KR20110044270A - Photosensitive resin composition, photosensitive resin laminate, method for forming resist pattern, conductive pattern, printed wiring board, lead frame, base, and method for manufacturing semiconductor package - Google Patents

Photosensitive resin composition, photosensitive resin laminate, method for forming resist pattern, conductive pattern, printed wiring board, lead frame, base, and method for manufacturing semiconductor package Download PDF

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Abstract

우수한 해상도, 밀착성, 텐팅성 및 박리성을 부여하는 감광성 수지 조성물을 제공한다. 본 발명은 (a) 적어도 α,β-불포화 카르복실기 함유 단량체를 중합 성분으로 하여 중합된 산 당량이 100 ∼ 600, 중량 평균 분자량이 5,000 ∼ 500,000 인 열가소성 중합체, (b) 분자 내에 적어도 1 개의 중합 가능한 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부가 중합성 모노머, (c) 광 중합 개시제, 그리고 (d) 하기 일반식 (Ⅰ) :

Figure pct00013

(식 중, R1 ∼ R5 는 각각 독립적으로 H, 아릴기 또는 아릴알킬기이며, 또한 R1 ∼ R5 중 적어도 1 개는 아릴기 또는 아릴알킬기이며, A1 은 C2H4 또는 C3H6 이며, n1 이 2 이상인 경우 복수의 A1 은 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, 그리고 n1 은 1 ∼ 50 의 정수이다) 로 나타내는 화합물을 함유하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.Provided is a photosensitive resin composition that provides excellent resolution, adhesiveness, tentability, and peelability. The present invention is (a) a thermoplastic polymer having an acid equivalent of 100 to 600 and a weight average molecular weight of 5,000 to 500,000 polymerized using at least an α, β-unsaturated carboxyl group-containing monomer as a polymerization component, and (b) at least one polymerizable molecule. An addition polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated bond, (c) a photopolymerization initiator, and (d) the following general formula (I):
Figure pct00013

(Wherein, R 1 to R 5 are each independently H, an aryl group or an arylalkyl group, and at least one of R 1 to R 5 is an aryl group or an arylalkyl group, and A 1 is C 2 H 4 or C 3 It is H <6> , and when n <1> is 2 or more, some A <1> may mutually be same or different, and n <1> is an integer of 1-50), The photosensitive resin composition containing the compound represented by this is provided.

Description

감광성 수지 조성물, 감광성 수지 적층체, 레지스트 패턴 형성 방법 그리고 도체 패턴, 프린트 배선판, 리드 프레임, 기재 및 반도체 패키지의 제조 방법 {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN LAMINATE, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, CONDUCTIVE PATTERN, PRINTED WIRING BOARD, LEAD FRAME, BASE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE}PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN LAMINATE, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, CONDUCTIVE PATTERN, PRINTED WIRING BOARD, LEAD FRAME, BASE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE}

본 발명은 알칼리성 수용액에 의해 현상 가능한 감광성 수지 조성물, 그 감광성 수지 조성물을 지지체 상에 적층한 감광성 수지 적층체, 그 감광성 수지 적층체를 이용하여 기판 상에 레지스트 패턴을 형성하는 방법, 및 그 레지스트 패턴의 용도에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 프린트 배선판의 제조, 플렉시블 프린트 배선판의 제조, IC 칩 탑재용 리드 프레임 (이하, 간단히 리드 프레임이라고 한다) 의 제조, 메탈 마스크 제조 등의 금속박 정밀 가공, BGA (볼 그리드 어레이) 나 CSP (칩 사이즈 패키지) 등의 반도체 패키지 제조, TAB (Tape Automated Bonding) 나 COF (Chip On Film : 반도체 IC 를 필름 형상의 미세 배선판 상에 탑재한 것) 로 대표되는 테이프 기판의 제조, 반도체 범프의 제조, 플랫 패널 디스플레이 분야에 있어서의 ITO 전극, 어드레스 전극, 또는 전자파 실드 등의 부재 제조에 바람직한 레지스트 패턴을 부여하는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention provides a method of forming a resist pattern on a substrate using a photosensitive resin composition which can be developed by an alkaline aqueous solution, a photosensitive resin laminate obtained by laminating the photosensitive resin composition on a support, and the photosensitive resin laminate, and a resist pattern thereof. It relates to the use of. More specifically, manufacturing of printed wiring boards, manufacturing of flexible printed wiring boards, manufacturing of IC chip mounting lead frames (hereinafter simply referred to as lead frames), metal foil precision processing such as metal mask manufacturing, BGA (ball grid array), Manufacture of semiconductor packages such as CSP (chip size package), manufacture of tape substrates represented by TAB (Tape Automated Bonding) or COF (Chip On Film) TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photosensitive resin composition that provides a resist pattern suitable for manufacturing a member such as an ITO electrode, an address electrode, or an electromagnetic shield in the field of manufacture or flat panel display.

종래, 프린트 배선판은 포토리소그래피법에 의해 제조되고 있다. 포토리소그래피법에 있어서는, 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하고, 패턴 노광하여 그 감광성 수지 조성물의 노광부를 중합 경화시키고, 미노광 부분을 현상액으로 제거하여 기판 상에 레지스트 패턴을 형성하고, 그 기판에 대해 에칭 또는 도금 처리를 실시하여 도체 패턴을 형성한 후, 그 레지스트 패턴을 그 기판 상으로부터 박리 제거함으로써 기판 상에 도체 패턴을 형성할 수 있다.Conventionally, printed wiring boards are manufactured by the photolithography method. In the photolithography method, a photosensitive resin composition is applied onto a substrate, and pattern exposed, and the polymerized and cured exposed portions of the photosensitive resin composition are removed, and the unexposed portion is removed with a developer to form a resist pattern on the substrate. After the etching or plating is performed to form the conductor pattern, the conductor pattern can be formed on the substrate by peeling off the resist pattern from the substrate.

상기 포토리소그래피법에 있어서는, 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포함에 있어서, 감광성 수지 조성물의 용액을 기판에 도포하여 건조시키는 방법, 또는, 지지체, 감광성 수지 조성물로 이루어지는 층 (이하, 「감광성 수지층」 이라고도 한다), 및 필요에 따라 보호층을 순차 적층한 감광성 수지 적층체 (이하, 「드라이 필름 레지스트」 라고도 한다) 를 기판에 적층하는 방법 중 어느 방법이 사용된다. 그리고, 프린트 배선판의 제조에 있어서는, 후자인 드라이 필름 레지스트가 사용되는 경우가 많다. In the said photolithography method, when apply | coating a photosensitive resin composition on a board | substrate, the method of apply | coating and drying the solution of the photosensitive resin composition to a board | substrate, or the layer which consists of a support body and the photosensitive resin composition (Hereinafter, a "photosensitive resin layer" And the method of laminating | stacking the photosensitive resin laminated body (henceforth a "dry film resist") which laminated | stacked the protective layer sequentially as needed on a board | substrate. And in manufacture of a printed wiring board, the latter dry film resist is used in many cases.

상기 드라이 필름 레지스트를 이용하여 프린트 배선판을 제조하는 방법에 대해, 이하에 간단하게 서술한다. 먼저, 드라이 필름 레지스트가 폴리에틸렌 필름 등의 보호층을 갖는 경우에는, 감광성 수지층으로부터 이것을 박리한다. 이어서, 라미네이터를 이용하여 동장(銅張) 적층판 등의 기판 상에, 그 기판, 감광성 수지층, 지지체의 순서가 되도록 감광성 수지층 및 지지체를 적층한다. 이어서, 배선 패턴을 갖는 포토마스크를 개재하여, 그 감광성 수지층을 초고압 수은등이 발하는 i 선 (365 ㎚) 등의 자외선으로 노광함으로써 노광 부분을 중합 경화시킨다. 이어서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등으로 이루어지는 지지체를 박리한다. 이어서, 약알칼리성을 갖는 수용액 등의 현상액에 의해 감광성 수지층의 미노광 부분을 용해 또는 분산 제거하여, 기판 상에 레지스트 패턴을 형성시킨다. 이어서, 형성된 레지스트 패턴을 보호 마스크로 하여 공지된 에칭 처리, 또는 패턴 도금 처리를 실시한다. 에칭에 의해 금속 부분을 제거하는 방법에서는, 기판의 관통공 (스루홀) 이나 층간 접속을 위한 비아홀을 경화 레지스트막으로 덮음으로써 구멍 내의 금속이 에칭되지 않게 한다. 이 공법은 텐팅법이라 불린다. 에칭 공정에는, 예를 들어, 염화 제 2 구리, 염화 제 2 철 또는 구리암모니아 착물의 용액이 사용된다. 마지막으로, 수산화나트륨 등의 알칼리 수용액에 의해 그 레지스트 패턴을 기판으로부터 박리하여, 도체 패턴을 갖는 기판, 즉 프린트 배선판을 제조한다. 박리 속도는 작업성, 취급성 및 생산성의 관점에서 빠른 것이 바람직하다.The method of manufacturing a printed wiring board using the said dry film resist is briefly described below. First, when a dry film resist has protective layers, such as a polyethylene film, it peels this from the photosensitive resin layer. Subsequently, the photosensitive resin layer and the support body are laminated | stacked on the board | substrates, such as a copper clad laminated board, in order of the board | substrate, the photosensitive resin layer, and a support body using a laminator. Next, the exposure part is polymerized and hardened | cured by exposing the photosensitive resin layer to ultraviolet rays, such as i line | wire (365 nm) from which ultra-high pressure mercury lamp emits, through the photomask which has a wiring pattern. Next, the support body which consists of polyethylene terephthalate etc. is peeled off. Subsequently, the unexposed part of the photosensitive resin layer is melt | dissolved or disperse | dissolved with developing solutions, such as aqueous solution which has weak alkalinity, and a resist pattern is formed on a board | substrate. Next, a well-known etching process or pattern plating process is performed using the formed resist pattern as a protective mask. In the method of removing a metal part by etching, the metal in the hole is not etched by covering the through hole (through hole) of the substrate or the via hole for interlayer connection with a cured resist film. This method is called tenting method. In the etching process, for example, a solution of cupric chloride, ferric chloride or copper ammonia complex is used. Finally, the resist pattern is peeled from the substrate with an aqueous alkali solution such as sodium hydroxide to prepare a substrate having a conductor pattern, that is, a printed wiring board. It is preferable that peeling speed is fast from a viewpoint of workability, handleability, and productivity.

한편, 최근의 프린트 배선판에 있어서의 배선 간격의 미세화에 수반하여, 드라이 필름 레지스트에는 고해상성의 요구가 높아져 왔다. 또 텐팅법 및 도금법에 있어서는, 에칭액 및 도금액을 레지스트와 구리 사이에 침윤시키지 않기 위해 레지스트와 구리의 밀착성이 중요한데, 밀착성의 향상에 수반하여 박리 시간이 길어지는 문제가 있다.On the other hand, with the miniaturization of the wiring space | interval in the recent printed wiring board, the demand for high resolution has increased in dry film resist. In the tenting method and the plating method, the adhesion between the resist and the copper is important in order not to infiltrate the etching solution and the plating solution between the resist and the copper, but there is a problem in that the peeling time increases with the improvement of the adhesion.

특허문헌 1 에는, 감광성 수지 조성물의 고해상도 및 고밀착성을 유지하면서 텐팅성을 향상시키기 위해서, 에틸렌옥사이드와 프로필렌옥사이드의 사슬형 공중합체를 함유하는 감광성 수지 조성물이 기재되어 있지만, 박리성 문제에 대해서는 기재되어 있지 않다.Patent Document 1 describes a photosensitive resin composition containing a chain copolymer of ethylene oxide and propylene oxide in order to improve the tentability while maintaining the high resolution and high adhesion of the photosensitive resin composition. It is not.

일본 공개특허공보 2004-20726호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-20726

따라서, 드라이 필름용 감광성 수지 조성물로서, 해상도, 밀착성 및 텐팅성이 우수하고, 또한 작업성, 취급성 및 생산성의 향상에 크게 기여하는 박리 속도가 빠른 감광성 수지 조성물은 아직 제공되어 있지 않다.Therefore, as the photosensitive resin composition for dry films, the photosensitive resin composition which is excellent in resolution, adhesiveness, and tentability, and which contributes to the improvement of workability, handleability, and productivity largely is not yet provided.

본 발명은 해상도, 밀착성 및 텐팅성이 우수하고, 경화 레지스트막의 알칼리 수용액에 의한 우수한 박리성을 갖는 감광성 수지 조성물, 그 감광성 수지 조성물을 사용한 감광성 수지 적층체, 그 감광성 수지 적층체를 이용하여 기판 상에 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 패턴 방법, 그리고 그 감광성 수지 적층체를 사용한, 도체 패턴, 프린트 배선판, 리드 프레임, 기재 및 반도체 패키지의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is excellent in the resolution, adhesiveness, and tentability, the photosensitive resin composition which has the outstanding peelability by the aqueous alkali solution of a cured resist film, the photosensitive resin laminated body using this photosensitive resin composition, and the photosensitive resin laminated body on the board | substrate using the photosensitive resin laminated body. An object of the present invention is to provide a resist pattern method for forming a resist pattern on the substrate, and a method of manufacturing a conductor pattern, a printed wiring board, a lead frame, a substrate, and a semiconductor package using the photosensitive resin laminate.

상기 목적은 본 발명의 다음 구성에 의해 달성할 수 있다. 즉 본 발명은 이하와 같다.The above object can be attained by the following configuration of the present invention. That is, this invention is as follows.

[1] 하기 (a) ∼ (d) 성분, (a) 적어도 α,β-불포화 카르복실기 함유 단량체를 중합 성분으로 하여 중합된, 산 당량이 100 ∼ 600, 또한 중량 평균 분자량이 5,000 ∼ 500,000 인 열가소성 중합체 20 ∼ 90 질량%, (b) 분자 내에 적어도 1 개의 중합 가능한 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부가 중합성 모노머 3 ∼ 75 질량%, (c) 광 중합 개시제 0.01 ∼ 30 질량%, 및 (d) 하기 일반식 (Ⅰ) : [1] A thermoplastic resin having an acid equivalent of 100 to 600 and a weight average molecular weight of 5,000 to 500,000 polymerized using the following (a) to (d) components and (a) at least an α, β-unsaturated carboxyl group-containing monomer as a polymerization component. 20 to 90 mass% of polymer, (b) 3 to 75 mass% of addition polymerizable monomer having at least one polymerizable ethylenically unsaturated bond in the molecule, (c) 0.01 to 30 mass% of photopolymerization initiator, and (d) General formula (Ⅰ):

[화학식 1][Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

(식 중, R1 ∼ R5 는 각각 독립적으로 H, 아릴기 또는 아릴알킬기이며, 또한 R1 ∼ R5 중 적어도 1 개는 아릴기 또는 아릴알킬기이며, A1 은 C2H4 또는 C3H6 이며, n1 이 2 이상인 경우 복수의 A1 은 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, 그리고 n1 은 1 ∼ 50 의 정수이다) (Wherein, R 1 to R 5 are each independently H, an aryl group or an arylalkyl group, and at least one of R 1 to R 5 is an aryl group or an arylalkyl group, and A 1 is C 2 H 4 or C 3 H 6 a, n a plurality of a 1 are be the same or different from each other even if at least one is 2, and n 1 is an integer of 1 to 50)

로 나타내는 화합물을 함유하는 감광성 수지 조성물.Photosensitive resin composition containing the compound shown by.

[2] 상기 일반식 (Ⅰ) 중의 R1 ∼ R5 중 적어도 1 개가 페닐알킬기인 상기 [1] 에 기재된 감광성 수지 조성물.[2] The photosensitive resin composition according to the above [1], wherein at least one of R 1 to R 5 in General Formula (I) is a phenylalkyl group.

[3] 상기 페닐알킬기에 있어서의 알킬기 부분의 탄소수가 1 ∼ 6 개인 상기 [2] 에 기재된 감광성 수지 조성물.[3] The photosensitive resin composition according to the above [2], wherein the alkyl group moiety in the phenylalkyl group is 1 to 6 carbon atoms.

[4] 상기 일반식 (Ⅰ) 중의 R1 ∼ R5 중 1 ∼ 3 개의 기가 각각 아릴기 또는 아릴알킬기인 상기 [1] ∼ [3] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.[4] The photosensitive resin composition according to any one of [1] to [3], wherein one to three groups in R 1 to R 5 in General Formula (I) are each an aryl group or an arylalkyl group.

[5] 상기 일반식 (Ⅰ) 중의 R1 ∼ R5 중 2 또는 3 개의 기가 각각 아릴기 또는 아릴알킬기인 상기 [1] ∼ [3] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.[5] The photosensitive resin composition according to any one of the above [1] to [3], wherein two or three groups in R 1 to R 5 in General Formula (I) are each an aryl group or an arylalkyl group.

[6] 상기 일반식 (Ⅰ) 중, n1 이 1 ∼ 35 의 정수인 상기 [1] ∼ [5] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.[6] The photosensitive resin composition according to any one of the above [1] to [5], wherein n 1 is an integer of 1 to 35 in the general formula (I).

[7] 상기 일반식 (Ⅰ) 중의 R1 ∼ R5 가 각각 독립적으로 H, 페닐기 또는 1-페닐에틸기이며, R1 ∼ R5 중 2 개가 H 이며, 또한 R1 ∼ R5 중 3 개가 각각 독립적으로 페닐기 또는 1-페닐에틸기인 상기 [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.[7] R 1 to R 5 in General Formula (I) are each independently H, a phenyl group or a 1-phenylethyl group, two of R 1 to R 5 are H, and three of R 1 to R 5 are each The photosensitive resin composition in any one of said [1]-[6] which is independently a phenyl group or 1-phenylethyl group.

[8] 상기 (a), (b) 및 (c) 성분의 합계량을 100 질량% 로 했을 때의 상기 (d) 성분의 함유량이 1 ∼ 20 질량% 인 상기 [1] ∼ [7] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.[8] The content of any of the above [1] to [7], wherein the content of the component (d) when the total amount of the components (a), (b) and (c) is 100 mass% is 1 to 20 mass%; The photosensitive resin composition of one.

[9] 상기 (b) 성분으로서, 하기 일반식 (Ⅱ) : [9] As the component (b), the following general formula (II):

[화학식 2][Formula 2]

Figure pct00002
Figure pct00002

(식 중, R6 및 R7 은 각각 독립적으로 H 또는 CH3 이며, n2, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 3 ∼ 20 의 정수이다) 또는 하기 일반식 (Ⅲ) : (Wherein R 6 and R 7 are each independently H or CH 3 , and n 2 , n 3 and n 4 are each independently an integer of 3 to 20) or the following general formula (III):

[화학식 3](3)

Figure pct00003
Figure pct00003

(식 중, R8 및 R9 는 각각 독립적으로 H 또는 CH3 이며, A2 는 C2H4 이며, A3 은 C3H6 이며, n5 및 n6 은 각각 독립적으로 1 ∼ 29 의 정수이며 또한 n5+n6 은 2 ∼ 30 의 정수이며, n7 및 n8 은 각각 독립적으로 0 ∼ 29 의 정수이며 또한 n7+n8 은 0 ∼ 30 의 정수이며, -(A2-O)- 및 -(A3-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이어도 되고 블록이어도 되며, 블록의 경우, -(A2-O)- 와 -(A3-O)- 의 어느 것이 비스페닐기측이어도 된다) 으로 나타내는 광 중합 가능한 불포화 화합물을 함유하는 상기 [1] ∼ [8] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.(Wherein R 8 and R 9 are each independently H or CH 3 , A 2 is C 2 H 4 , A 3 is C 3 H 6 , and n 5 and n 6 are each independently 1-29 Is an integer, n 5 + n 6 is an integer of 2 to 30, n 7 and n 8 are each independently an integer of 0 to 29, and n 7 + n 8 is an integer of 0 to 30,-(A 2 -O) The arrangement of the repeating units of-and-(A 3 -O)-may be random or a block, and in the case of a block, any of-(A 2 -O)-and-(A 3 -O)-is a bisphenyl group side The photosensitive resin composition in any one of said [1]-[8] containing the unsaturated compound which can be superposed | polymerized as represented by the above).

[10] 상기 [1] ∼ [9] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물을 지지체 상에 적층하여 이루어지는 감광성 수지 적층체.[10] A photosensitive resin laminate obtained by laminating the photosensitive resin composition according to any one of the above [1] to [9] on a support.

[11] 상기 [10] 에 기재된 감광성 수지 적층체를 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 그 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 및 그 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법.[11] A lamination step of forming the photosensitive resin laminate according to the above [10] on a substrate, an exposure step of exposing the photosensitive resin laminate, and an unexposed portion of the photosensitive resin in the photosensitive resin laminate A resist pattern forming method comprising a developing step of forming a resist pattern.

[12] 상기 [10] 에 기재된 감광성 수지 적층체를, 금속판 또는 금속 피막 절연판인 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 그 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 그 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정, 및 그 레지스트 패턴이 형성된 기판을 에칭 또는 도금함으로써 도체 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 도체 패턴의 제조 방법.[12] A lamination step of forming the photosensitive resin laminate according to the above [10] on a substrate which is a metal plate or a metal film insulating plate, an exposure step of exposing the photosensitive resin laminate, and a photosensitive resin in the photosensitive resin laminate. And a developing step of forming a resist pattern by removing the unexposed portions of the film, and forming a conductor pattern by etching or plating the substrate on which the resist pattern is formed.

[13] 상기 [10] 에 기재된 감광성 수지 적층체를, 동장 적층판 또는 플렉시블 기판인 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 그 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 그 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정, 그 레지스트 패턴이 형성된 기판을 에칭 또는 도금하는 공정, 및 그 기판으로부터 그 레지스트 패턴을 박리하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법.[13] A lamination step of forming the photosensitive resin laminate according to the above [10] on a substrate which is a copper clad laminate or a flexible substrate, an exposure step of exposing the photosensitive resin laminate, and a photosensitive resin in the photosensitive resin laminate. The manufacturing method of the printed wiring board containing the image development process of removing the unexposed part of this, and forming a resist pattern, the process of etching or plating the board | substrate with which the resist pattern was formed, and the process of peeling the resist pattern from this board | substrate.

[14] 상기 [10] 에 기재된 감광성 수지 적층체를, 금속판인 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 그 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 그 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정, 그 레지스트 패턴이 형성된 기판을 에칭하는 공정, 및 그 기판으로부터 그 레지스트 패턴을 박리하는 공정을 포함하는 리드 프레임의 제조 방법.[14] A lamination step of forming the photosensitive resin laminate according to the above [10] on a substrate which is a metal plate, an exposure step of exposing the photosensitive resin laminate, and an unexposed portion of the photosensitive resin in the photosensitive resin laminate. And a step of etching the substrate on which the resist pattern is formed, and a step of peeling the resist pattern from the substrate.

[15] 상기 [10] 에 기재된 감광성 수지 적층체를, 유리 리브 페이스트를 도포한 유리 기판인 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 그 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 그 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정, 그 레지스트 패턴이 형성된 기판을 샌드블라스트 처리 가공하는 공정, 및 그 기판으로부터 그 레지스트 패턴을 박리하는 공정을 포함하는 요철 패턴을 갖는 기재의 제조 방법.[15] A lamination step of forming a photosensitive resin laminate according to the above [10] on a substrate which is a glass substrate coated with a glass rib paste, an exposure step of exposing the photosensitive resin laminate, and the photosensitive resin laminate. And a concave-convex pattern comprising a developing step of removing an unexposed portion of the photosensitive resin to form a resist pattern, a step of sandblasting the substrate on which the resist pattern is formed, and a step of peeling the resist pattern from the substrate. The manufacturing method of a base material.

[16] 상기 [10] 에 기재된 감광성 수지 적층체를, LSI 로서의 회로 형성이 완료된 웨이퍼인 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 그 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 그 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정, 그 레지스트 패턴이 형성된 기판을 도금하는 공정, 및 그 기판으로부터 그 레지스트 패턴을 박리하는 공정을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.[16] A lamination step of forming the photosensitive resin laminate according to the above [10] on a substrate which is a wafer on which circuit formation as LSI is completed, an exposure step of exposing the photosensitive resin laminate to the photosensitive resin laminate, A method of manufacturing a semiconductor package comprising a developing step of removing an unexposed portion of the photosensitive resin to form a resist pattern, plating the substrate on which the resist pattern is formed, and peeling the resist pattern from the substrate.

본 발명에 의하면, 해상도, 밀착성 및 텐팅성이 우수하고, 경화 레지스트막의 알칼리 수용액에 의한 우수한 박리성을 갖는 감광성 수지 조성물, 그 감광성 수지 조성물을 사용한 감광성 수지 적층체, 그 감광성 수지 적층체를 이용한 고정세 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공할 수 있다. 또 그 감광성 수지 적층체를 이용하여, 고정세 프린트 배선판, 리드 프레임, 반도체 패키지, 나아가서는 평면 디스플레이를 제조하는 것이 가능해진다. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the photosensitive resin composition which is excellent in the resolution, adhesiveness, and tentability, and has the outstanding peelability by the aqueous alkali solution of a cured resist film, the photosensitive resin laminated body using this photosensitive resin composition, and the fixed using the photosensitive resin laminated body A method for forming three resist patterns can be provided. Moreover, using the photosensitive resin laminated body, it becomes possible to manufacture a high definition printed wiring board, a lead frame, a semiconductor package, and also a flat panel display.

이하, 본 발명에 대해 구체적으로 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated concretely.

<감광성 수지 조성물><Photosensitive resin composition>

본 발명의 감광성 수지 조성물은 이하의 (a) ∼ (d) 성분, (a) 적어도 α,β-불포화 카르복실기 함유 단량체를 중합 성분으로 하여 중합된, 산 당량이 100 ∼ 600, 또한 중량 평균 분자량이 5,000 ∼ 500,000 인 열가소성 중합체 (이하, (a) 열가소성 중합체라고도 한다) 20 ∼ 90 질량%, (b) 분자 내에 적어도 1 개의 중합 가능한 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부가 중합성 모노머 (이하, (b) 부가 중합성 모노머라고도 한다) 3 ∼ 75 질량%, (c) 광 중합 개시제 (이하, (c) 광 중합 개시제라고도 한다) 0.01 ∼ 30 질량%, 및, (d) 하기 일반식 (Ⅰ) : The photosensitive resin composition of this invention has the acid equivalent of 100-600, and the weight average molecular weight polymerized using the following (a)-(d) component and (a) at least the (alpha), (beta)-unsaturated carboxyl group-containing monomer as a polymerization component. 20 to 90% by mass of a thermoplastic polymer of 5,000 to 500,000 (hereinafter also referred to as (a) thermoplastic polymer), (b) an addition polymerizable monomer having at least one polymerizable ethylenically unsaturated bond in the molecule (hereinafter, (b) addition 3 to 75 mass% (also referred to as polymerizable monomer), (c) photopolymerization initiator (hereinafter also referred to as (c) photopolymerization initiator) 0.01 to 30 mass%, and (d) the following general formula (I):

[화학식 4][Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

(식 중, R1 ∼ R5 는 각각 독립적으로 H, 아릴기 또는 아릴알킬기이며, 또한 R1 ∼ R5 중 적어도 1 개는 아릴기 또는 아릴알킬기이며, A1 은 C2H4 또는 C3H6 이며, n1 이 2 이상인 경우 복수의 A1 은 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, 그리고 n1 은 1 ∼ 50 의 정수이다) 로 나타내는 화합물 (이하, (d) 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물이라고도 한다) 을 필수 성분으로 함유한다.(Wherein, R 1 to R 5 are each independently H, an aryl group or an arylalkyl group, and at least one of R 1 to R 5 is an aryl group or an arylalkyl group, and A 1 is C 2 H 4 or C 3 H 6 and, n 1 is 2, a plurality of a 1 may be the same and will be different, or more, and n 1 is represented by the compound (or less, (d) general formula (ⅰ) represented by an integer from 1 to 50) Also referred to as a compound).

(a) 열가소성 중합체(a) thermoplastic polymer

(a) 열가소성 중합체는 적어도 α,β-불포화 카르복실기 함유 단량체를 중합 성분으로 하고, 산 당량이 100 ∼ 600, 또한 중량 평균 분자량이 5,000 ∼ 500,000 인 열가소성 중합체이다.The (a) thermoplastic polymer is a thermoplastic polymer having at least an α, β-unsaturated carboxyl group-containing monomer as a polymerization component, an acid equivalent of 100 to 600, and a weight average molecular weight of 5,000 to 500,000.

(a) 열가소성 중합체 중의 카르복실기는, 본 발명의 감광성 수지 조성물이 알칼리 수용액으로 이루어지는 현상액이나 박리액에 대해, 현상성이나 박리성을 갖는 위해 필요하다. (a) 열가소성 중합체의 산 당량은 100 ∼ 600 이며, 바람직하게는 250 ∼ 450 이다. 산 당량은 용매 또는 감광성 수지 조성물 중의 다른 성분, 특히 후술하는 (b) 부가 중합성 모노머와의 상용성을 확보한다는 관점에서 100 이상이며, 또, 현상성이나 박리성을 유지한다는 관점에서 600 이하이다. 여기서, 산 당량이란, 그 중에 1 당량의 카르복실기를 갖는 열가소성 중합체의 질량 (그램) 을 가리킨다. 또한, 산 당량의 측정은 예를 들어 히라누마 리포팅 타이트레이터 (COM-555) 를 이용하고, 0.1 ㏖/L 의 NaOH 수용액으로 전위차 적정법에 의해 실시된다.The carboxyl group in the (a) thermoplastic polymer is necessary for the photosensitive resin composition of the present invention to have developability or peelability with respect to a developing solution or a peeling solution composed of an aqueous alkali solution. (a) The acid equivalent of a thermoplastic polymer is 100-600, Preferably it is 250-450. An acid equivalent is 100 or more from a viewpoint of ensuring compatibility with the other component in a solvent or the photosensitive resin composition, especially (b) addition polymerizable monomer mentioned later, and 600 or less from a viewpoint of maintaining developability and peelability. . Here, an acid equivalent refers to the mass (gram) of the thermoplastic polymer which has a 1 equivalent carboxyl group in it. In addition, the measurement of an acid equivalent is performed by potentiometric titration with 0.1 mol / L NaOH aqueous solution using the hiranuma reporting titrator (COM-555), for example.

(a) 열가소성 중합체의 중량 평균 분자량은 5,000 ∼ 500,000 이다. 중량 평균 분자량은, 감광성 수지 적층체 (즉 드라이 필름 레지스트) 의 두께를 균일하게 유지하고, 현상액에 대한 내성을 얻는다는 관점에서 5,000 이상이며, 또, 현상성을 유지한다는 관점에서 500,000 이하이다. 바람직하게는 중량 평균 분자량은 20,000 ∼ 100,000 이다. 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량이란, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의해 폴리스티렌 (예를 들어 쇼와 전공 (주) 제조 Shodex STANDARD SM-105) 의 검량선을 이용하여 측정한 중량 평균 분자량을 의미한다. 그 중량 평균 분자량은, 닛폰 분광 (주) 제조 겔 퍼미에이션 크로마토그래피를 사용하여, 이하의 조건에서 측정할 수 있다.The weight average molecular weight of (a) thermoplastic polymer is 5,000-500,000. A weight average molecular weight is 5,000 or more from a viewpoint of maintaining the thickness of the photosensitive resin laminated body (namely, dry film resist) uniformly, and obtaining tolerance to a developing solution, and 500,000 or less from a viewpoint of maintaining developability. Preferably the weight average molecular weight is 20,000-100,000. The weight average molecular weight in this specification means the weight average molecular weight measured using the calibration curve of polystyrene (for example, Shodex STANDARD SM-105 by Showa Denko) by gel permeation chromatography (GPC). do. The weight average molecular weight can be measured on condition of the following using Nippon spectroscopy Co., Ltd. gel permeation chromatography.

시차 굴절률계 : RI-1530 Differential Refractometer: RI-1530

펌프 : PU-1580 Pump: PU-1580

디개서 (degasser) : DG-980-50 Degasser: DG-980-50

칼럼 오븐 : CO-1560 Column Oven: CO-1560

칼럼 : 순서대로 KF-8025, KF-806M × 2, KF-807 Column: KF-8025, KF-806M × 2, KF-807 in order

용리액 : THFEluent: THF

(a) 열가소성 중합체는, 알칼리 현상 후의 화상 형성성 관점에서, 후술하는 제 1 단량체의 1 종의 중합체 혹은 2 종 이상의 공중합체이거나, 또는 후술하는 제 2 단량체의 1 종의 중합체 혹은 2 종류 이상의 공중합체이거나, 또는 그 제 1 단량체의 1 종 이상과 그 제 2 단량체의 1 종 이상의 공중합체인 것이 바람직하다.(a) The thermoplastic polymer is one kind of polymer or two or more kinds of copolymers of the first monomer described later, or one kind of polymer or two or more kinds of air, described later, from the viewpoint of image formation after alkali development. It is preferable that it is a copolymer or 1 or more types of copolymers of the 1st monomer of this 1st monomer and this 2nd monomer.

제 1 단량체는 분자 중에 중합성 불포화기를 1 개 갖는 카르복실산 또는 산무수물이다. 제 1 단량체로는, 예를 들어, (메트)아크릴산, 푸마르산, 계피산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산 무수물, 및 말레산 반 (半) 에스테르를 들 수 있다. 그 중에서도, 알칼리 용액에 의한 현상성 관점에서, 특히 (메트)아크릴산이 바람직하다. 여기서, (메트)아크릴이란 아크릴 또는 메타크릴을 나타낸다. 이하 동일하다.The first monomer is a carboxylic acid or acid anhydride having one polymerizable unsaturated group in the molecule. As a 1st monomer, (meth) acrylic acid, fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, and maleic acid semiester are mentioned, for example. Especially, (meth) acrylic acid is preferable from a developable viewpoint by alkaline solution. Here, (meth) acryl represents acryl or methacryl. It is the same below.

제 2 단량체는, 비산성으로, 분자 중에 중합성 불포화기를 적어도 1 개 갖는 단량체이다. 제 2 단량체로는, 예를 들어, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, iso-프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, iso-부틸(메트)아크릴레이트, tert-부틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 아세트산비닐 등의 비닐알코올의 에스테르류, (메트)아크릴로니트릴, 스티렌, 및 중합 가능한 스티렌 유도체를 들 수 있다. 그 중에서도, 화상 형성성 관점에서, 특히 메틸(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 스티렌, 및 벤질(메트)아크릴레이트가 바람직하다.The second monomer is non-acidic and is a monomer having at least one polymerizable unsaturated group in the molecule. As a 2nd monomer, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, iso-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, for example. , iso-butyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 2 Ester of vinyl alcohol, such as ethylhexyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, and vinyl acetate, (meth) acrylonitrile, styrene, and the styrene derivative which can superpose | polymerize are mentioned. Especially, methyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, styrene, and benzyl (meth) acrylate are especially preferable from an image forming viewpoint.

(a) 열가소성 중합체의 보다 구체적인 예로는, 메타크릴산메틸, 메타크릴산 및 스티렌을 공중합 성분으로서 함유하는 중합체, 메타크릴산메틸, 메타크릴산 및 아크릴산 n-부틸을 공중합 성분으로서 함유하는 중합체, 그리고 메타크릴산벤질, 메타크릴산메틸 및 아크릴산2-에틸헥실을 공중합 성분으로서 함유하는 중합체 등을 들 수 있다.(a) More specific examples of the thermoplastic polymer include polymers containing methyl methacrylate, methacrylic acid and styrene as copolymerization components, polymers containing methyl methacrylate, methacrylic acid and n-butyl acrylate as copolymerization components, And polymers containing benzyl methacrylate, methyl methacrylate and 2-ethylhexyl acrylate as copolymerization components.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중에 함유되는 (a) 열가소성 중합체의 양은 20 ∼ 90 질량% 의 범위이며, 바람직하게는 25 ∼ 70 질량% 의 범위이다. 이 양은 알칼리 현상성을 유지한다는 관점에서 20 질량% 이상이며, 또, 노광에 의해 형성되는 레지스트 패턴이 레지스트로서의 성능을 충분히 발휘한다는 관점에서 90 질량% 이하이다.The amount of the (a) thermoplastic polymer contained in the photosensitive resin composition of this invention is 20-90 mass%, Preferably it is 25-70 mass%. This amount is 20 mass% or more from the viewpoint of maintaining alkali developability, and is 90 mass% or less from the viewpoint that the resist pattern formed by exposure exhibits sufficient performance as a resist.

(b) 부가 중합성 모노머(b) addition polymerizable monomers

(b) 부가 중합성 모노머는 분자 내에 적어도 1 개의 중합 가능한 에틸렌성 불포화 결합을 갖는다. 에틸렌성 불포화 결합은 화상 형성성이 양호한 관점에서 말단 에틸렌성 불포화기인 것이 바람직하다. 고해상성 및 에지 퓨즈 억제의 관점에서, (b) 부가 중합성 모노머로는, 하기 일반식 (Ⅱ) 또는 (Ⅲ) 으로 나타내는 광 중합 가능한 불포화 화합물을 적어도 1 종 함유하는 것이 바람직하다.(b) The addition polymerizable monomer has at least one polymerizable ethylenically unsaturated bond in the molecule. It is preferable that an ethylenically unsaturated bond is a terminal ethylenically unsaturated group from a viewpoint of image formation property favorable. From the viewpoint of high resolution and edge fuse suppression, it is preferable to contain at least one unsaturated polymerizable photopolymerizable compound represented by the following general formula (II) or (III) as the (b) addition polymerizable monomer.

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pct00005
Figure pct00005

(식 중, R6 및 R7 은 각각 독립적으로 H 또는 CH3 이며, n2, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 3 ∼ 20 의 정수이다) (Wherein R 6 and R 7 are each independently H or CH 3 , and n 2 , n 3 and n 4 are each independently an integer of 3 to 20)

[화학식 6][Formula 6]

Figure pct00006
Figure pct00006

(식 중, R8 및 R9 는 각각 독립적으로 H 또는 CH3 이며, A2 는 C2H4 이며, A3 은 C3H6 이며, n5 및 n6 은 각각 독립적으로 1 ∼ 29 의 정수이며 또한 n5+n6 2 ∼ 30 의 정수이며, n7 및 n8 은 각각 독립적으로 0 ∼ 29 의 정수이며 또한 n7+n8 은 0 ∼ 30 의 정수이며, -(A2-O)- 및 -(A3-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이어도 되고 블록이어도 되며, 블록의 경우, -(A2-O)- 와 -(A3-O) 의 어느 것이 비스페닐기측이어도 된다) (Wherein R 8 and R 9 are each independently H or CH 3 , A 2 is C 2 H 4 , A 3 is C 3 H 6 , and n 5 and n 6 are each independently 1-29 Is an integer and n 5 + n 6 is An integer of 2 to 30, n 7 and n 8 are each independently an integer of 0 to 29, and n 7 + n 8 is an integer of 0 to 30,-(A 2 -O)-and-(A 3 -O The array of repeating units of)-may be random or a block, and in the case of a block, any of-(A 2 -O)-and-(A 3 -O) may be a bisphenyl group side)

상기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물에 있어서는, n2, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 3 이상 20 이하이다. n2, n3 및 n4 는 텐팅성이 향상되는 점에서 3 이상이며, 감도 및 해상도가 향상되는 점에서 20 이하이다. 보다 바람직하게는 n2 및 n4 가 각각 독립적으로 3 이상 10 이하이며, n3 이 5 이상 15 이하이다.In the compound represented by the said general formula (II), n <2> , n <3> and n <4> are respectively 3 or more and 20 or less independently. n <2> , n <3> and n <4> are three or more in the point which a tentability improves, and are 20 or less in the point which improves a sensitivity and a resolution. More preferably n 2 and n 4 Are each independently 3 or more and 10 or less, and n 3 This is 5 or more and 15 or less.

상기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 화합물에 있어서, n5 및 n6 은 각각 독립적으로 1 ∼ 29 의 정수이며 또한 n5+n6 2 ∼ 30 의 정수이다. n5 및 n6 은 경화 레지스트막의 유연성 관점에서 1 이상이며, 충분한 감도가 얻어진다는 관점에서 29 이하이다. n5+n6 은 텐팅성 관점에서 2 이상이며, 화상 형성성 관점에서 30 이하이다. 또, 상기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 화합물에 있어서, n7 및 n8 은 각각 독립적으로 0 ∼ 29 의 정수이며 또한 n7+n8 은 0 ∼ 30 의 정수이다. n7 및 n8 은 충분한 감도가 얻어진다는 관점에서 29 이하이다. n7+n8 은 현상액 응집성 관점에서 30 이하이다.In the compound represented by the general formula (III), n 5 and n 6 are each independently an integer of 1 to 29, and n 5 + n 6 is It is an integer of 2-30. n 5 and n 6 is 1 or greater in the cured resist film flexibility point of view, is 29 or less from the viewpoint that a sufficient sensitivity is obtained. n <5> + n <6> is two or more from a viewpoint of tentability, and is 30 or less from a viewpoint of image formation. In addition, in the compound represented by the general formula (III), n 7 and n 8 are each independently an integer of 0 to 29, and n 7 + n 8 is an integer of 0 to 30. n 7 and n 8 is 29 or less from the viewpoint that a sufficient sensitivity is obtained. n <7> + n <8> is 30 or less from a developer cohesion viewpoint.

상기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 화합물에 있어서는, n5+n6+n7+n8 의 값은 2 이상이 바람직하고, 또 40 이하가 바람직하다. 감광성 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화 레지스트막의 유연성 및 텐팅성 관점에서 상기 값은 2 이상이 바람직하고, 해상도에 대한 효과에서 상기 값은 40 이하가 바람직하다. 상기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 불포화 화합물의 구체예로는, 비스페놀 A 의 양단에 각각 평균 2 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리에틸렌글리콜의 디메타크릴레이트 (예를 들어 신나카무라 화학 공업 (주) 제조 NK 에스테르 BPE-200), 비스페놀 A 의 양단에 각각 평균 5 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리에틸렌글리콜의 디메타크릴레이트 (예를 들어 신나카무라 화학 공업 (주) 제조 NK 에스테르 BPE-500), 비스페놀 A 의 양단에 각각 평균 6 몰의 에틸렌옥사이드와 평균 2 몰의 프로필렌옥사이드를 부가한 폴리알킬렌글리콜의 디메타크릴레이트, 비스페놀 A 의 양단에 각각 평균 15 몰의 에틸렌옥사이드와 평균 2 몰의 프로필렌옥사이드를 부가한 폴리알킬렌글리콜의 디메타크릴레이트 등을 들 수 있다.In the compound represented by the general formula (Ⅲ), n 5 + n 6 + n 7 + n 8 are values of 2 or higher is preferred, and also preferably not more than 40. From the viewpoint of flexibility and tentability of the cured resist film obtained by curing the photosensitive resin composition, the value is preferably 2 or more, and the value is preferably 40 or less from the effect on the resolution. As a specific example of the unsaturated compound represented by the said General formula (III), the dimethacrylate of polyethyleneglycol which added an average of 2 mol ethylene oxide to both ends of bisphenol A (for example, Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd. product) NK ester BPE-200) and dimethacrylate of polyethyleneglycol which added an average of 5 mol of ethylene oxide to both ends of bisphenol A (for example, NK ester BPE-500 manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) and bisphenol A Dimethacrylate of polyalkylene glycol added with an average of 6 moles of ethylene oxide and an average of 2 moles of propylene oxide at each end of, and 15 moles of ethylene oxide and an average of 2 moles of propylene oxide at both ends of bisphenol A. Dimethacrylate of the polyalkylene glycol added, etc. are mentioned.

(b) 부가 중합성 모노머에서 차지하는, 상기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 광 중합 가능한 불포화 화합물의 비율은 감도, 해상도, 밀착성 및 텐팅성이 향상되는 점에서 3 질량% 이상이 바람직하고, 에지 퓨즈가 억제되는 점에서 70 질량% 이하가 바람직하다. 상기 비율은 보다 바람직하게는 3 질량% 이상 50 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 3 질량% 이상 30 질량% 이하이다.(b) The ratio of the photopolymerizable unsaturated compound represented by the general formula (II) in the addition polymerizable monomer is preferably 3% by mass or more in terms of improving the sensitivity, resolution, adhesiveness and tentability, and the edge fuse 70 mass% or less is preferable at the point which is suppressed. More preferably, the said ratio is 3 mass% or more and 50 mass% or less, More preferably, it is 3 mass% or more and 30 mass% or less.

(b) 부가 중합성 모노머에서 차지하는, 상기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 광 중합 가능한 불포화 화합물의 비율은 감도가 향상되는 점에서 3 질량% 이상이 바람직하고, 에지 퓨즈가 억제되는 관점에서 70 질량% 이하가 바람직하다. 상기 비율은 보다 바람직하게는 10 ∼ 65 질량%, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 55 질량% 이다.(b) The ratio of the photopolymerizable unsaturated compound represented by the general formula (III) in the addition polymerizable monomer is preferably 3% by mass or more from the viewpoint of improving the sensitivity, and 70% by mass from the viewpoint of suppressing the edge fuse. The following is preferable. More preferably, the said ratio is 10-65 mass%, More preferably, it is 15-55 mass%.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용하는 (b) 부가 중합성 모노머로는, 상기 일반식 (Ⅱ) 및 (Ⅲ) 으로 나타내는 화합물 이외에도, 적어도 1 개의 중합 가능한 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 공지된 화합물을 사용할 수 있다. 이와 같은 화합물로는, 예를 들어, 4-노닐페닐헵타에틸렌글리콜디프로필렌글리콜아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트, 페녹시헥사에틸렌글리콜아크릴레이트, 무수 프탈산과 2-하이드록시프로필아크릴레이트와의 반에스테르 화합물과 프로필렌옥사이드와의 반응물 (예를 들어 닛폰 촉매 화학 제조, 상품명 OE-A 200), 4-노르말옥틸페녹시펜타프로필렌글리콜아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메트)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디올디(메트)아크릴레이트, 또한, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트 등의 폴리옥시알킬렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 2-디(p-하이드록시페닐)프로판디(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르트리(메트)아크릴레이트, 2,2-비스(4-메타크릴옥시펜타에톡시페닐)프로판, 헥사메틸렌디이소시아네이트와 노나프로필렌글리콜모노메타크릴레이트와의 우레탄화물 등의 우레탄기를 함유하는 다관능기 (메트)아크릴레이트, 및 이소시아누르산에스테르 화합물의 다관능 (메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상 병용해도 상관없다.As the (b) addition polymerizable monomer used in the photosensitive resin composition of the present invention, in addition to the compounds represented by the general formulas (II) and (III), a known compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated bond can be used. Can be. As such a compound, for example, 4-nonylphenylheptaethylene glycol dipropylene glycol acrylate, 2-hydroxy-3- phenoxypropyl acrylate, phenoxy hexaethylene glycol acrylate, phthalic anhydride and 2-hydroxy A reaction product of a half ester compound with oxypropyl acrylate and a propylene oxide (e.g., Nippon Catalyst Chemical Co., OE-A 200), 4-normaloctylphenoxypentapropylene glycol acrylate, 1,6-hexanediol ( Polyoxyalkylene glycol di (meth), such as a meth) acrylate, 1, 4- cyclohexanediol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, and polyethylene glycol di (meth) acrylate Acrylate, 2-di (p-hydroxyphenyl) propanedi (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, pentaerythritol penta (meth) acrylate, trimethylolprop It contains urethane groups, such as a triglycidyl ether tri (meth) acrylate, 2, 2-bis (4-methacryloxy pentaethoxyphenyl) propane, and a urethane compound of hexamethylene diisocyanate and nonapropylene glycol monomethacrylate. The polyfunctional (meth) acrylate which is mentioned, and the polyfunctional (meth) acrylate of the isocyanuric acid ester compound are mentioned. These may be used independently and may use two or more types together.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중의 (b) 부가 중합성 모노머의 양은 3 ∼ 75 질량% 의 범위이며, 보다 바람직한 범위는 15 ∼ 70 질량% 이다. 이 양은 감광성 수지 조성물의 경화 불량, 및 현상 시간의 지연을 억제한다는 관점에서 3 질량% 이상이며, 또, 콜드 플로우, 및 경화 레지스트의 박리 지연을 억제한다는 관점에서 75 질량% 이하이다.The amount of the (b) addition polymerizable monomer in the photosensitive resin composition of this invention is the range of 3-75 mass%, and a more preferable range is 15-70 mass%. This amount is 3 mass% or more from the viewpoint of suppressing the curing failure of the photosensitive resin composition and the delay of the developing time, and is 75 mass% or less from the viewpoint of suppressing the delay of peeling of the cold flow and the cured resist.

(c) 광 중합 개시제(c) photoinitiator

(c) 광 중합 개시제로는, 감광성 수지의 광 중합 개시제로서 통상 사용되는 것을 적절히 사용할 수 있는데, 특히 헥사아릴비스이미다졸 (이하, 트리아릴이미다졸릴 2 량체라고도 한다) 이 바람직하게 사용된다. 트리아릴이미다졸릴 2 량체로는, 예를 들어, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸릴 2 량체 (이하, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,1'-비스이미다졸이라고도 한다), 2,2',5-트리스-(o-클로로페닐)-4-(3,4-디메톡시페닐)-4',5'-디페닐이미다졸릴 2 량체, 2,4-비스-(o-클로로페닐)-5-(3,4-디메톡시페닐)-디페닐이미다졸릴 2 량체, 2,4,5-트리스-(o-클로로페닐)-디페닐이미다졸릴 2 량체, 2-(o-클로로페닐)-비스-4,5-(3,4-디메톡시페닐)-이미다졸릴 2 량체, 2,2'-비스-(2-플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-이미다졸릴 2 량체, 2,2'-비스-(2,3-디플루오로메틸페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-이미다졸릴 2 량체, 2,2'-비스-(2,4-디플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-이미다졸릴 2 량체, 2,2'-비스-(2,5-디플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-이미다졸릴 2 량체, 2,2'-비스-(2,6-디플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-이미다졸릴 2 량체, 2,2'-비스-(2,3,4-트리플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-이미다졸릴 2 량체, 2,2'-비스-(2,3,5-트리플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-이미다졸릴 2 량체, 2,2'-비스-(2,3,6-트리플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-이미다졸릴 2 량체, 2,2'-비스-(2,4,5-트리플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-이미다졸릴 2 량체, 2,2'-비스-(2,4,6-트리플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-이미다졸릴 2 량체, 2,2'-비스-(2,3,4,5-테트라플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-이미다졸릴 2 량체, 2,2'-비스-(2,3,4,6-테트라플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-이미다졸릴 2 량체, 및 2,2'-비스-(2,3,4,5,6-펜타플루오로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스-(3-메톡시페닐)-이미다졸릴 2 량체 등을 들 수 있다. 특히, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸릴 2 량체는 해상성 및 경화 레지스트막의 강도에 대해 높은 효과를 갖는 광 중합 개시제로, 바람직하게 사용된다. 이들은 단독이어도 되고 또는 2 종류 이상 조합하여 사용해도 된다.(c) As a photoinitiator, what is normally used as a photoinitiator of photosensitive resin can be used suitably, Especially hexaaryl bisimidazole (henceforth triaryl imidazolyl dimer) is used preferably. As a triaryl imidazolyl dimer, it is a 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenyl imidazolyl dimer (hereafter, 2,2'-bis (2-chlorophenyl)-). Also known as 4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,1'-bisimidazole), 2,2', 5-tris- (o-chlorophenyl) -4- (3,4-dimethoxy Phenyl) -4 ', 5'-diphenylimidazolyl dimer, 2,4-bis- (o-chlorophenyl) -5- (3,4-dimethoxyphenyl) -diphenylimidazolyl dimer, 2,4,5-tris- (o-chlorophenyl) -diphenylimidazolyl dimer, 2- (o-chlorophenyl) -bis-4,5- (3,4-dimethoxyphenyl) -imida Zolyl dimer, 2,2'-bis- (2-fluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis- (3-methoxyphenyl) -imidazolyl dimer, 2,2' -Bis- (2,3-difluoromethylphenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis- (3-methoxyphenyl) -imidazolyl dimer, 2,2'-bis- (2 , 4-difluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis- (3-methoxyphenyl) -imidazolyl dimer, 2,2'-bis- (2,5-difluoro Rophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis- (3-methoxy Nil) -imidazolyl dimer, 2,2'-bis- (2,6-difluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis- (3-methoxyphenyl) -imida Zolyl dimer, 2,2'-bis- (2,3,4-trifluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis- (3-methoxyphenyl) -imidazolyl dimer , 2,2'-bis- (2,3,5-trifluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis- (3-methoxyphenyl) -imidazolyl dimer, 2, 2'-bis- (2,3,6-trifluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis- (3-methoxyphenyl) -imidazolyl dimer, 2,2'- Bis- (2,4,5-trifluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis- (3-methoxyphenyl) -imidazolyl dimer, 2,2'-bis- ( 2,4,6-trifluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis- (3-methoxyphenyl) -imidazolyl dimer, 2,2'-bis- (2,3 , 4,5-tetrafluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis- (3-methoxyphenyl) -imidazolyl dimer, 2,2'-bis- (2,3, 4,6-tetrafluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis- (3-methoxyphenyl) -imidazolyl dimer, and 2,2'-bis- (2,3, 4,5,6- Pentafluorophenyl) -4,4 ', 5,5'- tetrakis- (3-methoxyphenyl) -imidazolyl dimer and the like. In particular, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazolyl dimer is preferably used as a photoinitiator having a high effect on resolution and strength of the cured resist film. These may be individual or may be used in combination of 2 or more types.

(c) 광 중합 개시제로서 아크리딘 화합물 및/또는 피라졸린 화합물을 함유하는 것은 양호한 감도로 광 경화가 진행되는 관점에서 바람직하다. 아크리딘 화합물로는, 아크리딘, 9-페닐아크리딘, 9-(4-톨릴)아크리딘, 9-(4-메톡시페닐)아크리딘, 9-(4-하이드록시페닐)아크리딘, 9-에틸아크리딘, 9-클로로에틸아크리딘, 9-메톡시아크리딘, 9-에톡시아크리딘, 9-(4-메틸페닐)아크리딘, 9-(4-에틸페닐)아크리딘, 9-(4-n-프로필페닐)아크리딘, 9-(4-n-부틸페닐)아크리딘, 9-(4-tert-부틸페닐)아크리딘, 9-(4-에톡시페닐)아크리딘, 9-(4-아세틸페닐)아크리딘, 9-(4-디메틸아미노페닐)아크리딘, 9-(4-클로로페닐)아크리딘, 9-(4-브로모페닐)아크리딘, 9-(3-메틸페닐)아크리딘, 9-(3-tert-부틸페닐)아크리딘, 9-(3-아세틸페닐)아크리딘, 9-(3-디메틸아미노페닐)아크리딘, 9-(3-디에틸아미노페닐)아크리딘, 9-(3-클로로페닐)아크리딘, 9-(3-브로모페닐)아크리딘, 9-(2-피리딜)아크리딘, 9-(3-피리딜)아크리딘, 9-(4-피리딜)아크리딘 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 화상 형성성 관점에서 9-페닐아크리딘이 바람직하다.(c) It is preferable to contain an acridine compound and / or a pyrazoline compound as a photoinitiator from a viewpoint that photocuring advances with favorable sensitivity. Examples of the acridine compound include acridine, 9-phenylacridine, 9- (4-tolyl) acridine, 9- (4-methoxyphenyl) acridine, and 9- (4-hydroxyphenyl ) Acridine, 9-ethylacridine, 9-chloroethylacridine, 9-methoxyacridine, 9-ethoxyacridine, 9- (4-methylphenyl) acridine, 9- (4- Ethylphenyl) acridine, 9- (4-n-propylphenyl) acridine, 9- (4-n-butylphenyl) acridine, 9- (4-tert-butylphenyl) acridine, 9 -(4-ethoxyphenyl) acridine, 9- (4-acetylphenyl) acridine, 9- (4-dimethylaminophenyl) acridine, 9- (4-chlorophenyl) acridine, 9 -(4-bromophenyl) acridine, 9- (3-methylphenyl) acridine, 9- (3-tert-butylphenyl) acridine, 9- (3-acetylphenyl) acridine, 9 -(3-dimethylaminophenyl) acridine, 9- (3-diethylaminophenyl) acridine, 9- (3-chlorophenyl) acridine, 9- (3-bromophenyl) acridine , 9- (2-pyridyl) acridine, 9- (3-pyridyl) acridine, 9- (4-pyridyl) acridine and the like. Among them, 9-phenylacridine is preferable from the viewpoint of image formation.

또, 피라졸린 화합물로는, 양호한 감도로 광 경화되는 관점에서, 1-페닐-3-(4-tert-부틸-스티릴)-5-(4-tert-부틸-페닐)-피라졸린, 1-(4-(벤조옥사졸-2-일)페닐)-3-(4-tert-부틸-스티릴)-5-(4-tert-부틸-페닐)-피라졸린, 1-페닐-3-(4-비페닐)-5-(4-tert-부틸-페닐)-피라졸린 및 1-페닐-3-(4-비페닐)-5-(4-tert-옥틸-페닐)-피라졸린 등이 바람직하다.Moreover, as a pyrazoline compound, 1-phenyl- 3- (4-tert- butyl- styryl) -5- (4-tert- butyl- phenyl) -pyrazoline from a viewpoint of photocuring with favorable sensitivity, 1 -(4- (benzooxazol-2-yl) phenyl) -3- (4-tert-butyl-styryl) -5- (4-tert-butyl-phenyl) -pyrazoline, 1-phenyl-3- (4-biphenyl) -5- (4-tert-butyl-phenyl) -pyrazoline and 1-phenyl-3- (4-biphenyl) -5- (4-tert-octyl-phenyl) -pyrazoline and the like This is preferred.

또, 상기 이외의 광 중합 개시제로는, 예를 들어, 2-에틸안트라퀴논, 옥타에틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-벤즈안트라퀴논, 2-페닐안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난트라퀴논, 2-메틸-1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸안트라퀴논, 및 3-클로로-2-메틸안트라퀴논 등의 퀴논류, 벤조페논, 미힐러케톤[4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논], 및 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 등의 방향족 케톤류, 벤조인, 벤조인에틸에테르, 벤조인페닐에테르, 메틸벤조인, 및 에틸벤조인 등의 벤조인에테르류, 벤질디메틸케탈, 벤질디에틸케탈, 티오크산톤류와 알킬아미노벤조산의 조합, 그리고 1-페닐-1,2-프로판디온-2-O-벤조인옥심, 및 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심 등의 옥심에스테르류를 들 수 있다. 또한, 상기 서술한 티오크산톤류와 알킬아미노벤조산의 조합으로는, 예를 들어 에틸티오크산톤과 디메틸아미노벤조산에틸의 조합, 2-클로르티오크산톤과 디메틸아미노벤조산에틸의 조합, 및 이소프로필티오크산톤과 디메틸아미노벤조산에틸의 조합을 들 수 있다. 또, N-아릴아미노산을 이용해도 된다. N-아릴아미노산의 예로는, N-페닐글리신, N-메틸-N-페닐글리신, N-에틸-N-페닐글리신 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 감도 상승의 관점에서 N-페닐글리신이 특히 바람직하다.Moreover, as a photoinitiator of that excepting the above, 2-ethyl anthraquinone, an octaethyl anthraquinone, a 1, 2- benzanthhraquinone, a 2, 3- benzanthhraquinone, 2-phenyl anthraquinone, 2, 3-diphenylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethylanthraquinone, and Quinones such as 3-chloro-2-methylanthraquinone, benzophenone, Michler's ketone [4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone], and 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone Of benzoin ethers such as aromatic ketones, benzoin, benzoin ethyl ether, benzoin phenyl ether, methyl benzoin, and ethyl benzoin, benzyl dimethyl ketal, benzyl diethyl ketal, thioxanthones and alkylaminobenzoic acid Combinations and oxime esters such as 1-phenyl-1,2-propanedione-2-O-benzoinoxime and 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) oxime Can be mentioned. Moreover, as a combination of the thioxanthones and alkylamino benzoic acid which were mentioned above, the combination of ethyl thioxanthone and ethyl dimethyl amino benzoate, the combination of 2-chloro thioxanthone and ethyl dimethyl amino benzoate, and isopropyl, for example And combinations of thioxanthone and ethyl dimethylaminobenzoate. Moreover, you may use N-arylamino acid. Examples of N-arylamino acids include N-phenylglycine, N-methyl-N-phenylglycine, N-ethyl-N-phenylglycine and the like. Especially, N-phenylglycine is especially preferable from a viewpoint of a sensitivity increase.

감광성 수지 조성물 중의 (c) 광 중합 개시제의 양은 0.01 ∼ 30 질량% 의 범위이며, 바람직한 범위는 0.05 ∼ 10 질량% 이다. 상기의 양은 노광에 의한 광 중합시에 충분한 감도를 얻는다는 관점에서 0.01 질량% 이상이며, 또, 광 중합시에 감광성 수지 조성물의 저면 (즉 광원으로부터 먼 부분) 에까지 광을 충분히 투과시켜, 양호한 해상성 및 밀착성을 얻는다는 관점에서 30 질량% 이하이다.The amount of (c) photoinitiator in the photosensitive resin composition is the range of 0.01-30 mass%, and a preferable range is 0.05-10 mass%. The above amount is 0.01% by mass or more from the viewpoint of obtaining sufficient sensitivity at the time of photopolymerization by exposure, and at the time of photopolymerization, the light is sufficiently transmitted to the bottom of the photosensitive resin composition (i.e., a part far from the light source), thereby achieving good resolution. It is 30 mass% or less from a viewpoint of obtaining a property and adhesiveness.

(d) 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물(d) Compound represented by general formula (I)

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (d) 일반식 (Ⅰ) : The photosensitive resin composition of this invention, (d) General formula (I):

[화학식 7][Formula 7]

Figure pct00007
Figure pct00007

(식 중, R1 ∼ R5 는 각각 독립적으로 H, 아릴기 또는 아릴알킬기이며, 또한 R1 ∼ R5 중 적어도 1 개는 아릴기 또는 아릴알킬기이며, A1 은 C2H4 또는 C3H6 이며, n1 이 2 이상인 경우 복수의 A1 은 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, 그리고 n1 은 1 ∼ 50 의 정수이다) 로 나타내는 화합물을 1 종 또는 2 종 이상 함유함으로써 화상 형성성 및 텐팅성을 유지하고, 알칼리 수용액에 의한 광 경화막의 박리 시간을 단축시킨다는 이점을 갖는다.(Wherein, R 1 to R 5 are each independently H, an aryl group or an arylalkyl group, and at least one of R 1 to R 5 is an aryl group or an arylalkyl group, and A 1 is C 2 H 4 or C 3 H 6 a, n a plurality of a 1 are may be the same with each other or different, and n 1 is an image formed by one or not less than 50 kinds of the compounds represented by the integer a) one or two of not less than 1, the second resistance and It has the advantage of maintaining tentability and shortening the peeling time of the photocured film by aqueous alkali solution.

일반식 (Ⅰ) 중, R1 ∼ R5 는 각각 독립적으로 H, 아릴기 또는 아릴알킬기이다. 본 명세서에 있어서, 아릴알킬기란 알킬기의 수소 1 원자가 아릴기로 치환된 것이다. 아릴기란 방향족 탄화수소의 핵에서 수소 1 원자를 제거한 잔기의 총칭으로, 치환 또는 비치환의 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기, 메시틸기 등을 들 수 있다. 아릴알킬기로는 벤질기, 페닐에틸기 등의 페닐알킬기, 쿠밀기 등을 들 수 있으며, 밀착성이 양호한 점에서 페닐알킬기가 바람직하고, 그리고 페닐에틸기가 보다 바람직하다.In General Formula (I), R <1> -R <5> is respectively independently H, an aryl group, or an arylalkyl group. In the present specification, the arylalkyl group is one in which the hydrogen 1 atom of the alkyl group is substituted with an aryl group. An aryl group is a general term of the residue remove | excluding one hydrogen atom from the nucleus of an aromatic hydrocarbon, A substituted or unsubstituted phenyl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, mesityl group, etc. are mentioned. Examples of the arylalkyl group include a phenylalkyl group such as a benzyl group and a phenylethyl group, cumyl group, and the like. A phenylalkyl group is preferable from the viewpoint of good adhesion, and a phenylethyl group is more preferable.

R1 ∼ R5 중 적어도 1 개는 아릴기 또는 아릴알킬기이다. 이로써 양호한 밀착성이 얻어진다. 또, R1 ∼ R5 중 1 개 내지 3 개, 특히 2 개 또는 3 개가 각각 아릴기 또는 아릴알킬기인 경우, 해상성 및 밀착성이 양호해지는 점에서 바람직하다.At least 1 of R <1> -R <5> is an aryl group or an arylalkyl group. As a result, good adhesion is obtained. Moreover, when 1-3, especially 2 or 3 of R <1> -R <5> are an aryl group or an arylalkyl group, it is preferable at the point that resolution and adhesiveness become favorable.

또 R1 ∼ R5 중 적어도 1 개가 페닐알킬기인 것이 특히 바람직하다. Moreover, it is especially preferable that at least 1 of R <1> -R <5> is a phenylalkyl group.

또, R1 ∼ R5 가 각각 독립적으로 H, 페닐기 또는 1-페닐에틸기이며, R1 ∼ R5 중 2 개가 H 이며, 또한 R1 ∼ R5 중 3 개가 각각 독립적으로 페닐기 또는 1-페닐에틸기인 R1 ∼ R5 의 조합은 박리 시간이 단축되는 관점에서 바람직하다. 한편, R1 ∼ R5 의 상기 이외의 조합의 양태, 즉, R1 ∼ R5 가 각각 독립적으로 H, 아릴기 또는 아릴알킬기이며, 또한 R1 ∼ R5 중 적어도 1 개가 아릴기 또는 아릴알킬기이지만, R1 ∼ R5 의 조합은, R1 ∼ R5 중 2 개가 H 이며 또한 R1 ∼ R5 중 3 개가 각각 독립적으로 페닐기 또는 1-페닐에틸기인 조합이 아닌 것을 조건으로 하는 양태는, 현상 응집성이 양호한 관점에서 바람직하다.R 1 to R 5 are each independently H, a phenyl group, or 1-phenylethyl group, two of R 1 to R 5 are H, and three of R 1 to R 5 are each independently a phenyl group or 1-phenylethyl group. the combination of the R 1 ~ R 5 is preferable in terms that reduce the separation time. In addition, the aspect of the combination of that excepting the above of R <1> -R <5> , ie, R <1> -R <5> is respectively independently H, an aryl group, or an arylalkyl group, and at least 1 of R <1> -R <5> is an aryl group or an arylalkyl group Although a combination of, R 1 ~ R 5 is, R 1 ~ R 5 and the two are also aspects of the H to the condition that three of the R 1 ~ R 5 are each independently other than a phenyl or 1-phenylethyl group is in the combination, Development cohesion is preferable from a good viewpoint.

아릴알킬기는 알킬기 부분의 탄소수가 1 ∼ 6 개인 것이 바람직하고, 탄소수가 이 범위인 경우 응집성이 보다 양호하다. 상기 탄소수는 보다 바람직하게는 1 ∼ 3 개이다.It is preferable that the arylalkyl group has 1 to 6 carbon atoms in the alkyl group moiety, and when the carbon number is in this range, the cohesiveness is better. More preferably, the said carbon number is 1-3 pieces.

일반식 (Ⅰ) 중의 A1 은 C2H4 또는 C3H6 이며, 이로써 현상 후 응집성이 양호하다는 이점이 얻어진다.A 1 in the general formula (Ⅰ) is C 2 H 4 or C 3 H 6, whereby the advantage of the good cohesiveness after development can be obtained.

일반식 (Ⅰ) 중의 반복 단위 -(A1-O)- 의 반복수 n1 은 1 ∼ 50 이며, n1 이 2 이상인 경우 복수의 A1 은 서로 동일해도 되고 상이해도 된다. n1 은 응집성을 양호하게 얻는 관점에서 1 이상이며, 화상 형성성 및 밀착성을 양호하게 얻는 관점에서 50 이하이다. 밀착성이 보다 양호해지는 관점에서, n1 은 1 ∼ 35 의 정수인 것이 바람직하다. 또한 반복 단위 -(A1-O)- 는 랜덤 또는 블록으로 반복될 수 있다.The repeating number n 1 of the repeating unit-(A 1 -O)-in General Formula (I) is 1 to 50, and when n 1 is 2 or more, a plurality of A 1 may be the same as or different from each other. n 1 is 1 or more in terms satisfactorily obtain a coherent, is 50 or less in terms satisfactorily obtain the image-forming properties and adhesion. In view adhesion becomes more favorable, n 1 is preferably an integer of 1-35. The repeating unit-(A 1 -O)-can also be repeated randomly or in blocks.

감광성 수지 조성물 중의 (d) 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물의 함유량은, 상기 (a), (b) 및 (c) 성분의 합계량을 100 질량% 로 했을 때에 1 ∼ 20 질량% 의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 ∼ 10 질량% 의 범위이다. 상기 함유량이 1 질량% 이상인 경우에는 감광성 수지 조성물의 현상 후 응집성이 양호해지고, 20 질량% 이하인 경우에는 현상성 및 화상 형성성이 양호하다.Content of the compound represented by (d) General formula (I) in the photosensitive resin composition is a thing of 1-20 mass%, when the total amount of the said (a), (b) and (c) component is 100 mass%. Preferably, it is the range of 2-10 mass% more preferably. When the said content is 1 mass% or more, cohesiveness after image development of the photosensitive resin composition becomes favorable, and when it is 20 mass% or less, developability and image formation property are favorable.

(d) 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물로서 시판에 의해 입수 가능한 것으로는, 예를 들어 뉴콜 610 (닛폰 유화제 주식회사 제조), 뉴콜 610 (80) (닛폰 유화제 주식회사 제조), 뉴콜 2604 (닛폰 유화제 주식회사 제조), 뉴콜 2607 (닛폰 유화제 주식회사 제조), 뉴콜 2609 (닛폰 유화제 주식회사 제조), 뉴콜 2614 (닛폰 유화제 주식회사 제조), 뉴콜 707-F (닛폰 유화제 주식회사 제조), 뉴콜 710-F (닛폰 유화제 주식회사 제조), 뉴콜 714-F (닛폰 유화제 주식회사 제조), 뉴콜 2608-F (닛폰 유화제 주식회사 제조), 뉴콜 2600-FB (닛폰 유화제 주식회사 제조), 뉴콜 2616-F (닛폰 유화제 주식회사 제조), 뉴콜 3612-FA (닛폰 유화제 주식회사 제조) 등을 들 수 있으며, 그 중에서도, 박리 시간을 효율적으로 단축시키는 관점에서, 보다 바람직하게는 뉴콜 2604 (닛폰 유화제 주식회사 제조), 뉴콜 2607 (닛폰 유화제 주식회사 제조), 뉴콜 2609 (닛폰 유화제 주식회사 제조) 및 뉴콜 2614 (닛폰 유화제 주식회사 제조) 이다.(d) As a compound represented by general formula (I), what is commercially available is, for example, New Cole 610 (made by Nippon Emulsifier Co., Ltd.), New call 610 (80) (made by Nippon Emulsifier Co., Ltd.), New call 2604 (Nippon Emulsifier Co., Ltd.). New Kohl 2607 (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.), New Kohl 2609 (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.), New Kohl 2614 (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.), New Kohl 707-F (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.), New Kohl 710-F (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.) ), Newcall 714-F (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.), Newcall 2608-F (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.), Newcall 2600-FB (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.), Newcall 2616-F (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.), Newcall 3612-FA (Nippon Emulsifier Co., Ltd.) etc. are mentioned, Especially, from the viewpoint of shortening peeling time efficiently, More preferably, Nucol 2604 (made by Nippon Emulsifier Co., Ltd.), Nucol 26 07 (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.), Nucol 2609 (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.) and Nucoll 2614 (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.).

본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 상기 (a) ∼ (d) 성분의 다른 성분으로서 각종 첨가제를 함유시킬 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 염료, 안료 등의 착색 물질을 채용할 수 있다. 이와 같은 착색 물질로는, 예를 들어, 프탈로시아닌 그린, 크리스탈 바이올렛, 메틸 오렌지, 나일 블루 2B, 빅토리아 블루, 말라카이트 그린, 베이직 블루 20, 및 다이아몬드 그린 등을 들 수 있다.The photosensitive resin composition of this invention can be made to contain various additives as another component of the said (a)-(d) component. Specifically, coloring substances, such as dye and a pigment, can be employ | adopted, for example. As such a coloring substance, phthalocyanine green, crystal violet, methyl orange, nile blue 2B, Victoria blue, malachite green, basic blue 20, diamond green, etc. are mentioned, for example.

또, 노광에 의해 가시상 (可視像) 을 부여할 수 있도록 감광성 수지 조성물 중에 발색제를 함유시켜도 된다. 이와 같은 발색제로는, 류코 염료 또는, 플루오란 염료와 할로겐 화합물의 조합 등의 염료를 들 수 있다. 그 할로겐 화합물로는, 브롬화아밀, 브롬화이소아밀, 브롬화이소부틸렌, 브롬화에틸렌, 브롬화디페닐메틸, 브롬화벤잘, 브롬화메틸렌, 트리브로모메틸페닐술폰, 4 브롬화탄소, 트리스(2,3-디브로모프로필)포스페이트, 트리클로로아세트아미드, 요오드화아밀, 요오드화이소부틸, 1,1,1-트리클로로-2,2-비스(p-클로로페닐)에탄, 헥사클로로에탄, 및 클로르화트리아진 화합물 등을 들 수 있다.Moreover, you may contain a coloring agent in the photosensitive resin composition so that a visual image may be provided by exposure. As such a coloring agent, dye, such as a leuco dye or the combination of a fluorane dye and a halogen compound, is mentioned. As the halogen compound, amyl bromide, isoamyl bromide, isobutyl bromide, ethylene bromide, diphenyl methyl bromide, benzyl bromide, methylene bromide, tribromomethylphenyl sulfone, carbon tetrabromide, tris (2,3-dibro) Mopropyl) phosphate, trichloroacetamide, amyl iodide, isobutyl iodide, 1,1,1-trichloro-2,2-bis (p-chlorophenyl) ethane, hexachloroethane, chlortritriazine compounds and the like Can be mentioned.

감광성 수지 조성물 중의 착색 물질 및 발색제의 함유량은 각각 0.01 ∼ 10 질량% 가 바람직하다. 그 함유량은, 양호한 착색성 및 발색성이 얻어진다는 점에서, 0.01 질량% 이상이 바람직하고, 노광부와 미노광부의 콘트라스트가 양호한 점 및 보존 안정성이 양호한 점에서 10 질량% 이하가 바람직하다.As for content of the coloring substance and color development agent in the photosensitive resin composition, respectively, 0.01-10 mass% is preferable. 0.01 mass% or more is preferable at the point from which the favorable coloring property and color development property are acquired, and 10 mass% or less is preferable at the point where the contrast of an exposed part and an unexposed part is favorable, and the storage stability is favorable.

또한, 감광성 수지 조성물의 열 안정성 및 보존 안정성을 향상시키기 위해서, 감광성 수지 조성물에 라디칼 중합 금지제, 벤조트리아졸류, 및 카르복시벤조트리아졸류로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물을 함유시키는 것이 바람직하다.Moreover, in order to improve the thermal stability and the storage stability of the photosensitive resin composition, it is preferable to contain at least 1 type of compound chosen from the group which consists of a radical polymerization inhibitor, benzotriazoles, and carboxy benzotriazoles in a photosensitive resin composition. .

라디칼 중합 금지제로는, 예를 들어, p-메톡시페놀, 하이드로퀴논, 피로갈롤, 나프틸아민, tert-부틸카테콜, 염화 제 1 구리, 2,6-디-tert-부틸-p-크레졸, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-tert-부틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-에틸-6-tert-부틸페놀), 니트로소페닐하이드록시아민알루미늄염, 및 디페닐니트로소아민을 들 수 있다.As the radical polymerization inhibitor, for example, p-methoxyphenol, hydroquinone, pyrogallol, naphthylamine, tert-butylcatechol, cuprous chloride, 2,6-di-tert-butyl-p-cresol , 2,2'-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), 2,2'-methylenebis (4-ethyl-6-tert-butylphenol), nitrosophenylhydroxyamine aluminum salt, And diphenylnitrosoamine.

또, 벤조트리아졸류로는, 예를 들어, 1,2,3-벤조트리아졸, 1-클로로-1,2,3-벤조트리아졸, 비스(N-2-에틸헥실)아미노메틸렌-1,2,3-벤조트리아졸, 비스(N-2-에틸헥실)아미노메틸렌-1,2,3-톨릴트리아졸, 및 비스(N-2-하이드록시에틸)아미노메틸렌-1,2,3-벤조트리아졸을 들 수 있다.Moreover, as benzotriazole, 1, 2-, 3- benzotriazole, 1-chloro- 1, 2, 3- benzotriazole, bis (N-2-ethylhexyl) amino methylene- 1, 2,3-benzotriazole, bis (N-2-ethylhexyl) aminomethylene-1,2,3-tolyltriazole, and bis (N-2-hydroxyethyl) aminomethylene-1,2,3- Benzotriazole is mentioned.

또, 카르복시벤조트리아졸류로는, 예를 들어, 4-카르복시-1,2,3-벤조트리아졸, 5-카르복시-1,2,3-벤조트리아졸, N-(N,N-디-2-에틸헥실)아미노메틸렌카르복시벤조트리아졸, N-(N,N-디-2-하이드록시에틸)아미노메틸렌카르복시벤조트리아졸, 및 N-(N,N-디-2-에틸헥실)아미노에틸렌카르복시벤조트리아졸을 들 수 있다.Moreover, as carboxy benzotriazoles, 4-carboxy-1,2,3-benzotriazole, 5-carboxy-1,2,3-benzotriazole, N- (N, N-di-, for example) 2-ethylhexyl) aminomethylenecarboxybenzotriazole, N- (N, N-di-2-hydroxyethyl) aminomethylenecarboxybenzotriazole, and N- (N, N-di-2-ethylhexyl) amino Ethylene carboxy benzotriazole is mentioned.

감광성 수지 조성물 중의 라디칼 중합 금지제, 벤조트리아졸류 및 카르복시벤조트리아졸류의 합계 함유량은 바람직하게는 0.01 ∼ 3 질량% 이며, 보다 바람직하게는 0.05 ∼ 1 질량% 이다. 그 함유량은 감광성 수지 조성물에 양호한 보존 안정성을 부여한다는 관점에서 0.01 질량% 이상이 바람직하고, 또, 양호한 노광 감도를 유지한다는 관점에서 3 질량% 이하가 바람직하다.Preferably the sum total content of the radical polymerization inhibitor, benzotriazoles, and carboxy benzotriazoles in the photosensitive resin composition is 0.01-3 mass%, More preferably, it is 0.05-1 mass%. 0.01 mass% or more is preferable from a viewpoint of providing the storage composition with favorable storage stability, and 3 mass% or less is preferable from a viewpoint of maintaining favorable exposure sensitivity.

감광성 수지 조성물에는, 필요에 따라 가소제를 함유시켜도 된다. 가소제로는, 예를 들어, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리옥시프로필렌폴리옥시에틸렌에테르, 폴리옥시에틸렌모노메틸에테르, 폴리옥시프로필렌모노메틸에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌모노메틸에테르, 폴리옥시에틸렌모노에틸에테르, 폴리옥시프로필렌모노에틸에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌모노에틸에테르 등의 글리콜·에스테르류, 디에틸프탈레이트 등의 프탈산에스테르류, o-톨루엔술폰산아미드, p-톨루엔술폰산아미드, 시트르산트리부틸, 시트르산트리에틸, 아세틸시트르산트리에틸, 아세틸시트르산트리-n-프로필, 아세틸시트르산트리-n-부틸 등을 들 수 있다.You may contain a plasticizer in the photosensitive resin composition as needed. As a plasticizer, for example, polyethylene glycol, polypropylene glycol, polyoxypropylene polyoxyethylene ether, polyoxyethylene monomethyl ether, polyoxypropylene monomethyl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene monomethyl ether, polyoxyethylene Glycol esters such as monoethyl ether, polyoxypropylene monoethyl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene monoethyl ether, phthalic acid esters such as diethyl phthalate, o-toluene sulfonic acid amide, p-toluene sulfonic acid amide, and citric acid tree Butyl, triethyl citrate, acetyl triethyl citrate, acetyl citrate tri-n-propyl, acetyl citrate tri-n-butyl and the like.

감광성 수지 조성물 중의 가소제의 함유량은 5 ∼ 50 질량% 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 30 질량% 이다. 상기 함유량은 현상 시간의 지연을 억제하여 경화 레지스트막에 유연성을 부여한다는 관점에서 5 질량% 이상이 바람직하고, 또, 경화 부족이나 콜드 플로우를 억제한다는 관점에서 50 질량% 이하가 바람직하다.It is preferable that content of the plasticizer in the photosensitive resin composition is 5-50 mass%, More preferably, it is 5-30 mass%. 5 mass% or more is preferable from a viewpoint of suppressing the delay of image development time, and providing flexibility to a cured resist film, and 50 mass% or less is preferable from a viewpoint of suppressing hardening shortage or cold flow.

<감광성 수지 조성물 조합액 (調合液)><Photosensitive resin composition preparation liquid>

본 발명의 감광성 수지 조성물은 그 감광성 수지 조성물에 용매를 첨가하여 형성되는 감광성 수지 조성물 조합액으로서도 각종 용도에 사용할 수 있다. 바람직한 용매로는, 메틸에틸케톤 (MEK) 으로 대표되는 케톤류, 그리고 메탄올, 에탄올 및 이소프로필알코올 등의 알코올류를 들 수 있다. 감광성 수지 조성물 조합액의 점도가 25 ℃ 에서 500 ∼ 4000 mPa·sec 가 되도록 감광성 수지 조성물에 첨가하는 용매의 양을 조정하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of this invention can be used for various uses also as a photosensitive resin composition preparation liquid formed by adding a solvent to the photosensitive resin composition. As a preferable solvent, ketones represented by methyl ethyl ketone (MEK) and alcohols, such as methanol, ethanol, and isopropyl alcohol, are mentioned. It is preferable to adjust the quantity of the solvent added to the photosensitive resin composition so that the viscosity of the photosensitive resin composition preparation liquid may be 500-4000 mPa * sec at 25 degreeC.

<감광성 수지 적층체><Photosensitive resin laminated body>

본 발명은 또, 상기 서술한 바와 같은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 지지체 상에 적층하여 이루어지는 감광성 수지 적층체를 제공한다. 감광성 수지 적층체는, 감광성 수지 조성물로 이루어지는 층 (이하, 감광성 수지층이라고도 한다) 의 지지체측과 반대측의 표면에 보호층을 가지고 있어도 된다.This invention also provides the photosensitive resin laminated body formed by laminating | stacking the photosensitive resin composition of this invention as mentioned above on a support body. The photosensitive resin laminated body may have a protective layer on the surface on the opposite side to the support body side of the layer (henceforth a photosensitive resin layer) which consists of a photosensitive resin composition.

지지체로는, 노광 광원으로부터 방사되는 광을 투과하는 투명한 것이 바람직하다. 이와 같은 지지체로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리비닐알코올 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 염화비닐리덴 공중합 필름, 폴리메타크릴산메틸 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리아크릴로니트릴 필름, 스티렌 공중합체 필름, 폴리아미드 필름 및 셀룰로오스 유도체 필름 등을 들 수 있다. 이들 필름으로는, 필요에 따라 연신된 것도 사용 가능하다. 지지체의 헤이즈는 5 이하가 바람직하다. 지지체의 두께는 얇은 것이 화상 형성성 및 경제성의 면에서 유리하지만, 강도 유지의 필요성에서 10 ∼ 30 ㎛ 인 것이 바람직하게 사용된다.As a support body, the transparent thing which permeate | transmits the light radiated | emitted from an exposure light source is preferable. As such a support body, a polyethylene terephthalate film, a polyvinyl alcohol film, a polyvinyl chloride film, a vinyl chloride copolymer film, a polyvinylidene chloride film, a vinylidene chloride copolymer film, a polymethyl methacrylate copolymer film, a polystyrene film , Polyacrylonitrile film, styrene copolymer film, polyamide film, cellulose derivative film and the like. As these films, what was extended as needed can be used. The haze of the support is preferably 5 or less. Although the thickness of the support is advantageous in terms of image formation and economical efficiency, it is preferably used in the range of 10 to 30 µm for the necessity of maintaining the strength.

감광성 수지 적층체에 있어서 보호층을 형성하는 경우, 그 보호층의 중요한 특성은, 감광성 수지층과 지지체의 밀착력과 비교하여, 감광성 수지층과 보호층의 밀착력이 충분히 작아, 보호층을 감광성 수지층으로부터 용이하게 박리할 수 있는 것이다. 예를 들어, 폴리에틸렌 필름 및 폴리프로필렌 필름 등을 보호층으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 소59-202457호에 개시된 박리성이 우수한 필름을 바람직하게 사용할 수 있다. 보호층의 막두께는 10 ∼ 100 ㎛ 가 바람직하고, 10 ∼ 50 ㎛ 가 보다 바람직하다.In the case of forming a protective layer in the photosensitive resin laminate, an important characteristic of the protective layer is that the adhesion between the photosensitive resin layer and the protective layer is sufficiently small as compared with the adhesion between the photosensitive resin layer and the support, and the protective layer is a photosensitive resin layer. It can be easily peeled from. For example, a polyethylene film, a polypropylene film, or the like can be preferably used as the protective layer. Moreover, the film excellent in the peelability disclosed in Unexamined-Japanese-Patent No. 59-202457 can be used preferably. 10-100 micrometers is preferable and, as for the film thickness of a protective layer, 10-50 micrometers is more preferable.

감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지층의 두께는, 바람직하게는 5 ∼ 100 ㎛, 보다 바람직하게는 7 ∼ 60 ㎛ 이다. 그 두께가 얇을수록 해상도는 향상되고, 또 두꺼울수록 막 강도가 향상되므로, 그 두께는 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다.The thickness of the photosensitive resin layer in the photosensitive resin laminated body becomes like this. Preferably it is 5-100 micrometers, More preferably, it is 7-60 micrometers. The thinner the thickness, the higher the resolution, and the thicker the film, the higher the film strength. Therefore, the thickness can be appropriately selected depending on the application.

지지체, 감광성 수지층 및 필요에 따라 보호층을 순차 적층하여, 본 발명의 감광성 수지 적층체를 제작하는 방법은 종래 알려져 있는 방법을 채용할 수 있다.A method known in the art can be adopted as a method of sequentially laminating a support, a photosensitive resin layer, and a protective layer as necessary to produce the photosensitive resin laminate of the present invention.

예를 들어, 감광성 수지층에 사용하는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 전술한 감광성 수지 조성물 조합액을 조제해 두고, 이것을 먼저 지지체 상에 바 코터 또는 롤 코터를 이용하여 도포하고 건조시켜, 지지체 상에 그 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지층을 적층한다. 이어서, 필요에 따라 그 감광성 수지층 상에 보호층을 적층한다. 이상에 의해 감광성 수지 적층체를 제작할 수 있다.For example, using the photosensitive resin composition of this invention used for the photosensitive resin layer, the above-mentioned photosensitive resin composition preparation liquid is prepared, This is first apply | coated on a support body using a bar coater or a roll coater, and it is made to dry, The photosensitive resin layer which consists of this photosensitive resin composition is laminated | stacked on it. Next, a protective layer is laminated on the photosensitive resin layer as needed. The photosensitive resin laminated body can be produced by the above.

<레지스트 패턴 형성 방법><Resist Pattern Forming Method>

본 발명은 또, 상기 서술한 본 발명의 감광성 수지 적층체를 사용한 레지스트 패턴 형성 방법을 제공한다. 그 레지스트 패턴 형성 방법은, 기판 상에 감광성 수지 적층체를 형성하는 라미네이트 공정, 그 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 및 그 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정을 포함한다. 레지스트 형성 방법의 구체적인 예를 이하에 설명한다.This invention also provides the resist pattern formation method using the photosensitive resin laminated body of this invention mentioned above. The resist pattern forming method includes a lamination step of forming a photosensitive resin laminate on a substrate, an exposure step of exposing the photosensitive resin laminate, and an unexposed portion of the photosensitive resin in the photosensitive resin laminate to remove the resist. And a developing step of forming a pattern. Specific examples of the resist formation method will be described below.

먼저, 라미네이터를 이용하여 라미네이트 공정을 실시한다. 감광성 수지 적층체가 보호층을 갖는 경우에는 보호층을 박리한 후, 라미네이터로 감광성 수지층을 기판 표면에 가열 압착하여 라미네이트한다. 이 경우, 감광성 수지층은 기판 표면의 편면에만 라미네이트해도 되고, 필요에 따라 양면에 라미네이트해도 된다. 이 때의 가열 온도는 일반적으로 40 ∼ 160 ℃ 이다. 또, 그 가열 압착을 2 회 이상 실시하는 경우, 얻어지는 레지스트 패턴의 기판에 대한 밀착성이 향상된다. 이 때, 압착은 2 련 롤을 구비한 2 단식 라미네이터를 사용하여 실시해도 되고, 감광성 수지 적층체와 기판을 몇회 반복하여 롤에 통과시킴으로써 감광성 수지층을 기판 표면에 압착해도 된다.First, a lamination process is performed using a laminator. When the photosensitive resin laminated body has a protective layer, after peeling a protective layer, a photosensitive resin layer is heat-compression-bonded to a board | substrate surface with a laminator and it laminates. In this case, the photosensitive resin layer may be laminated only on one side of the substrate surface, or may be laminated on both sides as necessary. The heating temperature at this time is generally 40-160 degreeC. Moreover, when performing the heat press bonding twice or more, the adhesiveness with respect to the board | substrate of the resist pattern obtained improves. At this time, crimping | bonding may be performed using the two-stage laminator provided with the double roll, and the photosensitive resin layer may be crimped | bonded to the board | substrate surface by passing a photosensitive resin laminated body and a board | substrate several times repeatedly through a roll.

다음으로, 노광기를 이용하여 노광 공정을 실시한다. 필요에 따라 지지체를 박리한 후에, 포토마스크를 통과시켜 활성 광에 의해 감광성 수지층에 노광한다. 노광량은 광원 조도 및 노광 시간에 따라 결정된다. 광량계를 이용하여 노광량을 측정해도 된다. Next, an exposure process is performed using an exposure machine. After peeling a support body as needed, it passes through a photomask and exposes to the photosensitive resin layer with actinic light. The exposure amount is determined in accordance with the light source illuminance and the exposure time. You may measure an exposure amount using a photometer.

노광 공정에 있어서는, 마스크리스 노광 방법을 사용해도 된다. 마스크리스 노광에서는 포토마스크를 사용하지 않고 기판 상에 직접 묘화 장치에 의해 노광한다. 광원으로는 파장 350 ∼ 410 ㎚ 의 반도체 레이저, 초고압 수은등 등이 사용된다. 묘화 패턴은 컴퓨터에 의해 제어되고, 이 경우의 노광량은 노광 광원의 조도 및 기판의 이동 속도에 따라 결정된다.In an exposure process, you may use the maskless exposure method. In maskless exposure, it does not use a photomask but exposes directly on a board | substrate by the drawing apparatus. As the light source, a semiconductor laser having a wavelength of 350 to 410 nm, an ultrahigh pressure mercury lamp, or the like is used. The drawing pattern is controlled by a computer, and the exposure amount in this case is determined in accordance with the illuminance of the exposure light source and the moving speed of the substrate.

다음으로, 현상 장치를 이용하여 현상 공정을 실시한다. 노광 후, 감광성 수지층 상에 지지체가 있는 경우에는 이것을 제거한다. 계속해서 알칼리 수용액으로 이루어지는 현상액을 이용하여 감광성 수지의 미노광 부분을 현상 제거하여 레지스트 패턴을 얻는다. 알칼리 수용액으로는, Na2CO3, 또는 K2CO3 등의 수용액이 바람직하다. 이들은 감광성 수지층의 특성에 맞춰 선택되는데, 0.2 ∼ 2 질량% 농도의 Na2CO3 수용액이 일반적이다. 그 알칼리 수용액 중에는 표면 활성제, 소포제, 현상을 촉진시키기 위한 소량의 유기 용제 등을 혼입시켜도 된다. 또한, 현상 공정에 있어서의 그 현상액의 온도는 20 ∼ 40 ℃ 의 범위에서 일정 온도로 유지하는 것이 바람직하다.Next, a developing process is performed using a developing apparatus. After exposure, when a support body exists on the photosensitive resin layer, this is removed. Then, the unexposed part of photosensitive resin is image-developed and removed using the developing solution which consists of aqueous alkali solution, and a resist pattern is obtained. With an aqueous alkali solution is an aqueous solution, such as Na 2 CO 3, or K 2 CO 3 are preferred. These are selected according to the characteristics of the photosensitive resin layer, but an aqueous solution of Na 2 CO 3 at a concentration of 0.2 to 2% by mass is common. In the aqueous alkali solution, a small amount of an organic solvent for promoting the development of a surface active agent, an antifoaming agent, and the like may be mixed. In addition, it is preferable to maintain the temperature of the developing solution in a developing process at a fixed temperature in the range of 20-40 degreeC.

상기 서술한 공정에 의해 레지스트 패턴이 얻어지는데, 경우에 따라서는, 추가로 100 ∼ 300 ℃ 의 가열 공정을 실시할 수도 있다. 이 가열 공정을 실시함으로써 추가적인 내약품성 향상이 가능해진다. 가열에는 열풍, 적외선, 또는 원적외선 등의 방식의 가열로를 사용할 수 있다. Although a resist pattern is obtained by the above-mentioned process, in some cases, the heating process of 100-300 degreeC can also be performed further. By performing this heating process, further chemical-resistant improvement is attained. For the heating, a heating furnace such as hot air, infrared rays, or far infrared rays can be used.

<도체 패턴의 제조 방법·프린트 배선판의 제조 방법><Manufacturing method of a conductor pattern, manufacturing method of a printed wiring board>

본 발명은 또, 상기 서술한 감광성 수지 적층체를 이용하여 도체 패턴을 제조하는 방법, 및 상기 서술한 감광성 수지 적층체를 이용하여 프린트 배선판을 제조하는 방법을 제공한다. 도체 패턴의 제조 방법은, 상기 서술한 본 발명의 감광성 수지 적층체를, 금속판 또는 금속 피막 절연판, 예를 들어 동장 적층판인 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정, 및 레지스트 패턴이 형성된 기판 (예를 들어 동장 적층판에 있어서는 기판의 동면 (銅面)) 을 에칭 또는 도금함으로써 도체 패턴을 형성하는 공정을 포함한다. 라미네이트 공정, 노광 공정 및 현상 공정에 있어서는, 레지스트 패턴 형성 방법에 있어서 상기 서술한 것과 동일한 방법 및 조건을 바람직하게 채용할 수 있다.This invention also provides the method of manufacturing a conductor pattern using the photosensitive resin laminated body mentioned above, and the method of manufacturing a printed wiring board using the photosensitive resin laminated body mentioned above. The manufacturing method of a conductor pattern is the lamination process of forming the photosensitive resin laminated body of this invention mentioned above on the board | substrate which is a metal plate or a metal film insulation board, for example, a copper clad laminated board, the exposure process which exposes the photosensitive resin laminated body, and photosensitive The development process of removing the unexposed part of the photosensitive resin in a resin laminated body, and forming a resist pattern, and etching or plating the board | substrate with which the resist pattern was formed (for example, the copper surface of a board | substrate in a copper clad laminated board). It includes the step of forming a conductor pattern. In a lamination process, an exposure process, and a developing process, the method and conditions similar to the above-mentioned in the resist pattern formation method can be employ | adopted preferably.

또, 프린트 배선판의 제조 방법은, 상기 서술한 본 발명의 감광성 수지 적층체를, 동장 적층판 또는 플렉시블 기판인 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정, 레지스트 패턴이 형성된 기판을 에칭 또는 도금하는 공정, 및 기판으로부터 레지스트 패턴을 박리하는 공정을 포함한다. 전형적으로는, 라미네이트 공정, 노광 공정 및 현상 공정을, 레지스트 패턴 형성 방법에 있어서 상기 서술한 것과 동일한 방법 및 조건으로 실시한 후, 노출된 기판을 에칭법, 또는 도금법 등의 이미 알려진 방법으로 처리하고, 또한, 레지스트 패턴을, 현상액보다 강한 알칼리성을 갖는 수용액에 의해 기판으로부터 박리하는 박리 공정을 실시함으로써 원하는 프린트 배선판을 얻을 수 있다. 박리용 알칼리 수용액 (이하, 「박리액」 이라고도 한다) 에 대해도 특별히 제한은 없지만, 2 ∼ 5 질량% 농도의 NaOH, 또는 KOH 의 수용액이 일반적으로 사용된다. 박리액에도 소량의 수용성 용매를 첨가하는 것은 가능하다. 또한, 박리 공정에 있어서의 그 박리액의 온도는 40 ∼ 70 ℃ 의 범위인 것이 바람직하다.Moreover, the manufacturing method of a printed wiring board is the lamination process of forming the photosensitive resin laminated body of this invention mentioned above on the board | substrate which is a copper clad laminated board or a flexible substrate, the exposure process which exposes to the photosensitive resin laminated body, and the photosensitive resin laminated body. The developing process of removing the unexposed part of the photosensitive resin in this case, and forming a resist pattern, the process of etching or plating the board | substrate with a resist pattern, and the process of peeling a resist pattern from a board | substrate. Typically, after performing the lamination process, the exposure process and the developing process in the same method and conditions as described above in the resist pattern forming method, the exposed substrate is treated by a known method such as an etching method or a plating method, Moreover, a desired printed wiring board can be obtained by performing the peeling process of peeling a resist pattern from a board | substrate with the aqueous solution which has stronger alkalinity than a developing solution. Although there is no restriction | limiting in particular also about the aqueous alkali solution for peeling (henceforth "a peeling liquid"), The aqueous solution of NaOH or KOH of 2-5 mass% concentration is generally used. It is possible to add a small amount of water-soluble solvent to the stripping solution. Moreover, it is preferable that the temperature of the peeling liquid in a peeling process is the range of 40-70 degreeC.

<리드 프레임의 제조 방법><Production method of the lead frame>

본 발명은 또, 상기 서술한 본 발명의 감광성 수지 적층체를 이용하여 리드 프레임을 제조하는 방법을 제공한다. 그 방법은, 상기 서술한 본 발명의 감광성 수지 적층체를, 금속판인 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정, 레지스트 패턴이 형성된 기판을 에칭하는 공정, 및 기판으로부터 레지스트 패턴을 박리하는 공정을 포함한다. 전형적으로는, 기판으로서 구리, 구리 합금, 또는 철계 합금 등의 금속판을 이용하고, 라미네이트 공정, 노광 공정 및 현상 공정을, 레지스트 패턴 형성 방법에 있어서 상기 서술한 것과 동일한 방법 및 조건으로 실시한 후, 노출된 기판을 에칭하여 도체 패턴을 형성하는 공정을 실시한다. 그 후, 레지스트 패턴을 상기 서술한 프린트 배선판의 제조 방법과 동일한 방법으로 박리하는 박리 공정을 실시하여, 원하는 리드 프레임을 얻을 수 있다.This invention also provides the method of manufacturing a lead frame using the photosensitive resin laminated body of this invention mentioned above. The method includes a lamination step of forming the photosensitive resin laminate of the present invention described above on a substrate which is a metal plate, an exposure step of exposing the photosensitive resin laminate, and an unexposed portion of the photosensitive resin in the photosensitive resin laminate. A developing step of removing and forming a resist pattern, a step of etching a substrate on which a resist pattern is formed, and a step of peeling a resist pattern from the substrate. Typically, using a metal plate such as copper, a copper alloy, or an iron-based alloy as a substrate, the lamination step, the exposure step, and the developing step are performed after the same method and conditions as described above in the resist pattern forming method, followed by exposure. The board | substrate is etched and the conductor pattern is formed. Then, the peeling process of peeling a resist pattern by the method similar to the manufacturing method of the printed wiring board mentioned above can be performed, and a desired lead frame can be obtained.

<요철 패턴을 갖는 기재의 제조 방법><The manufacturing method of the base material which has an uneven pattern>

본 발명은 또, 상기 서술한 감광성 수지 적층체를 이용하여 요철 패턴을 갖는 기재를 제조하는 방법을 제공한다. 그 방법은, 감광성 수지 적층체를, 유리 리브 페이스트를 도포한 유리 기판인 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정, 레지스트 패턴이 형성된 기판을 샌드블라스트 처리 가공하는 공정, 및 기판으로부터 레지스트 패턴을 박리하는 공정을 포함한다. 라미네이트 공정, 노광 공정 및 현상 공정에 있어서는, 레지스트 패턴 형성 방법에 있어서 상기 서술한 것과 동일한 방법 및 조건을 바람직하게 채용할 수 있다. 그 기재의 제조 방법에 있어서 형성되는 레지스트 패턴은 샌드블라스트 공법에 의해 기판에 가공을 실시할 때의 보호 마스크 부재로서 사용할 수 있다.This invention also provides the method of manufacturing the base material which has an uneven | corrugated pattern using the photosensitive resin laminated body mentioned above. The method includes a lamination step of forming a photosensitive resin laminate on a substrate which is a glass substrate coated with glass rib paste, an exposure step of exposing the photosensitive resin laminate, and an unexposed portion of the photosensitive resin in the photosensitive resin laminate. And a process of sandblasting the substrate on which the resist pattern is formed, and a process of peeling the resist pattern from the substrate. In a lamination process, an exposure process, and a developing process, the method and conditions similar to the above-mentioned in the resist pattern formation method can be employ | adopted preferably. The resist pattern formed in the manufacturing method of the base material can be used as a protective mask member at the time of processing a board | substrate by a sandblasting method.

또한, 상기 서술한 유리 리브 페이스트를 도포한 유리 기판 외에 유리, 실리콘 웨이퍼, 아모르퍼스 실리콘, 다결정 실리콘, 세라믹, 사파이어, 금속 재료 등의 기판을 사용해도 된다. 전형적으로는, 유리 리브 페이스트를 도포한 기판 상에, 전술한 레지스트 패턴 형성 방법과 동일한 방법에 의해 라미네이트 공정, 노광 공정 및 현상 공정을 실시하여 레지스트 패턴을 형성한다. 그 후, 형성된 레지스트 패턴 상으로부터 블라스트재를 분사하여 목적으로 하는 깊이로 절삭하는 샌드블라스트 처리 공정, 기판 상에 잔존한 레지스트 패턴 부분을 알칼리 박리액 등으로 기판으로부터 제거하는 박리 공정을 거쳐, 기판 상에 미세한 요철 패턴을 갖는 기재를 형성할 수 있다. 샌드블라스트 처리 공정에 사용하는 블라스트재로는 공지된 것이 사용되며, 예를 들어 SiC, SiO2, Al2O3, CaCO3, ZrO, 유리, 스테인리스 등의 입경 2 ∼ 100 ㎛ 정도의 미립자가 사용된다.Moreover, you may use board | substrates, such as glass, a silicon wafer, amorphous silicon, polycrystalline silicon, a ceramic, sapphire, and a metal material, in addition to the glass substrate which apply | coated the glass rib paste mentioned above. Typically, a lamination process, an exposure process, and a development process are performed on the board | substrate which apply | coated the glass rib paste by the method similar to the resist pattern formation method mentioned above, and a resist pattern is formed. Thereafter, the substrate is subjected to a sand blast treatment step of spraying a blast material from the formed resist pattern and cutting it to a desired depth, and a peeling step of removing the resist pattern portion remaining on the substrate from the substrate with an alkali stripper or the like. The base material which has a fine uneven | corrugated pattern in can be formed. Blasting a material used in the sandblasting treatment process is known to be used, for example, SiC, SiO 2, Al 2 O 3, CaCO 3, ZrO, particle size 2 to fine particles are used of approximately 100 ㎛ of glass, stainless steel, etc. do.

<반도체 패키지의 제조 방법><Method of Manufacturing Semiconductor Package>

본 발명은 또, 상기 서술한 감광성 수지 적층체를 이용하여 반도체 패키지를 제조하는 방법을 제공한다. 그 방법은, 상기 서술한 본 발명의 감광성 수지 적층체를, LSI 로서의 회로 형성이 완료된 웨이퍼인 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정, 레지스트 패턴이 형성된 기판을 도금하는 공정, 및 기판으로부터 레지스트 패턴을 박리하는 공정을 포함한다. 전형적으로는, 레지스트 패턴 형성 방법에 있어서 전술한 것과 동일한 방법 및 조건으로 라미네이트 공정, 노광 공정 및 현상 공정을 실시한 후, 노출된 개구부에 구리, 땜납 등의 기둥 형상 도금을 실시하여 도체 패턴을 형성하는 공정을 실시한다. 그 후, 레지스트 패턴을 상기 서술한 프린트 배선판의 제조 방법과 동일한 방법으로 박리하는 박리 공정을 실시하고, 또한, 기둥 형상 도금 이외의 부분의 얇은 금속층을 에칭에 의해 제거하는 공정을 실시함으로써 원하는 반도체 패키지를 얻을 수 있다.This invention also provides the method of manufacturing a semiconductor package using the photosensitive resin laminated body mentioned above. The method includes a lamination step of forming the photosensitive resin laminate of the present invention described above on a substrate which is a wafer having completed circuit formation as LSI, an exposure step of exposing the photosensitive resin laminate, and the photosensitive resin in the photosensitive resin laminate. The developing process of removing the unexposed part of resin and forming a resist pattern, the process of plating the board | substrate with a resist pattern, and the process of peeling a resist pattern from a board | substrate. Typically, in the resist pattern forming method, after performing the lamination process, the exposure process, and the developing process under the same method and conditions as described above, the exposed openings are subjected to columnar plating such as copper and solder to form a conductor pattern. Carry out the process. Then, the desired semiconductor package is implemented by performing a peeling process of peeling a resist pattern by the same method as the manufacturing method of the above-mentioned printed wiring board, and also removing the thin metal layer of parts other than columnar plating by etching. Can be obtained.

실시예Example

이하, 실시예에서 본 발명을 더욱 설명하는데, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 실시예 및 비교예의 평가용 샘플의 제작 방법 그리고 얻어진 샘플에 대한 평가 방법 및 평가 결과에 대해 이하에 설명한다. Hereinafter, although an Example further demonstrates this invention, this invention is not limited to this. The preparation method of the sample for evaluation of an Example and a comparative example, the evaluation method, and the evaluation result about the obtained sample are demonstrated below.

(실시예 1 ∼ 13, 비교예 1 및 2) (Examples 1-13, Comparative Examples 1 and 2)

표 1 에 나타내는 화합물을, 표 2 및 3 에 나타내는 질량부로 혼합하여 감광성 수지 조성물을 얻었다. 또한, 표 2 및 3 에 있어서, MEK 란 메틸에틸케톤을 나타내고, MEK 이외의 화합물의 조성 비율에 있어서의 질량부는 MEK 를 포함한 값이다.The compound shown in Table 1 was mixed by the mass part shown in Table 2 and 3, and the photosensitive resin composition was obtained. In Tables 2 and 3, MEK represents methyl ethyl ketone, and the mass part in the composition ratio of compounds other than MEK is a value including MEK.

1. 평가용 샘플의 제작1. Preparation of Samples for Evaluation

실시예 및 비교예에 있어서의 감광성 수지 적층체는 다음과 같이 하여 제작하였다.The photosensitive resin laminated body in an Example and a comparative example was produced as follows.

<감광성 수지 적층체의 제작><Production of Photosensitive Resin Laminate>

각 실시예 및 각 비교예의 감광성 수지 조성물을 잘 교반 및 혼합하고, 그 각 조성물을, 지지체로서의 두께 16 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 표면에 바 코터를 이용하여 균일하게 도포하고, 95 ℃ 의 건조기 중에서 4 분간 건조시켜 감광성 수지층을 형성하였다. 감광성 수지층의 두께는 40 ㎛ 였다.The photosensitive resin composition of each Example and each comparative example was stirred and mixed well, and each composition was apply | coated uniformly using the bar coater to the polyethylene terephthalate film surface of thickness of 16 micrometers as a support body, It dried for minutes, and formed the photosensitive resin layer. The thickness of the photosensitive resin layer was 40 micrometers.

이어서, 감광성 수지층의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 적층하지 않은 쪽의 표면 상에, 보호층으로서 두께 22 ㎛ 의 폴리에틸렌 필름을 부착하여 감광성 수지 적층체를 얻었다.Subsequently, a 22 micrometer-thick polyethylene film was adhered as a protective layer on the surface in which the polyethylene terephthalate film of the photosensitive resin layer was not laminated, and the photosensitive resin laminated body was obtained.

<기판 정면 (整面)><The board front>

감도, 해상성 및 밀착성의 평가용 기판으로는, 두께 35 ㎛ 의 압연 동박을 적층한 두께 1.2 ㎜ 의 동장 적층판을 이용하고, 표면을 습식 버프 롤 연마 (쓰리엠 (주) 제조, 스카치 브라이트 (등록상표) HD#600, 2 회 연속) 하였다.As a substrate for evaluation of sensitivity, resolution, and adhesion, the surface was wet buff roll polished (manufactured by 3M Co., Ltd., Scotch Bright ) HD # 600, 2 consecutive times).

평가용 기판은 스프레이압 0.20 ㎫ 로 제트 스크럽 연마 (닛폰 연삭 지립 (주) 제조, 사쿠런덤 A (등록상표) #F220P) 한 것을 준비하였다.The board | substrate for evaluation prepared the thing which carried out the jet scrub grinding | polishing (made by Nippon Grinding Abrasive Co., Ltd., Sakurundom A (registered trademark) # F220P) by spray pressure 0.20 Mpa.

<라미네이트><Laminate>

감광성 수지 적층체의 폴리에틸렌 필름을 벗기면서, 상기의 기판 정면 후에 60 ℃ 로 예열한 동장 적층판에 핫 롤 라미네이터 (아사히 화성 (주) 제조, AL-70) 를 이용하여, 롤 온도 105 ℃ 에서 라미네이트하였다. 에어 압력은 0.35 ㎫ 로 하고, 라미네이트 속도는 1.5 m/min 으로 하였다. While peeling the polyethylene film of the photosensitive resin laminated body, it laminated at the roll temperature of 105 degreeC using the hot roll laminator (Asahi Chemical Co., Ltd. product, AL-70) to the copper clad laminated board preheated at 60 degreeC after the said board | substrate front surface. . The air pressure was 0.35 MPa, and the lamination speed was 1.5 m / min.

<노광><Exposure>

감광성 수지층의 평가에 필요한 마스크 필름을, 지지체인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 놓고, 초고압 수은 램프 (오크 제작소 제조, HMW-201KB) 에 의해, 스타우퍼 제조 21 단 스텝 타블렛에 있어서 6 단이 경화되는 노광량 (표 2 및 3 중의 단위는 스텝 타블렛 단수 (段數) 이다) 으로 노광하였다.The mask film required for evaluation of the photosensitive resin layer is placed on a polyethylene terephthalate film serving as a support, and six stages are cured in a 21-step step tablet manufactured by a woofer by an ultra-high pressure mercury lamp (Ohm Manufacturing, HMW-201KB). It exposed by the exposure amount (the unit in Tables 2 and 3 is a step tablet stage number).

<현상><Phenomena>

폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리한 후, 알칼리 현상기 (후지 기공 제조, 드라이 필름용 현상기) 를 이용하여 30 ℃ 의 1 질량% Na2CO3 수용액을 소정 시간, 감광성 수지층에 스프레이하고, 감광성 수지층의 미노광 부분을 최소 현상 시간의 2 배의 시간으로 용해 제거하였다. 이 때, 미노광 부분의 감광성 수지층이 완전히 용해되는 데에 필요로 하는 가장 적은 시간을 최소 현상 시간으로 하였다.After peeling the polyethylene terephthalate film, an alkali developing device of (Fuji pore production, the dry film developing device for) and spray a 1 mass% Na 2 CO 3 aqueous solution for 30 ℃ at a given time, photosensitive resin layer by using, the photosensitive resin layer The unexposed portions were dissolved away at twice the minimum developing time. At this time, the minimum time required for complete dissolution of the photosensitive resin layer of the unexposed part was made into the minimum developing time.

2. 평가 방법2. Evaluation method

(1) 감도 평가(1) sensitivity evaluation

라미네이트 후 15 분 경과한 감도, 해상성 평가용 기판을, 투명에서 흑색으로 21 단계로 명도가 변화하는 스타우퍼 제조 21 단 스텝 타블렛을 이용하여 노광하였다. 노광 후, 최소 현상 시간의 2 배의 현상 시간으로 현상하여, 레지스트막이 완전히 잔존하고 있는 스텝 타블렛 단수를 감도의 값으로 하였다.The board | substrate for sensitivity and resolution evaluation which passed 15 minutes after lamination was exposed using the 21-step tablet manufactured by Starwoor whose brightness changes by 21 steps from transparent to black. After exposure, development was carried out at a development time twice that of the minimum development time, and the number of step tablets in which the resist film remained completely was used as the sensitivity value.

(2) 해상성 평가(2) resolution evaluation

라미네이트 후 15 분 경과한 해상도 평가용 기판을, 노광 부분과 미노광 부분의 폭이 1 : 1 의 비율인 라인 패턴 마스크를 통과시켜 노광하였다. 최소 현상 시간의 2 배의 현상 시간으로 현상하여, 경화 레지스트 라인이 정상적으로 형성되어 있는 최소 마스크폭을 해상도의 값으로 하고, 해상성을 하기와 같이 랭크 분류하였다.The board | substrate for resolution evaluation which passed 15 minutes after lamination was exposed through the line pattern mask whose width of an exposure part and an unexposed part is a ratio of 1: 1. It developed at the developing time twice the minimum developing time, the minimum mask width in which the hardening resist line was normally formed was made into the resolution value, and resolution was classified as follows.

A : 해상도의 값이 30 ㎛ 이하.A: The value of the resolution is 30 micrometers or less.

B : 해상도의 값이 30 ㎛ 를 초과, 40 ㎛ 이하.B: The value of the resolution exceeded 30 micrometers and 40 micrometers or less.

C : 해상도의 값이 40 ㎛ 를 초과. C: The value of the resolution exceeds 40 micrometers.

(3) 밀착성 평가(3) adhesion evaluation

라미네이트 후 15 분 경과한 감도, 해상도 평가용 기판을, 노광부와 미노광부의 폭이 1 : 1 의 비율인 라인 패턴 마스크를 통과시켜 노광하였다. 최소 현상 시간의 2 배의 현상 시간으로 현상하여, 경화 레지스트 라인이 정상적으로 형성되어 있는 최소 마스크 라인폭을 밀착성의 값으로 하였다.The sensitivity and the board | substrate for evaluation of resolution which passed 15 minutes after lamination were exposed through the line pattern mask whose width of an exposure part and an unexposed part is 1: 1. It developed at the developing time twice the minimum developing time, and set the minimum mask line width in which the hardening resist line is normally formed as adhesive value.

A : 밀착성의 값이 30 ㎛ 이하.A: The adhesiveness value is 30 micrometers or less.

B : 밀착성의 값이 30 ㎛ 를 초과, 40 ㎛ 이하.B: The value of adhesiveness is more than 30 micrometers and 40 micrometers or less.

C : 밀착성의 값이 40 ㎛ 를 초과.C: The adhesiveness value exceeds 40 micrometers.

(4) 박리성 평가(4) Peelability Evaluation

라미네이트 후 15 분 경과한 박리성 평가용 기판을, 6 ㎝ × 6 ㎝ 의 패턴을 갖는 마스크를 통과시켜 노광하였다. 최소 현상 시간의 2 배의 현상 시간으로 현상한 후, 50 ℃, 3 wt% 의 가성 소다 수용액에 침지시켜, 레지스트막이 박리되는 시간을 측정하여, 이하와 같이 랭크 분류하였다.The substrate for peelability evaluation which passed 15 minutes after lamination was exposed through the mask which has a pattern of 6 cmx6 cm. After developing at the developing time twice the minimum developing time, it was immersed in 50 degreeC and 3 wt% of caustic soda aqueous solution, the time which a resist film peels was measured, and it classified into ranks as follows.

A : 박리 시간이 45 초 이하.A: Peeling time is 45 seconds or less.

B : 박리 시간이 45 초를 초과 50 초 이하.B: The peeling time exceeds 45 seconds and 50 seconds or less.

C : 박리 시간이 50 초를 초과. C: Peeling time exceeds 50 seconds.

(5) 텐팅성 평가(5) tentability evaluation

두께 1.6 ㎜ 의 동장 적층판에 직경 6 ㎜ 의 구멍이 뚫려 있는 기재의 양면에 감광성 수지 적층체를 라미네이트하고, 표 2 및 3 에서 정의하는 노광량으로 노광하고, 최소 현상 시간의 4 배의 현상 시간으로 현상하여, 수세·건조시켰다. 그리고 구멍 파괴수를 측정하여, 하기 수학식에 의해 텐트막 파괴율을 산출하였다.The photosensitive resin laminate is laminated on both sides of a substrate having a diameter of 6 mm in a copper clad laminate having a thickness of 1.6 mm, exposed at an exposure dose defined in Tables 2 and 3, and developed at a development time four times the minimum development time. It washed with water and dried. The hole breaking number was measured, and the tent film breaking rate was calculated by the following equation.

텐트막 파괴율 (%) = [구멍 파괴수 (개)/전체 구멍수 (개)] × 100Tensile membrane breakage rate (%) = [hole breakage (pieces) / total hole breakage (pieces)] × 100

이 텐트막 파괴율 (%) 에 의해, 다음과 같이 랭크 분류하였다.According to this tent film breaking rate (%), the rank was classified as follows.

A : 3 % 미만A: less than 3%

B : 3 % 이상 10 % 미만B: 3% or more but less than 10%

C : 10 % 이상C: 10% or more

3. 평가 결과3. Evaluation result

실시예 및 비교예의 평가 결과를 표 2 및 3 에 나타낸다.The evaluation result of an Example and a comparative example is shown to Tables 2 and 3.

P-1P-1 메타크릴산메틸/메타크릴산/스티렌 (중합비가 50/25/25) 의 조성을 가지며,
산 당량이 344 이며, 중량 평균 분자량이 5 만인 공중합체의 35 질량% 메틸에틸케톤 용액
Has a composition of methyl methacrylate / methacrylic acid / styrene (polymerization ratio 50/25/25),
35 mass% methylethylketone solution of a copolymer having an acid equivalent of 344 and a weight average molecular weight of 50,000
P-2P-2 메타크릴산메틸/메타크릴산/아크릴산n-부틸 (질량비가 65/25/10) 의 조성을 가지며,
산 당량이 344 이며, 중량 평균 분자량이 12 만인 공중합체의 30 질량% 메틸에틸케톤 용액
Has a composition of methyl methacrylate / methacrylic acid / n-butyl acrylate (mass ratio is 65/25/10),
30 mass% methylethylketone solution of a copolymer having an acid equivalent of 344 and a weight average molecular weight of 120,000
P-3P-3 메타크릴산벤질/메타크릴산메틸/아크릴산2-에틸헥실 (질량비가 65/25/10) 의 조성을 가지며,
산 당량이 344 이며, 중량 평균 분자량이 5 만인 공중합체의 50 질량% 메틸에틸케톤 용액
Has a composition of benzyl methacrylate / methyl methacrylate / 2-ethylhexyl acrylate (mass ratio 65/25/10),
50 mass% methylethylketone solution of a copolymer having an acid equivalent of 344 and a weight average molecular weight of 50,000.
M-1M-1 헥사메틸렌디이소시아네이트와 평균 5 몰의 프로필렌글리콜 사슬을 갖는 모노메타크릴레이트와의 우레탄 화합물Urethane compounds of hexamethylene diisocyanate with monomethacrylate having an average of 5 mol of propylene glycol chain M-2M-2 평균 12 몰의 프로필렌옥사이드를 부가한 폴리프로필렌글리콜에 에틸렌옥사이드를 추가로 양단에 각각 평균 3 몰씩 부가한 폴리알킬렌글리콜의 디메타크릴레이트Dimethacrylate of polyalkylene glycol added with an average of 3 mol each of ethylene oxide to both ends of polypropylene glycol to which an average of 12 mol of propylene oxide was added. M-3M-3 트리메틸올프로판에 평균 3 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 트리아크릴레이트 (신나카무라 화학 제조 A-TMPT-3EO, 제품명)Triacrylate with an average of 3 moles of ethylene oxide added to trimethylolpropane (Shin-Nakamura Chemical A-TMPT-3EO, product name) M-4M-4 4-노닐페닐헵타에틸렌옥사이드디프로필렌옥사이드아크릴레이트 (닛폰 유지 (주) 제조 LS-100A)4-nonylphenylheptaethylene oxide dipropylene oxide acrylate (LS-100A manufactured by Nippon Oil Holding Co., Ltd.) M-5M-5 평균 4 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 디메타크릴레이트Dimethacrylate with an average of 4 moles of ethylene oxide added M-6M-6 (2,2-비스{4-(메타크릴옥시펜타에틸렌옥사이드)페닐}프로판 (신나카무라 화학사 제조 BPE-500, 제품명)(2,2-bis {4- (methacryloxypentaethyleneoxide) phenyl} propane (BPE-500 manufactured by Shin-Nakamura Chemical Corporation, product name) M-7M-7 비스페놀 A 의 양측에 각각 평균 2 몰의 프로필렌옥사이드와 평균 15 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리알킬렌글리콜의 디메타크릴레이트Dimethacrylate of polyalkylene glycol with an average of 2 moles of propylene oxide and an average of 15 moles of ethylene oxide added to both sides of bisphenol A, respectively. I-1I-1 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸릴 2 량체2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazolyl dimer I-2I-2 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논4,4'-bis (diethylamino) benzophenone D-1D-1 다이아몬드 그린Diamond green D-2D-2 류코 크리스탈 바이올렛Leuco crystal violet K-1K-1 평균 18 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리옥시에틸렌{트리스(1-페닐에틸)}페닐에테르Polyoxyethylene {tris (1-phenylethyl)} phenyl ether with an average of 18 mol of ethylene oxide added K-2K-2 평균 8 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리옥시에틸렌{트리스(1-페닐에틸)}페닐에테르Polyoxyethylene {tris (1-phenylethyl)} phenyl ether with an average of 8 moles of ethylene oxide added K-3K-3 평균 15 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리옥시에틸렌{트리스(1-페닐에틸)}페닐에테르Polyoxyethylene {tris (1-phenylethyl)} phenyl ether with an average of 15 mol of ethylene oxide added K-4K-4 평균 28 몰의 에틸렌옥사이드를 부가한 폴리옥시에틸렌{트리스(1-페닐에틸)}페닐에테르Polyoxyethylene {tris (1-phenylethyl)} phenyl ether with an average of 28 mol of ethylene oxide added K-5K-5 에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드의 중합비가 40/60 인 폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜-폴리에틸렌글리콜 블록 공중합체Polyethyleneglycol-polypropyleneglycol-polyethyleneglycol block copolymer having a polymerization ratio of ethylene oxide / propylene oxide of 40/60

Figure pct00008
Figure pct00008

Figure pct00009
Figure pct00009

산업상 이용가능성Industrial availability

본 발명의 감광성 수지 조성물은 프린트 배선판의 제조, IC 칩 탑재용 리드 프레임 제조, 메탈 마스크 제조 등의 금속박 정밀 가공, BGA, 또는 CSP 등의 패키지 제조, COF 나 TAB 등 테이프 기판의 제조, 반도체 범프의 제조, ITO 전극이나 어드레스 전극, 전자파 실드 등 플랫 패널 디스플레이의 격벽의 제조 등에 바람직하게 적용할 수 있다.The photosensitive resin composition of this invention is a metal foil precision process, such as manufacture of a printed wiring board, manufacture of a lead frame for IC chip mounting, manufacture of a metal mask, manufacture of a package, such as BGA or CSP, manufacture of a tape substrate, such as COF and TAB, and a semiconductor bump. The present invention can be suitably applied to the production of partition walls of flat panel displays such as manufacturing, ITO electrodes, address electrodes, electromagnetic shields, and the like.

Claims (16)

하기 (a) ∼ (d) 성분, (a) 적어도 α,β-불포화 카르복실기 함유 단량체를 중합 성분으로 하여 중합된, 산 당량이 100 ∼ 600, 또한 중량 평균 분자량이 5,000 ∼ 500,000 인 열가소성 중합체 20 ∼ 90 질량%, (b) 분자 내에 적어도 1 개의 중합 가능한 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 부가 중합성 모노머 3 ∼ 75 질량%, (c) 광 중합 개시제 0.01 ∼ 30 질량%, 및 (d) 하기 일반식 (Ⅰ) :
[화학식 1]
Figure pct00010

(식 중, R1 ∼ R5 는 각각 독립적으로 H, 아릴기 또는 아릴알킬기이며, 또한 R1 ∼ R5 중 적어도 1 개는 아릴기 또는 아릴알킬기이며, A1 은 C2H4 또는 C3H6 이며, n1 이 2 이상인 경우 복수의 A1 은 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, 그리고 n1 은 1 ∼ 50 의 정수이다) 로 나타내는 화합물을 함유하는 감광성 수지 조성물.
20-60 thermoplastic equivalents polymerized using the following (a)-(d) component and (a) at least the (alpha), (beta)-unsaturated carboxyl group-containing monomer as a polymerization component, and a weight average molecular weights 5,000-500,000. 90 mass%, (b) 3-75 mass% addition polymerizable monomer which has at least 1 polymerizable ethylenically unsaturated bond in a molecule, (c) 0.01-30 mass% of photoinitiators, and (d) the following general formula ( Ⅰ):
[Formula 1]
Figure pct00010

(Wherein, R 1 to R 5 are each independently H, an aryl group or an arylalkyl group, and at least one of R 1 to R 5 is an aryl group or an arylalkyl group, and A 1 is C 2 H 4 or C 3 H 6 and, n 1 is 2, a plurality of a 1 are each other may be the same or different or more, and n 1 is a photosensitive resin composition containing a compound represented by an integer from 1 to 50).
제 1 항에 있어서,
상기 일반식 (Ⅰ) 중의 R1 ∼ R5 중 적어도 1 개가 페닐알킬기인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photosensitive resin composition whose at least 1 of R <1> -R <5> in the said General formula (I) is a phenylalkyl group.
제 2 항에 있어서,
상기 페닐알킬기에 있어서의 알킬기 부분의 탄소수가 1 ∼ 6 개인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 2,
The photosensitive resin composition whose carbon number of the alkyl group part in the said phenylalkyl group is 1-6.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 일반식 (Ⅰ) 중의 R1 ∼ R5 중 1 ∼ 3 개의 기가 각각 아릴기 또는 아릴알킬기인 감광성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The photosensitive resin composition whose 1-3 groups of R <1> -R <5> in the said General formula (I) are an aryl group or an arylalkyl group, respectively.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 일반식 (Ⅰ) 중의 R1 ∼ R5 중 2 또는 3 개의 기가 각각 아릴기 또는 아릴알킬기인 감광성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The photosensitive resin composition whose 2 or 3 groups of R <1> -R <5> in the said General formula (I) are an aryl group or an arylalkyl group, respectively.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 일반식 (Ⅰ) 중, n1 이 1 ∼ 35 의 정수인 감광성 수지 조성물.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The photosensitive resin composition whose n <1> is an integer of 1-35 in the said General formula (I).
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 일반식 (Ⅰ) 중의 R1 ∼ R5 가 각각 독립적으로 H, 페닐기 또는 1-페닐에틸기이며, R1 ∼ R5 중 2 개가 H 이며, 또한 R1 ∼ R5 중 3 개가 각각 독립적으로 페닐기 또는 1-페닐에틸기인 감광성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 6,
R 1 to R 5 in the general formula (I) are each independently H, a phenyl group or a 1-phenylethyl group, two of R 1 to R 5 are H, and three of R 1 to R 5 are each independently a phenyl group Or 1-phenylethyl group.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 (a), (b) 및 (c) 성분의 합계량을 100 질량% 로 했을 때의 상기 (d) 성분의 함유량이 1 ∼ 20 질량% 인 감광성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 7,
The photosensitive resin composition whose content of the said (d) component is 1-20 mass% when the total amount of the said (a), (b) and (c) component is 100 mass%.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 (b) 성분으로서, 하기 일반식 (Ⅱ) :
[화학식 2]
Figure pct00011

(식 중, R6 및 R7 은 각각 독립적으로 H 또는 CH3 이며, n2, n3 및 n4 는 각각 독립적으로 3 ∼ 20 의 정수이다) 또는 하기 일반식 (Ⅲ) :
[화학식 3]
Figure pct00012

(식 중, R8 및 R9 는 각각 독립적으로 H 또는 CH3 이며, A2 는 C2H4 이며, A3 은 C3H6 이며, n5 및 n6 은 각각 독립적으로 1 ∼ 29 의 정수이며 또한 n5+n6 은 2 ∼ 30 의 정수이며, n7 및 n8 은 각각 독립적으로 0 ∼ 29 의 정수이며 또한 n7+n8 은 0 ∼ 30 의 정수이며, -(A2-O)- 및 -(A3-O)- 의 반복 단위의 배열은 랜덤이어도 되고 블록이어도 되며, 블록의 경우, -(A2-O)- 와 -(A3-O)- 의 어느 것이 비스페닐기측이어도 된다) 으로 나타내는 광 중합 가능한 불포화 화합물을 함유하는 감광성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 8,
As said (b) component, the following general formula (II):
(2)
Figure pct00011

(Wherein R 6 and R 7 are each independently H or CH 3 , and n 2 , n 3 and n 4 are each independently an integer of 3 to 20) or the following general formula (III):
(3)
Figure pct00012

(Wherein R 8 and R 9 are each independently H or CH 3 , A 2 is C 2 H 4 , A 3 is C 3 H 6 , and n 5 and n 6 are each independently 1-29 Is an integer, n 5 + n 6 is an integer of 2 to 30, n 7 and n 8 are each independently an integer of 0 to 29, and n 7 + n 8 is an integer of 0 to 30,-(A 2 -O) The arrangement of the repeating units of-and-(A 3 -O)-may be random or a block, and in the case of a block, any of-(A 2 -O)-and-(A 3 -O)-is a bisphenyl group side The photosensitive resin composition containing the unsaturated compound which can be photopolymerized by the above) may be used.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 지지체 상에 적층하여 이루어지는 감광성 수지 적층체.The photosensitive resin laminated body formed by laminating | stacking the photosensitive resin composition of any one of Claims 1-9 on a support body. 제 10 항에 기재된 감광성 수지 적층체를 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 상기 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 및 상기 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법.The lamination process of forming the photosensitive resin laminated body of Claim 10 on a board | substrate, the exposure process which exposes to the said photosensitive resin laminated body, and the unexposed part of the photosensitive resin in the said photosensitive resin laminated body are removed, and a resist pattern is removed. A resist pattern formation method including the developing process to form. 제 10 항에 기재된 감광성 수지 적층체를, 금속판 또는 금속 피막 절연판인 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 상기 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 상기 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정, 및 상기 레지스트 패턴이 형성된 기판을 에칭 또는 도금함으로써 도체 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 도체 패턴의 제조 방법.The lamination process of forming the photosensitive resin laminated body of Claim 10 on the board | substrate which is a metal plate or a metal film insulation plate, the exposure process which exposes to the said photosensitive resin laminated body, and the unexposed part of the photosensitive resin in the said photosensitive resin laminated body. And a developing step of removing the resist to form a resist pattern, and forming a conductor pattern by etching or plating the substrate on which the resist pattern is formed. 제 10 항에 기재된 감광성 수지 적층체를, 동장(銅張) 적층판 또는 플렉시블 기판인 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 상기 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 상기 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정, 상기 레지스트 패턴이 형성된 기판을 에칭 또는 도금하는 공정, 및 상기 기판으로부터 상기 레지스트 패턴을 박리하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법.The lamination process of forming the photosensitive resin laminated body of Claim 10 on the board | substrate which is a copper clad laminated board or a flexible substrate, the exposure process which exposes to the said photosensitive resin laminated body, and the photosensitive resin in the said photosensitive resin laminated body. And a step of etching or plating the substrate on which the resist pattern is formed, and the step of peeling the resist pattern from the substrate. 제 10 항에 기재된 감광성 수지 적층체를, 금속판인 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 상기 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 상기 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정, 상기 레지스트 패턴이 형성된 기판을 에칭하는 공정, 및 상기 기판으로부터 상기 레지스트 패턴을 박리하는 공정을 포함하는 리드 프레임의 제조 방법.The lamination process of forming the photosensitive resin laminated body of Claim 10 on the board | substrate which is a metal plate, the exposure process which exposes to the said photosensitive resin laminated body, and the unexposed part of the photosensitive resin in the said photosensitive resin laminated body, and removing a resist. And a step of etching a substrate on which the resist pattern is formed, and a step of peeling the resist pattern from the substrate. 제 10 항에 기재된 감광성 수지 적층체를, 유리 리브 페이스트를 도포한 유리 기판인 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 상기 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 상기 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정, 상기 레지스트 패턴이 형성된 기판을 샌드블라스트 처리 가공하는 공정, 및 상기 기판으로부터 상기 레지스트 패턴을 박리하는 공정을 포함하는 요철 패턴을 갖는 기재의 제조 방법.The lamination process of forming the photosensitive resin laminated body of Claim 10 on the board | substrate which is a glass substrate which apply | coated the glass rib paste, the exposure process which exposes to the said photosensitive resin laminated body, and the photosensitive resin in the said photosensitive resin laminated body. A method for producing a substrate having a concave-convex pattern, which includes a developing step of removing an unexposed portion to form a resist pattern, a step of sandblasting the substrate on which the resist pattern is formed, and a step of peeling the resist pattern from the substrate. . 제 10 항에 기재된 감광성 수지 적층체를, LSI 로서의 회로 형성이 완료된 웨이퍼인 기판 상에 형성하는 라미네이트 공정, 상기 감광성 수지 적층체에 노광하는 노광 공정, 상기 감광성 수지 적층체에 있어서의 감광성 수지의 미노광 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정, 상기 레지스트 패턴이 형성된 기판을 도금하는 공정, 및 상기 기판으로부터 상기 레지스트 패턴을 박리하는 공정을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.The lamination process of forming the photosensitive resin laminated body of Claim 10 on the board | substrate which is a wafer in which the circuit formation as LSI was completed, the exposure process which exposes to the said photosensitive resin laminated body, and the minnow of the photosensitive resin in the said photosensitive resin laminated body. And a step of plating the substrate on which the resist pattern is formed, and a step of peeling the resist pattern from the substrate.
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