KR20110060829A

KR20110060829A - 액정 폴리에스테르의 제조 방법, 액정 폴리에스테르 조성물, 반사판 및 발광 장치

Info

Publication number: KR20110060829A
Application number: KR1020100118551A
Authority: KR
Inventors: 야스오 마츠미; 다카유키 오츠카; 신타로 사이토
Original assignee: 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤
Priority date: 2009-11-30
Filing date: 2010-11-26
Publication date: 2011-06-08
Also published as: JP2011132512A; US20110128743A1

Abstract

본 발명은 액정 폴리에스테르의 제조 방법으로서, 상기 방법이 모노머를 반응시켜 그에 상응하는 중축합물을 수득하는 공정, 상기 중축합물을 입자화하여 과립을 수득하는 공정, 및 상기 과립을 고상 중합시켜 액정 폴리에스테르를 수득하는 공정을 포함하고, 상기 공정 (C) 에 제공되는 과립 중의 철 함유량이 5 중량ppm 이하인 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 백색도가 높고, 내열성이 우수한 액정 폴리에스테르를 만족스러운 조작성으로 제조할 수 있다.

Description

액정 폴리에스테르의 제조 방법, 액정 폴리에스테르 조성물, 반사판 및 발광 장치 {METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTALLLINE POLYESTER, LIQUID CRYSTALLINE POLYESTER COMPOSITION, REFLECTOR PLATE AND LIGHT-EMITTING DEVICE}

본 발명은 액정 폴리에스테르를 제조하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 방법에 의해 제조된 액정 폴리에스테르를 이용하는 액정 폴리에스테르 조성물, 상기 액정 폴리에스테르 조성물을 이용하는 반사판, 및 상기 반사판을 이용하는 발광 장치에 관한 것이다.

발광 다이오드 (LED) 발광 장치에 사용되는 반사판은 종종 가공성 및 경량성의 관점에서 수지로 제작되고 있다. 이와 같은 LED 발광 장치의 제조에 있어서, LED 소자의 실장 공정, 밀봉 수지의 경화 공정 및 LED 모듈 조립시의 땜납 공정 과정에서 반사판이 고온 환경에 노출되는 경우가 있다. 따라서, 반사판을 구성하는 수지 재료에는 우수한 내열성이 필요하게 된다. 반사판의 제조에 있어서 우수한 성형성이 요구되므로, 상기 수지 재료로서는 내열성 및 성형성이 우수한 액정 폴리머, 특히 액정 폴리에스테르가 넓게 검토되고 있다.

반사판에는 높은 반사율이 요구되기 때문에, 그 재료로서 사용되는 액정 폴리에스테르에는 높은 백색도 (명도) 가 요구되고 있으며, 백색도가 높은 액정 폴리에스테르를 제조하는 방법이 검토되고 있다. 예를 들어, JP-A-2003-171450 호에는 실질적으로 철을 포함하지 않는 내열성 재료로 만들어진 반응 탱크를 이용하여 모노머를 아실화한 후 중축합함으로써, 액정 폴리에스테르의 착색의 원인이 될 수 있는 철의 용출을 억제하여, 백색도가 높은 액정 폴리에스테르를 제조할 수 있음이 개시되어 있다.

JP-A-2003-171450 호에 개시된 방법에서는, 액정 폴리에스테르가 원하는 내열성을 나타낼 때까지 액정 폴리에스테르의 분자량을 증가시키기 위해, 중축합 온도를 높이고 있다. 따라서, 중축합 탱크 내의 액정 폴리에스테르는 분자량 증가로 인해 용융 점도가 상승하여, 중축합 탱크로부터 액정 폴리에스테르를 빼내거나 회수하기 어려워지는 조작상의 문제가 야기될 수 있다. 또한, 중축합 온도의 상승으로 인해 액정 폴리에스테르가 착색되기 쉬워진다는 문제가 야기된다. 따라서, 본 발명의 목적은 백색도가 높고 내열성이 우수한 액정 폴리에스테르를 만족스러운 조작성으로 제조할 수 있는 방법을 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은,

(A) 모노머를 반응시켜 그에 상응하는 중축합물을 수득하는 공정,

(B) 상기 중축합물을 입자화하여 과립을 수득하는 공정, 및

(C) 상기 과립을 고상 중합시켜 액정 폴리에스테르를 수득하는 공정을 포함하고,

상기 공정 (C) 에 제공되는 과립 중의 철 함유량이 5 중량ppm 이하인,

액정 폴리에스테르의 제조 방법을 제공한다.

본 발명에 따르면, 상기 제조 방법에 의해 얻어진 액정 폴리에스테르와 산화 티탄 필러를 함유하는 액정 폴리에스테르 조성물; 상기 액정 폴리에스테르 조성물을 성형함으로써 제조된 반사판; 및 상기 반사판 및 발광 소자를 구비하는 발광 장치도 또한 제공된다.

본 발명에 따르면, 백색도가 높고 내열성이 우수한 액정 폴리에스테르를 만족스러운 조작성으로 제조할 수 있다. 이와 같이 하여 얻어지는 액정 폴리에스테르와 산화티탄 필러를 함유하는 액정 폴리에스테르 조성물을 성형함으로써, 반사율이 높고, 또한 발광 장치의 제조 시에 노출되는 고온 환경에 견딜 수 있는 우수한 내열성을 갖고, 따라서 변형, 착색 및 외관 이상의 발생 등의 단점을 충분히 방지하는 반사판을 얻을 수 있다.

본 발명은

(B) 상기 중축합물을 입자화하여 과립을 수득하는 공정, 및

액정 폴리에스테르의 제조 방법을 제공한다.

본 발명로 제조되는 액정 폴리에스테르는, 서모트로픽 (thermotropic) 액정 폴리머로 불리는 폴리에스테르이며, 450 ℃ 이하에서 광학적으로 이방성을 나타내는 용융물을 형성하는 것이다. 상기 액정 폴리에스테르로서는, 예를 들어, 하기 (1) 내지 (4) 에 나타내는 폴리에스테르를 들 수 있다.

(1): 방향족 히드록시카르복실산, 방향족 디카르복실산 및 방향족 디올을 조합하여 중합시켜 얻어지는 폴리에스테르.

(2): 복수 종의 방향족 히드록시카르복실산을 중합시켜 얻어지는 폴리에스테르.

(3): 방향족 디카르복실산과 방향족 디올을 조합하여 중합시켜 얻어지는 폴리에스테르.

(4): 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 결정성 폴리에스테르와 방향족 히드록시카르복실산을 반응시켜 얻어지는 폴리에스테르.

액정 폴리에스테르의 제조와 관련하여, 상기 방향족 히드록시카르복실산, 방향족 디카르복실산 또는 방향족 디올 대신에, 또한 그의 에스테르-형성성 유도체를 사용할 수도 있으며, 당해 에스테르-형성성 유도체를 사용하면 액정 폴리에스테르의 제조가 보다 용이해진다는 이점이 있다.

분자 내에 카르복실기를 갖는 방향족 히드록시카르복실산 또는 방향족 디카르복실산의 에스테르-형성성 유도체의 예로는, 카르복실기가 할로포르밀기 또는 아실옥시카르보닐기 등의 고반응성 기로 전환된 것, 및 카르복실기가 에스테르 교환 반응에 의해 폴리에스테르를 형성하도록 알코올 또는 에틸렌 글리콜과 에스테르를 형성하는 것을 들 수 있다. 분자 내에 페놀성 히드록실기를 갖는 방향족 히드록시카르복실산 또는 방향족 디올의 에스테르-형성성 유도체의 예로는 페놀성 히드록실기가 에스테르 교환 반응에 의해 폴리에스테르를 형성하도록 저급 카르복실산과 에스테르를 형성하는 것을 들 수 있다.

더욱이, 치환기가 에스테르 형성성을 저해하지 않는 한, 상기한 방향족 히드록시카르복실산, 방향족 디카르복실산 또는 방향족 디올은 방향족 고리에 염소 원자 또는 불소 원자 등의 할로겐 원자; 메틸기 또는 에틸기 등의 알킬기; 페닐기 등의 아릴기를 치환기로서 가질 수 있다.

액정 폴리에스테르를 구성하는 방향족 히드록시카르복실산 유래의 구조 단위의 예로는 다음을 들 수 있다.

상기 구조 단위는 할로겐 원자, 알킬기 또는 아릴기를 치환기로서 가질 수 있다.

액정 폴리에스테르를 구성하는 방향족 디카르복실산 유래의 구조 단위의 예로는 다음을 들 수 있다.

액정 폴리에스테르를 구성하는 방향족 디올 유래의 구조 단위의 예로는 다음을 들 수 있다.

적절한 액정 폴리에스테르의 예로는 하기 (a) 내지 (h) 로 나타내는 구조 단위의 조합을 갖는 것을 들 수 있다.

(a): (A₁), (B₁) 및 (C₁) 의 조합, 또는 (A₁), (B₁), (B₂) 및 (C₁) 의 조합,

(b): (A₂), (B₃) 및 (C₂) 의 조합, 또는 (A₂), (B₁), (B₃) 및 (C₂) 의 조합,

(c): (A₁) 및 (A₂) 의 조합,

(d): 구조 단위 (a) 의 각 조합에 있어서, (A₁) 의 일부 또는 전부를 (A₂) 로 대체한 것,

(e): 구조 단위 (a) 의 각 조합에 있어서, (B₁) 의 일부 또는 전부를 (B₃) 으로 대체한 것,

(f): 구조 단위 (a) 의 각 조합에 있어서, (C₁) 의 일부 또는 전부를 (C₃) 으로 대체한 것,

(g): 구조 단위 (b) 의 각 조합에 있어서, (A₂) 의 일부 또는 전부를 (A₁) 로 대체한 것,

(h): 구조 단위 (c) 의 각 조합에 있어서, (B₁) 및 (C₂) 를 추가한 것.

상기 (a) 내지 (h) 에서와 같이, 본 발명에서 제조되는 액정 폴리에스테르는 방향족 히드록시카르복실산 유래 구조 단위로서 (A₁) 및/또는 (A₂), 방향족 디올 유래 구조 단위로서 (B₁), (B₂) 및 (B₃) 으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1 종, 및 방향족 디카르복실산 유래 구조 단위로서 (C₁), (C₂) 및 (C₃) 으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1 종을 갖는 것이 바람직하다. 상기한 바와 같이, 이러한 구조 단위는 그 방향족 고리에 치환기를 가질 수 있다. 그러나, 수득한 반사판이 더욱 우수한 내열성을 필요로 하는 경우에는 상기 구조 단위가 치환기를 갖지 않는 것이 바람직하다.

본 발명에 의해 제조되는 액정 폴리에스테르는 바람직하게는 그 유동 온도가 280 내지 400 ℃ 범위내이고, 더욱 바람직하게는 300 내지 380 ℃ 이다. 유동 온도가 상기 범위 내에 있는 액정 폴리에스테르는 반사판에 대한 성형이 보다 용이해질 수 있다. 수득한 반사판을 예를 들어 LED 를 발광 소자로서 포함하는 발광 장치에 사용하는 경우, LED 모듈 조립 과정에서의 고온 환경하에서 반사판이 변형되거나, 반사판이 착색되어, 반사율이 저하되는 단점을 효과적으로 방지할 수 있다.

여기서 사용되는 유동 온도란 내경 1 mm 및 길이 10 mm 의 노즐이 장착된 모세관형 레오미터를 이용하여 9.8 MPa 의 하중 하에서 4 ℃/분의 승온 속도로 가열 용융체를 노즐을 통해 압출시키는 경우, 용융 점도가 4800 Pa·sec 를 나타내는 온도를 의미한다. 이 유동 온도는 당 분야에 공지된 액정 폴리에스테르의 분자량의 지표이다 ("Synthesis, Molding and Application of Liquid Crystal Polymers", edited by Naoyuki Koide, pp.95-105, CMC, published on June 5, 1987 참조).

본 발명에서, 액정 폴리에스테르는

(B) 상기 중축합물을 입자화하여 과립을 수득하는 공정, 및

(C) 상기 과립을 고상 중합시켜 액정 폴리에스테르를 수득하는 공정을 포함하는 액정 폴리에스테르의 제조 방법에 의해 제조된다.

공정 (A) 에서는, 직접 중합법 또는 에스테르 교환법에 의해 중합을 실시할 수 있다. 중합법의 예로는 현탁 중합법, 계면 중합법, 용액 중합법 및 용융 중합법을 들 수 있다. 이들 중, 용매를 제거하거나 중합체를 세정하기 용이하기 때문에 용융 중합법이 바람직하게 사용된다. 중축합 공정은 회분식 공정, 연속식 공정, 또는 이들의 조합일 수 있다.

반응 탱크는 세로형 또는 가로형일 수 있다. 세로형 반응 탱크에는, 다단의 퍼들 (puddle) 날개, 터빈 날개, 몬테 (monte) 날개 또는 이중 나선형 날개 등의 날개가 설치되어 있는 것이 바람직하다. 가로형의 반응 탱크에는, 1 축 또는 2 축의 교반축에 렌즈형 날개, 안경형 날개 또는 다원판형 날개 등의 날개가 설치되어 있는 것이 바람직하다. 비틀려져 있어 교반 성능 또는 공급 메카니즘이 개선된 날개가 또한 바람직하다. 반응 탱크는 예컨대 열 매체, 기체 또는 전기 히터에 의해 가열한다. 그러나, 균일한 가열의 목적에서는 교반축, 날개, 배플판 등을 가열하는 것이 바람직하다.

반응 탱크의 재질은 반응 부산물로서 아세트산이 생성되기 때문에 내부식성인 것이 바람직하며, 그의 예로는 글래스 라이닝, SUS316, SUS316L, 2 상 스테인레스 스틸, 하스텔로이-B 또는 하스텔로이-C 등의 니켈-몰리브덴 합금, 불침투 흑연, 티탄, 지르코늄 및 탄탈륨이 있다.

본 발명에 있어서는, 공정 (A) 를 시작하기 전에 모노머의 반응되는 부분으로서 페놀성 히드록실기를 갖는 모노머를 사용하고, 상기 페놀성 히드록실기를 지방산 무수물로 아실화하여 그에 상응하는 아실화물을 수득한 후, 공정 (A), (B) 및 (C) 를 실시하여 액정 폴리에스테르를 제조한다.

이러한 제조법의 전형적인 하나의 예에서는 다음과 같이 실시할 수 있다:

방향족 히드록시카르복실산, 방향족 디올 및 방향족 디카르복실산의 모노머 혼합물을 지방산 무수물과 혼합하여, 상기 혼합물을 질소 분위기 중에서 130 내지 180 ℃ 에서 반응시킴으로써, 방향족 히드록시카르복실산 및 방향족 디올의 페놀성 히드록실기를 지방산 무수물로 아실화하여 아실화물 (방향족 히드록시카르복실산 아실화물 및 방향족 디올 아실화물) 을 수득한다. 추가 가열 후, 반응 부산물을 반응계 밖으로 증류시켜 상기 아실화물의 아실기와 방향족 카르복실산 아실화물에 존재하는 카르복실기로부터 히드록실기를 제거한 후 남은 잔기와 교환이 이루어지도록 하면서 에스테르 교환에 의한 중축합이 실시되어, 액정 폴리에스테르를 제조한다. 방향족 히드록시카르복실산, 방향족 디올 및 방향족 디카르복실산의 혼합물에서, 페놀성 히드록실기에 대한 카르복실기의 몰비는 0.9 내지 1.1 이 바람직하다.

에스테르 교환 (중축합 중 한 형태) 반응은 130 내지 400 ℃ 의 범위내에서 바람직하게는 0.1 내지 50 ℃/분의 속도로, 더욱 바람직하게는 150 내지 350 ℃ 의 범위내에서 0.3 내지 5 ℃/분의 속도로 가열하면서 실시하는 것이 바람직하다. 에스테르 교환 (중축합) 반응을 보다 원활하게 실시하도록 반응 부산물을 계 밖으로 증류해 낸다.

방향족 디올 및 방향족 히드록시카르복실산의 페놀성 히드록실기의 합에 대한 지방산 무수물의 몰비는 0.95 내지 1.2 인 것이 바람직하고, 1.00 내지 1.15 인 것이 보다 바람직하다. 지방산 무수물의 사용량이 적어질 수록, 얻어지는 액정 폴리에스테르의 착색이 억제되는 경향이 있다. 그러나, 지방산 무수물의 사용량이 너무 적으면 중축합시에 미반응의 방향족 디올 또는 방향족 디카르복실산이 승화하기 쉬워져, 반응계가 막힐 수 있다. 반면, 지방산 무수물의 사용량이 너무 많으면, 얻어지는 액정 폴리에스테르가 착색되기 쉬워져, 얻어지는 반사판의 반사율을 저하시킬 수 있다. 이러한 점에 비추어, 지방산 무수물의 사용량은 상기 범위내인 것이 바람직하다.

지방산 무수물의 예로는 아세트산 무수물, 프로피온산 무수물, 부티르산 무수물, 이소부티르산 무수물, 발레르산 무수물, 피발산 무수물, 2-에틸헥산산 무수물, 모노클로로아세트산 무수물, 디클로로아세트산 무수물, 트리클로로아세트산 무수물, 모노브로모아세트산 무수물, 디브로모아세트산 무수물, 트리브로모아세트산 무수물, 모노플루오로아세트산 무수물, 디플루오로아세트산 무수물, 트리플루오로아세트산 무수물, 글루타르산 무수물, 말레산 무수물, 숙신산 무수물, β-프로모프로피온산 무수물을 들 수 있으며, 임의적으로는 이들 지방산 무수물의 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 경제적 효율성 및 취급성의 관점에서, 아세트산 무수물, 프로피온산 무수물, 부티르산 무수물 및 이소부티르산 무수물이 바람직하게 사용되고, 특히 아세트산 무수물이 바람직하게 사용된다.

에스테르 교환 (중축합 중 한 형태) 반응은, 액정 폴리에스테르의 제조를 보다 원활하게 하고 얻어지는 액정 폴리에스테르의 착색을 충분히 억제하는 관점에서, 질소 원자를 2 개 이상 포함하는 헤테로시클릭 유기 염기 화합물의 존재하에 실시하는 것이 바람직하다. 헤테로시클릭 유기 염기 화합물의 예로는 이미다졸 화합물, 트리아졸 화합물, 디피리딜 화합물, 페난트롤린 화합물 및 디아자페난트렌 화합물을 들 수 있다. 이들 화합물 중, 중축합에 따른 반응성의 관점에서 이미다졸 화합물이 바람직하게 사용되고, 입수가 용이하다는 관점에서 1-메틸이미다졸 및 1-에틸이미다졸이 보다 바람직하게 사용된다.

에스테르 교환 반응을 추가로 촉진시킴으로써 중축합 속도를 증가시키는 목적으로, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 한 상기 헤테로시클릭 유기 염기 화합물 이외에 촉매를 사용할 수 있다. 단, 금속염 등을 촉매로서 사용하는 경우, 당해 금속염이 액정 폴리에스테르에 불순물로서 잔존하게 되므로, 반사판 등의 전자 부품에는 악 영향을 미칠 수 있다. 또한, 이러한 측면에서, 상기 헤테로시클릭 유기 염기 화합물을 사용하는 것이 액정 폴리에스테르를 제조하는데 바람직하다.

중축합을 용융 중합법에 의해 실시하고 중합 탱크로부터 중축합물 (액정 폴리에스테르) 을 용융 상태로 빼내는 경우, 중합 탱크를 이용하여 질소 등의 불활성 가스 분위기에서 상압하에, 또는 질소 등의 불활성 가스 분위기에서 바람직하게는 0.1 내지 2 kg/cm²G, 보다 바람직하게는 0.2 내지 1 kg/cm²G 의 압력하에서 중축합을 실시하는 것이 중축합물을 빼낼 때 그의 유동 온도의 상승을 억제하기 위해 바람직하다. 중축합물을 용융 상태로 빼내는 기작의 예로는 압출기, 기어 펌프, 피스톤 펌프 또는 원심 펌프 등의 펌프; 볼 밸브, 다이어프램 밸브 등의 밸브; 및 노즐형 좁은 유로식 피더 (feeder) 등의 좁은 유로식 피더 등을 들 수 있다.

후속 공정 (B) 에서는, 공정 (A) 에서 얻어진 중축합물을 입자화한다. 중축합물을 입자화하는 방법으로서는, 예를 들어, 중축합을 용융 중합법에 의해 실시하는 것이다. 중합 탱크로부터 중축합물을 용융 상태로 빼내는 경우, 빼낸 중축합물은 통상 수분 내에 고화되므로, 냉각 고화시킨 후에 분쇄기 (통상 사용되는 분쇄기일 수 있음) 로 분쇄함으로써 미립체로 하는 방법을 예시할 수 있다. 또한, 용융 상태로부터 끈 모양으로 냉각 고화시키면서 스트랜트 커터 또는 시트 커터를 이용하여 절단함으로써 펠렛을 형성하는 방법을 예로 들 수 있다. 대량으로 단시간에 처리하는 수단으로서는 스틸 벨트 또는 드럼 냉각기 등의 냉각기로 냉각하는 방법을 들 수 있다.

기계 분쇄에 의해 분쇄를 실시하는 것이 바람직하다. 이 경우 사용되는 분쇄기의 예로는 Hosakawa Micron Corporation 사제의 페더 밀 (feather mill), 빅토리 밀 (victory mill), 콜로플렉스 (colloplex), 펄버라이저 (pulverizer), 콘트라플렉스 (contraplex) 및 스크롤 밀; ACM Pulverizer 등의 충격식 분쇄기; 및 MATSUBO Corporation 사제의 가쇄식 (bridging-and-cracking) 분쇄기 등의 롤 입자화기를 들 수 있다. 특히, Hosokawa Micron Corporation 사제의 페더 밀이 바람직하다.

과립 (미립체 또는 펠릿) 의 입자 직경은 10 mm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 mm 이하, 더욱 더 바람직하게는 0.1 내지 0.4 mm 이다. 과립의 입자 직경이 너무 큰 경우, 후속 공정 (C) 에서 고상으로 중축합되는 경우 표면층과 내측 간의 미반응 원료의 결과 생성된 부산물의 확산 시간과 중합 속도에는 차이가 난다. 따라서, 분자량 분포를 확장하는 것 및 충분히 제거하는 것이 불가능하기 때문에, 발포 및 가스 발생이 야기되는 일이 있어 바람직하지 않다. 분쇄는 원하는 입자 직경을 갖는 입자를 얻기 위해 단일 단계로 실시할 수 있다. 다르게는, 예컨대 조분쇄 및 미분쇄의 복수 단으로 분쇄를 실시할 수도 있다.

과립 형상은 특별히 한정되지 않고, 일반적으로 구형, 원통형, 직육면체, 원추형, 타원형, 사각 피라미드 및 삼각 피라미드를 들 수 있다.

본 발명에서는, 후속 공정 (C) 에 제공되는 과립이 철 함유량이 5 중량ppm 이하이어서, 백색도가 높은 액정 폴리에스테르를 제공할 수 있다. 후속 공정 (C) 에 제공되는 입자 내의 철 함유량을 5 중량ppm 이하로 하기 위해서는, 분쇄기에서 중축합물과 접촉되는 부분이 내산성 재질로 이루어진 것이 바람직하다. 이러한 바람직한 조건 하에서, 분쇄 공정에서 철이 용출되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 상기 내산성 재질의 예로는 SUS304, SUS3O4L, SUS316 및 SUS316L 을 들 수 있다. 또한, 시판되는 모노머로부터 철 함유량이 적은 것을 선택하는 것이 효과적이다. 더욱이, 과립의 철 함유량을 5 중량ppm 이하로 조정하기 위해서는 공정 (C) 을 시작하기 전에 과립을 산성 수용액으로 세정하는 것이 바람직하다. 산성 수용액의 예로는, 염산, 황산 및 질산 등의 무기산; 및 옥살산, 시트르산 및 포름산 등의 유기산을 들 수 있다. 세정은 과립을 그의 3 배량 이상의 산성 수용액에 넣은 후, 교반함으로써 실시하는 것이 바람직하다. 이 경우, 교반 회전 속도는 150 rpm 이상이 바람직하다. 교반 시, 초음파를 가할 수 있다. 산성 수용액은 비용 및 철의 효과적인 제거의 관점에서 무기산이 바람직하고, 염산이 보다 바람직하다.

후속 공정 (C) 에서는, 공정 (B) 에서 얻어진 과립을 고상 중합시킨다. 여기서, 고상 중합에 제공되는 과립은 상기한 바와 같이 철 함유량이 5 중량 ppm 이하인 것이 바람직하다. 상기 고상 중합은 상압 또는 감압 하에서 실시할 수 있지만, 고상 중합 장치가 간단해지므로 상압 하에서 실시하는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 고상 중합시의 승온 속도 및 최고 온도는 과립의 융착을 가능한 방지하도록 선택한다. 융착이 일어나는 경우, 표면적이 감소하고 중합 반응 및 저비점 성분의 제거가 빠르게 이루어지지 않아 바람직하지 않다. 고상 중합의 최고 온도는 바람직하게는 230 내지 350 ℃, 보다 바람직하게는 260 내지 330 ℃ 이고, 불활성 기체 분위기 하에 처리하는 것이 효과적이다. 최고 온도가 너무 낮으면 고상 중합이 서서히 진행되어 장시간이 요구되어 비경제적이다. 반면, 최고 온도가 너무 높으면 과립이 서로 융착되어 용융되기 쉬워져 고상을 유지하기 어려워지므로 바람직하지 않다.

바람직하게는, 고상 중합의 승온 속도는 과립의 표면층과 내부 사이에 균질하게 승온되도록 선택한다. 고상 중합의 최고 온도는 과립을 융착하지 않도록 유도 온도 이하의 온도인 것이 바람직하고, 고상 중합 시간은 바람직하게는 1 분 내지 24 시간, 보다 바람직하게는 5 분 내지 12 시간이다.

고상 중합 장치로는 각종 건조기, 반응기, 혼합기 및 전기로를 사용할 수 있다. 그 예로는 선반식 오븐, 로터리 킬른 및 유동층식 건조기를 들 수 있다. 이들 고상 중합 장치 중에서도 상기 목적에서는 밀폐도가 높은 기체 순환식 장치가 바람직하다. 불활성 기체로서는, 질소, 헬륨, 아르곤 및 이산화탄소 가스로부터 선택되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 질소이다. 공기, 특히 산소가 존재 하면, 액정 폴리에스테르가 고온에서 산화되어 물성 저하나 착색이 일어나기 쉬워 바람직하지 않다. 불활성 기체의 유속은 고상 중합 장치의 용적, 과립의 입경 및 충전 상태를 감안하여 결정하며, 고상 중합 탱크 1m³ 당 2 m³/hr 내지 8 m³/hr, 보다 바람직하게는 3 m³/hr 내지 6m³/hr 이다. 불활성 기체의 유속이 너무 적으면 중합 속도가 늦다. 반대로, 불활성 기체의 유속이 너무 크면 입자 비산이 일어날 수 있다.

이와 같이 하여 얻어지는 액정 폴리에스테르는 YI 값이 32 이하인 것이 반사판 재료로서 특히 바람직하다. YI 값은 물체의 황색도를 나타내는 지표이며, 하기 식으로 정의되는 값이다. 액정 폴리에스테르로 제작된 시험편에 대해 ASTM D1925 에 준하여 색차계를 이용해 YI 값을 구할 수 있다.

YI = [100(1.28X - 1.06Z)/Y]

(식 중, X, Y 및 Z 는 XYZ 표색계에 있어서의 광원 색의 3 자극치이다)

또한, YI 값이 32 이하인 액정 폴리에스테르는 복수 종의 액정 폴리에스테르를 혼합함으로써 YI 값이 32 이하인 액정 폴리에스테르 혼합물로서 수득할 수도 있다.

이와 같이 하여 얻어지는 액정 폴리에스테르는 단독으로 또는 다른 성분과 조합하여 각종 용도에 사용할 수 있다. 특히, 상기 액정 폴리에스테르에 산화티탄 필러를 배합하여 얻어지는 본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물은 그의 높은 백색도를 활용하여 반사판의 재료로서 적합하게 사용할 수 있다. 즉, 본 발명은 산화티탄 필러 및 상기한 방법으로 제조된 액정 폴리에스테르를 포함하는 액정 폴리에스테르 조성물을 제공한다.

산화티탄 필러는 산화티탄을 함유하는 필러일 수 있으며, 그 안에 포함되는 산화티탄의 결정 형태 자체는 특별히 한정되지 않으며 루틸형, 아나타아제형, 또는 그의 혼합일 수 있다. 높은 반사율을 갖는 반사판을 수득하고 당해 반사판의 내후성도 또한 만족스러워지는 관점에서, 루틸형의 산화티탄을 함유하는 산화티탄 필러를 사용하는 것이 바람직하고, 산화티탄으로서 실질적으로 루틸형 산화티탄만 함유하는 산화티탄 필러를 사용하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 산화티탄 필러의 평균 입자 직경에 대해서는 특별히 한정되지 않는다. 얻어지는 반사판의 반사율 및 반사판 내 필러 분산성의 관점에서, 평균 입자 직경이 0.10 내지 0.50 μm 인 것이 바람직하고, 0.15 내지 0.40 μm 인 것이 보다 바람직하고, 0.18 내지 0.35 μm 인 것이 더욱 더 바람직하다. 제조되는 반사판의 두께를 감안하여 최적의 평균 입자 직경을 갖는 산화티탄 필러를 사용할 수 있다.

또한, 여기에서 사용된 평균 입자 직경은 산화티탄 필러를 주사형 전자 현미경 (SEM) 으로 관찰하고, 얻어진 SEM 사진을 화상 해석 장치 (예컨대, Nireco Corporation 사제의 LUZEX IIIU) 로 해석하고, 각각의 입자 직경 구간에서의 입자량 (%) 을 구하여 체적 기준으로 각 량을 누적함으로써 형성한 분포 곡선에 있어서 누적 빈도가 50 % 인 입자 직경 (체적 평균 입자 직경) 이다.

본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물 중의 산화티탄 필러의 함유량은 액정 폴리에스테르 100 중량부에 대해 20 내지 120 중량부인 것이 바람직하고, 30 내지 100 중량부인 것이 보다 바람직하고, 40 내지 80 중량부인 것이 더욱 더 바람직하다. 산화티탄 필러의 함유량이 너무 적으면 얻어지는 반사판이 충분한 반사율을 갖지 않을 수 있다. 반대로, 산화티탄 필러의 함량이 너무 많으면 반사판의 제조 자체가 어려워지는 경향이 있어, 액정 폴리에스테의 기계적 특성 및 내열성 등의 특성이 충분히 유지되지 않을 수 있다. 산화티탄 필러로서 복수 종의 산화티탄 필러를 사용하는 경우에는 총량이 액정 폴리에스테르에 대해 상기 범위 내일 수 있다.

산화티탄 필러는 그 분산성 등의 특성 향상을 목적으로 산화티탄에 표면 처리를 실시하여 수득할 수 있다. 상기 표면 처리는 특별히 한정되지 않는다. 분산성 및 내후성의 향상의 관점에서 무기 금속 산화물의 표면 처리가 바람직하고, 상기 무기 금속 산화물은 알루미늄 산화물 (알루미나) 인 것이 바람직하다. 단, 응집이 없어 취급이 용이하면, 표면 처리하지 않은 산화티탄이 내열성 및 강도의 관점에서 바람직하다.

산화티탄 필러는 염소법에 의해 제조된 산화티탄을 포함하는 산화티탄 필러인 것이 바람직하다. 여기서, 염소법이란, 티탄원으로서 광석 (루틸광, 일메나이트로부터 얻어지는 합성 루틸 등) 을 염소와 1,000 ℃ 부근에서 반응시켜 미정제의 4염화티탄을 수득하고, 수득한 4염화티탄을 정류에 의해 정제한 후, 수득한 4염화티탄을 산소로 산화시켜 산화티탄을 수득하는 방법이다. 이 염소법에 따르면, 적합한 결정 형태를 갖는 루틸형의 산화티탄을 얻는 것이 쉬워진다. 산소를 이용하여 산화하는 공정 (산화 공정) 에서의 조건을 최적화함으로써, 비교적 백색도가 우수한 산화티탄을 얻기가 쉽고, 이러한 산화티탄을 포함하는 산화티탄 필러는 본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물에서의 산화티탄으로서 사용하기에 특히 적절하다. 산화 공정에서의 조건을 최적화함으로써, 조립의 생성을 억제함으로써, 본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물에서의 산화티탄 필러로서 사용하기에 적절한 평균 입자 직경을 갖는 산화티탄 필러를 얻는 것이 쉬워진다.

산화티탄 필러의 시판품의 예로는, ISHIHARA SNAGYO KAISHA, LTD. 사의 "TIPAQUE CR-60" 및 "TIPAQUE CR-58"; 및 SAKAI CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD 사의 "SR-1" 을 들 수 있다.

본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물은 얻어지는 반사판의 반사율을 심하게 저해하지 않는 한 그 반사판의 기계 특성의 향상을 목적으로 산화티탄 필러 이외의 무기 충전제를 포함할 수 있다.

이 경우, 무기 충전제의 함유량은 액정 폴리에스테르 100 중량부에 대해 5 내지 100 중량부 이하인 것이 바람직하고, 5 내지 90 중량부인 것이 보다 바람직하다. 무기 충전제의 함유량이 너무 많으면 반사판의 색조를 열화시킬 수 있다. 소형 반사판으로 성형하는 경우에는 성형성이 열화하기 쉽다.

무기 필러는 섬유상 필러, 판상 필러 또는 입상 필러일 수 있다. 섬유상 필러의 예로는 유리 섬유, PAN계 또는 피치계 탄소 섬유, 탄화규소 섬유, 석면 섬유, 석고 섬유, 세라믹 섬유, 스테인리스 스틸 섬유, 알루미늄 섬유 또는 황동 섬유 등의 금속 섬유, 지르코니아 섬유, 알루미나 섬유, 실리카 섬유, 알루미나 실리케이트 섬유, 산화티탄 섬유, 탄화규소 섬유, 붕소 섬유, 티탄산칼륨 위스커 (whisker), 티탄산바륨 위스커, 탄산칼슘 위스커, 월라스토나이트 위스커, 붕산알루미늄 위스커, 산화아연 위스커, 질화규소 위스커, 탄화규소 위스커 및 석면을 들 수 있다. 판상 필러의 예로는 몬모릴로나이트, 바이델라이트, 논트로나이트, 사포나이트, 헥토라이트, 소코나이트, 스테벤사이트, Na 헥토라이트, Li 헥토라이트 및 사포나이트 등의 스멕타이트; 카네마이트 및 케냐이트 등의 층상 폴리규산염; 금운모, 백운모, 견운모, 불소 금운모, K 4규소 운모, Na 4규소 운모, Na 타에니올라이트 (taeniolite) 및 Li 타에니올라이트 등의 운모; 백연, 활석, 월라스토나이트, 벤토나이트, 카올린, 할로이사이트, 카올리나이트, 버미큘라이트, 클로라이트, 파일로필라이트, 클레이, 인산 지르코늄, 인산 티탄, 흑연, 알루미나, 제올라이트, 수산화마그네슘, 수산화알루미늄, 산화지르코늄, 질화붕소, 산화철, 탄산칼슘, 황산칼슘, 황산바륨 및 유리 플레이크를 들 수 있다. 입상 필러의 예로는 실리카, 세라믹 비드, 글라스 비드, 중공 글라스 비드, 카본 블랙, 알루미나, 제올라이트, 수산화마그네슘, 수산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화지르코늄, 질화붕소, 탄화규소, 산화철, 탄산칼슘, 탄산마그네슘 및 황산칼슘을 들 수 있다. 이들 무기 필러 중에서도, 반사판의 반사율을 심하게 저하시키는 일 없이, 실용적인 기계 강도를 반사판에 부여하기 위해, 유리 섬유, 산화티탄 섬유, 월라스토나이트 위스커 등의 섬유상 필러; 및 활석 및 운모 등의 판상 필러가 바람직하다. 이러한 무기 필러 중에서, 실란계 및 티타네이트계 커플링제 및 기타 표면 처리제가 사용되는 경우가 있다. 그러나, 색조의 저하를 억제하는 관점에서, 사용되는 표면 처리제의 양이 적을 수록 더 우수해진다.

본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물은 본 발명의 목적을 해치지 않는 한, 불소 수지, 고급 지방산 에스테르 화합물 및 지방산 금속 비누 등의 이형 개선제; 염료 및 안료 등의 착색제: 산화 방지제: 열 안정제; 형광 증백제; 자외선 흡수제; 대전 방지제; 및 계면활성제 등의 첨가제를 포함할 수 있다. 또한, 상기 액정 폴리에스테르 조성물은 고급 지방산, 고급 지방산 에스테르, 고급 지방산 금속염, 플루오로카본계 계면활성제 등의 외부 활제 효과를 갖는 첨가제를 포함할 수 있다.

본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물은 액정 폴리에스테르, 산화티탄 필러, 및 필요에 따라 사용되는 무기 필러 등의 기타 성분을 헨셸 믹서 또는 텀블러를 사용하여 혼합함으로써 수득할 수 있다. 다르게는, 상기와 같이 혼합한 후, 압출기를 사용하여 혼합물을 용융 혼련함으로써 수지 조성물을 펠릿화할 수 있다. 이와 같이 하여 펠릿화함으로써 수득되는 수지 조성물은 조작성이 양호하며, 목적 부품의 형상에 의한 적합한 성형법의 선택 폭을 넓힐 수 있다.

본 발명에 있어서, 반사판은 상기한 본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물을 성형함으로써 제조할 수 있다. 즉, 본 발명의 반사판은 통용되는 각종 성형법을 이용하여 본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물을 성형함으로써 수득할 수 있다. 상기 성형법은 사출 성형법, 사출 압축 성형법 또는 압출 성형법 등의 용융 성형법이 적절하다. 특히, 사출 성형법이 바람직한데, 이 사출 성형법에 따르면 얇은 벽 부분을 갖는 반사판 또는 복잡한 형상의 반사판을 제조하는 것이 가능하다. 특히, 얇은 벽 부분이 0.01 mm 내지 3.0 mm, 바람직하게는 0.02 내지 2.0 mm, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 1.0 mm 인 소형 반사판의 제조에는 사출 성형법이 적절하다. 사출 성형법은 내열성을 필요로 하는 반사판의 제조에 특히 유리하다.

사출 성형 등의 용융 성형에 따른 성형 온도는 용융 성형에 사용하는 액정 폴리에스테르 조성물의 유동 온도보다 10 내지 60 ℃ 높은 온도인 것이 바람직하다. 성형 온도가 너무 낮으면 액정 폴리에스테르 조성물의 유동성이 심하게 저하되어 성형성의 악화 및 반사판의 강도의 저하를 야기할 수 있다. 반대로, 성형 온도가 너무 높으면 액정 폴리에스테르가 열화되기 쉬워져 반사판의 반사율의 저하를 야기할 수 있다. 액정 폴리에스테르 조성물의 유동 온도는 액정 폴리에스테르의 유동 온도의 측정 방법으로서 설명한 방법에서와 같은 방법으로 모세관형 레오미터를 이용하여 구할 수 있다.

본 발명의 반사판은 가시광 영역의 광에 대한 반사율, 특히 청색 광에 대한 반사율이 매우 우수하다. 구체적으로, 파장 460 nm 의 광선에 대한 반사율이 75% 이상인 반사판을 제조하는 것이 가능해진다. 또한, 반사율이 80% 이상인 반사판을 제조할 수 있다. 여기서 사용되는 반사율이란 JIS K7105-1981 에 따른 전광선 반사율의 측정법 A (표준 백색판: 황산바륨) 에 기초하여 구한 것이다.

본 발명의 반사판은 전기, 전자, 자동차 및 기계 분야에서 광 반사, 특히 가시광 반사와 연관되는 부재로서 적절히 사용할 수 있다. 예를 들어, 할로겐 램프 및 HID 등의 광원 장치의 램프 반사체; 및 LED 및 유기 EL 등의 발광 소자를 사용한 발광 장치 및 표시 장치의 고강도 반사판으로서 적절히 사용할 수 있다. 특히, 상기 반사판은 LED 를 사용한 발광 장치의 반사판으로서 적절히 사용할 수 있다.

실시예

이하, 본 발명의 실시예를 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다. 실시예 중, 철 함유량 및 L* 값 (명도) 의 측정 방법은 다음과 같다.

철 함유량

시료 약 1 g 을 칭량한 후, 약 700 ℃ 에서 회분화 처리하였다. 약 5% 질산에 가열 용해시킨 후, 25 ml 의 측정 용액으로 부피를 측정하여 ICP-AES 에 의해 측정을 실시하여 시료 중의 철 함유량 (중량ppm) 을 구하였다.

L* 값 (명도)

색차계 (Konica Minolta Holdings, Inc. 사제 "CR-300") 를 이용하여 측정하였다.

제조예 1

교반기, 토크 미터, 질소 가스 도입관, 온도계 및 환류 냉각기를 구비한 반응기에, 파라히드록시벤조산 100 중량부, 4,4'-디히드록시비페닐 44.9 중량부, 테레프탈산 30.1 중량부, 이소프탈산 10.0 중량부 및 아세트산 무수물 135.5 중량부를 넣고, 1-메틸이미다졸 0.02 중량부를 첨가하였다. 반응기 내 분위기를 질소 가스로 충분히 치환시킨 후, 질소 가스 기류하에서 30 분에 걸쳐 150 ℃ 까지 승온시키고, 혼합물을 상기 온도로 유지하면서 1 시간 동안 환류하였다. 그 후, 1-메틸이미다졸 0.09 중량부를 첨가하고, 증류되어 나오는 부산물 아세트산 및 미반응 아세트산 무수물을 증류해 내면서 2 시간 50 분에 걸쳐 320 ℃ 로 승온시켰다. 토크 상승이 인정되는 시점을 반응 종료로 하고, 중축합물 (액정 폴리에스테르) 을 얻었다 (공정 (A)).

실시예 1

제조예 1 에서 수득한 중축합물을 실온까지 냉각하고, 중축합물과 접촉되는 부분의 재질이 SUS304 인 조분쇄기에 의해 분쇄한 후 미분쇄기로 분쇄하여 철 함유량이 3.9 중량ppm 인 입자화물을 수득하였다 (공정 (B)).

얻어진 입자화물을 질소 분위기 하에서 실온으로부터 250 ℃ 까지 1 시간에 걸쳐 승온시키고 250 ℃ 에서 285 ℃ 까지 5 시간에 걸쳐 승온시킨 후, 285 ℃ 에서 3 시간 유지하여 고상 중합을 실시하였다 (공정 (C)). 고상 중합 후, 과립 (액정 폴리에스테르) 은 327 ℃ 의 유동 온도를 나타내었다. 고상 중합 전후의 과립의 L* 값을 측정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.

실시예 2

제조예 1 에서 수득한 중축합물을 실온까지 냉각하고, 중축합물과 접촉하는 부분의 재질이 SUS304 인 조분쇄기에 의해 분쇄한 후, 미분쇄기에 의해 분쇄하여 철 함유량이 2.6 중량ppm 인 입자화물을 수득하였다 (공정 (B)).

비교예 1

제조예 1 에서 수득한 중축합물을 실온까지 냉각하고, 중축합물과 접촉하는 부분의 재질이 카니젠 (Kanigen)-도금 강재로 된 조분쇄기에 의해 분쇄한 후, 미분쇄기에 의해 분쇄하여 철 함유량이 16.6 중량ppm 인 입자화물을 수득하였다 (공정 (B)).

비교예 2

제조예 1 에서 수득한 중축합물을 실온까지 냉각하고, 중축합물과 접촉하는 부분의 재질이 카니젠-도금 강재로 된 조분쇄기에 의해 분쇄한 후, 미분쇄기에 의해 분쇄하여 철 함유량이 10.5 중량ppm 인 입자화물을 수득하였다 (공정 (B)).

제조예 2

교반기, 토크 미터, 질소 가스 도입관, 온도계 및 환류 냉각기를 구비한 반응기에, 파라히드록시벤조산 100 중량부, 4,4'-디히드록시비페닐 44.9 중량부, 테레프탈산 36.1 중량부, 이소프탈산 4.0 중량부 및 아세트산 무수물 135.5 중량부를 넣고, 1-메틸이미다졸 0.02 중량부를 첨가하였다. 반응기 내 분위기를 질소 가스로 충분히 치환시킨 후, 질소 가스 기류하에서 30 분에 걸쳐 150 ℃ 까지 승온시키고, 혼합물을 상기 온도로 유지하면서 1 시간 동안 환류하였다. 그 후, 증류되어 나오는 부산물 아세트산 및 미반응 아세트산 무수물을 증류해 내면서 2 시간 50 분에 걸쳐 320 ℃ 로 승온시켰다. 토크 상승이 인정되는 시점을 반응 종료로 하고, 중축합물 (액정 폴리에스테르) 을 얻었다 (공정 (A)).

실시예 3

제조예 2 에서 수득한 중축합물을 실온까지 냉각하고, 중축합물과 접촉하는 부분의 재질이 카니젠-도금 강재로 된 조분쇄기에 의해 분쇄한 후, 미분쇄기에 의해 분쇄하여 철 함유량이 7.0 중량ppm 인 입자화물을 수득하였다 (공정 (B)).

얻어진 입자화물을 20 배 (중량 기준) 량의 1 N 염산에 넣은 후, 실온에서 30 분 동안 교반하고 순수로 추가 세정하였다. 세정 후의 과립의 철 함유량은 2.0 중량ppm 이었다.

세정 후 수득한 과립을 질소 분위기 하에서 실온으로부터 250 ℃ 까지 1 시간에 걸쳐 승온시키고 250 ℃ 에서 305 ℃ 까지 5 시간에 걸쳐 승온시킨 후, 305 ℃ 에서 3 시간 유지하여 고상 중합을 실시하였다 (공정 (C)). 고상 중합 후, 과립 (액정 폴리에스테르) 은 357 ℃ 의 유동 온도를 나타내었다. 고상 중합 전후의 과립의 L* 값을 측정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.

비교예 3

실시예 3 에서 수득한 철 함유량이 7.0 중량ppm 인 과립을 1 N 염산으로 세정하지 않고 질소 분위기 하에서 실온으로부터 250 ℃ 까지 1 시간에 걸쳐 승온시키고, 250 ℃ 에서 305 ℃ 까지 5 시간에 걸쳐 승온시킨 후, 305 ℃ 에서 3 시간 유지하여 고상 중합을 실시하였다 (공정 (C)). 고상 중합 후의 과립 (액정 폴리에스테르) 은 357 ℃ 의 유동 온도를 나타내었다. 고상 중합 전후의 과립의 L* 값을 측정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.

Claims

액정 폴리에스테르의 제조 방법으로서, 상기 방법이
(A) 모노머를 반응시켜 그에 상응하는 중축합물을 수득하는 공정,
(B) 상기 중축합물을 입자화하여 과립을 수득하는 공정, 및
(C) 상기 과립을 고상 중합시켜 액정 폴리에스테르를 수득하는 공정을 포함하고,
상기 공정 (C) 에 제공되는 과립 중의 철 함유량이 5 중량ppm 이하인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 모노머가 방향족 히드록시카르복실산, 방향족 디카르복실산 및 방향족 디올인 액정 폴리에스테르의 제조 방법.
제 1 항에 있어서, 각각의 모노머 부분이 페놀성 히드록실기를 갖고,
상기 방법이 공정 (A) 를 시작하기 전에 페놀성 히드록실기를 갖는 모노머를 지방산 무수물로 아실화하여 그에 상응하는 아실화물을 수득한 후, 공정 (A) 에 있어서 상기 모노머 및/또는 아실화물의 반응을 실시하는 것을 추가로 포함하는 액정 폴리에스테르의 제조 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 공정 (B) 에서의 중축합물을 분쇄 기계를 사용하여 기계 분쇄에 의해 입자화하는 액정 폴리에스테르의 제조 방법.
제 4 항에 있어서, 상기 분쇄 기계의 중축합물과 접촉하는 부분이 내산성 재질로 이루어지는 액정 폴리에스테르의 제조 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 공정 (C) 를 시작하기 전에 과립을 산성 수용액으로 세정하는 공정을 추가로 포함하는 액정 폴리에스테르의 제조 방법.
제 1 항에 따른 방법에 의해 제조된 액정 폴리에스테르 및 산화티탄 필러를 포함하는 액정 폴리에스테르 조성물.
제 7 항에 따른 액정 폴리에스테르 조성물을 성형함으로써 수득되는 반사판.
제 8 항에 따른 반사판 및 발광 소자를 포함하는 발광 장치.