KR20110075255A - 압력센서용 금속 박막형 스트레인 게이지 및 이를 포함하는 압력센서 - Google Patents
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- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
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Abstract
Description
시편No. | 스트레인 게이지의 조성 | 고온강도 (Kg/㎟) |
비저항계수 (μΩ-㎝) |
저항온도계수(10-5K-1) |
발명재1 | Ni-Cr합금:90% 및 Ti합금: 10% | 42 | 145 | 1 |
발명재2 | Ni-Cr합금:87% 및 Ti합금: 13% | 38 | 143 | 1.5 |
발명재3 | Ni-Cr합금:92% 및 Ti합금: 8% | 43 | 148 | 0.7 |
종래재 | Ni-Cr합금:100% | 25 | 100 | 22 |
Claims (4)
- 압력센서용 금속 박막형 스트레인 게이지로서,상기 스트레인 게이지는 저항체로 이루어지고, 상기 저항체는 50~60중량%의 Ni 및 40~50중량%의 Cr를 포함하는 Ni-Cr합금: 85~95중량%와 5~7중량%의 Al, 3~5중량%의 V, 0.3~0.7중량%의 Ce, 0.3~0.5중량%의 Si 및 잔부 Ti로 이루어진 Ti합금: 5~15중량%로 구성되는 것을 특징으로 하는 압력센서용 금속 박막형 스트레인 게이지.
- 제1항에 있어서, 상기 저항체가 Ni-Cr합금: 90중량%와 Ti합금: 10중량%로 구성되는 것을 특징으로 하는 압력센서용 금속 박막형 스트레인 게이지.
- 압력도입부를 갖는 다이어프램, 이 다이어프램위에 생성되는 절연막, 및 이 절연막 위에 형성되는 스트레인 게이지를 포함하는 압력센서에 있어서,상기 스트레인 게이지가 저항체로 이루어지고, 상기 저항체는 50~60중량%의 Ni 및 40~50중량%의 Cr를 포함하는 Ni-Cr합금: 85~95중량%와 5~7중량%의 Al, 3~5중량%의 V, 0.3~0.7중량%의 Ce, 0.3~0.5중량%의 Si 및 잔부 Ti로 이루어진 Ti합금: 5~15중량%로 구성되는 것을 특징으로 하는 압력센서.
- 제3항에 있어서, 상기 저항체가 Ni-Cr합금: 90중량%와 Ti합금: 10중량%로 구 성되는 것을 특징으로 하는 압력센서.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020090131664A KR101107306B1 (ko) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | 압력센서용 금속 박막형 스트레인 게이지 및 이를 포함하는 압력센서 |
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Publication Number | Publication Date |
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Country | Link |
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KR (1) | KR101107306B1 (ko) |
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---|---|---|---|---|
CN108955995A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-07 | 山东省科学院海洋仪器仪表研究所 | 基于金刚石薄膜的快速响应的海水压力传感器及制备方法 |
CN109238525A (zh) * | 2018-08-28 | 2019-01-18 | 西安航天动力研究所 | 金属薄膜式压力-温度复合传感器及其制作方法 |
CN110108397A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-08-09 | 重庆城市管理职业学院 | 一种可抗高电压的薄膜压力传感器及其制备方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58153752A (ja) | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Takeshi Masumoto | Ni−Cr系合金材料 |
-
2009
- 2009-12-28 KR KR1020090131664A patent/KR101107306B1/ko active IP Right Grant
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