KR20110103951A - 척 상에 웨이퍼를 센터링하기 위한 방법 및 시스템 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 핸들링 기구는 척 상에 웨이퍼를 배치하도록 작동한다. 그 후, 웨이퍼에 대해 처킹력 (chucking force) 이 적용되고, 이에 의해 척의 웨이퍼 지지 피처들 (wafer support features) 이 웨이퍼의 표면으로 결함 패턴을 전사한다. 웨이퍼의 표면으로 전사된 결함 패턴의 맵핑 (mapping) 을 획득하기 위해, 결함 계측 기기가 웨이퍼의 표면을 분석한다. 웨이퍼의 표면으로 전사된 결함 패턴을 분석함으로써 웨이퍼의 좌표계 내에 척의 중심 좌표를 결정한다. 척의 중심 좌표와 웨이퍼의 중심 사이의 공간적 오프셋을 결정한다. 웨이퍼의 중심을 척의 중심 좌표에 정렬하는 것을 가능하게 하기 위해, 상기 공간적 오프셋을 사용하여 웨이퍼 핸들링 기구를 조정한다.

Description

척 상에 웨이퍼를 센터링하기 위한 방법 및 시스템{METHOD AND SYSTEM FOR CENTERING WAFER ON CHUCK}
집적회로, 메모리 셀 등과 같은 반도체 장치의 제조에서는, 일련의 제조 작업들이 수행되어 반도체 웨이퍼 ("웨이퍼" 또는 "기판") 상에 피처들을 규정한다. 웨이퍼는 실리콘 기판 상에 규정된 멀티레벨 구조물 형태의 집적회로 장치를 포함한다. 기판 레벨에는, 확산 영역을 가진 트랜지스터 장치들이 형성된다. 후속층들에는, 상호접속 금속화 라인이 패터닝되고 트랜지스터 장치에 전기적으로 접속되어, 소정의 집적회로 장치를 규정한다. 또한, 패터닝된 전도성 층들은 유전체 재료에 의해 다른 전도성 층들로부터 절연된다.
다수의 여러 웨이퍼 제조 작업들은 공정 챔버 내에서 척 상에 웨이퍼의 핸들링 및 배치를 요구한다. 이러한 척 상의 웨이퍼 배치는 로봇 장치를 사용하여 원격으로 행해진다. 일반적으로, 웨이퍼가 척에 관해 알려진 위치에서 척 상에 배치되는 것은 중요하다. 예를 들어, 웨이퍼는 척의 웨이퍼 수용 영역 내의 중심에 위치해야만 하는 것으로 지정될 수 있다. 그런데, 일반적으로 로봇 장치에 의한 척 상의 웨이퍼 배치의 정밀도는 로봇 장치가 척의 공간 위치에 대해 얼마만큼 양호하게 캘리브레이션 되었는지의 함수이다. 따라서, 로봇 장치와 척의 공간적 위치 사이의 미스 캘리브레이션(mis-calibration)으로 인해, 웨이퍼가 척 상에 비중심화된 방식으로 배치될 수도 있다. 이것이 발생한 경우, 일반적으로는 웨이퍼가 척의 웨이퍼 수용 영역에 대해 얼마만큼 중심으로부터 벗어났는지 알 수 없다.
일반적으로, 챔버의 웨이퍼 상에 수행된 공정들은 웨이퍼가 척의 웨이퍼 수용 영역 내의 중심에 위치될 것을 가정한 것이다. 따라서, 웨이퍼가 척의 비중심화된 방식으로 위치될 경우, 웨이퍼 제조 공정은 원하는 결과의 관점에서 나빠질 수 있다.
따라서, 척 상에 웨이퍼 센터링을 더욱 양호하게 제어하는 것은 중요하다.
일 실시형태에서는, 척 상에 웨이퍼를 센터링하기 위한 방법을 개시한다. 본 방법은 척과 접촉한 웨이퍼의 표면으로부터 결함 계측 데이터 (defect metrology data) 를 획득하는 작업을 포함한다. 또한, 본 방법은 결함 계측 데이터에 기초하여 웨이퍼의 좌표계 내에 척의 중심 좌표를 결정하는 작업을 포함한다. 본 방법은 척의 중심 좌표와 웨이퍼의 중심 사이의 차이를 결정하는 작업을 더 포함한다. 또한, 척의 중심 좌표와 웨이퍼의 중심 사이의 결정된 차이에 기초하여 웨이퍼 핸들링 기구를 조정하고, 이에 따라 웨이퍼의 중심을 척의 중심 좌표에 정렬하는 것을 가능하게 하기 위한 방법 작업을 수행한다.
다른 실시형태에서는, 척 중심으로부터 웨이퍼 중심의 오프셋을 결정하는 방법을 개시한다. 본 방법에서, 웨이퍼는 척 상에 배치된다. 척은 웨이퍼가 척 상에 배치될 때 그 웨이퍼의 표면과 접촉하도록 규정된 복수의 지지 피처들을 포함한다. 그 후, 웨이퍼에 대해 처킹압이 가해지고, 이에 따라 복수의 지지 피처들에 의해 척과 접촉하는 웨이퍼의 표면으로 결함 패턴이 전사된다. 웨이퍼는 척으로부터 제거된다. 웨이퍼 표면 상의 결함 패턴이 분석되어, 웨이퍼의 좌표계 내에 척의 중심 좌표를 찾아낸다. 그 후, 척의 중심 좌표와 웨이퍼의 중심 사이의 오프셋을 결정한다. 척의 중심 좌표와 웨이퍼의 중심 사이의 결정된 오프셋은 컴퓨터 판독가능 메모리에 저장된다.
다른 실시형태에서는, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 시스템을 개시한다. 본 시스템은 척을 포함한다. 척은 웨이퍼가 척 상에 위치될 때 그 웨이퍼의 표면과 접촉하도록 규정된 복수의 지지 피처들을 포함한다. 또한, 본 시스템은 척 상에 웨이퍼를 위치시키도록 규정된 웨이퍼 핸들링 기구를 포함한다. 본 시스템은 웨이퍼의 표면 상의 결함들을 검출 및 맵핑 (mapping) 하도록 규정된 결함 계측 기기를 더 포함한다. 또한, 본 시스템은 웨이퍼 좌표계 내에 척의 중심 좌표를 결정하도록 규정된 분석 모듈을 포함한다. 결함 계측 기기에 의해 생성된 결함 맵에 기초하여, 척의 중심 좌표가 결정된다. 결함 맵 (defect map) 은 척의 복수의 지지 피처들에 의해 웨이퍼의 표면으로 전사된 결함들을 표현한다. 분석 모듈은 척의 중심 좌표와 웨이퍼의 중심 사이의 오프셋을 결정하도록 더 규정되고, 결정된 오프셋을 컴퓨터 판독가능 메모리에 저장한다.
본 발명의 다른 관점들과 장점들은, 본 발명의 예로써 나타내 첨부 도면들과 함께 제공된 아래의 상세한 설명에 의해 더욱 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 척에 대한 웨이퍼 핸들링 기구의 평면도,
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 웨이퍼 공정 챔버의 단면도,
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 척의 단면도,
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 도 3의 예시적인 척의 평면도,
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따라, 척과 접촉하여 전사된 대응 결함 패턴을 가진 웨이퍼의 표면을 나타낸 도면,
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따라, 척의 지지 피처들을 공간적으로 둘러싸도록 규정된 내포 영역을 나타낸 도면,
도 7a는 본 발명의 일 실시형태에 따라, 척에 의해 웨이퍼로 전사된 결함 패턴에 대한 소정 스캐닝 위치에서의 내포 영역을 나타낸 도면,
도 7b는 도 7a와 동일한 래스터 스캔 로케이션이지만, 내포 영역과 관련하여 척의 중심 좌표에 관한 다른 회전 방향에서의 내포 영역을 나타낸 도면,
도 7c는 본 발명의 일 실시형태에 따라, 최대 내포 위치에서의 내포 영역을 나타낸 도면,
도 7d는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 척의 중심 좌표와 웨이퍼의 중심 사이의 결정된 공간적 관계를 나타낸 도면,
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 방법의 흐름도,
도 9는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 척 중심으로부터 웨이퍼 중심의 오프셋을 결정하는 방법의 흐름도,
도 10은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 시스템의 도면, 및
도 11은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 예시적 GUI를 나타낸 도면.
이하의 설명에서는, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위한 다수의 구체적인 상세들이 기술된다. 하지만, 본 기술분야의 당업자에게는 본 발명이 이들 구체적인 상세들의 일부 또는 전부가 없더라도 실시될 수 있는 것임이 자명할 것이다. 다른 예들에서, 잘 알려진 공정 작업들은 본 발명을 불필요하게 모호화하지 않도록 하기 위해, 세부적으로 설명하지 않았다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 척 (105) 에 대한 웨이퍼 핸들링 기구 (101) 의 평면도이다. 웨이퍼 핸들링 기구 (101) 는 척 (105) 에 대한 웨이퍼 (103) 의 정밀한 이동 및 포지셔닝 (positioning) 을 제공하여, 척 (105) 상에 웨이퍼 (103) 를 배치하고 또한 척 (105) 으로부터 웨이퍼 (103) 를 제거하는 로봇 기구이다. 일 실시형태에서, 웨이퍼 핸들링 기구 (101) 는, 화살표 (107) 로 표시된 바와 같이, 척 (105) 을 향하거나 그로부터 멀어지게 웨이퍼 (103) 를 이동시키도록 규정된다. 또한, 이 실시형태에서, 웨이퍼 핸들링 기구 (101) 는, 화살표 (109) 로 표시된 바와 같이, 회전축에 관한 방위각으로 웨이퍼 (103) 를 이동시키도록 규정된다.
도 1의 웨이퍼 핸들링 기구 (101) 는 예시의 수단으로 제공된 것이고, 본 발명을 어떤 식으로든 한정할 것을 의도하는 것이 아님을 이해해야 한다. 따라서, 다른 실시형태들에서 웨이퍼 핸들링 기구 (101) 는 정밀하고 제어가능한 방식으로 척 (105) 상에 웨이퍼 (103) 를 배치하도록 규정된 것인 한, 그 디자인 및/또는 동작이 상이할 수도 있다. 예를 들어, 일 실시형태에서, 웨이퍼 핸들링 기구 (101) 는 컴퓨터 시스템에 의한 좌표들의 프로그래밍을 통해 척 (105) 에 대한 웨이퍼 (103) 의 포지셔닝을 제공한다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 웨이퍼 공정 챔버 (201) 의 단면도를 나타낸다. 챔버 (201) 는 웨이퍼 (103) 가 웨이퍼 핸들링 기구 (101) 에 의해 이동할 수 있는 이동식 도어 (203) 를 포함한다. 척 (105) 은 챔버 (201) 내에 배치되어, 웨이퍼 공정 작업 동안 웨이퍼 (103) 를 수용, 지지, 및 유지한다. 도 2의 예시적인 실시형태에서, 척 (105) 은 척 (105) 상에 웨이퍼 (103) 의 배치 및 척 (105) 으로부터 웨이퍼 (103) 의 제거를 용이하게 하기 위한 다수의 리프팅 핀 (205) 을 포함하도록 규정된다. 이 실시형태에서, 웨이퍼 핸들링 기구 (101) 및 리프팅 핀 (205) 은 리프팅 핀들 (205) 이 상승된 위치에 있는 경우 리프팅 핀들 (205) 상에 웨이퍼 (103) 의 배치가 가능하도록 협력적으로 규정된다. 그 후, 리프팅 핀들 (205) 이 척 (105) 을 향해 하강함으로써 웨이퍼 (103) 는 척 상에 배치된다. 웨이퍼 (103) 를 제거하기 위해서는, 리프팅 핀들 (205) 이 상승함으로써 웨이퍼 핸들링 기구 (101) 가 웨이퍼 (103) 를 회수할 수 있는 수직 위치까지 웨이퍼 (103) 를 올린다.
웨이퍼 핸들링 기구 (101) 의 포지셔닝 정밀도 (positioning accuracy) 는 척 (105) 에 대한 웨이퍼 (103) 의 포지셔닝 정밀도를 결정한다는 것을 인식해야 한다. 또한, 도 2의 챔버 (201) 구조는 예시로서 제공된 것이고, 어떤 방식으로든 본 발명을 한정할 것을 의도하지 않음을 이해해야 한다. 따라서, 정밀하고 제어가능한 웨이퍼 핸들링 기구 (101) 에 의해 척 (105) 상에 웨이퍼 (103) 를 포지셔닝하는 것은, 척 (105) 을 이용하여 웨이퍼 (103) 를 수용, 지지, 및 유지하는 다수의 다른 타입의 웨이퍼 공정 장비로 구현될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 척 (105) 의 단면도를 나타낸다. 척 (105) 은 웨이퍼 (103) 가 척 (105) 상에 배치될 경우 웨이퍼 (103) 의 표면과 접촉하도록 규정된 다수의 지지 피처들 (support features) (301, 303) 을 포함하도록 규정된다. 더욱 구체적으로, 도 3의 예시적인 실시형태에서, 지지 피처들 (301) 은 척 (105) 상에 분포되어 웨이퍼 (103) 를 지지하는, 실질적으로 균일한 높이의 메사형 구조물들 (mesa-type structures) 로서 규정된다. 또한, 지지 피처 (303) 는 웨이퍼 (103) 의 가장자리를 지지하기 위해 상승된 링 구조로 규정된 에지 밀봉부 (edge seal) 를 표현한다. 지지 피처 (303) 의 높이는 지지 피처들 (301) 의 균일한 높이와 실질적으로 같다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 도 3의 예시적인 척 (105) 의 평면도이다. 웨이퍼 (103) 의 가장자리 (103A) 가 윤곽으로 그려져서 척 (105) 상의 웨이퍼 (103) 의 배치를 표시하고 있다. 일 실시형태에서, 척 (105) 은 척 (105) 방향으로의 웨이퍼 (103) 의 정전기적 인력 (electrostatic attraction) 을 통해 웨이퍼 (103) 에 처킹력 (chucking force) 이 가해지도록 규정된 정전척이다. 지지 피처들 (301) 은 척 (105) 에 걸쳐 분포됨으로써 처킹력에 노출될 시에 웨이퍼 (103) 에 대해 충분히 균일한 후면 지지를 제공함을 인식해야 한다.
웨이퍼 (103) 에 처킹력이 적용되는 경우, 척 (105) 과 접촉한 웨이퍼의 표면 상에는 결함 패턴 (defect pattern) 이 생성된다. 더욱 구체적으로, 웨이퍼 (103) 와 접촉한 척 (105) 의 지지 피처들 (301, 303) 에 의해 결함 패턴이 생성된다. 결함 패턴은 웨이퍼 표면에 생성된 결함들, 웨이퍼 표면으로 전사된 미립자들, 또는 그들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들면, 결함은 처킹 이전의 웨이퍼 표면 상태에 대한 디벗 (divot) 형태 또는 임의 다른 형태의 불규칙한 피처를 취할 수 있다. 또한, 예를 들면, 미립자들은 플레이크들 (flakes) 이나 입자들, 또는 웨이퍼의 표면에 존재하는 임의 다른 이물질의 형태를 취할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따라, 척 (105) 과 접촉하여 전사된 대응 결함 패턴 (501) 을 갖는 웨이퍼 (103) 의 표면을 나타낸다. 웨이퍼 (103) 로 전사된 결함 패턴 (501) 은 웨이퍼 (103) 에 존재하는 결함들을 검출 및 맵핑 (mapping) 하는 결함 계측 기기 (defect metrology tool) 를 사용하여 획득될 수 있다. 결함 계측 기기는 본질적으로 웨이퍼 표면 상의 불규칙한 것(irregularity) 들을 검출 및 맵핑하도록 규정된 임의 타입의 장치일 수 있다. 예시적인 결함 계측 기기들은 KLA Inc.에 의해 제조된 KLA SPl 및 KLA SP2 모델들을 포함한다. 그러나, 결함 계측 기기가 충분히 높은 정밀도로 충분히 작은 사이즈의 결함들을 검출 및 맵핑하는 것이 가능한 한, 다수의 다양한 타입의 결함 계측 기기들이 본 발명과 함께 이용될 수 있음을 이해해야 한다. 하나의 예시적인 실시형태에서, 결함 계측 기기는 45 나노미터 처럼 작은 입자들을 검출할 수 있다. 그러나, 본 발명은 더 큰 크기의 결함 검출 성능으로 구현될 수도 있다.
웨이퍼 (103) 와 접촉하는 척 (105) 의 지지 피처들 (301, 303) 은 엄격하게 제어된 허용 편차를 가지고 척 (105) 상에 규정되고, 척 (105) 의 중심 좌표, 즉 척 (105) 의 웨이퍼 수용 영역의 중심 좌표에 대해 인덱싱될 수 있다. 이에 따라, 척 (105) 의 지지 피처들 (301, 303) 의 공간적 위치는 척 (105) 의 중심 좌표를 식별하기 위하여 이용될 수 있다. 두 개의 지지 피처들만을 사용하여 척 (105) 의 중심 좌표를 결정할 수도 있다. 그러나, 더 많은 지지 피처들은 더욱 용이하거나 더욱 정밀한 척 (105) 의 중심 좌표의 식별을 제공할 수 있다.
척 (105) 의 중심 좌표가 척 (105) 의 지지 피처들 (301, 303) 의 공간적 위치로부터 결정될 수 있기 때문에, 웨이퍼 (103) 의 좌표계 내의 척 (105) 의 중심 좌표는 척 (105) 의 지지 피처들 (301, 303) 에 의해 웨이퍼 (103) 로 전사된 결함 패턴 (501) 으로부터 당연히 결정될 수 있다. 또한, 척 (105) 의 중심 좌표가 웨이퍼 (103) 의 좌표계 내에서 결정되는 경우에는, 웨이퍼 (103) 의 중심으로부터 척 (105) 의 중심 좌표의 오프셋이 결정될 수 있다. 그 후, 이 오프셋은 척 (105) 상의 웨이퍼 (103) 배치 조정에 사용되어, 웨이퍼 (103) 의 중심을 척 (105) 의 중심 좌표에 정렬할 수 있다.
본 발명은 결함 패턴, 즉 척의 지지 피처들에 의해 웨이퍼의 표면으로 전사된 결함들을 표현하는 결함 맵 (defect map) 에 기초하여, 웨이퍼 좌표계 내에서 척의 중심 좌표를 결정하도록 규정된 분석 프로시저/모듈을 포함한다. 분석 프로시저/모듈은 척의 중심 좌표와 웨이퍼의 중심 사이의 오프셋을 결정하도록 더 규정된다. 분석 프로시저/모듈은 척의 지지 피처들을 공간적으로 둘러싸는 내포 영역 (inclusion region) 의 정의를 제공한다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따라, 척 (105) 의 지지 피처들 (301, 303) 을 공간적으로 둘러싸도록 규정된 내포 영역 (601) 을 나타낸다. 내포 영역 (601) 은 처킹 작업 중에 웨이퍼로 전사되는 결함 패턴 (501) 의 원인이 되는, 척 (105) 의 지지 피처들 (301, 303) 을 기하학적으로 에워싸도록 규정된다. 내포 영역 (601) 은 척 (105) 의 지지 피처들 (301, 303) 에 대응하기 때문에, 내포 영역 (601) 이 척 (105) 의 지지 피처들 (301, 303) 에 의해 웨이퍼 (103) 로 전사된 결함들을 둘러싸도록 위치된 경우, 웨이퍼 좌표계 내에서의 척 (105) 의 중심 좌표가 그 내포 영역 (601) 의 위치로부터 도출될 수 있다. 척 (105) 의 지지 피처들 (301, 303) 에 의해 웨이퍼 (103) 로 전사된 결함들을 둘러싸는 내포 영역 (601) 의 위치를 찾아내기 위해서는, 결함 계측 데이터 (defect metrology data) 에 대해 내포 영역 (601) 을 스캐닝하여 그 내포 영역 (601) 내의 결함들의 수가 최대화되는 최대 내포 위치를 결정한다.
도 7a는 본 발명의 일 실시형태에 따라, 척 (105) 에 의해 웨이퍼 (103) 로 전사된 결함 패턴 (501) 에 대한 소정 스캐닝 위치에서의 내포 영역 (601) 을 나타낸다. 일 실시형태에서, 내포 영역 (601) 은 직교 래스터화 기법 (orthogonal rasterized manner) 으로, 즉 래스터 스캔으로 결함 패턴 (501) 에 대해 스캐닝되고, 웨이퍼 (103) 에 걸친 다수의 직교 그리드 포인트들(orthogonal grid points), 즉 래스터 스캔 로케이션들에서 내포 영역 (601) 내에 포함된 결함들의 수에 대한 평가를 제공한다. 내포 영역 (601) 의 최대 내포 위치 (maximum inclusion position) 는 결함들의 수가 최대화되는 내포 영역 (601) 의 위치에 해당한다.
일 실시형태에서, 척 (105) 의 지지 피처들 (301, 303) 은 척 (105) 의 중심 좌표에 관한 비대칭 방식으로 규정되고, 내포 영역 (601) 의 최대 내포 위치는 방위각 방향 성분을 가진다. 예시적인 척 (105) 은 이와 같이 비대칭적으로 규정된 지지 피처들 (301) 을 포함한다. 이 실시형태에서, 결함 패턴 (501) 에 대한 내포 영역 (601) 의 스캐닝은, 각 래스터 스캔 로케이션에서 내포 영역 (601) 의 회전을 포함한다. 예를 들면, 도 7b는 도 7a와 동일한 래스터 스캔 로케이션이지만, 내포 영역 (601) 과 관련하여 척 (105) 의 중심 좌표에 관한 다른 회전 방향에서의 내포 영역 (601) 을 나타낸다. 이 방식에서, 결함 패턴 (501) 에 대한 내포 영역 (601) 의 스캐닝은, 척 (105) 에 대한 웨이퍼 (103) 의 변환 오프셋 (translational offset) 및 회전 오프셋 (rotational offset) 모두에 대한 결정을 제공한다.
도 7c는 본 발명의 일 실시형태에 따라, 최대 내포 위치에서의 내포 영역 (601) 을 나타낸다. 최대 내포 위치 (및 회전, 적용가능한 경우) 에서는, 내포 영역 (601) 내에 속하는 측정 결함들의 수가 최대화된다. 본 명세서에서는 명확화를 위해 결함 패턴 (501) 에 대한 내포 영역 (601) 의 스캐닝을 물리적 표현으로 설명하였지만, 결함 패턴 (501) 에 대한 내포 영역 (601) 의 스캐닝은 내포 영역 (601) 의 기하학적 정의 및 결함 좌표와 같은 결함 데이터에 기반한 계산에 의하여 전적으로 수행될 수도 있는 것임을 이해해야 한다. 최대 내포 위치는 웨이퍼 (103) 의 좌표계 내에서 결정된다. 따라서, 최대 내포 위치에 기초하여, 웨이퍼 좌표계 내의 척의 중심 좌표가 내포 영역 (601) 지오메트리 (geometry) 로부터 지득된다. 그 결과, 처킹 작업 동안 척의 중심 좌표와 웨이퍼의 중심 사이의 관계를 알 수 있다. 또한, 최대 내포 위치가 회전 성분을 포함하고 있다면, 처킹 작업 동안의 척에 대한 웨이퍼의 방위각 방향을 알게 된다.
도 7d는 본 발명의 일 실시형태에 따라, 척의 중심 좌표와 웨이퍼의 중심 사이의 결정된 공간 관계를 나타낸다. 척의 중심 좌표는 십자선 (701) 으로 나타내고 있다. 웨이퍼의 중심은 십자선 (703) 으로 나타내고 있다. 웨이퍼와 척의 중심들간의 x 방향 오프셋은 화살표 (705) 로 나타내고 있다. 웨이퍼와 척의 중심들간의 y 방향 오프셋은 화살표 (707) 로 나타내고 있다. 웨이퍼의 중심을 척의 중심 좌표에 정렬하기 위해 요구되는 웨이퍼 핸들링 기구 (101) 의 조정은 (adjustment) 은 x 방향 및 y 방향의 오프셋으로부터 결정될 수 있다. 그 후, 웨이퍼 핸들링 기구 (101) 는 그에 맞춰서 조정/캘리브레이션 될 수 있다.
일 실시형태에서, 결함 계측 기기에 의해 보고된 결함 데이터는 시스템적인 방식에서 공간적으로 왜곡될 수 있다. 예를 들면, 통보된 결함 좌표들은 웨이퍼의 중심에 관해 방사상으로 편향될 수 있다. 이 경우, 결함 계측 기기에 의해 초래된 공간 왜곡을 보상하기 위해서, 결함 데이터에 방사 방향의 스케일 팩터 (radial scale factor) 가 적용될 수 있다. 방사 방향의 스케일 팩터는 본질적으로 웨이퍼 중심에 관한 측정 결함들의 방사 방향의 위치를 조정한다. 일 실시형태에서, 방사 방향의 스케일 팩터는 알려져 있고, 결함 패턴 (501) 에 대한 내포 영역 (601) 의 스캐닝에 앞서서 결함 데이터에 적용된다. 다른 실시형태에서는, 방사 방향의 스케일 팩터가 알려져 있지 않다. 이 실시형태에서, 결함 패턴 (501) 의 결함 데이터는 다수의 내포 영역 (601) 스캔 로케이션들에서 방사상으로 스케일링되어서, 적용되기에 적절한 방사 방향의 스케일 팩터를 결정한다. 일 실시형태에서는, 결함 데이터의 저해상도 분석을 이용하여 방사 방향의 스케일 팩터를 결정한다. 그 후, 결함 데이터의 고해상도 분석을 이용하여, 최대 내포 위치를 찾기 위한 내포 영역 (601) 스캔을 수행한다.
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따라, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 방법의 흐름도를 나타낸다. 본 방법은 척과 접촉한 웨이퍼의 표면으로부터 결함 계측 데이터를 획득하는 작업 (801) 을 포함한다. 결함 계측 데이터는 결함 로케이션 데이터, 미립자 로케이션 데이터, 또는 그들의 조합은 물론이고, 다른 타입의 결함 데이터를 포함할 수 있다. 일 실시형태에서, 작업 (801) 에서 결함 계측 데이터를 획득하는 것은 다음을 포함한다:
● 척 상에 웨이퍼를 배치하는 것,
● 웨이퍼에 대해 처킹력 (chucking force) 을 적용하는 것,
● 척으로부터 웨이퍼를 제거하는 것, 및
● 결함 계측 기기로 척과 접촉했던 웨이퍼의 표면을 스캐닝 (scanning) 하여 웨이퍼 표면상의 결함들을 검출 및 맵핑하는 것.
일 실시형태에서, 본 방법은 결함 계측 데이터를 스케일링하여, 결함 계측 기기에 의해 초래된 공간적 왜곡을 보상하는 작업을 또한 포함한다. 본 방법은 결함 계측 데이터에 기초하여 웨이퍼의 좌표계 내에 척의 중심 좌표를 결정하는 작업 (803) 을 또한 포함한다. 일 실시형태에서, 척의 중심 좌표를 결정하는 것은 다음을 포함한다:
● 웨이퍼의 표면과 접촉하도록 규정된 척 피처들로 인해 발생하는 결함 데이터의 예측된 공간 분포를 둘러싸는 내포 영역을 정의하는 것,
● 결함 계측 데이터에 대해 내포 영역을 공간적으로 스캐닝하여, 내포 영역 내의 결함들의 수가 최대화되는 최대 내포 위치를 결정하는 것, 및
● 내포 영역의 최대 내포 위치로부터 척의 중심 좌표를 결정하는 것.
일 실시형태에서, 결함 계측 데이터에 대해 내포 영역을 공간적으로 스캐닝하는 것은, 결함 계측 데이터의 웨이퍼 맵 (wafer map) 에 대한 내포 영역의 래스터 스캐닝을 포함한다. 이 실시형태에서, 내포 영역 내의 결함들의 수는 다수의 래스터 스캔 로케이션들에서 결정된다. 또한, 일 실시형태에서, 내포 영역은 웨이퍼의 중심에 대해 비대칭이다. 이 실시형태에서, 결함 계측 데이터에 대해 내포 영역을 공간적으로 스캐닝하는 것은, 각 래스터 스캔 로케이션에서의 내포 영역의 회전을 또한 포함한다.
본 방법은 척의 중심 좌표와 웨이퍼의 중심 사이의 차이를 결정하는 작업 (805) 을 더 포함한다. 본 방법은 웨이퍼의 중심을 척의 중심 좌표에 정렬시키는 것을 가능하게 하기 위해, 척의 중심 좌표와 웨이퍼의 중심 사이의 결정된 차이에 기초하여 웨이퍼 핸들링 기구를 조정하는 작업 (807) 을 또한 포함한다.
도 9는 본 발명의 일 실시형태에 따라, 척 중심으로부터 웨이퍼 중심의 오프셋을 결정하는 방법의 흐름도를 나타낸다. 본 방법은 척 상에 웨이퍼를 배치하는 작업 (901) 을 포함한다. 척은 웨이퍼가 척에 배치될 때 그 웨이퍼의 표면과 접촉하도록 규정된 복수의 지지 피처들을 포함한다. 본 방법은 웨이퍼에 대해 처킹압 (chucking pressure) 을 적용하는 작업 (903) 을 또한 포함한다. 웨이퍼에 대한 처킹압의 적용은 복수의 지지 피처들에 의해, 척과 접촉한 웨이퍼의 표면으로 결함 패턴이 전사되게 한다. 결함 패턴은 다른 타입의 결함들 중에서도 웨이퍼 표면상의 물리적 결함들 및/또는 웨이퍼 표면상의 미립 오염물질들을 포함할 수 있다. 결함은 웨이퍼 표면 상의 불규칙한 임의 형태를 표현하는 것임을 이해해야 한다.
본 방법은 척으로부터 웨이퍼를 제거하는 작업 (905) 을 더 포함한다. 그 후, 작업 (907) 이 수행되어 웨이퍼 표면 상의 결함 패턴을 분석하고, 웨이퍼 좌표계 내에 척의 중심 좌표를 찾아낸다. 일 실시형태에서, 웨이퍼 표면 상의 결함 패턴을 분석하는 것은 다음을 포함한다:
● 결함 계측 기기로 척과 접촉한 웨이퍼의 표면을 분석하여, 웨이퍼 표면 상의 결함을 검출 및 맵핑하는 것,
● 웨이퍼의 표면과 접촉하도록 규정된 복수의 지지 피처들의 공간적 분포를 둘러싸는 내포 영역 (inclusion region) 을 정의하는 것,
● 웨이퍼 표면 상에 맵핑된 결함들에 대해 내포 영역을 공간적으로 스캐닝하여, 내포 영역 내의 결함들의 수가 최대화되는 최대 내포 위치를 결정하는 것, 및
● 복수의 지지 피처들과 척의 중심 좌표 사이의 알려진 공간적 관계를 사용하여 내포 영역의 최대 내포 위치로부터 척의 중심 좌표를 결정하는 것.
일 실시형태에서, 내포 영역을 공간적으로 스캐닝하는 것은 웨이퍼 표면 상에 맵핑된 결함들에 대해 래스터화 방식에서 내포 영역을 이동시켜서, 내포 영역 내의 결함들의 수가 다수의 래스터 스캔 로케이션들에서 결정되는 것을 포함한다. 일 실시형태에서, 내포 영역은 웨이퍼의 중심에 대해 비대칭이다. 이 실시형태에서, 웨이퍼 표면 상에 맵핑된 결함들에 대해 내포 영역을 공간적으로 스캐닝하는 것은 각 래스터 스캔 로케이션에서의 내포 영역의 회전을 포함한다.
본 방법은 계속하여 척의 중심 좌표와 웨이퍼의 중심 사이의 오프셋을 결정하는 작업 (909) 을 수행한다. 그 후, 작업 (911) 을 수행하여 척의 중심 좌표와 웨이퍼의 중심 사이의 결정된 오프셋을 컴퓨터 판독가능 메모리에 저장한다. 작업 (901) 에서 척 상에 웨이퍼를 배치하는 것과, 작업 (903) 에서 웨이퍼에 대해 처킹압을 가하는 것과, 및 작업 (905) 에서 척으로부터 웨이퍼를 제거하는 것은 정규의 운영 절차들에 따라 수행될 수 있음을 이해해야 한다. 따라서, 척이 내부에 설치된 웨이퍼 공정 챔버는 척 중심으로부터 웨이퍼 중심의 오프셋을 결정하기 위해 변형될 필요가 없다.
전술의 관점에서, 웨이퍼는 전사된 결함 패턴이 이전에 존재하는 웨이퍼 결함들 또는 다른 특성들에 의해 모호해짐이 없이 결함 패턴의 전사가 가능하도록 규정되어야 한다는 것을 이해해야 한다. 일 실시형태에서는, 웨이퍼의 폴리싱된 면이 척과 접촉함으로써 척의 지지 피처들에 의해 형성된 결함 패턴을 수용한다. 웨이퍼의 폴리싱된 면은 척의 지지 피처들과의 접촉에 의해 발생되는 결함들을 수용하는 실질적으로 깨끗한 캔버스 (canvas) 를 제공한다. 웨이퍼는 기본적으로 결함들을 측정할 수 있는 임의 타입의 웨이퍼일 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에서, 웨이퍼는 재생 웨이퍼이다. 또한, 일 실시형태에서, 척의 표면은 웨이퍼를 처킹하기 전에 실리콘 기반 필름 (예를 들면, AC3) 등의 코팅으로 전처리 되어서, 처킹 공정 동안 웨이퍼로의 결함들의 전사를 증가시키고 및/또는 웨이퍼로 전사될 소정 지지 피처 패턴과는 무관한 거짓 결함들 (spurrious defects) 의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 일 실시형태에서, 결함 계측 기기는 프로세스 웨이퍼가 공정 챔버로부터 제거됨에 따라 실시간으로 그 프로세스 웨이퍼의 후면에 대한 결함 측정이 가능하도록 배치된다. 이 실시형태에서, 프로세스 웨이퍼의 후면 결함 데이터가 분석됨으로써 웨이퍼 핸들링 기구의 웨이퍼 센터링 조정을 실시간으로 가능하게 할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시형태에 따라, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 시스템의 도면을 나타낸다. 본 시스템은 척 (105) 을 포함한다. 앞서 설명한 바와 같이, 척 (105) 은 웨이퍼가 척 (105) 상에 위치될 때 웨이퍼의 표면과 접촉하도록 규정된 복수의 지지 피처들을 포함한다. 본 시스템은 또한 척 (105) 상에 웨이퍼를 위치시키도록 규정된 웨이퍼 핸들링 기구 (101) 를 포함한다. 본 시스템은 또한 웨이퍼 표면 상의 결함을 검출 및 맵핑하도록 규정된 결함 계측 기기 (1001) 를 포함한다. 본 시스템은 결함 계측 기기에 의해 생성된 결함 맵 (defect map) 에 기초하여, 웨이퍼 좌표계 내에 척의 중심 좌표를 결정하도록 규정된 분석 모듈 (1005) 을 포함한다. 결함 맵은 척의 복수의 지지 피처들에 의해 웨이퍼 표면으로 전사된 결함들을 표현한다. 분석 모듈 (1005) 은 척 중심 좌표와 웨이퍼 중심 사이의 오프셋을 결정하고, 그 결정된 오프셋을 컴퓨터 판독가능 메모리에 저장하도록 더 규정된다.
또한, 분석 모듈 (1005) 은 척의 복수의 지지 피처들을 공간적으로 둘러싸는 내포 영역의 정의를 제공하도록 규정된다. 척의 중심 좌표는 상기 내포 영역의 공간 위치로부터 도출할 수 있다. 또한, 분석 모듈 (1005) 은 결함 맵에 대해 내포 영역을 공간적으로 스캐닝하고, 내포 영역 내에 결함들의 수가 최대화되는 최대 내포 위치를 결정하도록 규정된다. 또한, 분석 모듈 (1005) 은 결정된 내포 영역의 최대 내포 위치에 기초하여, 척의 중심 좌표를 결정하도록 규정된다.
또한, 일 실시형태에서, 본 시스템은 웨이퍼 센터링 작업과 관련된 이미지 및 뷰 (view) 들을 나타내도록 규정된 GUI (graphical user interface) (1003) 를 포함한다. 예를 들면, GUI (1003) 는 웨이퍼 이미지 상에 결함 맵을 렌더링하고, 내포 영역의 결정된 최대 내포 위치를 렌더링하고, 척의 결정된 중심 좌표를 렌더링하고, 웨이퍼의 중심을 렌더링하고, 또한 척의 중심 좌표와 웨이퍼의 중심 사이의 결정된 오프셋을 렌더링하도록 규정될 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 예시적 GUI (1003) 를 나타낸다. GUI (1003) 는 내포 영역의 래스터 스캔 로케이션 함수로서, 내포 영역 내에 존재하는 결함들의 수의 플롯 (plot) 을 디스플레이하는 윈도우 (1101) 이다. 또한, 윈도우 (1101) 는 웨이퍼의 중심을 표시하는 십자선 (1103), 및 웨이퍼 상의 결함 패턴에 의해 결정된 척의 중심을 표시하는 십자선 (1105) 을 포함한다. 또한, GUI (1003) 는 윈도우 (1101) 용의 다수 디스플레이 컨트롤들 및 척 중심에 대한 웨이퍼 중심의 오프셋 결과들 ("Shift Results") 을 제공하는 영역 (1107) 을 포함한다. GUI (1003) 는 웨이퍼 중심을 척 중심에 정렬하기 위해 요구되는, 계산된 웨이퍼 핸들링 기구 조정들의 세트를 제공하는 윈도우 (1109) 를 더 포함한다. 도 11의 예에서, "T 방향(direction)" 조정은 도 1의 화살표 (109) 로 표시한 바와 같은 방위각 조정에 대응한다. 또한, "R 방향(direction)" 조정은 도 1의 화살표 (107) 로 표시한 바와 같은 반경 조정에 대응한다. 또한, "카운트(counts)"는 웨이퍼 핸들링 기구를 위치시키기 위해 사용되는 스테퍼 모터들의 점증적 이동을 표현한다. 일례에서, "T 방향(direction)"의 "1 카운트(count)"는 약 16 마이크로미터에 해당할 수 있고, "R 방향(direction)"의 "1 카운트(count)"는 약 1 마이크로미터에 해당할 수 있다.
일 실시형태에서, 본 명세서에 기술된 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 방법들 및 시스템은 척 중심의 대략 0.002 인치 (inch) 범위 내에서 웨이퍼 중심을 위치시킬 수 있다. 또한, 본 명세서에 기술된 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 방법들 및 시스템은 기존 웨이퍼 공정 장비에 대한 하드웨어 변경을 요구하지 않고, 정규의 작동 모드에서 웨이퍼 공정 장비를 작동시키는 것에 의해 수행될 수 있음을 인식해야 한다.
상기 실시형태들을 고려함에 있어, 본 발명은 컴퓨터 시스템에 저장된 데이터를 포함하는 다양한 컴퓨터 구현 동작을 채용할 수도 있음을 이해해야 한다. 이들 동작은 물리양의 물리적인 조정이 요구된다. 보통, 필수적이지 않더라도, 이들 양은 저장, 전송, 결합, 비교 및 달리 조정될 수 있는 전기 또는 자기 신호의 형태를 취한다. 또한, 수행되는 조정은 생성, 식별, 결정 또는 비교와 같은 용어로 지칭된다.
본 발명의 부분을 형성하는 본 명세서에 설명된 임의의 동작들은 유용한 기계 동작들이다. 또한, 본 발명은 이들 동작을 수행하는 디바이스 또는 장치에 관한 것이다. 그 장치는 소정 목적을 위해 특별히 구성되거나, 컴퓨터에 저장된 컴퓨터 프로그램에 의해 선택적으로 활성화 또는 설정되는 범용 컴퓨터일 수도 있다. 특히, 다양한 범용 기계들이 본 발명의 교시에 따라 작성된 컴퓨터 프로그램들로 이용될 수 있거나, 필요한 동작들을 수행하는데 더욱 전문화된 장치를 구성하는 것이 더 편리할 수도 있다.
또한, 본 발명은 컴퓨터 판독가능 매체 상의 컴퓨터 판독가능 코드로서 구현될 수 있다. 컴퓨터 판독가능 매체는 이후에 컴퓨터 시스템에 의해 판독될 수 있는 데이터를 저장가능한 임의의 데이터 저장 장치이다. 컴퓨터 판독가능 매체의 예들은 하드 드라이브, 네트워크 부착형 스토리지 (NAS) , 판독전용 메모리, 랜덤-액세스 메모리, CD-ROM, CD-R, CD-RW, 마그네틱 테이프, 및 다른 광학 및 비광학 데이터 저장 장치들을 포함한다. 또한, 본 발명을 포함하는 컴퓨터 판독가능 코드는 분산 방식으로 저장 및 실행되기 위하여, 결합형 컴퓨터 시스템의 네트워크를 통해 분산된 다수의 컴퓨터 판독가능 매체 상에 저장될 수도 있다.
몇몇 실시형태들을 통해 본 발명을 설명하였지만, 앞서의 명세서를 해석하고 그 도면들을 연구한 당해 기술분야의 당업자라면 여러가지의 변경, 추가, 치환 및 그 동등물을 구현할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 발명의 진정한 사상 및 범위에 속하는 이러한 모든 변경, 추가, 치환 및 동등물을 포함할 것을 의도한다.

Claims (20)

  1. 척 상에 웨이퍼를 센터링 (centering) 하는 방법으로서,
    상기 척과 접촉한 상기 웨이퍼의 표면으로부터 결함 계측 데이터를 획득하는 단계;
    상기 결함 계측 데이터에 기초하여 상기 웨이퍼의 좌표계 내에서 상기 척의 중심 좌표를 결정하는 단계;
    상기 척의 중심 좌표와 상기 웨이퍼의 중심 사이의 차이를 결정하는 단계; 및
    상기 웨이퍼의 중심을 상기 척의 중심 좌표에 정렬가능하도록 하기 위해, 상기 척의 중심 좌표와 상기 웨이퍼의 중심 사이의 결정된 차이에 기초하여 웨이퍼 핸들링 기구를 조정하는 단계를 포함하는, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 결함 계측 데이터는 결함 로케이션 데이터, 미립자 로케이션 데이터 또는 결함 로케이션 데이터와 미립자 로케이션 데이터의 조합을 포함하는, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 결함 계측 데이터를 획득하는 단계는,
    상기 척 상에 상기 웨이퍼를 배치하는 단계,
    상기 웨이퍼에 대해 처킹력 (chucking force) 을 가하는 단계,
    상기 척으로부터 상기 웨이퍼를 제거하는 단계, 및
    결함 계측 기기로 상기 척과 접촉한 상기 웨이퍼의 표면을 스캐닝 (scanning) 하여, 상기 웨이퍼의 표면 상의 결함들을 검출 및 맵핑 (mapping) 하는 단계를 포함하는, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 결함 계측 기기에 의해 도입된 공간적 왜곡을 보상하기 위해 상기 결함 계측 데이터를 스케일링 (scaling) 하는 단계를 더 포함하는, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 척의 중심 좌표를 결정하는 단계는,
    상기 웨이퍼의 표면과 접촉하도록 규정된 척 피처들 (features) 로부터 발생한 결함 데이터의 예상 공간 분포를 둘러싸는 내포 영역 (inclusion region) 을 정의하는 단계로서, 상기 웨이퍼의 표면과 접촉하도록 규정된 척 피처들과 상기 척의 중심 좌표 사이의 공간적 관계가 알려져 있는, 상기 내포 영역을 정의하는 단계;
    상기 내포 영역 내의 결함들의 수가 최대화되는 최대 내포 위치를 결정하기 위해, 상기 결함 계측 데이터에 대해 상기 내포 영역을 공간적으로 스캐닝하는 단계; 및
    상기 내포 영역의 상기 최대 내포 위치로부터 상기 척의 중심 좌표를 결정하는 단계를 포함하는, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 결함 계측 데이터에 대해 상기 내포 영역을 공간적으로 스캐닝하는 단계는, 상기 내포 영역 내의 결함들의 수가 다수의 래스터 스캔 로케이션에서 결정되도록, 상기 결함 계측 데이터의 웨이퍼 맵 (wafer map) 에 대해 상기 내포 영역을 래스터 스캐닝 (raster scanning) 하는 것을 포함하는, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 내포 영역은 상기 웨이퍼의 중심에 대해 비대칭이고, 상기 결함 계측 데이터에 대해 상기 내포 영역을 공간적으로 스캐닝하는 단계는 각각의 래스터 스캔 로케이션에서의 상기 내포 영역의 회전을 또한 포함하는, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 방법.
  8. 척 중심으로부터 웨이퍼 중심의 오프셋을 결정하는 방법으로서,
    상기 척 상에 상기 웨이퍼를 배치하는 단계로서, 상기 척은 상기 웨이퍼가 상기 척 상에 배치될 때 상기 웨이퍼의 표면과 접촉하도록 규정된 복수의 지지 피처들 (support features) 을 포함하는, 상기 척 상에 웨이퍼를 배치하는 단계;
    상기 웨이퍼에 처킹압 (chucking pressure) 을 가하는 단계로서, 상기 복수의 지지 피처들에 의하여, 상기 척과 접촉하는 상기 웨이퍼의 표면으로 결함 패턴이 전사되는, 상기 웨이퍼에 대해 처킹압을 가하는 단계;
    상기 척으로부터 상기 웨이퍼를 제거하는 단계;
    상기 웨이퍼의 좌표계 내에서 상기 척의 중심 좌표를 찾기 위해 상기 웨이퍼의 표면 상의 결함 패턴을 분석하는 단계;
    상기 척의 중심 좌표와 상기 웨이퍼의 중심 사이의 오프셋을 결정하는 단계; 및
    상기 척의 중심 좌표와 상기 웨이퍼의 중심 사이의 결정된 오프셋을 컴퓨터 판독가능 메모리에 저장하는 단계를 포함하는, 척 중심으로부터 웨이퍼 중심의 오프셋을 결정하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 척 상에 상기 웨이퍼를 배치하는 단계, 상기 웨이퍼에 대해 상기 처킹압을 가하는 단계, 및 상기 척으로부터 상기 웨이퍼를 제거하는 단계는 정규의 운영 절차들에 따라 수행되는, 척 중심으로부터 웨이퍼 중심의 오프셋을 결정하는 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 결함 패턴은 상기 웨이퍼의 표면 상의 물리적 결함들, 상기 웨이퍼의 표면 상의 미립 오염물질들, 또는 상기 웨이퍼의 표면 상의 물리적 결함들과 미립 오염물질들 양자 모두의 조합을 포함하는, 척 중심으로부터 웨이퍼 중심의 오프셋을 결정하는 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 표면 상의 결함 패턴을 분석하는 단계는,
    상기 웨이퍼의 표면 상의 결함들을 검출 및 맵핑 (mapping) 하기 위해, 상기 척과 접촉하는 상기 웨이퍼의 표면을 결함 계측 기기로 분석하는 단계,
    상기 웨이퍼의 표면과 접촉하도록 규정된 복수의 지지 피처들의 공간적 분포를 둘러싸는 내포 영역 (inclusion region) 을 정의하는 단계,
    상기 내포 영역 내의 결함들의 수가 최대화되는 최대 내포 위치를 결정하기 위해, 상기 웨이퍼의 표면 상에 맵핑된 결함들에 대해 상기 내포 영역을 공간적으로 스캐닝 (scanning) 하는 단계, 및
    상기 복수의 지지 피처들과 상기 척의 중심 좌표 사이의 알려진 공간적 관계를 사용하여 상기 내포 영역의 최대 내포 위치로부터 상기 척의 중심 좌표를 결정하는 단계를 포함하는, 척 중심으로부터 웨이퍼 중심의 오프셋을 결정하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 내포 영역을 공간적으로 스캐닝하는 단계는, 상기 내포 영역 내의 결함들의 수가 다수의 래스터 스캔 로케이션에서 결정되도록, 상기 웨이퍼의 표면 상에 맵핑된 결함들에 대해 래스터화 방식으로 상기 내포 영역을 이동시키는 단계를 포함하는, 척 중심으로부터 웨이퍼 중심의 오프셋을 결정하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 내포 영역은 상기 웨이퍼의 중심에 대해 비대칭이고, 상기 내포 영역을 공간적으로 스캐닝하는 단계는 각각의 래스터 스캔 로케이션에서의 상기 내포 영역의 회전을 포함하는, 척 중심으로부터 웨이퍼 중심의 오프셋을 결정하는 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 결함 계측 기기에 의해 도입된 공간적 왜곡을 보상하기 위해, 상기 맵핑된 결함들을 상기 웨이퍼의 중심에 대해 방사상으로 스케일링 (scaling) 하는 단계를 더 포함하는, 척 중심으로부터 웨이퍼 중심의 오프셋을 결정하는 방법.
  15. 척 상에 웨이퍼를 센터링 (centering) 하는 시스템으로서,
    상기 웨이퍼가 상기 척 상에 위치될 때 상기 웨이퍼의 표면과 접촉하도록 규정된 복수의 지지 피처들을 포함하는 상기 척;
    상기 척 상에 상기 웨이퍼를 위치시키도록 규정된 웨이퍼 핸들링 기구;
    상기 웨이퍼의 표면 상의 결함들을 검출 및 맵핑 (mapping) 하도록 규정된 결함 계측 기기; 및
    상기 척의 상기 복수의 지지 피처들에 의해 상기 웨이퍼의 표면으로 전사된 결함들을 표현하는 상기 결함 계측 기기에 의해 생성된 결함 맵 (defect map) 에 기초하여, 웨이퍼 좌표계 내에 상기 척의 중심 좌표를 결정하도록 규정된 분석 모듈로서, 상기 척의 중심 좌표와 상기 웨이퍼의 중심 사이의 오프셋을 결정하고 결정된 상기 오프셋을 컴퓨터 판독가능 메모리에 저장하도록 더 규정된, 상기 분석 모듈을 포함하는, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 시스템.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 복수의 지지 피처들 중의 일부는 메사 구조물들 (mesa structures) 로서 규정되고 상기 척의 중심 좌표에 관한 동심원 패턴 (concentric circular pattern) 으로 분포된, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 시스템.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 복수의 지지 피처들은 상기 척의 중심 좌표에 관한 비대칭 로케이션들에서 규정된 다수의 지지 피처들을 포함하는, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 시스템.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 척은 정전척으로 규정된, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 시스템.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 분석 모듈은, 상기 내포 영역의 공간적 위치로부터 상기 척의 중심 좌표가 도출될 수 있도록, 상기 척의 상기 복수의 지지 피처들을 공간적으로 둘러싸는 내포 영역의 정의를 제공하고, 또한
    상기 분석 모듈은 상기 내포 영역 내의 결함들의 수가 최대화되는 최대 내포 위치를 결정하기 위해, 상기 결함 맵에 대해 상기 내포 영역을 공간적으로 스캐닝하도록 규정되며, 또한
    상기 분석 모듈은 상기 내포 영역의 결정된 최대 내포 위치에 기초하여 상기 척의 중심 좌표를 결정하도록 규정된, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 시스템.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 이미지 상에 결함 맵을 렌더링 (rendering) 하고, 상기 내포 영역의 결정된 최대 내포 위치를 렌더링하고, 상기 척의 결정된 중심 좌표를 렌더링하고, 상기 웨이퍼의 중심을 렌더링하고, 또한 상기 척의 중심 좌표와 상기 웨이퍼의 중심 사이의 결정된 오프셋을 렌더링하도록 규정된 그래픽 사용자 인터페이스를 더 포함하는, 척 상에 웨이퍼를 센터링하는 시스템.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104246999B (zh) * 2012-03-29 2018-05-08 富士机械制造株式会社 晶片图数据核对系统以及晶片图数据核对方法
KR20150005616A (ko) * 2012-05-02 2015-01-14 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 웨이퍼 위치 검출 장치 및 방법
JP6001934B2 (ja) 2012-06-25 2016-10-05 東京応化工業株式会社 重ね合わせ装置および重ね合わせ方法
US9082801B2 (en) 2012-09-05 2015-07-14 Industrial Technology Research Institute Rotatable locating apparatus with dome carrier and operating method thereof
US9373534B2 (en) 2012-09-05 2016-06-21 Industrial Technology Research Institute Rotary positioning apparatus with dome carrier, automatic pick-and-place system, and operating method thereof
US9549117B2 (en) 2013-08-01 2017-01-17 Xiaomi Inc. Method and apparatus for adjusting optical centre
CN103402116B (zh) * 2013-08-01 2016-01-13 小米科技有限责任公司 一种光心校准方法及装置
JP6294633B2 (ja) * 2013-10-23 2018-03-14 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、決定方法及び物品の製造方法
CN103594406B (zh) * 2013-11-05 2016-08-24 中国电子科技集团公司第四十五研究所 自定心定位卡盘及半导体晶圆的定心定位方法
US9101038B2 (en) 2013-12-20 2015-08-04 Lam Research Corporation Electrostatic chuck including declamping electrode and method of declamping
US10522380B2 (en) 2014-06-20 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for determining substrate placement in a process chamber
US10002782B2 (en) 2014-10-17 2018-06-19 Lam Research Corporation ESC assembly including an electrically conductive gasket for uniform RF power delivery therethrough
US9405287B1 (en) 2015-07-22 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for optical calibration of wafer placement by a robot
CN106610265B (zh) * 2015-10-22 2019-08-02 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 圆心位置获取方法
JP6612670B2 (ja) * 2016-03-31 2019-11-27 東京応化工業株式会社 基板処理装置、及び、基板処理方法
US9966292B2 (en) * 2016-07-12 2018-05-08 Globalfoundries Inc. Centering fixture for electrostatic chuck system
CN113330543A (zh) 2019-01-25 2021-08-31 朗姆研究公司 集成晶片翘曲测量
JP7319162B2 (ja) * 2019-10-02 2023-08-01 株式会社荏原製作所 搬送異常予測システム
KR20210096748A (ko) * 2020-01-29 2021-08-06 세메스 주식회사 공정 제어 장치 및 방법
CN112366166B (zh) * 2020-10-19 2024-03-01 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种获取静电吸盘图案的方法及晶圆中心的校正方法
CN113725136A (zh) * 2021-08-30 2021-11-30 长江存储科技有限责任公司 晶圆的对准方法、系统、计算机可读存储介质及处理器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63271948A (ja) * 1987-04-28 1988-11-09 Tokyo Electron Ltd プロ−ビング方法
JP2005019963A (ja) * 2003-06-03 2005-01-20 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板受け渡し位置の調整方法
JP2007048754A (ja) * 2000-06-27 2007-02-22 Ebara Corp 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
JP2008186961A (ja) * 2007-01-29 2008-08-14 Sharp Corp 位置合わせ装置、露光装置および位置合わせ方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2905476A (en) * 1955-12-28 1959-09-22 United Greenfield Corp Controlled centering chuck
USRE24684E (en) * 1956-04-18 1959-08-18 Power-operated chuck of the compensating type
US3344695A (en) * 1966-08-01 1967-10-03 Woodworth Co N A Floating work driver chuck
DE1627042B2 (de) * 1967-09-15 1976-05-26 Wiest, Horst, 7310 Plochingen Vorrichtung mit einem indexierbaren werkstuecktraeger und mit einem diesen foerdernden foerderring an einer ringtransfermaschine
US3845962A (en) * 1973-02-09 1974-11-05 V Molin Floating work driver chuck
US6225012B1 (en) * 1994-02-22 2001-05-01 Nikon Corporation Method for positioning substrate
US5905850A (en) * 1996-06-28 1999-05-18 Lam Research Corporation Method and apparatus for positioning substrates
US6549290B2 (en) * 1998-09-22 2003-04-15 Olympus Optical Co., Ltd. Method and apparatus for aligning target object
US6405101B1 (en) * 1998-11-17 2002-06-11 Novellus Systems, Inc. Wafer centering system and method
US6882416B1 (en) * 1999-09-07 2005-04-19 Applied Materials, Inc. Methods for continuous embedded process monitoring and optical inspection of substrates using specular signature analysis
US6471464B1 (en) * 1999-10-08 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Wafer positioning device
TW512478B (en) * 2000-09-14 2002-12-01 Olympus Optical Co Alignment apparatus
US6673637B2 (en) * 2000-09-20 2004-01-06 Kla-Tencor Technologies Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen
US6633831B2 (en) * 2000-09-20 2003-10-14 Kla Tencor Technologies Methods and systems for determining a critical dimension and a thin film characteristic of a specimen
KR100690181B1 (ko) * 2000-11-20 2007-03-08 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 웨이퍼의 평탄도 측정방법
KR100537684B1 (ko) * 2001-09-19 2005-12-20 올림푸스 가부시키가이샤 반도체웨이퍼검사장치
US7315373B2 (en) * 2001-11-14 2008-01-01 Rorze Corporation Wafer positioning method and device, wafer process system, and wafer seat rotation axis positioning method for wafer positioning device
US6637737B1 (en) * 2002-07-31 2003-10-28 Unova Ip Corp. Workpiece micro-positioning apparatus
US6957154B2 (en) * 2003-02-03 2005-10-18 Qcept Technologies, Inc. Semiconductor wafer inspection system
KR101015778B1 (ko) * 2003-06-03 2011-02-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리장치 및 기판 수수 위치의 조정 방법
KR100598381B1 (ko) * 2004-06-18 2006-07-07 삼성전자주식회사 인-라인 타입의 자동 웨이퍼결함 분류장치 및 그 제어방법
US7547181B2 (en) * 2004-11-15 2009-06-16 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate position correcting method and apparatus using either substrate radius or center of rotation correction adjustment sum
KR101291516B1 (ko) * 2005-06-24 2013-08-09 울박, 인크 위치 수정 장치, 진공 처리 장치, 및 위치 수정 방법
JP2009500869A (ja) * 2005-07-11 2009-01-08 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド オンザフライ（ｏｎｔｈｅｆｌｙ）ワークピースセンタリングを備えた装置
CN100416791C (zh) * 2005-12-09 2008-09-03 北京圆合电子技术有限责任公司 一种将硅片的中心放置在静电卡盘中心的方法
CN101021489A (zh) * 2006-02-15 2007-08-22 奥林巴斯株式会社 外观检查装置
US7479236B2 (en) * 2006-09-29 2009-01-20 Lam Research Corporation Offset correction techniques for positioning substrates
US7486878B2 (en) * 2006-09-29 2009-02-03 Lam Research Corporation Offset correction methods and arrangement for positioning and inspecting substrates
US7933009B2 (en) * 2007-07-27 2011-04-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for verifying proper substrate positioning
US8135485B2 (en) * 2007-09-28 2012-03-13 Lam Research Corporation Offset correction techniques for positioning substrates within a processing chamber
JP5409649B2 (ja) * 2007-12-27 2014-02-05 ラム リサーチ コーポレーション 位置およびオフセットを決定するためのシステムおよび方法
US7963736B2 (en) * 2008-04-03 2011-06-21 Asm Japan K.K. Wafer processing apparatus with wafer alignment device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63271948A (ja) * 1987-04-28 1988-11-09 Tokyo Electron Ltd プロ−ビング方法
JP2007048754A (ja) * 2000-06-27 2007-02-22 Ebara Corp 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
JP2005019963A (ja) * 2003-06-03 2005-01-20 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板受け渡し位置の調整方法
JP2008186961A (ja) * 2007-01-29 2008-08-14 Sharp Corp 位置合わせ装置、露光装置および位置合わせ方法

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