JP6386655B2 - テラヘルツ波発生装置及びそれを用いた分光装置 - Google Patents
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Description
図1は、遠赤外分光装置の参考例の概略構成図である。遠赤外分光装置は、主要な構成要素として、2種類のレーザ光源(ポンプ光レーザ110と波長可変遠赤外光源120)と、光源用の非線形結晶(第1の非線形結晶)130と、照明光学系140と、サンプル(試料)150と、検出用の非線形結晶(第2の非線形結晶)180と、光検出器200と、レーザの発光時間制御と検出信号の分光制御を行う制御部210とを備える。
図4は、第1実施例に関わる遠赤外分光装置の概略構成図である。図4において、図1と同じ構成要素については同じ符号を付して、説明を省略する。
図6は、第2実施例に関わる遠赤外分光装置の概略構成図である。本例は、遠赤外光を直接検出できる遠赤外分光装置である。
図7は、第3実施例に関わる遠赤外分光装置の概略構成図である。第1実施例では、非線形結晶130に入射する前のポンプ光を分岐させているが、本実施例では、非線形結晶130の通過後のポンプ光を利用する。
120 :波長可変遠赤外光源(シード光光源)
121 :ミラー
122 :ミラー
130 :非線形結晶
140 :照明光学系
150 :試料
160 :ミラー
170 :検出光学系
180 :非線形結晶
190 :検出光学系
200 :光検出器
210 :制御部
220 :分光情報
240 :遅延素子
241、242 :ミラー
250 :遠赤外領域検出器
260 :ロックイン制御部
270 :ポンプ光照射光学系
320 :光路長補正ステージ
321、322 :ミラー
323 :移動機構
330、331、332、333、334 :2分の1波長板(λ/2板)
340 :偏光板
341、342、343、344 :ミラー
350、351、352 :偏光ビームスプリッタ(PBS)
360 :受光素子
370 :ビームサンプラー
381、382、383 :ミラー
Claims (18)
- 単一波長のポンプ光を発生する波長固定のポンプ光レーザと、
シード光を発生し、当該シード光の波長を可変とすることが可能な波長可変レーザと、
前記ポンプ光のパルスを遅延させる遅延素子と、
前記シード光と、前記遅延素子によって遅延されていない第1のポンプ光と、前記遅延素子によって遅延された第2のポンプ光とが入射されることによってテラヘルツ波が発生する第1の非線形結晶と、
前記第2のポンプ光が前記遅延素子によって遅延された時間に応じて、前記波長可変レーザから出力される前記シード光の波長を制御する制御部と、
を備えることを特徴とするテラヘルツ波発生装置。 - 請求項1に記載のテラヘルツ波発生装置において、
前記波長可変レーザから出力される前記シード光の周波数は、時間に対して非線形に変化することを特徴とするテラヘルツ波発生装置。 - 請求項1に記載のテラヘルツ波発生装置において、
前記第1のポンプ光と前記第2のポンプ光の合成波のパルスの間隔は非等間隔であることを特徴とするテラヘルツ波発生装置。 - 請求項1に記載のテラヘルツ波発生装置において、
前記第1のポンプ光の周期が当該第1のポンプ光のパルス幅の2倍以上であることを特徴とするテラヘルツ波発生装置。 - 請求項4に記載のテラヘルツ波発生装置において、
前記第2のポンプ光が前記遅延素子によって遅延される時間は、前記第1のポンプ光の周期の半分より短いことを特徴とするテラヘルツ波発生装置。 - 請求項1に記載のテラヘルツ波発生装置において、
前記遅延素子が、固有の屈折率を有する遅延物質であることを特徴とするテラヘルツ波発生装置。 - 請求項1に記載のテラヘルツ波発生装置において、
前記遅延素子が、加圧電圧により屈折率が変化する素子であり、
前記加圧電圧をモニタすることにより、前記波長可変レーザから出力される前記シード光の波長を制御する制御部をさらに備えることを特徴とするテラヘルツ波発生装置。 - 請求項1に記載のテラヘルツ波発生装置において、
試料に照射された前記テラヘルツ波を検出する検出器と、
前記第1のポンプ光及び前記第2のポンプ光の合成波のパルス発生のタイミングに基づいて、前記検出器からの信号の読み出しタイミングを制御するロックインアンプと、
をさらに備えることを特徴とするテラヘルツ波発生装置。 - 請求項1に記載のテラヘルツ波発生装置において、
試料に照射された前記テラヘルツ波と、前記第1のポンプ光又は前記第2のポンプ光とが入射されることによって近赤外光を発生する第2の非線形結晶をさらに備え、
前記第2の非線形結晶には、前記第1の非線形結晶を通過した後の前記第1のポンプ光又は前記第2のポンプ光が入射されることを特徴とするテラヘルツ波発生装置。 - 請求項1に記載のテラヘルツ波発生装置において、
第1の波長のシード光と前記第1のポンプ光によって生じる第1のテラヘルツ波と、第2の波長のシード光と前記第2のポンプ光によって生じる第2のテラヘルツ波は波長が異なることを特徴とするテラヘルツ波発生装置。 - 請求項10に記載のテラヘルツ波発生装置において、
前記第1のテラヘルツ波及び前記第2のテラヘルツ波を試料に照射することで生じる透過光または反射光を検出する検出器と、
前記テラヘルツ波の周波数に対して前記検出器からの信号の強度に相当する情報が表される周波数スペクトルを表示する表示部と、を有することを特徴とするテラヘルツ波発生装置。 - 単一波長のポンプ光を発生する波長固定のポンプ光レーザと、
シード光を発生し、当該シード光の波長を可変とすることが可能な波長可変レーザと、
前記ポンプ光のパルスを遅延させる遅延素子と、
前記シード光と、前記遅延素子によって遅延されていない第1のポンプ光と、前記遅延素子によって遅延された第2のポンプ光とが入射されることによってテラヘルツ波が発生する第1の非線形結晶と、
前記第2のポンプ光が前記遅延素子によって遅延された時間に応じて、前記波長可変レーザから出力される前記シード光の波長を制御する制御部と、
試料に照射された前記テラヘルツ波を検出する検出器と、
を備えることを特徴とする分光装置。 - 請求項12に記載の分光装置において、
前記波長可変レーザから出力される前記シード光の周波数は、時間に対して非線形に変化することを特徴とする分光装置。 - 請求項12に記載の分光装置において、
前記第1のポンプ光と前記第2のポンプ光の合成波のパルスの間隔は非等間隔であることを特徴とする分光装置。 - 請求項12に記載の分光装置において、
前記第1のポンプ光の周期が当該第1のポンプ光のパルス幅の2倍以上であることを特徴とする分光装置。 - 請求項15に記載の分光装置において、
前記第2のポンプ光が前記遅延素子によって遅延される時間は、前記第1のポンプ光の周期の半分より短いことを特徴とする分光装置。 - 請求項12の分光装置において、
前記第1のポンプ光及び前記第2のポンプ光の合成波のパルス発生のタイミングに基づいて、前記検出器からの信号の読み出しタイミングを制御するロックインアンプをさらに備えることを特徴とする分光装置。 - 請求項12の分光装置において、
前記試料に照射された前記テラヘルツ波と、前記第1のポンプ光又は前記第2のポンプ光とが入射されることによって近赤外光を発生する第2の非線形結晶をさらに備え、
前記第2の非線形結晶には、前記第1の非線形結晶を通過した後の前記第1のポンプ光又は前記第2のポンプ光が入射され、
前記検出器が、前記近赤外光を検出することを特徴とする分光装置。
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