KR101840050B1 - 저비중의 전방향족 액정 고분자 수지 조성물 및 그로부터 제조되는 전자제품 소자 - Google Patents

저비중의 전방향족 액정 고분자 수지 조성물 및 그로부터 제조되는 전자제품 소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 나노클레이를 포함함으로써 저비중이면서도 내열성 및 기계적 강도의 저하가 없는 전방향족 액정 고분자 수지 조성물을 제공한다. 나노클레이를 사용할 경우 조성물은 물성 강화를 위한 무기충전제의 사용량을 줄이면서도 바람직한 수준의 물성을 달성할 수 있게 되며, 나노클레이 자체의 비중도 통상적으로 사용되는 무기충전제의 비중에 비해 작으므로, 일정량의 나노클레이를 포함하는 수지 조성물은 저비중 및 우수한 물성을 갖게 되는 장점을 지닌다.
따라서 본 발명의 전방향족 액정 고분자 수지 조성물은 경량화가 요구되는 각종 전자 제품 소자의 제조에 사용될 수 있다.

Description

저비중의 전방향족 액정 고분자 수지 조성물 및 그로부터 제조되는 전자제품 소자{Wholly aromatic liquid crystalline polymer resin compound with low specific gravity and electronic compartments made from the same}
본 발명은 저비중을 갖는 것을 특징으로 하는 전방향족 액정 고분자 수지 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 수지 조성물로부터 제조되는 경량의 전자제품 소자에 관한 것이다.
전방향족 액정 고분자 수지는 내열성 및 치수안정성이 우수하고, 용융시 유동성이 우수하여 정밀 사출성형 재료로서 전자부품 분야를 중심으로 널리 사용되고 있다.
이러한 전방향족 액정 고분자 수지는 축중합으로 제조되는 열가소성 고분자의 일종으로서, 유리섬유나 활석과 같은 무기충전제와 혼련하여 압출 가공함으로써 수지 조성물로 제조된다. 또한 상기와 같이 제조된 수지 조성물은 사출공정을 거쳐 제품으로 가공된다.
특히 여러 유/무기 충진물로 강화된 전방향족 액정 고분자 수지 조성물은 내열도가 높고, 치수안정성과 전기 절연성 및 기계적 물성이 우수하여 전자제품의 커넥터 및 기타 메모리 카드 소켓용 소재로서 다른 경쟁 폴리머 소재를 대신하여 그 용도가 확대되고 있다.
일반적으로 전방향족 액정 고분자 수지는 수지의 중합도나 고유 물성에 따라 다르기는 하나 1.3 이상의 비중을 갖는다. 여기에 유리섬유나 활석 등의 무기 충전제를 첨가해 압출 가공하여 수지 조성물을 제조하는 과정을 거치면 비중은 이보다 더 높아진다.
한편, 전자제품의 소형화 및 경량화 경향에 따라 전자제품의 커넥터나 메모리 카드 소켓 제품 등의 개발에도 경량화가 강조되고 있다. 이에 따라 부품의 소재로 활용되는 전방향족 액정 고분자 수지 조성물 또한 기존의 내열도와 강성 및 기타 기계적 물성은 유지한 채 비중은 낮아져야 한다. 그러나 비중을 낮추기 위해 상기 수지 조성물에서 충전제의 함량을 낮추게 되면, 일반적으로 기계적 물성이나 열적 안정성이 저하되어 전자제품의 부품 소재로서 적합하지 않게 되는 문제점이 발생한다.
따라서 경량화를 목표로 하는 전자제품의 커넥터 및 기타 메모리 카드 소켓 소재로서의 사용을 위해 비중이 낮은 경량의 전방향족 액정 고분자 수지에 대한 개발의 노력이 계속되고 있다.
본 발명은 경량의 커넥터용 및 메모리 카드 소켓용 부품 소재로 사용이 가능
한 전방향족 액정 고분자 수지 조성물로서, 저비중이면서도 내열성 및 기계적 물성이 우수한 것을 특징으로 하는 전방향족 액정 고분자 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 상기 수지 조성물로부터 제조되는 경량의 전자제품 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 300 내지 450℃의 용융점을 갖는 전방향족 액정 고분자 수지 100중량부에 대하여 나노클레이 1 내지 60중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전방향족 액정 고분자 수지 조성물을 제공한다.
바람직하게, 전방향족 액정 고분자 수지는 방향족 디올, 방향족 디아민, 방향족 히드록시아민, 방향족 디카르복실산, 방향족 히드록시 카르복실산 및 방향족 아미노 카르복실산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 방향족 화합물 단량체의 축중합 반응으로부터 합성되는 것이다.
바람직하게, 상기 방향족 화합물은 치환 또는 비치환의 페닐렌, 바이페닐렌, 나프탈렌 또는 2개의 페닐렌이 탄소 또는 탄소가 아닌 원소로 연결된 형태를 포함하는 것이다.
바람직하게, 상기 나노클레이는 몬모릴로나이트(montmorillonite), 사포나이트(saponite), 헥토라이트(hectorite), 바이데라이트(bidellite), 넌트로나이트(nontronite) 및 소코나이트(sauconite)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것이다.
바람직하게, 상기 수지 조성물은 유리섬유, 활석(탈크), 운모, 탄산칼슘 및 점토로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 무기충전제를 포함한다.
바람직하게, 상기 무기충전제는 전방향족 액정 고분자 수지 100중량부에 대하여 5 내지 900중량부로 포함된다.
본 발명은 상기 전방향족 액정 고분자 수지 조성물로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 전자제품 소자를 제공한다.
바람직하게, 상기 전자제품 소자는 커넥터 또는 메모리 카드 소켓이다.
고용융점을 갖는 전방향족 액정 고분자 수지와 나노클레이를 포함하는 본 발명의 수지 조성물은 유동성, 내열성 및 기계적인 물성의 저하없이 비중이 낮으므로 경량화를 목표로 하는 얇은 구조의 커넥터 및 메모리 카드 소켓 제품의 성형에 적합하게 이용될 수 있다.
본 발명은 저비중이면서도 내열성 및 기계적 물성 면에서 우수한 전방향족 액정 고분자 수지 조성물을 제공하기 위하여 300 내지 450℃의 용융점을 갖는 전방향족 액정 고분자 수지 및 나노클레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물을 제공한다.
구체적으로 상기 수지 조성물은 전방향족 액정 고분자 수지 100중량부에 대하여 나노클레이를 1 내지 60중량부 포함한다.
본 발명의 수지 조성물에 포함되어 사용되는 전방향족 액정 고분자 수지는 300 내지 450℃의 용융점을 갖는 것인데 이는 고융용점을 갖는 수지이므로, 이로부터 제조되는 본 발명의 수지 조성물은 우수한 내열성을 갖게 된다.
또한 본 발명에서는 전방향족 액정 고분자 수지로서 상기와 같이 300℃ 이상의 고융용점을 갖는 수지를 사용하기 때문에 나노클레이의 경우 분해온도가 300℃ 보다 낮으면 가공 시에 분해가 진행되어 사용이 곤란해진다. 따라서 본 발명에서 수지 조성물에 포함하여 사용되는 나노클레이는 300℃ 이상의 고온에서도 열적 안정성이 확보될 수 있는 재료이어야 한다.
본 발명의 전방향족 액정 고분자 수지 조성물은 상기와 같이 고용융점을 갖는 전방향족 액정 고분자 수지 및 나노클레이를 포함함으로써 수지 조성물의 비중을 낮추면서도 내열성 및 기계적 물성이 바람직한 수준으로 확보될 수 있다.
본 발명에서 사용되는 전방향족 액정 고분자 수지는 하기 단계를 거쳐 제조되는 것일 수 있다:
(a) 적어도 2종의 단량체를 축중합함으로써 프리폴리머를 합성하는 단계 및
(b) 상기 프리폴리머를 고상 축중합함으로써 전방향족 액정 고분자 수지를 합성하는 단계
상기 (a) 단계에서 축중합 반응에 사용되는 단량체는 통상의 전방향족 액정 고분자 수지의 제조에 사용되는 것으로, 방향족 디올, 방향족 디아민 및 방향족 히드록시아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물 및 방향족 디카르복실산이다. 또한, 상기 단량체로는 방향족 히드록시 카르복실산 및 또는 방향족 아미노 카르복실산을 추가로 포함하여 사용할 수 있다.
상기 (a) 단계에서의 축중합 반응은 통상의 고분자 수지 제조에서 사용되는 방법으로 용액 축중합법, 괴상 축중합법(bulk condensation polymerization)이 사용될 수 있다.
또한, 상기 (a) 단계에서는 축중합 반응을 촉진하기 위하여 상기 단량체들을 아실화제(특히, 아세틸화제) 등의 화학 물질로 전처리하여 반응성을 증가시킨 다음 (즉, 아실화된 단량체의 형태로) 반응에 사용할 수 있다.
다음으로 상기 (b) 단계의 고상 축중합 반응을 위해서는 상기 제조된 프리폴리머에 열을 제공하면서 축중합 반응시킨다. 이러한 열 제공방법으로는 가열판을 이용하는 방법, 열풍을 이용하는 방법 또는 고온의 유체를 이용하는 방법 등이 있다. 또한 고상 축중합 반응시 발생되는 부산물을 제거하기 위해 불활성 기체를 이용하는 퍼지 또는 진공에 의한 제거를 실시할 수 있다.
상기 전방향족 액정 고분자 수지는 중합 반응에 사용한 단량체에 따라 하기와 같이 다양한 반복단위를 중합체 사슬 내에 포함하게 된다:
(1) 방향족 디올로부터 유래되는 반복단위:
[-O-Ar-O-]
(2) 방향족 디아민으로부터 유래되는 반복단위:
[-HN-Ar-NH-]
(3) 방향족 히드록시아민으로부터 유래되는 반복단위:
[-HN-Ar-O-]
(4) 방향족 디카르복실산으로부터 유래되는 반복단위:
[-OC-Ar-CO-]
(5) 방향족 히드록시 카르복실산으로부터 유래되는 반복단위:
[-O-Ar-CO-]
(6) 방향족 아미노 카르복실산으로부터 유래되는 반복단위:
[-HN-Ar-CO-]
상기 화학식 (1) 내지 (6)에서 Ar은 치환 또는 비치환의 페닐렌, 바이페닐렌, 나프탈렌 또는 2개의 페닐렌이 탄소 또는 비탄소 원소로 연결된 형태일 수 있다. 바람직하게, 상기 치환기는 탄소수 1 내지 6의 지방족 치환기일 수 있고, 상기 비탄소 연결 원소는 질소일 수 있다.
본 발명의 수지 조성물은 나노클레이를 포함함으로써 조성물의 기계적 강도 및 내열성의 저하없이 조성물의 비중을 낮출 수 있다. 이는 나노클레이를 사용할 경우 수지 조성물의 물성 강화를 위해 통상적으로 사용되는 무기충전제를 적은 양으로 사용하여도 기계적 물성이 바람직한 수준으로 유지될 수 있으며, 또한 나노클레이 자체의 무게가 다른 무기충전제에 비해 경량이기 때문에 가능한 것이다. 따라서 본 발명의 전방향족 액정 고분자 수지 조성물은 경량화되고 있는 전자제품의 커넥터 및 메모리 카드 소켓용 제품의 성형에 적합하게 이용될 수 있다.
본 발명의 수지 조성물에 포함되는 나노클레이로는 몬모릴로나이트(montmorillonite), 사포나이트(saponite), 헥토라이트(hectorite), 바이데라이트(bidellite), 넌트로나이트(nontronite), 소코나이트(sauconite) 등의 스멕타이트(smectite) 계열의 클레이를 사용한다. 이들 나노클레이는 단독 또는 2종 이상의 혼합물 형태로 사용될 수 있으며 특히 몬모릴로라이트를 주성분으로 사용하는 것이 바람직하다.
이러한 나노클레이로서 상업적으로 입수가능한 제품으로 클로이사이트®(Southern Clay사), 나노코®(NANOMER사) 등이 있다.
상기 나노클레이는 전방향족 액정 고분자 수지 내에서의 분산성을 고려하여 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 60 중량부, 바람직하게는 1 내지 30 중량부로 사용된다. 즉 나노클레이를 1 중량부에 미치지 못하는 양으로 사용하면 본 발명이 달성하고자 하는 저비중의 수지 조성물이 얻어지지 못하고, 60 중량부를 초과하는 양으로 사용하면 조성물 내에서 분산성이 떨어져 제품화 과정에서 곤란성 및 최종 제품에서 불량이 발생할 수 있다.
또한 본 발명의 수지 조성물은 상기 전방향족 액정 고분자 수지 및 나노클레이에 더하여 수지 조성물의 기계적 물성 및 내열성을 향상시키기 위해 통상의 무기충전제를 추가로 포함할 수 있다.
이러한 무기충전제는 유리섬유, 활석(또는 이를 분말화한 형태인 "탈크"로도 칭한다), 운모, 탄산칼슘 및 점토로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것이다.
나노클레이와 함께 상기 무기충전제를 사용할 경우 본 발명의 수지 조성물에 포함되는 무기충전제는 전방향족 액정 고분자 수지 100 중량부에 대하여 5 내지 900 중량부 포함될 수 있다. 무기충전제의 함량이 전방향족 액정 고분자 수지에 대하여 5 중량부 미만일 경우에는 수지 조성물에서 충분한 기계적 강도를 구현하기 곤란하고, 900 중량부를 초과하는 경우에는 수지 조성물의 성형성이 저하된다.
이와 같이 고용융점을 갖는 전방향족 액정 고분자 수지와 나노클레이를 포함하는 본 발명의 수지 조성물은 유동성, 내열성 및 기계적 물성의 저하없이 비중이 낮아 경량화를 목표로 하는 얇은 구조의 커넥터 및 메모리 카드 소켓 제품의 성형에 적합하다.
본 발명은 상기 전방향족 액정 고분자 수지 조성물을 제조하는 방법으로, 300 내지 450℃의 용융점을 갖는 전방향족 액정 고분자 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 60 중량부의 나노클레이를 혼합하여 혼합물을 제조한 다음, 상기 혼합물을 용융혼련하는 방법을 제공한다. 이때 상기 혼합물에는 나노클레이 외에 유리섬유, 활석, 운모, 탄산칼슘 및 점토로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 무기충전제를 추가로 포함시킬 수 있다. 이때에는 전방향족 액정 고분자 수지 조성물 중에 상기 무기충전제의 함량이 수지 100 중량부에 대하여 5 내지 900 중량부가 되는 범위로 사용한다.
상기 수지와 나노클레이 등을 포함하는 혼합물의 용융혼련에는 2축 압출기, 회분식 혼련기 또는 믹싱 롤 등이 사용될 수 있다. 특히, 2축 압출기를 사용하여 용융혼련을 수행할 경우에는 압출기의 배럴 온도를 330 내지 450℃로 유지할 수 있다. 여기서, 압출기의 배럴이란 압출 원료(즉, 수지와 나노클레이 등의 혼합물)를 용융, 혼련 및 수송하는 부분으로 실린더라고도 지칭되는 것이다. 상기 배럴의 내부에는 스크류가 장착되어 있어 상기 스크류의 2회전에 따라 압출 원료가 전방으로 이송되고, 이와 동시에 상기 압출 원료는 배럴 벽면으로부터 전도되는 열로 인해 용융된다. 또한, 압출 원료의 원활한 용융혼련을 위하여 용융혼련시 활제를 추가적으로 사용할 수 있다.
본 발명은 상기 제조방법으로 제조되는 수지 조성물로부터 제조되는 전자제품 소자를 제공한다. 이러한 전자제품 소자의 예로는 얇은 구조의 커넥터 및 경량의 메모리 카드 소켓을 들 수 있다.
이하 실시예를 통하여 발명을 상세히 설명한다. 그러나 이는 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것이므로, 본 발명이 이에 한정되는 것으로 여겨져서는 안된다.
실시예 1
(1) 전방향족 액정 고분자 수지의 제조
온도 조절이 가능한 100리터 용량의 회분식 반응기에, 파라 히드록시 벤조산(UENO Fine Chemirals사) 24.4kg, 바이페놀(Songwon사) 10.8kg, 테레프탈산(삼성석유화학 사) 7.3kg 및 이소프탈산(Perstorp사) 2.4kg을 투입하고 질소가스를 주입하여 반응기의 내부 공간을 불활성 상태로 만든 다음, 상기 반응기에 무수초산(CELANESE사) 33kg을 더 첨가하였다. 이후, 반응기 온도를 30분에 걸쳐 150℃까지 승온시킨 다음 상기 온도에서 3시간 동안 상기 단량체들의 알코올기(히드록시기)를 아세틸화 반응시켰다.
이어서 상기 아세틸화 반응에서 생성되는 초산을 제거하면서 반응기의 온도를 6시간에 걸쳐 330℃까지 승온시켜 단량체의 중축합 반응에 의해 전방향족 액정 고분자 수지의 프리폴리머를 제조하였다. 상기 프리폴리머 제조시에도 부산물로서 초산이 더 생성되는데, 이 초산도 상기 아세틸화 반응에서 생성되는 초산과 마찬가지로 프리폴리머 제조과정에서 연속적으로 제거하였다.
반응 완료 후 프리폴리머를 반응기로부터 회수하여 냉각 고화시켰다. 이후 프리폴리머를 평균 입경 1mm로 분쇄한 후, 분쇄된 프리폴리머 20kg을 100리터 용량의 로터리 킬른 반응기에 투입하고, 질소를 1N㎥/시간의 유속으로 계속 흘려주면서 무게 감량 시작 온도인 200℃까지 1시간에 걸쳐 승온시킨 후, 다시 280℃까지 10시간에 걸쳐 승온시켜 3시간 동안 유지함으로써 전방향족 액정 고분자 수지를 제조하였다.
이어서 반응기를 상온으로 1시간에 걸쳐 냉각시킨 후 반응기로부터 전방향족 액정 고분자 수지를 회수하였다. 시차주사열량계를 사용하여 측정한 수지의 용융점은 320℃이었다.
(2) 전방향족 액정 고분자 수지 조성물의 제조
상기 단계 (1)에서 제조된 전방향족 액정 고분자 수지, 유리섬유(성진화이바, MF150W-NT) 및 나노클레이(Southern Clay사, Cloisite 30B)를 중량 기준으로 75:10:15의 비율로 혼합하여 2축 압출기(L/D: 40, 직경: 20mm)를 사용하여 용융혼련하였다. 상기 용융혼련시 압출기의 배럴온도는 350℃이었다. 또한 용융혼련과 동시에 2축 압출기에 진공을 가해 부산물을 제거하였다.
이어서 상기 용융혼련물을 자동 혼합기(제일산업기기)로 10분간 혼합하고, 열풍건조기(아성 PLANT 제품)로 130℃에서 2시간 동안 건조하여 전방향족 액정 고분자 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 2
실시예 1의 단계 (1)에서 제조된 전방향족 액정 고분자 수지, 유리섬유(성진화이바, MF150W-NT), 탈크(동양소재화학, ETA#400, 평균 입자사이즈 11㎛) 및 나노클레이(Southern Clay사, Cloisite 30B)를 중량 기준으로 75:10:10:5로 변경하여 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1에서와 동일한 방법으로 전방향족 액정 고분자 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 3
실시예 1의 단계 (1)에서 제조된 전방향족 액정 고분자 수지, 유리섬유(성진화이바, MF150W-NT) 및 나노클레이(Southern Clay사, Cloisite 30B)를 중량 기준으로 85:10:5로 변경하여 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1에서와 동일한 방법으로 전방향족 액정 고분자 수지 조성물을 제조하였다.
비교예 1
실시예 1의 단계 (1)에서 제조된 전방향족 액정 고분자 수지, 유리섬유(성진화이바, MF150W-NT) 및 탈크(동양소재화학, ETA#400, 평균 입자사이즈 11㎛)를 중량 기준으로 65:10:25로 변경하여 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1에서와 동일한 방법으로 전방향족 액정 고분자 수지 조성물을 제조하였다.
수지 조성물의 물성 평가
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에서 제조한 각각의 전방향족 액정 고분자 수지 조성물의 물성을 하기와 같은 방법으로 측정하였다.
(용융점도의 측정)
수지 조성물에 대해 모세관 점도계를 사용하여 330℃, 1/1000s의 조건하에서 점도를 측정하여 용융 상태의 유동성을 비교하였다.
(인장강도 및 인장신율의 측정)
수지 조성물의 인장강도 및 인장신율을 ASTM D638에 따라 측정하였다.
(굴곡강도 및 굴곡신율의 측정)
수지 조성물의 굴곡강도 및 굴곡신율을 ASTM D790에 따라 측정하였다.
(내열도(열변형온도)의 측정)
수지 조성물의 내열도를 ASTM D648에 따라 측정하였다. 이때, 부여된 압력은 18.5kgf/㎠이었다.
(비중의 측정)
수지 조성물의 비중을 비중 분석계(Mettler Toledo, XS204)를 이용하여 측정하였다. 이때 사용된 보조 용매는 에탄올이었다.
상기 수지 조성물에 대하여 측정된 물성치를 하기 표1에 정리하였다.
Figure 112011085434897-pat00001
상기 표 1로부터 실시예 1 내지 3에서 제조된 전방향족 액정 고분자 수지 조성물은 비교예 1에서 제조된 전방향족 액정 고분자 수지 조성물에 비해, 인장강도, 인장신율, 굴곡강도, 굴곡신율 및 내열도 등 모든 물성면에서 저하됨 없이 비중이 낮게 나타났다.
실시예 1과 2의 경우를 비교하면 실시예 2에서 무기충진제로 사용된 탈크를 대신하여 실시예 1에서 나노클레이의 사용량을 증가시킬수록 비중이 더욱 낮아졌다. 또한 실시예 1과 3의 경우를 비교하면 수지 조성물에 나노클레이를 포함하여 사용할 경우 나노클레이 및 무기충전제의 총 함량을 줄이고 수지의 양을 늘리더라도 조성물의 물성이 유지됨을 알 수 있다. 반면 나노클레이를 사용하지 않은 비교예1의 경우에는 무기충전제를 훨씬 높은 함량으로 사용해야만 바람직한 수준의 물성이 달성됨을 알 수 있다.
즉 전방향족 액정 고분자 수지 조성물에 나노클레이를 포함시켜 사용하면 조성물에 포함되는 나노클레이 및 무기충전제의 총 함량을 적게 사용하더라도 내열성 및 기계적 강도면에서 바람직한 물성이 달성될 수 있고, 나노클레이 자체가 다른 무기충전제에 비하여 저비중이므로 이로부터 저비중의 수지 조성물 구현이 가능함을 확인할 수 있다.

Claims (8)

  1. 300 내지 320℃의 용융점을 갖는 전방향족 액정 고분자 수지 100중량부에 대하여 나노클레이 1 내지 60중량부를 포함하고,
    상기 전방향족 액정 고분자 수지 100 중량부에 대하여 5 내지 15 중량부의 무기충전제를 포함하고,
    상기 나노클레이는 분해온도가 300℃ 이상이고, 몬모릴로나이트(montmorillonite), 사포나이트(saponite), 헥토라이트(hectorite), 바이데라이트(bidellite), 넌트로나이트(nontronite) 및 소코나이트(sauconite)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전방향족 액정 고분자 수지 조성물.
  2. 제1항에서,
    상기 전방향족 액정 고분자 수지는 방향족 디올, 방향족 디아민, 방향족 히드록시아민, 방향족 디카르복실산, 방향족 히드록시 카르복실산 및 방향족 아미노 카르복실산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 방향족 화합물 단량체의 축중합 반응으로부터 합성되는 것을 특징으로 하는 전방향족 액정 고분자 수지 조성물.
  3. 제2항에서,
    상기 방향족 화합물은 치환 또는 비치환의 페닐렌, 바이페닐렌, 나프탈렌 또는 2개의 페닐렌이 탄소 또는 탄소가 아닌 원소로 연결된 형태를 포함하고,
    상기 치환은 탄소수 1 내지 6의 지방족 치환기로 치환된 것을 특징으로 하는 전방향족 액정 고분자 수지 조성물.
  4. 삭제
  5. 제1항에서,
    상기 수지 조성물은 유리섬유, 활석, 운모, 탄산칼슘 및 점토로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 무기충전제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전방향족 액정 고분자 수지 조성물.
  6. 삭제
  7. 제1항, 제2항, 제3항 또는 제5항 중 어느 한 항의 전방향족 액정 고분자 수지 조성물로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 전자제품 소자.
  8. 제7항에서,
    상기 전자제품 소자는 커넥터 또는 메모리 카드 소켓인 것을 특징으로 하는 전자제품 소자.
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