber body and a pin (Pin) supporting the surface of the substrate facing the divider.
그리고, 상기 로드락 챔버(LC)에 얼라인 부재가 구비되어 상기 기판(S)의 얼라인을 수행한다. 즉, 상기 로드락 챔버(LC)는 외부로부터의 기판(S)이 공급되면, 상기 기판(S)을 얼라인 한 후 상기 트랜스퍼 챔버(TC)로 공급한다.In addition, an alignment member is provided in the load lock chamber LC to align the substrate S. That is, when the load lock chamber LC is supplied with the substrate S from the outside, the load lock chamber LC is aligned with the substrate S and then supplied to the transfer chamber TC.
즉, 4장의 기판(S)은 상기 공정 챔버(PC)에 공급되면 디바이더에 의하여 정렬되어 안착되어야 하는데, 공정 챔버(PC) 내부에서 상기 정렬 공정이 이루어지면 공정 효율상 바람직하지 않고 공정 챔버(PC)를 장시간 오픈(Open)하는 것도 이어질 증착 공정 등에 바람직하지 않다.That is, when four substrates S are supplied to the process chamber PC, the four substrates S should be aligned and seated by a divider. If the alignment process is performed inside the process chamber PC, it is not preferable for process efficiency and the process chamber PC Open for a long time is not preferable for the deposition process to be followed.
여기서, 공정 챔버(PC) 각각은 트랜스퍼 챔버(TC)로부터 반송되는 기판(S) 상에 증착공정, 세정공정, 예열공정, 건조공정, 열처리공정, 사진공정, 식각공정, 확산공정, 및 이온주입공정 등의 처리 공정을 수행할 수 있으며, 후술하는 바와 같이 복수 개가 구비될 수도 있다.Here, each of the process chambers PC may be a deposition process, a cleaning process, a preheating process, a drying process, a heat treatment process, a photo process, an etching process, a diffusion process, and ion implantation on the substrate S conveyed from the transfer chamber TC. Treatment processes such as processes may be performed, and a plurality of them may be provided as described below.
따라서, 기판(S)을 언로딩 챔버(LC)에서 얼라인한 후, 트랜스퍼 챔버(TC)로 A 방향으로 공급하고, 상기 트랜스퍼 챔버(TC)는 공정 챔버(PC)로 C 방향으로 기판(S)를 공급하는 것이다.Accordingly, after the substrate S is aligned in the unloading chamber LC, the substrate S is supplied to the transfer chamber TC in the A direction, and the transfer chamber TC is transferred to the process chamber PC in the C direction. To supply.
이때, 상기 트랜스퍼 챔버(TC) 내에서 기판(S)은 B 방향으로 수평이동할 수 있는데, 트랜스퍼 챔버(TC) 자체가 이동하지 않고 기판 이동 장치(120)와 암(125)이 이동하여 기판을 이동시킬 수 있다.In this case, the substrate S may move horizontally in the B direction in the transfer chamber TC. The
즉, 도 3에서 상기 기판 이동 장치(120)는 B 방향으로 이동하고, 상기 암(125)은 A 방향과 C 방향으로 이동할 수 있다. 그리고, 도 3에서는 하나의 공정 챔버(PC) 만이 구비되어 있으나, 복수 개의 공정 챔버(PC) 어레이가 함께 구비되어 여러 공정을 연달아 수행할 수 있음은 당연하며 도 8과 관련하여 후술한다.That is, in FIG. 3, the
도 4는 로드락 챔버(LC)의 내부를 나타낸 도면으로서, 기판(S)의 얼라인을 상세히 표시하고 있다.4 is a view illustrating the interior of the load lock chamber LC, and shows the alignment of the substrate S in detail.
도 4에서 로드락 챔버(LC)는 바디(150) 내에 기판(S)이 구비되어 있고, 상기 기판(S)을 얼라인하는 얼라인 부재가 구비되어 있다. 여기서, 로드락 챔버(LC) 내에는 4장의 기판(S)이 구비되어 있으며, 상기 기판(S) 들을 중앙(A)에서 얼라인하거나 에지(B)에서 얼라인 할 수 있다.In FIG. 4, the load lock chamber LC includes a substrate S in the
즉, 상기 얼라인 부재는 도 5a, 5c 및 5d에 도시된 바와 같이, 기판(S)들을 중앙(A)에서 얼라인하거나, 도 5b에 도시된 바와 같이 기판(S)들을 에지(B)에서 얼라인한다. 이때, 상술한 두 가지의 얼라인 부재는 선택적으로 구비되거나 함께 구비될 수 있다.That is, the alignment member aligns the substrates S at the center A, as shown in FIGS. 5A, 5C, and 5D, or the substrates S at the edge B, as shown in FIG. 5B. Align. In this case, the two alignment members described above may be selectively provided or provided together.
또한, 상기 얼라인 부재는 고정 부재 또는 회전 부재로 이루어질 수 있는데, 도 5a, 5e, 5f에는 회전 부재의 일실시예로서 롤러가 도시되어 있고, 도 5b, 5d, 5e에서는 고정 부재의 일실시예로서 직선형의 얼라인 부재가 도시되어 있다. 여기서, 상기 롤러 등의 회전 부재는 기판(S)과 접촉하며 회전에 의한 마찰력으로 상기 기판(S)을 이동시켜서 얼라인할 수 있다.In addition, the alignment member may be formed of a fixing member or a rotating member. In FIG. 5A, 5E, and 5F, a roller is illustrated as an embodiment of the rotating member, and in FIG. 5B, 5D and 5E, an embodiment of the fixing member is illustrated. As a straight alignment member is shown. Here, the rotating member such as the roller is in contact with the substrate (S) and can be aligned by moving the substrate (S) by the friction force by the rotation.
도 5a는 로드락 챔버(LC)의 중앙에 구비된 얼라인 부재(170)를 도시하고 있다. 도시된 바와 같이, 4장의 기판(S)이 만나는 지점에 얼라인 부재(170)가 구비된다. 여기서, 얼라인 부재(170)는 각각의 기판(S)의 에지가 면접하는 부분에 구비되며, 본 실시예에서 4장의 기판(S)이 만나는 지점에 4개의 얼라인 부재(172, 174, 176, 178)가 각각 구비된다.5A illustrates an
또한, 상기 각각의 얼라인 부재(172, 174, 176, 178)는 4~60 밀리미터의 크기(지름)을 가질 수 있는데, 공정 챔버 내의 디바이더의 분리 부재의 선폭과 동일할 수 있다.In addition, each of the
도 5a에서 각각의 얼라인 부재(172, 174, 176, 178)는 복수 개의 원형 타입의 롤러로 이루어져 있는데, 상술한 20~30 밀리미터는 인접한 기판(S)이 이격된 전체 거리를 뜻한다. 그리고, 상기 얼라인 부재(172, 174, 176, 178)가 롤러 타입으로 구비된 것은 각각의 기판(S)과 면접하는 지점에서, 상기 얼라인 부재(172, 174, 176, 178)의 회전 및 마찰에 의하여 상기 기판(S)을 미세 거리까지 얼라인하기 위하여서이다.In FIG. 5A, each of the
도 5c 및 도 5d에는 상기 얼라인 부재의 다른 실시예들이 구비되어 있다. 도 5c에서 얼라인 부재(180)는 공정 챔버 내의 디바이더와 유사하게 십자가 형상, 즉 4장의 기판(S)이 만나는 중심부에서 서로 교차하는 한 쌍의 직선으로 구비되어 있다. 이때, 상기 얼라인 부재(180)의 선폭은 4~60 밀리미터일 수 있다.5C and 5D are provided with other embodiments of the alignment member. In FIG. 5C, the
다만, 로드락 챔버(LC) 내의 얼라인 부재는 기판의 배열을 얼라인하기 위한 것이므로, 공정 챔버(PC) 내의 디바이어(40)와는 달리 기판(S)의 모서리 전체와 면접하지 않고 기판의 중심부에서 기판 간의 간격을 조정하면 충분하다.However, since the alignment member in the load lock chamber LC is for aligning the arrangement of the substrate, unlike the
도 5d에서는 하나의 챔버 내에 2장의 기판(S) 만이 구비된 실시예가 도시되어 있고, 따라서 얼라인 부재(182)는 라인 형으로 구비되면 충분하다.In FIG. 5D, an embodiment in which only two substrates S are provided in one chamber is illustrated, and therefore, the
도 5b에는 도 4에서 상기 기판(S)들을 에지(B)에서 얼라인하는 얼라인 부재가 도시되어 있다. 도 5b에서 기판(S)의 에지는 얼라인 부재(162)가 감싸고 있으며, 상기 얼라인 부재(162)는 미세 조정 장치(160)에 의하여 제어된다.FIG. 5B shows an alignment member for aligning the substrates S at the edge B in FIG. 4. In FIG. 5B, the edge of the substrate S is surrounded by the
즉, 도 5a 등에 도시된 얼라인 부재에 의하여 인접한 기판(S)들이 너무 근접하지 않도록 제어되며, 도 5b의 얼라인 부재(162)는 상기 기판(S)들이 외곽으로 너무 벌어지지 않도록 제어한다. 그리고, 도 5b에서의 얼라인 부재(162)는 각각의 기판(S)의 코너(corner)에 구비되어야 함은 당연하다.That is, the adjacent substrates S are controlled not to be too close by the alignment member illustrated in FIG. 5A or the like, and the
그리고, 도 5e에서는 얼라인 부재(172, 174, 176, 178)는 원형 타입의 롤러로 이루어져 있는데, 도 5a에 도시된 실시예와는 달리 각각의 얼라인 부재는 하나의 라인 내에 2개의 롤러가 구비되어 있다.In addition, in FIG. 5E, the
또한, 도 5f는 하나의 챔버 내에 2장의 기판(S) 만이 구비된 실시예가 도시되어 있고, 여기서, 얼라인 부재(170)는 롤러 타입으로 구비되어 있다.상술한 로드락 챔버(LC) 내의 얼라인 장비에 의하여 얼라인된 기판(S)들은 트랜스퍼 챔버(TC)를 통하여 공정 챔버(TC)로 이동될 수 있고, 이때 상기 로드락 챔버(LC)와 동일한 패턴으로 상기 공정 챔버(TC)로 이동된다.5F shows an embodiment in which only two substrates S are provided in one chamber, where the
그리고, 상술한 챔버 간의 기판의 이동은 기판 이동 장치에 의하여 이루어진다. 여기서, 기판 이동 장치는 기판을 수평 방향으로 이송하는 기판 이송부와, 슬라이딩을 통하여 상기 기판을 로드락 챔버와 공정 챔버로 반송하는 기판 반송부를 포함하여 이루어질 수 있다.And the movement of the board | substrate between the chambers mentioned above is performed by a board | substrate movement apparatus. Here, the substrate transfer apparatus may include a substrate transfer unit for transferring the substrate in a horizontal direction, and a substrate transfer unit for transferring the substrate to the load lock chamber and the process chamber through sliding.
여기서, 기판 이송부는 도 3에서 기판을 B 방향으로 이동시킬 수 있다. 그리고, 기판 반송부는 도 3에서 기판을 A 방향 또는 C 방향으로 이동시킬 수 있다. 즉, 기판 이송부와 기판 반송부는 상기 기판을 서로 수직한 방향으로 이동시킬 수 있다.Here, the substrate transfer part may move the substrate in the B direction in FIG. 3. And the board | substrate conveyance part can move a board | substrate to A direction or C direction in FIG. That is, the substrate transfer part and the substrate transfer part may move the substrate in a direction perpendicular to each other.
그리고, 상기 기판 반송부는 수직 이동부와 수평 이동부로 이루어질 수 있다. 즉, 상기 수평 이동부는 상기 기판을 암의 슬라이딩(sliding)에 의하여 상기 기판을 A 방향 또는 C 방향으로 슬라이딩시킨다.The substrate carrier may include a vertical moving part and a horizontal moving part. That is, the horizontal moving part slides the substrate in the A direction or the C direction by sliding the substrate.
그리고, 상기 수직 이동부는 상기 기판의 로딩 및 언로딩을 담당하는데, 기판을 공정 챔버 내에 로딩 또는 언로딩할 때 상기 디바이더와의 접촉에 의한 기판의 에지 부분의 손상을 방지하기 위하여, 상기 수평 이동부에 의하여 최적의 위치까지 상기 기판을 수평이동한 후, 수직 이동부가 상기 기판을 상승 또는 하강시킨다.In addition, the vertical moving part is responsible for loading and unloading of the substrate, in order to prevent damage to an edge portion of the substrate by contact with the divider when loading or unloading the substrate into the process chamber. By horizontally moving the substrate to the optimum position by the vertical moving portion raises or lowers the substrate.
도 8은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 다른 실시예를 나타낸 도면이고, 도 6 및 도 7은 도 3에서 기판 이동 장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.8 is a view showing another embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, Figures 6 and 7 is a view showing an embodiment of a substrate transfer apparatus in FIG.
즉, 상술한 도 3에서는 하나의 로드락 챔버(LC)와 하나의 공정 챔버(PC) 간의 기판의 이동을 트랜스퍼 챔버(TC)에서 수행하나, 도 8에서는 복수 개의 공정 챔버(PC) 간에 트랜스퍼 챔버(TC)가 구비되어 있다.That is, in FIG. 3, the transfer of the substrate between one load lock chamber LC and one process chamber PC is performed in the transfer chamber TC. In FIG. 8, the transfer chamber is provided between the plurality of process chambers PC. (TC) is provided.
따라서, 도 8에서 기판의 서로 다른 공정 챔버(PC) 간의 이동은 도 3에서 A 방향 또는 C 방향의 이동에 해당하고, 도 8에서 기판의 이송 가이더(201)을 따른 수평 방향의 이동은 도 3에서 B 방향의 이동에 해당된다.Accordingly, the movement between the different process chambers PC of the substrate in FIG. 8 corresponds to the movement in the A direction or the C direction in FIG. 3, and the horizontal movement along the
여기서, 기판 이동 장치는 기판 이송부(200), 기판 반송부(300)를 포함하여 이루어진다. 그리고, 기판 이송부(200)는 트랜스퍼 챔버(TC)의 길이 방향을 따라 설치되어 양방향 기판 반송부(300)를 수평 방향으로 이송시킨다. 이를 위해, 기판 이송부(200)는 리니어 모터로 구성될 수 있다.Here, the substrate moving device includes a
그리고, 기판 이송부(200)는 이송 가이더(210)와 이송 블록부(220)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 이송 가이더(210)는 이송 블록부(220)의 수평 이송을 가이드 한다. 예를 들어, 이송 가이더(210)는 리니어 모터의 고정자가 될 수 있다.The
그리고, 이송 블록부(220)는 이송 가이더(210)에 이송 가능하게 설치되어 이송 가이더(210)를 따라 수평 방향으로 이송한다. 예를 들어, 이송 블록부(220)는 리니어 모터의 회전자(또는 코일부)가 될 수 있다.In addition, the
그리고, 기판 반송부(300)는 베이스 프레임(310), 포크 프레임(320), 제 1 및 제 2 양방향 슬라이딩 포크부(330, 340), 포크 승강부(350), 및 포크 승강 가이드부(360)를 포함하여 이루어진다.The substrate conveyance unit 300 includes a
베이스 프레임(310)은 기판 이송부(200)의 이송 블록부(220) 상에 설치되어 이송 블록부(220)와 함께 수평 방향으로 이송된다.The
그리고, 포크 프레임(320)은 제 1 지지 프레임(322)와 복수의 측벽 지지대(324)와 제 2 지지 프레임(326)을 포함하여 구성된다.The
제 1 지지 프레임(322)은 베이스 프레임(310) 상에 일정한 높이로 설치되어 포크 승강부(350)에 의해 승강 가능하도록 지지된다. 이때, 제 1 지지 프레임(322)의 제 1 및 제 2 측면 각각에는 포크 승강부(350)가 관통하여 접속되는 돌출부(328)가 형성된다.The
복수의 측벽 지지대(324)는 제 1 지지 프레임(322)의 가장자리를 따라 일정한 간격으로 설치되어 제 2 지지 프레임(326)을 지지한다.The plurality of sidewall supports 324 are installed at regular intervals along the edge of the
제 2 지지 프레임(326)은 제 1 지지 프레임(322)과 중첩되도록 복수의 측벽 지지대(324) 상에 설치된다. 이러한, 제 2 지지 프레임(326)은 제 1 지지 프레임(322)의 승강과 함께 승강된다.The
일 실시 예에 따른 제 1 양방향 슬라이딩 포크부(330)는 제 1 및 제 2 슬라이딩 포크(410, 420)와 제 1 포크 슬라이더(430) 및 복수의 제 1 기판 지지 패드(440)를 포함하여 구성될 수 있다.The first bidirectional sliding
제 1 및 제 2 슬라이딩 포크(410, 420) 각각은 제 1 지지 프레임(322) 상에 일정한 간격으로 나란하게 설치되어 제 1 포크 슬라이더(430)의 구동에 따라 제 1 수평 방향 또는 제 1 수평 방향에 반대되는 제 2 수평 방향으로 이송된다. 그리고, 제 1 및 제 2 슬라이딩 포크(410, 410) 각각은 제 1 가이드 블록(412) 및 제 1 내지 제 3 슬라이딩 바(414, 416, 418)를 포함하여 구성된다.Each of the first and second sliding
제 1 가이드 블록(412)은 제 1 지지 프레임(322) 상의 양측면 간에 설치되어 제 1 슬라이딩 바(414)의 슬라이딩을 안내한다.The
제 1 슬라이딩 바(414)는 제 1 가이드 블록(412)에 설치되어 제 1 포크 슬라이더(430)의 구동에 따라 제 1 수평 방향 또는 제 1 수평 방향에 반대되는 제 2 수평 방향으로 이송된다.The first sliding
제 2 슬라이딩 바(416)는 제 1 슬라이딩 바(414)의 측면에 설치되어 제 1 슬라이딩 바(414)의 슬라이딩에 연동되어 수평 방향으로 이송된다.The second sliding
제 3 슬라이딩 바(418)는 제 2 슬라이딩 바(416)의 측면에 설치되어 제 2 슬라이딩 바(416)의 슬라이딩에 연동되어 수평 방향으로 이송된다.The third sliding
한편, 제 2 및 제 3 슬라이딩 바(416, 418) 각각은 제 1 슬라이딩 바(414)의 상면에 순차적으로 적층되어 제 1 슬라이딩 바(414)의 슬라이딩에 연동되어 수평 방향으로 이송될 수도 있다.Meanwhile, each of the second and third sliding
제 1 포크 슬라이더(430)는 제 1 및 제 2 슬라이딩 포크(410, 420) 사이에 배치되도록 제 1 지지 프레임(322) 상의 양측면 간에 설치되어 제 1 및 제 2 슬라이딩 포크(410, 420)를 동시에 제 1 수평 방향 또는 제 1 수평 방향에 반대되는 제 2 수평 방향으로 이송시킨다.The
그리고, 제 1 포크 슬라이더(430)는 브라켓에 의해 지지되도록 제 1 지지 프레임(322) 상의 양측면 간에 설치된 제 1 가이드 봉(432) 및 제 1 가이드 봉(432)에 이송 가능하게 설치됨과 아울러 제 1 및 제 2 슬라이딩 포크(410, 420) 각각에 접속된 링크(미도시)를 가지는 제 1 이송 실린더(434)를 포함하여 이루어진다. 이러한, 제 1 포크 슬라이더(430)는 제 1 가이드 봉(432)의 적어도 한 측면에 공급되는 유압 또는 공압에 의해 제 1 이송 실린더(434)를 이송시키는 유압 또는 공압 구동 실린더로 이루어질 수 있다.In addition, the
복수의 제 1 기판 지지 패드(440)는 제 3 슬라이딩 바(418) 상에 일정한 간격으로 설치되어 기판의 반송시 기판의 일측 배면을 지지한다.The plurality of first
한편, 제 1 양방향 슬라이딩 포크부(330)에서 슬라이딩 포크(410, 420)가 2개로 구성되는 것으로 설명하였으나, 이에 안정되지 않고 안정적인 기판 반송을 위해 슬라이딩 포크는 2개 이상으로 구성될 수 있다. 또한, 제 1 양방향 슬라이딩 포크부(330)에서 제 1 포크 슬라이더(430)가 유압 또는 공압 구동 실린더로 구성되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 제 1 포크 슬라이더(430) 없이 LM 가이더, 볼 스크류, 및 벨트 중 적어도 하나 또는 적어도 2개를 조합하여 슬라이딩 포크(410, 420)를 슬라이딩시킬 수도 있다.On the other hand, the first two-
다른 한편, 제 1 양방향 슬라이딩 포크부(330)는 슬라이딩 바(414, 416, 418)의 양방향 슬라이딩시 슬라이딩 위치를 검출하여 제 1 포크 슬라이더(430)를 제어하기 위한 위치 검출센서를 더 포함하여 구성될 수 있다.On the other hand, the first two-
이와 같은, 제 1 양방향 슬라이딩 포크부(330)는 제 1 포크 슬라이더(430)를 이용해 제 1 및 제 2 슬라이딩 포크(410, 420)를 제 1 반송 방향 또는 제 1 반송 방향과 반대되는 제 2 반송 방향으로 접거나 펼쳐 동시에 슬라이딩시킴으로써 트랜스퍼 챔버(TC)의 일측 또는 타측에 배치된 공정 챔버(TC)로 기판을 양방향으로 반송한다.As described above, the first bidirectional sliding
일 실시 예에 따른 제 2 양방향 슬라이딩 포크부(340)는 제 3 및 제 4 슬라이딩 포크(510, 520)와 제 2 포크 슬라이더(530) 및 복수의 제 2 기판 지지 패드(540)를 포함하여 구성될 수 있다.The second bidirectional sliding
제 3 및 제 4 슬라이딩 포크(510, 520) 각각은 제 2 지지 프레임(326) 상에 일정한 간격으로 나란하게 설치되어 제 2 포크 슬라이더(530)의 구동에 따라 제 1 수평 방향 또는 제 1 수평 방향에 반대되는 제 2 수평 방향으로 이송된다. 이를 위해, 제 3 및 제 4 슬라이딩 포크(510, 510) 각각은 제 2 가이드 블록(512); 및 제 4 내지 제 6 슬라이딩 바(514, 516, 518)를 포함하여 구성된다.Each of the third and fourth sliding
제 2 가이드 블록(512)은 제 2 지지 프레임(322) 상의 양측면 간에 설치되어 제 4 슬라이딩 바(514)의 슬라이딩을 안내한다.The
제 4 슬라이딩 바(514)는 제 2 가이드 블록(512)에 설치되어 제 2 포크 슬라이더(530)의 구동에 따라 제 1 수평 방향 또는 제 1 수평 방향에 반대되는 제 2 수평 방향으로 이송된다.The fourth sliding
제 5 슬라이딩 바(516)는 제 4 슬라이딩 바(514)의 측면에 설치되어 제 4 슬라이딩 바(514)의 슬라이딩에 연동되어 수평 방향으로 이송된다.The fifth sliding
제 6 슬라이딩 바(518)는 제 5 슬라이딩 바(516)의 측면에 설치되어 제 5 슬라이딩 바(516)의 슬라이딩에 연동되어 수평 방향으로 이송된다.The sixth sliding
한편, 제 5 및 제 6 슬라이딩 바(516, 518) 각각은 제 4 슬라이딩 바(514)의 상면에 순차적으로 적층되어 제 4 슬라이딩 바(514)의 슬라이딩에 연동되어 수평 방향으로 이송될 수도 있다.Meanwhile, each of the fifth and sixth sliding
제 2 포크 슬라이더(530)는 제 3 및 제 4 슬라이딩 포크(510, 520) 사이에 배치되도록 제 2 지지 프레임(326) 상의 양측면 간에 설치되어 제 3 및 제 4 슬라이딩 포크(510, 520)를 동시에 제 1 수평 방향 또는 제 1 수평 방향에 반대되는 제 2 수평 방향으로 이송시킨다.The
그리고, 제 2 포크 슬라이더(530)는 브라켓에 의해 지지되도록 제 2 지지 프레임(326) 상의 양측면 간에 설치된 제 2 가이드 봉(532); 및 제 2 가이드 봉(532)에 이송 가능하게 설치됨과 아울러 제 3 및 제 4 슬라이딩 포크(510, 520) 각각에 접속된 링크(536)를 가지는 제 2 이송 실린더(534)를 포함하여 구성된다. 이러한, 제 2 포크 슬라이더(530)는 제 2 가이드 봉(532)의 적어도 한 측면에 공급되는 유압 또는 공압에 의해 제 2 이송 실린더(534)를 이송시키는 유압 또는 공압 구동 실린더로 이루어질 수 있다.In addition, the
복수의 제 2 기판 지지 패드(540)는 제 6 슬라이딩 바(518) 상에 일정한 간격으로 설치되어 기판의 반송시 기판의 일측 배면을 지지한다.The plurality of second
한편, 제 2 양방향 슬라이딩 포크부(340)에서 슬라이딩 포크(510, 520)가 2개로 구성되는 것으로 설명하였으나, 이에 안정되지 않고 안정적인 기판 반송을 위해 슬라이딩 포크는 2개 이상으로 구성될 수 있다. 또한, 제 2 양방향 슬라이딩 포크부(340)에서 제 2 포크 슬라이더(530)가 유압 또는 공압 구동 실린더로 구성되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 제 2 포크 슬라이더(530) 없이 LM 가이더, 볼 스크류, 및 벨트 중 적어도 하나 또는 적어도 2개를 조합하여 슬라이딩 포크(510, 520)를 슬라이딩시킬 수도 있다.Meanwhile, although the sliding
또한, 제 2 양방향 슬라이딩 포크부(340)는 슬라이딩 바(514, 516, 518)의 양방향 슬라이딩시 슬라이딩 위치를 검출하여 제 2 포크 슬라이더(530)를 제어하기 위한 위치 검출센서를 더 포함하여 이루어질 수 있다.In addition, the second bidirectional sliding
이와 같은, 제 2 양방향 슬라이딩 포크부(340)는 제 2 포크 슬라이더(530)를 이용해 제 3 및 제 4 슬라이딩 포크(510, 520)를 제 1 반송 방향 또는 제 1 반송 방향과 반대되는 제 2 반송 방향으로 접거나 펼쳐 동시에 슬라이딩시킴으로써 트랜스퍼 챔버(TC)의 일측 또는 타측에 배치된 공정 챔버(TC)로 기판을 양방향으로 반송한다.As described above, the second bidirectional sliding
일 실시 예에 따른 포크 승강부(350)는 제 1 승강 지지대(352a)와 제 2 승강 지지대(352b)와 제 1 승강 모터(354a); 제 2 승강 모터(미도시)와 제 1 볼 스크류(356a)와 제 2 볼 스크류(356b) 및 연동 샤프트(358)를 포함하여 이루어진다.
제 1 승강 지지대(352a)는 포크 프레임(320)의 제 1 측면에 마주보도록 베이스 프레임(310)에 수직하게 설치된다.The
제 2 승강 지지대(352b)는 포크 프레임(320)의 제 2 측면에 제 1 승강 지지대(352a)와 마주보도록 베이스 프레임(310)에 수직하게 설치된다.The
제 1 승강 모터(354a)는 제 1 승강 지지대(352a)의 내측면에 인접하도록 베이스 프레임(310)에 설치되어 제 1 볼 스크류(356a)를 제 1 방향 또는 제 1 방향에 반대되는 제 2 방향으로 회전시킨다.The
제 2 승강 모터는 제 2 승강 지지대(352b)의 내측면에 인접하도록 베이스 프레임(310)에 설치되어 제 2 볼 스크류(356b)를 제 1 볼 스크류(356b)와 동일한 방향으로 회전시킨다.The second lifting motor is installed on the
제 1 볼 스크류(356a)는 포크 프레임(320)의 제 1 지지 프레임(322)에 형성된 돌출부(328)를 관통하도록 제 1 승강 지지대(352a)와 제 1 승강 모터(354a)간에 설치됨으로써 제 1 승강 모터(354a)의 회전에 따라 포크 프레임(320)의 제 1 측을 승강시킨다. 이때, 제 1 지지 프레임(322)에 형성된 돌출부(328)는 제 1 볼 스크류(356a)에 치합되는 나사산이 형성된다.The
제 2 볼 스크류(356b)는 포크 프레임(320)의 제 1 지지 프레임(322)에 형성된 돌출부(328)를 관통하도록 제 2 승강 지지대(352b)와 제 2 승강 모터간에 설치됨으로써 제 2 승강 모터(354b)의 회전에 따라 포크 프레임(320)의 제 2 측을 승강시킨다. 이때, 제 1 지지 프레임(322)에 형성된 돌출부(328)는 제 2 볼 스크류(356b)에 치합되는 나사산이 형성된다.The second ball screw 356b is installed between the
연동 샤프트(358)는 제 1 승강 모터(354a)와 제 2 승강 모터간에 설치되어 제 1 승강 모터(354a) 또는 제 2 승강 모터의 회전력을 다른 승강 모터에 전달하여 제 1 승강 모터(354a)와 제 2 승강 모터의 회전이 연동되어 동기되도록 한다.The interlocking
이와 같은, 포크 승강부(350)는 제 1 승강 모터(354a)와 제 2 승강 모터의 회전에 따른 제 1 및 제 2 볼 스크류(356a, 356b)의 회전에 따라 포크 프레임(320)을 승강시킴으로써 제 1 또는 제 2 양방향 슬라이딩 포크부(330, 340)를 원하는 높이로 승강시킨다.As such, the
한편, 포크 승강부(350)는 포크 프레임(320)의 승강시 위치를 검출하여 제 1 승강 모터(354a)와 제 2 승강 모터의 회전을 제어하기 위한 위치 센서를 더 포함하여 구성될 수 있다.On the other hand, the
일 실시 예에 따른 포크 승강 가이드부(360)는 복수의 승강 가이드 블록(362) 및 복수의 승강 가이드 레일(364)을 포함하여 이루어질 수 있다.The fork elevating guide unit 360 according to an embodiment may include a plurality of elevating guide blocks 362 and a plurality of elevating guide rails 364.
복수의 승강 가이드 블록(362)은 포크 프레임(320)의 제 1 및 제 2 측면 모서리 부분에 대응되는 측벽 지지대(324)에 설치된다. 여기서, 복수의 승강 가이드 블록(362)은 포크 프레임(320)의 제 1 및 제 2 측면 각각에 2개씩 설치될 수 있다.The plurality of lifting guide blocks 362 are installed on the
복수의 승강 가이드 레일(364)은 각 승강 가이드 블록(362)에 접속되도록 베이스 프레임(310)에 수직하게 설치됨으로써 포크 프레임(320)의 승강시 각 승강 가이드 블록(362)의 승강을 가이드한다.The plurality of lifting guide rails 364 are installed perpendicular to the
상술한 바와 같이, 기판 이동 장치는 기판 이송부(200)에 의한 수평 이동을 통해 트랜스퍼 챔버 내에서 기판의 이동하고, 기판 반송부(300)에 의하여 공정 챔버(PC) 또는 로드락 챔버(LC)로 기판을 양방향으로 반송할 수 있다.As described above, the substrate transfer device moves the substrate in the transfer chamber through the horizontal movement by the
상술한 반도체 제조장치에서 기판의 처리 방법, 즉 기판의 이동 방법을 설명하면 다음과 같다.In the above-described semiconductor manufacturing apparatus, a method of processing a substrate, that is, a method of moving the substrate will be described.
먼저, 얼라인 부재가 구비된 제 1 챔버(로드락 챔버)에 복수 개의 기판을 차례로 로딩하다. 이때, 상술한 로드락 챔버 내의 얼라인 부재가 복수 개의 기판의 4 코너를 얼라인할 수 있다. 여기서, 상기 얼라인 부재는 상기 4장의 기판을 롤러로 이동시켜서 얼라인할 수 있음은 상술한 바와 같다.First, a plurality of substrates are sequentially loaded into a first chamber (load lock chamber) provided with an alignment member. In this case, the alignment member in the above-described load lock chamber may align four corners of the plurality of substrates. Here, the alignment member may be aligned by moving the four substrates by a roller as described above.
이때, 상기 로드락 챔버 내에는 기판의 코너 부근의 얼라인 부재 외에, 복수 개의 기판이 만나는 부분에 또 다른 얼라인 부재가 구비될 수 있다. 이때, 로드락 챔버 내에 4장의 기판이 구비되면, 상기 또 다른 얼라인 부재는 십자가 형상, 즉 4장의 기판이 만나는 중심부에서 서로 교차하는 한 쌍의 직선 형상으로 구비되어 상기 4장의 기판을 가로 방향 및 세로 방향으로 얼라인할 수 있다.In this case, in addition to the alignment member near the corner of the substrate in the load lock chamber, another alignment member may be provided at a portion where a plurality of substrates meet. At this time, if four substrates are provided in the load lock chamber, the another alignment member is provided in a cross shape, that is, a pair of straight lines that cross each other at the center where the four substrates meet to cross the four substrates in a horizontal direction and It can be aligned in the vertical direction.
그리고, 기판 반송부를 사용하여 상기 복수 개의 기판을 상기 로드락 챔버에서 제 2 챔버(트랜스퍼 챔버) 내로 반송한다.Then, the plurality of substrates are transferred from the load lock chamber into the second chamber (transfer chamber) using a substrate transfer unit.
그리고, 기판 이송부를 사용하여 상기 기판을 상기 트랜스퍼 챔버 내에서 이송하는데, 로드락 챔버와 나란한 위치에서 공정 챔버와 나란한 위치로 이동시키는 공정이다.Then, the substrate is transferred using the substrate transfer unit in the transfer chamber, which is a process of moving from the position parallel to the load lock chamber to the position parallel to the process chamber.
이어서, 기판 반송부를 사용하여 상기 복수 개의 기판을 상기 트랜스퍼 챔버에서 제 3 챔버(공정 챔버)로 반송한다. 이때, 상기 복수 개의 기판은, 상기 로드락 챔버에서 얼라인된 패턴과 동일한 패턴으로 상기 공정 챔버 내에 안착된다.Subsequently, the plurality of substrates are transferred from the transfer chamber to the third chamber (process chamber) using a substrate transfer unit. In this case, the plurality of substrates are seated in the process chamber in the same pattern as the pattern aligned in the load lock chamber.
그리고, 상기 제 3 챔버 내에는 디바이더가 구비될 수 있는데, 상기 디바이더는 상기 얼라인 부재와 동일한 패턴, 즉 서로 교차하는 직선형으로 구비되어 상기 4장의 기판을 가로 방향 및 세로 방향으로 얼라인할 수 있다.In addition, a divider may be provided in the third chamber, and the divider may be provided in the same pattern as the alignment member, that is, in a straight line that crosses each other to align the four substrates in the horizontal direction and the vertical direction. .
그리고, 기판 반송부에서 상기 기판을 반송할 때, 상기 기판을 언로딩 챔버에서 수직 상승시키고, 상기 기판을 언로딩 챔버에서 로딩 챔버로 수평이동시킨 후, 상기 기판을 상기 로딩 챔버에 수직 하강시켜 안착시킨다.When the substrate is transported by the substrate transfer unit, the substrate is vertically raised in the unloading chamber, the substrate is horizontally moved from the unloading chamber to the loading chamber, and then the substrate is vertically lowered to the loading chamber to be seated. Let's do it.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.As described above, the present invention has been described by way of limited embodiments and drawings, but the present invention is not limited to the above embodiments, and those skilled in the art to which the present invention pertains various modifications and variations from such descriptions. This is possible.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined not only by the claims below but also by the equivalents of the claims.
10 : 챔버 바디 12 : 로딩 프레임
14 : 핀 16 : 기판
20 : 기판 반송부 22, 125 : 암
30 : 밸브 40 : 디바이더
40a :지지 부재 40b : 분리 부재
50 : 서셉터 100, 110 : 게이트
120 : 기판 이동 장치 150 : 바디
160 : 미세조정장치 162, 170, 180, 182 : 얼라인 부재
200 : 기판 이송부 300 : 기판 반송부10: chamber body 12: loading frame
14
20:
30: valve 40: divider
40a:
50:
120: substrate moving device 150: body
160:
200: substrate transfer unit 300: substrate transfer unit
Claims (26)
상기 챔버 바디의 내부에 구비된 기판 지지대; 및
상기 챔버 바디 내부에 구비되고, 복수 개의 기판을 구분하는 디바이더(divider)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.A chamber body having a substrate entrance at a side thereof;
A substrate support provided in the chamber body; And
And a divider provided inside the chamber body to divide a plurality of substrates.
라인형으로 구비되어, 서로 대향하는 한 쌍의 기판을 구분하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The method of claim 1, wherein the divider,
The process chamber is provided in a line shape, characterized in that for distinguishing a pair of substrate facing each other.
서로 교차하는 직선형으로 구비되어 4장의 기판을 구분하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The method of claim 1, wherein the divider,
Process chamber characterized in that it is provided in a straight line crossing each other to distinguish the four substrates.
상기 디바이더는 상기 복수 개의 기판을 적어도 4~60 밀리미터(mm) 이격시키는 공정 챔버.The method of claim 1,
Wherein the divider separates the plurality of substrates by at least 4 to 60 millimeters (mm).
세라믹(Ceramic) 또는 아노다이징 코팅된 알루미늄(Anodizing coated Aluminum)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The method of claim 1, wherein the divider,
Process chamber, characterized in that consisting of ceramic (Ceramic) or anodizing coated Aluminum (Anodizing coated Aluminum).
상기 챔버 바디를 향하는 기판의 면을 지지하는 로딩 프레임과 상기 디바이더를 향하는 기판의 면을 지지하는 핀(Pin) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The method of claim 1, wherein the substrate support,
And at least one of a loading frame supporting a surface of the substrate facing the chamber body and a pin supporting the surface of the substrate facing the divider.
상기 기판을 얼라인(align)하고, 상기 트랜스퍼 챔버로 상기 기판을 출입시키는 로드락 챔버(Load lock Chamber); 및
상기 트랜스퍼 챔버로부터 전송받은 기판의 처리 공정을 수행하는 적어도 하나의 공정 챔버(Process Chamber)를 포함하여 이루어지고,
여기서, 상기 공정 챔버는,
측면에 기판 출입부가 형성된 챔버 바디;
상기 챔버 바디의 내부에 구비된 기판 지지대; 및
상기 챔버 바디의 내부에 구비되고, 복수 개의 기판을 구분하는 디바이더를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.A transfer chamber equipped with a substrate moving apparatus for moving a substrate;
A load lock chamber that aligns the substrate and allows the substrate to enter and exit the transfer chamber; And
It includes at least one process chamber (Process Chamber) for performing a process of processing the substrate received from the transfer chamber,
Here, the process chamber,
A chamber body having a substrate entrance at a side thereof;
A substrate support provided in the chamber body; And
And a divider provided inside the chamber body to divide a plurality of substrates.
상기 기판을 수평 방향으로 이송하는 기판 이송부와, 상기 기판 이송부에 구비되어 슬라이딩을 통하여 상기 기판을 상기 로드락 챔버와 공정 챔버로 반송하는 기판 반송부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The method of claim 7, wherein the substrate transfer device,
And a substrate transfer unit configured to transfer the substrate in a horizontal direction, and a substrate transfer unit provided in the substrate transfer unit to transfer the substrate to the load lock chamber and the process chamber through sliding.
상기 기판 반송부는 수직 이동부와 수평 이동부로 이루어지고, 상기 수직 이동부는 상기 기판의 로딩 및 언로딩하고, 상기 수평 이동부는 상기 기판을 슬라이딩시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The method of claim 8,
And the substrate transfer part comprises a vertical moving part and a horizontal moving part, the vertical moving part loading and unloading the substrate, and the horizontal moving part sliding the substrate.
상기 로드락 챔버 내에 구비되고 상기 기판을 얼라인하는 얼라인 부재를 더 포함하는 반도체 제조 장치.The method of claim 7, wherein
And an alignment member provided in the load lock chamber to align the substrate.
상기 기판이 안착될 지지대의 4지점의 코너(corner)에 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The method of claim 10, wherein the alignment member,
The semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that provided in the corner (corner) of the four points of the support on which the substrate is to be seated.
라인형으로 구비되어, 서로 대향하는 한 쌍의 기판을 구분하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The method of claim 7 or 10, wherein the divider,
A semiconductor manufacturing apparatus characterized by being provided in a line shape to distinguish a pair of substrates facing each other.
서로 교차하는 직선형으로 구비되어 4장의 기판을 구분하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The method of claim 7 or 10, wherein the divider,
A semiconductor manufacturing apparatus characterized by being provided in a straight line crossing each other to distinguish four substrates.
상기 로드락 챔버 내에는 서로 대향하는 2장의 기판이 구비되고, 상기 얼라인 부재는 상기 2장의 기판의 사이에 고정 부재 또는 회전 부재로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The method of claim 11,
Two substrates opposed to each other are provided in the load lock chamber, and the alignment member is provided as a fixing member or a rotating member between the two substrates.
상기 로드락 챔버 내에는 4장의 기판이 구비되고, 상기 얼라인 부재는 상기 4장의 기판이 만나는 중심부에서 서로 교차하는 한 쌍의 직선으로 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The method of claim 11,
Four substrates are provided in the load lock chamber, and the alignment member is provided with a pair of straight lines intersecting with each other at a central portion where the four substrates meet.
적어도 4개의 회전 부재가 상기 4장의 기판의 사이에 각각 구비되고, 상기 회전 부재의 회전에 의하여 상기 4장의 기판을 얼라인하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The method of claim 15, wherein the alignment member,
At least four rotary members are respectively provided between the four substrates, and the four semiconductor substrates are aligned by rotation of the rotary member.
상기 로드락 챔버 내의 얼라인 부재와 상기 공정 챔버 내의 디바이더는, 상기 기판을 동일한 패턴으로 얼라인하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The method of claim 15,
The alignment member in the load lock chamber and the divider in the process chamber align the substrate in the same pattern.
세라믹(Ceramic) 또는 아노다이징 코팅된 알루미늄(Anodizing coated Aluminum)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The method of claim 7, wherein the divider,
A semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that consisting of ceramic (Ceramic) or anodizing coated Aluminum (Anodizing coated Aluminum).
상기 챔버 바디를 향하는 기판의 면을 지지하는 로딩 프레임과 상기 디바이더를 향하는 기판의 면을 지지하는 핀(Pin)중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The method of claim 7, wherein the substrate support,
And at least one of a loading frame supporting a surface of the substrate facing the chamber body and a pin supporting the surface of the substrate facing the divider.
상기 얼라인 부재로 상기 제 1 챔버 내의 상기 복수 개의 기판의 코너를 얼라인하는 단계;
기판 반송부를 사용하여 상기 복수 개의 기판을 상기 제 1 챔버 내에서 제 2 챔버 내로 반송하는 단계; 및
상기 기판 반송부를 사용하여 상기 복수 개의 기판을 상기 제 2 챔버에서 상기 제 3 챔버로 반송하는 단계를 포함하여 이루어지고,
여기서, 상기 복수 개의 기판은, 상기 제 1 챔버 내에서 얼라인된 패턴과 동일한 패턴으로, 상기 제 3 챔버 내에 안착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Sequentially loading a plurality of substrates into a first chamber having an alignment member;
Aligning corners of the plurality of substrates in the first chamber with the alignment member;
Conveying the plurality of substrates from the first chamber into the second chamber using a substrate carrier; And
And conveying the plurality of substrates from the second chamber to the third chamber using the substrate conveying unit,
Here, the plurality of substrates, the substrate processing method, characterized in that seated in the third chamber in the same pattern as the pattern aligned in the first chamber.
상기 제 1 챔버 내에서 2장의 기판이 얼라인되어 상기 제 2 챔버 및 제 3 챔버로 로딩되고, 상기 얼라인 부재는 상기 2장의 기판이 만나는 중심부에서 라인형으로 구비되어 상기 2장의 기판을 얼라인하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 20,
Two substrates are aligned in the first chamber and are loaded into the second chamber and the third chamber, and the alignment member is provided in a line shape at the center where the two substrates meet to align the two substrates. The substrate processing method characterized by the above-mentioned.
상기 제 1 챔버 내에서 4장의 기판이 얼라인되어 상기 제 2 챔버 및 제 3 챔버로 로딩되고, 상기 얼라인 부재는 상기 4장의 기판이 만나는 중심부에서 서로 교차하는 한 쌍의 직선으로 구비되어 상기 4장의 기판을 가로 방향 및 세로 방향으로 얼라인하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 20,
Four substrates are aligned in the first chamber and are loaded into the second chamber and the third chamber, and the alignment member is provided in a pair of straight lines that cross each other at a central portion where the four substrates meet. A substrate processing method characterized by aligning a long substrate in a horizontal direction and a vertical direction.
회전 부재의 회전에 의하여 상기 기판을 얼라인시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 21 or 22, wherein the alignment member,
And the substrate is aligned by rotation of a rotating member.
상기 제 3 챔버 내에는 디바이더가 구비되고, 상기 디바이더는 직선형으로 구비되어 2장의 기판을 얼라인하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 21,
A divider is provided in the third chamber, and the divider is provided in a straight line to align two substrates.
서로 교차하는 직선형으로 구비되어 4장의 기판을 구분하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 22, wherein the divider,
A substrate processing method characterized by being provided in a straight line crossing each other to distinguish four substrates.
각각 상기 기판을 언로딩 챔버에서 수직 상승시키고, 상기 기판을 언로딩 챔버에서 로딩 챔버로 수평이동시킨 후, 상기 기판을 상기 로딩 챔버에 수직 하강시켜 안착시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 20, wherein the conveying of the substrate comprises:
And respectively lifting the substrate vertically in the unloading chamber, horizontally moving the substrate from the unloading chamber to the loading chamber, and then seating the substrate by lowering the substrate vertically.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW100108991A TWI524450B (en) | 2010-03-18 | 2011-03-16 | Process chamber, semiconductor manufacturing apparatus and substrate processing method having the same |
US13/049,743 US20110226419A1 (en) | 2010-03-18 | 2011-03-16 | Process Chamber, Semiconductor Manufacturing Apparatus and Substrate Processing Method Having the Same |
CN201110068029.XA CN102194665B (en) | 2010-03-18 | 2011-03-18 | Process chamber, semiconductor manufacturing facility and use its substrate processing method using same |
US14/556,008 US20150083331A1 (en) | 2010-03-18 | 2014-11-28 | Process Chamber, Semiconductor Manufacturing Apparatus and Substrate Processing Method Having the Same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20100024019 | 2010-03-18 | ||
KR1020100024019 | 2010-03-18 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170016636A Division KR101854165B1 (en) | 2010-03-18 | 2017-02-07 | Processing chamber, apparatus for manufacturing semiconductor including the same and method for processing substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110105324A true KR20110105324A (en) | 2011-09-26 |
KR101728392B1 KR101728392B1 (en) | 2017-04-19 |
Family
ID=44955741
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100079066A KR101728392B1 (en) | 2010-03-18 | 2010-08-17 | Processing chamber, apparatus for manufacturing semiconductor including the same and method for processing substrate |
KR1020170016636A KR101854165B1 (en) | 2010-03-18 | 2017-02-07 | Processing chamber, apparatus for manufacturing semiconductor including the same and method for processing substrate |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170016636A KR101854165B1 (en) | 2010-03-18 | 2017-02-07 | Processing chamber, apparatus for manufacturing semiconductor including the same and method for processing substrate |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (2) | KR101728392B1 (en) |
TW (1) | TWI524450B (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160091208A (en) * | 2015-01-22 | 2016-08-02 | 주식회사 원익아이피에스 | Aligning module |
KR20160110862A (en) * | 2015-03-13 | 2016-09-22 | 주식회사 원익아이피에스 | Aligning module |
KR20160142456A (en) * | 2015-06-02 | 2016-12-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus of alligning substrate and method of allining substrate |
KR20180009250A (en) * | 2016-07-18 | 2018-01-26 | 주식회사 원익아이피에스 | Aligning module |
KR20180010570A (en) * | 2016-07-21 | 2018-01-31 | 주식회사 원익아이피에스 | Aligning module |
KR20190105217A (en) * | 2019-09-05 | 2019-09-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | Substrate processing system |
KR20190118999A (en) * | 2016-07-18 | 2019-10-21 | 주식회사 원익아이피에스 | Aligning module |
CN111471965A (en) * | 2020-04-30 | 2020-07-31 | 苏州迈正科技有限公司 | Conveying carrier plate, vacuum coating equipment and vacuum coating method |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102633111B1 (en) * | 2019-11-07 | 2024-02-02 | 주식회사 원익아이피에스 | Substrate supporting module, substrate processing apparatus, and substrate processing system |
-
2010
- 2010-08-17 KR KR1020100079066A patent/KR101728392B1/en active IP Right Grant
-
2011
- 2011-03-16 TW TW100108991A patent/TWI524450B/en active
-
2017
- 2017-02-07 KR KR1020170016636A patent/KR101854165B1/en active IP Right Grant
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160091208A (en) * | 2015-01-22 | 2016-08-02 | 주식회사 원익아이피에스 | Aligning module |
KR20160110862A (en) * | 2015-03-13 | 2016-09-22 | 주식회사 원익아이피에스 | Aligning module |
KR20160142456A (en) * | 2015-06-02 | 2016-12-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus of alligning substrate and method of allining substrate |
KR20180009250A (en) * | 2016-07-18 | 2018-01-26 | 주식회사 원익아이피에스 | Aligning module |
KR20190118999A (en) * | 2016-07-18 | 2019-10-21 | 주식회사 원익아이피에스 | Aligning module |
KR20180010570A (en) * | 2016-07-21 | 2018-01-31 | 주식회사 원익아이피에스 | Aligning module |
KR20190105217A (en) * | 2019-09-05 | 2019-09-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | Substrate processing system |
CN111471965A (en) * | 2020-04-30 | 2020-07-31 | 苏州迈正科技有限公司 | Conveying carrier plate, vacuum coating equipment and vacuum coating method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170017982A (en) | 2017-02-15 |
KR101728392B1 (en) | 2017-04-19 |
KR101854165B1 (en) | 2018-05-04 |
TWI524450B (en) | 2016-03-01 |
TW201133679A (en) | 2011-10-01 |
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A107 | Divisional application of patent | ||
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