KR20110086255A - 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트 및 이를 이용한 유기발광소자의 제조 방법 - Google Patents

유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트 및 이를 이용한 유기발광소자의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본원은 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트 및 이를 이용한 유기발광소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트를 사용하여 금속 전극을 전사시켜 유기발광소자를 제조함으로써 보다 저비용으로 보다 단시간에 금속 전극을 형성할 수 있으며 이를 통해 유기발광소자를 완성할 수 있다.

Description

유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트 및 이를 이용한 유기발광소자의 제조 방법 {TRANSFER SHEET FOR TRANSFER OF METAL ELECTRODE OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE USING THE SAME}
본원은 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트 및 이를 이용한 유기발광소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트를 사용하여 금속 전극을 전사시켜 유기발광소자를 제조함으로써 보다 저비용으로 단시간에 유기발광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 유기발광소자의 캐소드 금속으로는 칼슘, 마그네슘, 알루미늄 등 일함수(work function)가 낮은 금속을 사용한다. 일함수가 낮아야 캐소드 전극으로부터 전자의 주입이 쉽기 때문에 유기발광소자의 구동 전압도 낮출 수 가 있다. 그러나 이러한 일함수가 낮은 금속들은 전자를 쉽게 방출하는 대신 대기 중에서 쉽게 산화되기 때문에 다루기가 쉽지 않다. 산화를 가능한 방지하기 위해서 높은 진공에서 진공증착이 이루어져야 한다. 알루미늄은 일함수가 그 중에서 크기 때문에 리튬플로라이드(LiF)나 리튬퀴놀린(Liq) 등의 전자주입층을 유기물과 알루미늄 사이에 주로 증착하여 사용한다.
또한 유기물과 금속 전극을 통해 전자가 주입되어 유기물에서 발광이 일어나기 때문에 계면이 매우 균일해야만 한다. 계면이 균일하지 않으면 발광 자체도 균일하게 일어나지 않는다. 일반적으로 진공증착이나 액상코팅으로 형성한 유기물 박막의 표면은 매우 균일하며 균일한 계면을 유지하기 위하여 금속 전극 또한 진공증착을 통해서 형성한다.
이러한 이유 때문에 대부분 캐소드 금속 전극은 유기물 표면 위에 직접 진공증착을 통해 형성한다. 그러나 낮은 비용으로 유기발광소자를 구현하기 위해서는 모든 공정이 진공이 아닌 상황에서 이루어지는 것이 유리하다.
따라서, 유기발광소자를 제조함에 있어서 보다 저비용으로 균일한 계면을 유지하면서 용이하게 금속 전극을 형성할 수 있는 방법이 요구되고 있다.
상기한 문제점을 해결하기 위하여, 본원은, 저비용으로 단시간 내에 금속 전극을 형성할 수 있는 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트 및 이를 이용한 유기발광소자의 제조 방법을 제공하고자 한다.
그러나, 본원이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본원의 일 측면은, 기재층; 상기 기재층 상에 적층된 고분자 전사보조층; 및 상기 전사보조층 상에 적층된 금속 전사층을 포함하는, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트를 제공한다.
본원의 다른 측면은 기재층을 준비하고, 상기 기재층 상에 고분자 전사보조층을 적층하고, 상기 전사보조층 상에 금속 전사층을 적층하는 것을 포함하는, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트의 제조 방법을 제공한다.
본원의 또 다른 측면은 기판 상에 적층된 하부 전극 및 상기 하부 전극 상에 적층된 유기 발광층을 포함하는 기판을 준비하고, 상기 기판의 유기 발광층 상에 상기 전사 시트의 금속 전사층이 접촉하도록 상기 기판 및 상기 전사 시트를 정렬(alignment)하고, 가열 및 가압에 의하여 상기 금속 전사층을 상기 기판 상에 전사함으로써 금속 상부 전극을 형성하는 것을 포함하는, 유기발광소자의 제조 방법을 제공한다.
본원의 또 다른 측면은 제 1 기판 상에 적층된 하부 전극 및 상기 하부 전극 상에 적층된 유기 발광층을 포함하는 제 1 기판을 준비하고, 제 1 항에 따른 전사 시트의 금속 전사층을 폴리디메틸실록세인(PDMS)이 적층된 제 2 기판 상에 적층시켜 상기 폴리디메틸실록세인층 상에 상기 금속 전사층을 1 차 전사시키고, 상기 제 1 기판의 유기 발광층 상에 상기 금속 전사층이 접촉하도록 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 정렬하고, 가열 및 가압에 의하여 상기 금속 전사층을 상기 제 1 기판 상에 2 차 전사하여 금속 상부 전극을 형성하는 것을 포함하는, 유기발광소자의 제조 방법을 제공한다.
종래에 캐소드 금속 전극을 유기물 표면 상에 직접 항상 진공증착법을 통해 형성하였는데 저비용으로 유기발광소자를 구현하기 위해서는 모든 공정이 진공이 아닌 상태에서 이루어지는 것이 유리하다. 본원에 따르면, 금속 전극을 별도로 제작하고, 유기발광소자의 제조 과정에서 이를 직접 전사(transfer)하여 소자를 완성함으로써 제작 비용 및 제작 시간을 획기적으로 낮출 수 있는 유기발광소자의 제조 방법을 제시할 수 있다.
도 1은 본원의 구현예에 따른 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트를 보여 주는 도면이고,
도 2는 본원의 제 1 실시예에 따른 유기발광소자의 제조 방법을 보여 주는 도면이고,
도 3은 본원의 제 2 실시예에 따른 유기발광소자의 제조 방법을 보여 주는 도면이며,
도 4는 본원의 실시예에 따라 제조된 금속 전극 전사용 전사 시트를 보여 주는 사진이다.
도 5는 본원의 실시예에 따라 전사 시트의 금속 전사층이 전사되어 완성된 유기발광소자를 보여 주는 사진이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다.
그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예 및 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본원의 일 측면은, 기재층; 상기 기재층 상에 적층된 고분자 전사보조층; 및 상기 전사보조층 상에 적층된 금속 전사층을 포함하는, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트를 제공할 수 있다.
예시적인 구현예들에서, 상기 고분자 전사보조층은 테플론계 고분자를 사용하여 형성된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
예시적인 구현예들에서, 상기 금속 전사층은 칼슘, 알루미늄, 바륨, 마그네슘, 은, 마그네슘-은, 칼슘, 칼슘-은, 은 합금, 알루미늄 합금, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 사용하여 형성된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
예시적인 구현예들에서, 상기 기재층은 고분자 기판 또는 유리 기판일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
예시적인 구현예들에서, 상기 고분자 전사보조층의 표면 조도(roughness)는 RMS(root mean square) 단위로서 1 nm 이하일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
예시적인 구현예들에서, 상기 금속 전사층의 표면 조도가 2 nm 이하일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 다른 측면은 기재층을 준비하고, 상기 기재층 상에 고분자 전사보조층을 적층하고, 상기 전사보조층 상에 금속 전사층을 적층하는 것을 포함하는, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트의 제조 방법을 제공할 수 있다.
예시적인 구현예들에서, 상기 기재층 상에 상기 고분자 전사보조층을 형성하기 이전에, 상기 기재층 상에 플라즈마 처리 공정을 수행하는 것을 포함할 수 있다.
예시적인 구현예들에서, 상기 금속 전사층은 진공증착법 또는 액상코팅법을 사용하여 형성하는 것일 수 있다.
본원의 또 다른 측면은 기판 상에 적층된 하부 전극 및 상기 하부 전극 상에 적층된 유기 발광층을 포함하는 기판을 준비하고, 상기 기판의 유기 발광층 상에 상기 전사 시트의 금속 전사층이 접촉하도록 상기 기판 및 상기 전사 시트를 정렬(alignment)하고, 가열 및 가압에 의하여 상기 금속 전사층을 상기 기판 상에 전사함으로써 금속 상부 전극을 형성하는 것을 포함하는, 유기발광소자의 제조 방법을 제공할 수 있다.
본원의 또 다른 측면은 제 1 기판 상에 적층된 하부 전극 및 상기 하부 전극 상에 적층된 유기 발광층을 포함하는 제 1 기판을 준비하고, 상기 전사 시트의 금속 전사층을 폴리디메틸실록세인(PDMS)이 적층된 제 2 기판 상에 적층시켜 상기 폴리디메틸실록세인층 상에 상기 금속 전사층을 1 차 전사시키고, 상기 제 1 기판의 유기 발광층 상에 상기 금속 전사층이 접촉하도록 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 정렬하고, 가열 및 가압에 의하여 상기 금속 전사층을 상기 제 1 기판 상에 2 차 전사하여 금속 상부 전극을 형성하는 것을 포함하는, 유기발광소자의 제조 방법을 제공할 수 있다.
예시적인 구현예들에서, 상기 유기 발광층은 Bu4NBF4, LiBr, LiClO4 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 염으로 도핑된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
예시적인 구현예들에서, 상기 가열 온도는 50℃ 이상일 수 있으며, 예를 들어, 80℃ 내지 150℃일 수 있으며, 상기 가압되는 압력은 1 기압 이상일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이하, 본원의 구현예 및 실시예에 대하여 도면을 이용하여 자세히 설명한다. 그러나, 본원이 이에 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본원의 구현예에 따른 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트(10)를 보여 주는 도면이다. 상기 전사 시트(10)는 기재층(11), 고분자 전사보조층(12) 및 금속 전사층(13)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 기재층(11)은 고분자 기판, 유리 기판 및 플라스틱 기판 중 하나일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 기재층(11) 상에 고분자 전사보조층(12)을 형성할 수 있으며, 상기 고분자 전사보조층(12)은 표면 에너지가 낮은 테플론계 고분자로 형성된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 고분자 전사보조층(12)의 표면 조도(roughness)는 RMS 단위로서 바람직하게 1 나노미터 이하일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 금속 전사층(13)의 표면 조도는 2 nm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 기재층(11) 및 상기 고분자 전사보조층(12) 사이에 접착력을 확보하기 위하여 상기 고분자 전사보조층(12)을 상기 기재층(11) 상에 형성하기 이전에 상기 기재층(11) 표면을 플라즈마 처리 등의 공정을 수행할 수 있다.
이후, 상기 고분자 전사보조층(12) 상에 금속 전사층(13)을 형성할 수 있다. 상기 금속 전사층(13)은 이후 형성될 유기전계발광소자의 금속 전극, 상세하게는 캐소드로서 작용할 수 있다. 상기 금속 전사층(13)은 칼슘, 알루미늄, 바륨, 마그네슘, 은, 마그네슘-은, 칼슘, 칼슘-은, 은 합금, 알루미늄 합금, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 사용하여 형성된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 고분자 전사보조층(12) 상에 금속 전사층(13)을 형성하기 위해서는 진공증착법을 통하여 상기 금속 전사층(13)을 형성할 수 있으며, 모든 공정을 액상에서 진행하여야 하는 경우에는 은을 기초로 하는 액상 잉크를 사용하여 상기 고분자 전사보조층(12) 상에 액상 코팅을 함으로써 표면 거칠기가 낮은 은 전극을 형성할 수 있다.
도 2는 본원의 제 1 실시예에 따른 유기발광소자의 제조 방법을 보여 주는 도면이다.
기판(21) 상에 적층된 하부 전극(22) 및 상기 하부 전극(22) 상에 적층된 유기 발광층(23)을 포함하는 기판(21)을 준비할 수 있다. 여기서, 상기 기판(21)은 유리나 합성 수지, 스테인레스 스틸 등의 재질로 형성할 수 있으며, 상기 하부 전극(22)은 ITO 또는 IZO 등의 물질로 형성할 수 있다. 상기 유기 발광층(23)은 다양한 형광물질 또는 인광물질을 사용하여 형성될 수 있으며, 유기발광소자의 유기 발광층(23)으로 사용될 수 있는 알려진 다양한 발광 물질을 사용할 수 있다. 또한, 이와 같은 유기 발광층(23)의 구조는 당업계에 알려진 다양한 적층 구조로 형성될 수 있으며, 도 2 및 하기 도 3에서는 유기 발광층이 단일 층으로 표시되어 있기는 하나, 상기 유기 발광층(23)은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등에서 선택되는 1 개 이상의 층들이 포함되어 유기 발광층을 형성하는 것이 가능하며, 이 밖에도 버퍼층, 블록킹층 등이 더 포함되는 것도 가능하다. 예를 들어, 상기 유기 발광층(23)은 PVK, PBD, TPD, Ir(ppy)3, 및 고분자에 염을 도핑하여 형성될 수 있으며, 상기 염은 Bu4NBF4, LiBr, LiClO4 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
여기서, 일함수가 큰 금속을 사용하는 경우, 예를 들면, 은을 캐소드 전극을 사용하는 경우에는 전자 주입이 용이하지 않으므로 유기 발광층에 상기 제시된 염을 적절한 농도로 첨가하고 이를 활성화시키면 은 전극의 일함수에 큰 영향을 받지 않기 때문에 은 전극을 사용하여서도 유기발광소자를 제작하는 것이 가능하다.
이후, 상기 기판의 유기 발광층(23) 상에 상기 전사 시트(10)의 금속 전사층(13)이 접촉하도록 상기 기판(21) 및 상기 전사 시트(10)를 정렬(alignment)하고, 가열 및 가압에 의하여 상기 금속 전사층을 상기 기판 상에 전사함으로써 금속 상부 전극을 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 가열 온도는 50℃ 이상일 수 있으며, 예를 들어, 80℃ 내지 150℃일 수 있다. 상기 가압되는 압력은 1 기압 이상일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 가열 온도는 유기 발광층을 형성하는 물질의 종류에 따라 변화될 수 있으며, 예를 들어, 유기 발광층에 PVK를 사용하는 경우, 바람직한 가열 온도는 80℃ 내지 150℃일 수 있다. 이 경우에, 상기 온도 범위에서 금속 전사층의 전사가 효과적으로 이루어질 수 있으며, 150℃를 초과하는 경우에는 상기 PVK 표면이 약간 물러지게 되고 그 상태에서 다시 굳으면서 전사된 금속의 표면이 유기 발광층의 표면의 형태에 따라 변형이 발생할 수 있다. 다음으로, 상기 전사 시트(10)의 기재층(11) 및 고분자 전사보조층(12)을 상기 기판(21)으로부터 제거함으로써 유기발광소자를 완성할 수 있다.
도 3은 본원의 제 2 실시예에 따른 유기발광소자의 제조 방법을 보여 주는 도면이다. 먼저, 제 1 기판(21) 상에 적층된 하부 전극(22) 및 상기 하부 전극(22) 상에 적층된 유기 발광층(23)을 포함하는 제 1 기판(21)을 준비할 수 있다. 여기서, 제 1 기판(21), 하부 전극(22) 및 유기 발광층(23)에 관해서는 상기 제 1 실시예에서 설명한 것과 동일하다.
일반적으로 금속, 예를 들어, 알루미늄과 같은 금속은 그 금속 표면이 보관 시에 쉽게 산화되어 매우 얇은 산화물 피막을 형성할 수 있다. 상기 산화물 피막은 금속을 통한 전자의 주입을 어렵게 하여 유기발광소자의 구동 전압을 상승시킬 수 있다.
이러한 이유로 도 1에서 전술한 전사 시트(10)의 금속 전사층(13)을 폴리디메틸실록세인(PDMS)층(32)이 적층된 제 2 기판(31) 상에 적층시켜 상기 폴리디메틸실록세인층(32) 상에 상기 금속 전사층(13)을 1 차 전사시킬 수 있다. 여기서, 폴리디메틸실록세인은 연성이 매우 크기 때문에 상기 금속 전사층(13)이 전사되는 과정에서 금속의 팽창이 일어날 수 있고 2차 전사에서 금속의 균열이 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위해서 폴리디메틸실록세인을 팽창이 일어나지 않는 기판(제 2 기판) 상에 얇게 형성함으로써 1차 전사 시 팽창에 의한 효과를 낮출 수 있다.
이후, 미리 준비한 상기 제 1 기판(21)의 유기 발광층(23) 상에 상기 금속 전사층(13)이 접촉하도록 상기 제 1 기판(21) 및 제 2 기판(31)을 정렬하고, 가열 및 가압에 의하여 상기 금속 전사층을 상기 제 1 기판 상에 2 차 전사하여 금속 상부 전극을 형성할 수 있다. 이에 관한 상세한 과정은 제 1 실시예에서 설명한 것과 동일하다. 상기 제시한 방법은 전사 시간이 짧기 때문에 유기 발광층 및 금속 전극 사이에 산화 피막이 거의 없는 상태로 금속 전극을 형성할 수 있으므로 전술한 문제를 방지할 수 있다. 마지막으로, 상기 폴리디메틸실록세인층(32) 및 제 2 기판(31)을 상기 기판(21)으로부터 제거함으로써 유기발광소자를 완성할 수 있다.
도 4는 본원의 실시예에 따라 제조된 금속 전극 전사용 전사 시트를 보여 주는 사진이고, 도 5는 본원의 실시예에 따라 전사 시트의 금속 전극층이 전사되어 완성된 유기발광소자를 보여 주는 사진이다. 도 5를 참조하면, 하부 전극(22) 및 금속 상부 전극에 전류를 통하게 한 후, 발광하는 유기발광소자를 확인할 수 있다.
이상, 실시예를 들어 본원을 상세하게 설명하였으나, 본원은 상기 실시예들에 한정되지 않으며, 여러 가지 다양한 형태로 변형될 수 있으며, 본원의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함이 명백하다.
10 : 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트
11, 21, 31 : 기재층, 제 1기판, 제 2 기판
12 : 고분자 전사보조층
13 : 금속 전사층
20 : 유기발광소자
22 : 하부 전극
23 : 유기 발광층
32 : 폴리디메틸실록세인층

Claims (12)

  1. 기재층;
    상기 기재층 상에 적층된 고분자 전사보조층; 및
    상기 전사보조층 상에 적층된 금속 전사층을 포함하는, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 고분자 전사보조층은 테플론계 고분자를 사용하여 형성된 것인, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 전사층은 칼슘, 알루미늄, 바륨, 마그네슘, 은, 마그네슘-은, 칼슘, 칼슘-은, 은 합금, 알루미늄 합금, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 사용하여 형성된 것인, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재층은 고분자 기판 또는 유리 기판인, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 고분자 전사보조층의 표면 조도(roughness)가 1 nm 이하인, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트.
  6. 기재층을 준비하고,
    상기 기재층 상에 고분자 전사보조층을 적층하고,
    상기 전사보조층 상에 금속 전사층을 적층하는 것을 포함하는, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기재층 상에 상기 고분자 전사보조층을 형성하기 이전에, 상기 기재층 상에 플라즈마 처리 공정을 수행하는 것을 포함하는, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트의 제조 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 금속 전사층은 진공증착법 또는 액상코팅법을 사용하여 형성하는 것인, 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트의 제조 방법.
  9. 기판 상에 적층된 하부 전극 및 상기 하부 전극 상에 적층된 유기 발광층을 포함하는 기판을 준비하고,
    상기 기판의 유기 발광층 상에 제 1 항에 따른 전사 시트의 금속 전사층이 접촉하도록 상기 기판 및 상기 전사 시트를 정렬(alignment)하고,
    가열 및 가압에 의하여 상기 금속 전사층을 상기 기판 상에 전사함으로써 금속 상부 전극을 형성하는 것
    을 포함하는, 유기발광소자의 제조 방법.
  10. 제 1 기판 상에 적층된 하부 전극 및 상기 하부 전극 상에 적층된 유기 발광층을 포함하는 제 1 기판을 준비하고,
    제 1 항에 따른 전사 시트의 금속 전사층을 폴리디메틸실록세인(PDMS)이 적층된 제 2 기판 상에 적층시켜 상기 폴리디메틸실록세인층 상에 상기 금속 전사층을 1 차 전사시키고,
    상기 제 1 기판의 유기 발광층 상에 상기 금속 전사층이 접촉하도록 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 정렬하고,
    가열 및 가압에 의하여 상기 금속 전사층을 상기 제 1 기판 상에 2 차 전사하여 금속 상부 전극을 형성하는 것
    을 포함하는, 유기발광소자의 제조 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 유기 발광층은 Bu4NBF4, LiBr, LiClO4 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 염으로 도핑된 것인, 유기발광소자의 제조 방법.
  12. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 가열 온도는 50℃ 이상이며, 상기 가압되는 압력은 1 기압 이상인, 유기발광소자의 제조 방법.
KR1020100005883A 2010-01-22 2010-01-22 유기발광소자의 금속 전극 전사용 전사 시트 및 이를 이용한 유기발광소자의 제조 방법 KR101121783B1 (ko)

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