KR20110077931A - 이미지센서 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

이미지센서 패키지 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110077931A
KR20110077931A KR1020090134614A KR20090134614A KR20110077931A KR 20110077931 A KR20110077931 A KR 20110077931A KR 1020090134614 A KR1020090134614 A KR 1020090134614A KR 20090134614 A KR20090134614 A KR 20090134614A KR 20110077931 A KR20110077931 A KR 20110077931A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
image sensor
light
transparent resin
film
sensor package
Prior art date
Application number
KR1020090134614A
Other languages
English (en)
Inventor
박철
Original Assignee
박철
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 박철 filed Critical 박철
Priority to KR1020090134614A priority Critical patent/KR20110077931A/ko
Publication of KR20110077931A publication Critical patent/KR20110077931A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

구조 및 제작공정을 간소화할 수 있으며, 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 패키지 및 그 제조방법이 개시된다. 이미지센서 패키지 제조방법은 상면에 이미지센서가 장착된 기판을 제공하는 단계, 이미지센서의 상부에 유동성을 갖는 투명수지를 도포하는 단계, 투명수지의 상부에 투광성필름을 배치하는 단계, 및 투명수지를 경화하여 투명수지층를 형성하는 단계를 포함한다.
기판, 이미지센서, 투명수지층, 투광성필름

Description

이미지센서 패키지 및 그 제조방법{IMAGE SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 이미지센서 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 구조 및 제작공정을 간소화할 수 있으며, 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이미지센서는 빛을 전기적 신호로 바꾸어 주는 소자로서 실생활의 다양한 분야에 응용되고 있다. 이미지센서는 빛을 받는 만큼 전하를 발생시키는 수광부와 전하를 전압으로 변환하여 최종의 형태로 가공하는 회로부를 포함하며 그 구동방식에 따라 크게 CCD(Charge Coupled Device) 이미지센서와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지센서로 구분될 수 있다.
이러한 이미지센서는 전자 패키지 기술로 인해 이미지센서 칩에서 이미지센서 패키지로 제조되어 다양한 제품에 장착되고 있다. 일 예로서, 이미지센서 패키지는 개인휴대단말기의 입력 장치 중 하나인 광 포인팅 장치에 사용될 수 있다. 일반적으로 광 포인팅 장치는 광원으로부터 광을 조사하여 얻어진 피사체(손가락) 표면의 이미지 데이터를 소정의 광학 경로를 따라 이미지센서 패키지로 전달함으로 써, PC의 마우스 커서(또는 포인터)와 동일한 사용성 얻을 수 있도록 구성된다.
도 1은 종래 이미지센서 패키지를 도시한 단면도이다.
도 1에서 도시한 바와 같이, 종래 이미지센서 패키지는 기판(10), 기판(10)의 상면에 제공되는 이미지센서(20), 기판(10)의 전극(12)과 이미지센서(20)의 입출력단자를 연결하는 본딩와이어(30), 및 이미지센서(20)와 본딩와이어(30) 및 본딩와이어(30)의 연결부위를 밀봉하도록 형성되는 투명수지층(40)를 포함한다.
한편, 이미지센서 패키지에서 투명수지층(40)의 상면 평탄도는 이미지센서 패키지의 안정성 및 신뢰성에 큰 영향을 미친다. 그런데, 기존 이미지센서 패키지는, 투명수지층(40)이 이미지센서(20)와 본딩와이어(30) 및 본딩와이어(30)의 연결부위를 단순히 덮도록 형성됨에 따라, 투명수지층(40)의 상면 평탄도(flatness)를 일정 이상 향상시키는데 한계가 있다. 더욱이, 기존에는 투명수지층을 형성하기 위해 별도의 금형을 이용하거나, 투명수지를 평평하게 밀어내기 위한 별도의 스핀들러를 사용하여야 했기 때문에 제조공정이 번거롭고 불편한 문제점이 있으며, 생산성이 저하되고 제조원가가 상승되는 문제점이 있다.
이에 따라, 최근에는 구조 및 제조공정을 간소화할 수 있으며, 안정성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 패키지에 대한 여러 가지 검토가 이루어지고 있다.
본 발명은 구조 및 제조공정을 간소화할 수 있으며, 원가를 절감하고 생산성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
특히, 본 발명은 상면 평탄도를 보장할 수 있으며, 안정성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 제조가 신속하고 용이하여 대량생산에 유리한 이미지센서 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 소형화 및 박형화에 기여할 수 있는 이미지센서 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 이미지센서 패키지 제조방법은 상면에 이미지센서가 장착된 기판을 제공하는 단계, 이미지센서의 상부에 유동성을 갖는 투명수지를 도포하는 단계, 투명수지의 상부에 투광성필름을 배치하는 단계, 및 투명수지를 경화하여 투명수지층를 형성하는 단계를 포함한다.
기판으로서는 통상의 피씨비(PCB) 또는 플렉시블 피씨비(FPCB)가 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 기판이 실리콘으로 이루어진 웨이퍼 원판으로부터 제공될 수 있으며, 기판이 웨이퍼 원판으로부터 제공될 경우 이미지센서 패키지는 웨이퍼 레벨 패키지 공정에 의해 제조될 수 있다.
투명수지로서는 절연체이면서 빛의 투과성이 우수한 투명수지가 사용됨이 바람직하다. 일 예로, 투명수지로서는 자외선 경화제 또는 에폭시 수지가 사용될 수 있으며, 경우에 따라서는 투명수지로서 실리콘 수지, 아크릴 수지 또는 이들을 혼합한 투명수지가 사용될 수 있다.
투광성필름을 배치하는 단계에서는, 투명수지가 투광성필름에 의해 가압될 수 있고, 이때 투명수지의 유동성을 이용하여 투광성필름의 자세나 형상을 조절할 수 있다. 아울러, 투광성필름을 배치시키는 단계에서, 투광성필름은 평탄화된 상태로 제공될 수 있으며, 경우에 따라서는 투광성필름이 렌즈 형상으로 미리 가공된 상태로 제공될 수 있다. 다르게는 평탄화된 상태로 제공된 투광성필름이 투명수지의 상부에서 가압되는 동안 렌즈 형태로 성형되도록 구성할 수도 있다.
또한, 투광성필름을 배치시키는 단계에서, 투광성필름은 기본적인 투광성 특성 외에 다른 광학적 특성을 가질 수 있으며, 투광성필름의 다른 광학적 특성에 의해 투광성필름을 통과하는 빛 중 특정 파장 대역의 빛이 필터링될 수 있다. 이러한 다른 광학적 특성을 갖는 투광성필름은 필름과 레이어의 적층구조로 제공되거나, 복수개의 필름 또는 복수개의 레이어의 적층 구조로 제공될 수 있다. 경우에 따라서 투광성필름은 표면에 빛을 집광하기 위한 광학돌기를 구비하여 제공될 수도 있다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 이미지센서 패키지는 기판, 기판의 상면에 장착되는 이미지센서, 이미지센서를 덮도록 기판의 상면에 형성되는 투명수지층, 및 투명수지층의 상부에 제공되는 투광성필름을 포함한다.
투명수지층은 이미지센서의 상부에 유동성을 갖는 투명수지를 도포한 후, 도포된 투명수지를 투광성필름으로 가압하여 형성될 수 있으며, 투광성필름은 투명수지층의 상부에 제공되어 실질적으로 패키지의 상부 표면을 이루게 되며, 패키지의 상면 평탄도는 투광성필름에 의해 정해질 수 있다.
본 발명에 따른 이미지센서 패키지 및 그 제조방법에 의하면, 구조 및 제조공정을 간소화할 수 있으며, 원가를 절감하고 생산성을 향상시킬 수 있다.
특히, 본 발명에 따르면 투명수지층을 형성하기 위해 별도의 금형을 이용하거나 별도의 스핀공정이 추가될 필요없이, 투명수지층의 상부에 박형 투광성필름을 배치함으로써, 이미지센서 패키지의 상면 평탄도가 보장될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 투명수지가 투광성필름에 의해 가압되며 전면에 걸쳐 고른 두께로 형성될 수 있기 때문에 제조가 신속하고 용이하여 대량생산에 유리한 이점이 있으며, 제작비용을 절감시켜 제품 단가를 낮출 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 투명수지층이 투광성필름에 의해 덮혀질 수 있기 때문에, 투명수지층의 두께를 최소로 구현이 가능하며, 결과적으로 소형화 및 박형화에 기여할 수 있다. 뿐만 아니라, 본 발명에 따르면 투광성필름이 투광석 특성 되에 다른 광학적 특성을 가질 수 있기 때문에, 투광성필름을 통해 특정 대역의 빛이 필터링될 수 있다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명 하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 상기 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 이미지센서 패키지의 구조를 도시한 사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 이미지센서 패키지의 구조를 도시한 단면도이다.
참고로, 본 발명에 따른 이미지센서 패키지는 통상의 전자제품에 장착될 수 있으며, 이미지센서 패키지가 장착되는 제품의 종류 및 특성에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 본 발명에 따른 이미지센서 패키지는 개인휴대단말기의 입력 장치 중 하나인 광 포인팅 장치에서, 광원으로부터 광을 조사하여 얻어진 피사체(손가락) 표면의 이미지 데이터를 촬상하기 위해 사용될 수 있다.
도 2 및 도 3에서 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 이미지센서 패키지(100)는 기판(110), 이미지센서(120), 연결부재(130), 투명수지층(140) 및 투광성필름(150)을 포함한다.
상기 기판(110)으로서는 통상의 피씨비(PCB) 또는 플렉시블 피씨비(FPCB)가 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 기판으로서 실리콘으로 이루어진 웨이퍼 원판으로부터 제공될 수 있으며, 이러한 기판을 제공하는 웨이퍼 원판으로서는 4, 6, 8, 10 인치 등 다양한 크기를 갖는 웨이퍼 원판이 사용될 수 있다.
상기 이미지센서(120)는 기판(110)의 상면에 제공된다. 이러한 이미지센 서(120)는 소정 크기를 갖는 칩으로 제공되어 기판(110)의 상면에 부착될 수 있으며, 이미지센서(120)의 부착 방식 및 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 상기 이미지센서(120)는 칩-온-보드(Chip On Board ; COB) 방식으로 통상의 다이 접착제를 이용하여 기판(110)의 상면에 접착될 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 기판(110) 상면에 이미지센서(120)가 구비된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 이미지센서 대신 여타 다른 통상의 마이크로기계공학적 소자가 제공될 수 있으며, 다르게는 이미지센서 대신 통상의 마이크로전자공학적 소자 및 광전자공학적 소자 등이 사용될 수도 있다.
상기 연결부재(130)는 기판(110)의 전극(112)과 이미지센서(120)의 입출력단자(I/O)(미도시)를 전기적으로 연결하기 위해 제공된다. 상기 연결부재(130)로서는 통상의 본딩 와이어가 사용될 수 있으며, 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 여타 다른 통상의 연결부재(130)가 사용될 수 있다.
상기 투명수지층(140)은 이미지센서(120) 및 연결부재(130)의 연결부위를 완전히 덮도록 기판(110)의 상면에 형성된다. 즉, 상기 투명수지층(140)은 이미지센서(120) 및 연결부재(130)를 밀봉하도록 형성되어 외부 충격 및 오염으로부터 이미지센서(120) 및 연결부재(130)의 연결부위를 보호할 수 있다.
아울러, 상기 투명수지층(140)은 이미지센서(120)의 상면에 대해 전체적으로 균일한 두께(T1)를 갖도록 형성된다. 즉, 상기 이미지센서(120)의 상면과 후술할 투광성필름(150)의 사이에서 투명수지층(140)은 전체적으로 균일한 두께를 가진다.
상기 투명수지층(140)은 절연체이면서 빛의 투과성이 우수한 재질로 형성됨 이 바람직하다. 일 예로, 상기 투명수지층(140)은 자외선(UV) 경화제 또는 투명 에폭시 수지와 같은 투명수지를 이용하여 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 투명수지층을 형성하기 위한 투명수지로서 실리콘 수지, 아크릴 수지 또는 이들을 혼합한 투명수지가 사용될 수 있다.
상기 투광성필름(150)은 상기 투명수지층(140)의 상부에 제공되어 실질적으로 패키지의 상부 표면을 이루게 된다. 일 예로, 상기 투광성필름(150)은 평탄화된 상태로 제공될 수 있으며, 투광성필름(150)이 투명수지층(140)의 상부를 덮도록 적층됨에 따라 패키지의 상면 평탄도는 투광성필름(150)에 의해 정해질 수 있다. 이러한 투광성필름(150)은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 통상의 투명 또는 반투명한 통상의 투광성 재질로 형성될 수 있으며, 투광성필름(150)의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
이와 같이, 이미지센서 패키지(100)의 상면 평탄도는 투명수지층(140)이 아닌 투광성필름(150)에 의해 정해질 수 있기 때문에, 이미지센서 패키지(100)의 상면 평탄도가 보장될 수 있다.
한편, 전술한 설명에서는 상기 투명수지층(140) 및 투광성필름(150)이 각각 순차적으로 적층 형성되는 것처럼 예를 들어 설명하고 있지만, 실질적으로 상기 투명수지층(140)은 이미지센서(120) 및 연결부재(130)의 상부에 유동성을 갖는 투명수지를 도포한 후, 도포된 투명수지를 투광성필름(150)으로 가압하여 형성될 수 있다.
즉, 상기 투명수지층(140)은 기판(110) 상부에 도포된 투명수지가 투광성필 름(150)에 의해 가압됨으로써 이미지센서(120) 및 연결부재(130)를 덮도록 기판(110)과 투광성필름(150)의 사이에 밀착되게 형성될 수 있다. 아울러, 상기 투광성필름(150)은 투명수지가 경화되어 형성되는 투명수지층(140)을 매개로 기판(110)에 일체로 부착될 수 있다. 일 예로, 상기 도포된 투명수지는 통상의 가압수단을 이용하여 투광성필름(150)를 매개로 가압될 수 있다. 또한, 상기 투명수지가 가압되는 동안 투광성필름(150)은 투명수지의 유동성을 이용하여 이미지센서(120)에 대해 평평하도록 자세가 조절될 수 있다.
또한, 상기 투광성필름(150)은 기본적인 투광성 특성 외에 다른 광학적 특성을 가질 수 있으며, 투광성필름(150)의 다른 광학적 특성에 의해 투광성필름(150)을 통과하는 빛 중 특정 파장 대역의 빛이 필터링될 수 있다. 즉, 상기 투광성필름(150)은 투광성필름(150)을 통과하는 빛 중 불필요한(또는 의도된) 일정 파장 대역의 빛을 선택적으로 흡수 및 차단하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 투광성필름(150)은 요구되는 조건에 따라 일정 파장 대역의 빛을 선택적으로 흡수하기 위한 통상의 광선택 흡수 색소 물질(dye)을 포함하여 이루어질 수 있다.
한편, 도 4 내지 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지센서 패키지의 구조를 도시한 단면도이다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 투광성 특성 외에 다른 광학적 특성을 갖는 투광성필름이 단일 필름으로 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 본 발명 의 다른 실시예에 따르면 투광성필름은 필름 또는 레이어(layer)의 적층 구조로 제공될 수 있다. 일 예로, 도 4와 같이, 투광성필름(150')은 투명한 필름(152)과 광학적 특성을 갖는 레이어(154)의 적층 구조로 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 복수개의 필름 또는 복수개의 레이어의 적층 구조로 투광성필름을 형성할 수도 있다.
또한, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 투광성필름이 평탄화된 예를 들어 설명하고 있지만, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 투광성필름은 렌즈 형태로 제공될 수 있다. 일 예로, 도 5와 같이 투광성필름(250)은 볼록 렌즈 형태로 제공될 수 있으며, 투광성필름(250)은 볼록 렌즈에 해당되는 광학적 특성을 가질 수 있다. 경우에 따라서는 투광성필름이 오목 렌즈 형태로 형성될 수 있다. 전술한 바와 같이, 투광성필름은 미리 렌즈 형태로 형성되어 제공될 수 있으나, 다르게는 평탄화된 상태로 제공된 투광성필름이 투명수지의 상부에서 가압될 시 렌즈 형태로 성형되도록 구성할 수도 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 투광성필름은 투광성필름을 통과하는 빛을 집광하기 위한 광학돌기를 포함할 수 있다. 일 예로, 도 6과 같이, 투광성필름(350)의 상면에는 대략 삼각형 단면 형상의 미세한 복수개의 광학돌기(352)가 형성될 수 있으며, 이 광학돌기를 통해 투광성필름(352)을 통과하는 빛이 이미지센서를 향해 꺽여질 수 있다.
한편, 도 7은 본 발명에 따른 이미지센서 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 이미지센서 패키지 제조방법은, 상면에 이미지센서(120)가 장착된 기판(110)을 제공하는 단계, 상기 이미지센서(120)의 상부에 유동성을 갖는 투명수지(140')를 도포하는 단계, 상기 투명수지(140')의 상부에 투광성필름(150)을 배치하는 단계, 및 상기 투명수지(140')를 경화하여 투명수지층(140)을 형성하는 단계를 포함한다.
먼저, 상면에 이미지센서(120)가 구비된 기판(110)을 마련한다. 전술한 바와 같이, 상기 이미지센서(120)는 소정 크기를 갖는 칩으로 제공되어 기판(110)의 상면에 부착될 수 있으며, 상기 기판(110)으로서는 통상의 피씨비(PCB) 또는 플렉시블 피씨비(FPCB)가 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 기판으로서 피씨비(PCB)가 사용된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 기판이 실리콘으로 이루어진 웨이퍼 원판으로부터 제공될 수 있으며, 이 경우 이미지센서 패키지는 웨이퍼 레벨 패키지 공정에 의해 제조될 수 있다.
다음, 상기 기판(110)의 전극(112)과 이미지센서(120)의 입출력단자(I/O)를 전기적으로 연결한다. 기판(110)의 전극(112)과 이미지센서(120)의 입출력단자는 통상의 연결부재(130)를 통해 연결될 수 있는 바, 상기 연결부재(130)로서는 통상의 본딩 와이어가 사용될 수 있다.
다음, 상기 이미지센서(120)의 상부에 적정량의 투명수지(140')를 도포한다. 상기 투명수지로서는 절연체이면서 빛의 투과성이 우수한 투명수지(140')가 사용됨이 바람직하다. 일 예로, 투명수지(140')로서는 자외선 경화제 또는 에폭시 수지가 사용될 수 있으며, 경우에 따라서는 투명수지로서 실리콘 수지, 아크릴 수지 또는 이들을 혼합한 투명수지가 사용될 수 있다. 아울러, 상기 투명수지(140')의 도포량 및 방법은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
다음, 상기 투명수지(140')의 상부에 미리 준비된 투광성필름(150)을 배치시킨다. 아울러, 상기 투광성필름(150)을 배치하는 단계에서는, 투명수지(140')가 투광성필름(150)에 의해 가압될 수 있고, 이때 투명수지(140')의 유동성을 이용하여 투광성필름(150)의 자세나 형상을 조절할 수 있다. 즉, 상기 투명수지(140')가 가압되는 동안 투광성필름(150)은 투명수지(140')의 유동성을 이용하여 이미지센서(120)에 대해 평평하도록 자세가 조절될 수 있으며, 투명수지(140')는 이미지센서(120)의 상면과 투광성필름(150)의 사이에서 전체적으로 균일한 두께로 퍼질 수 있다.
아울러, 상기 투광성필름(150)을 배치시키는 단계에서, 투광성필름(150)은 평탄화된 상태로 제공될 수 있으며, 경우에 따라서는 투광성필름이 렌즈 형상으로 미리 가공된 상태로 제공될 수 있다. 다르게는 평탄화된 상태로 제공된 투광성필름이 투명수지의 상부에서 가압되는 동안 렌즈 형태로 성형되도록 구성할 수도 있다.
또한, 상기 투광성필름(150)을 배치시키는 단계에서, 투광성필름(150)은 기본적인 투광성 특성 외에 다른 광학적 특성을 가질 수 있으며, 투광성필름(150)의 다른 광학적 특성에 의해 투광성필름(150)을 통과하는 빛 중 특정 파장 대역의 빛이 필터링될 수 있다. 즉, 상기 투광성필름(150)은 투광성필름(150)을 통과하는 빛 중 불필요한(또는 의도된) 일정 파장 대역의 빛을 선택적으로 흡수 및 차단하도록 구성될 수 있다. 이러한 광학적 특성을 갖는 투광성필름은 필름과 레이어의 적층구 조로 제공되거나, 복수개의 필름 또는 복수개의 레이어의 적층 구조로 제공될 수 있다. 경우에 따라서 투광성필름은 표면에 빛을 집광하기 위한 광학돌기를 구비하여 제공될 수도 있다.
그 후, 상기 투명수지(140')를 경화시킴으로써 기판(110)과 투광성필름(150) 사이에 투명수지층(140)을 형성하게 된다. 예를 들어, 투명수지(140')로서 자외선 경화제가 사용될 경우에는, 자외선을 조사함으로써 투명수지(140')가 경화되어 투명수지층(140)이 형성될 수 있다. 투명수지(140')가 경화됨에 따라 투광성필름(150)은 투명수지층(140)을 매개로 기판(110)에 일체로 부착될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래 이미지센서 패키지의 구조를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 이미지센서 패키지의 구조를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 이미지센서 패키지의 구조를 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지센서 패키지의 구조를 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 이미지센서 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110 : 기판 120 : 이미지센서
130 : 연결부재 140 : 투명수지층
150 : 투광성필름

Claims (16)

  1. 상면에 이미지센서가 장착된 기판을 제공하는 단계;
    상기 이미지센서의 상부에 유동성을 갖는 투명수지를 도포하는 단계;
    상기 투명수지의 상부에 투광성필름을 배치하는 단계; 및
    상기 투명수지를 경화하여 투명수지층를 형성하는 단계;
    를 포함하는 이미지센서 패키지 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투광성필름을 배치하는 단계에서,
    상기 투명수지는 상기 투광성필름에 의해 가압되며, 상기 투명수지의 유동성을 이용하여 상기 투광성필름의 자세나 형상을 조절하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 패키지 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 투광성필름을 배치하는 단계에서 상기 투광성필름은 평탄화된 상태로 제공되는 것을 특징으로 하는 이미지센서 패키지 제조방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 투광성필름을 배치하는 단계에서 상기 투광성필름은 렌즈 형상으로 제 공되거나 상기 투광성필름을 렌즈 형상으로 성형하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 패키지 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 투광성필름은 투광성 특성 외에 다른 광학적 특성을 가지며,
    상기 다른 광학적 특성에 의해 상기 투광성필름을 통과하는 빛 중 특정 파장 대역의 빛이 필터링되는 것을 특징으로 하는 이미지센서 패키지 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 투광성필름은 필름 또는 레이어(layer)의 적층 구조로 제공되는 것을 특징으로 하는 이미지센서 패키지 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 투광성필름은 상기 투광성필름을 통과하는 빛을 집광하기 위한 광학돌기를 갖는 것을 특징으로 하는 이미지센서 패키지 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 투명수지는 자외선(UV) 경화제, 에폭시, 실리콘, 아크릴 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 패키지 제조방법.
  9. 기판;
    상기 기판의 상면에 장착되는 이미지센서;
    상기 이미지센서를 덮도록 상기 기판의 상면에 형성되는 투명수지층; 및
    상기 투명수지층의 상부에 제공되는 투광성필름;
    을 포함하는 이미지센서 패키지.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 투명수지층은 상기 이미지센서의 상부에 유동성을 갖는 투명수지를 도포한 후, 도포된 상기 투명수지를 상기 투광성필름으로 가압하여 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서 패키지.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 투광성필름은 평탄화된 상태로 제공되는 것을 특징으로 하는 이미지센서 패키지.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 투광성필름은 렌즈 형상으로 제공되거나 상기 투명수지층의 상부에 제공될 시 렌즈 형상으로 성형되는 것을 특징으로 하는 이미지센서 패키지.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 투광성필름은 투광성 특성 외에 다른 광학적 특성을 가지며,
    상기 다른 광학적 특성에 의해 상기 투광성필름을 통과하는 빛 중 특정 파장 대역의 빛이 필터링되는 것을 특징으로 하는 이미지센서 패키지.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 투광성필름은 필름 또는 레이어(layer)의 적층 구조로 제공되는 것을 특징으로 하는 이미지센서 패키지.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 투광성필름은 상기 투광성필름을 통과하는 빛을 집광하기 위한 광학돌기를 갖는 것을 특징으로 하는 이미지센서 패키지.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 투명수지는 자외선(UV) 경화제, 에폭시, 실리콘, 아크릴 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 패키지.
KR1020090134614A 2009-12-30 2009-12-30 이미지센서 패키지 및 그 제조방법 KR20110077931A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090134614A KR20110077931A (ko) 2009-12-30 2009-12-30 이미지센서 패키지 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090134614A KR20110077931A (ko) 2009-12-30 2009-12-30 이미지센서 패키지 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110077931A true KR20110077931A (ko) 2011-07-07

Family

ID=44917458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090134614A KR20110077931A (ko) 2009-12-30 2009-12-30 이미지센서 패키지 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110077931A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103928481A (zh) * 2014-03-26 2014-07-16 清华大学 一种图像传感器封装结构及封装方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103928481A (zh) * 2014-03-26 2014-07-16 清华大学 一种图像传感器封装结构及封装方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11693149B2 (en) Molded range and proximity sensor with optical resin lens
TWI639814B (zh) 光學模組、其製造方法及電子裝置
USRE35069E (en) Optoelectronic device component package
TWI425825B (zh) 免調焦距影像感測器封裝結構
US9934419B2 (en) Package structure, electronic device and method for manufacturing package structure
CN101159279A (zh) 半导体摄像元件及其制法、半导体摄像元件模块及装置
US20140042305A1 (en) Optical package module
JP2003198897A (ja) 光モジュール、回路基板及び電子機器
KR101934497B1 (ko) 패키지 구조, 전자기기 및 패키지 구조의 제조방법
KR20110127913A (ko) 카메라 모듈
CN110061017B (zh) 光学传感器封装及光学传感器总成
JP2005538545A (ja) 半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法
KR100747611B1 (ko) 미소소자 패키지 및 그 제조방법
CN112106207A (zh) 光电模块及用于制造光电模块的晶片级方法
US5216805A (en) Method of manufacturing an optoelectronic device package
US20040070076A1 (en) Semiconductor chip package for image sensor and method of the same
JP2011165774A (ja) 固体撮像装置の製造方法
TWI564610B (zh) 攝像模組及其製造方法
KR20110077931A (ko) 이미지센서 패키지 및 그 제조방법
JP2004200631A (ja) 光センサパッケージ構造
CN205211751U (zh) 邻近传感器以及电子设备
TW201409672A (zh) 半導體器件
TW201713105A (zh) 攝像模組及其製造方法
JP2010273087A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR101103336B1 (ko) 광소자 패키지 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination