KR20110046714A - Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110046714A
KR20110046714A KR1020090103321A KR20090103321A KR20110046714A KR 20110046714 A KR20110046714 A KR 20110046714A KR 1020090103321 A KR1020090103321 A KR 1020090103321A KR 20090103321 A KR20090103321 A KR 20090103321A KR 20110046714 A KR20110046714 A KR 20110046714A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal plate
heat dissipation
insulating layer
circuit
slot
Prior art date
Application number
KR1020090103321A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101075612B1 (ko
Inventor
조석현
조한서
서연수
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020090103321A priority Critical patent/KR101075612B1/ko
Publication of KR20110046714A publication Critical patent/KR20110046714A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101075612B1 publication Critical patent/KR101075612B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 LED 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 일부분에 관통 형성된 슬롯에 의해 서로 분리된 회로부 및 방열부를 포함하는 금속판; 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 상면 일부분을 오픈하도록 상기 슬롯의 내부를 포함한 상기 금속판의 표면에 형성된 절연층; 상기 절연층에 오픈된 상기 금속판의 상기 방열부 상에 실장된 LED 칩; 상기 LED 칩과 상기 금속판의 상기 방열부 및 상기 회로부 간을 전기적으로 접속시키는 한 쌍의 와이어; 및 상기 LED 칩 및 상기 와이어를 덮도록 상기 금속판 상에 형성된 투명 수지;를 포함하는 LED 패키지를 제공하고, 또한 본 발명은 상기 LED 패키지의 제조방법을 제공한다.
금속판, 방열부, 회로부, LED

Description

ＬＥＤ 패키지 및 그 제조방법{LED package and the method of manufacturing thereof}
본 발명은 LED 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 하나의 금속판에 방열부 및 회로부가 함께 구비된 LED 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 발광 다이오드(light emitting diode; LED)는 낮은 소비전력, 고휘도 등의 여러 장점 때문에 광원으로서 널리 사용되고 있다.
특히 최근 발광 다이오드는 조명 장치 및 LCD(liquid crystal display)용 백라이트(back light) 장치로 채용되고 있으며, 이와 같은 발광 다이오드는 조명 장치 등 각종 장치에 장착되기 용이한 패키지 형태로 제공되는데, 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드의 보호 및 장치와의 연결 구조뿐만 아니라, 발광 다이오드로부터 발생된 열을 방출시키기 위한 방열 성능도 중요한 평가 기준이 된다.
높은 방열 성능은 일반 조명장치 및 LCD용 백라이트와 같이 고출력 발광 다 이오드가 요구되는 분야에서 보다 중요하게 요구되는 패키지 조건이다.
즉, 발광 다이오드 패키지에서 발광 다이오드의 성능과 수명은 그 작동 온도가 높아짐에 따라 지수적으로 감소될 수 있고, 발광 다이오드의 작동 온도가 일정 온도 이상 높아지게 되면 패키지가 변색될 수 있기 때문에 최적의 작동 온도가 유지될 수 있도록 발광 다이오드로부터 발생된 열을 충분히 방출할 수 있어야 한다.
이에 따라 최근에는 구조를 간소화하고 방열 성능을 향상시켜 성능 및 수명을 연장시킬 수 있도록 한 발광 다이오드 패키지에 관한 여러 가지 검토가 이루어지고 있다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로서, 본 발명의 목적은, 하나의 금속판에 방열부 및 회로부가 함께 형성되도록 함으로써, LED 패키지의 구조를 간소화하고, 금속판 위에 LED 칩을 직접 실장하여 방열 성능을 향상시키고 성능 및 수명을 연장시킬 수 있는 LED 패키지 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 의한 LED 패키지는, 일부분에 관통 형성된 슬롯에 의해 서로 분리된 회로부 및 방열부를 포함하는 금속판; 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 상면 일부분을 오픈하도록 상기 슬롯의 내부를 포함한 상기 금속판의 표면에 형성된 절연층; 상기 절연층에 오픈된 상기 금속판의 상기 방열부 상에 실장된 LED 칩; 상기 LED 칩과 상기 금속판의 상기 방열부 및 상기 회로부 간을 전기적으로 접속시키는 한 쌍의 와이어; 및 상기 LED 칩 및 상기 와이어를 덮도록 상기 금속판 상에 형성된 투명 수지;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 절연층에 오픈된 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부 상면에 형성된 표면처리층을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 절연층은 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 하면 일부분을 오픈하도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 절연층에 오픈된 상기 금속판의 하면에 형성된 단자를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 금속판의 상기 회로부와 상기 방열부는 서로 동일한 두께를 가질 수 있다.
또한, 상기 금속판의 상기 회로부와 상기 방열부는 서로 다른 두께를 가질 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 의한 LED 패키지의 제조방법은, 금속판의 일부분에 복수의 브릿지부에 의해 서로 이격된 슬롯을 가공하여, 상기 슬롯 내측의 회로부 및 상기 슬롯 외측의 방열부를 각각 정의하는 단계; 상기 슬롯의 내부를 포함한 상기 금속판의 표면에 절연층을 도포하는 단계; 상기 절연층의 일부분을 제거하여 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 일부분을 오픈시키는 단계; 상기 브릿지부와 대응하는 상기 절연층 및 상기 금속판 부분을 제거하는 단계; 상기 금속판의 상기 방열부 상에 LED 칩을 실장하는 단계; 상기 LED 칩과 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부를 각각 전기적으로 연결하는 한 쌍의 와이어를 본딩하는 단계; 및 상기 LED 칩 및 상기 와이어를 덮도록 상기 금속판의 회로부 및 방열부 상에 투명수지를 패킹하는 단계;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 슬롯을 가공하는 단계에서, 상기 슬롯은 상기 금속판에 금형 타발 또는 워터 젯 가공 방식에 의해 가공할 수 있다.
또한, 상기 슬롯을 가공하는 단계에서, 상기 슬롯은 복수의 절곡부를 갖는 물결 라인 형상으로 가공할 수 있다.
또한, 상기 절연층의 일부분을 제거하여 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 일부분을 오픈시키는 단계에서, 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 상면 일부분을 오픈시킬 수 있다.
또한, 상기 절연층의 일부분을 제거하여 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 일부분을 오픈시키는 단계에서, 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 상면 및 하면 일부분을 오픈시킬 수 있다.
또한, 상기 절연층의 일부분을 제거하여 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 일부분을 오픈시키는 단계 이후에, 상기 절연층에 오픈된 상기 금속판의 하면에 단자를 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 절연층의 일부분을 제거하여 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 일부분을 오픈시키는 단계 이후에, 상기 절연층에 오픈된 상기 금속판의 회로부 및 방열부 표면에 표면처리층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 투명수지를 패킹하는 단계에서, 상기 브릿지부와 대응하는 상기 절연층 및 상기 금속판의 제거된 부분에 상기 투명수지를 충진할 수 있다.
또한, 상기 투명수지를 패킹하는 단계 이후에, 상기 절연층을 포함한 상기 금속판을 칩 단위로 절단하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 금속판의 일부분에 복수의 브릿지부에 의해 서로 이격된 슬롯을 가공하여, 상기 슬롯 내측의 회로부 및 상기 슬롯 외측의 방열부를 각각 정의하는 단계에서, 상기 슬롯 내측의 회로부를 양극용과 음극용으로 2개를 형성하고, 상기 슬롯 외측의 전기가 통하지 않는 방열부를 형성할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 LED 패키지 및 그 제조방법에 의하면, 하나의 금속판에 방열부 및 회로부가 함께 형성되도록 함으로써, LED 패키지의 구조를 간소화하여 원가를 절감할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 금속판 위에 LED 칩을 직접 실장하여 방열 성능을 향상시킬 수 있으며, 패키지의 성능을 개선하고 수명을 연장시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 복수개의 LED 칩이 부착된 LED 모듈을 제작한 경우 복수개의 칩 중 일부 칩이 불량이 나더라도 칩 단위로 절단하여 양품 칩은 표면실장용 칩 부품으로 사용할 수 있는 장점이 있다.
본 발명에 따른 LED 패키지 및 그 제조방법의 상기 목적에 대한 기술적 구성을 비롯한 작용효과에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 도면을 참조한 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.
먼저, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 구조를 나타낸 평면도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 구조를 나타낸 저면도이며, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지는, 일부분에 관통 형성된 슬롯(110)에 의해 서로 분리된 회로부(A) 및 방열부(B)를 포함하는 금속판(100)과, 상기 금속판(100)의 상기 회로부(A) 및 방열부(B)의 상면 일부분을 오픈하도록 상기 슬롯(110)의 내부를 포함한 금속판(100)의 표면에 형성된 절연층(120)과, 상기 절연층(120)에 오픈된 상기 금속판(100)의 상기 회로부(A) 및 방열부(B) 상면에 형성된 표면처리층(130)과, 상기 방열부(B)의 표면처리층(130) 상에 실장된 LED 칩(140)과, 상기 LED 칩(140)과 상기 방열부(B) 및 상기 회로부(A)의 표면처리층(130)간을 전기적으로 접속시키는 한 쌍의 와이어(150)와, 상기 LED 칩(140) 및 와이어(150)를 덮도록 상기 표면처리층(130) 상에 형성된 투명 수지(160)를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 하나의 금속판(100)에 회로부(A)와 방열부(B)가 같이 형성되어 있고, 상기 회로부(A)와 방열부(B)는 상기 금속판(100)의 일부분에 관통 형성된 슬롯(110)의 내부에 형성된 절연층(120)에 의해 서로 분리되어 있다.
상기 금속판(100)은 열전도도가 우수한 재료, 예컨대 알루미늄(Al) 등의 금속으로 이루어질 수 있다.
상기 절연층(120)은 PSR(photo solder resist) 등의 절연재로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 절연층(120)은 상기 금속판(100)의 상면 일부분과 함께 상기 금속판(100)의 회로부(A) 및 방열부(B)의 하면 일부분을 오픈하도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 절연층(120)에 오픈된 금속판(100)의 하면에는 전기접속을 위한 단자(170)가 형성되어 별도의 인쇄회로기판 상에 표면 실장으로 부착될 수 있다.
상기 절연층(120)에 오픈된 상기 금속판(100)의 상면에 형성된 상기 표면처리층(130)은, 오픈된 금속판(100) 부분이 산화되는 것을 방지하는 것으로서, 니켈 및 금 도금 방법 등에 의해 형성될 수 있다.
상기 금속판(100)의 회로부(A)와 방열부(B)는 도면에서와 같이 동일한 두께를 가질 수도 있으나, 서로 다른 두께를 가질 수도 있다.
상기 회로부(A)와 방열부(B)가 서로 다른 두께를 갖는 경우, 금속판(100)의 회로부(A)와 방열부(B)는 서로 다른 두께의 금속판으로 각각 제작된 후 조립된 것일 수 있다.
상기 금속판(100)의 상기 회로부(A)와 상기 방열부(B)에는 서로 반대 극의 전류가 인가될 수 있다. 예컨대, 상기 금속판(100)의 회로부(A)에는 (+)극 또는 (-)극의 전류가 인가되고, 상기 방열부(B)에는 상기 회로부(A)와 반대 극의 전류가 인가될 수 있다.
또는, 상기 회로부(A)에 (+)극 및 (-)극 각각을 위한 회로가 형성되어 있고, 상기 방열부(B)에는 전기가 통하지 않을 수도 있다.
이하, 도 4a 내지 도 4j를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 4a 내지 도 4j는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, 금속판(100)을 준비한다. 상기 금속판(100)은 Al 등과 같이 열전도도가 우수한 재료로 이루어질 수 있다.
그런 다음, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 금속판(100)의 일부분에 복수의 브릿지부(110a)에 의해 서로 이격된 슬롯(slot; 110)을 가공하여, 슬롯(110) 내측의 회로부(A) 및 슬롯(110) 외측의 방열부(B)를 각각 정의한다.
여기서, 상기 슬롯(110)은 상기 금속판(100)에 금형 타발 또는 워터 젯(water jet) 등의 가공 방식에 의해 가공될 수 있다.
또한, 상기 슬롯(110)은, 복수의 절곡부를 갖는 물결 라인 형상 등으로 가공될 수 있다.
이때, 상기 슬롯(110)의 내측 폭(w)이 작을수록, 방열부(B)의 면적이 커져서 패키지의 방열성이 더욱 향상될 수 있다.
상기 금속판(100)의 회로부(A)와 방열부(B)는 상기 브릿지부(110a)에 의해 서로 전기적으로 연결되어 있다.
이때, 상기 브릿지부(110a)는 후속의 LED 칩(도 4g의 도면부호 "140" 참조) 실장 공정 이전에 제거되어 상기 회로부(A)와 상기 방열부(B)가 서로 전기적으로 분리되도록 할 수 있다.
다음으로, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 슬롯(110)의 내부를 포함한 상기 금속판(100)의 표면에 절연층(120)을 도포한다. 상기 절연층(120)은 PSR 등과 같은 절연재로 이루어질 수 있다.
그런 후에, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 절연층(120)의 일부분을 제거하여 상기 금속판(100)의 상기 회로부(A) 및 상기 방열부(B)의 일부분을 오픈시킨다.
상기 절연층(120)의 제거 공정은 노광 및 현상 공정 등을 통해 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 절연층(120)의 일부분을 제거하여 상기 금속판(100)의 회로부(A) 및 방열부(B)의 일부분을 오픈시킬 때에, 상기 금속판(100)의 회로부(A) 및 방열부(B)의 상면 일부분을 오픈시킬 수 있으나, 상기 금속판(100)의 상면 일부분과 함께 상기 금속판(100)의 회로부(A) 및 방열부(B)의 하면 일부분도 오픈시킬 수 있다.
이때, 상기 절연층(120)에 오픈된 상기 금속판(100)의 하면에는 전기접속을 위한 단자(170)가 형성되어 별도의 인쇄회로기판 상에 표면 실장으로 부착될 수 있다.
그런 다음, 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 절연층(120)에 오픈된 금속판(100)의 회로부(A) 및 방열부(B) 표면에 산화방지를 위한 표면처리층(130)을 형성한다.
상기 표면처리층(130)은, 오픈된 금속판(100) 부분이 산화되는 것을 방지하기 위한 것으로서, 니켈 및 금 도금 등의 방법에 의해 형성될 수 있다.
이때 상기 표면처리층(130)의 형성은 생략될 수도 있다.
다음으로, 도 4f에 도시된 바와 같이, 상기 브릿지부(110a)와 대응하는 상기 절연층(120) 및 금속판(100) 부분을 제거하여 홀을 형성한다. 상기 브릿지부(100a)의 금속판(100)이 제거됨에 따라 상기 회로부(A)와 방열부(B)가 전기적으로 서로 분리된다.
그런 다음, 상기한 바와 같이 전기적으로 분리된 상기 회로부(A) 및 방열부(B)를 각각 전기 검사한다.
상기 금속판(100)의 상기 회로부(A)와 상기 방열부(B)에는 서로 반대 극의 전류가 인가될 수 있다. 예컨대, 상기 금속판(100)의 회로부(A)에는 (+)극 또는 (-)극의 전류가 인가되고, 상기 방열부(B)에는 상기 회로부(A)와 반대 극의 전류가 인가될 수 있다.
또는, 상기 회로부(A)에 (+)극 및 (-)극 각각을 위한 회로가 형성되어 있고, 상기 방열부(B)에는 전기가 통하지 않도록 할 수도 있다. 즉, 상기 금속판(100)에 슬롯(110)을 가공할 때에, 상기 슬롯(110) 내측의 회로부(A)를 양극용과 음극용으로 2개를 형성하고, 상기 슬롯(110) 외측의 방열부(B)에는 전기가 통하지 않게 할 수도 있다.
그런 다음, 도 4g에 도시된 바와 같이, 상기 표면처리층(130)이 형성된 상기 금속판(100)의 방열부(B) 상에 LED 칩(140)을 실장한다.
한편, 상기 금속판(100)에 상기 표면처리층(130)이 형성되어 있지 않는 경우 상기 LED 칩(140)은 상기 금속판(100)의 상면에 직접 실장될 수 있다.
이와 같이 본 발명의 실시예에서는, 상기 LED 칩(140)이 상기 금속판(100)의 상면에 직접 실장되거나, 또는 상기 금속판(100) 상의 표면처리층(130) 상면에 실장됨으로써, 상기 LED 칩(140)으로부터 발생되는 열을 외부로 효과적으로 방출시킬 수 있게 된다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따르면 LED 패키지의 방열 성능을 향상시켜 패키지의 수명을 연장시킬 수 있는 이점이 있다.
그런 다음, 도 4h에 도시된 바와 같이, 상기 LED 칩(140)과 상기 표면처리층(130)이 형성된 상기 회로부(A) 및 상기 방열부(B)를 각각 전기적으로 연결하는 한 쌍의 와이어(150)를 본딩한다.
상기 와이어(150)는 금(Au) 재질 등으로 이루어질 수 있다.
그 다음에, 도 4i에 도시된 바와 같이, 상기 LED 칩(140) 및 와이어(150)를 덮도록 상기 표면처리층(130)이 형성된 상기 금속판(100)의 회로부(A) 및 방열부(B) 상에 투명수지(160)를 패킹한다.
상기 투명수지(160)의 패킹시, 상기 브릿지부(110a)와 대응하는 절연층(120) 및 금속판(100) 부분이 제거되어 형성된 홀에 상기 투명수지(160)를 함께 충진할 수도 있다.
다음으로, 도 4j에 도시된 바와 같이, 상기 절연층(120)을 포함한 상기 금속판(100)을 다이싱 라인(dicing line)에 따라 칩 단위로 절단한다. 칩 단위로 절단된 LED 패키지는 단일 부품으로 사용이 가능하며 일부 칩 불량으로 전체를 버리지 않아도 되는 장점이 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따르면, 하나의 금속판(100)에 방열부 (B) 및 회로부(A)가 함께 형성되도록 함으로써, LED 패키지의 구조를 간소화하여 원가를 절감할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 의하면 금속판(100) 위에 LED 칩(140)을 직접 실장하여 방열 성능을 향상시킬 수 있으며, 패키지의 성능을 개선하고 수명을 연장시킬 수 있는 장점이 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이나, 이러한 치환, 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 구조를 나타낸 평면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 구조를 나타낸 저면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 구조를 나타낸 단면도.
도 4a 내지 도 4j는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 금속판 110: 슬롯
A: 회로부 B: 방열부
110a: 브릿지부 120: 절연층
130: 표면처리층 140: LED 칩
150: 와이어 160: 투명 수지
170: 단자

Claims (16)

  1. 일부분에 관통 형성된 슬롯에 의해 서로 분리된 회로부 및 방열부를 포함하는 금속판;
    상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 상면 일부분을 오픈하도록 상기 슬롯의 내부를 포함한 상기 금속판의 표면에 형성된 절연층;
    상기 절연층에 오픈된 상기 금속판의 상기 방열부 상에 실장된 LED 칩;
    상기 LED 칩과 상기 금속판의 상기 방열부 및 상기 회로부 간을 전기적으로 접속시키는 한 쌍의 와이어; 및
    상기 LED 칩 및 상기 와이어를 덮도록 상기 금속판 상에 형성된 투명 수지;
    를 포함하는 LED 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연층에 오픈된 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부 상면에 형성된 표면처리층을 더 포함하는 LED 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 하면 일부분을 오픈하도록 형성된 LED 패키지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 절연층에 오픈된 상기 금속판의 하면에 형성된 단자를 더 포함하는 LED 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 금속판의 상기 회로부와 상기 방열부는 서로 동일한 두께를 갖는 LED 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 금속판의 상기 회로부와 상기 방열부는 서로 다른 두께를 갖는 LED 패키지.
  7. 금속판의 일부분에 복수의 브릿지부에 의해 서로 이격된 슬롯을 가공하여, 상기 슬롯 내측의 회로부 및 상기 슬롯 외측의 방열부를 각각 정의하는 단계;
    상기 슬롯의 내부를 포함한 상기 금속판의 표면에 절연층을 도포하는 단계;
    상기 절연층의 일부분을 제거하여 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 일부분을 오픈시키는 단계;
    상기 브릿지부와 대응하는 상기 절연층 및 상기 금속판 부분을 제거하는 단계;
    상기 금속판의 상기 방열부 상에 LED 칩을 실장하는 단계;
    상기 LED 칩과 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부를 각각 전기적으로 연결하는 한 쌍의 와이어를 본딩하는 단계; 및
    상기 LED 칩 및 상기 와이어를 덮도록 상기 금속판의 회로부 및 방열부 상에 투명수지를 패킹하는 단계;
    를 포함하는 LED 패키지의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 슬롯을 가공하는 단계에서,
    상기 슬롯은 상기 금속판에 금형 타발 또는 워터 젯 가공 방식에 의해 가공하는 LED 패키지의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 슬롯을 가공하는 단계에서,
    상기 슬롯은 복수의 절곡부를 갖는 물결 라인 형상으로 가공하는 LED 패키지의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 절연층의 일부분을 제거하여 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 일부분을 오픈시키는 단계에서,
    상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 상면 일부분을 오픈시키는 LED 패키지의 제조방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 절연층의 일부분을 제거하여 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 일부분을 오픈시키는 단계에서,
    상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 상면 및 하면 일부분을 오픈시키는 LED 패키지의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 절연층의 일부분을 제거하여 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 일부분을 오픈시키는 단계 이후에,
    상기 절연층에 오픈된 상기 금속판의 하면에 단자를 형성하는 단계;를 더 포함하는 LED 패키지의 제조방법.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 절연층의 일부분을 제거하여 상기 금속판의 상기 회로부 및 상기 방열부의 일부분을 오픈시키는 단계 이후에,
    상기 절연층에 오픈된 상기 금속판의 회로부 및 방열부 표면에 표면처리층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 LED 패키지의 제조방법.
  14. 제7항에 있어서,
    상기 투명수지를 패킹하는 단계에서,
    상기 브릿지부와 대응하는 상기 절연층 및 상기 금속판의 제거된 부분에 상기 투명수지를 충진하는 LED 패키지의 제조방법.
  15. 제7항에 있어서,
    상기 투명수지를 패킹하는 단계 이후에,
    상기 절연층을 포함한 상기 금속판을 칩 단위로 절단하는 단계;를 더 포함하는 LED 패키지의 제조방법.
  16. 제7항에 있어서,
    상기 금속판의 일부분에 복수의 브릿지부에 의해 서로 이격된 슬롯을 가공하여, 상기 슬롯 내측의 회로부 및 상기 슬롯 외측의 방열부를 각각 정의하는 단계에서, 상기 슬롯 내측의 회로부를 양극용과 음극용으로 2개를 형성하고, 상기 슬롯 외측의 전기가 통하지 않는 방열부를 형성하는 LED 패키지의 제조방법.
KR1020090103321A 2009-10-29 2009-10-29 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 KR101075612B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090103321A KR101075612B1 (ko) 2009-10-29 2009-10-29 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090103321A KR101075612B1 (ko) 2009-10-29 2009-10-29 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110046714A true KR20110046714A (ko) 2011-05-06
KR101075612B1 KR101075612B1 (ko) 2011-10-21

Family

ID=44238103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090103321A KR101075612B1 (ko) 2009-10-29 2009-10-29 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101075612B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101464326B1 (ko) * 2012-08-24 2014-11-25 주식회사 씨티랩 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100703218B1 (ko) * 2006-03-14 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
JP5425381B2 (ja) 2006-08-14 2014-02-26 建中 陳 発光モジュールおよびその製造プロセス
KR100817274B1 (ko) 2006-08-21 2008-03-27 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101464326B1 (ko) * 2012-08-24 2014-11-25 주식회사 씨티랩 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101075612B1 (ko) 2011-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100958024B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP5782332B2 (ja) 発光素子
AU2006254610B2 (en) Package structure of semiconductor light-emitting device
TWI395345B (zh) 具有低熱阻之發光二極體燈
US20080266869A1 (en) LED module
JP4865525B2 (ja) Ｓｍｌ型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法
KR20070094384A (ko) 양극산화 금속기판 모듈
US7939919B2 (en) LED-packaging arrangement and light bar employing the same
KR101068398B1 (ko) 조명 장치 및 이의 제조방법
KR20090113520A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US20110101392A1 (en) Package substrate for optical element and method of manufacturing the same
KR20130098048A (ko) 발광소자 패키지
US7923271B1 (en) Method of assembling multi-layer LED array engine
KR20100089115A (ko) 발광 다이오드 유닛의 제조 방법과, 이 방법에 의하여 제조된 발광 다이오드 유닛
JP2004022802A (ja) 半導体発光装置のパッケージに用いられる熱放散構造とその製造方法
KR101719692B1 (ko) 인쇄 회로 기판과 이의 제조방법 및 이를 이용한 ｌｅｄ 모듈과 ｌｅｄ 램프
KR101163901B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101075612B1 (ko) Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR101041438B1 (ko) 이중천공을 구비하는 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법
KR101125437B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20120110419A (ko) 방열 기판 및 그 제조방법
KR101028243B1 (ko) 발광 모듈
KR101815963B1 (ko) 칩 패키지 및 칩 패키지 제조방법
KR20130080299A (ko) 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치
KR101891211B1 (ko) 고출력 엘이디 광원모듈과 이를 구비한 백라이트 유닛 및 조명 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee