KR20140073210A - 전사필름 및 이를 이용한 유기전계 발광소자의 제조 방법 - Google Patents

전사필름 및 이를 이용한 유기전계 발광소자의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 투명한 지지기판과; 상기 지지기판 상의 전면에 UV광에 반응하여 기체화되어 분해되는 고분자 물질로 이루어진 제 1 두께를 갖는 유기층과; 상기 유기층 위로 상기 지지기판 전면에 형성된 전사재료층을 포함하는 전사기판과 이를 이용한 유기전계 발광소자의 제조 방법을 제공한다.

Description

전사필름 및 이를 이용한 유기전계 발광소자의 제조 방법{Pattern laminating film and method of fabricating organic electro-luminescent device using the same}
본 발명은 패터닝 오차를 발생시키는 광열변환층 없이 레이저 빔 조사에 기판상에 유기 발광패턴을 전사시킬 수 있는 전사필름 및 이를 이용한 유기전계 발광소자의 제조 방법에 관한 것이다.
평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.
이러한 특성을 갖는 유기전계 발광소자는 크게 패시브 매트릭스 타입과 액티브 매트릭스 타입으로 나뉘어지는데, 패시브 매트릭스 방식에서는 주사선(scan line)과 신호선(signal line)이 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하고, 각각의 픽셀을 구동하기 위하여 주사선을 시간에 따라 순차적으로 구동하므로, 요구되는 평균 휘도를 나타내기 위해서는 평균 휘도에 라인수를 곱한 것 만큼의 순간 휘도를 내야만 한다.
그러나, 액티브 매트릭스 방식에서는, 화소영역(pixel)을 온(on)/오프(off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)가 각 화소영역(pixel)별로 위치하고, 이러한 스위칭 박막트랜지스터의 일전극과 연결되며 구동 박막트랜지스터가 형성되고 있으며, 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 연결되어 있는 애노드 전극은 각 화소영역 단위로 온(on)/오프(off)되고, 이러한 애노드 전극과 대향하여 캐소드 전극이 기판 전면에 형성되고 있다.
그리고, 상기 액티브 매트릭스 방식에서는 각 화소영역에 인가된 전압이 스토리지 캐패시터(storage capacitor)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전원을 인가해 주도록 함으로써, 주사선 수에 관계없이 한 화면을 계속해서 구동한다.
따라서, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가지므로 최근에는 액티브 매트릭스 방식의 유기전계 발광소자가 주로 이용되고 있다.
이하, 이러한 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 기본적인 구조 및 동작 특성에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 간략한 회로도이다.
도시한 바와 같이 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 하나의 화소영역은 스위칭(switching) 박막트랜지스터(STr)와 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 커패시터(StgC), 그리고 유기전계발광 다이오드(E)로 이루어진다.
즉, 제 1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 형성되어 화소영역(P)을 정의하며 데이터 배선(DL)이 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다.
또한, 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 일전극과 전기적으로 연결되며 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다.
이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 유기전계 발광 다이오드(E)와 전기적으로 연결되고 있다. 즉, 상기 유기전계발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고, 타측 단자인 제 2 전극은 전원배선(PL)과 연결되고 있다. 이때, 상기 전원배선(PL)은 전원전압을 상기 유기전계 발광 다이오드(E)로 전달하게 된다.
또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다.
따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 스위칭 박막트랜지스터(STr)를 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. 이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.
도 2는 일반적인 유기전계 발광소자에 대한 개략적인 단면도이다.
도시한 바와 같이, 유기전계 발광소자(1)는 제 1, 2 기판(10, 30)이 서로 대향되게 배치되어 있고, 제 1, 2 기판(10, 30)의 가장자리는 씰패턴(40)에 의해 봉지되어 있다. 제 1 기판(10)의 상부에는 각 화소영역에 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다.
또한, 상기 각각의 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되어 제 1 전극(12)이 형성되어 있고, 상기 제 1 전극(12) 상부에는 유기 발광층(14)이 뱅크(15)에 의해 분리되며 형성되어 있으며, 상기 유기 발광층(14) 상부에는 전면에 제 2 전극(16)이 형성되어 있다.
이때, 상기 제 1 및 제 2 전극(12, 16)은 상기 유기 발광층(14)에 전계를 인가해주는 역할을 하고 있으며, 상기 제 1, 2 전극(12, 16)은 각각 애노드 전극과 캐소드 전극을 이룰 수도 있고, 또는 그 반대로 캐소드 전극과 애노드 전극을 이룰 수도 있다.
한편, 전술한 씰패턴(40)에 의해서 상기 제 1 기판(10) 상의 전면에 형성된 상기 제 2 전극(16)과 상기 제 2 기판(30)은 일정간격 이격되며 위치하고 있다. 이때, 상기 제 1 기판(10)과 제 2 기판(30)의 이격영역에는 불활성 기체 또는 진공의 분위기를 이루는 것이 특징이다.
한편, 전술한 구조를 갖는 유기전계 발광소자(1)를 제조하는데 있어 유기 발광층(14)은 주로 쉐도우 마스크를 통한 열증착을 통해 형성하고 있다.
하지만, 최근 표시장치는 대면적화가 추세이며, 이러한 대면적을 갖는 표시장치를 제조하기 위해서는 장비의 대형화가 필수가 되고 있다.
이 경우, 상기 유기 발광층(14)을 형성하는데 사용되며 상기 제 1 기판(10)의 면적에 비례하여 상기 제 1 기판(10)보다 큰 면적을 갖는 상기 쉐도우 마스크(미도시)는 금속재질로 이루어지며 400Kg 이상의 무게를 갖게 됨으로써 이를 장착하거나, 또는 세정 등을 진행하기 위해 다른 쉐도우 마스크(미도시)로 교체 시 너무 많은 시간이 걸리고 있으며, 이를 이용한 증착 공정 진행에 있어서도 쳐짐 등이 발생하여 패터닝 오차가 심하게 발생하고 있는 실정이다.
따라서 최근에는 쉐도우 마스크(미도시) 없이 전사필름을 이용하여 유기 발광층을 형성하는 LITI(Laser Induced Thermal Imaging) 기술이 제안되고 있다.
이 기술은 전면에 유기 발광층을 이루는 동일한 물질로 이루어진 전사재료층이 형성된 전사기판을 이용하여 유기 발광층을 형성할 피전사기판에 대응하여 밀착시킨 후 레이저 빔을 조사함으로써 상기 전사기판에 형성된 상기 전사재료층을 유기 발광층이 형성되어야 할 피전사기판 상에 전사시키는 방법이다.
도 3은 종래의 LITI기술을 이용한 유기 발광층 형성을 위한 전사필름 일부에 대한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 종래의 전사기판(50)은 지지필름(55)과, 광열변환층 및 전사재료층으로 구성되고 있다.
조금 더 구체적으로, 베이스를 이루는 상기 지지필름(55) 상에 레이저 빔 등의 빛이 조사되면 조사된 레이저 빔의 빛 에너지를 열에너지로 바꾸는 역할을 하는 광열변환층(65)이 형성되고 있으며, 상기 광열변환패턴(65) 위로 전면에 전사시킬 물질 예를들면 유기 발광 물질로 이루어진 전사재료층(75)이 형성되어 있다.
이러한 구성을 갖는 종래의 전사필름(50)을 이용하여 유기전계 발광소자용 기판에 유기 발광층을 형성하는 방법에 대해 간단히 설명한다.
도 4는 종래의 전사필름을 이용하여 유기전계 발광소자용 기판에 유기 발광층을 형성하는 단계를 나타낸 단면도이다.
도시한 바와같이, 우선, 유기전계 발광소자용 기판(10)과 상기 전사필름(50)을 마주하도록 위치시키고, 상기 전사필름(50)에 구비된 전사재료층(75)이 상기 유기전계 발광소자용 기판(10)과 접촉하도록 한다.
이후, 상기 전사필름(50)의 상부에서 유기 발광층이 형성되어야 할 부분에 대응하여 스캔타입으로 레이저 빔을 조사한다.
이때, 상기 레이저 빔이 조사된 부분에 있어서는 상기 광열변환층(70)에 상기 레이저 빔이 조사됨으로서 상기 광열변환층(70)의 역할에 의해 빛 에너지를 열 에너지로 바꿈으로서 광열변환층(70) 내부에서 열이 발생되도록 한다.
레이저 빔이 조사된 부분에 대응해서는 상기 광열변환층(70)의 열발생에 의해 상기 광열변환층(70)과 접촉하며 형성되고 있는 전사재료층(75)과의 접합력이 저감되며, 나아가 상대적으로 전사재료층(75)과 유기전계발광소자용 기판(10)과의 접착력이 더욱 향상된 상태를 이루게 된다.
이러한 상태에서 상기 전사필름(50)을 상기 유기전계 발광소자용 기판(10)으로부터 탈착시키면, 레이저 빔이 조사되지 않은 부분의 전사필름(50)에는 여전히 전사재료층(75)이 남게되며, 레이저 빔이 조사된 부분에 대응해서는 접합력 차이로 인해 상기 유기전계 발광소자용 기판(10)에 전사되어 유기 발광층을 형성하게 되며 이에 의해 전사재료층(75)은 상기 전사필름(50)으로부터 떨어져 나간 상태를 이루게 된다.
하지만, 전술한 바와같이 진행되는 전사공정에 있어서는 상기 전사필름(50) 내의 구성요소인 광열변환층(70)이 광열변환되는 과정에서 순간적으로 1000℃ 정도의 온도 변화가 발생된다.
따라서 이러한 급격한 온도 변화에 의해 광열변환층(70) 자체의 부피 팽창이 발생되며, 나아가 레이저 빔이 조사되지 않은 부분까지 열전도가 이루어짐으로서 실질적으로 유기전계 발광소자용 기판(10)으로 전사되어 유기 발광층을 이루는 상기 전사재료층(75)은 그 면적 오차가 커 고해상도의 구현에 어려움이 있는 실정이다.
그리고, 이렇게 광열변환층(70)에 발생된 고온은 전사재료층(75)을 통해 유기전계 발광소자용 기판(410)으로 전이가 이루어짐으로서 유기전계 발광소자용 기판(10)에 구비되고 있는 스위칭 또는 구동 박막트랜지스터(미도시)에 영향을 끼치게 됨으로서 스위칭 또는 구동 박막트랜지스터(미도시)의 특성을 변형시키거나, 또는 고온의 분위기에 노출된 유기 발광층 자체를 열화시켜 유기전계 발광소자의 수명을 저감시키는 요인으로 작용하고 있다.
나아가 종래의 전사필름은 접합력의 차이에 의해 전사가 이루어짐으로서 반드시 전사필름(50)과 유기전계 발광소자용 기판(10)과 밀착시킨 상태에서 이루어져야 하며, 따라서, 유기전계 발광소자용 기판(10)과 밀착된 상태의 전사필름(50)을 탈착시키는 공정을 필요로 하고 있는 실정이다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 레이저 빔 조사 시 급격한 온도 변화에 의한 부피 팽창을 발생시키는 광열변환층을 구비한 전사필름을 이용한 유기 발광층의 전사공정에서 발생되는 유기 발광층의 크기 오차 발생 및 전사불량 등을 저감시킬 수 있는 새로운 전사필름 및 이를 이용한 유기전계 발광소자의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 전사필름은, 투명한 지지기판과; 상기 지지기판 상의 전면에 UV광에 반응하여 기체화되어 분해되는 고분자 물질로 이루어진 제 1 두께를 갖는 유기층과; 상기 유기층 위로 상기 지지기판 전면에 형성된 전사재료층을 포함한다.
이때, 상기 제 1 두께는 수 내지 수 백nm인 것이 특징이다.
상기 고분자 물질은, UV광이 조사되면 하나의 단분자와 질소, 또는 2개의 단분자와 질소로 최종 분해되는 물질로, 두 개의 벤젠이 X라고 정의되는 분자와 연결되는 제 1 부분과, 이중결합된 질소(N=N)가 Y라고 정의되는 분자에 의해 연결된 제 2 부분으로 이루어진,
Figure pat00001
라 표현되는 분자식으로 이루어지며, 상기 X라고 정의되는 분자는 O, CO, SO2 중 어느 하나가 될 수 있으며, 상기 Y라고 정의되는 분자는
Figure pat00002
라는 분자구조식으로 이루어지는 물질이 되며, R1은 CH3 또는 C2H5 가 되며, R2는 (CH2)6 또는 (CH2)2인 것이 특징이다.
상기 전사재료층은 단일층 또는 다중층 구조를 이루는 것이 특징이다.
본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법은, 다수의 화소영역을 갖는 표시영역이 정의된 제 1 기판 상에 상기 각 화소영역 별로 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극이 형성된 제 1 기판을 진공 챔버 내에 위치시키고, 상기 제 1 기판 위로 투명한 지지기판과, 상기 지지기판 상의 전면에 UV광에 반응하여 기체화되어 분해되는 고분자 물질로 이루어진 제 1 두께를 갖는 유기층과, 상기 유기층 위로 상기 지지기판 전면에 형성된 전사재료층을 포함하는 전사기판을 제 1 간격 이격하여 위치시키는 단계와; 상기 전사필름의 상부에서 UV광을 선택적으로 조사하여 상기 유기층을 분해시켜 기체화함으로서 상기 전사재료층을 상기 제 1 기판 상에 전사시켜 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기 발광층 위로 상기 표시영역 전면에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 제 1 이격간격은 수 내지 수 백 ㎛인 것이 특징이다.
그리고, 상기 UV광을 전사필름에 조사한 이후에는 상기 진공 챔버의 펌핑을 진행하여 상기 전사기판으로부터 배출된 기체를 상기 진공챔버 내부에서 제거하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 전사재료층은 유기 발광물질로 이루어진 단일층 구조를 이루거나, 또는 상기 유기 발광물질로 이루어진 물질층의 상부 또는 하부로 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층을 이루는 어느 하나 이상의 물질로 이루어진 물질층이 더욱 구비되어 복수층 구조를 이룸으로서, 상기 단일층 또는 복수층이 상기 제 1 기판으로 전사되어 상기 유기 발광층은 유기 발광물질로 이루어진 단일층 구조를 이루거나 또는 유기 발광물질로 이루어진 물질층과 이의 상부 또는 하부에 공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층을 이루는 어느 하나 이상의 물질로 이루어진 물질층이 더욱 구비된 복수층 구조를 이루는 것이 특징이다.
그리고, 상기 제 1 두께는 수 내지 수 백nm인 것이 특징이다.
또한, 상기 고분자 물질은, UV광이 조사되면 하나의 단분자와 질소, 또는 2개의 단분자와 질소로 최종 분해되는 물질로, 두 개의 벤젠이 X라고 정의되는 분자와 연결되는 제 1 부분과, 이중결합된 질소(N=N)가 Y라고 정의되는 분자에 의해 연결된 제 2 부분으로 이루어진,
Figure pat00003
라 표현되는 분자식으로 이루어지며, 상기 X라고 정의되는 분자는 O, CO, SO2 중 어느 하나가 될 수 있으며, 상기 Y라고 정의되는 분자는
Figure pat00004
라는 분자구조식으로 이루어지는 물질이 되며, R1은 CH3 또는 C2H5 가 되며, R2는 (CH2)6 또는 (CH2)2인 것이 특징이다.
본 발명에 따른 전사필름은 광열변환층을 대신하여 레이저 빔 등의 빛에 반응하여 분해되는 것을 특징으로 하는 유기층이 구비됨으로서 전사공정 진행 시 레이저 빔 조사 시 급격한 온도 변화에 따른 부피 팽창 등이 발생되지 않으므로 광열변환패턴이 구비된 전사필름을 이용한 전사 시의 부피팽창 등에 의해 발생되는 오차에 의한 전사불량을 억제하는 효과가 있다.
나아가 본 발명의 실시예에 따른 전사필름으로 이용하여 유기 발광층을 형성하는 경우 전사필름과 유기전계 발광소자용 기판과는 밀착시키지 않은 상태에서 진행해도 무방하므로 전사필름을 탈착시키는 탈착공정을 생략할 수 있다. 따라서 전사공정 중 탈착공정 진행 생략에 의해 공정 단순화 및 단위 시간당 생산성을 향상시키는 효과가 있다.
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 간략한 회로도.
도 2는 종래의 유기전계 발광소자에 대한 개략적인 단면도.
도 3은 종래의 LITI기술을 이용한 유기 발광층 형성을 위한 전사기판 일부에 대한 단면도.
도 4는 종래의 전사필름을 이용하여 유기전계 발광소자용 기판에 유기 발광층을 형성하는 단계를 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 전사필름의 단면도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 전사기판에 구성되는 유기층을 이루는 고분자 물질의 일례로 나타낸 분자 구조식을 도시 것으로, UV광 조사 후의 변화에 대해서도 함께 나타낸 도면.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 전사필름에 구성되는 유기층을 이루는 고분자 물질 중 구체적인 일례를 나타낸 분자구조식.
도 8a 내지 8h는 본 발명에 따른 전사기판을 이용한 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 전사필름을 이용한 변형예에 다른 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도로서 전사필름을 이용한 전사 단계를 도시한 도면
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 5a와 도 5b는 본 발명의 실시예에 따른 전사필름의 단면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전사필름(180)은 베이스를 이루는 지지기판(182)과, 상기 지지필름(182) 상에 형성된 유기층(184)과, 상기 유기층(184) 상부에 형성된 전사재료층(186)으로 구성되고 있다.
이때, 본 발명의 실시예에 따른 전사필름(180)에 있어 가장 특징적인 것은 상기 유기층(184)에 있다. 상기 유기층(184)은 UV광에 의해 분해되는 고분자 유기물로 이루어짐을 특징으로 하고 있으며, 이러한 유기층(184)은 그 두께가 수 내지 수백 nm 정도(1 내지 900 nm)인 것이 특징이다.
한편, 상기 전사필름(180)은 전술한 특징에 의해 상기 유기층(184)에 UV광이 조사된 부분에서는 조사된 UV광과 반응하여 유기층(184)이 분해되며, 이렇게 분해되는 과정에서 질소가스를 발생시킨다.
상기 유기층(184)이 분해되어 발생된 질소가스에 의해 상기 전사필름에 있어 유기층(184)과 전사재료층(186) 사이에 위치하게 되며 내부 압력을 증가시키게 되며 이로 인해 UV광이 조된 부분의 전사재료층(186)을 밀어냄으로서 유기전계 발광소자용 기판(미도시)으로 전사시키게 된다.
이때, 상기 유기층(184)의 두께가 두꺼울 경우 UV광과 반응하여 분해되는 속도가 저하되거나 또는 일부가 유기전계 발광소자용 기판(미도시)으로 전사되는 전사재료층(186) 상에 남게될 수 있으며 이러한 문제를 발생시키지 않도록 하기 위해 상기 유기층(184)은 전술한 바와같은 수 내지 수백 nm인 것이 바람직함을 실험적으로 알 수 있었다.
한편, 상기 전사재료층(186)은 선택적으로 피전사되는 층으로 유기전계 발광소자용 기판(미도시)에 구성되는 유기 발광층을 이루는 유기 발광 물질로 이루어지는 것이 특징이다.
이러한 전사재료층(186)은 단일의 유기 발광 물질로 이루어진 단일층 구조(도 5a 참조)를 이룰 수도 있고, 또는 다중층(도 5b 참조) 구조를 이룰 수도 있다.
유기전계 발광소자에 있어 유기 발광층은 실질적으로 유기 발광 물질만으로 이루어진 유기 발광 물질층만으로 구성될 수 있지만, 발광 효율을 향상시키기 위해 유기 발광층으로 공급되는 전자 및 정공의 이동 효율을 높이고자 상기 유기 발광 물질층의 하부 및 상부에 정공 주입층, 정공수송층, 전자주입층 및 전자수송층을 더욱 포함하여 다중층 구조로 구성될 수 있다.
따라서, 이러한 유기전계 발광소자의 구현을 위해 상기 전사필름(180)에 구비되는 전사재료층(186) 또한 유기 발광 물질로 이루어진 단일층 구조(도 5a 참조)를 이루거나, 유기 발광 물질로 이루어진 제 1 물질층(186a)을 기준으로 이의 상부 또는 하부에 상기 정공 주입층, 정공수송층, 전자주입층 및 전자수송층을 이루는 각각의 물질로 이루어진 제 1, 2, 3, 4 보조물질층(186b, 186c, 186d, 186e)이 더욱 구비됨으로서 다중층 구조(도 5b 참조)를 이룰 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 전사필름(180)에 있어 가장 특징적인 구성인 유기층(184)에 대해 조금 더 상세히 설명한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 전사필름에 구성되는 유기층을 이루는 고분자 물질의 분자 구조식을 도시한 것으로, UV광 조사 후의 변화에 대해서도 함께 나타낸 도면이며, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 전사필름에 구성되는 유기층을 이루는 고분자 물질 중 구체적인 일례를 나타낸 분자구조식이다.
본 발명의 실시예에 따른 전사필름에 구비되는 유기층(도 5a의 184)은 UV광에 의해 고리가 끊어지는 고분자 물질로 이루어지는 것이 특징이다. 이러한 고분자 물질은 UV광이 조사되면 하나의 단분자와 질소, 또는 2개의 단분자와 질소로 최종 분해되는 물질이다.
즉, 상기 UV광에 분해되는 고분자 물질은 일례로 두 개의 벤젠이 X라고 정의되는 분자와 연결되는 제 1 부분과, 이중결합된 질소(N=N)가 Y라고 정의되는 분자에 의해 연결된 제 2 부분 즉, Y라고 정의되는 분자를 사이에 두고 아조기(-N=N-)가 결합된 구성을 이루는 것이 특징이다.
이때, X라고 정의되는 분자는 O, CO, SO2 중 어느 하나가 될 수 있으며, Y라고 정의되는 분자는 일례로 다음과 같은 분자구조식으로 이루어지는 물질이 된다.
Figure pat00005
이 경우 R1은 CH3 또는 C2H5 가 될 수 있으며, R2는 (CH2)6 또는 (CH2)2가 될 수 있다.
이러한 일반화하여 나타낸 본 발명의 실시예에 따른 전사필름(도 5a의 180)에 구비되는 유기층(도 5a의 184)을 이루는 고분자 물질을 도 7을 통해 구체적인 일례를 나타내었다.
도시한 바와같이, 본 발명의 실시예에 따른 전사필름(도 5a의 180)에 구비되는 유기층(도 5a의 184)을 이루는 고분자 물질은 두 개의 베젠은 산소와 연결되어 제 1 부분을 이루며, 제 2 부분에 있어 Y부분을 이루는 구성인 R1은 (CH2)6, R2는 CH3로 이루어진 것을 보이고 있다.
도 6을 참조하면, 이러한 분자 구조식을 이루어진 고분자 물질은 특정 파장대를 갖는 UV광이 조사되면, X라고 정의된 분자와 결합된 벤젠으로 이루어진 제 1 부분과 질소가스와 상기 Y라고 정의된 분자로 분리된다.
이때, 상기 제 1 부분 및 Y라고 정의된 분자는 각각 질소가스와 같이 기체 상태로 존재하게 됨으로서 실질적으로 UV광에 분해되어 질소가스와 탄소를 포함하는 가스의 혼합 가스 상태가 된다.
한편, 기체화된 상기 혼합 가스는 타 물질과의 접착력이 상실되며 나아가 밀폐된 공간에서 팽창되어 외부로 나가려는 힘이 강해지며 이러한 역할에 의해 전사재료층(도 5a의 186)을 유기전계 발광소자용 기판으로 밀어냄으로서 전사재료층(도 5a의 186)을 유기전계 발광소자용 기판으로 전사시키게 된다.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 일 실시예에 따른 전사필름(도 5a의 180)은 UV광에 반응하여 유기층(도 5a의 184) 자체가 분해됨으로서 전사재료층(도 5a의 186)을 유기전계 발광소자용 기판에 전사시키는 특성을 가지므로 종래의 광열변화층(도 3의 70)을 구비한 전사필름(도 3의 55)에서 발생되는 광열변환층(도 3의 70) 고온과 광열변환층(도 3의 70)의 팽창에 기인한 불량 예를들면 전사되는 전사재료층(도 3의 75)의 면적 크기의 차이 발생과 광열변환층(도 3의 70)에서 발생된 고온의 전이에 의한 유기전계 발광소자용 기판에 구비된 스위칭 및 구동 박막트랜지스터의 특성 변형 및 유기 발광층 자체의 열화 등을 억제하는 효과를 갖는다.
이후에는 전술한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 전사필름을 이용한 유기 발광층의 전사를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 8a 내지 8g는 본 발명의 실시예에 따른 전사필름을 이용한 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도로서, 구동 박막트랜지스터 및 유기전계 발광 다이오드를 포함하는 3개의 화소영역에 대한 도시하였다. 이때, 도면에 있어서, 3개의 화소영역 중 하나의 화소영역에 대해서만 구동 박막트랜지스터를 도시하였으며, 나머지 두 개의 화소영역에서는 생략하였다.
우선, 도 8a에 도시한 바와 같이, 투명한 절연재질의 기판(110) 예를들면 플라스틱 또는 유리재질의 절연기판 상에 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(130)을 형성하고, 상기 데이터 배선(130)과 나란한 전원배선(미도시)을 형성한다.
그리고, 상기 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(130)이 교차하는 부근의 스위칭 영역(미도시)에는 이들 두 배선(미도시)과 연결된 스위칭 박막트랜지스터(미도시)를 형성하고 동시에 구동영역(DA)에는 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 일 전극과 연결되는 구동 박막트랜지스터(DTr)를 형성한다.
이때, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)는 각각 상기 기판 (110)면으로부터 순차 적층된 게이트 전극(115)과 게이트 절연막(118)과, 산화물 반도체층(120)과, 에치스토퍼(122)와, 상기 에치스토퍼(122) 상에서 서로 이격하며 각각 상기 산화물 반도체층(120)과 접촉하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 포함하여 구성된다.
상기 기판(110) 상에 이러한 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(130)과 전원배선(미도시)과 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)를 형성하는 것은 일반적인 유기전계 발광소자의 제조 방법과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
한편, 도면에 있어서 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)는 각각 단일층 구조를 가지며 산화물 반도체 물질로 이루어진 산화물 반도체층(120)이 구비된 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 각각 게이트 전극과, 게이트 절연막과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층으로 구성된 반도체층과, 상기 반도체층 상에서 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극의 구성을 갖도록 형성될 수도 있다.
또한, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(DTr, 미도시)는 게이트 전극이 최하부에 위치하는 보텀 게이트 구조를 이루는 것을 보이고 있지만, 반도체층이 최하부에 위치하며 이의 상부에 게이트 전극이 형성된 탑 게이트 구조를 이루도록 형성할 수도 있다.
즉, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 상기 기판 상의 최하부에 폴리실리콘의 반도체층을 구비하여 탑 게이트 구조를 갖도록 형성될 수도 있다.
이러한 경우, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr) 각각은 상기 기판 상에 순수 폴리실리콘의 액티브영역과 이의 양측에 불순물이 도핑된 폴리실리콘의 소스 및 드레인 영역으로 이루어진 폴리실리콘 반도체층과, 게이트 절연막과, 상기 액티브영역과 중첩하여 형성되는 게이트 전극과, 상기 소스 및 드레인 영역을 각각 노출시키는 반도체층 콘택홀을 갖는 층간절연막과, 상기 반도체층 콘택홀을 통해 각각 상기 소스 및 드레인 영역과 접촉하며 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극의 적층 구조를 갖도록 형성될 수도 있다.
이렇게 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)가 탑 게이트 구조를 이루는 경우, 보텀 게이트 구조 대비 층간절연막이 더욱 구비되며, 게이트 배선은 상기 게이트 절연막 상에 구비되며, 데이터 배선(130)은 상기 층간절연막 상에 형성된다.
다음, 도 8b에 도시한 바와같이, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr) 위로 유기절연물질 예를들면 포토아크릴을 도포함으로서 평탄한 표면을 갖는 보호층(140)을 형성하고, 이에 대해 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 형성한다.
이후, 도 8c에 도시한 바와같이, 상기 드레인 콘택홀(143)을 구비한 보호층(140) 위로 일함수 값이 상대적으로 큰 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 증착하거나, 또는 반사율이 우수한 금속물질인 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)을 우선 증착 후 이의 상부로 상기 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 증착하고, 이에 대해 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로서 각 화소영역(P) 별로 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 접촉하는 제 1 전극(150)을 형성한다.
이때, 상기 반사율이 우수한 금속물질이 증착된 경우, 상기 제 1 전극(150) 하부에는 반사층(미도시)이 더욱 형성되게 된다.
한편, 이러한 반사층(미도시)이 상기 제 1 전극(150) 하부에 형성되는 경우, 상기 제 1 전극(150)의 상부에 형성되는 유기 발광층(도 8g의 156)으로부터 발광된 빛이 상기 반사층(미도시)을 통해 반사되어 상부로 반사시킴으로서 발광된 빛의 이용 효율을 증대시켜 최종적으로 휘도 특성을 향상시키는 효과를 갖게 된다.
다음, 도 8d에 도시한 바와같이, 상기 제 1 전극(150)의 외부로 노출된 상기 보호층(140)과 상기 제 1 전극(150)의 테두리 상부에 상기 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(130)에 대응하여 즉, 각 화소영역(P)의 경계에 버퍼패턴(154)을 형성한다.
상기 버퍼패턴(154)은 각 화소영역(P)을 포획하는 형태가 되며, 상기 버퍼패턴(154)으로 둘러싸인 화소영역(P)에 있어서는 상기 제 1 전극(150)이 노출되고 있다.
이러한 버퍼패턴(154)은 추후 형성될 제 2 전극(미도시)과 상기 제 1 전극(154)간의 쇼트를 방지하기 위해 형성하는 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 전사필름을 이용한 전사법을 통해 유기 발광층이 형성되는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 상기 유기 발광층(미도시)이 상기 제 1 전극(150)을 완전히 덮도록 형성하는 경우 생략될 수도 있다.
다음, 도 8e에 도시한 바와같이, 상기 제 1 전극(150)과 선택적으로 화소영역(P)의 경계에 상기 제 1 전극(150)의 가장자리와 중첩하며 형성된 버퍼패턴(154)이 구비된 기판(110)을 진공의 분위기 형성이 가능한 진공 챔버(193) 내부에 위치시킨다.
이후, 본 발명의 실시예에 따른 전사필름(180)의 상기 전사재료층(186)이 상기 제 1 전극(150)과 마주하도록 위치시킨다.
다음, 도 8f 및 8g에 도시한 바와 같이, 상기 진공 챔버(193) 내에서 서로 마주하는 전사필름(180)과 상기 버퍼패턴(154) 및 제 1 전극(150)이 형성된 기판(110, 이하 피전사기판(110)이라 칭함)을 근접시켜 상기 서로 마주하는 상기 전사재료층(186)과 상기 제 1 전극(150)이 수 내지 수 백 ㎛ 정도 이격간격이 되도록 근접시킨다.
이후, 상기 전사필름(180)의 상부에 유기 발광층(도 8g의 156)이 형성되어야 할 화소영역(P)에 대응하여 빛의 투과영역이 그 이외의 영역은 차단영역이 구비된 마스크(190)를 위치시키고 상기 전사필름(180) 전면 또는 상기 전사필름(180)을 적절한 크기를 갖는 단위 구획으로 나누어 단위 구획별로 일정시간 조사한다.
이때, 상기 마스크(190)는 쉐도우 마스크 등과 같이 금속재질로 이루어지며 수 ㎛정도의 두께를 가질 필요는 없으며, 빛을 투과시키거나 차단시키는 역할을 하는 재질로 이루어진다면 어떠한 마스크도 가능하며 두께 제안도 없다. 이러한 마스크는 일례로 노광 공정에서 진행하는 노광 마스크가 될 수 있다.
상기 마스크(190)는 상기 전사필름(180) 전면에 UV광의 조사가 이루어지는 경우, 상기 전사필름(180) 크기의 면적을 가지며, 전사필름(180)을 다수의 구획으로 나누어 UV광을 조사하는 경우 상기 단위구획의 크기의 면적을 갖는 것이 특징이다.
또는, 변형예로서 도 9(본 발명의 실시예에 따른 전사필름을 이용한 변형예에 다른 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도로서 전사필름을 이용한 전사 단계를 도시한 도면.)에 도시한 바와같이, 상기 전사필름(180)의 상부에서 상기 전사필름(180)을 향해 UV광 조사장치(195)를 위치시킨 후, 특정 파장대를 갖는 UV광을 일정한 속도를 가지며 이동시킴으로서 선택적으로 상기 전사필름(180)의 전사재료층(186)이 전사되어야 할 화소영역(P)에 대응해서만 선택적으로 일측 끝단에서 타측 끝단으로 스캔하듯이 조사함으로서 상기 전사재료층(186)을 상기 피전사기판(110)에 전사시킨다.
다음, 이러한 UV광 조사장치(미도시 또는 도 9의 195)를 통한 선택적인 UV광 조사에 의해 UV광이 조사된 부분에 전사필름(180)에 있어서는 이의 내부에 구비된 유기층(184)이 조사된 UV광과 반응하여 고분자 사슬이 끊어지며 분해됨으로서 질소가스와 기체상태의 단분자를 발생시키게 되며, 상기 유기층(184)이 기체화되는 특성 상 부피 팽창되어 상기 전사재료층(186)을 이와 수 내지 수백 ㎛(1 내지 900㎛)정도 인접하여 형성된 피전사기판(110)과 접촉한 상태를 이루도록 하며, 최종적으로 상기 전사재료층(186)을 상기 피전사기판(110)의 제 1 전극(150) 상에 전사시키게 된다.
이때, 상기 전사재료층(186)이 피전사기판(110)의 제 1 전극(150) 상부로 전사되는 과정에서 상기 질소가스와 단분자화된 기체는 상기 전사필름(180) 내부에서 진공챔버(193)로 확산되지만, 상기 진공챔버(193)는 펌프(미도시)를 통해 펌핑함으로서 전사재료층(186)의 전사단계에서 배출되는 질소 가스 및 단분자 기체는 모두 상기 진공챔버(193) 내부에서 제거되므로 문제되지 않는다.
진공챔버(193)의 펌핑은 상기 전사필름(180)을 통한 전사 공정이 완료된 후 이루어지는 것이 바람직하다. 이는 전사공정 진행시는 UV 조사장치(미도시)를 통한 UV광이 전사필름(180)에 조사되고 있는 과정에 있으므로 상기 진공챔버(193)의 펌핑과 동시에 진행시 내부 기류에 의해 스캔 타입으로 UV광을 조사하는 경우 UV광이 조사되는 부분에 영향을 주거나, 또는 펌핑시 발생되는 미세진동에 의해 UV광이 조사되는 피전사기판(110)의 정렬오차 등이 발생될 수 있기 때문이다.
한편, 상기 피전사기판(110) 상의 제 1 전극(150) 위로 전사된 상기 전사재료층(186)은 유기 발광층(156)을 이룬다.
이때, 상기 유기 발광층(156)은 상기 전사필름(180)에 구성된 전사재료층(186)이 단일층 또는 다중층 구조를 이루느냐에 따라 유기 발광 물질만으로 이루어진 단일층 또는 상기 유기 발광 물질로 이루어진 유기 발광 물질층의 상부 또는 하부에 정공 주입층, 정공수송층, 전자주입층 및 전자수송층을 이루는 물질로 각각 이루어진 보조 물질층이 더욱 구비됨으로서 다중층 구조를 이룰 수도 있다.
도면에 있어서는 상기 유기 발광층은 단일층 구조를 이루는 것을 일례로 도시하였다.
한편, 상기 피전사기판(110)에 전사된 유기 발광층(156)은 전술한 전사단계를 1회 또는 3회 반복 진행함으로서 형성할 수 있다.
상기 전사단계를 1회만을 진행하는 경우, 상기 전사필름(180)에 구비되는 전사재료층(186)은 화이트를 발광하는 유기 물질로 이루어진 단일층 또는 다중층 구조의 전사재료층(186)이 구비되며, 이 경우 상기 피전사기판(110)에 전사되여 형성된 유기 발광층은 모두 화이트를 발광하는 층을 이루게 된다.
또는, 적, 녹, 청색을 각각 발광하는 유기 발광물질로 각각 이루어진 단일층 또는 다중층 구조의 전사재료층(186)을 구비한 전사필름(180)을 이용하여 3회에 걸쳐 전술한 전사 단계를 진행하는 경우, 상기 피전사기판(110)에는 제 1, 2, 3 화소영역(미도시)별로 적, 녹, 청색을 각각 발광하는 유기 발광층(156)이 형성될 수 있다.
전술한 바와같은 전사필름(180)을 이용한 전사에 의해 유기 발광층(156)을 형성하는 경우, 피전사기판(110)과 전사필름(180)은 비접촉한 상태에서 전사재료층(186)의 전사가 이루어짐으로서 종래와 같이 전사필름(180)을 피전사기판(110)과 접촉시켜 진행하는 전사방법 대비 전사가 이루어진 상태의 전사필름(180)을 상기 피전사기판(110)으로부터 탈착시키는 탈착 공정을 별도로 진행할 필요가 없으므로 공정 수를 저감시키고 공정 시간을 단축시키는 효과를 갖는다.
다음 도 8h에 도시한 바와 같이, 상기 화이트만을 발광하거나, 또는 제 1 , 2, 3 화소영역(미도시)별로 적, 녹, 청색을 각각 발광하는 유기 발광층(156)이 형성된 상기 피전사기판(110)에 대해 상기 유기 발광층(156) 위로 표시영역 전면에 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합하여 표시영역 전면에 증착하여 제 2 전극(160)을 형성함으로서 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자용 기판(110)을 완성한다.
이때, 전술한 방법에 의해 각 화소영역(P) 내에 순차 적층된 상기 제 1 전극(150)과 유기 발광층(155)과 제 2 전극(160)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다.
다음, 도 8i에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 전극이 형성된 기판(110)과 대응하여 상기 유기발광 다이오드(E)의 인캡슐레이션을 위해 투명한 재질로 이루어진 대향기판(170)을 위치시키고, 상기 기판(110)과 대향기판(170)의 사이에 투명하며 접착 특성을 갖는 프릿(Frit), 유기절연물질, 고분자 물질 중 어느 하나로 이루어진 페이스 씰(미도시)을 상기 기판(110)의 전면에 코팅한 상태에서 상기 기판(110)과 대향기판(170)을 합착하거나, 또는 진공 혹은 불활성 가스 분위기에서 상기 기판(110)의 가장자리를 따라 씰패턴(미도시)을 형성한 후 상기 기판(110)과 대향기판을 합착함으로서 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)를 완성한다.
한편, 상기 기판(110)의 상기 제 2 전극(160) 위로 무기절연물질 또는 유기절연물질을 증착 또는 도포하거나 또는 점착층(미도시)을 재개하여 필름(미도시)을 부착함으로서 인캡슐레이션 막(미도시)으로 이용할 경우, 상기 대향기판(170)은 생략될 수도 있다.
110 : 제 1 기판(피전사기판) 115 : 게이트 전극
118 : 게이트 절연막 120 : 반도체층
122 : 에치스토퍼 130 : 데이터 배선
133 : 소스 전극 136 : 드레인 전극
140 : 보호층 143 : 드레인 콘택홀
150 : 제 1 전극 154 : 버퍼패턴
156 : 유기 발광층 180 : 전사필름
182 : 지지필름 184 : 유기층
186 : 전사재료층 190 : 마스크
BA : (마스크의)차단영역 DTr : 구동 박막트랜지스터
P : 화소영역 TA : (마스크의)투과영역

Claims (10)

  1. 투명한 지지기판과;
    상기 지지기판 상의 전면에 UV광에 반응하여 기체화되어 분해되는 고분자 물질로 이루어진 제 1 두께를 갖는 유기층과;
    상기 유기층 위로 상기 지지기판 전면에 형성된 전사재료층
    을 포함하는 전사기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 두께는 수 내지 수 백nm인 것이 특징인 전사기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 고분자 물질은, UV광이 조사되면 하나의 단분자와 질소, 또는 2개의 단분자와 질소로 최종 분해되는 물질로,
    두 개의 벤젠이 X라고 정의되는 분자와 연결되는 제 1 부분과, 이중결합된 질소(N=N)가 Y라고 정의되는 분자에 의해 연결된 제 2 부분으로 이루어진,
    Figure pat00006

    라 표현되는 분자식으로 이루어지며,
    상기 X라고 정의되는 분자는 O, CO, SO2 중 어느 하나가 될 수 있으며,
    상기 Y라고 정의되는 분자는
    Figure pat00007

    라는 분자구조식으로 이루어지는 물질이 되며,
    R1은 CH3 또는 C2H5 가 되며,
    R2는 (CH2)6 또는 (CH2)2인 것이 특징인 전사기판.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전사재료층은 단일층 또는 다중층 구조를 이루는 것이 특징인 전사기판.
  5. 제 1 항에 있어서,
    다수의 화소영역을 갖는 표시영역이 정의된 제 1 기판 상에 상기 각 화소영역 별로 제 1 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 전극이 형성된 제 1 기판을 진공 챔버 내에 위치시키고, 상기 제 1 기판 위로 투명한 지지기판과, 상기 지지기판 상의 전면에 UV광에 반응하여 기체화되어 분해되는 고분자 물질로 이루어진 제 1 두께를 갖는 유기층과, 상기 유기층 위로 상기 지지기판 전면에 형성된 전사재료층을 포함하는 전사기판을 제 1 간격 이격하여 위치시키는 단계와;
    상기 전사필름의 상부에서 UV광을 선택적으로 조사하여 상기 유기층을 분해시켜 기체화함으로서 상기 전사재료층을 상기 제 1 기판 상에 전사시켜 유기 발광층을 형성하는 단계와;
    상기 유기 발광층 위로 상기 표시영역 전면에 제 2 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 이격간격은 수 내지 수 백 ㎛인 것이 특징인 유기전계 발광소자의 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 UV광을 전사필름에 조사한 이후에는 상기 진공 챔버의 펌핑을 진행하여 상기 전사기판으로부터 배출된 기체를 상기 진공챔버 내부에서 제거하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조 방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 전사재료층은 유기 발광물질로 이루어진 단일층 구조를 이루거나, 또는 상기 유기 발광물질로 이루어진 물질층의 상부 또는 하부로 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층을 이루는 어느 하나 이상의 물질로 이루어진 물질층이 더욱 구비되어 복수층 구조를 이룸으로서, 상기 단일층 또는 복수층이 상기 제 1 기판으로 전사되어 상기 유기 발광층은 유기 발광물질로 이루어진 단일층 구조를 이루거나 또는 유기 발광물질로 이루어진 물질층과 이의 상부 또는 하부에 공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층을 이루는 어느 하나 이상의 물질로 이루어진 물질층이 더욱 구비된 복수층 구조를 이루는 것이 특징인 유기전계 발광소자의 제조 방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 두께는 수 내지 수 백nm인 것이 특징인 유기전계 발광소자의 제조 방법.
  10. 제 5 항에 있어서,
    상기 고분자 물질은, UV광이 조사되면 하나의 단분자와 질소, 또는 2개의 단분자와 질소로 최종 분해되는 물질로,
    두 개의 벤젠이 X라고 정의되는 분자와 연결되는 제 1 부분과, 이중결합된 질소(N=N)가 Y라고 정의되는 분자에 의해 연결된 제 2 부분으로 이루어진,
    Figure pat00008

    라 표현되는 분자식으로 이루어지며,
    상기 X라고 정의되는 분자는 O, CO, SO2 중 어느 하나가 될 수 있으며,
    상기 Y라고 정의되는 분자는
    Figure pat00009

    라는 분자구조식으로 이루어지는 물질이 되며,
    R1은 CH3 또는 C2H5 가 되며,
    R2는 (CH2)6 또는 (CH2)2인 것이 특징인 유기전계 발광소자의 제조 방법.
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