KR20090065920A

KR20090065920A - 유기전계발광표시장치

Info

Publication number: KR20090065920A
Application number: KR1020070133467A
Authority: KR
Inventors: 이종무; 김명섭; 양원재; 최현주; 서정대
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2007-12-18
Filing date: 2007-12-18
Publication date: 2009-06-23

Abstract

본 발명은 제 1 기판, 상기 제 1 기판 상에 위치하며, 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광소자, 상기 유기발광소자를 상에 위치하는 보호막, 상기 보호막 상에 위치하는 박막 게터층, 상기 유기발광소자를 밀봉하는 제 2 기판 및 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 위치하는 밀봉제를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.

박막 게터

Description

유기전계발광표시장치{Organic Light Emitting Display Device}

본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.

최근, 표시장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 전계발광표시장치(Light Emitting Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.

이들 중, 액정표시장치는 음극선관에 비하여 시인성이 우수하고, 평균소비전력 및 발열량이 작으며, 또한, 전계발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어서, 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.

유기전계발광표시장치를 구동하는 방식에는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식과 박막 트랜지스터(thin film transistor)를 이용한 능동 매트릭스(active matrix) 방식이 있다. 수동 매트릭스 방식은 양극과 음극을 직교하도록 형성하고 라인을 선택하여 구동하는데 비해, 능동 매트릭스 방식은 박막 트랜지스터를 각 화소 전극에 연결하고 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 커패시터 용량에 의해 유지된 전압에 따라 구동하는 방식이다.

이러한 유기전계발광표시장치는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유기물로 이루어진 발광층이 위치하여, 발광층에서 빛을 발광하는 자발광소자이다. 그러나, 발광층이 유기물로 이루어져, 유기물의 특성상 수분에 열약한 단점이 있다.

이를 위해서, 유기전계발광표시장치는 외부의 수분이 발광층으로 침투되는 것을 방지하기 위해 수분을 흡수할 수 있는 게터를 구비하고 있다.

그러나, 종래 유기전계발광표시장치는 게터를 구비하기 위한 영역을 형성하기 위해 제 2 기판을 에칭하는 방법을 이용하기 때문에 유기전계발광표시장치의 두께가 두꺼워지고 사이즈가 커지는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치는 표시장치의 두께를 줄여 초박형의 유기전계발광표시장치를 제공한다.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치는 제 1 기판, 상기 제 1 기판 상에 위치하며, 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광소자, 상기 유기발광소자를 상에 위치하는 보호막, 상기 보호막 상에 위치하는 박막 게터층, 상기 유기발광소자를 밀봉하는 제 2 기판 및 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 위치하는 밀봉제를 포함할 수 있다.

또한, 제 1 기판 상에 반도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 더 포함할 수 있다.

또한, 보호막은 유기막, 무기막 또는 이들의 다중층일 수 있다.

또한, 박막 게터층은 수소화금속, 수소화보론금속, 알칼리 토금속, 전이금속, 산화금속 및 유기물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있다.

또한, 박막 게터층은 각각 수소화금속, 수소화보론금속, 알칼리 토금속, 전이금속, 산화금속 및 유기물로 이루어진 층들 중 둘 이상이 교대로 적층된 복합층일 수 있다.

또한, 박막 게터층은 수소화금속, 수소화보론금속, 알칼리 토금속, 전이금 속, 산화금속 및 유기물 중 둘 이상이 혼합된 혼합층일 수 있다.

또한, 박막 게터층은 상기 복합층 및 상기 혼합층이 적층될 수 있다.

또한, 박막 게터층의 두께는 10nm 내지 100㎛일 수 있다.

또한, 밀봉제는 에폭시(epoxy)계, 아크릴(acryl)계, 이미드(imide)계 또는 실레인(silane)계 물질로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있다.

또한, 제 1 기판 및 상기 제 2 기판은 플라스틱, 유리 및 금속으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.

따라서, 본 발명의 유기전계발광표시장치는 수분으로부터 발광층을 보호하고, 표시장치의 초박형화를 구현할 수 있는 이점이 있다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명하도록 한다.

<실시예>

도 1 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치를 나타낸 도면이다.

먼저, 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치 는 제 1 기판(100), 상기 제 1 기판(100) 상에 위치하며, 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광소자(200), 상기 유기발광소자(200) 상에 위치하는 보호막(300), 상기 보호막(300) 상에 위치하는 박막 게터층(400), 상기 유기발광소자(200)를 밀봉하는 제 2 기판(500) 및 상기 제 1 기판(100)과 상기 제 2 기판(500) 사이에 위치하는 밀봉제(600)를 포함할 수 있다.

도 2를 참조하여 제 1 기판(100), 유기발광소자(200) 및 보호막(300)에 대해 자세히 설명하면 다음과 같다.

제 1 기판(100)은 유리, 플라스틱 및 금속으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있다.

유기발광소자(200)의 구조를 살펴보면, 제 1 기판(100) 상에 버퍼층(105)이 위치한다. 상기 버퍼층(105)은 제 1 기판(100)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터를 보호하기 위해 형성되는 것으로, 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 이루어질 수 있다.

상기 버퍼층(105) 상에 반도체층(110)이 위치한다. 상기 반도체층(110)은 비정질 실리콘 또는 결정화된 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반도체층(110)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 상기 소오스 영역 및 드레인 영역 이외의 채널 영역을 포함할 수 있다.

상기 반도체층(110) 상에 게이트 절연막일 수 있는 제 1 절연막(115)이 위치한다. 상기 제 1 절연막(115)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중충일 수 있다.

상기 제 1 절연막(115) 상에 상기 반도체층(110)의 일정 영역, 즉 불순물이 주입되었을 경우의 채널 영역과 대응되는 위치에 게이트 전극(120)이 위치한다.

상기 게이트 전극(120)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.

또한, 상기 게이트 전극(120)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(120)은 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.

상기 게이트 전극(120) 상에 제 2 절연막(125)이 위치한다. 상기 제 2 절연막(125)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.

상기 제 2 절연막(125) 및 제 1 절연막(115)의 일부 영역을 관통하며, 반도체층(110)의 일부를 노출시키는 콘택홀들(130a, 130b)이 위치한다.

상기 제 2 절연막(125) 및 제 1 절연막(115)을 관통하는 콘택홀들(130a, 130b)을 통하여 반도체층(110)과 전기적으로 연결되는 소오스 전극(140a) 및 드레인 전극(140b)이 위치한다.

상기 소오스 전극(140a) 및 드레인 전극(140b)은 단일층 또는 다중층으로 이 루어질 수 있으며, 상기 소오스 전극(140a) 및 드레인 전극(140b)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.

또한, 상기 소오스 전극(140a) 및 드레인 전극(140b)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 티타늄/알루미늄/티타늄, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.

상기 소오스 전극(140a) 및 드레인 전극(140b) 상에 제 3 절연막(145)이 위치한다. 상기 제 3 절연막(145)은 하부 구조의 단차를 완화시키기 위한 평탄화막일 수 있으며, 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물 등을 액상 형태로 코팅한 다음 경화시키는 스핀 코팅(spin coating)과 같은 방법으로 형성될 수 있다. 이와는 달리, 상기 제 3 절연막(145)은 패시베이션막일 수 있으며, 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.

상기 제 3 절연막(145)을 관통하여 드레인 전극(140b)을 노출시키는 비어홀(150)이 위치한다.

상기 비어홀(150)을 통해 상기 드레인 전극(140b)과 연결된 제 1 전극(155) 이 위치한다. 상기 제 1 전극(155)은 애노드일 수 있다. 여기서, 유기전계발광표시장치의 구조가 배면 또는 양면발광일 경우에 상기 제 1 전극(155)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 등의 투명한 물질로 이루어질 수 있다.

또한, 유기전계발광표시장치의 구조가 전면발광일 경우에 상기 제 1 전극(155)은 ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 층 하부에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어진 반사층을 더 포함할 수 있고, 이와 더불어, ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 두 개의 층 사이에 상기 반사막을 포함하는 다중층 구조를 가질 수 있다.

상기 제 1 전극(155) 상에 제 1 전극(155)의 일부를 노출시키는 개구부(165)를 포함하는 제 4 절연막(160)이 위치한다. 상기 제 4 절연막(160)은 화소정의막일 수 있으며, 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물로 이루어질 수 있다.

상기 개구부(165)에 의해 노출된 제 1 전극(155) 상에 발광층(170)이 위치한다.

발광층(170)은 적색, 녹색, 청색 및 백색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성될 수 있다.

상기 발광층(170)이 적색인 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군 에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.

상기 발광층(170)이 녹색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.

상기 발광층(170)이 청색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다.

이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.

또한, 상기 제 1 전극(155)과 발광층(170) 사이에 정공주입층 및 정공수송층이 더 형성될 수 있다. 상기 정공주입층은 상기 제 1 전극(155)으로부터 발광층(170)으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 정공주입층은 증발 법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성될 수 있다.

상기 정공수송층은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 정공수송층은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있다.

또한, 발광층(170)과 추후 형성되는 제 2 전극(175) 사이에는 전자수송층 및 전자주입층이 더 형성될 수 있다. 상기 전자수송층은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 전자수송층은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성될 수 있다.

상기 전자수송층은 제 1 전극(155)으로부터 주입된 정공이 발광층(170)을 통과하여 제 2 전극(175)으로 이동하는 것을 방지하는 역할도 할 수 있다. 즉, 정공저지층의 역할을 하여 발광층(170)에서 정공과 전자의 결합을 효율적이게 하는 역할을 할 수도 있다.

상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 전자주입층은 전자주입층을 이루는 유기물과 무기물을 공증착법으로 형성할 수 있다. 여기서, 정공주입층 또는 전자주입층은 무기물을 더 포함할 수 있으며, 상기 무기물은 금속화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 금속화합물은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함할 수 있다.

상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 금속화합물은 LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.

즉, 전자주입층 내의 무기물은 제 2 전극(175)으로부터 발광층(170)으로 주입되는 전자의 호핑(hopping)을 용이하게 하여, 발광층(170) 내로 주입되는 정공과 전자의 밸런스를 맞추어 발광효율을 향상시킬 수 있다.

또한, 정공주입층 내의 무기물은 제 1 전극(155)으로부터 발광층(170)으로 주입되는 정공의 이동성을 줄여줌으로써, 발광층(170) 내로 주입되는 정공과 전자의 밸런스를 맞추어 발광효율을 향상시킬 수 있다.

상기 발광층(170) 상에 제 2 전극(175)이 위치한다. 상기 제 2 전극(175)은 캐소드 전극일 수 있으며, 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.

여기서, 제 2 전극(175)은 유기전계발광표시장치가 전면 또는 양면발광구조일 경우, 빛을 투과할 수 있을 정도로 얇은 두께로 형성할 수 있으며, 유기전계발광표시장치가 배면발광구조일 경우, 빛을 반사시킬 수 있을 정도로 두껍게 형성할 수 있다.

상기와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자(200)는 제 1 전 극(155), 발광층(170) 및 제 2 전극(175)을 포함할 수 있으며, 반도체층(110), 게이트 전극(120), 소오스 전극(140a) 및 드레인 전극(140b)을 더 포함할 수 있다.

그리고, 상기와 같은 구성을 포함하는 유기발광소자(200) 상에 보호막(300)이 위치한다. 상기 보호막(300)은 유기발광소자(200)를 보호하는 역할을 하며, 유기발광소자(200)를 덮는 구조로 이루어질 수 있다.

상기 보호막(300)은 유기막 또는 무기막으로 이루어질 수 있다. 여기서, 유기막으로는 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등으로 이루어질 수 있으며, 무기막으로 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)로 이루어질 수 있다.

또한, 상기 보호막(300)은 유기막과 무기막이 교대로 적층된 다중층일 수 있다. 예를 들어, 상기 보호막(300)은 유기막/무기막의 2중층, 무기막/유기막/무기막의 3중층, 무기막/유기막/무기막/유기막의 4중층 또는 그 이상의 다중층일 수 있다.

또한, 상기 보호막(300)은 전술한 유기물과 무기물이 혼합된 혼합층일 수 있다. 이러한 혼합층은 예를 들어 유기물과 무기물의 공증착으로 이루어질 수 있다.

이하, 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 게터층에 대해 자세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 게터층(400)은 외부로부터 침투된 수분을 흡수하여 유기발광소자(200)를 보호하는 역할을 하는 것으로, 상기 유기발광소 자(200)를 모두 덮는 구조로 이루어질 수 있다.

상기 박막 게터층(400)은 수분 흡수력이 우수한 수소화금속, 수소화보론금속, 알칼리 토금속, 전이금속, 산화금속 및 유기물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.

수소화금속으로는 LiH, NaH 등을 사용할 수 있고, 수소화보론금속으로는 LiBH4, NaBH4 등을 사용할 수 있다. 또한, 산화금속으로는 BaO, CaO, SrO 등을 사용할 수 있다.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 상기 박막 게터층(400)은 각각 수소화금속, 수소화보론금속, 알칼리 토금속, 전이금속, 산화금속 및 유기물로 이루어진 층들 중 둘 이상이 교대로 적층된 복합층일 수 있다.

예를 들어, 상기 박막 게터층(400)은 수소화금속으로 이루어진 제 1 층(410) 및 수소화보론금속으로 이루어진 제 2 층(420)이 교대로 적층된 복합층일 수 있다. 또한, 알칼리 토금속으로 이루어진 제 1 층(410) 및 전이금속으로 이루어진 제 2 층(420)이 적층된 복합층일 수 있다.

또한, 산화금속으로 이루어진 제 1 층(410), 수소화금속으로 이루어진 제 2 층(420) 및 전이금속으로 이루어진 제 3 층(430)이 적층된 복합층일 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.

그리고, 도 3c를 참조하면, 상기 박막 게터층(400)은 수소화금속, 수소화보론금속, 알칼리 토금속, 전이금속, 산화금속 및 유기물 중 둘 이상이 혼합된 혼합층일 수 있다.

예를 들어, 상기 박막 게터층(400)은 수소화금속(450)과 수소화보론금속(460)이 혼합된 혼합층일 수 있다. 이와는 달리, 알칼리 토금속(450)과 전이금속(460)이 혼합된 혼합층일 수도 있으며, 이에 한정되지 않는다.

상기와 같은, 상기 박막 게터층(400)이 혼합층일 경우에는 증착챔버 내에 제 1 타겟과 제 2 타겟을 함께 구비하고 이를 동시에 증착하는 공증착법으로 형성될 수 있다. 즉, 수소화금속인 제 1 타겟과 수소화보론금속인 제 2 타겟을 증착챔버 내에 구비하고 동시에 증착하는 방법으로 형성될 수 있다.

그리고, 도 3d를 참조하면, 상기 박막 게터층(400)은 전술한 복합층 및 혼합층이 적층된 것일 수 있다.

예를 들어, 상기 박막 게터층(400)은 수소화금속(450)과 수소화보론금속(460)이 혼합된 혼합층과, 수소화금속으로 이루어진 제 1 층(480) 및 수소화보론금속으로 이루어진 제 2 층(490)이 교대로 적층된 복합층이 적층될 수 있다. 즉, 혼합층에 복합층이 적층된 구조일 수 있다.

상기 박막 게터층(400)은 10nm 내지 100㎛의 두께로 이루어질 수 있다. 여기서, 박막 게터층(400)의 두께가 10nm 이상이면, 외부로부터 침투된 수분의 흡수율을 높일 수 있는 이점이 있고, 박막 게터층(400)의 두께가 100㎛ 이하이면, 표시장치의 두께를 줄일 수 있어 초박형의 유기전계발광표시장치를 구현할 수 있는 이점이 있다.

다시 도 1을 참조하면, 제 1 기판(100)을 밀봉하는 제 2 기판(500)이 위치한다. 제 2 기판(500)은 제 1 기판(100)과 같이 유리, 플라스틱 및 금속기판으로 이 루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.

상기 제 1 기판(100)과 제 2 기판(500) 사이에 제 1 기판(100)과 제 2 기판(500)을 접착시키는 밀봉제(600)가 위치한다. 상기 밀봉제(600)는 제 1 기판(100)과 제 2 기판(500) 사이를 꽉 채울 수 있다.

상기 밀봉제(600)는 접착 특성이 우수하며, 빛의 투과율이 우수한 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 밀봉제(600)는 열경화성 또는 광경화성 물질로 이루어질 수 있으며, 에폭시(epoxy)계, 아크릴(acryl)계, 이미드(imide)계 또는 실레인(silane)계 물질로 이루어질 수 있다.

상기와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치는 종래 제 2 기판을 에칭하여 게터를 구비하는 것과는 달리, 초박막 형태의 박막 게터층을 유기발광소자 상에 형성함으로써, 외부의 수분으로부터 유기발광소자를 보호하고, 표시장치의 두께를 줄여 초박형의 유기전계발광표시장치를 구현할 수 있는 이점이 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모 든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치를 나타낸 도면.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자를 나타낸 도면.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 게터층의 다양한 실시 예를 나타낸 도면.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

100 : 제 1 기판 200 : 유기발광소자

300 : 보호막 400 : 박막 게터층

500 : 제 2 기판 600 : 밀봉제

Claims

제 1 기판;

상기 제 1 기판 상에 위치하며, 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광소자;

상기 유기발광소자를 상에 위치하는 보호막;

상기 보호막 상에 위치하는 박막 게터층;

상기 유기발광소자를 밀봉하는 제 2 기판; 및

상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 위치하는 밀봉제를 포함하는 유기전계발광표시장치.
제 1항에 있어서,

상기 제 1 기판 상에 반도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하는 유기전계발광표시장치.
제 1항에 있어서,

상기 보호막은 유기막, 무기막 또는 이들의 다중층인 유기전계발광표시장치.
제 1항에 있어서,

상기 박막 게터층은 수소화금속, 수소화보론금속, 알칼리 토금속, 전이금속, 산화금속 및 유기물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 유기전계발광표시장치.
제 1항에 있어서,

상기 박막 게터층은 각각 수소화금속, 수소화보론금속, 알칼리 토금속, 전이금속, 산화금속 및 유기물로 이루어진 층들 중 둘 이상이 교대로 적층된 복합층인 유기전계발광표시장치.
제 1항에 있어서,

상기 박막 게터층은 수소화금속, 수소화보론금속, 알칼리 토금속, 전이금속, 산화금속 및 유기물 중 둘 이상이 혼합된 혼합층인 유기전계발광표시장치.
제 5항 또는 제 6항에 있어서,

상기 박막 게터층은 상기 복합층 및 상기 혼합층이 적층된 유기전계발광표시 장치.
제 1항에 있어서,

상기 박막 게터층의 두께는 10nm 내지 100㎛인 유기전계발광표시장치.
제 1항에 있어서,

상기 밀봉제는 에폭시(epoxy)계, 아크릴(acryl)계, 이미드(imide)계 또는 실레인(silane)계 물질로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 유기전계발광표시장치.
제 1항에 있어서,

상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판은 플라스틱, 유리 및 금속으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어진 유기전계발광표시장치.