KR100801924B1 - Light emitting diode - Google Patents
Light emitting diode Download PDFInfo
- Publication number
- KR100801924B1 KR100801924B1 KR1020070085513A KR20070085513A KR100801924B1 KR 100801924 B1 KR100801924 B1 KR 100801924B1 KR 1020070085513 A KR1020070085513 A KR 1020070085513A KR 20070085513 A KR20070085513 A KR 20070085513A KR 100801924 B1 KR100801924 B1 KR 100801924B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- diode chip
- light
- molding part
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명은 소정 간격 이격되어 형성된 제 1 및 제 2 리드 단자; 상기 제 1 및 제 2 리드 단자 중 어느 하나에 돌출 형성되는 돌출부 상에 실장되는 발광 다이오드 칩; 상기 돌출부 상에 형성되고, 내부에 형광체가 분포되어 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하되, 상기 발광 다이오드 칩이 실장된 지점으로부터 일정한 간격을 봉지하는 몰딩부; 및 상기 발광 다이오드 칩, 몰딩부 및 상기 제 1 및 제 2 리드 단자의 선단을 봉지하는 외주 몰딩부를 포함하고, 상기 돌출부는 상기 발광 다이오드 칩의 형태와 동일한 형태로 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 제공한다. 이에 따라 본 발명은 발광 다이오드 칩에서 발산되는 광의 손실을 줄이고 광효율을 증대시킬 수 있다. 또한 균일한 색의 광, 특히 백색광을 방출할 수 있는 이점이 있다. The present invention provides a display device comprising: first and second lead terminals formed at predetermined intervals; A light emitting diode chip mounted on a protruding portion protruding from one of the first and second lead terminals; A molding part formed on the protruding part and having phosphors distributed therein to encapsulate the light emitting diode chip, and encapsulating a predetermined distance from a point at which the light emitting diode chip is mounted; And an outer peripheral molding part encapsulating the light emitting diode chip, the molding part, and front ends of the first and second lead terminals, wherein the protrusion part protrudes in the same shape as that of the light emitting diode chip. To provide. Accordingly, the present invention can reduce the loss of light emitted from the light emitting diode chip and increase the light efficiency. In addition, there is an advantage that can emit light of a uniform color, in particular white light.
발광 다이오드, LED, 백색 발광, 형광체, 리드 단자, 몰딩부 Light Emitting Diode, LED, White Light, Phosphor, Lead Terminal, Molding Part
Description
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광 다이오드의 광효율을 증대시키고 균일한 백색 발광을 할 수 있는 발광 다이오드에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode capable of increasing the light efficiency of the light emitting diode and emitting uniform white light.
발광 다이오드(light emitting diode; LED)는 p-n 접합 구조를 가지는 화합물 반도체로서, 소수 캐리어(전자 또는 정공)들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭하며, 소비 전력이 적고 수명이 길며, 협소한 공간에 설치 가능하고, 또한 진동에 강한 특성을 제공한다. 최근에는 단일 색성분 예를 들어, 적색, 청색, 또는 녹색 발광 다이오드 외에 백색 발광 다이오드들이 출시되고 있으며, 이에 대한 수요가 급속히 증가하고 있다. A light emitting diode (LED) is a compound semiconductor having a pn junction structure, and refers to a device that emits a predetermined light by recombination of minority carriers (electrons or holes), and has a low power consumption, a long life, and a narrow structure. It can be installed in one space and also provides strong vibration resistance. Recently, in addition to single color components, for example, red, blue, or green light emitting diodes, white light emitting diodes have been released, and demand for them is rapidly increasing.
발광 다이오드는 파장 변환 수단인 형광체를 사용하여 백색광을 구현할 수 있다. 즉, 형광체를 발광 다이오드 칩에 배치시켜, 발광 다이오드 칩의 1차 발광의 일부와 형광체에 의해 파장 변환된 2차 발광이 혼색되어 백색을 구현한다. 이런 구조의 백색 발광 다이오드는 가격이 싸고, 원리적 및 구조적으로 매우 간단하기 때문에 널리 이용되고 있다. The light emitting diode may implement white light using a phosphor that is a wavelength conversion means. That is, the phosphor is disposed on the light emitting diode chip so that a part of the first light emission of the light emitting diode chip and the secondary light emission wavelength-converted by the phosphor are mixed to realize white. White light emitting diodes of this structure are widely used because of their low cost and very simple in principle and structure.
도 1 및 도 2는 종래 발광 다이오드를 도시한 단면도이다.1 and 2 are cross-sectional views showing a conventional light emitting diode.
도면을 참조하면, 발광 다이오드는 선단에 반사컵(4)이 형성된 제 1 리드 단자(2)와, 상기 제 1 리드 단자(2)와 소정 간격 이격된 제 2 리드 단자(3)로 구성된다. 발광 다이오드 칩(1)은 상기 제 1 리드 단자(2)의 반사컵(4) 내부에 실장되고, 와이어(5)를 통하여 제 2 리드 단자(3)와 전기적으로 연결된다. 또한, 발광 다이오드는 원하는 색을 구현하기 위해 발광 다이오드 칩(1)으로부터의 광을 파장 변환하는 형광체(7)를 포함한다.Referring to the drawings, the light emitting diode includes a
도 1에 도시한 바와 같이, 발광 다이오드는 상기 리드 단자(2, 3)의 선단부에 성형용 틀을 이용하여 형성된 외주 몰딩부(6)를 포함하고, 상기 형광체(7)가 외주 몰딩부(6) 내에 전체적으로 분포되어 형성될 수 있다. 외주 몰딩부(6)는 액상 에폭시 수지와 형광체(7)의 혼합물을 경화하여 형성하는데, 액상 에폭시 수지가 경화되는 일정 시간 동안 비중이 높은 형광체(7)가 상대적으로 비중이 낮은 에폭시와의 비중 차이로 인하여 중력 방향으로 가라앉는다. 이러한 형광체(7)의 침전으로 인해 액상 에폭시 수지 내 농도차가 발생하여 광의 혼색이 균일하게 이루어지지 않아 색 얼룩이 발생할 수 있다. 이로 인해 균일한 혼색의 구현을 위하여 형광체(7)가 포함되어야 하나, 이는 발광 효율의 저하를 야기하는 문제점이 있다. 또한, 형광체(7)가 외주 몰딩부(6) 내에서 균일하게 분포되지 않기 때문에 발광 다이오드를 보는 각도마다 방출되는 광의 색이 달라지는 문제점이 있다. 즉, 균일한 백색광의 구현이 어려운 문제점이 있다. As shown in FIG. 1, the light emitting diode includes an outer peripheral molding part 6 formed at a front end of the
또한 도 2에 도시한 바와 같이, 발광 다이오드는 상기 형광체(7)를 포함하여 반사컵(4) 내에 충진된 몰딩부(8)와, 상기 리드 단자(2, 3)의 선단부에 형성된 외주 몰딩부(9)를 포함할 수 있다. 이러한 경우 발광 다이오드 칩(1)과 반사컵(4) 간의 간섭으로 인하여, 발광 다이오드 칩(1)에서 방출되는 광의 경로가 길어지기 때문에 광의 손실이 발생하고 광 효율이 감소하는 문제점이 있다. In addition, as shown in FIG. 2, the light emitting diode includes the
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 발광 다이오드의 광의 손실을 방지하여 광효율을 증대시키고, 색편차를 개선하고 균일한 백색 발광을 할 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a light emitting diode capable of preventing light loss of a light emitting diode, thereby increasing light efficiency, improving color deviation, and allowing uniform white light emission.
본 발명은 상술한 목적을 달성하기 위하여, 소정 간격 이격되어 형성된 제 1 및 제 2 리드 단자, 상기 제 1 및 제 2 리드 단자 중 어느 하나의 편평한 평면 상에 실장되는 발광 다이오드 칩, 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 몰딩부 및 상기 발광 다이오드 칩, 몰딩부 및 상기 제 1 및 제 2 리드 단자의 선단을 봉지하는 외주 몰딩부를 포함하고, 상기 몰딩부 내에 형광체가 분포되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 제공한다. The present invention, in order to achieve the above object, a light emitting diode chip mounted on a flat plane of any one of the first and second lead terminals, the first and second lead terminals formed at predetermined intervals, the light emitting diode chip It provides a light-emitting diode comprising a molding portion for sealing a and the outer peripheral molding portion for sealing the light emitting diode chip, the molding portion and the front end of the first and second lead terminal, the phosphor is distributed in the molding portion. .
상기 몰딩부는 상기 발광 다이오드 칩으로부터 일정한 간격을 봉지하는 것을 특징으로 할 수 있다. The molding part may be formed to seal a predetermined interval from the LED chip.
상기 발광 다이오드 칩이 실장되는 리드 단자는 상기 발광 다이오드 칩의 형태에 상응하여 돌출 형성된 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부의 상면에 상기 몰딩부가 형성될 수 있다. The lead terminal on which the LED chip is mounted may include a protrusion formed to protrude in correspondence with the shape of the LED chip, and the molding part may be formed on an upper surface of the protrusion.
상기 발광 다이오드 칩은 청색 발광하는 발광 다이오드 칩을 포함하고, 상기 형광체는 황색 또는 황록색 발광 특성을 갖는 형광체를 포함할 수 있다. 또한, 상기 발광 다이오드 칩은 UV 발광하는 발광 다이오드 칩을 포함하고, 상기 형광체는 적색, 녹색 및 청색 발광 특성을 갖는 형광체를 포함할 수 있다. The light emitting diode chip may include a light emitting diode chip emitting blue light, and the phosphor may include a phosphor having yellow or yellow green light emission characteristics. In addition, the light emitting diode chip may include a light emitting diode chip emitting UV light, and the phosphor may include a phosphor having red, green, and blue light emitting characteristics.
본 발명의 발광 다이오드는 리드 단자의 편평한 평면 상에 발광 다이오드를 실장함으로써, 발광 다이오드 칩에서 발산되는 광의 손실을 줄이고 광효율을 증대시킬 수 있다. 또한 균일한 색의 광, 특히 백색광을 방출할 수 있는 이점이 있다. In the light emitting diode of the present invention, the light emitting diode is mounted on a flat plane of the lead terminal, thereby reducing the loss of light emitted from the light emitting diode chip and increasing the light efficiency. In addition, there is an advantage that can emit light of a uniform color, in particular white light.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 발광 다이오드에 대하여 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, a light emitting diode of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like numbers refer to like elements in the figures.
도 3은 본 발명에 따른 제 1 실시예를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a first embodiment according to the present invention.
도 3을 참조하면, 발광 다이오드는 제 1 리드 단자(20)와, 상기 제 1 리드 단자(20)와 소정 간격 이격된 제 2 리드 단자(30)로 구성되고, 상기 제 1 리드 단자(20)의 편평한 상면에 실장된 발광 다이오드 칩(10)을 포함한다. 상기 발광 다이오드 칩(10)은 와이어(70)를 통하여 제 2 리드 단자(30)와 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 발광 다이오드 칩(10)으로부터 발생된 광의 파장을 변환시키기 위한 형광체(40)가 수지와 혼합되어 상기 발광 다이오드 칩(10)을 반구 형상으로 둘러싸는 몰딩부(50)를 포함하고, 상기 리드 단자(20, 30)의 선단부를 봉지하는 외주 몰딩 부(60)를 포함한다. Referring to FIG. 3, the light emitting diode includes a
상기 발광 다이오드 칩(10)과 형광체(40)는 원하는 색을 얻기 위해 다양한 종류의 형광체를 사용할 수 있다. The light
백색 발광을 위하여, 430 내지 480㎚ 파장을 발광하는 청색광 발광 다이오드 칩을 실장하고, 청색광을 여기원으로 하여 황록색 또는 황색광을 발생시킬 수 있는 형광체를 사용할 수 있다. 즉, 발광 다이오드 칩의 청색 발광과 형광체의 황록색 또는 황색 발광의 조합에 의해 백색을 얻을 수 있다. For white light emission, a blue light emitting diode chip emitting a wavelength of 430 to 480 nm can be mounted, and a phosphor capable of generating yellow green or yellow light using blue light as an excitation source can be used. That is, white can be obtained by the combination of blue light emission of the light emitting diode chip and yellow green or yellow light emission of the phosphor.
또한, 백색 발광을 위하여, 350㎚ 내지 450㎚ 파장을 발광하는 UV 발광 다이오드 칩을 실장하고, 자외선에 의해 여기되어 청색에서 적색까지의 가시광선을 발광하는 형광체를 사용할 수 있다. 예를 들어, UV 발광 다이오드 칩과 적색, 청색 및 녹색 발광 특성을 갖는 형광체들이 일정한 비율로 혼합된 형광체의 조합으로 백색광의 구현이 가능하다. In addition, for emitting white light, a phosphor that mounts a UV light emitting diode chip that emits a wavelength of 350 nm to 450 nm and is excited by ultraviolet rays and emits visible light from blue to red may be used. For example, white light may be realized by a combination of a UV light emitting diode chip and a phosphor in which red, blue, and green light emitting phosphors are mixed in a constant ratio.
이러한 발광 다이오드 칩(10)의 개수는 하나일 수도 있고, 목적하는 바에 따라 다수 개로 구성할 수도 있다. The number of the light
본 실시예는 도시한 바와 같이 발광 다이오드 칩(10)의 상부와 하부 평면에 양 전극 및 음 전극을 갖는 발광 다이오드 칩(10)을 사용하여 제 1 리드 단자(20) 상에 직접 실장하여 전기 연결한 후 하나의 와이어(70)를 통해 제 2 리드 단자(30)에 전기 연결되었으나, 발광 다이오드 칩(10)의 상부 평면에 양 전극 및 음 전극을 갖는 발광 다이오드 칩(10)을 사용하여 두 개의 와이어(70)를 통하여 각각 제 1 리 드 단자(20) 및 제 2 리드 단자(30)와 전기 연결될 수 있다. As shown in the embodiment, the
상기 리드 단자(20, 30)는 발광 다이오드 칩(10)의 양극 단자 및 음극 단자에 접속하기 위한 제 1 및 제 2 리드 단자(20, 30)로 구성되며, 제 1 리드 단자(20)와 제 2 리드 단자(30)는 전기적으로 단전되도록 형성된다.The
상기 몰딩부(50)는 액상 에폭시 또는 실리콘 수지와 형광체(40)의 혼합물로 이루어지며, 상기 발광 다이오드 칩(10)이 실장된 지점으로부터 일정한 거리를 갖도록 반구 형상으로 형성될 수 있다. 이는 발광 다이오드 칩(10)으로부터 발산되는 광과 상기 몰딩부(50)를 거쳐 몰딩부(50) 내에 균일하게 분포된 형광체(40)로부터 파장 변환되어 발산되는 광이 반구 형상의 몰딩부(50)에 의하여 계면에서 전반사되는 광량이 감소되고 방사상 균일한 방향으로 투과되는 광량이 증대되므로 색 편차가 개선되어 균일한 색의 발광을 위해 바람직하다.The
몰딩부(50)의 형상은 이에 한정되지 않고, 상기 발광 다이오드 칩(10)을 봉지하는 적합한 형상으로 다양하게 형성될 수 있다. The shape of the
상기 외주 몰딩부(60)는 액상 에폭시 또는 실리콘 수지를 성형용 틀에 충진한 후, 제 1 리드 단자(20)의 편평한 평면 상에 발광 다이오드 칩(10)이 실장되고 몰딩부(50)에 의해 발광 다이오드 칩(10)이 봉지된 리드 단자(20, 30)를 상기 수지가 담긴 성형용 틀에 디핑(dipping)하여 소정 시간 동안 가열 경화시킴으로써 형성될 수 있다. The outer
물론 이러한 몰딩부(50) 및 외주 몰딩부(60)의 제조 방법은 상술한 바에 한정되지 않고 다양한 공정과 제조 방법으로 형성할 수 있다.Of course, the manufacturing method of the
상기 몰딩부(50) 및 외주 몰딩부(60)에 의해 발광 다이오드 칩(10)과 제 1 및 제 2 리드 단자(20, 30)의 선단을 봉지하고, 하부 노출된 제 1 및 제 2 리드 단자(20, 30)와 외부 전류 입력 단자를 전기적으로 연결하여 발광 다이오드 칩(10)에 외부 전류를 인가할 수 있다. The front end of the
이러한 발광 다이오드는 발광 다이오드 칩(10)에서 1차 광이 방출되고, 1차 광은 상기 발광 다이오드 칩(10)을 봉지하는 몰딩부(50)와 외주 몰딩부(60)를 통해 방출된다. 여기서, 1차 광은 상기 몰딩부(50) 내에 균일하게 분포된 형광체(40)에 의해 파장 변환되고, 1차 광의 일부와 형광체(40)에 의해 파장 변환된 2차 광이 혼색되어 원하는 색, 특히 백색광을 구현할 수 있다.Primary light is emitted from the light
종래 램프형 발광 다이오드는 좁은 면적의 반사컵 내부에 수지와 형광체를 혼합한 혼합물을 충진하여 몰딩부를 형성함으로써, 발광 다이오드 칩과 반사컵간의 간섭으로 인하여 광 경로가 길어지며, 형광체 입자의 표면에서 산란을 일으키거나 또는 형광체에서 방출되는 광에 의해 서로 상쇄되어 손실될 우려가 높다. 그러나 본 실시예의 발광 다이오드는 반사컵이 형성되지 않은, 즉 편평하게 형성된 리드 단자의 평면 상에 발광 다이오드 칩을 실장함으로써, 발광 다이오드 칩에서 발산되는 광의 손실을 줄이고 광의 투과율을 높일 수 있다. Conventional lamp-type light emitting diodes form a molding part by filling a mixture of resin and phosphor in a narrow reflecting cup to form a molding part, and thus, an optical path is long due to interference between the light emitting diode chip and the reflecting cup, and scattered on the surface of the phosphor particles. Or the light emitted from the phosphor cancels each other and is highly likely to be lost. However, the light emitting diode of the present embodiment can reduce the loss of light emitted from the light emitting diode chip and increase the light transmittance by mounting the light emitting diode chip on the flat surface of the lead terminal having no reflective cup.
또한, 종래에는 발광 다이오드 칩의 측면 및 상면으로 나오는 빛의 파장 변환 정도의 차이로 인해 색의 균일성이 떨어지는 문제점이 있었다. 그러나 본 실시예의 발광 다이오드는 리드 단자의 편평한 평면 상에 발광 다이오드 칩을 실장하고 이를 균일하게 봉지하는 몰딩부로 인해, 발광 다이오드 칩에서 발산되는 광이 직접 상부 및 측면으로 방출되며 상기 몰딩부 내에 균일하게 분포된 형광체에 의해 파장 변환됨으로써, 파장 변환 정도의 차이를 감소시키고 균일한 색의 광을 구현할 수 있다.In addition, conventionally, there is a problem in that color uniformity is inferior due to a difference in the degree of wavelength conversion of light emitted from the side and top of the LED chip. However, the light emitting diode of the present embodiment has a molding part which mounts and uniformly encapsulates the light emitting diode chip on a flat plane of the lead terminal, so that light emitted from the light emitting diode chip is directly emitted to the upper side and the side surface and uniformly in the molding part By the wavelength conversion by the distributed phosphor, it is possible to reduce the difference in the degree of wavelength conversion and to implement a light of uniform color.
도 4는 본 발명에 따른 제 2 실시예를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a second embodiment according to the present invention.
도 4를 참조하면, 발광 다이오드는 제 1 리드 단자(20)와, 상기 제 1 리드 단자(20)와 소정 간격 이격된 제 2 리드 단자(30)로 구성되고, 상기 제 1 리드 단자(20)의 편평한 상면에 실장된 발광 다이오드 칩(10)을 포함한다. 상기 발광 다이오드 칩(10)은 와이어(70)를 통하여 제 2 리드 단자(30)와 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 발광 다이오드 칩(10)으로부터 발생된 광의 파장을 변환시키기 위한 형광체(40)가 수지와 혼합되어, 상기 발광 다이오드 칩(10) 상에 반구 형상으로 형성된 몰딩부(50)를 포함하고, 상기 리드 단자(20, 30)의 선단부를 봉지하는 외주 몰딩부(70)를 포함한다. 이는 상기 제 1 실시예의 구성과 거의 동일하며, 단지 제 2 실시예는 상기 제 1 리드 단자(20)의 발광 다이오드 칩(10)이 실장되는 영역에, 상기 발광 다이오드 칩(10)을 봉지하여 몰딩부(50)가 형성될 돌출부(25)를 포함한다. 이에 대한 구체적인 설명에 있어서, 상기 제 1 실시예의 경우와 중복되는 설명은 생략한다. Referring to FIG. 4, the light emitting diode includes a
상기 제 1 리드 단자(20)에 형성되는 돌출부(25)는 몰딩부(50)의 형성을 용이하게 한다. 즉, 발광 다이오드 칩(10)을 돌출부(25)의 상면에 실장한 후, 액상 에폭시 또는 실리콘 수지와 형광체(40)의 혼합물을 도팅하면 상기 돌출부(25)의 형태대로 몰딩부(50)가 형성될 수 있다. The
또한, 상기 돌출부(25)를 상기 발광 다이오드 칩(10)의 형태와 동일한 형태로 형성하게 되면, 몰딩부(50)는 상기 돌출부(25)의 형태, 즉 발광 다이오드 칩(10)의 형태대로 형성되어 상기 몰딩부(50)는 상기 발광 다이오드 칩(10)으로부터 일정한 간격을 봉지할 수 있다. In addition, when the
예를 들어, 상기 돌출부(25)를 발광 다이오드 칩(10)과 동일한 사각 형태로 형성하여 그 중앙에 발광 다이오드 칩(10)을 실장한 후, 액상 에폭시 또는 실리콘 수지와 형광체(40)의 혼합물을 도팅하면 수지의 응집력 등에 의하여 상기 돌출부(25)의 형태대로 상기 발광 다이오드 칩(10)으로부터 일정한 간격을 봉지하는 몰딩부(50)를 형성할 수 있다. 이러한 경우에 상기 돌출부(25)는 상기 발광 다이오드 칩(10)의 약 1.5배 내지 2배 정도의 크기로 형성되는 것이 바람직하다. For example, the
본 실시예에서는 상기 발광 다이오드 칩(10)의 형태에 따라 사각 형태의 돌출부(25)를 형성하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 형성될 수도 있다. In the present exemplary embodiment, although the
이러한 발광 다이오드는 리드 단자의 편평한 평면 상에 발광 다이오드를 실장함으로써, 발광 다이오드 칩에서 발산되는 광의 손실을 줄이고 광의 투과율을 높이며, 균일한 색의 광을 구현할 수 있다. 또한, 본 실시예는 상기 발광 다이오드 칩의 형태대로 형성된 돌출부에 따라 몰딩부를 형성함으로써, 상기 발광 다이오드 칩으로부터 일정한 간격을 봉지하여 파장 변환 정도의 차이를 감소시키고 색 편차를 개선하여 균일한 색의 광을 구현할 수 있다. Such a light emitting diode may be mounted on a flat plane of a lead terminal, thereby reducing loss of light emitted from the light emitting diode chip, increasing light transmittance, and realizing uniform color light. In addition, the present embodiment forms a molding part according to the protrusion formed in the shape of the light emitting diode chip, thereby sealing a predetermined distance from the light emitting diode chip to reduce the difference in the degree of wavelength conversion and to improve the color deviation to uniform color light Can be implemented.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명 의 범위는 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허 청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술 분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail using the preferable Example, the scope of the present invention is not limited to a specific Example and should be interpreted by the attached Claim. In addition, those skilled in the art should understand that many modifications and variations are possible without departing from the scope of the present invention.
도 1 및 도 2는 종래 발광 다이오드를 도시한 단면도.1 and 2 are cross-sectional views showing a conventional light emitting diode.
도 3은 본 발명에 따른 제 1 실시예를 도시한 단면도.3 is a sectional view showing a first embodiment according to the present invention;
도 4는 본 발명에 따른 제 2 실시예를 도시한 단면도.4 is a sectional view showing a second embodiment according to the present invention;
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10 : 발광 다이오드 칩 20, 30 : 리드 단자10: light emitting
40 : 형광체 50 : 몰딩부40: phosphor 50: molding part
60 : 외주 몰딩부 70 : 와이어60: outer molding part 70: wire
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070085513A KR100801924B1 (en) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | Light emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070085513A KR100801924B1 (en) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | Light emitting diode |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060060978A Division KR100766445B1 (en) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | Light emitting diode |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080002703A KR20080002703A (en) | 2008-01-04 |
KR100801924B1 true KR100801924B1 (en) | 2008-02-12 |
Family
ID=39214397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070085513A KR100801924B1 (en) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | Light emitting diode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100801924B1 (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003249693A (en) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | Led lamp |
-
2007
- 2007-08-24 KR KR1020070085513A patent/KR100801924B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003249693A (en) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | Led lamp |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080002703A (en) | 2008-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20180090006A (en) | Light emitting diode unit | |
US20090039762A1 (en) | White led device comprising dual-mold and manufacturing method for the same | |
KR20070033801A (en) | Light emitting diode package and manufacturing method thereof | |
CN104164234B (en) | Phosphor and light emitting device packaging piece including phosphor | |
KR20070004267A (en) | Light emitting diode and method for producing the same | |
JP2008172239A (en) | Led package | |
JP6212989B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
KR20080017527A (en) | Led package and method of manufacturing the same | |
CN109390449A (en) | Light emitting device package | |
KR20060102676A (en) | Light emitting diode and method for manufacturing the same | |
KR20120079668A (en) | Led package and method thereof | |
KR100698928B1 (en) | Light emitting diode | |
KR20140007510A (en) | Led package and method of manufacturing the same | |
KR100679947B1 (en) | Improvement structure and method of cct deflection in led | |
KR100801924B1 (en) | Light emitting diode | |
KR100766445B1 (en) | Light emitting diode | |
KR101248515B1 (en) | Light emitting diode | |
KR20060128373A (en) | Light emitting diode and method of manufacturing the same | |
KR20120056164A (en) | Light Emitting Device Package | |
KR101431590B1 (en) | Light-Emitting Diode package of luminescence for spherical shaped | |
KR20080059858A (en) | Light emitting diode | |
KR101374899B1 (en) | Light emitting diode | |
KR102288404B1 (en) | Light emitting device | |
KR102000072B1 (en) | luminescence Device | |
KR101077945B1 (en) | Method for coating phosphor of light emitting diode package |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121217 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131211 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141211 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151201 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161212 Year of fee payment: 10 |