KR20110132301A - Light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device.
발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.A light emitting device, such as a light emitting device, is a kind of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been spotlighted as a next-generation light source by replacing a conventional fluorescent lamp and an incandescent lamp.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생생하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since light emitting diodes generate light using semiconductor devices, they consume much less power than incandescent lamps that generate light by heating tungsten, or fluorescent lamps that generate light by colliding ultraviolet light generated through high-pressure discharge with phosphors. .
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, the light emitting diode has a longer life, a faster response characteristic, and an environment-friendly characteristic than a conventional light source.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다. Accordingly, many studies have been conducted to replace the existing light sources with light emitting diodes, and the light emitting diodes have been increasingly used as light sources for lighting devices such as various lamps, liquid crystal display devices, electronic displays, and street lamps that are used indoors and outdoors.
실시예는 몸체의 변색을 방지하고, 광 간섭을 방지할 수 있는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device capable of preventing discoloration of the body and preventing optical interference.
실시예에 따른 발광 소자는 측면 및 바닥으로 이루어지는 캐비티를 갖는 몸체, 상기 몸체 내에 서로 이격하여 형성되는 제1 반사컵과 제2 반사컵, 상기 제1 반사컵 내부에 배치되는 제1 발광 칩, 및 상기 제2 반사컵 내부에 배치되는 제2 발광 칩을 포함한다. 이때 상기 제1 반사컵 및 상기 제2 반사컵은 상기 몸체의 상기 바닥 내에 형성된다.The light emitting device according to the embodiment includes a body having a cavity consisting of a side and a bottom, a first reflecting cup and a second reflecting cup formed to be spaced apart from each other in the body, a first light emitting chip disposed inside the first reflecting cup, and And a second light emitting chip disposed inside the second reflecting cup. In this case, the first reflecting cup and the second reflecting cup are formed in the bottom of the body.
다른 실시예에 따른 발광 소자는 측면 및 바닥으로 이루어지는 캐비티를 갖는 몸체, 상기 몸체 내에 서로 이격하여 형성되는 제1 반사컵과 제2 반사컵, 상기 제1 반사컵 내부에 배치되는 제1 발광 칩, 상기 제2 반사컵 내부에 배치되는 제2 발광 칩, 및 상기 몸체 내에 상기 제1 반사컵 및 상기 제2 반사컵과 이격되어 형성되는 연결부를 포함하며, 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩은 상기 연결부에 의하여 전기적으로 연결된다. 이때 상기 제1 반사컵, 상기 제2 반사컵, 및 상기 연결부는 상기 몸체의 상기 바닥 내에 형성된다.In another embodiment, a light emitting device includes: a body having a cavity having sides and a bottom, a first reflecting cup and a second reflecting cup spaced apart from each other in the body, a first light emitting chip disposed inside the first reflecting cup, A second light emitting chip disposed inside the second reflecting cup, and a connection part spaced apart from the first reflecting cup and the second reflecting cup in the body, wherein the first light emitting chip and the second light emitting chip Is electrically connected by the connecting portion. In this case, the first reflecting cup, the second reflecting cup, and the connecting portion are formed in the bottom of the body.
상기 제1 반사컵의 깊이는 상기 제1 발광 칩의 높이보다 크고 상기 제1 발광 칩의 높이의 2배보다 작으며, 상기 제2 반사컵의 깊이는 상기 제2 발광 칩의 높이보다 크고 상기 제2 발광 칩의 높이의 2배보다 작을 수 있다.The depth of the first reflecting cup is greater than the height of the first light emitting chip and less than twice the height of the first emitting chip, and the depth of the second reflecting cup is greater than the height of the second emitting chip and the first It may be less than twice the height of the two light emitting chips.
또한 상기 제1 반사컵의 깊이는 상기 제1 발광 칩의 높이보다 작고 상기 제1 발광 칩의 높이의 1/2배보다 크며, 상기 제2 반사컵의 깊이는 상기 제2 발광 칩의 높이보다 작고 상기 제2 발광 칩의 높이의 1/2배보다 클 수 있다.The depth of the first reflecting cup is smaller than the height of the first light emitting chip and is greater than 1/2 times the height of the first emitting chip, and the depth of the second reflecting cup is smaller than the height of the second emitting chip. The second light emitting chip may be larger than 1/2 the height of the second light emitting chip.
실시 예는 발광 소자의 몸체의 변색을 방지하여 수명을 연장시키고, 광 간섭을 방지할 수 있다.The embodiment can prevent the discoloration of the body of the light emitting device to extend the life, and can prevent the optical interference.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자의 저면도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자의 제1 측면도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 발광 소자의 제2 측면도를 나타낸다.
도 5는 도 1에 도시된 발광 소자의 제3 측면도를 나타낸다.
도 6은 도 1에 도시된 발광 소자의 제4 측면도를 나타낸다.
도 7은 도 1에 도시된 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 8은 도 7에 도시된 발광 소자의 AA' 방향으로의 단면도를 나타낸다.
도 9는 도 7에 도시된 발광 소자의 BB' 방향으로의 단면도를 나타낸다.
도 10은 실시예에 따른 발광 소자의 발광 칩들 사이의 직렬 연결을 나타낸다.
도 11은 실시예에 따른 발광 소자의 발광 칩들 사이의 병렬 연결을 나타낸다.
도 12는 다른 실시예에 따른 발광 소자의 발광 칩들 사이의 직렬 연결을 나타낸다.
도 13a는 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.
도 13b는 다른 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.
도 13c는 또 다른 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.1 is a perspective view of a light emitting device according to an embodiment.
FIG. 2 is a bottom view of the light emitting device shown in FIG. 1.
FIG. 3 shows a first side view of the light emitting device shown in FIG. 1.
4 illustrates a second side view of the light emitting device illustrated in FIG. 1.
FIG. 5 is a third side view of the light emitting device illustrated in FIG. 1.
FIG. 6 is a fourth side view of the light emitting device illustrated in FIG. 1.
7 is a plan view of the light emitting device illustrated in FIG. 1.
FIG. 8 is a sectional view taken along the AA ′ direction of the light emitting device illustrated in FIG. 7.
FIG. 9 is a cross-sectional view of the light emitting device illustrated in FIG. 7 in the direction BB ′. FIG.
10 illustrates a series connection between light emitting chips of a light emitting device according to an embodiment.
11 illustrates a parallel connection between light emitting chips of a light emitting device according to an embodiment.
12 illustrates a series connection between light emitting chips of a light emitting device according to another embodiment.
13A illustrates the depth of the first reflecting cup according to the embodiment.
13B illustrates the depth of the first reflecting cup according to another embodiment.
13C illustrates the depth of the first reflecting cup according to another embodiment.
이하, 실시예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 사시도를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 발광 소자(100)는 몸체(110), 제1 반사컵(122), 제2 반사컵(124), 연결부(126), 발광 칩들(132,134), 제너 다이오드(Zenor diode, 150), 및 와이어들(151 내지 159)을 포함한다.1 is a perspective view of a light emitting device according to an embodiment. Referring to FIG. 1, the
몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 바람직하게 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다.The
몸체(110)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수 있다. 몸체(110)가 전기 전도성을 갖는 재질로 형성되는 경우, 몸체(110)의 표면에는 절연막(미도시)이 더 형성되어 몸체(110)가 제1 반사컵(122), 제2 반사컵(124), 연결부(126)와 전기적으로 쇼트(short) 되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다.The
몸체(110)의 상면 형상은 발광 소자(100)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. The top shape of the
예컨대, 도시된 것과 같은 직사각형 형상의 발광 소자(100)는 엣지(edge) 타입의 백라이트 유닛(BLU : Backlight Unit)에 사용될 수 있으며, 휴대형 손전등이나 가정용 조명에 적용되는 경우, 몸체(110)는 휴대용 손전등이나 가정용 조명에 내장하기 용이한 크기와 형태로 변경될 수 있다.For example, the rectangular
몸체(110)는 상부가 개방되고, 측면과 바닥으로 이루어진 캐비티(cavity)(105, 이하 "몸체 캐비티"라 한다)를 갖는다.The
몸체 캐비티(105)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 몸체 캐비티(105)의 내측면은 바닥에 대해 수직하거나 경사질 수 있다.The
몸체 캐비티(105)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형)일 수 있다. 몸체 캐비티(105)의 모서리는 곡선일 수 있다. 도 1에 도시된 몸체 캐비티(105)를 위에서 바라본 형상은 전체적으로 8각형의 형상이며, 특히 각 모서리 부분의 내측면의 면적이 다른 부분보다 작다.The shape seen from above of the
제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)은 몸체 캐비티(105)의 바닥 아래의 몸체(110) 내부에 서로 이격하여 형성된다. 제1 반사컵(122)은 몸체 캐비티(105)의 밑면 내부에 형성되며, 상부가 개방되는 제1 캐비티(162)를 갖는다. 또한 제2 반사컵(124)은 제1 캐비티(162)와 이격하고, 상부가 개방되는 제2 캐비티(164)를 몸체 캐비티(105)의 바닥 내부에 갖는다.The first reflecting
이때 위에서 바라본 제1 캐비티(162) 및 제2 캐비티(164)의 형상은 컵(cup) 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 내측면은 바닥에 대해 수직하거나 경사질 수 있다.In this case, the shapes of the
제1 반사컵(122)은 몸체(110)의 바닥 및 외부 제1 측면을 관통하도록 형성되어 발광 소자(100)의 바닥 및 제1 측면을 이루며, 제1 반사컵(122)의 말단(142)은 몸체(110)의 외부 제1 측면에 노출될 수 있다. 또한 제2 반사컵(122)은 몸체(110)의 바닥 및 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 관통하도록 형성되어 발광 소자(100)의 바닥 및 제2 측면을 이루며, 제2 반사컵(124)의 말단(144)은 몸체(110)의 외부 제2 측면에 노출될 수 있다.The first
제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)은 은, 금, 또는 구리 등의 재료일 수 있으며, 이들 재료들을 도금한 금속 재료일 수 있다. 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)은 연결부(16)를 기준으로 형상 및 크기에 있어서 서로 대칭적일 수 있다.The first reflecting
연결부(126)는 몸체 캐비티(105)의 밑면 아래의 몸체(110) 내부에 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)과 각각 이격하여 형성된다. 연결부(126)는 전기를 통할 수 있는 전도성 물질로 이루어질 수 있다. The connecting
도 1에 도시된 바와 같이, 연결부(126)는 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124) 사이에 배치되도록 형성될 수 있다. 구체적으로 연결부(126)는 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124) 사이의 몸체 캐비티(105)의 밑면의 중심 부분의 상단에 위치할 수 있다. As shown in FIG. 1, the
연결부(126)는 몸체(110) 바닥의 또 다른 일부 및 외부 제3 측면을 관통하도록 형성되어 발광 소자의 바닥 및 제2 측면을 이루며, 연결부(126)의 말단(146)은 몸체(110)의 외부 제3 측면에 노출된다. 여기서 몸체(110)의 제3 측면은 몸체의 제1 측면 및 제2 측면과 수직인 어느 한 측면이다.The connecting
제너 다이오드(150)는 발광 소자(100)의 내전압 향상을 위하여 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124) 중 어느 하나 상에 배치된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 반사컵(122)의 상부면 상에 제너 다이오드(150)가 마운트될 수 있다.The
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자의 저면도를 나타내고, 도 3은 도 1에 도시된 발광 소자의 제1 측면도를 나타내고, 도 4는 도 1에 도시된 발광 소자의 제2 측면도를 나타내고, 도 5는 도 1에 도시된 발광 소자의 제3 측면도를 나타내고, 도 6은 도 1에 도시된 발광 소자의 제4 측면도를 나타낸다.2 shows a bottom view of the light emitting device shown in FIG. 1, FIG. 3 shows a first side view of the light emitting device shown in FIG. 1, FIG. 4 shows a second side view of the light emitting device shown in FIG. 1, FIG. 5 shows a third side view of the light emitting device shown in FIG. 1, and FIG. 6 shows a fourth side view of the light emitting device shown in FIG. 1.
도 2 내지 도 6을 참조하면, 제1 반사컵(122)은 몸체(110) 바닥의 일부를 이루며, 그 말단(142)은 제1 측면(210)으로부터 돌출되어 몸체(110) 밖으로 노출된다. 제2 반사컵(124)은 몸체(110) 바닥의 다른 일부를 이루며, 그 말단(144)은 제1 측면(210)과 마주보는 제2 측면(220)으로부터 돌출되어 몸체(110) 밖으로 노출된다. 연결부(126)의 말단(146)은 몸체(110)의 바닥의 일부를 이루며, 몸체(110)의 제3 측면(230)으로부터 돌출되어 몸체(110) 밖으로 노출된다.2 to 6, the first
제1 반사컵(122)의 말단(142), 제2 반사컵(124)의 말단(144), 및 연결부(126) 말단(146)의 형상은 직사각형, 정사각형, 또는 U자 형태 등과 같이 다양하게 형성될 수 있다.The
제1 발광 칩(132)은 제1 반사컵(122)의 제1 캐비티(162) 내에 배치되고, 제2 발광 칩(134)은 제2 반사컵(124)의 제2 캐비티(164) 내에 배치된다. 제1 발광 칩(132)은 제1 캐비티(162)의 내부 측면으로부터 이격되도록 배치되며, 제2 발광 칩(134)은 제2 캐비티(164)의 내부 측면으로부터 이격되도록 배치될 수 있다.The first
와이어들(152 내지 158)은 제1 발광 칩(122)과 제2 발광 칩(124)을 서로 연결한다. 제1 와이어(152)는 제1 발광 칩(122)과 제1 반사컵(132)을 연결하고, 제2 와이어(154)는 제1 발광 칩(122)과 연결부(126)를 연결하며, 제3 와이어(156)는 연결부(126)와 제2 발광 칩(124)을 연결하며, 제4 와이어(158)는 제2 발광 칩(124)과 제2 반사컵(134)을 연결할 수 있다.The
연결부(126)와 제1 발광 칩(132) 사이에 제2 와이어(154)를 본딩하고, 연결부(126)와 제2 발광 칩(134) 사이에 제3 와이어(156)를 본딩함으로써 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134)은 서로 연결된다.First light emission by bonding the
제1 반사컵(122)에 마운트된 제너 다이오드(150)는 제5 와이어(159)에 의하여 제2 반사컵(124)과 전기적으로 연결된다. 예컨대, 제5 와이어(159)의 일단은 제너 다이오드(150)에 본딩되고, 제5 와이어(159)의 나머지 다른 일단은 제2 반사컵의 상부면과 본딩될 수 있다. 만약 제너 다이오드(150)이 제2 반사컵(124)에 마운트된 경우에는 제5 와이어(159)의 일단은 제너 다이오드(150)에 본딩되고, 나머지 다른 일단은 제1 반사컵의 상부면과 본딩될 수 있다.The
연결부(126)는 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)과 이격, 분리 형성되어 제1 발광 칩(122) 및 제2 발광 칩(124)과는 독립적이다. 그렇기 때문에 연결부(16)는 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134)을 전기적으로 안정하게 직렬 연결할 수 있어 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The
제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134)은 빛을 발생하는 소자이며, 빛 발생과 더불어 열을 방출하는 열원이다. 제1 반사컵(122)은 열원인 제1 발광 칩(132)으로부터 발생하는 열이 몸체로 방사되는 것을 차단하며, 제2 반사컵(124)은 제2 발광 칩(134)으로부터 발생하는 열이 몸체로 방사되는 것을 차단한다. 즉 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)은 열원인 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(132)을 열적으로 분리시킨다.The first
또한 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)은 제1 발광 칩(132)이 조사한 빛과 제2 발광 칩(134)이 조사한 빛이 서로 간섭하지 않도록 차단하는 역할을 한다.In addition, the first reflecting
결국 실시예는 제1 발광 칩(132)을 제1 반사컵(122)의 제1 캐비티(162) 내부에 배치하고, 제2 발광 칩(134)을 제2 반사컵(124) 내부의 제2 캐비티(164) 내부에 배치시킴으로써 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134) 각각을 열적 및 광학적으로 서로 분리시킬 수 있다.As a result, according to the embodiment, the first
몸체(110)는 후면에 몸체(110) 형성을 위하여 수지를 주입하기 위한 수지 주입 홀(240)을 갖는다. 수지 주입 홀(240)은 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124) 사이의 몸체(110)에 위치할 수 있다.
도 7은 도 1에 도시된 발광 소자의 평면도를 나타낸다. 설명의 편의를 위하여 도 1에 도시된 와이어들(151 내지 159)은 도시하지 않는다. 도 7을 참조하면, 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124)은 서로 일정 거리(D1) 이격하며, 그 사이에는 폴리프탈아미드로 이루어진 몸체(110) 바닥이 개재된다.7 is a plan view of the light emitting device illustrated in FIG. 1. For convenience of description, the wires 151 to 159 illustrated in FIG. 1 are not shown. Referring to FIG. 7, the first reflecting
열원을 분리하고 발광 칩들(132,134) 간의 광 간섭을 효과적으로 차단하기 위하여 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124)의 이격 거리는 적어도 100um 이상 간격을 갖도록 한다..In order to separate the heat source and effectively block the optical interference between the
또한 발광 칩들(132,134) 간의 광 간섭을 효과적으로 차단하고, 반사 효율을 높이기 위하여 제1 발광 칩(132)은 제1 반사컵(122)의 측면으로부터 일정 거리 이격하여 제1 반사컵(124)의 바닥에 배치되며, 제2 발광 칩(134)은 제2 반사컵(124)의 측면으로부터 일정 거리 이격하여 제2 반사컵(124)의 바닥에 배치된다.In addition, in order to effectively block optical interference between the
예컨대, 제1 발광 칩(132)은 제1 반사컵(122)의 바닥 중앙에 마운트(mount)될 수 있고, 제2 발광 칩(134)은 제2 반사컵(122)의 바닥 중앙에 마운트될 수 있다.For example, the first
구체적으로 제1 반사컵(122)의 단측면으로부터 제1 발광 칩(132)까지의 이격 거리(D2)는 200um이고, 제1 반사컵(122)의 장측면으로부터 제1 발광 칩(132)까지의 이격 거리(D3)는 500um일 수 있다.Specifically, the separation distance D2 from the short side surface of the first
연결부(126)는 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124) 각각과 서로 일정 거리(D4) 이격하며, 그 사이에는 폴리프탈아미드로 이루어진 몸체(110) 바닥이 개재된다.The
예컨대, 제1 반사컵(122)과 연결부(126) 사이의 이격 거리(D4)는 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124) 사이의 이격 거리(D1)와 동일할 수 있다.For example, the separation distance D4 between the
도 8은 도 7에 도시된 발광 소자의 AA' 방향으로의 단면도를 나타낸다. 도 8에는 와이어들(152 내지 159)의 도시를 생략한다.FIG. 8 is a sectional view taken along the AA ′ direction of the light emitting device illustrated in FIG. 7. 8, illustration of the
도 8을 참조하면, 제1 반사컵(122)의 측면의 기울어진 각도(θ1)는 몸체(110)의 몸체 캐비티(105)의 측면의 기울어진 각도와 다를 수 있다. 예컨대, 제1 반사컵(122)의 측면과 밑면이 이루는 각도(θ1)는 90° ~ 160°일 수 있다. Referring to FIG. 8, the inclination angle θ1 of the side surface of the first reflecting
몸체 캐비티(105)의 내측면 상단은 굴곡진 테두리를 갖는다. 몸체 캐비티(105)의 상부 내측면은 굴곡지게 형성될 수 있다. 상기 몸체의 측면의 상단에는 상기 몸체(110)의 상부면과 단차를 가지며, 상기 몸체(110)의 상부면과 수평인 테두리부(804)가 형성될 수 있다.The upper side of the inner side of the
예컨대, 몸체 캐비티(105)의 상부 내측면은 몸체 캐비티(105)의 상부면(802)과 단차를 갖지며, 상부면(802)과 수평인 테두리부(804)를 갖는다.For example, the upper inner surface of the
몸체 캐비티(105)의 상부면(802)과 테두리부(804) 사이의 단차(K1)는 50~80um이고, 테두리부(804)의 길이(K2)는 50~130um일 수 있다. 몸체 캐비티(105)의 내측면 상단은 상술한 바와 같은 단차가 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.The step K1 between the
이와 같이 단차를 갖는 테두리부(804)를 몸체 캐비티(105)의 내측면에 갖도록 하는 것은 침투 경로를 길게 함으로써 가스(gas)가 외부로부터 발광 소자 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있도록 하여 발광 소자의 기밀성을 향상시킬 수 있다.Thus, having the
발광 칩들(132,134) 간의 광 간섭 차단하고, 광 반사 효율을 향상시키기 위하여 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124)의 깊이(H)는 발광 칩들(132,134)의 높이를 고려하여 결정될 수 있다. The depth H of the first reflecting
도 13a는 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.13A illustrates the depth of the first reflecting cup according to the embodiment.
도 13a를 참조하면, 제1 반사컵(122)의 상부면은 제1 반사컵(122)에 마운트된 제1 발광 칩(132)의 상부면과 수평일 수 있다. 제1 반사컵(122)의 깊이(H1)는 제1 발광 칩(132)의 높이(a1)와 동일할 수 있다(H1=a1). 도 13a에 도시된 제1 반사컵(122)에 대한 설명은 제2 반사컵(124)의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.Referring to FIG. 13A, an upper surface of the first
도 13b는 다른 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.13B illustrates the depth of the first reflecting cup according to another embodiment.
도 13b를 참조하면, 제1 반사컵(122)의 상부면은 제1 반사컵(122)에 마운트된 제1 발광 칩(132)의 상부면보다 높을 수 있다. 제1 반사컵(122)의 깊이(H2)는 제1 발광 칩(132)의 높이(a1)보다 클 수 있다(H2>a1). Referring to FIG. 13B, an upper surface of the first
예컨대, 제1 반사컵(122)의 깊이(H2)는 제1 발광 칩(132)의 높이(a1)보다 크고, 제1 발광 칩(132)의 높이의 2배보다 작을 수 있다(a1<H2<2a1). 도 13b에 도시된 제1 반사컵(122)에 대한 설명은 제2 반사컵(124)의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.For example, the depth H2 of the first
도 13c는 또 다른 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.13C illustrates the depth of the first reflecting cup according to another embodiment.
도 13c를 참조하면, 제1 반사컵(122)의 상부면은 제1 반사컵(122)에 마운트된 제1 발광 칩(132)의 상부면보다 낮을 수 있다. 제1 반사컵(122)의 깊이(H3)는 제1 발광 칩(132)의 높이(a1)보다 작을 수 있다(H3<a1). Referring to FIG. 13C, an upper surface of the first
예컨대, 제1 반사컵(122)의 깊이(H3)는 제1 발광 칩(132)의 높이(a1)보다 작고, 제1 발광 칩(132)의 높이의 1/2배보다 클 수 있다(a1/2<H3<a1). 도 13c에 도시된 제1 반사컵(122)에 대한 설명은 제2 반사컵(124)의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.For example, the depth H3 of the first reflecting
도 9는 도 7에 도시된 발광 소자의 BB' 방향으로의 단면도를 나타낸다. 도 9에는 와이어들(152 내지 159)의 도시를 생략한다. 도 9를 참조하면, 연결부(126)의 상부면은 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)의 상부면과 평행하며, 연결부(126)말단(146)은 몸체(110)의 바닥의 일부를 이루며, 몸체(110)의 제3 측면(230)을 관통하여 몸체(110) 밖으로 돌출되어 노출된다.FIG. 9 is a cross-sectional view of the light emitting device illustrated in FIG. 7 in the direction BB ′. FIG. 9, illustration of the
실시예에 따른 발광 소자는 도 8에 도시된 바와 같이, 몸체 캐비티(105) 내에는 제1 발광 칩(132) 및 제2 발광 칩(134)을 밀봉하여 보호하도록 봉지재(820)가 충진될 수 있다.As illustrated in FIG. 8, the
봉지재(820)는 제1 발광 칩(132) 및 제2 발광 칩(134)를 외부와 격리하기 위해 몸체 캐비티(105)는 물론, 제1 발광 칩(132)이 마운트된 제1 반사컵(122) 내부 및 제2 발광 칩(134)이 마운트된 제2 반사컵(124) 내부도 충진한다.The
봉지재(820)는 실리콘 또는 수지 재질로 형성될 수 있다. 봉지재(820)는 몸체 캐비티(105) 내에 실리콘 또는 수지 재질을 충진한 후, 이를 경화하는 방식으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
봉지재(820)는 제1 발광 칩(132) 및 제2 발광 칩(134)에서 방출되는 빛의 특성을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 형광체에 의해 발광 칩들(132,134)에서 방출되는 빛이 여기되어 다른 색상을 구현할 수 있다.The
예컨대, 발광 칩들(132,134)이 청색 발광 다이오드이고, 형광체가 황색 형광체인 경우 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 백색의 빛을 생성할 수 있다. 발광 칩들(132,134)이 자외선(UV)을 방출하는 경우에는, R, G, B 삼색의 형광체가 봉지재(820)에 첨가되어 백색광을 구현할 수도 있다. 한편, 봉지재(820) 상에는 렌즈(미도시)가 더 형성되어, 발광 소자(100)가 방출하는 빛의 배광을 조절할 수 있다.For example, when the
도 10은 실시예에 따른 발광 소자의 발광 칩들 사이의 직렬 연결을 나타낸다. 도 10을 참조하면, 제1 와이어(1052)의 일단은 제1 반사컵(132)의 상부면에 본딩(bonding)되고, 제1 와이어(1052)의 나머지 다른 일단은 제1 발광 칩(132)에 본딩된다. 또한 제2 와이어(1054)의 일단은 제1 발광 칩(132)에 본딩되고, 제2 와이어(1054)의 나머지 다른 일단은 연결부(126)에 본딩된다.10 illustrates a series connection between light emitting chips of a light emitting device according to an embodiment. Referring to FIG. 10, one end of the
또한 제3 와이어(1056)의 일단은 연결부(126)에 본딩되고, 제3 와이어(1056)의 나머지 다른 일단은 제2 발광 칩(134)에 본딩된다. 또한 제4 와이어(1058)의 일단은 제2 발광 칩(134)에 본딩되고, 제4 와이어(1058)의 나머지 다른 일단은 제2 반사컵(134)의 상부면에 본딩된다. In addition, one end of the
도 10에 도시된 발광 칩들(132,134)은 제1 내지 제4 와이어들(1052 내지 1058)의 본딩에 의하여 전기적으로 직렬 연결될 수 있다.The
도 10에 도시된 발광 칩들(132,134) 사이의 직렬 연결은 발광 칩들(132,134)과 독립적인 연결부(126)를 매개체로 하기 때문에 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134)을 전기적으로 안정하게 직렬 연결할 수 있어 발광 소자의 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Since the series connection between the
도 11은 실시예에 따른 발광 소자의 발광 칩들 사이의 병렬 연결을 나타낸다. 도 11을 참조하면, 제1 와이어(1152)의 일단은 제1 반사컵(132)의 상부면에 본딩(bonding)되고, 제1 와이어(1152)의 나머지 다른 일단은 제1 발광 칩(132)에 본딩된다. 11 illustrates a parallel connection between light emitting chips of a light emitting device according to an embodiment. Referring to FIG. 11, one end of the
제2 와이어(1154)의 일단은 제1 발광 칩(132)과 연결되고, 제2 와이어(1154)의 나머지 다른 일단은 제2 반사컵(134)의 상부면과 연결된다. 제3 와이어(1156)의 일단은 제1 반사컵(132)의 상부면과 본딩되고, 제3 와이어(1156)의 나머지 다른 일단은 제2 발광 칩(134)에 본딩된다. 마지막으로 제4 와이어(1158)의 일단은 제2 발광 칩(134)에 본딩되고, 제4 와이어(1158)의 나머지 다른 일단은 제2 반사컵(134)의 상부면에 본딩된다. One end of the
도 11에 도시된 발광 칩들(132,134)은 제1 내지 제4 와이어들(1154 내지 1158)의 본딩에 의하여 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.The
도 12는 다른 실시예에 따른 발광 소자의 발광 칩들 사이의 직렬 연결을 나타낸다. 도 12를 참조하면, 제1 와이어(1252)의 일단은 제1 반사컵(132)의 상부면에 본딩(bonding)되고, 제1 와이어(1252)의 나머지 다른 일단은 제1 발광 칩(132)에 본딩된다. 또한 제2 와이어(1154)의 일단은 제1 발광 칩(132)에 본딩되고, 제2 와이어(1154)의 나머지 다른 일단은 제2 발광 칩(134)과 직접 연결된다. 제3 와이어(1156)의 일단은 제2 발광 칩에 연결되고, 제3 와이어(1156)의 나머지 다른 일단은 제2 반사컵(134)의 상부면에 본딩된다.12 illustrates a series connection between light emitting chips of a light emitting device according to another embodiment. Referring to FIG. 12, one end of the
도 12에 도시된 발광 칩들(132,134)은 제1 내지 제3 와이어들(1252 내지 1256)의 본딩에 의하여 전기적으로 직렬 연결될 수 있다. 도 10과 달리 제2 와이어(1254)에 의하여 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134)이 연결부(126)를 매개체로 하지 않고 서로 직접 연결된다.The
상술한 제1 반사컵(122), 제2 반사컵(124), 제1 발광 칩(132), 제2 발광 칩(134), 및 제너 다이오드(150)에 본딩된 와이어들 각각의 높이는 몸체 캐비티(105)의 상부면의 높이보다 낮다.The height of each of the wires bonded to the first reflecting
상술한 바와 같이 실시예는 1컵 타입의 발광 소자 패키지가 아니라, 몸체 내에 분리된 2개의 반사컵들 각각 내에 발광 칩이 마운트된 구조이다. 이로 인하여 열원인 발광 칩들을 서로 분리시키고, 발광 칩으로부터 발산되는 열을 반사컵에 의하여 차단하여 열로 인한 발광 소자의 몸체의 변색을 방지하여 발광 소자의 수명을 연장시킬 수 있다. 또한 서로 분리된 2개의 반사컵들에 의하여 발광 칩들 각각으로부터 조사되는 광 간섭을 방지할 수 있다.As described above, the embodiment is not a one-cup type light emitting device package, but a light emitting chip mounted in each of the two reflective cups separated in the body. Accordingly, the light emitting chips as heat sources may be separated from each other, and heat emitted from the light emitting chips may be blocked by a reflecting cup to prevent discoloration of the body of the light emitting devices due to heat, thereby extending the life of the light emitting devices. In addition, the optical interference emitted from each of the light emitting chips may be prevented by two reflective cups separated from each other.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.
105: 몸체 캐비티, 110: 몸체,
122: 제1 반사컵, 124: 제2 반사컵,
126: 연결부, 132: 제1 발광 칩,
134: 제2 발광 칩, 150:제너 다이오드,
151 내지 159: 와이어들.105: body cavity, 110: body,
122: first reflective cup, 124: second reflective cup,
126: connection portion, 132: first light emitting chip,
134: second light emitting chip, 150: zener diode,
151 to 159: wires.
Claims (13)
상기 제1 캐비티의 상기 바닥 내부에 형성되는 제2 캐비티를 갖는 제1 반사컵;
상기 제1 캐비티의 상기 바닥 내부에 형성되며, 상기 제2 캐비티와 이격하는 제3 캐비티를 갖는 제2 반사컵;
상기 제2 캐비티 내에 배치되는 제1 발광 칩; 및
상기 제3 캐비티 내에 배치되는 제2 발광 칩을 포함하며,
상기 몸체는 수지 재질 또는 실리콘으로 이루어지고, 상기 제1 반사컵 및 상제2 반사컵은 금속 재료로 이루어지는 발광 소자.A body having a first cavity having a side and a bottom;
A first reflective cup having a second cavity formed inside the bottom of the first cavity;
A second reflective cup formed in the bottom of the first cavity and having a third cavity spaced apart from the second cavity;
A first light emitting chip disposed in the second cavity; And
A second light emitting chip disposed in the third cavity,
The body is made of a resin material or silicon, the first reflecting cup and the second reflecting cup is a light emitting device made of a metallic material.
상기 제1 반사컵과 상기 제2 반사컵 사이에는 상기 제1 캐버티의 상기 바닥이 개재되는 발광 소자.The method of claim 1,
The bottom of the first cavity is interposed between the first reflecting cup and the second reflecting cup.
은, 금, 또는 구리로 이루어지거나 이들을 도금한 금속 재료인 발광 소자.The method of claim 1, wherein the first reflecting cup and the second reflecting cup,
A light emitting element which is made of silver, gold, or copper or a metal material plated thereof.
상기 제1 반사컵 및 상기 제2 반사컵 중 어느 하나 상에 배치되는 제너 다이오드를 더 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
And a Zener diode disposed on one of the first reflecting cup and the second reflecting cup.
상기 제1 반사컵은,
상기 몸체의 상기 바닥의 일부를 이루고, 말단이 상기 몸체의 제1 측면으로 노출되며,
상기 제2 반사컵은,
상기 몸체의 상기 바닥의 다른 일부분을 이루고 말단이 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면으로 노출되는 발광 소자.The method of claim 1,
The first reflective cup,
Forms part of the bottom of the body, the distal end of which is exposed to the first side of the body,
The second reflective cup,
A light emitting device, comprising: a second portion of the bottom of the body, the end of which is exposed to a second side facing the first side.
형상 및 크기에 있어서 서로 대칭적인 발광 소자.The method of claim 1, wherein the first reflecting cup and the second reflecting cup,
Light emitting elements symmetrical with each other in shape and size.
상기 제1 캐비티의 상기 바닥 내부에 형성되는 제2 캐비티를 갖는 제1 반사컵;
상기 제1 캐비티의 상기 바닥 내부에 형성되고, 상기 제2 캐비티와 이격하는 제3 캐비티를 갖는 제2 반사컵;
상기 제2 캐비티 내에 배치되는 제1 발광 칩;
상기 제3 캐비티 내에 배치되는 제2 발광 칩; 및
상기 제1 반사컵 및 상기 제2 반사컵과 이격되어 상기 제1 캐비티의 상기 바닥 내부에 형성되는 연결부를 포함하며,
상기 몸체는 수지 재질 또는 실리콘으로 이루어지고, 상기 제1 반사컵 및 상제2 반사컵은 금속 재료로 이루어지는 발광 소자.A body having a first cavity comprising a side and a bottom;
A first reflective cup having a second cavity formed inside the bottom of the first cavity;
A second reflection cup formed in the bottom of the first cavity and having a third cavity spaced apart from the second cavity;
A first light emitting chip disposed in the second cavity;
A second light emitting chip disposed in the third cavity; And
A connection part spaced apart from the first reflection cup and the second reflection cup and formed in the bottom of the first cavity;
The body is made of a resin material or silicon, the first reflecting cup and the second reflecting cup is a light emitting device made of a metallic material.
상기 제1 반사컵은,
상기 몸체의 상기 바닥의 일부를 이루고, 말단이 상기 몸체의 제1 측면으로 노출되며,
상기 제2 반사컵은,
상기 몸체의 상기 바닥의 다른 일부분을 이루고, 말단이 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면으로 노출되며,
상기 연결부는,
상기 몸체의 상기 바닥의 또 다른 일부분을 이루며, 말단이 상기 제1 측면과 수직인 제3 측면으로 노출되는 발광 소자.The method of claim 7, wherein
The first reflective cup,
Forms part of the bottom of the body, the distal end of which is exposed to the first side of the body,
The second reflective cup,
Forms another part of the bottom of the body, the distal end of which is exposed to a second side facing the first side,
The connecting portion,
A light emitting device which forms another part of the bottom of the body and whose end is exposed to a third side surface perpendicular to the first side surface.
상기 제1 반사컵과 상기 제1 발광 칩을 연결하도록 본딩되는 제1 와이어;
상기 제1 발광 칩과 상기 연결부를 연결하도록 본딩되는 제2 와이어;
상기 연결부와 상기 제2 발광 칩을 연결하도록 본딩되는 제3 와이어; 및
상기 제2 발광 칩과 상기 제2 반사컵을 연결하도록 본딩되는 제4 와이어를 포함하며,
상기 제1 내지 제4 와이어들에 의하여 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩은 직렬 연결되는 발광 소자.The method of claim 7, wherein the light emitting element,
A first wire bonded to connect the first reflecting cup to the first light emitting chip;
A second wire bonded to connect the first light emitting chip to the connection part;
A third wire bonded to connect the connection portion and the second light emitting chip; And
A fourth wire bonded to connect the second light emitting chip to the second reflecting cup,
The first light emitting chip and the second light emitting chip is connected in series by the first to fourth wires.
상기 제1 반사컵과 상기 제1 발광 칩을 연결하도록 본딩되는 제1 와이어;
상기 제1 발광 칩과 상기 제2 반사컵을 연결하도록 본딩되는 제2 와이어;
상기 제1 반사컵과 상기 제2 발광 칩을 연결하도록 본딩되는 제3 와이어; 및
상기 제2 발광 칩과 상기 제2 반사컵을 연결하도록 본딩되는 제4 와이어를 포함하며,
상기 제1 내지 제4 와이어들에 의하여 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩은 병렬 연결되는 발광 소자.The method of claim 7, wherein the light emitting element,
A first wire bonded to connect the first reflecting cup to the first light emitting chip;
A second wire bonded to connect the first light emitting chip to the second reflecting cup;
A third wire bonded to connect the first reflective cup and the second light emitting chip; And
A fourth wire bonded to connect the second light emitting chip to the second reflecting cup,
The first light emitting chip and the second light emitting chip is connected in parallel by the first to fourth wires.
상기 제1 반사컵과 상기 제1 발광 칩을 연결하도록 본딩되는 제1 와이어;
상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩을 직접 연결하도록 본딩되는 제2 와이어; 및
상기 제2 발광 칩과 상기 제2 반사컵을 연결하도록 본딩되는 제3 와이어를 포함하며,
상기 제1 내지 제3 와이어들에 의하여 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩은 직렬 연결되는 발광 소자.The method of claim 7, wherein the light emitting element,
A first wire bonded to connect the first reflecting cup to the first light emitting chip;
A second wire bonded to directly connect the first light emitting chip and the second light emitting chip; And
A third wire bonded to connect the second light emitting chip to the second reflecting cup;
The first light emitting chip and the second light emitting chip is connected in series by the first to third wires.
상기 연결부는 전도성 물질인 발광 소자.The method of claim 7, wherein
The connection part is a light emitting device that is a conductive material.
상기 제1 반사컵의 상부면에 배치되는 제너 다이오드; 및
일단은 상기 제너 다이오드에 본딩되고, 다른 일단은 상기 제2 반사컵의 상부면에 본딩되는 제5 와이어를 더 포함하는 발광 소자.The light emitting device of any one of claims 9 to 12,
A zener diode disposed on an upper surface of the first reflecting cup; And
And a fifth wire, one end of which is bonded to the zener diode and the other end of which is bonded to an upper surface of the second reflecting cup.
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
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KR20130106163A (en) * | 2012-03-19 | 2013-09-27 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device and light unit having the same |
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