KR20110073348A - 플라즈마 세정 처리에 대한 적합성이 향상된 대상물 - Google Patents

플라즈마 세정 처리에 대한 적합성이 향상된 대상물 Download PDF

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Abstract

플라즈마 세정 장치에서의 플라즈마 세정 처리에 적합한 대상물은 제1 외측 표면 영역 및 제2 외측 표면 영역을 가지며, 상기 대상물은 탈착 가능한 커버가 상기 제2 외측 표면 영역을 덮는 상태로 상기 대상물에 연결될 수 있도록 상기 탈착 가능한 커버와 연동하도록 구성되어 배치되며, 상기 탈착 가능한 커버와 연결되는 상기 대상물은, 상기 플라즈마 세정 장치가 상기 제2 외측 표면 영역에 존재하는 입자에 노출되지 않고, 상기 제1 외측 표면 영역이 상기 플라즈마 세정 장치에서 세정되도록, 상기 플라즈마 세정 장치에서 세정된다.

Description

플라즈마 세정 처리에 대한 적합성이 향상된 대상물{OBJECT WITH AN IMPROVED SUITABILITY FOR A PLASMA CLEANING TREATMENT}
본 발명은 리소그래피 장치 및 리소그래피 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에 통상적으로는 기판의 타겟 영역 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 마스크 또는 레티클(reticle)로도 지칭되는 패터닝 장치가 집적회로의 개개의 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 위의 타겟 영역(예컨대, 하나의 다이(die)의 일부분, 하나의 다이, 또는 여러 개의 다이를 포함) 상으로 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)로 이루어진 층 위에의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟 영역들의 네트워크를 포함할 것이다. 종래의 리소그래피 장치는, 타겟 영역 상에 패턴 전체를 한번에 노광함으로써 각각의 타겟 영역을 조사(照射)하는 소위 스테퍼(stepper)와, 소정의 방향("스캐닝" 방향)의 방사 빔을 통해 패턴을 스캐닝하는 동시에 그 방향과 평행한 방향(동일 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 스캐닝함으로써 각각의 타겟 영역을 조사하는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 장치로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
가스 물질(gaseous species)로부터 생성된 활성 플라즈마를 이용하여 대상물의 표면 영역으로부터 입자, 불순물 및 오염물을 제거하기 위해 플라즈마 세정 처리가 이용될 수 있다. 아르곤 및 산소와 같은 가스와, 공기 및 수소/질소와 같은 혼합물이 이용될 수 있다. 이러한 활성 플라즈마는 저압 가스상(low pressure gas phase)을 이온화하는 동안 생성될 수 있다. 활성의 이온성 가스 물질은 세정될 대상물의 표면 영역 상의 불순물 및 오염물과 반응하여, 진공 시스템에 의해 제거될 수 있는 가스 산물을 발생하는 경우가 있다. 활성 물질(energetic species)은 또한 표면 영역과 충돌하여 표면 영역으로부터 불순물 및 오염물을 떼어냄으로써 표면 영역을 세정한다. 상이한 오염 레벨을 갖는 대상물에 대해 종래의 플라즈마 세정 처리를 이용하면, 하이 레벨의 세정도(cleanliness)를 달성하지 못할 수도 있으므로, 팩킹 재료(packing material)와 대상물의 서브어셈블리를 별도로 수동으로 세정할 필요가 있을 수도 있다. 또한, 예컨대, 대상물의 외측 표면 영역 상에 존재하는 윤활제 또는 오일과 같은 탄화수소가 플라즈마 세정 장치 자체에 대한 오염을 야기할 수도 있다. 또한, 플라즈마 세정 처리가 수행된 후에 대상물 및 팩킹 재료를 전체적으로 조립하는 동안에도 오염의 위험이 있다.
본 발명의 특징은 플라즈마 세정 장치에서의 플라즈마 세정 처리에 적합한 로봇과 같은 대상물에 관련하며, 이 대상물은 제1 오염 레벨을 갖는 제1 외측 표면 영역 및 제1 오염 레벨보다 높은 제2 오염 레벨을 갖는 제2 외측 표면 영역을 갖는다.
본 발명의 특징은 플라즈마 세정 처리에 대한 적합성이 향상된 대상물을 제공하는 것이다. 이 목적을 위해, 상기 대상물은 탈착 가능한 커버와 연동하도록 구성되어 배치되며, 상기 커버는 제2 외측 표면 영역을 덮도록 상기 대상물에 연결 가능하며, 상기 탈착 가능한 커버와 연결되는 대상물은, 플라즈마 세정 장치가 제2 외측 표면 영역의 입자에 노출되지 않고, 상기 제1 외측 표면 영역이 플라즈마 세정 장치에서 세정되도록, 플라즈마 세정 장치에서 세정될 수 있다.
이것은 제2 외측 표면 영역으로부터의 입자, 불순물 및 오염물의 제거가 실질적으로 방지되는 기술적인 작용을 갖는다. 이것은 플라즈마 세정 장치 자체가 오염될 위험을 감소시키고 또한 대상물 자체의 세정도를 증가시키는 이점이 있다. 이러한 유형의 대상물의 또 다른 이점은 플라즈마 세정 처리 전에 팩킹 재료와 대상물의 모든 서브어셈블리를 별도로 수동으로 세정하고 이러한 세정 후에 이들 서브어셈블리를 다시 함께 조립할 필요가 더 이상 없으므로, 대상물을 분해, 세정 및 조립하는 완전한 사이클의 시간을 현저하게 감소시킨다는 것이다. 또 다른 추가의 이점으로는 대상물을 처리하기 위해 요구되는 단계의 감소에 의해 대상물이 새롭게 오염될 위험이 현저하게 감소된다는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면이다.
도 2는 플라즈마 세정 장치에 위치된 본 발명의 실시예에 따른 대상물을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 3은 플라즈마 세정 장치에 위치된 본 발명의 실시예에 따른 대상물을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 4는 플라즈마 세정 처리 동안의 본 발명의 실시예에 따른 대상물을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 5는 플라즈마 세정 처리를 위한 준비 동안의 본 발명의 실시예에 따른 대상물을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 6은 플라즈마 세정 처리 동안의 본 발명의 실시예에 따른 대상물을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 7은 플라즈마 세정 처리를 위한 준비 동안의 본 발명의 실시예에 따른 대상물을 개략적으로 도시하는 도면이다.
이하에서는, 대응하는 도면 부호가 대응하는 구성요소를 나타내는 첨부의 개략 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 예시를 목적으로 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 본 리소그래피 장치는 이하의 구성요소를 포함한다:
- 방사 빔(B)(예컨대, UV 방사 또는 EUV 방사)을 조절하도록 구성된 조명 시스템(조명기)(IL);
- 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 또한 특정의 파라미터에 따라 패터닝 장치를 정확하게 위치시키도록 구성된 제1 위치 설정기(PM)에 연결된 패터닝 장치 지지체 또는 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예컨대, 레지스트가 코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 특정의 파라미터에 따라 기판을 정확하게 위치시키도록 구성된 제2 위치 설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예컨대, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 패터닝 장치(MA)에 의해 방사 빔(B)에 부여한 패턴을, 기판(W)의 타겟 영역(C)(예컨대, 하나 이상의 다이를 포함하는) 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템(예컨대, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS).
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위한 굴절식, 반사식, 자기식, 전자기식, 정전식, 또는 다른 형태의 광학 요소들 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 형태의 광학 요소들을 포함할 수 있다.
패터닝 장치 지지체는, 패터닝 장치의 배향, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예컨대 패터닝 장치가 진공 분위기에서 유지되는지의 여부와 같은 기타 조건들에 좌우되는 방식으로 패터닝 장치를 유지한다. 패터닝 장치 지지체는 패터닝 장치를 유지하기 위해 기계식, 진공식, 정전식, 또는 기타 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 패터닝 장치 지지체는, 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동시킬 수 있는 프레임(frame) 또는 테이블일 수도 있다. 패터닝 장치 지지체는 패터닝 장치가 예컨대 투영 시스템에 대하여 요구된 위치에 있도록 할 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어는 "패터닝 장치"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 장치"라는 용어는, 기판의 타겟 영역에 패턴을 생성하기 위하여 방사 빔의 단면에 패턴을 부여하기 위해 사용될 수 있는 어떠한 디바이스도 포함되는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사 빔에 부여된 패턴은, 예컨대 그 패턴이 위상 반전 형상부(phase-shifting feature) 또는 이른바 어시스트 형상부(assist feature)를 포함하는 경우, 기판의 타겟 영역 내의 요구된 패턴과 정확하게 대응하지 않을 수도 있다는 것에 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사 빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같은 타겟 영역 내에 생성되는 디바이스에서의 특정 기능층에 대응할 것이다.
패터닝 장치는 투과형 또는 반사형 모두 가능하다. 패터닝 장치의 예로는 마스크, 프로그래머블 미러 어레이, 및 프로그래머블 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상 반전형 및 감쇠 위상 반전형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 타입들을 포함한다. 프로그래머블 미러 어레이의 예는 소형 미러들의 매트릭스 배열을 채용하며, 그 각각의 미러들은 입사하는 방사 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 경사지는 것이 가능하다. 경사진 미러들은 미러 매트릭스에 의해 반사되는 방사 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선에 대하여 적합하거나 또는 액침액(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대하여 적합하다면, 굴절형, 반사형, 반사 굴절형(catadioptric), 자기형, 전자기형, 및 정전형 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 사용되는 "투영 렌즈"라는 용어는 "투영 시스템"이라는 좀더 일반적인 용어의 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 설명한 바와 같이, 리소그래피 장치는 투과형 타입(예컨대, 투과형 마스크를 채용함)의 것이다. 이와 달리, 리소그래피 장치는 반사형 타입(예컨대, 전술한 바와 같은 유형의 프로그래머블 미러 어레이를 채용하거나, 또는 반사형 마스크를 채용함)의 것일 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지) 또는 그 이상의 기판 테이블(및/또는 2개 이상의 마스크 테이블)을 갖는 유형의 것일 수도 있다. 이러한 "복수 스테이지" 기기에서는, 추가의 테이블을 병행하여 사용할 수도 있고, 또는 하나 이상의 테이블 상에 예비 공정을 수행하면서 다른 하나 이상의 테이블을 노광용으로 사용하는 것도 가능하다.
리소그래피 장치는 또한 기판의 적어도 일부분을 물과 같은 비교적 굴절률이 높은 액체로 덮어 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우도록 하는 유형의 것으로 될 수도 있다. 액침액은 예컨대 마스크와 투영 시스템 사이와 같은 리소그래피 장치 내의 다른 공간에도 가해질 수 있다. 액침 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키기 위한 기술 분야에 널리 알려져 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같은 "액침"이라는 용어는 기판과 같은 구조체를 반드시 액체에 침지시켜야 하는 것을 의미하지는 않고, 노광하는 동안에 투영 시스템과 기판 사이에 액체를 위치시키는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 조명기(IL)는 방사 소스(SO)로부터 방사 빔을 수광한다. 예컨대, 방사 소스가 엑시머 레이저인 경우, 방사 소스와 리소그래피 장치는 별도의 장치일 수도 있다. 이러한 경우, 방사 소스는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사 빔은 예컨대 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)을 이용하여 방사 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사 소스가 수은 램프인 경우에, 이 방사 소스는 리소그래피 장치의 일체형 부품일 수도 있다. 방사 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사 시스템으로 지칭될 수도 있다.
조명기(IL)는 방사 빔의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기(IL)의 퓨필 평면(pupil plane) 내의 세기 분포의 적어도 외측 반경 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 조명기(IL)는 집속기(integrator, IN) 및 집광기(condenser, CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 조명기는 방사 빔의 횡단면에서 요구된 균일성 및 세기 분포를 갖도록 방사 빔을 조절하는데 사용될 수 있다.
방사 빔(B)은 패터닝 장치 지지체(예컨대, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 장치(예컨대, 마스크 )(MA) 상에 입사되며, 패터닝 장치에 의해 패터닝된다. 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA)를 종단한 후, 방사 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하고, 이 투영 시스템(PS)이 방사 빔을 기판(W)의 타겟 영역(C) 상에 집속한다. 제2 위치 설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량형 센서)를 이용하여, 예컨대 상이한 타겟 영역(C)을 방사 빔(B)의 경로에 위치시키기 위해 기판 테이블(WT)을 정확하게 이동시킬 수 있다. 마찬가지로, 제1 위치 설정기(PM) 및 다른 위치 센서(도 1에 명시적으로 도시되어 있지 않음)를 이용하여, 예컨대 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적 인출 후에 또는 스캔하는 동안에, 방사 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는 것이 가능하다. 일반적으로, 패터닝 장치 지지체(예컨대, 마스크 테이블)(MT)의 이동은, 제1 위치 설정기(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략적 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 미세 위치 설정)을 이용하여 실현될 수도 있다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"의 이동은 제2 위치 설정기(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수도 있다. 스테퍼(스캐너와 반대되는 것으로서의)의 경우에는, 패터닝 장치 지지체(예컨대, 마스크 테이블)(MT)가 숏-스트로크 액추에이터에만 연결되거나, 그렇지 않으면 고정될 수도 있다. 패터닝 장치(마스크)(MA) 및 기판(W)은 패터닝 장치 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수도 있다. 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용의 타겟 영역에 위치하고 있지만, 이들 마크들은 타겟 영역(C)들 사이의 공간 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있다). 마찬가지로, 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA) 상에 하나 이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 패터닝 장치 정렬 마크들이 다이들 사이에 위치될 수도 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 하나 이상의 모드로 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서는, 패터닝 장치 지지체(예컨대, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)을 기본적으로 정지 상태로 유지한 채로, 방사 빔에 부여한 패턴 전체를 한 번에 타겟 영역(C) 상에 투영한다(즉, 단일 정지 노광). 그리고나서, 상이한 타겟 영역(C)이 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)을 X 방향 및/또는 Y 방향으로 이동시킨다. 스텝 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기에 의해, 단일 정지 노광시에 이미징되는 타겟 영역(C)의 크기가 제한된다.
2. 스캔 모드에서는, 패터닝 장치 지지체(예컨대, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)을 동기적으로 스캐닝하면서, 방사 빔(B)에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다(즉, 단일 동적 노광). 패터닝 장치 지지체(예컨대, 마스크 테이블)(MT)에 관련한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(또는 축소율) 및 상 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기에 의해, 단일 동적 노광시의 타겟 영역(C)의 폭(스캐닝되지 않는 방향에서의 폭)이 제한되는 한편, 스캐닝 움직임의 길이에 의해 타겟 영역(C)의 높이(스캐닝 방향에서의 높이)가 결정된다.
3. 또 다른 모드에서는, 프로그래머블 패터닝 장치를 유지한 채로 패터닝 장치 지지체(예컨대, 마스크 테이블)(MT)를 기본적으로 정지 상태로 하고, 또한 기판 테이블(WT)을 이동시키거나 스캐닝하면서, 방사 빔에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사 소스가 채용되며, 프로그래머블 패터닝 장치는 필요에 따라 기판 테이블(WT)의 각각의 이동 후에 업데이트되거나 또는 스캔 동안의 연속적인 방사 펄스의 사이에서 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급한 바와 같은 타입의 프로그래머블 미러 어레이와 같은 프로그래머블 패터닝 장치를 이용하는 마스크 없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 전술한 사용 모드의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드가 채용될 수도 있다.
도 2는 제1 오염 레벨을 갖는 제1 외측 표면 영역(SRF1) 및 제1 오염 레벨보다 높은 제2 오염 레벨을 갖는 제2 외측 표면 영역(SRF2)을 갖는 대상물(OBJ)이 위치되는 플라즈마 세정 장치(PCD)를 개략적으로 도시하고 있다. 대상물(OBJ)은 탈착 가능한 커버(CVR)와 연동하도록 구성되어 배치된다. 이러한 대상물은 예컨대 웨이퍼(W)를 리소그래피 장치 내부와 외부로 이송하도록 구성되어 배치된 웨이퍼 핸들러(WH) 또는 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA)를 리소그래피 장치 내부와 외부로 이송하도록 구성된 레티클 핸들러(RH)일 것이며, 이것은 제한되지 않는다. 이러한 대상물은 또한 다른 분야의 기술(제약 산업에서와 같은)에도 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 커버(CVR)는 제2 외측 표면 영역(SRF2)을 덮도록 대상물(OBJ)에 연결 가능할 것이다. 이러한 실시예에서, 탈착 가능한 커버(CVR)에 연결된 대상물(OBJ)은, 플라즈마 세정 장치(PCD)가 제2 외측 표면 영역(SRF2)의 입자에 노출되지 않도록 플라즈마 세정 장치(PCD)에서 세정될 수 있으며, 제1 외측 표면 영역(SRF1)이 플라즈마 세정 장치를 오염시키지 않고 플라즈마 세정 장치(PCD)에서 세정될 수 있을 것이다.
도 3은, 탈착 가능한 커버(CVR)가 제1 커버부(CVR1) 및 제2 커버부(CVR2)를 포함하는 본 발명의 실시예를 개략적으로 예시한다. 대상물(OBJ)은 대상물(OBJ)과 제1 커버부(CVR1) 사이의 제1 갭(GP1)을 폐쇄시키기 위해 볼트와 같은 제1 고정 요소 또는 제1 패스너(FX1)를 이용하여 제1 커버부(CVR1)에 연결될 수 있다. 제1 고정 요소 또는 제1 패스너(FX1)의 고정 후, 제2 외측 표면 영역(DRF2)은 밀봉된 환경을 얻기 위해 제1 커버부(CVR1)에 의해 덮여진다.
도 4는 플라즈마 세정 장치(PCD) 내측에 위치될 수 있는 위치 설정기(MNS)가 제2 커버부(CVR2)를 대상물(OBJ) 및 제1 커버부(CVR1)에 대하여 위치시키면서 플라즈마 세정 장치(PCD)에 의해 제1 표면 영역(SRF1)을 세정하는 방법을 개략적으로 도시하고 있다. 대상물(OBJ)의 플라즈마 세정 처리를 위해, 플라즈마 세정 장치(PCD) 내에 생성된 활성 플라즈마가 세정 처리를 위해 제2 갭(GP2)을 통해 대상물(OBJ)의 제1 외측 표면 영역(SRF1)에 도달할 수 있다. 추가로, 제1 커버부(CVR1)의 외측 표면 영역과 제2 커버(CRV2)의 내측 및 외측 표면 영역 또한 본 실시예에서의 플라즈마 세정 프로세스 동안 세정된다. 제2 표면 영역(SRF2)의 불순물 및 오염물은 활성 플라즈마에 의해 도달되지 않을 것이며, 그에 따라 밀봉 환경(CENV) 내에 머무르게 되어, 제2 표면 영역(SRF2) 상의 입자가 플라즈마 세정 장치(PCD)를 오염시키지 않게 된다. 플라즈마 세정 처리 후, 제2 커버부(CVR2)는 제1 커버부(CVR1)와 제2 커버부(CVR2) 사이의 제2 갭(GP2)을 폐쇄시키면서 제2 고정 요소 또는 제2 패스너(FX2)를 이용하여 제1 커버부(CVR1)에 연결될 수 있다. 커버(CVR)를 폐쇄한 후, 대상물(OBJ)을 포함하는 커버(CVR)는 예컨대 대상물(OBJ)의 추가의 설치를 위한 클린룸 환경에 운송할 준비가 된다. 이 실시예에서, 제1 커버부(CVR1)는 대상물(OBJ)의 설치 후에 제거될 수 있다.
도 5는 탈착 가능한 커버(CVR)가 제1 커버부(CVR1) 및 제2 커버부(CVR2)를 포함하는 본 발명의 실시예를 개략적으로 예시하고 있다. 대상물(OBJ)은 대상물(OBJ)과 제1 커버부(CVR1) 사이의 제1 갭(GP1)을 폐쇄하여 밀봉 환경을 얻기 위해 볼트와 같은 제1 고정 요소(FX1)를 이용하여 제1 커버부(CVR1)에 연결될 수 있다. 제1 고정 요소 또는 제1 패스너(FX1)의 고정 후, 제2 외측 표면 영역(SRF2)이 제1 커버부(CVR1)에 의해 덮여진다. 제2 커버부(CVR2)는 제1 커버부(CVR1)와 제2 커버부(CVR2) 사이의 제2 갭(GP2)을 폐쇄하면서 제2 고정 요소(FX2)를 이용하여 제1 커버부(CVR1)와 연결될 수 있다. 제2 커버부(CVR2)는 유입 개구부(IN) 및 유출 개구부(OUT)를 추가로 포함할 수 있다.
도 6은 플라즈마 세정 처리 동안 플라즈마 세정 장치(PCD)에 의해 생성된 활성 플라즈마가 유입 개구부(IN)를 통해 대상물(OBJ)에 공급되는 것을 개략적으로 도시하고 있다. 대상물(OBJ)의 제1 표면 영역(SRF1) 상에 존재하는 입자, 불순물 및 오염물과 반응하는 이온성 가스 물질을 포함하는 활성 플라즈마가 유출 개구부(OUT)를 통해 진공 시스템(VAC)에 의해 제거될 수 있다. 이 실시예에서, 플라즈마 세정 장치(PCD) 및 진공 시스템(VAC)은 하나의 단일 장치로 되어 있지만, 이들은 모두 독립적인 장치로 될 수도 있다. 또한, 플라즈마 세정 장치(PCD) 및/또는 진공 시스템(VAC)은 제2 커버부(CVR2)의 일부를 형성하고 있지만, 제2 커버부(CVR2)에 인접하여 설치된 별도의 장치로서 이용하는 것도 가능하다.
대상물(OBJ)의 플라즈마 세정 처리를 위해, 플라즈마 세정 장치(PCD) 내에서 생성된 활성 플라즈마는 유입 개구부(IN)를 통해 대상물(OBJ)의 제1 외측 표면 영역(SRF1)에 도달할 수 있다. 또한, 제2 커버부(CVR2)의 내측 표면 영역 또한 이 실시예에서의 플라즈마 세정 프로세스 동안 세정된다. 이것은 더 작은 전체 표면 영역이 세정되어, 관련 표면 영역에 보다 직접적으로 가해지는 활성 플라즈마가 더 적어지게 된다는 이점을 갖는다. 또한, 이 실시예에서, 제2 표면 영역(SRF2)의 입자, 불순물 및 오염물은 활성 플라즈마에 의해 도달되지 않을 것이고, 그에 따라 밀봉 환경(CENV)에 머무를 것이다.
도 7은 탈착 가능한 커버(CVR)가 제1 커버부(CVR1)를 포함하는 본 발명의 다른 실시예를 개략적으로 예시한다. 대상물(OBJ)은 대상물(OBJ)이 대상물(OBJ)과 제1 커버부(CVR1) 사이의 제1 갭(GP1)을 폐쇄하기 위해 볼트와 같은 제1 고정 요소 또는 제1 패스너(FX1)를 이용하여 제1 커버부(CVR1)에 직접 연결될 수 있도록 예컨대 플랜지(FLN)를 갖는 상태로 구성되어 배치된다. 제1 커버부(CVR1)는 또한 앞에서 상세하게 설명한 바와 같이 유입 개구부(IN) 및 유출 개구부(OUT)를 추가로 포함할 수 있다. 대상물(OBJ)의 플라즈마 세정 처리는 도 5 및 도 6에 따라 설명한 것과 유사하지만, 대상물(OBJ)에 플랜지(FLN)를 제공함으로써 제2 커버부(CVR2)에 대한 요건을 감소시킨다. 이 실시예는 제1 표면 영역(SRF1)이 플라즈마 세정 처리를 필요로 하지만 예컨대 제2 표면 영역(SRF2)의 오염 레벨이 크게 위험하지 않은 경우에 이용될 수 있다.
본 명세서에서는, 집적회로(IC)의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용예에 대해 특정하게 언급하였지만, 본 명세서에서 설명된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리(magnetic domain memory)용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같은 기타 응용예들을 가질 수 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 다른 응용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟 영역"과 같은 좀더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(전형적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 장치), 계측 장비, 및/또는 검사 장치에서 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 상기 기판 처리 장치와 여타 기판 처리 장치에 본 명세서의 개시 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수도 있다.
광학 리소그래피의 관점에서 본 발명의 실시예의 사용에 대하여 구체적인 언급이 이루어졌지만, 본 발명은 예컨대 임프린트 리소그래피와 같은 다른 응용예에 사용될 수 있으며, 문맥이 허용하는 한 광학 리소그래피로 제한되지 않는다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 장치에서의 토폴로지는 기판 상에 생성되는 패턴을 정의한다. 패터닝 장치의 토폴로지는 전자기 방사, 열, 압력 또는 이들의 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화된 후에 기판에 공급된 레지스트의 층 내로 프레스될 수 있다. 패터닝 장치는 레지스트에서 떨어지게 되어, 레지스트가 경화된 후에 레지스트에 패턴을 남기게 된다.
본 명세서에 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는, 자외(UV) 방사선(예컨대, 365, 355, 248, 193, 157, 또는 126 nm의 파장 또는 그 부근의 파장을 가짐) 및 극자외(EUV) 방사선과 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
문맥이 허용하는 곳에서의 "렌즈"라는 용어는 굴절형, 반사형, 자기형, 전자기형, 및 정전형 광학 요소를 포함하는 다양한 타입의 광학 요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 지칭할 수도 있다.
전술한 내용은 예시를 위한 것으로, 본 발명을 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 하기 청구항들의 범위를 벗어나지 않고서도 전술한 본 발명에 대한 변형예가 이루어질 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (11)

  1. 플라즈마 세정 장치에서의 플라즈마 세정 처리에 적합한 대상물에 있어서,
    제1 외측 표면 영역 및 제2 외측 표면 영역을 가지며,
    상기 대상물은 탈착 가능한 커버가 상기 제2 외측 표면 영역을 덮는 상태로 상기 대상물에 연결될 수 있도록 상기 탈착 가능한 커버와 연동하도록 구성되어 배치되며,
    상기 탈착 가능한 커버와 연결되는 상기 대상물은, 상기 플라즈마 세정 장치가 상기 제2 외측 표면 영역에 존재하는 입자에 노출되지 않고, 상기 제1 외측 표면 영역이 상기 플라즈마 세정 장치에서 세정되도록, 상기 플라즈마 세정 장치에서 세정되는,
    플라즈마 세정 처리에 적합한 대상물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 외측 표면 영역은 제1 오염 레벨을 갖고, 상기 제2 외측 표면 영역은 상기 제1 오염 레벨보다 높은 제2 오염 레벨을 갖는, 플라즈마 세정 처리에 적합한 대상물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 대상물은 리소그래피 장치에서의 기판 핸들러인, 플라즈마 세정 처리에 적합한 대상물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 대상물은 패터닝 장치 핸들러인, 플라즈마 세정 처리에 적합한 대상물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 탈착 가능한 커버를 상기 대상물에 고정하도록 구성된 패스너를 더 포함하는, 플라즈마 세정 처리에 적합한 대상물.
  6. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사 빔을 패터닝하여 패터닝된 방사 빔을 형성하도록 구성된 패터닝 장치를 지지하도록 구성된 패터닝 장치 지지체;
    기판을 지지하도록 구성된 기판 테이블;
    상기 패터닝된 방사 빔을 상기 기판 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및
    플라즈마 세정 장치에서의 플라즈마 세정 처리에 적합한 대상물
    을 포함하며,
    상기 대상물은 제1 외측 표면 영역 및 제2 외측 표면 영역을 가지며,
    상기 대상물은 탈착 가능한 커버가 상기 제2 외측 표면 영역을 덮는 상태로 상기 대상물에 연결될 수 있도록 상기 탈착 가능한 커버와 연동하도록 구성되어 배치되며,
    상기 탈착 가능한 커버와 연결되는 상기 대상물은, 상기 플라즈마 세정 장치가 상기 제2 외측 표면 영역에 존재하는 입자에 노출되지 않고, 상기 제1 외측 표면 영역이 상기 플라즈마 세정 장치에서 세정되도록, 상기 플라즈마 세정 장치에서 세정되는,
    리소그래피 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 외측 표면 영역은 제1 오염 레벨을 갖고, 상기 제2 외측 표면 영역은 상기 제1 오염 레벨보다 높은 제2 오염 레벨을 갖는, 리소그래피 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 대상물은 기판 핸들러인, 리소그래피 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 대상물은 패터닝 장치 핸들러인, 리소그래피 장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 대상물은 상기 탈착 가능한 커버를 상기 대상물에 고정하도록 구성된 패스너를 더 포함하는, 리소그래피 장치.
  11. 플라즈마 세정 장치에서의 플라즈마 세정 처리에 적합한 대상물에 있어서,
    제1 외측 표면 영역;
    제2 외측 표면 영역; 및
    상기 제2 외측 표면 영역을 덮도록 구성된 탈착 가능한 커버
    를 포함하며,
    상기 대상물은, 상기 플라즈마 세정 장치가 상기 제2 외측 표면 영역에 존재하는 입자에 노출되지 않고, 상기 제1 외측 표면 영역이 상기 플라즈마 세정 장치에서 세정되도록, 상기 플라즈마 세정 장치에서 세정되는,
    플라즈마 세정 처리에 적합한 대상물.
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