KR20110060868A - Heat sink board and manufacturing method thereof, light emitting diode package module having the same and manufacturing method thereof - Google Patents
Heat sink board and manufacturing method thereof, light emitting diode package module having the same and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110060868A KR20110060868A KR1020110007415A KR20110007415A KR20110060868A KR 20110060868 A KR20110060868 A KR 20110060868A KR 1020110007415 A KR1020110007415 A KR 1020110007415A KR 20110007415 A KR20110007415 A KR 20110007415A KR 20110060868 A KR20110060868 A KR 20110060868A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- heat dissipation
- light emitting
- emitting diode
- electrode
- substrate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
Description
본 발명은 방열 기판과 그 제조 방법, 방열 기판을 구비한 발광다이오드 패키지 모듈과 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a heat dissipation substrate, a method of manufacturing the same, a light emitting diode package module having a heat dissipation substrate, and a method of manufacturing the same.
발광다이오드 패키지 모듈은 발광다이오드가 실장된 발광다이오드 패키지와, 발광다이오드 패키지가 실장되는 기판으로 구성되며, 이 기판이 히트 싱크(heat sink)에 결합됨으로써, 발광다이오드에서 발생된 열이 외부로 방출될 수 있다.
The light emitting diode package module includes a light emitting diode package on which a light emitting diode is mounted, and a substrate on which the light emitting diode package is mounted. The light emitting diode package module is coupled to a heat sink, whereby heat generated from the light emitting diode is discharged to the outside. Can be.
종래에는 발광다이오드 패키지 실장을 위한 기판으로서, 발광다이오드를 구동 드라이버 모듈과 전기적으로 연결시키기 위하여, 회로 패턴이 형성된 인쇄회로기판(PCB, printed circuit board)이 이용되었다.Conventionally, a printed circuit board (PCB) having a circuit pattern is used to electrically connect the light emitting diode to the driving driver module as a substrate for mounting the LED package.
그러나 이와 같이 기판으로서 일반적인 인쇄회로기판을 사용하게 되면, 구동드라이버 모듈과 발광다이오드의 전기적 연결은 용이하게 구현할 수 있을지라도, 인쇄회로기판에 형성된 절연층이 열저항으로 작용하여 광원 모듈의 방열 특성이 현저히 저하되는 문제가 있다.However, when a general printed circuit board is used as the substrate, although the electrical connection between the driving driver module and the light emitting diode can be easily realized, the insulating layer formed on the printed circuit board acts as a thermal resistance, so that the heat radiation characteristics of the light source module are improved. There is a problem that is significantly reduced.
그리고 이러한 방열 특성의 저하에 따라 발광다이오드의 광량이 감소하고 수명이 단축되어, 높은 수준의 방열 특성이 요구되는 고전력 헤드 램프에 발광다이오드를 적용하기에 어려운 문제가 있다.In addition, due to the deterioration of the heat dissipation characteristics, the light quantity of the light emitting diodes is reduced and the lifespan is shortened, so that it is difficult to apply the light emitting diodes to a high power head lamp requiring a high level of heat dissipation characteristics.
또한 종래에는 발광다이오드 패키지와 기판 간의 전기적 연결을 와이어를 이용하여 구현하였으나, 이와 같이 와이어를 사용하는 경우, 와이어를 보호하기 위한 추가적인 보호 수단이 요구되었으며, 이에 따라, 모듈의 사이즈가 불필요하게 증가되고, 제조 비용 및 시간 역시 증가되는 문제가 있었다.In addition, although the conventional electrical connection between the light emitting diode package and the substrate is implemented using a wire, in the case of using the wire as described above, an additional protection means for protecting the wire has been required. Accordingly, the size of the module is unnecessarily increased. In addition, manufacturing costs and time have also been increased.
본 발명은, 방열 효율이 향상되고, 발광 다이오드 패키지와의 접속 신뢰성이 향상된 방열 기판과 그 제조 방법 및 이를 구비한 발광다이오드 패키지 모듈과 그 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention provides a heat dissipation substrate having improved heat dissipation efficiency and improved connection reliability with a light emitting diode package, a method of manufacturing the same, a light emitting diode package module having the same, and a method of manufacturing the same.
본 발명의 일 측면에 따른 방열 기판은 돌출부가 형성된 상면을 가지는 방열 본체; 상기 방열 본체의 상면 중 상기 돌출부가 형성되지 않은 영역에 형성되어 있는 절연층; 및 상기 방열 본체와 전기적으로 절연되도록 상기 절연층 상에 형성되며, 상기 돌출부의 상면과 실질적으로 동일한 높이에 위치한 상면을 갖는 전극부를 포함한다.
According to an aspect of the present invention, a heat dissipation substrate includes: a heat dissipation body having a top surface on which protrusions are formed; An insulation layer formed on an area of the upper surface of the heat dissipation body in which the protrusion is not formed; And an electrode part formed on the insulating layer so as to be electrically insulated from the heat dissipating main body, and having an upper surface positioned at substantially the same height as the upper surface of the protrusion.
상기 방열 본체는 평평한 상면을 가지는 평판부, 및 상기 평판부의 상면에 형성된 돌출부를 포함할 수 있다.The heat dissipation body may include a flat plate having a flat upper surface, and a protrusion formed on the upper surface of the flat plate.
상기 돌출부는 상기 방열 본체와 동일한 재질로 되어 있을 수 있다.The protrusion may be made of the same material as the heat dissipation body.
본 발명의 일 실시예에 따른 방열 기판은 방열 본체; 방열 본체의 외주면에 형성되고 상기 방열 본체보다 낮은 높이를 가지는 절연부; 및 상기 방열 본체와 전기적으로 절연되도록 상기 절연부 상에 형성되고, 상기 방열 본체의 상면과 실질적으로 동일한 높이에 위치한 상면을 갖는 전극부를 포함할 수 있다.Heat dissipation substrate according to an embodiment of the present invention is a heat dissipation body; An insulation part formed on an outer circumferential surface of the heat dissipation body and having a height lower than that of the heat dissipation body; And an electrode part formed on the insulating part so as to be electrically insulated from the heat dissipating body and having an upper surface substantially positioned at the same height as the top surface of the heat dissipating body.
상기 방열 본체는 구리(Cu)를 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.The heat dissipation body may be made of a material including copper (Cu).
본 발명의 다른 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈은 돌출부가 형성된 상면을 가지는 방열 본체, 상기 방열 본체의 상면 중 상기 돌출부가 형성되지 않은 영역에 형성되어 있는 절연층, 및 상기 방열 본체와 전기적으로 절연되도록 상기 절연층 상에 형성되며, 상기 돌출부의 상면과 실질적으로 동일한 높이에 위치한 상면을 갖는 전극부를 포함하는 방열 기판; 및 상기 돌출부 상에 배치되고, 전극부와 전기적으로 연결되는 발광다이오드 패키지를 포함한다.According to another aspect of the present invention, a light emitting diode package module includes a heat dissipation body having an upper surface on which a protrusion is formed, an insulating layer formed on an area where the protrusion is not formed on an upper surface of the heat dissipation body, and electrically insulated from the heat dissipation body. A heat dissipation substrate formed on the insulating layer, the heat dissipation substrate including an electrode part having an upper surface positioned at substantially the same height as an upper surface of the protrusion; And a light emitting diode package disposed on the protrusion and electrically connected to the electrode.
상기 방열 본체는 평평한 상면을 가지는 평판부, 및 상기 평판부의 상면에 형성된 돌출부를 포함할 수 있다.The heat dissipation body may include a flat plate having a flat upper surface, and a protrusion formed on the upper surface of the flat plate.
상기 돌출부는 상기 방열 본체와 동일한 재질로 되어 있을 수 있다.The protrusion may be made of the same material as the heat dissipation body.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지 모듈은 방열 본체, 방열 본체의 외주면에 형성되고 상기 방열 본체보다 낮은 높이를 가지는 절연부, 및 상기 방열 본체와 전기적으로 절연되도록 상기 절연부 상에 형성되고, 상기 방열 본체의 상면과 실질적으로 동일한 높이에 위치한 상면을 갖는 전극부를 포함하는 방열 기판; 및 상기 방열 본체의 상면에 배치되고, 상기 전극부와 전기적으로 연결되는 발광다이오드 패키지를 포함한다.A light emitting diode package module according to an embodiment of the present invention is formed on the heat dissipation body, the outer peripheral surface of the heat dissipation body and the insulating portion having a lower height than the heat dissipation body, and is formed on the insulator to be electrically insulated from the heat dissipation body; A heat dissipation substrate including an electrode portion having an upper surface positioned at substantially the same height as an upper surface of the heat dissipation body; And a light emitting diode package disposed on an upper surface of the heat dissipation body and electrically connected to the electrode unit.
상기 발광다이오드 패키지는, 패키지 기판; 상기 패키지 기판의 일면에 실장되는 발광다이오드 칩; 상기 패키지 기판의 타면에 형성되며 상기 발광다이오드 칩과 전기적으로 연결되는 전극 패드; 및 상기 패키지 기판의 타면에 상기 돌출부와 대향하도록 형성되며 상기 전극 패드와 전기적으로 절연된 방열 패드를 포함할 수 있다.The light emitting diode package includes a package substrate; A light emitting diode chip mounted on one surface of the package substrate; An electrode pad formed on the other surface of the package substrate and electrically connected to the light emitting diode chip; And a heat dissipation pad formed on the other surface of the package substrate to face the protrusion and electrically insulated from the electrode pad.
상기 방열 패드는 상기 돌출부와 본딩(bonding)될 수 있다.The heat dissipation pad may be bonded to the protrusion.
상기 발광다이오드 패키지는, 패키지 기판; 상기 패키지 기판의 일면에 실장되는 발광다이오드 칩; 상기 패키지 기판의 타면에 형성되며 상기 발광다이오드 칩과 전기적으로 연결되는 전극 패드; 및 상기 패키지 기판의 타면에 상기 방열 본체의 상면과 대향하도록 형성되며 상기 전극 패드와 전기적으로 절연된 방열 패드를 포함할 수 있다.The light emitting diode package includes a package substrate; A light emitting diode chip mounted on one surface of the package substrate; An electrode pad formed on the other surface of the package substrate and electrically connected to the light emitting diode chip; And a heat dissipation pad formed on the other surface of the package substrate to face the top surface of the heat dissipation body and electrically insulated from the electrode pad.
상기 방열 패드는 상기 방열 본체의 상면과 본딩될 수 있다.The heat dissipation pad may be bonded to an upper surface of the heat dissipation body.
상기 방열 본체는 구리를 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.The heat dissipation body may be made of a material containing copper.
상기 패키지 기판은 세라믹을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.The package substrate may be made of a material including ceramic.
상기 전극 패드는 상기 패키지 기판에 상기 전극부와 대향하도록 형성되어 상기 전극부와 본딩될 수 있다.The electrode pad may be formed to face the electrode portion on the package substrate and may be bonded to the electrode portion.
상기 돌출부와 상기 방열 패드 사이, 및 상기 전극부와 상기 전극 패드 사이에 각각 개재되는 전도성 접착층을 더 포함할 수 있다.The conductive adhesive layer may be further interposed between the protrusion and the heat dissipation pad, and between the electrode unit and the electrode pad.
상기 방열 본체와 상기 방열 패드 사이, 및 상기 전극부와 상기 전극 패드 사이에 각각 개재되는 전도성 접착층을 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a conductive adhesive layer interposed between the heat dissipation body and the heat dissipation pad and between the electrode portion and the electrode pad.
상기 돌출부와 상기 방열 패드의 대향하는 면은 사이즈가 서로 동일하고, 상기 전극부와 상기 전극 패드의 대향하는 면은 사이즈가 서로 동일할 수 있다.Opposite surfaces of the protrusion and the heat dissipation pad may have the same size, and opposing surfaces of the electrode portion and the electrode pad may have the same size.
상기 방열 본체의 상면과 상기 방열 패드의 대향하는 면은 사이즈가 서로 동일하고, 상기 전극부와 상기 전극 패드의 대향하는 면은 사이즈가 서로 동일할 수 있다.An upper surface of the heat dissipation body and an opposing surface of the heat dissipation pad may have the same size, and an opposite surface of the electrode portion and the electrode pad may have the same size.
상기 전도성 접착층은 솔더(solder)로 이루어지거나 완충 재질의 페이스트(paste)로 이루어질 수 있다.The conductive adhesive layer may be made of solder or may be made of a paste of a buffer material.
상기 패키지 기판과 상기 방열 기판과의 정렬 여부를 판단하기 위해 상기 방열 기판에 형성되는 정렬 마크(align mark)를 더 포함할 수 있다.The display device may further include an alignment mark formed on the heat dissipation substrate to determine whether the package substrate is aligned with the heat dissipation substrate.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 방열 기판 제조 방법은 방열 본체의 상면에 돌출부를 형성하는 단계; 상기 방열 본체의 상면 중 상기 돌출부가 형성되지 않은 영역에 절연부를 형성하는 단계; 및 상기 절연부 상에 상기 방열 본체와 전기적으로 절연되도록 전극부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전극부의 상면은 상기 돌출부의 상면과 동일한 높이에 위치한다.According to another aspect of the present invention, a method of manufacturing a heat dissipation substrate includes: forming a protrusion on an upper surface of a heat dissipation body; Forming an insulating part in an area of the upper surface of the heat dissipating body in which the protrusion is not formed; And forming an electrode part on the insulating part to be electrically insulated from the heat dissipating main body, wherein an upper surface of the electrode part is positioned at the same height as an upper surface of the protrusion part.
상기 방열 본체의 상면에 돌출부를 형성하는 단계는, 상기 돌출부를 상기 방열 본체와 별도로 형성하여 상기 방열 본체의 상면에 접합되어 형성할 수 있다.The forming of the protrusions on the upper surface of the heat dissipation main body may include forming the protrusions separately from the heat dissipation main body to be bonded to the upper surface of the heat dissipation main body.
본 발명의 일 실시예에 따른 방열 기판 제조 방법은 방열 본체를 마련하는 단계; 상기 방열 본체의 외주면에 상기 방열 본체보다 낮은 높이를 가지는 절연부를 형성하는 단계; 상기 방열 본체의 상면 중 상기 돌출부가 형성되지 않은 영역에 절연부를 형성하는 단계; 및 상기 절연부 상에 상기 방열 본체와 전기적으로 절연되도록 전극부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전극부의 상면은 상기 방열 본체의 상면과 동일한 높이에 위치한다.Method for manufacturing a heat radiation board according to an embodiment of the present invention comprises the steps of preparing a heat dissipation body; Forming an insulating part having a lower height than the heat dissipating body on an outer circumferential surface of the heat dissipating body; Forming an insulating part in an area of the upper surface of the heat dissipating body in which the protrusion is not formed; And forming an electrode part on the insulating part to be electrically insulated from the heat dissipating body, wherein an upper surface of the electrode part is positioned at the same height as an upper surface of the heat dissipating body.
상기 절연부를 형성하는 단계는, 상기 방열 본체의 상면에 절연 물질을 도포함으로써 수행될 수 있다.The forming of the insulating part may be performed by applying an insulating material to an upper surface of the heat dissipating body.
상기 절연부를 형성하는 단계는, 방열 본체의 상면에 절연시트를 적층함으로써 수행될 수 있다.The forming of the insulating part may be performed by laminating an insulating sheet on an upper surface of the heat dissipating body.
본 발명의 다른 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈 제조 방법은 돌출부가 형성된 상면을 가지는 방열 본체, 상기 방열 본체의 상면 중 상기 돌출부가 형성되지 않은 영역에 형성되어 있는 절연층, 및 상기 방열 본체와 전기적으로 절연되도록 상기 절연층 상에 형성되며, 상기 돌출부의 상면과 실질적으로 동일한 높이에 위치한 상면을 갖는 전극부를 포함하는 방열 기판을 제공하는 단계; 방열 패드 및 전극 패드가 상기 돌출부 및 상기 전극부와 각각 대향하도록 형성되고, 발광다이오드 칩이 상기 전극 패드와 전기적으로 연결되도록 실장되는 패키지 기판을 제공하는 단계; 및 상기 방열 패드 및 상기 전극 패드를 상기 돌출부 및 상기 전극부에 각각 본딩하여, 상기 방열 기판에 상기 패키지 기판을 실장하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode package module manufacturing method including a heat dissipation body having an upper surface on which a protrusion is formed, an insulating layer formed on an area where the protrusion is not formed on an upper surface of the heat dissipation body, and the heat dissipation body. Providing a heat dissipation substrate formed on the insulating layer so as to be insulated, the heat dissipation substrate including an electrode portion having an upper surface positioned at substantially the same height as the upper surface of the protrusion; Providing a package substrate having heat dissipation pads and electrode pads facing the protrusions and the electrode portions, respectively, and mounted with a light emitting diode chip electrically connected to the electrode pads; And bonding the heat dissipation pad and the electrode pad to the protrusion and the electrode, respectively, to mount the package substrate on the heat dissipation substrate.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지 모듈 제조 방법은 방열 본체, 방열 본체의 외주면에 형성되고 상기 방열 본체보다 낮은 높이를 가지는 절연부, 및 상기 방열 본체와 전기적으로 절연되도록 상기 절연부 상에 형성되고, 상기 방열 본체의 상면과 실질적으로 동일한 높이에 위치한 상면을 갖는 전극부를 포함하는 방열 기판을 제공하는 단계; 방열 패드 및 전극 패드가 상기 방열 본체 및 상기 전극부와 각각 대향하도록 형성되고, 발광다이오드 칩이 상기 전극 패드와 전기적으로 연결되도록 실장되는 패키지 기판을 제공하는 단계; 및 상기 방열 패드 및 상기 전극 패드를 상기 방열 본체 및 상기 전극부에 각각 본딩하여, 상기 방열 기판에 상기 패키지 기판을 실장하는 단계를 포함한다.The method of manufacturing a light emitting diode package module according to an embodiment of the present invention includes a heat dissipation body, an insulation portion formed on an outer circumferential surface of the heat dissipation body, and having a lower height than the heat dissipation body, and on the insulation portion to be electrically insulated from the heat dissipation body. Providing a heat dissipation substrate, the heat dissipation substrate including an electrode portion having an upper surface disposed at substantially the same height as an upper surface of the heat dissipating body; Providing a package substrate on which a heat dissipation pad and an electrode pad face the heat dissipation body and the electrode portion, respectively, and are mounted such that a light emitting diode chip is electrically connected to the electrode pad; And bonding the heat dissipation pad and the electrode pad to the heat dissipation body and the electrode, respectively, to mount the package substrate on the heat dissipation substrate.
상기 패키지 기판을 실장하는 단계는 단일 공정에 의해 수행될 수 있다.The mounting of the package substrate may be performed by a single process.
상기 패키지 기판을 실장하는 단계는, 상기 돌출부와 상기 방열 패드 사이, 및 상기 전극부와 상기 전극 패드 사이에 각각 전도성 접착층을 개재하여 수행될 수 있다.The mounting of the package substrate may be performed through a conductive adhesive layer between the protrusion and the heat dissipation pad, and between the electrode and the electrode pad, respectively.
상기 패키지 기판을 실장하는 단계는, 상기 방열 본체와 상기 방열 패드 사이, 및 상기 전극부와 상기 전극 패드 사이에 각각 전도성 접착층을 개재하여 수행될 수 있다.The mounting of the package substrate may be performed through a conductive adhesive layer between the heat dissipation body and the heat dissipation pad, and between the electrode portion and the electrode pad, respectively.
상기 전도성 접착층은 솔더로 이루어지며, 상기 패키지 기판을 실장하는 단계는 표면실장기술(SMT, surface mounting technology)에 의해 수행될 수 있다.The conductive adhesive layer is made of solder, and the mounting of the package substrate may be performed by surface mounting technology (SMT).
상기 전도성 접착층은, 완충 재질의 페이스트로 이루어질 수 있다.The conductive adhesive layer may be made of a paste of a buffer material.
상기 패키지 기판을 실장하는 단계 이후에, 상기 방열 기판에 형성되는 정렬 마크를 이용하여 상기 패키지 기판과 상기 방열 기판과의 정렬 여부를 판단하는 단계를 더 포함할 수 있다.After mounting the package substrate, the method may further include determining whether the package substrate is aligned with the heat radiating substrate using an alignment mark formed on the heat radiating substrate.
본 발명에 따르면, 발광다이오드 패키지와 방열 기판이 직접 접속되므로 방열 효율이 향상되고, 발광 다이오드 패키지를 방열 기판에 단일 공정으로 실장할 수 있으므로 발광 다이오드 패키지와 방열 기판 사이의 접속이 간단하고 접속 신뢰성이 향상될 수 있다.According to the present invention, since the LED package and the heat dissipation board are directly connected, the heat dissipation efficiency is improved, and since the LED package can be mounted on the heat dissipation board in a single process, the connection between the LED package and the heat dissipation board is simple and the connection reliability is high. Can be improved.
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈의 일 실시예를 나타낸 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈 일 실시예의 AA선에 따른 단면을 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈의 일 실시예를 나타낸 평면도.
도 4는 본 발명의 일 측면에 따른 방열 기판의 일 실시예를 나타낸 평면도.
도 5는 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈 일 실시예의 발광다이오드 패키지를 나타낸 저면도.
도 6은 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈 일 실시예의 발광다이오드 칩의 전기적 연결 상태 및 회로 패턴의 배치를 나타낸 사시도.
도 7은 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈 일 실시예의 발광다이오드 칩, 제너다이오드 및 서미스터의 전기적 연결 상태를 나타낸 회로도.
도 8은 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈이 적용된 자동차용 헤드 램프 모듈의 일 실시예를 나타낸 도면.
도 9 내지 도 13은 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈의 다른 실시예를 각각 나타낸 단면도.
도 14는 본 발명의 다른 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈 제조 방법의 일 실시예를 나타낸 순서도.
도 15 내지 도 21은 본 발명의 다른 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈 제조 방법 일 실시예의 각 공정을 나타낸 단면도.
도 22 내지 도 27은 본 발명의 다른 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈제조 방법 다른 실시예의 각 공정을 나타낸 단면도.1 is a perspective view showing an embodiment of a light emitting diode package module according to an aspect of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of an LED package module according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 1.
3 is a plan view showing an embodiment of a light emitting diode package module according to an aspect of the present invention.
Figure 4 is a plan view showing an embodiment of a heat radiation substrate according to an aspect of the present invention.
5 is a bottom view showing a light emitting diode package of an embodiment of a light emitting diode package module according to an aspect of the present invention.
6 is a perspective view showing the arrangement of the LED pattern and the electrical connection of the LED chip of the LED package module according to an embodiment of the present invention.
7 is a circuit diagram illustrating an electrical connection state of a light emitting diode chip, a zener diode, and a thermistor of an embodiment of a light emitting diode package module according to an aspect of the present invention;
8 is a view showing an embodiment of a vehicle head lamp module to which the light emitting diode package module according to an aspect of the present invention is applied.
9 to 13 are cross-sectional views showing another embodiment of a light emitting diode package module according to an aspect of the present invention.
14 is a flow chart showing an embodiment of a method of manufacturing a light emitting diode package module according to another aspect of the present invention.
15 to 21 are cross-sectional views illustrating respective processes of a method of manufacturing a light emitting diode package module according to another aspect of the present invention.
22 to 27 are cross-sectional views illustrating respective processes of a method of manufacturing a light emitting diode package module according to another aspect of the present invention.
본 발명에 따른 발광다이오드 패키지, 이를 구비한 발광다이오드 패키지 모듈과 그 제조 방법, 및 이를 구비한 헤드 램프 모듈과 그 제어 방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.An embodiment of a light emitting diode package, a light emitting diode package module having the same, a method of manufacturing the same, a head lamp module having the same, and a method of controlling the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description, the same or corresponding components are assigned the same reference numerals, and redundant description thereof will be omitted.
먼저, 도 1 내지 도 8을 참조하여, 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드패키지 모듈(100)의 일 실시예에 대하여 설명하도록 한다.First, an embodiment of the
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 일 실시예를 나타낸 사시도이다. 도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(100) 일 실시예의 AA선에 따른 단면을 나타낸 단면도이다. 도3은 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 일 실시예를 나타낸 평면도이다.1 is a perspective view showing an embodiment of a light emitting
본 실시예에 따르면, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 방열 기판(110), 전도성 접착층(140)에 의해 방열 기판(110)에 실장되는 발광다이오드 패키지(120), 방열 기판(110)에 각각 실장되는 제너다이오드(170)와 서미스터(180) 및 방열 기판(110)에 형성되는 정렬 마크(190)를 포함하는 발광다이오드 패키지 모듈(100)이 제시된다.According to the present exemplary embodiment, as illustrated in FIGS. 1 to 3, the light emitting
여기서, 방열 기판(110)은 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 방열 본체(112), 절연부(116), 전극부(118) 및 솔더레지스트층(119)을 구비하며, 발광다이오드 패키지(120)는 제1 기판(122)과 제2 기판(123)으로 이루어지는 패키지 기판(121), 캐비티(124), 방열 패드(125), 전극 패드(126), 회로 패턴(127), 비아(128), 발광다이오드 칩(130) 및 형광체(150)를 구비한다.1 to 3, the
이와 같은 본 실시예에 따르면, 패키지 기판(121)과 방열 본체(112) 사이에 낮은 열전도성을 갖는 절연층이 개재되지 않으므로, 발광다이오드 패키지(120)의 방열 본체(112)로의 방열 효율이 현저히 향상될 수 있다.According to this embodiment, since the insulating layer having low thermal conductivity is not interposed between the
또한, 발광다이오드 패키지(120)와 전극부(118)의 전기적 연결을 위한 별도의 와이어 등이 사용되지 않으므로, 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 전기적 접속 신뢰성이 향상되고 사이즈가 보다 소형화될 수 있다.In addition, since a separate wire for the electrical connection between the
이하, 도 1 내지 도 8을 참조하여 본 실시예에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 각 구성에 대하여 보다 구체적으로 설명하도록 한다.Hereinafter, each configuration of the
방열 기판(110)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 방열 본체(112), 절연부(116) 및 전극부(118)로 이루어진다. 방열 본체(112)의 노출된 일면에는 발광다이오드 패키지(120)가 전도성 접착층(140)을 이용하여 실장되며, 방열 본체(112)의 발광다이오드 패키지(120)가 실장되지 않은 타면은 외부 방열체(도 8의 22)와 결합된다.As shown in FIGS. 1 and 2, the
이에 따라, 발광다이오드 칩(130)의 발광에 수반되어 발생되는 발광다이오드칩(130)의 열은 패키지 기판(121), 전도성 접착층(140), 방열 본체(112) 및 외부 방열체(도 8의 22)를 통해 외부로 방출될 수 있다. 이 경우, 방열 본체(112)는 전도성 물질로 이루어지므로, 발광다이오드 칩(130)에서 발생된 열은 외부 방열체로 효과적으로 전달될 수 있다.Accordingly, the heat of the light emitting
또한, 방열 본체(112)는 구리(Cu)로 이루어질 수 있다. 구리로 이루어진 방열 본체(112)는, 예를 들어 Al2O3 등의 세라믹으로 이루어진 패키지 기판(121)과 열팽창 계수의 차이가 작으므로, 전도율이 예를 들어 50K/W로 높으나 유연성이 크지 않은 솔더를 전도성 접착층(140)으로 이용하여 방열 본체(112)와 패키지 기판(121)을 본딩하더라도, 본딩 부위에 작용하는 열응력은 최소화될 수 있다. 이에 따라, 발광다이오드 칩(130)으로부터 전달되는 열에 의한 본딩 부위의 파손이 방지될 수 있다.In addition, the
그리고, 방열 본체(112)는 구리 이외에도 열전도성이 우수한 알루미늄(Al) 등의 물질로 이루어질 수도 있다.The
전극부(118) 역시 구리 등의 전도성 물질로 이루어질 수 있으나, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 방열 본체(112)와의 사이에 개재되는 절연부(116)에 의해 방열 본체(112)와 전기적으로 절연된다. 이러한 전극부(118)는 전극부(118)에 연결된 회로 및 단자를 통해 드라이버 모듈(도 8의 30)과 전기적으로 연결될 수 있으므로, 패키지 기판(121)에 전극부(118)와 대향하도록 형성된 전극 패드(126)와 전극부(118)가 전도성 접착층(140)으로 본딩됨으로써, 전극 패드(126)와 전기적으로 연결된 발광 다이오드 칩(130)이 드라이버 모듈(도 8의 30)과 전기적으로 연결되어, 발광다이오드 칩(130)이 드라이버 모듈(도 8의 30)에 의해 작동이 제어될 수 있다.The
본 실시예의 경우, 방열 본체(112)와 전극부(118)를 전기적으로 절연시키는 절연부(116)가 존재하는 경우를 일 예로서 설명하고 있으나, 이 뿐만 아니라 방열 본체(112)가 열전도율에 비해 전기전도율이 현저히 낮은 물질로 이루어짐으로써, 절연부(116) 없이도 방열 본체(112)와 전극부(118)가 전기적으로 절연될 수 있는 경우라면 이러한 경우 역시 본 발명의 권리범위에 포함될 수 있음은 물론이다.In the present embodiment, the case where the insulating
보다 구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 방열 본체(112)의 상면(114)에 있어서, 패키지 기판(121)과 대향하는 측에는 돌출부(113)가 구비된다. 돌출부(113)는 패키지 기판(121)에 형성된 방열 패드(125)와 대향하도록 형성된다. 절연부(116)는 방열 본체의 상면(114)에 형성되며, 전극부(118)는 절연부(116) 상에 전극 패드(126)와 대향하도록 형성된다.More specifically, as shown in FIG. 2, on the
그리고 절연부(116)의 상부에는 전극 패드(126)의 위치에 대응하는 위치를 갖는 전극부(118) 및 이러한 전극부(118)와 연결되는 회로 및 단자가 형성된다.In addition, an
이에 따라, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 방열 기판(110)의 중앙부에는 돌출부(113)가 노출될 수 있으며, 이러한 돌출부(113)의 노출된 표면에 인접하여 전극 패드(126)와 대향하는 전극부(118)가 형성될 수 있다.Accordingly, as shown in FIGS. 1 and 2, the
이와 같이 방열 본체(112)의 상면에 절연부(116)가 형성됨으로써, 방열 본체(112)와 전기적으로 절연되는 전극부(118)를 형성하면서도 열매개체로서의 방열 본체(112)의 부피는 최대한 유지할 수 있으므로, 발광 다이오드 패키지 모듈(100)의 방열 효율이 극대화될 수 있다.In this way, the insulating
이 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, 볼록부(113)의 상면과 전극부(118)의 상면은, 바람직하게는 실질적으로 동일한 높이에 위치하도록 형성될 수 있다.In this case, as shown in FIG. 2, the upper surface of the
이에 따라 발광다이오드 패키지(120)를 방열 기판(110)에 실장할 때, 표면실장기술(SMT, surface mounting technology)을 이용하여, 방열 패드(125)와 돌출부(113) 상면, 및 전극 패드(126)와 전극부(118) 상면을 단일 공정에 의해 본딩할 수 있으므로, 제조 비용 및 시간을 절감할 수 있다.Accordingly, when the light emitting
본 실시예의 경우, 방열 패드(125)와 대향하는 돌출부(113)의 상면과 전극 패드(126)와 대향하는 전극부(118)의 상면이 물리적으로 동일 평면 상에 위치하는In the present embodiment, the upper surface of the
경우를 일 예로서 제시하였으나, 방열 패드(125)와 대향하는 돌출부(113)의 상면과, 전극 패드(126)와 대향하는 전극부(118)의 상면의 높이가 허용 오차 범위 내에 있어, 표면실장기술에 의해 발광다이오드 패키지(120)의 본딩이 가능한 경우 역시 본 발명의 권리범위에 포함될 수 있음은 물론이다.Although the case has been presented as an example, the height of the upper surface of the
그리고 절연부(116) 및 전극부(118)에 연결된 회로 상에는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제너다이오드(170) 및 서미스터(180)가 전기적으로 연결될 부분을 제외하고 솔더레지스트층(119)이 형성될 수 있다. On the circuit connected to the insulating
발광다이오드 패키지(120)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 기판(122)과 제2 기판(123)으로 이루어지는 패키지 기판(121), 캐비티(124), 방열 패드(125), 전극 패드(126), 회로 패턴(127), 비아(128), 발광다이오드 칩(130) 및 형광체(150)로 이루어질 수 있다.As shown in FIGS. 1 to 3, the light emitting
패키지 기판(121)은, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 방열 기판(110) 상에 배치되며, 제1 기판(122) 및 이에 적층되는 제2 기판(123)으로 이루어진다.As illustrated in FIGS. 1 to 3, the
그리고 제2 기판(123)에는 발광다이오드 칩(130)이 수용 가능하도록 발광다이오드칩(130) 사이즈 보다 큰 캐비티(124)가 형성된다.A
이러한 패키지 기판(121)은 세라믹 재질로 이루어져 고내열성, 우수한 열전도성 및 고반사효율 등의 특성을 가질 수 있으므로, 높은 수준의 방열 특성이 요구되는 고전력 자동차 헤드 램프 모듈(도 8의 300)용 발광다이오드 패키지(120)에 적용되기에 유리하다.Since the
한편, 패키지 기판(121)은 본 실시예와는 달리 단일층으로 이루어질 수도 있으며, 이러한 예가 도 9 내지 도 11을 통해 제시되어 있다. 도면에는 구체적으로 도시되지 않았으나 이러한 경우는 발광다이오드 칩(130)이 패키지 기판(121)에 플립칩(flip-chip) 본딩되는 경우이며, 이에 대해서는 도 9 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 다른 실시예를 설명하는 부분에서 보다 상세히 설명하도록 한다.On the other hand, unlike the present embodiment, the
회로 패턴(127)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 패키지 기판(121)에 형성되어 발광다이오드 칩(130)과 전기적으로 연결된다. 즉, 회로 패턴(127)은 패키지 기판(121)의 제1 기판(122)과 제2 기판(123) 사이에 형성되며, 발광다이오드 칩(130) 하면에 형성된 전극과 접합되어 전기적으로 연결된다. 발광다이오드 칩(130)의 상면에 형성된 전극은 회로 패턴(127)과 와이어(135)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.As illustrated in FIG. 2, the
비아(128)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 패키지 기판(121)에 형성되어 회로패턴(127)과 전극 패드(126)를 전기적으로 연결시킨다. 즉, 비아(128)는 제1 기판(122) 내에 형성되어 제1 기판(122)과 제2 기판(123) 사이에 개재된 회로 패턴(127)과 제1 기판(122)의 표면에 형성된 전극 패드(126)를 전기적으로 연결시킴으로써, 결과적으로 발광다이오드 칩(130)을 전극부(118)와 전기적으로 연결시킬 수 있다.As illustrated in FIG. 2, the via 128 is formed in the
도 4는 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(100) 일 실시예의 방열 기판(110)을 나타낸 평면도이다. 도 5는 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(100) 일 실시예의 발광다이오드 패키지(120)를 나타낸 저면도이다.4 is a plan view illustrating the
방열 패드(125)는, 도 2, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 패키지 기판(121)에 돌출부(113)와 대향하도록 형성되어 돌출부(113)와 본딩된다. 방열 패드(125)는 패키지 기판(121)의 하면에 전극 패드(126)와 전기적으로 절연되도록 형성되며, 돌출부(113)의 노출된 표면의 위치와 대응되는 위치에 형성된다. 이러한 방열 패드(125)는 돌출부(113)의 노출된 표면과 전도성 접착층(140), 즉, 솔더에 의해 본딩됨으로써, 방열 본체(112)와 접합된다.As illustrated in FIGS. 2, 4, and 5, the
이와 같이 사이에 절연층이 개재되지 않고 방열 패드(125)와 돌출부(113)가 본딩됨으로써, 발광다이오드 칩(130)으로부터 발생된 열은 열적 저항 없이 방열 패드(125)로부터 방열 본체(112)로 효과적으로 전달될 수 있다. 이에 따라 결과적으로 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 방열 특성이 현저히 향상될 수 있다.As such, the
여기서, 본딩이란, 2개의 구성 요소가 물리적으로 직접 접촉되어 결합되거나, 구성 요소의 사이에 다른 물질이 개재되어 간접적으로 결합되는 것을 모두 포함하는 의미이며, 본 실시예의 경우에는 방열 패드(125)와 돌출부(113) 사이 및 전극 패드(126)와 전극부(118)의 상면 사이에 전도성 접착층(140)이 개재되어 이 전도성 접착층(140)에 의해 방열 패드(125)와 방열 본체(112), 및 전극 패드(126)와 전극부(118)가 각각 간접적으로 결합되는 경우를 일 예로서 제시하고 있다.In this case, the bonding means that the two components are physically in direct contact with each other, or indirectly coupled to each other by interposing a different material between the components. In this embodiment, the
전극 패드(126)는, 도 2, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 패키지 기판(121)에 전극부(118)와 대향하도록 형성되어 전극부(118)와 본딩된다. 한 쌍의 전극 패드(126)는 패키지 기판(121)의 하면에 형성되며, 방열 패드(125)와는 전기적으로 절연되도록 서로 이격되어 있다. 그리고 전극 패드(126)는 전극부(118)의 위치와 대응되도록 형성되어 전도성 접착층(140), 즉, 솔더에 의해 본딩됨으로써, 전극 패드(126)와 접합된다.As illustrated in FIGS. 2, 4, and 5, the
이와 같이 전극 패드(126)가 와이어를 이용하지 않고 전극부(118)에 솔더를 이용하여 직접 본딩됨으로써, 종래 와이어 본딩 방식에 의하는 경우에 비해, 발광 다이오드 패키지 모듈(100)의 제조 공정이 단순화될 수 있고, 사이즈가 보다 소형화될 수 있으며, 전극부(118)와 전극 패드(126) 간의 접속 신뢰성이 향상될 수 있다.As such, since the
즉, 종래와 같이 와이어 본딩에 의해 전기적 연결을 구현하는 방식의 경우, 와이어 본딩 공정 자체 이외에도 와이어 접속 부위를 보호하기 위해 고무 등의 물질로 와이어 주위를 포장하는 공정이 요구되었으나, 본 실시예의 경우 와이어 자체를 사용하지 않음으로써 이러한 부수적인 공정을 완전히 생략할 수 있는 것이다.That is, in the conventional method of implementing electrical connection by wire bonding, in addition to the wire bonding process itself, a process of wrapping the wire around with a material such as rubber is required to protect the wire connecting portion, but in the present embodiment By not using it itself, this ancillary process can be omitted completely.
또한 종래에는 와이어를 포장하는 고무 등의 보호 수단이 불필요하게 공간을 차지하는 결과를 초래하였으나, 본 실시예의 경우 와이어 본딩 방식에 의하지 않으므로 이러한 문제는 근본적으로 발생하지 않는다.In addition, in the past, a protective means such as rubber wrapping the wires has unnecessarily occupied a space, but in the case of the present embodiment, such a problem does not occur since it does not depend on the wire bonding method.
한편 전술한 바와 같이, 전극 패드(126) 및 방열 패드(125)를 표면실장기술에 의해 전극부(118) 및 방열 본체(112)에 각각 단일 공정에 의해 본딩함으로써, 이러한 제조 비용 및 시간의 절감 효과는 더욱 향상될 수 있다.Meanwhile, as described above, by bonding the
그리고 본 실시예의 경우 와이어 대신 전도성 접착층(140), 즉, 솔더에 의해 전극부(118)와 전극 패드(126)를 안정적으로 접합하고, 이러한 솔더는 예를 들어 50K/W의 높은 전도율을 가지고 있으므로, 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 접속 신뢰성이 와이어 본딩 방식에 비해 현저히 향상될 수 있다.In the present embodiment, instead of the wire, the conductive
전도성 접착층(140)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 방열 본체(112)와 방열 패드(125) 사이, 및 전극부(118)와 전극 패드(126) 사이에 각각 개재된다. 여기서, 전도성 접착층(140)은 솔더로 이루어질 수 있으며, 전술한 바와 같이, 솔더는 예를 들어 50K/W의 높은 전도율을 가지고 있으므로, 방열 패드(125)와 방열 본체(112) 사이에 열을 효과적으로 전달함은 물론, 전극 패드(126)와 전극부(118) 사이에 전기적 신호 역시 효과적으로 전달할 수 있다.As illustrated in FIG. 2, the conductive
본 실시예의 경우, 전술한 바와 같이 방열 본체(112)가 세라믹으로 이루어진 패키지 기판(121)과 열팽창계수가 유사한 구리로 형성되므로, 솔더의 유연성이 부족한 경우라 하더라도 발광다이오드 칩(130)에서 발생되는 열에 의해 전도성 접착층(140)과 방열 본체(112) 및 패키지 기판(121) 각각과의 계면에 작용하는 열응력이 최소화될 수 있으며, 이에 따라 방열 본체(112)와 패키지 기판(121) 사이 접합 부위의 손상이 방지될 수 있다.In the present exemplary embodiment, since the
한편, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 돌출부(113)와 방열 패드(125)의 대향하는 면은 사이즈가 서로 실질적으로 동일하고, 전극부(118)와 전극 패드(126)의 대향하는 면은 사이즈가 서로 실질적으로 동일하다. 그리고 전도성 접착층(140)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 돌출부(113)와 방열 패드(125)의 대향하는 면 사이 및 전극부(118)와 전극 패드(126)의 대향하는 면 사이에 각각 개재된다.Meanwhile, as shown in FIGS. 4 and 5, the opposing surfaces of the
보다 구체적으로, 방열 패드(125)와 마주보는 면인 노출된 돌출부(113) 표면의 사이즈, 즉, 도 4에 도시된 너비(w1) 및 길이(l1)는, 돌출부(113)와 마주보는 면인 방열 패드(125) 표면의 사이즈, 즉, 도 5에 도시된 너비(w3) 및 길이(l3)와 동일하다. 그리고, 전극 패드(126)와 마주보는 면인 전극부(118) 표면의 사이즈, 즉, 도 4에 도시된 너비(w2) 및 길이(l2)는, 전극부(118)와 마주보는 면인 전극 패드(126) 표면의 사이즈, 즉, 도 5에 도시된 너비(w4) 및 길이(l4)와 동일하다.More specifically, the size of the surface of the exposed
그리고 이러한 돌출부(113)와 방열 패드(125)의 대향하는 면 사이와, 전극부(118)와 전극 패드(126)의 대향하는 면 사이에는 전도성 접착층(140)이 전면에 걸쳐 균일하게 개재되어 이들 면들을 서로 접합시킨다.The conductive
이와 같이 전도성 접착층(140)에 의해 서로 본딩되는 면들의 사이즈가 서로 실질적으로 동일함으로써, 발광다이오드 패키지(120)가 방열 기판(110) 상에서 소위, 자기 정렬(self-align)을 이룰 수 있으므로, 제조 공정 중 발광다이오드 패키지(120)의 정렬을 위한 별도의 정렬 마크 및 제조 공정 중 발광다이오드 패키지(120)를 일정한 위치에 지지하기 위한 별도의 지그(jig)가 필요치 않게 된다.Since the sizes of the surfaces bonded to each other by the conductive
즉, 외부로 노출되어 방열 패드(125)와 대향하는 방열 본체(112)의 표면 및 한 쌍의 전극부(118) 표면에 표면실장기술로 용융 상태의 전도성 접착층(140), 즉, 솔더를 도포한 뒤, 이러한 솔더 상에 방열 패드(125) 및 한 쌍의 전극 패드(126)가 방열 본체(112)의 노출된 면 및 전극부(118)와 대응되도록 발광다이오드 패키지(120)를 실장하게 되면, 방열 패드(125) 및 한 쌍의 전극 패드(126) 각각과 방열 본체(112)의 노출된 면 및 한 쌍의 전극부(118) 각각의 동일한 사이즈로 인하여, 발광다이오드 패키지(120)와 방열 기판(110) 사이에는 용융된 솔더에 의한 3개의 안정된 접합 부위가 형성된다.That is, the conductive
다시 말해, 방열 패드(125) 및 한 쌍의 전극 패드(126)와, 돌출부(113) 및 전극부(118)는 대향하도록 위치하고 서로 실질적으로 동일한 표면 사이즈를 가지고 있으므로, 상술한 3개의 접합 부위에는 용융된 솔더의 표면 장력이 안정적으로 작용하게 된다. 따라서, 솔더의 경화 이전에 발광다이오드 패키지(120)에 외부 하중을 가하더라도 발광다이오드 패키지(120)는 어느 정도 유동할 뿐, 표면 장력 효과에 의해 발광다이오드 패키지(120)는 결국 원위치로 복귀하여 일정한 위치를 유지할 수 있게 된다.In other words, since the
발광다이오드 칩(130)은, GaAs, AlGaAs, GaN, InGaInP 등과 같은 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자로서, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 패키지 기판(121)의 상면에 실장되며 전극 패드(126)와 전기적으로 연결된다. 즉, 발광다이오드 칩(130)은 패키지 기판(121)의 상면에 형성된 캐비티(124) 내에 수용되며, 이 캐비티(124)의 저면으로 노출된 회로 패턴(127)과 전기적으로 접속된다.The light emitting
도 6은 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(100) 일 실시예의 발광다이오드 칩(130)의 전기적 연결 상태 및 회로 패턴(127)의 배치를 나타낸 사시도이다.6 is a perspective view illustrating the electrical connection state and the arrangement of the
도 6을 참조하면, 발광다이오드 칩(130) 하부의 전극은 회로 패턴(127)에 접합되어 전기적으로 연결될 수 있으며, 발광다이오드 칩(130) 상부의 전극은 와이어(135)에 의해 와이어 본딩 방식으로 회로 패턴(127)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 회로 패턴(127)은 비아(128)를 통해 전극 패드(118)와 전기적으로 연결되며, 방열 패드(125)는 제1 기판(122)의 하부에 형성되어 열 전달의 기능을 수행할 뿐, 전극 패드(118) 및 회로 패턴(127)과는 전기적으로 절연된다.Referring to FIG. 6, an electrode under the light emitting
그리고 도 6에 도시된 바와 같이, 복수개의 발광다이오드 칩(130)은 일렬로 배치되며, 회로 패턴(127) 및 와이어(135)에 의해 서로 전기적으로 직렬 연결될 수 있다. 이와 같이 복수개의 발광다이오드 칩(130)을 일렬로 배치함으로써, 양측으로 횡방향으로 퍼져야 하는 자동차용 헤드 램프 모듈(도 8의 300)의 배광 분포를 만족시키는데 유리하며, 복수개의 발광다이오드 칩(130)이 직렬 연결됨으로써, 동일한 전력에 대해 상대적으로 낮은 전류가 요구되므로, 발광다이오드 패키지 모듈(100)을 자동차용 헤드 램프 모듈(도 8의 300)에 적용하기에 보다 유리하다.As illustrated in FIG. 6, the plurality of light emitting
본 실시예의 경우 복수의 발광다이오드 칩(130)이 직렬 연결된 경우를 일 예로서 제시하였으나, 이외에도 하나 또는 그 이상의 발광다이오드 칩(130)이 다양한 형태로 전기적으로 직렬, 병렬 또는 직병렬 연결되는 경우도 본 발명의 권리범위에 포함됨은 물론이다.In the present embodiment, a case in which a plurality of light emitting
형광체(150)는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 발광다이오드 칩(130)의 상부에 형성된다. 즉, 형광체(150)는 발광다이오드 칩(130)이 실장된 캐비티(124) 내에 충전되어 발광다이오드 칩(130)을 보호하는 기능을 수행하는 한편, 발광다이오드 칩(130)에서 발생되는 광을 예를 들어 백색광으로 변환하는 기능을 수행할 수 있다.The
제너다이오드(170)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 방열 기판(110)에 실장된다. 제너다이오드(170)는 정전기 등에 의한 발광다이오드 칩(130)의 손상을 방지하는 반도체 장치로서, 방열 기판(110)에 형성된 한 쌍의 전극부(118)와 전기적으로 연결된다.The
서미스터(180)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 방열 기판(110)에 실장된다. 서미스터(180)는, 저항 변화 등을 이용하여 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 온도 제어를 위한 반도체 장치로서, 회로 및 단자를 통해 외부 제어부(미도시)와 전기적으로 연결된다.The
도 7은 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(100) 일 실시예의 발광다이오드 칩(130), 제너다이오드(170) 및 서미스터(180)의 전기적 연결 상태를 나타낸 회로도이다.7 is a circuit diagram illustrating an electrical connection state of a light emitting
도 7에 도시된 바와 같이, 제너다이오드(170)는 전기적으로 직렬 연결된 복수의 발광다이오드 칩(130)과 전극부(118)를 통해 반대 극성으로 병렬 연결될 수 있다. 그리고 서미스터(180)는 상술한 발광다이오드 칩(130) 및 제너다이오드(170)와는 독립된 회로로 연결되어 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 온도 제어에 이용될 수 있다.As illustrated in FIG. 7, the
정렬 마크(190)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 패키지 기판(121)과 방열 기판(110)과의 정렬 여부를 판단하기 위해 방열 기판(110)에 형성된다. 방열 기판(110) 상에 전도성 접착층(140), 즉, 솔더에 의해 발광다이오드 패키지(120)가 실장된 이후, 방열 기판(110)과 발광다이오드 패키지(120), 구체적으로 발광다이오드 칩(130)의 정렬 상태를 육안으로 확인하기 위해, 방열 기판(110)의 양측에는 정렬 마크(190)로서 관통홀이 형성되고, 이들 관통홀로부터 방열 본체(112)의 노출된 표면 측으로 수평하게 연장되는 영역의 솔더레지스트층(119)이 제거됨으로써 절연부(116) 중 일부가 노출된다.The alignment marks 190 are formed on the
그리고 상술한 바와 같이 솔더레지스트층(119)의 일부를 제거하여 절연부(116)를 노출시키는 것 이외에도, 솔더레지스트층(119) 상에 별도의 물질을 인쇄할 수도 있다.As described above, in addition to exposing the insulating
다만 본 실시예의 정렬 마크(190)는 제조 공정의 마지막에 정렬 상태를 육안으로 확인하기 위한 수단으로서, 제조 공정 중 발광다이오드 패키지(120)의 정렬을 위한 것이 아니므로, 이러한 정렬 마크(190)의 존재로 인해 상술한 발광다이오드 패키지(120)의 자기 정렬 기능이 부정될 수 없음은 당연하다.However, the
도 8은 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(100)이 적용된 자동차용 헤드 램프 모듈(300)의 일 실시예를 나타낸 도면이다.8 is a view showing an embodiment of a
본 실시예에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(100)을 이용하여, 도 8에 도시된 바와 같이, 자동차용 헤드 램프 모듈(300)을 구현할 수 있다. 자동차용 헤드 램프 모듈(300)은, 도 8에 도시된 바와 같이, 발광다이오드 패키지 모듈(100) 이외에도, 발광다이오드 패키지 모듈(100)을 지지하는 프레임(14)과, 발광다이오드 패키지 모듈(100)로부터 발생된 광을 반사시키는 반사체(16)와, 반사체(16)에서 반사된 광을 원하는 각도로 굴절시키는 렌즈(12)로 구성되어, 발광다이오드 패키지 모듈(100)에서 발생된 광의 배광 각도를 원하는 각도로 변화시키는 광학 모듈(10), 발광다이오드 패키지 모듈(100) 하부에 결합된 방열체(22)와 방열체(22)로부터 열을 소산시키는 팬(24)으로 구성되어, 발광다이오드 패키지 모듈(100)에서 발생된 열을 외부로 방출하는 방열 모듈(20), 및 발광다이오드 패키지 모듈(100) 및 팬(24)과 전기적으로 연결되어 이들의 작동을 제어하는 드라이버 모듈(30)을 구비할 수 있다.As shown in FIG. 8, an automotive
이와 같이 도 8에 도시된 자동차용 헤드 램프 모듈(300)은 자동차의 하향등으로 이용 가능한 것으로서, 프레임(14) 상에는 예를 들어 발광다이오드 패키지 모듈(100) 4개가 원하는 배광 분포에 따라 다양한 각도 및 위치로 배치될 수 있다.As such, the
그리고, 본 실시예의 발광다이오드 패키지 모듈(100)은 자동차의 상향등으로 이용될 수도 있으며, 이러한 경우에는, 도 8에 도시된 반사체(16)가 생략되고, 발광다이오드 패키지 모듈(100)에서 발생된 광이 직접 렌즈(12)로 향하도록 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 각도 및 위치가 변경된다. 그리고 이와 같은 상향등의 경우 반사체(16)가 생략되어 광의 손실이 적으므로, 설치되는 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 개수가 하향등의 경우에 비해 감소될 수 있다.In addition, the light emitting
상술한 헤드 램프 모듈(300)은 드라이버 모듈(30)의 다음과 같은 작동에 의해 제어될 수 있다.The
먼저, 발광다이오드 패키지 모듈(100)에 발광 신호를 인가하여, 광학 모듈(10)을 향해 조사되는 광을 발생시킨다.First, a light emission signal is applied to the
즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 드라이버 모듈(30)은 발광다이오드 패키지 모듈(100)과 전기적으로 연결되어 있으므로, 사용자가 스위치 등을 통해 헤드 램프 모듈(300)을 작동시키고자 하면, 드라이버 모듈(30)은 스위치로부터 전기적 작동신호를 전달 받아, 발광다이오드 패키지 모듈(100)에 전기적 발광 신호를 인가하게 된다.That is, as shown in FIG. 8, since the
그리고 이와 같이 발광다이오드 패키지 모듈(100)에 발광 신호가 입력되면, 발광다이오드 패키지 모듈(100)이 작동되어 발광다이오드 패키지 모듈(100)에서 광이 발생될 수 있으며, 이러한 광은 광학 모듈(10)에 조사되어 반사 또는 굴절된 후 외부로 방출될 수 있다.When the light emitting signal is input to the light emitting
이어서, 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 온도 변화에 따라 방열 모듈(20)에 방열 신호를 인가하여, 발광다이오드 패키지 모듈(100)에서 발생된 열을 외부로 방출시킨다.Subsequently, a heat radiation signal is applied to the
즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 드라이버 모듈(30)은 발광다이오드 패키지 모듈(100) 및 방열 모듈(20)과 전기적으로 연결되어 있으며, 발광다이오드 패키지 모듈(100)에는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 온도를 감지할 수 있는 서미스터(180)가 실장될 수 있다.That is, as shown in FIG. 8, the
이러한 서미스터(180) 역시 드라이버 모듈(30)과 전기적으로 연결될 수 있으므로, 서미스터(30)가 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 온도 변화를 감지하여 이에 상응하는 전기적 온도 신호를 드라이버 모듈(30)에 전달하면, 드라이버 모듈(30)은 이 온도 신호에 따라 방열 모듈(20), 보다 구체적으로 팬(24)에 전기적 방열 신호를 인가하게 된다.Since the
그리고, 이와 같이 방열 모듈(20)에 방열 신호가 입력되면, 방열 모듈(20)의 팬(24)이 작동되어 발광다이오드 패키지 모듈(100)에서 발생된 열은 방열 모듈(20)에서 외부로 방출될 수 있다.When the heat radiation signal is input to the
이하, 도 8 내지 도 12을 참조하여, 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 다른 실시예에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, another embodiment of the light emitting
도 9 내지 도 13은 본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 다른 실시예를 각각 나타낸 단면도이다.9 to 13 are cross-sectional views illustrating another embodiment of the
이하, 도 9 내지 도 13에 도시된 각 실시예들을 제시함에 있어, 전술한 실시예를 통해 이미 설명한 바 있는 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 구체적인 설명을 생략하기로 하고, 전술한 실시예와 상이한 구성을 중심으로 설명하도록 한다.Hereinafter, in presenting the respective embodiments shown in FIGS. 9 to 13, the same or similar components that have been already described through the above-described embodiments will be omitted, and different configurations from the above-described embodiments will be omitted. The explanation is centered.
도 9를 참조하면, 패키지 기판(121)이 단일층으로 이루어지고, 전도성 접착층(140)으로서 페이스트가 이용된 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 실시예가 도시되어 있다.Referring to FIG. 9, an embodiment of a light emitting
본 실시예의 경우, 도 9에 도시된 바와 같이, 패키지 기판(121)은 단일층으로 구성되어 있으며, 패키지 기판(121) 상에는 발광다이오드 칩(130)이 실장되어 외부로 노출된다.In the present embodiment, as shown in Figure 9, the
도면에 구체적으로 도시되지는 않았으나, 발광다이오드 칩(130)은 회로 패턴(127)에 플립칩 방식으로 본딩될 수 있으므로, 발광다이오드 칩(130) 및 발광다이오드 칩(130)과 회로 패턴(127)과의 전기적 연결을 위한 와이어의 보호가 필수적으로 요구되지는 않는다.Although not illustrated in the drawing, the light emitting
따라서, 본 실시예의 경우, 형광층이 발광다이오드 칩(130)의 상부에만 형성되면 족하고, 발광다이오드 칩(130)을 수용하기 위한 캐비티(124)가 별도로 구비될 필요가 없다. 결과적으로 본 실시예에 따르면 발광다이오드 칩(130) 및 와이어의 보호를 위한 별도의 구성을 생략할 수 있어, 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 구조가 보다 단순화될 수 있으며, 이에 따라 제조 공정 역시 단순화되어 제조 비용 및 시간이 절감될 수 있다.Therefore, in the present embodiment, it is sufficient if the fluorescent layer is formed only on the upper portion of the light emitting
또한, 본 실시예의 경우, 전도성 접착층(140)은, 완충 재질의 페이스트일 수 있다. 이에 따라 방열 본체(112)의 열팽창계수가 세라믹 등으로 이루어진 패키지 기판(121)과 다소 상이하더라도 페이스트가 유연한 완충 재질로 이루어지므로, 발광 다이오드 칩(130)의 열에 의해 방열 본체(112) 및 패키지 기판(121)이 상이하게 팽창하더라도 전도성 접착층(140)이 이들 사이에서 완충 작용할 수 있으므로, 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 손상이 방지될 수 있다.In addition, in the present embodiment, the conductive
그리고 본 실시예의 경우, 방열 본체(112)의 형상이 전술한 실시예와는 다소 상이하게 형성될 수 있다. 즉, 방열 본체(112)의 상면(114)이 패키지 기판(121)과 대향하는 돌출부(113)의 가장자리 전체를 따라 형성되는 것이 아니라, 돌출부(113)의 가장자리의 일측에 형성될 수 있다. 이 뿐 아니라 절연부(116) 및 전극부(118)를 형성하는 것이 가능하다면 이외에도 다양한 형상의 상면(114)을 형성하는 것도 가능하다.In addition, in the present embodiment, the shape of the
도 10을 참조하면, 패키지 기판(121)이 단일층으로 이루어지고, 전도성 접착층(140)으로서 페이스트가 이용되며, 절연부(116)가 방열 본체(112)의 외주면에 형성된 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 실시예가 도시되어 있다.Referring to FIG. 10, the
이 중, 패키지 기판(121) 및 전도성 접착층(140)에 대한 설명은, 도 9에 도시된 실시예를 통해 이미 설명한 바 있으므로, 이와 관련된 설명은 생략하고 이하 방열 본체(112) 및 절연부(116)의 구조를 중심으로 설명하도록 한다.Among these, since the description of the
본 실시예의 경우, 도 10에 도시된 바와 같이, 절연부(116)는 방열 본체(112)의 외주면에 형성되며, 전극부(118)는 절연부(116) 상에 전극 패드(126)와 대향하도록 형성된다. 절연부(116)는 전극부(118)가 형성될 수 있을 정도의 두께를 제외한 높이만큼 방열 본체(112) 외주면에 형성된다. 방열 본체(112)와 절연부(116)의 높이 차이로 인해 방열 패드(125)에 대향하는 돌출부(113)가 자연스럽게 형성될 수 있다.In the present embodiment, as shown in FIG. 10, the
이와 같은 본 실시예에 따르면, 방열 본체(112)에 공간부(도 9의 114)를 가공하기 위한 공정이 생략될 수 있으므로, 그에 상응하게 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 제조 비용 및 시간이 절감될 수 있다.According to this embodiment, since the process for processing the space portion (114 in Figure 9) in the
본 실시예의 경우, 절연부(116)가 방열 본체(112)의 외주면 중 일측에 형성된 경우를 일 예로서 제시하였으나, 이 뿐만 아니라 절연부(116)는 방열 본체(112)의 외주면을 따라 방열 본체(112)를 둘러싸도록 형성될 수도 있으며, 방열 본체(112)와 전기적으로 절연되는 전극부(118)의 형성을 위한 영역을 제공할 수 있다면, 이외에도 절연부(116) 구조는 다양하게 변형이 가능할 것이다.In the present embodiment, the case where the insulating
한편, 도 9 및 도 10에 각각 도시된 실시예의 경우, 솔더레지스트층(도 2의 119), 제너다이오드(도 2의 170) 및 서미스터(도 1의 180)가 도시되지 않았으나, 이들 실시예 역시 이러한 구성들을 포함할 수 있음은 물론이다.Meanwhile, in the embodiments shown in FIGS. 9 and 10, the solder resist layer (119 of FIG. 2), the zener diode (170 of FIG. 2) and the thermistor (180 of FIG. 1) are not shown. Of course, such configurations may be included.
도 11을 참조하면, 패키지 기판(121)이 단일층으로 이루어진 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 실시예가 도시되어 있다.Referring to FIG. 11, an embodiment of the
본 실시예의 경우, 도 11에 도시된 바와 같이, 패키지 기판(121)이 단일층으로 형성되며, 패키지 기판(121) 상에는 발광다이오드 칩(130)이 실장되어 외부로 노출된다. 그리고 방열 패드(125)와 전극 패드(126) 사이 공간과 상응하는 위치의 솔더레지스트층(119) 일부가 제거된다.In the present embodiment, as shown in FIG. 11, the
도 9에 도시된 실시예를 통해 설명한 바와 같이, 발광다이오드 칩(130)은 플립칩 방식으로 본딩될 수 있으므로, 발광다이오드 칩(130) 및 발광다이오드 칩(130)과 회로 패턴(127)과의 전기적 연결을 위한 와이어의 보호가 필수적으로 요구되지는 않는다.As described with reference to the embodiment illustrated in FIG. 9, since the light emitting
따라서, 본 실시예의 경우에도, 형광층이 발광다이오드 칩(130)의 상부에만 형성되면 족하고, 발광다이오드 칩(130)을 수용하기 위한 캐비티(124)가 별도로 구비될 필요가 없으므로, 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 구조가 보다 단순화될 수 있으며, 이에 따라 제조 비용 및 시간 역시 절감될 수 있다.Therefore, even in the present embodiment, since the fluorescent layer is formed only on the upper portion of the light emitting
그리고 도 11에 도시된 바와 같이, 방열 패드(125)와 전극 패드(126) 사이 공간과 상응하는 위치의 솔더레지스트층(119) 일부가 제거될 수 있다. 즉, 노출된 방열 본체(112)와 전극부(118) 사이에 개재된 솔더레지스트층(119)이 제거되어, 그 하부의 절연층(116)이 노출되면서 표면에 소정 높이의 단차가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 11, a portion of the solder resist
발광다이오드 패키지(120)를 방열 기판(110)에 실장하는 제조 공정 시, 방열 기판(110)의 노출된 방열 본체(112) 및 전극부(118)에 각각 도포된 미경화 상태의 전도성 접착층(140), 즉, 용융 상태의 솔더는 솔더레지스트층(119)의 표면을 따라 유동되어 서로 혼합됨으로써, 전극부(118)와 방열 본체(112) 간에 전기적 단락이 발생될 우려가 있다.In the manufacturing process of mounting the light emitting
그러나, 본 실시예의 경우, 노출된 방열 본체(112)와 전극부(118) 사이에 개재된 솔더레지스트층(119)을 제거하여 단차를 형성함으로써, 전도성 접착층(140), 즉, 솔더의 양이 설정된 양보다 다소 많이 도포되어 잉여 전도성 접착층(140)이 방열 본체(112) 및 전극부(118)의 표면을 넘어 주위로 유동되는 경우에도, 이러한 잉여 전도성 접착층(140)이 서로 혼합되지 않고 솔더레지스트층(119)이 제거된 공간 내부로 흘러 들어가게 되므로, 전극부(118)와 방열 본체(112) 간에 단락이 발생되는 것을 방지할 수 있다.However, in the present embodiment, by forming a step by removing the solder resist
도 12를 참조하면, 패키지 기판(121)의 캐비티(124)가 글래스층(160)에 의해 커버된 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 실시예가 도시되어 있다.Referring to FIG. 12, an embodiment of the
본 실시예의 경우, 도 12에 도시된 바와 같이, 글래스층(160)이 캐비티(124)를 커버하고 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 형광층이 발광다이오드 칩(130)의 상부에만 형성되어 있어, 발광다이오드 칩(130)과 회로 패턴(127) 간의 전기적 연결을 구현하는 와이어(135)가 캐비티(124)로 노출된다. 이에, 캐비티(124)의 상부에 글래스층(160)을 추가로 적층함으로써, 형광체(150)를 캐비티(124) 내에 충전하지 않고도 발광다이오드 칩(130) 및 와이어(135)를 안정적으로 보호할 수 있다. 한편, 도 11 및 도 12에 각각 도시된 실시예의 경우, 제너다이오드(도 2의 170) 및 서미스터(도 1의 180)가 도시되지 않았으나, 이들 실시예 역시 이러한 구성들을 포함할 수 있음은 물론이다.In this embodiment, as shown in FIG. 12, the
도 13을 참조하면, 방열 본체(112)가 평판부(112a) 및 돌출부(113)로 구성된 발광다이오드 패키지 모듈(100)의 실시예가 도시되어 있다.Referring to FIG. 13, an embodiment of the light emitting
본 실시예의 경우, 도 13에 도시된 바와 같이, 방열 본체(112)가 평판부(112a) 및 방열 패드(125)에 상응하는 평판부(112a) 상의 일부 영역에 형성된 돌출부(113)로 이루어져 있다.In the present embodiment, as shown in FIG. 13, the heat dissipation
즉, 본 실시예의 경우, 도 2, 도 9 및 도 12에 도시된 실시예와 같이 방열 본체(112)의 일정 부분을 제거함으로써 돌출부(113)가 형성되는 것이 아니라, 양면이 평탄한 평판부(112a) 상의 일부 영역에 절연부(116) 및 전극부(118)의 두께의 합과 상응하는 높이의 돌출부(113)를 별도로 형성한 후 이를 용접 등에 의해 평판부(112a)에 접합함으로써 형성될 수 있다. 또는 평판부(112a) 상의 일부 영역에 도금 등의 방식으로 돌출부(113)를 형성할 수도 있다.That is, in the present embodiment, as shown in FIGS. 2, 9, and 12, the
다음으로, 도 14 내지 도 21을 참조하여, 본 발명의 다른 측면에 따른 발광 다이오드 패키지 모듈(200) 제조 방법의 일 실시예에 대하여 설명하도록 한다.Next, an embodiment of a method of manufacturing the
도 14는 본 발명의 다른 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(200) 제조 방법의 일 실시예를 나타낸 순서도이다. 도 15 내지 도 21은 본 발명의 다른 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(200) 제조 방법 일 실시예의 각 공정을 나타낸 단면도이다.14 is a flowchart illustrating an embodiment of a method of manufacturing a light emitting
본 실시예에 따르면, 도 14 내지 도 21에 도시된 바와 같이, 방열 기판(210)을 제공하는 공정(S110), 패키지 기판(221)을 제공하는 공정(S120), 방열 기판(210)에 패키지 기판(221)을 실장하는 공정(S130), 방열 기판(210)에 제너다이오드(270)를 실장하는 공정(S140), 방열 기판(210)에 서미스터(도 1의 180)를 실장하는 공정(S150), 및 패키지 기판(221)과 방열 기판(210)과의 정렬 여부를 판단하는 공정(S160)을 포함하는 발광다이오드 패키지 모듈(200) 제조 방법이 제시된다.According to the present embodiment, as shown in FIGS. 14 to 21, a process of providing a heat dissipation substrate 210 (S110), a process of providing a package substrate 221 (S120), and a package of the
이와 같은 본 실시예에 따르면, 발광다이오드 패키지(220)와 전극부(218)의 전기적 연결을 위한 별도의 와이어 등이 사용되지 않아 공정이 단순화될 수 있으므로, 발광다이오드 패키지 모듈(200)의 제조 비용 및 제조 시간이 현저히 절감될 수 있다.According to the present embodiment as described above, since a separate wire or the like for the electrical connection between the light emitting
이하, 도 14 내지 도 21을 참조하여 본 실시예에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(200) 제조 방법에 대하여 보다 구체적으로 설명하도록 한다.Hereinafter, a method of manufacturing the
본 실시예의 경우, 방열 기판(210), 방열 본체(212), 절연부(216), 전극부(218), 솔더레지스트층(219), 발광다이오드 패키지(220), 패키지 기판(221), 제1 기판(222), 제2 기판(223), 캐비티(224), 방열 패드(225), 전극 패드(226), 회로 패턴(227), 비아(228), 발광다이오드 칩(230), 전도성 접착층(240), 형광체(250), 글래스층(260) 및 제너다이오드(270)의 구조 및 그에 따른 기능은, 전술한 실시예를 통해 제시한 발광다이오드 패키지 모듈(도 2의 100)의 방열 기판(110), 방열 본체(112), 절연부(116), 전극부(118), 솔더레지스트층(119), 발광다이오드 패키지(120), 패키지 기판(121), 제1 기판(122), 제2 기판(123), 캐비티(124), 방열 패드(125), 전극 패드(126), 회로 패턴(127), 비아(128), 발광다이오드 칩(130), 전도성 접착층(140), 형광체(150), 글래스층(160) 및 제너다이오드(170)와 각각 동일 또는 유사하므로, 이들의 구조에 대한 구체적인 설명은 생략하고, 이하, 발광다이오드 패키지 모듈(200)의 제조 공정 자체를 중심으로 설명하도록 한다.In the present embodiment, the
먼저, 도 15 내지 도 17에 도시된 바와 같이, 방열 본체(212), 절연부(216) 및 전극부(218)를 포함하는 방열 기판(210)을 제공한다(S110). 본 공정은 전도성 물질로 이루어지며 돌출부(213)가 구비된 방열 본체(212), 방열 본체의 상면(214)에 형성된 절연부(216), 및 절연부(216)에 형성되어 방열 본체(212)와 전기적으로 절연되는 전극부(218)를 포함하는 방열 기판(210)을 제공하는 공정으로, 다음과 같이 나누어 설명할 수 있다.First, as shown in FIGS. 15 to 17, a
우선, 도 15에 도시된 바와 같이, 방열 본체(212)의 패키지 기판(221)과 대향하는 측에 돌출부(213)를 형성한다. 에칭 등의 방식에 의해 방열 본체(212)의 일부를 제거하여 돌출부(213)를 형성할 수 있으며, 레이저 등을 이용하여 돌출부(213)를 형성할 수도 있다.First, as shown in FIG. 15, the
그리고 도 16에 도시된 바와 같이, 방열 본체의 상면(214) 위에 절연부(216)를 형성한 뒤, 절연부(216) 상에 전극 패드(226)와 대향하도록 전극부(218)를 형성한다. 절연부(216)는 방열 본체의 상면(214) 위에 절연 물질을 도포하거나 절연 시트를 적층함으로써 형성될 수 있으며, 전극부(218)는 절연부(216) 상의 일부 영역에 예를 들어, 전도성 물질을 도금하여 형성될 수 있다. 전극부(218)의 형성 시 전극부(218)에 연결되어 외부 제어부(미도시)와 전기적으로 연결되는 회로 및 단자를 동시에 형성할 수도 있다.As shown in FIG. 16, the insulating
이 경우, 방열 패드(225)와 대향하는 돌출부(213)의 상면과 전극 패드(226)와 대향하는 전극부(218)의 상면은, 실질적으로 동일한 높이에 위치한다. 이에 따라 표면실장기술에 의해 방열 기판(210)에 발광다이오드 패키지(220)를 단일 공정에 의해 효율적으로 실장할 수 있으므로, 제조 비용 및 시간을 현저히 절감할 수 있다.In this case, the upper surface of the
이후, 도 17에 도시된 바와 같이, 절연부(216) 상에 솔더레지스트층(219)을 형성한다. 즉, 절연부(216) 및 전극부(218)를 커버하도록 솔더레지스트층(219)을 형성한 뒤, 포토리소그래피(photo-lithography) 공정 등에 의해 방열 패드(225)와 대향하는 돌출부(213)의 상면, 전극부(218)의 표면 및 전극부(218)에 연결된 회로 중 제너다이오드(270)와 서미스터(도 1의 180)가 실장될 일부분, 및 이러한 회로에 연결되어 외부 제어부(미도시)와 전기적으로 연결될 단자를 외부로 노출시킨다.Thereafter, as illustrated in FIG. 17, a solder resist
다음으로, 도 18 내지 도 20에 도시된 바와 같이, 방열 패드(225) 및 전극 패드(226)가 돌출부(213) 및 전극부(218)와 각각 대향하도록 형성되고, 발광다이오드 칩(230)이 전극 패드(226)와 전기적으로 연결되도록 실장되는 패키지 기판(221)을 제공한다(S120). 본 공정은 다음과 같이 나누어 설명할 수 있다.Next, as shown in FIGS. 18 to 20, the
먼저, 도 18에 도시된 바와 같이, 패키지 기판(221) 중 제1 기판(222)의 하면에 방열 패드(225) 및 전극 패드(226)를 형성하고, 발광다이오드 칩(230)과 전기적으로 연결되도록 패키지 기판(221) 중 제1 기판(222)의 상면에 회로 패턴(227)을 형성하며, 회로 패턴(227)과 전극 패드(226)가 전기적으로 연결되도록 패키지 기판(221)의 제1 기판(222) 내에 비아(228)를 형성한다.First, as shown in FIG. 18, the
본 공정은 제1 기판(222)에 회로 패턴(227) 및 전극 패드(226)가 형성될 위치에 상응하도록 비아홀을 형성한 후, 전도성 물질을 이용하여 비아홀을 충전하는 동시에 제1 기판(222)의 상면에 회로 패턴(227), 하면에 전극 패드(226)와 방열 패드(225)를 형성함으로써 수행될 수 있다. 비아(228), 회로 패턴(227), 방열 패드(225) 및 전극 패드(226)는 도금, 스크린 프린팅 또는 잉크젯 프린팅 등과 같은 다양한 방식에 의해 형성될 수 있다.In this process, the via hole is formed on the
이어서, 도 19에 도시된 바와 같이, 제2 기판(223)에 발광다이오드 칩(230)이 수용되는 캐비티(224)를 형성하고, 제2 기판(223)을 제1 기판(222) 상에 적층한다. 제2 기판(223)의 발광다이오드 칩(230)이 실장될 위치에 캐비티(224)를 형성한 뒤 제1 기판(222)에 제2 기판(223)을 적층하여 다층 패키지 기판(221)을 형성하는 공정으로, 본 공정에 따라 제1 기판(222) 상면에 형성된 회로 패턴(227)은 캐비티(224)의 내부로 노출된다.Subsequently, as shown in FIG. 19, a
본 실시예의 경우 제2 기판(223)에 캐비티(224)를 형성한 후에 제2기판을 제1 기판(222) 상에 적층하는 경우를 일 예로서 제시하였으나, 제1 기판(222) 상에 제2 기판(223)을 적층한 뒤에 캐비티(224)를 형성하는 것도 가능하다.In the present exemplary embodiment, a case in which the second substrate is stacked on the
다음으로, 도 20에 도시된 바와 같이, 캐비티(224) 내에 발광다이오드 칩(230)을 실장하고, 발광다이오드 칩(230)의 상부에 형광체(250)를 형성한다. 발광다이오드 칩(230)의 하부 전극은 캐비티(224)로 노출된 회로 패턴(227)과 전기적으로 접합되며, 발광다이오드 칩(230)의 상부 전극은 회로 패턴(227)과 와이어(235)에 의해 전기적으로 연결된다. 그리고 이러한 발광다이오드 칩(230)과 와이어(235)의 보호를 위해 캐비티(224) 내에 형광체(250)가 충전된다.Next, as shown in FIG. 20, the light emitting
본 실시예의 경우, 형광체(250)가 발광다이오드 칩(230)을 커버하도록 캐비티(224) 내에 충전되는 경우를 일 예로서 제시하였으나, 이외에도 형광체(250)는 발광다이오드 칩(230)의 상부에만 형성될 수도 있으며, 이러한 경우에는, 도 12에 도시된 바와 같이, 캐비티(도 12의 124)를 커버하도록 글래스층(도 12의 160)이 적층될 수도 있다.In the present exemplary embodiment, the case in which the
다음으로, 도 21에 도시된 바와 같이, 방열 패드(225) 및 전극 패드(226)를 전도성 접착층(240)에 의해 방열 본체(212) 및 전극부(218)와 단일 공정으로 각각 본딩하여, 방열 기판(210)에 패키지 기판(221)을 실장한다(S130).Next, as shown in FIG. 21, the
방열 패드(225)와 방열 본체(212)는 대향하도록 형성되고, 전극 패드(226)와 전극부(218)는 대향하도록 형성되므로, 이들 사이에 전도성 접착층(240), 즉, 솔더가 개재됨으로써 이들은 서로 본딩될 수 있다.Since the
이와 같이 절연층이 개재되지 않고 방열 패드(225)와 방열 본체(212)가 본딩됨으로써, 발광다이오드 패키지 모듈(200)의 방열 특성이 향상될 수 있으며, 이와 같이 전극 패드(226)가 와이어를 이용하지 않고 전극부(218)에 솔더를 개재하여 직접 본딩됨으로써, 발광다이오드 패키지 모듈(200)의 제조 공정이 단순화될 수 있고, 사이즈가 보다 소형화될 수 있으며, 전극부(218)와 전극 패드(226) 간의 접속 신뢰성이 향상될 수 있다.As such, the
이 경우, 상술한 패키지 기판(221)을 실장하는 공정(S130)은 단일 공정에 의해 수행될 수 있으며, 이에 따라, 제조 비용 및 시간이 절감될 수 있다. 그리고, 본 공정을 표면실장기술을 이용하여 수행함으로써, 이러한 제조 비용 및 시간의 절감 효과는 더욱 향상될 수 있다.In this case, the above-described process of mounting the package substrate 221 (S130) may be performed by a single process, thereby reducing the manufacturing cost and time. In addition, by performing the process using the surface mount technology, such a manufacturing cost and time saving effect can be further improved.
한편, 전술한 바와 같이, 방열 본체(212)와 방열 패드(225)의 대향하는 면은 사이즈(너비 및 길이)가 서로 실질적으로 동일하고, 전극부(218)와 전극 패드(226)의 대향하는 면은 사이즈(너비 및 길이)가 서로 실질적으로 동일하게 형성될 수 있다.On the other hand, as described above, the surfaces of the
그리고 전도성 접착층(240), 즉, 솔더는, 방열 본체(212)와 방열 패드(225)의 대향하는 면 사이 및 전극부(218)와 전극 패드(226)의 대향하는 면 사이에 용융 상태로 균일하게 각각 개재된 후 경화됨에 따라 이들을 서로 접합시킬 수 있다.The conductive
이와 같이 전도성 접착층(240)에 의해 서로 본딩되는 면들의 사이즈가 서로실질적으로 동일함으로써, 방열 본체(212)와 방열 패드(225)의 대향하는 면 사이와 전극부(218)와 전극 패드(226)의 대향하는 면 사이에 균일하게 개재되는 용융 상태의 전도성 접착층(240), 즉, 솔더는 이들의 접합 부위에 표면 장력을 안정적으로 제공하게 된다.As described above, the sizes of the surfaces bonded to each other by the conductive
따라서, 발광다이오드 패키지(220)가 방열 기판(210) 상에서 소위, 자기 정렬을 이룰 수 있으므로, 패키지 기판(221)의 실장 공정(S130) 중 발광다이오드 패키지(220)의 정렬을 위한 별도의 정렬 마크 및 발광다이오드 패키지(220)를 일정한 위치에 지지하기 위한 별도의 지그(jig)가 필요치 않게 된다.Therefore, since the light emitting
다음으로, 도 21에 도시된 바와 같이, 방열 기판(210)에 제너다이오드(270)를 실장하고(S140), 방열 기판(210)에 서미스터(도 1의 180)를 실장한다(S150).Next, as shown in FIG. 21, the
즉, 발광다이오드 패키지(220)를 방열 기판(210)에 본딩하기 위한 전도성 접착층(240)과 동일한 전도성 접착층(240)을 이용하여 제너다이오드(270)와 서미스터(도 1의 180)를 방열 기판(210)의 회로에 본딩한다.That is, the
본 공정은 표면실장기술에 의해 상술한 패키지 기판(221) 실장 공정(S130)과 동시에 수행될 수 있으며, 이와 같이 단일 공정에 의해 발광다이오드 패키지(220), 제너다이오드(270) 및 서미스터(280)를 동시에 실장하는 경우, 공정 비용 및 시간을 더욱 절감할 수 있다.The present process may be performed at the same time as the
다음으로, 방열 기판(210)에 형성되는 정렬 마크(도 1의 190)를 이용하여 패키지 기판(221)과 방열 기판(210)과의 정렬 여부를 판단한다(S160). 방열 기판(210)을 제공하는 공정(S110)을 수행 시 방열 기판(210)에 발광다이오드 칩(230)이 실장될 위치에 상응하도록 관통홀을 형성하고 이러한 관통홀로부터 방열 본체(212)의 노출된 표면 측으로 수평하게 연장되는 영역의 솔더레지스트층(219)을 제거하여 하부의 절연부(216)를 노출시킴으로써, 정렬 마크(도 1의 190)가 형성될 수 있다.Next, the alignment mark (190 of FIG. 1) formed on the
그리고 정렬 마크(도 1의 190)는 솔더레지스트층(219)를 제거하여 절연부(216)을 노출시키는 것 이외에도, 솔더레지스트층(219) 상에 별도의 물질을 인쇄함으로써 형성될 수도 있다.The
본 공정은 이와 같은 정렬 마크(도 1의 190)를 이용하여 제조 공정의 마지막에 발광다이오드 칩(230)의 정렬 상태를 육안으로 확인하는 것으로서, 이러한 정렬 마크(도 1의 190)를 이용한 정렬 여부 판단 공정에 의해 전술한 발광다이오드 패키지(220)의 자기 정렬 효과가 부정될 수는 없을 것이다.This process is to visually check the alignment of the light emitting
이하, 도 22 내지 도 27을 참조하여, 본 발명의 다른 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(200) 제조 방법의 다른 실시예에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, another embodiment of a method of manufacturing the
도 22 내지 도 27은 본 발명의 다른 측면에 따른 발광다이오드 패키지 모듈(200) 제조 방법 다른 실시예의 각 공정을 나타낸 단면도이다.22 to 27 are cross-sectional views illustrating respective processes of a method of manufacturing a light emitting
본 실시예의 경우, 도 14에 도시된 발광다이오드 패키지 모듈(200) 제조 방법의 실시예와 마찬가지로, 방열 기판(210)을 제공하는 공정(S110), 패키지 기판(221)을 제공하는 공정(S120), 방열 기판(210)에 패키지 기판(221)을 실장하는 공정(S130), 방열 기판(210)에 제너다이오드(270)를 실장하는 공정(S140), 방열 기판(210)에 서미스터(280)를 실장하는 공정(S150), 및 패키지 기판(221)과 방열 기판(210)과의 정렬 여부를 판단하는 공정(S160)으로 이루어진다.In the present embodiment, similar to the embodiment of the manufacturing method of the light emitting
다만, 본 실시예는 상술한 공정 중, 방열 기판(210)을 제공하는 공정(S110), 패키지 기판(221)을 제공하는 공정(S120) 및 방열 기판(210)에 패키지 기판(221)을 실장하는 공정(S130)의 세부 공정에 있어 전술한 실시예와 차이가 있으므로, 이하 이러한 차이점을 중심으로 본 실시예를 설명하도록 한다.However, in the present exemplary embodiment, the
또한, 본 실시예의 경우, 방열 기판(210), 방열 본체(212), 절연부(216), 전극부(218), 발광다이오드 패키지(220), 패키지 기판(221), 방열 패드(225), 전극 패드(226), 회로 패턴(227), 비아(228), 발광다이오드 칩(230), 전도성 접착층(240), 형광체(250) 및 글래스층(260)의 구조 및 그에 따른 기능은, 전술한 실시예를 통해 제시한 발광다이오드 패키지 모듈(도 10의 100)의 방열 기판(110), 방열 본체(112), 절연부(116), 전극부(118), 발광다이오드 패키지(120), 패키지 기판(121), 방열 패드(125), 전극 패드(126), 회로 패턴(127), 비아(128), 발광다이오드 칩(130), 전도성 접착층(140), 형광체(150) 및 글래스층(160)과 각각 동일 또는 유사하므로, 이들의 구조에 대한 구체적인 설명은 생략하고, 발광다이오드 패키지 모듈(200)의 제조 공정 자체를 중심으로 설명하도록 한다.In addition, in the present embodiment, the
먼저, 도 22 내지 도 24에 도시된 바와 같이, 방열 본체(212), 절연부(216) 및 전극부(218)를 포함하는 방열 기판(210)을 제공한다(S110). 본 공정은 전도성 물질로 이루어진 방열 본체(212), 방열 본체(212) 외주면에 형성된 절연부(216), 및 절연부(216)에 형성되어 방열 본체(212)와 전기적으로 절연되는 전극부(218)를 포함하는 방열 기판(210)을 제공하는 공정으로, 다음과 같이 나누어 설명할 수 있다.First, as shown in FIGS. 22 to 24, a
우선, 도 22 및 도 23에 도시된 바와 같이, 방열 본체(212)의 외주면에 절연부(216)를 형성한다. 즉, 방열 본체(212)에 별도의 돌출부(213)를 형성하지 않고 방열 본체(212) 주위에 절연부(216)가 형성되며, 이러한 절연부(216)는 전극부(218)가 형성될 수 있을 정도의 두께를 제외한 높이만큼 방열 본체(212) 외주면에 형성되므로써 돌출부(213)가 자연스럽게 형성된다. 이와 같이 방열 본체(212)에 돌출부(213)를 가공하기 위한 공정이 생략되므로, 발광다이오드 패키지 모듈(200)의 제조 비용 및 시간이 절감될 수 있다.First, as shown in FIGS. 22 and 23, the insulating
이 경우, 절연부(216)는 방열 본체(212)의 외주면을 따라 방열 본체(212)를 둘러싸도록 형성될 수도 있으며, 그 외에도 절연부(216)는 다양한 구조로 변형이 가능하다.In this case, the
이어서, 도 24에 도시된 바와 같이, 절연부(216) 상에 전극 패드(226)와 대향하도록 전극부(218)를 형성한다. 전극부(218)는 절연부(216) 상의 일부 영역에 예를 들어, 전도성 물질을 도금하여 형성될 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 24, the
다음으로, 도 25 내지 도 26에 도시된 바와 같이, 방열 패드(225) 및 전극 패드(226)가 방열 본체(212) 및 전극부(218)와 각각 대향하도록 형성되고, 발광다이오드 칩(230)이 전극 패드(226)와 전기적으로 연결되도록 실장되는 패키지 기판(221)을 제공한다(S120). 본 공정은 다음과 같이 나누어 설명할 수 있다.Next, as shown in FIGS. 25 to 26, the
우선, 도 25에 도시된 바와 같이, 패키지 기판(221)의 하면에 방열 패드(225) 및 전극 패드(226)를 형성하고, 발광다이오드 칩(230)과 전기적으로 연결되도록 패키지 기판(221)의 상면에 회로 패턴(227)을 형성하며, 회로 패턴(227)과 전극 패드(226)가 전기적으로 연결되도록 패키지 기판(221) 내에 비아(228)를 형성한다. 본 공정은 패키지 기판(221)에 비아홀을 형성한 후, 도금, 스크린 프린팅 또는 잉크젯 프린팅 등과 같은 다양한 방식에 의해 비아(228), 회로 패턴(227), 방열패드(225) 및 전극 패드(226)를 형성함으로써 수행될 수 있다.First, as shown in FIG. 25, the
이어서, 도 26에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(230)의 상부에 형광체(250)를 형성하고 발광다이오드 칩(230)을 실장한다. 발광다이오드 칩(230)은 회로 패턴(227)에 플립칩 방식으로 본딩될 수 있으므로, 형광체(250)는 발광다이오드 칩(230)의 상부에만 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 26, the
형광체(250)를 형성한 발광다이오드 칩(230)을 플립칩 방식으로 실장함으로써, 발광다이오드 칩(230) 및 와이어의 보호를 위한 별도의 구성을 생략할 수 있으므로, 발광다이오드 패키지 모듈(200)의 제조 공정이 단순화되어 제조 비용 및 시간이 절감될 수 있다.Since the light emitting
다음으로, 도 27에 도시된 바와 같이, 방열 패드(225) 및 전극 패드(226)를 전도성 접착층(240)에 의해 방열 본체(212) 및 전극부(218)와 단일 공정으로 각각 본딩하여, 방열 기판(210)에 패키지 기판(221)을 실장한다(S130). 본 실시예의 경우, 전도성 접착층(240)으로서 완충 재질의 페이스트를 이용한다는 점에서 전술한 실시예와 차이가 있으나, 이와 같이 페이스트를 사용하는 경우에도 전술한 발광다이오드 패키지(220)의 자기 정렬 효과는 그대로 발휘될 수 있다.Next, as illustrated in FIG. 27, the
즉, 건조되지 않아 유동성을 갖는 페이스트가 도포된 방열 기판(210) 상에, 방열 패드(225) 및 전극 패드(226)가 각각 방열 본체(212) 및 전극부(218)의 위치와 대응되도록 발광다이오드 패키지(220)를 실장하면, 유동성을 갖는 페이스트의 표면 장력에 의해 발광다이오드 패키지(220)는 별도의 지그 없이도 방열 기판(210) 상에서 일정한 위치를 유지할 수 있다.That is, the
또한 전도성 접착층(240)으로서 완충 재질의 페이스트를 이용함으로써, 방열 본체(212)의 열팽창계수가 세라믹 등으로 이루어진 패키지 기판(212)과 다소 상이하더라도 페이스트가 완충 작용을 할 수 있으므로, 발광다이오드 패키지 모듈(200)의 손상이 방지될 수 있다.In addition, by using the buffer material paste as the conductive
다음으로, 방열 기판(210)에 제너다이오드(도 2의 170)를 실장하고(S140), 방열 기판(210)에 서미스터(도 1의 180)를 실장한 뒤(S150), 방열 기판(210)에 형성되는 정렬 마크(도 1의 190)를 이용하여 패키지 기판(221)과 방열 기판(210)과의 정렬 여부를 판단한다(S160).Next, a zener diode (170 of FIG. 2) is mounted on the heat dissipation substrate 210 (S140), and after mounting a thermistor (180 of FIG. 1) on the heat dissipation substrate 210 (S150), the
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.As mentioned above, although an embodiment of the present invention has been described, those of ordinary skill in the art may add, change, delete or add components within the scope not departing from the spirit of the present invention described in the claims. The present invention may be modified and changed in various ways, etc., which will also be included within the scope of the present invention.
100: 발광다이오드 패키지 모듈 110: 방열 기판
112: 방열 본체 112a: 평판부
113: 돌출부 114: 방열 본체의 상면
116: 절연부 118: 전극부
119: 솔더레지스트층 120: 발광다이오드 패키지
121: 패키지 기판 122: 제1 기판
123: 제2 기판 124: 캐비티
125: 방열 패드 126: 전극 패드
127: 회로 패턴 128: 비아
130: 발광다이오드 칩 135: 와이어
140: 전도성 접착층 150: 형광체
160: 글래스층 170: 제너다이오드
180: 서미스터 190: 정렬 마크100: light emitting diode package module 110: heat dissipation board
112: heat dissipation
113: protrusion 114: upper surface of the heat dissipation main body
116: insulation portion 118: electrode portion
119: solder resist layer 120: light emitting diode package
121: package substrate 122: first substrate
123: second substrate 124: cavity
125: heat dissipation pad 126: electrode pad
127: circuit pattern 128: via
130: light emitting diode chip 135: wire
140: conductive adhesive layer 150: phosphor
160: glass layer 170: zener diode
180: thermistor 190: alignment mark
Claims (36)
상기 방열 본체의 상면 중 상기 돌출부가 형성되지 않은 영역에 형성되어 있는 절연층; 및
상기 방열 본체와 전기적으로 절연되도록 상기 절연층 상에 형성되며, 상기 돌출부의 상면과 실질적으로 동일한 높이에 위치한 상면을 갖는 전극부를 포함하는 방열 기판.
A heat dissipation body having an upper surface on which protrusions are formed;
An insulation layer formed on an area of the upper surface of the heat dissipation body in which the protrusion is not formed; And
And an electrode part formed on the insulating layer so as to be electrically insulated from the heat dissipating main body, the electrode part having an upper surface disposed at substantially the same height as the upper surface of the protrusion.
상기 방열 본체는 평평한 상면을 가지는 평판부, 및 상기 평판부의 상면에 형성된 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 방열 기판.
The method of claim 1
The heat dissipation body includes a flat plate having a flat upper surface, and a protrusion formed on an upper surface of the flat plate.
상기 돌출부는 상기 방열 본체와 동일한 재질로 되어 있는 것을 특징으로 하는 방열 기판.
The method according to claim 2, wherein
And the projecting portion is made of the same material as the heat dissipating body.
방열 본체의 외주면에 형성되고 상기 방열 본체보다 낮은 높이를 가지는 절연부; 및
상기 방열 본체와 전기적으로 절연되도록 상기 절연부 상에 형성되고, 상기 방열 본체의 상면과 실질적으로 동일한 높이에 위치한 상면을 갖는 전극부를 포함하는 방열 기판.
Heat dissipation body;
An insulation part formed on an outer circumferential surface of the heat dissipation body and having a height lower than that of the heat dissipation body; And
And an electrode portion formed on the insulating portion so as to be electrically insulated from the heat dissipating body and having an upper surface substantially positioned at the same height as the top surface of the heat dissipating body.
상기 방열 본체는 구리(Cu)를 포함하는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방열 기판.
The method according to any one of claims 1 to 4,
The heat dissipation body is a heat dissipation substrate, characterized in that made of a material containing copper (Cu).
상기 돌출부 상에 배치되고, 상기 전극부와 전기적으로 연결되는 발광다이오드 패키지를 포함하는 발광다이오드 패키지 모듈.
A heat dissipation body having an upper surface on which a protrusion is formed, an insulating layer formed on an area of the top surface of the heat dissipation body where the protrusion is not formed, and formed on the insulation layer to be electrically insulated from the heat dissipation body, and an upper surface of the protrusion A heat dissipation substrate including an electrode part having an upper surface positioned at substantially the same height as the first heat dissipation plate; And
A light emitting diode package module disposed on the protrusion and including a light emitting diode package electrically connected to the electrode part.
상기 방열 본체는 평평한 상면을 가지는 평판부, 및 상기 평판부의 상면에 형성된 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈.
The method of claim 6
The heat dissipation body includes a flat plate having a flat upper surface, and a light emitting diode package module, characterized in that it comprises a protrusion formed on the upper surface of the flat portion.
상기 돌출부는 상기 방열 본체와 동일한 재질로 되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈.
The method of claim 7,
The projecting portion is a light emitting diode package module, characterized in that the same material as the heat dissipation body.
상기 방열 본체의 상면에 배치되고, 상기 전극부와 전기적으로 연결되는 발광다이오드 패키지를 포함하는 발광다이오드 패키지 모듈.
A heat dissipation body, an insulation portion formed on an outer circumferential surface of the heat dissipation body and having a lower height than the heat dissipation body, and formed on the insulation portion so as to be electrically insulated from the heat dissipation body, and positioned at substantially the same height as an upper surface of the heat dissipation body. A heat radiation substrate including an electrode portion having an upper surface; And
The light emitting diode package module is disposed on an upper surface of the heat dissipation main body, and includes a light emitting diode package electrically connected to the electrode unit.
상기 발광다이오드 패키지는,
패키지 기판;
상기 패키지 기판의 일면에 실장되는 발광다이오드 칩;
상기 패키지 기판의 타면에 형성되며 상기 발광다이오드 칩과 전기적으로 연결되는 전극 패드; 및
상기 패키지 기판의 타면에 상기 돌출부와 대향하도록 형성되며 상기 전극 패드와 전기적으로 절연된 방열 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈.
The method of claim 6,
The light emitting diode package,
A package substrate;
A light emitting diode chip mounted on one surface of the package substrate;
An electrode pad formed on the other surface of the package substrate and electrically connected to the light emitting diode chip; And
And a heat dissipation pad formed on the other surface of the package substrate to face the protrusion and electrically insulated from the electrode pad.
상기 방열 패드는 상기 돌출부와 본딩(bonding)되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈.
The method of claim 10,
The heat dissipation pad is a light emitting diode package module, characterized in that bonded to the protrusion (bonding).
상기 발광다이오드 패키지는,
패키지 기판;
상기 패키지 기판의 일면에 실장되는 발광다이오드 칩;
상기 패키지 기판의 타면에 상기 방열 본체의 상면과 대향하도록 형성되며 상기 발광다이오드 칩과 전기적으로 연결되는 전극 패드; 및
상기 패키지 기판의 타면에 상기 방열 본체의 상면과 대향하도록 형성되며 상기 전극 패드와 전기적으로 절연된 방열 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈.
The method of claim 9,
The light emitting diode package,
A package substrate;
A light emitting diode chip mounted on one surface of the package substrate;
An electrode pad formed on the other surface of the package substrate so as to face an upper surface of the heat dissipation body and electrically connected to the light emitting diode chip; And
And a heat dissipation pad formed on the other surface of the package substrate so as to face the top surface of the heat dissipation body and electrically insulated from the electrode pad.
상기 방열 패드는 상기 방열 본체의 상면과 본딩(bonding)되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈.
The method of claim 12,
The heat dissipation pad is a light emitting diode package module, characterized in that bonded to the upper surface (bonding) of the heat dissipation body.
상기 방열 본체는 구리를 포함하는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈.
The method according to any one of claims 6 to 9,
The heat dissipation body is a light emitting diode package module, characterized in that made of a material containing copper.
상기 패키지 기판은 세라믹을 포함하는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈.
The method according to any one of claims 10 to 13,
The package substrate is a light emitting diode package module, characterized in that made of a material containing a ceramic.
상기 전극 패드는 상기 패키지 기판에 상기 전극부와 대향하도록 형성되어 상기 전극부와 본딩되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈.
The method according to any one of claims 10 to 13,
The electrode pad is formed on the package substrate to face the electrode portion, the light emitting diode package module, characterized in that bonded to the electrode portion.
상기 돌출부와 상기 방열 패드 사이, 및 상기 전극부와 상기 전극 패드 사이에 각각 개재되는 전도성 접착층을 더 포함하는 발광다이오드 패키지 모듈.
The method of claim 10,
And a conductive adhesive layer interposed between the protrusion and the heat dissipation pad, and between the electrode and the electrode pad.
상기 방열 본체와 상기 방열 패드 사이, 및 상기 전극부와 상기 전극 패드 사이에 각각 개재되는 전도성 접착층을 더 포함하는 발광다이오드 패키지 모듈.
The method of claim 12,
And a conductive adhesive layer interposed between the heat dissipation body and the heat dissipation pad, and between the electrode portion and the electrode pad, respectively.
상기 돌출부와 상기 방열 패드의 대향하는 면은 사이즈가 서로 동일하고, 상기 전극부와 상기 전극 패드의 대향하는 면은 사이즈가 서로 동일하며, 상기 전도성 접착층은 상기 돌출부와 상기 방열 패드의 대향하는 면 사이 및 상기 전극부와 상기 전극 패드의 대향하는 면 사이에 각각 개재되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈.
The method according to claim 10 or 11,
Opposite surfaces of the protrusion and the heat dissipation pad have the same size, opposing surfaces of the electrode portion and the electrode pad have the same size, and the conductive adhesive layer is disposed between the protruded portion and the opposing face of the heat dissipation pad. And a light emitting diode package module interposed between the electrode portion and an opposing surface of the electrode pad.
상기 방열 본체의 상면과 상기 방열 패드의 대향하는 면은 사이즈가 서로 동일하고, 상기 전극부와 상기 전극 패드의 대향하는 면은 사이즈가 서로 동일한 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈.
The method according to claim 12 or 13,
The top surface of the heat dissipation body and the opposing face of the heat dissipation pad are the same in size, and the light emitting diode package module, characterized in that the opposite surface of the electrode portion and the electrode pad is the same size.
상기 전도성 접착층은 솔더(solder)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈.
The method of claim 17 or 18,
The conductive adhesive layer is a light emitting diode package module, characterized in that consisting of a solder (solder).
상기 전도성 접착층은, 완충 재질의 페이스트(paste)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈.
The method of claim 17 or 18,
The conductive adhesive layer is a light emitting diode package module, characterized in that made of a paste of the buffer material (paste).
상기 패키지 기판과 상기 방열 기판과의 정렬 여부를 판단하기 위해 상기 방열 기판에 형성되는 정렬 마크(align mark)를 더 포함하는 발광다이오드 패키지 모듈.
The method according to any one of claims 10 to 13,
And an alignment mark formed on the heat dissipation substrate to determine whether the package substrate is aligned with the heat dissipation substrate.
상기 방열 본체의 상면 중 상기 돌출부가 형성되지 않은 영역에 절연부를 형성하는 단계; 및
상기 절연부 상에 상기 방열 본체와 전기적으로 절연되도록 전극부를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 전극부의 상면은 상기 돌출부의 상면과 동일한 높이에 위치하는 방열 기판 제조 방법.
Forming a protrusion on an upper surface of the heat dissipation body;
Forming an insulating part in an area of the upper surface of the heat dissipating body in which the protrusion is not formed; And
Forming an electrode part on the insulating part to be electrically insulated from the heat dissipating body;
The top surface of the electrode unit is located on the same height as the top surface of the protrusion part manufacturing method.
상기 방열 본체의 상면에 돌출부를 형성하는 단계는, 평평한 상면을 가지는 평판부를 마련하는 단계 및 상기 평편부의 상면에 돌출부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방열 기판 제조 방법.
The method of claim 24
Forming a protrusion on the upper surface of the heat dissipating body, comprising the steps of providing a flat plate having a flat upper surface and forming a protrusion on the upper surface of the flat portion.
상기 방열 본체의 외주면에 상기 방열 본체보다 낮은 높이를 가지는 절연부를 형성하는 단계;
상기 방열 본체의 상면 중 상기 돌출부가 형성되지 않은 영역에 절연부를 형성하는 단계; 및
상기 절연부 상에 상기 방열 본체와 전기적으로 절연되도록 전극부를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 전극부의 상면은 상기 돌출부의 상면과 동일한 높이에 위치하는 방열 기판 제조 방법.
Providing a heat dissipation body;
Forming an insulating part having a lower height than the heat dissipating body on an outer circumferential surface of the heat dissipating body;
Forming an insulating part in an area of the upper surface of the heat dissipating body in which the protrusion is not formed; And
Forming an electrode part on the insulating part to be electrically insulated from the heat dissipating body;
The top surface of the electrode unit is located on the same height as the top surface of the protrusion part manufacturing method.
상기 절연부를 형성하는 단계는, 상기 방열 본체의 상면에 절연 물질을 도포함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 방열 기판 제조 방법.
The method according to any one of claims 24 to 26,
The forming of the insulating part may include performing an insulating material on an upper surface of the heat dissipating body.
상기 절연부를 형성하는 단계는, 방열 본체의 상면에 절연시트를 적층함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 방열 기판 제조 방법.
The method according to any one of claims 24 to 26,
Forming the insulating portion, the heat radiation substrate manufacturing method characterized in that it is carried out by laminating an insulating sheet on the upper surface of the heat radiating body.
방열 패드 및 전극 패드가 상기 돌출부 및 상기 전극부와 각각 대향하도록 형성되고, 발광다이오드 칩이 상기 전극 패드와 전기적으로 연결되도록 실장되는 패키지 기판을 제공하는 단계; 및
상기 방열 패드 및 상기 전극 패드를 상기 돌출부 및 상기 전극부에 각각 본딩하여, 상기 방열 기판에 상기 패키지 기판을 실장하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지 모듈 제조 방법.
A heat dissipation body having an upper surface on which a protrusion is formed, an insulating layer formed on an area of the top surface of the heat dissipation body where the protrusion is not formed, and formed on the insulation layer to be electrically insulated from the heat dissipation body, and an upper surface of the protrusion Providing a heat dissipation substrate comprising an electrode portion having an upper surface positioned at substantially the same height as the upper surface thereof;
Providing a package substrate having heat dissipation pads and electrode pads facing the protrusions and the electrode portions, respectively, and mounted with a light emitting diode chip electrically connected to the electrode pads; And
Bonding the heat dissipation pad and the electrode pad to the protrusion and the electrode, respectively, and mounting the package substrate on the heat dissipation substrate.
방열 패드 및 전극 패드가 상기 방열 본체 및 상기 전극부와 각각 대향하도록 형성되고, 발광다이오드 칩이 상기 전극 패드와 전기적으로 연결되도록 실장되는 패키지 기판을 제공하는 단계; 및
상기 방열 패드 및 상기 전극 패드를 상기 방열 본체 및 상기 전극부에 각각 본딩하여, 상기 방열 기판에 상기 패키지 기판을 실장하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지 모듈 제조 방법.
A heat dissipation body, an insulation portion formed on an outer circumferential surface of the heat dissipation body and having a lower height than the heat dissipation body, and formed on the insulation portion so as to be electrically insulated from the heat dissipation body, and positioned at substantially the same height as an upper surface of the heat dissipation body. Providing a heat radiation substrate including an electrode portion having an upper surface;
Providing a package substrate on which a heat dissipation pad and an electrode pad face the heat dissipation body and the electrode portion, respectively, and are mounted such that a light emitting diode chip is electrically connected to the electrode pad; And
Bonding the heat dissipation pad and the electrode pad to the heat dissipation body and the electrode, respectively, and mounting the package substrate on the heat dissipation substrate.
상기 패키지 기판을 실장하는 단계는 단일 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈 제조 방법.
The method of claim 29 or 30,
The method of manufacturing a light emitting diode package module, wherein the mounting of the package substrate is performed by a single process.
상기 패키지 기판을 실장하는 단계는,
상기 돌출부와 상기 방열 패드 사이, 및 상기 전극부와 상기 전극 패드 사이에 각각 전도성 접착층을 개재하여 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈 제조 방법.
The method of claim 29,
Mounting the package substrate,
The method of manufacturing a light emitting diode package module, characterized in that is performed between the protrusion and the heat dissipation pad, and between the electrode portion and the electrode pad via a conductive adhesive layer, respectively.
상기 패키지 기판을 실장하는 단계는,
상기 방열 본체와 상기 방열 패드 사이, 및 상기 전극부와 상기 전극 패드 사이에 각각 전도성 접착층을 개재하여 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈 제조 방법.
The method of claim 30,
Mounting the package substrate,
The method of manufacturing a light emitting diode package module, characterized in that the conductive adhesive layer is performed between the heat dissipation body and the heat dissipation pad, and between the electrode portion and the electrode pad.
상기 전도성 접착층은 솔더로 이루어지며,
상기 패키지 기판을 실장하는 단계는 표면실장기술(SMT, surface mounting technology)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈 제조 방법.
34. The method of claim 32 or 33,
The conductive adhesive layer is made of solder,
The mounting of the package substrate is a method of manufacturing a light emitting diode package module, characterized in that performed by surface mounting technology (SMT, surface mounting technology).
상기 전도성 접착층은, 완충 재질의 페이스트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 모듈 제조 방법.
34. The method of claim 32 or 33,
The conductive adhesive layer is a light emitting diode package module manufacturing method, characterized in that consisting of a buffer material paste.
상기 패키지 기판을 실장하는 단계 이후에, 상기 방열 기판에 형성되는 정렬 마크를 이용하여 상기 패키지 기판과 상기 방열 기판과의 정렬 여부를 판단하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 패키지 모듈 제조 방법.The method of claim 29 or 30,
After the mounting of the package substrate, determining whether the package substrate is aligned with the heat dissipation substrate by using an alignment mark formed on the heat dissipation substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110007415A KR20110060868A (en) | 2011-01-25 | 2011-01-25 | Heat sink board and manufacturing method thereof, light emitting diode package module having the same and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110007415A KR20110060868A (en) | 2011-01-25 | 2011-01-25 | Heat sink board and manufacturing method thereof, light emitting diode package module having the same and manufacturing method thereof |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090116550A Division KR101619832B1 (en) | 2009-11-30 | 2009-11-30 | Light emitting diode package, light emitting diode package module having the same and manufacturing method thereof, and head lamp module having the same and control method thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110060868A true KR20110060868A (en) | 2011-06-08 |
Family
ID=44395512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110007415A KR20110060868A (en) | 2011-01-25 | 2011-01-25 | Heat sink board and manufacturing method thereof, light emitting diode package module having the same and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20110060868A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT513747B1 (en) * | 2013-02-28 | 2014-07-15 | Mikroelektronik Ges Mit Beschränkter Haftung Ab | Assembly process for circuit carriers and circuit carriers |
AT514599A4 (en) * | 2013-07-05 | 2015-02-15 | Melecs Ews Gmbh & Co Kg | Method for equipping electronic circuit boards with optical components |
AT516638A1 (en) * | 2014-12-17 | 2016-07-15 | A B Mikroelektronik Ges Mit Beschränkter Haftung | Method for producing a circuit carrier and circuit carrier |
US10634325B2 (en) | 2014-08-04 | 2020-04-28 | Fuji Corporation | Mounting device |
TWI817280B (en) * | 2021-12-07 | 2023-10-01 | 聯嘉光電股份有限公司 | Vertical light-emitting diode grain structure capable of temperature measurement and its temperature measurement correction method |
-
2011
- 2011-01-25 KR KR1020110007415A patent/KR20110060868A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT513747B1 (en) * | 2013-02-28 | 2014-07-15 | Mikroelektronik Ges Mit Beschränkter Haftung Ab | Assembly process for circuit carriers and circuit carriers |
AT513747A4 (en) * | 2013-02-28 | 2014-07-15 | Mikroelektronik Ges Mit Beschränkter Haftung Ab | Assembly process for circuit carriers and circuit carriers |
US10217675B2 (en) | 2013-02-28 | 2019-02-26 | A.B. Mikroelektronik Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Placement method for circuit carrier and circuit carrier |
US10672672B2 (en) | 2013-02-28 | 2020-06-02 | Ab Mikroelektronik Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Placement method for circuit carrier and circuit carrier |
US10991632B2 (en) | 2013-02-28 | 2021-04-27 | Ab Mikroelektronik Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Assembly process for circuit carrier and circuit carrier |
AT514599A4 (en) * | 2013-07-05 | 2015-02-15 | Melecs Ews Gmbh & Co Kg | Method for equipping electronic circuit boards with optical components |
AT514599B1 (en) * | 2013-07-05 | 2015-02-15 | Melecs Ews Gmbh & Co Kg | Method for equipping electronic circuit boards with optical components |
US10634325B2 (en) | 2014-08-04 | 2020-04-28 | Fuji Corporation | Mounting device |
AT516638A1 (en) * | 2014-12-17 | 2016-07-15 | A B Mikroelektronik Ges Mit Beschränkter Haftung | Method for producing a circuit carrier and circuit carrier |
TWI817280B (en) * | 2021-12-07 | 2023-10-01 | 聯嘉光電股份有限公司 | Vertical light-emitting diode grain structure capable of temperature measurement and its temperature measurement correction method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101619832B1 (en) | Light emitting diode package, light emitting diode package module having the same and manufacturing method thereof, and head lamp module having the same and control method thereof | |
EP2760058B1 (en) | Led module and led lamp employing same | |
US8158996B2 (en) | Semiconductor light emitting device package | |
JP5210433B2 (en) | LED unit | |
US20050045903A1 (en) | Surface-mounted light-emitting diode and method | |
US20040173810A1 (en) | Light emitting diode package structure | |
JP2005158957A (en) | Light emitting device | |
KR20050092300A (en) | High power led package | |
KR20110060868A (en) | Heat sink board and manufacturing method thereof, light emitting diode package module having the same and manufacturing method thereof | |
KR20120001460A (en) | Light emitting module and head ramp module using the same | |
KR20160096497A (en) | Light emitting module and lighting device | |
KR101475978B1 (en) | Arrangement comprising an optoelectronic component | |
US10784423B2 (en) | Light emitting device | |
KR20070096693A (en) | Semiconductor package having a buffer layer | |
CN205428990U (en) | Light emitting device | |
KR101004929B1 (en) | Light emitting diode package and Light emitting diode package module having the same | |
JP2012064676A (en) | Lighting system | |
KR101152173B1 (en) | LED Package and Method of manufacturing LED Package | |
KR101216936B1 (en) | Light emitting diode | |
KR101259876B1 (en) | Led package having a thermoelectric element and method for manufacturin thereof | |
KR101925315B1 (en) | The light unit and the light emitting module having the same | |
KR101739095B1 (en) | Light emitting device | |
KR20190040578A (en) | Led package comprising heat sink plate and method for producing thereof | |
KR20170006894A (en) | Light emitting diode package and substrate | |
KR20110110609A (en) | Light emitting device packag and light unit having the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |