KR101692511B1 - Light emitting device - Google Patents

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Abstract

실시 예는 수지체, 상기 수지체와 접하는 제1 내지 제3 금속체들, 상기 제1 금속체에 배치되는 제1 발광 칩 및 상기 제2 금속체에 배치되는 제2 발광 칩, 상기 제1 금속체에 배치되는 제너 다이오드를 포함하고, 상기 수지체는 제1 방향으로 연장되는 제1 및 제2 장측벽들, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되는 제1 및 제2 단측벽들, 및 바닥부를 가지며, 상기 제1 및 제2 장측벽들의 내측면, 상기 제1 및 제2 단측벽들의 내측면, 상기 바닥부의 상면, 및 상기 제1 내지 제3 금속체들의 상면은 캐비티를 구성한다.The first embodiment includes a resin body, first to third metal bodies in contact with the resin body, a first light emitting chip disposed in the first metal body, a second light emitting chip disposed in the second metal body, Wherein the resin body includes first and second long side walls extending in a first direction, first and second short side walls extending in a second direction orthogonal to the first direction, And an inner surface of the first and second long side walls, an inner surface of the first and second short side walls, an upper surface of the bottom portion, and an upper surface of the first to third metal bodies constitute a cavity do.

Description

발광 소자{Light emitting device}[0001]

실시 예는 발광 소자에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting element.

발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.BACKGROUND ART A light emitting device, for example, a light emitting device (Light Emitting Device) is a type of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been widely recognized as a next generation light source in place of existing fluorescent lamps and incandescent lamps.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생생하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor device, the light emitting diode consumes very low power compared to a fluorescent lamp that generates light by heating tungsten to generate light by incandescent lamps or by colliding ultraviolet rays generated through high-voltage discharges with phosphors .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and a light emitting diode is increasingly used as a light source for various lamps used for indoor and outdoor use, lighting devices such as a liquid crystal display, an electric signboard, and a streetlight.

실시 예는 몸체의 변색을 방지하고, 광 간섭을 방지할 수 있는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting element that prevents discoloration of the body and can prevent light interference.

실시 예에 따른 발광 소자는 수지체; 상기 수지체와 접하는 제1 내지 제3 금속체들; 상기 제1 금속체에 배치되는 제1 발광 칩 및 상기 제2 금속체에 배치되는 제2 발광 칩; 상기 제1 금속체에 배치되는 제너 다이오드를 포함하고, 상기 수지체는 제1 방향으로 연장되는 제1 및 제2 장측벽들, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되는 제1 및 제2 단측벽들, 및 바닥부를 가지며, 상기 제1 및 제2 장측벽들의 내측면, 상기 제1 및 제2 단측벽들의 내측면, 상기 바닥부의 상면, 및 상기 제1 내지 제3 금속체들의 상면은 캐비티(cavity)를 구성하며, 상기 제1 금속체는 적어도 일부가 상기 제1 단측벽을 관통하고, 상기 제2 금속체는 적어도 일부가 상기 제 2 단측벽을 관통하고, 상기 제3 금속체는 적어도 일부가 상기 제1 장측벽을 관통하고, 상기 제1 금속체는 상기 제1 발광 칩이 배치되는 제1 상면과 상기 제2 장측벽과 상기 제3 금속체 사이에 배치되는 제2 상면을 포함하고, 상기 제2 금속체는 상기 제2 발광 칩이 배치되는 제3 상면과 상기 제2 장측벽과 상기 제3 금속체 사이에 배치되는 제4 상면을 포함하고, 상기 제2 방향으로의 상기 제1 상면의 폭 및 상기 제2 방향으로의 상기 제3 상면의 폭 각각은 상기 제2 방향으로의 상기 제2 상면의 폭 및 상기 제2 방향으로의 상기 제4 상면의 폭보다 넓고, 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 단측벽 간의 간격 및 상기 제2 발광 칩과 상기 제1 단측벽 간의 간격 각각은 상기 제1 발광 칩과 상기 제1 단측벽 간의 간격 및 상기 제2 발광 칩과 상기 제2 단측벽 간의 간격보다 길고, 상기 제1 발광 칩은 제1 와이어를 통해 상기 제1 금속체에 연결되고, 제2 와이어를 통해 상기 제3 금속체에 연결되며, 상기 제2 발광 칩은 제3 와이어를 통해 상기 제2 금속체에 연결되고, 제4 와이어를 통해 상기 제3 금속체에 연결되며, 상기 제너 다이오드는 제5 와이어를 통해 상기 제2 금속체에 연결된다.A light emitting device according to an embodiment includes a resin body; First to third metal bodies in contact with the resin body; A first light emitting chip disposed on the first metal body and a second light emitting chip disposed on the second metal body; And a Zener diode disposed in the first metal body, the resin body comprising first and second long side walls extending in a first direction, first and second long side walls extending in a second direction orthogonal to the first direction, And an upper surface of the first to third metal bodies, and an upper surface of the first to third metal bodies, the upper surface of the first and the second metal bodies, Wherein at least a portion of the first metal body passes through the first end side wall and at least a portion of the second metal body passes through the second end side wall, At least a part of which penetrates through the first long side wall, wherein the first metal body has a first upper surface on which the first light emitting chip is disposed, and a second upper surface disposed between the second long side wall and the third metal body Wherein the second metal body includes a third upper surface on which the second light emitting chip is disposed, And a fourth upper surface disposed between the second side wall and the third metal body, wherein each of the width of the first upper surface in the second direction and the width of the third upper surface in the second direction, The width of the second upper surface in the second direction and the width of the fourth upper surface in the second direction, and the distance between the first light emitting chip and the second step side wall and the distance between the second light emitting chip and the first Each of the spacing between the first sidewalls is longer than a distance between the first light emitting chip and the first sidewall and an interval between the second light emitting chip and the second sidewall, And the second light emitting chip is connected to the second metal body via a third wire, and the third metal body is connected to the second metal body via a second wire, And the Zener diode is connected to the second wire via a fifth wire, And is connected to a metal body.

상기 제2 방향으로의 상기 제1 상면의 폭 및 상기 제2 방향으로의 상기 제 3 상면의 폭은 동일하고, 상기 제2 방향으로의 상기 제2 상면의 폭 및 상기 제2 방향으로의 상기 제 4 상면의 폭은 동일할 수 있다.Wherein a width of the first upper surface in the second direction and a width of the third upper surface in the second direction are the same and a width of the second upper surface in the second direction and a width of the second upper surface in the second direction, The width of the four upper surfaces may be the same.

상기 제1 발광 칩과 상기 제2 단측벽 간의 간격 및 상기 제2 발광 칩과 상기 제1 단측벽 간의 간격은 동일하고, 상기 제1 발광 칩과 상기 제1 단측벽 간의 간격 및 상기 제2 발광 칩과 상기 제2 단측벽 간의 간격은 동일하고, 상기 제1 발광 칩과 상기 제1 장측벽 간의 간격, 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 장측벽 간의 간격, 상기 제2 발광 칩과 상기 제1 장측벽 간의 간격 및 상기 제2 발광 칩과 상기 제2 장측벽 간의 간격은 서로 동일할 수 있다.Wherein a distance between the first light emitting chip and the second side wall and an interval between the second light emitting chip and the first side wall are the same, Wherein a distance between the first light emitting chip and the first long side wall is the same as a distance between the first light emitting chip and the first long side wall, The distance between the side walls and the distance between the second light emitting chip and the second long side wall may be equal to each other.

상기 제1 금속체는 제1 바닥, 및 상기 제1 바닥보다 상기 제1 단측벽에 인접하는 제2 바닥을 가지며, 상기 제2 금속체는 제3 바닥과 상기 제3 바닥보다 상기 제2 단측벽에 인접하는 제4 바닥을 가지며, 상기 제3 금속체는 제5 바닥을 가지며, 상기 제1 내지 제5 바닥들은 서로 이격되고, 상기 수지체의 저면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다Wherein the first metallic body has a first bottom and a second bottom that is closer to the first end side wall than the first bottom and the second metallic body has a third bottom and a second bottom, And the third metal body has a fifth bottom, the first to fifth bases are spaced apart from each other, and can be arranged coplanar with the bottom surface of the resin body

상기 제2 방향으로의 상기 제2 바닥의 폭 및 상기 제2 방향으로의 상기 제4 바닥의 폭 각각은 상기 제2 방향으로의 상기 제1 바닥의 폭 및 상기 제2 방향으로의 상기 제3 바닥의 폭보다 넓을 수 있다.Wherein a width of the second bottom in the second direction and a width of the fourth bottom in the second direction are greater than a width of the first bottom in the second direction and a width of the third bottom in the second direction, As shown in FIG.

상기 제1 장측벽의 외측면, 상기 제2 장측벽의 외측면, 상기 제1 단측벽의 외측면 및 상기 제2 단측벽의 외측면 각각과 상기 수지체의 저면이 이루는 각은 예각이고, 서로 동일할 수 있다.Wherein an angle formed by the outer surface of the first long side wall, the outer surface of the second long side wall, the outer surface of the first short side wall, and the outer surface of the second short side wall and the bottom surface of the resin body is acute, Can be the same.

상기 제1 금속체 및 상기 제2 금속체 각각은 오목부를 구비할 수 있다.Each of the first metal body and the second metal body may have a concave portion.

상기 제너 다이오드는 상기 제1 금속체의 상기 오목부 이외의 영역에 배치될 수 있다.And the Zener diode may be disposed in an area other than the concave portion of the first metal body.

상기 발광 소자는 상기 캐비티에 마련된 봉지재를 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include an encapsulant provided in the cavity.

상기 봉지재는 형광체를 포함할 수 있다.The encapsulation material may include a phosphor.

실시 예는 발광 소자의 몸체의 변색을 방지하여 수명을 연장시키고, 광 간섭을 방지할 수 있다.Embodiments can prevent discoloration of the body of the light emitting device, prolong its service life, and prevent light interference.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자의 제1 측면도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자의 제2 측면도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 발광 소자의 제3 측면도를 나타낸다.
도 5는 도 1에 도시된 발광 소자의 제4 측면도를 나타낸다.
도 6은 도 1에 도시된 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 7은 도 6에 도시된 발광 소자의 AA' 방향으로의 단면도를 나타낸다.
도 8은 도 6에 도시된 발광 소자의 BB' 방향으로의 단면도를 나타낸다.
도 9는 실시예에 따른 발광 소자의 발광 칩들 사이의 직렬 연결을 나타낸다.
도 10은 실시예에 따른 발광 소자의 발광 칩들 사이의 병렬 연결을 나타낸다.
도 11은 다른 실시예에 따른 발광 소자의 발광 칩들 사이의 직렬 연결을 나타낸다.
도 12a는 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.
도 12b는 다른 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.
도 12c는 또 다른 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.1 is a perspective view of a light emitting device according to an embodiment.
Fig. 2 shows a first side view of the light emitting device shown in Fig.
Fig. 3 shows a second side view of the light emitting device shown in Fig.
4 shows a third side view of the light emitting device shown in Fig.
5 shows a fourth side view of the light emitting device shown in Fig.
6 is a plan view of the light emitting device shown in Fig.
7 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 6 in the direction AA '.
FIG. 8 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 6 in the BB 'direction.
9 shows a series connection between the light emitting chips of the light emitting device according to the embodiment.
10 shows a parallel connection between the light emitting chips of the light emitting device according to the embodiment.
11 shows a series connection between light emitting chips of a light emitting device according to another embodiment.
12A shows the depth of the first reflecting cup according to the embodiment.
12B shows the depth of the first reflecting cup according to another embodiment.
12C shows the depth of the first reflecting cup according to another embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 사시도를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 발광 소자(100)는 몸체(110), 제1 반사컵(122), 제2 반사컵(124), 연결부(126), 발광 칩들(132,134), 제너 다이오드(Zenor diode, 150), 및 와이어들(151 내지 159)을 포함한다.1 is a perspective view of a light emitting device according to an embodiment. 1, the light emitting device 100 includes a body 110, a first reflective cup 122, a second reflective cup 124, a connection portion 126, light emitting chips 132 and 134, a zener diode 150, and wires 151-159.

몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 바람직하게 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다.The body 110 may be formed of at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), a silicon (Si), a metal material, a photo sensitive glass (PSG), a sapphire (Al2O3) have. Preferably, the body 110 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA).

몸체(110)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수 있다. 몸체(110)가 전기 전도성을 갖는 재질로 형성되는 경우, 몸체(110)의 표면에는 절연막(미도시)이 더 형성되어 몸체(110)가 제1 반사컵(122), 제2 반사컵(124), 연결부(126)와 전기적으로 쇼트(short) 되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다.The body 110 may be formed of a conductor having conductivity. When the body 110 is formed of an electrically conductive material, an insulating film (not shown) is further formed on the surface of the body 110 so that the body 110 is sandwiched between the first reflective cup 122 and the second reflective cup 124 , And may be configured to prevent electrical shorting with the connecting portion 126.

몸체(110)의 상면 형상은 발광 소자(100)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. The top surface shape of the body 110 may have various shapes such as a triangle, a rectangle, a polygon, and a circle depending on the use and design of the light emitting device 100.

예컨대, 도시된 것과 같은 직사각형 형상의 발광 소자(100)는 엣지(edge) 타입의 백라이트 유닛(BLU : Backlight Unit)에 사용될 수 있으며, 휴대형 손전등이나 가정용 조명에 적용되는 경우, 몸체(110)는 휴대용 손전등이나 가정용 조명에 내장하기 용이한 크기와 형태로 변경될 수 있다.For example, the rectangular light emitting device 100 as shown may be used in an edge-type backlight unit (BLU), and when applied to a portable flashlight or home lighting, It can be changed to a size and shape that is easy to embed in a flashlight or home lighting.

몸체(110)는 상부가 개방되고, 측면과 바닥으로 이루어진 캐비티(cavity)(105, 이하 "몸체 캐비티"라 한다)를 갖는다.The body 110 has a cavity 105 (hereinafter referred to as "body cavity ") having an open top and a side and a bottom.

몸체 캐비티(105)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 몸체 캐비티(105)의 내측면은 바닥에 대해 수직하거나 경사질 수 있다.The body cavity 105 may be formed in a cup shape, a concave container shape, or the like, and the inner surface of the body cavity 105 may be perpendicular or inclined to the floor.

몸체 캐비티(105)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형)일 수 있다. 몸체 캐비티(105)의 모서리는 곡선일 수 있다. 도 1에 도시된 몸체 캐비티(105)를 위에서 바라본 형상은 전체적으로 8각형의 형상이며, 특히 각 모서리 부분의 내측면의 면적이 다른 부분보다 작다.The shape of the body cavity 105 viewed from above may be circular, elliptical, or polygonal (e.g., rectangular). The corners of the body cavity 105 may be curved. The shape of the body cavity 105 shown in FIG. 1 viewed from the top is generally octagonal in shape, and in particular, the area of the inner surface of each corner portion is smaller than the other portions.

제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)은 몸체 캐비티(105)의 바닥 아래의 몸체(110) 내부에 서로 이격하여 형성된다. 제1 반사컵(122)은 몸체 캐비티(105)의 밑면 내부에 형성되며, 상부가 개방되는 제1 캐비티(162)를 갖는다. 또한 제2 반사컵(124)은 제1 캐비티(162)와 이격하고, 상부가 개방되는 제2 캐비티(164)를 몸체 캐비티(105)의 바닥 내부에 갖는다.The first reflective cup 122 and the second reflective cup 124 are spaced apart from each other inside the body 110 under the bottom of the body cavity 105. The first reflective cup 122 is formed inside the bottom surface of the body cavity 105 and has a first cavity 162 in which the upper portion is opened. The second reflective cup 124 has a second cavity 164, which is spaced apart from the first cavity 162 and is open at the top, inside the bottom of the body cavity 105.

이때 위에서 바라본 제1 캐비티(162) 및 제2 캐비티(164)의 형상은 컵(cup) 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 내측면은 바닥에 대해 수직하거나 경사질 수 있다.At this time, the shapes of the first cavity 162 and the second cavity 164 viewed from above may be formed in a cup shape, a concave container shape, or the like, and the inner side surface may be perpendicular or inclined to the bottom.

제1 반사컵(122)은 몸체(110)의 바닥 및 외부 제1 측면을 관통하도록 형성되어 발광 소자(100)의 바닥 및 제1 측면을 이루며, 제1 반사컵(122)의 말단(142)은 몸체(110)의 외부 제1 측면에 노출될 수 있다. 또한 제2 반사컵(122)은 몸체(110)의 바닥 및 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 관통하도록 형성되어 발광 소자(100)의 바닥 및 제2 측면을 이루며, 제2 반사컵(124)의 말단(144)은 몸체(110)의 외부 제2 측면에 노출될 수 있다.The first reflective cup 122 is formed to penetrate the bottom and outer first sides of the body 110 to form a bottom and a first side of the light emitting device 100 and a distal end 142 of the first reflective cup 122, May be exposed to the outer first side of the body 110. The second reflective cup 122 is formed to penetrate the bottom of the body 110 and the second side facing the first side to form the bottom and the second side of the light emitting device 100, May be exposed to the outer second side of the body 110.

제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)은 은, 금, 또는 구리 등의 재료일 수 있으며, 이들 재료들을 도금한 금속 재료일 수 있다. 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)은 연결부(16)를 기준으로 형상 및 크기에 있어서 서로 대칭적일 수 있다.The first reflective cup 122 and the second reflective cup 124 may be made of a material such as silver, gold, or copper, or may be a metal material plated with these materials. The first reflective cup 122 and the second reflective cup 124 may be symmetrical in shape and size with respect to the connecting portion 16.

연결부(126)는 몸체 캐비티(105)의 밑면 아래의 몸체(110) 내부에 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)과 각각 이격하여 형성된다. 연결부(126)는 전기를 통할 수 있는 전도성 물질로 이루어질 수 있다. The connection part 126 is formed separately from the first reflection cup 122 and the second reflection cup 124 inside the body 110 under the bottom surface of the body cavity 105. The connection portion 126 may be made of a conductive material capable of conducting electricity.

도 1에 도시된 바와 같이, 연결부(126)는 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124) 사이에 배치되도록 형성될 수 있다. 구체적으로 연결부(126)는 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124) 사이의 몸체 캐비티(105)의 밑면의 중심 부분의 상단에 위치할 수 있다. As shown in FIG. 1, the connection portion 126 may be formed to be disposed between the first reflective cup 122 and the second reflective cup 124. The connection portion 126 may be located at the upper end of the central portion of the bottom surface of the body cavity 105 between the first reflective cup 122 and the second reflective cup 124.

연결부(126)는 몸체(110) 바닥의 또 다른 일부 및 외부 제3 측면을 관통하도록 형성되어 발광 소자의 바닥 및 제2 측면을 이루며, 연결부(126)의 말단(146)은 몸체(110)의 외부 제3 측면에 노출된다. 여기서 몸체(110)의 제3 측면은 몸체의 제1 측면 및 제2 측면과 수직인 어느 한 측면이다.The connection part 126 is formed to penetrate another part of the bottom of the body 110 and the third external side to form the bottom and the second side of the light emitting device and the end 146 of the connection part 126 is connected to the body 110 And exposed to the external third side. Wherein the third side of the body 110 is one side perpendicular to the first side and the second side of the body.

제너 다이오드(150)는 발광 소자(100)의 내전압 향상을 위하여 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124) 중 어느 하나 상에 배치된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 반사컵(122)의 상부면 상에 제너 다이오드(150)가 마운트될 수 있다.The Zener diode 150 is disposed on any one of the first reflective cup 122 and the second reflective cup 124 to improve the withstand voltage of the light emitting device 100. As shown in FIG. 1, a zener diode 150 may be mounted on the upper surface of the first reflective cup 122.

도 2는 도 1에 도시된 발광 소자의 제1 측면도를 나타내고, 도 3은 도 1에 도시된 발광 소자의 제2 측면도를 나타내고, 도 4는 도 1에 도시된 발광 소자의 제3 측면도를 나타내고, 도 5는 도 1에 도시된 발광 소자의 제4 측면도를 나타낸다.FIG. 2 shows a first side view of the light emitting device shown in FIG. 1, FIG. 3 shows a second side view of the light emitting device shown in FIG. 1, FIG. 4 shows a third side view of the light emitting device shown in FIG. , And Fig. 5 shows a fourth side view of the light emitting device shown in Fig.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 제1 반사컵(122)은 몸체(110) 바닥의 일부를 이루며, 그 말단(142)은 제1 측면(210)으로부터 돌출되어 몸체(110) 밖으로 노출된다. 제2 반사컵(124)은 몸체(110) 바닥의 다른 일부를 이루며, 그 말단(144)은 제1 측면(210)과 마주보는 제2 측면(220)으로부터 돌출되어 몸체(110) 밖으로 노출된다. 연결부(126)의 말단(146)은 몸체(110)의 바닥의 일부를 이루며, 몸체(110)의 제3 측면(230)으로부터 돌출되어 몸체(110) 밖으로 노출된다.2 to 5, the first reflective cup 122 forms a part of the bottom of the body 110, and the distal end 142 protrudes from the first side 210 and is exposed to the outside of the body 110. The second reflective cup 124 forms another part of the bottom of the body 110 and its end 144 protrudes from the second side 220 facing the first side 210 and is exposed to the outside of the body 110 . The distal end 146 of the connection part 126 forms a part of the bottom of the body 110 and protrudes from the third side 230 of the body 110 and is exposed to the outside of the body 110.

제1 반사컵(122)의 말단(142), 제2 반사컵(124)의 말단(144), 및 연결부(126) 말단(146)의 형상은 직사각형, 정사각형, 또는 U자 형태 등과 같이 다양하게 형성될 수 있다.The shape of the distal end 142 of the first reflecting cup 122, the distal end 144 of the second reflecting cup 124 and the distal end 146 of the connecting portion 126 may be variously shaped like a rectangle, a square, or a U- .

제1 발광 칩(132)은 제1 반사컵(122)의 제1 캐비티(162) 내에 배치되고, 제2 발광 칩(134)은 제2 반사컵(124)의 제2 캐비티(164) 내에 배치된다. 제1 발광 칩(132)은 제1 캐비티(162)의 내부 측면으로부터 이격되도록 배치되며, 제2 발광 칩(134)은 제2 캐비티(164)의 내부 측면으로부터 이격되도록 배치될 수 있다.The first light emitting chip 132 is disposed in the first cavity 162 of the first reflective cup 122 and the second light emitting chip 134 is disposed in the second cavity 164 of the second reflective cup 124 do. The first light emitting chip 132 may be disposed to be spaced from the inner side surface of the first cavity 162 and the second light emitting chip 134 may be disposed to be spaced from the inner side surface of the second cavity 164.

와이어들(152 내지 158)은 제1 발광 칩(122)과 제2 발광 칩(124)을 서로 연결한다. 제1 와이어(152)는 제1 발광 칩(122)과 제1 반사컵(132)을 연결하고, 제2 와이어(154)는 제1 발광 칩(122)과 연결부(126)를 연결하며, 제3 와이어(156)는 연결부(126)와 제2 발광 칩(124)을 연결하며, 제4 와이어(158)는 제2 발광 칩(124)과 제2 반사컵(134)을 연결할 수 있다.The wires 152 to 158 connect the first light emitting chip 122 and the second light emitting chip 124 to each other. The first wire 152 connects the first light emitting chip 122 and the first reflective cup 132. The second wire 154 connects the first light emitting chip 122 and the connection portion 126, The third wire 156 connects the connection part 126 and the second light emitting chip 124 and the fourth wire 158 connects the second light emitting chip 124 and the second reflection cup 134.

연결부(126)와 제1 발광 칩(132) 사이에 제2 와이어(154)를 본딩하고, 연결부(126)와 제2 발광 칩(134) 사이에 제3 와이어(156)를 본딩함으로써 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134)은 서로 연결된다.A second wire 154 is bonded between the connection part 126 and the first light emitting chip 132 and a third wire 156 is bonded between the connection part 126 and the second light emitting chip 134, The chip 132 and the second light emitting chip 134 are connected to each other.

제1 반사컵(122)에 마운트된 제너 다이오드(150)는 제5 와이어(159)에 의하여 제2 반사컵(124)과 전기적으로 연결된다. 예컨대, 제5 와이어(159)의 일단은 제너 다이오드(150)에 본딩되고, 제5 와이어(159)의 나머지 다른 일단은 제2 반사컵의 상부면과 본딩될 수 있다. 만약 제너 다이오드(150)이 제2 반사컵(124)에 마운트된 경우에는 제5 와이어(159)의 일단은 제너 다이오드(150)에 본딩되고, 나머지 다른 일단은 제1 반사컵의 상부면과 본딩될 수 있다.The Zener diode 150 mounted on the first reflective cup 122 is electrically connected to the second reflective cup 124 by the fifth wire 159. For example, one end of the fifth wire 159 may be bonded to the Zener diode 150, and the other end of the fifth wire 159 may be bonded to the upper surface of the second reflective cup. When the Zener diode 150 is mounted on the second reflective cup 124, one end of the fifth wire 159 is bonded to the Zener diode 150, and the other end of the fifth wire 159 is bonded to the upper surface of the first reflective cup. .

연결부(126)는 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)과 이격, 분리 형성되어 제1 발광 칩(122) 및 제2 발광 칩(124)과는 독립적이다. 그렇기 때문에 연결부(16)는 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134)을 전기적으로 안정하게 직렬 연결할 수 있어 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The connection part 126 is formed separately from the first reflective cup 122 and the second reflective cup 124 to be independent of the first light emitting chip 122 and the second light emitting chip 124. Therefore, the connection part 16 can electrically connect the first light emitting chip 132 and the second light emitting chip 134 electrically in series, thereby improving the electrical reliability.

제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134)은 빛을 발생하는 소자이며, 빛 발생과 더불어 열을 방출하는 열원이다. 제1 반사컵(122)은 열원인 제1 발광 칩(132)으로부터 발생하는 열이 몸체로 방사되는 것을 차단하며, 제2 반사컵(124)은 제2 발광 칩(134)으로부터 발생하는 열이 몸체로 방사되는 것을 차단한다. 즉 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)은 열원인 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(132)을 열적으로 분리시킨다.The first light emitting chip 132 and the second light emitting chip 134 generate light and are heat sources that generate heat as well as generate light. The first reflective cup 122 blocks the heat generated from the first light emitting chip 132 which is a heat source from being radiated to the body and the second reflective cup 124 prevents heat generated from the second light emitting chip 134 It blocks radiation to the body. That is, the first reflective cup 122 and the second reflective cup 124 thermally separate the first light emitting chip 132, which is a heat source, from the second light emitting chip 132.

또한 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)은 제1 발광 칩(132)이 조사한 빛과 제2 발광 칩(134)이 조사한 빛이 서로 간섭하지 않도록 차단하는 역할을 한다.The first reflective cup 122 and the second reflective cup 124 block the light emitted by the first light emitting chip 132 and the light emitted by the second light emitting chip 134 from interfering with each other.

결국 실시 예는 제1 발광 칩(132)을 제1 반사컵(122)의 제1 캐비티(162) 내부에 배치하고, 제2 발광 칩(134)을 제2 반사컵(124) 내부의 제2 캐비티(164) 내부에 배치시킴으로써 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134) 각각을 열적 및 광학적으로 서로 분리시킬 수 있다.As a result, in the embodiment, the first light emitting chip 132 is disposed in the first cavity 162 of the first reflective cup 122, and the second light emitting chip 134 is disposed in the second reflective cup 124 in the second The first light emitting chip 132 and the second light emitting chip 134 can be thermally and optically separated from each other by being disposed inside the cavity 164.

몸체(110)는 후면에 몸체(110) 형성을 위하여 수지를 주입하기 위한 수지 주입 홀(240)을 갖는다. 수지 주입 홀(240)은 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124) 사이의 몸체(110)에 위치할 수 있다.The body 110 has a resin injection hole 240 for injecting resin for forming the body 110 on the rear surface. The resin injection hole 240 may be located in the body 110 between the first reflective cup 122 and the second reflective cup 124.

도 6은 도 1에 도시된 발광 소자의 평면도를 나타낸다. 설명의 편의를 위하여 도 1에 도시된 와이어들(151 내지 159)은 도시하지 않는다. 도 6을 참조하면, 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124)은 서로 일정 거리(D1) 이격하며, 그 사이에는 폴리프탈아미드로 이루어진 몸체(110) 바닥이 개재된다.6 is a plan view of the light emitting device shown in Fig. For convenience of explanation, the wires 151 to 159 shown in FIG. 1 are not shown. Referring to FIG. 6, the first reflective cup 122 and the second reflective cup 124 are separated from each other by a predetermined distance D1, and a bottom of the body 110 made of polyphthalamide is interposed therebetween.

열원을 분리하고 발광 칩들(132,134) 간의 광 간섭을 효과적으로 차단하기 위하여 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124)의 이격 거리는 적어도 100um 이상 간격을 갖도록 한다.The separation distance between the first reflective cup 122 and the second reflective cup 124 is set to be at least 100 μm or more so as to effectively isolate the heat source and effectively block the light interference between the light emitting chips 132 and 134.

또한 발광 칩들(132,134) 간의 광 간섭을 효과적으로 차단하고, 반사 효율을 높이기 위하여 제1 발광 칩(132)은 제1 반사컵(122)의 측면으로부터 일정 거리 이격하여 제1 반사컵(124)의 바닥에 배치되며, 제2 발광 칩(134)은 제2 반사컵(124)의 측면으로부터 일정 거리 이격하여 제2 반사컵(124)의 바닥에 배치된다.In order to effectively block light interference between the light emitting chips 132 and 134 and increase the reflection efficiency, the first light emitting chip 132 is separated from the side of the first reflective cup 122 by a predetermined distance, And the second light emitting chip 134 is disposed at the bottom of the second reflective cup 124 at a distance from the side of the second reflective cup 124.

예컨대, 제1 발광 칩(132)은 제1 반사컵(122)의 바닥 중앙에 마운트(mount)될 수 있고, 제2 발광 칩(134)은 제2 반사컵(122)의 바닥 중앙에 마운트될 수 있다.For example, the first light emitting chip 132 may be mounted on the bottom center of the first reflective cup 122, and the second light emitting chip 134 may be mounted on the bottom center of the second reflective cup 122 .

구체적으로 제1 반사컵(122)의 단측면으로부터 제1 발광 칩(132)까지의 이격 거리(D2)는 200um이고, 제1 반사컵(122)의 장측면으로부터 제1 발광 칩(132)까지의 이격 거리(D3)는 500um일 수 있다.Specifically, the distance D2 from the end face of the first reflective cup 122 to the first light emitting chip 132 is 200 mu m, and the distance from the long side of the first reflective cup 122 to the first light emitting chip 132 The spacing distance D3 may be 500 mu m.

연결부(126)는 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124) 각각과 서로 일정 거리(D4) 이격하며, 그 사이에는 폴리프탈아미드로 이루어진 몸체(110) 바닥이 개재된다.The connection part 126 is separated from the first reflection cup 122 and the second reflection cup 124 by a predetermined distance D4 and a bottom of the body 110 made of polyphthalamide is interposed therebetween.

예컨대, 제1 반사컵(122)과 연결부(126) 사이의 이격 거리(D4)는 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124) 사이의 이격 거리(D1)와 동일할 수 있다.The distance D4 between the first reflecting cup 122 and the connecting portion 126 may be equal to the distance D1 between the first reflecting cup 122 and the second reflecting cup 124. [

도 7은 도 6에 도시된 발광 소자의 AA' 방향으로의 단면도를 나타낸다. 도 7에는 와이어들(152 내지 159)의 도시를 생략한다.7 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 6 in the direction AA '. 7, the illustration of the wires 152 to 159 is omitted.

도 7을 참조하면, 제1 반사컵(122)의 측면의 기울어진 각도(θ1)는 몸체(110)의 몸체 캐비티(105)의 측면의 기울어진 각도와 다를 수 있다. 예컨대, 제1 반사컵(122)의 측면과 밑면이 이루는 각도(θ1)는 90° ~ 160°일 수 있다. Referring to FIG. 7, the tilted angle? 1 of the side surface of the first reflective cup 122 may be different from the tilted angle of the side surface of the body cavity 105 of the body 110. For example, the angle [theta] 1 formed by the side surface and the bottom surface of the first reflective cup 122 may be 90 [deg.] To 160 [deg.].

몸체 캐비티(105)의 내측면 상단은 굴곡진 테두리를 갖는다. 몸체 캐비티(105)의 상부 내측면은 굴곡지게 형성될 수 있다. 상기 몸체의 측면의 상단에는 상기 몸체(110)의 상부면과 단차를 가지며, 상기 몸체(110)의 상부면과 수평인 테두리부(804)가 형성될 수 있다.The upper end of the inner surface of the body cavity 105 has a curved rim. The upper inner surface of the body cavity 105 may be curved. At the upper end of the side surface of the body 110, a rim 804 may be formed which is level with the upper surface of the body 110 and is horizontal to the upper surface of the body 110.

예컨대, 몸체 캐비티(105)의 상부 내측면은 몸체 캐비티(105)의 상부면(802)과 단차를 갖지며, 상부면(802)과 수평인 테두리부(804)를 갖는다.For example, the upper inner surface of the body cavity 105 has a step with the upper surface 802 of the body cavity 105, and has a horizontal rim portion 804 with the upper surface 802.

몸체 캐비티(105)의 상부면(802)과 테두리부(804) 사이의 단차(K1)는 50~80um이고, 테두리부(804)의 길이(K2)는 50~130um일 수 있다. 몸체 캐비티(105)의 내측면 상단은 상술한 바와 같은 단차가 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.The step K1 between the upper surface 802 of the body cavity 105 and the rim 804 may be 50 to 80 um and the length K2 of the rim 804 may be 50 to 130 um. At least one or more of the above-described steps may be formed on the inner side upper surface of the body cavity 105.

이와 같이 단차를 갖는 테두리부(804)를 몸체 캐비티(105)의 내측면에 갖도록 하는 것은 침투 경로를 길게 함으로써 가스(gas)가 외부로부터 발광 소자 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있도록 하여 발광 소자의 기밀성을 향상시킬 수 있다.By providing the rim 804 having the stepped portion on the inner surface of the body cavity 105, it is possible to prevent the gas from penetrating into the light emitting element from the outside by lengthening the penetration path, The airtightness can be improved.

발광 칩들(132,134) 간의 광 간섭 차단하고, 광 반사 효율을 향상시키기 위하여 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124)의 깊이(H)는 발광 칩들(132,134)의 높이를 고려하여 결정될 수 있다. The depth H of the first reflective cup 122 and the second reflective cup 124 is determined in consideration of the height of the light emitting chips 132 and 134 in order to block the optical interference between the light emitting chips 132 and 134 and improve the light reflection efficiency .

도 12a는 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.12A shows the depth of the first reflecting cup according to the embodiment.

도 12a를 참조하면, 제1 반사컵(122)의 상부면은 제1 반사컵(122)에 마운트된 제1 발광 칩(132)의 상부면과 수평일 수 있다. 제1 반사컵(122)의 깊이(H1)는 제1 발광 칩(132)의 높이(a1)와 동일할 수 있다(H1=a1). 도 13a에 도시된 제1 반사컵(122)에 대한 설명은 제2 반사컵(124)의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.12A, the upper surface of the first reflective cup 122 may be horizontal with the upper surface of the first light emitting chip 132 mounted on the first reflective cup 122. The depth H1 of the first reflective cup 122 may be equal to the height a1 of the first light emitting chip 132 (H1 = a1). The description of the first reflecting cup 122 shown in FIG. 13A can be applied to the second reflecting cup 124 as well.

도 12b는 다른 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.12B shows the depth of the first reflecting cup according to another embodiment.

도 12b를 참조하면, 제1 반사컵(122)의 상부면은 제1 반사컵(122)에 마운트된 제1 발광 칩(132)의 상부면보다 높을 수 있다. 제1 반사컵(122)의 깊이(H2)는 제1 발광 칩(132)의 높이(a1)보다 클 수 있다(H2>a1). Referring to FIG. 12B, the upper surface of the first reflective cup 122 may be higher than the upper surface of the first light emitting chip 132 mounted on the first reflective cup 122. The depth H2 of the first reflective cup 122 may be greater than the height a1 of the first light emitting chip 132 (H2> a1).

예컨대, 제1 반사컵(122)의 깊이(H2)는 제1 발광 칩(132)의 높이(a1)보다 크고, 제1 발광 칩(132)의 높이의 2배보다 작을 수 있다(a1<H2<2a1). 도 13b에 도시된 제1 반사컵(122)에 대한 설명은 제2 반사컵(124)의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.For example, the depth H2 of the first reflective cup 122 may be greater than the height a1 of the first light emitting chip 132 and less than twice the height of the first light emitting chip 132 (a1 < H2 &Lt; 2a1). The description of the first reflective cup 122 shown in FIG. 13B can be applied to the second reflective cup 124 as well.

도 12c는 또 다른 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.12C shows the depth of the first reflecting cup according to another embodiment.

도 12c를 참조하면, 제1 반사컵(122)의 상부면은 제1 반사컵(122)에 마운트된 제1 발광 칩(132)의 상부면보다 낮을 수 있다. 제1 반사컵(122)의 깊이(H3)는 제1 발광 칩(132)의 높이(a1)보다 작을 수 있다(H3<a1). Referring to FIG. 12C, the upper surface of the first reflective cup 122 may be lower than the upper surface of the first light emitting chip 132 mounted on the first reflective cup 122. The depth H3 of the first reflective cup 122 may be smaller than the height a1 of the first light emitting chip 132 (H3 <a1).

예컨대, 제1 반사컵(122)의 깊이(H3)는 제1 발광 칩(132)의 높이(a1)보다 작고, 제1 발광 칩(132)의 높이의 1/2배보다 클 수 있다(a1/2<H3<a1). 도 13c에 도시된 제1 반사컵(122)에 대한 설명은 제2 반사컵(124)의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.For example, the depth H3 of the first reflecting cup 122 may be smaller than the height a1 of the first light emitting chip 132 and larger than 1/2 the height of the first light emitting chip 132 (a1 / 2 < H3 < a1). The description of the first reflective cup 122 shown in FIG. 13C can be applied to the second reflective cup 124 as well.

도 8은 도 6에 도시된 발광 소자의 BB' 방향으로의 단면도를 나타낸다. 도 8에는 와이어들(152 내지 159)의 도시를 생략한다. 도 8을 참조하면, 연결부(126)의 상부면은 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)의 상부면과 평행하며, 연결부(126)말단(146)은 몸체(110)의 바닥의 일부를 이루며, 몸체(110)의 제3 측면(230)을 관통하여 몸체(110) 밖으로 돌출되어 노출된다.FIG. 8 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 6 in the BB 'direction. 8, the illustration of the wires 152 to 159 is omitted. 8, the upper surface of the connection part 126 is parallel to the upper surface of the first reflective cup 122 and the second reflective cup 124, and the end 146 of the connection part 126 is connected to the upper surface of the body 110 And is protruded out of the body 110 through the third side surface 230 of the body 110 and exposed.

실시예에 따른 발광 소자는 도 7에 도시된 바와 같이, 몸체 캐비티(105) 내에는 제1 발광 칩(132) 및 제2 발광 칩(134)을 밀봉하여 보호하도록 봉지재(820)가 충진될 수 있다.7, the sealing material 820 is filled in the body cavity 105 to protect the first light emitting chip 132 and the second light emitting chip 134 by sealing the first light emitting chip 132 and the second light emitting chip 134 .

봉지재(820)는 제1 발광 칩(132) 및 제2 발광 칩(134)를 외부와 격리하기 위해 몸체 캐비티(105)는 물론, 제1 발광 칩(132)이 마운트된 제1 반사컵(122) 내부 및 제2 발광 칩(134)이 마운트된 제2 반사컵(124) 내부도 충진한다.The encapsulant 820 may be disposed on the first reflective cup 132 on which the first light emitting chip 132 is mounted as well as the body cavity 105 to isolate the first light emitting chip 132 and the second light emitting chip 134 from the outside. 122 and the second reflective cup 124 on which the second light emitting chip 134 is mounted.

봉지재(820)는 실리콘 또는 수지 재질로 형성될 수 있다. 봉지재(820)는 몸체 캐비티(105) 내에 실리콘 또는 수지 재질을 충진한 후, 이를 경화하는 방식으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The sealing material 820 may be formed of silicon or a resin material. The sealing material 820 may be formed in such a manner that the body cavity 105 is filled with silicone or a resin material and then cured. However, the sealing material 820 is not limited thereto.

봉지재(820)는 제1 발광 칩(132) 및 제2 발광 칩(134)에서 방출되는 빛의 특성을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 형광체에 의해 발광 칩들(132,134)에서 방출되는 빛이 여기되어 다른 색상을 구현할 수 있다.The encapsulant 820 may include a phosphor for changing the characteristics of light emitted from the first light emitting chip 132 and the second light emitting chip 134 and may include light emitted from the light emitting chips 132 and 134 Can be excited to implement different colors.

예컨대, 발광 칩들(132,134)이 청색 발광 다이오드이고, 형광체가 황색 형광체인 경우 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 백색의 빛을 생성할 수 있다. 발광 칩들(132,134)이 자외선(UV)을 방출하는 경우에는, R, G, B 삼색의 형광체가 봉지재(820)에 첨가되어 백색광을 구현할 수도 있다. 한편, 봉지재(820) 상에는 렌즈(미도시)가 더 형성되어, 발광 소자(100)가 방출하는 빛의 배광을 조절할 수 있다.For example, when the light emitting chips 132 and 134 are blue light emitting diodes and the phosphor is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to generate white light. When the light emitting chips 132 and 134 emit ultraviolet light (UV), phosphors of three colors of R, G, and B may be added to the sealing material 820 to realize white light. On the other hand, a lens (not shown) is further formed on the sealing material 820 to control the light distribution of the light emitted by the light emitting device 100.

도 9는 실시예에 따른 발광 소자의 발광 칩들 사이의 직렬 연결을 나타낸다. 도 9를 참조하면, 제1 와이어(1052)의 일단은 제1 반사컵(132)의 상부면에 본딩(bonding)되고, 제1 와이어(1052)의 나머지 다른 일단은 제1 발광 칩(132)에 본딩된다. 또한 제2 와이어(1054)의 일단은 제1 발광 칩(132)에 본딩되고, 제2 와이어(1054)의 나머지 다른 일단은 연결부(126)에 본딩된다.9 shows a series connection between the light emitting chips of the light emitting device according to the embodiment. 9, one end of the first wire 1052 is bonded to the upper surface of the first reflective cup 132, the other end of the first wire 1052 is bonded to the first light emitting chip 132, . One end of the second wire 1054 is bonded to the first light emitting chip 132 and the other end of the second wire 1054 is bonded to the connection portion 126.

또한 제3 와이어(1056)의 일단은 연결부(126)에 본딩되고, 제3 와이어(1056)의 나머지 다른 일단은 제2 발광 칩(134)에 본딩된다. 또한 제4 와이어(1058)의 일단은 제2 발광 칩(134)에 본딩되고, 제4 와이어(1058)의 나머지 다른 일단은 제2 반사컵(134)의 상부면에 본딩된다. One end of the third wire 1056 is bonded to the connection portion 126 and the other end of the third wire 1056 is bonded to the second light emitting chip 134. One end of the fourth wire 1058 is bonded to the second light emitting chip 134 and the other end of the fourth wire 1058 is bonded to the upper surface of the second reflective cup 134.

도 9에 도시된 발광 칩들(132,134)은 제1 내지 제4 와이어들(1052 내지 1058)의 본딩에 의하여 전기적으로 직렬 연결될 수 있다.The light emitting chips 132 and 134 shown in FIG. 9 may be electrically connected in series by the bonding of the first to fourth wires 1052 to 1058.

도 9에 도시된 발광 칩들(132,134) 사이의 직렬 연결은 발광 칩들(132,134)과 독립적인 연결부(126)를 매개체로 하기 때문에 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134)을 전기적으로 안정하게 직렬 연결할 수 있어 발광 소자의 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Since the series connection between the light emitting chips 132 and 134 shown in FIG. 9 is mediated by the light emitting chips 132 and 134 and the independent connection part 126, the first light emitting chip 132 and the second light emitting chip 134 are electrically And can be stably connected in series, thereby improving the electrical reliability of the light emitting device.

도 10은 실시예에 따른 발광 소자의 발광 칩들 사이의 병렬 연결을 나타낸다. 도 10을 참조하면, 제1 와이어(1152)의 일단은 제1 반사컵(132)의 상부면에 본딩(bonding)되고, 제1 와이어(1152)의 나머지 다른 일단은 제1 발광 칩(132)에 본딩된다. 10 shows a parallel connection between the light emitting chips of the light emitting device according to the embodiment. 10, one end of the first wire 1152 is bonded to the upper surface of the first reflective cup 132 and the other end of the first wire 1152 is bonded to the first light emitting chip 132, .

제2 와이어(1154)의 일단은 제1 발광 칩(132)과 연결되고, 제2 와이어(1154)의 나머지 다른 일단은 제2 반사컵(134)의 상부면과 연결된다. 제3 와이어(1156)의 일단은 제1 반사컵(132)의 상부면과 본딩되고, 제3 와이어(1156)의 나머지 다른 일단은 제2 발광 칩(134)에 본딩된다. 마지막으로 제4 와이어(1158)의 일단은 제2 발광 칩(134)에 본딩되고, 제4 와이어(1158)의 나머지 다른 일단은 제2 반사컵(134)의 상부면에 본딩된다. One end of the second wire 1154 is connected to the first light emitting chip 132 and the other end of the second wire 1154 is connected to the upper surface of the second reflective cup 134. One end of the third wire 1156 is bonded to the upper surface of the first reflective cup 132 and the other end of the third wire 1156 is bonded to the second light emitting chip 134. Finally, one end of the fourth wire 1158 is bonded to the second light emitting chip 134, and the other end of the fourth wire 1158 is bonded to the upper surface of the second reflection cup 134.

도 10에 도시된 발광 칩들(132,134)은 제1 내지 제4 와이어들(1154 내지 1158)의 본딩에 의하여 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.The light emitting chips 132 and 134 shown in FIG. 10 may be electrically connected in parallel by the bonding of the first to fourth wires 1154 to 1158.

도 11은 다른 실시예에 따른 발광 소자의 발광 칩들 사이의 직렬 연결을 나타낸다. 도 11을 참조하면, 제1 와이어(1252)의 일단은 제1 반사컵(132)의 상부면에 본딩(bonding)되고, 제1 와이어(1252)의 나머지 다른 일단은 제1 발광 칩(132)에 본딩된다. 또한 제2 와이어(1154)의 일단은 제1 발광 칩(132)에 본딩되고, 제2 와이어(1154)의 나머지 다른 일단은 제2 발광 칩(134)과 직접 연결된다. 제3 와이어(1156)의 일단은 제2 발광 칩에 연결되고, 제3 와이어(1156)의 나머지 다른 일단은 제2 반사컵(134)의 상부면에 본딩된다.11 shows a series connection between light emitting chips of a light emitting device according to another embodiment. 11, one end of the first wire 1252 is bonded to the upper surface of the first reflective cup 132, the other end of the first wire 1252 is bonded to the first light emitting chip 132, . One end of the second wire 1154 is bonded to the first light emitting chip 132 and the other end of the second wire 1154 is directly connected to the second light emitting chip 134. One end of the third wire 1156 is connected to the second light emitting chip and the other end of the third wire 1156 is bonded to the upper surface of the second reflective cup 134.

도 11에 도시된 발광 칩들(132,134)은 제1 내지 제3 와이어들(1252 내지 1256)의 본딩에 의하여 전기적으로 직렬 연결될 수 있다. 도 9과 달리 제2 와이어(1254)에 의하여 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134)이 연결부(126)를 매개체로 하지 않고 서로 직접 연결된다.The light emitting chips 132 and 134 shown in FIG. 11 may be electrically connected in series by bonding the first through third wires 1252 through 1256. 9, the first light emitting chip 132 and the second light emitting chip 134 are directly connected to each other without the intermediary of the connecting portion 126 by the second wire 1254.

상술한 제1 반사컵(122), 제2 반사컵(124), 제1 발광 칩(132), 제2 발광 칩(134), 및 제너 다이오드(150)에 본딩된 와이어들 각각의 높이는 몸체 캐비티(105)의 상부면의 높이보다 낮다.The height of each of the wires bonded to the first reflective cup 122, the second reflective cup 124, the first light emitting chip 132, the second light emitting chip 134, and the Zener diode 150, (105).

상술한 바와 같이 실시 예는 1컵 타입의 발광 소자 패키지가 아니라, 몸체 내에 분리된 2개의 반사컵들 각각 내에 발광 칩이 마운트된 구조이다. 이로 인하여 열원인 발광 칩들을 서로 분리시키고, 발광 칩으로부터 발산되는 열을 반사컵에 의하여 차단하여 열로 인한 발광 소자의 몸체의 변색을 방지하여 발광 소자의 수명을 연장시킬 수 있다. 또한 서로 분리된 2개의 반사컵들에 의하여 발광 칩들 각각으로부터 조사되는 광 간섭을 방지할 수 있다.As described above, the embodiment is not a one-cup type light emitting device package but a structure in which a light emitting chip is mounted in each of two separate reflection cups in a body. Accordingly, the light emitting chips, which are heat sources, are separated from each other and the heat emitted from the light emitting chip is blocked by the reflective cup to prevent discoloration of the body of the light emitting device due to heat, thereby prolonging the life of the light emitting device. Further, the two reflection cups separated from each other can prevent the light interference irradiated from each of the light emitting chips.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

105: 몸체 캐비티, 110: 몸체,
122: 제1 반사컵, 124: 제2 반사컵,
126: 연결부, 132: 제1 발광 칩,
134: 제2 발광 칩, 150: 제너 다이오드,
151 내지 159: 와이어들.105: body cavity, 110: body,
122: first reflecting cup, 124: second reflecting cup,
126: connection portion, 132: first light emitting chip,
134: second light emitting chip, 150: zener diode,
151 to 159: Wires.

Claims (12)

수지체;
상기 수지체와 접하는 제1 내지 제3 금속체들;
상기 제1 금속체에 배치되는 제1 발광 칩 및 상기 제2 금속체에 배치되는 제2 발광 칩;
상기 제1 금속체에 배치되는 제너 다이오드를 포함하고,
상기 수지체는,
제1 방향으로 연장되는 제1 및 제2 장측벽들, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되는 제1 및 제2 단측벽들, 및 바닥부를 가지며,
상기 제1 및 제2 장측벽들의 내측면, 상기 제1 및 제2 단측벽들의 내측면, 상기 바닥부의 상면, 및 상기 제1 내지 제3 금속체들의 상면은 캐비티(cavity)를 구성하며,
상기 제1 금속체는 적어도 일부가 상기 제1 단측벽을 관통하고, 상기 제2 금속체는 적어도 일부가 상기 제 2 단측벽을 관통하고, 상기 제3 금속체는 적어도 일부가 상기 제1 장측벽을 관통하고,
상기 제1 금속체는,
상기 제1 발광 칩이 배치되는 제1 상면과 상기 제2 장측벽과 상기 제3 금속체 사이에 배치되는 제2 상면을 포함하고,
상기 제2 금속체는,
상기 제2 발광 칩이 배치되는 제3 상면과 상기 제2 장측벽과 상기 제3 금속체 사이에 배치되는 제4 상면을 포함하고,
상기 제2 방향으로의 상기 제1 상면의 폭 및 상기 제2 방향으로의 상기 제3 상면의 폭 각각은 상기 제2 방향으로의 상기 제2 상면의 폭 및 상기 제2 방향으로의 상기 제4 상면의 폭보다 넓고,
상기 제1 발광 칩과 상기 제2 단측벽 간의 간격 및 상기 제2 발광 칩과 상기 제1 단측벽 간의 간격 각각은 상기 제1 발광 칩과 상기 제1 단측벽 간의 간격 및 상기 제2 발광 칩과 상기 제2 단측벽 간의 간격보다 길고,
상기 제1 발광 칩은 제1 와이어를 통해 상기 제1 금속체에 연결되고, 제2 와이어를 통해 상기 제3 금속체에 연결되며,
상기 제2 발광 칩은 제3 와이어를 통해 상기 제2 금속체에 연결되고, 제4 와이어를 통해 상기 제3 금속체에 연결되며,
상기 제너 다이오드는 제5 와이어를 통해 상기 제2 금속체에 연결되며,
상기 제3 금속체를 통하여 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩은 직렬 연결되는 발광 소자.A resin;
First to third metal bodies in contact with the resin body;
A first light emitting chip disposed on the first metal body and a second light emitting chip disposed on the second metal body;
And a Zener diode disposed in the first metal body,
The resin article may further comprise:
First and second long side walls extending in a first direction, first and second short side walls extending in a second direction orthogonal to the first direction, and a bottom,
An inner surface of the first and second long side walls, an inner surface of the first and second short side walls, an upper surface of the bottom portion, and an upper surface of the first to third metal bodies constitute a cavity,
Wherein at least a portion of the first metal body passes through the first end side wall and at least a portion of the second metal body passes through the second end side wall and at least a part of the third metal body passes through the first long side wall Respectively,
Wherein the first metal body comprises:
A first upper surface on which the first light emitting chip is disposed, and a second upper surface disposed between the second long side wall and the third metal body,
The second metal body may be a metal,
A third upper surface on which the second light emitting chip is disposed, and a fourth upper surface disposed between the second long side wall and the third metal body,
Wherein a width of the first upper surface in the second direction and a width of the third upper surface in the second direction are greater than a width of the second upper surface in the second direction and a width of the second upper surface in the second direction, Lt; / RTI &gt;
Wherein a distance between the first light emitting chip and the second side wall and an interval between the second light emitting chip and the first side wall are different from a distance between the first light emitting chip and the first side wall, Is longer than the spacing between the second-
The first light emitting chip is connected to the first metal body via a first wire and is connected to the third metal body through a second wire,
The second light emitting chip is connected to the second metal body through a third wire and is connected to the third metal body through a fourth wire,
Wherein the Zener diode is connected to the second metal body through a fifth wire,
And the first light emitting chip and the second light emitting chip are connected in series through the third metal body. 제1항에 있어서,
상기 제2 방향으로의 상기 제1 상면의 폭 및 상기 제2 방향으로의 상기 제 3 상면의 폭은 동일하고,
상기 제2 방향으로의 상기 제2 상면의 폭 및 상기 제2 방향으로의 상기 제 4 상면의 폭은 동일한 발광 소자.The method according to claim 1,
The width of the first upper surface in the second direction and the width of the third upper surface in the second direction are the same,
The width of the second upper surface in the second direction and the width of the fourth upper surface in the second direction are the same. 제1항에 있어서,
상기 제1 발광 칩과 상기 제2 단측벽 간의 간격 및 상기 제2 발광 칩과 상기 제1 단측벽 간의 간격은 동일하고,
상기 제1 발광 칩과 상기 제1 단측벽 간의 간격 및 상기 제2 발광 칩과 상기 제2 단측벽 간의 간격은 동일하고,
상기 제1 발광 칩과 상기 제1 장측벽 간의 간격, 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 장측벽 간의 간격, 상기 제2 발광 칩과 상기 제1 장측벽 간의 간격 및 상기 제2 발광 칩과 상기 제2 장측벽 간의 간격은 서로 동일한 발광 소자.The method according to claim 1,
The distance between the first light emitting chip and the second side wall and the distance between the second light emitting chip and the first side wall are the same,
The distance between the first light emitting chip and the first side wall and the distance between the second light emitting chip and the second side wall are the same,
A distance between the first light emitting chip and the first long side wall, a distance between the first light emitting chip and the second long side wall, a distance between the second light emitting chip and the first long side wall, (2) The light emitting element having the same spacing between the side walls. 제1항에 있어서,
상기 제1 금속체는 제1 바닥, 및 상기 제1 바닥보다 상기 제1 단측벽에 인접하는 제2 바닥을 가지며,
상기 제2 금속체는 제3 바닥과 상기 제3 바닥보다 상기 제2 단측벽에 인접하는 제4 바닥을 가지며,
상기 제3 금속체는 제5 바닥을 가지며,
상기 제1 내지 제5 바닥들은 서로 이격되고, 상기 수지체의 저면과 동일 평면 상에 배치되는 발광 소자.The method according to claim 1,
The first metal body having a first bottom and a second bottom adjacent to the first end side wall than the first bottom,
The second metal body having a third bottom and a fourth bottom adjacent to the second end side wall than the third bottom,
Said third metal body having a fifth bottom,
Wherein the first to fifth bases are spaced apart from each other and arranged on the same plane as the bottom surface of the resin body. 제4항에 있어서,
상기 제2 방향으로의 상기 제2 바닥의 폭 및 상기 제2 방향으로의 상기 제4 바닥의 폭 각각은 상기 제2 방향으로의 상기 제1 바닥의 폭 및 상기 제2 방향으로의 상기 제3 바닥의 폭보다 넓은 발광 소자.5. The method of claim 4,
Wherein a width of the second bottom in the second direction and a width of the fourth bottom in the second direction are greater than a width of the first bottom in the second direction and a width of the third bottom in the second direction, Emitting device. 제1항에 있어서,
상기 제1 장측벽의 외측면, 상기 제2 장측벽의 외측면, 상기 제1 단측벽의 외측면 및 상기 제2 단측벽의 외측면 각각과 상기 수지체의 저면이 이루는 각은 예각이고, 서로 동일한 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein an angle formed by the outer surface of the first long side wall, the outer surface of the second long side wall, the outer surface of the first short side wall, and the outer surface of the second short side wall and the bottom surface of the resin body is acute, The same light emitting element. 제1항에 있어서,
상기 제1 금속체 및 상기 제2 금속체 각각은 오목부를 구비하며,
상기 제1 발광 칩은 상기 제1 금속체의 오목부에 배치되고, 상기 제2 발광 칩은 상기 제2 금속체의 오목부에 배치되는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein each of the first metal body and the second metal body has a concave portion,
Wherein the first light emitting chip is disposed in the concave portion of the first metal body, and the second light emitting chip is disposed in the concave portion of the second metal body. 제7항에 있어서,
상기 제너 다이오드는 상기 제1 금속체의 상기 오목부 이외의 영역에 배치되는 발광 소자.8. The method of claim 7,
And the Zener diode is disposed in a region other than the concave portion of the first metal body. 제1항에 있어서,
상기 캐비티에 마련된 봉지재를 더 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
And a sealing material provided in the cavity. 제9항에 있어서,
상기 봉지재는 형광체를 포함하는 발광 소자.10. The method of claim 9,
Wherein the sealing material comprises a phosphor. 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 금속체들 각각의 상면은 상기 수지체의 바닥부의 상면을 노출되고,
상기 제2 및 제2 금속체들 각각의 하면은 상기 수지체의 바닥부의 하면으로 노출되고,
상기 제1 금속체의 상면의 노출되는 면적은 상기 제1 금속체의 하면의 노출되는 면적보다 넓고, 상기 제2 금속체의 상면의 노출되는 면적은 상기 제2 금속체의 하면의 노출되는 면적보다 넓은 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein an upper surface of each of the first and second metal bodies is exposed on an upper surface of a bottom portion of the resin body,
A lower surface of each of the second and the second metal bodies is exposed at a lower surface of a bottom portion of the resin body,
Wherein an exposed area of the upper surface of the first metal body is larger than an exposed area of a lower surface of the first metal body and an exposed area of the upper surface of the second metal body is less than an exposed area of a lower surface of the second metal body Wide light emitting device. 제1항에 있어서,
상기 제3 금속체의 상면은 상기 수지체의 바닥부의 상면으로 노출되고,
상기 제3 금속체의 하면은 상기 수지체의 바닥부의 하면으로 노출되고,
상기 제3 금속체의 상면의 노출되는 면적은 상기 제3 금속체의 하면의 노출되는 면적과 다른 발광 소자.The method according to claim 1,
The upper surface of the third metal body is exposed to the upper surface of the bottom portion of the resin body,
The lower surface of the third metal body is exposed to the lower surface of the bottom portion of the resin body,
Wherein an exposed area of the upper surface of the third metal body is different from an exposed area of a lower surface of the third metal body.
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