KR20110081798A - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device Download PDF

Info

Publication number
KR20110081798A
KR20110081798A KR1020110064092A KR20110064092A KR20110081798A KR 20110081798 A KR20110081798 A KR 20110081798A KR 1020110064092 A KR1020110064092 A KR 1020110064092A KR 20110064092 A KR20110064092 A KR 20110064092A KR 20110081798 A KR20110081798 A KR 20110081798A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
phosphor
light emitting
emitting device
nano
crack
Prior art date
Application number
KR1020110064092A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이상혁
송윤수
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110064092A priority Critical patent/KR20110081798A/en
Publication of KR20110081798A publication Critical patent/KR20110081798A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/59—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

PURPOSE: A light emitting device is provided to reduce the deterioration of optical efficiency when the light emitted from an emitting device passes through a phosphor. CONSTITUTION: A light emitting device(100) comprises: a body(110); an electroluminescent element(120) mounted on the cavity(115) provided to the body; a resin(125) provided to the cavity; and a phosphor(140) to which the resin is added. Crack formed on the surface of the phosphor and nanophosphors adsorbed to the surface of the phosphor are provided. The nanophosphors comprises the phosphor with the same color as the phosphor.

Description

발광 장치{Light emitting device}Light emitting device

본 실시예는 형광체 제조 방법과, 상기 제조 방법에 의해 제조된 형광체를 포함하는 발광 장치에 대한 것이다. The present embodiment relates to a light emitting device including a phosphor manufacturing method and a phosphor produced by the manufacturing method.

발광다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성할 수 있다. Light emitting diodes (LEDs) may form light emitting sources using compound semiconductor materials such as GaAs series, AlGaAs series, GaN series, InGaN series, and InGaAlP series.

이러한 발광다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광 장치로 이용되고 있으며, 상기 발광 장치는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.Such a light emitting diode is packaged and used as a light emitting device that emits various colors, and the light emitting device is used as a light source in various fields such as a lighting indicator for displaying colors, a character display, and an image display.

본 발명의 실시예는 발광 장치에 사용되는 실리케이트 형광체에 형성되는 크랙(crack)에 나노 사이즈의 형광체가 삽입되도록 함으로써, 상기 크랙에 의한 광 산란을 저감시켜 발광 장치의 광학적 효율을 증대시킬 수 있는 형광체의 제조 방법과, 상기 형광체를 포함하는 발광 장치를 제안한다. According to an embodiment of the present invention, a phosphor having a nano size is inserted into a crack formed in a silicate phosphor used in a light emitting device, thereby reducing light scattering caused by the crack, thereby increasing optical efficiency of the light emitting device. And a light emitting device comprising the phosphor.

실시예에 따른 발광 장치는, 몸체; 상기 몸체에 제공된 캐비티에 실장된 발광 소자; 상기 캐비티에 제공된 수지물; 및 상기 수지물에 첨가된 형광체; 를 포함하고, 상기 형광체의 표면에 형성된 크랙 및 상기 형광체의 표면에 나노 사이즈의 나노 형광체가 흡착되어 제공된다.The light emitting device according to the embodiment, the body; A light emitting element mounted in a cavity provided in the body; Resin provided in the cavity; And phosphors added to the resin; It includes, the nano-scale nano-phosphor is adsorbed on the crack formed on the surface of the phosphor and the surface of the phosphor is provided.

제안되는 바와 같은 실시예의 형광체 제조 방법 및 상기 형광체를 포함하는 발광 장치에 의해서, 발광 소자로부터 출사된 광이 형광체를 통과할 때에 광효율이 저하되는 것을 저감시킬 수 있는 장점이 있다. The phosphor manufacturing method of the embodiment and the light emitting device including the phosphor as described above have an advantage of reducing the decrease in light efficiency when the light emitted from the light emitting element passes through the phosphor.

도 1은 본 발명의 발광 장치를 나타내는 도면.
도 2는 형광체의 표면에 크랙이 발생되는 것을 보여주는 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 형광체 표면의 크랙 내에 나노 형광체가 흡착되는 것을 보여주는 도면.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따라 형광체를 제조하는 방법을 설명하는 도면. 1 is a view showing a light emitting device of the present invention.
2 is a view showing that a crack is generated on the surface of the phosphor.
3 is a view showing that the nano-phosphor is adsorbed in the crack of the phosphor surface according to an embodiment of the present invention.
4 to 8 illustrate a method of manufacturing a phosphor according to an embodiment of the present invention.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings for the present embodiment will be described in detail. However, the scope of the inventive idea of the present embodiment may be determined from the matters disclosed by the present embodiment, and the inventive idea of the present embodiment may be implemented by adding, deleting, or modifying components to the proposed embodiment. It will be said to include variations.

도 1은 본 발명의 발광 장치를 나타내는 도면이다. 1 is a view showing a light emitting device of the present invention.

도 1을 참조하면, 발광 장치(100)는 패키지 몸체(110), 발광 소자(120), 수지물(125), 리드 프레임(132,134)을 포함한다. Referring to FIG. 1, the light emitting device 100 includes a package body 110, a light emitting device 120, a resin material 125, and lead frames 132 and 134.

상기 패키지 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA), 액정폴리머(LCP), 신지오택틱폴리스티렌(SPS) 중 어느 하나의 재질을 이용하여 소정형상으로 사출 성형되며, 몸체 상부(112)에 캐비티(115)가 일정 깊이로 형성된다. 상기 캐비티(115)의 둘레는 바닥면에 수직한 축을 기준으로 소정 각도만큼 경사지게 형성될 수 있다.The package body 110 is injection molded into a predetermined shape by using any one material of polyphthalamide (PPA), liquid crystal polymer (LCP), syndiotactic polystyrene (SPS), and a cavity (upper) in the upper body 112. 115 is formed to a certain depth. The circumference of the cavity 115 may be formed to be inclined by a predetermined angle with respect to an axis perpendicular to the bottom surface.

상기 패키지 몸체(110)에는 수평하게 배치되는 복수개의 리드 프레임(132,134)이 형성되며, 상측에 반사컵 형상의 캐비티(115)가 형성된다.The package body 110 includes a plurality of lead frames 132 and 134 disposed horizontally, and a cavity 115 having a reflection cup shape is formed on the package body 110.

상기 복수 개의 리드 프레임(132,134)은 상기 캐비티(115) 내부에 노출되며 전기적으로 분리된다. 상기 복수 개의 리드 프레임(132,134)의 양 끝단은 상기 패키지 몸체(110)의 외부로 노출되어 전극으로 이용된다. 상기 리드 프레임(132,134)의 표면에는 반사 물질이 코팅될 수도 있다.The plurality of lead frames 132 and 134 are exposed in the cavity 115 and electrically separated from each other. Both ends of the plurality of lead frames 132 and 134 are exposed to the outside of the package body 110 and used as electrodes. Reflective materials may be coated on the surfaces of the lead frames 132 and 134.

상기 복수 개의 리드 프레임(132,134) 중 제 1 리드 프레임(132)에는 발광 소자(120)가 다이 본딩된다. 상기 발광 소자(120)는 와이어(122)로 제 1 및 제 2 리드 프레임(132,134)에 연결된다.The light emitting device 120 is die bonded to the first lead frame 132 of the plurality of lead frames 132 and 134. The light emitting device 120 is connected to the first and second lead frames 132 and 134 by a wire 122.

그리고, 상기 발광 소자(120)는 적색 발광 다이오드, 녹색 발광 다이오드, 청색 발광 다이오드 등과 같은 유색의 발광 다이오드 중 적어도 하나이거나, 적어도 하나의 자외선(UV) 발광 다이오드일 수 있다.The light emitting device 120 may be at least one of colored light emitting diodes such as a red light emitting diode, a green light emitting diode, and a blue light emitting diode, or at least one ultraviolet (UV) light emitting diode.

상기 캐비티(115)의 영역에는 상기 수지물(125)이 형성된다. 상기 수지물(125)은 투명한 실리콘 또는 에폭시 재질을 포함하며, 형광체(140)가 첨가된다. 상기 형광체(140)는 실리케이트계 형광체일 수 있으며, 특히, 상기 형광체(140)의 표면 일부에는 나노 사이즈의 형광체들이 형성되어 있다. The resin material 125 is formed in an area of the cavity 115. The resin material 125 includes a transparent silicon or epoxy material, and the phosphor 140 is added. The phosphor 140 may be a silicate-based phosphor. In particular, nano-sized phosphors are formed on a portion of the surface of the phosphor 140.

또한, 상기 수지물(125) 위에는 볼록 렌즈가 형성될 수도 있다. 또한, 복수 개의 리드 프레임(132,134)에는 상기 발광 소자(120)의 보호를 위해 제너 다이오드와 같은 보호 소자가 탑재될 수도 있다. In addition, a convex lens may be formed on the resin material 125. In addition, a plurality of lead frames 132 and 134 may be equipped with a protection device such as a zener diode to protect the light emitting device 120.

상기 수지물(125)에 첨가되는 상기 형광체(140)는 그 표면에 다수의 크랙들이 형성될 수 있다(도 2 참조). 종래에 있어서의 형광체 제조 방법 특성상 상기 형광체 표면에는 소정 깊이 함몰된 형상의 크랙들이 복수개 형성될 수 있으며, 이러한 크랙이 형성된 형광체를 그대로 수지물(125)에 첨가시킬 경우에는, 상기 발광 소자(120)로부터 출사된 광이 상기 크랙에서 불규칙적으로 산란되어 광학 특성을 저하시키는 요인이 된다. The phosphor 140 added to the resin material 125 may have a plurality of cracks formed on a surface thereof (see FIG. 2). In the conventional method of manufacturing a phosphor, a plurality of cracks having a predetermined depth may be formed on the surface of the phosphor. When the phosphor having such a crack is added to the resin 125 as it is, the light emitting device 120 may be formed. The light emitted from the light scatters irregularly in the cracks, which causes a decrease in optical properties.

크랙이 형성되는 형광체에 대해서, 나노 사이즈의 형광체를 투입시켜 상기 크랙이 나노 사이즈의 형광체(나노 사이즈의 형광 분말이라고 할 수 있으며, 이하에서는, 간편히 '나노 형광체'라고 함)들로 메워질 수 있도록 한다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 형광체(140) 표면에 발생되는 크랙에 구형의 나노 형광체(300)들이 코팅 또는 채워지도록 함으로써, 크랙에 의한 광산란을 저감시킬 수 있게 된다. 그리고, 나노 형광체(300)는 열분무분해법에 의해 형성될 수 있다. For the phosphor in which the crack is formed, a nano-sized phosphor is introduced so that the crack can be filled with nano-sized phosphors (nano-sized fluorescent powder, hereinafter referred to simply as 'nano-phosphor'). do. That is, as shown in Figure 3, by allowing the spherical nano-phosphor 300 is coated or filled in the crack generated on the surface of the phosphor 140, it is possible to reduce the light scattering by the crack. The nano phosphor 300 may be formed by thermal spray decomposition.

이하에서는, 본 발명의 실시예에 따라 구형의 나노 형광체와 상기 나노 형광체를 상기 형광체(140) 표면(특히, 크랙)에 코팅시키는 방법에 대해서 상세히 살펴보도록 한다. Hereinafter, a spherical nano phosphor and a method of coating the nano phosphor on the surface (particularly, crack) of the phosphor 140 according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 4 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따라 형광체를 제조하는 방법을 설명하는 도면이다. 4 to 8 are diagrams illustrating a method of manufacturing a phosphor according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 4를 참조하면, 교반기(410)와, 상기 교반기에 놓여 용액을 수용하는 비이커(430)를 준비한다. 그리고, 상기 비이커(430) 내에 초순수(DI water) 용액(401)을 넣고, 상기 비이커(430) 내에 마그네틱 바(420)를 넣은 다음, 상기 교반기(410)의 전원을 온(ON)시킨다. First, referring to FIG. 4, a stirrer 410 and a beaker 430 placed in the stirrer to receive a solution are prepared. Then, the ultra pure water (DI water) solution 401 in the beaker 430, the magnetic bar 420 is put in the beaker 430, the power of the stirrer 410 is turned on (ON).

상기 마그네틱 바(420)는 회전축과 같은 구성 요소에 의해 고정되지 않은 상태일 수 있으며, 상기 마그네틱 바(420)를 회전시키는 교반기(410)는 상기 마그네틱 바(420)와 접촉하지 않고, 외부에서 자력을 인가하여 상기 마그네틱 바(420)를 회전시키는 자석식 교반기가 될 수 있다. 여기서, 자석식 교반기는 회전하는 전자석을 이용하여 회전하는 형태의 자기력을 발생시키고, 발생된 자기력을 외부로 인가하면, 교반기 외부의 자성체(마그네틱 바)가 자력을 인가받아 회전될 수 있다. The magnetic bar 420 may be in an unfixed state by a component such as a rotating shaft, and the stirrer 410 for rotating the magnetic bar 420 does not come into contact with the magnetic bar 420, but magnetically from the outside. It may be applied to the magnetic stirrer to rotate the magnetic bar 420. Here, the magnetic stirrer generates a rotating magnetic force by using a rotating electromagnet, and when the generated magnetic force is applied to the outside, a magnetic body (magnetic bar) outside the stirrer may be rotated by receiving a magnetic force.

상기 비이커(430) 내에 초순수 용액(401)과 상기 마그네틱 바(420)를 넣은 다음, 상기 교반기(410)를 동작시키는데, 이때 상기 초순수 용액(401)의 온도가 대략 50도가 될때까지 가열하면서 교반시킨다. 여기서, 상기 초순수 용액(401) 대신에, 에탄올, 아세톤, 메탄올, 이소프로필 알콜 등이 사용될 수 있으며, 실시예에 따라 더 다양한 용액이 이용될 수 있다. The ultrapure water solution 401 and the magnetic bar 420 are placed in the beaker 430, and then the stirrer 410 is operated. At this time, the ultrapure water solution 401 is stirred while heating until the temperature of the ultrapure water solution 401 becomes approximately 50 degrees. . Here, instead of the ultrapure water solution 401, ethanol, acetone, methanol, isopropyl alcohol, etc. may be used, and more various solutions may be used according to embodiments.

그 다음, 도 5에 도시된 바와 같이, 초순수 용액(401) 내에 형광체(510) 100g을 넣고, 30분 정도 더 교반시킨다. 이때, 용액의 온도가 50도 이하로 떨어지지 않도록 가열하면서 교반하도록 한다. Next, as shown in FIG. 5, 100 g of the phosphor 510 is placed in the ultrapure water solution 401, and further stirred for about 30 minutes. At this time, the solution is stirred while heating so that the temperature does not fall below 50 degrees.

그리고, 상기 형광체(510)는 실리케이트계의 물질로 이루어질 수 있으며, 평균 입경의 크기가 15㎛가 될 수 있다. 다만, 제조하고자 하는 형광체에 따라 그 사이즈 및 물질의 종류는 다양하게 변경가능하므로, 좀 더 상세한 설명은 생략하기로 한다. In addition, the phosphor 510 may be formed of a silicate-based material, and an average particle size may be 15 μm. However, since the size and type of the material may be variously changed according to the phosphor to be manufactured, a more detailed description thereof will be omitted.

이때, 비이커(430)안에는 초순수 용액(401)과 형광체(510)가 혼합되어 있다. At this time, in the beaker 430, the ultrapure water solution 401 and the phosphor 510 are mixed.

그 다음, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 비이커(430) 내에 나노 형광체(610)를 투입하고, 교반시킨다. 상기 나노 형광체(610)는 100nm 내지 400nm 범위의 사이즈를 갖는 형광물질로 이루어지며, 열분무(thermal spray)분해 공정을 통하여 나노 사이즈의 나노 형광체가 형성될 수 있다. 특히, 상기 나노 형광체(610)는 앞선 형광체(510)와 동일한 색의 형광물질로 이루어진다. 예를 들어, 상기 형광체(510)가 옐로우 실리케이트 형광체인 경우에, 상기 나노 형광체(610) 역시 옐로우 실리케이트 형광물질로 이루어진다. 이는, 상기 나노 형광체(610)가 상기 형광체(510)의 표면에 코팅되기 때문에, 상기 형광체(510)가 첨가되는 수지물을 통하여 동일 색의 빛이 출사되도록 하기 위함이다. Next, as shown in FIG. 6, the nano phosphor 610 is added to the beaker 430 and stirred. The nano phosphor 610 may be formed of a phosphor having a size in a range of 100 nm to 400 nm, and nano size nano phosphor may be formed through a thermal spray decomposition process. In particular, the nano phosphor 610 is made of a phosphor of the same color as the above phosphor 510. For example, when the phosphor 510 is a yellow silicate phosphor, the nano phosphor 610 is also made of a yellow silicate phosphor. This is because the nano-phosphor 610 is coated on the surface of the phosphor 510, so that light of the same color is emitted through the resin material to which the phosphor 510 is added.

실시예에 따르면, 비이커(430)에 나노 형광체(610) 10g을 투입하는데, 나노 사이즈의 분말이기 때문에 날리지 않도록 천천히 투입하면서 이와 함께 초산을 소정량 함께 투입할 수 있다. 예를 들어, 상기 나노 형광체(610)와 함께 초산 1ml을 넣으며, 상기 비이커(430) 내 용액의 온도가 50도 이하가 되지 않도록 한다. 교반시간은 대략 1시간 정도 수행될 수 있으며, 작업자는 비이커(430)를 확인해가면서 형광체 분산을 확인한다. According to the embodiment, 10g of the nano-phosphor 610 is introduced into the beaker 430. Since it is a nano-size powder, acetic acid may be added together with a predetermined amount while being slowly added so as not to fly. For example, 1 ml of acetic acid is added together with the nano-phosphor 610 and the temperature of the solution in the beaker 430 is not lower than 50 degrees. The stirring time may be performed for about 1 hour, and the worker checks the phosphor dispersion while checking the beaker 430.

여기서, 상기 초산을 함께 투입시키는 이유는, 거친 표면을 갖는 상기 형광체(510)의 표면이 에칭되도록 함으로써, 상기 나노 형광체(610)가 상기 형광체(510)의 크랙에 잘 흡착되도록 하기 위함이다. The reason why the acetic acid is added together is to allow the surface of the phosphor 510 having a rough surface to be etched so that the nano phosphor 610 is well adsorbed to the crack of the phosphor 510.

상기 초산 이외에, 상기 형광체(510)의 표면을 에칭하는 것이 가능한 용액이라면 실시예에 따라 다양한 용액이 사용될 수 있다. In addition to the acetic acid, various solutions may be used according to the exemplary embodiment as long as it is a solution capable of etching the surface of the phosphor 510.

그 다음, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 교반기(410)의 히터를 끄고, 비이커(430) 내 용액의 온도를 낮추며, 대략 20도가 되었을 때에 10%의 ZnSO4 용액을 넣고, 1시간 가량 더 교반시킨다. 여기서, ZnSO4 용액)을 투입하는 이유는, 상기 비이커(430) 내의 용액을 이온화시켜 입자간 정전기력을 증가시켜, 상기 나노 형광체(610)가 형광체(510) 표면에 좀 더 흡착이 잘 이루어지도록 하기 위함이다. Then, as shown in FIG. 7, turn off the heater of the stirrer 410, lower the temperature of the solution in the beaker 430, add 10% of ZnSO 4 solution when the temperature is approximately 20 degrees, and further 1 hour Stir. Here, ZnSO 4 solution) is added, the ionization of the solution in the beaker 430 to increase the electrostatic force between particles, so that the nano-phosphor 610 is more easily adsorbed on the surface of the phosphor 510. For sake.

그리고, 소정 시간(대략 1시간)이 경과한 다음, 상기 교반기(410)를 정지시키고, 용액의 분산 상태를 확인한다. 즉, 형광체 위에 있는 상등액이 투명해졌는지 여부를 확인한다. Then, after a predetermined time (approximately 1 hour) has elapsed, the stirrer 410 is stopped to check the dispersion state of the solution. That is, it is checked whether the supernatant liquid on the phosphor has become transparent.

즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 상등액(810)이 투명해졌는지 여부를 확인하며, 상기 상등액(810)의 투명도에 따라 교반시간이 연장되거나 줄어들 수 있다. 상기 상등액(810)이 투명해지면(여기서의 투명도는 실시예 또는 작업자에 따라 다양하게 설정될 수 있음), 나노 형광체(610)가 형광체(510) 표면에 잘 흡착되었는 것을 나타내기 때문에, 상등액(810)과 형광체가 포함된 용액(820)을 수분리시킨다. 여기서, 회전 펌프를 사용하여 상기 상등액(810)과 형광체가 포함된 용액(820)를 분리시키는 것이 가능하며, 분리 후에는 상기 형광체가 포함된 용액(820)을 건조시킨다. That is, as shown in Figure 8, it is confirmed whether the supernatant 810 is transparent, the stirring time can be extended or reduced depending on the transparency of the supernatant 810. When the supernatant 810 becomes transparent (transparency here may be set in various manners or by an operator), the supernatant 810 indicates that the nanophosphor 610 is well adsorbed on the surface of the phosphor 510. ) And the solution 820 containing the phosphor is separated by water. Here, it is possible to separate the supernatant 810 from the solution 820 containing the phosphor using a rotary pump, and after the separation, the solution 820 containing the phosphor is dried.

이로써, 상기 나노 형광체(610)가 흡착되어 있는 형광체(510)의 제조가 완료된다. 제조된 형광체(510)는 도 1에 도시된 도면부호 140의 형광체가 되며, 상기 발광 소자(120)로부터 출사되는 빛은 표면의 거칠기가 많이 완화된 형광체를 통과하게 되므로, 광 산란에 따른 광효율 저하를 줄일 수 있다.As a result, the manufacturing of the phosphor 510 to which the nano phosphor 610 is adsorbed is completed. The manufactured phosphor 510 becomes a phosphor denoted by reference numeral 140 shown in FIG. 1, and the light emitted from the light emitting device 120 passes through the phosphor having a lot of surface roughness, and thus, light efficiency decreases due to light scattering. Can be reduced.

100: 발광 장치
110: 패키지 몸체
120: 발광 소자
125: 수지물
132, 134: 리드 프레임
140: 형광체100: light emitting device
110: package body
120: light emitting element
125: resin
132, 134: lead frame
140: phosphor

Claims (5)

몸체;
상기 몸체에 제공된 캐비티에 실장된 발광 소자;
상기 캐비티에 제공된 수지물; 및
상기 수지물에 첨가된 형광체; 를 포함하고,
상기 형광체의 표면에 형성된 크랙 및 상기 형광체의 표면에 나노 사이즈의 나노 형광체가 흡착되어 제공된 발광 장치. Body;
A light emitting element mounted in a cavity provided in the body;
Resin provided in the cavity; And
Phosphor added to the resin; Including,
A light emitting device provided by adsorbing a nano-sized nano-phosphor on the crack formed on the surface of the phosphor and the surface of the phosphor. 제 1 항에 있어서,
상기 나노 형광체는 상기 형광체와 동일한 색의 형광 물질로 이루어지는 발광 장치. The method of claim 1,
The nano phosphor is made of a fluorescent material of the same color as the phosphor. 제 1 항에 있어서,
상기 형광체는 실리케이트 형광체를 포함하는 발광 장치. The method of claim 1,
The phosphor includes a silicate phosphor. 제 1 항에 있어서,
상기 나노 형광체의 크기는 100nm에서 400nm인 것을 특징으로 하는 발광 장치. The method of claim 1,
The nanophosphor has a size of 100 nm to 400 nm. 제 1 항에 있어서, 상기 크랙은 상기 나노 사이즈의 나노 형광체로 채워진 발광 장치.
The light emitting device of claim 1, wherein the crack is filled with the nano-sized nano phosphor.
KR1020110064092A 2011-06-29 2011-06-29 Light emitting device KR20110081798A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110064092A KR20110081798A (en) 2011-06-29 2011-06-29 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110064092A KR20110081798A (en) 2011-06-29 2011-06-29 Light emitting device

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090120181A Division KR101072162B1 (en) 2009-12-04 2009-12-04 Method for manufacturing phosphor and light emitting device comprising the phosphor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110081798A true KR20110081798A (en) 2011-07-14

Family

ID=44920207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110064092A KR20110081798A (en) 2011-06-29 2011-06-29 Light emitting device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110081798A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150065504A (en) * 2013-12-05 2015-06-15 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150065504A (en) * 2013-12-05 2015-06-15 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI550915B (en) Light emitting device package and lighting system using the same
CN101675535B (en) Optoelectronical component emitting electromagnetic radiation and method for producing an optoelectronical component
KR101438826B1 (en) Light emitting device
JP4167717B1 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
KR101103674B1 (en) Light emitting device
KR101072162B1 (en) Method for manufacturing phosphor and light emitting device comprising the phosphor
JP2012531043A (en) Phosphor conversion infrared LED related applications
JP2005167079A (en) Light emitting device
KR100659900B1 (en) Device for emitting white light and fabricating method thereof
CN104164234B (en) Phosphor and light emitting device packaging piece including phosphor
JP2019046989A (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
TWI566437B (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
KR20100049277A (en) Light emitting diode pakage and method fabricating the same
US10230031B2 (en) Electromagnetic radiation-emitting assembly
KR20110081798A (en) Light emitting device
JP2007266283A (en) Light emitting device
CN102244179A (en) Encapsulation structure for light-emitting diode and manufacturing method thereof
TWI597869B (en) Light emitting device package and method of manufacturing the same
US20180190887A1 (en) Light emitting device structure
KR20110103720A (en) Method for manufacturing phosphor and light emitting device comprising the phosphor
KR101039979B1 (en) Light emitting device package and lighting system
KR101047795B1 (en) Semiconductor light emitting device
KR20110132301A (en) Light emitting device
US8492778B2 (en) Light emitting diode device
KR100801924B1 (en) Light emitting diode

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application