KR20110093547A - 테라헤르츠파 장치 - Google Patents

테라헤르츠파 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20110093547A
KR20110093547A KR1020100055614A KR20100055614A KR20110093547A KR 20110093547 A KR20110093547 A KR 20110093547A KR 1020100055614 A KR1020100055614 A KR 1020100055614A KR 20100055614 A KR20100055614 A KR 20100055614A KR 20110093547 A KR20110093547 A KR 20110093547A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wavelength
laser
terahertz wave
gain medium
laser light
Prior art date
Application number
KR1020100055614A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101453472B1 (ko
Inventor
전민용
박경현
이대수
Original Assignee
한국전자통신연구원
한국표준과학연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원, 한국표준과학연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to DE102010042469A priority Critical patent/DE102010042469A1/de
Priority to US12/908,628 priority patent/US8476592B2/en
Priority to JP2010235414A priority patent/JP5096543B2/ja
Publication of KR20110093547A publication Critical patent/KR20110093547A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101453472B1 publication Critical patent/KR101453472B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/136—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/137—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity for stabilising of frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1608—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth erbium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1618—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth ytterbium

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

테라헤르츠파 장치가 제공된다. 테라헤르츠파 장치는 고정된 제 1 파장을 가지는 제 1 레이저 광을 발진하는 파장 고정 레이저, 가변하는 제 2 파장을 가지는 제 2 레이저 광을 발진하는 파장 훑음 레이저, 제 1 레이저 광과 제 2 레이저 광을 결합시키는 커플러 및 커플러에서 방출된 혼합광을 테라헤르츠파로 변환하는 발생기를 포함하되, 테라헤르츠파의 주파수가 연속적으로 가변되도록 구성된다. 또한, 연속적으로 주파수가 가변되는 테라헤르츠파를 검출하는 검출기를 포함하여 고속 테라헤르츠파의 분광이 가능하다.

Description

테라헤르츠파 장치{TERAHERTZ WAVE APPARATUS}
본 발명은 테라헤르츠파 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 파장이 가변되는 테라헤르츠파 장치에 관한 것이다.
테라헤르츠파 대역(0.1THz ~ 3THz) 은 비금속 및 무극성 물질을 투과하는 특성을 가질 수 있다. 또한, 매우 다양한 분자들의 공진주파수가 테라헤르츠파 대역에 분포하고 있어 이들 분자들을 비 파괴, 미 개봉, 비 접촉 방법으로 실시간으로 식별함으로써 의료, 의학, 농업식품, 환경계측, 바이오, 첨단재료평가 등에서 지금까지 없었던 신개념의 분석기술 제공이 가능할 것으로 예측되고 있다. 따라서, 테라헤르츠파는 매우 다양한 응용의 확대가 급속히 진행되고 있다. 테라헤르츠파는 수 meV수준의 매우 낮은 에너지로 인체에 영향이 거의 없으며, 인간중심의 유비쿼터스 사회 실현의 필수 핵심기술로 수요가 급격히 증가하고 있으나 실시간, 포터블, 저가격 등을 동시에 만족할만한 기술이 개발되지 않고 있는 실정이다.
현재까지 활용 중에 있는 테라 헤르츠 파 생성 방법으로는 주파수배가법, 후진파 발진기(Backward wave Oscillator), 포토믹싱 (Photomixing)방법, CO2 pumped 가스레이저, 양자 폭포 레이저(Quantum cascade laser), 자유 전자 레이저(Free electron laser) 등 매우 다양한 기술 등이 있다. THz갭 영역이라고도 하는 0.1 ~ 10THz 주파수 대역에서 동작하는 파원 개발에 많은 연구들이 진행되고 있으나, 상용화에 필수적인 초소형, 비냉각, 고출력 조건을 갖는 적절한 파원 기술이 현재까지는 성숙되지 못한 상황이다. 또한 넓은 주파수 대역에서 빠른 속도로 테라헤르츠파를 가변할 수 있는 기술이 없었다. 넓은 주파수 대역에서 빠른 속도로 테라헤르츠파를 가변하면 실시간으로 테라헤르츠파 대역에서의 여러 가지 물리적 현상들을 모니터링할 수 있게 된다.
최근까지 가장 광범위하게 사용된 테라헤르츠파 장치는 펨토초급 초단 펄스레이저를 초고속 응답속도를 가지는 반도체 기반 광전도 안테나(photoconductive antenna)에 조사시켜 THz파를 발생시키고 검출하는 TDS(Time Domain Spectroscopy) 장치이다. 펨토초급의 펄스레이저 및 광전도 안테나로 구성된 테라헤르츠파 장치는 높은 신호대잡음비(SNR)를 제공하는 등의 장점이 있으나 펨토초급 펄스레이저 및 매우 정교한 광학계를 필수적으로 요구하고 있어 가격과 크기 면에서 포터블 개념의 계측기로 발전하기에는 많은 제한이 따른다.
본 발명의 목적은 연속적으로 가변하는 테라헤르츠파를 발생시키고 검출할 수 있는 테라헤르츠파 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 테라헤르츠파 장치는 고정된 제 1 파장을 가지는 제 1 레이저 광을 발진하는 파장 고정 레이저, 가변하는 제 2 파장을 가지는 제 2 레이저 광을 발진하는 파장 훑음 레이저, 상기 제 1 레이저 광과 상기 제 2 레이저 광을 결합시키는 커플러 및 상기 커플러에서 방출된 혼합광을 테라헤르츠파로 변환하는 발생기를 포함하되, 상기 테라헤르츠파의 주파수가 연속적으로 가변되도록 구성된다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 발생기는 상기 제 1 파장과 상기 제 2 파장의 차이값에 대응하는 주파수를 가지는 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 파장 훑음 레이저는 이득 매질 및 상기 이득 매질로부터 방출된 광을 상기 제 2 파장으로 필터링하는 파장 가변 필터를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 이득 매질 및 상기 파장 가변 필터는 광섬유에 결합될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 이득 매질은 반도체 광 증폭기(semiconductor optical amplifier)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 이득 매질은 희토류 원소 첨가 광섬유를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 희토류 원소는 어븀(Er) 또는 이테르븀(Yb) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 파장 가변 필터는 광섬유 페브리-페롯 가변 필터를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 파장 훑음 레이저는 상기 페브리-페롯 가변 필터에 펄스 형태로 전압을 인가하는 고주파 드라이버를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 페브리-페롯 가변 필터는 상기 인가되는 전압에 따라 연속적으로 상기 제 2 파장을 가변하여 필터링할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 파장 훑음 레이저는 상기 제 2 레이저 광을 한 방향으로 진행시키는 광 고립기(optical isolator)를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 파장 훑음 레이저는 일부를 출력하며, 다른 일부를 상기 이득 매질로 피드백하는 출력 광섬유 결합기를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 테라헤르츠파 장치는 상기 발생기로부터 방출되어 샘플을 투과한 테라헤르츠파를 검출하는 검출기를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 테라헤르츠파 장치는 상기 고주파 드라이버에서 제공되는 동기신호를 이용하여 트리거하면서 상기 검출기로부터 검출신호를 연속적으로 획득하는 데이터 획득 장치를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 파장 고정 레이저와 파장 훑음 레이저를 이용하여 고속으로 주파수를 가변할 수 있는 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다. 테라헤르츠파의 주파수 가변 속도는 상기 파장 훑음 레이저의 파장 훑음 속도에 의존할 수 있다. 한편, 검출기와 데이터 획득 장치를 통하여 고속으로 주파수가 가변되는 테라헤르츠파의 신호를 획득함으로써, 테라헤르츠파의 고속 분광이 가능할 수 있다.
도 1a 및 도 1b은 일반적인 TDS 기반의 테라헤르츠 광학 장치를 설명하는 도면이다. 도 1b는 도 1a의 광학 장치를 이용하여 얻은 데이터를 나타내는 도면들이다.
도 2는 두 개의 모드 락킹된 레이저(mode-locked laser)를 사용하는 테라헤르츠파 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 테라헤르츠파를 발생시키는데 사용되는 테라헤르츠파 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 파장 훑음 레이저(320)를 구체적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 파장 훑음 레이저의 필터링 동작을 설명하기 위한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 테라헤르츠파를 검출하기 위한 테라헤르츠파 장치를 설명하기 위한 도면이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본 명세서의 다양한 실시예들에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예들은 그것의 상보적인 실시예들도 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소는 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
도 1a 및 도 1b은 일반적인 TDS 기반의 테라헤르츠 광학 장치를 설명하는 도면이다. 도 1b는 도 1a의 광학 장치를 이용하여 얻은 데이터를 나타내는 도면들이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 상기 광학 장치(10)는 초단펄스 레이저(110)를 이용하여 테라헤르츠파를 발생 및/또는 검출할 수 있다. 상기 광학 장치(10)는 TDS(Time domain spectroscopy) 시스템일 수 있다. 상기 광학 장치(10)는 펨토 초급의 게이팅 시간 동안만 데이터를 획득하는 호모다인(homodyne) 검출법을 활용하여 높은 신호잡음비(signal to noise ratio: SNR)을 확보할 수 있는 장점이 있다.
상기 초단펄스레이저(110)의 출력광은 제1 미러(112)에 의하여 경로가 변경될 수 있다. 상기 제1 미러(112)에서 반사된 상기 초단펄스레이저(110)의 출력광은 빔 스플릿터(beam splitter:BS, 114)를 사용하여 둘로 나뉠 수 있다. 하나의 초단 펄스는 제2 미러(116)를 통하여 테라헤르츠파 발생기(THz Tx,130a)에 입사시켜 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다. 다른 초단 펄스는 적절한 시간지연을 갖고 테라헤르츠파 검출기(THz Dx,130b)에 입사하여 테라헤르츠파를 시간 상에서 샘플링하는데 활용될 수 있다. 상기 테라헤르츠파 발생기(130a) 및 상기 테라헤르츠파 검출기(130b)는 광전도 안테나일 수 있다. 상기 시간 지연은 DL(delay line, 118)을 이용하여 수행될 수 있다. 상기 DL(delay line,118)의 출력광은 제3 미러(122) 및 제4 미러(124)를 통하여 상기 테라헤르츠파 검출기(130b)에 제공될 수 있다.
상기 테라헤르츠파 발생기(130a)에서 생성된 테라헤르츠파는 제1 집속 렌즈(142)를 통하여 시료(146)에 집속될 수 있다. 상기 시료(146)를 통과한 상기 테라헤르츠파는 제2 집속 렌즈(144)를 통하여 상기 테라헤르츠파 검출기(130b)에 입사할 수 있다. 상기 테라헤르츠파 발생기(130a) 및/또는 상기 테라헤르츠파 검출기(130b)는 광전도 안테나일 수 있다.
상기 테라헤르츠파 검출기(130b)는 시간지연에 의존하는 전기 신호를 발생시킬 수 있다. 상기 전기 신호는 데이터 획득장치(148)에 의하여 획득될 수 있다. 상기 데이터 획득장치(148)는 고속 A/D 변환기 또는 고속 오실로스코프일 수 있다.
도 1b를 참조하면, 상기 시간지연에 따른 전기 신호는 FFT(Fast Fourier Transform)변환되어 테라헤르츠파의 스펙트럼을 제공할 수 있다.
TDS 기반 테라헤르츠파를 발생 및 검출하는 광학 장치는 펨토초급의 초단 펄스레이저를 반도체에 조사시켜 생성된 캐리어의 가속에 의한 전자기파의 발생으로 비교적 쉽게 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다. 상기 TDS 기반 테라헤르츠파를 발생 및 검출하는 광학 장치는 펨토초급의 게이팅 시간을 호모다인 검출법을 활용하여 높은 SNR을 확보할 수 있는 장점이 있으므로, 연구용으로 많은 활용이 되어왔다. 발진파장 800nm대역의 펨토초급의 초단펄스레이저를 둘로 나누어 하나는 테라헤르츠파 발생기(THz Tx)에 입사시켜 테라헤르츠파 발생에 사용하고, 다른 하나의 초단 펄스는 적절한 시간지연을 갖고 테라헤르츠파 검출기(THz Dx)에 입사된다. 데이터 획득장치는 지연 시간에 의존하는 데이터를 테라헤르츠파 검출기로부터 획득하고, 이를 FFT(Fast Fourier Transform)변환하여 테라헤르츠파의 스펙트럼을 확보할 수 있다. 테라헤르츠파의 실제 응용을 위해서는 지연 시간에 해당되는 정보를 수집하여야 하고, 상기 정보를 FFT 함으로써 데이터 처리에 시간 지연을 피할 수 없어 시스템의 크기, 고가격을 제외하고도 실시간 개념의 테라헤르츠 파원 개발에는 제한적이다.
상기 TDS기반의 테라헤르츠 파원 생성 및 검출 시스템의 단점을 극복하고 분자지문(molecular fingerprinting) 분석을 통한 유해물질 검출, 신소재 특성 측정, 농수산물의 신선도 측정 등 매우 다양한 영역에서 점차 수요가 증가할 것으로 예측되는 주파수 도메인(Frequency Domain:FD)기반 테라헤르츠 파원이 요구된다.
도 2는 두 개의 모드 락킹된 레이저(mode-locked laser)를 사용하는 일반적인 FD(Frequency Domain) 기반의 테라헤르츠파 발생장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 레이저 다이오드들(220, 250)의 한쪽이 무반사 코팅되어 있으며, 격자(grating, 210, 240)를 이용하여 파장을 가변시킬 수 있다. 상기 레이저 다이오드들(220, 250)은 다른 두 개의 파장(λ1, λ2)을 가지는 레이저를 발진시킨다. 도 2의 테라헤르츠파 발생 장치(200)는 고출력의 각기 다른 파장(λ1, λ2)을 갖는 두 개의 레이저를 초고속 응답속도를 갖는 포토믹서(photomixer, 270)에 조사시켜 테라헤르츠파를 생성시킨다.
상기 포토믹서(270)를 이용한 파장 가변 연속 발진 테라헤르츠파 발생을 위하여, 두 개의 독립적인 광원이 필수적이다. 상기 광원들은 고출력의 파장 가변 레이저들일 수 있다. 상기 파장 가변 레이저들 사이의 발진 주파수 차이는 테라헤르츠파의 주파수에 대응될 수 있다. 서로 다른 발진 파장의 특성은 테라헤르츠파의 노이즈 특성에 직접적인 영향을 미칠 수 있다.
상기 포토믹서(270)는 다음과 같은 변환 효율(conversion efficiency)을 가질 수 있다.
Figure pat00001
여기에서 P1, P2 은 각기 다른 파장들을 갖는 두 개의 레이저들의 광출력들, P0는 평균 광출력, Io는 DC 광전류(dc photocurrent), RA는 안테나의 방사저항, c는 포토믹서의 정전용량, τ는 포토믹서의 운반자 수명(carrier lifetime), m은 두 파장의 혼합비율이다.
고효율의 테라헤르츠파 발생을 위해서는 포토믹서(270)의 변환 효율에 영향을 미치는 변수들을 조절하여야 한다. 상기 포토믹서(270)의 변환 효율은 포토믹서의 높은 응답속도 또는 짧은 운반자 수명, 안테나의 방사 저항 및 두 파장의 혼합비율 등에 영향을 받을 수 있다.
포토믹스법를 활용한 테라헤르츠파 발생 및 검출 시스템에서, 1.5㎛, 1.3㎛ 대역의 여기 광원을 활용하고자 하는 방안들이 제안되고 있다. 그 이유는 초소형 모듈화기술, 초고속 신호처리기술 등 대부분의 핵심기술들이 개발되어 비교적 쉽게 활용이 가능하고, 또한 1.5㎛, 1.3㎛ 대역에서 광증폭기가 개발되어 있으며, 단파장에 비해 장파장에서 높은 변환 효율을 나타내기 때문이다.
테라헤르츠파의 주파수(f)와 두 개의 레이저들의 파장 차이(Δλ)는 f=cΔλ /λ2 관계를 가진다. 두 개의 레이저들의 파장특성이 테라헤르츠파의 발생에 직접적인 영향을 미칠 수 있다. 예시적으로, λ2에서 λ는 일반적으로 1550nm 대역에서 정해지므로 1550nm로 평균적으로 결정될 수 있다. 발진파장 λ1 및 λ2에 해당하는 주파수 f1=c/λ1, f2=c/λ2의 차이에 의해 테라헤르츠파의 주파수(f)가 결정될 수 있다. 즉, 여기 레이저의 파장 가변 특성이 매우 중요하게 된다. 1THz 주파수의 가변을 위해서는 1.5㎛ 파장 영역에서 약 8nm, 1.3㎛ 파장 영역에서 약 6nm의 두 모드간 파장간격(Δλ)의 가변이 가능한 파장 가변 레이저의 개발이 필요하다. 광대역 파장 가변 특성과 함께 매우 좁은 발진 파장 선폭을 제공할 수 있는 레이저 기술이 필수적이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 테라헤르츠파를 발생시키는데 사용되는 테라헤르츠파 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 테라헤르츠파 장치(300)는 파장 고정 레이저(wavelength-fixed laser, 310), 파장 훑음 레이저(wavelength-swept laser, 320), 고주파 드라이버(325), 커플러(coupler, 330), 발생기(340) 및 직류 전압기(345)를 포함한다. 상기 발생기(340)는 포토믹서(photomixer)일 수 있다.
상기 파장 고정 레이저(wavelength-fixed laser, 310)는 고정된 제 1 파장을 가지는 제 1 레이저 광을 발진한다. 상기 파장 고정 레이저(310)는 레이저 광원 및 공진기를 포함할 수 있다. 상기 공진기는 브래그 격자(bragg grating)을 가질 수 있으며, 브래그 격자는 특정 파장의 빛을 선택적으로 반사할 수 있다. 상기 브래그 격자는 제 1 파장(λ1)을 가지는 제 1 레이저 광을 공진시킬 수 있다. 상기 파장 고정 레이저(310)는 모드-잠김 레이저(mode-locked laser)일 수 있다. 이로 인하여, 상기 제 1 레이저 광은 락킹된 레이저 광일 수 있으며, 주 모드 이외의 종 모드는 감쇄되어 좁은 대역의 스펙트럼을 가질 수 있다. 즉, 상기 제 1 파장은 상기 주 모드의 파장으로 정해질 수 있다. 이러한 좁은 대역의 스펙트럼을 가지는 상기 제 1 레이저 광은 테라헤르츠파의 생성에 참여할 수 있다.
상기 파장 훑음 레이저(wavelength-swept laser, 320)는 가변하는 제 2 파장(λ2)을 가지는 제 2 레이저 광을 발진한다. 상기 파장 훑음 레이저(320)는 연속적으로 파장을 스윕(sweep) 또는 스캔(scan)할 수 있는 레이저이다. 상기 고주파 드라이버(high frequency driver, 325)는 일정한 파형(waveform)을 발생시키며, 펄스 형태의 전압(V)을 인가할 수 있다. 상기 파장 훑음 레이저(320)는 고주파 드라이버(또는 함수 발생기, 325)에 의하여 상기 제 2 파장(λ2)을 스윕할 수 있다.
상기 파장 훑음 레이저(320)는 필터링 방식에 의해 두 가지로 구분될 수 있다. 하나는 후 필터링(post-filtering)이고, 다른 하나는 공진기 가변 필터링(cavity tuning filtering)이다. 후 필터링은 광대역 광원 출력단에 파장 가변 필터를 삽입하여 필터링하는 방식이며, 이득 매질에 출력의 일부를 피드백(feed back)하지 않기 때문에 필터에 의한 광원의 손실(loss)이 커서 광출력 세기(output power)가 작다는 단점이 있다. 반면, 공진기 가변 필터링은 필터를 레이저 공진기 안에 삽입하여 필터링을 하며, 출력의 일부를 다시 피드백하는 방식이다. 공진기 가변 필터링을 이용하는 파장 훑음 레이저가 도 4를 참조하여 아래에서 자세히 설명될 것이다.
상기 커플러(coupler, 330)는 상기 제 1 레이저 광과 상기 제 2 레이저 광을 결합시킨다. 상기 커플러(330)는 상기 제 1 레이저 광과 상기 제 2 레이저 광을 혼합시켜 혼합광을 방출할 수 있다. 상기 발생기(340, 예를 들면, 포토믹서(photomixer))는 상기 커플러(330)에서 방출된 혼합광을 테라헤르츠파로 변환한다. 상기 발생기(340)가 포토믹서인 경우, 상기 발생기(340)는 광전도체(photoconductor) 및 안테나(antenna)를 포함할 수 있다. 상기 광전도체는 혼합광을 광전류로 변환하고, 광전류가 상기 안테나를 통하여 테라헤르츠파로 복사될 수 있다. 상기 발생기(340)는 직류 전압기(345)에 의하여 전압이 인가된 상태에서 혼합광을 수광할 수 있다.
상기 발생기(340)는 상기 제 1 파장과 상기 제 2 파장의 파장 차이값에 대응하는 주파수를 가지는 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다. 따라서, 고정된 제 1 파장과 가변되는 제 2 파장에 의하여 상기 파장 차이값이 변동되며, 이에 따라 테라헤르츠파의 주파수가 연속적으로 가변될 수 있다. 구체적으로, 상기 포토믹서(340)는 상기 제 1 파장과 상기 제 2 파장의 차이값에 대응하는 주파수를 가지는 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다. 상기 파장 차이값을 변화시키는 속도는 상기 파장 훑음 레이저(320)의 스캔(훑음) 속도에 의존할 수 있다. 결국, 테라헤르츠파의 주파수 가변 속도는 상기 파장 훑음 레이저(320)의 파장 훑음 속도에 의존할 수 있다. 상기 훑음 속도는 수kHz~수십kHz일 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 파장이 1530nm이고, 상기 제 2 파장이 1530nm~1562nm이면, 테라헤르츠파는 0~4THz까지 40KHz의 빠른 속도로 가변될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 파장 훑음 레이저(320)를 구체적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 상기 파장 훑음 레이저(320)는 이득 매질(321) 및 상기 이득 매질(321)로부터 방출된 광을 상기 제 2 파장으로 필터링하는 파장 가변 필터(322)를 포함할 수 있다. 상기 이득 매질(321)과 상기 파장 가변 필터(322)는 광섬유(327)에 결합될 수 있다. 상기 이득 매질(321)은 반도체 광 증폭기(semiconductor optical amplifier)를 포함할 수 있다. 상기 반도체 광 증폭기는 1300nm 대역에서 이득을 가질 수 있다. 또는 상기 이득 매질(321)은 희토류 원소 첨가 광섬유 증폭기일 수 있다. 예를 들면, 상기 이득 매질(321)은 어븀 첨가 광섬유 증폭기(erbium-doped fiber amplifier)일 수 있으며, 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유 증폭기일 수 있다.
상기 파장 가변 필터(322)는 광섬유 페브리-페롯 가변 필터(fiber Fabry-Perot tunable filter: FFP-TF)일 수 있다. 상기 파장 가변 필터(322)와 상기 이득 매질(321)이 광섬유에 일체형으로 결합되어, 공진기 길이가 짧은 파장 훑음 레이저(320)가 구현될 수 있다. 이와 다르게, 상기 파장 훑음 레이저(320)는 빠른 속도로 회전할 수 있는 폴리곤 미러와 회절격자로 구성된 폴리곤 파장 필터를 이용하여 구현될 수 있다. 또는, 상기 파장 훑음 레이저(320)는 광섬유에 배치된 지연선(delay line)으로 광이 공진기를 순회하는 시간을 조절하는 기술을 사용할 수 있다. 이 경우, 공진기를 순회하는 시간이 필터의 스윕 주기에 배수가 되면, 필터링된 파장 성분은 순회한 후 필터에서 동일한 파장성분으로 통과하여 공진할 수 있다.
상기 이득 매질(321)과 상기 파장 가변 필터(322) 사이에 각각 제 1 광 고립기(isolator, 323) 및 제 2 광 고립기(324)가 배치된다. 상기 제 1 광 고립기(323) 및 제 2 광 고립기(324)는 레이저를 한 방향으로만 진행시킨다. 즉, 상기 제 1 광 고립기(323) 및 제 2 광 고립기(324)는 한 쪽 방향으로만 레이저를 통과시키고, 반대 방향의 레이저 광을 막을 수 있다. 상기 파장 훑음 레이저(320)는 출력 광섬유 결합기(fiber coupler, 326)를 통하여 상기 제 2 레이저 광을 출력할 수 있다. 상기 광섬유 결합기(326)는 약 70%를 상기 이득 매질(321)로 피드백시키고, 약 30%는 출력(OUT)시킬 수 있다. 상기 출력된 제 2 레이저 광은 샘플링 오실로스코프와 광 스펙트럼 분석기(optical spectrum analyzer: OSA)를 이용하여 측정하고 분석될 수 있다.
상기 파장 훑음 레이저(320)는 위에서 설명한 공진기 가변 필터링 방식일 수 있다. 상기 공진기 가변 필터링 방식은 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 파장 가변 필터(322)를 레이저 공진기 내에 삽입하여 소정의 파장을 필터링할 수 있으며, 출력의 일부를 다시 상기 이득 매질(321)에 피드백하는 방식이다. 상기 광섬유 페브리-페롯 가변 필터는 압전 물질(예를 들면, PZT)을 포함할 수 있다. 상기 압전 물질에 인가되는 전압(V)을 변화시키면 필터 공극의 간격이 조절되어 필터링 파장이 가변될 수 있다. 이로 인하여, 상기 이득 매질(321)에서 얻어진 파장 대역에서 상기 파장 가변 필터(322)로부터 정해진 윈도우(window)가 이동하면서 필터링할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 파장 훑음 레이저의 필터링 동작을 설명하기 위한 그래프이다.
도 5를 참조하면, 상기 파장 훑음 레이저(320)가 전압의 변화에 따라 공진기 내에서 상기 제 2 레이저를 발진할 수 있다. 상기 파장 가변 필터(322)는 사인함수인 일정한 주파수로 변조하면 한 주기 동안 필터링 밴드 패스(bandpass) 파장으로 훑어줄 수 있다. 구체적으로, 전압이 증가하는 방향에 대하여 단파장에서 장파장으로 일정한 파장 범위 내에서 훑어주는(forward scan) 반면, 전압이 감소하는 방향에 대하여 장파장에서 단파장으로 일정한 파장 범위 내에서 훑어줄 수 있다(backward scan). 파장 훑음을 두 방향에 대하여 모두 사용하는 경우 유효 훑음 주파수는 변조 주파수의 두 배가 될 수 있다.
상기 파장 가변 필터(322)는 고주파 드라이버(325)에 의하여 인가되는 전압(V)에 따라 일정한 파장 범위에서 고속으로 훑어줄 수 있다. 상기 파장 훑음 속도는 예를 들면, 수 kHz일 수 있다. 상기 파장 가변 필터(322)의 파장 훑음 범위 또는 필터 윈도우(filter window)의 이동에 의하여, 상기 이득 매질(321)에서 얻어진 파장 대역에서 상기 제 2 파장(λ2)이 정해질 수 있다. 상기 파장 가변 필터(322)는 상기 제 2 파장을 필터링하면서, 상기 이득 매질(321)에서 얻어진 파장 대역에서 상기 제 2 파장을 증폭시킬 수 있다.
일반적으로 파장 훑음 레이저(320)의 최대 파장 훑음 주파수는 증폭 자발 방출(amplified spontaneous emission)에 의하여 레이저가 형성되는 시상수(time constant)로 제한되며, 이 시상수는 필터 특성, 증폭 자발 방출의 세기, 포화 출력, 레이저 이득 및 레이저 일주시간에 의존한다. 상기 공진기 가변 필터링 방식을 이용하는 파장 훑음 레이저(320)는 파장 훑음 주파수의 훑음 특성과 관련되는 광포화 한계(saturation limit)와 일주 한계(one round-trip limit)를 가진다. 훑음 주파수가 낮을 경우 어느 한 파장에서 필터링 된 빛은 한 주기가 돌아오기 전에 레이저 공진기 안을 한 번 또는 여러 번 이상 일주하게 한다. 이 경우 발진하는 시간은 레이저의 시상수보다 길어서 레이저는 증폭 자발 방출로부터 충분한 광 세기를 가지게 되며, 이 경우를 광 포화 한계라고 말할 수 있다. 한편, 파장 훑음 주파수가 점점 증가하면 어느 한 파장에서 필터링된 빛은 레이저 공진기 안에서 머무는 시간이 점점 짧아지며, 어느 순간 레이저의 일주시간(one round-trip time)과 같아지는 주파수가 존재한다. 이때 레이저 출력은 급격한 감소가 일어나며 이 경우를 일주 한계 훑음 주파수(one round-trip limit sweep frequency)라고 한다. 이러한 두 경우에 훑음 속도의 제한은 레이저의 이득 매질과 공진기의 특성에 따라 달라질 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 테라헤르츠파를 검출하기 위한 테라헤르츠파 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 6에서 설명되는 장치는 도 3에서 설명된 테라헤르츠파 장치와 유사하며, 중복되는 기술적 특징에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 테라헤르츠파 장치(400)는 파장 고정 레이저(wavelength-fixed laser, 410), 파장 훑음 레이저(wavelength-swept laser, 420), 고주파 드라이버(425), 커플러(coupler, 430), 발생기(440), 직류 전압기(445), 검출기(460) 및 데이터 획득 장치(470)를 포함한다. 상기 발생기(440)는 포토믹서(photomixer)일 수 있다.
상기 파장 고정 레이저(410)는 고정된 제 1 파장(λ1)을 가지는 제 1 레이저 광을 발진한다. 상기 파장 고정 레이저(410)는 모드 잠김 레이저(mode-locked laser)일 수 있으며, 좁은 스펙트럼을 가질 수 있다. 상기 파장 훑음 레이저(420)는 가변하는 제 2 파장(λ2)을 가지는 제 2 레이저 광을 발진한다. 상기 파장 훑음 레이저(420)는 연속적으로 파장을 스윕(sweep) 또는 스캔(scan)하는 레이저이다. 상기 파장 훑음 레이저(420)는 고주파 드라이버(425)에서 펄스 형태로 전압(V)을 인가받아 상기 제 2 파장을 필터링할 수 있다.
상기 커플러(430)는 상기 제 1 레이저 광과 상기 제 2 레이저 광을 결합시킨다. 다시 말하면, 상기 커플러(430)는 상기 제 1 레이저 광과 상기 제 2 레이저 광을 혼합시켜 혼합광을 방출할 수 있다. 상기 커플러(430)에서 방출된 혼합광을 테라헤르츠파로 변환하는 발생기(440)가 제공된다. 상기 발생기(440)는 포토믹서(photomixer)일 수 있다. 상기 발생기(440)가 포토믹서인 경우, 상기 발생기(440)는 광전도체(photoconductor) 및 안테나(antenna)를 포함할 수 있다. 상기 발생기(440)는 직류 전압기(445)에 의하여 전압이 인가된 상태에서 혼합광을 수광할 수 있다. 상기 발생기(440)는 상기 제 1 파장과 상기 제 2 파장의 파장 차이값에 대응하는 주파수를 가지는 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다. 따라서, 고정된 제 1 파장과 가변되는 제 2 파장에 의하여 상기 파장 차이값이 연속적으로 변동되며, 이에 따라 테라헤르츠파의 주파수가 연속적으로 가변될 수 있다.
상기 발생기(440)에서 발생된 테라헤르츠파는 샘플(450)에 조사되며, 상기 샘플(450)을 통과한 테라헤르츠파는 상기 검출기(460)에 의하여 검출될 수 있다.
상기 데이터 획득장치(470)는 상기 고주파 드라이버(425)에서 제공되는 고주파 동기신호를 이용하여 트리거(trigger)하면서 검출기(460)로부터 검출신호를 연속적으로 그리고 고속으로 획득할 수 있다. 고속으로 주파수가 가변되는 테라헤르츠파를 검출할 수 있으므로, 고속 테라헤르츠파 분광이 가능할 수 있다. 상기 데이터 획득 장치(470)는 디지타이저(digitizer)일 수 있다. 상기 데이터 획득 장치(470)는 평균화를 통하여 신호대잡음비(SNR)를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 파장 고정 레이저와 파장 훑음 레이저를 이용하여 고속으로 주파수 가변할 수 있는 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다. 테라헤르츠파의 주파수 가변 속도는 상기 파장 훑음 레이저의 파장 훑음 속도에 의존할 수 있다. 한편, 고속으로 주파수 가변되는 테라헤르츠파를 검출함으로써, 고속 테라헤르츠파 분광이 가능할 수 있다.
310: 파장 고정 레이저 320: 파장 훑음 레이저
330: 커플러 340: 포토믹서
321: 이득 매질 322; 파장 가변 필터
327: 광섬유 323: 제 1 광 고립기
324: 제 2 광 고립기 326: 광섬유 결합기

Claims (14)

  1. 고정된 제 1 파장을 가지는 제 1 레이저 광을 발진하는 파장 고정 레이저;
    가변하는 제 2 파장을 가지는 제 2 레이저 광을 발진하는 파장 훑음 레이저;
    상기 제 1 레이저 광과 상기 제 2 레이저 광을 결합시키는 커플러; 및
    상기 커플러에서 방출된 혼합광을 테라헤르츠파로 변환하는 발생기를 포함하되,
    상기 테라헤르츠파의 주파수가 연속적으로 가변되도록 구성된 테라헤르츠파 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 발생기는 상기 제 1 파장과 상기 제 2 파장의 차이값에 대응하는 주파수를 가지는 테라헤르츠파를 발생시키는 테라헤르츠파 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 파장 훑음 레이저는:
    이득 매질; 및
    상기 이득 매질로부터 방출된 광을 상기 제 2 파장으로 필터링하는 파장 가변 필터를 포함하는 테라헤르츠파 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 이득 매질 및 상기 파장 가변 필터는 광섬유에 결합되는 테라헤르츠파 장치.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 이득 매질은 반도체 광 증폭기(semiconductor optical amplifier)를 포함하는 테라헤르츠파 장치.
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 이득 매질은 희토류 원소 첨가 광섬유를 포함하는 테라헤르츠파 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 희토류 원소는 어븀(Er) 또는 이테르븀(Yb) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 테라헤르츠파 장치.
  8. 청구항 3에 있어서,
    상기 파장 가변 필터는 광섬유 페브리-페롯 가변 필터를 포함하는 테라헤르츠파 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 파장 훑음 레이저는 상기 페브리-페롯 가변 필터에 펄스 형태로 전압을 인가하는 고주파 드라이버를 더 포함하는 테라헤르츠파 장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 페브리-페롯 가변 필터는 상기 인가되는 전압에 따라 연속적으로 상기 제 2 파장을 가변하여 필터링하는 테라헤르츠파 장치.
  11. 청구항 3에 있어서,
    상기 파장 훑음 레이저는 상기 제 2 레이저 광을 한 방향으로 진행시키는 광 고립기(optical isolator)를 더 포함하는 테라헤르츠파 장치.
  12. 청구항 3에 있어서,
    상기 파장 훑음 레이저는 일부를 출력하며, 다른 일부를 상기 이득 매질로 피드백하는 출력 광섬유 결합기를 더 포함하는 테라헤르츠파 장치.
  13. 청구항 9에 있어서,
    상기 발생기로부터 방출되어 샘플을 투과한 테라헤르츠파를 검출하는 검출기를 더 포함하는 테라헤르츠파 장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 고주파 드라이버에서 제공되는 동기신호를 이용하여 트리거하면서 상기 검출기로부터 검출신호를 연속적으로 획득하는 데이터 획득 장치를 더 포함하는 테라헤르츠파 장치.
KR1020100055614A 2010-02-11 2010-06-11 테라헤르츠파 장치 KR101453472B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010042469A DE102010042469A1 (de) 2010-02-11 2010-10-14 Terahertzwellen-Vorrichtung
US12/908,628 US8476592B2 (en) 2010-02-11 2010-10-20 Terahertz wave apparatus
JP2010235414A JP5096543B2 (ja) 2010-02-11 2010-10-20 テラヘルツ波装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20100012893 2010-02-11
KR1020100012893 2010-02-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110093547A true KR20110093547A (ko) 2011-08-18
KR101453472B1 KR101453472B1 (ko) 2014-10-21

Family

ID=44930216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100055614A KR101453472B1 (ko) 2010-02-11 2010-06-11 테라헤르츠파 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101453472B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140077741A (ko) * 2012-12-14 2014-06-24 한국전자통신연구원 테라헤르츠파 발생 모듈 및 그것을 포함하는 테라헤르츠파 검출 장치
KR20170003086A (ko) * 2015-06-30 2017-01-09 한국표준과학연구원 테라헤르츠파를 이용한 실시간 비접촉 비파괴 두께 측정장치
CN106353279A (zh) * 2016-09-26 2017-01-25 华讯方舟科技有限公司 水分含量检测、控制和监控系统
KR101712890B1 (ko) * 2015-10-13 2017-03-08 한국표준과학연구원 연속파 THz 빔 스캔을 이용한 고속 3차원 영상 탐지 장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006091802A (ja) * 2004-09-21 2006-04-06 Semiconductor Res Found テラヘルツ電磁波発生装置及び方法
KR100926039B1 (ko) 2007-11-13 2009-11-11 한국표준과학연구원 초정밀 및 고분해능의 테라헤르츠 분광기 및 그 측정방법
JP2010010172A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Fujifilm Corp 波長掃引光源

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140077741A (ko) * 2012-12-14 2014-06-24 한국전자통신연구원 테라헤르츠파 발생 모듈 및 그것을 포함하는 테라헤르츠파 검출 장치
KR20170003086A (ko) * 2015-06-30 2017-01-09 한국표준과학연구원 테라헤르츠파를 이용한 실시간 비접촉 비파괴 두께 측정장치
US9541377B1 (en) 2015-06-30 2017-01-10 Korea Research Institute Of Standards And Science Apparatus for real-time non-contact non-destructive thickness measurement using terahertz wave
KR101712890B1 (ko) * 2015-10-13 2017-03-08 한국표준과학연구원 연속파 THz 빔 스캔을 이용한 고속 3차원 영상 탐지 장치
CN106353279A (zh) * 2016-09-26 2017-01-25 华讯方舟科技有限公司 水分含量检测、控制和监控系统

Also Published As

Publication number Publication date
KR101453472B1 (ko) 2014-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5096543B2 (ja) テラヘルツ波装置
US8649414B2 (en) Frequency tunable terahertz transceivers and method of manufacturing dual wavelength laser
JP6877713B2 (ja) 周波数シフトテラヘルツ波発生装置及び発生方法、周波数シフトテラヘルツ波計測装置及び計測方法、断層状態検出装置及び検出方法、サンプル特性計測装置、計測方法
EP1269156B1 (en) An imaging apparatus and method
US11112310B2 (en) Dual-comb spectroscopy
CA2587460C (en) Coherent photothermal interferometric spectroscopy system and method for chemical sensing
US7804069B2 (en) Imaging apparatus and method
JP6386655B2 (ja) テラヘルツ波発生装置及びそれを用いた分光装置
US8693508B2 (en) Light source apparatus and image pickup apparatus equipped with same
JP6071203B2 (ja) 光源装置及びこれを用いた光干渉断層撮像装置、及び光発振方法
JP5489730B2 (ja) 波長可変光源装置
KR101453472B1 (ko) 테라헤르츠파 장치
JP2012129514A (ja) 光源装置
KR101845814B1 (ko) 능동잠금 레이저를 이용한 연속 테라헤르츠파 발생장치
JP5000277B2 (ja) テラヘルツ電磁波発生装置およびテラヘルツ電磁波検出装置
JP2009033078A (ja) 波長走査型光源
EP2069759B1 (en) Inexpensive terahertz pulse wave generator
JP5168684B2 (ja) 時間分解分光システム，時間分解分光方法及びテラヘルツ波発生システム
Murasawa et al. Generation and homodyne detection of continuous terahertz waves using single photoconductive antenna
KR101127153B1 (ko) 이중 모드 광섬유 레이저 모듈
Wilk Continuous wave terahertz spectrometer based on two DFB laser diodes.
Lauterbach et al. Fast and simple high resolution optical spectrum analyzer
JP2014202660A (ja) 時間領域分光装置、時間領域分光法およびイメージング装置
Martin et al. 1550-nm time-domain study of ErAs: GaAs photoconductive switches as a function of the erbium concentration
Chen et al. Terahertz Fourier transform spectrometer based on a low-reflectivity Fabry-Perot interferometer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170913

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180927

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190926

Year of fee payment: 6