KR20110050176A - 유기전계발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 제 1 기판, 상기 제 1 기판 상에 위치하며, 제 1 전극, 적어도 발광층을 포함하는 유기막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광다이오드, 상기 유기발광다이오드의 전면 상에 위치하며, 하이드록시기 또는 아미노기를 포함하는 유기버퍼층, 상기 유기버퍼층의 전면 상에 위치하는 실런트 및 상기 실런트 상에 위치하는 제 2 기판을 포함하는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
유기전계발광소자
Description
본 발명은 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 외부의 수분 또는 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diode) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.
특히, 유기전계발광소자는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자체 발광이다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기 존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
유기전계발광소자는 제 1 기판 상에 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광다이오드를 형성한 후, 유리 또는 금속으로 이루어진 제 2 기판의 가장자리에 실런트를 도포하여 제 1 기판을 밀봉하여 제조하였다.
그러나, 유기발광다이오드와 제 2 기판 사이에 공간이 존재하여, 외부의 충격에 의해 제 2 기판의 중심부분이 손상되는 문제점이 있다. 또한, 실런트만으로 외부의 수분과 산소의 침투를 방지하기에 미비한 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 유기전계발광소자의 손상을 방지하고, 외부의 수분과 산소가 침투되는 것을 방지할 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 제 1 기판, 상기 제 1 기판 상에 위치하며, 제 1 전극, 적어도 발광층을 포함하는 유기막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광다이오드, 상기 유기발광다이오드의 전면 상에 위치하며, 하이드록시기 또는 아미노기를 포함하는 유기버퍼층, 상기 유기버퍼층의 전면 상에 위치하는 실런트 및 상기 실런트 상에 위치하는 제 2 기판을 포함할 수 있다.
상기 유기버퍼층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로 이루어질 수 있다.
[화학식 1]
여기서, R은 C, N, O 및 S를 포함하는 방향족 화합물 또는 지방족 화합물이다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 선택된 어느 하나일 수 있다.
상기 화합물은 200 내지 5000 Mw의 분자량을 가질 수 있다.
상기 실런트는 에폭시계 물질일 수 있다.
상기 유기막층은 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은 제 1 기판 상에 제 1 전극, 적어도 발광층을 포함하는 유기막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광다이오드를 형성하는 단계, 상기 유기발광다이오드의 전면 상에 하이드록시기 또는 아미노기를 포함하는 유기버퍼층을 형성하는 단계, 상기 유기버퍼층의 전면 상에 실런트를 형성하는 단계 및 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 유기버퍼층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로 이루어질 수 있다.
[화학식 1]
여기서, R은 C, N, O 및 S를 포함하는 방향족 화합물 또는 지방족 화합물이다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 선택된 어느 하나일 수 있다.
상기 실런트를 형성하는 단계 이후에, 상기 실런트를 경화하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명은 실런트와 화학적 결합을 할 수 있는 하이드록시기 또는 아미드기를 포함하는 유기버퍼층을 형성함으로써, 실런트와 유기버퍼층 사이의 계면의 접착 특성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 외부의 수분과 산소가 유기발광다이오드로 침투되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
또한, 제 2 기판과 유기발광다이오드 사이의 공간을 실런트로 채움으로써, 외부의 충격으로부터 유기발광다이오드를 보호할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1의 유기막층을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자(100)는 제 1 기판(110), 상기 제 1 기판(110) 상에 위치하며, 제 1 전극(130), 적어도 발광층을 포함하는 유기막층(140) 및 제 2 전극(150)을 포함하는 유기발광다이오드(120), 상기 유기발광다이오드(120)의 전면 상에 위치하며, 하이드록시기 또는 아미노기를 포함하는 유기버퍼층(160), 상기 유기버퍼층(160)의 전면 상에 위치하는 실런트(170) 및 상기 실런트(170) 상에 위치하는 제 2 기판(180)을 포함할 수 있다.
상기 기판(110)은 유리, 플라스틱 또는 도전성 물질로 이루어진 투명한 기판을 사용할 수 있다. 이러한 기판(110) 상에는 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 유기발광 다이오드를 보호하기 위해 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등의 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
상기 기판(110) 상에는 제 1 전극(130), 유기막층(140) 및 제 2 전극(150)을 포함하는 유기발광 다이오드(120)가 위치할 수 있다.
상기 제 1 전극(130)은 애노드일 수 있으며, 투명한 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 상기 제 1 전극(130)이 투명한 전극인 경우에 상기 제 1 전극(130)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(130)이 반사 전극일 경우에 상기 제 1 전극(130)은 ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 층 하부에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어진 반사층을 더 포함할 수 있고, 이와 더불어, ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 두 개의 층 사이에 상기 반사층을 포함할 수 있다.
상기 제 1 전극(130)은 스퍼터링법(Sputtering), 증발법(Evaporation), 기상증착법(Vapor Phase Deposition) 또는 전자빔증착법(Electron Beam Deposition)을 사용하여 형성할 수 있다.
제 1 전극(130)이 형성된 기판(110) 상에 유기막층(140)이 위치한다. 유기막층(140)은 적어도 발광층을 포함하며, 발광층의 상부 또는 하부에 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 또는 전자주입층을 더 포함할 수 있다.
보다 자세하게 도 2를 참조하면, 상기 정공주입층(141)은 상기 제 1 전극(130)으로부터 발광층으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 정공주입층(141)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으며, 두께는 5 내지 150nm일 수 있다.
상기 정공수송층(142)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 정공수송층(142)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으며, 두께는 5 내지 150nm일 수 있다.
상기 발광층(143)은 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 발광층(143)이 적색인 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 발광층(143)이 녹색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 발광층(143)이 청색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 전자수송층(144)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 전자수송층(144)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으며, 두께는 1 내지 50nm일 수 있다.
상기 전자수송층(144)은 제 1 전극(130)으로부터 주입된 정공이 발광층(143)을 통과하여 제 2 전극(150)으로 이동하는 것을 방지하는 역할도 할 수 있다. 즉, 정공저지층의 역할을 하여 발광층(143)에서 정공과 전자의 결합을 효율적이게 하는 역할을 하게 된다.
상기 전자주입층(145)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 전자주입층(145)은 무기물을 더 포함할 수 있으며, 상기 무기물은 금속화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 금속화합물은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 을 포함할 수 있다. 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 금속화합물은 LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 전자주입층(145)은 증발법 또는 스핀코팅법으로 형성하거나 유기물과 무기물을 공증착법으로 형성할 수 있다. 또한, 전자주입층의 두께는 1 내지 50nm일 수 있다.
상기 제 2 전극(150)은 캐소드 전극일 수 있으며, 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 여기서, 제 2 전극(150)은 유기전계발광소자가 전면 또는 양면발광구조일 경우, 빛을 투과할 수 있을 정도로 얇은 두께로 형성할 수 있으며, 유기전계발광소자가 배면발광구조일 경우, 빛을 반사시킬 수 있을 정도로 두껍게 형성할 수 있다.
상기 유기발광다이오드(120)의 전면 상에 유기버퍼층(160)이 위치할 수 있다. 유기버퍼층(160)은 외부의 수분 또는 공기가 침투하는 것을 방지하고 외부의 충격으로부터 유기발광다이오드(120)를 보호하는 역할을 할 수 있다.
유기버퍼층(160)은 하이드록시기 또는 아미드기를 포함하는 물질로 이루어질 수 있으며, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로 이루어질 수 있다.
[화학식 1]
여기서, R은 C, N, O 및 S를 포함하는 방향족 화합물 또는 지방족 화합물일 수 있다. 그리고, 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 선택된 어느 하나일 수 있다.
이러한 화합물은 200 내지 5000 Mw의 분자량을 가질 수 있다. 여기서, 유기버퍼층(160)을 구성하는 화합물의 분자량이 200Mw 이상이면, 추후 유기버퍼층(160)의 증착시, 화합물의 분산이 너무 활발해져 챔버가 오염되고 증착율을 조절하기 어려운 문제점을 방지할 수 있는 이점이 있고, 화합물의 분자량이 5000Mw 이하이면, 화합물의 증착시 증발시의 온도가 너무 높아져 화합물이 타는 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
상기 유기버퍼층(160) 전면 상에 실런트(170)가 위치할 수 있다. 실런트(170)는 유기발광다이오드(120)가 형성된 제 1 기판(110)과 제 2 기판(180)을 접착하는 접착제일 수 있으며, 보다 바람직하게는 에폭시계 물질일 수 있다.
본 실시 예에서는 실런트(170)가 유기버퍼층(160)의 전면을 둘러싸고 위치함으로써, 실런트(170)와 유기버퍼층(160) 간의 접착된 계면 특성이 우수해야 한다. 이를 위해, 실런트(170)는 유기버퍼층(160)의 하이드록시기 또는 아미드기와 결합 할 수 에폭시계 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
에폭시계 물질은 제 2 기판(180)과 접착된 후 경화공정을 통해, 유기버퍼층(160)의 말단에 위치한 하이드록시기 또는 아미드기와 화학적으로 결합될 수 있다.
따라서, 유기버퍼층(160)과 실런트(170) 간의 계면의 접착 특성이 우수할 수 있는 이점이 있다.
실런트(170)에 의해 접착된 제 2 기판(180)은 유리, 플라스틱 또는 도전성 물질로 이루어진 투명한 기판을 사용할 수 있으며, 전술한 제 1 기판(110)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 실런트와 화학적 결합을 할 수 있는 하이드록시기 또는 아미드기를 포함하는 유기버퍼층을 형성함으로써, 실런트와 유기버퍼층 사이의 계면의 접착 특성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 외부의 수분과 산소가 유기발광다이오드로 침투되는 것을 방지할 수 있고, 제 2 기판과 유기발광다이오드 사이의 공간을 채움으로써, 외부의 충격으로부터 유기발광다이오드를 보호할 수 있는 이점이 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 전술한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명 하면 다음과 같다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 나타낸 공정별 단면도이다.
도 3a를 참조하면, 유리, 플라스틱 또는 도전성 물질로 이루어진 투명한 기판(210) 상에 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나를 증착하여 제 1 전극(230)을 형성한다.
이어, 상기 제 1 전극(230) 상에 전술한 재료로 이루어진 정공주입층 및 정공수송층을 증착하고, 적색, 녹색 또는 청색을 발광하는 물질을 증착하여 발광층을 형성한다. 그리고, 발광층 상에 전자수송층 및 전자주입층을 형성함으로써, 유기막층(240)을 형성한다.
이어, 상기 유기막층(240)을 포함하는 기판(210) 상에 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금을 증착하여 제 2 전극(250)을 형성하여 유기발광다이오드(220)를 형성한다.
다음, 도 3b를 참조하면, 상기 제조된 유기발광다이오드(220)의 전면 상에 유기버퍼층(260)을 형성한다. 즉, 전술한 바와 같이, 하이드록시기 또는 아미드기를 포함하는 화합물을 유기발광다이오드(220)가 형성된 제 1 기판(210) 상에 형성한다.
이때, 유기버퍼층(260)은 증발법을 이용하여 형성할 수 있으며, 유기버퍼층(260)의 두께는 10 내지 500㎛로 형성할 수 있다.
다음, 유기버퍼층(260)이 형성된 제 1 기판(210) 상에 실런트(270)를 형성한 다. 실런트(270)는 전술한 바와 같이, 에폭시계 물질로 이루어질 수 있으며, 페이스트 또는 필름 형태로 형성할 수 있다.
이어, 도 3c를 참조하면, 실런트(270) 상에 제 2 기판(280)을 정렬한 후, 합착한다. 그리고, 실런트(270)를 경화하는 공정을 수행한다. 경화 공정은 UV 경화 또는 열 경화를 수행할 수 있으며, 열 경화 공정의 경우 실런트(270)일 수 있는 에폭시 물질에 따라 공정 조건을 다양하게 수행할 수 있다. 이때, 실런트(270) 즉, 에폭시가 열 경화되면, 유기버퍼층(260)의 말단에 위치한 하이드록시기 또는 아미드기가 에폭시에 화학적으로 결합될 수 있다.
따라서, 에폭시와 유기버퍼층(260)의 화합물 간에 화학적 결합으로 인해, 실런트(270)와 유기버퍼층(260) 간의 계면 접착 특성이 향상될 수 있다. 그러므로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자(200)를 제조될 수 있다.
상기와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 실런트와 화학적 결합을 할 수 있는 하이드록시기 또는 아미드기를 포함하는 유기버퍼층을 형성함으로써, 실런트와 유기버퍼층 사이의 계면의 접착 특성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 외부의 수분과 산소가 유기발광다이오드로 침투되는 것을 방지할 수 있고, 제 2 기판과 유기발광다이오드 사이의 공간을 채움으로써, 외부의 충격으로부터 유기발광다이오드를 보호할 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 일 실시 예에서는 패시브 매트릭스 유기전계발광소자를 그 예로 설명하였지만, 이에 한정되지 않으며 제 1 기판에 박막트랜지스터를 포함하는 액티브 매트릭스 유기전계발광소자에도 적용할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 개시한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실험 : 소자의 초기 수분 침투 시간 측정
<비교예 1>
유리 기판 상에 제 1 전극으로 ITO를 130nm의 두께로 형성하였고, 제 1 전극 상에 호스트로 DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenyl vinyl) -1,1'-biphenyl)에 도펀트로 페릴렌(Perylene)을 2wt%의 농도를 혼합하여 청색 발광층을 25nm의 두께로 형성하고, 이어, 제 2 전극으로 Al막을 두께 150nm로 형성하여 유기발광다이오드를 제조하였다.
그 후, 유기발광다이오드 전면에 Alq3를 증착하여 유기버퍼층을 형성하고, 유기버퍼층 상에 에폭시 수지를 도포하여 실런트를 형성한 후 제 2 기판을 합착하여 유기전계발광소자를 제조하였다.
<비교예 2>
전술한 비교예 1과 동일한 공정 조건 하에, DNTPD를 증착하여 유기버퍼층을 형성한 것만 달리하여 유기전계발광소자를 제조하였다.
<실시예 1>
전술한 비교예 1과 동일한 공정 조건 하에, 하기 화학식으로 표시되는 하이 드록시기를 포함하는 화합물을 증착하여 유기버퍼층을 형성한 것만 달리하여 유기전계발광소자를 제조하였다.
<실시예 2>
전술한 비교예 1과 동일한 공정 조건 하에, 하기 화학식으로 표시되는 하이드록시기를 포함하는 화합물을 증착하여 유기버퍼층을 형성한 것만 달리하여 유기전계발광소자를 제조하였다.
<실시예 3>
전술한 비교예 1과 동일한 공정 조건 하에, 하기 화학식으로 표시되는 아미드기를 포함하는 화합물을 증착하여 유기버퍼층을 형성한 것만 달리하여 유기전계발광소자를 제조하였다.
상기 비교예 1 및 2와 실시예 1 내지 3에 따라 제조된 유기전계발광소자를 85℃의 온도와 85%의 습도 분위기에서 소자 내로의 초기 수분 침투 시간을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
| 유기버퍼층의 두께(Å) | 초기 수분 침투 시간(hr) | |
| 비교예 1 | 1000 | 22 |
| 비교예 2 | 1000 | 23 |
| 실시예 1 | 1000 | 29 |
| 실시예 2 | 1200 | 32 |
| 실시예 3 | 1000 | 28 |
상기 표 1을 참조하면, 하이드록시기 또는 아미드기를 포함하는 유기버퍼층이 형성된 실시예 1 내지 3은 하이드록시기 또는 아미드기를 포함하지 않는 유기버퍼층이 형성된 비교예 및 2보다 초기 수분 침투 시간이 훨씬 늦다는 것을 알 수 있다.
즉, 실시예 1 내지 3과 같이, 유기버퍼층의 하이드록시기 또는 아미드기가 실런트와 화학적 결합을 함으로써, 유기버퍼층과 실런트 간의 계면 접착 특성을 향상시켜 외부의 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 유기막층을 나타낸 도면.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면.
Claims (10)
- 제 1 기판;상기 제 1 기판 상에 위치하며, 제 1 전극, 적어도 발광층을 포함하는 유기막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광다이오드;상기 유기발광다이오드의 전면 상에 위치하며, 하이드록시기 또는 아미노기를 포함하는 유기버퍼층;상기 유기버퍼층의 전면 상에 위치하는 실런트; 및상기 실런트 상에 위치하는 제 2 기판을 포함하는 유기전계발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 유기버퍼층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로 이루어진 유기전계발광소자.
여기서, R은 C, N, O 및 S를 포함하는 방향족 화합물 또는 지방족 화합물이다. - 제 2항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 선택된 어느 하나인 유기전계발광소자.
- 제 3항에 있어서,상기 화합물은 200 내지 5000 Mw의 분자량을 갖는 유기전계발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 실런트는 에폭시계 물질인 유기전계발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 유기막층은 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이 루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 더 포함하는 유기전계발광소자.
- 제 1 기판 상에 제 1 전극, 적어도 발광층을 포함하는 유기막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광다이오드를 형성하는 단계;상기 유기발광다이오드의 전면 상에 하이드록시기 또는 아미노기를 포함하는 유기버퍼층을 형성하는 단계;상기 유기버퍼층의 전면 상에 실런트를 형성하는 단계; 및상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 유기버퍼층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로 이루어진 유기전계발광소자의 제조방법.[화학식 1]
여기서, R은 C, N, O 및 S를 포함하는 방향족 화합물 또는 지방족 화합물이 다. - 제 8항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 선택된 어느 하나인 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 실런트를 형성하는 단계 이후에,상기 실런트를 경화하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.
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