KR20110083448A - Metalized polyimide film and flexible printed circuit board using the same - Google Patents

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KR20110083448A
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스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
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Abstract

PURPOSE: A metalizing polyimide film and a flexible circuit board using the same are provided to assure that a lead is not taken off from the polyimide film at the time of mounting IC to a circuit board even when heat of more than 400°C is added and pressurized to a circuit board and a wire bonding is applied to the circuit board. CONSTITUTION: The metalizing polyimide film and the flexible circuit board using the same have following features. A metal film of the polyimide film is selected from nickel, chrome or nickel alloy. A base metal thin film and a thin copper film are formed with a dry plating method. A thickness of the metal layer is 20 μm or less. The flexible circuit board is processed with a subtractive method or a semi-additive method by using the metalizing polyimide film.

Description

금속화 폴리이미드 필름, 및 그것을 이용한 플렉서블 배선판 {Metalized Polyimide Film and Flexible Printed Circuit Board Using the Same}Metallized Polyimide Film, and Flexible Wiring Board Using the Same {Metalized Polyimide Film and Flexible Printed Circuit Board Using the Same}

본 발명은, 금속화 폴리이미드 필름, 및 그것을 이용한 플렉서블(flexible) 배선판에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, OLB(Outer lead bonding) 공정시의 신장율이 종래 제품의 50%로 저감되는 플렉서블 배선판을 얻을 수 있는 금속화 폴리이미드 필름, 및 그것을 이용한 플렉서블 배선판에 관한 것이다.  The present invention relates to a metallized polyimide film and a flexible wiring board using the same, and more particularly, to provide a flexible wiring board in which elongation at the time of an outer lead bonding (OLB) process is reduced to 50% of conventional products. A metallized polyimide film which can be used, and a flexible wiring board using the same.

전자 회로를 형성하고 이러한 전자 부품을 탑재하는 기판은, 딱딱한 판 모양의 "리짓트 배선판"과, 필름상으로 유연성이 있어 자유롭게 굽힐 수 있는 "플렉서블(flexible) 배선판"(이하, FPC로 칭하는 경우도 있다)이 있다. 그 중으로, FPC는 그것의 유연성을 살려 LCD 드라이버용 배선판, 하드 디스크 드라이브(HDD), 디지탈비디오디스크(DVD) 모듈, 휴대전화의 경첩부와 같이 굴곡성이 요구되는 부분에 사용할 수 있어서, 그 수요는 더욱 증가하고 있다.  The board | substrate which forms an electronic circuit and mounts such an electronic component is a rigid board-shaped "rigid wiring board", and the "flexible wiring board" which is flexible and can be bent freely in a film form (henceforth called an FPC). There is). Among them, FPC can be used for flexible parts such as LCD driver wiring boards, hard disk drives (HDD), digital video disk (DVD) modules, and hinges of mobile phones. It is increasing.

그런데, 이러한 플렉서블 배선판은, 폴리이미드 필름의 표면에 금속층이 형성된 기재를 이용하여 이 금속층을 섭트랙티브(Subtractive) 법 또는 세미-애디티브(Semi-additive) 법에 의해 가공하여 배선을 얻고 있다. 섭트랙티브 법으로 플렉서블 배선판을 제조하는 경우를 설명하면, 우선, 기재의 금속층 표면에 레지스터층을 마련하고 그 레지스터층 위에 소정의 배선 패턴을 가진 마스크를 마련하여 그 위로부터 자외선을 조사하여 노광, 현상하여 금속층을 에칭하기 위한 에칭 마스크를 얻고, 그런 다음, 노출해 있는 금속부를 에칭하여 제거한 후, 잔존하는 레지스터층을 제거, 세면하면, 배선의 리드 단자부 등에 소정의 도금이 얻어진다.By the way, such a flexible wiring board processes the metal layer by the subtractive method or the semi-additive method using the base material in which the metal layer was formed in the surface of the polyimide film, and obtains wiring. In the case of manufacturing the flexible wiring board by the subtractive method, first, a resist layer is formed on the surface of the metal layer of the substrate, and a mask having a predetermined wiring pattern is provided on the resist layer, and the ultraviolet rays are irradiated thereon to expose, After developing to obtain an etching mask for etching the metal layer, and then etching and removing the exposed metal part, the remaining resist layer is removed and washed to obtain a predetermined plating on the lead terminal part of the wiring or the like.

세미-애디티브 법으로 제조하는 경우에는, 기재의 금속 표면에 레지스터층을 마련하고 그러한 레지스터층 위에 소정의 배선 파타를 가진 마스크를 마련하여 그 위로부터 자외선을 조사하여 노광, 현상하여 금속층 표면에 동을 입히기 위한 도금용 마스크를 얻고, 개구부에 노출해 있는 금속층을 음극으로서 전기 도금하여 배선부를 형성한 다음, 레지스터층을 제거하고, 소프트 에칭하여 배선부 이외의 전기기재 표면의 금속층을 제거하여 배선부를 완성시켜, 세면하면, 배선의 리드 단자부 등에 소정의 도금이 얻어진다.In the case of manufacturing by the semi-additive process, a resist layer is provided on the metal surface of a base material, the mask which has a predetermined wiring patter is provided on such a resist layer, an ultraviolet-ray is irradiated on it, it is exposed and developed, and it To obtain a plating mask for coating a film, and electroplating the metal layer exposed to the opening as a cathode to form a wiring portion, and then removing the resistor layer and soft etching to remove the metal layer on the surface of the electrical substrate other than the wiring portion. When it completes and washes, predetermined plating is obtained in the lead terminal part of wiring.

현재, 액정 디스플레이(이하, LCD로 칭하는 경우도 있다), 휴대전화, 디지털 카메라 및 여러 전기 기기는, 얇은 틀, 소형, 경량화, 저비용화가 요구되고 있어서, 그것들에 탑재되는 전자 부품에도 당연히 소형화로의 흐름이 진행되고 있다. 그 결과, 이용되는 플렉서블 배선판의 배선 피치는 25 ㎛ 이하가 요구되고 있다.Currently, liquid crystal displays (hereinafter sometimes referred to as LCDs), cellular phones, digital cameras, and various electric devices are required to be thin, small, lightweight, and low in cost, and of course, the electronic components mounted thereon are also required to be miniaturized. The flow is going on. As a result, the wiring pitch of the flexible wiring board used is required to be 25 µm or less.

이러한 요구에 대응할 수 있도록, 배선 피치가 25 ㎛의 플렉서블 배선판을 얻으려면, 섭트랙티브 법으로 배선을 얻는 경우, 배선 제작시의 사이드 에칭에 의한 영향을 없게 하여, 그 단면이 구형 형상의 양호한 배선을 얻기 위해서는, 기재에 설치되어 있는 전기 금속층의 두께를 20 ㎛ 이하로 해야 한다. 물론, 세미-애디티브 법으로 배선을 얻으려면, 전기 금속층의 두께는 수 ㎛로 해야 한다. In order to cope with such a demand, in order to obtain a flexible wiring board having a wiring pitch of 25 µm, when the wiring is obtained by the subtractive method, the wiring is not affected by side etching at the time of wiring fabrication, and its cross section is good wiring having a spherical shape. In order to obtain, the thickness of the electrometal layer provided on the substrate must be 20 μm or less. Of course, in order to obtain wiring by the semi-additive method, the thickness of the electric metal layer should be several μm.

이러한 기재를 얻는 방법으로서 절연성 수지 필름 표면에 건식 도금법으로 금속 박막을 얻고, 그 위에 건식 도금법으로 동박막을 얻은 후, 그 위에 습식 도금법에 의해 동막을 마련하여 금속층을 얻는 방법이 추천되고 있다. 그렇다고 하는 것은, 이러한 기재가, 모든 구성막을 도금법으로 얻기 위해, 금속층의 두께를 임의로 제어할 수 있기 때문이다.As a method of obtaining such a base material, the method of obtaining a metal thin film on the surface of an insulating resin film by the dry plating method, obtaining a copper thin film by the dry plating method, and providing a metal layer by the wet plating method on it is recommended. This is because such a base material can arbitrarily control the thickness of a metal layer in order to obtain all the constituent films by the plating method.

또한, 배선의 파인 피치화와 함께, 금속층과 절연성 필름의 밀착성 향상도 요구되고 있다. 이것은, 예를 들어, 플렉서블 배선판에 반도체 소자를 실장할 때, 반도체 소자 표면의 전극과 배선의 이너 리드부를 와이어 본딩 하지만, 이 때의 택트 타임을 짧게 하기 위해, 높은 온도로 압력을 가하여 와이어 본딩을 하기 때문이다.Moreover, along with fine pitch of wiring, the improvement of the adhesiveness of a metal layer and an insulating film is also calculated | required. For example, when the semiconductor element is mounted on a flexible wiring board, wire bonding of the electrode on the surface of the semiconductor element and the inner lead portion of the wiring is performed. However, in order to shorten the tact time at this time, the wire bonding is performed by applying a pressure at a high temperature. Because.

LCD에서는, 배선의 파인 피치화에 의해, LCD의 유리 기판과 COF(Chip on Film)의 접속의 OLB(Outer lead bonding) 공정시에, ACF(이방성 도전 필름 Anisotropic Conductive Film) 접합이 이용되고 있다. ACF는 열강화성 수지에 금속 미립자를 혼합한 필름이며, OLB를 하는 부위에서는, LCD의 유리 기판과 COF로 가열 및 가압되는 것으로, ACF 내의 금속 미립자가 접촉하여 겹쳐져서, 가압 방향으로만 도전성이 확보되는 한편, 유리 기판상의 배선간 및 COF상의 배선간에서 AFC의 절연성이 확보된다.In LCD, an anisotropic conductive film (ACF) bonding is used at the time of the outer lead bonding (OLB) process of the connection of a glass substrate of a LCD and a chip on film (COF) by fine pitch of wiring. ACF is a film in which metal fine particles are mixed with a thermosetting resin, and at the site of OLB, ACF is heated and pressurized by the glass substrate of the LCD and COF, and the metal fine particles in the ACF are contacted and overlapped to ensure conductivity only in the pressing direction. On the other hand, the insulation of the AFC is ensured between the wirings on the glass substrate and the wirings on the COF.

이러한 OLB(Outer lead bonding) 공정시, AFC는 150℃~200℃의 범위에 가열되어 1 MPa 이상의 압력으로 가압된다. 따라서, 이러한 조건 하에서, COF의 치수가 변화하면, 소정의 도전성, 절연성이 확보되지 못하므로, COF의 치수 안정성이 중요해진다.In the outer lead bonding (OLB) process, the AFC is heated to a range of 150 ° C to 200 ° C and pressurized to a pressure of 1 MPa or more. Therefore, under such conditions, if the dimensions of the COF change, predetermined conductivity and insulation cannot be secured, so the dimensional stability of the COF becomes important.

그런데, 폴리이미드 필름과 그 표면에 설치된 금속층의 밀착 강도의 개선은 그러한 기재가 개발된 이래로 계속된 검토 과제이며, 이미 많은 시도가 이루어지고 있다.By the way, the improvement of the adhesive strength of a polyimide film and the metal layer provided in the surface is a subject of continuous examination since such a base material was developed, and many attempts are already made.

본 출원인은, 주성분으로서 피로메리트산 2무수화물(PMDA)과 4,4'-디아미노디페닐에테르(ODA)을 포함하거나, 또는, 주성분으로서 피로메리트산 2무수화물(PMDA)과 4,4'-디아미노디페닐에테르(ODA)로 이루어진 성분과 비페닐테트라카르본산 2무수화물(BPDA)과 4,4'-디아미노디페닐에테르(ODA)로 이루어진 성분을 포함하는 폴리이미드 필름을 이용하여 이러한 폴리이미드 필름 표면을 플라스마 처리, 코로나 방전 또는 습식 처리에 의해 개질하여 상기 표면에 친수성 관능기를 도입하고, 이러한 개질층의 두께를 200Å 이하로 하며, 그 위에 스퍼터링법에 의해, 적어도 니켈, 크롬, 및 이러한 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속으로 배정층을 제작하고, 그 위에 도금법에 의해 두께 8 ㎛의 동층을 마련하는 것으로, 2층 도금 동 폴리이미드 기판을 제조하는 방법을 제안하고 있다(특허 문헌 1, 제1쪽 및 제2쪽 참조).The present applicant includes pyromellitic dianhydride (PMDA) and 4,4'-diaminodiphenyl ether (ODA) as main components, or pyromellitic dianhydride (PMDA) and 4,4 as main components. Using a polyimide film comprising a component consisting of '-diaminodiphenyl ether (ODA), a component consisting of biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and 4,4'-diaminodiphenylether (ODA) The surface of such a polyimide film is modified by plasma treatment, corona discharge or wet treatment to introduce hydrophilic functional groups on the surface, and the thickness of the modified layer is 200 kPa or less, and at least nickel and chromium are sputtered thereon. And a method for producing a two-layer plated copper polyimide substrate by producing a layer of a metal selected from the group consisting of these alloys, and providing a copper layer having a thickness of 8 μm by the plating method thereon. It has been proposed (see Patent Document 1, the first side and second side).

이 방법에 의해 얻어진 기재의 폴리이미드 표면과 금속층의 초기 밀착 강도는, 150℃로 대기중에 168 시간 방치한 후, 및 121℃, 습도 95%, 2 기압에서 100 시간의 PCT 테스트 후의 밀착 강도가 모두 400 N/m이상으로 뛰어나다(특허 문헌 1, 제5쪽 참조).The initial adhesion strength of the polyimide surface of the base material obtained by this method and the metal layer was left at 150 ° C. for 168 hours in the air, and the adhesion strength after 100 hours of PCT testing at 121 ° C., 95% humidity, and 2 atmospheres was all. It is excellent at 400 N / m or more (refer patent document 1, 5th page).

또한, 치수 안정성이 뛰어나 파인 피치 회로용 기판, 특히, 필름 폭방향으로 좁은 피치로 배선되는 COF(Chip on Film)용으로 매우 적합한 폴리이미드 필름 및 그것을 기재로 한 동장 적층체가 제안되고 있다(특허 문헌 2). 여기에서는, 디아민 성분에 4,4'-디아미노벤즈아니리드를 특정량 이상 사용하는 것, 치수 안정성의 관점에서 폴리이미드 필름의 열팽창 계수를 규정하여, 열팽창 계수를 금속의 열팽창 계수에 갖추는 것이 바람직한 것으로 기재되어 있다. 금속화 폴리이미드 필름을 이용한 회로 기판에서는 치수 안정성 뿐만 아니라 밀착 강도도 요구된다. 그렇지만, 특허 문헌 2에는 밀착 강도에 대한 기재가 없고, 금속화 폴리이미드 필름이 치수 안정성과 밀착성을 양립할 수 있는 것이라고는 할 수 없다.In addition, a polyimide film excellent in dimensional stability and particularly suitable for a fine pitch circuit board, particularly a COF (Chip on Film) wired at a narrow pitch in the film width direction, and a copper clad laminate based thereon have been proposed (patent document). 2). Here, it is preferable to use the 4,4'- diamino benzanilide more than a specific amount for a diamine component, and to define the thermal expansion coefficient of a polyimide film from a viewpoint of dimensional stability, and to provide a thermal expansion coefficient to the metal thermal expansion coefficient. It is described as. Circuit boards using metallized polyimide films require not only dimensional stability but also adhesion strength. However, there is no description about adhesive strength in patent document 2, and it cannot be said that a metallized polyimide film is compatible with dimensional stability and adhesiveness.

<선행 기술 문헌>Prior art literature

- 특허 문헌 1: 특개 2007-318177호 공보 (제1쪽, 제2쪽, 제5쪽 참조)-Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-318177 (see pages 1, 2, 5)

- 특허 문헌 2: 특개 2009-67859호 공보-Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-67859

본 발명의 목적은, 상기 종래기술의 문제점을 검토하고, OLB(Outer lead bonding) 공정시의 신장율이 종래 제품의 50%로 저감된 플렉서블 배선판을 얻을 수 있는 금속화 폴리이미드 필름, 및 그것을 이용한 플렉서블 배선판을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to examine the problems of the prior art, and a metallized polyimide film capable of obtaining a flexible wiring board having reduced elongation at the time of an outer lead bonding (OLB) process to 50% of a conventional product, and a flexible material using the same. It is to provide a wiring board.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 여러 가지로 검토한 결과, 막 두께가 35 ㎛ ~ 40 ㎛ 때, 열팽창 계수가 TD방향(폭방향)으로 3 ppm/℃ ~ 8 ppm/℃이며, MD방향(장방향)으로 9 ppm/℃ ~ 15 ppm/℃인 특정한 금속화 폴리이미드 필름을 이용하면, 초기 밀착 강도가 600 N/m이상을 가져, OLB 공정시 종래 제품의 50%로 신장율을 저감할 수 있는 회로 기판을 얻을 수 있다는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors examined in order to solve the said subject, When the film thickness is 35 micrometers-40 micrometers, a thermal expansion coefficient is 3 ppm / degreeC-8 ppm / degree in the TD direction (width direction), MD direction When using a specific metallized polyimide film having 9 ppm / ° C to 15 ppm / ° C in the (longitudinal direction), the initial adhesion strength is 600 N / m or more, and the elongation can be reduced to 50% of conventional products during the OLB process. It has been found that a circuit board can be obtained, and the present invention has been completed.

즉, 본 발명의 제 1 발명에 의하면, 도금법에 의해 폴리이미드 필름의 표면에 직접 금속막이 형성된 금속화 폴리이미드 필름이며, 상기 폴리이미드 필름은, 막 두께가 35 ㎛ ~ 40 ㎛일 때, 흡수율(吸水率)이 1 질량% ~ 3 질량%이며, 열팽창 계수가 TD방향(폭방향)으로 3 ppm/℃ ~ 8 ppm/℃이고 MD방향(장방향)으로 9 ppm/℃ ~ 15 ppm/℃인 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름이 제공된다. That is, according to the 1st invention of this invention, it is a metallized polyimide film in which the metal film was formed directly on the surface of the polyimide film by the plating method, and when the film thickness is 35 micrometers-40 micrometers,吸水 率) is 1% by mass to 3% by mass, and the coefficient of thermal expansion is 3 ppm / 占 폚 to 8 ppm / 占 폚 in the TD direction (width direction) and 9 ppm / 占 폚 to 15 ppm / 占 폚 in the MD direction (long direction). Provided is a metallized polyimide film characterized by the above-mentioned.

본 발명의 제 2 발명에 의하면, 제 1 발명에 있어서, 상기 폴리이미드 필름의 습도 팽창 계수는, TD방향(폭방향)이 7 ppm/%HR ~ 13 ppm/%HR이고 MD방향(장방향)이 12 ppm/%HR ~ 15 ppm/%HR인 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름이 제공된다. 본 발명의 제 3 발명에 의하면, 제 1 발명 또는 제 2 발명에 있어서, 상기 폴리이미드 필름은, 비페닐테트라카르본산과 디아민 화합물에 의한 이미드 결합을 폴리이미드 분자중에 포함하고 있고, 그 표면의 TD방향(폭방향)을 박막 X선회절 측정(Cu Kα 입사각=0.1°)하였을 때, 2θ = 12°~ 18°, 2θ = 26°~ 32°, 2θ = 42°~ 48°의 각 범위에서 반값폭이 1.5°이하의 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름이 제공된다. According to the second invention of the present invention, in the first invention, the humidity expansion coefficient of the polyimide film is 7 ppm /% HR to 13 ppm /% HR in the TD direction (width direction) and the MD direction (long direction). A metallized polyimide film is provided, which is 12 ppm /% HR to 15 ppm /% HR. According to the 3rd invention of this invention, in the 1st invention or 2nd invention, the said polyimide film contains the imide bond by biphenyl tetracarboxylic acid and a diamine compound in a polyimide molecule, When X-ray diffraction measurement (Cu Kα incidence angle = 0.1 °) in the TD direction (width direction), 2θ = 12 ° to 18 °, 2θ = 26 ° to 32 °, 2θ = 42 ° to 48 ° A metallized polyimide film is provided, wherein the half width has a peak of 1.5 degrees or less.

본 발명의 제 4 발명에 의하면, 제 3 발명에 있어서, 상기 금속막은, 니켈, 크롬, 또는 니켈 합금으로부터 선택되는 적어도 1종으로 이루어진 기저 금속 박막과 상기 기저 금속 박막 위에 형성된 동층으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름이 제공된다. According to the 4th invention of this invention, in the 3rd invention, the said metal film is comprised from the base metal thin film which consists of at least 1 sort (s) chosen from nickel, chromium, or nickel alloy, and the copper layer formed on the base metal thin film. Characterized by a metallized polyimide film is provided.

본 발명의 제 5 발명에 의하면, 제 4 발명에 있어서, 상기 동층은 동박막인 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름이 제공된다. According to 5th invention of this invention, in 4th invention, the said copper layer is a copper thin film, The metallized polyimide film is provided.

본 발명의 제 6 발명에 의하면, 제 4 발명에 있어서, 상기 동층은 동박막의 표면에 한층 더 동막이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름이 제공된다. According to the sixth invention of the present invention, in the fourth invention, a metallized polyimide film is provided in which the copper layer is further laminated on the surface of the copper thin film.

본 발명의 제 7 발명에 의하면, 제 5 발명 또는 제 6 발명에 있어서, 상기 금속 박막과 동박막은 건식 도금법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름이 제공된다. According to the seventh invention of the present invention, in the fifth or sixth invention, the metallized polyimide film is provided, wherein the metal thin film and the copper thin film are formed by a dry plating method.

본 발명의 제 8 발명에 의하면, 제 6 발명 또는 제 7 발명에 있어서, 상기 동막은 습식 도금법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름이 제공된다. According to the 8th invention of this invention, in the 6th invention or 7th invention, the said metal film is provided by the wet plating method, The metallized polyimide film is provided.

본 발명의 제 9 발명에 의하면, 제 1~8 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 금속막의 두께가 20 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름이 제공된다. 본 발명의 제 10 발명에 의하면, 폴리이미드 필름의 표면에 금속막의 배선 패턴이 형성되어 있는 플렉서블 배선판이며, 상기 폴리이미드 필름은, 비페닐테트라카르본산과 디아민 화합물에 의한 이미드 결합을 폴리이미드 분자중에 포함하고 있고, 그 표면의 TD방향을 박막 X선회절 측정(Cu Kα 입사각=0.1°)하였을 때, 2θ = 12°~ 18°, 2θ = 26°~ 32°, 2θ = 42°~ 48°의 각 범위에서 반값폭이 1.5°이하의 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 배선판이 제공된다. According to the 9th invention of this invention, the metallized polyimide film in any one of 1st-8th invention is provided with the thickness of the said metal film being 20 micrometers or less. According to the 10th invention of this invention, it is a flexible wiring board in which the wiring pattern of a metal film is formed in the surface of a polyimide film, The said polyimide film is a polyimide molecule which imide bond by biphenyl tetracarboxylic acid and a diamine compound. 2θ = 12 °-18 °, 2θ = 26 °-32 °, 2θ = 42 °-48 ° when the X-ray diffraction measurement (Cu Kα incidence angle = 0.1 °) of the TD direction of the surface thereof is included. A flexible wiring board is provided, wherein the half width has a peak of 1.5 degrees or less in each range.

본 발명의 제 11 발명에 의하면, 제 10 발명에 있어서, 상기 금속막은 니켈, 크롬, 또는 니켈 합금으로부터 선택되는 적어도 1종으로 이루어진 기저 금속 박막과 상기 기저 금속 박막 위에 형성된 동층으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플렉서블 배선판이 제공된다. According to the eleventh invention of the present invention, in the tenth invention, the metal film is composed of a base metal thin film made of at least one selected from nickel, chromium, or a nickel alloy and a copper layer formed on the base metal thin film. A flexible wiring board is provided.

본 발명의 제 12 발명에 의하면, 제 10 발명 또는 제 11 발명에 있어서, 상기 금속막은 두께가 20 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 플렉서블 배선판이 제공된다. According to the twelfth invention of the present invention, in the tenth or eleventh invention, a flexible wiring board is provided, wherein the metal film has a thickness of 20 µm or less.

본 발명의 제 13 발명에 의하면, 제 10~12 발명 중의 어느 하나에 있어서, 상기 금속막층을 에칭 제거하여 배선 가공 후의 필름 표면을 재현시켰을 때, 폴리이미드 필름의 표면의 TD방향을 박막 X선회절 측정(Cu Kα 입사각=0.1°)하면, 2θ = 12°~ 18°, 2θ = 26°~ 32°, 2θ = 42°~ 48°의 각 범위에서 반값폭이 1.5°이하의 피크가 존재하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 배선판이 제공된다. According to the thirteenth invention of the present invention, in any one of the tenth to twelfth inventions, a thin film X-ray diffraction is performed on the TD direction of the surface of the polyimide film when the metal film layer is etched and removed to reproduce the film surface after wiring processing. When measuring (Cu Kα incidence angle = 0.1 °), a peak having a half width of 1.5 ° or less exists in each range of 2θ = 12 ° to 18 °, 2θ = 26 ° to 32 °, 2θ = 42 ° to 48 °. A flexible wiring board is provided.

본 발명의 제 14 발명에 의하면, 제 1~9 발명 중 어느 하나에 따른 금속화 폴리이미드 필름을 사용하여 섭트랙티브(Subtractive) 법 또는 세미-애디티브(Semi-additive) 법에 의해 가공되는 플렉서블 배선판이 제공된다. According to the fourteenth invention of the present invention, the flexible metal is processed by the subtractive method or the semi-additive method using the metallized polyimide film according to any one of the first to ninth inventions. Wiring boards are provided.

본 발명의 금속화 폴리이미드 필름은, 막 두께가 35 ㎛~40 ㎛일 때, 열팽창 계수가, TD방향(폭방향)이 3 ppm/℃ ~ 8 ppm/℃이며 MD방향(장방향)이 9 ppm/℃ ~ 15 ppm/℃로 작기 때문에, OLB(Outer lead bonding) 공정시 신장율이 종래 제품의 50% 이하로 저감 가능하고, 초기 밀착 강도가 600 N/m 이상인 특성을 가져, 파인 피치의 배선부를 가진 플렉서블 배선판을 얻을 수 있다. 따라서, 이러한 금속화 폴리이미드 필름을 이용하는 것에 의해, 최근의 실장 작업에서 요구되는 높은 온도에서의 와이어 본딩 작업에 대해도 충분히 대응할 수가 있어 본 발명의 공업적 가치는 지극히 크다.When the metallized polyimide film of the present invention has a film thickness of 35 µm to 40 µm, the coefficient of thermal expansion is 3 ppm / ° C to 8 ppm / ° C in the TD direction (width direction) and 9 in the MD direction (long direction). As it is small at ppm / ℃ ~ 15 ppm / ℃, the elongation rate can be reduced to 50% or less of conventional products during OLB (Outer lead bonding) process, and the initial adhesion strength is 600 N / m or more, and the fine pitch wiring A flexible wiring board with negative parts can be obtained. Therefore, by using such a metallized polyimide film, it can fully respond to the wire bonding operation at the high temperature required by the recent mounting operation, and the industrial value of this invention is extremely large.

본 발명의 금속화 폴리이미드 필름은, 초기 밀착 강도 및 OLB 공정시 ACF 접합시의 신장율이 0.023 mm 이하의 뛰어난 회로 기판의 재료로서 사용된다. 본 발명의 금속화 폴리이미드 필름을 사용하여 미세 피치의 플렉서블 배선판을 만들면, 당해 배선판에 IC 실장시에 400℃ 이상의 온도로 가압하여 와이어 본딩을 실시해도, 리드가 폴리이미드 필름으로부터 벗겨지는 일이 없고, 플렉서블 배선판으로서 지극히 신뢰성의 높은 것을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명의 금속화 폴리이미드 필름은, 최근 요구되고 있는 플렉서블 배선판 제조용의 기재로서 지극히 유용하다.The metallized polyimide film of this invention is used as a material of the outstanding circuit board whose initial adhesive strength and the elongation rate at the time of ACF bonding at the time of an OLB process are 0.023 mm or less. When the flexible wiring board of fine pitch is made using the metallized polyimide film of this invention, even if it pressurizes the said wiring board at the temperature of 400 degreeC or more at the time of IC mounting, a lead does not peel from a polyimide film. As a flexible wiring board, an extremely high reliability can be obtained. Therefore, the metallized polyimide film of this invention is extremely useful as a base material for flexible wiring board manufacture currently calculated | required.

도 1은 본 발명의 실시예 1에서 이용한 폴리이미드 필름의 TD방향의 박막 X선회절의 차트이다.
도 2는 본 발명(실시예 1)의 COF중 금속층으로 덮이지 않고, 폴리이미드가 노출된 면에 대해 TD방향의 박막 X선회절을 실시하여 얻은 차트이다.
도 3은 본 발명의 금속화 폴리이미드 필름의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 금속화 폴리이미드 필름의 다른 구성을 나타내는 개략도이다. 1 is a chart of a thin film X-ray diffraction in the TD direction of the polyimide film used in Example 1 of the present invention.
FIG. 2 is a chart obtained by performing thin film X-ray diffraction in the TD direction on a surface of the present invention (Example 1) which is not covered with a metal layer in the COF and is exposed to polyimide. FIG.
3 is a schematic view showing the constitution of the metallized polyimide film of the present invention.
4 is a schematic view showing another configuration of the metallized polyimide film of the present invention.

이하, 본 발명의 금속화 폴리이미드 필름, 플렉서블 배선판 및 그러한 제조 방법에 대해, 도면을 이용하여 상세하게 설명한다.
EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the metallized polyimide film of this invention, a flexible wiring board, and such a manufacturing method are demonstrated in detail using drawing.

1. One. 금속화 폴리이미드 필름Metallized polyimide film

본 발명의 금속화 폴리이미드 필름은, 도금법에 의해 폴리이미드 필름의 표면에 직접 금속막이 형성된 금속화 폴리이미드 필름이며, 상기 폴리이미드 필름은, 막 두께가 35 ㎛ ~ 40 ㎛일 때, 흡수율이 1 질량%~3 질량%이며, 열팽창 계수가, TD방향(폭방향)으로 3 ppm/℃ ~ 8 ppm/℃, MD방향(장방향)으로 9 ppm/℃ ~ 15 ppm/℃인 것을 특징으로 한다. The metallized polyimide film of this invention is a metallized polyimide film in which the metal film was formed directly on the surface of the polyimide film by the plating method, and the said polyimide film has a water absorption of 1 when the film thickness is 35 micrometers-40 micrometers. It is mass%-3 mass%, and a thermal expansion coefficient is 3 ppm / degrees C-8 ppm / degree in the TD direction (width direction), and 9 ppm / degrees C-15 ppm / degree in the MD direction (long direction), It is characterized by the above-mentioned. .

본 발명의 금속화 폴리이미드 필름은, 이하에 상술하는 특정한 폴리이미드 필름의 표면에 직접, 즉 접착제를 개입시키는 일 없이 금속막이 형성된다. 금속막은 기저 금속 박막과 기저 금속 박막의 표면에 형성된 동층으로 구성된다. 동층은 동박막 또는 동박막과 동막으로 구성된다. 즉, 본 발명의 금속화 폴리이미드 필름은, 폴리이미드 필름(1)의 표면에 접착제를 개입시키는 일 없이 금속막이 형성된 적층체이며, 금속막은 기저 금속 박막(2)에 동층을 구성하는 동박막(3)에 동막(4)의 적층 구조(도 3 참조), 또는 기저 금속 박막(2)에 동층을 구성하는 동박막(3)의 적층 구조(도 4 참조)가 된다.
The metallized polyimide film of this invention forms a metal film directly on the surface of the specific polyimide film mentioned below directly, ie, without intervening an adhesive agent. The metal film is composed of a base metal thin film and a copper layer formed on the surface of the base metal thin film. The copper layer is composed of a copper thin film or a copper thin film and a copper film. That is, the metallized polyimide film of this invention is a laminated body in which the metal film was formed without making an adhesive pass through the surface of the polyimide film 1, and a metal film is the copper thin film which comprises the copper layer in the base metal thin film 2 ( 3) the laminated structure of the copper film 4 (refer FIG. 3), or the laminated structure of the copper thin film 3 which comprises the copper layer in the base metal thin film 2 (refer FIG. 4).

2. 2. 폴리이미드 필름Polyimide film

본 발명에 사용하는 폴리이미드 필름은 막 두께가 35 ㎛~40 ㎛일 때 흡수율이 1 질량%~3 질량%이다. The polyimide film used for this invention is 1 mass%-3 mass% when a film thickness is 35 micrometers-40 micrometers.

폴리이미드 필름의 표면에는, 기저 금속 박막과 동박막이, 건식 도금법으로 형성되어 그 후, 소정의 두께의 동막이 습식 도금법, 특히 전기 도금법으로 형성되는 경우, 동막내에는 전착응력으로서 인장 응력이 형성된다. 이러한 인장 응력이 금속막과 폴리이미드층의 박리의 원인이 된다.On the surface of the polyimide film, a base metal thin film and a copper thin film are formed by a dry plating method, and when a copper film having a predetermined thickness is formed by a wet plating method, in particular, an electroplating method, a tensile stress is formed in the copper film as electrodeposition stress. do. Such tensile stress causes peeling of the metal film and the polyimide layer.

습식 도금법으로 동막을 형성하려면, 폴리이미드 필름은 도금 욕에 침지된다. 폴리이미드 필름은 흡수성이 좋고, 도금 욕에 침지되면 물을 흡수하여 팽창한다. 또한, 도금 종료후는 가열 건조되기 때문에, 수축하여 도금 처리전 상태로 돌아온다. 따라서, 폴리이미드 필름의 흡수에 의한 팽창 속도가 적절하면, 적절히 팽창한 폴리이미드 필름의 표면에 동막을 완성시켜, 그 후에 가열 건조하는 것에 의해 폴리이미드 필름이 수축하여, 동막을 지연시킬 수가 있어서 동막내에 내부 응력으로서 잔류하는 인장 응력을 저감하는 것이 가능해진다.To form a copper film by the wet plating method, the polyimide film is immersed in the plating bath. The polyimide film has good absorbency and, when immersed in the plating bath, absorbs water and expands. In addition, after completion of plating, heat drying is performed, so that the film shrinks and returns to the state before plating. Therefore, if the expansion speed due to absorption of the polyimide film is appropriate, the copper film is completed on the surface of the polyimide film which has been properly expanded, and then heated and dried to shrink the polyimide film, thereby delaying the copper film. It is possible to reduce the tensile stress remaining as internal stress in the film.

또한, 본 발명에 있어서, 폴리이미드 필름의 흡수에 의한 팽창 속도와 함께, 흡수율에 대해서도 고려하는 것이 필요하다. 본 발명에서는, 흡수율이 1 ~ 3 질량%의 폴리이미드 필름을 이용하지만, 흡수율이 1 질량% 미만이 되면 흡수에 의한 폴리이미드 필름의 팽창량이 적게 되어, 본 발명의 목적이 달성되지 않는다. 흡수율이 3 질량%를 넘으면, 폴리이미드 필름의 흡수에 의한 팽창량이 너무 커져, 가열 건조했을 경우에 동층에 내부 응력으로서 압축 응력을 발생시켜, 충분한 초기 밀착 강도나 PCT 밀착 강도를 얻을 수 없는 경우가 있다.In addition, in this invention, it is necessary to consider also about a water absorption with the expansion rate by absorption of a polyimide film. In this invention, although the water absorption uses the polyimide film of 1-3 mass%, when the water absorption becomes less than 1 mass%, the amount of expansion of the polyimide film by absorption will become small, and the objective of this invention is not achieved. If the water absorption exceeds 3% by mass, the amount of expansion due to absorption of the polyimide film is too large, and when heated and dried, compressive stress is generated as internal stress in the copper layer, and sufficient initial adhesion strength and PCT adhesion strength may not be obtained. have.

그런데, 폴리이미드 필름이 상기한 것과 같은 흡수성을 가지는 이유는 이하와 같이 생각할 수 있다.By the way, the reason why a polyimide film has water absorption as mentioned above can be considered as follows.

일반적으로, 폴리이미드 필름은, 그것의 내열성과 성형 방법에 의해, 결정화하기 쉽다는 것이 알려져 있다. 결정화한 폴리이미드 필름에서는, 폴리이미드 분자가 정렬하여, 상기 분자와 분자의 사이를 수분이 출입하기 쉬워진다. 즉, 적절히 결정화한 폴리이미드에서는, 막 두께 35 ㎛ ~ 40 ㎛의 폴리이미드 필름을 이용하여, 흡수율을 1 ~ 3 질량%로 할 수 있다.Generally, it is known that a polyimide film is easy to crystallize by its heat resistance and the shaping | molding method. In the crystallized polyimide film, polyimide molecules align, and moisture easily enters and leaves between the molecule and the molecule. That is, in the polyimide which crystallized suitably, water absorption can be 1-3 mass% using the polyimide film of 35 micrometers-40 micrometers in thickness.

폴리이미드 필름이 결정화되는 지를 확인하기 위하여, 폴리이미드 필름 표면을 박막 X선회절 측정한다. 결정화하는 경우, 그것의 결정화도에 의해 다르지만, 통상 복수의 피크가 차트상으로 확인된다. 본 발명에서는, TD방향(폭방향)을 측정한 도 1에 나타낸 바와 같이, 2θ = 12°~ 18°, 2θ = 26°~ 32°, 2θ = 42°~ 48°의 각 범위에서 반값폭이 1.5°이하의 피크를 가지는 것이 바람직하다. 피크의 수는, 각각의 범위에 1개가 있으면 좋다. 그 정도로 결정화한 폴리이미드 필름이면, 본 발명과 관련된 적당한 흡수율이나 팽창 계수를 가지는 폴리이미드 필름이 되어, 결과적으로 금속화 폴리이미드 필름으로 가공하는 것으로, 소망한 밀착 강도와 COF의 치수 안정성을 확보할 수 있기 때문이다.In order to confirm that the polyimide film is crystallized, the surface of the polyimide film is measured by thin film X-ray diffraction. In the case of crystallization, a plurality of peaks are usually identified on a chart although the crystallinity varies. In the present invention, as shown in Fig. 1 in which the TD direction (width direction) is measured, the half-value width in each range of 2θ = 12 ° to 18 °, 2θ = 26 ° to 32 °, and 2θ = 42 ° to 48 ° It is preferable to have a peak of 1.5 degrees or less. The number of peaks should just be one in each range. If the polyimide film is crystallized to such an extent, it becomes a polyimide film having an appropriate absorption rate and an expansion coefficient according to the present invention, and as a result, it is processed into a metallized polyimide film, thereby securing desired adhesion strength and dimensional stability of COF. Because it can.

TD방향(폭방향)을 박막 X선회절 측정(Cu Kα 입사각=0.1°)하였을 때, 2θ = 12°~ 18°, 2θ = 26°~ 32°, 2θ = 42°~ 48°의 각 범위에서 반값폭이 1.5°이하의 피크When X-ray diffraction measurement (Cu Kα incidence angle = 0.1 °) in the TD direction (width direction), 2θ = 12 ° to 18 °, 2θ = 26 ° to 32 °, 2θ = 42 ° to 48 ° Peak with half value less than 1.5 °

또한, 본 발명에 사용하는 폴리이미드 필름에 대해, TD방향(폭방향)으로 박막 X선회절 측정(Cu Kα 입사각=0.1°)하면, 2θ = 11°이하의 위치에 반값폭이 1.5°이하의 피크가 없는 것이 바람직하다. 종래의 폴리이미드 필름은, 똑같이 측정하면, 2θ = 11°이하의 위치에 반값폭이 1.5°이하의 피크를 가지는 것이 있지만, 본 발명의 금속화 폴리이미드 필름에 이용하는 필름은, 필름 제막 공정에 있어서의 연신 기술을 개량하는 것에 의해 낮은 열팽창을 실현한 특징을 나타내고 있다. 구체적으로는, 종래와 동일한 원료를 사용하고, 원료의 배합 비율을 변화시켜 제막 공정시에 있어서 이방성을 발현시키는 것으로 연신 기술을 개량하며, 유리 전이 온도도 종래 제품의 Tg: 320°정도로부터 Tg: 350°정도에 상승시키는 것으로, TD방향(폭방향)의 열팽창 계수를 실리콘 및 유리에 가까운 3 ppm/℃ ~ 8 ppm/℃로 제어하면, TD방향(폭방향)을 박막 X선회절 측정(Cu Kα 입사각=0.1°)할 때, 2θ = 11°이하의 위치에 반값폭이 1.5°이하의 피크가 존재하지 않는 폴리이미드 필름이 된다.In addition, with respect to the polyimide film used in the present invention, when the thin film X-ray diffraction measurement (Cu Kα incident angle = 0.1 °) in the TD direction (width direction), the half width is 1.5 ° or less at a position of 2θ = 11 ° or less. It is preferable that there is no peak. The conventional polyimide film may have a peak value of 1.5 ° or less at a position of 2θ = 11 ° or less when measured in the same manner, but the film used for the metallized polyimide film of the present invention is a film forming step. The low thermal expansion is realized by improving the stretching technology. Specifically, the stretching technique is improved by using the same raw materials as in the prior art and changing the blending ratio of the raw materials to express anisotropy in the film forming step. The glass transition temperature is also Tg: about 320 ° from the conventional product. When the thermal expansion coefficient in the TD direction (width direction) is controlled to 3 ppm / ° C to 8 ppm / ° C close to silicon and glass by raising it to about 350 °, the TD direction (width direction) is measured by thin film X-ray diffraction (Cu When the angle of Kα incidence = 0.1 °), a peak of 1.5 ° or less in a half width is not present at a position of 2θ = 11 ° or less, resulting in a polyimide film.

이러한 폴리이미드 필름을 채용하는 것으로, 접합 공정의 가열에 의한 회로와 LSI, 또는 회로와 유리간 상호의 위치의 차이나 불균형을 억제할 수 있어서, 고정밀도의 접합을 가능하게 하고, 제품 비율의 향상에 공헌할 가능성이 높은 것이 된다. 종래 제품을 TD방향(폭방향)으로 박막 X선회절 측정(Cu Kα 입사각=0.1°)하면, 2θ = 11°이하의 위치에 반값폭이 1.5°이하의 피크를 가지는 것으로 인해, 배향에 의해 OLB 접합 공정에서의 신장율의 불균형이 크다는 문제가 있기 때문이다.By adopting such a polyimide film, the difference and the imbalance of the position of the circuit and LSI by the heating of a bonding process or mutually between a circuit and glass can be suppressed, high precision bonding is attained, and the improvement of product ratio is carried out. It is highly likely to contribute. When a thin film X-ray diffraction measurement (Cu Kα incidence angle = 0.1 °) of a conventional product is performed in the TD direction (width direction), the OLB is determined by the orientation because the half value width has a peak of 1.5 ° or less at a position of 2θ = 11 ° or less. It is because there exists a problem that the imbalance of elongation rate in a joining process is large.

폴리이미드 필름은, 표면에 직접 금속층이 형성되지만, 이 때, 금속층과 폴리이미드 필름의 열팽창 계수 차이가 크면 클수록, 본딩 와이어시의 고온 가열에 의해 폭이 좁은 배선부와 폴리이미드 필름의 접합면에 부하가 걸려, 벗겨지기 쉬워진다. 따라서, 이것을 피하기 위해서는, 이용하는 폴리이미드 필름의 열팽창 계수가, TD방향은 3 ppm/℃ ~ 8 ppm/℃이고 MD방향은 9 ppm/℃ ~ 15 ppm/℃로 할 필요가 있다. 이러한 범위로 하는 것에 의해, 폴리이미드 필름 표면에 직접 금속층을 마련할 경우, 본딩 와이어시의 고온 가열에 의해 폭의 좁은 배선부와 폴리이미드 필름의 접합면에 부하가 걸려도, 벗겨지기 어렵게 된다. In the polyimide film, a metal layer is formed directly on the surface. However, the larger the difference in thermal expansion coefficient between the metal layer and the polyimide film is, the larger the joint surface of the narrow wiring portion and the polyimide film is caused by high temperature heating at the time of bonding wire. A load is applied and it becomes easy to peel off. Therefore, in order to avoid this, it is necessary that the thermal expansion coefficient of the polyimide film to be used is 3 ppm / ° C to 8 ppm / ° C and the MD direction is 9 ppm / ° C to 15 ppm / ° C. By setting it as such a range, when providing a metal layer directly on the polyimide film surface, even if a load is applied to the junction surface of a narrow wiring part and a polyimide film by high temperature heating at the time of a bonding wire, it becomes difficult to peel off.

또한, 습도 팽창 계수는 TD방향이 7 ppm/%HR ~ 13 ppm/%HR이며 MD방향이 12 ppm/%HR ~ 15 ppm/%HR이다. 습도 팽창 계수가 이 범위에 있는 폴리이미드 필름이면, 금속화 폴리이미드 필름으로 가공하는 것으로, 소망하는 밀착 강도와 COF의 치수 안정성을 확보할 수 있기 때문이다.In addition, the humidity expansion coefficient is 7 ppm /% HR to 13 ppm /% HR in the TD direction and 12 ppm /% HR to 15 ppm /% HR in the MD direction. If the humidity expansion coefficient is a polyimide film in this range, it is because the desired adhesion strength and the dimensional stability of COF can be secured by processing into a metallized polyimide film.

본 발명에 이용하는 폴리이미드 필름은 상기 특성을 가지면 그 이외에 특별히 한정되는 것은 아니지만, 다음에 상술하도록, 비페닐테트라카르본산을 주성분으로 하는 폴리이미드 필름을 이용하는 것이 바람직하다. 비페닐테트라카르본산을 주성분으로 하는 폴리이미드 필름은 내열성, 치수 안정성이 뛰어나기 때문에 바람직하다. Although the polyimide film used for this invention will not be specifically limited if it has the said characteristic, but it is preferable to use the polyimide film which has a biphenyl tetracarboxylic acid as a main component so that it may mention later. The polyimide film containing biphenyltetracarboxylic acid as a main component is preferable because of its excellent heat resistance and dimensional stability.

본 발명에 이용하는 폴리이미드 필름의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 굴곡성의 확보나 금속막의 성막시의 수율을 고려하면, 25 ~ 50 ㎛이며, 25 ~ 45 ㎛인 것이 바람직하다.Although the thickness of the polyimide film used for this invention is not specifically limited, When it considers the securing of flexibility and the yield at the time of film-forming of a metal film, it is 25-50 micrometers, and it is preferable that it is 25-45 micrometers.

또한, 접동성, 열전도성 등 필름의 제반 특성을 개선할 목적으로, 필러가 첨가된 것을 이용할 수도 있다. 이 경우, 필러로서 바람직한 것은, 실리카, 산화 티탄, 알루미나, 질화 규소, 질화 붕소, 인산 수소 칼슘, 인산 칼슘, 운모 등을 들 수 있다.Moreover, what added the filler can also be used for the purpose of improving the general characteristics of a film, such as sliding property and heat conductivity. In this case, preferable examples of the filler include silica, titanium oxide, alumina, silicon nitride, boron nitride, calcium hydrogen phosphate, calcium phosphate, and mica.

필러의 입자 지름은, 개질해야 할 필름 특성과 첨가하는 필러의 종류에 따라 다르기 때문에, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 일반적으로는 평균 입경이 0.05 ~ 100 ㎛, 바람직하게는 0.1 ~ 75 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.1 ~ 50 ㎛, 특히 바람직하게는 0.1 ~ 25 ㎛이다. 입자 지름이 이 범위를 밑돌면 개질 효과가 나타나기 어려워지고, 이 범위를 웃돌면 표면 특성을 크게 해치거나 기계적 특성이 크게 저하되는 등의 우려가 있다.Since the particle diameter of the filler is different depending on the film properties to be modified and the type of filler to be added, the particle diameter is not particularly limited, but in general, the average particle diameter is 0.05 to 100 µm, preferably 0.1 to 75 µm, more preferably Is 0.1 to 50 µm, particularly preferably 0.1 to 25 µm. If the particle diameter falls below this range, the modifying effect is less likely to appear. If the particle diameter exceeds this range, there is a concern that the surface properties are greatly impaired or the mechanical properties are greatly reduced.

필러의 첨가량도, 개질해야 할 필름 특성이나 필러 입자 지름 등에 의해 결정되기 때문에 특별히 한정되는 것은 아니다. 일반적으로 필러의 첨가량은, 폴리이미드 100 중량부에 대해 0.01 ~ 100 중량부, 바람직하게는 0.01 ~ 90 중량부, 더욱 바람직하게는 0.02 ~ 80 중량부이다. 필러 첨가량이 이 범위를 밑돌면, 필러에 의한 개질 효과가 나타나기 어렵고, 이 범위를 웃돌면 필름의 기계적 특성이 크게 손상될 우려가 있다.Since the addition amount of a filler is also determined by the film characteristic to be modified, filler particle diameter, etc., it is not specifically limited. Generally, the addition amount of a filler is 0.01-100 weight part with respect to 100 weight part of polyimides, Preferably it is 0.01-90 weight part, More preferably, it is 0.02-80 weight part. If the amount of filler added is less than this range, the effect of modification by the filler is hardly exhibited, and if it is beyond this range, there is a possibility that the mechanical properties of the film will be largely impaired.

이러한 폴리이미드 필름의 예로서 예를 들어, 토오레/듀퐁 주식회사로부터 시판되고 있는 카프톤 150 EN-A(등록상표) 등을 들 수 있다.
As an example of such a polyimide film, Kafton 150 EN-A (trademark) etc. marketed from Toray / Dupont Corporation are mentioned, for example.

2. 2. 폴리이미드 필름의 제조 방법Manufacturing Method Of Polyimide Film

본 발명에서 이용하는 폴리이미드 필름은, 그 제조 방법에 따라 한정되는 것은 아니지만, 다음과 같이, 우선 전구체인 폴리아믹산을 제조하고, 다음으로 폴리이미드로 변환한 후, 필름화하는 방법을 예시할 수 있다.
Although the polyimide film used by this invention is not limited by the manufacturing method, First, the method of manufacturing a polyamic acid which is a precursor, converting it into a polyimide, and converting into a film can be illustrated as follows. .

(1) (One) 전구체인 폴리아믹산의 제조Preparation of Precursor Polyamic Acid

폴리아믹산을 얻으려면, 공지의 방법 및 그것들을 조합한 방법을 이용할 수 있다. 대표적인 중합 방법으로서 다음과 같은 (a) ~ (e) 방법을 들 수 있다. 즉,In order to obtain a polyamic acid, a well-known method and the method which combined them can be used. Representative polymerization methods include the following methods (a) to (e). In other words,

(a) 방향족 디아민을 유기극성 용매중에 용해하고, 여기에 같은 몰의 방향족 테트라카르본산 이무수물을 첨가하여 중합시킨다.(a) Aromatic diamine is dissolved in an organic polar solvent, and the same mole of aromatic tetracarboxylic dianhydride is added thereto and polymerized.

(b) 방향족 테트라카르본산 이무수물과 이것에 대해 많거나 적은 몰량의 방향족 디아민 화합물을 유기극성 용매중에서 반응시켜, 양말단에 산무수물기를 가진 프리폴리머를 얻는다. 계속하여, 최종적으로 방향족 테트라카르본산 이무수물과 방향족 디아민 화합물이 실질적으로 같은 몰이 되도록 방향족 디아민 화합물을 첨가하여 중합시킨다. (b) Aromatic tetracarboxylic dianhydride and a large or small molar amount of aromatic diamine compound are reacted in an organic polar solvent to obtain a prepolymer having an acid anhydride group at the sock end. Subsequently, an aromatic diamine compound is added and polymerized so that an aromatic tetracarboxylic dianhydride and an aromatic diamine compound may become substantially the same mole finally.

(c) 방향족 테트라카르본산 이무수물과 이것에 대해 과잉 몰량의 방향족 디아민 화합물을 유기극성 용매중에서 반응시켜, 양말단에 아미노기를 가지는 프리폴리머를 얻는다. 계속하여, 최종적으로 방향족 테트라카르본산 이무수물과 방향족 디아민 화합물이 실질적으로 등 몰이 되도록(듯이), 방향족 테트라카르본산 이무수물을 첨가하여 중합시킨다.(c) Aromatic tetracarboxylic dianhydride and an excess molar amount of aromatic diamine compound are reacted in an organic polar solvent, and the prepolymer which has an amino group in a sock end is obtained. Then, aromatic tetracarboxylic dianhydride is added and superposed | polymerized so that an aromatic tetracarboxylic dianhydride and an aromatic diamine compound may become substantially equimolar finally.

(d) 방향족 테트라카르본산 이무수물을 유기극성 용매중에 용해 및/또는 분산시킨 후, 실질적으로 같은 몰이 되도록 방향족 디아민 화합물을 첨가하여 중합시킨다.(d) After dissolving and / or dispersing the aromatic tetracarboxylic dianhydride in the organic polar solvent, the aromatic diamine compound is added and polymerized so as to be substantially the same mole.

(e) 실질적으로 같은 몰의 방향족 테트라카르본산 이무수물과 방향족 디아민의 혼합물을 유기극성 용매중에서 반응시켜 중합한다.(e) A mixture of substantially equal moles of aromatic tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine is polymerized by reacting in an organic polar solvent.

폴리아믹산을 얻기 위해서 이러한 (a) ~ (e)의 어느 방법을 이용해도 좋고, 부분적으로 조합하여 이용해도 좋다. 어느 방법으로 얻은 폴리아믹산도 본 발명에 이용하는 폴리이미드 필름의 원료로서 이용할 수 있다.In order to obtain polyamic acid, any of these methods (a) to (e) may be used, or may be used in combination in part. The polyamic acid obtained by either method can also be used as a raw material of the polyimide film used for this invention.

상기 산이수변물로는, 피로메리트산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르본산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르본산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르본산 이무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르본산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르본산 이무수물, 4,4'-옥시 프탈산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐) 프로판 이무수물, 3,4,9,10-페리렌테트라카르본산 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐) 프로판 이무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐) 에탄 이무수물, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐) 에탄 이무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐) 메탄 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐) 에탄 이무수물, 옥시디프탈산 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐) 술폰 이무수물, p-페닐렌 비스(트리멜리트산 모노에스테르 산무수물), 에틸렌 비스(트리멜리트산 모노에스테르 산무수물), 비스페놀 A비스(트리멜리트산 모노에스테르 산무수물), 및 그러한 유사물을 포함하며, 이들을 단독 또는, 임의의 비율의 혼합물을 바람직하게 사용할 수 있다.Examples of the acid anhydride include pyromellitic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 1,2, 5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 4,4 '-Oxyphthalic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 3,4,9,10-ferylenetetracarboxylic dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl ) Propane dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl ) Methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, oxydiphthalic dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, p-phenylene bis (trimelitic acid monoester) Acid Anhydrides), Ethylene Bis (Trimellitic Acid Monoester Acid) Sumul), can be preferably used a mixture of bisphenol A bis (trimellitic acid monoester acid anhydride), and includes such the like, alone or in combination thereof, any ratio.

이들 중에서도 특히 피로메리트산 이무수물 및/또는 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르본산 이무수물 및/또는 4,4'-옥시 프탈산 이무수물 및/또는 3,3'4,4'-비페닐테트라카르본산 이무수물의 사용이 바람직하고, 또, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르본산 이무수물을 함유하는 산 이무수물의 혼합물의 사용이 더욱 바람직하다.Among these, in particular pyromellitic dianhydride and / or 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride and / or 4,4'-oxy phthalic dianhydride and / or 3,3'4,4 The use of '-biphenyltetracarboxylic dianhydride is preferred, and the use of a mixture of acid dianhydrides containing 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride is more preferred.

상기 방향족 디아민 화합물로는, 4,4'-디아미노디페닐프로판, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 벤지딘, 3,3'-디클로로벤지딘, 3,3'-디메틸벤지딘, 2,2'-디메틸벤지딘, 3,3'-디메톡시벤지딘, 2,2'-디메톡시벤지딘, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-옥시디아닐린, 3,3'-옥시디아닐린, 3,4'-옥시디아닐린, 1,5-디아미노나프탈렌, 4,4'-디아미노디페닐디에틸실란, 4,4'-디아미노디페닐실란, 4,4'-디아미노디페닐에틸포스핀옥사이드, 4,4'-디아미노디페닐 N-메틸 아민, 4,4'-디아미노디페닐　N-페닐 아민, 1, 4-디아미노벤젠(p-페닐렌 디아민), 1, 3-디아미노벤젠, 1, 2-디아미노벤젠, 비스{4-(4-아미노 페녹시)페닐}술폰, 비스{4-(3-아미노 페녹시)페닐}술폰, 4,4'-비스(4-아미노 페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-아미노 페녹시)비페닐, 1,3-비스(3-아미노 페녹시) 벤젠, 1,3-비스(4-아미노 페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노 페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노 페녹시)벤젠, 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4-디아미노벤조페논 및 이들의 유사물 등을 들 수 있다. As said aromatic diamine compound, 4,4'- diamino diphenyl propane, 4,4'- diamino diphenylmethane, benzidine, 3,3'- dichlorobenzidine, 3,3'- dimethylbenzidine, 2,2 '-Dimethylbenzidine, 3,3'-dimethoxybenzidine, 2,2'-dimethoxybenzidine, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 4,4' -Diaminodiphenylsulfone, 4,4'-oxydianiline, 3,3'-oxydianiline, 3,4'-oxydianiline, 1,5-diaminonaphthalene, 4,4'-diaminodi Phenyldiethylsilane, 4,4'-diaminodiphenylsilane, 4,4'-diaminodiphenylethylphosphineoxide, 4,4'-diaminodiphenyl N-methyl amine, 4,4'-dia Minodiphenyl N-phenyl amine, 1, 4-diaminobenzene (p-phenylene diamine), 1, 3-diaminobenzene, 1, 2-diaminobenzene, bis {4- (4-amino phenoxy) Phenyl} sulfone, bis {4- (3-amino phenoxy) phenyl} sulfone, 4,4'-bis (4-amino phenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (3-amino phenoxy) biphenyl , 1,3-bis (3-aminophen Oxy) benzene, 1,3-bis (4-amino phenoxy) benzene, 1,3-bis (4-amino phenoxy) benzene, 1,3-bis (3-amino phenoxy) benzene, 3,3 ' -Diaminobenzophenone, 4,4-diaminobenzophenone, and the like and the like.

본 발명에 이용하는 폴리이미드 필름용의 폴리아믹산은, 상기의 범위 중에서 방향족산 테트라카르본산 이무수물과 방향족 디아민의 종류, 배합비를 선정하여 중합시키는 것으로 얻을 수 있다. The polyamic acid for the polyimide film used for this invention can be obtained by selecting and polymerizing the kind and compounding ratio of aromatic acid tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine in the said range.

폴리아믹산을 합성하기 위한 바람직한 용매로는, 폴리아믹산을 용해하는 용매이면 어떠한 것도 사용할 수 있지만, 아미드계 용매, 즉, N,N-디메틸 포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈 등이 바람직하고, N,N-디메틸 포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드가 특히 바람직하다.
As a preferable solvent for synthesizing the polyamic acid, any solvent can be used as long as it dissolves the polyamic acid, but an amide solvent, ie, N, N-dimethyl formamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl- 2-pyrrolidone and the like are preferable, and N, N-dimethyl formamide and N, N-dimethylacetamide are particularly preferable.

(2) (2) 폴리아믹산으로부터 폴리이미드의 변환 및 필름화Conversion and Filming of Polyimides from Polyamic Acids

앞에서 설명한 바로부터 얻을 수 있는 폴리아믹산을 포함한 유기 용액을 유리판, 알루미늄 박, 금속제 무한 벨트, 금속제 드럼 등의 지지체 상에 캐스팅하여 수지막을 얻는다. 이 때, 지지체 상에서 가열하는 것에 의해 부분적으로 경화 및/또는 건조시키지만, 이 때 열풍이나 원적외선 복사열을 주면 좋다. 또는, 지지체 그 자체를 가열해도 괜찮다. 또한, 열풍, 원적외선 방사열을 주는 수법과 지지체 그 자체를 가열하는 수법을 조합할 수도 있다.An organic solution containing polyamic acid obtained from the above is cast on a support such as a glass plate, an aluminum foil, a metal endless belt, a metal drum, or the like to obtain a resin film. At this time, it is partially cured and / or dried by heating on the support, but at this time, hot air or far-infrared radiation may be applied. Alternatively, the support itself may be heated. Moreover, the method of giving hot air, far-infrared radiant heat, and the method of heating the support body itself can also be combined.

가열에 의해 캐스팅된 수지막은, 자기 지지성이 있는 반경화 필름, 이른바 겔 필름이 되어, 지지체로부터 박리된다. 이 겔 필름은, 폴리아미드산으로부터 폴리이미드로의 경화의 중간 단계에 있다. 즉, 부분적으로 이미드화 되어 자기 지지성을 가지며, 용매 등의 잔류 휘발 성분을 가지는 것이다.The resin film cast by heating becomes a self-supporting semi-hardened film, a so-called gel film, and is peeled off from the support. This gel film is in the middle of curing from polyamic acid to polyimide. That is, it partially imidizes, has self-support, and has residual volatile components, such as a solvent.

다음으로, 상기 겔 필름을 가열하고 잔존하는 용매를 제거하기 위하여 건조시켜, 이것과 함께 경화(이미드화)를 완료시키지만, 건조 및 경화시의 겔 필름의 수축을 피하기 위하여, 겔 필름의 단부를 핀 또는 텐터 클립 등으로 텐터 프레임으로 고정한 상태에서 가열로로 반송하여, 200~400℃로 가열해 폴리이미드 필름을 얻는다.
Next, the gel film is heated and dried to remove the remaining solvent, thereby completing curing (imidization), but pin the end of the gel film to avoid shrinkage of the gel film during drying and curing. Or it conveys to a heating furnace in the state fixed with the tenter frame with the tenter clip, etc., and it heats at 200-400 degreeC, and obtains a polyimide film.

3. 3. 금속화 폴리이미드 필름과 그 제조 방법Metallized Polyimide Film and Manufacturing Method Thereof

본 발명의 금속화 폴리이미드 필름은, 앞에서 본 바와 같이 얻어진 특정한 폴리이미드 필름 표면에 직접, 즉, 접착제를 개입시키는 일 없이 금속막이 형성된다. The metallized polyimide film of this invention forms a metal film directly on the surface of the specific polyimide film obtained as mentioned above, ie, without intervening an adhesive agent.

금속막은, 도 3 및 4에 나타낸 바와 같이, 기저 금속 박막(2)로 기저 금속 박막(2)의 표면에 형성된 동박막(3), 또는 동박막(3)에 동층(4)로 구성된다. 즉, 본 발명의 금속화 폴리이미드 필름은, 폴리이미드 필름(1)의 표면에 접착제를 개입시키는 일 없이 금속막이 형성된 적층체이며, 금속막은 기저 금속 박막(2)에 동층을 구성하는 동박막(3)의 적층 구조, 또는 기저 금속 박막(2)에 동층을 구성하는 동박막(3)에 동층(4)의 적층 구조가 된다. 기저 금속 박막(2)에 대한 동박막(3)은 도금법으로 형성하는 것이 바람직하다. 후자에서는, 기저 금속 박막(2)에 동박막(3)을 형성한 후, 습식 도금법으로 소정의 두께의 동막(4)이 형성된다.
As shown in FIGS. 3 and 4, the metal film is composed of the copper metal film 3 formed on the surface of the base metal thin film 2 by the base metal thin film 2 or the copper thin film 3 as the copper layer 4. That is, the metallized polyimide film of this invention is a laminated body in which the metal film was formed without making an adhesive pass through the surface of the polyimide film 1, and a metal film is the copper thin film which comprises the copper layer in the base metal thin film 2 ( The laminated structure of 3) or the laminated structure of the copper layer 4 in the copper thin film 3 which comprises the copper layer in the base metal thin film 2 is used. It is preferable to form the copper thin film 3 with respect to the base metal thin film 2 by the plating method. In the latter case, after the copper thin film 3 is formed on the base metal thin film 2, the copper film 4 having a predetermined thickness is formed by a wet plating method.

(a) (a) 기저 금속 박막Base metal thin film

기저 금속 박막은, 폴리이미드 필름과 금속막의 밀착성이나 내열성 등의 신뢰성을 확보하기 위하여 설치되는 것이다. 따라서, 상기 기저 금속 박막의 재질은, 폴리이미드 필름과 동층의 밀착력을 높게 하기 위하여, 니켈, 크롬, 및 이들 합금 중에서 선택되는 어느 하나로 되어 있지만, 밀착 강도나 배선 형성시의 에칭하기 쉬운 니켈-크롬 합금으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 니켈-크롬 합금의 농도 구배를 형성하기 위하여, 크롬 농도가 다른 복수의 니켈-크롬 합금층으로 기저 금속 박막을 구성해도 좋다. 이러한 금속으로 구성하면, 금속화 폴리이미드 필름의 내식성, 이동 억제성이 향상되기 때문이다.A base metal thin film is provided in order to ensure reliability, such as adhesiveness and heat resistance of a polyimide film and a metal film. Therefore, the material of the base metal thin film is one selected from nickel, chromium and these alloys in order to increase the adhesion between the polyimide film and the same layer, but the nickel-chromium is easily etched at the time of adhesion strength or wiring formation. It is preferable to set it as an alloy. In addition, in order to form a concentration gradient of the nickel-chromium alloy, a base metal thin film may be composed of a plurality of nickel-chromium alloy layers having different chromium concentrations. When comprised with such a metal, it is because the corrosion resistance and the movement inhibitory property of a metallized polyimide film improve.

또한, 상기 기저 금속 박막의 내식성을 보다 높게 하기 위하여, 상기 금속에 바나듐, 티탄, 몰리브덴, 코발트 등을 첨가해도 좋다.In order to further increase the corrosion resistance of the base metal thin film, vanadium, titanium, molybdenum, cobalt or the like may be added to the metal.

또한, 건식 도금을 행하기 전에 폴리이미드 필름과 상기 기저 금속 박막의 밀착성을 개선하기 위하여, 폴리이미드 필름 표면을 코로나 방전이나 이온 조사 등으로 표면 처리를 실시한 후, 산소 가스 분위기하에서 자외선 조사 처리를 하면 바람직한 결과를 얻을 수 있다. 이러한 처리 조건은, 특별히 한정되는 것은 아니고, 통상의 금속화 폴리이미드 필름의 제조 방법에 적용되고 있는 조건으로도 좋다.In addition, in order to improve the adhesion between the polyimide film and the base metal thin film before performing dry plating, the surface of the polyimide film is subjected to surface treatment by corona discharge, ion irradiation or the like, and then subjected to ultraviolet irradiation treatment in an oxygen gas atmosphere. Desirable results can be obtained. These treatment conditions are not specifically limited, The conditions applied to the manufacturing method of a normal metallized polyimide film may be sufficient.

상기 기저 금속 박막의 막 두께는 3~50 nm로 하는 것이 바람직하다. 3 nm 미만에서는, 상기 금속화 폴리이미드 필름의 금속층을 에칭하여 배선을 형성할 때, 에칭액이 상기 기저 금속 박막을 침식시켜 폴리이미드 필름과 상기 기저 금속 박막 사이에 스며들어 배선이 떠 버리는 경우가 있으므로 바람직하지 않다. 한편, 50 nm를 넘으면, 에칭하여 배선을 형성하는 경우에, 기저 금속 박막이 완전하게 제거되지 않고 찌꺼기로 배선 사이에 남아, 배선 간의 절연 불량을 발생시킬 우려가 높아진다.It is preferable that the film thickness of the said base metal thin film shall be 3-50 nm. If the thickness is less than 3 nm, when the metal layer of the metallized polyimide film is etched to form a wiring, the etching liquid may erode the base metal thin film, soaking between the polyimide film and the base metal thin film and causing the wiring to float. Not desirable On the other hand, when it exceeds 50 nm, when etching and forming a wiring, the base metal thin film is not completely removed but remains between the wirings as residues, and there is a high possibility of causing insulation failure between the wirings.

상기 기저 금속 박막은 건식 도금법으로 성막하는 것이 바람직하다. 건식 도금법에는, 스퍼터링법, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 도금법, 클러스터 이온 빔법, 진공 증착법, CVD법 등이 있으며, 어느 것을 이용해도 좋지만, 공업적으로는 마그네트론 스팩터법이 이용된다. 생산 효율이 높기 때문이다.
The base metal thin film is preferably formed by a dry plating method. The dry plating method includes a sputtering method, a magnetron sputtering method, an ion plating method, a cluster ion beam method, a vacuum deposition method, a CVD method, and the like. Any of these may be used, but a magnetron sputtering method is industrially used. This is because the production efficiency is high.

(b) (b) 동박막Copper foil

본 발명에 있어서, 기저 금속 박막에 적층되는 동박막은, 건식 도금법으로 얻은 것이 바람직하다. 사용하는 건식 도금법으로는, 상기에서 설명한 스퍼터링법, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 도금법, 클러스터 이온 빔법, 진공 증착법, CVD법 등을 모두 이용할 수 있다. 상기 금속 박막을 마크네트론 스퍼터링법으로 성막한 후, 상기 동박막을 증착법으로 형성하는 것도 가능하다. 즉, 상기 금속 박막과 동박막은 같은 방법으로 건식 도금해도 좋고, 다른 건식 도금으로 형성해도 좋다.In the present invention, the copper thin film laminated on the base metal thin film is preferably obtained by dry plating. As the dry plating method to be used, all of the above-mentioned sputtering method, magnetron sputtering method, ion plating method, cluster ion beam method, vacuum vapor deposition method, CVD method, etc. can be used. It is also possible to form the said copper thin film by the vapor deposition method after depositing the said metal thin film by the macronet sputtering method. That is, the said metal thin film and copper thin film may be dry-plated by the same method, and may be formed by other dry plating.

상기 동박막을 형성하는 이유는, 상기 금속 박막 위에 상기 동층을 전기 도금법에 의해 직접 형성하면, 통전 저항이 높고, 전기 도금의 전류 밀도가 불안정하게 되기 때문이다. 상기 동박막을 형성하는 것으로, 통전 저항을 내려 전기 도금시의 전류 밀도의 안정화를 꾀할 수 있다. 이러한 동박막의 두께는 10 nm ~ 1 ㎛로 할 수 있고, 20 nm ~ 0.8 ㎛로 하는 것이 바람직하다. 이보다 얇으면 전기 도금시의 통전 저항을 충분히 내리지 못하고, 너무 두꺼우면 시간이 너무 걸려 생산성을 악화시켜, 경제성을 해치기 때문이다.
The reason for forming the copper thin film is that when the copper layer is directly formed on the metal thin film by an electroplating method, the current carrying resistance is high and the current density of the electroplating becomes unstable. By forming the said copper thin film, current supply resistance can be lowered and stabilization of the current density at the time of electroplating can be aimed at. The thickness of such a copper thin film can be 10 nm-1 micrometer, and it is preferable to set it as 20 nm-0.8 micrometer. It is because when it is thinner than this, it will not fully reduce the electricity supply resistance at the time of electroplating, and when too thick, it will take too much time and worsen productivity and impair economy.

(c) (c) 동막Copper curtain

본 발명의 금속화 폴리이미드 필름에서는, 동박막 위에 필요에 따라 동막이 형성된다. 동막의 필요성은 플렉서블 배선판의 제조 공정에 의해 적당히 결정된다. In the metallized polyimide film of this invention, a copper film is formed on a copper foil film as needed. The necessity of a copper film is suitably determined by the manufacturing process of a flexible wiring board.

상기 동막의 두께는, 1.0~20.0 ㎛로 하는 것이 바람직하다. 1.0 ㎛ 미만이면, 배선을 형성했을 때 충분한 도전성을 얻을 수 없는 경우가 있으며, 20 ㎛를 넘으면 동막의 내부 응력이 너무 커지기 때문이다.It is preferable that the thickness of the said copper film shall be 1.0-20.0 micrometers. If the thickness is less than 1.0 µm, sufficient conductivity may not be obtained when the wiring is formed. If the thickness exceeds 20 µm, the internal stress of the copper film becomes too large.

상기 동막은 습식 도금법으로 형성하는 것이 바람직하다. 건식 도금법에서는 소정의 두께까지 도금하려면 시간이 너무 걸려 생산성을 악화시켜 경제성을 해치기 때문이다. 습식 도금법으로는 전기 도금법과 무전해도금법이 있지만, 어느 것을 이용해도 좋고, 조합해 이용해도 좋지만, 전기 도금법이 간편하고 얻을 수 있는 동막이 치밀한 것이 되므로 바람직하다. 도금 조건은 공지의 조건으로 행해진다.It is preferable to form the said copper film by the wet plating method. This is because in the dry plating method, it takes too long to plate to a predetermined thickness, which deteriorates productivity and impairs economic efficiency. Although a wet plating method has an electroplating method and an electroless plating method, either may be used and may be used in combination, but since the electroplating method is easy and the copper film which can be obtained becomes dense, it is preferable. Plating conditions are performed on well-known conditions.

전기 도금법으로 동막을 형성하는 경우, 황산 욕을 이용하면 적당한 인장 응력을 가진 전착동막을 얻을 수 있으므로, 폴리이미드 필름의 팽창, 신축에 의한 내부 응력의 밸런스가 취하기 쉽기 때문에 보다 바람직하다.When forming a copper film by the electroplating method, since an electrodeposition copper film with moderate tensile stress can be obtained by using a sulfuric acid bath, since the balance of the internal stress by expansion and expansion of a polyimide film is easy to take, it is more preferable.

전기 도금법에 의해 동막을 얻는 경우, 당해 동막의 내부 응력은, 폴리이미드 필름이 건조하기 전 상태에서 5~30 MPa의 인장 응력인 것이 바람직하다. 5 MPa 미만이면, 폴리이미드 필름을 건조시켰을 때에 폴리이미드 필름 신축 효과가 너무 커지고, 30 MPa를 넘는 인장 응력이면, 폴리이미드 필름을 건조시켰을 경우의 폴리이미드 필름의 신축 효과가 너무 작아지기 때문이다.When obtaining a copper film by the electroplating method, it is preferable that the internal stress of the said copper film is the tensile stress of 5-30 Mpa in the state before a polyimide film dries. It is because when the polyimide film is less than 5 MPa, the polyimide film stretching effect becomes too large, and when the tensile stress exceeds 30 MPa, the stretching effect of the polyimide film when the polyimide film is dried becomes too small.

황산 욕에 의한 전기동도금은, 통상의 조건으로 수행하면 좋다. 도금 욕으로는, 일반적인 전기동도금에 사용되는 시판 황산구리 도금 욕을 이용할 수가 있다. 또한, 음극 전류 밀도는, 도금조의 평균 음극 전류 밀도를 1~3 A/dm2로 하는 것이 바람직하다. 음극 전류 밀도의 평균 음극 전류 밀도가 1 A/dm2 미만에서는, 제조된 동막의 경도가 높아져 접히고 휘는 특성을 확보하는 것이 곤란해지고, 제조된 금속화 폴리이미드 필름을 이용해 플렉서블 배선판을 얻어도, 플렉서블 배선판은 플렉서블 특성이 양호한 것이 되지 않기 때문이다. 한편, 평균 음극 전류 밀도가 3 A/dm2를 넘으면, 얻어진 동막내에서 발생하는 잔류 응력에 격차가 발생하기 때문이다.The electroplating with a sulfuric acid bath may be performed under normal conditions. As the plating bath, a commercially available copper sulfate plating bath used for general electroplating can be used. In addition, as for cathode current density, it is preferable to make average cathode current density of a plating bath into 1-3 A / dm <2> . When the average cathode current density of the cathode current density is less than 1 A / dm 2 , the hardness of the manufactured copper film becomes high, making it difficult to secure folding and bending characteristics, and even if a flexible wiring board is obtained using the manufactured metallized polyimide film, This is because the flexible wiring board does not have good flexible characteristics. On the other hand, when the average cathode current density exceeds 3 A / dm 2 , a difference occurs in the residual stress generated in the obtained copper film.

황산 욕을 이용한 전기동도금 장치는, 건식 도금 공정과 마찬가지로, 롤 상의 폴리이미드 필름을, 전기동도금 장치 입구에 설치한 권출기로부터 감기 시작해, 반송하면서 도금조를 차례차례 통과시켜 권취기로 감아 꺼내면서 행하는 롤-트-롤 방식의 전기 도금 장치를 이용하는 것이 생산 효율을 올려 제조 비용을 저감하기 때문에 바람직하다. 이 경우, 필름의 반송 속도는, 50~150 m/h로 조정하는 것이 바람직하다. 반송 속도가 50 m/h 미만이면, 생산성이 너무 낮아지고, 150 m/h를 넘으면, 통전 전류량을 크게 해야 하므로 대규모의 전원 장치를 이용할 필요가 있어서, 설비가 고가로 되는 문제가 있다.The electroplating apparatus using a sulfuric acid bath performs winding similarly to a dry plating process, winding the polyimide film on a roll from the unwinder installed in the inlet of an electroplating apparatus, and passing it through the plating tank one by one while conveying, and winding it out by a winder. It is preferable to use a roll-to-roll electroplating apparatus because it increases production efficiency and reduces manufacturing cost. In this case, it is preferable to adjust the conveyance speed of a film to 50-150 m / h. If the conveyance speed is less than 50 m / h, the productivity is too low, and if it exceeds 150 m / h, the amount of energizing current must be increased, so that a large-scale power supply device must be used, and the equipment becomes expensive.

이와 같이 해서 얻어진 본 발명의 금속화 폴리이미드 필름은,　JPCA　BM01-11.5.3(B법)(박리 시험)에 기반한 평가에서, 초기 밀착 강도가 600 N/m이상이 되어, OLB 공정시 ACF 접합시의 신장율이 0.023 mm이하로서 종래 제품의 50%의 신장율을 저감시키는 기능을 가지는 회로 기판과 그것을 이용해 얻은 플렉서블 배선판이 된다.
The metallized polyimide film of the present invention thus obtained has an initial adhesion strength of 600 N / m or more in evaluation based on JPCA BM01-11.5.3 (B method) (peeling test), and ACF bonding during the OLB process. The elongation rate at the time of 0.023 mm or less becomes a circuit board which has a function of reducing 50% elongation rate of a conventional product, and the flexible wiring board obtained using it.

4. 4. 플렉서블 배선판과 그 제조 방법Flexible wiring board and its manufacturing method

본 발명의 플렉서블 배선판은, 본 발명의 금속화 폴리이미드 필름을 이용하여 서브트랙티브 법 또는 세미-애디티브 법으로 가공해 얻은 것이다.The flexible wiring board of this invention is obtained by processing by the subtractive method or the semi-additive method using the metallized polyimide film of this invention.

상기 금속막은, 니켈, 크롬, 또는 이러한 합금으로부터 선택되는 적어도 1종으로 이루어진 금속 박막과 상기 금속 박막 위에 형성된 동박막과 또한 그 위에 더 형성된 동층의 3층으로 구성되어 있어서, 상기 금속막은 두께가 20 ㎛ 이하이다. The metal film is composed of a metal thin film made of at least one selected from nickel, chromium, or an alloy thereof, a copper thin film formed on the metal thin film, and three layers of a copper layer further formed thereon, wherein the metal film has a thickness of 20 It is micrometer or less.

또한, 전기 금속막층을 에칭 제거하여, 배선 가공 후의 필름 표면을 재현시켰을 때, 폴리이미드 필름의 표면의 TD방향을 박막 X선회절 측정(Cu　Kα　입사각=0.1°)하면, 도 2에 나타낸 바와 같이, 2θ = 12°~ 18°, 2θ = 26°~ 32°, 2θ = 42°~ 48°에서 반값폭이 1.5°이하의 피크가 존재한다. 피크의 수는, 각각의 범위에 1이상 존재하면 좋다. 여기서, 2θ = 12°~ 18°, 2θ = 26°~ 32°, 2θ = 42°~ 48°의 피크는, 금속화 폴리이미드 필름의 원료인 길이가 긴 폴리이미드 필름의 피크와 합치한다.In addition, when the electrical metal film layer was etched away and the film surface after wiring processing was reproduced, when the TD direction of the surface of the polyimide film was measured by thin film X-ray diffraction (Cu TKα 의 incidence angle = 0.1 °), as shown in FIG. At 2θ = 12 ° to 18 °, 2θ = 26 ° to 32 °, and 2θ = 42 ° to 48 °, there is a peak of less than 1.5 ° in half width. The number of peaks should just exist 1 or more in each range. Here, the peaks of 2θ = 12 ° to 18 °, 2θ = 26 ° to 32 °, and 2θ = 42 ° to 48 ° coincide with the peaks of the long polyimide film, which is a raw material of the metallized polyimide film.

또한, 폴리이미드 필름의 표면의 TD방향을 박막 X선회절 측정(Cu　Kα　입사각=0.1°)하면, 2θ = 11°이하의 위치에 반값폭이 1.5°이하의 피크가 없는 것이 바람직하다. 2θ = 11°이하의 위치에 반값폭이 1.5°이하의 피크를 가져, OLB 접합 공정에서의 신장율의 불균형이 커지는 문제가 있기 때문이다. In addition, when the TD direction of the surface of the polyimide film is measured by thin film X-ray diffraction (Cu Kα incident angle = 0.1 °), it is preferable that there is no peak having a half width of 1.5 ° or less at a position of 2θ = 11 ° or less. It is because there exists a problem that the half value width has a peak of 1.5 degrees or less in the position of 2 (theta) = 11 degrees or less, and the imbalance of the elongation rate in an OLB bonding process becomes large.

본 발명의 플렉서블 배선판의 제조 방법에 있어서, 배선 패턴은, 서브트랙티브 법 또는 세미애디티브 법으로 가공해 얻을 수 있다. In the manufacturing method of the flexible wiring board of this invention, a wiring pattern can be processed and obtained by the subtractive method or the semiadditive method.

예를 들어, 서브트랙티브 법으로 플렉서블 배선판을 제조하는 경우에는, 본 발명의 금속화 폴리이미드 필름의 금속막 표면에 레지스터층을 형성하고 그 위에 소정의 패턴을 가진 노광 마스크를 마련하여 그 위로부터 자외선을 조사해 노광하고, 현상하여 배선부를 얻기 위한 에칭 마스크를 얻는다. 그런 다음, 노출되어 있는 금속막을 에칭 제거하고, 잔존하는 에칭 마스크를 제거하고 수세하며, 필요한 곳에 소망한 도금을 행하여 본 발명의 플렉서블 배선판을 얻는다.For example, when manufacturing a flexible wiring board by the subtractive method, a resist layer is formed in the metal film surface of the metallized polyimide film of this invention, the exposure mask which has a predetermined | prescribed pattern is provided thereon, and from thereon Ultraviolet rays are irradiated, exposed, and developed to obtain an etching mask for obtaining wiring portions. Then, the exposed metal film is etched away, the remaining etching mask is removed, washed with water, and the desired plating is performed where necessary to obtain the flexible wiring board of the present invention.

또한, 예를 들어, 세미-애디티브 법으로 플렉서블 배선판을 제조하는 경우에는, 본 발명의 금속화 폴리이미드 필름의 금속막 표면에 레지스터층을 형성하고 그 위에 소정의 배선 패턴을 가진 마스크를 마련하여 자외선을 조사해 노광하고, 현상하여 배선이 개구부가 되는 도금 마스크를 얻고, 전기동도금법에 의해 개구부에 노출된 금속막 표면상에 동을 석출시켜 배선을 구성한 후 도금 마스크를 제거한다. 그런 다음, 소프트 에칭하여 배선 이외의 금속막을 제거해 배선의 절연성을 확보하고 수세하며, 필요한 곳에 소망한 도금을 행하여 본 발명의 플렉서블 배선판을 얻는다.In addition, for example, when manufacturing a flexible wiring board by a semi-additive process, a resist layer is formed on the metal film surface of the metallized polyimide film of this invention, and the mask which has a predetermined wiring pattern is provided on it, Ultraviolet rays are exposed and exposed, developed to obtain a plating mask in which the wiring is an opening, and copper is deposited on the surface of the metal film exposed to the opening by the electroplating method to form wiring, and then the plating mask is removed. Then, the metal film other than the wiring is removed by soft etching to secure the insulation of the wiring, washing with water, and plating desired where necessary to obtain the flexible wiring board of the present invention.

따라서, 본 발명의 플렉서블 배선판의 배선 구조는, 서브트랙티브 법 또는 세미애디티브 법의 어느 방법에 의해 제조하여도 무방하며, 폴리이미드 필름 표면에 금속 박막, 동박막, 동층으로 이루어진 금속막이 상기 순서로 적층된 구조가 되어 있다.Therefore, the wiring structure of the flexible wiring board of this invention may be manufactured by the method of any of the subtractive method or the semiadditive method, The metal film which consists of a metal thin film, a copper thin film, and a copper layer on the polyimide film surface is the said order. It is a laminated structure.

또한, 상기한 바와 같이, 세미-애디티브 법으로 플렉서블 배선판을 제조하려면, 금속화 폴리이미드 필름의 동층을 동박막 만으로 구성하는지, 동박막과 동막으로 할지는 적당 선택할 수 있다.
In addition, as mentioned above, in order to manufacture a flexible wiring board by a semi-additive method, it can select suitably whether the copper layer of a metallized polyimide film consists only of copper foil films, or it is made into copper foil films and copper films.

<실시예><Examples>

이하에서는, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명이 이러한 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 실시예로 이용한 박막 X선회절의 측정 조건, 밀착 강도의 측정 방법 등의 조건은 이하와 같다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited by these Examples. The conditions, such as the measurement conditions of the thin film X-ray diffraction used in the Example, the measuring method of adhesive strength, are as follows.

(1) 박막 X선회절 측정 조건: 회절 장치로서 (주) 리가크제 수평형 X선회절 장치　SmartLab를 사용해 TD방향에 입사각(ω)을 0.1°, 샘플링폭을 0.1°, 측정 각도 2θ를 2°~60°로 하여 주사 속도를 4°/분으로 측정하였다.(1) Thin film X-ray diffraction measurement conditions: As a diffraction apparatus, a horizontal X-ray diffractometer manufactured by Rigaku Co., Ltd. SmartLab was used.The incident angle (ω) was 0.1 ° in the TD direction, the sample width was 0.1 °, and the measurement angle 2θ was 2 °. The scan rate was measured at 4 ° / min with ˜60 °.

(2) 밀착 강도: 선폭 1 mm, 길이 50 mm의 배선 패턴을 서브트랙티브법으로 형성하고, 이를 사용하여 JPCA　BM01-11.5.3(B법)(박리 시험)에 정해진 바에 따라, 잡아당겨 벗기는 방식으로 구하였다.(2) Adhesion strength: A wiring pattern having a line width of 1 mm and a length of 50 mm is formed by a subtractive method, which is pulled and peeled off as specified in JPCA BM01-11.5.3 (Method B) (peel test). Obtained by the method.

(3) 흡수율: ASTM　D570에 정해진 바에 따라 20℃, 24 hr 침지법(Immergion)에 의해 구하였다.(3) Absorption rate: It calculated | required by 20 degreeC and 24-hr immersion method (Immergion) as prescribed in ASTM # D570.

(4) 열팽창 계수: TMA(열기계 분석) 장치를 이용하여 50℃~200℃의 범위에서 TD방향에 대해 인장법에 의해 구하였다.(4) Thermal expansion coefficient: It calculated | required by the tension method about the TD direction in 50-200 degreeC range using the TMA (thermomechanical analysis) apparatus.

(5) 습도 팽창 계수: 분위기 가스의 노점을 제어하여 습도를 컨트롤 할 수 있는 장치를 TMA(열기계 분석) 장치에 접속하고, 상대습도 20, 80%의 분위기하에서의 성장을 측정하여 습도 팽창 계수를 산출하였다.
(5) Humidity expansion coefficient: A device capable of controlling the dew point of the atmosphere gas to control the humidity is connected to a TMA (thermomechanical analysis) device, and the humidity expansion coefficient is measured by measuring the growth in an atmosphere of 20% and 80% relative humidity. Calculated.

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

우선, 흡수율이 1.8%, 열팽창 계수가 TD방향: 5 ppm/℃, MD방향: 11 ppm/℃로 하여, 도 1에 나타낸 박막 X선회절 결과로부터 알 수 있듯이, 2θ=14°, 29°, 44°에서 반가폭 1.0°이하의 피크를 볼 수 있는 두께 38 ㎛의 비페닐테트라카르본산을 주성분으로 하는 길이가 긴 폴리이미드 필름(토오레-듀퐁, 카프톤 150 EN-A)를 준비하였다. 이것의 습도 팽창 계수는 TD방향: 11 ppm/%HR, MD방향: 12 ppm/%HR이었다.First, as the absorption rate is 1.8%, the thermal expansion coefficient is TD direction: 5 ppm / 占 폚 and MD direction: 11 ppm / 占 폚, as can be seen from the thin film X-ray diffraction results shown in Fig. 1, 2θ = 14 °, 29 °, A long polyimide film (Tore-Dupont, Kafton 150 EN-A) containing a biphenyltetracarboxylic acid having a thickness of 38 µm having a peak width of less than 1.0 ° at 44 ° as a main component was prepared. Its humidity expansion coefficients were TD direction: 11 ppm /% HR and MD direction: 12 ppm /% HR.

이 폴리이미드 필름의 한 면에, 권출기, 스퍼터링 장치, 권취기로 구성된 스퍼터링 설비를 이용해 직류 스퍼터링법에 의해, 평균 두께 70Å의 7 질량% Cr의 크롬-니켈 합금층을 금속 박막으로서 형성하였다. 또한, 동일한 방법으로 금속 박막 위에 평균 두께 1000Å의 동박막을 형성하였다.On one surface of this polyimide film, a 7 mass% Cr chromium-nickel alloy layer having an average thickness of 70 kPa was formed as a metal thin film by a direct current sputtering method using a sputtering apparatus composed of an unwinder, a sputtering apparatus, and a winder. In the same manner, a copper thin film having an average thickness of 1000 kPa was formed on the metal thin film.

다음으로, 동박막 위에 전기동도금법에 의해, 두께 8 ㎛의 동막을 형성하여 금속화 폴리이미드 필름을 얻었다. 이용한 전기 도금 욕은, 동농도 23 g/l의 황산구리 도금 욕이며, 도금시의 욕 온도는 27℃로 하였다. 또한, 도금조는 복수의 도금조를 연결시킨 복수 구조로 하였으며, 권출기와 권취기에 의해 한 면에 금속막이 형성된 폴리이미드 필름을 연속적으로 각 조에 침지되도록 반송하면서 전기 도금을 행하였다. 반송 속도는 75 m/h로 하고, 도금조의 평균 음극 전류 밀도를 1.0~2.5 A/dm2로 조정하여 동도금을 행하였다.Next, the copper film with a thickness of 8 micrometers was formed on the copper thin film by the electrocopper plating method, and the metallized polyimide film was obtained. The electroplating bath used was a copper sulfate plating bath with a copper concentration of 23 g / l, and the bath temperature at the time of plating was 27 degreeC. Moreover, the plating tank was made into the multiple structure which connected several plating tank, and electroplating was carried out, conveying so that the polyimide film in which the metal film was formed in one surface by the unwinder and the winding machine was continuously immersed in each tank. The conveyance speed was 75 m / h, copper plating was performed by adjusting the average cathode current density of the plating bath to 1.0-2.5 A / dm 2 .

제조된 금속화 폴리이미드 필름의 초기 밀착 강도를 구하였는 바, 728 N/m이며, OLB 공정시의 ACF 접합시 신장율이 0.021 mm 이하로서, 종래 제품의 50%의 신장율을 저감하는 기능을 가진 회로 기판과 그것을 이용해 얻은 플렉서블 배선판이었다.The initial adhesion strength of the prepared metallized polyimide film was found to be 728 N / m, and the elongation at ACF bonding at the time of the OLB process was 0.021 mm or less, and a circuit board having a function of reducing the elongation of 50% of the conventional product was obtained. And the flexible wiring board obtained using it.

다음으로, 이 금속화 폴리이미드 필름을 사용해 배선 간격 35 ㎛, 전배선폭이 15000 ㎛의 COF(Chip　on　film)를 서브트랙티브법으로 만들었다. 서브트랙티브 공정에서는 염화 제2철 용액에 의해 에칭 처리하였다. 이것에 IC칩을 탑재하여, IC칩 표면의 전극과 배선의 리드부를 와이어 본딩 장치를 이용해 400℃에서 0.5초간의 본딩 처리 조건으로 와이어 본딩 하였다. 이 때, 이너 리드부에 생긴 리드와 폴리이미드 필름의 접합 불량의 비율은 0.0001%였다.
Next, using this metallized polyimide film, a COF (Chip on film) having a wiring spacing of 35 mu m and a total wiring width of 15000 mu m was made by a subtractive method. In the subtractive process, it etched with ferric chloride solution. The IC chip was mounted thereon, and the electrode on the IC chip surface and the lead portion of the wiring were wire bonded at 400 ° C. for 0.5 seconds using a wire bonding apparatus. At this time, the ratio of the bonding defect of the lead and polyimide film which generate | occur | produced in the inner lead part was 0.0001%.

<실시예 2><Example 2>

우선, 흡수율이 1.7%, 열팽창 계수가 TD방향: 5 ppm/℃, MD방향: 13 ppm/℃로 하여, 박막 X선회절 결과, 2θ=14°, 29°, 44°에서 반가폭 1.0°이하의 피크를 볼 수 있는 두께 38 ㎛의 비페닐테트라카르본산을 주성분으로 하는 길이가 긴 폴리이미드 필름(토오레-듀퐁, 카프톤 150 EN-A)를 준비하였다. 이것의 습도 팽창 계수는 TD방향: 9 ppm/%HR, MD방향: 14 ppm/%HR이었다.First, the absorption rate was 1.7%, the thermal expansion coefficient was TD direction: 5 ppm / 占 폚 and MD direction: 13 ppm / 占 폚. As a result of thin-film X-ray diffraction, the half width was 1.0 ° or less at 2θ = 14 °, 29 °, and 44 °. A long polyimide film (Tore-Dupont, Kafton 150 EN-A) containing a biphenyltetracarboxylic acid having a thickness of 38 µm with a peak of? As a main component was prepared. Its humidity expansion coefficient was TD direction: 9 ppm /% HR and MD direction: 14 ppm /% HR.

다음으로, 이 폴리이미드 필름의 한 면에, 권출기, 스퍼터링 장치, 권취기로 구성된 스퍼터링 설비를 이용해 직류 스퍼터링법에 의해, 평균 두께 230Å의 20 질량% Cr의 크롬-니켈 합금층을 금속 박막으로서 형성하였다. 또한, 동일한 방법으로 금속 박막 위에 평균 두께 1000Å의 동박막을 형성하였다.Next, on one surface of this polyimide film, a 20 mass% Cr chromium-nickel alloy layer having an average thickness of 230 kPa was formed as a metal thin film by a direct current sputtering method using a sputtering apparatus composed of an unwinder, a sputtering device, and a winder. It was. In addition, a copper thin film having an average thickness of 1000 kPa was formed on the metal thin film by the same method.

다음으로, 동박막 위에 전기동도금법에 의해, 두께 8 ㎛의 동막을 형성하여 금속화 폴리이미드 필름을 얻었다. 이용한 전기 도금 욕은, 동농도 23 g/l의 황산구리 도금 욕이며, 도금시의 욕 온도는 27℃로 하였다. 또한, 도금조는 복수의 도금조를 연결시킨 복수 구조로 하였으며, 권출기와 권취기에 의해 한 면에 금속막이 형성된 폴리이미드 필름을 연속적으로 각 조에 침지되도록 반송하면서 전기 도금을 행하였다. 반송 속도는 75 m/h로 하고, 도금조의 평균 음극 전류 밀도를 1.0~2.5 A/dm2로 조정하여 동도금을 행하였다.Next, the copper film with a thickness of 8 micrometers was formed on the copper thin film by the electrocopper plating method, and the metallized polyimide film was obtained. The electroplating bath used was a copper sulfate plating bath with a copper concentration of 23 g / l, and the bath temperature at the time of plating was 27 degreeC. Moreover, the plating tank was made into the multiple structure which connected several plating tank, and electroplating was carried out, conveying so that the polyimide film in which the metal film was formed in one surface by the unwinder and the winding machine was continuously immersed in each tank. The conveyance speed was 75 m / h, copper plating was performed by adjusting the average cathode current density of the plating bath to 1.0-2.5 A / dm 2 .

제조된 금속화 폴리이미드 필름의 초기 밀착 강도를 구하였는 바, 728 N/m이며, OLB 공정시의 ACF 접합시 신장율이 0.020 mm 이하로서, 종래 제품의 50%의 신장율을 저감하는 기능을 가진 회로 기판과 그것을 이용해 얻은 플렉서블 배선판이었다.The initial adhesion strength of the manufactured metallized polyimide film was found to be 728 N / m, and the elongation at the time of ACF bonding during the OLB process was 0.020 mm or less, and the circuit board having the function of reducing the elongation of 50% of the conventional product was obtained. And the flexible wiring board obtained using it.

다음으로, 이 금속화 폴리이미드 필름을 사용해 배선 간격 35 ㎛, 전배선폭이 15000 ㎛의 COF(Chip　on　film)를 서브트랙티브법으로 만들었다. 서브트랙티브 공정에서는 염화 제2철 용액에 의해 에칭 처리하였다. 이것에 IC칩을 탑재하여, IC칩 표면의 전극과 배선의 리드부를 와이어 본딩 장치를 이용해 400℃에서 0.5초간의 본딩 처리 조건으로 와이어 본딩 하였다. 이 때, 이너 리드부에 생긴 리드와 폴리이미드 필름의 접합 불량의 비율은 0.0002%였다.Next, using this metallized polyimide film, COF (Chip-on-on-film) of 35 micrometers of wiring space | intervals, and 15000 micrometers of full wiring widths was created by the subtractive method. In the subtractive process, it etched with ferric chloride solution. The IC chip was mounted thereon, and the electrode on the IC chip surface and the lead portion of the wiring were wire bonded at 400 ° C. for 0.5 seconds using a wire bonding apparatus. At this time, the ratio of the bonding defect of the lead and the polyimide film which generate | occur | produced in the inner lead part was 0.0002%.

본 실시예 2에 이용한 폴리이미드 필름을 이용해 그 표면에 금속 박막, 동박막, 동막과 단계적으로 피막 형성한 후, 형성된 금속층을, 염화철에 의한 에칭법에 의해 에칭 제거하였다. 이 상태는, 이른바, 배선 가공 후의 필름 표면을 재현시킨 폴리이미드 필름이 된다. 이 박막을 X선 회절하여, 도 2의 차트를 얻었다.After the film was formed on the surface of the metal thin film, the copper thin film, and the copper film stepwise using the polyimide film used in Example 2, the formed metal layer was etched away by an etching method with iron chloride. This state becomes what is called polyimide film which reproduced the film surface after wiring process. The thin film was diffracted by X-ray to obtain a chart of FIG.

그 결과, 도 2에서 보는 바와 같이, 2θ의 값이 14°, 29°, 44°에서 피크가 있는 것을 알 수 있었다. 이 중 14°의 피크는 금속화 폴리이미드 필름의 원료인 길이가 긴 폴리이미드 필름에 기인하는 피크이다.
As a result, as shown in FIG. 2, it turned out that the value of 2 (theta) has a peak at 14 degrees, 29 degrees, and 44 degrees. The peak of 14 degrees among these is a peak resulting from the elongate polyimide film which is a raw material of a metallized polyimide film.

<실시예 3><Example 3>

우선, 흡수율이 1.6%, 열팽창 계수가 TD방향: 5 ppm/℃, MD방향: 15 ppm/℃로 하여, 박막 X선회절 결과, 2θ=14°, 29°, 44°에서 반가폭 1.0°이하의 피크를 볼 수 있는 두께 38 ㎛의 비페닐테트라카르본산을 주성분으로 하는 길이가 긴 폴리이미드 필름(토오레-듀퐁, 카프톤 150 EN-A)를 준비하였다. 이것의 습도 팽창 계수는 TD방향: 13 ppm/%HR, MD방향: 15 ppm/%HR이었다.First, the absorbance was 1.6%, the coefficient of thermal expansion was set to 5 ppm / ° C in the TD direction and 15 ppm / ° C in the MD direction. As a result of thin film X-ray diffraction, the half width was 1.0 ° or less at 2θ = 14 °, 29 °, and 44 °. A long polyimide film (Tore-Dupont, Kafton 150 EN-A) containing a biphenyltetracarboxylic acid having a thickness of 38 µm with a peak of? As a main component was prepared. Its humidity expansion coefficient was TD direction: 13 ppm /% HR and MD direction: 15 ppm /% HR.

다음으로, 이 폴리이미드 필름의 한 면에, 권출기, 스퍼터링 장치, 권취기로 구성된 스퍼터링 설비를 이용해 직류 스퍼터링법에 의해, 평균 두께 230Å의 20 질량% Cr의 크롬-니켈 합금층을 금속 박막으로서 형성하였다. 또한, 동일한 방법으로 금속 박막 위에 평균 두께 1000Å의 동박막을 형성하였다.Next, on one side of this polyimide film, a 20 mass% Cr chromium-nickel alloy layer having an average thickness of 230 kPa was formed as a metal thin film by a direct current sputtering method using a sputtering apparatus composed of an unwinder, a sputtering device, and a winder. It was. In the same manner, a copper thin film having an average thickness of 1000 kPa was formed on the metal thin film.

다음으로, 동박막 위에 전기동도금법에 의해, 두께 1 ㎛의 동막을 형성하여 금속화 폴리이미드 필름을 얻었다. 이용한 전기 도금 욕은, 동농도 23 g/l의 황산구리 도금 욕이며, 도금시의 욕 온도는 27℃로 하였다. 또한, 도금조는 복수의 도금조를 연결시킨 복수 구조로 하였으며, 권출기와 권취기에 의해 한 면에 금속막이 형성된 폴리이미드 필름을 연속적으로 각 조에 침지되도록 반송하면서 전기 도금을 행하였다. 반송 속도는 75 m/h로 하고, 도금조의 평균 음극 전류 밀도를 1.0~2.5 A/dm2로 조정하여 동도금을 행하였다.Next, the copper film with a thickness of 1 micrometer was formed on the copper thin film by the electrophoresis plating method, and the metallized polyimide film was obtained. The electroplating bath used was a copper sulfate plating bath with a copper concentration of 23 g / l, and the bath temperature at the time of plating was 27 degreeC. Moreover, the plating tank was made into the multiple structure which connected several plating tank, and electroplating was carried out, conveying so that the polyimide film in which the metal film was formed in one surface by the unwinder and the winding machine was continuously immersed in each tank. The conveyance speed was 75 m / h, copper plating was performed by adjusting the average cathode current density of the plating bath to 1.0-2.5 A / dm 2 .

　 제조된 금속화 폴리이미드 필름의 초기 밀착 강도를 구하였는 바, 728 N/m이며, OLB 공정시의 ACF 접합시 신장율이 0.021 mm 이하로서, 종래 제품의 50%의 신장율을 저감하는 기능을 가진 회로 기판과 그것을 이용해 얻은 플렉서블 배선판이었다.The initial adhesion strength of the prepared metallized polyimide film was found to be 728 N / m, and the elongation at ACF bonding at the time of the OLB process was 0.021 mm or less, and a circuit board having a function of reducing the elongation of 50% of the conventional product was obtained. And the flexible wiring board obtained using it.

다음으로, 이 금속화 폴리이미드 필름을 사용해 배선 간격 35 ㎛, 전배선폭이 15000 ㎛의 COF(Chip　on　film)를 서브트랙티브법으로 만들었다. 서브트랙티브 공정에서는 염화 제2철 용액에 의해 에칭 처리하였다. 이것에 IC칩을 탑재하여, IC칩 표면의 전극과 배선의 리드부를 와이어 본딩 장치를 이용해 400℃에서 0.5초간의 본딩 처리 조건으로 와이어 본딩 하였다. 이 때, 이너 리드부에 생긴 리드와 폴리이미드 필름의 접합 불량의 비율은 0.0001%였다.
Next, using this metallized polyimide film, a COF (Chip on film) having a wiring spacing of 35 mu m and a total wiring width of 15000 mu m was made by a subtractive method. In the subtractive process, it etched with ferric chloride solution. The IC chip was mounted thereon, and the electrode on the IC chip surface and the lead portion of the wiring were wire bonded at 400 ° C. for 0.5 seconds using a wire bonding apparatus. At this time, the ratio of the bonding defect of the lead and polyimide film which generate | occur | produced in the inner lead part was 0.0001%.

<실시예 4><Example 4>

실시예 1으로 얻은 금속화 폴리이미드 필름을 이용하여 배선 간격을 25 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 하여 플렉서블 배선판을 만들었고, 실시예 1과 같은 방법으로 접합 불량의 비율을 구하였다. 이너 리드와 폴리이미드 필름과 접합 불량의 비율은 0.005%이며, 파인 피치에 대해서도 충분한 치수 신뢰성이 있는 것을 알 수 있었다.
Using the metallized polyimide film obtained in Example 1, except that the wiring interval was 25 μm, a flexible wiring board was produced in the same manner as in Example 1, and the ratio of bonding failure was determined in the same manner as in Example 1. The ratio of the inner lead, the polyimide film, and the bonding failure was 0.005%, and it was found that there was sufficient dimensional reliability even for the fine pitch.

<비교예 1>Comparative Example 1

폴리이미드 필름으로서 흡수율이 1.7 질량%, 열팽창 계수가 TD방향: 16 ppm/℃, MD방향: 17 ppm/℃, 습도 팽창 계수가 TD방향: 13 ppm/%HR, MD방향: 17 ppm/%HR의 비페닐테트라카르본산을 주성분으로 하는 두께 38 ㎛의 폴리이미드 필름(토오레-듀퐁, 카프톤 150 EN)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 하여, 금속화 폴리이미드 필름을 얻었다. 카프톤 150 EN를 박막 X선 회절 하였는데 2θ로 10°, 14°에서 큰 피크가 확인되었다. 또한, 2θ=26°~32°, 2θ=42°~48°의 각 범위에서는 반값폭이 1.5°이하의 피크는 확인되지 않았다.As a polyimide film, the water absorption was 1.7 mass%, the thermal expansion coefficient was TD direction: 16 ppm / degreeC, MD direction: 17 ppm / degreeC, humidity expansion coefficient was TD direction: 13 ppm /% HR, MD direction: 17 ppm /% HR A metallized polyimide film was obtained in the same manner as in Example 1 except that a polyimide film having a thickness of 38 μm (Tore-Dupont, Cafton 150 EN) having a biphenyltetracarboxylic acid as a main component was used. Thin film X-ray diffraction of Kafton 150 EN showed large peaks at 10 ° and 14 ° with 2θ. Moreover, in each range of 2 (theta) = 26 degrees-32 degrees and 2 (theta) = 42 degrees-48 degrees, the peak whose half value width is 1.5 degrees or less was not confirmed.

제조된 금속화 폴리이미드 필름에 대해 실시예 1에서와 같이 평가하였는데, 초기 밀착 강도가 720 N/m이며, OLB 공정시의 ACF 접합시 신장율이 0.043 mm이었다.The prepared metallized polyimide film was evaluated as in Example 1, with an initial adhesive strength of 720 N / m, and an elongation rate of 0.043 mm at ACF bonding during the OLB process.

다음으로, 상기 금속화 폴리이미드 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 배선폭 35 ㎛의 플렉서블 배선판을 제작하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 접합 불량의 비율을 구하였다. 배선의 이너 리드부에 생긴 접합 불량의 비율은 0.001%이며, 실시예와 비교하여 나쁜 값으로서, 배선폭이 35 ㎛에 대해서도 충분한 신뢰성을 가지는 것은 얻을 수 없었다.
Next, except having used the said metallized polyimide film, the flexible wiring board of 35 micrometers of wiring widths was produced by the method similar to Example 1, and the ratio of the bonding failure was calculated | required by the method similar to Example 1. The ratio of the bonding defect which arose to the inner lead part of wiring is 0.001%, and as a bad value compared with an Example, it was not able to obtain sufficient reliability also about 35 micrometers of wiring width.

<비교예 2>Comparative Example 2

배선 간격을 25 ㎛로 한 것 이외에는 비교예 1과 동일한 방법으로 플렉서블 배선판을 제작하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 접합 불량의 비율을 구하였다. 배선의 이너 리드부에 생긴 접합 불량의 비율은 0.1%이며, 파인 피치화했을 경우에는 충분한 신뢰성을 가지는 것을 얻을 수 없었다.
A flexible wiring board was produced in the same manner as in Comparative Example 1 except that the wiring spacing was 25 μm, and the bonding failure ratio was obtained in the same manner as in Example 1. The ratio of the joining defect which generate | occur | produced in the inner lead part of wiring is 0.1%, and when fine pitch was made, it was not able to obtain sufficient reliability.

<비교예 3>Comparative Example 3

폴리이미드 필름으로서 흡수율이 1.4 질량%, 열팽창 계수가 TD방향: 14 ppm/℃, MD방향: 16 ppm/℃, 습도 팽창 계수가 TD방향: 15 ppm/%HR, MD방향: 16 ppm/%HR의 비페닐테트라카르본산을 주성분으로 하는 두께 35 ㎛의 폴리이미드 필름(제품명, 우베 흥산제 유피렉스 35 SGA)을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 같게 해, 금속화 폴리이미드 필름을 얻었다. 유피렉스 35 SGA를 박막 X선 회절 하였는데 θ로 11°, 14°에서 큰 피크가 확인되었다. 또한, 2θ=26°~32°, 2θ=42°~48°의 각 범위에서는 반값폭이 1.5°이하의 피크는 확인되지 않았다.As a polyimide film, the water absorption was 1.4 mass%, the thermal expansion coefficient was TD direction: 14 ppm / degreeC, MD direction: 16 ppm / degreeC, humidity expansion coefficient was TD direction: 15 ppm /% HR, MD direction: 16 ppm /% HR The metallized polyimide film was obtained like Example 1 except having used the 35-micrometer-thick polyimide film (product name, Upyrex 35 SGA made by Ube Corporation) which has biphenyl tetracarboxylic acid as the main component. Thin film X-ray diffraction of Eupyrex 35 SGA revealed large peaks at 11 ° and 14 ° as θ. Moreover, in each range of 2 (theta) = 26 degrees-32 degrees and 2 (theta) = 42 degrees-48 degrees, the peak whose half value width is 1.5 degrees or less was not confirmed.

제조된 금속화 폴리이미드 필름에 대해 실시예 1에서와 같이 평가하였는데, 초기 밀착 강도가 756 N/m이며, OLB 공정시의 ACF 접합시 신장율이 0.044 mm인 회로 기판과 그것을 이용해 얻은 플렉서블 배선판이었다..The prepared metallized polyimide film was evaluated as in Example 1, and the initial contact strength was 756 N / m, and the circuit board was 0.044 mm in elongation at ACF bonding during the OLB process and the flexible wiring board obtained using the same. .

다음으로, 상기 금속화 폴리이미드 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 배선폭 35 ㎛의 플렉서블 배선판을 제작하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 접합 불량의 비율을 구하였다. 배선의 이너 리드부에 생긴 접합 불량의 비율은 0.001%이며, 실시예와 비교하여 나쁜 값이었다.
Next, except having used the said metallized polyimide film, the flexible wiring board of 35 micrometers of wiring widths was produced by the method similar to Example 1, and the ratio of the bonding failure was calculated | required by the method similar to Example 1. The ratio of the bonding defect which arose to the inner lead part of wiring was 0.001%, and was a bad value compared with an Example.

<비교예 4><Comparative Example 4>

배선 간격을 25 ㎛로 한 것 이외에는 비교예 3과 동일한 방법으로 플렉서블 배선판을 제작하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 접합 불량의 비율을 구하였다. 배선의 이너 리드부에 생긴 접합 불량의 비율은 0.1%이며, 파인 피치화했을 경우에는 충분한 신뢰성을 가지는 것을 얻을 수 없었다.
A flexible wiring board was produced in the same manner as in Comparative Example 3 except that the wiring spacing was 25 μm, and the bonding failure ratio was obtained in the same manner as in Example 1. The ratio of the joining defect which generate | occur | produced in the inner lead part of wiring is 0.1%, and when fine pitch was made, it was not able to obtain sufficient reliability.

"평가""evaluation"

이상의 실시예 1 ~ 4로부터, 본 발명의 금속화 폴리이미드 필름은 초기 밀착 강도 및 PCT 시험 후의 PCT 밀착력이 지극히 높기 때문에, 이것을 사용하여 미세 피치의 플렉서블 배선판을 만들어도, 당해 배선판에 IC 실장시에 400℃ 이상의 온도로 가압해 와이어 본딩을 실시해도, 리드가 폴리이미드 필름으로부터 벗겨지는 일 없이, 플렉서블 배선판으로서 지극히 신뢰성의 높은 것을 얻을 수 있다. From the above Examples 1 to 4, since the metallized polyimide film of the present invention has extremely high initial adhesion strength and PCT adhesion after the PCT test, even when this is used to form a flexible wiring board having a fine pitch, at the time of IC mounting on the wiring board. Even if it pressurizes at the temperature of 400 degreeC or more, and performs wire bonding, a highly reliable thing can be obtained as a flexible wiring board, without peeling a lead from a polyimide film.

이에 반해, 비교예 1 ~ 4로부터, 본 발명의 조건에 맞지 않는 금속화 폴리이미드 필름을 사용하면, 파인 피치의 플렉서블 배선판은 커녕, 배선폭 35 ㎛의 종래의 배선 피치에서도 신뢰성이 높은 플렉서블 배선판을 얻을 수 없음을 알 수 있다.On the other hand, when using the metallized polyimide film which does not meet the conditions of this invention from the comparative examples 1-4, instead of the fine pitch flexible wiring board, the flexible wiring board which was reliable even in the conventional wiring pitch of 35 micrometers of wiring width is used. It can be seen that it cannot be obtained.

본 발명이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will be able to perform various applications and modifications within the scope of the present invention based on the above contents.

1: 폴리이미드 필름
2: 기저 금속 박막
3: 동박막
4: 동막1: polyimide film
2: base metal thin film
3: copper foil
4: copper curtain

Claims (14)

도금법에 의해 폴리이미드 필름의 표면에 직접 금속막이 형성된 금속화 폴리이미드 필름으로서,
상기 폴리이미드 필름은, 막 두께가 35 ㎛ ~ 40 ㎛일 때, 흡수율(吸水率)이 1 질량% ~ 3 질량%이며, 열팽창 계수가 TD방향(폭방향)으로 3 ppm/℃ ~ 8 ppm/℃이고 MD방향(장방향)으로 9 ppm/℃ ~ 15 ppm/℃인 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름.A metallized polyimide film in which a metal film is formed directly on the surface of a polyimide film by a plating method,
When the film thickness is 35 micrometers-40 micrometers, the said polyimide film has a water absorption of 1 mass%-3 mass%, and a thermal expansion coefficient of 3 ppm / degreeC-8 ppm / in a TD direction (width direction). And a metallized polyimide film, which is 9 ppm / 占 폚 to 15 ppm / 占 폚 in the MD direction (long direction). 제 1 항에 있어서, 상기 폴리이미드 필름의 습도 팽창 계수는, TD방향(폭방향)이 7 ppm/%HR ~ 13 ppm/%HR이고 MD방향(장방향)이 12 ppm/%HR ~ 15 ppm/%HR인 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름.The humidity expansion coefficient of the polyimide film according to claim 1, wherein the TD direction (width direction) is 7 ppm /% HR to 13 ppm /% HR and the MD direction (long direction) is 12 ppm /% HR to 15 ppm. Metallized polyimide film characterized in that /% HR. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 폴리이미드 필름은, 비페닐테트라카르본산과 디아민 화합물에 의한 이미드 결합을 폴리이미드 분자중에 포함하고 있고, 그 표면의 TD방향(폭방향)을 박막 X선회절 측정(Cu Kα 입사각=0.1°)하였을 때, 2θ = 12°~ 18°, 2θ = 26°~ 32°, 2θ = 42°~ 48°의 각 범위에서 반값폭이 1.5°이하의 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름.The said polyimide film contains the imide bond by biphenyl tetracarboxylic acid and a diamine compound in polyimide molecule, The TD direction (width direction) of the surface is thin film X. When the diffraction measurement (Cu Kα incidence angle = 0.1 °), the peak width of less than 1.5 ° in the range of 2θ = 12 ° ~ 18 °, 2θ = 26 ° ~ 32 °, 2θ = 42 ° ~ 48 ° Metallized polyimide film which has a thing. 제 3 항에 있어서, 상기 폴리이미드 필름의 금속막은, 니켈, 크롬, 또는 니켈 합금으로부터 선택되는 적어도 1종으로 이루어진 기저 금속 박막과 상기 기저 금속 박막 위에 형성된 동층으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름.4. The metallization of claim 3, wherein the metal film of the polyimide film is composed of a base metal thin film made of at least one selected from nickel, chromium, or a nickel alloy and a copper layer formed on the base metal thin film. Polyimide film. 제 4 항에 있어서, 상기 동층은 동박막인 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름.5. The metallized polyimide film of claim 4, wherein the copper layer is a copper thin film. 제 4 항에 있어서, 상기 동층은 동박막의 표면에 한층 더 동막이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름.The metallized polyimide film according to claim 4, wherein the copper layer is further laminated with a copper film on the surface of the copper thin film. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 기저 금속 박막과 동박막은 건식 도금법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름.The metallized polyimide film according to claim 4 or 5, wherein the base metal thin film and the copper thin film are formed by a dry plating method. 제 6 항에 있어서, 상기 동막은 습식 도금법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름.7. The metallized polyimide film of claim 6, wherein the copper film is formed by a wet plating method. 제 1 항에 있어서, 상기 금속막의 두께가 20 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 금속화 폴리이미드 필름.The metallized polyimide film according to claim 1, wherein the metal film has a thickness of 20 µm or less. 폴리이미드 필름의 표면에 금속막의 배선 패턴이 형성되어 있는 플렉서블 배선판으로서,
상기 폴리이미드 필름은, 비페닐테트라카르본산과 디아민 화합물에 의한 이미드 결합을 폴리이미드 분자중에 포함하고 있고, 그 표면의 TD방향을 박막 X선회절 측정(Cu Kα 입사각=0.1°)하였을 때, 2θ = 12°~ 18°, 2θ = 26°~ 32°, 2θ = 42°~ 48°의 각 범위에서 반값폭이 1.5°이하의 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 배선판.As a flexible wiring board in which the wiring pattern of a metal film is formed in the surface of a polyimide film,
When the said polyimide film contains the imide bond by biphenyl tetracarboxylic acid and a diamine compound in a polyimide molecule, and thin-film X-ray diffraction measurement (Cu Kalpha incident angle = 0.1 degrees) of the TD direction of the surface, A flexible wiring board having a peak width of 1.5 ° or less in each of a range of 2θ = 12 ° to 18 °, 2θ = 26 ° to 32 °, and 2θ = 42 ° to 48 °. 제 10 항에 있어서, 상기 금속막은 니켈, 크롬, 또는 니켈 합금으로부터 선택되는 적어도 1종으로 이루어진 기저 금속 박막과 상기 기저 금속 박막 위에 형성된 동층으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플렉서블 배선판.The flexible wiring board according to claim 10, wherein the metal film is composed of a base metal thin film made of at least one selected from nickel, chromium, or a nickel alloy and a copper layer formed on the base metal thin film. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 금속막은 두께가 20 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 플렉서블 배선판.The flexible wiring board according to claim 10 or 11, wherein the metal film has a thickness of 20 µm or less. 제 10 항에 있어서, 상기 금속막층을 에칭 제거하여 배선 가공 후의 필름 표면을 재현시켰을 때, 폴리이미드 필름의 표면의 TD방향을 박막 X선회절 측정(Cu Kα 입사각=0.1°)하면, 2θ = 12°~ 18°, 2θ = 26°~ 32°, 2θ = 42°~ 48°의 각 범위에서 반값폭이 1.5°이하의 피크가 존재하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 배선판.The method according to claim 10, wherein when the metal film layer is etched away to reproduce the film surface after wiring processing, when the TD direction of the surface of the polyimide film is measured by thin-film X-ray diffraction (Cu Kα incident angle = 0.1 °), 2θ = 12 A flexible wiring board, wherein a peak having a half-value width of 1.5 ° or less exists in each of the ranges of 18 ° to 2 °, 26 ° to 32 °, and 2 ° to 42 ° to 48 °. 제 1 항에 따른 금속화 폴리이미드 필름을 사용하여 섭트랙티브(Subtractive) 법 또는 세미-애디티브(Semi-additive) 법에 의해 가공되는 플렉서블 배선판.
The flexible wiring board processed by the subtractive method or the semi-additive method using the metallized polyimide film of Claim 1.
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